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La formula Id = IDSS ( 1-VGS/VT)2 Poich VT negativo, allora se VGS (>0) si riduce Id cresce.
Aumentanto la corrente di drain diminuisce la carica libera del canale.
Rimane costante
Dipende dalla tensione di soglia
Aumenta
Diminuisce
Dato un transistor bipolare (BJT) di tipo npn polarizzato in zona attiva diretta, un aumento
della tensione VCE causa:
Perch dalle formuline aumentando VCE aumenta Ro. Aumentando Ro la corrente preferir fluire
per Ic (vedi schema ai piccoli segnali).
In una giunzione pn, aumentando il drogaggio dei semiconduttori, cosa succede al campo
elettrico massimo alla giunzione?
Rimane invariato
Diminuisce
Aumenta
Dipende dal tipo di drogante
In una giunzione pn, con regioni "p" ed "n" debolmente drogate, quale tipo di breakdown
avverra' in forte polarizzazione inversa?
Zener e Valanga
Valanga
Zener
Dipende dal tipo di drogante
[con scarso drogaggio, il diodo e' un normale diodo, se lo polarizzi fortemente in inversa lo
arrostisci]
Per avere un diodo con breakdown di tipo Zener, bisogna costruire una giunzione pn con
regioni "p" ed "n":
non drogate
fortemente drogate
ugualmente drogate
debolmente drogate
Drogando un semiconduttore con ND atomi donori per cm3 e NA atomi accettori per cm3,
sapendo che ND > NA, quale sar la concentrazione per cm3 delle lacune?
NA - ND
(no)ND - NA
ni 2/ (ND-NA)
NA
Drogando un semiconduttore con NA atomi accettori per cm3 e ND atomi donori per cm3,
sapendo che NA=ND, quale sar la concentrazione per cm3 dei portatori liberi di tipo lacuna?
NA + ND
ni 2/ (ND+NA)
NA
ni
La formula e' ni 2 / (ND - NA) ma aggiungendo lo stesso numero di atomi donori e accettori questi si
annullano
Un semiconduttore viene drogato con atomi di Fosforo (P) con una concentrazione ND=51016
atomi/cm-3 e con atomi di Boro (B) con una concentrazione NA=81015 atomi. Determinare la
concentrazione di Lacune p nel semiconduttore.
p=5103 cm-3
p=1.451010 cm-3
p=4.2103 cm-3
p=2,6104 cm-3
Un transistor bipolare (BJT) di tipo pnp pu essere polarizzato nella regione attiva diretta
quando:
Si sa che la giunzione BE deve essere in diretta, BC in inversa. Poich in base c' il polo negativo
(pnp la base in centro) allora BE deve essere < 0 e BC>0
Un transistor bipolare con la giunzione Base-Emettitore (EBJ) e la giunzione Base-Collettore
(CBJ) polarizzate in inversa, in che regime sta operando?
Zona di interdizione
Zona di saturazione
Zona attiva diretta
Zona attiva inversa
Se entrambe sono in inversa (spente) facile ricordarsi che l'intero BJT risulta spento (interdetto)
Un diodo ideale:
amplificazione di potenza
amplificazione di corrente
resistenza di ingresso elevatissima
amplificazione di tensione
Un transistore bipolare, per essere usato al meglio come amplificatore, deve essere
polarizzato:
tensione?
AV = -2.2
Nell'amplificatore di figura, R1 = 10 kOhm. Quale deve essere il valore di R2 per ottenere un
guadagno di tensione pari a 10?
9 MOhm
9 kOhm
90 kOhm
900 kOhm
In una giunzione p+n (drogaggio della regione p molto maggiore che nella regione n), in
polarizzazione diretta, nella regione n, lontano dalla giunzione, la corrente dovuta a:
elettroni e lacune
(NO) lacune iniettate dalla regione p
a elettroni che verranno iniettati nella regione p
elettroni che si ricombinano con le lacune iniettate
In una giunzione pn, per avere la regione di carica spaziale che si estende maggiormente nella
regione "n" bisogna che:
In un transistor bipolare con drogaggio di base (NB) e di emettitore (NE) uguali, sara'
caratterizzato da:
Saturazione
Interdizione
Attiva inversa
Attiva diretta
Vb>Va ==> giunzione BE in diretta (la base e' p l'emettitore n, vuole appunto che Vb>Ve) Vb>Vc
==> giunzione BC in diretta (come prima)
(NO)Attiva diretta
Interdizione
Saturazione
Attiva inversa
L'emettitore e' quello con la freccia! La base e' ad una tensione minore del collettore (Vb<Va)
quindi BC e' in diretta (visto che il pnp vuole che la base (n) sia a meno del collettore (p).
La base e' ad una tensione maggiore dell'emettitore (Vb>Vc) quindi BE e' in inversa.
Sia dato il circuito di figura che impiega un diodo ideale. Sapendo che la tensione d'ingresso vi
un'onda triangolare in accordo con quanto riportato in figura, si determini l'andamento
temporale della tensione di uscita (NOTA: i disegni non sono in scala).
Dati: ViM=15V, VR=-10V.
C)
B)
D)
A)
Dalla formuluzza di ID vediamo che aumentando VGS, ID aumenta, quindi la resistivit diminuita
Disporre i seguenti stadi elementari in ordine di resistenza di ingresso decrescente (i.e. da
quello che presenta la massima a quello che presenta la minima resistenza di ingresso)
1. Collettore comune
2. Emettitore comune senza resistenza di emettitore
3. Base comune
VImax = 4
AV = 8000
AV = 10000
AV = 0
AV = 2500
Determinare la zona di funzionamento per il transistore MOSFET ad arricchimento a canale
p riportato in figura avente una tensione di soglia Vt=-1V. Dati: VA=8V, VB=10V,VC=5V.