El indicador (Respuesta correcta), ser tomado como verdadero

1- Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre?

23 1
24 4
25 18
26 29 (Respuesta correcta)
2- La carga neta de un tomo de cobre neutro es
a. 0 (Respuesta correcta)
b. 11
c. 21
d. 14
3- Suponiendo que se elimina el elec-trn de valencia de un tomo
de cobre. La carga neta del tomo ser
a. 0
b. 11 (Respuesta correcta)
c. 21
d. 14
4- Qu tipo de atraccin experimenta el electrn de valencia de
un tomo de cobre hacia el ncleo?
a. ninguna
b. dbil (Respuesta correcta)
c. fuerte
d. imposible saberlo

5- Cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?

23 0
24 1
25 2
26 4 (Respuesta correcta)
6- Cul es el semiconductor cuyo uso est ms extendido?
a. Cobre
b. Germanio
c. Silicio (Respuesta correcta)
d. Ninguno de los anteriores
7- Cuntos protones contiene el n-cleo de un tomo de silicio?
a. 4
b. 14 (Respuesta correcta)
c. 29
d. 32
8- Los tomos de silicio se combinan formando un patrn
ordenado denominado
a. enlace covalente
b. cristal (Respuesta correcta)
c. semiconductor
d. orbital de valencia
9- Un semiconductor intrnseco tiene algunos huecos a
temperatura am-biente. Qu causa estos huecos?
23 dopaje
24 electrones libres
25 energa trmica (Respuesta correcta)
26 electrones de valencia
10- Cuando un electrn se mueve a un rbital de nivel mayor, su
nivel de energa con respecto al ncleo
a. Aumenta (Respuesta correcta)
b. disminuye
c. permanece igual
d. depende del tipo de tomo
11- La unin de un electrn libre y de un hueco se denomina
a. enlace covalente
b. tiempo de vida
c. recombinacin (Respuesta correcta)
d. energa trmica
12- A temperatura ambiente, un cris-tal de silicio intrnseco se com-
porta de manera similar a
a. una batera
b. un conductor
c. un aislante (Respuesta correcta)
d. un fragmento de cable de cobre

13- El tiempo transcurrido entre la creacin de un hueco y su desa-

paricin se denomina
23 dopaje
24 tiempo de vida (Respuesta correcta)
25 recombinacin
26 valencia
14- El electrn de valencia de un con-ductor tambin se puede
llamar
a. electrn de enlace
b. electrn libre (Respuesta correcta)
c. ncleo
d. protn
15- Cuntos tipos de flujo tiene un conductor?
a. 1 (Respuesta correcta)
 b. 2
c. 3
d. 4
16- Cuntos tipos de flujo tiene un semiconductor?
a. 1
b. 2 (Respuesta correcta)
c. 3
d. 4
17- Cuando se aplica una tensin a un semiconductor, los huecos
fluyen
a. alejndose del potencial negativo
b. hacia el potencial positivo
c. en el circuito externo
d. Ninguna de las anteriores (Respuesta correcta)
18.En un material semiconductor, el orbital de valencia se satura
cuando contiene
23 1 electrn
24 Los mismos iones (1) y (2)
25 4 electrones
26 8 electrones (Respuesta correcta)
19- En un semiconductor intrnseco, el nmero de huecos es
a. igual al nmero de electrones libres (Respuesta
correcta)
b. mayor que el nmero de electro-nes libres
c. menor que el nmero de electro-nes libres
d. Ninguna de las anteriores
20- La temperatura de cero absoluto es igual a
a. 2273C (Respuesta correcta)
b. 0C
c. 25C
d. 50C

21- A la temperatura de cero absoluto, un semiconductor

intrnseco tiene
a. pocos electrones libres (Respuesta correcta)
b. muchos huecos
c. muchos electrones libres
d. ni huecos ni electrones libres
22- A temperatura ambiente, un semi-conductor intrnseco tiene
a. unos pocos electrones libres y huecos
b. muchos huecos
c. muchos electrones libres
 d. ningn hueco (Respuesta correcta)
23- El nmero de electrones libres y huecos en un semiconductor
in-trnseco disminuye cuando la temperatura
a. disminuye (Respuesta correcta)
b. aumenta
c. no vara
d. Ninguna de las anteriores
24- El flujo de los electrones de va-lencia hacia la derecha indica
que los huecos se mueven hacia
a. la izquierda (Respuesta correcta)
b. la derecha
c. cualquier lado
d. Ninguna de las anteriores
25- Los huecos son como
a. tomos (Respuesta correcta)
b. cristales
c. cargas negativas
d. cargas positivas
26- Cuntos electrones de valencia tienen los tomos
trivalentes?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5 (Respuesta correcta)
27- Cuntos electrones de valencia tiene un tomo aceptor?
a. 1
b. 3 (Respuesta correcta)
c. 4
d. 5
28- Para producir un semiconductor de tipo n, qu utilizara?
a. tomos aceptores
b. tomos donantes (Respuesta correcta)
c. Impurezas pentavalentes
d. Silicio
29- En qu tipo de semiconductor los portadores minoritarios
son elec-trones?
1 extrnseco
2 intrnseco
3 tipo n
4 tipo p (Respuesta correcta)
30- Cuntos electrones libres contie-ne un semiconductor de
tipo p?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Slo los producidos por la energa trmica
(Respuesta correcta)
d. Los mismos que huecos
31- La plata es el mejor conductor. Cuntos electrones de
valencia cree que tiene?
a. 1 (Respuesta correcta)
b. 4
c. 18
d. 29
32- Suponiendo que un semiconductor intrnseco tiene 1000 de
millones de electrones libres a temperatura ambiente, si la
temperatura dis-minuye a 0C, cuntos huecos tendr?
a. Menos de 1000 millones (Respuesta correcta)
b. 1000 millones
c. Ms de 1000 millones
d. Imposible decirlo
33- Se aplica una fuente de tensin externa a un semiconductor
de tipo p. Si el extermo izquierdo del cristal es positivo,
cmo fluyen los portadores mayoritarios?
a. Hacia la izquierda
b. Hacia la derecha (Respuesta correcta)
c. No fluyen
d. Imposible decirlo
34- Cul de las siguientes respuestas no se ajusta al grupo?
a. Conductor (Respuesta correcta)
b. Semiconductor
c. Cuatro electrones de valencia
d. Estructura de cristal
35- Cul de las temperaturas siguien-tes es aproximadamente
igual a la temperatura ambiente?
a. 0C
b. 25C (Respuesta correcta)
c. 50C
d. 75C
36- Cuntos electrones hay en el or-bital de valencia de un tomo de si-licio que est
dentro de un cristal?
1 1
2 4
3 8 (Respuesta correcta)v
4 14
37- Los iones negativos son tomos que han
5 ganado un protn
6 perdido un protn
7 ganado un electrn (Respuesta correcta)
8 perdido un electrn
38- Cul de los siguientes trminos describe a un semiconductor de tipo n?
a. Neutro (Respuesta correcta)
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos huecos
39- Un semiconductor de tipo p con-tiene huecos y
a. iones positivos
b. iones negativos (Respuesta correcta)
c. tomos pentavalentes
d. tomos donantes
40- Cul de los siguientes trminos describe a un semiconductor de tipo p?
a. Neutro (Respuesta correcta)
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos electrones libres
41- Comparada con un diodo de ger-manio, la corriente inversa de saturacin de un diodo
de silicio es
a. igual a altas temperaturas
b. menor (Respuesta correcta)
c. igual a bajas temperaturas
d. mayor
42- Qu es lo que genera la zona de deplexin?
a. Dopaje
b. Recombinacin (Respuesta correcta)
c. Barrera de potencial
d. Iones
43- Cul es la barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente?
a. 0,3 V
b. 0,7 V (Respuesta correcta)
c. 1 V
d. 2 mV por grado Celsius
44- Al comparar las bandas prohibidas de los tomos de germanio y de silicio, un tomo
de silicio tiene una banda prohibida
a. aproximadamente igual
b. menor
c. mayor (Respuesta correcta)
d. impredecible
45- Normalmente, en un diodo de silicio, la corriente inversa
a. es muy pequea (Respuesta correcta)
b. es muy grande
c. es igual a cero
d. est en la regin de disrupcin
46- Manteniendo la temperatura cons-tante, la tensin de polarizacin inversa de un
diodo de silicio aumenta. La corriente de satura-cin del diodo
a. aumentar
b. disminuir
c. permanecer constante (Respuesta correcta)
d. ser igual a la corriente superficial de fugas
47- La tensin a la que se produce el efecto de avalancha se denomina
a. barrera de potencial
b. zona de deplexin
c. tensin de codo
d. tensin de disrupcin (Respuesta correcta)
48- La barrera de energa de la unin de un diodo pn disminuir cuando el diodo
a. est polarizado en directa (Respuesta correcta)
b. se fabrique
c. est polarizado en inversa
d. no conduzca

49- Cuando la tensin inversa dismi-nuye de 10 a 5 V, la zona de deplexin

a. se hace ms pequea (Respuesta correcta)
b. se hace ms grande
c. no se ve afectada
d. entra en disrupcin
50- Cuando un diodo est polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y
huecos puede producir
a. calor
b. luz
c. radiacin
d. Todas las anteriores (Respuesta correcta)
51- Una tensin inversa de 10 V cae en un diodo. Cul es la tensin existente en la zona
de deplexin?
a. 0 V
b. 0,7 V
 c. 10 V (Respuesta correcta)
d. Ninguna de las anteriores

52- La banda prohibida de un tomo de silicio es la distancia entre la banda de valencia y

a. el ncleo
b. la banda de conduccin (Respuesta correcta)
c. la parte interna del tomo
d. los iones positivos
53- La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin
aumenta
a. 1C
b. 2C
c. 4C
d. 10C (Respuesta correcta)
54- La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensin inversa aumenta
a. un 7%
b. un 100% (Respuesta correcta)
c. un 200%
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