STANBUL TEKNK NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS

GR IKI UYUMLU, YKSEK DNAMK ARALIKLI, Si-Ge

TRANZSTORLU RF KARITIRICI TASARIMI

YKSEK LSANS TEZ

Zehra Glru AM

Elektronik ve Haberleme Mhendislii Anabilim Dal

Elektronik Mhendislii Program

Anabilim Dal : Herhangi Mhendislik, Bilim

Program : Herhangi Program

HAZRAN 2013
STANBUL TEKNK NVERSTES FEN BLMLER ENSTTS

GR IKI UYUMLU, YKSEK DNAMK ARALIKLI, Si-Ge

TRANZSTORLU RF KARITIRICI TASARIMI

YKSEK LSANS TEZ

Zehra Glru AM
(504111224)

Elektronik ve Haberleme Mhendislii Anabilim Dal

Elektronik Mhendislii Program

Tez Danman: Prof. Dr. Osman PALAMUTUOULLARI

Anabilim Dal : Herhangi Mhendislik, Bilim
Program : Herhangi Program

HAZRAN 2013
T, Fen Bilimleri Enstitsnn 504111224 numaral Yksek Lisans rencisi
Zehra Glru AM, ilgili ynetmeliklerin belirledii gerekli tm artlar yerine
getirdikten sonra hazrlad GR IKI UYUMLU, YKSEK DNAMK
ARALIKLI, Si-Ge TRANZSTORLU RF KARITIRICI TASARIMI balkl
tezini aada imzalar olan jri nnde baar ile sunmutur.

Tez Danman : Prof. Dr. Osman PALAMUTUOULLARI ......................

stanbul Teknik niversitesi

Jri yeleri : Prof. Dr. Nil Banu TARIM .............................

stanbul Teknik niversitesi

Prof. Dr. Tlay YILDIRIM ..............................

Yldz Teknik niversitesi

Teslim Tarihi : 2 Mays 2013

Savunma Tarihi : 5 Haziran 2013

iii
iv
NSZ

ncelikle almamn bandan sonuna kadar hibir konuda yardmn esirgemeyen

Prof. Dr. Osman Palamutuoullar hocama deerli danmanl iin teekkr
ederim.
Yksek lisans dnemi boyunca desteini esirgemeyen T RF Laboratuvarndaki
tm hoca ve arkadalarma, yksek lisans eitimi boyunca burs destei salayan
TBTAKa teekkr ederim.
Son olarak da sonsuz sabr iin anneme ve hep arkamda hissettiim babama
teekkr bir bor bilirim.

Haziran 2013 Zehra Glru AM

v
vi
NDEKLER

Sayfa

NSZ ........................................................................................................................ v
NDEKLER ........................................................................................................ vii
KISALTMALAR ...................................................................................................... ix
ZELGE LSTES ................................................................................................. xii
EKL LSTES ..................................................................................................... xiiii
ZET......................................................................................................................... xv
SUMMARY ........................................................................................................... xviii
1. GR ...................................................................................................................... 1
1.1 Tezin Amac ....................................................................................................... 2
1.2 Tezin Organizasyonu .......................................................................................... 2
2. KARITIRICININ ANALZ .............................................................................. 3
2.1 Dorusal Olmayan zellik le Kartrma.......................................................... 4
2.2 Anahtarlamal Devreli Kartrclar ................................................................... 5
2.3 Dntrc Kazanc ......................................................................................... 9
2.4 Kartrc Grlt Says ................................................................................. 12
2.5 Dorusallk ....................................................................................................... 18
3.KARITIRICI DEVRESNN TASARIMI ....................................................... 21
3.1 Kuramsal Hesaplamalar ................................................................................... 21
3.2 Grlt Hesaplamalar ..................................................................................... 26
3.3 Devrenin Benzetimi.......................................................................................... 33
4. SONULAR ......................................................................................................... 41
KAYNAKLAR ......................................................................................................... 43
ZGEM .............................................................................................................. 45

vii
viii
KISALTMALAR

AF : Ara Frekans
AS : Ara Sklk
BGS : Bant Geiren Szge
GS : Grlt Says
IP3 : nc Derece Kesiim Noktas
RF : Radyo Frekans
Si-Ge : Silisyum-Germanyum
OB : Ortak Baz
OE : Ortak Emetr
YO : Yerel Osilatr

ix
x
ZELGE LSTES

Sayfa

izelge 3.1 : Devrenin grlt kaynaklar. ................................................................ 26

izelge 3.2 : Benzetimde kullanlan eleman deerleri .............................................. 39
izelge 4.1 : Baarm parametreleri .......................................................................... 41

xi
xii
EKL LSTES

Sayfa

ekil 1.1 : Temel alc yaps ....................................................................................... 1

ekil 1.2 : Alc zerindeki iaretlerin sklk blgeleri ................................................ 2
ekil 2.1 : a. Temel anahtarlamal kartrc devresi b. k akm dalga ekli.......... 6
ekil 2.2 : Anahtarlamal trden etkin kartrcnn ematik gsterimi.. .................... 7
ekil 2.3 : Gilbert Hcresi. .......................................................................................... 8
ekil 2.4 : Etken kartrc edeer devresi ve anahtarlama dalga ekli ..................... 9
ekil 2.5 : Keskin olmayan YO geii ....................................................................... 11
ekil 2.6 : Cp zerinden RS akmnn kayb. ............................................................. 12
ekil 2.7 : Farkl YO seviyelerinde grlt katklar ................................................ 13
ekil 2.8 : Grlt analizi iin kullanlacak etken kartrc .................................... 14
ekil 2.9 : Bir tranzistor kesimdeyken grlt etkisi ve edeer devresi. ................. 15
ekil 2.10 : T2 ve T3 ayn anda iletimdeyken grlt etkisi ..................................... 15
ekil 2.11 : Giri katnn ve bir anahtarlama tranzistorunun grlt etkisi ............... 16
ekil 2.12 : Grlt hesab iin kullanlan ksmi dorusal dalga ekli ..................... 17
ekil 2.13 : Anahtarlama tranzistorlarnn kollektr akmlarnn azaltlmas iin
eklenen akm kayna ............................................................................... 18
ekil 2.14 : Kartrcnn dorusallk parametreleri ................................................. 19
ekil 3.1 : Tasarlanan kartrc devresinin blok diyagram ..................................... 21
ekil 3.2 : Gei iletkenlii kuvvetlendirici kat ....................................................... 22
ekil 3.3 : k eviren kuvvetlendirici kat .............................................................. 24
ekil 3.4 : k evirmeyen kuvvetlendirici kat ....................................................... 25
ekil 3.5 : k alak geiren szgeci ...................................................................... 25
ekil 3.6 : Szgece ait geri dn ve araya girme kayb ........................................... 25
ekil 3.7 : Devrenin bir yarsnn grlt kaynaklar ................................................ 27
ekil 3.8 : Giri gei iletkenlii katnn grlt kaynaklar ..................................... 28
ekil 3.9 : Kullanlan edilgen Gilbert Hcresi yaps ................................................ 30
ekil 3.10 : Anahtarlama tranzistorlarnn tmnn ak olduu zaman .................. 32
ekil 3.11 : YO geriliminin fazn fonksiyonu olarak izilmesi ................................. 32
ekil 3.12 : RS sklna gre s11 yansma katsays ................................................ 33
ekil 3.13 : Yerel osilatr gcne gre grlt says ............................................... 34
ekil 3.14 : Yerel osilatr gcne gre Dntrc Kazanc. ................................. 34
ekil 3.15 : Yerel osilatr gcne gre k nc derece kesiim noktas ........... 35
ekil 3.16 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin kazanc ................................ 35
ekil 3.17 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin s11 parametresi ................... 36
ekil 3.18 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin grlt says ....................... 36
ekil 3.19 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin k nc derece kesiim
noktas ...................................................................................................... 37
ekil 3.20 : Farkl akm azaltma oranlarnda yk direncinin deitirilmesi ile elde
edilen kazan ............................................................................................ 37
ekil 3.21 : Farkl akm azaltma oranlarnda giri yansma katsaysnn deiimi ... 38
ekil 3.22 : Farkl akm azaltma oranlarnda grlt saysnn deiimi .................. 38

xiii
ekil 3.23 : Benzetim iin kullanlan devrenin tam hali ............................................ 40

xiv
 GR IKI UYUMLU, YKSEK DNAMK ARALIKLI, Si-Ge
TRANZSTORLU RF KARITIRICI TASARIMI

ZET

Gilbert kartrc yapsnda dayanarak 0.25um SiGe teknolojisi ile retilmi

tranzistorlar kullanlarak 2.15 GHz sklnda alan bir etkin kartrc devresi
tasarlanmtr. Giriindeki simetrik src devresi birbirleriyle balantl alan
OB(ortak baz)l ve OE(ortak emetr)l devreler kullanlarak gerekletirilmi ve
OBl devreye gerilimden-seri kapasitif blmeli edilgen ileri-besleme uygulanarak
girite geni bantl bir empedans uyumu salanmtr. Kartrcnn benzetimleri
AWR yazlm ortamnda yaplmtr. Devrenin DC besleme gerilimi 5V olup, -2.5
dBm dzeyindeki yerel osilatr srm ile OIP3 deeri ve Dntrc kazanc
srasyla, 22.4 dBm 3 dB olarak bulunmutur. Devrenin benzetim sonucu grlt
says ise 11.75 dBdir.
Tezde nerilen kartrc devresi, X Bandnda alan bir alc dizgesinde ikinci
kartrc kat olarak kullanlmak zere, Gc=3dB, OIP320 dBm ve NF12 dB
isterlerini karlayacak ekilde tasarlanmtr. Devre temel olarak Gilbert Kartrc
devresi olmakla birlikte, girite herhangi bir balun devresi kullanlmamakta ve
dengesiz-dengeli dntrc (BALUN) ilevi, her ikisi de gei iletkenlii
kuvvetlendiricisi kat olarak kullanlan OB ve OE devrelerinin birlikte etkileimli
olarak altrlmasyla gereklenmitir. OEl devreden OBl devreye gerilimden-
seri kapasitifblmeli edilgen zt ileri-besleme uygulanarak girite geni bantl bir
empedans uyumu salanmtr. Ara-Sklk (AS) kat ise, dengeliden-dengesize
dnm salayan ve k empedans RL=50 yke uyumlu yksek dinamikli
kuvvetlendiriciden olumaktadr. Bylece, giri ve kta hibir edilgen balun
devresi kullanlmadan kartrc devresi tasarlanmtr. Bunun sonucu olarak da, giri
ve k katlarna yksek empedans uyumu gereksinimi olan RS ve AS szgeleri
dardan dorudan balanabilmektedir.
Empedans uyumunu salamak amacyla, kapasitif gerilim blcl gerilimden-seri
ileri-besleme devresi kullanlmtr. Bu trden ileri-beslemeli empedans uyum
devresi herhangi bir ek grlt katks salamad iin, dier geri besleme kullanan
yntemlere gre byk stnlk salamaktadr.
Anahtarlayc tranzistorlarnda kullanlan anahtarlama gerilimindeki ufak bir sapma,
anahtarlama zamann modle ederek farksal akm dalga eklinde bozuklua neden
olmaktadr. Bu nedenle devre elemanlar, anahtarlayc tranzistorlar hzl konum
deiiklii yapacak ekilde seilmilerdir.
Anahtarlayc tranzistorlarndan ka gelen krpm grlts, tranzistor akm ile
dorudan orantldr. Gilbert hcresi zerinden gelen akm grltsn azaltmak iin,
direnlerin ve anahtarlama tranzistorlarnn zerinden geen akm,Gilbert Hcresine
balant noktasna konan direnler zerinden DC akm katklanarak azaltlmtr.

xv
xvi
SIMULTANEOUSLY MATCHED SIGE TRANSISTOR RF MIXER DESIGN
WITH HIGH DYNAMIC RANGE

SUMMARY

An active mixer which is operating at 2.15 GHz and based on the Gilbert Mixer
topology is designed by using 200 GHz fT, 0.25 m SiGe technology. Mixeris
simulated with AWR software environment. The circuit exhibits an Output IP3 of
24.7 dBm and the conversion gain of 3 dB with the local oscillator power of -2.5
dBm. DC power supply voltage is5V. The noise figure of the circuit is simulated as
11.75 dB.
Mixers are key components in both receivers and transmitters. Mixers translate
signals from one frequency band to another. The output of the mixer consists of
multiple images of the mixers input signal where each image is shifted up or down
by multiples of the local oscillator (LO) frequency. The most important mixer output
signals are usually the signals translated up and down by one LO frequency.
The voltage conversion gain is the ratio of the root mean square voltages of the IF
and RF signals. The power conversion gain is the ratio of the power delivered to the
load and the available RF input power. The 3rd order intercept point (IP3) is the
point where the third-order term as extrapolated from small-signal conditions crosses
the extrapolated power of the fundamental.
Basically mixers are classified as active and passive mixers. Although passive mixers
have conversion gain less than one (lossy) and has noise figures bigger than active
mixers, they present less intermodulation distortion (the bigger OIP3 values). An
important advantage of passive mixers over their active counterparts is their much
lower output flicker noise. However, the low gain of passive mixers makes the 1/f
noise contribution of the subsequent stage critical. Additionally mixers are
categorized as single-balanced and double-balanced topologies. Double-balanced
topologies are more preferable than single-balanced mixers because of their isolation
between ports, suppressing the unwanted signals and linearity specialities. One
advantage of double-balanced mixers over their single-balanced counterparts stems
from their rejection of amplitude noise in the LO waveform.
The proposed mixer circuit is designed for to be used as the second mixer stage in a
RF receiver IC. The performance requirements are specified as; 3 dB Conversion
Gain, Output Third Order Intercept Point (OIP3) of minimum 20 dBm, and the noise
figure of maximum 12dB. The mixer is consists of a modified Gilbert Cell topology
where the input voltage current converting stage is realized by using CB and CE
stages which operate interactively to provide matching at the input. The IF output
amplifying stage with reasonably high dynamic range is arranged as the combination
of the inverting and non-inverting stages to provide the power doubling at the
output. Gilbert Cell is the most common double balanced mixer switching topology
which is used in various RFIC applications. It is quite convenient to obtain the high
gain with high dynamic range and low power consumption by using this circuit.

xvii
The modified version of this circuit which is presented in this work eliminates the
use of any passive baluns at the both ports and provides very broadband impedance
matching at the both ports.
At the input stage, an active balun topology is used. The feed-forward connection
from the CE to a CB stage with capacitive voltage divider is used for to provide
impedance matching at the input. This technique provides highly broadband input
matching with the additional advantages of good linearity and less noise-figure than
the other techniques. For a certain RF input power, all element values and ratio of
capacitors which is used as voltage divider are calculated.
At the switching transistors, a small change on the switching voltage can modulate
the switching time and creates distortion on the differential current waveform.
Therefore, the circuit elements are selected as to provide the rapid tranition of the
toggling transistors. The first significant part of the total noise figure is coming from
the switching transistor. Second, the noise source is transistors at the gain stage and
the third is the source resistors.
Noise is measured using the noisegure (NF) definition, which is a measure of how
much noise the mixer adds to the signal relative to the noise that is already present at
the input signal. The noise figure of 0 dB is ideal, meaning that the mixer adds no
noise. The NF of 3 dB implies that the mixer adds an amount of noise equal to that
alreadypresent in the signal. For a mixer alone, a NF of 10-12 dB is typical.There are
there different frequency bands which must be considered during mixer NF analysis.
Firstly, transistors and resistors at the circuit produce noise at intermediate frequency
(IF). Some of these noise, for example IF noise produced by collector resistors
occurs at the output. Secondly, noise produced at RF and the image frequency, mixes
with local oscillator at the mixer and they seen at frequency IF at the output.
Collector shot noise at the gain stage is an example for this type of noise. Lastly,
noises produced by LO can be transmitted to the IF output. Noise power which is
transmitted to the IF output is not constant through the LO period. At the higher LO
values, the dominant noise comes from the gain stage transistors. It is an expected
behavior because LO causes the differential pair transistors to switch between
saturation and cut off regions. At both of two stages there is no gain at the transistors,
they contribute very little noise. Also, gain through the input is maximum in these
conditions. So a sharply switching high amplitude LO signal is needed to obtain a
high signal-to-noise ratio.
However, during finite fall and rise time, for square or sinusoidal local oscillator
signal, local oscillator has zero crossings. During this time, switching transistors
operate at active region. In this region, transistors act as amplifiers and noise
produced at switching transistors and local oscillator, such as thermal noise due to
base resistors and collector shot noises become dominant.
Flicker-noise is one the critical issues in the direct conversion mixers. There are two
major mechanisms that generate the flicker noise of the switching pair devices. The
first one is the direct mechanism, due to the finite slope of the switching pair
transitions. In order to decrease flicker noise in the direct mechanism, the size of the
switching pairs needs to be increased, and large switching devices increase the
parasitic capacitance of the switching pairs, resulting in the flicker noise indirectly
translating to the output. The second mechanism that generates flicker-noise is the
indirect mechanism, flicker-noise mainly depends on the tail capacitance (Cp) at the
node between the LO switches and RF transconductance stage. In order to decrease

xviii
the flicker-noise in CMOS active mixers, the bias current of the local oscillator (LO)
switches should be small enough to lower the height of the noise pulses. The static
current injection technique was proposed to reduce the bias current of the LO
switches. However, the impedance of the LO switches as seen from the RF stage is
increased as we reduce the bias current of the LO switches. In addition, RF leakage
current flows through the injection circuit, which decreases conversion gain and also
allows more RF current to be shunted by the tail capacitance (Cp) at the node
between the LO switches and RF transconductance stage.
The shot- noise coming to the output from the switching transistors, which is stated
as is proportional with the transistor collector current. However the noise
coming to the output from the input stage, which is stated as
is inversely proportional with the collector current. To reduce the shot- noise coming
from the Gilbert Cell, the currents which flow through the load resistors and
switching transistors is decreased by injecting a current to the connection point of
Gilbert Cell through resistors. In this way, collector current which flows through
input transistors remains constant, and collector current which flows through
switching transistors decreases. So, the collector currents become independent from
each others. Noise figure is decreased by this current reduction technique. To obtain
the same conversion gain, load resistors of the Gilbert Cell are increased with the
current reduction ratio. Therefore,because of this increased resistor value, decreasing
in the noise figure is not as high as prediction.
All noise sources which are both thermal and shot at the circuit is determined and
calculated. The noise components of interest lie in the RF range before
downconversion and in the IF range after downconversion. Noise sources at the
circuit are RF and IF noise coming from switching transistors, source noise, noise
coming from active balun topology including thermal noise of resistors and the shot
noise of transistors.Another shot noise mechanism in active mixers arises from the
finite capacitance at tail node of Gilbert Cell. Noise voltage which is at emitter of
switching transistor creates a noise current because of parasitic capacitor C p. The
source of noise voltage at this node is shot- noise at the switching transistors. This
noise contains both RF and IF components. To estimate the input-referred noise
voltage, for each source of noise, a conversion gain is determined to the IF output;
the magnitude of each noise is multiplied by the corresponding gain and add up all of
the resulting powers, thus the total noise at the IF output is obtained; the output noise
is divided by the overall conversion gain of the mixer to refer it to the input.
Noise figure is the ratio of this total noise power and noise power coming from the
source. The terms in the total noise power statement is weighted bearing in mind that
when all switching transistors are on, noise coming from amplifying stage is
cancelled due to differential output. On the other hand, noise produced at switching
transistors can be negligible when input stage and Gilbert Cell act as a cascade
amplifier. So, the time when all switching transistors are on was calculated and noise
figure equation is obtained.
Lastly, different ratios of current reduction is tried and circuits simulated.
Simulations shows that when the ratio of current reduction increases, the noise figure
decreases. Input reflection coefficient has a decreasing behavior by decreasing the
collector current. Output third order intercept point shows great rise with decreasing
the collector current but operating point changes. Optimum values are obtained with
%50 current reduction and -2.5dBm local oscillator power.

xix
xx
1. GR

Kartrc kablosuz haberleme sistemlerinin en nemli paralarndan biridir.

Gnmz haberleme sistemleri keskin dinamik aralk gereklilikleri talep eder ve bir
alc yapsnn dinamik aral baskn olarak ilk kat kartrcsna baldr.
ounlukla tm modern radyo alclar sperheterodin alc yapsn temel alr.
Sperheterodin alcnn temel alma prensibi kartrma ilemine karlk
dmektedir. Temel sperheterodin alc blok diyagram ekil 1.1de verilmitir.
Giri szgeci antenden alnan iarette istenmeyen sklk blgesinin kaldrlmasn
salar. Bu arkadan gelen kattaki kuvvetlendiricinin ar yklenmesini nlemek iin
gereklidir. Dk grltl kuvvetlendirici giri iaretinin ok fazla grlt
eklenmeden kuvvetlendirilmesini salar. Antenden alnan iaret ok zayf
olduundan, bozulmadan kuvvetlendirilmesi alc devrelerinde byk nem
tamaktadr. Kartrc alnan radyo skl iaretini ara sklk iaretine dntrr,
bu sayede dk sklk blgesindeki iaretin szlmesi ve ilenmesi daha kolay hale
gelmi olur. Kartrc devresinin dier girii yerel osilatr iaretidir. Kartrc ile
iaretin deien sklk blgeleri ekil 1.2de gsterilmitir.

X Y Z
BGS BGS BGS

Dk Grltl
Kuvvetlendirici
YO1 Dk Grltl
Kuvvetlendirici
YO2

ekil 1.1 : Temel alc yaps

1
 X
0

YO1
Y01

Y 0-Y01

YO2 Y02

Z
0-Y01-Y02

ekil 1.2 : Alc zerindeki iaretlerin sklk blgeleri

1.1 Tezin Amac

Bu almada tasarlanan devre, bir alc katnn ikinci kat kartrcs olarak
istenmitir. Kartrcnn isterleri, 3 dB dntrc kazanc, en az 20 dBm k
nc derece kesiim noktas, en fazla 13 dB grlt says ve 50 giri iin
empedans uyumu olarak belirtilmitir. Giri iaretinin skl 2.15 GHz, istenen k
ara skl ise 200 MHzdir.

1.2 Tezin Organizasyonu

Blm 2de kartrma ilemi ve kartrc devreleri ile ilgili aklamalar ve

analizler yaplmtr. Blm 3te tasarlanan devre aklanm, grlt iyiletirme iin
kullanlan yntem aklanmtr. Devrenin benzetimi yaplm ve ilgili grafikler
sralanmtr. Blm 4te sonular sunulmutur.

2
2. KARITIRICININ ANALZ

Kartrc devresinin amac giriine uygulanan iaretin bulunduu sklk blgesini

farkl bir sklk blgesine (iaret zerinde tanmakta olan bilgiyi hi bir bozuntuya
uratmadan) aktarmaktr. Alc devrelerinde genelde bu dnm , RS (radyo
skl) blgesinden AS (Ara-Sklk) blgesine aktarm eklindedir. Bilindii gibi,
sklk domeninde teleme iki iaret spektrumlarnn katlanm (convoloution) ile
gereklenir. Bu ise, zaman domeninde iki iaretin arpmna denktir. k iareti,
giriine uygulanan iki iaretin apm ile orantl olan devre ideal bir kartrc
devresi olarak kullanlabilinir. Devrenin kna yerletirilen bir BGS (Band-Geiren
Szge) ile istenilen sklk aktarm blgesi seilir. Devrenin giriine uygulanan iki
farkl iaret a(t) ve b(t) olarak dnldnde [1];

a(t ) A sin(1t 1 ) (2.1)

b(t ) B sin( 2 t 2 ) (2.2)

ki iaretin arpm sonucunda devrenin knda oluacak iaret;

a(t ) b(t ) AB sin(1t 1 ) sin( 2 t 2 ) (2.3)

a(t ) b(t )
AB
cos1 2 t 1 2 cos1 2 t 1 2 (2.4)
2

eklinde yazlabilir [1]. Devrenin kullanm amacna gre, oluan bu iki iaretten biri,
devre kna yerletirilen BGS ile szlr.

Kartrma ileminin gereklenebilmesi iin, gei fonksiyonu dorusal olmayan bir

devre de kullanlabilir. Eer yksek genlikli yerel osilatr iareti ve giri iareti
birlikte gei z-erisi ikinci mertebeden erisel olan bir devreye uygulandnda, bu
iki iaret sklklarnn toplam ve farklar sklklarnda iki farkl iaret kta oluur.
Gei z erisinin mertebesinin 2 den daha byk olmas durumunda ise, kartrma
ileminde bozulmalar oluur [2].

3
Kartrclarn tanmlanmasnda kullanlan belirli parametreler vardr. Grlt
Says(GS), giriteki iaret ve grlt glerinin oran ile kta oluan iaret ve
grlt glerinin orannn oran olarak tanmlanr. Uygulamalarda kartrc
devreleri alc katnn ilk ya da ikinci kat olarak kullanldklarndan, alc devresinin
duyarll asndan grlt saysnn olabildiince dk tutulmas amalanr.
Dntrc G Kazanc, AS k gcnn kaynaktan elde edilebilir RS giri
gcne oran olarak tanmlanr. Kartrcnn giriine uygulanabilecek g aral,
dinamik aralk olarak tanmlanr [3].

Temel olarak kartrclar etkin ve edilgen olmak zere iki farkl bekte
deerlendirilirler. Edilgen kartrclarn dntrc kazanlar birden
kk(kaypl) ve grlt saylar da etkin kartrclardan daha yksek olmasna
karn, i-modlasyon bozulumlar daha azdr (daha yksek OIP3 deerleri).
Kartrclar ayrca Tek-Dengeli ve ift-Dengeli yaplar olarak da
deerlendirilmektedirler. Kaplar arasndaki yaltm, istenmeyen iaretlerin
bastrlmas ve dorusallk asndan ift-Dengeli kartrclar, Tek-Dengelilere gre
stnlk gsterirler [1].

Gilbert-Hcresi yaps, en ok kullanlan ift-Dengeli kartrc yapsdr ve

tmleik devre tasarmna da ok uygundur. Dengeli yaps sonucunda kta
yalnzca AS iaret bileeni oluur. YO ve giri RS iaretlerinin kta ok dk
dzeyde olumalar soucunda, ktaki szgeleme ilemi ok kolaylkla (basit bir
alt geiren szge kullanlarak) gereklenebilmektedir.

2.1 Dorusal Olmayan zellik le Kartrma

Sklklar 1 ve 2 olarak adlandrlabilecek yerel osilatr ve RS iaretleri gei z-

erileri erisel (dorusal olmayan) olan devreye uygulandnda, kta genel olarak
m1n2 sklklarnda bileenlerortaya kacaktr. Burada ounlukla m=1 ve n=1
dndaki bileenler, harmonikler ve i-modlasyon rnleri olarak adlandrlrlar ve
bunlar uygun szgeleme ile bastrlrlar.

Erisel bir eleman (rnein; JFET ya da CMOS)n I-V gei z-erisi;

I f (V ) a0 a1V a2V 2 ... anV n (2.5)

4
bantsyla verilebilir [3]. Eleman zerindeki gerilimin dardan uygulanan
v1 (t ) V1 cos(1t ) ve v2 (t ) V2 cos(2t ) iaretlerinin toplam olmas durumunda bu
akm;

I a0 a1 (v2 (t ) v1 (t )) a2 (v2 (t ) v1 (t )) 2 ... an (v2 (t ) v1 (t )) n (2.6)

a 0 a1 (V2 cos( 2 t ) V1 cos(1t )) a 2 (V2 cos( 2 t ) V1 cos(1t )) 2 ...

a n (V2 cos( 2 t ) V1 cos(1t )) n

lk terim DC kutuplama akmdr. kinci terim ise, girie uygulanan iaretlerin ka

aktarlm biimleridir. stenen kartrma rnleri ise, a2 katsaysna sahip olan
terimdir. Daha yksek dereceli terimler sklklarndaki i-modlasyon
rnleridir.

Giri kapsna ayn anda sklklar ve olan iki farkl iaret uygulandnda,
kta sklklarnda kartrma rnleri ortaya kar. Bunlar
ki-Ton i-modlasyon rnleri olarak adlandrlrlar [3]. Bu rnlerden en nemlisi:

IM 3 1 (221 22 ) (2.7)

dir. ve birbirine ok yakn iki sklkta olmas durumunda, bu iareti szp

atabilmek olanaksz olacandan, bu bir bozucu iaret olarak kta belirecektir.

2.2 Anahtarlamal Devreli Kartrclar

ift-kutuplu tranzistorlar kullanlarakoluturulan farksal ift temel anahtarlamal

kartrc yaps ekil 2.1 gsterilmitir.Bu devrede Q1 ve Q2 tranzistorlarnn
akmlar iin I 0 i1 i2 Sabit yazlabildiinden, akmlarn deerleri v2 gerilimine
bal olarak deiir.

5
 ekil 2.1 : a. Temel anahtarlamal kartrc devresi b. k akm dalga ekli [4]

I 0 kuyruk akm da v1 gerilimine bal olarak deitirldiinde, k akmlar ayn

anda v1 ve v2 gerilimlerine bal olarak deiecektir. Tranzistor akmlarnn v2

gerilimine bal deiimleri iin;

I0
i1 v2

1 e VT

(2.8)
I0
i2 v2

1 e VT

bantlar yazlabilir. Farksal k akm ise;

1 1 v2
i0 i1 i2 I 0 v2
v2 I 0 tanh (2.9)

2VT
1 e VT
1 e VT

olacaktr. Bu akm, kollektrlerde yerleik eit deerli yk direnleri zerinde farksal

k gerilimine dntrlr. Kk giri iaretleri iin v2<<VT olarak
dnldnde,

v2
i0 I 0 (2.10)
2VT

6
Ancak, kartrc uygulamalar iin genelde v2 VT seildiinden, (2.9) bants

v2 nin deerinine bal olarak i0 I 0 olacaktr. Kuyruk akm sabit bir I 0 deeri

etrafnda, I0+gmcv1 olarak deitirildiinde ( g mc :kuyruk tranzistorunun gei

iletkenlii), (2.9) bants;

v2 v v
i0 I 0 g mc v1 tanh I 0 tanh 2 g mc v1 tanh 2 (2.11)
2VT 2VT 2VT

olacaktr [4]. Bu bantdaki ilk terim v2 ile orantldr ve genelde ka

yerletirilen AS (Ara-Sklk) szgeci tarafndan bastrlr. Dier terim ise AS iaretini
oluturur. v2 VT iin tranzistorlarn kollektrler direnleri ularnda ulaacak olan
farksal AS k gerilimi;

v0 g mc v1RC x S (t ) (2.12)

olarak yazlabilir. Burada S(t); temel skl peryodik olarak deien v2 iaretinin
sklna eit olan Simetrik Anahtarlama Fonksiyonudur. Bu tr kartrclar kazan
kat (Gei-letkenlii Kuvvetlendiricisi) ve anahtarlama kat olarak adlandrlan iki
ksmdan oluur. Bu trden kartrcnn ematik yaps ekil 2.2de
gsterilmitir. (2.11) bantsndan grlebilecei gibi, v2 giriiyle orantl bir

bileen kta olumakta ancak, v1 giriiyle orantl bir k bulunmamaktadr. Bu

tr kartrclar Tek Dengeli olarak adlandrlrlar [5].

ekil 2.2 : Anahtarlamal trden etkin kartrcnn ematik gsterimi.

7
 ekil 2.3 : Gilbert Hcresi [6]
Tek dengeli yapnn iki tanesi kullanlarak oluturulan ve v1 girilerinin dengeli
(simetrik) olarak uyguland yap kaynakalarda Gilbert Hcresi (ekil 2.3) olarak
anlmaktadr. Buradaki v2 girilerine dengeli yerel osilatr iareti uygulanr. VYO1
geriliminin yeterince byk, VYO2 iaretinin ise yeterince kk olduu anda, Q3 ve
Q5 tranzistorlar iletimde, Q4 ve Q6 tranzistorlar ise kesimdedir. Bu durumda Q3 ve
Q5 kapal anahtarlar olarak alarak Q1in akmnn R1 ve Q2nin akmnn R2
zerinden akmasna neden olur ve bu durum da AS ularndan kn ald farksal
kuvvetlendirici yaps olutururlar. VYO2 geriliminin yeterince byk, VYO1
geriliminin ise yeterince kk olduu an dnldnde, Q4 ve Q6 tranzistorlar
iletimde, Q3 ve Q5 tranzistorlar ise kesimdedir. Bu durumda da bir farksal
kuvvetlendiricisi yaps olumutur ancak, nceki duruma gre k -1 ile arplm
durumdadr. Sonuta Gilbert hcresi knda, RS giri iareti temel skl yerel
osilatr sklnda olan ve zaman domenine gre +1 ve -1 deerlerini alan simetrik
kare dalga (anahtarlama fonksiyonu) ile arplarak olumaktadr [6].

RS giri geriliminin ;

v RS (t ) VRS cos( RS t ) (2.13)

8
eklinde deitii varsaylabilir. Simetrik Anahtarlama Fonksiyonu Fourier serisine
aldnda,

4 cos(3YO t ) cos(5YO t )
S (t ) cos(YO t ) ... (2.14)
3 5

yazlabilir. Bu iki iaret zaman domeninde arplrsa;

2VRS cos 3YO RS cos 5YO RS

Vkar (t ) cos YO RS ...
3 5
2VRF cos 3YO RS cos 5YO RS (2.15)
cos YO RS ...
3 5

elde edilir. (2.15) bantsnda yalnzca sklklar, nYO RS olan bileenler

(n=1,3,5) gsterilmitir. Genliklerinin harmonik mertebesiyle azalmas nedeniyle,
yksek mertebeli terimler gz ard edilmilerdir. ift mertebeli harmonikler ise,
Gilbert hcresinin dengeli yaps nedeniyle kta olumamaktadr.

2.3 Dntrc Kazanc

ekil 2.4 : Etken kartrc edeer devresi ve anahtarlama dalga ekli

ekil 2.4teki devre gz nne alndnda, T2 anahtar RS iaret akm IRSi 0 ile 1

arasnda deien asimetrik anahtarlama fonksiyon S (t ) ile arparak I1 akmn, T3

ise IRS i S (t ) nin 1800 telenmii olan S (t TYO / 2) ile arparak I2 akmn

9
oluturur [7]. Bu iki fonksiyonun fark S (t ) S (t ) S (t TYO / 2) Simetrik
Anahtarlama Fonksiyonu olup, Fourier Serisi olarak yazldnda;

4 1 1
S (t ) CosYOt Cos3YOt Cos5YOt ... (2.16)
3 5

k akmlar;

I1 (t ) I RS (t ) x S (t ) (2.17)

TYO
I 2 (t ) I RS (t ) x S (t ) (2.18)
2

olacaktr. Bu durumda farksal k gerilimi iin;

VIKI (t ) VCC I 2 (t ) R2 VCC I1 (t ) R1 (2.19)

yazlabilir. R1 R2 RC olmas durumunda bu bant;

VIKI (t ) I RS (t ) x RC S (t ) (2.20)

(2.16) bants (2.20)de kullanldnda;

4 1
VIKI (t ) I RF (t ) x RC (cos YOt . cos 3YOt....). (2.21)
3

bulunur. I RF (t ) iin;

I RS (t ) g m1VRS cos RS t (2.22)

yazlabildiinden, k AS gerilimi iin (2.23) bulunur [7].

2
VAS (t ) g m1 RCVRS cos (RS YO )t (2.23)

10
 VAS 2
AV g m1RC
VRC (2.24)

Bu durumda da Gerilim Dntrc Kazanc (2.24) bantsyla verilebilir [7].

ekil 2.5 : Keskin olmayan YO geii [7]

Anahtarlama fonksiyonu olarak gerek kare dalga yerine, ekil 2.5de gsterilen
sinusoidal olarak deien bir yerel osilatr iareti uygulandnda, T sresi boyunca
her iki tranzistor da iletimde olacandan T1 tranzistoru tarafndan retilecek akm
ikiye ayrlr ve ortak iaretler artacandan kta bunlar grnemez. Dolaysyla, bu
sreye bal olarak kazan decektir. T gecikme sresi gz nne alndnda
(2.25) bants;.

2 2T
AV g m1 RC 1 (2.25)
TYO

olarak dzeltilmelidir [7].

Kazancn azalmasna neden olan dier etken, giri tranzistorunun kollektr ucundan
grlen toplam kapasitedir. ekil 2.6daki P dmnde grlen kapasite;

CP CCS1 CBC1 CBE 2 CBE 3 (2.26)

11
 ekil 2.6 : Cp zerinden RS akmnn kayb

T1 tranzistoru tarafndan retilen RS akm, T2 tranzistorunun emetrnden grlen

diren ile Cp kapasitesi arasnda blnr. Bu sebeple gerilim dntrc kazanc
orannda azalr. Sonu olarak dntrc kazanc (2.27)da gsterilen

biime dnr [7].

2 2T g m2
AV g m1 RC 1
TYO C p 2 g m2 2
2 (2.27)

2.4 Kartrc Grlt Says

Kartrc iin Grlt Says en genel biimde;

P0top ( AS )
F
P0 kaynak ( AS ) (2.28)

bantsyla tanmlanr. Burada; P0tot(AS) kta ASda oluan toplam grlt

gcn, P0(kaynak)(AS) ise, kta oluan ASdaki grltye yalnzca kaynak
grltsnn katklad grlt gcdr. Girite RS ve grnt sklklarnda oluan
toplam grlt gc, kartrma ilemi sonucunda kta ASdaki toplam grlt
gc olarak belirecektir [4].

Genel olarak kartrc grlts iin farkl sklk bandndan sz edilebilir. lk

olarak, devredeki tranzistor ve direnler ASde grlt retirler. Bunlardan bir ksm,
rnek olarak kollektr direnlerinin rettii AS grlts kta belirecektir. kinci
olarak, grnt sklnda ve RFte retilen grlt, kartrcda yerel osilatr iareti
ile AS blgesine aktarlrlar. Kazan katndaki kollektr akm grlts bu tip

12
grltye rnek olarak verilebilir. Son olarak da YO tarafndan retilen grltlerde
AS kna aktarlabilmektedir [8]. YO periyodu boyunca AS kna aktarlan
grlt gleri sabit deildir. ekil 2.7de grld zere, YO gerilimin yksek
olduu deerlerde, baskn grlt kazan katndaki tranzistorlardan gelir [8]. YO
farksal ift tranzistorlarnn kesim ve saturasyon blgeleri arasnda anahtarlanmasn
salad iin bu beklenen bir davrantr. ki durumda da tranzistorlarda kazan
olmad iin grltye ok az katkda bulunurlar. Ayrca RS giriten itibaren kazan
bu koullarda en fazladr. Bu yzden keskin ekilde anahtarlanan yksek genlikli YO
iareti, yksek iaret grlt oran elde etmek iin gereklidir [9].

ekil 2.7 : Farkl YO seviyelerinde grlt katklar [4]

Fakat sonlu ykselme ve dme sresi boyunca kare dalga eklinde ya da sinusoidal
yerel osilatr iaretleri iin, yerel osilatr gerilimi sfrdan geer. Bu sre boyunca
anahtarlama tranzistorlar etkin blgede alrlar. Bu blgede tranzistorlar
kuvvetlendirici olarak alr ve kollektr sama grlts, baz direnlerinden
kaynaklanan sl grlt gibi yerel osilatr ve anahtarlama trasistrlerinde oluan
grlt baskn hale gelir [10].

Grltnn sebep olduu kk gerilim deiiklikleri, akmn tamamen bir taraftan

dierine anahtarlanmasna neden olur. Zamanla deien bu dk genlikli gerilim,
tranzistorlarn anahtarlanma zamann modle eder. ktaki karesel dalga eklinin
ykseklii ayn kalmasna ramen, grlt sfr gei zamann geciktirir ya da ileri
alr [5].

13
 ekil 2.8 : Grlt analizi iin kullanlacak etken kartrc

Keskin bir yerel osilatr iaretinin yarm periyot sresince kartrc devresine
uygulanmas durumunu ekil 2.8de gsterilmitir. Cpparazitik kapasitesi,

CP CCS1 CBC1 CBE 2 (2.29)

olarak ifade edilebilir [7]. Bu durumda devre, ekil 2.9da grld gibi P
dmnde Cp byklnde bir kapasiteye sahip kaskod yapya dnr. T2
tranzistorunun rettii grlt akm Vn,T2CpSe eittir. Bu grlt ve T1
tranzistorunun rettii grlt 0 ile 1 arasnda deien kare dalga ile arplarak ka
iletilir. Dier yar YO periyodunda ise T3 tranzistoru baskn rol oynayarak grlt
oluumuna sebep olur.

Daha gereki bir yaklamla, keskin olmayan bir yerel osilatr iareti devreye
uygulandnda T2 ve T3 tranzistorlar belli bir sre ayn anda iletimde olurlar. Bu
durumda ekil 2.10 da grld gibi, T1 tranzistorunun oluturduu grlt farksal
k sebebiyle ortak iaret olduu iin kta grlmeyecek, fakat T2 ve T3
tranzistorlarnn sebep olduu grlt kuvvetlendirilerek ka iletilecektir [7].

14
 ekil 2.9 : Bir tranzistor kesimdeyken grlt etkisi ve edeer devresi

ekil 2.10 : T2 ve T3 ayn anda iletimdeyken grlt etkisi

ekildeki devre iin %50 lik Darbe-Boluk oranl YO iaretinin uygulanmas

durumunda, her bir yar YO periyodunda kartrc devresi ekil 1.11 de gsterildii
biimde modellenebilir. Her iki anahtarlama tranzistorunun oluturduu ve T1
tranzistorundan gelen grlt 0 ile 1 arasnda deien kare dalga iareti ile arplr.
Eer beyaz grlt %50 darbe-boluk oranl anahtar ile ak-kapal durumlar
arasnda deitirilirse, k grlts hala beyazdr fakat gc yarlanm olur [7].

15
 ekil 2.11 : Giri katnn ve bir anahtarlama tranzistorunun grlt etkisi

Yani devredeki grlt yarlanm olarak X dmne iletilir ve bu grltnn g

spektral younluu, Vn2,T 2C p2 2 X dmnde T2 tranzistorunun oluturduu grlt

akm olmak zere,

Vn2, X
2

1 2

I n,T 1 Vn2,T 2C p2 2 RL2 4kTRL (2.30)

Ayn ilem Y dm iin de yapldnda grlt gc ikiye katlanm olur. Elde

edilen g evrim kazancnn karesine blnmelidir. P dmnde Cp parazitik
kapasitesinin varl sonucu, keskin YO iareti uyguland durumda, P dmnden
X dmne oluan kazan,

2 gm2
AV g m1RL
C p2 2 g m2 2 (2.31)

Sonu olarak, ktan girie yanstlm grltnn Spektral Gerilim Younluu;,

2kT 2 2 2
2kTgm1 C p RL 8kTRL
Vn2,gir g m2
2 (2.32)
4 2 2 g m2
g m1 RL 2 2
2 C p g m2 2

eklinde yazlabilir [7].

16
Yerel osilatr iaretinin ideal keskin kare dalga olmamas durumunda, bir YO
periyodu sresince sfr gei zamannda yani 2T sresince farksal k olarak
alan anahtarlama tranzistorlar T1den gelen grlt katksn yok eder. Bu sre
boyunca k grlts gm2=gm3 kabul edilerek;

Vn2, farksal 2 2kTgm 2 RL2 4kTRL (2.33)

olarak ifade edilir.

Tranzistorlarn iletimde kalma sreleri ile bu bileenler arlklandrldnda,

giriten gelen k grlts iin aadaki bant elde edilir [7].

2T C p2 2 2
R L 8kTRL 1 2T

8kT 0.5 xg m 2 R R L
2
L TYO

2kT g m1

g m2 TYO
V n2, gir 2
2T
2
4 g m2 (2.34)
2
g R 2
1
C g
2 m1 L 2 2 2
p m2 TYO

ekil 2.12 : Grlt hesab iin kullanlan ksmi dorusal dalga ekli

Devrede keskin anahtarlama yapld varsaylrsa, gerilimdeki kk bir deiiklik

akmn farksal iftin bir tarafndan dierine ynlendirilmesine sebep olur. Bu
durumda k YO sklnda bir kare dalgadr. Yukarda bahsedildii gibi, grlt
gerilimi sebebiyle sfr gei zamannn deiimi ekil 2.12de grld gibidir.
Her anahtarlama olaynda anahtarlama zamanndaki deiiklik k farksal akm
dalga eklinin de deimesine neden olur [9].

17
Anahtarlama tranzistorlarnn oluturduu ile belirlenen sama grlts
akm kollektr akmnn azaltlmasyla azalr. Tersine, RS kattaki tranzistorlarn

oluturduu sama grlts ise bantsna gre kollektr akm

arttka azalr. Bu sebeple grlty en aza indirmek iin kollektr akmlarnn

birbirinden bamsz olmasn salamak amacyla ekil 2.13te grld gibi akm
kaynaklar devreye eklenebilir [8].

Vcc
RL RL

Is

YO

Cp
V_RS Rs

ekil 2.13 : Anahtarlama tranzistorlarnn kollektr akmlarnn azaltlmas iin

eklenen akm kayna [8]
Ayrca yk direnleri zerinde belirli bir gerilim dm salanmas iin diren
deerlerinin arttrlmasyla, gerilim evrim kazancnn da artmas salanr.

2.5 Dorusallk

Dorusallk temel olarak devrenin alma noktasna baldr. Yerel osilatr gc

dorusall byk lde etkiler. ounlukla 1 dB Bastrm Noktas, dorusalln
bir ls olarak tanmlanr. AS k gcnn, RS giri gcyle orantl olmas,
kartrc iin dorusallk kavramn oluturur. 1 dB Bastrm noktas, k AS
gcnn, girie uygulanan RS iaretin gcnne bal olarak dorusal olmas
beklenen deiiminden 1 dB sapnn olutuu k iaret gc olarak tanmlanr.
Dorusal kartrma davrannn bir dier ls ise, istenen k gc deiimi ile
kta oluan nc mertebe IM rnlerinin giri RS iaret seviyesinin birer
fonksiyonu olarak izilmesiyle elde edilen kesiim noktasdr [11]. nc mertebe

18
IM rnlerinin sklklar YO (2 RS 1 RS 2 ) ve YO (2 RS 2 RS 1 ) olup, kta

sklklar YO RS 1 ve YO RS 2 olan dorusal kartrma rnlerinin yannda yer

alrlar. Kesiim noktas giri ya da k kesiim seviyeleri zerinden belirtilebilir
[11]. ekil 2.14te kartrcnn dorusallk parametreleri tanmlarna uygun olarak
gsterilmitir.

ekil 2.14 : Kartrcnn dorusallk parametreleri [11]

19
20
3. KARITIRICI DEVRESNN TASARIMI

ekil 3.1de tasarlanan devrenin blok diyagram verilmitir. Giri gei iletkenlii
kat olarak bir etkin balun tasarlanmtr. Balun kndan alnan farksal k Gilbert
Hcresinin farksal giriine uygulanmtr. Gilbert Hcresinin k dallarndan alnan
akmlar ayn evreye getirilerek toplanm, devrenin kna da bir alak geiren
szge yerletirilerek ara sklk k iareti elde edilmitir.

F
k Alak Eviren Evirmeyen
AS k iareti Geiren + Kuvvetlendirici Gilbert Kuvvetlendirici
Szge G E Kat D Hcresi C Kat

A B

Giri Gei
RS giri letkenlii Kat
iareti Etkin Balun
Yaps

ekil 3.1 : Tasarlanan kartrc devresinin blok diyagram

3.1 Kuramsal Hesaplamalar

Kuramsal hesaplamalar iin RS giri gc olarak 6 dBm, yani 4mW alnmtr. 50

giri direnci iin giri iaretinin genlik tepe deeri,

2
VRS
Pgiri (3.1)
4R S

bantsndan hesaplanabilir. Buradan V olarak hesaplanr. Giri

iaretinin tepe deeri ise 0.65 V elde edilir.

ekil 3.2de OE l devrenin baz akm gz ard edildiinde giri akmnn tepe deeri
iin;

21
 A B

R2
T1

Vcc

Ri
Cg T2 R1
C1
C2
Rin
RS Giri Kaps
RE

RE2

ekil 3.2 : Giri gei iletkenlii kuvvetlendirici kat

VRFtepe VRFtepe VRFtepe

i gir,tepe (3.2)
R in RE R

yazlabilir. Burada R, OBl devrenin giriinden grlen empedanstr. OEl

devrenin emetrndeki gerilimin salnm, byk bir yaklaklkla RS iaretin
salnmna eit olacandan, n2 dmndeki DC gerilim en az 0.65V olmaldr. Bu
gerilim deeri 0.7V alndnda, n1 dmnn gerilimi, 0.85V baz-emetr
geriliminin eklenmesiyle 1.55V olarak hesaplanr.

Giriteki empedans uyumu iin ;

1 1 1
(3.3)
R in R E R

R E zerinden akacak olan akm, ayni zamanda T1 tranzistorunun da akmdr.

Herhangi bir krplma olmamas iin de bu akmn tranzistordan akacak olan
deiken iaret akmnn tepe deerine eit ya da daha byk olmak zorundadr.
Dolaysyla;

Vn 2 VBE Vn1 v RS ,tepe

IQ (3.4)
RE RE R

22
eitsizliinin salanmas gerekir. Bu sonu (3.2)de kullanldnda, RE direnci 170
olarak hesaplanabilir. Bu durumda OBl devrenin giriinden grlmesi gerekli giri
direnci, Rin= 50 alnarak (3.3) bantsndan Ri= 71 olarak hesaplanr.

Gilbert hcresine giden kollardan (3.5)te grld gibi eit DC deerde akm
gemektedir. IQ, T1 ve T2 tranzistorlarnn emetr akm olmak zere;

Vn1 VBE VRStepe

IQ (3.5)
R E2 RE

yazlabilir. Bu denklemin de kullanlmas ile RE2 71 ve IQ ise 9 mA olarak elde

edilir. Bu akm deeri iin tranzistorlarn re diren deerleri (3.6) bants
kullanlarak 2.8 hesaplanabilir.

1 VT
re
g mQ IQ (3.6)

Giri empedans uyumunun salanmas iin kapasitif gerilim blc ile ileri-besleme
uyguland belirtilmiti. Gerilim blcnn diren yerine kapasite ile
gereklenmesi, bu yapnn devrenin grlt saysna etkisini en aza ekmitir.
Ayrca, ileri ynde zt besleme yntemi kullanld iin devrenin dinamii de
arttrlmtr.

Kapasitif gerilim blc iin OBl devrenin giriinden akacak olan akm (3.7)de
gsterildii gibi yazlabilir;

C2 1
vin vin g mQ vin (3.7)
C1 C 2 R

v C C2 1
R in 1 (3.8)
iin C1 g mQ

nceki karmda elde edilen ( deerine gre, oran,

mkemmel giri uyumu iin (3.8) kullanlarak 22 olarak hesaplanmtr.

kapasite deerlerinin optimizasyonu srasnda en uygun deer olarak belirlenmitir.

23
Yerel osilatr gerilimi, devrenin kutuplama koullar nedeniyle 3.5 V DC deerin
zerinde salnacaktr. Gilbert hcresindeki anahtarlama tranzistorlarnn yeterince
iletimde olmas iin, 0.1V genlikli yerel osilatr gerilimine gereksinim
bulunmaktadr. Bu nedenle, tranzistorlarn kollektr gerilimleri 3.6Vdan dk
olmamaldr. Gilbert hcresinin yk direnleri de bu dnceden yola klarak
RL=155 hesaplanr.

Gilbert hcresinden sonra ka kadar ortak emetrl, yksek dinamikli yaplarla

kuvvetlendirme ilemi yaplmtr. Kullanlan yaplar ekil 3.3 ve 3.4te verilmitir.
Bu yaplarn devamnda ise beinci dereceden Chebyshev bir alak geiren szge ile
(ekil 3.5) iaret ka aktarlmtr. Szgecin geirme band dalgalanmas 0.1
dBdir. Bu szge oluan 4.5 GHz sklndaki dier kartrma rnnn ka
aktarlmamas iin eklenmitir. Ayn zamanda ka iletilen yerel osilatr iaretinin
ve bunun harmoniklerinin de szlmesini salar. Szgece ait geri dn ve araya
grime kayb grafii ekil 3.6da verilmitir.

Vcc

R12

R8 R10
F
T9
C6
T8
C R11
C5
R13
R7
R9

ekil 3.3 : k evirmeyen kuvvetlendirici kat

24
 Vcc
R5
C3 R6

C4
E
T7
D

R4
R3

ekil 3.4 : k eviren kuvvetlendirici kat

L2 L1 L2

G
Cc Cc
AS k areti

ekil 3.5 : k alak geiren szgeci

Szge s parametreleri
5 5
0 2
Araya girme kayb (dB)

-10 -4
Loss(dB)

-20 -10
Insertion Loss

kayb

-30 -16
Return
Geri dn

-40 -22

-50 -28

-60 -34

-70 -40
0 200 400 600 800
Sklk (MHz)
Frequency (MHz)

ekil 3.6 : Szgece ait geri dn ve araya girme kayb

25
3.2 Grlt Hesaplamalar

Devrenin yapsnda yer alan grlt kaynaklar izelge 3.1de verilmitir.

izelge 3.1 : Devrenin grlt kaynaklar.

Gsterim fade Aklama

Anahtarlama
tranzistorlarndan
gelen RS grlts

Kaynak grlts

Kuvvetlendirici
katndan gelen
grlt. OBl
R R tranzistor ve RE1
direncinden oluur.

Anahtarlama
tranzistoru T2den
gelen AS grlts

Kuvvetlendirici
katndan gelen
grlt. OBl
tranzistor ve RE2
direncinden oluur.

Anahtarlama
tranzistoru T3den
gelen AS grlts

Anahtarlama kat dnldnde, giri empedans:

1
Z in
g mst jCP (3.9)

Yani,
1
Z in
2

2C P (3.10)
2 2
g mst

Tablodaki her terim, ktaki toplam grltnn hesaplanmas iin, olutuu

noktadan ka kadar olan kazanla arplr. Dntrme kazanc (3.23)de

26
 olarak belirlenmiti. Anahtarlama tranzistorunun emetrnde grlen

grlt gerilimi, parazitik kapasite Cp dolaysyla bir grlt akm olumasna sebep
olur. Bu noktadaki grlt geriliminin kayna anahtarlama tranzistorlarnda oluan
kpram grltsdr. Bu grlt hem AS hem de RS bileen iermektedir. OBl
ksmdaki tranzistorlar da bu iki sklk bileenine sahiptirler. Bu yzden ve
toplam grlt fonksiyonunda iki kez yer alrlar. Devrenin bir yarsnn grlt
kaynaklar ekil 3.7da gsterilmitir.

kta oluan toplam grlt gc;

2 2 2
1 g m st R L 1 RL
PNT ,k i n1
2
v nRF
2
RS C P R L in1
2 2 2 2

2 g m st 2 RS 2 C P 2 2 4
RS 2 C P 2 R L 2 2
g m st R L
2
1 1
vn2 4kTRL v S
2 2

g m st RS C P 4 R
2 2 2 2 2
4
2 2 2
1 g m st R L 1 RL (3.11)
in 2
2
v nRF
2
RS C P R L in 2
2 2 2 2

g m st RS C P
2 2 2 2
2
4
RS 2 C P 2 R L 2 2
g m st R L
2
1 1
vn3 vS
2 2

g m st RS C P 4 R
2 2 2 2 2
4

Vcc
RL RL

Vn2
T2 T3
Vn3

Cp in1

Gei
letkenlii Kat
ekil 3.7 : Devrenin bir yarsnn grlt kaynaklar

Kaynan kta oluturduu grlt gc,

27
 2 2
g m st RL
2
1 1
vS
g mst RS C P 4 R
2 2 2 2 2

PNS ,k 2 2 2
(3.12)
g mst RL 1 1
vS g
2

2 4 R 2
m st RS C P
2 2 2

Dolaysyla tanm gerei Grlt Says;

PNT , k
GS 10 log
P (3.13)
NS , k

ve yi oluturan ikier grlt kayna bulunmaktadr. iin, bunlardan

ilki RE1 direncinin oluturduu, ie1 ile gsterilen sl grltdr. Dieri ise i1 ile
gsterilen transistorun akm grltsdr.

i1 2kTgm alt
2
(3.14)

A B

in1 in2

i1 T1
R1 R2
Vcc
Cg i2
Ri

T2 C1
C2
Rin
RS Giri Kaps
ie1 RE

ie2
RE2

ekil 3.8 : Giri gei iletkenlii katnn grlt kaynaklar

i1 , byklnde bir diren grr ve emetrde i1 deerinde bir gerilim

olumasna neden olur. Ri emetrden grlen direntir ve (3.15) ile gsterilen bir
grlt olumasna sebep olur.

28
 2 2
R 1 2 R 1
2
i 1, T i1 S i1 i1 S 1 (3.15)
2 R 2 R

ie1 de ayn kazanc arpan olarak alr.

1
ie1 4kT
2

RE1 (3.16)

2
RS 1
ie21,T ie1
2

4 R 2 (3.17)

Dolaysyla, T1 tranzistorunun oluturduu toplam k grlt akm karesel

ortalamas;
2
RS 2 RS
2
1
i1 1 ie1
2 2
i n1 2 (3.18)
2R R 4

eklinde yazlabilir. T2 tranzistoru iinde benzer hesaplamalar yaplabilir. Bu grlt

kaynaklar ekil 3.8de gsterilmitir.

2
1 2
ie 2
2
R E 2 // g m alt ie 2 2 (3.19)
g m alt

2
1
i 2 R E 2 // g m alt 1 0
2
(3.20)
g m alt

1
in 2 ie 2 4kT
2 2

RE 2 (3.21)

Grltnn azaltlmas iin Gilbert hcresinin yk direnlerinden ve anahtarlama

tranzistorlarndan geen akmn azaltlmas amalanmtr. Bu yzden ekil 3.9da
grld gibi Rn direnleri zerinden dorudan Gilbert hcresinin giri kollarndan
akm uygulanmtr. Bu sayede devrenin grlt says yaklak 3dB azaltlmtr.

29
 Vcc
RL RL
C4
C
D C5
Rn Rn
T3 T4 T5 T6
Cs Cs

3.5V DC
Yerel Osilatr Girii

A B

ekil 3.9 : Kullanlan edilgen Gilbert Hcresi yaps

YO geiinin idealdeki gibi keskin olmamas sebebiyle, bir YO evrimi sresince

2T kadar bir sre boyunca tm anahtarlama tranzistorlar aktif blgede alr.
Devre farksal kl olduu iin bu sre boyunca gei iletkenlii kat sadece ortak
iaretlerin grltye katkda bulunmasna olanak tanr. Sonu olarak gei iletkenlii

katndan gelen grlt ile, anahtarlama katndan gelen grlt ise ile

arlklandrlr. Toplam ktaki AS grlt spektral younluu denklemi aadaki

hale gelmi olur.

30
 1
2
g m st R L
2
2T
PNT ,k i n1
2
1
g m st RS C P
2 2 2 2
TYO
1 2T 2 R
2
2T
v nRS
2
RS 2 C P 2 R L 2 i n1 L 1
2
TYO 4 TYO

RS 2 C P 2 R L 2 2T
vn2 4kTRL
2

4 TYO
2 2T
2 2
g m st R L 1 1
v S 1
TYO g m st RS C P 2 4 R 2
2 2 2

(3.22)
2T 1 2
g m st R L
2

in 2
2
1 2
TYO g m st 2 RS 2 C P 2
1 2T 2 R
2
2T
v nRS
2
RS 2 C P 2 R L 2 in 2 L 1
2
TYO 4 TYO

RS 2 C P 2 R L 2 2T
vn3
2

4 TYO
2 2T
2 2
g m st R L 1 1
v S 1
TYO g m st RS C P 2 4 R 2
2 2 2

2 2
g m st RL
2
1 1
vS
2T g m st RS C P 4 R
2 2 2 2 2

PNS ,k 21
TYO 2
g m st RL
2
1 1
(3.23)
vS g
2

2 4 R 2
m st RS C P
2 2 2

Dolaysyla, yine tanm gerei bu yeni durum iin de Grlt Says;

PNT ,k (3.24)
GS 10 log
P
NS ,k

Bants kullanlarak hesaplanabilir.

31
 ekil 3.10 : Anahtarlama tranzistorlarnn tmnn ak olduu zaman

ekil 3.10da grlen, tm anahtarlama tranzistorlarnn iletimde olduu zamann

yerel osilatr periyoduna orann ifade eden katsaysn belirlemek iin, YO

geriliminin faz zerinden hesaplama yaplr. Uygulanan baz gerilimi 2VTVYOdan

daha dkken anahtarlama tranzistorlar aktif blgededir.

ekil 3.11 : YO geriliminin fazn fonksiyonu olarak izilmesi

VP cos Vp 0.05 (3.25)
2

ekil 3.11da gsterildii gibi, denklem (3.25)den yaklak olarak 0.05 radian

olarak elde edilir. Bu da orann 0.033 verir.

Bu hesaplamalar ile devrenin grlt saysnn akm azaltma ileminden nce 16.3
dB olarak hesaplanr. Gei iletkenlii katndaki ikinci tranzistorda oluan grlt,
gerilim blc yapsndaki kapasitenin zerinden ilk tranzistordaki grltye
eklenerek bu grltye azaltc etki yapar. Yukardaki hesaplarda bu korelasyon
32
dikkate alnmad iin devrenin grlt saysnn 16.3 dBden az olmas
beklenmektedir.

3.3 Devrenin Benzetimi

Hesaplanan deerler AWR tasarm ortamnda oluturulan devreye girilmi ve

optimizasyon yaplmtr. Anahtarlama tranzistorlarnn kollektr akmlarnn %60
orannda azaltlmas sonucunda elde edilen benzetim sonular ekil 3.12, ekil 3.13,
ekil 3.14 ve ekil 3.15te verilmitir.

s11 (dB)
s11 parameter
-17.8

-17.9

-18

-18.1

p1
-18.2

-18.3
1.9 2 2.1 2.2 2.3 2.4
Frequency (GHz)
sklk (GHz)

ekil 3.12 : RS sklna gre s11 yansma katsays

33
 GS
NF(dB)
12.2

12.1

12

11.9

11.8

11.7
p1

11.6
-6 -4 -2 0
Power (dBm)
Yerel Osilatr Gc (dBm)

ekil 3.13 : Yerel osilatr gcne gre grlt says

Dntrc Kazanc (dB)

Dnsm Kazanci
3.1
3.08
3.06
3.04
3.02
3
2.98 p1

2.96
2.94
2.92
2.9
-5 -4 -3 -2 -1 -0.8
Yerel Osilatr Gc (dBm)
Power (dBm)

ekil 3.14 : Yerel osilatr gcne gre Dntrc Kazanc

34
 OIP3
OIP3 (dBm)
30

25

20

15

10
p1

5
-5 -4 -3 -2 -1 0
YerelPower
Osilatr
(dBm)Gc (dBm)

ekil 3.15 : Yerel osilatr gcne gre k nc derece kesiim noktas

Akm azaltma ilemi uygulanmadan nce ve sonra elde edilen benzetim sonular
ekil 3.16, ekil 3.17, ekil 3.18 ve ekil 3.19de verilmitir.

DntrcKazanc
Kazanc (dB)DB(|LSSnm(PORT_3,PORT_1,-1_1,1_0)|)[X,1]
akim azaltmadan once
4 DB(|LSSnm(PORT_3,PORT_1,-1_1,1_0)|)[X,13]
akim azaltmadan sonra

p2

0
p1

-1
2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2
sklk (GHz)
Frequency (GHz)

ekil 3.16 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin kazanc

35
 DB(|S(1,1)|)[X,13]
s11parametresi
s11 (dB) akim azaltmadan sonra
-16.5
-16.6 DB(|S(1,1)|)[X,13]
akim azaltmadan once
-16.8

-17

-17.2 p1

-17.4

-17.6

-17.8

-18 p2

-18.2
2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2
sklk (GHz)
Frequency (GHz)

ekil 3.17 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin s11 parametresi

DB(NF_SSB0(0,2,1,2,0))[1,X]
GS GS
(dB) GS_akim azaltmadan once.$F_SPEC

18 DB(NF_SSB0(0,2,1,2,0))[1,X]
GS_akim azaltmadan sonra.$F_SPEC

16

14

12 p2

p1

10
-6 -4 -2 0
Yerel Osilatr Gc
Power (dBm) (dBm)

ekil 3.18 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin grlt says

36
 OIPN(PORT_3,-1_0_1,1_-2_1,3)[1,X] (dBm)
ip3_once
OIP3OIP3
(dBm)
OIPN(PORT_3,-1_0_1,1_-2_1,3)[1,X] (dBm)
30 ip3_sonra

20

10
p2

p1
0

-10
-5 -4 -3 -2 -1 0
Yerel Osilatr
PowerGc
(dBm) (dBm)

ekil 3.19 : Akm azaltmadan nce ve sonra devrenin k nc derece kesiim

noktas

Farkl akm azaltma oranlarnda elde edilen sonular ekil 3.20, ekil 3.21 ve ekil
3.22de verilmitir. Kullanlan oranlar %50, %60 ve %70tir.

Dntrc Kazanc
Kazanc (dB)
DB(|LSSnm(PORT_3,PORT_1,-1_1,1_0)|)[X,11]
akim azaltmadan once

4 DB(|LSSnm(PORT_3,PORT_1,-1_1,1_0)|)[X,11]
akim azaltmadan sonra

DB(|LSSnm(PORT_3,PORT_1,-1_1,1_0)|)[X,11]
akim azaltmadan sonra_350

p2 DB(|LSSnm(PORT_3,PORT_1,-1_1,1_0)|)[X,11]
p3
p1
p4
3 akim azaltmadan sonra_450

-1
2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2
sklk (GHz)
Frequency (GHz)

ekil 3.20 : Farkl akm azaltma oranlarnda yk direncinin deitirilmesi ile elde
edilen kazan

37
 DB(|S(1,1)|)[X,13] DB(|S(1,1)|)[X,4]
akim azaltmadan sonra akim azaltmadan sonra_350
DB(|S(1,1)|)[X,2]
akim azaltmadan once
DB(|S(1,1)|)[X,4]
akim azaltmadan sonra_450
s11
s11 (dB)
parametresi
-17
p1

-17.5

p4

-18 p2

-18.5 p3

-19
2.1 2.12 2.14 2.16 2.18 2.2
sklk (GHz)
Frequency (GHz)

ekil 3.21 : Farkl akm azaltma oranlarnda giri yansma katsaysnn deiimi

DB(NF_SSB0(0,2,1,2,0))[1,X]
GS_akim azaltmadan once.$F_SPEC
GS GS
(dB) DB(NF_SSB0(0,2,1,2,0))[1,X]
18 GS_akim azaltmadan sonra.$F_SPEC
DB(NF_SSB0(0,2,1,2,0))[1,X]
GS_akim azaltmadan sonra_450.$F_SPEC
DB(NF_SSB0(0,2,1,2,0))[1,X]
GS_akim azaltmadan sonra_350.$F_SPEC
16

14

12 p4
p2
p3

p1

10
-6 -4 -2 0
Yerel Osilatr Gc (dBm)
Power (dBm)

ekil 3.22 : Farkl akm azaltma oranlarnda grlt saysnn deiimi

Yaplan hesaplamalar ve optimizasyon ilemi sonrasnda devrede kullanlan eleman

deerleri izelge 3.2de verilmitir. Tasarlanan ve benzetimde kullanlan kartrc
devresi ekil 3.23de gsterildii gibidir.

38
izelge 3.2 : Benzetimde kullanlan eleman deerleri

Eleman Deeri
Cs 2 pF
155
RL
Vcc 5V

C4, C5 5pF

Rn 400

C1 0.02 pF

C2 0.09 pF

RE 170

RE2 71

R1 10K

R2 18K

Cs, C3 20 pF

R7 7K

R8 15K

R9 100

R10 110

R11, R4 1.4K

R12,R6 3.5K

R13,R3 50

R5 70

L1 50.20 nH

L2 24.07 nH

Cc 16.6 pF

39
ekil 3.23 : Benzetim iin kullanlan devrenin tam hali

40
4. SONULAR

Tez almas kapsamnda Gilbert Hcresi yapsn temel alan bir kartrc devresi
tasarlanmtr. Devreye ait grlt saysnn matematiksel ifadesi karlm ve
benzetim sonucu ile hesaplanan deerin uyumlu olduu grlmtr. Devrenin
grlt saysnn azaltlmas iin anahtarlama tranzistorlarnn kollektr akmlarnn
azaltlmas yntemi denenmi, bunun iin Gilbert Hcresinin giri dallarna
dorudan sabit direnler zerinden akm eklenmitir. %50, %60 ve %70 akm
azaltma oranlar iin benzetimler yaplmtr. Grlt saysnn kollektr akm ile
doru orantl olarak azald grlm ve denenen yntemin baarl olduu
sonucuna ulalmtr. k nc dereceden kesiim noktasnn da farkl
kutuplama deerleri iin bu yntemle iyi sonu verdii grlmektedir. Giri yansma
katsays da akm azaltma orannn arttrlmas ile iyilemitir. Benzetim sonularna
gre, hesaplanan eleman deerlerinin optimizasyonu ile amalanan deerlere ok
yakn sonular elde edilmitir. 2.15 GHzlik RS iaretinin, -2.5 dBm gcnde ve 2.37
GHz sklndaki yerel osilatr iareti kullanlarak %60 orannda akm azaltma ile
200 MHz k ara sklk aktarmnda kullanlan kartrc devresinin baarm
parametreleri izelge 4.1de gsterilmitir.

izelge 4.1 : Baarm parametreleri

Parametre Akm azaltmadan nce Akm azaltmadan

sonra

3.0dB
evrim kazanc 3.0dB
Grlt says 15.2dB 11.75dB
Giri yansma katsays
-17.2dB -18.1dB
(s11)
k nc derece
4.2dBm 25.1dBm
kesiim noktas

41
42
KAYNAKLAR

[1] Kayhan, M., (2007). Sfr ASl ikinci harmonic pompalamal 5.8GHz mosfet
kartrc tasarm, (yksek lisans tezi), T.
[2] Ordu, M. T., (1995). kinci harmonik savaktan pompalamal dalm
parametreli kartrc tasarm,(yksek lisans tezi), T.
[3] Erdodu, M., (1994). Tek yan band yukar kartrc tasarm, (yksek lisans
tezi), T.
[4] Rogers, J. and Plett, C. (2003). Radio Frequency Integrated Circuit Design,
Artech House, 396.
[5] Gilmore, R. and Besser, L., (2003). Practical RF Circuit Design For Modern
Wireless Systems, Artech House, Vol. 2, 480.
[6] Whites, K. W., (2010).Mixers, Gilbert Cells, (27. ders notu), South Dokato
University of Mines and Technology.
[7] Razavi, B. (2012). RF Microelectronics, Prentice Hall, Srm 2.
[8] Razavi, B. (1998). RF Microelectronics, Prentice Hall, Srm 1.
[9] Abdelghany, M. A. , Pokharel, R. K. , Kanaya, H. and Yoshida, K., (2009).
A Low Flicker-Noise High Conversion Gain RF-CMOS Mixer with
Differential Active Inductor, Korea-Japan MicroWave Conference
(KJMW-2009) Proceedings.
[10] Guerber, J., (2010). Design and Analysis of a Self Biased Flicker Noise
Cancelling CMOS Direct Conversion Mixer, ECE 621.
[11] Lee, T.H., (1998). The design of CMOS radio frequency integrated
circuits,Cambridge University Press,Srm 2.

43
44
ZGEM

Ad Soyad: Zehra Glru am

Doum Yeri ve Tarihi: Eskiehir - 1988

E-Posta: zehragulrucam@gmail.com

Lisans: stanbul Teknik niversitesi-Elektronik Mhendislii

Yayn ve Patent Listesi:

am Z.G., Palamutuoullar O., 2013: Giri-k Uyumlu, Yksek Dinamik
Sal, Si-Ge Tranzistorlu RF Kartrc. Sinyal leme ve letiim Uygulamalar
Konferans, Nisan 24-26, 2013 Girne, KKTC.

TEZDEN TRETLEN YAYINLAR/SUNUMLAR

am Z.G., Palamutuoullar O., 2013: Giri-k Uyumlu, Yksek Dinamik
Sal, Si-Ge Tranzistorlu RF Kartrc. Sinyal leme ve letiim Uygulamalar
Kurultay, Nisan 24-26, 2013 Girne, KKTC.

45