BJT

El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en

electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital,
como la tecnologa TTL o BICMOS.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

[editar] Estructura
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la
regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede

apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.

La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de

material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin
de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .

El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un

dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen
que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada
para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los
valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran
obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La
falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente
dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin
colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en
inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente
dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de
portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base.
Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin
base-emisor deben provenir del emisor.

El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en

procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no
hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.

Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados
ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

[editar] Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin

base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que
la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.

La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores
que se recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe
ser menor al ancho de difusin de los electrones.

[editar] Control de tensin, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-
emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es
debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva
tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).

En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es

aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que
la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor
como el modelo Ebers-Moll.

[editar] El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones

capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y
el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro
importante es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base
comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la
regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN

El smbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

[editar] PNP

El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin
a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en

la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento
activo

[editar] Transistor Bipolar de Heterounin

El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar
seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy
comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de
radiofrecuencia.

Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos

del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms
larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la
base cuando la unin emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia
de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que
esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con
un transistor de unin convencional, tambin conocido como transistor bipolar de
homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base
est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido
a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de
inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.

[editar] Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de

corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante
si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el

transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de
los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo
activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

 corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos,
ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base
es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces
ms grande. (recordar que Ic = * Ib)

[editar] Historia

Replica del primer transistor.

El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone

Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley.
La versin de unin, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el
dispositivo favorito en diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de
BJT ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales
integrados.

[editar] Teora y Modelos Matemticos

[editar] Modelos para seales fuertes

[editar] El modelo Ebers-Moll

Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son

determinadas por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

La corriente interna de base es principalmente por difusin y

Dnde:

IE es la corriente de emisor.

IC es la corriente de colector.

T es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a

0.998)

IES es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de

1015 a 1012 amperios)

VT es el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

300 K).

VBE es la tensin base emisor.

W es el ancho de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el

valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea
variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-
emisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada
ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares.
En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la
unin base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est relacionada
con a travs de las siguientes relaciones:
Eficiencia del emisor:

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del
transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de
transporte de un transistor de unin bipolar.

Dnde:

iC es la corriente de colector.

iB es la corriente de base.

iE es la corriente de emisor.

F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)

R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)

IS es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios)

VT es el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente

300 K).

VBE es la tensin base-emisor.

VBC es la tensin base-colector.

[editar] Modelos para seales dbiles

[editar] Modelo de parmetro h

Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y
permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para
desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo
representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-
comn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la

resistencia del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en

el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente
despreciado (se considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es

generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua
(DC) in en las hojas de datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es

usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido
para convertirlo a impedancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan
que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones
de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa
emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya
que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados
(son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el
modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas
frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado
debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas
frecuencias.