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Caractersticas elctricas:
Tensin de retorno mx. = 200V
Corriente conductiva junto al If = 1.1V
Corriente conductiva = 1A
Corriente de salida, I0=1.0A
Tensin directa (IF = 1.0A), VFM= 1.0V
Corriente inversa mxima, IRM= 5.0a
A Tensin nominal de bloqueo de CC =50 a
Capacitancia tpica de la unin (nota 2), Cj= 15Pf
Rango de temperatura de funcionamiento, Tj= -65 a + 125 C
1N914
Caractersticas elctricas:
Corriente directa (AV): 150 mA
Corriente de sobre voltaje Ifsm Max: 2 A
Tensin de avance VF mx.: 1 V
Voltaje Repetitivo Vrrm Mx: 100 V
Voltaje inverso, V= 75 V
Corriente directa mxima repetitiva, IFRM500mA
Disipacin de potencia (I = 4mm), P= 440mW
Rango de temperatura de almacenamiento, TStg =-65 A +200do
1N4148
Diodo de conmutacin rpida
Construccin Planar Epitaxial de Silicio
Conductores: Soldables por MIL-STD-202, Mtodo 208
Polaridad: Banda de ctodos
Caractersticas elctricas:
Voltaje inverso mximo repetitivo, VRM= 100V
Voltaje inverso repetitivo mximo, VRRM= 75 V
Voltaje inverso mximo de trabajo, VRWM= 75 V
Tensin de bloqueo de CC, VR=75 V
Voltaje inverso, VR (RMS)=53V
Corriente Continua Directa IFM= 300mA
Corriente de salida rectificada media (Nota 1), IO= 150mA
Disipacin de Potencia, PRe= 500mW
Rango de temperatura de la conexin de funcionamiento, TJ= -65 A +175
1N414
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