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Entre los ltimos desarrollos que empiezan a aparecer en el mercado estn los LED de luz
ultravioleta que prometen de hacer lo mismo de los tubos BLB en muchsimas aplicaciones, con la
ventaja de que se pueden alimentar con pilas de pequeo tamao, y el montaje de los LED en
bases estndar de bombillos miniatura (la serie PR, por ejemplo, un estndar consolidado en
linternas porttiles), y Edison E-14 y E27, para remplazar directamente los tradicionales bulbos de
115 o 230 V. Todos estos tipos para alumbrado, con base, llevan su resistencia incorporada. Los Tabla 1. Algunas longitudes de Ondas y colores
tipos de LED utilizados son en su mayora de luz blanca, de alto poder luminoso, que se puede
incrementar ulteriormente poniendo en la misma base un racimo (cluster) ms o meno grande del Longitud de
Material Onda () Color de la Luz Vf Tpico
LED. Este tipo de alumbrado representa una importante novedad por su caracterstica del altsimo
rendimiento, o sea de bajsimo consumo (importante en caso de alimentacin con batera); la casi GaAs:Zn 950nm Infrarrojo 1.4V
nula generacin de calor; la inherente robustez (no explota o se daa al caer como ocurre con los GaAsP.4 660nm Rojo 1.6V
bombillos incandescentes y los tubos fluorescentes respectivamente) y la largusima duracin, que GaAsP.5 610nm Naranja 2.0V
puede llegar a las 100 mil horas, o sea ms de 11 aos de uso sin interrupcin. Esto ltimo particular
GaAsP.4 605-510nm Ambar 2.0V
es muy importante en el caso de instalaciones extensas y/o difcilmente alcanzables, donde el
costo de la mano de obra en la sustitucin de elementos daados incide en forma sustancial. Otra GaAsp.85:N 585nm Amarillo 2.4V
ventaja no pequea de los LED respecto a otros tipos de alumbrado es el hecho que no emiten GaAsP 540-570nm Verde-Amarillo 2.4V
ninguna forma de disturbio ni snico (que es tpico de los balastros) ni de interferencia GaP:N 525nm Verde 2.4V
InGaN 495-505nm Turquesa 3.4V
La teora InGaN 450nm Azul 3.6V
El fenmeno de la emisin de luz puede ser explicado con la teora de la banda de GaN+SiC 400-405nm Purpura 3.4V
energa en los semiconductores. Un voltaje externo aplicado en la juncin PN para su Temperatura
polarizacin directa excita los portadores mayoritarios (electrones), movindolos desde InGaN + YAG Blanco 3.6V
color 6500K
la banda de conduccin del lado N a la banda de valencia del lado P. En el traslado los
electrones cruzan la brecha de energa Eg, cediendo este potencial en forma de calor y
+ VCC
de luz (fotones). Cada material semiconductor posee diferentes caractersticas de Eg, y
la longitud de onda (), o sea el color de la luz emitida por el LED, depende de la IF RL V -V
magnitud de Eg. Por ejemplo, el Arseniuro de Galio, GaAs posee un Eg de 1.35V y un R L= CC F
IF
Consideraciones Elctricas (Operacin en DC)
Mientras los bombillos incandescentes se definen por su voltaje, los dispositivos LED VF
Ecuacin 1
dependiente de la corriente, por ser bsicamente diodos. Cuando la alimentacin se derive
de una fuente de voltaje constante, cada LED debe ser protegido conectndolo en serie con Fig. 1
una resistencia limitadora de corriente. Para el sencillo circuito de la figura 1, el valor de la
resistencia puede ser calculado segn la ecuacin 1: Los valores de VF e IF se encuentran en la hoja de
datos del dispositivo empleado.
Circuitos Activos
+ VCC
En el caso de circuitos activos, como en la figura 2, donde el LED se prende cuando el
transistor est alto (conduciendo), el valor de RL se calcula segn la ecuacin 2: IF RL