UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

ING. MECNICA

ELECTRNICA

NOMBRE: Xavier Places

CURSO: 7
FECHA: 2017-04-17
TRANSISTORES

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar

una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Funcionamiento: El transistor consta de un y tres partes dopadas artificialmente

(contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman
dos uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o
recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso
de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En
el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.

*TIPOS DE TRANSITORES:

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre
de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da.
Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
 El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de
la unin.
El Transistor de Unin Bipolar o BJT.

Puedes pensar en el BJT como un grifo en el que se permite que circule una
corriente grande(entre el colector y el emisor) en funcin de una pequea
corriente que circula por la base. Otra forma de verlo es pensar que cuando circula
corriente por la base la resistividad entre colector y emisor se reduce, con el
consecuente aumento de la corriente (si supones que el voltaje es constante).

En funcin de la corriente que est circulando por la base el transistor se

comportar de alguna de las siguientes formas:

Corte: circuito abierto (interruptor abierto) entre colector y emisor, si la

corriente que circula por la base es nula.
Saturacin: como circuito cerrando entre colector y emisor y con un
aumento grande de corriente.
Activa: En un determinado rango de corrientes de base, la amplificacin, el
aumento de corriente, que se aprecia entre colector y emisor se puede regular.

Transistor de efecto de campo

 El transistor de efecto campo es bastante similar al transistor BJT (modos de
funcionamiento incluidos), con la diferencia de que ste se regula mediante
tensin en lugar de corriente debido a que tiene una impedancia de entrada alta.
Una forma de comprender este concepto es que al tener una resistencia a la
entrada de la base grande, la corriente de la base siempre ser pequea y lo que
marca la diferencia es el voltaje.

Algunas de las grandes virtudes de los transistores de efecto campo son su menor
consumo y su rapidez a la hora de cambiar de estado (de estado de corte a estado
de saturacin). Sin embargo, estos transistores suelen tener una ganancia menor,
es decir, amplifican menos. Por tanto, aunque todos los tipos de transistor se
pueden utilizar para los mismos proyectos, el hecho de que este transistor
amplifique menos y, sobre todo, responda ms rpidamente a los cambios, lo
hacen especialmente til a la hora de utilizarlos como interruptores.

*ESTRUCTURA:

*Seale diferencias y semejanzas estructurales entre BJT y FET.

En los BJT la falta de linealidad, sobre todo a altas corrientes, introduce

distorsin armnica. Mientras que en los FET, la transconductancia aumenta con
la corriente, comportndose mejor frente a la distorsin.
En los transistores BJT tanto electrones como huecos contribuyen a la
conduccin. La presencia de huecos y su menor movilidad causa que los BJT
requieran mayor corriente y tiempo para conmutar. El resultado es menor ancho
de banda.
 Los transistores FET poseen una mayor rea de operacin segura y un
mayor ancho de banda.
Los BJT presentan otro fenmeno limitante llamado "segunda ruptura" la
cual impone extremo cuidado en el manejo de potencia de cada transistor de la
etapa.
Los BJT son inestables desde el punto de vista trmico, mientras que los
FET son estables.
Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT, pues precisan menos
pasos y permiten integrar ms dispositivos.
La falta de impedancia de entrada en los FET les permite retener la carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.

Analizar los smbolos utilizados para BJT y FET. Qu indica cada elemento de los
mismos?

Los elementos simbolizados en los transistores BJT indican el emisor, el colector y

la base, como puede observarse en la siguiente figura:

Cada uno de estos elementos cumple una funcin distinta. El emisor est muy
fuertemente dopado, sus propiedades elctricas se acercan a las de un metal y su
funcin es emitir portadores hacia el siguiente, llamado base, que est apenas
dopado y que es de pequeo espesor. El otro extremo, donde llegan casi todos los
portadores emitidos, recibe el nombre de colector. Los tres semiconductores estn
conectados al circuito exterior.
El los transistores FET los elementos simbolizados son la puerta (gate), la fuente
(source) y el sumidero (drain) como se observa en la siguiente figura:
Bibliografa
educachip. (2014). educachip. Obtenido de educachip:
http://www.educachip.com/tipos-de-transistor/

electronicafacil. (2012). electronicafacil. Obtenido de electronicafacil:

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php