CAPITOLUL VII - MATERIALE SEMICONDUCTOARE 74. CARACTERISTICI GENERALE Semiconductoarele sunt materiale electrotehnice, care se caracterizeazi printr-o rezistivitate electric’ cuprinsi intre 10° gi 10° Om, adick intre aceea a materialelor ‘conductoare si aceea a materialelor electroizolante. {in ceea ce priveste structura benzilor de energie la semiconductoare, nivelurile limita: Fermi (We) sunt situate in benzi interzise, dar de lijimi mult mai mici decit in cazul materialelor dielectrice Dup’ structura fizico-chimic&, materialele semiconductoare se clasificd in: a) materiale semiconductoare monoatomice: B, C, Si, Ge, Se, Sb, Te etc; 6) compusi intermetalici, sau aliaje ale elementelor din grupele Ill si V: GaAs, InSb, InAs etc, ¢) combinatii chimice semiconductoare binare: = oxizil Cuz0, TeO2, NaO; ete.; = sulfuri: IngS3, GaS ete.; = Carburi: SiC; 48) compusi semiconductori ternari: CuAsSs, MgGeP, CuSiP, AglnTes, PbSnTe ete. ©) compusi semiconductori cuaternari (CuPbASS;); ) materiale organice: fatalocianuri, compusi vinilice ete. Principalii parametri ce caracterizeazi_ comportarea electric a materialelor semiconductoare, sunt: = conductivitatea (9) sau rezisti = lifimea benzii energetice interzise (Wi); = energiile de activare a impuritajilor donoare (Wo) si acceptoare (Wa); = mobilititile purtitorilor de sarcin M, (pentru electroni) gi My (pentru _goluri), care reprezinti ugurinja purtBtorilor de sercink de a se depise~ fn interiorul semiconductorului, : = temperatura de topire (Ti); = permitivitatea dielectricé relativa (€); = durata de viafi a purtatorilor de sarcin’. Cle mai importante materiale semiconductoare sunt: Si gi Ge, care se gisese in grupa IV a tabelului chimic al lui Mendeleev (fig. 7.1). jitatea electric’ (p=1/o);Grupa iL VV. Fig7.1 In afara materialelor anorganice, 0 dezvoltare spectaculoasi 0 cunosc in prezent si tmaterialele semiconductoare organice cum sunt: uncle hidrocarburi aromatice (antracenul, Pirenul), compusi moleculari (ansambluri formate din hidrocarburi aromatice cu_sodiu, potasiu, clor, iod), unii polimeri obsinuti in conditii speciale de tratament termic si de iradiere (poliacrilonitrilul, ‘Toate dispozitivele realizate cu materiale semiconductoare au caracteristici neliniare aga cum se va vedea gi in continuare, 7.2, INFLUENTA DIVERSILOR FACTORI ASUPRA PROPRIETATILOR MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE 7.2.1, INFLUENTA IMPURITATILOR. Deosebim semiconductoare intrinseci gi extrinseci. 72.1.1. Semiconductoare intrinseci Sunt materiale pure din punct de vedere chimic si se caracterizeazi printr-o conductivitate electric ce se datoreste procesului de trecere prin salt a electronilor din banda de valenti (BV) in banda de conductie (BC), chiar la temperaturi obignuite (fig.7.2). Prin tranzitie acestor electroni, in banda de valent rimén nivele energetice neocupate, numite “goluri’. Aceste goluri pot la rindul lor s& fie ocupate fie de electroni ajungi in banda de conductie, dar care, pierzénd o parte din energia initial, se reintorc in banda de valenté, fie de clectroni de pe nivelele inferioare ale benzii de valent. In acest caz locul unui gol din BV va fi luat de alt gol. Golul trebuie privit ca o particula activa in BV, dupa cum electronul este o Particula activa in BC. 1evProcesul de aparitie al unui electron in BC, este insofit la un semiconductor intrinsec eee ee eee existind in permanent un proces de generare de perechi de 9, a clror concentrajie se noteaz cu n,, Dack se noteazi ou "n” concentrajia de Siecron! Roe si cup” cea de goluri, se determing urmatoarea relatie de legitur’: ny =n.p ay Pentru semiconductorii intrinseci n=p, adic& electronii din BC provin numai din BV, unde rimén goluri. Viteza medie de deplasare a purtitorilor de sarcin’, in direcyia unui cémp electric (7) aplicat din exterior, se determin’ cu relatia: v=M-E (7.2) unde: M- reprezinti mobilitatea purtitorilor de sarcind, direct proportionala cu gradul de puritate al materialului si de perfectiune a refelei cristaline. Rezulti astfel pentru conductivitatea electricd, datorata electronilor relafia: (73) si respectiv pentru cea datoratl golurilor: (74) unde: q - reprezinta sarcina electric& a purtatorilor de sarcind, In cazul coexistentei ambelor tipuri de conductie, conductivitatea total va fi o=6,+0,=9-0M,+q-p-M, @) Pentru un semiconductor intrinsec (n=p=n)) se obtine: o=gn(M,+M,) 76) Deoarece concentrajia intrinsect (ni) este mult mai mic& decat cea a electronilor liberi de la metale, asa se explica si conductivitatea mult mai scAzuti decat la metalele conductoare. 7.2.1.2. Semiconductoare_extrinseci Materialele semiconductoare extrinseci se obtin din cele intrinseci printr-o impurificare controlat’, proces ce poarti numele de DOPARE si care consti tn substituirea de citre atomii impurititilor a unor atomi din refeaua cristalin’ a semiconductorului de baz. De obicei se utilizeazi ca material de bazi un element din grupa a IV-a (Si, Ge), iar ca impurititi elementele din grupa a Ul-a (B, Al, In, Ga) care confin trei electroni de valenfa si elemente din grupa a V-a(P, As, Sb) care contin cinci electroni de valengi. a) Doparea cu elemente din grupa a V-a.a celor din grupa a lV-a {in acest caz cei cinci electroni de valenfi ai stomului de impuritate realizeaz’ legituri covalente cu patru atomi vecini de semiconductor (Si sau Ge). Cel de-al cincilea electron devine disponibil, pentru c& riméne slab legat de atomul su, necesitand o energie mic& penn: a trece in BC, nivelul siu energetic find apropiat de cel al BC (fig.7.3). Noile nivele cenergetice ale electronilor care apar in urmia impurifictrii poarti denumirea de nivele donoare ‘Wp, iar atomii care impurifich semiconductorul intrinsec se numesc donori Semiconductoarele intrinseci impurificate cu atomi donori la care existi un numir mare deelectroni liberi in BC, se numesc semiconductoare extrinseci de tip n sau cu conductibilitate slectronich ce poate fi reglati prin modificarea gradului de impurificare. Prin trecerea electronilor de pe nivelele donoare in banda de conductie, nu se mai genereaz simultan un gol ca la semiconductoarele intrinseci, ci atomul donor se transforma intr-un ion fix in rejeaua cristaliné, neparticipind la procesul de conductie, purtitorii majoritari de sarcini fiind electronii In acest caz o legtur& covalent& intre un atom de impuritaji si un atom de baz& ramane nesatisficut’. Aceasti legituri poate fi complet de unul din electronii unui atom vecin al iaterialului de baza (Si sau Ge), care datoriti agitatiei termice are energie suficienti, pentru a completa legitura nesatisficut4. Prin trecerea acestui electron spre legitura nesatisficutl, va rezulta in banda de valenfé un gol, iar atomul de impuritate care a primit electronul, devine negativ, fixat in refea. Atomii de impuritate care dau nastere golurilor, se numesc accept, iar nivelele energetice apdrute, corespunzitoare prezenfei atomilor acceptori, se numese nivele acceptoare, notate cu Wa (fig.7.4). Semiconductoarele realizate cu astfel de impuritifi poarth numele de semicon sau cu conductibilitate prin goluri. Din fig.7.4 se vede c& impuritijile acceptoare dau nastere la nivele energetice suplimentare in banda interzisi, imediat deasupra BV complet ocupata a semiconductorului, Aceste nivele vor putea fi usor ocupate de electroni din BV, in locul acestora riménind "goluri”, care devin purtitori majoritari de sarcind. In concluzie, cresterea gradului de impurificare duce la cregterea conductivitii. Dac& insi concentratia impuritijilor depiseste o anumiti valoare (Na) specificd fiectrui material, mobilitatea purtatorilor de sarcina si deci conductivitatea semiconductorului, aga cum rezulté din relatia (7.5), prezint&é o tendinji de sclidere (fig.7.5). Deasemeni mobilitatea electronilor (,) este mai mare decat cea a golurilor (M,). P TR) Fig.7.67.2.2, INFLUENTA TEMPERATURIL Pentru materialele semiconductoare, conductivitatea este dependent de temperaturi conform relatiei: ” onan hee 7) iar rezistivitatea electrict: p= pet + pci rd (7.8) unde: - oj sip; - caracterizeaz semiconductorul intrinsec; i pe - caracterizeazi semiconductorul extrinsec; - Wy , energia benzii interzise; ~ We , energia de activare a impurititilor cu cele dou& aspecte in functie de tipul impuritaqi Wi =We-W, (fg.7.3) W! =W,-W, (Big.7.4) ~ K, constanta lui Boltzman [K=1,38,10™ J/°K] = _T, temperatura semiconductorului Cum W; >> W, , inseamni ci la temperaturi joase predomind conductivitatea de impuritifi, iar la temperaturi mai ridicate cea intrinsec&. Se constatl deci, spre deosebire de materialele conductoare la care rezistivitatea creste cu temperatura, ch la materialele semiconductoare rezistivitatea scade odat cu cresterea temperaturii (fig.7.6). Daci dependenja de temperaturi a conductivititii clecttice este folosité in mod controlat, se obfine o rezistenti electric& termosensibila, a crei rezistivitate este in functic de temperatura: 1 = =—=AP e® 9) Aaa ate 79) Rezistenfa electrici semiconductoare ale elirei proprietiti depind in mod controlat, stabil gi reversibil de temperatura este numita termistor Este clar cli exist o temperatura critic’, la.care proprietitile specifice ale unui material semiconductor dispar, acesta devenind fie conductor (la temperaturi raari), fie izolator (la ‘temperaturi joase), 7.2.3, INFLUENTA CAMPULUI ELECTRIC Cu cresterea intensivitatii cimpului electric, creste si posibilitatea de tranzitic a electronilor de pe nivelurile donoare sau din BV, in BC. In felul acesta, creste concentratia urtitorilor de sarcind din BC si deci conductivitatea corpului. in cazul unor cimpuri puternice ‘numirul acestor tranziii creste foarte mult, ajungind.:-se la o stripungere a materialului7.2.4, INFLUENTA CAMPULUI MAGNETIC Actiunea campului magnetic asupra materialelor semiconductoare, se manifest prin unul din efectele: magnetizare, Holl, magnetorezistiv sau magnetostrictiv. Efectul magnetosttictiv direct, consti in modificarea dimensiunilor unui corp, sub actiunea cdmpului magnetic, Desi acest efect este mai slab decit la metale, semiconductoarele se folosesc ca materiale magnetostrictive, datorité valorilor mari ale rezistivitatii lor. Efectul Holl gi cel magnetorezistiv, se manifesta in mod special la aceste materiale, ‘Se demonstreazai c& expresia constantei Holl din relafia (6.5) are forma: mM? -p-M?> “CMe 4 ay Pentru materiale cu conductivitate electricd (metale si semiconductoare extrinseci de tip n) aceast constant devine: R, @.uy unde: ¢, sarcina electric a electronilor. in ceea ce priveste efectul magnetorezistiv se demonstreaz& c& pentru un material cu conductivitate mixt’ variatia relativa a rezistivitatii este dat& de relatia: 2 a nM? p Y ae a4 4 Menthe ( a-MP 7.12) p \8) | Mn+M,-p \M,n+M,-p ccare pentru semiconductoare de tip n devine: . %.(¥) 4-*(y, BP (7.13) pe \8) # 7.2.5. INFLUENTA SOLICITARILOR MECANIC ‘Sub actiunea tensiunilor mecanice, se modific& rejeaua cristalind, si deci se modific& gi rezistivitatea semiconductorului, efect ce sti la baza realiz&rii traductoarelor mecano-electrice. Tensiunile mecanice dau nagtere gi la aparitia fenomenului magnetostrictiv invers : modificarea dimensiunilor, produce o variatie a cAmpului magnetic in care se afli semiconductorul. De asemeni, tensiunile mecanice dintr-o placd semiconductoare, duc la aparijia unor sarcini electrice pozitive si negative pe fejele opuse ale acesteia fenomen cunoscut sub numele de efect piezoelectric.7.2.6. INFLUENTA RADIATIILOR 7.2.6.1. Fotoconductia Fotoconductia reprezinti fenomenul de variajie a conductivititii electrice a semiconductorilor, sub actiunea luminii sau a altor radiajii. Fotoconductia poate fi produsa de tranzifii electronice de trei tipuri, preluand si determinarea acestora (fig. 7.7). in PRE N PEN ON Fotoconductie nductia Fotoconducti fasseca imaetionior: partatonior liberi Fig.7.7 Siesta acd energia radiatiei este mai mare decit cea a benzii interzise (AW/) se produce tranzitia electronilor din BV in BC, crescind atat concentrajia electronilor liberi cit $i cea a golurilor. E ee Sub actiunea radiatiei are loc ionizarea impurititilor producéndu-se excitarea electronilor de pe nivelele donoare in BC sau a golurilor in BV, Pentru ionizarea nivelelor energetice suplimentare introduse de impurititi in banda interzisi sunt necesare energii mai mici decat pentru tranzitiile BV - BC. decrtir Hie fin semiconductorul ifuminat, ca rezultat al absorbtiei de energie apar purtitori suplimentari de neechilibru, a clror prezenta duce la modificarea conductivititii electrice, conform relatiei o=0,+ho (7.14) unde: oy = q(noM,+poM;), defineste conductivitatea semiconductorului la intuneric; Ac = q(M,AvjtMyAy), defineste fotoconductibilitatea. in afara elemertelor semiconductoare, la care. fotoconductia depinde de intensitatea radiafiei, existi unele materiale semiconductoare, la care fotorispunsul depunde de compozitia spectral a luminii incidente, Acest fenomen se numeste fotoconductic anomali, folosit in constructia detectoarelor de radiatii, de culoare spectrali sau a memoriilor spectrale. 7.2.6.2. Efectul fotovoltaic Efectul fotovoltaic consti in conversia energiei unei radiatii direct in energie electricl. Pentru a pune in evidenti acest fenomen, se iradiazi o jonctiune p-n, dintre dowd semiconductoare. Sub actiunea radiafiilor, ‘a joncji:nea p-n apare o tensiune electromotoareSemiconductoare. Sub actiunea radiatilor, la jonctiunea p-n apare 0 tensiune electromotoare (fig.7.8a si fig.7.86), datoraté purtitorilor de sarcin& cliberati prin iradiere, care traverseazi jonctiunea si se acumuleaza in cei doi semiconductoti Seneate in n gi golurile in p. Fig.78 7.3. CLASIFICAREA MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE 73.1. MATERIALE PENTRU DISPOZITIVE CU JONCTIUNI Di Sunt dispozitive realizate dintr-o jonctiune semiconductoare p-n, Cea mai important ‘grupl 0 constituie diodele redresoare care se obtin din: Ge, Si, GaAs, Se etc. Exist doud tehnologii de realizare a acestor diode: prin difuzie gi prin epitaxie. Tehnologia difuziei se bazeazi pe incilzirea cristalului semiconductor, in prezenja impuritajilor, la o temperatura apropiata de cea de topire. Datoriti migcdrii de agitatie termict, atomii de impuritate pitrund in cristal $i se fixeazA in nodurile retelei prin substituirea atomilor semiconductorului de baz sau in interstifi. Se formeazi astfel o jonctiune, a clrei marie depinde de natura impurititilor, de mediul in care are loc difuzia, de temperatura, de durata difuziei etc. ‘Obtiunea jonctiunilor prin epitaxie consti in depunerea pe un suport semiconductor monocristalin, a unui strat de material semiconductor cu o puritate mai mare, decit cca a suportului si apoi, a unui strat in care concentratia purtitorilor este de tip opus. Depunerea stratului prin epitaxie rezulti din descompunerea unor compugi gazosi ai semiconductorului suport, cum ar fi diverse halogenuri sau hidruri, ‘Tranzistoarele Sunt constituite dintr-un strat n sau p puternic dopat (numit emitor-E), un strat dopat mediu si ct mai subfire posibil (numit bazi-B) si un strat p sau n de concentratie mai redus& (aumit colector - C). In functie de conductivitatea electrick a celor trei regiuni (emitor-bazA-colector), tranzistoarele pot fi de tip pnp sau npn. Primele tranzistoare objinute au fost cele aliate. Alierea presupune, aplicarea pe 0 placheti de Ge sau Si monocristalin, cu tipul n de conductie electric&, a unor discuri de indiu sau aliaje pe bazi de indiu si trecerea subansamblului printr-un cimp termic, care permite dizolvarea indiului in materialul de baz gi apoi recristalizarea acestuia cu inglobarea indiului {in refeaua cristalind. Operatia se repetd pe cealalt& fatet’, objindndu-se o structura de tip pnp. Pentru a objine o structuri de tip npn, se foloseste o placheta ce tip p iar ca material de dopare stibiul cu staniu sau plumb.Tiristoarele ‘Sunt dispozitive cu trei jonctiuni pnpn, obfinute prin difuwzie unilaterald sau bilateral in cristal de tip n sau p, a unor impurititi acceptoare sau donoare. Tiristoarele de putere se construiesc, de obicei, prin difuzie bilateral a unor impurititi acceptoare intr-un semiconductor de tip n, urmatd de alierea sau difuzzia unei noi impuritai donoare, Elementele electroluminiscente Se caracterizeaza prin apart, la introducerea lor intr-un cmp electric a unor radii luminoase. Se objin din compusi semiconductori de tipul A" - BY" (sulfura de zinc sau codmiu, activat cu Cu, Ag, M,) halogenuri alcaline (activate cu taliu), silicati (activati cu ‘mangan). Varistoarele Sunt dispozitive complet neliniare, realizate pe baz de carbura de siliciu (Csi) Pulberea de CSi in amestec cu o substanfi ceramici sau o rasind termorigida (Sellac, epoxi) este presati si arsi, rezultind piese de diverse forme si dimensiuni. Deoarece rezistenta varistoarelor scade foarte mult odaté cu cresterea tensiunii aplicate, ele se utilizeazi in constructia descircitoarelor cu rezistent& variabil& de inaltd si joasi tensiune, pentru protectia maginilor si transformatoarelor electrice sau a instalaiilor de telecomunicatii, Simien Prin circuit integrat se infelege realizarea fizic& a unui numfr de elemente de circuit ingeparabil asociate, in vederea indeplinirii funcjiei unui circuit mai complex. Intr-un corp continuu (exemplu o plicut& de siliciu monocristalin) este posibili conectarea mai multor funcfii electrice. Astfel, circuitele integrate cuprind rezistoare si condensatoare de diferite tipuri, precum gi elemente inductive. 73.2, MATERIALE SENSIBILE LA ACTIUNEA TEMPERATURIL ‘Termistoarele ‘Sunt dispozitive semiconductoare care se bazeazi in functionarea lor pe expresia analiticl a dependentei rezistivit&tii de temperatura (relatia 7.9). Din punet de vedere constructiv, termistoarele se prezintl sub forma unor rezistoare, realizate din amestecuri de oxizi ai Mn, Ni, Co, Fe, Cr etc. Caracteristica staticl U=f{l) este neliniard (fig.7.9) prezentind 0 zon de instabilitate destul de mare (@-b), gi de aceia reducerea acestei instabilitaji se face prin conectarea in serie cu termistorul a unui rezistor liniar (fig. 7.10). EC rezistor Permistor are) “Rezistor ey | vO) er Bb Fig.7.9 Fig.7.10Termistoarele se pot realiza si din elemente ceramice, in porii cirora se injecteazi metale, dar cele mai raspandite sunt cele pe bazi de pulberi de oxizi aglomerati sub forma de mici perle, bastonage sau discuri, sinterizate in atmosferd oxidant& de 1250 ... 1300°C. Utilizarile termistoarelor sunt multiple; ele se pot folosi la limitarea curentului la inchiderea unui circuit (de exemplu limpi cu incandescenfa), la pornirea motoarelor asincrone ici, la menjinerea constanta a tensiunii, la constructia termometrelor cu rezistenfa etc. Termoelementele Sunt combinayii de dou’ semiconductoare, sau un semiconductor gi un metal, {ntre ele la cele doua capete si dispuse la temperaturi diferite. La trecerea unui curent continuu prin aceste materiale, una din suduri se incdlzeste iar cealaltd se reste. Folosind baterii de termoelemente se pot realiza frigiderele cu semiconductoarele (efectul Peltier) Se obfin din oxizi ai metalelor alcalino-pimantoase si constituie catozii tuburilor electronice cu emisie la cald, lucrul mecanic de extractie a electronilor fiind mai redus deci in cazul catozilor metalici cu cemisieya rece. CdS, ZnS, GaP, InP, PbS. 7.3.3. MATERIALE SENSIBILE LA ACTIUNEA CAMPULUI MAGNETIC Generatoarele Holl reprezint& aplicafiile cele mai importante ale semiconductoarele sensibile la actiunea cdmpului magnetic, Pentru mérirea constantei Holl (Ri) si deci a tensiunii Holl, sunt necesare materiale cu mobilititi si concentrafii reduse ale purtatorilor de sarcind (7.10) In acest sens se utilizeazi HgSe, HgTe, InAs, InSb etc. Generatoarele Holl se folosese pentru miisurarea inductiei magnetice, a curentului continuu de intensitate mare, a cuplului motoarelor electrice, a puterii in c.c, etc. 7.3.4. MATERIALE SENSIBILE LA SOLICITARI MECANICE, Aceste materiale se utilizeazi la fabricarea traductoarelor mecano-electrice, piezoelectrice sau de presiune - rezistenfa electric’. ‘Traductoarele piezoelectrice, se realizeazi din materiale semiconductoare, a cdror structuré nu Prezinti un centru de simetrie al sarcinilor punctuale: GaAs, InSb CdS, ZnO, CdSe. Se realizeazA pentru misurarea presiunii, a forfelor si acceleratiilor, in tensometrie, defectoscopie, etc. ‘Traductoare de presiune-rezistenja electric, se realizeazd din granule sau discuri subtiri din clrbune, plasate intre doua placi conductoare, si care igi modific& rezistenta electrici sub actiunea solicitlrilor mecaitice (statice sau dinamice). Aceste dispozitive se folosesc in constructia accelerometrelor, in telefonie, pentru inregistrarea informatiei etc, 7.3.5. MATERIALE SENSIBILE LA ACTIUNEA RADIATIILOR ‘amit 3 Construcfia lor este aseminiitoare cu cea a tuburilor electrice cu doi electrozi, gi are la bazi efectul fotoelectric exterior. Catodul realizat din oxid de cesiu sau cesiu si stibiu, produce sub actiunea unui flux luminos, 0 emisie electronic’. Daca tubul este conectat intr-un circuit{inchis, apare un curent electric proportional cu fluxul luminos; dup’ amplificarea acestui ‘curent, se poate realiza in instalatii de semnalizare, de masuri, de protectie etc. Celule fotoconductive Se bazeazi pe efectul fotoelectric interior. Prin iluminare aceste celule igi modifick conductivitatea electricd, si determina, astfel, variatii ale curentilor electrici care le parcurg, Se realizeazi prin depunerea pe un gratar metalic, fixat intr-o plac& de sticli, a unui strat semiconductor de Se, TeS, CdS, CdSe, PbS, PbSe etc. Se utilizeazi in instalajii de semnalizare, protectie, comanda etc. Colule fotovoltaice a) Fotoclementele se deosebesc de toate tipurile de dispozitive fotoelectrice, prin fuptul c& nu confin surse de alimentare cu tensiune electric’. Se objin astfe un electrod metalic se depune un strat semiconductor de tip p, iar pe suprafata sa, printr-un procedeu tehnologic arecare se realizeaza un strat n, peste care se aplicd un electrod transparent din aur. In stratul de blocare pn ia nastere un cmp electric de difuzie, de intensitate E (fig.7.11). La iluminarea fotoelementului, in stratul n apar perechi de purtitori de sarcin& electron-gol Sub actiunea cimpului E, golurile se deplaseaz& spre electrodul metalic si electronii spre cel transparent, aparand o diferenté de potential U. Ca materiale semiconductoare se folosesc: Se, CuO, Ags. Prin gruparea mai multor fotoelemente se pot obtine baterii, cu uteri pan’ la 200 W/m" si cu un randament al transformarii energiei luminoase in energie electric de circa 10...15%. Fig.7.11 b) Fotodiodele au zonele sensibile la actiunea radiajiilor luminoase situate in interiorul materialului semiconductor. Se obin prin aliere sau tragere din Ge, Si sau compusi semiconductori A'" — BY (In, $b). ©) Eototranzistoarele au una din joncjiuni, expusi radiaiilor luminoase si se realizeazi din aceleasi materiale ca si fotodiodele. 4) Luminaforii si fosforii se utilizeazi pentru realizarea dispozitivelor cu fluorescenta sau fosforescenti, a ecranelor tuburilor catodice, a limpilor fluorescente, a panourilor luminoase. Acestea contin unul sau doi luminofori de baz, activititi prin introducerea unor anumite impurititi, si substanfe auxiliare. Luminoforii se obfin din sulfuri, seleniuri, silicati, wolframati, borati etc, activati cu Cu, Bi, Mn. Ca materiale auxiliare se folosesc NaCl, CaF, NazB,O; etcSO goa op asm myyde sated 218 “sando-omse od 31 wounaas -opmedous opssoro> 2p wiioung wouy2019 owsay apezanuoa op Houma 2512 aporp “}01aapnosea ose) orvoponpuodqunes aoyWo scans mupwod aIOONTIE (owed “e109 “ape 2203.2 <1 9p sreopenpaospas ounotoonap mn EHO. “ervorettoiog “spuonaoap “2F00 “onog) festfouat a> aondo asbo2>epe seeojanpuosemos 2 es doon}292 2413209 9p wHbuM xeon sort ~srper © axfootep 9p walouns pm soppendo 2psznr0> op wing eeysyeur e yuntiseny plop ENTE reputtros sanpuea 9p else scpmponsens 2aprereer pena