Professional Documents
Culture Documents
LABORATRIO DE ELETRNICA I
Alunos:
Mateus Sampaio
Paulo Geovane S. Mattos Jr
Projetando R1 , R2 e Re
Obs.: Nesse experimento utilizaremos o transistor BC548, pelo seu alto valor de beta
( 110< <800 ).
Projetando Re
- Polarizao
- Reta de carga CA
VccVce
Ic=
( / Rl)
1
Icq= . sendo = Valor de excurso
( / Rl)
(2)
- Calculando Re
R
( 1/ R2 )
alto para mesmo de forma que a parcela tenda a zero.
( +1)
Logo,
15. R2 /(R 1+ R 2)0,7 R2 Re . I e +0,7
Ie= = =0,546
Re R 1+ R 2 15
(3)
VccVceq 7,5
Ie= = =0,023 A
315,8
- Atravs do modelo de pequenos sinais, temos que a ganho Av:
Z i=R 1 / R 2 / ( R +(+1) Re / R l)
+ 1
R
( e / R l)
(Zi + Rs) .(( +1) Re / Rl )+ R
Zi.
Av=
R2
Av >0,85 Substituindo a relao na equao do ganho,
R 1+ R 2
Projetando C1 e C2
- Para calcular a capacitncia, necessrio calcular a resistncia vista pelo
capacitor 1 quando ele dominante e quando o capacitor 2 dominante, de
modo a comparar qual resistncia maior fazendo com que necessite o
menor tamanho do capacitor e assim um projeto mais econmico. Isso pode
ser observado atravs da frmula:
1
C=
2 fR
C1 232 nF e C2 15 F
Complementos
R1 = 1 k R1 = 50 k
R2 = 1 k R2 = 50 k
Vs = 4.5 V Vs = 20 V
Formulrio de Prtica
R1
R2
Re
C1
C2
Vs
Vo
Observaes :