ELEKTRONIKA 1 & 2

Dr.Sc.Branimir Ruoji
III & IV semestar
ruzojcic@politehnika-pula.hr
 ELEKTRONIKA 1
Uvod u elektroniku
Povjesni pregled razvoja, Osnovna podjela, Pravci oekivanog razvoja
Tehnologija poluvodia
PN spojite, Bipolarni i unipolarni poluvodii
Optoelektronika i magnetizam u elektronici
Opto osjetljivi elementi, Optoparovi, Svjetlovodi, Magnetski elementi
Elektroniki elementi
Dioda, Bipolarni tnasistor, FET, MOSFET, IGBT, Tiristor, Triac
Energetska i industrijska elektronika
Osnovni sklopovi, usmjerivai, pretvarai
Analogna tehnika
Analogni sklopovi, Integrirani analogni sklopovi,
Operaciona pojaala, Pojaala snage, Audio tehnika
Elektronika instrumentacija
Postupci mjerenja, Instrumenti, Mjerni pretvarai
Visokofrekventna tehnika
Elementi i sklopovi visoko frekventne tehnike
Sustavi prijenosa, radio, televizija, telefonija
Sustavi globalne lokacije
Modeliranje elektronikih elemenata i sklopova
SPICE, metode raunalom podrane analize
 LITERATURA
B.Juzbai: ELEKTRONIKI ELEMENTI
Biljanovi: POLUVODIKI ELEKTRONIKI
ELEMENTI
ribar,Divkovi-Pukec: ELEKTRONIKI
ELEMENTI Zbirka zadataka
I.Zulim, S.Gotovac: OSNOVNI
POLUVODIKI ELEKTRONIKI ELEMENTI
 EKTRONIKA/mikroelektronika
?
Elektronika je znanost koja se bavi
gibanjem (i kontrolom tog gibanja)
polariziranih estica kroz poluvodie,
vakum i plinove
elektroniki elementi
elektroniki sklopovi
elektroniki sustavi
Dananje metode ostvarenja = Planarna tehnologija u siliciju!
 POVJEST RAZVOJA
J.A.Fleming (dioda 1904g)
Lee de Frost (trioda 1906g)
kaskadno pojaalo 1912g.
mltivibrator 1918g.
bistabil 1919g.
Millerov sklop 1919g.
pojaalo sa neg. povratnom vezom 1927g.
Analogno raunalo 1931g.
 POTICAJ RAZVOJU
POLUVODIA
kratki vjek trajanja arne niti (3-5000h)
potreba za visokim vakumom
visoki anodni napon - disipacija
ENIAC 1946g
18000 cjevi
10 x 13m
 RAZVOJ POLUVODIA
(J.R.Pierc - transfer resistor)

Kontinuirani razvoj od 1920 do 1945g

J.E.Lilienfeld (MOSFET) 1930g.
O.Heil (Tankoslojni) 1935g.
Shockley, Bardeen, Brattain
(Bip.Tokasti) 1945-48g.
Shockley 1948g - pn
spoj(Bip.Tankoslojni)
G.Teal, M.Sparks - npn transistor
 NOVI KORAK
W.Shockley 1951g. (JFET)
M.Atalli, D.Kahngu 1960g.(MOSFET)
 INTEGRACIJA
J.Kilby 1959g (IC) --TI
R.Noyce 1959g (Microchip) -- Fairchild
M.E.Hoff 1969g (Microprocessor)--Intel
LSI
VLSI
OSNOVNE KOMPONENTE
ELEKTRONIKI ELEMENTI
ELEKTRONIKI ELEMENTI
 OZNAAVANJE PASIVNIH
KOMPONENTI
Tekstom
Bojom (Simulator)
 SPOJEVI OTPORNIKA
SERIJSKI

R = R1 + R 2 + ... + Rn

PARALELNI
1
R = 1
R1 + 1
R2 + ... + 1
Rn
 SPOJEVI INDUKTIVITETA
SERIJSKI
X L = X L 1 + X L 2 + ... + X L n

PARALELNI
1
XL = 1
X L1 + 1
X L2 + ... + 1
X Ln
 SPOJEVI KONDENZATORA
SERIJSKI SPOJ
1
C = 1
C1 + 1
C2 + ... + 1
Cn

PARALELNI SPOJ

C = C1 + C 2 + ... + Cn
 REAKTANCE
Induktivni otpor
XL =*L

Kapacitivni otpor 1
XC =
*C
OHMOV ZAKON

U
I=
R
 OSNOVNE ZAKONITOSTI
I Kirchhoffov zakon
I1

I2
I5
I = 0
I3
I4
 OSNOVNE ZAKONITOSTI
II Kirchhoffov zakon

E = I *R
 NADOMJESNA SHEMA C
Plastini, Ceramiki, SMD (Ls=0,5nH)
Ls
10-20nH C
2

Elektrolitski
Rp
1 2 2

Ls Ls
Rs 10-20nH C 10-20nH C
1 2 1 2 2
 NADOMJESNA SHEMA R
Cp
Trough hole 0,4pF
2 2 1 1

Ls
15nH R
2 3 1

SMD
Cp
0,1pF
2 2 1 1

Ls
0,6nH R
2 3 1