INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL ESCUELA SUPERIOR DE INGENIER[A MECANICA Y ELECTRICA PLANTEL ZACATENCO INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA DISPOSITIVOS TIRISTORES TEORIA Y APLICACIONES Grupo: SCVS Alumno: Salguero Fioratti José Luis Profesor: Jorge Orozco Santamaria MAYO DE 2013INDICE INTRODUCCION -- Definicién - - Funcionamiento basico - - Fabricacién “ ~ Aplicaciones = 4 Formas de activar un tiristor - - DIODO SHOCKLEY -o- Operacién - Condiciones de conmutacién - + Ejemplo - SCR (Rectificador Controlado de Sil Operacién - Condiciones de conmutacién - Ejemplo - - GTO (Interruptor por Control de Puerta) Operacién - - Condiciones de conmutacién - - Ejemplo - SCS (Conmutador Controlado de Silicio) - Operacién ~ Condiciones de conmutacién - - Ejemplo _ DIAC (Diodo de Corriente Alterna) - — - Operacién m Condiciones de conmutacién os Ejemplo - TRIAC (Triodo de Corriente Alterna) : Operacién . Condiciones de conmutacion - - Ejemplo - Otros Tiristores -- SCR Activado por luz - ‘SBS Conmutador Bilateral de Silicio ~ = Bibliografia - - WANN RYRNNNINTRODUCCION Definicién. Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de varias capas que presentan una accién de conmutacién biestable, debido a su inherente realimentacién regenerativa. Los materiales de los que se componen son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes 0 como conductores. En su gran mayoria son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un Unico sentido aunque existen combinaciones de ellos que conectados de forma anti paralela se comportan de manera bidireccional, esto quiere decir que la corriente puede viajar a través de ellos en dos sentidos distintos. Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica Funcionamiento basico. El tiristor es el equivalente electrénico de los interruptores mecanicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. El disefio del tiristor permite que éste pase répidamente a encendido al recibir un pulso momenténeo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en inglés, gate), a medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo Fabricacién. Técnica de Difusién-Aleacién: La parte principal del tiristor esta compuesta por un disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operacién de difusién con galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se forma una unién, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del anodo y catodo se realizan con molibdeno. La conexién de puerta se fija ala capa intermedia (tipo P) usando aluminio. Esta técnica se usa solamente para dispositivos que requieren gran potencia. Técnica "Todo Difusion": Se trata de la técnica mas usada, sobre todo en dispositivos de mediana o baja intensidad, el problema principal de esta técnica reside en los contactos, cuya construccién resulta mas delicada y problemdtica que en el caso de difusién-aleacién. Las 2 capas P se obtienen por difusién del galio o el aluminio, mientras que las capas N se obtienen mediante el sistema de mascaras de dxido. El problema principal de este método radica en la multitud de fases que hay que realizar. Aunque ciertas técnicas permiten paralelizar este proceso. Técnica de Barrera Aislante: Esta técnica es una variante de la anterior. Se parte de un sustrato de silicio tipo N que se oxida por las dos caras, después en cada una de las 2 caras se hace la difusién con material tipo P. Una difusién muy duradera y a altas temperaturas produce la unién de las 2 zonas P. Después de este proceso se elimina todo el 6xido de una de las caras y se abre una ventana en la otra, se realiza entonces en orden a aislar mas zonas de tipo N, una difusién tipo P. Después de una ultima difusién N el tiristor ya esta terminado a falta de establecer las metalizaciones, cortar los dados y encapsularlos Aplicaciones Normalmente son usados en disefios donde hay corrientes o voltajes muy grandes, también son comunmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexién o desconexién del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de forma sincrona cuando, una vez que el dispositivo esta abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unién cétodo-anodo sin la necesidad de replicacién de la modulacién de la puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe confundir con la operacién simétrica, ya que la salida en la mayorla como se mencioné anteriormente es unidireccional y va solamente del catodo al 4nodo, por tanto en si misma es asimétrica.Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en controladores accionados por angulos de fase, esto es una modulacién por ancho de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna. En circuitos digitales también se pueden encontrar tiristores como fuente de energia 0 potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores automaticos magneto-térmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito eléctrico, abriéndolo, cuando la intensidad que circula por él se excede de un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes en la direccién del flujo de corriente queden dafiados. La primera aplicacién a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensién de entrada proveniente de una fuente de tensién, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo de los ‘70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensién de entrada de los receptores de televisién en color. Se suelen usar para controlar la rectificacién en corriente alterna, es decir, para transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los tiristores onduladores o inversores), para la realizacién de conmutaciones de baja potencia en circuitos electrénicos. Otras aplicaciones comerciales son en electrodomésticos (iluminacién, calentadores, control de temperatura, activacién de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas eléctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de baterias), equipos para exteriores {aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrénicas, entre otros). Formas de activar un tiristor. Luz: ‘Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el numero de pares electrén-hueco aumentard pudiéndose activar el tiristor.Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccién de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y catodo lo activara. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuiré el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacién del dispositive Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nimero de pares electrén-hueco, por lo que aumentaran las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre 4nodo y catodo, y gracias a la accién regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activacién podria comprender una fuga térmica, normalmente cuando en un disefio se establece este método como método de activacién, esta fuga tiende a evitarse. Alto Voltaje: Siel voltaje directo desde el anodo hacia el cétodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se crearé una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activacién con retroalimentacion. Normalmente este tipo de activacién puede dafiar el dispositivo, hasta el punto de destruirlo. Elevacién del voltaje anodo-catodo: Si la velocidad en la elevacién de este voltaje es lo suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este método también puede dafiar el dispositivo.DIODO SHOCKLEY Nombre Oficial Tiristor Diodo de Bloqueo Inverso. 1EC* (Reverse Blocking Diode Thyristor) Diodo Shockley Mimero de capas [| Suniones TMimero de Terminaes Disparo Principal Mediante Tension més alta que la de ruptura del 4nodo Valores Maximos Disponibles 400v, 300A;i-. de impulso Principales Aplicaciones Disparador SCR, circuitos de temporizacién, generadores de impulsos Unidireccional / Bidireccional Unidireccional * La Comision Electrotécnica Internacional (Cl © IEC por sus siglas en inglés, International Elecvotechnical Commission) fs una organzadion de normalzacion en los campos eléctico, elecvdnico y teenologas relacionadas. Numeros3s rnormas se desarolan anjuatamente con I SO (normas ISO/IEC REPRESENTACION A Anodo K Catodo kK Simbolo Seccién Circuito Longitudinal EquivalenteOPERACION EI diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: dnodo y cétodo. Esta constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Actiia como interruptor: est abierto hasta que la tensién directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccion. La conduccién continua hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especifico. Donde: Imax — Corriente maxima que acepta el dispositive en conduccién ly - Corriente de sostenimiento Veo — Voltaje a partir del cual el dispositive entra en conduccién Ves - Voltaje de ruptura CONDICIONES DE CONMUTACION on Corte —+——_ Conduccion Cuando se polariza inversamente anodo-catodo. La destruccién del dispositive se puede dar por un valor negativo que supere al voltaje de ruptura Vu 0 bien si se supera la corriente maxima Ina. Siempre que no se supere ly Par < Veo Polarizado directamente dnodo-cétodo y superando @ Vso, hecho esto, no disminuir la corriente de sostenimiento ly. vax > YeoEJEMPLO El diodo mostrado tiene una tensién de cebado (Vs = Vao) de 10v. Si la tensién de entrada se incrementa a 15v, écual es la corriente por el diodo? 1002 + 1N5158 v V,=10V 7 [y= 4A SOLUCION. De forma ideal el diodo en conduccién se comporta como circuito cerrado, por lo tanto: v Iprov0 = Toon = 150mA Se trata de un diodo de Silicio, estamos hablando de que en modo de conduccién la caida de voltaje en el componente sera de 0.7v, asi llegamos a la siguiente relacién: 15v —0.7v loiove = —sagq— = M434 De las hojas de especificaciones del diodo 1NS158 se tiene que la caida de voltaje en el elemento es de 0.9v cuando existe una corriente circulante de 150mA, de esta forma llegamos a una relacién mas precisa: 15v —0.9v Iniov0 = —zypq— = MIASCR 1EC* (Reverse Blocking Triode Thyristor) ["Wimero de capas [A Suniones Valores Maximos Disponibles 1800v, 550A media Principales Aplicaciones Conversion de potencia sustituyendo a dispositivos electromecanicos de control de velocidad de motor, control de fase de conmutacion. Unidireccional / Bidireccional * La ComisiinElectrotécnica Intersmcionl (CEI © IEC por su siglas en ings, International Electrotechnical Commission) fs una erganizacién de normalizacién en los campos eléctnco, elecuénlea y tecnologas relacionadas. Numeresas rnormas se desarellan cnjuntamente con la SO (normas ISO/IEC). REPRESENTACION A [| lL p 6 r | 6 f+ —__ K Compuerta Catodo 4 . Seccién Circuito Simbolo Longitudinal EquivalenteOPERACION Un SCR, (rectificador controlado de silicio) es un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes mas bien altas para una carga. Un SCR acta a semejanza de un interruptor. Cuando esta en conduccién, hay una trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del anodo al catodo, Actiéia entonces como un interruptor cerrado cuando esta en corte, no puede haber flujo de corriente del dnodo al cétodo. Por tanto, actéa como un interruptor abierto. Dado que es un dispositivo de estado séiido, la accién de conmutacién de un SCR es muy répida. Donde: wx — Corriente maxima que Imax acepta. el dispositive en conduccién I= Corriente de sostenimiento punto de Vu—Voltaje de sostenimiento Veo ~ Voltaje que permite la conduccién Vasi~ Voltaje avalancha esi ~Corriente avalancha le~ Corriente de compuerta CONDICIONES DE CONMUTACION * Cuando se polariza inversamente énodo - cétodo y/o lo-0 / * La destruccién del dispositivo se puede dar si se llega al punto de : ruptura por avalancha (Visi, Insi) © superando la corriente maxima de conduccién hn. Corte = No llegar al punto de mantenimienta Par < Veo * Polarizado directamente dnodo-cétodo y superando @ Vso, hecho esto, se debe lograr llegar al punto de mantenimiento, e| tiempo para lograrlo disminuiré de acuerdo a la forma en que le Conduccion sumenie: —+——_ Yan > Yao. 10EJEMPLO EI SCR siguiente tiene una tensién de disparo de 0.75v y una corriente de disparo de 7mA. 2Cual es la tensién de entrada que cierra el SCR? Si la corriente de mantenimiento es de 6mA, écudnto vale la tensién de alimentacién que lo abre? 418V Vor= 0,75 Tope MA aN SOLUCION. it + IgrRe Vin = 0.75v + (7mMA)(1kQ) = 7.75v V¢¢ = 0.7v + (6mA)(1009) = 1.30 rtGTO Nombre Oficial Tiristor de Apagado 1EC* (Turnoff Thyristor) Conmutadar con Control de Compuerta Mimerodecapas [4 3uniones MimerodeTeminales [3+ entre sus estados de corte y conduccién Principales Aplicaciones Conmutadores de corriente continua, Unidireccional / Bidireccional Unidireccional * La Comision Electrotécnica Internacional (CE © IEC por sus siglas en inglés, International Elecvotechnical Commission) fs una organzacion de normalzacion en los campos eléctico, elecvOnico y teenologas relacionadas. Numerosas normas 2 desarollan canjuatamente con I SO (normas ISO/IEC REPRESENTACION A Anodo G [ep A [| n _|—Compuerta ‘a Jog | G K Catodo 4 F Seccién Circuito Simbolo Longitudinal Equivalente 2OPERACION Actéan como interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento con una seffal de compuerta. Estos componentes estan optimizados para tener muy bajas pérdidas de conduccién y disefiados para trabajar en las mas demandantes aplicaciones industriales. Donde: ly - Corriente de sostenimiento Iz - Corriente de compuerta Vp —Voltaje de ruptura Vso - Voltaje que permite la conduccién CONDICIONES DE CONMUTACION on Corte —+——_ Conduccion Cuando se polariza inversamente anodo-catodo. La destruccién del dispositivo se puede dar por un valor negativo ‘que supere al voltaje de ruptura Vs y también superando haa. Siempre que no se supere In. Con una Ic<0 entre compuerta y cétodo. Vax < Veo 1g<0 Polarizado directamente anodo-cétodo y superando @ Vso, hecho esto, se debe aplicar una I< positiva manteniendo li. Con una corriente Is positiva entre compuerta y cétodo. vax > Yeo Ig>0 BEJEMPLO Cada disparo positivo cierra el GTO y cada disparo lo abre. E! GTO es muy util en contadores, circuitos digitales y otras aplicaciones en las cuales un disparo negativo esté disponible para bloquearlo. Vee R Ye oy, “ LELE 2." 14scs 1EC* (Reverse Blocking Tetrode Thyristor) ["Wimero de capas [A Suniones [_NamerodeTeminales [| _4 +s Disparo Principal Mediante Cualquiera de sus compuertas Valores Maximos Disponibles 200v, 1A medio Principales Aplicaciones Excitadores de lampara, circuitos ldgicos, contadores, circuitos de deteccién y alarma, Unidireccional / Bidireccional Unidireccional * La Comision Electrotécnica Internacional (CE © IEC por sus siglas en inglés, International Elecvotechnical Commission) fs una organzacion de normalzacion en los campos eléctico, elecvOnico y teenologas relacionadas. Numerosas normas 2 desarollan canjuatamente con I SO (normas ISO/IEC REPRESENTACION Catodo-Compuerta A Anodo Cétodo AG A a . KG KG AS K Anodo-Compuerta 4 . Secci6n Circuito simbolo Longitudinal Equivalente 15OPERACION Es similar en cuanto 2 construccién al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccién y otro para corte, El SCS se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR. El inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra mas limitado en cuanto a valores de tensién y corriente Donde: ly - Corriente de sostenimiento Iz - Corriente de compuerta Vp —Voltaje de ruptura Vso - Voltaje que permite la conduccién CONDICIONES DE CONMUTACION * Cuando se polariza inversamente dnodo-catodo. * La destruccién del dispositivo se puede dar por un valor negativo ——“— que supere al voltaje de ruptura Vs. "Siempre que no se supere |. Corte * Con unvalor de K6=Ovy AG>Ov Vax < Veo AG > 03K 0 * Polarizado directamente anodo-cétodo y superando @ Vio, hecho esto, se debe aplicar un valor en KG>0v y AG=Ov positiva —_— manteniendo ly. vax > Yeo Conduccion AG >0:KG>0 16EJEMPLO the ee 4 © @ » Circuitos de apagado para el SCS a) El transistor conduce plenamente, y ocasiona una caracteristica de baja impedancia desvia la corriente del Anodo del SC, lo que provoca que éste caiga por debajo de su nivel de sostenimiento y por consecuencia lo apaga b) El pulso positivo en la compuerta del énodo apagaré al SCS mediante el mecanismo antes descrito en esta seccién. c) Este circuito puede ser tanto de encendido como de apagado mediante un pulso con la magnitud adecuada en la compuerta de cdtodo. La caracteristica de apagado sera posible sélo si se utiliza el valor correcto de Ra, el cual controlaré la cantidad de retroalimentacién regenerativa, donde la magnitud de ésta es critica para este tipo de operacién. 7DIAC Nombre Oficial Tiristor Diodo Bidireccional 1EC* (Bidirectional Diode Thyristor) Nanaradeconn TMimero de Terminaes cualquier direccién Principales Aplicaciones Proteccidn de sobre-tensién en disparo er ee | Psaasc coelaetaeech * La Comision Electrotécnica Internacional (CE © IEC por sus siglas en inglés, International Elecvotechnical Commission) fs una organadion de normallzacion en los campos eléctico, elecOni ¥ teenologas relacionadas. Numerosas rnormas 2 desarollan canjuatamente conf SO (normas ISO/IEC REPRESENTACION Terminal Principal 2 | MT2 MT2 n 4 Terminal Principal 1 MT1 | Seccié Circuito simbolo Longitudinal Equivalente MT1 18OPERACION EI DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente s6lo tras haberse superado su tensién de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracteristico para ese dispositivo. E| comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayoria de los DIAC tienen una tensién de disparo de alrededor de 30 V. Imax Donde: ly - Corriente de sostenimiento Imax — Corriente maxima del dispositive Veo - Voltaje que permite la conduccién CONDICIONES DE CONMUTACION on Corte —+——_ Conduccion la destruccién del dispositivo se puede dar por un valor que supere a Inax en cualquiera de los sentidos. Siempre que no se supere I en ningun sentido nia Veo. Yura Yura < Yeo Tuer lra

Yao Ioery bere 2 da 19EJEMPLO (WIAD GE sn “Todos ln restores sin de 14 W = Detector de proximidad o sensor al tacto A medida que el cuerpo humano se acerca al electrode sensor, la capacitancia entre el electrodo y la tierra se incrementaré. El UJT programable (PUT) es un dispositive que dispararé (entrard al estado de Circuito cerrado) cuando el voltaje del anodo V, sea al menos 0.7v (Silicio) mayor que el voltaje de compuerta Vc 20TRIAC Nombre Oficial Tiristor Triodo Bidireccional 1EC* (Bidirectional Triode Thyristor) Nanaradeconn TMimero de Terminaes Disparo Principal Mediante Valores Maximos Disponibles 1000v, 200A Eficaces Principales Aplicaciones Conmutacién y control de fase de suministro de CA @60Hz tal como en motores y calefactores de CA Unicireedional /bidireceional * La Comision Electrotécnica Internacional (CE © IEC por sus sgl en inglés, International Elecvotechnical Commission) fs una organzacion de normalzacion en los campos eléctico, elecvdnico y teenologlas relaconadas. Numeros9s normas 2 desarollan canjuatamente con I SO (normas ISO/IEC REPRESENTACION Anodo 2 fie | A2 at p = . s . p SOR | SCR no] [n G _T Anodo 1 ¢ i G nodo ae ; Seccién Circuito simbolo Longitudinal Equivalente 2OPERACION (Vas) como el DIAC. EI TRIAC es fundamentalmente un DIAC con una terminal de compuerta para controlar las, condiciones de encendido del dispositivo bilateral en cualquier direccién. La corriente de mantenimiento no est presente en cada direccién como lo es en el DIAC. Se puede disparar mediante un pulso de corriente de compuerta y no requiere alcanzar el voltaje Vio Imax Donde: In - Corriente de sostenimiento Vo - Voltaje que permite la conduccién Is - Corriente de compuerta Imax ~ Corriente maxima del dispositivo CONDICIONES DE CONMUTACION on Corte —+——_ Conduccion La destruccién del dispositivo se puede dar si se supera Iran en cualquier sentido. ‘Siempre que no se supere ly. Con una le=0. 1g=0 Polarizado directamente A2-A1 y superando a Vso (cuadrante |), hecho esto, se debe aplicar una I, positiva manteniendo |, Polarizado directamente A1-A2 y superando a Vaa (cuadrante Ill), hecho esto, se debe aplicar una le negativa manteniendo ln. Ug2.a1 = Yara2 > Yao Iq > 0 (cuadrante 1); Ig < 0 (cuadrante IIT) 2EJEMPLO En la siguiente figura el interruptor esta cerrado. Si el TRIAC se ha disparado, écudl es aproximadamente la corriente que circula por la resistencia de 220? 20 BV=S uF SOLUCION. En el caso ideal, el TRIAC tiene Ov a través de él cuando conduce. Por consiguiente, la corriente que circula por los 229 es: 75v i= 30 3.414 Incluso si el TRIAC tiene 1 0 2v a través de él, la corriente que circula por los 220 es muy cercana a 3.41A debido a la elevada tensin de alimentacién que oculta el efecto del TRIAC en la tension. 23OTROS TIRISTORES SCR Activado por luz A x G K Simbolo Disparo principal mediante sefial de puerta y/o radiacion. Sus principales aplicaciones estan en: monitores de posicién, _interruptores estaticos, interruptores de limite, circuitos disparadores, controles fotoeléctricos. Su grafica de operacién es igual ala del SCR. SBS Conmutador Bilateral de Silicio simbolo Disparo principal mediante una tensién més alta que la de ruptura o bien por la sefial de puerta. Entre sus aplicaciones principales se encuentran los circuitos de temporizacidn, disipadores, detector de umbral, etc. 24BIBLIOGRAFIA Principios de Electronica, 6ta Edicién. Malvino. Electrénica, teoria de circuitos, Sta Edicién, Robert Boylestad, profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.htm unicrom.com/Tut_rectificador_gobernado_silicio_SCR.asp es.wikipedia.org/wiki/Diac www.get bme.hu/edu/subjects/VIAU0030/final/3.2_PSD_Dudrik_EN_F INAL/html/sekundarne/3_sek_en.htm. datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/leccin_28_otros_ tiristores.htm| http://temporizadoressebastian.blogspot.mx/2011/12/gto-gate-turn- off-thyristor-pesar-de.html 25,