PRACTICA 6

TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION (BJT)

GENERALIDAES
OBJETIVOS:

6.1.-I dentificar las terminales del transistor bipolar.

6.2.- Comprobar el efecto transistor.
6.3.- Medir la comente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
6.4.-Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector-base de un
transistor bipolar de silicio de tecnologa planar.
6.5.- Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de emisor
comn. Observar su variacin con el voltaje de colector-emisor.
6.6.- Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin de emisor
comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin
corte, saturacin y activa directa.

EQUIPO PROPORCIONADO POR EL LABORATORIO M ATERIAL REQUERIDO QUE DEBE TRAER EL ALUMNO

Un transistor de Germanio NPN AC127 0

Osciloscopio de doble trazo
equivalente

Cuatro transistores de Silicio NPN BC547 0

Generador de seales
equivalente
Resistores:
Multmetro analgico y/o digital Cuatro de 1K, una de 100K a 0.5W

Tablilla de conexiones (protoboard)

Cables: 6 caimn-caimn, 6 caimn-banana, 8

banana-banana, de 50 cm mn.

4 cables coaxiales que tengan en un extremo

terminacin BNC y en el otro caimn- caimn.

Fuente de voltaje C.D. (variable) y fuente 1 cable coaxial BNC-BNC

de corriente C.D. (variable)
Multmetro

Puntas extras para multmetro

Cautn tipo lpiz

Pinzas: de punta y corte

un desarmador perillero

6.1 IDENTIFICAR LAS TERMINALES DEL TRANSISTOR BIPOLAR.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si ste es NPN o
PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el
fabricante y que nos indican como estn ubicadas las terminales de emisor, colector y base.

En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el dispositivo este en buen
estado.
En el caso, en que no se cuente con la informacin suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el
laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP
de que se trate. Para ello, se debe proceder a:

6.1.1 Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida como prueba del amplificador"
e identificar las terminales del transistor.

1. Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones
emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente
interna del hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales deber medirse
baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use la misma escala del
multmetro para la realizacin de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observar
alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad de las terminales del hmetro. Con estas
mediciones se comprueba la existencia de las uniones rectificantes en el transistor bipolar y el tipo de
transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, ser necesario aplicar la
"prueba del amplificador" o alguna otra que se proponga.

2. Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el tipo de transistor NPN o PNP,
la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el caso del NPN, conectar el positivo del hmetro
a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe aparecer en
el hmetro es de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la base (esto
es equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia del orden de M) y observar la
disminucin de la resistencia medida entre colector-emisor, cuando la terminal que se elige como
colector es la correcta esta disminucin en el valor de la resistencia es considerable, si la terminal elegida
como colector no es tal, sino la de emisor, al efectuar dicha prueba la disminucin de la resistencia no
ser tan importante. Para estar seguro de cual es cual debern realizarse ambos casos y comparar las
resistencias medidas.

6.1.2 Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo, es mediante el uso de un multmetro
digital que nos permita medir la "beta" (hFE) del transistor. Esto es elegimos en el multmetro digital la funcin
de medicin de la beta, colocamos las terminales del transistor como creamos que estn correctas y midamos
la beta, cuando el dispositivo esta correctamente colocado la beta medida, generalmente es grande (en la
mayora de los casos mayor a 50), cuando no esta bien colocado la beta que se mide es pequea (en la mayora
de los casos menor a 20 y en algunos multmetros en esta situacin marca circuito abierto).
6.1.3 Despus de identificar las terminales de (o de tus) transistores bipolares, dibjalo(s) en isomtrico en la
figura 6.1, indicando donde esta el colector, el emisor y la base
Figura 6.1 Dibujo isomtrico de los transistores empleados, indicando las terminales del colector, el emisor y la base.
As como, si son PNP o NPN.

6.2.- COMPROBAR EL EFECTO TRANSISTOR.

Armar el circuito de la figura 6.2 y comprobar el "efecto transistor", en el cual se hace evidente la inyeccin
de portadores de la regin de emisor hasta la regin de colector, debiendo estar la unin emisor-base
polarizada directa, independientemente de la polarizacin que se presente en la unin colector-base.
Comprobar que el valor de la corriente medida en el colector, prcticamente es igual a la que se tiene en el
emisor.

IC= ________________

Figura 6.2.- Circuito propuesto para comprobar el efecto transistor.

6.3.- MEDIR LA COMENTE DE FUGA ICBO Y SU VARIACIN CON LA TEMPERATURA.

Al igual que en los diodos (uniones rectificantes), se tuvo la presencia de corrientes de fuga (generadas por
los portadores minoritarios), en los transistores bipolares tambin se presentan, de tal forma que si
polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del transistor se podrn medir estas corrientes.
Segn el par de terminales que se elija, la corriente tendr valores diferentes aunque del mismo orden de
magnitud, es importante recordar que estas comentes son muy pequeas comparadas con las corrientes de
operacin del dispositivo y que adems para el caso del silicio son mucho menores que para el Germanio.
En la expresin matemtica que se usa para la comente de colector del transistor bipolar se presenta el
termino ICBO= ICO, conocido como corriente de saturacin inversa colector-base con el emisor abierto, en la
figura 6.3, se propone un circuito para medir esta corriente y observar como vara con la temperatura. Para
esta medicin usaremos el transistor de Germanio AC127.

Figura 6.3. Circuito propuesto para pedirla corriente ICBO y su variacin con la temperatura. Use el transistor de Germanio.

I COB ICO ______________ a temperatura ambiente.

I CBO1 I CO1 ______________ a temperatura mayor que la ambiente.
Para lograr que la temperatura sea mayor a la del ambiente, acerca un cerillo encendido o la punta-de un
cautn caliente al transistor bipolar por cinco segundos.

6.4.- OBSERVAR Y MEDIR EL VOLTAJE DE RUPTURA EN LA UNIN BASE-EMISOR Y DE LA UNIN COLECTOR-BASE

DE UN TRANSISTOR BIPOLAR DE TECNOLOGA PLANAR.

Actualmente la gran mayora de los transistores bipolares estn construidos con tecnologa planar, en ellos
las regiones de emisor, base y colector presentan diferentes concentraciones de impurezas y tamaos,
debido a las caractersticas de construccin que se tienen en las uniones emisor-base y colector-base, el
voltaje de ruptura que se presenta en la unin emisor-base es menor que el que se presenta en la unin
colector-base, llegndose en la prctica a generalizar diciendo, que la unin emisor-base de un transistor
bipolar de silicio se comporta como un diodo Zener (diodo que presenta voltaje de ruptura pequeo).
Arma el circuito de la figura 6.4 y obtn la curva del diodo emisor-base, posteriormente desconecta el emisor,
conecta el colector y obtn la curva del diodo colector-base, usa una seal senoidal con voltaje pico entre
10 y 12V y frecuencia entre 60 y IKHz.

Figura 6.4 Circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor-base y del diodo colector-base de un transistor
bipolar.

Reporta el voltaje al cual rompe la unin emisor-base VEB ______________

6.5.- OBTENER LAS CURVAS CARACTERSTICAS DE ENTRADA DEL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONFIGURACIN DE
EMISOR COMN. OBSERVAR SU VARIACIN CON EL VOLTAJE DE COLECTOR-EMISOR.

Armar el circuito propuesto en la figura 6.5, el cual permite obtener el comportamiento de la unin emisor-
base del transistor bipolar y observar su variacin con el voltaje de colector-emisor.

Figura 6.5 Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor-base en un transistor bipolar y su
variacin con el voltaje de colector-emisor.

Reporta en la tabla 8.1, los valores medidos de corriente en la base para los diferentes voltajes de base-
emisor.
TABLA 6.1

VBE V MEDIDO SOBRE VBE V MEDIDO SOBRE VBE V MEDIDO SOBRE

I B A MEDIDA SOBRE
LA CURVA DEL DIODO LA CURVA DEL DIODO LA CURVA DEL DIODO
LA CURVA DEL DIODO
EMISOR-BASE CAUNDO EMISOR-BASE CAUNDO EMISOR-BASE CAUNDO
EMISOR-BASE
VCE 0V VCE 0.5V VCE 5V

20 A

100 A

150 A

6.6.- OBTENER LAS CURVAS CARACTERSTICAS DE SALIDA DEL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONFIGURACIN DE
EMISOR COMN. OBSERVAR Y REPORTAR SU VARIACIN CON LA TEMPERATURA.

6.6.1 Armar el circuito de la figura 6.6 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del transistor
bipolar en emisor-comn, para diferentes corrientes en la base.
 Figura 6.6
b) Ejemplo de las curvas caractersticas de salida
a) Circuito propuesto para obtener las curvas del transistor bipolar ubicando las regiones de
caractersticas de salida del transistor bipolar, corte, saturacin y activa directa.

Reporta los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector-emisor solicitados en
la tabla 6.2, elije los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB1 haga que el transistor bipolar
trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y IB3 lo hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin)
y la corriente IB4 lo lleve a la regin de saturacin.
TABLA 6.2

MEDIR LOS VALORES DE CORRIENTE DE COLECTO IC (A) PARA CADA UNO DE LOS VALORES DE
VOLTAJE COLECTOR-EMISORABAJO INDICADOS (USE LA CURVA QUE SE OBTIENE EN EL OSCILOSCOPIO
CORRIENTE
PARA CADA UNO DE LOS DIFERENTES VALORES DE LA CORRIENTE BASE)
EN LA BASE
(A)
VCE=0 VCE=2V VCE=4V VCE=6V VCE=8V VCE=10V VCE=12V

IB1

IB2

IB3

IB4

6.6.2 Fija la corriente de base en el valor de IB3 (regin activa), acerca un cerillo encendido o la punta caliente
de un cautn al transistor bipolar por 5 seg y observa que le pasa a la corriente de colector. Aumenta o
disminuye la corriente?

____________________________

Reporta en la figura 6.7, la curva caracterstica de salida del transistor bipolar para IB3, a temperatura ambiente
y a mayor temperatura. Ilustra, sobre la misma grfica, el cambio con diferentes colores de tinta.
Figura 6.7 Curva caracterstica de salida en configuracin de emisor-comn para el transistor bipolar a dos diferentes
temperaturas y considerando la corriente en la base constante.