1

YARI LETKENLER

Enstrmantal Analiz

Bir yar iletken, iletkenlii bir iletken ile bir yaltkan arasnda olan kristal bir mal-
zemedir. ok eitli yariletken malzeme vardr, silikon ve germanyum, metalimsi
bileikler (silikon karbr gibi), ve eitli organik bileikler bunlardan bazlardr.
Elektronik aletlerin yapmnda kullanlan iki nemli yariletken malzeme kristal
silikon ve germanyumdur; incelemelerimiz bu yariletkenleri kapsayacaktr.

metal (bakr) metaloid (silikon) metal olmayan (cam)

e e
e e e e

iletken yar iletken yaltkan

Tanmlar
pn Balants: p-tip ve n-tip yar iletken malzemeler arasndaki snr.
Diyot: Sadece bir ynde akm gemesine olanak veren bir elektronik alet.
Engel (Bariyer) Potansiyeli: Bir pn balant diyotunun tketme blgesindeki po-
tansiyel.
Dz (Forward) Bias: Bir diyotun akm ilettii koul.
Ters (Reverse) Bias: Bir diyotun akm engelledii koul.
Fotodiyod: Ters direnci, gelen kla deien bir diyottur.
2

1. Silikon ve Germanyum Yariletkenler

Silikon ve germanyum IV.Grup elementlerindendir ve ba yapabilen drt valans
elektronlar bulunur. Silikon kristalinde bir silikon atomunun her bir elektronu, di-
er bir silikon atomunun bir elektronu ile kovalent ba oluturduundan hareket-
sizdir. Buna gre kristal silikonda serbest elektron bulunmaz, ve maddenin bir
yaltkan zellii gstermesi beklenir. Gerekte ise oda scaklnda, bir elektronun
serbest kalmasna yetecek kadar sl alkalanma vardr, bylece balardan kopan
bir elektron kristal dokusu iinde dolar ve elektrii iletir. Bir elektronun bu ekilde
sl "uyarlmas" pozitif ykl bir blgenin olumasna yol aar, buna "boluk" denir
ve silikon atomunu belirtir. Boluk da hareketlidir, ve kristalin elektrik iletimine
yardmc olur. Boluun hareket mekanizmas kademelidir; elektronca zayf bl-
geye, komu silikon atomundan bal bir elektron atlar ve kendi yerinde pozitif bir
boluk brakr. Brakt bolua, oradaki atomun yanndaki atomdan yeni bir e-
lektron atlamas ile olay devam eder. Bylece elektron hareketinin ters ynne
doru boluk olumas devam eder. Bu aklamaya gre, bir yariletkenin iletken-
lii sl elektronun bir ynde, boluklarn ise dier yndeki hareketlerinden kaynak-
lanr.
Bir silikon veya germanyum kristalinin iletkenlii "doping" yaplarak ok fazla artr-
labilir. Doping, ufack ve miktar kontrol edilebilen bir safszln kristal yapsna
sokulmasdr. Bir silikon yariletkene konulan doping maddesi arsenik veya anti-
mon gibi bir V. grup elementi, veya indiyum veya galyum gibi bir III. grup elementi
olabilir.
Donor (Verici) veya n-Tip Safszlk: Bir V. grup elementi atomunun kristal rg-
sndeki bir silikon atomu ile yer deitirmesi durumunda, yapya bir tane bal
olmayan elektron konulmu olur; elektronun kristalde dolamas iin ok az bir sl
enerjiye gereksinim vardr. Bu elektronun ayrlmasyla geride kalan pozitif atom
(V. grup elementinin atomu), hareket edebilen bir boluk grevi yapamaz, nk
kovalent silikon bandan buradaki basz konuma bir elektronun geme eilimi
ok azdr. Doping yaplm bir yariletkene, bal olmayan elektronlar ierdiinden
"n-tip" veya negatif tip yariletken denir, nk akmn "balca (salt) tayclar"
elektronlardr. Bu tip bir yariletkende hala pozitif boluklar vardr, ancak saylar
elektronlarn saylarna kyasla ok azdr; yani, n-tip bir yariletkende boluklar
akmn "aznlk tayclar" dr.
Akseptr (Alc) veya p-Tip Safszlk: Silikonun, sadece valens elektronu
bulunan bir III. grup elementi ile doping yaplmas durumunda "p-tip" veya pozitif
 3

tip yariletken meydana gelir. Safszlk atomunun bo orbitaline, yanndaki silikon

atomlarndan elektronlarn atlamasyla pozitif boluklar oluur. Bu ilemle III. grup
atomu pozitif yklenir. Boluklar silikon atomundan silikon atomuna geerek iler-
ler; bylece, ounun taycsnn pozitif olduu bir akm oluur. Pozitif boluklar
serbest elektronlardan daha az hareketlidirler; buna gre bir p-tip yariletken bir n-
tip yariletkenden daha zayf bir iletkendir.

paylalan serbest
elektronlar elektron paylalan
elektronlar boluk

safszlk safszlk
atom(verici) atom (alc)

silikon kristali n-tip yariletken p-tip yariletken

safszlk olarak antimon safszlk olarak boron
ilave edilmitir ilave edilmitir

Si atomu Sb atomu B atomu

atom No: 14 atom no: 51 atom No: 5
http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_1.html

Saf silikon kristali, verici safszlk antimon atomu ve alc safszlk bor atomunun
yapsn ve yar iletkenlerin dokusunu gsteren diyagramlar

2. Yar letken Diyotlar

Bir "diyot", bir yndeki iletkenlii dier yndekinden daha byk olan bir sistemdir.
Tek bir germanyum, veya silikon kristali iinde birbirine bileik n- ve p-tip blgeler
oluturularak ok faydal diyotlar yaplmaktadr; blgeler arasndaki yzeye pn
balants denir.
4

Bir pn Balantsnn zellikleri

ekil (a)da bir pn balantsnn kesiti grlmektedir; bu tip bir balant p blge-
sinden n blgesine pozitif yk (veya ters ynde negatif yk) akmasn salar; di-
er ynde (n den p ye) pozitif yk akmasna kar byk bir diren gsterir, bu
balantya "akm rektifieri (dorultma)" ad verilir.

Chapter%2011%20Semiconductor%20Theory%20
It
boluklar Ir elektronlar
Inet = 0

http://www.causality.net/nova/phy243/
and%20Devices.ppt
p blgesi n blgesi
(a) Bias yok

It elektronlar ve boluklar It
Ir balantda birleirler Ir
Inet Inet

p blgesi n blgesi

+ - - +

V V
(b) Dz bias (forward bias) (c) Ters bias (invers bias)

ekil (b)de, bir potansiyel uygulanarak p blgesinin n blgesine gre pozitif yk-
lendii durumdaki elektrik iletimi mekanizmas gsterilmitir; bu ileme "dz-bias"
gerilimi denir.
Dz bias (forward bias): Vuygulanan > 0

p blgesindeki pozitif boluklar ve n blgesindeki fazla elektronlar (yani, her iki

blgedeki balca tayclar) elektrik alannn etkisiyle balantya doru hareket
ederler, ve birbirleriyle birleerek yok olurlar. Bataryann negatif ucu n blgesine
yeni elektronlar verir, bunlar tekrar iletme ilemini srdrrler; bataryann pozitif
 5

ucu ise p blgesinden elektron ekerek, pn balantsna doru hareket eden yeni
boluklar yaratr.

Ters bias (reverse bias): Vuygulanan < 0

Diodda "ters-bias" gerilimi varsa (ekil-c) her iki blgedeki balca tayclar ba-
lantdan uzaklaacak ynde hareket ederler, bylece geride birka ykn bulun-
duu bir "eksiltme tabakas" brakrlar. Her iki blgede de sadece balantya do-
ru hareket eden ve bylece bir akm tayan ok az konsantrasyondaki aznlk
tayclar kalr. Bylece, ters-bias gerilimi altndaki iletim dz- bias altndakinin
10-6 10-8 kat kadar olur.

Yar letken Diyotlar in Akm-Voltaj Erileri

Aadaki ekilde tipik bir yariletken diyotun forward (dz) ve ters-bias altndaki
davran gsterilmitir. Dz-biasda akm voltajla hemen hemen eksponensiyel
olarak artar; bir ka amperlik akmlar gzlenir. Ters-bias altnda ise, bir voltaj ara-
l boyunca mikro amper seviyesinde bir akm gzlenir; bu blgede iletkenlik
aznlk tayclarca salanr. Bu ters akmn nemi yoktur. Ters potansiyel artrl-
dnda, yine de hzla ters akmn ar derecede art "kopma" voltajna ulalr.
Burada, yariletkenin kovalent balarnn kopmasyla meydana gelen boluklar ve
elektronlar alan tarafndan hzlandrlarak arpmayla yeni elektronlar ve boluk-
lar olutururlar.

+I
http://spider.cs.ntou.edu.tw/yen/Electronic981/
Akm

ters
Chapter_9_Lecture_PowerPoint.ppt

kopma
ters bias dz (forward)
blgesi
blgesi bias blgesi

-V +V
Potansiyel

-I

Bir silikon yariletken diodun akm voltaj zellikleri

6

Ayrca balant tabakas arasnda, elektronlarn kuvantum mekanii tneli de

iletkenliin artmasna yardm eder. Bu iletkenlik stma etkisiyle diyotu tahrip ede-
cek kadar yksektir. Ters-bias altnda akmda ani arta neden olan voltaja "Zener
kopma voltaj" denir. Balant tabakasnn tipinin ve kalnlnn kontrol edilmesiyle
birka volttan birka yz volta kadar Zeener Voltajlar alnabilir. Bu olaydan elekt-
ronikte ok yararlanlr.

3. Transistrler
Transistr yariletken kuvvetlendirme aletidir ve bir vakum kuvvetlendirme tp ile
ayni ilevi yapar; yani, giri sinyalinden daha byk bir k sinyali olumasn
salar. Bir ka tip transistr bulunur; bunlardan en ok kullanlan "bipolar" ve
"alan-etki transistr" zerinde durulacaktr.

Bipolar (ki Kutuplu) Transistrler

Bipolar transistrler srt-srta yerletirilmi iki yariletken diodtur. pnp transistrde
n-tip bir blge iki p-tip blge arasna sktrlmtr; npn tip transistr bunun tersi
bir yapdadr. Bipolar transistrler eitli ekillerde hazrlanabilir, bunlardan ikisi
aadaki ekle gsterilmitir.

PNP transistr NPN transistr

B B

C E C E
p n p n p n

(a) Fiziksel yap (b) Fiziksel yap

C (kollektr) C (kollektr)

B B
(base) (base)

E (emitter) E (emitter)
(c) ematik yap (d) ematik yap
http://www.usna.edu/EE/ee452/LectureNotes/02-_CMOS_Process_Steps/07_CMOS_Device_Types.ppt
 7

Tm transistrlerin genel grnm:

Kktrler.

Fazla dopingli d tabakalardan kne "emitter" byne "kolektr"

denir.
nce (~ 0.02 mm), hafif dopingli "base" tabakas, emitter ile kollektr bir-
birinden ayrr.
blge arasnda mekanik ve elektrik balants vardr.
Bir alam balant pnp transistr, ounlukla, n-tip bir germanyum ipten yaplr.
ipin her iki taraf zerine, indiyum gibi, bir III.Grup metali pelletleri konulur ve
pelletler ergiyip germanyum iinde znnceye kadar stlr. Soutulup
kristallendirilir. Bylece, ince bir tabaka n-dopingli germanyumun iki tarafnda, iki
tane yksek dopingli p-blgesi oluturulur.
Tipik bir dzlemsel npn transistr, silikon dioksid ile kaplanm ince bir n-tip sili-
kon yapraktan hazrlanr. Yaprak oksijen atmosferinde stlarak bir oksit tabakas
eklinde ktrlr. p-tip base blgesini yapmak iin, oksid yzey zerinde daire
eklinde bir girinti yaplr; sonra, kristal stlr ve boron buharlarna tutularak
difzyonla hafif dopingli, p-tip blgenin olumas salanr. Tabaka tekrar oksitle-
nerek yeniden yzey filmi oluturulur, sonra orijinal dairenin iine daha kk bir
daire girintisi izilir. Bu dairesel girintinin, kristalin stlp fosfor buharlarna tutul-
masyla, difzyonla yksek dopingli, n-tip emitter blge oluturulur.

pnp ve npn tip transistrlerin sembolleri ekilde gsterilmitir. Emitter balantsn-

daki ok pozitif yk akmnn ynn gsterir. Buna gre, pozitif yk pnp tipte
emitterden basee, npn tipte ise baseden emittere doru akar.

Bir Bipolar Transistrn Elektriksel zellikleri

Bu ksmda bir pnp-tip bipolar transistrn davranlar incelenecektir. npn-tip bir
transistr de, elektrik ak ynnn ters olmas dnda, ayni davranlar gsterir.
Elektronik bir sistemdeki bir transistrn ularndan biri girie balanr, ikinci u
k grevi yapar; nc u ilk iki uca baldr ve "genel" utur. Bu durumda
ekil olabilir: bir genel-emitter, bir genel-kollektr, ve bir genel-temel ekli. Genel-
emitter en ok uygulanan balant eklidir ve burada detayl olarak incelenecektir.
8

Genel-emitter eklindeki bir pnp transistrnn akm ykseltmesi ematik olarak

ekilde verilmitir. Burada, ykseltilecek kk bir DC giri akm (IB), emitter-base
devresine girer; bu akm ekilde base akm olarak gsterilmitir. Daha sonra
grlecei gibi, alternatif akm da IB ile seri halde verilerek, ykseltilebilir. Yksel-
tildikten sonra, DC bileeni bir yksek-frekans filtresi ile uzaklatrlr.

Bir emitter-kollektr devre, bir seri batarya veya rektifierden oluan bir DC kayna-
veya g kaynandan beslenir. Tipik bir g kayna 9-30 V arasnda potansi-
yel verir.
Kollektr veya k akm IC, base giri akm IBden olduka byktr. Kollektr
akmn bykl, giri akm ile doru orantldr
IC = IB

Orant sabiti ya "akm kazanc" denir, akm kuvvetlenmesinin bir lsdr.

Kollektr akm emitter akmla da orantldr.
IC = IE

Buradaki orant sabiti ya "dz akm transfer oran" denir.

IE = IB + IC
Olduundan,

a =
1-
eitlii yazlabilir. Tipik bir transistrde , 20-200 aralnda bir deerdir.

Bir Bipolar Transistr ile Kuvvetlendirme (Amplifikasyon) Mekaniz-

mas
ekilde grlen transistrn emitter-base yzeyleri aras bir forward-biasl pn,
base-kollektr blge ise bir ters-biasl np balantsdr. Onda birka voltluk bir giri
sinyali uygulandnda forward-biasl balantdan bir IB akm akar. Tersine, ters
biaslu kollektr base balantsnn ular arasndan elektrik geii, balca-
tayclarn balantdan uzaklamasyla, engellenir.
Forward-biasl pn balantsnda, p blgesindeki boluklarn says, n blgesindeki
hareketli elektronlarn saysna hemen hemen eittir. Bu nedenle, hareketliliklerin-
 9

deki kk farkllk dnda, dioddaki iletim ykl iki tip arasnda az veya ok eit
olarak paylalr.

kollektr akm, IC = IE

C C

p p
lamba lamba
S1 S1
B B
n n

g
giri, kayna
p IB p

E E
IB (A) IC (mA)

base akm, emitter akm,

IB = (1 - ) IE IE = IC + IB

letme yok letme modu

http://www.usna.edu/EE/ee452/LectureNotes/02-_CMOS_Process_Steps/07_CMOS_Device_Types.ppt

Bir pnp transistl devredeki akmlar: = 20-200

Bir pnp transistrnn p blgesinin n blgesinden daha fazla dopingli olduu bili-
niyor. Bu nedenle, p blgesindeki boluklarn konsantrasyonu, n tabakasndaki
hareketli elektronlarn konsantrasyonundan yz kat veya daha fazladr. Bu du-
rumda, bu pn balantsndaki boluklarn akm-tama kapasitesi, elektronlarn
kapasitesinden belki yz kat daha byk olur.
ki DC kaynann (giri bataryas ve g kayna) kard elektronlar p-tip
emitter balantda boluklar oluturur. Bu boluklar sonra, ok ince n-tip base
blgesine girer ve burada bazlar giri kaynandan gelen elektronlarla birleir;
sonuta, IB akm oluur. Boluklarn ou ise dar base tabakasna ekilerek ne-
gatif ykl kollektr-balantya gider ve burada g kaynandan gelen elektron-
larla birleir; sonuta, IC kollektr akm oluur.
10

Kollektr akmn bykl, emitterdeki akm-tayc boluklarn saysna bal-

dr. Bu say, giri base akm tarafndan karlan elektronlarn bir sabitle arpm
kadardr. Bu nedenle, base akm iki-kata karlrsa, kollektr akm da iki kat
ykselir. Bu bant bir bipolar transistrn akm ykseltme mekanizmasnn te-
melini oluturur.

Alan Etki Transistrleri (FET)

ntegre devrelerde ok kullanlan birka tip alan-etki transistor (FET) gelitirilmi-
tir. Bunlardan birisi amplifikatrlerin giri direncini ykseltmek amacyla yaplm
olan izole-girili alan etki transistrdr ve giri impedanslar 109-1014 aralnda
bulunur. Bu tip bir transistr, "metal oxide semiconductor field-effect transistr "
kelimelerin ba harfleri alnarak MOSFET szcyle tanmlanr.

ekilde n-doplu bir FETin yaps gsterilmitir. Burada bir p-tip madde iinde iki
izole n blgesi oluturulmutur. Her iki blge ince bir izole edici silikon dioksit
tabakasyla kaplanm, bu tabaka da koruyucu bir silikon nitrr tabakasyla sarl-
mtr. Bu tabakalar arasnda boluklar oluturularak iki n-blgesine elektrik tema-
s yaplmtr. Ayrca madde ile izole tabakas yzeyinin temas da salanmtr.
kinciye "kap" denir, nk bu elektrotun potansiyeli "atk" ile "kaynak" arasndaki
pozitif akmn bykln saptar. Kap teli ve madde arasndaki silikon dioksit
izolasyon tabakas, bir FETin yksek impedansnn nedenini aklar.

FET MOSFET

P-tip P-tip N-tip

+ -

atk D
(D)

S v0
G
kap -
(G) +
kaynak
vi
(S) I+i
 11

Yararlanlan Kaynaklar

Principles of Instrumental Analysis, D.A.Skoog, D.M. West, II. Ed. 1981

http://spider.cs.ntou.edu.tw/yen/Electronic981/Chapter_9_Lecture_PowerPoint.pp
t
http://www.causality.net/nova/phy243/Chapter%2011%20Semiconductor%20The
ory%20and%20Devices.ppt

http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_1.html
http://www.usna.edu/EE/ee452/LectureNotes/02-
_CMOS_Process_Steps/07_CMOS_Device_Types.ppt