Decd 1132

.. ,, ....
DIV/S/ON DE EDUCACION CONTINUA

.
.
1 o FACULTAD DE INGENIERIA U.N.A.M
.
1
1
INGENIERIA DE MICROONDAS
EN TELECOMUNICACIONES Y
CURSO INTRODUCTORIO
PRESENTADO EN LA CD. D MEXICO, PARA:
..
. ;, .
LA DIVISION DE EDUCACION CONflNUA. ,
FACULTAD DE INGENIERIA U.N.A.M.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE MEXICO .
.
POR:
PROFESOR. RENATO G. BOSIS/0

. ECOLE POLITECHNIQUE
UNIVERSITE DE MON1REAL.
QUEBEC, CANADA.
~ ji OJ MAYO 1992.
l -~--.
8
ECUACION DE CIRCUITOS
Ecuaci6n de Maxwell:
_ _ oB- _
VXE=- =-jwMH
01
_ _ av- _
VX H = - ol = jwME
VXB=O
VX ~ = ;' ' . "

r ....
, ... ;
- - -
V X V X E.=
-
- jwMil X H
-
-
... = -jwMjwe
=w 2 M~- E
E
eo
- ~ . :.- .: ' -
VXVXE= V (D.E)
.::-
- .-D E- ''
2
-
. -(- Cl -.;.. V2,'E
.,.'
_._-, ;:
o2 E + k 2
E = O
a.
= constante
~ de propagaci6n.
CD
' 1
'
1 1
9
Ecuacin de linea de tansmisin.

I(Z)
Constante de propagacin P o------~--------o
V(z)
o-------l-------o
z =o z z L
av = ZI Z = influencia por unidad de medida

a.
az
a. = YV Y = admi tancia por unidad de medida
PV + ZYV = O (1)
c3z3
V(z) = v..;JP + v_iP Solucin de(l)

dondeP 2 = ZY
Entonces
I(z) = I + i-JP + z!f"
P = Constante de propagacin
10
_ _ -oB- _
VXEaTTa-jwMH
_ _ oD- _
VX H = oT = jwe E
V.D =O
V.D =O
11
ECVACION DE ONDA
Ecyaciones de Maxwell.
-- ..
V X V XE = V(V.E) -~E
--- -
a -~E
-
- - -
-"PE= -jwMV X H
-
~E= +jwMjweE
- -
~E+ k 2 E =O k2 = w2ME
(]2Ez/oz 2 + k 2 Ez o
E~ld!<i~D ge l1D~S! s;li t~::snS~mii~o.

I(z)
av = ZI o o
az
t V(Z)

o o
oT = -YV
az
o o
z = o z z = L
.v
= -ZYV
av
(Jz2
+ zYV = o
12
Impedancia caracter1stica z_
Z0 a-va 111
( v. ) a-
( v_
2P I. I.
z o = ~ zy
Impedancia de interaccin K.
K= E 2 /2~ 2 P
= ( -;:)2/2~2p
= p2v2/2P2p
.. va12P
K Z0
13
COEFICIENTE DE REFLBXION BN EL PLANO DE REFERENCIA DB LA CARGA.
a
b
( Z3)
~r-------------t---------
1
(Z 0 )
---~
(Zd
_j
1
t '---t
1
IMPEDANCIA DEL LINEA DE TRANSMISION IMPEDANCIA
GENERADOR IMPEDANCIA DE CARGA
Zs CARACTERISTICA Zo ZL
"a" .. Onda incidente normalizada en "R"
=V + / {Za
"b" = Onda reflejada normalizada "R"
=V - / {Za
r = b/a = Coeficiente de refleXin en el plano "R".

r = :r: e"'
14
COEFICIENTE DE REFLEXION EN EL PLANO DI RIFIRINCIA DIFIRINTI DIL

PLANO DI RIFIRENCIA DI LA CARGA.
a
b
1---1
1 L 1 - PLANO DE REF. DE LA
CARGA.
HACIA EL 1
GENERADOR 1 NUEVO PLANO
- DE REFERENCIA
er 1 l
VALORES DE ONDAS NORMALIZADAS EN 11 R11
a 1 = ae+JUL y b1 '" beJDL
NUEVO VALOR DEL COEFICIENTE DE REFLEXIONo

Coeficiente =r 1
= b e -jPL = re -2j~L
ae J~L
15
POTENCIA INCIDENTE Y REFLEJADA Y ONDAS NORMALIZADAS
.ONDA NORMALIZADA a V./~ a a

(incidente)
NOTA a a = __E_ = P incidente

2 2 Zo
ONDANORMALIZADA = V_/~ = b
(reflejada)
NOTA b b' .. ~ .. P reflejada

2 2Z 0
IMPEDANCIA Z(L) DE UNA LINEA DE TRANSMISION A LA DISTANCIA 11 L11

DESDE EL PLANO DE REFERENCIA DE UNA CARGA ZL"
1
- 1
,--,
ZL
1
z. 11
11
z(1)
1
Z(L) = v (L) = -:-::-V-'-._e.,.jc-:pL,--+_V-=_~e--_JP-:-:L.-::-

I(L) v.e+j~L V_e-j~L
Zo Zo
1 + r-2jPL)
Z(L) =Z 0

0 ( 1 -ro.
16
IF L = o ~~Z(L) = Z(o) = ZL
z .. z (l + rol
L o (l - ro)
zZoo "r o
17
'
CARTA DESMITH.
Plano I' = U, + j V
' '
Provee informaci6n sobre el coeficiente de reflexi6n r.
(AMPLITUD Y.:FAS)
PLANO Z R + jX = z. (r + jx)
Provee informaci6n sobre impedancia (real e imaginaria).
I' "' ( ZL - Z0 ) 1 ( ZL + Z0 )
r = ( z,_ 1 z. - 1) 1 <z,_ 1 z. + 1>
r = (z - l) 1 (z + l)
RL jX1
z = -
Zo
+ - = r+j]l
Zo
r =
CARTA DE SMITH.
r = u + jv
1 + r r+jx
1 - r
1
. '
( ~
38
X = CoefiCiente de acoplamiento
Z00 " impedancia del modo impar

Z00 = impedancia. c:Jel modo par
-.
,., ' f ~,'
1; !j
,,,.,
1
:1
, ',l;
'1 :,
'' 1' ''1
!il
"1 ,'
'1
1 1
; 1
'' 1
.1
'' il
DIVISION DE EDUCACION CONTINUA
FACULTAD DE INGENIERIA U.N.A./IA,
MODELIZACION MESFET/HEMT
ALTA FRECUENCIA.
Profesor Angel Mediavilla.

Depto. de Electrnica
Lab. Microondas.
Universidad de Cantabria, Espafla.
-. @
UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
LABORATORIO DE MICROONDAS
Medida de Pr~metros de Scattering en

dispositivos de Microondas
y Modelizacin Lneal de transistores MESFET
Jos M Zamanillo Sq.inz de la Maza
..
TESINA DE LICENCIATURA
Santander , Febrero 1992
..
. - - - - - - - - - - - - - - " - - - - - - - - - - - ) _ . - 1 - 1-1-lll
'
Prefacio
Importancia de la Modelizacin en dispositivos de microondas

. A la hora de proceder al diseo de sistemas de alta frecuencia, tanto
. en tecnologa hbrida, como monoltica un porcentaje muy elevado del
xito de este diseo depende de como se tengan caracterizados Jos .
componentes de dicho sistema. De ah la gran importancia que tiene una
buena modelizacin de dichos componentes. .
La modelizacin a su vez depende de la exactitud con que se hayan
efectuado las medidas del dispositivo que se quiera modelizar.
Este trabajo pretende mejorar la medida de dispositivos de microondas
( activos y pasivos ) y proceder a modelizar uno de los componentes ms
utilizados en Jos sistemas de microondas,como es el transistor MESFET.
Pg
IN DICE
Introduccin
Captulo 1 Analizadores de redes y Modelos de error para redes de
dos puertas.
Captulo 2 Calibracin TRL en medidas no coaxiales. El problema
del De - embedding.
Captulo 3 Modelado lnea! de transistores MESFET.
Captulo 4 Resultados de la extraccin automtica del circuito
equivalente de un transistor MESFETen chip.
Apendice A Resumen de modelos y formulacin
Referencias Bibliogrficas
rbl ) trh
1 ' 1
Pgl.
INTRODUCCION
- El rpido avance de las telecomunicacines ha producido una
saturacin del espectro electromagntico.
- lmportncia de las microondas ( f > 1 GHz ).
-Tipos de interconexin entre componentes de microondas:
-Lneas de transmisin:
- Lneas abiertas:
- Lneas coaxiales
-Lneas impresas (estrucctura planar)
-Guias de Onda:
- Gua de onda rectangular
- Gua de Onda Cilindrica
r-hl ~) J
Jrh
Pgln
Captulo 1
Analizadores de Redes y Modelos de error
para redes de dos puertas
Tipos de analizadores de redes: . '
- Escalar automtico
-Vectorial automtico
: .
- De seis puertas
Este trabajo se ha estudiado el funcionamiento del

analizador de redes vectorial automtico, en concreto en el
modelo HP851 OC de la firma Hewlett ),;-.;;J
Packard.
/~-
~ .
'
~
t
l
'r-hl
Pgil
Tipos de Guas de Onda
.
' .
TIPOS DE GUIA DE ONDA .
RECTANGULAR
CILIHDRICA
-- ------------ - - - - - - - -------------
. P
Tipos de Lneas de Transmisin
TIPOS DE LINEAS DE TRANSM!SION
LINEAS ABIERTAS

Ce.ble3 pare.lelo3 Cond UC10I 30
)'}7)'}}77
bre p!e.no
-~--- .. ' ._,.,, ..,.______, --:-- .:- ~-;;
0
{
~~
LINEAS COAXIALES t
~ ~
'='=-~:--.~':>-~<---: :-:-w-:-:<-:-.---~,.,.-.,,.,.."""''':-Y:
Cable coaxial B arra rectang uJa:c encerrad e.
LINEAS IHPRESAS
Stripline Microstrip
I' ig ura. 1.1
;.
)
Pgl
Definicin de Prametros de
Scattering para una red de dos puertas
Fueron introducidos por K. Kurokawa en 1965
b
S =~ --+ Coeficiente de reflexin a la entrada con la salida adapiWle.
11 1
8
2
-o
b
S
12
= -(- --+ Coe!icien1e de tran:nnilin a la entrada con la salida adapiWla
2
8
1
-o
b '
S
21
= a2 --+ Coeficien12 de transmisin a la salida con la entrada adapiWla
1: 1
8
2
-o
b
~ 22 = a 2 --+ Coefici.en1e de reflexin a la salida con la entrada adapiWla
2
8
1
-o
"
hl .
.-
) lrh1
-,-r 1
P
-@
J)efinicin de Prametros de
Scattering para una red de dos puertas
V.+Z 1.
B = 1 0 1
''
i 2 JRe(ZaJ
~ ' . ''o
'
''
8~:~1
a2 : b2
D.A.M. , - : 1:--;
o
Di3positivo a medir :o
o
o
'
o
o
o
o
Puena 1 Puena 2
Esquema de una red de dos puertas

a =onda incidente
b = onda reflejada
l"l 1---- -- __ -------------- -----'------ ) lrn

~
J
Pgl
ca @
Diagrama de bloques de un analizador de
redes vectorial autmatico
-
Convertidor
AJO
.,.. Ordenador
Digital
.J.. J..
1Pantalla llrmpresora ll
.J..
Plot!Er 1 .
. "" .
~
'"
Generador
de Unidad
Frecuencia de
' .. Test
.
' '" ' . lja

Analizad o r ... ConV-ersor ...- "1a
de
Redes
~
de
Frecuencia
.. ~1 ~ S
2
1D.A.M.I
fb _tb
Analizador de redes au1Dmtico
...
tll ) Ir
-
r-
-n ~-- -- . __1
."-.../
""'!!!!!"
(JD Pgll
-ca
'
_]
'@
Esquema de la unidad de un analizador de
redes vectorial autmatico
"' Si ntetizodor d Berrido

.
~
loo Seol de Referencia
Conmutodor 1
Puerta 1
Fu~~te
. - 4
~
'-.
-----~
Puerta 2
Dispositivo
a
L__r___Medir-~. . -
' Conmutodor de Deteccin
..
Al Detector
Esquema de la uilidad de test de un analitdor de redes

automtico.
,,, ---~---------~--) Jch

--- --- --
Mtodo de los doce Vectores de error

El significado fsico de los parmetros de error es el siguiente:
Edf y Edr
Directividad finita en los acopladores direccionales.
Esf y Esr
. Desadaptaciones en las puertas 1 y 2 .
Erf y Err
Variaciones de ganancia y fase internas del analizador al
cambiar la frecuencia de barrido. .
Etf y Etr
Variaciones de ganancia y fase internas del analizador debidas al
proceso de transmisin.
-------
(
-
Mtodo de los doce Vectores de error 1
Elf y Elr
Desadaptacin.en la puerta contraria a la que se esta midiendo.
Exf y Exr
Perdidas internas de una puerta a otra .
'
-----===~~8~~~~~~~~--==-----
' - ' -------~-------~--------------- -~------)-l~r:::h

Captulo 2
Calibracin TAL en medidas no-coaxiales
El problema del Demembedding
El proceso de calibrado engloba todos los efectos

sistemticos de las medidas como son:
- Perdidas .por fugas.
-Transiciones coaxial-microstrip imperfectas.
- Desadaptaciones internas y externas.
- Respuesta frecuencial.
De-embedding es el proceso de separacin de las
caractersticas del circuito de conexin de las del dispositivo
a medir D.A.M.
-)~
ihl . Jrll
.
. '
Calibracin TRL en medidas nomcoaxiales
Existen gran cantidad de tcnicas de calibracin,entre las ms

utilizadas estan las siguientes:
- Full two port.
- OSL (Open-Short-Load ).
- TAL ( Thru-Aeflect-Line ).
Ventajas de la tcnica de calibracin TAL:
.
e - Simplicidad de construccin de los patrones estandares.

- Excelentes resultados.
)
IIIP-______________________. _____________________~r-
w L
El problema del De-embedding.

El proceso de De-embedding es realizado por el propio
analizador de redes automtico a partir de unos patrones
estandares, que previamente hemos de medir, cuya
respuesta es conocida de antemano.
Plano M Plano a . Plano R

..
Anel i Z!ldor 1---..,...... Red Red

de Redes de de
Ideal Error f--11-+---1~ Acceso
Analizador de Redes Real D.A.M. +. Red de acceso
N = Plano de medida
a = Plano 3ituado en los extremos de la red de acceso
R =Plano situado en los extremos del dispositivo e. medir
Diagrama del proceso de De-embedding
rnl
In-
Calibrado Total = Calibrado de errores + De-embedding
Hilo de oro
so Ida do por
termocompresin
==~Transistor
MESFET
en chip
Esquema de montaje de un transistor MESFET en chip.

Contacto m~ttlico
e-xterior
Hilo de oro
soldado por Transistor
termocompresi~n MESFET
en chip
Esquema de montaje de un transistor MESFET encapsulado.
-------------------
Elementos Parsitos de un transistor
MESFET
~----~------~ ..
''1-c~p~gd__________
--__,
Lg R ~--------, Rd Ld Lpd
9
: MESFET ~\,r-,--t.f"lrCQ~)~
Q) otN--1-../'l)-ol~:fC)CQi5""-'-eii-
'COOO '-
: IHTRIHSECO:
'
o
'
'"--- ----.
HESFET EXTRIHSECO
HESFETEHCAPSULADO
Diseo de un Test-Fixture
Test-Fixture = Soporte + Conjunto de e stand ares de calibracin
El Test-Fixture diseado se compone de:
- Dos soportes moviles para la transicin coaxial-microstrip.
- Cuatro soportes intercambiables ( Midsection!) Carriers ).
- Soporte central del sistema ( en forma de H ).
- Diferentes cubiertas para cada tipo se transistor.
r - - - Line-a Microstrip
Pared
de 1
Conector
Esquema del
Test-Fixture
' ~--.
)
------ ----- -----. ---- - ----- ------
.Fotpgrfia del Test-Fixture
. :-
.)
..
ca . f---23.7 mm______.
[6]
-,22 2222:22 2222222222222222j
---
<
....--Jo mm .-5mm-. .-5mm-.

LINEBF
raaauzuzzanuzJ fuazaal fmzzuaj .---- 15 mm--.
THRU REFLECT
lazzzzzzzzz2zzzzzz4
LINEHF
Lneas microstrip a utilizar en el TAL 0.5 a 10 GHz

+-- 34 mm
12222ZZ2ZZZZZZZZ2222ZZ222Z~
.----20 mm--. .-Jomm-. HOmm-.
LINEBF
;
~
tzzza2z12222222m2?l rzauuazl ra?Vl?/1 - 2 3 . 7 mm--t
THRU REFLECT
IZ2ZZ22?ZlZZZ22222Z4
LINEHF
........ --
1 nn-.,.... _.... - -- ..
Captulo 3
Modelado. lneal
. de transistores .
MESFET
Fuente Puerta Drenador
id s = 9 m V-1
. . . . . . . . . . . ........ .
AsGo:.
Figun 3.11 E:nrucnua b3ica de un MESFET
Estructura bsica de un transistor MESFET de AsGa.
)
Modelado lneal de transistores
MESFET
Prametros intrnsecos:
- c9 d, Cgs representan la capacidad total de puerta en el canal.
- Cds representa la capacidad drenador-substrato.
- Ri y Rds representan los efectos resistivos de canat
- Gm representan una fuente de corriente controlada por la tensin

V existente en el condensador Cgs .-
- Tau ( ) representa el tiempo de transito de los portadores de

carga.
)
- - -
/
. - '
Modelado Hneal de transistores
. MESFET
Prametros extrnsecos (parsitos chip):

- Rs , Rd , Rg representan las resistencias de acceso de fuente,
drenador y puerta respectivamente.
- Ls , Ld , Lg representan las inductancias propias de los hilos de
las conexiones ( bonding ).
- Cpgi y Cpdi representan las capacidades de empaquetamiento
encapsulado de puerta y drenador respectivamente, del transistor
en chip. ---~- . . ' .
)
- ------ ... --~--~------~-~~~---~~-~--.--..-------~
Modelado lneal de transistores
MESFET
Elementos parsitos del transistor encapsulado:

- Lpg , LP'd representan las inductancias propias de los hilos de
.las conexiones del transistor encapsulado.
- Cpg , Cpd y Cpgd representan las capacidades de encapsulado
de puerta , drenador y realimentacin puerta-drnador, del
transistor encapsulado.
~~~----------------------------)~0 ,
Mtodos de Extraccin de Parmetros
En este trabajo se han estudiado bsicamente dos mtodos para la
extraccin de los elemento circuitales de un transistor MESFET :
- Mtodo de Dambrine.
- Mtodo de J. Michael Golio.
Ambos mtodos coinciden en la forma de extraer los parmetros
intrnsecos del transistor MESFET, pero se diferencian en la forma de
-. evaluar los componentes extrnsecos de dicho transistor.
El mtodo de Golio slo permite extraer las inducciones parsitas Ls
, Ld , L 9 suponiendo que las resistenci.as de acceso As , Rd , Rg y las
capacidades de empaquetado en el chip Cpgi y Cpdi son conocidas.
' . . . . .
)
Mtodos de Extraccin de Parmetros
El mtodo de Dambrine procede a la extraccin de todos los
elementos extrnsecos a partir de la medida del transistor en ciertos
puntos de polarizacin:
=
- Vds O y Vgs > O para la extraccin de las resistencias de acceso.
- Vds = O yVgs > O para la extraccin de las inducciones de acceso.

- Vds = O y Vgs < Vp para la extraccin de las capacidades de
empaquetado.
Extraccin de las resistencias extrnsecas - Mtodo de Dambrine
Lg Rg Rd Ld Lg Rg 6Rdy Rd Ld
....~ ,,.,~rrrf\.- o

G

~' .:C.R
e
[) G 6 Cgy
6Rdy
6 Re [)
~ L>R e
~
._, 6Re
-; ~ ,Re
'
Lt
4Re
t.R
e
6 Re
~ R,..
) R,.
;g L,.
- (a) "\ S ~ (b)' L,.

Circuito equivalente en parmetros distribuidos del
transistor MESFET con Vds = o..
(a) La unin Schottky est modelada por diodos.
(b) La unin Schottky est modelada por celdas RC.
)
.
Extraccin de las resistencias extrnsecas - Mtodo de Oambrine
Analizando el circuito anterior se llega a:
Para resolver este sistema de 3 ecuaciones con 4 incognitas, se

. proponen las siguientes soluciones:
1 - Calcular Rs + Rd utilizando el mtodo de Fukui.
2 - Hallar el valor de Rg a partir de las medidas en OC.
.
3 - Hallar el valor de Rs y Rd a partir de las medidas en OC.
4 - Calcular Re en caso de conocer las caractersticas

tecnolgicas del canal.
Extraccin de las resistencias extrnsecas - Mtodo de Vogel
El mtodo de Vogel nos permite calcular las resistencias de

acceso a partir de la medida de parmetros [ S ] a baja
frecuencia f< 500 MHz.
Dicho mtodo parte de dos medid~s:
1 - Medida de parmetros [ S ] para Vds = P y Vgs > O.
2 - Medida de parmetros [ S ] con la fuente en circuito abierto
y el drenador a tierra.
Extraccin de las inducciones extrnsecas - Mtodo de Dambrine
A partir del circuito equivalente del transistor MESFET, visto

anteriormente para Vds= O se obtiene que:
Ld = Im(Z2~ _ Ls = Im(Z 2 ~ - Im(Z 1 ~

) )
lm[Z 1 J Im[Z 11]- Im[Z 1 ~

Lg = )
- Ls= ) .
Extraccin de las inducciones extrnsecas - Mtodo de Golio
.'
El mtodo de Golio extrae las inducciones extrnsecas,
mediante el siguiente algoritmo iterativo:
- 1 Inicialmente Ls ~ Ld , Lg ~on puestos a cero.
- 2 Evaluar el ~esto de los cQmponentes intrnsecos

~ 3 Reconstruir la Matriz [S 1mod modelada a partir de los -
datos extraidos.
- 4 Comparar [ S 1mod con [ S medida ..
- 5 Si el error es grande se inc_rementa Ls y se vuelve al paso
1 , caso contrario .los valores extra idos de Ls ' Ld y Lg son
aceptables. Fin de algoritmo.
ca JEiJ
Extraccin de las capacidades extrnsecas - Mtodo de Dambrine
lg Rg cb Rd ld
r OJOO y : 1-------"V\1 J(X)OO
:k
y
G
le,,
cb
'
Rs
ls
,.
le,,, D
-- - S --=- --
Circuito equivalente del transistor MESFET con Vds= O y Vgs <Vp.

Analizando el circuito anterior, se obtiene: "
e = Im[Y 11]- 2 eh _ Im[Y 11) + 2 Im[Y 1~

pgl ) )
e_ -Im[Yd
b- (I)
e ct. =
p 1
Im(Y 2 ~ - eb = Im(Y 1 + Im(Y J d
) )
~
''
~~ --
(E]

Extraccin Intrnseca
Para la extraccin intrnseca Em ambos mtodos se estudiaran

los siguientes modelos de MESFET:
- Modelo de Dambrine.
- Modelo de Dambrine Modificado.
- Modelo de Hans-Oiof Vickes.
.
. - Modelo extendido de pequea seal de Berroth y Bosch.

. ..
-Modelo de J. Michael Golio .
)
Conversin [ S ] extrnseca . [ Y 1 intrnseca
511 ~ 12l.
[ 5 y 11 y 12l
21 22J
\!! l S -t Z
[ y 21 y 22J
z 11 - j m l
[ z 21
g
z 22-
z 1~
Jm l
.
s
J
2!! lz - t .Y
[
Y 11
Y 21
- i 111 e pgi .
v 22 -
Y ~2
J 111 cpdi
. J V -t Z
Obtencin de la matriz [ V 1correspondiente al dispositivo

intrnseco a partir de la matriz [ S 1extrnseca medida
experimentalmente para el transistor en chip.
)
Modelo de Dambrine
'V t ~
. .
~ ..
G o
1
m
t
(-jmT)
=Gmv;e
Gm e j ()
Y 11
-
= .
-JwC gd
1 + l w Cs 5 R
Modelo de Dambrine para el transistor MESFET de AsGa y

parmetros [ Y ] para dicho modelo.
)
... ...-- ----.-;ro---o
[p
Modelo de Dambrine
Ecuaciones exactas para la extraccin de los parmetros
intrnsecos correspondientes al modelo de Dambrine
'
' e ~-Im(Y 1 ~
;J l
e J::.. ~ 1m [Y ,i-
_2J
(:)
tl-e d

~~~------G-1>=-R-t:(_Y_d_ _ _...;._.;;,...;._...;.__ _ _ _ __ _ _ _)_...~

,.
Ecuaciones aproximadas par~ la extraccin de los parmetros
intrnsecos corresp~ndientes al niodlo de Dambrine
1 Efectuando la aproximacin w2 C~;. R~ 1 resultan las siguientes expresiones:
, 1e
1
,:
_ .l.n:.:..!l(LY::..JIU..]L+:...:l~m_,(_Y..L12u)
Css-- (1) : 1'
- _ __.:.R~e y.:...Ju.lL]- -
1...[
R-
1
( Im( Y 11 ) + Im( Y 12 ) )1 '
-q - .
Modelo de Dambrine Modificado
MESFET IHTRIHSECO
---------------------
l d
G
+
G
Ggd
o
gs
'
1
cgs: V
i 1
m e ds
6 1
ds
-------- -------------
(-jmq
m = Gm Vi e
\ , 21 == G m e -iw< - G bd - J. W C;d
.Modelo de Dambrine Modificado para el transistor MESFET de

AsGa y parmetros [ Y ] para dicho modelo ..
1
intrnsecos correspondientes al modelo de Dambrine Modificado
e &S = Im [ y 11 ] + Im[ y 12 ]
(J)
Gm = lm (Y2)- Im (YJ2]
. . [ arctg (Im (Y21J- Im (YI2))]
s1n
Re (Y 21J- Re (Y nJ
t =l . arel" (Im [Y 21l- Im [Y 121)

ro <> Re(Y2)- Re(Y!2]
C. = lm (Yn] + Im [Y22)
"' (J)
Ecuaciones aproximadas para la extraccin de los parmetros
intrnsecos correspondientes al modelo de Dambrine Modificado
Efectuando la aproximacin de bajas frecuencias f < 5 GHz podemos efectuar las
aproxilnaciones:
e =- Im[Yp]
gu l
sin w 1: =
l - 1:
cos ) - 't = ) 1:
Cgs = 1m ( Y ti ] + 1m ( Y 12 ]
)
resultando las ecuaciones: G8,==Re(Y 11 ] + Re[Y!2)
. C = !m (Y n) + 1m [Y d
)
- _________)__,0

Modelo de Extendido de Berroth y Bosch
MESFET IHTRIHSECO
--------------------------
: R fd
R 1 ,------'
g
+
G D
(-jm'f)
m =GmV;8
) 2.c2R
s gd . ( cd}
s
y 22 = 0 rd + 0 ds + DI + J' l . Cds + D2
Modelo Extendido de Berroth Y. Bosch para el transistor MESFET

de AsGa y parmetros [ Y ] para dicho modelo.
2 . 2
Donde: Dl=l+w2 C~; R~ 2
y D2=l+l Cgd. Rgd
)
Modelo de Extendido de Berroth y Bosch
Ecuaciones exactas para la extraccin de los parmetros intrnsecos
correspondientes al modelo Extendido de Berroth y Bosch
.
C.d =-

Im(Y~
J
. r
l
1 +(Re( Y!2) + Grd)2]
Im( YI2)
Cgs=Im(Y 11 ]:Im(Y 12 J. [1 +(Re(Y 11 )+Re(Y 12 J-~r,f]

( Im( Y11 ) + Im( Y12 J f
R= Re(Y 11 ]+Re(Yp)-G,
l Cs, ( Im( Y1) + Im( Y12 ) )2
t=-
1 arCt!!
(ilm [ Y 1,)
-.
-!m (Y 21)- w R 1 Cgs (Re (Y 21) . Re (Y 1211 ))
l. - Re [Y 21)- Re(Yd- w R Cgs ( Im(Y 2J- Im( Y ))
12
Modelo de J. Michael Golio
MESFET IHTRIHSECO
R .------------------~ Rd L d
g ,
1
eg
d ,
1
G
o
1
m
t
y 11 =
i. w . c 8 + w2 ci, R .
+ 1- w . c 8 d
.
1+ w2 . e g2 . 2
R.1
S
-----------------
G e i "' '
v1 _
'}1-
m -JwCd
S
- l + j w Cp R
Modelo J. Michael Golio para el transistor MESFET de AsGa y

Modelo de J. Michael Golio
Ecuaciones exactas para la extraccin de los parmetros intrnsecos
correspondientes al modelo J. Michael Golio
e _- Im(Yd
gd- (J)
2
e gs-_ Im [ Y 11 ] +00 Im ( Yu] . [ 1+ ___R::e:!(_:Y:__1112]_ _]
( Im [Y 11 ] + Im [ Y 12 ] f
e =
lm (Y,l-
_:;.1
ce.,
;u
J5 ~
Modelo de J. Michael Galio
intrnsecos correspondientes al modelo J. Michael Golio
Efectuando la apro~imacin u} ei 5 R~ << 1 resultan las siguientes expresiones:
e = -Im[Yd
gd (J)
e&,= lm [ Y 11 ] +.lm( Yd
(J)
t= hu (Yd-Im (Y 21 ]_ Re(Y 11 ]
ro Re (Y11) ( ( Im (Y 11] + Im (Y d)
ihl
Modelo de Hans-Oiof Vickes
MESFET IHTRIHSECO
Rg --------------------
C gd
G G
D
l + i () 't 1
l ds
Y 11-
-JwCgs . +JwCgd
l
l + J w . 'tz cpg;. 1
m e ds
'
). 12;-
.
J w c.d
()2 . 't 1 .
+ -~.-'--~
l + J w . 'tz
Cg S - -
L-------------------1
( -j m "1:)
m =GmVi8
Ls
)..2l = G m e . . .,., . C
w2 1:
1
e &s G . . .,., Y
: 5 _...._
~ J > gd + . . ::;;: m e + 12
1 + J w . 'tz
2 't Cde
J. () . (eJs +e;d +eJo ) + w
l .
l
+ J' w . 'tz
Modelo de Hans-Oiof Vickes para el transistor MESFET de AsGa y

-
- ,-,,

intrnsecos correspondientes al modelo de Hans-Oiof Vickes
'
ed,-_ Im W(Yd g
( 1-
-Cd-Cd-
e
w2. 't .. 't )
1 2
R= Re[Y!!J '. 1
+ w2 . 2
't2
' w. Cgs Im(Yli+YI2J
_ Re[Y 1 ~
CJ.::- Cgs Re ( Y J
11
-------~--~_.':]
r~l
' 1'
r,~------~~~--------------------=---------~!r-
._w :L~
intrnsecos correspondientes al ~odelo de Hans-Oiof Vickes
22 2 ' .
Eiectuando la aproximacin ol C& 5 R 1 res u tan as stgmentes expresiOnes:
1.
'.
eds _- Im (}.)(Y zJ -Cgd -Cde ( 1-
00 2. 't 1 . 't 2 )
l+wz.'t2
. 2
-----~
'r-f-
- ---.-----
Captulo 4
Resultados de la extraccin automtica
del circuito equivalente de un
transistor MESFET en chip
- Desarrollo programa EXT_LIN ( Extraccin Lineal ).
- Transistor MESFET de AsGa PHILIPS de 4 x 50 micras.
- Extraccin Multibias.
- 1 Extraccin simple bias a varios puntos de polarizacin.
- 2 Tomar valores medios de Ri , Gm , Tau y Cdc para las
extracciones simple bias del paso 1.
- 3 Proced~r a la extraccin multibias con los valores del paso 2.
' '
) lrh 1
f 1
Elementos parsitos proporcionados
por el fabricante
-
Elementosparsitos del chip
, ..
~'
' Rg =0.76 Ohm , Rd =0.3 Ohm) Rg =0.3 Ohm_

1 -
Lg =0.015 nH , Ld =0~010 nH 1 Lg =0.0 nH

1 Cpgi _ 0.0 pF 1 Cpdi = 0.0 pF _
1 .
-------.)-l.
~~--------~"~.----------~@
-
U L
Curvas de Drain
60 1Id (mA) -----------------

1
.,... . ----
::t /
1
1
r
3 4 5 6 7 8
Vds (V)
Vgs(V)
-0.2 -0.6 ---*- -1.0 -e- -1.4

-1.8 -2.2 __._ -2.6 -;;...- -3.0
_j El
Curvas. de Dram
.
60 Id (mA)
:: l 1
1
;'
;t~+--+------1-----
1
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1 - 0.0 -+- -o. 4
Vgs(V) .
---*-1
-------~=--~2~.0~--=~~~--=D~~-;1-~2~-
__..,.... 1
. -1.6 -6-
-0.8
- 2 .4 --;:;- -2.8 11
1
~F===========:C~u=rv=a=s=d=e==G=a=te=:=:=:=:=:=:lL~
Id (mAl
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- - - - - - - - - - - - ' - - - -
501 i
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T

i
20 i
1
1
- 0.0 .-+- 0.1

Vds(V)
-+- 0.2 -6-- 0.5

l !
'
..
L-- 1.0 1.5 --=- 2.0 - 3.0 1
1 1
l't
5
____]
Resultados de la extraccin automtica
del circuito equivalente de un
transistor PHILIPS de 4 x 50 micras.
De las curvas de DC hemos seleccionado los siguientes puntos de
polarizacin , obtenidos a intensidades de drenador Id "" ldss 1 2
( siendo ldss la intensidad de saturacin de drenador ) y valores de
Vds comprendidos entre 3 y 5 Volt ( zona plana de las curvas de
drenador ).
1 Q- Vgs =- 0.8 V , Vds =3.02 V e Id =31.3 mA

2Q - V gs =- 1.2 V , Vds =3.02 V e 1ct =21.5 mA
3Q - V gs =- 0.8 V , Vds =5.00 V e Id =32.4 mA
4Q- V gs =- 1.2 V , Vds =5.00 V e Id =23.2 mA
) lr-h
IT ' 1
ca
Valores Medios tomados en la
extraccin multibias.
Tomando el v~lor medio de Ri, ty Cds para los puntos de

polarizacin anteriores, resulta que:
Valores medios
Ri =6.6 Ohm , Tau =3.2 ps y Cds =0.052 pF

que son los valores que se han tomado para efectuar la ' '
extraccin multibias.
-
r
: 1 ,.....__.._ - --- -- ...
) l
-- ----- -- 1
'
1
-u f]
Curvas de Gm (Vds)

Gm(mS)
35
-
~
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30 .,..
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25 e- ..
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Vgs (Volls) .
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0.35
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Curvas de Rds (Vds)
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l () ()() ----------------------'------------------
..... ._ ... '
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1 . '
4- 6 8 10
Vds(Volt)
;: _. Vgs (Volts)
---T- -2._0 -B-. -1.6 ---?+-- -1.2

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Curvas de Gds (Vds)
Cds(rnS)
1 () () ~~--- --- ----- -------- -------
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- \
\
\
1 L-------~~----~--~--J-------~------~
o 2 4 6 8 10
Vds( V)
Vgs (Volts)
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r--::s:-em-,-.to-l'lcJ~uc-:-ro-~-f4'___,N,....,l
~
Eltron Mobility (cm 1/l's)

Semiconductor
Malcra/
GaAs 6550 4720 27Jj
lnP 5995 3815 2125
Gao_.71 no nAs 13460 8875 4065
-.~--- Alonlno,~,As 8380 6020 )OJO
.. - ;--'--- - -- . Si 1250 800 2)0
-~-,: -~ - -
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DOPING DENSO Y(cm- 3)
VELOCilY -FIELD CfVIRACTERISTIC~

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Ef ~\'1 ~f : ntuoi.lc. ms. -.S

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"tn.r'' nCl o.jtckt. c. l~W ~ed~dea ,# 6nd"

' irbf" aject.. ~ ~C!dCld/4 .h~ ~ftWfncir. ~ t>c.
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CONT!!CJO? 0Ht11COS
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!'n ~A.s + Al~ lis
.N'-typt J?-type f.IETEROUNION ~N :

wide bandgap semiconductor narrov; bandgap senucondur le:
~ CiSial.J\nl)idc.clfl:> ~n
V,Jtroe,. 'J
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LH,
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Cctpr. Q{~ : imy>la~t.tA'II

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DRAINSOURCE VOLTAGE
MESFET 1-V CHARACTERISTICS

80
70 1/2 MICRON GATE

- 1 MICRON GATE ~Y'clienlt ~iti\to en
60 . . . v = 0.0 V JA:lua.CAon
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(.) 30 .0.6 V
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V
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Cl 1.0V

10
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1.5 V
o 1 2 3 4 5 6 7
. DRAIN-SOURCE VOLTAGE M
300p
. MESFET 1-Y CHARACTERISTICS
. '
80 ...... - ---

70 . Vds =JO
V
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_ _- , - - - - . , - - - - 1
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CATE -SOURCE VOLTAGE (V)
DIVISION DE EDUCACION CONTINUA
. FACULTAD DE INGENIERIA U.N.A.NI.
ANALISIS DE REDES.
PROFESOR. DANIEL PASQUET.

ECOLE NA110NALE SUPERIEUR DEL 'ELEC1RONIQUE
ET SES APPUCA110NS.
CERGY- FRANCIA.
ABRIL 1992.
TABLA DE CONTENIDO
ANALISIS DE REDES.
1. Principios del anlisis de redes.

1.1 Acoplador directivo.
1.2 Medicin de dipolo en reflexin.
1.2.1 Dispositivo perfecto.
1.2.2 Directividad.
1.2.3 Desadaptacin del generador.
l . 3 Medicin de un quadripolo.
1~3.1 Dispositivo perfecto. .
1.3.2 Errores de medicin en reflexin.
1.3.3 Desadaptacin de carga.
1.3.4 Aislamiento.
1.4 Errores de medicin.
1.4.1 Errores aleatorios.
l. 4. 2 Error.es sistemticos.
1.4.3 Modelo de error.
1.5 Estructuras de medicin.
1. 5.1 coaxial.
1.5.2 Base de pruebas.
1.5.3 Mediciones puntuales "sous pointes".
2. Analizador de redes escalar.
2.1 Descripcin del dispositivo.
2.2 Calibracin simple en reflexin.
2.2.1 Efecto de la directividad.
2.2.2 Efecto de la desadaptacin.
2.3 Alargamiento de la linea de medicin.
2.4 Calibracin "Etalonnage" por dos cargas opuestas.
2.4.1 Directividad.
2.5 Calibracin "Etalonnage" en transmisin.
2.5.1 Directividad.
2.5.3 Desadaptacin de la carga.
3. Analizador de redes vectorial con 2 o 3 acopladores.
3.2 Modelo de error a 12 trminos.
3.3 Calibracin OSTL.
3.3.1 Patrones fijos.
3.3.2 Carga deslizante.
3.3.3 Calibracin en transmisin.
3.4 Determinacin de los parmetros S.
3.5 Deembeding.
4. Analizador de redes con 4 acopladores.
4.3 Autocalibracin.
3
ANALISIS DE REDES,
.'
En el dominio de las bajas frecuencias, los dipolos y los

quadripolos se caracterizan por las variables de impedancia y
admi tancia. Estas no existen necesariamente para ciertos
dispositivos utilizados en altas frecuencias (propagacin no TEM).
De todas formas, estas no son las mejor adaptadas a la medicin.
Para las altas frecuencias, se prefiere caracterizas los
dispositivos lineales por sus parmetros de dispersin, o
parmetros S. El anlisis de redes es la medicin de estos
parmetros.
Los analizadores de redes son de dos naturalezas:
Los analizadores de redes escalares que miden los mdulos
de los parmetros s.
Los analizadores de redes vectoriales que miden a la vez
el mdulo y la fase.
+
1. Principios del anAlisis de redes.
El elemento de base del anlisis de redes es un acoplador

directivo. Este dispositivo permite separar a lo largo de una guia
de onda una parte de onda incidente y una parte de onda reflejada.
Siendo utilizado en una banda ancha de frecuencia, no es

posible concebirlo sin fallas. Estos influyen sobre la precisi6n de
la medici6n creando errores sistemticos. En ciertos casos, los
errores pueden ser apreciados o medidos.
1.1 Acoplador directivo.
Un acoplador directivo es un octopolo (Figura 1).
1
\:---2 2
---------------------------------------
FIG.1 ACOPLADOR DIRECTIVO.
Un acoplador directivo perfecto est adaptado a cada acceso:
Una parte de la onda circulante en una guia de onda, es

trasmitida en una sola rama de la otra. As1, de una onda circulando
de uno hacia 2, una parte es recogida para salir por 3. Es el
acoplamiento:
Por el contrario, ninguna seal sale por la otra rama. As1,
ninguna parte de la seal entrante en uno saldr en 4
Lo que no est acoplado continua dentro de la guia principal

sin atenuacin:
IS21I= l812l= 1831= l5ul

con:
un. acoplador directivo est dado por su acoplamiento expresado

en dB's:
C=-20 lag [531 [
Cuando el acoplador no es perfecto, una parte de la seal

acoplada parte hacia la "mala rama". La principal cualidad de un
acoplador en su directividad:
D=20
Existen otras imperfecciones:

'- la mala adaptacin (811 ,.0)
- las perdidas
6
1.2 Medicin de un dipolo en reflexin.

1.2.1. pispositiyo perfecto.
La medicin de un dipolo en reflexin aprovecha las
propiedades de. los acopladores directivos. El montaje utilizado
est6 detallado en la Figura 2.
C\t>. /1
0::;1-------+--1 X
FIG.2 MEDICION DE REFLEXION
La seal emitida por el generador alcanza el dipolo a medir.

Este refleja una parte. El coeficiente de reflexin r del dipolo se
mide en el plano p definido con precisin.
Un primer acoplador, dicho de entrada, tiene una rama cerrada
sobre una carga adaptada. La otra est cerrada sobre un detector
que mide la seal a 1
El segundo acoplador, dicho de medicin, tiene igualmente una
rama cerrada por una carga adaptada y la otra sobre un detector que
mide la seal d 1
Si todos los elementos son perfectos, es decir, si el
generador, los detectores y las cargas estn adaptadas y si los
acopladores son perfectos
* a 1 es proporcional en. amplitud y en fase a la sel'lal
incidente salida del generador.
* b 1 es proporcional en amplitud y en fase a la sel'lal
reflejada por el dipolo.
La relacin de b 1 a a 1 es proporcional al coeficiente de
reflexin del dipolo a medir
t
b,
-=ERI'
r E: errores
a, R:reflexin
F:forwa:Cd
(directo)
1.2.2 Oirectividad.
El acoplador de medicin no es perfecto. La directividad no es

infinita. Una parte de la sella! salida del generador pasa
directamente dentro de la via b 1 (Figura 3).
a1 b1 ,P
6) "' _____2/~:::::--"---=-~]~~ X
FIG.3 DIRECTIVIDAD.
Lo que resulta en b 1 es la suma de lo que est reflejado por
el dipolo, acoplado y de lo que pasa directamente de a 1 a b 1 por la
falla de directividad:
b,
-= D: directividad.
a,
Se trata en realidad de una directividad efectiva. otros

fenmenos contribuyen a Em, Estas son todas las seflales que llegan
a b 1 cuando r es nulo.
* Desadaptacin de la carga adaptada de un acoplador de

medicin.
* Desadaptacin del acoplador en relacin a la guia en el

plano.
* Diafonia entre a 1 y b 1
a
1.2.3 Desadaptaci6n del generador.

El generador de Thevenin que ve al dipolo a medir debe tener
una impedancia interna adaptada. Esta impedancia est definida en
el plano p. cuando ella no. est adaptada, asistimos a un fenmeno
de reflexiones mQltiples Figura 4.
Cada reflexin presentada en el plano p a la entrada del
acoplador de medicin, es contabilizada como una onda reflejada.
FIG.4 DESADAPTACION DEL GENERADOR.
Si Es; es el coeficiente de reflexin del generador:
S:source=fuente
1 - EsF r
Se trata, aqui tambin, de una desadaptacin efectiva. Todo lo

que es reflejado por el dipolo y que llega a a 1 contribuye a Esp En
particular:
* La directividad del acoplador de entrada.
* La desadaptacin de la carga del acoplador de entrada.
En la expresin de b 1fa 11 se le conoce un el denominador
el producto Esp r que traduce la suma de una progresin geomtrica
de razn EsF r y de termino inicial E0 p r.
Para los dipolos de bajo coeficiente de reflexin, el trmino
de directividad E0 p es predominante. El trmino Esp es ms sensible
cuando el dipolo es ms refljante.
7
1.3 Mediciones de un quadripolo.

1.3.1 pispositivo perfecto.
Para medir un quadripolo, es necesario adernAs de lo anterior,
hacer mediciones en transmisin, Figura 5.
p p
01 b1
9~
1
1
~ ] 1
(9 1
1
1
1
X
FIG.5 MEDICION DE UN QUADRIPOLO.
Los planos p 1 Y. p2 deben estar definidos precisamente. Si todos

los elernntos son perfectos, es decir, los mismos que para las
rnediciones.en reflexin, mAs el detector b2 adaptado:
T transmisin.
Los coeficientes ERP y ETF son variables complejas que dan

cuenta de la proporcin en amplitud y en fase entre las relaciones
medidas y los coeficientes S 1 y S 21
1.3.2 Errores de medicin en reflexin.

En toda la parte del dispositivo de medicin, colocado
adelante de p 1 , aqui encontrarnos las mismas causas de error que para
la medicin de un dipolo. Encontrarnos entonces el error de
directividad Eur y el error de desadaptacin del generador Esp
1.3.3 DEsadaptaoin de carga.

El detector b2 de la Figura 5 no estA necesariamente bien
adaptado. En este plano p 2 , su coeficiente de reflexin es ELP
Figura 6.
{D
a b !p1 -p2
19i [1, _______ :-1------+-
- <1
=====~
:1 ,------
::-
b2
~:-:l
FIG.6 DESADAPTACION DE CARGA.
En el plano p2 tenemos reflexiones mltiples entre ELP y el

coeficiente de reflexin de salida del quadripolo. Esto significa
que existe igualmente un fenmeno de reflexiones mltiples ente ELP
Y Esp
1.3.4 Aislamiento
Es posible la existencia de una diafon1a entre a 11 b 1 y b 2
Nosotros supondremos que las 3 diafon1as posibles se convierten en
2.
* Aquella entre a 1 y b 1 tomada en cuenta en Eop

* Aquella entre a 1 y b2 llamada Exp (X: cross-talk o x-
talk).
El trmino Ex" es f 1sicamente esencial debido al acoplamiento
que puede existir entre los planos p 1 y p 2 cuando conectamos el
quadripolo de aislamiento. En este caso preciso, veremos en lo que
sigue que ExF no est siempre definido con precisin en la medicin
donde puede ser diferente segn las etapas de calibracin y de
medicin. Como, adems, su mdulo es frecuentemente muy pequefio, lo
que nos lleva a despreciarlo.
1.4 Errores de medicin.

Como en todas las mediciones, los errores son de 2
naturalezas:
* Los errores aleatorios.
* Los errores sistemticos.
1.4.1 Errores aleatorios.

La causa principal de los errores aleatorios en anlisis de
,,
redes es la calidad de la reproduccin de las conexiones.
Lo que nos lleva, entre la calibracin y. la medicin, a montar
y desmontar elementos y algunas veces reemplazarlos. El problema de
la reproduccin de los contactos y de las caracter1sticas de los
elementos manipulado"s es el ms crucial.
Enseguida, la estabilidad en frecuencia de los generadores es

importante. Ella juega esencialmente sobre los argumentos de E~ y
ETr La frecuencia debe ser lo ms estable posible entre la
calibracin y la medicin.
La temperatura puede jugar un papel importante sobre la

longitud de las diferentes gu1as de onda. La longitud de las gu1as
de ondas a a,, b 1 y b 2 es algunas veces equilibrada, en ciertos
aparatos, de tal forma que el efecto de la inestabilidad de la
frecuencia y de la temperatura sea minimizado.
Podemos esperar entonces un mejor reproduccin sobre los

argumentos de Ekr y ETr
Existe finalmente un ruido de medicin que hace que no

encontremos dos veces seguidas del mismo valor para la variable
medida bajo las mismas condiciones. Este efecto puede atenuarse
promediando los resultados de varias mediciones.
1.4.2 Errores sistemticos.
Los errores sistemtico~ tienen siempre los mismos valores

para una medicin efectuada varias veces. Las causas de error
sistemtico son principalmente:
* La linealidad de los detectores.
* La confiabilidad de los patrones.
* Todos los errores citados anteriormente.
1.4.3 Modelo de error.

Los errores descritos anteriormente son se varias naturalezas:
* Elementos adaptables: E0 r y Exr
* Trminos de desadaptacin Esr ELr a los que se agregan

los trminos de proporcionalidad Er y ETr
Podernos deducir de las relaciones lineales entre a 1 y b 1 y

entre a, y b 2 si su escritura es pesada, podemos representarlos por
una grfica de fluencia.
Exr
521 1 Enj

. 1
1
1
1
Eor Esr s,, 522 : Ej
1
1
s,2 1
1
b,
'
1
PI p2
FIG. 7 MODELO DE ERROR
Sobre esta grfica, vernos aparece:

* La rama Eup que liga al a bl sin pasar por el resto de la
grfica.
* La rama E,, que conecta directamente b2 a bl.
* El lazo Esp S11 que corresponde a las reflexiones rntlltiples
a la entrada del quadripolo.
* El lazo ELF. S22 que corresponde a las reflexiones
mtlltiples a la salida del quadripolo.
* El lazo EspS 21 ELF.S 12 que corresponde a las reflexiones
mtlltiples entre las desadaptaciones de carga y de
generador via el quadripolo.
1.5 Estructuras de medicin.
Existen tantas estructuras de medicin corno tipos de guia de

onda capaces de dar acceso a un dispositivo. Voluntariamente,
nosotros nos limitaremos a 3 estructuras de medicin:
* La guia coaxial.
* La base microcinta.
* La estacin "SOUS POINTES".
l. 5. 1 Coaxial.
Las guias coaxiales estn terminadas por conectores cuyos
planos de referencia constituyen los planos pl y p2.
La reproduccin de las mediciones necesita una excelente
{3
reproduccin de las caracter1sticas de los cables coaxiales

utilizados. Dos mtodos son empleados:
* El cable sernir1gido cuya forma est impuesta al inicio de
la medicin y que no cambia ms.
* El cable flexible cuyo dielctrico est expandido. Cuando
lo cambiarnos, el camino elctrico del lado ms corto es
alargado por la compresin del dielctrico. Llegarnos as1
a una buena reproduccin de fase.
Diferentes patrones existen en funcin de la frecuencia de
utilizacin:
* APC7, conector hermafrodita cuyo conector exterior tiene
un dimetro interno de 7 mm. Este funciona hasta 18 GHZ.
* 3.5, conector de dimetro 3.5 mm. que funciona hasta 26.5
GHZ. El es mecnicamente compatible con el conector SMA
o RIM cuya confiabilidad y precisin mecnica no permiten
utilizarlos en medicin (a menos de desmontarlos nunca).
* K .(de dimetro . 2. 9 mm) y 2. 4 de dimetro 2. 4 mm son
conectores hembra y macho, utilizados hasta 40 GHZ.
* V 1. 84, de dimetro 1. 84 mm, es utilizado hasta 50 GHz,
Los conectores K, 2.4 y V, son diseados de.tal forma que no
excitan modos superiores (en particular TEll y TMOl). Por esto, la
parte hembra que sale del conductor central macho est desprovista
de ventana.
Para asegurar una buena reproduccin del contacto, el empleo
de una llave dinanorntrica adaptada a cada conector es
indispensable.
1.5.2 Base de prueba.
Las salidas del aparato son frecuentemente en forma coaxial.

Es necesario disponer de una base particular para efectuar las
mediciones en estructura planar (coplanar o microcinta). Figura 8.
FIG.8 BUSE DE PRUEBA.
La base comprende una "mandibula" fijay un "maxilar" movible

capaces de adaptarse a la longitud del dispositivo a medir, este
est colocado sobre un substrato, frecuentemente de almina, donde
est dispuesto una guia microcinta (o a veces coplanar). Un
dispositivo de elevacin permite poner en contacto la cinta y la
extremidad de la transicin coaxial-microcinta. Toda la calidad de
la base reside en la reproduccin de este contacto. El otro extremo
de esta transicin est montado en conector . adaptado a la
frecuencia y al aparato de medicin utilizado. Este tipo de base se
utiliza actualmente hasta 40 GHz.
l . 5. 3 Mediciones "SOUS POINTES".
El medio ms seguro para hacer mediciones, que evita los

contactos y los esfuerzos de los componentes est por
hacerse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GU~ COPLANAR
SOBRE lA
~
CERAMICA
FIG.9 PUNTO DE PRUEBA.

La punta est constituida de una cabeza que dispone de un
conector coaxial. Ella lleva una lmina de cermica flexible sobre
la que se ha grabado una guia coplanar cuyas dimensiones disminuyen
a medida que nos desplazamos hacia su extremidad. El espaciamiento
entre los conductores exteriores de la guia varia de 80 ~m a 250 ~m
segOn los modelos.
El acceso.realizado en guia coplanar, conviene realizar una
trancisin coplanar-microcinta conteniendo 2 hoyos metalizados a
cada accesodel circuito a medir. Figura 10.
1 1
F1G.1 O TRANSICION COPLANAR .-

MICROCINTA SOBRE EL CIRCUITO.
La conexin entre la punta y el acceso del aparato de medicin

se hace con ayuda de una guia coaxial semirigida.
Este tipo de punta es utilizado hasta 50 GHz.
21 Analizador de redes Escalar.
El analizador de redes escalar no mide ms que los mdulos de

las relaciones blfal y b2fal. No disponemos por lo tanto, de
informacin suficiente para determinar el valor de los trminos de
error. Sin embargo, podemos limitar los efectos o limitar de un
orden dado permitiendo encuadrar las mediciones.

El dispositivo de medicin est esquematizado sobre la Figura
11.
/6
DETECTOR DETECTOR DETECTOR

01 b1 b2
'V
GE NERADOR
\
DMSOR
ATENUADOR
$
A
X-
DE
POTENCIA ACOPLADOR D1SPOS1TIVO
A t.IE01R
FIG.ll ESQUEMA DE PRICIPIO DE UN ANALIZADOR ESCALAR.
Un divisor de potencia acopla la entrada. Un atenuador permite

minimizar el trmino de error Esp debido a la desadaptaci6n del
generador y sobretodo a la directividad del divisor. Un aparato,
llamado analizador de redes Escalar, comprende.los 3 detectores y
el sistema de procesamiento de las variables escalares medidas.
Este aparato controla igualmente el generador por una rampa de
tensin que asegura un barril en frecuencia.
2.2 Calibraci6n simple en retlexi6n.
La calibracin simple consiste en reemplazar el dipolo a medir

por un dipolo patrn, del 'cual se conoce el coeficiente de
reflexin. En general, se escoge un corto circuito (r = -1).
Nosotros estudiaremos separadamente el efecto de la

directividad y el de la desadaptacin del generador sobre el
resultado de la medicin.
2.2.1 Efecto de la directividad.
La relacin medida para un dipolo cualquiera es:

Cuando colocamos un coreo-circuito
El aparato divide estas dos relaciones uno sobre otro para
mostrar una variable medida
. IEoy+ERr r
= lEo,. - ER..,i
o ms simplemente
r + Eor
ERP .
r mi =
ll - Eor
ERP
El error r cometido sobre la medicin es
El puede ser dimensionado por la incertidumbre

11
= ~r
La Figura 12 presenta la incertidumbre relativa
irl en funcin delrl para 1EDF 1valiendo O. os (directividad 26dB) .

ERF
1rJ
La incertidumbre es ms grande cuando tendemos hacia la carga
adaptada:
lf
Para r =1, la incertitud vale
La incertitud relativa alcanza 100% para
r = (sea 0.056 para el ejemplo

de la figura 12)
La relacin EuF 1 ERF a un mdulo pequeo comparado con uno.

Podernos entonces desarroilar la expresin de r mi al orden 1 : :
La Figura 13 representa en el plano complejo la cantidad de la

cual tomamos el mdulo:
zo
a'',
'
''
A
~- -
... .. """'11'
\
1
1
/
' ....... ____ ..... /
FIG.13 REPRESENTACION DE
r' + EDF (l+r)
ERF
~ E
OA representa r y AB representa~ (l+r) . cuando
ERF
La frecuencia varia, el punto A varia y el punto B se encuentra
alrededor de A. El valor medido es el mdulo de GB Para un

1r1 constante, observamos una ondulacin de 1rm1 variando
de 11 OBI 11 a 11 OBII 11
2.2.2. Efecto de la desadaptacin.

La relacin medida para un dipolo cualquiera es:
1bl 1= 1 ERf' 1
a1 . l-E8 !'
Con un corto-circuito:
ll
aunque el aparato muestre:

Ir I=IPI I1+Es,.l
m 1-Es,.PI
El relativo sobre la medida puede ser incrementado por:
~r IEs,.l ( IPI+1)
1fT 1-lss.. llrl
1 bl 1= 1 ER,.P 1
a1 1-E8 ,.P
Con un corto-circuito:
La Figura 14 representa esta incertidumbre relativa para

IEs,.l = 0.05.
Contrariamente a la Figura 12, este error es ms sensible para

los grandes coeficientes de reflexin.
La incertidumbre relativa varia de
si desarrollamos la expresin IP mi , al orden 1 en E8p,

encontramos:
Multiplicamos IPI
por el mdulo de un nmero complejo
representado sobre la Figura 15:
Cuando la frecuencia varia, el punto b gira alrededor del

punto a. Observamos una ondulacin de la variable medida
O o, 0,4 01 6 v. 1r'l
~-~ ~- ].1oCer-\,J.,...~e cWcJ. ca R. le.,..Jytu't,; JeA

~MIA..dot'l
proporcionalmente a IIOBIIque varia de IIOBII a IIOB// 11
2.3 Alargamiento de la linea de medici6n.
Cuando disponemos de un linea de longitud L y de constante de

propagacin B entre la salida del acoplador de medicin y el plano
de entrada del dispositivo a medir, multiplicamos ERP y Esp por
e 2 JPJ Esto hace girar el punto b alrededor del punto a en la
Figuras 13 y 15 mucho ms rpido en funcin de la frecuencia. La
r
representacin de en funcin de la frecuencia (Figura 16) est
afectada de una ondulaci6n rpida que podemos atribuir con cierta
seguridad a los errores de directividad y desadaptaci6n del
generador.
. .
FIG. 16 EFECTO DEL ALARGAMIENTO DE LA LINEA DE MEDICION.
Podemos apreciar
1r1
tomando una variaci6n que "integra" las
ondulaciones ligadas a los errores.
2.4 Calibraqi6n qpn dos qarqap qputjtat.
Podemos limitar el efecto de los errores despus de la

calibraci6n tomando sucesivamente dos patrones cuyas fases son
opuesta. Por ejemplo, podemos tomar un corto circuito y un circuito
abierto. El trmino de referencia es entonces la media
(generalmente geomtrica) de las relaciones medidas. Estudiaremos
separadamente la directividady la desadaptaci6n del generador.
.. ?.1
2.4.1 pirtgSiyi4a4.
con el corto circuito, re encontramoa
1!w_ a IED, :..E11rl

4100
y con el c.irculto 4blerto
1-b100 1 1EDr+Eu. 1
4100
La referencia es entonces
b ( b b ) 11/al .
1--1.2.1 l.....ll2.2.11 _m 1 IERJIG-E~,I
41o auoo auo
El coeflclente de reflex16n medldo es entonces
la lncertldumbre absoluta 6r est~ dada aqu!:
La Figura 17 retoma los datos de la Figura 1 para una

calibraci6n con dos patrones opuestos. Notamos una buena mejor1a
para los grandes coeficientes de refleici6n (un factor de dos
aproximadamente), pero poca diferencia para los bajos coeficientes
de reflexi'6n cuya precisi6n es a(ln mediocre.
~~ 11 .r-..,i,~..lte.lah.,. tUt~ .~ Jb.JtvtJ.J. , e.... > cw+o ~~,;
. C,. ) tlNl\o eita. io t c..+o O't_,lt.. .
2.4.2 posa4aptaqi6n da qtntra4or.
Para el.corto circuito:
lblool=l -ER, 1
a 100 l+EsP'
y para el circuito abierto:
El trmino de referencia, media geomtrica de estas dos

relaciones, es:
Ao 1 IERrl
a,o 11-z:,.
B'l coet1c1ente de retlex16n medido es entonces
r llrl 11 -z;,.
" 11-z,;r
Laincertitudrelativaesentonces:
La fi9ura 18 comprende la incertidumbre relacionada al error

de deaadaptaci6n para loa dos tipos ae calibraci6n. Notamoa tambi6n
una major1a de un factor 2 para loa grande coeticiantea de
reflexi6n y poco cambio cerca de la adaptaci6n.
Podemos notar qua la incertidumbre relativa, con t tipo da
calibraci6n, queda de la onda de jE81 I
o o, t. o,'> . 0,1 1
1rl
~~ \'0 J~.J"Ubre ~..,...J,.~.L..J.a~p~G'I~J.\ ,....,..~or.C--.)

C..~ c;rwt"ro # c.-) C\leutJo ~l ..~ o t lOo'~ ct,~~~tfo
2.5 calibracin en transmisin.
Para las mediciones en transmisi6n, utilizamos un tramo de
como patr6n. A los dos trminos de error
linea
anteriores, Esp. y E 0 p, se. agrega la adaptaci6n de carga ELF. La
grfica de fluencia de la Figura 7, permite conocer las relaciones
entre los valores medidos y los valores reales de los parmetros S
del quadripolo a medir. Tomando en cuenta la pobre precisi6n de las
mediciones, podemos despreciar los trminos de orden superior, en
particular el producto ELF Esp con estas condiciones, podeinos
separar los trminos de error y sus efectos.
2.5.1 Directividad.
Si no consideramos ms que la directividad:
El efecto de la directividad sobre S 11 es el mismo que sobre el

,,
r de un dipolo. Esto no afecta las mediciones en transmisin.
2.5.2 pesadaptaci6n del generador.
Para S 111 los resultados son los mismos que para las mediciones
sobre un dipolo.
La calibracin en transmisin proporciona:
1 b 20 = IETFI
a1o
si bien que:
Alargando la 11nea entre la salida del acoplador y el acceso

l del quadripolo, llegamos a hacer girar el trmino S 11 Esp alrededor
de l. Podemos entonces "integrar" las variaciones rpidas de la
combinacin representando IS21 ml en funcin de la frecuencia.
2.5.3 DEsadaptaci6n de la carga,
En reflexin, calibrando con un corto circuito

1 b,o 1= IEul
a,o
En consecuencia:
Aparece una incertitud absoluta:

llsll = IS,2S2,ELFI
En transmisin, calibrando con una seccin de linea:
1 b 20 1= IETI'I
a,o
Si bien que:
ls 1=
21m
1s2,l
11-S22 ELl' 1
Podemos, aqui tambin, alargar la linea entre el acceso 2 del

quadripolo y el detector b2. Esto permite hacer "girar" S 12 S21 ELF
alrededor de Su para la medicin y reflexin y S22 LF alrededor de
1 para la medicin en transmisin.
3. ANALIZADOR DE REDES VECTORIAL A 2 O 3 ACOPLADORES.

Los analizadores de redes vectoriales miden las relaciones a
la vez en mdulo y en fase. Esto permite, utilizando patrones
adecuadamente escogidos, poder medir los elementos de los modelos
de error.
Existen dos familias de analizadores de redes heterodinos.
Estos contienen 2 o 3 acopladaores, permitiendo la medicin en una
primera fase de las relaciones b1/a1 y b2/a1. Volteando el
quadripolo ya sea permutando las ramas de aparato, efectuamos las
mismas mediciones en el sentido inverso. Los aparatos a 4
acopladores permiten la medicin simultnea de 3 relaciones en
lugar de 2. Esto permite una simplificacin del modelo de error y
una calibracin mas simple.
3rl Desoripoi6n del dispositivo,
Los analizadores a dos acopladores estn constituidos como .lo

muestra la Figura 5. Generalmente, para esta generacin de
aparatos, no existe otra posibilidad para medir los cuatro
parmetros S de un quadripolo que la de girarlo.
Los analizadores a 3 acopladores estn constituidos como lo

muestra la Figura 19.
o b b p
e ~!LI
. 1~:~1~~.
(a)
iL hl"J ,~, ., r .<1
b,
(b) t>l l
10, ~~_yL 0
1 1
'
FIG. 19 ANALIZADOR DE REDES A TRES ACOPLADORES

(a) MEDICIONES DIRECTAS (b) MEDICIONES INVERSAS.
Un acoplador colocado a la salida permite una mejor adaptacin

de la carga ELF. Adems, la parte central del montaje colocada
entre los planos ml y m2, permite a la vez las mediciones en
directo y en inverso. Es suficiente entonces, para la utilizacin
de conmutadores internos, permitir lo que est antes de Ml y lo que
est despus de M2. Sin embargo, el punto de vista elctrico, se
trata de 2 montajes diferentes.
El modelo de error a 6 trminos mostrado sobre la Figura 7, es

vlido para las mediciones en directo. Es necesario definir un
modelo similar para las mismas e inverso. Sobre la Figura 20, la
grfica de fluencia de las mediciones en inverso, contienen los
mismos trminos que en directo donde el indice F ( forward) est
reemplazado por R(reverse) .
. '3{
., 1 s2, 1 Em
1 1
1 1
1 1
1 1 (o)
Eor Esr 1 s, 1 522 11 ELf
1 1
1 1
1 S 12 1
b 1 1
b2
E E S E E
l.R 11 22 SR DR (b)
Em s,z
b1 "2
1 ExR
FIG.20 MODELO DE ERROR A i 2 TERMINOS (o) MEDICIONES DIRECTAS

(b) MEDICIONES INVERSAS
Tratndose elctricamente de dos montajes diferentes, no

existe ninguna relacin entre los trminos de error en directo que
aquellos en reverso.
3.3 Calibracin OSTL:
Para determinar estos 12 trminos de error del modelo de la

Figura 20, es necesario efectuar 12 mediciones de calibracin. El
mtodo ms utilizado es la calibracin OSTL (open-shrt-thru-load)
que utiliza el circuito abierto, el corto circuito, la conexin
directa y la carga adaptada.
Los trminos EaF Esr E1ir se miden utilizando un dipolo en el
plano pl. Para poder determinar los 3 parmetros, utilizamos 3
dipolos patrn.
3.3.1 Patrones tiios.
En tecnologia coaxial, los patrones ms fciles a realizar

son: el corto circuito, el circuito abierto imperfecto y la carga
adaptada, ms o menos para las frecuencias bajas.
1/
El corto circuito estA constituido de un plano metlico
colocado perpendicularmente en el eje de propagaci6n en el plano de
referencia.
El circuito abierto est constituido de una transici6n entre

la guia coaxial y una guia circular (Figura 21) .
PLANO DE REFERENCIA
FIG.21 CIRCUITO ABIERTO.
Los modos excitados en la guia circular son los TMOM

desvanecidos. El efecto de la extremidad de la guia circular es as1
despreciable. Adems, dado el carcter reactivo de estos modos, el
circuito abierto, en el plano de referencia, es equivalente a una
capacidad variable con la frecuencia. El fabricante proporciona el
valor de la capacidad en la forma:
La carga adaptada no puede ser realizada ms que para las

bajas frecuencias (generalmente hasta 4 .GHz). Ellas estn
frecuentemente constituidas como se muestra sobre la Figura 22.
Una barra resistiva est montada entre dos pinzas a la

extremidad del conductor central. La resistencia esttica es igual
a la impedancia caracter1stica del coaxial.
Para las otras frecuencias, utilizamos una carga deslizante .

FIG.22 CARGA ADAPTADA.
3.3.2 carqa deslizante.
El principio de la carga deslizante est representado en la

Figura 23.
....." . . ...
""
"'
"'
..........
"' "
." ....
'
"'
'"
"
"'
"'"'"''
"'"""
".........
"""'"
"""''
..........
.........
FIG.23 CARGA DESLIZABLE.

El elemento resistivo puede desplazarse a lo largo de la
linea. La adaptacin no siendo perfecta, la impedancia repor.tada en
el plano de referencia est situada sobre la carta de smith, sobre
un circulo centrado en O y de radio r . si despreciamos IE8 ,I'I
ante 1, el punto representativo de bl/al en el plano complejo es un
circulo de centro E0 p y de radio IERI'I (Figura 24).
(b)
FIG.24 CARGA DESLIZANTE
Podernos entonces determinar el trmino de directividad Ew

directamente, calculando las coordenadas del centro del circulo de
la Figura 24a.
3.3.3 Calibracin y transmisin.
Colocarnos en cada acceso un dipolo cerrado constituyendo asi

un quadripolo tal que 5 12 = 521 = o. Medirnos entonces la relacin
bl/al que da directamente en directo Exp Trabajamos igualmente para
EXR.
Cuando colocarnos una conexin directa, en lugar del quadripolo
a medir, vernos, en directo, ELF corno si viramos una impedancia
despus de una medicin en reflexin.
La relacin b2/al da finalmente al acceso o al trmino de
proporcionalidad ETF.
3.4 Determinacin de los parmetros s.
Cuando los 12 trminos de error son conocidos, se debe pasar

de las mediciones de las 4 relaciones al valor de los 4 parmetros
s.
En directo medirnos:
y en inverso:
Reencontrarnos los parmetros S con las f6rrnulas siguientes:
A 12 (1+A 11 (E5P'-ELR))
D
A22 (1+A11ESF) -A12Aa1ELR

522
D
A 21 (1+A22 (E5R-ELP'))
D
Con:
Lo que debernos retener de estas relaciones, es que se debe

conocer imperativamente las 4 relaciones an cuando se desee
conocer uno slo de los parmetros S.
3.5 oaarnbedinq
cuando se debe realizar una medici6n .del quadripolo en una

estructura que no permite la realizaci6n da patrones, utilizarnos
quadripolos de adaptacin (Figura 25).
1 1 1 1
:
1 E :
1 X :
1 Os 1
1
1 i 1 1
1 1 1 1
1 1 1 1
1 1 1 1
1 1 1 1
1 p' IP IP 1 P'
1 1 2 2
FIG.25 QUADRIPOLOS DE ACCESO.
En un primer paso, realizamos una calibracin completa en los

planos P'l y P'2. Medimos entonces el conjunto colocado entre P'l
y P'2 reemplazando el quadripolo a medir para los patrones entre
los planos Pl y P2. De estas mediciones, deducimos las
caractersticas de los quadripolos de adaptacin QE y QS. Estos
quadripolos son pasivos recprocos. Cada uno de ellos puede
entonces ser caracterizadopor 3 variables. No existe entonces m~s
que 6 incgnitas, por lo que necesitamos menos patrones.
Lo m~s frecuente, utilizar los 3 patrones, de los cuales no
conocemos necesariamente todos los elementos. Los do's juegos de
patrones m~s utilizados son:
Una conexin directa.
Un circuito abierto malo de. r desconocida.
Una carga adaptada.
En el caso de la base de la Figura 8, los quadripolos de
acceso est~n constituidos de cada mandbula y de una longitud de
lnea en estructura planar. As mismo, las puntas de la Figura .9 y
la transicin de la Figura 10 seguido eventualmente de una longitud
de linea, constituyen los quadripolos de acceso.
4. Analizador de redes con 4 acopladores.
Loa analizadores de redes con 4 acopladores permiten a todo

momento una medicin suplementaria. Esto permite disponer de un
nmero ms importante de ecuaciones para un mismo nmero de
patrones. Podemos entonces realizar calibraciones ah1 donde no. es
posible realizarlas en gran nmero.
sin embargo, todos los aplicables a otros analizadores quedan
aplicables.
4.1 Descripci6n del dispositivo.
Los analizadores con 4 acopladores estn constituidos como lo

muestra la Figura 26.
1 '--------' 1
! '
\>, \>2
CONMUTADOR
FIG.26 ANALIZADOR DE REDES A 4 ACOPLADORES.
El conmutador permite pasar de las mediciones directas a las

mediciones inversas. Medimos simultneamente 4 variables. Ellas
estn relacionadas linealmente independientemente de la posicin
del conmutador. Una de las ventajas de estos aparatos es la
eliminacin de los errores aleatorios ligados a la reproductividad
del conmutador.
La relaciones lineales entre las cuatro variables estn

representadas sobre la Figura 27.
:re
1 1
io
1 1
1
e e11 S SI
221
e e
.JO 11 22 J.J
1
!
1
02
1 S 12 !
o
e2.J
'p 'p
1 2
FIG.27 MODELO DE ERROR A 7 TERMINOS.
En efecto, los trminos elO, eOl, e23, e32 no son tiles ms
que en los productos 2 a 2.
Contarnos entonces solamente 7 trminos independientes. Nos
hemos despreciado los trminos de aislamiento.
ciertos trminos del modelo a 7 trminos y del modelo a 12
trminos pueden estar relacionados simplemente
Elll' = eOO E"" = e33
EsF = ell Es = e22
ERF = eOl elO E = e23 e32
Por el contrario, los trminos ETF, ETR, ELR y ELF no pueden
deducirse directamente del modelo a 7 trminos. sus valores son
funciones de las caracteristicas del conmutador . y de la carga
terminal.
Sea, para uno de los patrones:
a2 a
a
A=~ en directo 2
B=-- en inverso
b2 . b
a a2
Podernos asi reconstituir estos ltimos elementos:

4.3. Autocalibracin.
Llamarnos autocalibracin a los mtodos de calibracin

utilizando el modelo de error a 7 trminos. Es necesario disponer
de 7 relaciones. Utilizarnos normalmente:
Un quadripolo del cual conocernos los 4 parmetros.
un quadripolo del cual conocernos dos relaciones entre los
parmetros.
Un quadripolo del cual conocernos una relacin entre los
parmetros.
Los dos mtodos ms utilizados son:

El mtodo TRL (thru-reflexion-line) que contiene:
* Una conexin directa.
* Un pedazo de linea de longitud desconocida.
* un falso circuito abierto o un falso corto circuito del cual
no conocernos el coeficiente de reflexin.
El mtodo LRM (line-reflexion-rnatch) que contiene:
* Una conexin directa.
* Una carga adaptada.
* Un falso circuito abierto o un falso corto circuito.
Se debe notar, que en el mtodo TRL, la longitud del pedazo de
linea debe ser diferente a O y a A./2, sino se degenera con la
conexin directa. En la prctica, se evita aproximarse de estos
valores. Para guardar una buena precisin de medicin, considerarnos
que el defasarniento aportado por el pedazo de linea debe estar
limitado entre 200 y lOQQ, Eso significa que no podernos cubrir ms
que una banda de frecuencia de 3/8. En particular, es dificil
realizar una calibracin en bajas frecuencias a menos de utilizar
un peda<o de linea muy grande. Lo que no es por cierto razonable
para los circuitos integrados rnonoliticos.
4o
De forma inversa, el mtodo RLM no presenta limitacin en

frecuencia. sin embargo, es actualmente dedicado a realizar una
carga adaptada de buena calidad sobre una banda de frecuencia
ancha.
Para cada etapa de calibracin, medimos 6 relaciones:
b, ba aa
- en directo a, a, a,
b2 b, a,
- en inverso ,-
aa aa aa
Cuando colocamos el quadripolo a medir, debemos medir

igualmente las cinco relaciones para determinar los parmetros
S.
MEDIDA DEL FACTOR DE RUIDO.
PROFESOR DANIEL PASQUET.

ECOLE NATIONALE SUPERIEUR DEL 'ELECIRONIQUE
ET SES APPLICATIONS.
CERGY- FRANCIA.
ABRIL 1992.
MEDICION DEL FACTOR DE RUIDO.
1. Representacin del ruido.
1.1. Ruido en un dipolo.
1.2. Ruido en los quadripolos.
1.3. Factor de ruido.
1.3.1. Definicin.
1.3.2. Parmetros de ruido.
1.3.3. Quadripolos pasivos.
1.3.3.1. Quadripolo pasivo reciproco adaptado.
1.3.3.2. Quadripolo pasivo unilateral.
1.4. Puesta en cascada de dos quadripolos.
2. Medicin del factor de ruido.
2.1. Mtodo de las do~ temperaturas.
2.2. Constitucin de un banco de medida.
2.3. Determinacin del factor de ruido.
2.3.1. Elementos colocados adelante o al frente.
2.3.2. Quadripolo a medir.
2.3.3. Elementos colocados despus o atrs.
2.4. Casos particulares.
2.4.1. caso de un quadripolo cerrado por una
impedancia imperativa.
2.4.2. caso de un quadripolo de salida unilateral.
2. 5. Determinacin de los parmetros de ruido.
MEPICION PE FACTOR PE RUIDO.
Las senales elctricas transportan una informacin Qtil. A la

senal Qtil se superponen senales indeseables que llamamos ruido.
Los or1genes f1sicos del ruido son diversos, no entran en el marco
de este curso. Nosotros haremos frecuentemente referencia al ruido
trmico. Es una sefial aleatoria cuya densidad espectral de ruido
est constituida en funcin de la frecuencia y proporcional a la
temperatura. Este ruido est generado por todo dispositivo
discipativo.
Un dispositivo electrnico trasmite una seal . y ruido
modificndolos. Adems, l agrega ruido. Es este ruido excedente
quei caracteriza la calidad del dispositivo. Es esta propiedad que
buscarnos cuantificar por una variable llamada factor de ruido.
Despus de haberlo definido, n?sotros propondremos un mtodo
que permita su medicin.
l. REPRESENTACION DEL RUIDO.
En esto que sigue, nosotros nos interesaremos a las potencias

de ruido situadas en una banda de frecuencia B alrededor de una
frecuencia central F. El ancho de B es tomado suficientemente
pequefio para que las caracter1sticas elctricas de los dispositivos
descritos no var1en en la banda.
Nosotros consideraremos sucesivamente el ruido en los dipolos,
despus en los quadripolos. Nosotros definiremos enseguida el
factor de ruido de un quadripolo. Finalmente, nosotros estudiaremos
cmo los factores de ruido de quadripolos colocados en cascada se
combinan.
Todos los lementos descritos funcionan en rgimen lineal.
1.1 Ruido en un dipolo.
Nosotros basamos todo este estudio sobre la propiedad

siguiente:
La potencia de ruido disponible en los extremos de un

dipolo en una banda B alrededor de una frecuencia f es:
En esta expresin, k es la constante de Boltzmann:
T es la temperatura equivalente de ruido del dipolo. En el

caso de un dipolo pasivo, sin el aporte exterior de energ1a, T es
la temperatura termodinmica del dipolo.
Recordemos que la potenia disponible es la potencia mxima

que un dipolo puede trasmitir a una carga cuando sta es ptima.
As1, para una representacin de Theveninn de un dipolo, la potencia
disponible se disipa cuando la impedancia de la carga es complejo
conjugado de la impedancia de Theveninn, Figura La.
..
Zg Zg 1
Yg Yg" t).'
rr
a,
fe
(a) (b) (e)
Figura 1: Dipolos provedores de su potencia disponible:

a) Thvenin; b) Norton; e) Ondas de potencia.
Un dipolo ruidoso puede entonces estar representado por una de

estas cuatro formas (Figura 2).
2
<e 2 > =4kTBRe(Zg) =4kTBRe(Yg)
n (o) (b)
"1
=<kTB(Hrl)
n
(e)
Figura 2 representacin de dipolos ruidosos:

a) Theveninn; b) Northonj e) Onda de potencia.
En estas representaciones, las variables eN, iN y bN son

aleatorias e innaccesible. La nica cosa que se puede conocer, son
sus medias cuadrticas dentro de la banda B.
..

1.2 Ruido en los guadripolos.
De la misma forma que asociarnos una representacin del ruido

de un dipolo a cada representacin elctrica, podernos asociar una
representacin del ruido en los quadripolos a cada matriz
elctrica. Siguiendo la analogia, definirnos una matriz llamada
matriz de conversin para cada representacin.
La Figura 3 muestra la representacin en impedancia de un

quadripolo ruidoso.
'
q r- \ ( - \ 12
V1 ! ent
\.- ./
. (Z)
'
... ) t 2
-
enz
V
Figura 3 representacin en impedancia de un quadripolo

ruidoso.
Los generadores de tensin eNl y eN2 son aleatorios.
Nosotros no conocemos ms que el valor de la cuadrtica media

de cada una de las tensiones y sus coeficientes de correlacin.
Reagrupamos estos trminos en una matriz dicha de correlacin.
La parte central de la Figura 3 es un quadripolo no ruidoso

conocido por su matriz elctrica de impedancia (Z).
Podernos, de la misma manera proponer una representacin en

adrnitancia (Figura 4).
:
.
q '2

1 (Y)
n1
Figura 4 representacin en admitancia de un quadripolo

ruidoso.
Definimos una matriz de correlacin en admitancia:
La representacin en cascada de la Figura 5 es una de las ms

utilizadas.
.
11
---
en .
12
v1 t 1
n (C) jv2
Figura 5 representacin en cascada de un quadripolo ruidoso.
Asociamos una matriz de correlacin de cascada:
En fin, en el dominio de las microondas, definimos una

representacin en ondas de potencia inspirndonos de la matriz de
reparticin (Figura 6) .
.
S
al b2
"21
S11 9'.22
bl a2
.,2
Figura 6 representacin de un quadripolo ruidoso en ondas de

potencia.
La matriz de conversin asociada es
Estas diferentes matrices estn relacionadas entre ellas por

una reiacin de tipo:
(C') = (T) (C) (T) 1
Donde (T) es la matriz de transformacin.
La Tabla 1 da los elementos de las matrices de transformacin

para las representaciones propuestas. Podemos notar que los
elementos no son funcin que de caracteristicas elctricas de los
quadripolos, pero en ningn caso de los. parmetros de ruido.
........ .t.OMTIIO_ ............ ........

MUIIIZ DE lelO
1 -zu t ((IHS))- 1
5 " "' o 121
-v,, 1
1~
(111-(1,))-1
-v,, o
"' "
;1
1-c 11
... , o c11
IQ '!iif
_,
~ '"' ''"'n
-;;-
~-c,~+et2
' ,,
1 IGHZ:ll_, -(O)<{Y)-1
- --re-- '
' ---re-
"
Tabla 1: matrices de transformacin entre matrices de
correlacin.
En esta tabla, la ltima columna y la ltima linea hacen

aparecer las variables reducidas. El resto de la tabla puede ser
utilizado indistintamente en variables_reducidas o completas.
,
En el caso particular cuando el quadripolo es pasivo
reciproco:
1.3 Factor de ruido.
1.3.1 Definicin.
El factor de ruido de un quadripolo caracteriza la degradacin

de la relacin seal a ruido entre la entrada y la salida, el
generador siendo un dipolo aTo= 290.K.
Si Ne y Se son respectivamente las potencias de ruido y de

seal presentes a la entrada del quadripolo y Ns y Ss las mismas
variables disipadas en la carga, el factor de ruido es entonces:
La re.lacin de las potencias disipadas es igual a aquel de las

potencias disponibles:
Donde G" es la ganancia en potencia disponible del quadripolo.

Si el quadripolo no siendo ruidoso, la potencia de ruido disponible
a la salida seria Neav.Gav. definimos entonces una potencia de
ruido disponible adicional:
Naav = Nsav - Gav. Neav
El factor de ruido a la entrada de la que colocamos un dipolo

cuya temperatura de ruido es To (290 K) es:
1.3.2 Parmetros de ruido.
Tomemos, para el quadripolo ruidoso, una representacin en

cadena (Figura 7):
/1
8
.1 Q
n
8' '-------J
Figura 7: quadripolo ruidoso.

La fuente de corriente I 0 tiene como media cuadr-tica:
La entrada del quadripolo real estA situada entre A y A'. El

quadripolo Q no ruidoso .ve, entre By B', un generador de Northon
cuya corriente de corto circuito es:
Podemos descomponer iN en una parte correlacionada con eN y en

una parte no correlacionada:
Existe entonces una admitancia Yg ptima llamada Yopt tal que

F sea m1nima. con estas condiciones:
1.3.3. Ouadripolo pasiyo.

La potencia de ruido disponible a la salida de un quadripolo
pasivo a una temperatura T conectado a su entrada con un dipolo a
la misma temperatura es:
1.3.3.1. Quadripolo pasivo reciproco adaptado.

H
En el caso donde el quadripolo pasivo est adaptado a cada

acceso ( s11 = 52 2. = O) , podemos calcular el coeficiente de
reflexin asociado a Yopt:
1.3.3.2. Quadripolo pasivo unilateral.
En el caso de un quadripolo pasivo unilateral (512 =O):
1.4 Puesta en cascada de dos guadripolos.
La utilizacin de las matrices de correlacin permite la

asociacin de varios quadripolos entre ellos. Cuando colocamos los
quadripolos en serie, agregamos las matrices de correlacin
impedancia; cuando los ponemos en paralelo, agregamos las matrices
de correlacin admitancia.
Para la puesta en cascada, las matrices de correlacin .de

cadena se asocian de la manera siguiente:
Donde (C1) es la matriz elctrica de cadena del primer

quadripolo.
Podemos igualmente determinar el factor de ruido del conjunto

de dos quadripolos a partir de aquel de cada uno de entre ellos. Si
Naav1 y Naav2 son las potencias adicionales disponibles de ruido de
cada quadripolo, y si Gav1 y Gav2 son las ganancias disponibles, la
potencia de ruido disponible a la salida del segundo quadripolo es:
Es la frmula de FRIIS, Los factores de ruido F1 y F2 son

funciones de la impedancia que presentamos al acceso de los
quadripolos. De la misma forma para las ganancias en potencia
disponible Gav1.
2. Medicin del factor de ruido.
Nosotros consideramos el principio de la medicin del factor

de ruido por el mtodo dicho de dos temperaturas. Este mtodo es el
ms conocido y es utilizado por .la mayor parte de los aparatos
automticos.
Nosotros escribimos en seguida la construccin de un banco de

medicin de factor de ruido definiendo todas sus caracter1sticas
necesarias a la medicin. En un cierto nmero de casos
particulares, podemos simplificar el procedimiento de medicin.
2.1 Mtodo de las dos temperaturas.
La potencia de ruido disponible a la salida del un quadripolo

en una funcin relacionada a la temperatura de ruido del generador
que presentamos a la entrada.
supongamos que disponemos de un generador ruidoso cuya

impedancia es constante y que podemos llevarlo a dos temperaturas
de ruido distintas Tl y T2. En cada caso, la potencia de ruido
disponible a la salida del quadripolo es:
La sola aproximac~on que permite el empleo de esta expresin,

es que la impedancia de ruido es independiente de la temperatura.
Para las mediciones comunes, Tl es la temperatura ambiente del

laboratorio. El constructor da el valor de R2. Expresado en dB,
ella toma el nombre de ENR (excces noise ratio).
2.2 Constitucin de un banco de medicin.
La Figura 8 representa la constitucin habitual de un banco de

medicin del factor de ruido.
QE X Qs R
e~ Q
Figura 8 banco de medicin del factor de ruido.
(5'
La fuente de ruido, cuyo esquema est representado por una

fuerza electromotriz g y una impedancia Zg es conocida por:
El quadripolo Q" est constituido de todo aquello que se

coloca entre la fuente de ruido y el dispositivo a medir.
Podemos ah1 encontrar un aislador, un adaptador de impedancia,
una te de polarizacin, los accesos de la base de prueba o de la
estacin de medicin sobre punta, cables. Este quadripolo es
conocido por sus parmetros elctricos (lo ms frecuente por su
matriz de reparticin S) y, se trata de un quadripolo activo, por
sus parmetros de ruido.
El quadripolo X consti tutye el elemento a medir. Debemos

conocer sus parmetros elctricos .(por ejemplo matriz S).
El quadripolo Qs est constituido de todo aquello que se

coloca entre el dispositivo a medir y el aparato de medicin.
Podemos ah1 encontrar los mismos elementos que para el quadripolo
Q
En fin E es el receptor. se coloca frecuentemente un mezclador

seguido de un amplificador de banda estrecha B/2. Esto permite
"explorar" lo que se presenta a la entrada de R en una ventana de
ancho B situada alrededor de una frecuencia central fijada por el
oscilador local. La parte final del receptor permite efectuar una
medicin de nivel, funcin .como de la potencia presentada a la
entrada de R en la banda de ancho B. El receptor es conocido por
sus parmetros de ruido (lo ms frecuentemente).
Nosotros no utilizaremos en lo siguiente ms que quadripolos

Q y Qs constituidos de elementos pasivos. Esto excluye los
electrodos de los adaptadores activos (de tipo Atn).
2.3 Determinacin del factor de ruido.
La fuente de ruido (rg,Tl,T2) constituye con el quadripolo Q

un generador equivalente de ruido cuya caracter1sticas son rg,
T'l, T'2.
El receptor y el quadripolo Qs forman la cadena de medicin,

conocido por su factor de ruido Fm, funcin de la impedancia que se
le presenta (Figura 9).
14
-
z- r--
9
QE X Qs R
~Q_ -
-
r 9 T T' J S
Fm (rs )
Figura 9: Cadena de medicin y generador de ruido equivalente.

El factor de ruido F medido es entonces:
donde Y es la relacin de las potencias medidas por el receptor.
El factor de ruido Fx del quadripolo a medir se obtiene

gracias a la frmula de Friis:
En esta expresin, rs, desde luego Fm (rs) y Gxav son

funciones de f'g.
2.3.1. Elementos colocados adelante.
La temperatura equivalente de ruido a la salida de un

quadripolo a la entrada del cual colocamos una fuente a la
temperatura T es:
Donde G.., es la ganancia disponible y FE el factor de ruido del

quadripolo. En el caso de un quadripolo pasivo:
Donde TH es la temperatura del funcionamiento del quadripolo.

La relacin de exceso de ruido es entonces:
2.3.2 Ouadripolo a medir.
El quadripolo a medir debe ser conocido antes de la medicin
por sus parmetros S. Asi, podemos deducir el coeficiente de
reflexin de salida:
2.3.3. Elementos colocados atrs.
El factor de ruido del receptor est calculado a partir de sus

4 parmetros de ruido:
En esta expresin, Ys' y Gs' representa la admitancia y la

susceptancia completas asociadas a rs.
Donde Yopt es la admitancia asociada a ropt.El factor de ruido

de la cadena de medicin es entonces:
Donde Ts es la temperatura de funcionamiento del quadripolo de

salida y Gsav su ganancia en potencia disponible:
En el caso donde Qr. y Q' son quadripolos activos, las variables

R' 1, R' 2 y Fm deben ser calculadas ordenando las matrices de
correlacin.
2.4 Casos particulares.

En el mtodo de medicin descrito anteriormente, el receptor
debe estar caracterizado en ruido. Es necesario entonces ya sea
utilizar los datos de constructor, ya sea realizar otras mediciones
de ruido para determinarlos. Existen dos casos particulares donde
este procedimiento se simplifiCa.
2.4.1. Caso de un guadripolo cerrado sobre su

impedancia iterativa.
Cuando el generador de ruido equivalente a una impedancia

igual a la impedancia iterativa de entrada del quadripolo a medir,
la impedancia de salida le es igual:
r = r
La impedancia que presentamos a la cadena de medici6n cuando
le conectamos directamente el generador de ruido equivalente, es la
misma que cuando interponemos el quadripolo a medir. El factor de
ruido Fm es entonces el mismo. Podemos entonces determinarlo de la
forma siguiente:
conectamos directamente el generador de ruido equivalente
y medimos las dos potencias de ruido N'" y N' ,2 Deducimos
entonces Fm:
conectamos enseguida el quadripolo a medir y medimos N"

y N,2,
Calculamos finalmente el factor de ruido del quadripolo por:
Es necesario conocer la ganancia en potencia disponible del

quadripolo a medir.
Si, adems de las condiciones anteriores, las dos impedancia
iterativas del quadripolo son complejas conjugadas, la ganancia en
potencia disponible es igual a la ganancia de insercin.
Podemos encontrarlo utilizando la relacin (vlida no importa
cual sea el quadripolo) :
Los aparatos del comercio poseen frecuentemente un paquete de
software interno aplicado a este caso.
De forma general, este mtodo no es desde luego, aplicable y

los resultados . proporcionados por los aparatos despus
"calibramiento" nci' tienen ningn sentido.
2.4.2 Caso de un auadripolo de salida unilateral.
Cuando el quadripolo Q, es unilateral, el factor de ruido Fa

es constante, sin importar el quadripolo X a medir. Si F'm es el
factor de ruido de la cadena de medicin cuando conectamos
directamente el generador equivalente de ruido y si Fm es aquel en
presencia del quadripolo a medir:
lsu.l
Esta expresin es ms simple cuando es pequeo y
cuando Fm y F'm son grandes.
Como en el caso anterior, una fase de calibracin permitiendo
medir F' m evita la necesidad de determinar los 4 parmetros de
ruido del receptor. Tenemos unidamente necesidad de conocer S 1,
cuando no se le desprecia.
2.5 Determinacin de los parmetros de ruido.
El factor de ruido Fx del quadripolo a medir es funcin de rg
El factor de ruido es conocido por 4 parmetros de ruido:

Fmin, Rn, Yopt, (en partes reales e imaginarias).
Para determinarlos, es necesario dar a rg varios valores.

Tericamente, serian insuficientes 4. En realidad, tomando en
cuenta la incertidumbre sobre la medida de Fx, son necesarias
muchas.
Para hacer variar rg para un rg dado, incluimos, en el

quadripolo Oe, un adaptador de impedancia.
Los adaptadores pasivos pueden regruparse en tres categorias:
Adaptadores a simple stub. (Figura lOa).

Adaptaci6n a doble stub (Figura lOb).
Adaptador a doble slug (Figura lOe),
Los adaptadores a stub contienen parte metlicas cuya posici6n

con respecto al conductor central es especial. Los adaptadores a
slug tienen baftos de dielctrico que se deslizan a lo largo del
coaxial. En todos los casos, los movimientos mecnicos estn
controlados por motores paso a paso, controlados por computadora.
Los adaptadores activos utilizan redes de varicaps controlados
por tensiones. Estas redes pueden estar integradas sobre las puntas
de una estacin a medir tipo "sous-pointes".
(o) (b)
(<)
Figura 10 Diferentes'tipos de adaptadores pasivos:

a) simple stub b) doble stub e) doble slug.
DIV/SION DE EDUCACION CONTINUA
FACULTAD DE INGENIERIA U.N.A.M.
CONCEPCION ASISTIDA
POR COMPUTADORA
DE CIRCUITOS MICROONDAS.
Prof 1-Luc GAUTIER.

ECOLE NATIONALE SUPERIEUR
DEL 'ELECTRONIQUE ET SES APPLICATIONS.
CERGY- FRANCIA
Mayo-92.
/
CONTENIDO.
INTRODUCCION.
Principios Generales de la Concepcin Asistida por Computadora CAC.

1. Arquitectura de un paquete de CAC.
2. Descripcin del cir9uito.
3. Modelado de los componentes.
4. Ecuaciones de los circuitos.
5. Circuitos lineales -anlisis en frecuencia.
6. Circuitos no-lineales -equilibrio espectral.
7. Anlisis en ruido de los circuitos lineales.
8. Tcnicas de optimacin.
9. Anlisis estadistico.
Aplicacin al Estudio de varios Circuitos.
l. Estudio de un filtro en tecnologia microcinta.

2. Estudio de un amplificador a transistores (lineal y
no lineal)
3. Estudio de un mezclador a diodos.
4. Estudio de un oscilador a transistor.
Concepcin de los Circuitos Integrados Monoliticos.

l. Fundidora MMIC (tecnologa, componentes).
2. Modelos de fundidora (elctricos y mascarillas).
3. Metodologa de concepcin de un MMIC.
4 Clulas de diseo parametrables.
5. Aplicacin a la concepcin de un amplificador .
INTRODUCCION.
Los circuitos microondas son realizados ya sea en tecnolog1a

microelectrnica hibrida, ya sea en tecnologia monolitica.
En tecnologia h1brida, es posible diseflar y fabricar un
circuito utilizando una simulacin a partir de modelos muy
simplificados, y enseguida ajustar ciertos elementos del circuito
terminado.
En tecnologia monolitica toda modificacin del circuito
terminado est excluida, por lo tanto es indispensable disponer de
medios de simulacin poderosos apoyndose sobre modelos muy
completos.
Actualmente la tecnologia tiende a desarrollarse ms y ms, y
esta evolucin de la tecnologia implica un cambio en la metodologia
de concepcin de circuitos. El procedimiento clsico de desarrollo
de un circuito descrito en la figura 1 debe modificarse en
beneficio de .un procedimiento de concepcin asistido por
1
computadora descrito en la figura 2.
ESPECIFlCACIONES
FUNCIONALES Y
CARACTERISTICAS
DATOS DEL CIRCUITO DEL CIRCUITO
-TOPOLOGIA
-COMPONENTES l
CONCEPCION DE UN
CIRCUITO INICIAL.
l
_l REALIZACION DE UNA
MAQUETA
MODIFICACIONES DE
LA MAQUETA
~
MEDICIONES
NO~SI CORRECTAS
1 FIN 1
FIG.1 PROCEDIMIENTO CLASICO DE CONCEPCION DE UN SISTEMA.

ESPECIFICACIONES
FUNCIONALES Y
CARACTERISTICAS
DEL CIRCUITO
METOOOS DE SINTESIS
DATOS DEL CICUITO
NO
MOOIFICACION DE LA TOPOLOGIA
REALIZACION DEL. CIRCUITO
r - - - , SI NO
FIN
~-IG.2 CONCEPCION ASISTIDA POR COMPUTADORA DE UN CIRCUITO.
Esta aproximacin hace que aparezcan un cierto nmero de

aspectos que no pueden 'ser ignorados tales como el modelado
correcto de los componentes utilizados la enunciac1on y la
resolucin de las ecuaciones de la red elctrica.
En esta parte vamos a presentar la arquitectura general de un

paquete de CAC asi como los mtodos de anlisis de los circuitos
funcionando en rgimen lineal y no lineal, despus examinaremos
algunos circuitos simples tales como los filtros, osciladores, ...
Terminaremos presentando las caracteristicas esenciales de los
circuitos integrados monoliticos sobre arseniuro de galio.
PRINCIPIOS GENERALES DE LA CAC.
1. Arquitectura de un paquete de CAC.
El papel de un paquete de CAC es el de simular el

comportamiento de un circuito. El debe proporcionar al usuario los
medios para describirlo, para estudiar su comportamiento y para
modificar los parAmetros para satisfacer al mAximo los objetivos
fijados. AdemAs debe poder permitir la edicin de los resultados y
el . diseo de las mascarillas permitiendo su realizaci_!1. Esta
sucesin de operaciones esta representada por el diagrama de la
figura 3.
DESCRJPCION DEL
CIRCUITO
~OCELOS 1 COMANDOS
1 1
TOPOLOGIA INICIAL
.
1 1
ANAUSIS ANAUSIS ANAUSIS
SENSIBILJ()ID OPTIIAACJON
ESTADISTICO DE RUIDO ELECTRICO
1 1
EDICJON DE
RESULTADOS
DISENO DE
MASCARIUAS
. FIG.3 ARQUITECTURA DE UN SIMULADOR.
Las cuatro etapas esenciales son:
El modelado de los componentes permitiendo pasar del

circuito fisico a un conjunto de ecuaciones tratadas numricamente .
Se sustituye entonces a cada elemento de un circuito un modelo

matemAtico comprobado por la experiencia.
- El anlisis del circuito que se descompone en dos partes. El
desarrollo de ecuaciones segn un formalismo permitiendo obtener un
sistema de ecuaciones que describan el comportamiento del circuito.
La resolucin de este sistema por tcnicas de anlisis numricoa
fin de determinar las variables elctricas necesarias al disefiador
(funcionamiento, sensibilidad, estadistica, .. ).
- La optimacin del funcionamiento permitiendo la bsqueda-de
parmetros del circuito ptimos en relacin a un objet~vo
considerado.
El disefio de las mascarillas ligado a la tecnolg1a
utilizada lo que impone un estudio de la influencia de los
elementos parsitos sobre el funcionamiento global del circuito.
2. Descripcin del circuito.

Esta primera etapa concierne la definicin de la topologia y
del valor de los elementos. Es a partir de esta descripcin que el
simulador va a construir la estructura de datos que representar al
circuito en la fases subsecuentes del estudio.
Dos tipos de descripcin son utilizadas:
-la "Netlist (lista de la red).
- La adquisicin por diagrama.
2.1. Netlist.
El circuito se describe en forma de una lista de ramas, una
rama estando compuesta de nodos de conexin y de un elemento
definido por un tipo y de valores de parmetros. Esta descripcin
esta regida por reglas y utiliza palabras claves. El simulador
efecta un anlisis d! lxico (reconocimiento de los trminos) y
un anlisis de sintaxis (verificacin de las reglas) para validar
la descripcin del circuito.
La figura 4 muestra un ejemplo de un circuito con la
descripcin correspondiente en forma de NETLIST.
Este tipo de descripcin es la ms antigua, en el caso de un
circuito complejo la lectura y la localizacin de errores puede ser
laboriosa.
\
ESQUEMA DEL CIRCUITO

1nH O.5nH . . LISTA NODAL
,,,,G+ ~~'"
1 2 3
10 CAP C= O, 11pf
12 IND L= 1nH
20 CAP C= 0.2pf.
23 SRLC L= O.SnH C=1pf R=O
30 IND L= 1nH
FIG.4 DESCRIPCION EN FORMA DE LISTA NODAL.

,_
2.2. Adquisicin por diagrama.

Las nuevas generaciones de simuladores han integrado una
interface grfica permitiendo disear en pantalla, con ayuda de
mens, el circuito a analizar.
La lectura es ms fcil, los riesgos-de error por descripcin
son menores y la descripcin es ms rpida.
Esta interface grfica genera un netlis, equivalente a la
descrita anteriormente, utilizada por el s'imulador.
La figura 5 muestra la adquisicin por diagrama
correspondiente al circuito de la figura 4 .
Una vez efectuada esta etap3 de adquisici6n de informaci6n, el

simulador debe generar las estructuras en forma de matriz que
permitan el anlisis del circuito. Estas estructuras son funci6n de
la topologa y de los valores de los elementos. Es necesario
entonces asociar a cada tipo de elemento un valor, por medio de un
modelo, que dar cuenta en forma numrica el comportamiento fsico
del elemento.
3. Modelado de los componentes.
El modelado debe permitir una definicin de los elementos

pasivos o activos, lineales o no lineales, compatible con la
utilizacin de programas de clculo.
Las expresiones obtenidas de este modelado deben ser lo
suficientemente simples los tiempos de clculo demasiado grandes.
Esto excluye la resolucin de un modelo fsico utilizando bsquedas
de soluciones iterativas partiendo de las ecuaciones de
electrrnagnetismo o de la fsica de semiconductores.
Los modelos utilizables deben entonces ser obtenidos sea en
forma de tablas, sea en forma de ecuaciones analticas.
3.1. Modelado de los elementos lineales.
Este modelado incluye los elementos elctricos ideales

(resistencias, inductancias, tramos de linea) y los elementos
relacionados con la tecnologa (linea microcinta, transistor, ... ).
En el caso de los elementos elctricos ideales, el modelado es

simple ya que existen relaciones de corriente-tensin de forma
analtica exacta. La figura 6 muestra dos ejemplos de elementos,
uno a constantes localizadas y otro a constantes distribuidas.
Zc,8
(1)= (Y). (V)

oh (8d) -1)
(Y) =zc.~h(Pd) ( -1 oh (pd)
ELEMENTO ELEMENTO DISTRIBUIDO
FIG.6 MODEUZACION DE ELEMENTOS IDEALES.

El caso de los elementos fisicos relacionados con la
tecnologia es ms delicado porque no existen, en general,
relaciones analticas exactas entre la corriente y la tensin. Dos
tipos de modelos pueden entonces ser utilizados:
3. l . 1 Modelo tabulado.
El elemento est. caracterizado por una matriz (Y],[Z) 6 (S)

definida por los valores numer1cos a puntos discretos de
frecuencia. Estos valores numricos se obtienen ya sea a partirde
mediciones con el analizador de redes, ya sea por anlisis numrico
electromagntico de la estructura. Los puntos son eventualmente
interpolados si unos valores estn ausentes en el anlisis.
3.1.2. Modelo analtico aproximado.
El comportamiento del elemento est entonces representado sea

por expresiones analiticas aproximadas, sea por un esquema
equivalente elctrico lineal. La figura 7 muestra el ejemplo de la
linea microcinta para la que se utilizan expresiones analiticas
aproximadas permitiendo determinar la imped-ancia caracterstica, y
la constante de propagacin.en funcin de los parmetros fisicos y
asila deduccin de la matriz [Y).
(" ~' -' )

w t.
Zc~f(w,h,Er,t)
1
h Er
Eeff ~(w,h,Er,t) (rJ~ - 1.
Zc :h d
Zc sh d Zc th d
j - -
ESTRUCTURA FlS!CA EXPRESIONES CALCULO DE (?')
APROXIMADAS
. FIG.7 MODELO ANALITICO APROXIMADO DE UNA LINEA MICROCINTA
La figura 8 presenta la utilizacin de un esquema elctrico

lineal equivalente para una inductancia espiral realizada en
tecnologia monolitica. En este caso los valores de los elementos
del esquema equivalente estn relacionados por expresiones
analiticas a dimensiones geomtricas de la inductancia .

lo
C3
La(w,s,n ....)
L R C1 =(w.s.n... )
EXPRBIONES
_,~ w ESQUEMA ELECTRICO ANAUllCAS
BTRUCTURA FlSICI- EQUIVALENTE APROXIIIAOAS
FIG.8 ESQUEMA EQUIVALENTE DE UNA INOUCTANCIA ESPIRAL.
La figura 9 representa de la misma forma la utilizacin de un

esquema elctrico equivalente lineal, pero para un elemento activo
tal corno un transistor a efecto de campo. Los diferentes elementos
del esquema equivalente estn relacionados a los parmetros fisicos
y e lotr i (10fil oel tr<1n10 i t3tor por exprefil ionet3 <~n<~l t ic<~fil <~prox im<~d<~t3,
flerft neueAnr 1o e11 estP <Jaso ins!stlr sobte 1a Y.l\~mQJ;ili,
el componente estando representado por un esquema elctrico lineal,
este modelo no es utilizable que para un anlisis del
funcinarniento a "pequea seal".
Ry c9d
~~,-~-r--~~c,~.~-
c,, lv d
Ro
~----~-----~----------
gnzaf{w,ld, ...}
FIG.9 ESQUEMA EQUIVALENTE LINEAL DE UN ELEMENTO ACTIVO.

Nota importante: Los modelos de los elementos f1sicos
relacionados a la tecnolog1a deben estar comprobados o validados
por mediciones, estos poseen entonces un dominio de validez.
3.2. Modelado de los elementos no lineales.
Este tipo de modelado concierne particularmente los elementos

activos, tales como los componentes semiconductores, cuyo
comportamiento es esencialmente no lineal. Es necesario entonces,
tenerlo en cuenta en los-modelos.
El modelado exacto de estos componentes debe hacerse a partir

de la resolucin de las ecuaciones de la f1sica de los
semiconductores, este tipo de modelado conduce a volmenes de
c1ilculo~ tan grandes que no es posible actualmente considerarlos
para determinar.
el estado elctrico del circuito.
.
La aproximacin utilizada en los paquetes d CAC consiste en
modelar los componentes semiconductores por asociaciones de dipolos
no lineales cuyas caracteristicas est1in representadas por
expresiones analiticas aproximadas.
La figura 10 representa algunos ejemplos de dipolos no

lineales.
FUENTE OE
CORRIENTE
NO UNE'Al
FUENTE OE CORRIENTE
COMANDADA NO
UNE'Al
q=f(v)
1=~ CARCA NO UNE'Al
dl
FIG.1 O EJEMPLOS DE DIPOLOS NO LINEALES.

'~
Las expresiones anal1ticas aproximadas que caracterizan los

diferentes dipolos no lineales se obtienen generalmente a partir de
mediciones asociadas a procedimientos de optimaci6n, esto requiere
una definicin precisa de los componentes.
La figura 11 muestra el modelo no lineal de un transistor a
efecto de campo. La topolog1a asocia dipolos no lineales y dipolos
lineales. Los dipolos no lineales representan los fenmenos
fundamentales (corriente de conduccin, carga almacenada, ... )
mientras que los dipolos lineales estn asociados a los elementos
parsitos (resistencias de acceso, capacidad de la envolvente
metlica, ... ) .
La determinacin de las ecuaciones utiliza principalmente dos
tipos de medicin :
Mediciones I=f(V).
Estas mediciones se efectan ya sea en condiciones estticas
o ya sea en condiciones de impulso. El segundo mtodo permite
eliminar problemas ligados con la temperatura y con los efectos de
"trampa". Estas mediciones permiten determinar las resistencias de
acceso y las fuentes de corriente no lineales.
Mediciones de parmetros (S).
Estas mediciones se efectan para varios puntos de
polarizacin a fin de caracterizar la no linealidad de las cargas.
Estas mediciones permiten igualmente obtener los elementos lineales
del modelo.
Ry Rd Ld
ldg
lds lds=f(Vgs,Vds)
lg vgs Cds
IFf(Vgs)
ldg=f(Vdg,Vgs)
Qgs=f(Vgs,Vds)
Rs
FIG.11 MODELO NO LINEAL DEL TRANSISTOR "MESFET'

Se debe sealar la relacin entre el modelo no lineal y el
modelo lineal para un componente activo. Los elementos del modelo
elctrico lineal se deducen siempre del modelo elctrico no lineal
al derivar las fuentes de corriente y las cargas de control. La
figura 12 da una ilustracin para la fuente de corriente de
drenador de un transistor.
id
lds gd
Vgs
gm.vgs
lds=f(Vgs,Vds) id= ~vgs+ 8f. vds

8Vgs 8Vds
~-
gm gd
NO LINEAL LINEAL
FIG.I2 PASO DEL MODO NO LINEAL AL MODO LINEAL.
4. Establecimiento de ecuaciones de los circuitos.
Despus de la etapa de modelado y de descripcin del circuito,

se deben expresar o establecer las ecuaciones de la red as1
constituida. Este establecimiento debe hacerse de forma compatible
con un tratamiento de informtica ulterior.
Dos tipos de ecuaciones son a considerar: por una parte las
ecuaciones topologicas del circuito y por otra parte las ecuaciones
consti tu ti vas de cada rama o de los componentes multipuertos
(transistores por ejemplo).
Las ecuaciones topolgicas no dependen d~l tipo de anlisis

efectuado (dominio de frecuencia o temporal). Ellas.constituyen las
ecuaciones de Kirchoff relativas a las corrientes y a las
tensiones.
El establecimiento de las ecuaciones de descripcin de las

ramas. depende del mtodo de anlisis escogido. En el caso de ramas
lineales (resistivas o reactivas) una descripcin en el dominio de
frecuencia est totalmente adaptado mientras que en el caso de
ramas no lineales (fuentes de corriente, carga) una descripcin
temporal se impone. En efecto, todos los elementos no lineales
pueden estar descritos por una.relacin de tipo:
y( t) =FNL(X( t))
~.1. Ecuaciones topolgicas dg la red.
El mtodo ms utilizado es el mtodo nodal que expresa en

forma de matriz las leyes de Kirchoff en corriente y en tensin.
si considerarnos una red conteniendo N+l nodos y B ramas. Es

posible definir vectores
(I) = [:J VECTOR DE LAS CORRIENTES DE RAMA .
(V)oo .[V']
: VECTOR DE I.AS TENSIONES DE RAMA.
V,
(Vn) =
Vnll
inN vector de los potenciales de los nodos en relacin
[
al nodo considerado como referencia.
La ley de kirchoff de. las corrientes a N nodos independientes

se escribe:
(A) . (I) =O
La matriz (A) de dimensin N*B es llamada matriz de

incidencia. Los trminos de esta matriz valen -1,0 o 1 y estn
determinados con ayuda de la regla siguiente.
1 si la rama j sale al nodo i }
A;J= {
-1 si la rama j entra al nodo i
o en otro caso
La ley de kirchoff de las tensiones relaciona las tensiones de

las ramas y los potenciales de los nodos.
(A) t. (Vn)- (V) =O
(A)' es la matriz transpuesta de la matriz de incidencia.
Estas dos ecuaciones constituyen las ecuaciones topolgicas de la
red. Ellas estn asocidas a las.ecuaciones descriptivas de las
ramas.
4;2. Ecuaciones de descripcin de las ramas.
Estas ecuaciones dependen de la naturaleza de las ramas

consideradas.
a) cuando todas las corrientes de rama estn comandadas en

tensin, es posible escribir
(I);g[(V))
sustituyendo en las ecuaciones de Ki:r;choff
Ecuacin que permite determinar los potenciales de los nodos.
b) Cuando ciertas corrientes de rama no estn comandadas en

tensin, se considera un vector corriente (I, ) correspondiente a
las N, ramas no comandadas en tensin. Este vector esta considerado
corno una incgnita suplementaria.
Las leyes de Kirchoff permiten escribir:
G[ (Vn), (Ic)) ;Q
Las relaciones caracteristicas de las Nc rarnas.no comandadas

en tensin pueden escribirse bajo la forma general
f[ (Vn), (Ic) J ;Q
(V.) y (I,) estn determinadas por el sistema de ecuaciones

G[ ( Vn)' (Ic) l =O anlisis nodal modificado
F[ (Vn), (Ic)) =O
Los operadores G y F son sea lineales o no lineales siguiendo

la naturaleza de las ramas.
Los mtodos de resolucin utilizados difieren segn la
naturaleza de estos operadores.
,,
5. Circuitos lineales. Anlisis en frecuencia.
La soluci6n general, para una excitacin dada, se obtiene por
superposicin del anlisis efectuado para cada componente del
espectro de la excitacin. El anlisis de un circuito lineal puede
entonces efectuarse simplemente en el dominio de frecuencia.
El modelo general de una rama a una frecuencia f es el de la
figura 13.
La ecuacin de esta rama es r, = J, + 11, (V, - E.l
Introduciendo los vectores excitacin independientes en

corriente y en tensin (J) y (E) y una matriz de admitancia de
ramas (Y), la relacin corriente-tensin en el dominio de
l
frecuencia para toda la red se escribe
( I) = ( J) + (Y) [ (V) - (E) ]
Reportando en las ecuaciones de Kirchoff, llegamos a la

ecuacin nodal de la red
(Yn)=(A) (Y) (A)' y (.T,)=(A) [(J)-(Y). (E)]
La determinacin de (Vn) 66rres~ond~ ~ la resolucin de un

sistema lineal de ecuacion~s algebraicas. La resolucin hace un
llamado a tcnicas numricas clsicas tales como la eliminacin de
GAUSS, la factorizacin Lo o tcnicas de matrices hondas.
"U : ~ ',, ' ',:

FIG~ 13 MODELO GENERAL DE UNA RAMA LINEAL
EN REGIMEN ARMONICO.
En el dominio de las microondas, la nocin de multipuerto es

muy utilizada. Este se define por una matriz (S), (Z) y (Y). En
este caso, existen nodos particulares conectados a impedancias de
referencia. Estos son los accesos del multipuerto.
Sea M el nmero de accesos, los potenciales a estos M nodos y
las corrientes en las M ramas de referencia son determinadas por el
mtodo de anlisis nodal. Es entonces posible definir vectores de
corriente y tensin a los accesos:
1
( I) = I : 1y (V) = [Vnll
: .
[
IM .
.
v,, .
R, o o o o o o
Zul
o R2 o o o Zoi o o
(R) = ( Za) =
o o o o o o
o o o RM o o o ZoM
1
con Ri=
2JRe(Z0 )
Determinamos entonces los vectores ondas incidentes (a) y

ondas reflejadas (b) por:
(a)= (R) [(V)+ (Z0 ) (I)]
(b)=(R)[(V)-(Z0 ) ' (I)]
(b) =(S) (a)

permitiendo determinar la matriz (S) por
Apliquemos este mtodo a un ejemplo simple cuyo esquema
elctrico se indica en la .figura 14.
FIG.14 TOPOLOGIA DE LA RED ANALIZADA EN EL EJEMPLO.
Es fcil determinar las diferentes matrices de rama
. (A)=
1 1
(o 1
O -1 J
o
(E)=
(
ve)
o
g (Y) =
[
1/ R O .
O jCw
O
O
O
O 1/ j L 1 w
O
O
~
l

o o o 1/JL2 w
El clculo de las matrices de nodos se efecta ~ntonces
y
.{'/
(Yn) =(A) (Y) (A) t= [~ -1

jL 1 w
(Jn) = -(A) (Y) (E)= (-E)

La ecuacin (Yn) (Vn) = - (Jn) permite determinar (Vn) por
inversin de la matriz (Yn).
La figura 15 representa los espectros de la excitacin y de la

respuesta de un circuito lineal .
.
FIG.15 RELA.CION ENTRE LOS ESPECTROS EXCITACION RESPUESTA

EN UN CIRCUITO. LINEAL.
6. Circuitos no lineales. Equilibrio espectral.

'
En el caso de un circuito no lineal, no es posible la
definicin de ecuaciones de descripcin de ramas en el dominio de
frecuencia, en efecto las no linealidades inducen deformaciones de
las seales traducindose en el dominio espectral por la aparicin
de componentes a frecuencias armnicas de la seal de excitacin.
En el c~so en el cual varias seales de excitacin independiehtes
son aplicadas al circuito, las frecuencias en juego comprenden por
una parte los mltiplos de las frecuencias de excitacin
(armnicas) y por otra parte las combinaciones lineales de estas

mismas frecuencias "(productos de intermodulacin) .
'lO
Las ecuaciones de la red pueden entonces ser resueltas en el

dominio temporal. Las ecuaciones de las ramas y la ley de los nodos
permiten obtener un sistema de ecuaciones diferenciales no
linea les, Estas ecuaciones se pueden resolver por mtodos de
integracin numricos bien conocidos que no sern descritos aqu1.
En el caso de los circuitos microondas, la integracin en el

dominio del tiempo se enfrenta a varias dificultades. La primera
est ligada a la discretizacin del tiempo desde el origen t=O, una
buena precisin impone un nmero de puntos suficiente por perido
de la seal; esto puede conducir a tiempos de anlisis importantes
en particular cuando el rgimen transitorio es muy largo. Este caso
es muy frecuente en microondas, donde los circuitos distribuidos
estn frecuentemente desadaptados y donde los coeficientes de
sobretensin son tambin importantes.
La segunda dificultad proviene de la dificultad de descripcin

de los circuitos distribuidos y dispersivos tales corno las lineas
microcinta.
El mtodo d~ equilibrio espectral es un mtodo hibrido ternpo-

frecuencial que torna en cuenta particularidades de los circuitos
microondas:
La mayor parte del circuito es lineal, slo un nmero

pequeo de ramas cor~esponde a relaciones no lineales.
Las excitaciones son frecuentemente peridicas y el
inters del diseador se concentra esencialmente sobre el
funcionamiento en rgimen establecido.
Este mtodo busca entonces a priori una solucin estacionaria,

describiendo los elementos no lineales en el dominio temporal y los
elementos linealsen el dominio de frecuencia.
La representacin temporal y frecuencial estn ligadas por la
transformada de Fourier y las redes lineales y no lineales estn
interconectadas. El equilibrio espectral consiste en igualar las
soluciones de los anlisis de las redes lineales y no lineales para
todas las frecuencias en cuestin;
6.1. Particin del circuito.
El circuito est dividido en un subcircuito lineal y en un

subcircuito no lineal teniendo el mismo nmero de nodos de
interconexin N11
La figura 16 representa la divisin de un circuito.
Las fuentes independientes de excitacin y el subcircuito

lineal estn representados en el dominio de frecuencia, el
subcircuito no lineal est representado en el dominio temporal.
Z{
I(W) ;(t)
"----~
Eql 1 v1 (w)l
SUB.CIRCUITO 1 SUB.CIRCUITO
LINEAL 1 NO LINEAL
111 (w):
IJJnll Q~ V11 (w)f
L::.-~-----'
fU[NTES INDlPENDIENI[S -1
DE EXCITACION. __,;}'---- DOMINIO TE~PORAL
DOMINIO FRECUENCIAL __,!'!'-----
FIG.16 DIVISION DE UN CIRCUITO NO LINEAL PARA

EL ANALISIS DE TIPO EQUILIBRIO ESPECTRAL.
6.2. Establecimiento de ecuaciones.
El subcircuito lineal y las fuentes independientes se ponen en

ocuacioneo f~cilmente utilizando los mtodos descritos
ilntoriormonte.
Si el circuito contiene M fuentes indepndientes y N,

interconexiones, la relacin entre las corrientes y tensiones en
los nodos de interconexin a una frecuencia fo es de la forma:
(Iw) y (Vw) son vectores de corriente y tensin en los nodos

N, de int.erconexin.
(Yw) es una matrizcaracteristica del subcircuito no lineal y
(Gw) es un vector que describe las fuentes independientes.
Estas matrices y vectores caracterizan el circuito en los N0
nodos de interconexin a la frecuencia f. Las dimensiones son
entonces N1,*N, para (Yw) y N, para (Gw), (Vw) -y (Iw).
El subcircuito no lineal est representado por una relacin

tipo matriz en el dominio temporal .
. (i(t)) ;fNL( (V(t))]
i(t) y v{t) son los vectores de tensin y corriente ~n los N0

nodos de interconexin.
En rgimen establecido, las formas de onda son peridicas y
pueden descomponerse en series de Fourier.
En <>t>te estado la hiptesis fundamental debe estar hecha

cunsldorando el nmoro de frecuencias a tomar en cuunta.
Las seales pyeden ser aproximadas por un nmero limitado de

frecuencias.
Consideremos el nodo de interconexin j, y sea NH el nmero de

armnicas consideradas
Wo es la pulsacin correspondiente al perido del rgimen

establecido.
Las tensiones en los nodos de interconexin se representan

entonces por un vector (V) de dimensin Nu(2NH+l), cada componente
correspo,nde a un trmino de la descomposicin en serie de Fourier
de las corrientes a los diferentes nodos de interconexin.
1vi " ( v, N , ... v' N1/ , v, ' -N , ... v.,N , - ... vN -N , .... , vN
' 1/ /1 o. JI " jU /(
M
!"'/1
1' .
La relacin no lineal permite deducir un vector corriente no

lineal (IN 1.l conteniendo igualmente los componentes de las
descomposiciones en serie de Fourier de las corrientes en los nodos
de interconexin del subcircuito no lineal'
La relacin corriente tensin del subcircuito lineal permite

determinar un vector corriente lineal: (IL) de dimensin N0 NH
conteniendo las componentes de las descomposiciones en serie de
Fourier de las corrientes en los nodos de interconexin del
subcircuito lineal.
{1 1_) ; ( Y) ( V) + ( G)
La matriz (Y) y ~1 vector (G) contienen los trminos

correspondientes a las N" armnicas para los Nu nodos de
interconexin. La solucin estacionaria se obtiene determinando un
vector (V) tal que los vectores corriente sean idnticos para el
subcircuito lineal y el subcircuito no lineal.
La ecuacin del equilibrio espectral puede escribirse entonces
de la Hiqui~nte forma:
F'NL f ( V) ) + ( Y) ( V) + ( C) = 0
Esta ecuacin es -no lineal y se resuelve por un mtodo

iterativo. Es el ciclo del equilibrio espectral.
6.3. Resolucin de la ecuacin. Ciclo de equilibrio.
La resolucin para un mtodo iterativo impone la determinacin

de un valor inicial del vector (V).
Este valor inicial se obtiene las ramas no lineales alrededor
del punto de funcionamiento esttico y efectuando un anlisis en
frecuencia del circuito que est entonces considerado como
totalmente lineal. Sea (V)o este vector.
Lil parte lineal de la ecuacin es entonces calculada ,en el
dominio en frecuencia (Y,) (V) o + G y la parte no 1 ineal en el
dominio temporal despus de haber utilizado la transformada de
Fourier directa e inversa.
fNL ( )
(V) o -- .l(t) o
Una corriente de error es entonces calculada (INL)o + (YL) (V)o

+ (G) = (I "'"') y un procedimiento iterativo es utilizado para
modificar el vector (V) hasta obtener la anulacin de todos los
trminos del vector corriente de error.
El algoritmo ms eficaz es el mtodo de Newton-Raphson

utilizando la matriz Jacobina de la corriente de error.
La figura 17 indica un sinptico del cicio de equilibrio.
La eficacia numrica es directamente proporcional al nmero de

armnicas. Ms el nmero de armnicas es grande, ms la
aproximacin por series de Fourier est prximo de la seftal real
pero ms el tiempo de clculo aumenta. Inversamente, si N" se
escoge demasiado pequefto, el nmero de armnicas es insuficiente
para representar las formas de onda de la seftal .
El clculo de la transformada de Fourier utiliza clsicamente

un algoritmo de FFT. cuando una sola excitacin se presenta, el
clculo es simple puesto que los componentes en frecuencia son
mltiplos enteros de la pulsacin fundamental Wo .. En el caso de
varias excitaciones, las frecuencias son generalmente no armnicas
las unas de otras, la aproximacin la ms simple consiste a escoger
la frecuencia fundamental del rgimen permanente corno el dividendo
comn ms grande de las frecuencias de las excitaciones. En ese
caso existe una redundancia de los clculos muy costosa en tiempo
y en memoria. Varias tcnicas han sido propuestas utilizando
transformaciones de Fourier particulares o tcnicas de tratamiento .
de seal, en el marco de este curso nosotros no explicaremos esta
tcnicas diferentes.
6.4. Eiernplo de anlisis.
Aqu retornaremos el circuito simple de la figura 14

agragandole un elemento no lineal de la forma de un diodo cuya
caracteristica es:
La topologia se indica en la figura 18.
j:" - - - ; - - - L-,-- - - -,-- 1 id(0 l

1 1 1
1 1 vd(tj
1
1 e L2 : 11
1 VE 1 1
1
1 1
1
L ________. ---~-J
FIG. 18 CIRCUITO NO LINEAL ANALIZADO.
Entonces, es posible separar el circuito en dos subcircuitos,

utilizando un slo nodo de interconexin. La particin del circuito
est representada en la figura 19.

Po\! O~
1'Ol.A/\1 /.ACit'N
- f-UENTES De Exc:IIACION
j
- DEIERMINACION DEL PUNTO DE
. FUNCIONAMIENTO ESIAIICD
- LINEARIZACION DE LAS ECUACIONES
- ANALISIS LINEAL FRECUENCIAL
~
VALOR LINEAL DE (V)
j --
TRANSFORMADA DE FOURIER
INVERSA
(V~))
,.
j
ANALIISIS TEMPORAL
SUB-CICUITO NO LINEAL
MODIFICACION
DE (V)

ALGORITMO DE TRANSFORMADA DE FOURIER
NEWTON-RAPHSON DIRECTA
.(7
FNL[(V)]
-
j
-
ANALISIS fR[CUENCIAL
SUB-CIRCUIIO LINEAL ]
. T
CALCULO DE LA CORRIENTE
DE ERROR
NO~ lerror)=O
SI
FIN
'
FIG. 17 SINOPTICO DEL CICLO DE EQUILIBRIO
z,
r----;---L1--l i(t ;- - ,
1
1 .--c:=:::J--.,_., -j---4-1..., 1
1 1 1 : 1
1
e 1
l2 1 V v{t) 1 1 i 1
1 1 1 : 1
1 1
--+----+--'
L__________ J
1
L~-J
SUB CIRCUITO LINEAL . SUB CIRCUITO NO LINEAL
FIG.19 PARTICION DEL CIRCUITO NO LINEAL.
El espectro de VE comprende una componente a la frecuencia

Wo, el valor de (V) contiene NH componentes correspondientes a las
frecuencias Wo,2Wo, ... , NH Wo.
El ciclo de equilibrio es entonces el siguiente.

(V) anlisis frecuencial,. (I )
subcircui to lineal L
( INL)
1'F
v( t)
anlisis temporal i ( t)
subcircuitonolineal
La solucin se obtiene cuando (Ierror) ~ o para todas las

frecuencias en juego.
La figura 2 O representa los espectros de las tensiones . y
corrientes enseguida de la evaluacin de corriente de error.
~
ANAUSIS FRECUENCIAL
ESPECTRO DE CORRIENTE liNrAL

~---- -----
AJUSTE DEL
ESPECTRO DE
TENSION (VOLTAJE)
ESPECTRO DE LA TENSION ESPECTRO DE CORRIENTE ERROR
-1
TF
cSIYCTilO OE COf<IIIENTc N() LINl Al
TF
. ANALISIS TEMPORAL
\J
FORMA DE ONDA DE LA TENSION FORMA DE ONDA DE CORRIENTE
riC.?O ESPECTROS DURANTE LA EVOLUCION DE LA CORRIENTE ERROR.
La figura 21 da una representacin imagen de la evolucin de
los espectros durante el ciclo del equilibrio .

(1)
(V)
ITERACION 1
fl OPTIMIZACION
~~
(1)
1(V) 1 ! (lerror)
1 (1 ~11 )
111: :.'1 LVIJI IICIUN IJL I_QS L(J'LCII\U'; DlJI(ANil~ [L CICLO DE [QUIIIIII!IO .
6.5. Caso de los circuitos autnomos.
El mtodo del equilibri espectral que viene de ser presentado

no es aplicable:que en los casos donde existe al menos una fuente
independiente aplicada al circuito (circuito no autnomo). En este
caso las frecuencias de anlisis estn completamente determinadas
por las combinaciones de las armnicas de las frecuencias impuestas
por las fuentes independientes .
.En el caso 'de los circuitos autnomos, tal como los

osciladores, las frecuencias no son conocidas a priori y no existe
una fuente que permita asegurar el arranque de las oscilaciones.
Este h'echo 'i'nipone dos modificaciones para el ut-i'lizacin del

mtodo de equilibrio espectral.
-La frecuencia fundamental fo debe ser modificada durante el

ciclo de equilibrio espectral. Las frecuencias tomadas en
cuenta en el anlisis son las NH armnicas de fo.
-Es necesario-para poder analizar el circuito insertar una

fuente independiente en serie en el ciclo del oscilador. La
potencia y la frecuencia de estas fuentes son modificadas por
el algoritmo del ciclo de equilibrio a fin de _buscar una
solucin estacionaria correspondiente a dos estados elctricos
idnticos, para todas las frecuencias analiz'adas, de una :arte
y otra de la fuente. Es entonces posible suprim~ esta fuente
..
sin perturbar
. el funcionamiento del oscilador.
7. Anlisis en ruido de los circuitos lineales.
Uos tipos d~ anjlisis son 11tilizados para estudiar el ruido en

los 'circuitos lineales. El anlisis de ruido en' los circuitos no
lineales es actualmente un dominio importante de estudio que
nosotros no abordaremos puesto que sale del marco de este curso,
nosotros sealaremos simplemente la utilizacin de la matriz de
conversin y de la matriz de correlacin que permiten simular el
funcionamiento en ruido de fase de los osciladores.
7.1. Anlisis nodal.
En este caso las ramas de la red son consideradas como

ruidosas y pueden estar representadas por uno de los esquemas de la
figura 22: En el. caso del anlisis nodal la representacin
admitancia es la ms utilizada.
Cada rama est representada por un generador de ruido

caracterizado ~or su valor cuadrtico medio. Los generadores de
ruid de ramas diferentes no son siempre independientes, por lo que
es necesario representar su independencia por un coeficiente de
correiacin normalizado
.,
z
. y
=4kTt.fRe(Y) ,. <e2n >=4kTt:.fRe(Z)

REPRESENTACION EN ADMITANCIA REPRESENTACION EN IMPEDANCIA
.
FIG. 22 REPRESENTACION DE. RUIDO EN. UN DIPOLO.
Efectuando un anlisis nodal lineal, es entonces posible

determinar las tensiones y corrientes de ruido en'todos los puntos
de la red. Se debe notar que estas variables se deben ajustar en
valor cuadrtico medio cuando no estn correlacionadas y que es
necesario terier en cuenta el coeficiente de correlacin en el caso
contrario. En el caso de dos seales la relacin es la siguiente
<i~1> + <i~2> +2RE ( <i;1i;2>)
7.2. Anlisis tipo guadripolo.
La representacin en ruido de los quadripolos puede tomar tres

formas indicadas en la figura 23.
El anlisis del circuito se hace entonces utilizando los

mtodos de asociacin de quadripolos.
Este mtodo es aplicable para analizar un circuito fuera de.
los problemas de ruido. Esto significa una descomposicin del
circuito asociando quadripolos con las reglas elementales de
asociacin serie, paralelo y en cascada.
-n1 0
~
-
11
V11 (Z) Vz!

- lz'
(Cz)ac1 1> <1 2>)
<en en > <en en >
1 2 2 2
MAlRIZ DE CORRUACION EN IMPEDANCIA
REPRESENTACION INPEDANC~
-
11
V 11 (Y) ,l
1
-- V2
lz
(Cy)=
e1 n 11 n 1> <1 n 11 n 2>)
n2
In <1 n 1 n >
1 2 2 2
MAlRIZ DE CORRUACION EN ADNrTANCIA
REPRESENTACION AD~rTANCIA
-11
(e)
-
! Vz
lz
(C el= e .. > <n in>)

< en ,. n > < in i n >
MATRIZ DE CORRUACION EN CASCADA
REPRESENTACION CASCADA
FIG.23 REPRESENTACION DEL RUIDO EN UN OUADRIPOLO.
La figura 24 indica las reglas de asociacin de las matrices

caracter1sticas de los q~adripolos y de las matrices de
correlacin.
B. Tcnicas de optimacin.
El inters de un . procedimiento de optimacin es el de
determinar los mejores valores de los diferentes parmetros de un

circuito para lograr una respuesta deseada. Esto , es obtenido
ASOCW:tOH EN SERIE
r------,
i i
1 (Z,) 1
1 1 (Z) {Z,)+(Zz)
1 1 {Czl {Cz,)+(Cnl
1 '- 1
(Zz)
!
1 (Z)
L-.-. --...J
---,
M= (v1 l+("2l
(Cy) {Cy 1)+{Cyz)
(Y)
L - . _ . - - - - - - __j
ASC>CIACION EN CASCADo\
r-----
{C) (C )+{C )
{C0) (C1 )(Cc:)(C 1)+(Cc1l.
1 ( C) . 1
_,j
L -- - - - - - -
FIG.24 ASOCIACION DE OUADRIPOLOS RUIDOSOS.
minimizando las diferencias entre la respuesta para los valores de

inicio de los parmetros y la respuesta deseada para el circuito,
se trata entonces de un procedimiento iterativo.
El funcionamiento de un procedim1ento optimacin depende de 3
elementos esenciales:
- La funcin de error (o funcin objetivo).
- El algoritmo de optimacin.,
- Los valores iniciales de los parmetros.
8.1. Funcin de error.

La funcin de error es una medida de la diferencia entre el
funcionamiento del circuito calculado y las especificaciones. La
eleccin de la funcin de error es muy importante porque ella va
determinar la calidad de los resul tactos, es indispensable que el

minimo de la funcin de error corresponda a los deseos del
disel'lador.
Consideremos un circuito para el cual deseamos obtener una
respuesta ptima en combinacin con las especificaciones y funcin
de un parmetro independiente del diseflador.'
Sea este Y, el parmetro independiente del diseflador
(frecuencia,. temperatura, ... ) definido por una serie de valores
Y,i.
Sea o(w 1 l la respuesta ptima (ganancia, adaptacin,

potencia, ... ) . Despus de la simulacin, la respuesta del circuito
simulado depende del parmetro independiente Y, y de los parmetros
a optimizar.
Sea ~un parmetro a optimizar (resitencia, longitud de linea;
... ) . Cuando existen varios parmetros a optimizar, ellos se
regrupan en forma de un vector X cuyas componentes representan cada
uno de los parmetros.
..xl
X= ( . )
El nmero de parmetros determina
xp
la dimensin del espacio
vectorial. a utilizar
La respuesta del circuito es F(X, ~).
La forma ms utilizada para la funcin de error en la funcin

escalar siguien~e:
W (~;) es llamada funcin de ponderacin y permite favorecer

ciertos valbres de ~
La Figura 25 muestra algunos ejemplos de funcin de error a

una dimensin, as1 como las consecuencias sobre la calidad. del
resultado
La Figura 26 muestra un ejemplo de funcin de error a dos
dimensiones representada por los contornos a funcin de error
constante. Nosotros tenemos en este caso, aqu1 indicado,
restricciones sobre los parmetros relacionados a consideraciones
f1sicas (valores m1nimos y mximos).
La disminucin de una funcin de error bajo restricciones es
ms delicada particularmente si el minimo de la funcin de error
est fuera de los limites, porque en ese caso el minimo ser tomado
a lo largo de un limite y. el .parmetro correspondiente ser "en
butee" sobre su valor limite.
xz ~INI~O LOCAL
VALLE
~o--~X-1-~I-N----------------------------------~X~l-W-X--X
FIG. 26 FUNCIONES DE ENOR EN DOS DIMENSIONES
Si pes impar, la funcin de error no es representativa porque

los errores positivos y negativos se compensan .
... ..
Si p = 2, la funcin corresponde a la aproximacin clsica de
minimos cuadrados (norma eucludina) . En este caso la respuesta del
circuito es plana con pocas ondulaciones, esto conviene muy bien
para efectuar una optimacin de esquema equivalente, puesto que el
funcionamiento es poco sensible a los puntos errneos.
Si p es par y superior a 2, la optimacin se hace

o E E .
. ' r .
X1OPTI~A X X OPTIMA
EL ~INI~O NO CORRESPONDE- -
AL VALOR. OPTI~O VARIOS MINI~OS PARASITOS
E E
El
L_J.''
'----'--+---- X .. -
~INI~O
X OPll~
NO MUY MARCAOO
V
'----.-----x
X OPll~A
BUENA FUNCION OE ERROR
fUNCION CONVEXA
'1
.-.
X OPll~ '
..
BUENA FUNCION DE ERROR PERO
CONVERGENCIA A VECES DIFICIL
~ ..
. '
FIG.25 .EJEMPLOS DE FUNCIONES DE ERROR A UNA DIMENSION.
,.
principalmente sobre los puntos donde el error es ml'iximo.
" . n .
- .; .
Cuando p tiende al infinito, la funcin de error tiende hacia
el ml'iximo de la diferencia. Esta funcin de error, dicha de tipo
minimo-ml'iximo, conduce a respuestas a ondulaciones.; iguales de tipo
Tchebycheff y. puede presentar problemas. de . cAlculo ya que las
derivadas pueden ser discontinuas.
' ..
38
Este determinacin puede entonces ~fectuarse por un mtodo de

interpoiacin.
()
La funcin E(c) se aproxima por una par.bola .Y el minimo P se
.obtiene por :.; ..

' '.
El inconveniente de este mtodo es un retardo de la
convergencia cerca del minimo. porque los valores de p son de ms
en ms pequeos:
La ventaja es una disminucin asegurada de la funcin de error
a cada iteracin.
.. .
cuando el algoritmo. se aproxima al mnimo, es entonces
interesante completar el mtodo de gradiente por un mtodo de orden
superior, tal como el mtodo de Newton o de Newton-Raphson.
'
b) Mtodo de Newton.
Este algoritmo utiliza la matriz dederivadas segundas de la
funcin de error (el Hessien) (H).
La ecuacin iterativa es:
:- -~ 1 t)
X 1 , 1 =X 1 -p J (H) -l vE 1x,l
La convergencia de este algoritmo es muy rpida per'o necesita

el clculo de derivada segunda y la inversin de la matriz (H).
Ciertos mtodos permiten reemplazar el 'inverso de la matriz
(H) con una aproximacfn que es modificada a cada iteracin.
e) Mtodo de Newton-Raphson.
En el caso de una funcin objetivo de tipo mnimos cuadrados,
es posible escribirla en la forma siguiente:
o
La disminucin de esta funcin puede hacerse utilizando la
ecuacin iterativa siguiente:
Dentro de esta ecuacin E representa un vector cuyas

componentes son los trminos de la suma constituyendo la funcin de
error:
El IX) 1
E<Xl = :
[
EN(X)
y (J) es la matriz jacobina dela funcin de e

\
Este mtodo es a veces modificado introduciendo un parmetro,

llamado parmetro de Marquardh, ajustado a cada iteracin.
En los paquetes de CAC comerciales, el algoritmo de optimacin

de tipo gradiente que se propone es frecuentemente una combinacin
de los mtodos presentados.
Los mtodos de tipo gradiente aseguran una convergencia
sistemtica hacia un mnimo que no es obligatoriamente el mnimo
global. En efecto, al encontrar un mnimo local, el gradiente de la
funcin de error se convierte en nulo y el algoritmo se para.
Existe entonces un riesgo de "trampa'' a nivel de estas tcnicas si
los valores iniciales de los parmetros han sido mal escogidos, una
solucin consiste en intentar varios juegos de valores iniciales y
comparar los mnimos obtenidos, Figura 28 .
--.
PUNIO DE MINIMO LOCAL
PAHTIDA
~INIMO GLOBAL
l
MINIMO LO
PUNTO DE _MINI~O
PARTIDA 2 GLOBAL
~-----------------------------------------P
FIG. 28 ALGORITMO DE GRADIENTE Y FUNCION NO CONVEXA
;
1
8.2.2 Mtodos sistemticos. 1
.Las funcin de error es calculada para valores sucesivos de

los parmetros. Los valores sucesivos de los parmetros son
obtenidos sin. clculo de las derivadas, existen dos mtodos
principales, los mtodos secuenciales y los mtodos aleatorios.
a) Mtodos secuenciales.
1
'
Los mtodos son optimizados uno por uno, de manera secuenciai,
segn el mtodo unidimensional tal como el mtodo de interpolacin
descrito anteriormente. Los mtodos ms ptimos utilizan
primeramente una bsqueda de ra direccin ptima antes de efectuar
una optimacin unidimensional en esta direccin.
Partiendo de un vector x, a la iteracin j se determina la

funcin de error E(X,). Se define entonces un incremento para cada
uno de los ejes ~X :
XJ=(X1 j,X2 i, ... ,Xnj) e y aX=(aX1 , ... aXn) e

determinamos un valor de Xil talque
X1 i+~X1 si E(Xi+AX) <E(Xi)

X 1i-AX1 si E(XrllX1 )
X1 J otro
<E(Xj)
}
Buscamos enseguida un m1nimo en la direccin ptima
si Xi+l = Xi, se reinicia la bsqueda de la direccin ptima

reduciendo el incremento ~X.
La Figura 29 representa el desplazamiento de X en un espacio a dos.

dimensiones.
Df+2
FIG.29 EVOLUCION DE LAS DIRECCiONES OPTIMAS-METODO SECUENCIAL.
b) Mtodos aleatorios.
La determinacin del vector X a cada iteracin se hace de

forma aleatoria.
41
~ .
RNDi es un vector aleatoiio eillai.tPraci6n.'j

' '
SiE 1x +l 1 >E1x11 el intento es bandon~do.' ;,,;:

1
SiE 1x1, 11 -<E 1x11 el vector xJ. 1 .se utiliza

como nuevo valor-inicial
y la bsqueda continua
.,
.
.
' '
. '
' '
\
El vector RND, es, ya ~ea i.stropo (extremid-ades .situadas sobre

una esfera), ya sea anistropo (las extn!in.idades.estn situadas
sobre una elipsoide cuyos ejes privilegiados son modificados a cada
iteracin.
El mtodo aleatorio no permite asegurar la disminucin o el
decrecimiento de la funcin de error-a cada iteracin, sin embargo,
cada iteracin es mucho ms rpda que para los mtodos del tipo
gradiente. Este mtodo es en parti-cular meno~. ptimo que los
~todos de tipo gradiente cuando nos aproximarnos al mfnimo.
8.2.3 conclusin.
Los mtodos de tipo gradiente y los mtodos de tipo aleatorio
son complementarios, los mtodos gradientes son muy eficaces para
alcanzar un rninimo que no es obligatoriamente un minimo. global,
mientras que los mtodos aleatorios son muy tiles para evitar los
minimos locales, Figura 30. .
Es entonces interesante combinar los dos. tipos de algoritmo
para mejorar el funcionamiento de-la optimacin, 'Figura 30 .
43
'-:-:::+---' 'GRADIENTE'
PUNTO DE ,
PARTIDA
,. .
\
\\ ALEATORIO
~--~--------------~-------------------P
. .
FIG. 30 .COM.BINACION DE LOS DOS TIPOS DE METODOS.
.
9. Anlisis estadistico.
Los mtodos de anlisis e~tad1stico regrupan dos tipos de

anlisis; el anlisis de sensibilidad y el anlisis de tolerancias.
Estos mtodos permiten al diseador el efecto de la variacin de
uno o varios. parmetros del- circuito sobre uno o varios
funcionamientos. Las variaciones de los parmetros pueden deberse
a tolerancias V de . fabr'icaci'n, a errores .de medicin y a
incertitud.s. de .la modelizacin: i
rnfluencia de un error de modelo sobre el funcionamiento

del circuito.
g,.. previsto= JO ms_. ganancia= 10 dB.
g,.. realizado = 2~ mS ~ ganancia =?
Influencia de la dispersin los componentes del

-circuito.
media = JO ms .... ganancia media = 10 dB ..

g,..
realizacin sobre un substrato de AsGa.
g =JO ms J% .... ganancia=??%

"'
14
9.1 Anlisis de sensibilidad.
La sensibilidad es una medicin de la influencia de una

variacin de un parmetro p del circuito (elemento del esquema
equivalente, punto de polarizacin, ... ) sobre el funcionamiento de
un circuito.
Definirnos la sensibilidad de la respuesta d~ un circuito R a

un parmetro p por:
a= ~~ .p
El clculo de la derivada puede hacerse ya sea utilizando el

mtodo de diferencias finitas, ya sea un clculo analtico
utilizando programas ~e ~lculo formal.
Es igualmente posible determinar la sensibilidad sin calcular

las derivadas utilizando el anlisis de la red adjunta al circuito.
Para evaluar la sensibilidad sobre una banda de frecuencia

dada,. es posible definir una sensibilidad _global con una media
cuadrtica:
a
m
= [ 2N i"' N
L_l
a2 ]1/2
i
9.2 Anlisis de tolerancias.
Estos anlisis permiten examinar el efecto sobre el circuito

de las combinaciones de las variaciones de los diferentes
parmetros.
9.2.1 Anlisis del peor caso.
Analizarnos en este caso los resultados correspondientes a

variaciones mximas que es posible obtener.
Cada parmetro est caracterizado por su valor nominal y una

tolerancia.
La respuesta del circuito se calcula para los valores

nominales as que para el gradiente de esta respuesta, R. y V R.".
Un nuevo anlisis es efectua"do con el nuevo juego de
parmetros:
'
Sea R1 esta respuesta, determinamos en seguida una respuesta

~ invirtiendo los signos en relacin a la respuesta R1 Los valores
de R1 y R2 corresponden al peor caso en relacin a R0
9.2.2 Anlisis de dispersiones.
El anlisis del peor caso no es, en general, una descripcin

fiel de la realidad. En efecto, la realizacin simultnea de los
peores valores para todos los elementos del circuito es
estadisticamente muy improbable.
Es entonces preferible determinar una verdadera distribucin

estadstica del funcionamiento del circuito en funcin de las
variaciones aleatorias de los valores de los parmetros.
Dos mtodos son utilizados: el mtodo de momentos y el mtodo

de Monte-Carlo.
a) Mtodo de momentos.
Es un clculo matemtico sobre las varianzasutilizando las

derivadas parciales y los coeficientes de correlacin entre los
diferentes parmetros.
2
Sea ; la varianza asociada al parmetro P; y Pi el
coefici~nte de correlacin de los parmetros ~ y ~
La varianza de la respuesta asociada a la funcin f ser:
(J
2
t=
at o,' ... ' a
(a
P1
at (J n>
Pn
1
.J.
p2l
Pn1
p12
~
] ' j
\ {~n\
Op:,
af
a(Jn
'Pn
b) Mtodo de Montc-carlo.
El programa genera valores aleatorios de los parmetros del

circuito segUn distribuciones estadisticas supuestas (uniforme,
gauciana, etc.)
Los circuitos correspondientes a estos juegos de valores son

analizados y estudiarnos entonces las reparticiones estadisticas de
las funciones. Para un clculo realista, es necesario tener en
cuenta correlaciones entre los parmetros. La Figura 31 muestra un
ejemplo de resultado comparando los diferentes anlisis de
tolerancias.
f
o
FIG.31 COMPARACION DE LOS CASOS PEOR CASO Y MONTE CARLO .
E2 ---------------------~---
Eo
1
1
1
1
1
1
------r---
1
Emin ----:--r:------,
1 .
1 . 1
~----~------~--~------~---------p
o

APLICACIONES.
ESTUDIO DE ALGUNOS CIRCUITOS.
l. 'ESTUDIO PE UN FILTRO EN TECNOLOGIA MICROCINTA.
Nosotros describiremos aqu1 la utilizacin de un paquete de

CAC para concebir, analizar, optimizary dibujar la mascarilla de
un filtro baso bajo realizado en tecnologia microcinta.
1.1 Sintesis en elementos concentrados.
A partir de la respuesta del filtro, utilizarnos los mtodos

bien conocidos de sintesis de filtros LC, a partir de
aproximaciones de las funciones de transferencia de tipo
BUTTERWORTH, TCHEBYCHEFF,, BESSEL, el1ptico, . , ,
Las respuesta del filtro est dada en la Fig. 32.
ACdB)
30
o 1 1
o 2 4 fCGHz)
Figura 32: RESPUESTA DEL FILTRO
Si utilizamos una aprximaci6n del tipo TCHEBYCHEFF, es

necesar.io el filtro de orden 5. Los valores de los elementos estAn
indicados sobre la Figura 33.
L L
e 1 = 1 82 pF
L=5.45 nH C2==-3 1 4 pF
Figura 33: TOPOLOGIA DEL FILTRO LC.

Es conveniente entonces efectuar una anlisis lineal que
permita la determinacin de los parmetros (S) del filtro. La
Figura 34 representa la adquisicin del esquema definiendo la
topologia de la .red. La definicin de los accesos con las
impedancias de referencia, del tipo de anlisis a efectuar. Los
resultados de la simulacin estn indicados sobre la Fig. 35 .

EJ:.:;;7':0~ C!\.82
~=11 nh
PORTNuM2
PORTNUMI
RSO.O OH
JXO.O OH C"Pl

...a ......
trPI I- ..._ CMP15
i~T -~~~~
RSO. OOH
JXO.OOH
AGROUNO AGROUNO
AGROUND ACROIJNO CROUNO
01'15
STRSTPSTEP
''"
SP
ITIIU.llll
1 B PJMEIEit
BIJIIIJITlCN ST!MGROUP=sweer_an~
SWEPT VAR=FREO START=IOO 1'\Hz
5TOP=5 GHz
>f!MGROUP=wP.'"' ~INEAR STEPIOO MHz
FREQ=sj
OUTPUT VARS~ REVERSF-NO
Figura 34: ADQUISICION DE ESQUEMA Y ANALISIS .
...
a
00
~
[)( ' 1
'
,a
~-
l
1 1 -.2-96. 379[-03 '
[/ \1 !12. 0000[+09
!2~
f\
-- IJ_
/ -"\ / [\ '\
~ -
...
" ~ -
- MI
Ml-3~.764(+00
111.0000[f09
1- .. 1""- ~- l2ISI
00 Al
00
'1''1'
100.0 ltU froq
100.0 ltU froq
Figura 35: RESULTADOS DE LA SIMULACION DEL FILTRO.

Los resultados muestran que la respuesta del filtro es bien
respetada.
1.2 Paso a los elementos distribuidos.
La segunda etapa consiste en reemplazar las inductancias y las

capacitancias por secciones de linea de impedancia caracteristica
Zo y de longitud d. Los resultados de las equivalencias se presentan
en la Fig. 36.
-'
'SI
Z:J! .o
Zoi - Vp
+--a--+
G
e_ d

-e
Zo2 C=-
Zo2 Vp
d
Vp vitesse de propagation sur la ligne
u~loc.\..d. .IR. ~..o~~c.;.-, ..~.. lo. \.~......
_Figura 36: EQUIVALENCIAS CONCENTRADOS-DISTRIBUIDOS.

Es necesario notar que estas equivalencias no son vlidas ms
que para las condiciones siguientes:
Z"' >> z., z.2 << z. y d << a 'A.
Estas hiptesis no son nunca perfectamente comprobables, el

anlisis del circuito que utiliza lineas areas (V, = 3 .. lo' ms')
con impedancias caracteristicas z., = 90 ohms y z.2 .. 15 ohms muestra
en efecto diferencias con respecto a los resultados del filtro a
constantes concentradas. Figura 3 7 .
~
a><r
..
o o
00 V
Bl
M2
M2:-649.61E-03
\ 112. OOOOE+09
!2=~
[\.
-- /
;~-
( \
\ 7 \ " .. MI
a;cr;
"C"C
\1
""" ~
.......... Al
M!:-27.652E+OO
Il=~.OOOOE+09
12~
r . 1
.. -
00
00
lfllfl
1 1
100.0 MHz freq s.o Gtlz A

1OO. O MHz freq s.o GHz B
-
Figura 37: RESULTADOS DE SIMULACION-FILTRO A CONSTANTES

DISTRIBUIDAS.
Adems si agrandamos la banda de frecuencia de anlisis,

metemos en evidencia el carcter peridico de la curva de. respuesta
de este tipo de filtro. Este resultado es inherente al carcter
peridico de la propagacin sobre las lineas.
-.
Sl
'!' ~ r
<1:
o
p--~
o H2
1- \ H2 649, 6lE-03
v
\ 111
!12.0000E+OS
12~
\ - MI
\
1 1 MI=-2G4.76E-03
-- ll=7.SOOOE>09
v~
V
!2! \ 1 \ 12~
..,
= \. V ~'----' M3
~ - M3-376,74E-03
Il-8.4000E>09
12~
M4
....
o
- M4-604, ISE-03
'{' llll.IOOE>09
100.0 MHz fr~q 15. o GHz A 12~
Figura 38: ANALISIS BANDA-RESPUESTA GRANDE PERIODICO.
1.3 Influencia de la tecnologia.
La ltima etapa del anlisis utiliza los modelos de lineas

relacionados con la tecnologia microcinta. En este caso la linea
est caracterizada por una longitud y un ancho de la cinta. Es
necesario ademAs definir las caracteristicas del substrato
dielctrico sobre el cual serAn grabadas las lineas (espesor,
permitibilidad, ... ). Los cambios de impedancia caracteristica se
obtienen por variaciones del ancho de las cintas, estas
descontinuidades de ancho introducen elementos parA si tos (al primer
orden de-un efecto cap~citivo).
La simulacin utilizando los modelos de la tecnologia permite

poner en evidencia la influencia de estas descotinuidades. (Figuras
39y40) .
01'15 CIIPI CliP<

tl<'l Ol'l PIS61 L~ 1\SlL
.IU' ISIL
!I:L
SUBSTal um6JI WIIO om W1wi00 m SUBST-alur

SUBSTaluol:JS I<QJIO"" WlwiO Llll mm
LS mo SUBST1I uoSJS Llol ,., suasTilum635
W~~o~l O 1M1
Wul 00 mm
WwSO tftll
,_,..1[
CM'll
-- - SUD!lTal uGl5 EQUATION wiO, 6IJ EOUATlON LCI2. 92

H 1 OEl o ERS. 6
t-1.1 um HUR 1 [QIIATION wl 01, 015 Eoumo~ LC25. 01
CONDI, 0(+306
EQUATION LLI7. 16
Hj' 631 ""' ROUGHO u EOUATION uiOOo. 121
TAND-0.0
Figura 39: DESCRIPCION PARCIAL TECNOLOGIA-ADQUISICION DE

DIAGRAMA .
.
ni
a1<t El
00 ...... V
00 MI
1\ ..
MI=-\ .56\SF+OO
l l =2. OOOOE +09
,- I2~
7 '"' \ ' 1'\.
-"'
U1 U1
! ~
1/ ~~
~~
,,., m
-e -e ...
Al
00
o o
''""
1 1
t 1
100.0 HHz
1 1 1 !
freq
1
1_1...-...1....1_..J._._:]
S. O Gllz A
1!:~:.;::;;:'
\00.0 HHz tre~ S. O GHz 8
Figura 40: INFLUENCIA DE LOS ELEMENTOS PARASITOS RELACIONADOS

CON LA TECNOLOGIA.
Conviene entonces modificar las longitudes de las lineas a fin
de satisfacer la respuesta del inicio. Es entonces posible utilizar
el algoritmo de optimacin definiendo los parmetros variables (las
longitudes de las lineas), los objetivos de optimacin
(relacionados a la respuesta) y un mtodo de optimacin (gradiente,
aleatorio, .. ). Un ejemplo correspondiente a nuestro problema est
mostrado en la Figura 41.
valeurs inttiales
LCI=2.92 mm . EOUAiiON 50.613 EOUAON LCIO. 01<3.23< 10.00
LC?=:i.048 mm EOUATION : 04. O1S (QIJAT 1ON LC2 O. O1<4. 85 < 1O. 00
LL~7.56 mm tOIIAT ION ~1 00.129 ECUA TI O~ 11.1 =O. O1<6 85 < 1O. 00
'"'
SI' CMPH
STIIWS nOOPT
t IH'R!WLIER 1
IIIIUIITIIXI STIMGROUPseep ana t GRAIIIEXT CPT t
SW[P 1 VAR-FREO
STARTIOO MHz - P<!S
510~=5 GHz GRAO ITERS O
STIMGROUPswccp ana
FRLO=~ - LINEAR STEP-100 MHz FINAL ANALrSJS=ano
OUTPUT VARS-flj REVERSENO STOP TOL= 1. or -4
-----'-
J
CMP35 CMPIO
GOA, optl STRS,PSTEP
>r
llc:IW.t STIIU.1Ii
11 ll-fiMIIIETDI
GOALdb(521l ST!MGROUPs~eep_optl
&Itii.ATIIIN START\00 MHz
ANALYS!S_NAME=optl SWFPT VAR=FI~LO
GOOD-. 1 STIMGROUPs~~r.p opt 1
STOP2 GHz
BADI-. 11 FREO~ - LINfAR ~TEPIOO MHz
8AD2~
OUT! 'UT VARS~
REVERSENO
CMP35
COAe apt< CMPII
SP PO!NTS
oliCPL. 1 STDU.ill .
1 S P:VWIEIER t
GOALdbCS21 l &ml.ATIDN .
ST!MG.OUPsweep_opt2
ANALYS!S_NAME=opl2 SWEPT vnRF~I:.O PO!NT\4 GHl
GOOD=-30 ST!MG~OUPsweop_opt? PO!NT2~
EAOJ=-2~.99 PO!NT3=~
FRC.O~
8AD2=~
ourrur VARS=~ PO!NT1'~
POINTS=;:j
PO!NiG=~
rONTI=~
PO!NTB=~
~OlNT9=~
POI NilO~
REVER~>=NO
OTHER~
Despus de optimar, es posible obtener resultados muy cercanos
a aquellos deseados. Figura 42 .
..
"' ~
o o
-
oo \ l M2
\ M2=271, SSF-03
8111=2. OOOOE+09
/ '\ l2Slll
/ -...... / \
"'
"! \ 7
7 '
""' ~
r-- ---- MI
Al Ml-29.B66E+OO
I 1=4. OOOOE+OS
!2~
o o
00
T'r
100.0 MHz freq 5.0 GHzA
100.0 ltlz freq S.O GHzB
Figura 42: RESULTADOS DESPUES DE LA OPTIMIZACION.

Es posible despus, gracias a la relacin existente entre la
adquisicin del diagrama y el diseo de mascarillas, generar
automticamente el diseo de la mascarilla del filtro. Figura 43.
Figura 43: DISEO DE LA MASCARILLA EN TECNOLOGIA MICROCINTA.

2. Estudio de un amplificador con transistor.
Nosotros consideraremos el caso de un transistor a efecto del

campo del tipo MESFET. El anlisis del amplificador difiere segn
el componente activo se encuentre caracterizado por un modelo
elctrico lineal (en tablas o esquema elctrico) o un modelo no
lineal.
2.1 Modelo lineal.
La utilizacin de un modelo lineal permite nicamente analizar

el funcionamiento del amplificador excitado por una seal de
pequea amplitud. La influencia de la polarizacin esttica del
componente es analizada modificando los valores de los parmetros
del esquema elctrico o utilizando otros datos numricos en tablas.
La Figura 44 muestra un ejemplo de utilizacin. del modelo en tablas
y la Figura 45 aquel de un esquema equivalente.
,.
o..n.\.,;uo I.:IIJI X
t>o.'to~
1>FICHIER UNIX
!DONNEES DU TRANSISTOR
1
lrSXl04
t MH< S MA R S O
HOO .S2D -47,5 2.<53 IZS.S .049 ~5.7 ,755 -20.3
3000 .a~ -".7
Z.JS~ IOS.S .OSo 38.3 .666 -<S.<
....... 1.' 1.' . . . . . . . . ' . . . . o o
' ' o ' 1 o . ' . ' o
' ' ' ' o ' ',., ;.
; 2oo :7i :i os: a ; : ;s~ ~5 o e : o6s :2: 9 : 665 ~ i 59. a
, Fig1,1ra 44: MODELO LINEAL EN TABLAS DEL TRANSISTOR .
""''
1111
1 ""'' ...
1
....
'
e
.... ,,, .... Q;
~
'l:ct'~af ~ R"''i 011 LLd pH
D
...
w; ... """ i![
.,. 11100.0 i'i
e
~...
1.1 Thr, PI
!
..,, i!i EQUATIONS PARAMETREES
1
gm
f [Oti\TlON ;~nIE3t(8.ttld~ 1tllh1"'3+B2tld""2+Bitld+BO I1751W
tGUATION B< , , 12&1
EQUI\TICIH D31<3.30&1
EQUI\T1CIH IIII~S.OB3~
"""
1
OliAT!CIH Blo!ID.W135
to..IITICIH Dl-1 o. 064118
Cgs
EIIIJIIIIIIN I:QtO, Oi'"mw
tuTIIIN M cr.~ID<'!,..+0311olD211M 10111,.001
"""' EUTIIIIIEMB. Olr l

!II.Jntlllll 030. 0184
tii.JITIDN 020.01&1
EQUITION 011.391<-3
EllAT!ON 001 .mtl
Figura 45: ESQUEMA EQUIVALENTE DEL TRANSISTOR PARAMETRADO POR

LA CORRIENTE DE POLARIZACION.
Es entonces posible utilizar los mtodos clsicos de disefio de
los amplificadores a partir de los parmetros (S) o del esquema
equivalente. Estos mtodos de .anlisis permiten obtener valores de
los elementos del circuito que son enseguida optimizados con el
objeto de mejorar el funcionamiento.
La Figura 46 muestra un ejemplo de la adquisicin del diagrama
para anali~ar un amplificador en banda estrecha.

- :1 -~=~
.,.,
(
'
Di'TW!ili04
....
L
.....
a.c 11
' Ll11l 1.1 -
1..1111 fiH .0011 OH "
''
7 ....
L
~
l.lu2 MI-
ccul l't C"'l
POIIT.i'ID
PIIAT'IJ'oZ
Ro'JO.O 111<
IIO.C OH

J
GMI: lli:IIOIA<D

J.
~ 1- '
.~ '7 '7
-~
~TION hi O.!S;
EUTlOH lniI.$EOO
"'
ACAOUND
7
tuTtDN m 11.100 tUTIOIIIn!l.510
EbTlQij lulI,":OI EUnctrlulO.Il&
....
fi'IJP1l0H liiiiO,.H4 EUIIDN lpoiO,m
""""" lmllll.D
&Tti'GIIIIll'l
STNIT-9 00 '"' .. ''
&TOPo 11 CI!Z
UNI'Al SiCI"-. 1 CKZ
IIE'Itll!:t-NCI
Figura 46: AMPLIFICADOR BANDA ESTRECHA ADQUISICION DE

DIAGRAMA.
.- La Figura 47 muestra los resultados del anlisis de este
circuito.
,.
-..._
r-- --- :---- -- - Al
00
o
'
OON
O
-
-
1'\J--
N-t"'.J
Ul (Jl(/l
B!
'\.- ,__ .........
\.._ V
' ~ "\ 1 Cl
00
o O ,...-- \ !f/
Figur,
OC>
MMO
'
1\ 1/
1 1
~
9. O GHz freq 11, O GHz A

9.0 GHz freq 11. O GHz B
9. O GH freq 11. O GHl e
2.2. Modelo no lineal.
La utilizacin de un modelo no lineal permite un an!lisis mAs
completo de un circuito (an!lisis est!tico, an!lisis lineal,
an!lisis no lineal).
La Figura 48 muestra un ejemplo del modelo no lineal
parametrado en ancho de compuerta.
MODELE NON LlNEA!RL DE TRANSISTOR

DEFINITION DES fQIIATIONS
Cl'll
hjlu
'1'1\1D1;111Dm 111111!1.
In
MDELms lo\
lf"LIIIL:H !DS oodcl Ge\e edil Paruitics Break.do111n
a MODELmesle\ Tlg ..
~ ~~~~. pi
.,.a1LI
-T. 11,~t.a1
., w
:, nh
v
. nh
S cgd pi .
.~x~~r
1'\h
~~pi
M
donnes du transistor quations param6tres en w

EOUIIT!ON wOI 00 um EQUAT!ON cdsO. OS EOUATION i dssw iduOwtwO EQUATION egswcgs OtwtwO .
EOUAT!ON idssOIOO EQUAT!ONcgdO .01 EOUATJON rgwrgOiwlwO EOUATlON cgdwcgdOwtwO
EOUATION rd02 EQUAT!ONcg0-.2 EOUATION rnrsOtwOtw EOUATION edswcdsOtwtwO
EOUATI ON r~ 0-2 EQUATION rgs 06 EOUni)ON rdwrdOOiw EOUA1!0N ryswrgsOiwOiw
EOUATION rsOI [ll!JAT!ON isOI EOUAT!ON iswi 10w1w0
.[J. SYMBOLE. GRAI'H I QUE PARAMETRE
12 I!REF'
... INAME
OLABEL
--t 11
1argeur
da gr i 11 e
en micrans
@~&~=
3
Figura 48: MODELO NO LINEAL PARAMETRADO EN ANCHO DE COMPUERTA ..
r
El anlisis esttico y dinmico lineal del transistor permite
trazar las caracteristicas estticas y estudiar la influencia de la
polarizacin del transistor sobre los parmetros (S).
La Figura 49 muestra la adquisicin de esquema y los
resultados del anlisis esttico.
TRACEUR DE: C~R~CTER T5TTOIJI"S STATIQUE:S

....
11 CARACTER IST I OUES STAT Hll JFS
Id=f(Vds,Vgs)
,,,
...
..
flll
.-(
" e:
~
.... 1--
-
.....,......
lllflllllll'
(.' o o liD P.llll ! 1
o -
yx; ....
11 -=- VOC~
1 .M
-
(OUollllO~ f'dtS
CUfiDill v1aO
CW\TtDHtiCIIOO
~
~ f1Nii.41tuat\Utw~
/ lm
"""""'
i/ 1.112
r; -
L
e:
... y la
...
O. OE+OO vds 5.01:.+00
FIGURA 49: ANALISIS ESTATICO O CONTINUO DEL TRANSISTOR.

La Figura 50 muestra la adquisicin de esquema y los
resultados del anlisis lin~al (parmetros S); este anlisis es
efectuado despus de la determinacin del punto de funcionamiento
esttico y linealizaci6n de las ecuaciones alrededor de ste.
SIHULATION DES P~RnHETRES S D'UN TRnNS!STOR
j_ ~ ... --
"'
- VIXfd
~ - VDCt
... r-
._ l
i
ACRO~.~D
......
,..... 1-
.,.
l... ....
CROUNU
-...
"'' 1 11 1
t. O Cliz rro~ IB.O Ckz
""' -- ..,.,
Clf\1
''
. r-
,o GHz '''' li.OG~l.
__,"' 1 ... ...

r+
~TJrii.M-1
-t. llfllll!r
a artlli
111 ........
.u
~ /
o Qol
1
~t-a;. V
Jll, O ~ W!OUN D
EQU~TI~ w1hJ
' 7
.....
AGROUND
0011
"'"""'
AGROUND
,ct.,,
.,
ttiJ"TIDN vtG
MN~.~ntnct-pr
"""""'
_1\
r--!SiiWt 1
- llmllll
5TI.'GOL.Pfrq~ 1
STRtOI Oll
l!"R'PI
11&1111
STJIIrROU"-v&_IWIfl
Sfjll:fel.
SMCP'T VI'A-'ft
511~ Vi\Rfr1r
S'lli'OGiouflf ,.~ 111'' 1101'- 11 1''
LINEQR S rPI CiKZ STI~"I' ~1
Mft~YSlSlut~l
STOP O
UMtRII STt.Pl
"~ V.QS<
OUT!' 0!'/CI&-110 CUTM.Vij!i~ . ALVCR"J:~ 1.0 CHz lroq
FIGURA 50: ANALISIS LINEAL DE UN MODELO NO LINEAL.

Es entonces posible escoger el punto de funcionamiento Y
determinar la topolog1a de los circuitos de adaptacin. Es entonces
indispensable prever los circuitos de polarizacin del transistor
a fin de poder efectuar el an6lisis lineal.
La Figura 51 muestra la topolog1a y los resultados de
sim~laciri del an6lisis lineal de un amplificador.
~~~
r Llatl ftH A. 0001 OW 1\ \-
""' 1
~
""" Llu' r~h

.... PCIRTH"'2
-t
Mtfl\
L i!c.... 1 ~r 110.0 OH
_,----"V\/Vvv"i .......,.._.___,.,., 1~tgeur
"""
.....
I'QIT....
... do ri l\1 L i L.
JIO.O OH
1ft litfOftl

100
.
A:t~ .'a. ~
ACROUN o
7
-
0011
e ~
o
AGROUND
tOUOT!ON loi0,9l&
tQUATIDI< ootiO.IOO
EQUATION l11ll.ltOI
- "'e u
6
i E1li"T!ON \'11"0
E(IJIION vdol
'- " [OoAliON lotiI.IEOO
COUAT:oN 1ull.l70
EQ\JnT!CN cuiO,II&
EO\JAT:cN :p,l-C.IJ~
EGUAT!ON lpoi0.3l4
AGROUND AGROUND
- 1
"-
u CJ <T"
,.....
f-.- ._
..... - Al
e> o
. =
C> C> N
,......
Bl
~-V
,.....___ 1
~
..........
"'- ~ C1
e:> <..>
. = - \
1/
e:> e:>
f"') , .. ,
1 1
~
1\...
9,0 GHz freq 11 . o GHz A
9.0 GHz freq 11.0 GHz B
9.0 GHz freq 1i o GH7 e
L
La utilizacin de un modelo no lineal permite adems analizar
los efectos no lineales relacionados a la amplitud de la seftal de
excitacin. La Figura 52 muestra la evolucin del espectro y de la
forma de onda a la salida del amplificador en funci6n de la
potencia entregada por el generador.
oz
r-
--
r- ..
U"'
...
Ot\,1
o

~ ..
...... 1'-.. .....
V V '
........ ....... V ........ 01
....
"""'
>c. Pe=-30 dBm
U"'
ow
1 1
...o

0,0 H
S. 4S23E-27
--
1\ D
o
oO
. r-- .
NN
V 1\ 1 \
1
r V j
Pe=+S dBm
N+'
"'"'
c.>
~
V \ -
~'----"
V
\ Bl
\ ftl
o
o.
.o -- - -.
C:CN
1 1
-6' 46?:lF-27 ~dep(vstl, l) 200. OE-12 A
0.0 Hz treq 80.0 GHz B
FIGURA 52: EVOLUCION DEL ESPECTRO Y DE LA FORMA DE ONDA.

Otras informaciones son accesibles despus del anlisis no
lineal, tales corno los ciclos de carga (Figura 53) y la curva
de saturacin P, = f(P,) o G = f(P,) (figura 54) permitiendo
determinar el punto de compresin a 1 dB.
~--------~CYCLE DE CHARGF.
-1- ..,.
5.0[+00 u
S.OF+OO A
5.0[+00 w
l S.OE+OO X
/ FlGURA 53: CICLOS DE CARGA FUNCION DE LA POTENCIA.

COMPRCSSION DE GAIN
...
00
...........
1'.,
"~ _.- --- Al
V
./
V "' -
OJ
a.
1
- /
/
""
MI' l
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Q.<l
-
V'
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""' Bl
o.
o 1/
/ ""'
LI"l
o-
1
-30.0[+00 pe 5. OE +00 A
-30.0F+OO pe S.OE+OO E
FIGURA 54: CURVAS DE SATURACION.
3, Estudio dP un mezclador a diodo.

El objeto de este prrafo es el de mostrar, sobre el ejemplo
simple de un mezclador a diodo, los resultados de un anlisis de
tipo equilibro espectral cuando el circuito est exitado por dos
fuentes independientes.
3.1. Mezclador simple a un diodo.
El circuito analizado est descrito en la Figura 55, notamos
ahi la presencia de 2 generadores independientes. El primero juega
el papel de un oscilador local a la frecuencia foL = 10 GHz con una
potencia de 10 dBrn, el segundo es la seftal til a la frecuencia FD
= ll GHZ con una poten.cia de -20 dBrn.
..... Clf!l
1
' """
>---~~--~--~~ ~~ OH :;.::::..;;;;G::-==-::@i!IU.=--:
1- - ;
~~~
110CF'lCnoDicde
....mn:, ....
CJHUr
..... illlll 'T11pt
iC\.41
VJO.tl
MD.5
Nal,lS
A-SO OH rc.s
GNO
vrr f-------,
vif
PORTNUM-~
RSO. O OH
JX=~ o
PAC-~ PORTNUM=~ U'>
RF'scurctl PHASEAC~ RSO. O OH 11

CY
PLS Pprf dBm JX=!lill IF load
1 R
PHI\SE=O.O PAC=~
FUNO=I PHASEACg~
HARM=I P-p 1o dBm
rilASE=~
FUND=2
~~
HB21one
11 H1 1/iNALVSIS 1 EOUAilOf'.. prf=-20
.,_,.....,., FREO 1=11 GHZ EOUATlON p 1ol O
OROER12
f ~l021 O GHZ ...,.,...,.........,JI
O~Ull~2=5
MAXOROER=7
OUTPUT_VARS=~
FIGURA 55: MEZCLADOR A UN DIODO.

/
El algoritmo de equilibro espectral utiliza los anlisis del
circuito a las frecuencias rn.f.F n.fo<. Los valores de m y n
estn limitados en funcin de la no linealidad del circuito.
En este caso, nosotros hemos escogido m limitado a 2 y n
limitado a 5 en raz6n de los niveles de potencia diferentes de dos
sefiales de excitacin. La Figura 56 muestra el espectro de salida
obtenido para este circuito y la Figura 57 indica en forma de tabla
las frecuencias en juego durante el anlisis.
'
00
~~ .~4~ ~~~~ 9
12 ~
- 1-
....
..."
.e
o
1 .e
o
o t
11 11
0.0 Hz freq 72. O GHzC
FIGURA 56:
frequence RF
ORDERl-2
~ -2 -1 o +! +2
-5 -72 -6\ -50 -39 -28
-4 -62 -51 -40 -29 -18
__
-3 -:? ,.
_,, -30! -19 -8
o -2 -42 -31 -20 1 -9 2
il'l
UJ 11 -1 -32 -21 -lO \ 12
u 1'\1
e Ci::
o -2? -11 o 11 22
UJ
::l
w
o
O' +1 -\2 -1 1o 21 32
Q.) Q:;
'- o +2 -2 9 20 31 42
4-
... 3 8 \9 30 41 52
FIGURA 57 +4 18 29 40 S1 62
+5 28 39 so S1 72
ORDERl
ORDER2
Es posible estudiar la influencia de la variacin de la
potencia RF sobre la potencia de salida a la frecuencia intermedia
f~ l GHz. Despus del aumento de la potencia de ontrada, es
necesario cuidar que el nmero de armnicos utilizados sea
suficiente para conservar la validez y la descomposicin en serie
de Fourier. La Figura 58 muestra la variacin de la ganancia de
conversin en funcin de la potencia de entrada y pone en evidencia
el fenmeno de saturacin .
PUISSANCE I> ET GAIN Dt CONVERSTON

- r--
"'"' !
--- 1-
-
.......
~
y~ .......
....
.:II"
N-
1 1
7
/
"
/ .........

1
--- '
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1
~ /
,Q. / /
'/ 1
....
-~
/ 1
1
1 "'' ...' V 1
l.-.
-10.0[+00 P'l o.o~co A 5.0E+OO pi o IC.OE+OO
-20.0E+OO prl o. o +00 8
PUISSI'INCE RF PiSSAN::E OL
FIGURA 58: VARIACION DEL FUNCIONAMIENTO EN FUNCION DE LAS

POTENCIAS DE ENTRADA.
2.2 Mezclador equilibrado.
El ejemplo siguiente concierne un mezclador equilibrado a 4

diodos. Los circuitos de excitacin estn realizados con secciones
de linea y permiten obtener las buenas condiciones de fase para la
excitacin de los diodos y la recombinaci6n de los productos de
mezclado. La Figura 59 muestra la adquisicin del esquema para el
anlisis de este circuito.
/
":lO
11!1"1n >
Irowt
IP .:. -.. 111
COl coz POOTJUII'!
A30. D OH
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IP 1 ora
"t" ...
~"\
IIWI&I'fiC!;S
P2t diR
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.......
n.aDt ~NO
o
--
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(;N~17"1
rRE:OI\1 CHZ
CRUfllli
LDIII"t
rRtiiiIO Q<l LO
OIIUERN
MXOIDtl? RF
"'
OUTM. 'i'Aa9L'S

o.
C:Nll
FIGURA 59. ADQUISICIN DE ESQUEMA DE UN MEZCLADOR EQUILIBRADO

A 4 DIODOS.
Los resultados de simulacin de la Figura 60 muestra un mejor
rechazo de las lineas parsitas que facilitan el filtrado de la
frecuencia intermedia en este tipo de mezclador.
T!~ "
rl!2
~oooo[+ bqv
A
'f 1
-....e ~. 11 1! 1
1
1 -
i
-....> ....
1
*--+ 1
i
1
f
1~
1 1 1
1
1 l
&,.J,o de Ja/.Jo. de ' o
o
1
. JJ'fo ""'8Jarlor eJ/yq~.

FIGURA 60. :
1 -
o
~ + ""'
0.0 Hz
611 6
4
freq
'
4
' '
1
?2~ O GHz
1 Al
4. oscilador a transistor.
Vamos a indicar aqui las etapas de la concepcin de un

oscilador a transistor a efecto de campo.
4.1 Principio de funcionamiento.
El oscilador es del tipo dipolo como se indica sobre la Figura

61.
ZaCA,w) Zc(w)
ELE'MENT ACTIF ELEMENT PASSIF
NON LINEA I RE LINEAIRt.:
FIGURA 61. ESQUEMA DE PRINCIPIO DE UN OSCILADOR DE TIPO

DIPOLO.
Las condiciones de arranque de los osciladores obtenidos para

pequeas amplitudes, cuya aproximacin lineal para el elemento
activo, cuya aproximacin lineal para el elemento activo:
Re. \lA) + Re (l,) "O
\ ~ (lt.) +~ ll,) :o
Es necesario entonces que la parte real de la impedancia
''p,quea seal'' del elemento activo sea negativa.
En rgimen establecido, la amplitud y""" la frecuencia de los
osciladores se ajustan de tal forma que las condiciones de
oscilacin gran seal, sean cumplidas.
\ R( l t.,. (~,A.)\ He\1'-(u>o))"o i'L
l 11M\lA (w., A1) tl.w (~ (~~~o)): o

Es entonces necesario tener a su disposicin un circuito
activo presentando impedancia a parte real negativa. Este estudio
se hace en rgimen lineal.
4.2 Impedancia a parte real negativa.
El esquema escogido est indicado sobre la Figura 62. Es

necesario determinar las impedancias colocadas en la fuente y en la
compuerta del transistor.
Zs et Zg tels
que ReCZd)<O
Zg Zs
Zd
F!GUFA 62, OBTENCIN DE LA IMPEDANCIA A PARTE REAL NEGATIVA.
El anlisis terico de este circuito muestra que la impedancia

de compuerta debe ser inductiva, mientras que la. impedancia de
fuente debe ser capacitiva. La determinacin de los valores de
estos elementos puede efectuarse utilizando la tcnica de Mapping
que consiste en trazar los conjuntos de los puntos a Re = constante
=
e Irn constante en el plano de los parmetros (S del dispositivo)
La Figura 63 muestra la adquisicin del esquema permitiendo
determinar el valor de la inductancia de compuerta. Los resultados
de simulacin estn indicados sobre la Figura 64. La seleccin de
Lg se hace de tal forma que la impedancia correspondiente a 522
tenga una parte real negativa, lo ms pequeo posible.
Sour e Drain
~ORTNUHI
Ql PORTNUH2
RSO.O OH Gata 1Ft1l'CRF[I RSO.O OH
JXO,O OH JXO.O OH
CII~BI AGROUND
6omoCho[l
DCFtrD LG11o
L
!

~~~~u AGROUND
V
SP .....
[0U4TION lgl
---i~E
:;wCPT VARI B
. liad~ llnlc
ll"l>EJ110m
STIMG~OUPIg_sweep oIIJiPt1' 4 1 11 1
f~COI O ijMZ + CIIPl VUCO. O + HODELfET
OU 1~UT VARSISl YDC
,19'6, VOCO C!'I'CI VOCS.O

vtC YIIC
I1'U'WI5
STIHGROUPIg
START-10
STOP JO
-
P -
LTN(AR :;TCP. 1 AGROUND
Rr.VERS[NO
FIGURA 63. DETERMINACIN DE LA IMPEDANCIA DE COMPUERTA.

.... 111
BII..ZOICCIH .IIE-ti+JI11.:12E-t3l
u.. oo.ow:-a
1M!
lllt
1!1!2-ZOICI.OIRE+O..Jt. 171JEOOl
11 .. 00. OCE-o
ll"SS
IO.OE+OO 11 lo.DE+OO 1
-10.111:+00 1 IO.OE+OD t
FIGURA 64. MAPPING DE LA INDUCTANCIA DE COMPUERTA.
El mismo procedimiento es utilizado en seguida para determinar

la capacidad de fuente. Los resultados est~n indicados en la Figura
65.
Estos elementos siendo determinados, es entonces posible

determinar la impedancia pequea seal presentada al drenador del
transisto~:. La adquisicin de esquema est~ indicada en la Figura 66
y los resultados estn dados en la Figura 67.
"'
"IZOIH.4BIU:<OO-Jll? .IDE-OS l
lloGDO.ODI:-03
61
..:
IDD.DEo:l &.DE+OO B
FIGURA 65. MAPPING DE LA CAPACIDAD DE FUENTE.
Constatamos que la impedancia procede una parte real negativa

sobre una gran banda de frecuencias, adems la parte imaginaria es
nula a la frecuencia de oscilacin deseada.
---
Sllur e 111 Ora in
Gete 11
Wtl~:;rtT ~-.. lr
PQAT SPAII
PORT~MI
RSO.O OH
JXO.O OH
h1H~.Cllo Dri~Oul&
S~(PT VARrR(O

ltl"C:D lta:a
' -
'l
;
...
DCI1lll
AGROUND
STl~CRoUPfre~ aweap
rREO lili
OUTPUT VARSbll

I!JIWISI
Ol'il
DC
VDCO.O

ST!MGROuPfreq P ~~ vDCO Cl'l'l& VDC~.O
STARTS GHI . YDC YDc
EOUATlON oo.l
STOP\! gn
LINEAR STlf,2 CHZ EOUAT\ON 1 .1
REVCRSENO
AGROIINO
FIGURA 66. DETERMINACIN LINEAL LA IMPEDANCIA DEL ELEMENTO

ACTIVO.
ucz:
r--- -
...._ C!
DO
00
Kl~ f.:-
/
v
V
--
----...........
f-
/ Al
lf-;; / V
- . " "
/ /
V
[,_./ / .
11- h.
00 /
00
In O ,........- ~-- 1----
'1-'T
B.O GHz fraq 12.0 GHz A
B.O GHz fraq 12,0 GHz e
FIGURA 67. DETERMINACIN DE LA IMPEDANCIA DEL ELEMENTO ACTIVO

EN REGIMEN LINEAL.
El circuito de carga puede entonces determinarse de tal forma
que:
TMo, (1c.) = - T"" ( '2o\
Rt llc.) < \~t (lo.)\
Constatamos entonces que la impedancia de carga puede
realizarse para un circuito RLC serie.
4.3 Anlisis no lineal.
(~ El anlisis lineal efectuado anteriormente permite determinar

condiciones necesarias a las oscilaciones. A fin de determinar la
18
amplitud y la frecuencia, es necesario efectuar un anlisis no
lineal.
La Figura 68 muestra la adquisicin de esquema del circuito
analizado. Es necesario notar la presencia de una sonda particular
que sirve de fuente independiente para probar las condiciones de
oscilacin durante el ciclo de equilibr.
Drtin Vout
"'
Gato "
lt'tTGtT
lltd
Ui~
l [QIJOT!ON f 01 O
ECUAT!ON ooo oOZip 1lO
tounncN ca~B
tDUATTDN 1, G o(;ROUNO
--
[QUATTDN "!lllolooogoCIIZl
""''
1!1111'<1:."--::===---, ....'il:- VDCQ.O

tQUoT;ON 1o, 25
III1IWII
1
STII'IC~CIPI;~~np oos
dC
voc-o 111'01 YDC!. O
STAil!T,,
""
STOP'
LINEAR STEP..!
IILvtR:ltoNO
-T J
AGROUND
FIGURA 68, ANLISIS NO LINEAL DEL OSCILADOR.

El anlisis ha sido efectuado para varios valores de
coeficientes .de sobretensin del circuito de carga a fin de
estudiar su influencia sobre la pureza espectral. Los resultados
estn indic'ados en )a Figura 69.
f--
1 F\ 1 1\ -
... _
...:>0,
1~
1/ !/ \
.,~
>
=-- /
1
1 !\ = / 1\- 00=2 r
.
gO
..,;
"""
1 1
r
O. O Hz frt~I{_OIC ~l.?22 Cllzr
0.0(+00 lvout_tl, ll 2.0(+00(
\.:11 .
"'"'
"'u' .
"' ~
l-. l-.
r- 1 \ 1 \
... .... 1 1
..., ~ 1/ \ i/ 1\
" n
"""
> f- \
\ 7_
\
\ Cl QO=?
e
1'-- "- 7 -
"'.
'"'
"'"'
1 1
r
0.0 Hz fre q ose
' GHz'!'
53' 722
O. OE+OO plvou{_t, 1J 2.0E+OOG
FIGURA 69. INFLUENCIA DE LA SOBRETENSIN DE LA CARGA.

Las formas de onda se obtienen por medio de la transformada de
Fourier inversa de los espectros determinados despus del ciclo de
equilibro.
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DAVISDC>N .DE EDUC:AC:DC>N C O N T I N U A
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39
IMPEDANCIA DEL MODO IMPAR
EJEMPLO:
Para lineas cinta (strip) coplanares acopladas.

301t K(ko) OHMS
zoo =
:e~ K(l<)
l k:;t~h~ ~
b C.oVI
t T/(~)
S
1
.w..,
K = integral eliptica completa
z oe =fE
e oe
Zoo = ~ L
coo
L = inductancia por unidad de distancia

4o
ACOPLADOR DIRECCIONAL DE UN COARTO DE ONDA.
0- -0
-0
7T
2
~L = 'lt
2
211: L = ~
>. g . . 2
a4 = jx /[(1- x2)1/2 XO + j(1))

al
a
=X
a
1
a2 .::: /1
\ ......
- v2) 1/2
... 1
/ j = _ j ( 1 _ x2 l 112
+
al
La fase en .el puerto 4 est 90 adelante de la fase en el

purto 2.
jx
=
( 1 _ x2)1/2
4-1
MATRIZ DE REPARTICION.
DISPOSITIVO A UN PUERTO (DIPOLO) BAJO PRUEBA.
COEFICIENTE DE
REFLEXION.
r
+-
DBP - Dispositivo bajo prueba.
'DISPOSITIVO A DOS PUERTOS (QUADRIPOLO) BAJO PRUEBA.
b = Su a + S12 a2
b +- -+b2
==~DBP o
o
b2 = S21 a + Su a2 a -+ +- a2
PUERTO 1 PUERTO 2
4-2.
MATRIZ DE DISPERSION.
811 812
813]
S= 821 822 823
1
831 832 833
1
~~-+--OUT ==t=='~ 3
1 1
o o 2
MATRIZ DE DISPERSION.
Este concepto es tambin vlido para dispositivos activos, por

ejemplo transistores.
ENTRADA XTR SALIDA
= coeficiente de reflexin a la entrada con carga adaptada

a la salida.
S22 = b2/a2 = coeficiente de reflexin a la salida con

carga adaptada a la entrada donde a = o.
S21 = b 2/a 1 = ganancia con carga adaptada a la salida

donde a2= o.
S12 = b 1fa 2 = directividad con carga adaptada a la entrada.
donde a= o.
MATRIZ (S).
DISPOSITIVO A 3 O N PUERTOS.
Sll S12 S13]

S = S2: S22 S23
S31 S32 S33
Propiedades de la matri de reparticin para los dispositivos

pasivos.
1) La suma del modulo caudrado de cada trmino en cualquier

columna = 1.
ejemplo IS111 2 + IS2ll 2 + IS3ll 2 = 1
2) La sum.a del producto de cada trmino en cualquier columna

por el conjugado del trmino correspondiente en cualquier
otra columna = o;
ejemplo Sll S12' + S21 S22' + S31 S32' = O

Sll S13' + S21 S23' + S31 S33' = O
UNIONES .
o lAS \JIJIOt.l~S So. IJ,;,A.i>AS f>AR.I\ l:>IVI'OI!\. O (.01.\SitJIIR. ~O"fl;IJCXI\.

ELLA:; ~ll-;l>titJ 6"1il1. ~1$)(l.lf'\1>1\S p, $AO:nR. pe;: CVALQv;Q.. Ti \Yc)
~E L\Niei>. I>E \R.I>NSMI"-1\!:V llf\01\: QIIIA9E ClJt>l\_, N.iCitOCINTi\_~
":>ilti>L,,; .i ETC. \)ILIZ,AtJ:i>O (Vii.I..QvEA. 'EC...EIRIA l>l>.t:>~ ~
lui\I.Q.>-;R_ j)o 1><: T'"CN<O\.OqiA-. ttkiC ~'di Mlc/ MM. le/ etc.
/ . .
1\ ,,
\JNioJJ~s 11>o 1~e ~ Vl-1\0IIJE:s T>o ~
SaN Lf\S: kAS 51..\pl.is / YEQo 1-\A~lA AH~ NO l)(I51F- V,lJ CI\'LCIII-0
~fl.E<.ISO t>E. /...A MATCZ.i2. (<;,). PAIU\ l..o~ C\ttWIToS fLI\AJD<; avE.
\JTII.1"Z.A1J M.vcHAs IJ~ollS
1\
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0
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T
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Tk:NE,R, -lAJA ~~>wLAUou L>~ TAL..5 UNiOtJEs BA5APA ;N

~J<P~~iMSNOS tlE Aj)/l.o;(f.(AC\ON DE (;vfaVA.S: (~li"IN9) 0
CPIL(v 1..0$ IJVM.fi"./LIC:.oS ~~ {>OSH~\.10 ..
1
4-5
GUIAS DE ONDA TEES.
TEE
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1 .L
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1 .
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GUIAS DE ONDA TEES.
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2
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o o -1 1 4
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ACOPLADORES DIRECCIONALES.
\)tJ 1\co~LP.DoR.. DE JI\R.ro ~:>t;. OIJD~ A VN ~~ qMo;:NTo ll~EIV
\IN p['lc.~o t>E "t)f\NDA L14.1TP.DO \'~0..1\ 0\>E.RA C\01\JliS l)ANpl).
ANC\~P. :;:~:; NI: C. )O SA<'IO 1\l:liC.lO~A (.l.. MI\ S "SE.CCIO/JES.
<:.1:>10 Lot.~(fvDE.s t>E OIJI:>I\ l>t IJN C,VACI.fO )\";,PU~i.S.TI\S ;:/V

C.f\SC.f\ u A A Lo L~R~ o l>li Lf>. ~AI'J PA R.t: Q\1 ~ lt1 'DA Aco \>LI\ DOil.ES
D\12.Eccl.ol)..)f\Li;s ~>v-::l>s.N o,s;:~p,.a.sE l+r\srA e sscc1 o~~;s.
fi\QIJE.TES ?E (0~\>Vtl\ .1>0\2..~ Sopoltrhlv O ~EQM\TBN \)5;,:()S
iiTILI2.ANDO l>II'E.Q.EIV"fi:S LJN~A5 I>S. 'fl:l.f\.1$ 1..-\IS\otJ 1 1/VCLvUENI>O
MICQ.oCiNA./ ::.Ta.IPLINE
..
:Po~,.c\Q, .:___;:, ?, ~1.. -> Vo~cio ckveJCI.
de e"budo. .
fl\<:..\cQ. .I>E Ac.OI'LI\MI lNIO :=. \0 j_~ lO r, 1P::. JB

'?ERI:liOI\5 DE T~IVJS/-115\o., = \0 .1J~to '\), /'f>2. d8
rl\c:Ton.. ~'E DII2..1:C.TIVI.DI\t> -= \0 l~ ~o '3 /P<1 dB
RESONADORES.
L(ls \'eSo~!\ PQQ.ES ~ FAe>I1.10\00S E:f'.l cuRL Q!J1aa. TIPo

l-INEI\ S)= TRJ\NS Ml:i.lO>.l ~ ~\lll\ \)f ONilA ./ L11JEA.$ \)LANAS ofL.ANI)R!O$ ..
p;:
E5OS COMPotvENT"S PA~UQS ~QED~/IJ SSII. V~f\I1CS EN DISpclSfiVOS
f1 \11\.lt;) O VAQ.I O.S. !j>IJ E.Q.OS.
e LOS fl.ES>Ok!At>OR..ES DE. <:Aulbf\1) t+t:c.\\05 l>E VII\.S DE!lb.).l)l\ oa.cv~Ail.

O 12.\>c.TJW ()llLAA.. 50t.J Eo<.'RE.MI\MMI<>-lE Vlll.E.S \:N LOS. ~L ys.T~'f:JJS.
. '
lO!:. ll.eso~A Do ll.a.> L NEA . 1-\EC.\105 f.N. qE.oMETILlt\ 'LANI\R. ..:.OIV

iJTILI<.AI>Q5 \)1\fU\ 1>1~EI\P. DIH!.R..e.VfllS O.SC\LAOO~cS ~ ;::;,lADO
So1..\oo.
e .Lo~ CIVI SoRes bi:' ~w.vc\f\ y LOS Col..\~1 ~hOOQ~>S :>s -?on-NciA ~E'
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l'\./Vr-<1~'-\.V"'
n...~a..-oS
AAufT\- r'-JC..
- . ._,, !.
Los M..o.boS
" /
L.fi.S rR-ECVEI\lciY\S DE 12e~A/IJCIA Y LOS fAcTClO-E: :S Ct
MODOS.
UN PEQUEO RESUMEN.
Los modos determinan o especifican el nmero de variaciones de

la direccin del campo en una linea de propagacin o resonador de
cavidad a lo largo de cada eje del sistema de coordenadas usado
para describir ya sea modos de propagacin o modos
resonantes.
A) Modos de guia de onda: TE y TM.
TE TEM r
Hz l O, Ez =o Ez =O Hz = O, .Ez ,, o
Hz= O
t
J 1'-
1'
Pos~ble No es pos~ble en Pos~ble
la gu."a de onda S
B) LINEAS DE TRANSMISION A DOS CONDUCTORES.
\'.=M ~\lRo
QVf\5\ TEfv\
50
MODOS DE PROPAGACION DE LA GUIA DE ONDA RECTANGULAR.
Modos TEnm
E, = O
n1t nm y z
H0 cos - . y cos - Y
H.= a b
n = nmero de ariaciones en direccin X = 1 .

.m =nmero de variaciones en direccin Y= o.
TM.,.
H, = O
E 0 sen n1t x sen !!!!!. y

a b
xi~nmz e iwt
E sen ~ sen 1ty

E,= o a b
X~~loz ei wt
'
51
MODOS DE LA CAVIDAD RECTANGULAR
MODOS RESONANTES.
X
b
e
a
ejemplo: Modo TE 101
=H cos TtX (1) sen .1tz

0
a e
'jemplo:. El modo TE001 no es posible.
TM,.,
H. = O
Ez = E 0 sen na1t x sen ~y cos p~z
ejemplo:
Modo TM 110
E 0 sen 1tx x sen ~y ( 1)

a b
ejemplo: El modo TM 100 no es posible
b
52
MODOS DE PROPAGACION DE LA GUIA DE ONDA CIRCULAR.
Modos TErun
E, = O
H, = H0 cos n e J 0 (kcr) eibcia

run eiwt
oe
n = nmero de variaciones en
la direccin e.
m = nmero de variaciones en
la direccin r.
J. (kcr ~ Funcin de Bessel del

orden m y argumento (kcr).
IMPORTANTES PUNTOS CERO DE LA FUNCION BESSEL.
J0 (X) = O n =o
Roots en:
x, = 2.405 m = 1
X2 = 5.520 m = 2
J 1 (X) = O n = 1
Roots en:
x, = 3, 832 m = 1
X2 = 7, 016 m= 2
53
MODOS DE PRO~AGACION DE LA GUIA DE ONDA CIRCULAR.
Adems de los modos TE los modos TM, son posibles.
TM.,.,
~-o 9
Misma definicin de n y m como para los modos TE= De todas maneras

el uso de condiciones de frontera metlicas est mejor dado por el
campo E. en los modos TM y por el campo E0 en los modos TE.
En ambos modos, el valor de Kc est determinado por los vlores b=
de una raiz de Bessel.
FUNCION: Jn(kc a) = O. Igualmente kc = b=fa
J. (kca) = o
'
54-
MODOS DE CAVIDAD CIRCULAR.
MODOS RESONANTES.
TE- MODOS
a
E, = O
H.= H.J. (kcr) cos n e
sen P1t z ~wt

1
E. G. MODO TE011
(kcr) sen
Para encontrar el valor de kc IT

es necesario determinar primero H
la expresin para Ea y aplicar
la condicin de frontera: el
valor de Ea dado en la siguiente
pgina es como sigue:
1t
Fe ; ( ) J~ (kcr) sen /
.. J~ (kca) ; os
Entonces: J~(X) ; -Jl (X) kc ; bu

J 1 (kca) ; o -:k-e---=3:-.-::s-=3-=2-./....!aaa..,l
r
MODOS DE LA CAVIDAD CIRCULAR.
MODOS RESONANTES.
TM..,p MODOS
Hz = O
Ho
E. = E0 J~ (kcr) cos n 9
cos ( P 1t z).e;wt
1
E. G. MODO TMoto
Los componentes de campo

restantes se calculan a partir
de las ecuaciones de Maxwell utilizando solamente los valores
conocidos de Ez y Hz. Los resultados generales estn. ilo:S\)MIDO.S . en
las siguientes pginas. En el caso presente encontramos que:
~e~~Swfo.) J~ l~)
Po,
~9~ - Jwt:;~
j, \ f eR )
~ 01
5b
EXPRESIONES GENERALES DE CAMPO DE LAS PROPAGACIONES

DE GUIAS DE ONDA CIRCULAR Y RECTANGULAR.
BASADAS EN LOS CAMPOS CONOCIDOS Ez o HZ
COMO DERIVADS DE LA DEFINICION DEL MODO DE PROPAGACION.
'- _/
E~ . D 1 .T"'- (Kc.r). <:.o':> Y\. e
-.iez. xe..-jsz.
X e.
132. = K~ z.- Kc..z.
K:, w'-..._t, l2.t0o):t
'~-
Hn.= -jf> .J)J,!., (kc.r)c.o~l\.9 En. -j~ ]) '.J~ (Kc:..r) c.o-

l<c. . -
Kc..
e
Ee J !!>1'\. J::1' J ....

He .. j$n.
Kc.2.r
]))...,_ (1\c.r) Se.l\. 1\- e - CXc.r) .sen. n. e
H-z.::l-to c..os '\""- 1T)( c.o~ n.i1' ~ E-z.= Eo ~el\. 1'>\.. '1((
0-
se.n. n..ll'y
0-
b b
l+x=
Kc.._ -o-
'Y"\.11" Ho ~ m.11'll.
O..
Co:. n.:rfy
;-
Exc -j8 1'\.:rr E: 0 se... rnrfx
\(e.'- b a..
C05 n. fy
b
H~=~ ..,._1( fto C..05 'wl.11' X. ~eA n..1fy Ey= -j.e . n.ll' Eo
kc.:t.. b a;.
b
5e.n. m'lf)( Co!\ n.'1(.'/
Kc.:t. b 0.. b
Ex== Z-rE Hy
~ Ey"- ZTE Hx Hx~ -Ey/z.r14 ~ H~"' Ex /i!.TH
Kc..2.., r l(~a. y + t- ~ ) ;_
St
EXPRESIONES GENERALES DE CAMPO DE LAS CAVIDADES

CIRCULARES BASADAS EN LOS CAMPOS CONOCIDOS Ez O Hz
COMO DERIVADAS DE LA DEFINICION DEL MODO DE RESONANCIA.
MoDo~ TM.
~a::: \\ LoS t.\1 r): CllS "1 1l ~ -;.il'l ~": E1 = :si>~ MA~" '!>1>~ ,.... n~
. o_ b t (/ C\ . b
"".::: _ 1-\ ~ VlT" C. os f ~)

<1 'o ..\.i<<'l \ o.
X sin ~~ ~) Los l r; J )
11 ( : i w-( /V\ r ESiM () Cb$ u (0~ C)
\!.c.l 'o
~
"X :: ---if M
j\~ (}.
X \.o~ () C.o~ (1
1M r- {O~() AiM (} (05l

b b
""'rr H 5i" O eos() l)i"' e)

b
59
RESONADORES RECTANGULARES
LA FRECUENCIA DE RESONANCIA PUEDE OBTENERSE DE
LA CONSTANTE DE PROPAGACION DE UNA GUIA DE ONDA RECTANGULAR
PROPAGANDO LOS MODOS TEmn o TMmn, dado como sigue:
J
RESONADORES CILINDRICOS.
LA FRECUENCIA DE RESONANCIA PUEDE TAMBIEN OBTENERSE
DE LA CONDICION DE RESONANCIA
\>!lt~l\ TE.,.....,.r MAoos
\. ~= c ..
z.
l 1~11'11
(FTt:,)2
1 ','J Jz
)Z
JCV~Je (.: 2S Ll\ VELocli)f\O DE Lj\ lv2..
~V\IW\ G:-, LA A.A\2 !)e. OltDgN M'\ l>e. LA J:>li~JVAI>A Df

LA fU>.JC\OIJ BEs.::;;: L DE. 0/l.t>'N .VI.
~ACJ\. 1 MI'Mt"<f f-\.l)OS
i~ [ Yz
l
~
-- fM!M l
2 urb/" .R.z
r M VI,\ IZ S LA flA 2. I'WI D f. LA FvVCLDAJ BE SJ S L

I)E D/1-DcN VI.
61
RESONADOR FACTOR Qo.
LOS FACTORES Q DE LOS RESONADORES RECTANGULAR O CILINDRICO

O CUALQUIER OTRO RESONADOR ESTA DETERMINADO.COMO SIGUE:
Dw OE WQ, a..~ ~ll-~ 5;\i..NTA t.. A fll.~ cvt= NCI~ (2..E.~ IJAN\E
EN Rf..D\1\NE:S
VE e:.,. LA "ENEI2.0 14 ALM~C:.ENfH>A E"-1 I...A CA VI D.4 D y

Y~~s ~ LA 5 p~a..t>1t>As Tf-.!lM,c.As E.v LAs
\l~Ei:>ES Do LA CAViO!\D ~Su'-fHJ ~S Db: l-A

C:0(l.Q...,E:.f:. F:N L..Pts P11~f 1>;;:s ') p;: t..A ~JFjll)\l>RS
~-.
(0\!0vc.TI\JAS J>EL MAT:..It~L De Ls\.S >1-\~:Di> S.
EL fi\C\OQ.. DE CALIPI\D Q0 ~s T/\MBI~N V,jfl MEDvl) 'DEL
~L ~NC\\Q ~E \':,ANDA \)~ E.~iE. COMPOIJ!'N11=. Mlc.(l.oo~DI\5 "fN((),)i]AADO
~IJ ~\JC\\OS D1s~t~~ilvos fNc Lvy;:ND'C 11-\.VSTI?-rJ.JS/ li:Tc.

CALCULO DE~ FACTOR Qo.
EX?tLE"SIONES cXAc.AS DE Los C.Pit.IPOS !=LF-C1l2.1Co y

MA<:1NET\C.o 'EXCITADOS DE"NTI2.o \:lf LA C!\vl 1:> A.t:> f R
(\!AL <f.;IEQ. M0.\)0 DE E. XC\ TI\Clo/J.
A~~O..'i\Q \)'E \JN \JA~oR. Cfo tiEfiNIOo LO::, pl\sos <;'19vi!O'I\.JTi;s
~~~~DEN SE9V11~~.5E. t'A"A CI\LCV LAR_ Qo .
~) j): Lp, P;:f>tJIC\ON Cl~L M.ot>o l:>sTEO.MII\JAil.. EL \JI\L-ol<.
!:>t. fn.. ~($l.ll, C\Ji\l. Quu;.(l. C.IWIO~D.
'2.) $: LPI$ ~)(' \lltES.:iOt..JE.S DE CAM?Q (OOOC\.t:lA-5 ()1=\ER-
. f\1.1NI\Q. ll& \)f'IL Lfl\ Sv?j;lt f; Cl~ S DE Ll\ CA VI DAD fiu;
\IEN~N " ~"' ()

1
S\JpE.IlfiCIE" MEfAL.1CA j ei~r}u
\\e/ ~R ') j (oOII.I>Ul~.I>AS CIL>NPil-1CJl5 y ~X: 1 f-1. & ) ~)
(00(2. DEtvl\.l)AS l;c.TI\Nt')uLI\(2.135 .
3) e AlClJ_I\(t iOOI\S LI\S ptll.DI.D\5 Df $upa12.f CJE. = JJ Y'Z.~<s lh/ :1-1

RESULTADOS DEL FACTOR Qo.
)'.\O~ ~.$Oi\NE E~IOC\fiCAJ)o pOR.. LA Of>~llACO.V.
(f>,v\01\D Rf.: c.TP.Nqlll.-Aa.
tL tl\c.TIQC.. Q0 DE LA R;;:SO"--AtJCil\ TE o
1
EsTA DADil pol2.
clol'\d.e.. )\E ='{1. o

E_ ..:. ~Eil..MI\\vol\1) DEL MI\TE.RI\L At]r!.J: ?APo 1\ LA Cl\1DAD.
J= ?!2.o-:voJi),1)At:> ~1EL J)f LAS f'A!2-E:DES
- ,f IV.A1jo
A_= ~~(h.\\ TI VI DP\0 t::lf" TODos Lll S Ml\'f~R.IAI...E 5
a,, b, \j-/ ~o"' \a.s ~\w.Qv.SoV\e5 ~\a. Ca.v(JQJ,

FACTOR DE CALIDAD QL Y
CIRCUITO EQUIVALENTE DE CAVIDAD U OTRO RESONADOR.
Wo 2. 2. (_ =- 1 L e R
Q0 .. vJ~~ "' W L 1R..
e1a. cv 1To ILES0JAN1E.

EQu1 UPri-J:NTE"
L e R
t
- 1
,''!l.
COMPONENTES ACTIVOS.
KLYSTRON.
\: L \<.U:.ir<CN :;:S v SI\ Do TANTo Couo AMpL-1 Fl el\ Do a. couo .
~\LI\DOA...
EsT. D;.\'OS(\VQ T\Et'J"E. <JIJI\ BAIJ~~ Lll'liADI\ (':\: \Ok)

\>ElLo \X'EI)E" CVB\ZIR 'Jt-~ RAN(lo t>t:: FC2-E.CVIi"NC\~ AM(ILI o
_ \ 4"J 1\ ) ~DO()~,} y VN lf\NE)o 1\MPL.IO Oli por;;mili
0~ S:.l\1..\1::\ D( W4~S f\ASi,t:\ C:i:NTo.:;. DE. Me.I)A wAlTS
\'::N M.o:>Os ;>vt..S!I?OS. EL $Lygi2.0"' VitESE.viA VIV 1 {lVI:'N
~\Sl.AM=f'JO f.Nit.\! LG~ ~vE.(l..TOS C:. I'Ot-JT(2./\DA ~ $1\L,.\.CA.
{\SY~Mf:\5 ' f L fS~Ec. TR..c .l)E 51\L..IDI\ E' S ELI\l'll-1 ~ .\.j:,vi'E
Y>IJENo CQ..,.p~~Po (\ OTRoS 01s.po.S1T1VOS Q-l:N<:> ope.aqN
(OI.l CI\VI $1\0ES' {t. '5oUANT)<<;.

ELECTRODOS
DE FOCUSING
GAP DE lA CAVIDAD DE
() () SALIDA PARA ACOPlAR LA CORRIENTE
__, .__ GAP DE LA CAVICWl...i .__ EN El RAYO CON LAS P/>REDES DE LA
1 1 DE ENTRADA PARA 1 1 CAV.;ID;:;A;:.D77-r77-.
: : MODULAR LA VEL.. ] ] RAYO DE:
1 1 t 1ELECTRONES/
COLECTOR
LDNG. DE DERIVA
HTR CAVIDAD CAVIDAD DE

TENSION DE ENTRADA SAUDA
Vo """
MODO
Vo
TENSION DE
ACaERACION SEAL DE SEAL DE
ENTRADA SAUDA
DIAGRAMA ESQUEI.IATICO DE UNA DOBLE CAVIDAD

DE AMPUFICADOR KLYSTRON 7
FUNCIONES DEL DISPOSITIVO EN VACIO ::0 10- TOI
KLYSTRON.
CAON ELECTRONICO.
1_l \ "' Cl\ll.Cf\DEL \::l..CCTI2.0>.1
'K. : 1 JI_ 1 1"l'YL-
----
Vo LA IJGLociDI\P ot::.1-o5
ELE<; TO.OU S D_ $~LI DI\
E"S NI)E.<.TAOA A l.A CM.
\lE. G>.JTCl.AOA 0<: L
"""NWDO \<.L'J.S l1.0tJ
Vo
DE LA Aoeii.TUilA !JEI...
[\NODO.
lll\ V o 1 =
Ci\1 A "E N Lp. ENI'll.EliA f'OrE.VCIAL DE Los ELEcTfl..oNE S
VIr:\) ANDI) DEL ClllOJ)o A LA 5ALID!l D= L ANO DO.
j_ m..
2.
"\Jo l..-
-
\..Q.\ Vo
vo = ~;1'\..Vo .,. ~XIo 5 VV~ m/s
Vo:::. lok:v
KLYSTRON.
MODOLACION DE VELOCIDAD.
~"!' ck la cau .\a& .k eo.f. = d
.r,-
-7
1 VOtV1
1 1
'
N:uO_-......- :-:+:>>>1 :-:-:-:-:-:-:-::-
........ ::r::::r:::::::::
1
_ .......1 11...----
E = Eo !'.le~ wt 1.
1
\JEl.oc\ol\t> 1>11 ~.os o:Le:c.TIZ.O"'~s P.E~~s oa 1..<~ Ac:ev~IU\C\c:o.>

\'Oil n cP.M>o l':!t.e:c~ c.o E J.e\ <AP.
..L "W\.. l '\To. +Va )2. = I.R..l [E o el JJtM.. wt ... \/~

~ . .
[ 'Vo + Eo J.~~ W 9
~ONI.AC!O'-.l DE
\J ~L.OC-\llf\ D
~Cll- Sf?NPIL
'
MODULACION DE CORRIENTE
DEL HAZ DE ELECTRONES SIGUIENDO LA MODULACION DE VELOCIDAD
POR LA CAVIDAD DE ENTRADA DEL KLYSTRON.
Io=DC
1
JE =DC+RF
RF 1
DC
(A\JIDAD
llc
rr.JTAAill\
...l.o"'-ie te..- to = L /v U:) ... .!::_ (1 + Eo d.. ~e."- w+..)- 1

Vo . 2. Vo
V(. to) -= \lt;:Loc:lllAD o~ i:LE.c.1ll.oo;s. O< N 'X.= 0 t= -f..o
. /
Dt: L~ C.otJ~<:R.vA<:.lOIJ DE' c~I2~A
Io d h I d +e. L
J .t. : Io d. t oJJ +!
1- wL
V o
IE:= lo ~~~
"O
EoJ..
:Z. V<>
C..o5 lV tj- J
Ir== Io + 'lo LJL EoJ.. C..o~ wro R.F

'\.ro 2..Vo Corrien.te.
l-0
GANANCIA EN POTENCIA DEL KLYSTRON

PARA MAXIMO ACOPLAMIENTO (8:1).
ENTRE HAZ Y CAVIDAD.
[ v/v 0 <,g \ \E OCIA s~,.;~_ ?E(\l\J~I\]
~:l.
V lR.:!>\olo ~ Re:o) J..~R.sH,
'D L 1 1 ,
lo"renc..io... d'L e"'NluiA. n~
"'D
" ")
~
o
"-""' x Reo
= f'-;,
R '-' " R""
:!>no ,.. o:;
+Re,)
0
1 , .
RSHI REl
r
V=Eod
t
CAVIDAD DE ENTRADA 'Rsw, >REo
P;tJ. V2..
z. {l[
Io wL
Vo
CAVIDAD DE SALIDA
~o-k.nc..io- de.. ~li!o.. = G:jR,~
YRE.L +y~Sil.Z..
) 0~~~-~.z.. ~c2..
..
R.SI-1.1.. +/(e;,_
) rR.F
:z..
2..
)..
R.~~2. > R.Ez.

Po= R.E..z... R:!>H~ R. st+.1.. Re.z.. IRF
so RE~ (R. :!>ri;l. ..RE.>.) R 1>1!-"- t R. e;l. 2..
-T-ez L
ti
TUBOS DE ONDA VIAJERA (TWT).
\..o~ lw\ 1-l!AN .lll(jADc I)"J PA\'n .._~y '"" poP.TAI'IlF 1:"' Ll\:s ('OMVIJI-
CACiot->1S: MIC!lOOJJDI\5 \'::1\:l L-o5 llli!U.OS (IJI\~E.,..i\1\ ANoS Y E:LLoS
1\l.l/\l ll-EI\l.-1 2AI\l fu>JCIO'-lE:s \JIJICJ\ s: :,v LAs co ... vw\ ci\C\ou ~ s VIl\
Q.;c S;;r. DE
Sl\t=LTE Pll~OE :;,IJ FM5f!12..J)o\ poTe-.vciA ALTA '/131\t.~PI\ \NCHI\
1\ciOrLMos Co~ l>i<;,Toe.s;oy:s AM-PM ~N f"1f\ll~TANTES.
L-1\ S fRIAJCipALE-5 DE~v ENfi\.'JA s Di=. v>J Ttul cou.pti(2.f.\ Do
fl<. IJ>J SS~A <;,o>V S\J& 1\LToS voL TAOS'" PE o~)2(2.ACL'ON (3kv)
~ ~I.J -\-o:::M(}Q D~>: u1DA Ll MITA~ (-;:. 20/ ooo MTBF)
SIN l:MeAil-Ejo ~V /1LTA {)ANANCi/1 eboJ \)) /

MNPA P,.vcHA
(ocAVI\S) 1bl\)o Q.I.JII:J<D lo CoMpf\AN A LOS /lvl p11TT5.
12
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O O O O O O O
---.. 1ESTRUCTURA DE ONDA

HrR "" Vo HEUCOIDAL SUAVE
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LA \JEL.OC\ DI\\) DeL HAL b:E 'ELCTR.o\Ji5 Vo 1i: STA
sp..JC.(to 1-li'Z.I\'i)A cslf..l L~ \)~Loe\ l)J1.i) o e: f4sE 'Vr H

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\>~ LI\S Cl~D~S utttS~s Stow'FA.JLAEJT<vcTU/2J9
Hn, Y-.
o'
ONDAS LENTAS.
c~LD~ W AVES)
l()klDI\S PR.ori}~~!"Oo~e. i:N u"' ""~DIO EN EL cv~ _ L-A
\lEl<>o ~:>1\l:> :,:_ f~>.se E..S: rv:~::z,~ A LA vELOCiv~j) De LA Lvz. G"N
~L llfl-CIO C;:.o ) ~ llAMADAS o.,pr_s Le ... rAS. 'fN \JAJ TwT
LA vEL-oC\oAI> ~E :As.;; DE. 11\1$<;. o"'"'"S DEcE 'i.EI2. D!iL. o~;N
{)C {-" j \0 ~t TAL fo!'MA /fvf. i!( VOLTA.Jf De .ACE"LI!RACION .D;:
\:L..~cTn.<HJI'S S( VN cu::Nia..:_ Vi-N El o~t>o:t- CE vAII-Ios KILouol.T$.
los 0$l~tAM.AS lN~? So"' M'-'~ C~vvE..VI l!I\JTG.s yAe. CoM-

~(LEN PE.e. ~. E:vALvAa. \.>Nt>, Sl-\.l ~ e Slow l.U ~V~ <;;TIZvciUIZ.E).
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IN-\J SI~\JI~Nf-
'vvjp :: Vo.H
d~~" u~
.. , '
o
DEFINICION DE TERMINOLOGIA EN (
DIAGRAMAS PERIODICOS w-B.
p
~Lrr----~3-rr--~-~rr~-----rr--~O~pr--rr----~rrL---~3-rr--~2~rr~~5rr
0
2P 2P P 2P 2P P 2P P 2P
PRIMER MODO PRIMER SEGUNDO
ESPACIO FUNDAMENTAL ESPACIO ESPACIO
ARMONICO ARMONICO ARMONICO
N=-1 N=+1 N=+2
w ~.,. 3o- ][ Yri t:.~Fo \\Cl...r~'f\On\~ N~ -1

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ESTRUCTURAS PERIODICAS.
ll\ (.Oio.l$11\N;: DE t'RofA (ji\CIOIJ ~.v t:>E OIJJ)~s
\J . f\ FILe C$ \E\) 1+ t> ADI\ 1< IV. 1.- A D1\ N DP, ?O~ :
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'ts'I\S lo>JS\1\'-lT~S l>E \1'1-o\ltrG)\Co.v Re~l2.~fNT!lN IDDA s LAS
~IJMS P4ll>l !I~E S V(Zo~Af]llNtiO p~i~NCIJ\. ~11 S'!EA l:I'J L/.1 ~IZ.Qcqov
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LA R(::..f\C\0/J li!'-'ra.: LA >oT~S.VCifl ? ~ve:s~: ...n:: li.rv v>.J ~VJS
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i)e: L,.A Dli1-li:CC\IW '"2.. (. i:liQii:cc\OV 'D. p!Z<!li"\~AC(O'Y 'E irJr'.(l..i\rcr~V)

ESTRUCTURAS ~~RIODICAS.
L/\ Bl\~n(l De O\'f<UictW PE <J~ \vS\ ~ED~ Del:~IZ..MI.rvf$2....1. E

\\ ~l\(2...11l. DE LoS" DIIH';AAliA5 \JJ-f. LA ,MAJDI\ (ve,~LC l:l.L !2-AN(jo
I:>F- =z..:.cvf-('.)Cif\ t>r-J e.L Cvi\L w /f3 'V c'te. '} Lt!>S Slf~-JC:JS
S,.,IJ' Los k\ 0Mo 5 .
MODOS DE INTERFACE .
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TUBO DE ONDA.
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TUBO DE ONDA VIAJERA
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L-=, _1 st. t3jc..V3L
9
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Jo~c\.e. ~e.. {5o ~ f.>. l .. ")_ lf (\}

TUBO DE ONDA VrAJERA ..
k= 2.oo V., lO, Oco; V.
c.. = o. 1
Gr= -~.s-~ +41 (o.I) (ro) df.l
= -lo + 41
po.ro.l N-= 15 J
Gr= -lo + 1-o ~ bOd/3 r-
s, ~ -= ~ 2-h.Yo ~ b x ~o 5 VV: M /s
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F A C U L T A D OE INGEN!ERBA U_N_A_M_
DIVSSflO!N D E EDUC::.AC::DC>N CONTINUA
CURSOS ABIERTOS
1 CURSO //NTERNAC/0/IML DE CO/IIU/N/CAC/0/NES

MODULO 1: TELECOMUNICACIONES V/A MICROONDAS
Del 18 al 23 de mayo
CONCEPCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS

MONOL/TICOS.
PROFR. RENA TO BOS/S/0
MAYO - 1992
l';1h1cio de Miu:!r'a Gallu tJr. TcH.uha 5 Pdmcr piso Deleg. Cuauhtmoc 06000 Mxico, D.F. Tel.: 521-40-20 Apdo. Postal M-2235
CONCEPCION DE CIRCUITOS
.INTEGRADOS MONOLITICOS.
. . .
Los circuitos integrados mnolitico, microondas utilizan la
integracin sobre el mismo substrato semiconductor (Arseniuro de
Galio), elementos de circuitos pasivos y activos. Ellos conducen a
una evolucin importante en la concepcin y la fabricacin de
circuitos microondas permitiendo una miniaturizacin importante
asociado a un bajo costo y buen funcionamiento.
. En relacin a los circuitos sobre silicio, las ventajas de los

circuitos AsGa (o AsAlGa/AsGa) son las siguientes:
Los.electrones tienen una gran movilidad, en particular

para los campos elctricos dbiles esta movilidad es
cuatro veces superior a.la del silicio. Esto disminuye
los valores de las resistencias de acceso de los
transistores.
El substrato AsGa es semiaislante, lo que permite la

realizacin de lineas, disminuye las prdidas y mejora
los factores de ruido.
La capa dopada tiene un mejor comportamiento en

temperatura y una mejor resistencia a las emisiones de
iones.
La velocidad de saturacin se obtiene para campos

elctricos pequeos, lo que permite el funcionamiento con
pequeos valores de tensin de polarizacin,
En comparac~on con las otras tecnologias microondas, los
circuitos monoliticos ofrecen las ventajas siguientes:
Reduccin del peso y de las dimensiones.
Reduccin del c'osto para producciones a media y gran

escala.
Mejoramiento de la reproduccin y de la confiabilidad.
Reduccin y dominio de los elementos parsitos.
Integracin de varias funciones sobre la misma plaqueta.

1
1.- FUNDIDORA MMIC (CIRCUITOS MONOLITICOS INTEGRADOS
MICROONDAS.)
/
1.1.- Procedimiento tecnolgico.

Vamos a describir brevemente las etapas tecnolgicas asociadas
a la realizacin de un circuito integrado. Este conocimiento es
indispensable al diseador ya que le permite mejor definir los
modelos elctricos utilizados, asi como sus relaciones con el
diseo de ~ascarillas correspondientes a cada etapa. Estas
.diferentes etapas estn resumidas sobre la .Figura 70.
d'_c_nr~ _________ Q:..'1-lL~.:

_____ _n_':..L:
SEMI ISOLANT 200 um COUCHE ACTIVE
_____]- --- ~ . - '"'o'-.'.:.6.....::;um;:;__ __

MESA
,......., qfluGe/N1/Au
.
___j.--------1_.- - - -
CONTi'1CT OHMIOUE
GRILLE ET
f'REMIF.R METAL
,....., q Ta205
__J.----- ----IL_~,....~~
DIELECTRIOUE 1
DIELECTRIOUE 2
SECOND METAL
FIGURA 70: EJEMPLO DE LAS ETAPAS TECNOLOGICAS.

,
a) Capa activa.
Las capas activas de obtienen a partir de un substrato

semiaislante en arseniuro de galio de dos formas diferentes. Ya sea
por crecimiento epitaxjal en fase vapor o por rayo molecular. Ya
sea por implantacin inic direct~mente en el substrato.
b) Aislamiento.
. El aislamiento permite separar las.diferentes zonas activas

correspondientes a los diferentes componentes, puede realizarse por
grabacin de la zona activa (es la tcnica MESA) o por implantacin
de tomos de boro entre las zonas a aislar.
e) Contactos ohmicos
Se trata de un contacto metal-semiconductor recproco; que

. debe presentar la .. ms 'pequea .resistencia posible (resistencias
parsitas de .los componentes). Son obtenidos normalmente por una
aleacin Or-Germanio-N quel ..
d) Compuerta y primera capa metlica.
Un depsito de tita.nio sobre la capa activa constituye una

unin Schottky no recproca. La adicin de pltino y despus oro,
permite disminuir la resistencia de compuerta (el platino evita la
migracin de oro hacia el arseniurio de galio) .
' >
Este mismo depsito efectuado sobre el substrato semiaislante

permite la realizacin de una primera capa metlica.
e) ~rimer dielctico.
Este dielctrico de permitibidad elevada permite la

realizacin de capacidades de tipo MAM (metal-aislante-metal). El
ms utilizado es el pentxido de tantalio con espesores del orden
de 0.3 ~m y una constante dielctrica relativa de 28:
f) Segundo dielctrico.
Este segundo dielctrico sirve al cruzamiento entre las lneas

y a evitar el rompimiento sobre los bordes de las capacitancias
MAM. La permitibidad debe entonces ser pequea, el dielctrico ms
utilizado es la slica (Si02 ) .
g) Segundo metal.
Una capa de oro de espesor relativamente grande (2 a 3 ~m) es

depositado y permite asegura:: las conexiones entre elementos,
realizar las secciones de lnea o las inductancias.espirales.
h) Metalizacin inferior y hoyos metalizados .
Un depsito de oro se efecta sobre la cara pos~erior para
asegurar un buen plano de tierra.
Es. posible, utilizando esta metalizacin, excarvar por
grabacin inica o ataque quimico los hoyos que atraviesan la
plaqueta.
La metalizacin de estos hoyos hace que las paredes sean

conductoras y permite establecer los contactos. con la parte
superior.
1.2.- Elementos de circuito.
Los elementos activos propuestos por las fundidoras son

esencialmente transistores MESFET (igualmente HEMT ,> ver HMT) y
diodos Schottky.
Los elementos pasivos son secciones de linea, inductancias,
capacitores, resistores . .
Las secciones de linea son de tipo microcinta obtenidas por un

depsito metlico a un ancho dado.
Lasinductancias se obtienen en forma de una cinta metlica

dispuesta en forma espiral. Estas espirales son ya. sea cuadradas,
circulares (en este caso el.circulo es.aproximado por un poligono
a n lados) . 1
Los capacitares son obtenidos, ya sea en forma interdigital,

ya sea utilizando la capacitancia inversa de un diodo Schottky
(capacidad variable electrnicamente), ya sea comnmente. en forma
MAM.
Las resistencias son obtenidas ya sea utilizando una parte de

la capa activa, ya sea un depsito metlico (titanio; niquel-
cromo).
La Figura 71 muestra algunos ejemplos de elementos pa~ivos.

PONT A AIR
.
.
.-----~- METAl?. . .
1 .
METAL2 1 1
1 _
/ d DIELECTRIOUE
MCTALI
SEMI ISOLANT
CAPACITE MIM
PONT A AIR
DII:.LECTR!OUE METAL2
~ OIEI ECTR!OUE
_A9?29h7);l,_g,..o,_,, .. r2h(ZZ22772?2721 -METAl l
1
SEMI ISOLANT SEMI ISOLANT
INDUCTANCE SriRALE CAPACITE MIM

PONT DIELECTRIOUE ' PONT DIELECTRIOUE
CONTACTS OHMQUE
M~ METAL!
SEMI ISOL.ANT
RESIS.rANCE ACTIVE CAPACITE INTERDIGITEE.
.FIGURA 71: EJEMPLO DE ELEMENTOS PASIVOS.
2.~MODELOS DE FUNDIDORAS CELULAS PARAMETRABLES.
Despus de la concepcin de un circuito MMIC, es indispensable

.asociar estrechamente los modelos elctricos de los componentes y
el diseo de mascarillas de estos componentes. Los modelos
elctricos deben tomar en cuenta los ,elementos parsitos impuestos
por la realizacin.
Nosotros vamos a presentar ejemplos de elementos presentando

a la vez el modelo elctrico y la representacin fisica en forma de
diseo de mascarilla. Insistiremos sobre la relacin entre los dos
por medio de los parmetros de. liga entre uno y otro. . .
La relacin entre la adquisicin de esquema, modelo elctrico

y diseo de mascarilla est representada sobre la Figura 72.
Estos modelos de fundidora (adquisicin de diagrama, modelo
elctrico, diseo de mascarilla) son proporcionados por la
fundidora para .una.tecnologa' dada.
SAISIE DE SCHEMn
..
PAR AMEIRES PARnMETRES

Poi Pdl
-t
,ELFC ~IQUE.S DE DESSIN
Pe l, Pe2, ....
1
l.
1
1 Pdl,f'd?, ... -
1 1
Pe!
1
1
PARAMETRES
. .. COMMUNS
Pe 1, Pc2, . ..
. ..... ..
MODELE ELECTRIOIJE CELLULE E DESSI N
.
~ ~
~
FONCTION DES
-FONCTION
DES
PARAMETRES PARAMETR~S
Pe 1, ... ,Pe 1, ... Pd 1 , : , Pe 1 , ...
FIGURA 72: ELEMENTOS DE BIBLIOTECA DE LA FUNDIDORA
Los parmetros de paso deben permitir la determinacin de

todos los elementos del modelo elctrico, as como todas las
dimensiones de las mascarillas.
2.1 Transistor MESFET.
Es el elemento esencial de los circuitos MMIC, es entonces

esencial . conocer perfectamente su modelo elctrico. El' modelo
elctrico puede ser ya sea un ~odelo no lineal, ya sea un modelo
lineal, parametrado para un valor de'corriente de drenador.
Los parmetros accesibles al diseador pueden ser por ejemplo,
el ancho de la compuerta y el nmero de dedos de la compuerta (la
longitud de la compuerta est fijada por la tecnologia). La
longitud es la distancia recorrida por los portadores mayoritarios
entre la fuente y el drenador por. debajo de la compuerta. Los
valores de los elementos del modelo elctrico lineal y no lineal'
son funcin de estos dos parmetros. Estos parmetros son comunes
al modelo elctrico y a las clulas de diseo, las dimensiones de
las mascarillas de las diferentes capas deben adaptarse a los
valores indicados.
En el caso de un modelo elctrico lineal parametrado, se
agregan los parmetros que definen el punto de polarizacin
esttica. Por ejemplo, esto puede ser el valor normalizado de la
corriente del drenador, normali;zada con respecto a-la corriente de
saturacin para un valor dado de la tensin drenador-fuente. Estos
parmetros son utilizados nicamente por el modelo elctrico y no
tienen influencias sobre el diseo de mascarilla.
Es posible introducir otros parmetros utilizados para el

diseo de mascarillas y n9 por el model elctrico, tales como, por
ejemplo, la posicin y la or ientac1n . de las conexiones con el
resto del circuito.
Un ejemplo de la adquisicin de es,quema est dado sobre la
Figura 73 indicando los parmetros de. paso para un transistor
MESFET con dos dedos.
Ps~=u
CHP35
PLFET2 .. Gate ~idth=2x~d
~VDS=SV ~d 75 um
Id=l
Hg -t
r--3-6--ll m
G .
.....
en
D
~dr=l8 um
\
Ws1=120 um
Psl=O
FIGURA 73: ADQUISICION DE ESQUEMA DE UN TRANSISTOR MESFET
CON DOS DEDOS. .
La 'Figura 74 muestra algunas ecuaciones que definen los
valo'res ,parametrados de los elementos del modelo lineal en funcin
del ancho de la compuerta y de la corriente de drenador
normalizada. ' otros parmetros permiten' tener en cuenta 'olas
descontinuidades con las lineas de conexin .
.. .'.
-
~
W 1n number of microns
~(ClJAUOM W.WdtiES
Bias Indcpendant Parameters

tUTtON Lg0.5JIIW
EMTIDN LciO.I4StW
EQliiTtON l.all. s
COUAfiON RgO. Q43tW
ta.JATION Rli'"~Si!M
CUTION QllB.StW
EaYITION hu2.119
Bias Dependant Parameters

Rds
EOUArlON R!S1U141 Id"-i+A3t ld"'3+AZld"2tAIld 1AOUI Oo/W
EOUATION MIJOJ.90~129 .
(0LV\Tl0NA3"' J135.4Si Cgd .
EOUATION AZ34B9 .31937 (0UAT10N Cgd2. SE-3 +t!. COCnol . .
(QUATION Al-14&2 137 1 (QllATION 11 CtiCC4t ld"4..01 Id .. J+C2tld"2 CIJ Id ICO
EOUATION(IQS~I;25 E0UA[lONC4S.&B\BIRES .
EOUI\HON Cl:o1.94135Bt-4
[0UAT1Dli C22.'SS \&i!:SE-4
. (OUArtON Cli!.OS5SI4E-4
gm EOUATION C02, 0025[ 4
FIGURA 7 4: MODELO ELECTRICO LINEAL PARAMETRADO DE UN

TRANSISTOR.
.
La Figura 75 representa el diseo de la mascarilla del

transistor indicando la significacin de los parmetros de posicin
de las conexiones.
Ps 2= -17 Ws 2rn 4 - -
. 1 YPs2=1
Ps2=~2 ~~
1
Ps2=2
-. nr '
----
t
~l
---- ----
Ps 1 . _2 ~- Ps 1:::=2.
. Psl=-11 . .
. 1 Ps 1=1
n3
--e--Wsl...._
Schma Phys i que
FIGURA 7 5: CELULA DE DISEO DE MASCRILLA DE UN TRANSISTOR

A DOS DEDOS. ,
La Figura 76 muestra lo que puede ser la pgina de

documentacin proporcionada por un fundidor para un elemento dado,
aqui un transistor con dos dedos de compuerta.

IXXliEMTATICW !i.R LA Bia.IDMtl.E PILS5EY PI..! ib

fET A 2 DOIGTS DE GRILLE
Nlrl 111 !MtiiCl..E 1 PLFET2
PM'IILIHES
.
. . ..
Paramet.res M1n Max
i'Jd 1argcl!.r d'un doigt de gr i 11 e 37 um !JO um
Id co"rant norma 1i s a IDSS
..
o. 1 .1
1- .
Wgr 1argeur acr.es gr' 11e O.OIH IOOH
' dr a in
i'Jdr largeur acces O.OJH JOOH
'
' sourcP. 1
Ws 1 largcur acces O.OJH JOOH
...-.. ..
Ws2 1argeur acces s:ourcn 2 - O.OJH JOOH
Ps 1 pu~ition relat1ve cnntact si -2 2
:--- ..
Ps2 position rela~ive cont act s2 -2 2
H=hauteur du substrat
REMARQUE.: les diffrentes dimensions aux acces
corresponden\ aux connex1ons de ces acces
~des lignes de transmission Ceci permet
de prendr~ en compt~ les .discontinuits
transistor-! ignes.
--wsz..,.._ CM~Jl
Ps2=-ll 1 n4 PLrETZ Gate Width=2x.fld
1 Ps2= l ' .. 01 VDS5V . Wd=75 um
Ps2=-2 . ,..---.L.; Ps2=2 Id= 1
-, n 1 - G 1-- D
m~
Txt+--t~~~--',., Wdr
2t
=36 Wdr=IB um
Ws1=!20 um
---- ---- Psl=O
Psl=-2 Psl=2
Psl=-J.Y' : Psl"'l
. n3.~nS
1.1 1
oc!i
Schma Physi que Schma Symbol ique=PLFET2
P. 28
FIGURA 76: EJEMPLO DE PAGINA DE DOCUMENTACION.

2.2.- Elementos pasivos.
Vamos a indicar aqui. algunos elementos entre los ms

utilizados dando en cada caso la topologia del modelo elctrico, el
sim,bol de la adquisici'n de. esquema y. el diseo qe mascarilla.
'
2.2.1.~ Inductancia espiral.
El caso presentado es aquel de una inductancia cuadrada

definida por el nmero de vueltas (para mltiplos de 1/4 de
vuelta), el ancho y el espaciamiento de la cinta metlica, asi como
la orientacin relativa de los accesos.
La Figura 77 representa las 3 partes del modelo de fundidora.
"""
FUlDlhD
NT: ( 1, ... , 1Ol
QT:C-2,-1,0,1,21
AZ: (0,S0,270l ...
JltiMl NTI
QT=O
W\2 Ulll' .
512 '"
A20
SCHEMA SYMBOI. TOUF ..,., "
. ~ '; _.: k
ni
"rr__.,~-ttttHL/_'
.,.~ r) ~
ACROI.NII
SCHEMA ELEr.TRIOUE
't r
. AliRctiND
SCHEMA PHYSIOUE
FIGURA 77: MODELO DE FUNDIDORA DE UNA INDUCTANCIA ESPIRAL

CUADRADA.
2.2.2.- Capacitar MAM.
La capacitancia est definida por el valor de' su capacitancia

por unidad de rea (en fF/J.m 2 ). Las dimensiones estn calculadas
q
para obtener el valor de capaci'tancia deseado; los elementos

parsitos del modelo elctrico""son enseguida deducidos.
.
. .
.Los parmetros' de paso son el. valor de la capacitanci'(, los
anchos de las lineas de acceso y i orientacin reltiva de los dos
accesos.
.
La Figura 78 representa la adquisicin de esquema, la
t,opologia. del modelo elctric9 y. el piseo de mascaril~a.
.,
CIPJI
., . ""'"'
!. 3<C<59 ~F
AM390
1
C; 1O pF
WM212 um
WM312 um
AMJO
;SCHEMA SYMBDLIOUE:
ni
T.
1
y
..;;,,
---
...._,
C.U,RI
--
-~
...
WH2
j_
--:==~J-
HHJ--~M30
~~r-'1'
.:1. -, .
l.ol.,.IO"'
'1 .
.,r
-
..."\.IDIIII
I n2 X '
1 . IIC~ ~D
AM3270
SCHEMA PHYSIOUE SCHEMA ELE:CTRIOUE
FIGURA 78: MODELO DE FUNDIDORA DE UNA CAPACIDAD MAM.
2.2.3.- Resistencia.
. El valor de la resistencia est definido por la resistencia

cuadrada de la capa resistiva. Las dimensiones de la capa resistiva
siendo determinadas podemos deducir los valores de los elementos
parsitos de modelo equivalente.
La Figura 79 da un ejemplo de resistenci utilizando la capa

activa de arseniuro de galio como capa resistiva. Los parmetros de
paro permiten determinar todos los elementos del modelo elctrico
y todas las dimensiones de las capas.
CI"J'I~O
PlRU
M~B R300 011

WR23 um
WM3A=I3 um
WHJB=I3 urn
orientationO
Perpendicular O
P::u-" llt:ol .= 1
SCHEMA SYMEOLIQUE
--.
--~
SCHCMA PHY?IOUE SCHEMA ELFCTRIOUE,
Figura 79: MODELO DE FUNDIDORA DE UNA RESISTENCIA ACTIVA.
2.2.4 Elementos parsitos.
Se trata de mostrar la importancia de los elementos de

interconexin otros que las lineas de transmisin.
Las figuras 80 y 81 muestran los ejemplos correspondientes a
un codo sin esquinas de 90 y a un hoyo metalizado.
' i'
'.
Clf'l<
Plii:Nll
.W=30 um
M2
M3
meta 11
SCHEMA SYMBOL I Q IF.

Clt'l
OlA! N
~ 2.
A"C~'HI GaMal
BZ,SINHIGammal
CS!NHIGomrnltZc
O COSHCGammal
w-...1
' ' AGROUNn .
SCHEMA PHYS HlUE SCHEMA El f.CTRIQUE
Figura 80: Codo sin esquinas de 90.
3. METODOLOGIA DE CONCEPCION DE UN MMIC.
La metodologia de concepcin de un circuito MMIC es

guiada por dos carcteristicas especificas a los circuitos
microondas:
La complejidad de los circuitos est reducida en trminos

del nmero de elementos activos ( como mximo algunas
decenas de transistores).
Todos los elementos de interconexin influyen sobre el

funcionamiento del circuito.
Se debe entonces poder dominar todos los parmetros de la

concepcin.
La figura 82 presenta en.forma de sinptico las diferentes
etapas de la concepcin asi como sus relaciones.
M2 meta 1=O
cr.Pll
PLVIA M3 meta 1= 1
metal~!
Wl=l2 um
-1
~
SCHEMA SYMBOLIOUE
""
""""""" """
"!iSLIIItllln:
- - SJJ3STPLCIAI 5UIST~GIA
1 OC+l " ERO t.OE+l tllt2.ln

;ti! ......... , Tl u KJIt
o
~ C~!looC~l CCINDw(IJ(O _ltl
H~ OD 1111 AOU(il':-~ '"'' H O~ ut A<lJC'.H-0 11A
. . . _ _ TNIDO,O J. - TlttD-U
SCIIEMA PHYSIQUE SCHEMA ELECTRIQUE
/ Figura 81: Hoyo metalizado.
La primera etapa consiste, a partir de una especificacin, en

definir una o varias topologias del circuito. Esta seleccin debe
efectuarse utilizando las tcnicas de concepcin (anlisis y
sintesis de los circuitos elctricos' lineales y no lineales) y
apoyndose sobre la experiencia del diseador. Esta etapa es
primordial y no puede en ningn caso omitirse.
La segunda etapa consiste en analizar_el circuito con ayuda de

un simulador, optimar el funcionamiento y efectuar un anlisis de
_sensibilidad a fin de escoger entre las diferentes posibilidades.
Esta segunda etapa utiliza los modelos de fundidora de los
elementos activos pero los elementos pasivos estn representados
por sus modelos ideales. se trata aqui de verificar que la o las
topologias escogidas sean correctas.
..
. .
Figura 82:. METODOLOGIA DE CONCEPCION DE UN CIRCUITO MMIC.

J
La etapa siguiente es muy . impor.tante porque ella. toma en

cuenta los modelos elctricos reales de los elementos pasivos
(resistencia, inductancia, capaci tancia, sec.ciones. de linea, ..),
ella utiliza la biblioteca de los modelos'elctricos de fundidora.
Los restll tados deben ser re...:optimados y un. nuevo anlisis de
sensibilidad es frecuentemente necesario.
.'
Esta etapa llega a un primer diseo de mascarilla en el cual
los elementos esenciales del circuito estn posicionados los unos
en relacin a los otros. La utilizacin de la biblioteca de clulas
de diseo parametradas es entonces indispensable.
Este primer diseo de mascarilla permite definir los elementos
de interconexin tales como las lineas de transmisin, codos, tees,
hoyos metalizados, ...
La etapa siguiente consiste entonces en examinar la influencia

de estos elementos de interconexin, efectuando una simulacin
completa del circuito. Esta simulacin debe estar seguida por una
re-optimacin de los valores de los elementos, es entonces
importante poder regresar del diseo de mascarilla hacia la
simulacin.
Es a veces necesario el re-diseo de una parte de la topologia
'inicial si los elementos de interconexin tienen una influencia muy
importante. Se debe efectuar entonces un "va y viene" entre la
simulacin y el diseo hasta obtener resultados satisfactorios. La
ltima etapa es el diseo final de. la mascarilla del circuito.
4. EJEMPLO DE CONCEPCION DE UN CIRCUITO MMIC.
Nosotros vamos a ilustrar la concepcin de un circuito

integrado . monlitico describiendo las etapas para disear un
amplificador a transistor a dos etapas y a banda estrecha.
La primera eta.pa consiste en efectuar un clculo simplificado

de los circuitos de adaptacin entrada, salida y entre etapas
utilizando un modelo unilateral del transistor y , dado el ancho de
banda estrecho, un clculo de los elementos para la utilizacin de
la carta de Smith. Dada la frecuencia relativamente baja (del orden
. de 10 GHZ) hemos escogido elementos concentrados a fin de terminar
con un tamao del circuito no muy grande. figura 83.
Despus de la segunda etapa introducimos los modelos de

fundidora para las capacitancias, las resistencias y las
inductancias, es necesario efectuar una optimacin de los valores
de los elementos para obtener el funcionamiento deseado. figura 84 ..
Esto conduce a una primera implantacin de la mascarilla

destinada a situar los elementos de interconexin. figura 85.
La simulacin toma en cuerita.los. elementos de interconexin,
impon!'! una re-optimacin de los valores de los elementos: para
satisfacer .las. condiciones. de las especificaciones. figura 86.
Constatamos en par.ticular .una .caida importante de .la ganancia
debida a las prdidas en las inductancias.
Despus de varias iteraciones entre la si~ulacin y el diseo
de mascarillas, es posible llegar al diseo final de mascarilla de
la figura 87.
' '
. '
'1
'. )
..
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.....
--
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~ .
.
9.0 GHz freq 11. O . GHz A

9. O GHz freq 11 . O. GHz B
9.0 GHz freq 11 . O GHz e
-IGURE 83 AMPLIFICATEUR DEUX ETAGES SIMULATION ELEMENTS PARFAITS

''l
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. .,
.
.
- \
1\
-~
~ _1
1
00
.. o ~
.. \ Al
00 .
NNO
1 1
\
a.o GHz fraq 12. O GHz
a.o GHz freq 12. o GHz
a.o GHz fr~q 12. D GHz
FIGURE 84 AMPLI 2 ETAGES-SIMULATION El F.MENTS FONDERIE

.
' O{
...
:::.- .. ..
~
~ f:,.
. '. . .~ l-...
>-
f'-.- f-..- A
f" '
f.--
t--.. '""'.~
..
~ r:...
\: t---.. -__, !J
00 f-. f\ V
O
00 .
'l''l'o \ I/
9. O Q!z freq 11.0 QUA
9.0 Q!z fr1q 11,0 Q!zB
9.0 Qlz froq . 11.0 Q!zC
FIGURE SOG A~PLIFICATEUR 2 ETAGESSIMULATION AVEC INTlRCONNEXIONS

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2o pr
o 20 pr
20 pr o
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F" lGlJRE 8? DESSIN DU MASQUE FINAL DE L 'AMPLIFICATlUR

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DIRECTORIO DE ALUMNOS DEL
I CURSO INTERNACIONAL EN COMUNICACIONES
MODULO I TELECOMUNICACIONES VIA MICROONDAS
DEL 18 AL 22 DE MAYO DE 1992.
1.- AGUILAR CEDILLO JOSE ISMAEL
2. AGUILERA VELARDE JOSt ALEJANDRO

ANALISTA DE_SISTEMAS
' --~- >
.COMPANIA CONTRATISTA NACIONAL.
PERIFERICO SUR 6501, TEPEPAN, XOCHIMILCO, D.F:
TEL. 676 55 55 EXT. 114 6 109 OFNA. 691 35 47 DOM.
ALEJO TORRES LUIS

TECNICO DE LARGA DISTANCIA
TELEFONOS DE MEXICO S.A. DE C.V.
AV. JUAREZ NtE. 104 1 TULANCINGO, HGO.
TEL. 302 96 OFNA. 382 12 DOM.
4.~ ALTAMIRANO JUAREZ RICARDO

INGENIERO CONSULTOR DE PRODUCTO
MOTOROLA DE MEXICO S.A.
TONALA No. 59, COL. ROMA, MEXICD, D.F.
TEL. 208 55 38 DFNA. 686 21 31 DOM.
5.- ALVAREZ ACUhA JOSE LUIS

Jt~:::;:::: DE:- PC '~;
1'--i I f:)~:{.)!'\1 l"!t:: XI CAN;:
INSLlRGEN-rES SUR 1958, COL. FL.DRIDA., ALVARO ' OBREGON .
rEL. 664 1~1 il OFNAu :..l.:)..-:. C 1 11 LtC)v.
6.- APbNl'E DIAZ RECTOR
i...!~::IF:r,il'TZ . :l. :l.., j.;::). F:L~~)U.; C:C::.... l\l\){~ .. (~--.iZUH.t::z., -,~~:< .. D.F .
TC:L. -::1-S l~-:; 84 ()Cjf''\. _<: . ;_..J;:::~~::lL.P:,1 F:JE:., )G
7 - ARRIAGA VAL.ADEZ ;OEL MARr-IN
8.- BRITO Al.UA~ JUAN

f-' 1:\LJF-H" !..:=:::~ L t".:lBD::i(-:fUH J:_Cl CC_I"il..J;\ 1 f~~~~t:~ I'ciNZ~:S
FACULl"A DE INGErJIERIA, UNA~I
.CIUDAD LJN!VERBI"l"ARIA.
TEL .. "636 29 25 DOM.
9.- CALLEJA SA~IC~EI MA~~LJEL

l hlbD~ I u;.o
AV. TELECOMUNICCIONES S/N~ LEYEG.[)E REFORMA, !ZTAPALAPA
TEl.. 604 56 47 DOM.
~-

~O. FERNANDEZ-LOPEZ MARIA ELENA

PROFESIONAL DE INVESTIGACIDN Y DESARROLLO
FUNDACION INSTITUTO DE INGENIERIA
APARTADO 40200, CARACAS 1040~ A VENEZUELA
TEL. 58.2 96 211 55 OFNA. 58 2 96 212 _44 DOM: < - -
.- ,
11. GARIBAY PEREZ SERGIO
CAU.E RE\.IOLUCIO~I No. 211, LAZAHO- C_ARDENAS, C.P. 093300
TEL. (91 782) 2 96 93 DOM ..
,12 .. .LARA RUIZ JOSE -..,- - ~ : '.

. COORDINADOR DE INGENIERIA ELECTROMECANICA
IC~1 I~IGENIERIA
CALZADA.LEGAR!A No. 252, COL .. PENSIL, DEL: M. HIDALGO
C.P. 11430. TEL. 399 69 22 OFNA. 526 09 52 DOM.
,,
13. MAGA~A ESPINOSA NOEMI DEL CARMEN

SOPORTE TECNICO EN TELECOMUNICACIONES
NISSAN MEXICANA, S.A. DE C.V.
INSURGENTES SUR 1958 1 COL. FLORIDA, A. OBREGON,C.P.01030
TEL. ,664 01 11 OFNA. 684 83 10 DOM.
14. MARTINEZ ALLENDE GERERDO

ANALISTA DE SISTEMAS
S.C.T. D.G. DE FOMENTO DE LAS TELECOMUNICACIONES
SAN FRANCISCO 1626, 5o PISO, COL. DEL VALLE,DEL B.JUAREZ
C.P~ 031 1)0, TEL 534 68 98 OFNA. 763 01 71 DOM.
15w MARtiNEZ ROMERO JOSE LUIS

!v\{~r,rr:::l-.ili"!Ii::;:NTU D[ EC~Uif-=-U DE CDr,lPUu
FACULTAD DE INGENIERIA UNAM
CilJD~D U~ilVERSITARIA, D.F.
T::::.L.. 6:::::: 31 J.~) DF!\j{:.
1.6~ MORAL~S RANGEl._PLABLD ~SAlAS

i~FtUEBASDE S!S"!'EMAS -ELEFONICOS DIGITAL~~
l"ELEi~0USTRIA E~!CSSON.S .. A~ DE C.V.
VIA.Dk. GUS.fAV!J BAZ Na~ 21.60,_TLAt.NEPA~!~LA~ ESTADU DE
MEXI~O~ C.p .. 5~-0f~O~
TEL~ 726 2() 1)0 Exr3677 Y 112(1 [F~10, 398 08 29 DOM.
17. ~llJRR!El-A LEE J"UAN 1:ARL.OS

MAES"l"RO TIE~iPO COMPLETO
J:NSTilu:o TECNClLOGICU DE SI~IALOA
CHIHUAHUA 8~8 SUR, CE~ITRO.
TEL. 7 04 91 OF~lA. 679 36 (91 641) DOM.
18. NAFlV~EZ ANDRADE GERARDO

SUPERVISOR INGENIERO
TELECDNSTRUCTO~A S.A. DE C.V.
2 PONIEN-rE No. 3318, COL. AMOR, PUEBLA PUE.
TEcL. 4tl l.i 84 lW~.!!;. 24 D-1- 31 DCWI.
'
19. OLIVE!RA REIS ~1ARCIA

r,f''cN'
c.:.~- .::n~~ r-,11.
::J-{ .. H - f"cc'LITC: ..r-'
c-.::)~ _ . ,_1HU .. J U.l
TEL.EBF>.A~l - CFqD
F>.ODOVIA CAMPINAS, MDGI MIRIM, l<IV! 1 1 t3 ~ ~) .1

BRASIL, CAMPINAS
TEL. 55 192 396 460 OFNA .. 55 l92 :l69c> DDM.
'20~ ORTIZ C. AGUSTIN . -....
21. PEREZ MENDOZA MAF>.TIN_

AUXILIAR T~CNICO .
... S.C .. T. . .. . .' -
. ._:p.G.A.C., PROVIDENCIA 807 ---- .. -
-TEL. .763 01 12 DCm.
22~ RAMIREZ SANCHEZ EDUARDO
' JEFE DEL CENTRO DE-DISE~O ELECTRONICO
FACULTAD DE INGENIERIA UNAM
CIUDAD UNIVERSITARIA; MEXICO D,F.
TEL. 622 31 14 OFNA.
23. RAMOS FLORES JUAN ALBERTO
24. RIOS JULCAPOMA MILTON

JEFE CE) RADIOCOMUNICACIONES
INICTEL ~
AV. SAN LUIS CDRA. 17, LIMA- SAN BOF>.JA, PERU
TE;L. ((H)51.1LI-) ~~6 '71 10 -- ~5::!:j DDt1
25. RODRIGUEZ CUEVAS .JORGE

PRCJFEEUF\ T C ~ ft n B or
FACULTA!) DE -l~IGENIERIA U~iAM
CIUDAD UNIVERSITARIA, MEXICO D.F.
rEL. 622 31 14 OFNA. 680 18 oj DOM.
_26. ROl)RibU~z VARELA RGLJL

rECNICO EN SISTtMAS.DE COM~NitAC!ON
CD!"1 I ~3 I.p!\1 r.::_f:~DEI~~-p;_L. "(jE: E!... C~CTH. I C l D~~t
{iCf2~~SU I I I No. :~.::, r;t.~:FFZD DEL. T{1f,.1E::DH~, ?01\i{:~ Ii:-iUi:)_THI~-~L
TEL.
::;;[) Bl~~ P,C.\ I.S i:~~ccj ~;T ~~l Fi,l.Jf::;r.~~r-! M-:~n -. I !--.!
JEFt~~ DE ~~~ELC I DN CUH~;.; ..r:..;ucc 1 (jN .~1PtP 1 O ( i~1 I.CPCiO~.!D1~E:-;) .
TEt_EFNOS DE ~!EXYf~O~ s.A. DE c.-~/.
c~~~L.L._E :;,q. f'-ID~ 49~2 <:< ~9); [Ei\i~rF\U) t~I[Fi.~:D?-1, YUCATAi!
C.P. 97000, -rEL. 24 84 31 DFNAw 26 06 79 DOM.
28. JORRES GDMEi RIGOBERT

. TI TUL{\H DE C~REA
J r'1~.::--:t.J.I~''tl['
,-,c;TriJ'I-
.r. : ,__,. . . c..... _ ,rr , Jlr: ...... rJ~'IIl\'c--~-\f"'T[)'\I=c
_, .. rr .... r .. ''"--' .. 1 .._ __ , ,
IW. DE'~ LAS TELECLWIUN I CACI DI\IES t)/N, LEYES Dt: HE:YORVI~1
TZTAPALAPA~ rEL.. 692 00 77 OFNA.
. .
1
~~:-; . 'i.Ft L ':;:_1\i;___ .i. i'-l LH f_ i-. e::.-:: nr:ti'lUc. L
SUPERl~l-rE~!D~~l-rE AUXILIA~t DE COMUNICACIONES
toMi~IO~I ~EDE~AL DE ~LEtT~ICIDAD
ACCtSO III ~o. 2, CERRO DE~ TAMBOR~ FRACC. INDUS-rRIAL
BENITO _J.UAREZ, QUEREl.ARO, QRO.
TE L 1 U 1 .'i . 29 CiF'!J;:; ...
30. VARG~S GOMEZ S~RGJO

SUPERVISCiR DE MANlENIMIENTO
FABRICA DE JABDN 'LA 1
CARLOS B. ZE-flNA No. 80, FRACC. INDUSTRiAL XALOSTOC.

e P- ;. ,.,..:.I,J.:.;_.tU
..,.. -' , rrL
1 e~. :=::..)8 27 00 PFNA. 361 06 82 DOM.
31. VEGA JACOME VICTOR MA~UEL

?;U\DEYI!CCJ
FACULTAD DE INGENIERIA LJNAM
CIUDAD UNIVERSITARIA, CIRCITO INl'ERIOR
.lEL. 622 31 12 OFNA. 681 07 86 DOM ..
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Decd 1132

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DIV/S/ON DE EDUCACION CONTINUA

PRESENTADO EN LA CD. D MEXICO, PARA:

PROFESOR. RENATO G. BOSIS/0

VX ~ = ;' ' . "

Ecuacin de linea de tansmisin.

av = ZI Z = influencia por unidad de medida

V(z) = v..;JP + v_iP Solucin de(l)

I(z) = I + i-JP + z!f"

E~ld!<i~D ge l1D~S! s;li t~::snS~mii~o.

"a" .. Onda incidente normalizada en "R"

"b" = Onda reflejada normalizada "R"

r = b/a = Coeficiente de refleXin en el plano "R".

COEFICIENTE DE REFLEXION EN EL PLANO DI RIFIRINCIA DIFIRINTI DIL

VALORES DE ONDAS NORMALIZADAS EN 11 R11

a 1 = ae+JUL y b1 '" beJDL

NUEVO VALOR DEL COEFICIENTE DE REFLEXIONo

POTENCIA INCIDENTE Y REFLEJADA Y ONDAS NORMALIZADAS

.ONDA NORMALIZADA a V./~ a a

NOTA a a = __E_ = P incidente

NOTA b b' .. ~ .. P reflejada

IMPEDANCIA Z(L) DE UNA LINEA DE TRANSMISION A LA DISTANCIA 11 L11

Z(L) = v (L) = -:-::-V-'-._e.,.jc-:pL,--+_V-=_~e--_JP-:-:L.-::-

Provee informaci6n sobre impedancia (real e imaginaria).

r = ( z,_ 1 z. - 1) 1 <z,_ 1 z. + 1>

Z00 " impedancia del modo impar

,., ' f ~,'

Profesor Angel Mediavilla.

Medida de Pr~metros de Scattering en

Jos M Zamanillo Sq.inz de la Maza

Importancia de la Modelizacin en dispositivos de microondas

Tipos de analizadores de redes: . '

Este trabajo se ha estudiado el funcionamiento del

Tipos de Guas de Onda

TIPOS DE GUIA DE ONDA .

Tipos de Lneas de Transmisin

TIPOS DE LINEAS DE TRANSM!SION

Cable coaxial B arra rectang uJa:c encerrad e.

Fueron introducidos por K. Kurokawa en 1965

Esquema de una red de dos puertas

l"l 1---- -- __ -------------- -----'------ ) lrn

' '" ' . lja

Analizador de redes au1Dmtico

"' Si ntetizodor d Berrido

' Conmutodor de Deteccin

Esquema de la uilidad de test de un analitdor de redes

,,, ---~---------~--) Jch

Mtodo de los doce Vectores de error

' - ' -------~-------~--------------- -~------)-l~r:::h

El proceso de calibrado engloba todos los efectos

Calibracin TRL en medidas nomcoaxiales

Existen gran cantidad de tcnicas de calibracin,entre las ms

e - Simplicidad de construccin de los patrones estandares.

El problema del De-embedding.

Plano M Plano a . Plano R

Anel i Z!ldor 1---..,...... Red Red

Analizador de Redes Real D.A.M. +. Red de acceso

R =Plano situado en los extremos del dispositivo e. medir

Diagrama del proceso de De-embedding

Calibrado Total = Calibrado de errores + De-embedding

Esquema de montaje de un transistor MESFET en chip.

Esquema de montaje de un transistor MESFET encapsulado.

....--Jo mm .-5mm-. .-5mm-.