Circuitos Microelectronices i ANALISIS YY Dts ENO NUL) fConstantes fisicas Cantidad Simbolo Valor Constante de Boltzmann k 1.38066 x 10° I/K ‘Carga elemental q 1.60218 x 10°" C Masa en reposo del electrén me 9.1095 x 10>" kg Electrén volt ev TeV = 1.60218 x 10°") Permitividad del espacio libre 6 8.85418 x 10" F/em 8.854 x 107! F/m Constante de Planck h 6.62617 X 10-™ Is ‘Velocidad de la luz en el vacio c 3.0 x 10! em/s = 3 x 108 m/s Voliaje térmico a 300 K IT /q 0.0259. V Factores de conversién y prefijos Unidad Simbolo — Conversién Frecuencia angular o nf tps (radianes/s) Frecuencia f f= @/27 Hz (cielos/s) ‘Micrén, mictémetro am 1076 m = 107 cm = 107mm Mil mil 107? ent = 25.4 um Temperatura, grado Celsius “Cc °C =K — 273.15" femto f x 19 pico P x 10°? nano a x 107% micro, » x we mili m x10? kilo k x 108 mega M x 108 giga G x10? tera, T x 107 b iPropiedades titiles del silicio cristalino, del germanio y del arseniuro de galio Arseniuro Propiedad de galio (a 300 K) Silicio Germanio (GaAs) Nimero atémico 4 32 Galio: 31 Arsénico: 33 ‘4tomos/em? 5x 10” 4a x 108 442 x 108 Constante dicléctrica relativa, ¢, 118 158 1B Hueco de energia, F, (eV) 112 0.66 Lan Movilidad electr6hica, jz,(cm*/V-s) 1500 3900 8500 Movilidad de los huccos, #4,(cm?/V-s) 480, 1900 400 n, nominal = p; (nimero/cm') 15 x 10! 24x 10 1.8 x 10° Punto de fusién, °C 1420 936 1238 Pardmetros importantes tipicos del BJT a 300 K (temperatura de ambiente) Parametro npn (sustrato) pnp (lateral) Be 200 50 30 Br 2 4 3 V (volts) 150 30 50 V, (volts) 07 0.55 0.55 J (amperes) 2x 1078 lol ax ry (ohms) 200 100 300 ‘Modelos de PSpice Nombre det Dispositivo dispositive Modelo Orden numérico de los nodos Diodo D DUIS = 1,N =) Anodo, cétodo BIT npn Q NPN(BF = BIS = Js) Colector, base, emisor BIT pnp Q PNP(BF = BIS = 1s) Colector, base, emisor JET de canal n J NSE(VTO ~ Vp BETA = Kk) Drenaje, compuerta, fuente SFET de canal p J PIF(VTO = —VpBETA =|K|) Drenaje, compuerta, fuente MOSFET de canal M NMOS(VTO = ¥, KP = 2K) Drenaje, compuerta, fuente, Sustrato MOSFET de canal p M PMOS(VTO = V,KP=2|K)) __Drenaje, compuerta, fuerite, sustraioCircuitos Microelectrénicos andlisis y disefio MUHAMMAD H. RASHID, P#_D., PENG., C.ENG., FELLOW IEE University of Florida International Thomson Editores México @ Albany @ Bonn @ Boston ® Johannesburgo @ Londres @ Madrid @ Melbourne @ Nueva York Paris @ San Francisco @ San Juan, PR @Santiago @ S20 Paulo ® Singapur @ Tokio @ Toronto ® Washington‘Traduccién del libro: Microelectronic Circuits. Analysis and Design, publicado en inglés por Brooks/Cole Publishing © 1999 Brooks/Cole Publishing Company, a Thomson Learning Company ISBN 0-534-95174-0 Gircuitos microelectrinicos. Andlisis y diseno ISBN 968-7529-79-2 Derechos reservados respecto a la edicién en espatiol © 2000 por International Thomson Editores, S. A. de C. V. International Thomson Editores, S. A. de C. V. es una empresa de - i México y América Central América del Sur Séneca $3, Colonia Polanco Tel. (54-1 1)4325-2236 México, D.F. 11560 Fax (54-1 1)4328-1829 Tel. (525) 281-2906 thomson@pop ba.net Fax (525) 281-2656 Buenos Aires, ARGENTINA clientes @mail.internet.com.mx MEXICO Espaiia Tel. (3491) 446-3350 EI Caribe Fax (3491) 445-6218 Tel. (787) 758-7580 itesparaninfo pedidos@mad servicom.es Fax (787) 758-7573 Madrid, ESPANA 102154.1127@compuserve.com Hato Rey, PUERTO RICO Traduccién Rodolfo Navarro Salas y Gabriel Sanchez Garcia Traductores profesionales Revisién técnica Edmundo G. Urbina Medal Universidad Autonoma Metropolitana-letapalapa Director editorial y de produecién: Miguel Ange! Toledo Castellanos dito de desarrotio: Gloria Leticia Medina Vigil Editor de produccion: René Garay Argueta Correccién de estilo: Mario Alberto Mier Calixto Tipografia: Pag & Tips Lecturas: Luis Aguilar y Jess Vallejo 9876543210 ovina Queda prohibida la reproduccién o transmision total o parcial del texto de la presente obra bajo cualesquiera formas, electrénica 0 mecénica, incluyendo el fotocopiade, el almacenamiento en algin sistema de recuperacién de informacién, 0 el grabado, sin el consentimiento previo y por escrito del editor. All rights reserved. No part of this work covered by the copyright hereon may be reproduced or used in any form or by any means graphic, electronic. or mechanical, including photocopying, recording, taping or information storage and retrieval systems— without the written permission of the publisher Impreso en México Printed in Mexicouco 7 Introduccién ala electrénica yeldiseio capture 2 Diodos Contenido Prefacio xvi 12 14 15 16 WT 18 19 22 23 Introduccién 1 Historia de la electronica 1 Sistemas electrnicos 3 Sensores 3 Actuadores 3 Sefiales electrénicas y notacién 4 Convertidores analégico a digital 5 Convertidores digital a analégicn 6 Notacién 6 Clasificacién de los sistemas electrénicos. 7 Especificaciones de las sistemas electrénicos 9 Especificaciones de la respuesta transitoria 9 Distorsién 10 Especificaciones de frecuencia 10 Especiicaciones de cd y sefal pequefia 11 Disefio de sistemas electrénicos 12 Disefio de circuitos electrénicos 14 CComparacion entre andlsisy diseio 14 Definici6n del diseio de ingenieria 15 Proceso de disefo a nivel decireito 16 Benetficios que se obtienen al estudiar desde una perspectiva del disefio 19 ‘Tipos de proyectos de diseio 20 Informe de disco 21 Dispositivos electrénicos 21 iodos semiconduciores 22 ‘Transistores de unin bipolar 22 ‘Transistores de efecto de campo 22 REFERENCIAS 26 Prostemas 26 Introduccién 27 Diodos ideales 28 Caracteristicas de transferencia de los circuitos con diodos 312.10 24 242 243 214 245 Diodos reales 32 Funcionamiento fisico de los diodos de unién 32 Unign del diodo 32 Condicién de polarizacién directa 34 Condicién de polarizacion inversa 34 Condicién de ruptura 34 Caracteristicas de los diodos reales 35 Determinacién de las constantes del diodo 37 Efectos dela temperatura 39 Anélisis de circuitos con diodos reales 41 Método grafico 42 ‘Método de aproximacion 42 Método iterative 42 Modelado de diodos reales 44 Modelo de ed con caida de voltaje constante 44 Modelo de ed lineal por seeciones 44 Modelo de ca de baja frecuencia 46 Modelo de ca de alta frecuencia $1 Modelo del diodo en PSpicefSPICE 53 Diodos zener 56 Regulador zener 37 Disefio de un regulador zener 59 Limitadores zener 62 Efectos de la temperatura en 0s diodos zener 65 Diodos emisores de luz 66 Diodos de barrera Schottky 66 Disipacién nominal de potencia 67 Hojas de datos técnicos para diodos 69 RESUMEN 73 REFERENCIAS 73 PREGUNTAS DE REPASO 73, PROBLEMAS 74 cariruto 3 BA Introduccidn 81 Aplicaciones de los diodos | 3.2 ‘Rectificadores de diodo 81 33 34 35 36 37 38 Rectificadores monofésicos de media onda 82 Rectificadores monofasicos de onda completa con derivacién central Rectificadores monofésicos con puente de onda complet 94 Filtros de salida para rectificadores 99 FiltrosL 99 FiltrosC 102 Filtros LC 106 Recortadores 109 Recortadores en paralclo 109 Recortadores en serie 110 Circuitos de fijacion 112 Cireuitos de fijacién de nivel con corrimiento Ajo 112 Cireuitos de fijacién de nivel con corrimiento variable 113 Detectores de picos y demoduladores 116 Multiplicadores de voltaje 120 Duplicadores de voltaje 120 ‘Trplicadores y cuatrplicadores de voltsje 121 Generadores de funcién 123 RESUMEN 126 RereRENcas 126 PREGUNTAS DE REPASO 126 PROBLEMAS 127 ConTENto0 89carituro 4 Introduccion alos ampifiadares Dispositivos de amplificacion 43 4s a7 49 410 5. 52 53 133 de un amplificador 134 iaen voltaic 134 fen cortiente 135 Gaancinen potencia 135 ‘Gnancia logaritmica 135 esistencias de entrada y de salida 136 ‘Sauracion del amplificador 136 No linealidad de los amplificadores 138 pos de amplificadores 140 ‘Amplificadores de volije 140 ‘Amplificadores de corrieme 144 ‘Amplificadores de transconductaneia 148 ‘Amplificadores de transimpedancia 150 Modelos de PSpice/SPICE para amplificadores 151 ‘Amplificador de voltaje 152 ‘Amplificador de corriente 152 ‘Amplificador de transconductancia 152 ‘Amplificador de transimpedancia 152 Relaciones de ganancia 152 “Ampliicadores de voltae y de corviente 152 “Ampificadores de voliaje y de transconductancia 153 “Amplificadores de voltae y de transimpedancia 153 Amplificadores en cascada 154 ‘Amplificadores de voltae on cascada 154 “Amplificadotes de corviente en cascada 155 IntroducciGn a los amplificadores con transistores 156 ‘Transistores de unién bipolar 156 ‘Transistores de efecto de campo 161 Respuesta en frecuencia de los amplificadores 165 Caracteristica pasabajas 166 Caracteristica pasaaltas 168 Caracterstica pasabanda 170 Relacion entre la gananciay el ancho de banda 171 Teorema de Miller 172 Disefio de un amplificador 175 RESuMEN 178 PREGUNTAS DE REPASO 178 Proptemas 179 Tniroducciin 185 ‘Transistores de unién bipolar 186 ‘Caractersticas de entrada y de salida 186 Modelos del BIT 188 Polarizacién con ed de los BIT 192 Diseio de circuitos de polarizacién 193 ‘Amplificadores en configuracin de emisor comin 196 Seguidores de emisor 201 “Amplificadores en configuraci6n de base comén 205 ‘Amplificadores con cargas activas 209 ‘Transistores de efecto de campo 214 ‘MOSFET incrementales 215 MOSFET decrementales 218 ‘Transistores de efecto de campo de unién 22! viiii captruro 6 Introduecién a los splficadores operacionales Modelos FET 223 Polarizacin de los FET 227 ‘Amplificadores de fuente comin 233 Amplificadores de drenaje comin 237 ‘Ampilificadores de compuerta comin 240 ‘Amplificadores FET con cargas actives 242 5.4 Comparacién entre FET y BJT 245 5.5 Disefio de amplificadores 245 Disefio de amplificadores con BIT 246 Disefo de amplficadores con FET 249 RESUMEN 252 REFERENCIAS 252 PREGUNTAS DE REPASO 252 PROBLEMAS 253, Introduccién 267 62 Caracteristicas de los amplificadotes operacionales ideales 268 63 Modelos de PSpice/SPICE de amplificadores operacionales 270 Modelo lineal de ed 271 Modeto lineal deca 272 Macromodelo no lineal 273 6A Anilisis de circuitos con amplificadores operacionales ideales Amplificadotes no inversores 274 Amplificadores inversores 277 Amplificadores diferenciales 279 65 Aplicaciones de los amplificadores operacionales 281 Integradores 281 Diferenciadores 286 “Amplificadores de insirumentacién 289 “Amplificadores sumadores no inversores 291 Amplifcadores sumadores inversores 292 Ammplificadores sumadores-restadores 293, Excitadores de optoacoplador 296 Fotodeteciores 296 Convertidores volie-corriente 297 Votumetros decd 298 Milivolimetros decd 298 Convertidores de impedancia negativa 299 Fuentes de corrente constante 300 Integradores no inversores 301 Simuladores de indvetancia 302 Seguidores autoelevados de voltaje con acoplamiento de ca 303, 6.6 Circuitos con amplificadores operacionales y diodos 304 Detectores de la sefal mais positive 305 Detectores de precisiin de voltaje pico 305 Rectificadores de precisiOn de media onda 306 Rectificadores de precisi6n de onda completa 307 CCireuitos de fjacion de precision 308 Limitadores de voltaje fio 309 Limitadores de voltje ajustable 310 imitadores de voltaje zener 315 Limitadores de transici6n abrupta 316 6.7 _Diseiio de circuitos con amplificadores operacionales 319 RESUMEN 321 REFERENCIAS 321 PREGUNTAS DE REPASO 321 PRopLemas 322carituro 7, Caracteristicas de los amplifcadores operacionales reales ‘CONTENIDO ix Introducci6n 329 72 Estructura interna de los amplificadores operacionales 329 73 Pardmetros de los amplificadores operacionales reales 330 Resistencia de enada 331 Resistencia de salida 331 Capacitancia de enrada 331 Relacién de rechazo de modo comin 331 CGananciaen vole de seal grande 333, “Tiempo de levantaiento 333 GGanancia en voliaje de laroabierto y ancho de banda 334 Velocidad derespuesia 338 Limites del votiaje de entrada 339 Limites el volaje de sala 339 Volije de offset de entrada 339 Corriente de polarzacién de entrata 341 Coniente de offset de entrada 343 Relacign de rechazo con varacionesenla fuente de alimentacion 345, Deriva térmica 345 7.4 Ajuste del voltaje de offset 347 7.5 Medicién de los parametros de offset 349 RESUMEN 350 REFERENCIAS 350 PREGUNTAS DE REPASO 350 PRORLEMAS 351 Bl Introduccién 353 Modelo y respuesta en frecuencia de los BIT 354 ‘Modelo de alta frecuencia 354 Modelo de PSpice/SPICE de sefial pequesia 356 Respuesta en frecuencia de los BIT 356 8.3 Modelo y respuesta en frecuencia de los FET 360 Modelo y respuesta en frecuencia de los FET 360 Modelo y respuesta en frecuencia de los MOSFET 361 Modelo de PSpice/SPICE de sefial pequefia 363 84 Grificas de Bode 364 ‘Amplificadores pasabajas 365 Amplificadores pasaaltas 366 ‘Amplificadores pasabanda 367 8.5 Respuesta en frecuencia de un amplificador 368 Frecuencias de corte bajas 369 Frecuencias de corte altas 370 8.6 Métodos del cortocircuito y del valor cero para determinar las frecuencias de corte 374 Método del cortocitcuito 374 Método del valor cero 376 Ganancia en voltaje de media banda 378 8.7 Respuesta en frecuencia de amplificadores con BIT de emisor comin 378 recuencias de corte bajas 378 Frecvencias de corte altas 380 8.8 Respuesta en frecuencia de amplificadores con BIT de colector comin 384 recuencias de corte bajas 385 Frecuencias de corte altes 386 8.9 _ Respuesta en frecuencia de amplificadores con BIT de base comin 388 Frecuencias de corte bajas 388 Frecuencias de corte altas 390‘ConTENIDO 8.10 Respuesta en frecuencia de amplificadores con FET 391 ‘Amplifcadores de fuente comin 392 Ampiificadores de drenaje comin 395 Amplifcadores de compuerta comin 397 8.11 Amplificadores de varias etapas 399 8.12 Respuesta en frecuencia de circuitos con amplificadores operacionales 406 Respuesta en frecuencia de ctcuitos inegradores construidos con ampliicadores operacionales 406 Respuesta en frecuencia de ctcuits diferenciadores construidos con amplificadores coperacionales 408 8.13 Diseito de la respuesta en frecuencia 410 RESUMEN 410 REFERENCIAS 41 i PREGUNTAS DE REPASO 41 PROBLEMAS 411 ' 10 9 94 Introduccién 421 Fillros activos | __ 9.2 Filtros activos comparados con los filtros pasives 421 9.3 Tipos de fltros actives 422 9.4 La funci6n bicuadrética 424 95 Filtros Butterworth 425 Funcién de Butterworth para n=2 426 Funcin de Butterworth paran=3 426 9.6 Filtros pasabajas 427 Filtros pasabajas de primer orden 427 Filtros pasabajas de segundo orden 429 Filtros Butterworth pasabajas 433 9.7 Filtros pasaaltas 436 Filtros pasaaltas de primer orden 436 Filtros pasaaltas de segundo orden 437 Filtros Butterworth pasaaltas 440 9.8 Filtros pasabanda 442 Filiros pasabanda de banda ancha 443 Filtros pasabanda de banda angosta 445 9.9 Filtros de rechazo de banda 448 Filtrossupresores de banda ancha 448 Filtos supresores de banda angosia 451 9.40 Filtros pasatodas 453 9.11 Filtros de capacitor conmutado 484 Resistores de capacitor conmutado 454 Integradores de capacitor conmutado 456 Filtro universal de capacitor conmutado 456 9.42 Recomendaciones para el discfio de filtros 458 RESUMEN 459 REFERENCIAS 459 PREGUNTAS DE REPASO 459 PROBLEMAS 460 cartturo 10 10.1 Introdu 463 Ampliicadores | 10.2 Retroalimentacién 464 retroalimentados ' 10,3 Analisis de la retroalimentacin 465 Sensibilidad ala ganancia 467 Sensibilidad al factor de retroalimentacién 467 Respuesta en frecuencia 468 Distorsién 470 10.4 Topologias de retroalimentacién 472 10.5 Analisis de amplificadotes retroalimentados 474CONTENIDO a 10.6 RetroalimentaciGn serie-paralelo 476 ‘Aniliss de una re ideal de retroalimentacion serie-paralelo 477 ‘Analisis de una red préctica de retroalimentacién seri-parelo 479 10.7 Retroalimentacién serie-serie 485 ‘Andlisis de una red ideal de retroalimentacin serie-serie 486 ‘Analisis de una red préctica de retroalimentaciGn serie-serie 487 10.8 _Retroalimentacién paralelo-paralelo 493 ‘Analisis de una red ideal de rettoalimentacién paraleto-paralelo 494 Anslisis de una red prictica de retralimentacin paralelo-paralelo 496 10.9 RetroalimentaciGn paralclo-serie 502 ‘Analisis de una red ideal de retralimentacin paralelo-serie $03 ‘Analisis de una red préctiea de retroalimentaciin paralelo-serie $03 10.10 Disefio de circuitos retroalimentados 506 10.11 Anilisis de estabilidad S11 Polos e inestabilidad 512 CCiterio de estabitidad de Nyquist 514 Estabilidad elativa 516 Efectos del margen de fase 517 La estabilidad mediante gréficas de Bode 518 WO.12 Técnicas de compensacién 521 ‘Adicin de un polo dominante 521 Modiicacién del polo dominante 523 Compensacién de Miller y separacién de polos 524 Modiicacin de ta trayectoria de retroalimentacién 526 RESUMEN 529 REFERENCIAS 530 PREOUNTAS DE REPASO. 530 PROBLEMAS 531 carirovo 1 11a Introduccién 541 Oscitadores | 11.2 Principios de operacién de los osciladores $42 capiruso 12 Introduccién a la electronica digital Estabilidad en la frecuencia 544 Estabilidad en la amplitud $45 113 Osciladores de corrimiento de fase 545 114 Osciladores de cuadratura $49 115 Osciladores trifésicos 551 116 Osciladores de puente de Wien 852 117 Osciladores de Colpitts 556 118 Osciladores de Hartley 562 19 Osciladores de cristal 564 11.10 Osciladores sintonizados por filtro activo S68 TLAT Disefto de osciladores 571 RESUMEN 572 ReveRENCIAS 572 PREGUNTAS DE REPASO 572 PRooLemas 573, 121 Introduccién $77 12.2 Estados Wégicos S77 12.3 Compuertas I6gicas 578 12.4 Pardmetros de desempefio de las compuertas l6gicas $80 Caracteristica de wansfereneia de voltae $80 Margenes de ruido 581 Factor de carga de saliday factor de carga de entrada 582 Retraso de propagaciin 584xii caviruto 13 Fuentes actions y amplificadores diferenciales Disipacién de potencia 585 Producto retraso-potencia 587 12.5 Inversores NMOS 588. Inversor NMOS con carga incremental 588 Inversor NMOS con carga decremental 595 Comparacin de inversores NMOS 601 12.6 Circuitos légicos NMOS 602 ‘Compuertas NMOS de transmision 602 ‘Compuertas NMOS NOR 602 ‘Compuertas NMOS NAND 603 12.7 Inversores CMOS 603 12.8. Circuitos l6gicos CMOS 608 ‘Compuertas CMOS de transmision 608 ‘Compuertas CMOS NOR y NAND 610 Familias CMOS 611 12.9 Comparacién entre las compuertas CMOS y las NMOS 611 12.10 Inversores BIT 612 Caracteristicas de transferencia de voltaje 612 Caracteristcas de conmutacién 613 12.11 Compuertas l6gicas transistor-transistor (TTL) 617 ‘Compuertas TTL estindar 618 CCompuertas TTL NAND de alta velocidad 624 Compuertas NAND Schottky TTL 628 12.12 Compuertas légicas OR/NOR de emisor acoplado (ECL) 630 12.13 Inversores BICMOS 636 Retraso de propagacion 637 12.14 Interfaz de compuertas I6gicas 638 Cievitos CMOS excitados por circuitos TTL 639 Circuitos TTL excitados por circuitos CMOS 641 12.15 Comparacién de compuertas logicas 641 12.16 Disefio de circuitos ldgicos 643 RESUMEN 645 REFERENCIAS 645, PREGUNTAS DE REPASO 645 PROBLEMAS 646 13.1 Introduccién 655 13.2. Estructura interna de los amplificadores diferenciales 656 13.3. Fuentes de corriente BIT 657 Puente bisica de corrente 657 Fuente bisica modificada de corviente 659 Fuente de corriente Widlar 661 Fuente de corriente cascode 664 Fuente de comriente Wilson 665 Fuentes de corriente miltiples 669 13.4 Fuentes de corriente JFET — 670 13.5 Fuentes de corriente MOSFET 671 Fuente bésica de corriente 671 Fuentes de corriente multiples 674 Fuente de corriente cascode 674 Fuente de comriente Wilson 675 13.6 Disefio de fuentes de corriente activas 676 13.7 Fuentes de voltaje activas 676 ‘Transformacién de impedancia 677 Retroalimentacién negativa 677 Retroalimentacién negativa y transformaciGn de impedancia 678 ‘CoNTENIDOirui0 14 Amplificadores de potencia CoNTENIDO xiii 13.8 Caracteristicas de los amplificadores diferenciales 679 13.9 Amplificadores diferenciales BIT 681 Caracteristicas de transferencia de ed 681 Andlisis de sefal pequefia 683 13.10 Amplificadores diferenciales BJT con cargas activas 689 Anétisis de sefal pequeiia 690 Amplificadordiferencial con espejo de cortiente modificado 692 Amplificadordiferencial cascode 693 13.11 Amplificadores diferenciales JFET 695 Par diferencial JFET 695 Pas diferencial JFET con carga activa 702 13.12 Amplificadores diferenciales MOS 702 Par diferencial NMOS 703 Par diferencial MOS con carga activa 705 13.13. Amplificadores diferenciales BICMOS 708 CComparaciones entre amplificadores con BIT y amplificadores con CMOS 708 Amplificadores BICMOS 709 ‘Amplificadores BICMOS en cascode 710 13.14 Respuesta en frecuencia de los amplificadores diferenciales 713, BAIS. Disefio de amplificadores diferenciales 715 ResuMEN 715 REFERENCIAS 715 PREGUNTAS DE REPASO 715 PRoBLeMas 716 141 Introduccién 723 ¥4.2_Clasificacién de los amplificadores de potencia 724 14.3 Seguidores de emisor 725 Caracteristca de transferencia 726 Formas dela sefal 726 Potencia de salida y eficiencia 726 144 Amplificadores clase A 729 ‘Amplificador de emisor comin bisico 729 Amplificadores de emisor comin 732 ‘Ampliicador con carga acoplada por transformador 733 145 Amplificadores clase B en contrafase 735, ‘Amplificadores complementarios en contrafase 735 ‘Amplficador en contrafase con carga acoplada por transtormador 740 14.6 Amplificadores clase AB complementarios en contrafase 744 Caracteristca de tansferencia 744 Potencia de silida y eficiencia 745 Polarizacién con diodos 745 Polarizacién con diodos y con una fuente activa de corriente 746 Polarizacion con un muliplicador Vpg 749 147 Amplificadores clase AB cuasicomplementarios en contrafase 752 14.8 Amplificadores clase AB en contrafase acoplados por transformador 753 14.9 Proteccidn contra cortocircuito y proteccién térmica 754 Proteccién contra cortocircuitos 755 ProtecciGn térmica 755 14.10 Amplificadores operacionales de potencia. 756 ‘Amplificadores de potencia de circuitointegrado 756 ‘Amplifcador de puente 759 14.11 Consideraciones térmicas 760 Resistencia térmica 760 Disipacién de calor y fujo de calor 760 Disipacién de potencia en funcién de la temperatura 761xiv ConTeNIDo VA12_Diseio de amplificadores de potencia 763 RESUMEN 763 REFERENCIAS 763 PREGUNTAS DE REPASO 763 PROBLEMAS 764 earirov 15 5A Tnroduccién 767 ‘Amplifcadores | 15.2 Estructura interna de los amplificadores operacionales 767 ‘eperaconsies "15.3 Parémetros de los amplificadores operacionales 768 Comiente de polarizacién de entrada 769 Corriente de offset de entrada 769 Volta de offset de entrada y deriva térmica de voltaje 769 Relacign de rechazo en modo comin 771 Resistencia de entrada 772 Resistencia de salida 775 Respuesta en frecuencia 775, Rapid. de respuesta 778 15.4 Amplificadores operacionales JFET 779 ‘Amplficador operacional JFET LHO022 780 Amplificador operacional SFET LRS11 781 ‘Amplificador operacional JFET LH0062 784 Amplificador operacional JFET LH0032__785 15.5 Amplificadores operacionales CMOS 787 ‘Amplificador operacional CMOS MC14573_ 787 ‘Amplificador operacional TLC1078 790 15.6 Amplificadotes operacionales BICMOS 792 ‘Amplifcador operacional BiCMOS CA3130 792 Amplifcador operacional BICMOS CA3140_ 793 15.7 Amplificadores operacionales BIT 795 ‘Amplifcador operacional BITLMI24 795 Amplificador operacional BIT LM741 796 15.8 Anilisis del amplificador operacional LM741_ 798 Anilisis de ed 798 Analisis de sefal pequefia de ca 803 Anilisis de la respuesta en frecuencia 811 Circuito equivalente de sefil pequefia 812 15.9 Disefio de amplificadores operacionales 812 Resumen 813, REFERENCIAS 813, PREGUNTAS DE REPASO. 814 PRostemas Sid cariruco 16 16.1 _Introdu 817 Circuitos integrados | 16.2 Comparadores 817 analégicos y sus Diferencias entre comparadores y amplificadores operacionales 818 aplicaciones ‘Conexién en el lado de salida 818 Comparadores de umbral 819 16.3 Detectores de cruce por cero 821 16.4 Disparadores Schmitt 822 Disparador Schmitt inversor 822 Disparador Schmitt no inversor 825 Disparador Schmitt con voltaje de referencia 826 Efectos dela histéresis sobre el voltae de salida 827 16.5 Generadores de onda cuadrada 829 16.6 Generadores de onda triangular 833Aven ces ConTENIDO 16.7 Generadores de onda diente de sierra 836 16.8 Osciladores controlados por voltaje 839 Modo de carga 840 Modo de descarga 840 Realizacién del circuito 840 ELVCONBSE-565 842 16.9 Temporizador 555 844 Diagrama de blogues funcional 844 Maltivibrador monoestable 845 ‘Aplicaciones de los multvibradores monoestables 847 Multivibrador astable 849 Aplicaciones de los multivibradores astables 851 16.10 Lazo amarrado por fase (PLL) 855, Detector de fase 856 Circuito integrado de lazo amarrado por fase 857 ‘Aplicaciones del PLLS65 859 16.11 Convertidores de voltaje a frecuencia y de frecuencia a voliaje Convertidor VF 863, Convertidor FV 867 16.12 Circuitos de muestreo y retencin 870 Circuitos de muestreo y retencién construidos con amplificadores ‘peracionales 871 Cirouitosintegrados de muestreo y retencion 872 16.13 Convertidores digital a analégico 873 ‘Convertidor D/A con resistor ponderado 873 Convertidor D/A con red de escaleraR-2R 874 Convertidores D/A de circuito integrado 876 16.14 Convertidores anal6gico a digital 879 Convertidor A/D de aproximaciones sucesivas $79 Convertidores A/D de citcuito integrado $81 16.15 Disefio de circuitos integrados analdgicos 883 RESUMEN 883, REFERENCIAS 883 PREGUNTAS DE REPASO 884 PROBLEMAS 885 ‘Apéndice A: Introduccién a PSpice 887 ‘Apéndice B: Revisién de circvitos bésicos 913 ‘Apéndice C: Modelo hibrido del BUT a frecuencia baja 983 ‘Apéndice D: Modelo de Ebers-Moll para transistores de unién bipolar ‘Apéndice E: Componentes pasivos 963 ‘Apéndice F: Problemas de disefio 969 Respuestas a ejercicios seleccionados 971 fndice 977 Acerca del autor 991 xv 362 957Prefacio 08 dispositivos semiconductores y 1os circuitos integrados son los pilares de la tec- nologia moderna, motivo por el cual el estudio de la clectrénica, que trata con las ccaracteristicas y aplicaciones de aquellos, es una parte fundamental del plan de es- ‘dios de las carreras de ingenierfa eléctrica o ingenieria en computaci6n. Tradicionalmen- te, en muchas universidades y escuelas el curso bésico de electrénica tenfa una duracién de tn afio (dos semestres). Sin embargo, con el surgimiento de nuevas tecnologias y la nece- sidad de ofrecer una educaci6n universitaria mas general, los departamentos de ingenierfa eléctrica se han visto presionados para reducir el estudio de la electrénica bdsica a un cur so de un semestre, Este libro se disea6 para utilizarse en un curso de uno o dos semestres; el nico prerrequisito es un curso en andlisis basico de circuits. Un curso de un semestre puede abarcar los capitulos 1 a 11, en los que se presentan las técnicas bésicas para el and- lisis de citcuitos electr6nicos utilizando circuitos integrados como ejemplos. En un curso de dos semestres, ef segundo de ellos deberd concentrarse en el andlisis detallado de los dis- positives y circuitos que hay dentro de los CI. Los objetivos de estudio en este libro son los siguientes: ‘+ Presentar las caracteristicas basicas de los dispositivos semiconductores de uso mas comin en los circuitos integrados. ‘* Desarrollar habilidades en el andlisis y disefio de circuitos anal6gicos y digitales. ‘© Familiarizar 2 los estudiantes con varios elementos del proceso de disefio en inge- nierfa, entre los que se incluyen la formulacién de especificaciones, e andlisis de soluciones alternativas, la sintesis, Ia toma de decisiones, las iteraciones, la consi- deracién de Factores de costo y aspectos de tolerancia. El libro adopta un enfoque descendente para ef estudio de la clecirénica, en lugar de seguir uno ascendente. En este siltimo enfoque, primero se estudian las caracterfsticas de los dispositivos semiconductores y de los CI, y después se presentan las aplicaciones de los Cl; este enfoque, por lo general, requiere de un afio de ensefianza, pues resulta necesario ccubrir todos los aspectos esenciales con la finalidad de dar alos estudiantes un conocimien- to general de los circuitos y sistemas electrGnicos. En el enfoque descendente, que es l ut lizado en este libro, primero se introducen las caracteristicas ideales de los Cl para estable- cer con ello las técnicas de disefio y andlisis, después se presentan las caracteristicas y el funcionamiento de los dispositivos y circuitos contenidos en los CI para comprender las imperfecciones y limitaciones de ésios. Este enfoque tiene la ventaja de permitirle al pro- fesor cubrir Gnicamente las técnicas y circuits bésicos en el primer semestre, sin entrar en detalles en lo que respecta a los dispositivos discretos. Si el plan de estudios lo permite, el curso puede continuar en el segundo semestre con un andlisis detallado de los dispositivos discretos.PREFACIO xvi Después de la introduccién al proceso de diseito del capitulo 1 el libro puede dividir- se en cinco partes: ‘© Capitulos 2 y 3, que estudian a los diodos y sus apticaciones ‘© Capitulos 4 a 7, referentes a dispositivos de amplificacisn y amplificadores ‘© Capitulos 8 a 11, que tratan las caracteristicas y los anélisis de circuitos electr6ni- cos ‘+ Capftulos 12, que estudia las compuertas l6gicas digitales ‘© Capitulos 13 a 16, que tratan sobre circuitos integrados y sus aplicaciones En los apéndices también se incluye un repaso del andlisis bésico de circuitos y una in- troduccién a PSpice. ‘La tecnologia moderna de semiconductores ha evolucionado a grado tal que muchos circuitos analdgicos y digitales estén disponibles ahora en forma de circuitos integrados. ‘Los fabricantes de estos circuitos proporcionan notas de aplicacién, que pueden utilizarse para implantar las funciones del circuito. Sin embargo, el conocimiento de las caracterfsti- tas y operacidn de los dispositivos internos de los Ci es fundamental para comprender las Timitaciones de estos CI cuando se interconectan como bloques bisicos en los disefios de circuito, Este conocimiento también sirve como base para el desarrollo de generaciones fu- turas de Ch ‘Si bien la tendencia en la tecnologia de los CI sugiere que el diseiio de circuitos dis- cretos podria desaparecet en ef futuro, los amplificadores con transistores (de grande y muy grande escala de integracién) continuarén siendo los bloques bésicos de los CT. Por esta rae Z6n, en el capitulo 5 se estudian los amplificadores con transistores, después de la presen- tacién de los tipos y especificaciones generales de los amplificadores en el capitulo 4. Co- imo los diodos son los bloques bisicos de muchos circuitos electrGnicos y Tas téenicas para tl andlisis de diodos son similares a las de los amplificadores con transistores, os diodos y ‘sus aplicaciones se tratan con detalle en los capftulos 2 y 3, ‘Las deducciones mateméticas se mantienen a un minimo mediante el uso de modelos aproximados de circuito para amplificadores operacionales, transistores y diodas. La im- portancia de estas aproximaciones se establece por medio de! anslisis aistido por compu: Tadora, mediante PSpice. Los circuits importantes se analizan en ejemplos resueltos con Ia finalidad de presentar las téenicas bisicas y dar énfasis a 10s efectos de la variacién de pardmetros. Las preguntas de repaso y 1os problemas que aparecen al final de cada capitu- To ponen a prucba el aprendizaje del estudiante de los conceptos desarrollados en ese capi- tulo, Las respuestas a los problemas seleccionados se encuentran en la parte final del libro, ‘En la prictica, las clases y los experimentos de laboratorio se realizan de manera con currente, Si los resultados experimentales que obtienen los estudiantes difieren de las ca: facteristicas ideales, debido a las limitaciones précticas de los circuitos integrados. es pro- bable que ellos se desconcierten, Esto puede solucionarse con uns explicacin breve de las causas de las discrepancias. Sin embargo, los resultados experimentales no serdn muy di ferentes de los obtenidos de manera te6rica ‘Los critetios que se utilizan en el ABET (Accreditation Board of Engineering and Technology) requieren la integraciGn del disefo y el uso de la computadiora en el plan de ‘estudios, Una vez que los estudiantes satisfacen otros requisitos del ABET en mateméticas, Ciencias basicas, ciencias de la ingenier‘a, optativas de humanidades y optativas generales, rho quedan muchos cursos para saisfacer el requisto de disefio. La falta de oportunidades para eréditos de diseto en el plan de estudios de ingenieria es una preocupacién comin. En genera, Ta electrGnica es el primer cutso de ingenieriaeléctrica en el que se integran los Componentes de disefio y el uso de la computadora. Este libro esté estructurado para per- mnitir que el contenido de disefo constituya al menos cincuenta por ciento del curso, y la iintegracién del uso de la computadora se hace con el empleo de PSpice: Muchos de los tjemplos de disefto utilizan PSpice para veriticar los requerimientos de disefio, minis {que Ia gran cantidad de ejemplos de disefioasistido por computadora ilustran ta utiidad oe TEs pC como herramientas de disefio, en particular en casos en los que las variables de di- sefio estén sujetas a tolerancias y desviaciones en los componentes.PREFACIO ‘Como autor tengo una deuda de agradecimiento con el equipo de PWS Publishing, Bill | Barter, Leslie Bondaryk, Elise Kaiser, Tricia Kelly. Sally Lifland y Mary T. Stone por su | gufa y apoyo, También quiero dar las gracias a los revisores por sus comentarios y suge- rencias: Dr. William T. Baumann Virginia Polytechnic Institute y State University Dr. Paul J. Benkeser Georgia Institute of Technology Dr. Alok K, Berry George Mason University Dr. Michael A. Bridgwood Dr. Constantine Hatziadoniu Southern Illinois University Dr. Bruce P. Johnson University of Nevada-Reno Dr. Frank Kornbaumn South Dakota State University Dr. John A. McNeill Worcester Polytechnic Institute Clemson University Dr. Nadeem N. Bunni Clarkson University Dr. Wai-Kai Chen University of Illinois en Chicago Dr. Shirshak K. Dhali Southern Iinois University Dr. Muhammed Farooq West Virginia University Institute of Technology Dr. Bahram Nabet Drexel University Dr. Jack R. Smith University of Florida Dr. Robert D. Strattan University of Tulsa Mi agradecimiento para el doctor Shirshak K, Dhali por revisar el manuscrito comple- to y al doctor Muhammed Umar Faroog por preparar el Solutions Manual *(Manual de So- Luciones). Los dos proporcionaron comentarios muy titles. El libro fue preparado durante mi estancia en la King Fahd University of Petroleum & Minerals (KFUPM), en Dharanm, Arabia Saudita, y quiero dar las gracias a la KFUPM por ‘brindarme un ambiente académico y creativo. Finalmente, gracias a mi familia por su pa cciencia, mientras estaba ocupado en éste y otros proyectos. Cualquier comentario y sugerencias con respecto al libro son bienvenidos. Deben en- viarse a: Dr. Muhammad H. Rashid Profesor y director U/UWE Joint Program in Electrical Engineering University of West Florida 11000 University Parkway Pensacola, FL 32514-5754 USA correo electrénico: mrashid@uwf.edu Web: hup:liwwa.ee.uwfedu + Nota del editor: Este material slo est disponible en inglés para los profesores que lilicen esta obra como texto en su clase, Solicite mayor informacién a alguno de nests representantes eeIntroduccién a la electrénica y el disefio Contenido del capitulo Introduecién 1.7 Disefio de sistemas electrénicos Historia de la electrénica 18 Disefio de citcuitos electrénicos 13 Sistemas electrnicos 1.9 Dispositivos clectrénicos 14 Sehales electrSnicas y notacién 15. Clasificacién de los sistemas clectrénicos REFERENCIAS b PROBLEMAS 1.6 Especificaciones de los sistemas electrénicos 11 La electronica se encuentra en nuestra vida diaria en forma de teléfonos, receptores de ra- Introduccién dio, televisores, equipo de audio, aparatos domésticos, computadoras y equipo para control ¥y automatizaci6n industrial. La electrGnica se ha convertido tanto en un estimlo como en tuna parte integral del crecimiento y desarrollo tecnolégico actual. El campo de la electré- nica esté relacionado con el diseo y Tas aplicaciones de los dispositivos electrénicos. ‘A continuaeién se definen los objetivos de aprendizaje de este capitulo: + Establecer un panorama del desarrollo hist6rico de la electrénica + Aprender acerca de los sistemas electrénicos y sus clasificaciones + Comprender cémo esté constituido el disefio de ingenierfa + Aprender acerca del proceso de disefio de los circuitos y sistemas electrénicos + Desarrollar un conocimiento basico de los dispositivos electrénicos 1.2 La era de la electronica comenz6 con la invencién del primer dispositive amplificador: ef Historia de triodo de vacio, realizado por Fleming en 1904. A este invento siguié el desarrollo del dio- Ia electronica do de punto de contacto de estado sdlido, por parte de Pickard, en 1906, los primeros cir- cuitos de radio que utilizaban diodos y triodos, entre 1907 y 1927; el receptor superhete~ rodino de Armstrong, en 1920; la demostracién de la televisidn, en 1925; el dispositive de efecto de campo de Lilienfield, en 1925; la modulacién fm de Armstrong, en 1933, y del radar, en 1940.FIGURA 1.1 Evolucién desde 10s (ubos de vacfo hasta la microelectr6nica TABLA LL Niveles de integraci6n CAPfTuLO 1» — INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO La primera revolucién de la electrénica comenz6 en 1947 con la invenci6n del transis: tor de silicio por Bardeen, Bratain y Shockley en los laboratorios de la compaia Bell Tele- phone. La mayor parte de las tecnologias electr6nicas avanzadas que existen en la actuali- dad tienen sus bases en este invento; tal es el caso de la microelectrénica modema que ha evolucionado, con el paso de los afios, a partir de los semiconductores. Esta revolucién fue seguida por la primera demostraci6n de la televisi6n en color en 1950, y la invencién del transistor unipolar de efecto de campo pot Shockley, en 1952. La siguiente innovacién se presenté en 1956, cuando los Laboratorios Bel! desarrolla- ron el transistor de disparo pnpn, también conocido come tirisior 0 rectficador controla- do de silicio (RCS). La segunda revolucin de la electrénica inicié con el desarrollo de un tiristor comercial realizado por la General Electric, en 1958. Este fue el comienzo de una ‘nueva era para las aplicaciones de la electronica en las reas de procesamiento 0 acondicio- namiento de potencia, conocida como electrénica de potencia. Desde entonces, se han desarrollado muchas clases de dispositivos semiconductores de potencia y técnicas de con. version, El primer circuito integrado (CD) fue desarrollado en 1958, en forma simulténea por Kilby en la compafifa Texas Instruments y los investigadores Noyce y Moore en Fairchild ‘Semiconductor, Inc.; esto marcé el inicio de una nueva fase en la revolucién de la microe- lectrdnica. Este invento fue seguido por el desarrollo del primer circuito integrado comer- cial para un amplificador operacional, el ».A709, de la compatifa Fairchild Semiconductor, ‘en 1968; e! microprocesador 4004 de Inte, en 1971; el microprocesador de 8 bits de Intel, en 1972, yel circuito integrado de memoria gigabit de Intel, en 1995. En la figura t.1 se mues- tra la evoluci6n, desde los tubos de vacfo, hasta la microelectrénica. El desarrollo de tos ci ‘cuitos integrados continia en la actualidad, como un esfuerzo para alcanzar circuitos inte- grados con una mayor densidad y una menor disipacién de potencia; en la tabla 1.1 se ‘muestran los niveles histricos de integraci6n en tos circuitos. ‘Cantidad de componentes Fecha | Grado de integracién cn el circuito integrado ‘Asis 50 | Componentes discretos 1a ‘Ajios 60 | lntegracién a pequefa escala (SSI) ‘Menor a 10? 1966 Integraci6n a mediana escala (MSD De 10? a 10° 1969 Integraci6n a gran escala (LSD) De 10? a to* 1975 TIntegracién a muy grande escala (VLSI) } De 10*a 10? ‘Atos 90 | Integracién a ultra gran escala (ULSI) | Mayor a 10° ASPEGTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.2 Desde la invencién del primer dispositivo amplificador, el tubo de vacio, en 1904, el campo de Ia electrénica ha evolucionado con mucha rapide. En la actualidad, los cireuitos integra dos a ultra gran escala (ULSD contienen més de 10? componentes en la oblea de silici.SECCION 3» SISTEMAS ELECTRONICOS 3 1.3 Sistemas electronicos FIGURA 1.2 Sistemas electrénicos Sensores Actuadores ’ Un sistema electrénico es un arreglo de dispositivos y componentes electr6nicos que tiene tun conjunto definido de entradas y salidas. Mediante el uso de transistores (trans-resisto res) como dispositivos, el sistema toma Ia informacién en forma de sefales de entrada (0, sencillamente, entradas), realiza operaciones con estas sefiales, y luego produce sefiales de salida (0 salidas), De acuerdo con el tipo de aplicacisn, los sistemas electrénicos pueden clasificarse como: de comunicacién, de electrénica médica, de instrumentacién y de con- trol 0 computarizado. En la figura 1.2(a) se muestra el diagrama de bloques de un receptor de radio de FM. La antena acta como elemento de deteccién y Ia sefial de entrada que proviene de ella es pequeiia, por to comiin del orden de microvolts; su amplitud y nivel de potencia son ampli- ficados por el sistema electrénico antes de alimentar al altavor. En la figura 1.2(b) se mues- tra un diagrama de bloques de un instrumento indicador de temperatura. La satida excita al instrumento indicador. El sensor de temperatura produce un voltaje pequefio, normalmen- te del orden de milivolts por aumento en la unidad de temperatura, por encima de 0 grados (por ejemplo, | mV/*C). Ambos sistemas toman fa entrada de un sensor, la procesan y pro- ducen una salida que excita a un actuador. ee electraico (4) Receptor de radio Set Hee. Ha (b) Instrumento indicador de temperatura Un sistema electrénico debe comunicarse con dispositivos de entrada y de salida, Las ‘entradas y las salidas, por lo general, tienen forma de sefiales eléctricas. Las seftales de en trada pueden obtenerse de la medicién de variables fisicas tales como la temperatura 0 el nivel de Iiquidos, y las salidas pueden utilizarse para provocar variaciones en otras varia- bles fisicas, como en el caso de los elementos indicadores y calentadotes. Con frecuencia, los sistemas electrénicos utilizan sensores para captar variables extemas de entrada y actuadores para controlar variables externas de salida, Los sensores y los actuadores se co- ‘nocen también con el nombre de transductores. El altavor es un ejemplo de un transductor que convierte una sefial electrénica en sonido, Existen muchas clases de sensores, entre los que se incluyen: ‘Termistores y termopares, para medir temperatura Fototransistores y fotodiodos, utilizados en la medici6n de ta luz Sensores de esfuerzo y materiales piezoeléctricos, para medir fuerza Potenciémetros, sensores inductivos y codificadores absolutos de posicién, con los ‘cuales se mide el desplazamiento + Generadores tacométricos, acelerémettos y sensores de efecto Doppler, para medir movimiento + Micréfonos, para medir sonido Los actuadores producen una salida no eléctrica a partir de una sefial eléctrica, Existen mu- cchas clases de actuadores, como: + Calentadores resistivos, para producir calor * Diodos emisores de luz (LED) y controles variables de intensidad, utilizados en el control de la cantidad de luz1.4 Sefiales electronicas y notacion FIGURA 1 Sefiaies electrénicas CAPYULO 1» INTRODUCCION ALA ELECTRONICA ¥ EL DISENO + Solenoides, para producir fuerza + Medidores, para indicar desplazamicnto + Motores eléctricos, que se utilizan en la produccién de movimiento o velocidad + Altavoces y transductores ultras6nicos, para produeir sonido ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.3 Un sistema electrinico esté formado por dispositivos y componentes electtbnicos. El siste~ ma proceéa sefales electronicas y acta como una interfase entre los sensores (que se en- ccuentran en el lado de entrada) y los actuadores (situados en el lado de sada). ‘= Los sensores convierten variables fisicas en sees eléetricas; mientras que los acwuadares, ‘convierten sefiaes eléetricas en variables fisicas. A menudo, los sensores y los actuadores se ‘conocen con el nombre de transductores, Las sefiales electrénicas pueden dividirse en dos categorias: anaidgica y digital, Una seval analégica tiene un intervalo continuo de amplitudes con respecto al tiempo, como se indi- can la figura 1.3(a). Una sefial digital implica s6lo valores discretos de voltaje con respec- to al tiempo, como se muestra en la figura 1.3(c). Una sefial digital tiene sdlo dos valores, que representan el estado 1 16gico (nivel alto) y el estado 0 16gico (nivel bajo). Para dar ca- bida a variaciones en los valores de los componentes, la temperatura y el ruido (o sefales extrafias), normalmente al estado 1 légico se le signa cualquier voltaje entre 2 y 5 V. El es- tado 0 l6gico se puede asignar a cualquier voltaje que se encuentre entre 0 y 0.8 V, 4 Ampliad 4 3 2 alae) o_l ret (a) Seal analégica 4 : 3 : 1 | Teed ° ace 7 () Sei de mucstreo Nivel lgico Lootiiitooorooriio () Sei digital Por lo general, la sefial de salida de un sensor es analigica, y con frecuencia los actua- dores necesitan una entrada anal6gica para producir la salida deseada. La seftal anal6gica puede convertirse en digital, y viceversa. Los circuitos electrénicos que realizan estas con-Convertidores analégico a digital FIGURA 1.4 ‘Conversién del tipo ‘anal6gico a digital SECCION 14» SENALES ELECTRONICAS Y NOTACION 5 versiones se conocen como convertidores analégico a digital (A/D) y convertidores digital a analégico (DIA). Un convertidor A/D convierte una sefial anaidgica en digital y proporciona una interfase en- tte las sefiales analogicas y digitales. Consideremos el voltajc anal6gico de enirada de la fi- gura 1.4(a). La sefial de entrada se muesirea en intervalos periédicos que estén determi- nados por el tiempo de muestreo T,, asignando un namero binario de m bits (by, by...b,) a cada muestra, como se indica en la figura 1,4(b) para n = 3. El niimero binario de n bits es una fraccién binaria que representa la relacién que existe entre el voltaje desconocido de ‘entrada vy el voltaje de escala completa Vzs del convertidor. Para n = 3, cada fracci6n bi aria es Vjs/2" = Ves/8. En la figura 1.4(c) se muestra el voltaje de salida de un convert dor AD de 3 bits. Sefal mueseada () Seal muestrada m4 “10 J for decane (LS8) 101 a 100 ou oro 01 000 eee Vis Ys” Bes” Yes eee cea (0 Sanda boa (@) Bror de cuanicacign En la figura 1.4(c) se muesira la reiaciGn enirada-salida, la cual indica que mientras el voltaje de entrada aumenta desde 0 hasta el voltaje de escala compieta, la salida binaria cambia desde 000 hasta 111. Sin embargo, el nimero binario permaiece constante para un intervalo de voltajes de entrada igual de Vzg/2" (= Veg/8 para n = 3), que es igual al valor I det bit menos significativo (LSB, por sus sigias en inglés) del convertidor A/D. Por con~ siguiente, conforme aumenta el voltaje de entrada, la salida binaria proporcionard primero tun error negativo y luego un error positive, como se muestra en la figura 1.4(d), Este error, conocido como error de cuantizacidn, se puede reducit si se aumenta el nimero de bits mConvertidores digital a analégico FIGURA 1.5 Convertidor digital Notacion ‘a analégico CAPfTuLo 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA ¥ EL DISENO Por tanto, el error de cuantizacién se puede definir como el voltaje mas pequefio que pue- de cambiar el bit menos significativo (LSB) de la salida binaria de 0 a 1. El error de cuan- tizacién también se conoce como la resolucién del convertidor, y esta determinado por la siguiente expresi6n Vise = Vero = Ves/2" (Lt) donde Vzs es el voltaje de mayor escala del convertidor. Por ejemplo, el voltae Vip Pa ra un convertidor de 8 bits es Vise = Yes" ‘Un convertidor D/A toma una sefial de entrada que tiene forma binaria y produce un vol- taje 0 corriente de salida en forma analégica (0 continua). En la figura 1.5 se muestra el diagrama de bloques de un convertidor D/A de 1 bits formado por los digitos binarios (b), ‘bp...b,). Se supone que el convertidor genera la fraccién binaria, ta cual se multiplica por el voltaje de escala completa Ves para obtener el voltaje de salida, expresado por Vo = (B27 + by27? + by273 +. + 2g (1.2) donde el i-ésimo digito binario puede ser b, = 0.0 b, (MSB). Por ejemplo, para V; 5Vin cidn (1.2) se tiene que Vo= (UX 241X274 0X2 KS =375V 728 = 19,53 mV = 20mV 1 y by es el bit mas significativo 3, y la palabra binaria bb,bs = 110, de la ecua- La seftal analégica se representa, por lo general, con un sfmbolo y un subindice. El simbo- lo y el subindice pueden ser letras maysisculas 0 minisculas, de acuerdo con Ta convenciGn que se muestra en la tabla 1.2. Por ejemplo, consideremos el circuito de la figura 1.6¢@). cu- ya entrada consiste en un voltaje de ed Vey = 5V y un voltaje de ca vay = 2 sen wt En la figura 1.6(b) se muestran los voltajes instanténeos. Las definiciones dc tos simbolos de vol taje y corriente son las siguientes: 1. Vopy Iep Son valores de cd; las variables y los subindices se escriben con ma- yaisculas, Vep = 5V Top = Veo/Ry = 5 mA 2. vg ig Son valores instantineos de ca: las variables y los subsndices se escriben con mindsculas. Yap = Mae = 2800 ot = 2sen wt mA (pant Ry = 1 kM) 3. vagy in Son valores instanténeos totales; las variables se escriben con mindsculas y los subsndices con mayésculas. vag = Veo + Yup = 5+ 25en ot ig = lop + ig = SMA + 2sen wt mA (para Ry, = 1 KO) 4, Vyy. fy son valores totales de las magnitudes; las variables se escriben con ma- yisculas y los subindices con mintisculas. Vag = VEEP = 5.20 I= VPH(V2F = 5.20 mASECCION 1,5 > CLASIFICACION DE LOS SISTEMAS ELECTRONICOS 7 FIGURA 16 Notacién para las sefales clectrénicas a S gL te Meo to ; (©) Votaeinstanténeo TABLA 1.2 ; Defnicin desimbolosy | Definicién Cantidad | Subindice ] Ejemplo subindices Valor de ed de ta sefat Mayuscula | Mayiscula | Vp Valor de ca de la sefial Miniscula | Miniscula | vg ‘Valor instanténeo total dela sefal (ed ya) | Mindseula | Mayiscuia |» Variable comple, fasor 0 valor rms de la seal | Mayéscula | Miniscule | Vy ASPEGTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.4 + Enisten dos clases de sefiles elecuSnicas:analégicasy digitales. Una sefal anal6gica puc- de convertirse en digital y viceversa. + Se utiliza un sfmboto en minisculas para representar una cantidad instanténea y un sfmbolo en maySsculas para representa valores de dy ems. El subindice en minisculas se utiliza para representarcantidades instanténeas deca y ms, mientras que el subindice en mayéscu- las se usa para representa el valor total, el cual incluye cantidades de cay cd LS La forma como se procesa una sefial en un sistema electrénico depende de la naturaleza de Clasificacion de los | ls seales de entrada, de los equerimientos de sida de tos atuadores y de ls requ ist mientos globales del funcionamiento. Sin embargo, existen ciertas funciones que son sistemas ‘comunes a una gran cantidad de sistemas; entre ellas se encuentran la amplificacién, ta adi electrénicos ci6n y sustracci6n de sefiales, la integraci6n y diferenciacién de sefiales, y el filtrado. Algu- ngs sistemas requieren una secuencia de operaciones, tales como el conteo, la temporiza- cidn, el ajuste, el restablecimiento y la toma de decisiones, Ademés, puede ser necesaria la ‘generacién de sefiales senoidales 0 de cualquier otra clase dentro de un sistema. ‘Los sistemas electrénicos tienen su aplicacién cn automdviles, equipos caseros de en- tretenimiento, equipo para oficina y comunicacién, equipos médicos, entre otras dreas; tam n ayudan a mantener estilos de vida de slta tecnologia. Con frecuencia, los sistemas electrénicos se clasifican de acuerdo con su tipo de aplicacién: + Electronica automotriz, ‘+ Blectrdnica de comunicacién + Electrénica de consumo + Blectrénica industrial + Electrénica de instrumentacién + Mecatr6nica + Electrénica médica Electrénica de oficina El campo de la electrénica se divide en tres éreas diferentes, segiin la clase de sefiales y cl procesamiento que requieren los sistemas electrénicos. La electrénica analdgica trata principalmente sobre la operacin y las aplicaciones de los transistores como dispositivos de amplificacidn. Las sefiales de entrada y las de salida toman un intervalo continuo de valores de amplitud con respecto al tiempo. La funcién deFIGURA 1.7 Efectos dei mio en las, sefales analdgicas y digitales CAPITULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO la electrénica analégica es transporiar y procesar ta informacién que est& contenida en una sefial anal6gica de entrada, con una caniicad minima de distorsién. La electrénica digital se retaciona en torma principal con la operacién y las aplicacio- nes de los transistores como dispositivos de conmutacién en sus estados de “encendido” y “apagado”. Las seftales de entrada y salida son settales de puisos discontinuos que ocurren cn instantes iguaimente espaciados en el tiempo. La funcién de la electrénica digital es transportar y procesar la informacion que esté contenida en la sefial digital de entrada, con una cantidad minima de ervor y con ia mayor velocidad posible. La electrénica de potencia trata sobre la operaciGn y las aplicaciones de los dispositivos semiconductores de potencia, enire elios los transistores de potencia, tales como conmuta- dores de “encendido” y “apagado” para et conirol y conversiGn de la potencia eléctrica. La clectrSnica analogica, la digital o ambas, se utitizan para generar sefiaies dz control para los dispositivos de conmutacién, para obtener las esirategias de conversiGn deseadas (por ejemn- plo, ca/ed, ca/ca, ed/ca 0 ed/ed) con la maxima eficiencia de conversién y una cantidad mi- nima de distorsién en las formas de onda. La enicada a un sistema electrdnico de potencia es un voltaje (0 corriente) de alimentacién de ca 0 de cd. La electrénica de potencia est enfocada principalmente al contenido y la calidad de la potencia, mis que ala informacion contenida en una sefial. Por ejemplo, un circuito elecirSnico de potencia puede proporcio- nar una alimentaci6n estable de cd, digaros, 12 V a un sistema anal6gico y 5 V a ua siste- ‘ma digital, con una alimentacién de ca 120 V a 60 Hz. La microelectrénica nos ha proporcionado la habilidad para generar y procesar sefiales, de control a una velocidad increfble. La electrénica de potencia nos ha dado la capacidad de formar y controlar grandes cantidades de potencia con un elevado nivel de eficiencia (entre 1 94 y el 99%). La mayor parte de las aplicaciones potenciales de la electr6nica de poten: ccia estén origindndose de la unidn de la microelectrénica (el cerebro) com la electrénica de potencia (el misculo). Adenids, esta ditima ha surgido como una disciplina distinta y est revolucionando el concepto de procesamiento y acondicionamiento de potencia para ei control y Ia automatizacién industrial de potencia ‘Muchos sistemas electronicos utilizan técnicas anaidgicas y digitales. Cada método de implantacién tiene sus propias ventajas y desventajas, las cuales se presentan en la siguiente lista + Es comin que el ruido esté presente en los circuitos electrénicos, Se define como una sefial extrafia que se genera debido a la agitacidn térmica de los electrones de un resistor, al acoplamiento inductivo 0 capacitivo de sefiales que provienen de otros sistemas, u otras fuentes. El ruido se aftade directamente a las sefiales anal6gicas y, por consiguiente, las afecta; esto puede comprobarse cn la figura 1.7(a). Por lo tanto, cl ruido es amplificado en las etapas amplificadoras subsecuentes. Como las sefiales digitales tienen s6lo dos niveles (alto 0 bajo), el ruido no afectaré a la salida digital, como se muestra en la figura 1.7(b), y puede eliminarse efectivamente de las sefales digitales. + Un circuito analégico necesita menos componentes que un circuito digital para rea- lizar una funcién determinada. Sin embargo, un circuito analdgico requiere con fre- ccuencia de capacitores de valor eievado o inductores que no pueden fabricarse en un to integrado. + La implantacién de un circuito digital en circuitos iniegrados tiende a ser més facil que la de un circuito anal6gico, aunque puede ser mas compleja que en el caso de un a ALR (a) Seda analoglea mas raido () Seba dugital mas ruidoSECCION 1.6 > _ESPECIFICACIONES DE LOS SISTEMAS ELECTRONICOS 9 Circuito analdgico. Sin embargo, Ia calidad y la velocidad de los cireuitos digitales son superiores para el procesamiento de las sefiales. + Los sistemas analégicos estan disefiados para desarrollar funciones u operaciones es- pecificas, mientras que los sistemnas digitales pueden adaptarse a diferentes tareas sos. «+ En general, las sefiales que provienen de los sensores y las que van a los actuadores ‘en los sistemas electr6nicos son de tipo analégico. Si una sefial de entrada tiene una rmagnitud de bajo nivel y debe procesarse a frecuencias muy clevadas, entonces se requiere la técnica analGgica. Para obtener un funcionamiento y un disefio Gptimos, con frecuencia se utilizan los enfoques digital y analégico, ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCIO! Laclectr6nica puede clasificarse en tes éreas: anal6gica, digital y de potencia. Esta ciasifi- caci6n se basa principaimente en el tipo de procesamiento de la sefial. A menudo, los siste- ‘mas electrénicos se clasifican de acuerdo con el tipo de aplicacié, como la electr6nica mé- dica, la electrénica de consumo, eteétera. 1.6 Especificaciones de los sistemas electrénicos Especificaciones de la respuesta transitoria FIGURA 18. Respuesta de un cireuito a tun puso Un sistema electrénico, por lo comin, se diseia para que realice ciertas funciones u opera- ciones. El desempeiio de un sistema electrénico se especifica 0 se evalia en funciGn del vol taje, de la corriente, de la impedancia, de la potencia, del tiempo y de ta frecuencia en la en- trada y en la salida del sistema, Los pardmetros de desempefio incluyen las especificaciones de Ja respuesta transitoria, de distorsi6n, de frecuencia y especificaciones cd y de sefial pequetia Las especificaciones de la respuesta transitoria se refieren a la sefial de salida que genera tun circuito como respuesta a una sefal especifica de entrada, cominmente una sefial de pul- 0s repetitivos, como se muestra en la figura 1.8(a). Por lo general, ta sefal de salida exhi- be en cada ciclo un tiempo de retraso ty, un tiempo de levantamiento 1, un tiempo de cencendido faye, un tiempo de caida t; y un tiempo de apagado f,,, como se muestra en la f gura 1.8(b). Dependiendo del factor de amortiguamiento del circuito, la respuesta puede presentar un disparamiento antes de llegar a la condicisn de estado-estable como se mues- tra en la curva discontinua de la figura 1.8(b). A continuacién se definen los tiempos que estén asociados con una sefal de salida: + Tiempo de retraso ty, es el tiempo que transcurre antes de que el circuito pueda res- ponder a cualquier seftal de entrada. + Tiempo de levantamiento f, es el tiempo que requiere la salida para aumentar del 10 al 90% de su valor final (alto). + Tiempo de encendido tag, es el tiempo durante el cua el circuito se encuentra com- pletamente encendido y Tunciona de manera normal 1" | or Treas) (@) Eatrada % _ Bispacaniento fhe 08} on Figaro seen () Salida10 Distorsién FIGURA 1.9 Algunos ejemplos de distorsién Especificaciones de frecuencia CaPfTULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO *+ Tiempo de catda tq es el tiempo que se requiere para que la salida disminuya del 90 al 10% de su valor inicial (alto). * Tiempo de apagado t,y, €5 el tiempo durante el cual el circuito esta completamente apagado, sin operar. Por Io tanto, el periodo de conmutacisn T es TH tg + Ot beget hy t hy (2.3) y la frecuencia de conmutacién es f = 1/7. Estos tiempos limitan la velocidad maxima de conmutacién fgg, de un circuito. Por ejemplo, la frecuencia maxima de conmutacién de un circuito con ty = 1 usy t, = 4= 2pses Frnts = Wty + f+ 1) = US ps = 200 kHe Con frecuencia, una sefial se distorsiona mientras pasa por las diferentes etapas de un tema electr6nico. La distorsién puede adoptar diversas apariencias y alterar la forma, la arn- plitud, ta frecuencia o la fase de una sefal. En la figura 1.9 se muestran algunos ejemplos de distorsion: en la parte (b) se observa el recorte de la forma de onda senoidal original de la parte (a) debido a la limitaci6n de la fuente de alimentacién; en la parte (c) se mues- ta la distorsién de cruce debida a la falta de efectividad del circuito cerca del cruce por ce- 10, y en la parte (d) se ve la distorsiGn arménica debida a las caracteristicas no lineales de 10s dispositivos electrénicos. Es comin que se aplique en Ia entrada de un circuito una sefial senoidal con una frecuencia espeeffica, y luego se midan las componentes fundamentales y arménicas de la sefial de salida. La cantidad de distorsién se especifica como la distorsién arménica total (THD, pot sus siglas en inglés), que indica la relacién que existe entre el valor rms de la componente arménica y el valor mms de la componente fundamental (en 1a frecuencia de la entrada senoidal). La THD debe ser tan baja como sea posible, Recone | —+ 0 Hea 9) reas) (2) Onda senoidal () Recorte yp, Distocsia "© “armdnica Hen) () Distorsién de cruce (4) Distorsin arménica El intervalo de frecuencias de las sefiales electrénicas varia amptiamente, segiin la aplica- _ESPECIFICACIONES DE LOS SISTEMAS ELECTRONICOS n ‘Tipo de sefal ‘Ancho de banda Sefales s{smicas 1.4200 Hz Electrocardiogramas 0.05 a 100 Hz Sefiales de audio 20 Hz a 15 kHz Sefales de video edad? MHz Sefiales de radio am 540 a 1600 kHz Sefiles de radar 1 a 100 MHz Sefiales de televisién VHF 54 a 60 MH. Sefiales de radio fm 88 a 806 MHz Sefales de television UHF 470 a 806 MHz Seriales de teléfono celular 824.4 891.5 MHz Seitales de televisin via satélite 3.7242GHz Sefales de comunicacién por microondss | 150GHz Yo ¥, Sistema tecnico | Yo Ke ti siento) (a) Circuito () Respuesta en frecuencia Para una frecuencia de operacién dentro del intervalo de ancho de banda, la ganancia cen voltaje se define como v, Ania v (1.4) donde V, y V, son los valores rms de los voltajes de entrada y de salida, respectivamente La impedancia de entrada se define como (1s) donde f, es el valor rms de la corriente de entrada del cireuito. Con frecuencia, Z, se cono- ce como la resistencia de entrada de sefial pequefia R,, porque la salida es casi independien- te de la frecuencia a la mitad de ta banda. La idea es que R, debe tender hacia el infinito La resistencia equivalente de Thévenin vista desde el lado de salida se especifica como la resistencia de salida R,, fa cual, idealmente, deberd ser cero. Las especificaciones de ed y de sefial pequefia incluyen el voltaje de la fuente de alimenta- in de od, Vec, las corrientes de polarizacién de od (que se requieren para activar y ope- rat los transistores) y la disipaci6n de potencia Pp (requerimiento de potencia de la fuente de alimentacién de cd). Con frecuencia se especifica la ganancia en voltaje (el cociente del voltaje de salida vo entre el voltaje de entrada »)). Si la relacién voy es lineal, como se muestra en la figura 1.11(a), y el circuito opera en un punto de polarizacién Q, la ganancia en voltaje esté dada por la expresi6n Ay= 8 6) ‘A menudo, Ay se conoce como ganancia en voltaje a seftal grande. La curva caracteris: fica de los transistores es no lincal, como se muestra en la figura 1.11(b), y el circuito fun- ciona en un punto de operacién de polarizacidn, el punto Q. Para que la relacién vo-y; sea2 FIGURA 1.11 Caracteristicas de sefal grande y de sefial pequefia CAPITULO 1» — INTRODUCCION ALA ELECTRONICA ¥ EL DISENO (@) Relacién tneal () Relacién no tinea cesencialmente lineal se hace que la sefial de entrada varie sobre un intervalo pequefo, Enton- ces, la ganancia en voltaje se conace como ganancia a seful pequefa A,, expresada por a7 enc puto 0 Los circuitos electrénicos, en especial los amplificadores, funcionan por lo general s0- bre un intervalo précticamente lineal de la caracteristica. Para una frecuencia de operacién que esté dentro del ancho de banda del circuito, A, = Ayia. donde A,,y €s la ganancia a fre- cuencia media del amplificador. ASPECTOS PRINCIPALS DE. LA SECCION 1.6 Los 3s parémetros que describen el comportamiento de los circuitos y sistemas eleetrénivos por lo comin incluyen las especificaciones de la respuesta transitoria, la distorsi6, la fre- ‘cucneia y las especificaciones de sefal pequeia y sefial grande. 175 Disefio de sistemas electronicos Los sistemas de ingenier‘a han aumentado cada vez més su complejidad. Por consiguiente. es muy deseable que los ingenieros tengan las habilidades necesarias para analizar, sinteti- zar y disefiar sistemas complejos. Un disefio transforma las especificaciones en circuitos ‘que satisfacen tales especificaciones. FI disefio de un sistema es un reto que involucra mu- cchas variables. Pueden utilizarse diferentes enfoques para implantar las mismas especifica *” Diodo ay ‘Cétodo (@) Simboto ()Ioterruptar controtado Los transistores de unién bipolar (BJT), desarrollados en la década de los atios cincuenta, son los dispositivos mas antiguos que se utilizan para la amplificacién de sefales. Se cuenta ‘con dos tipos de transistores: npn y pnp. En las figuras 1.23(a) y 1.23(b) estén representa ‘dos sus simbolos. Un transistor de unin bipolar tiene tres terminales: el emisor (E), la base (B) y el colecior (C). La punta de flecha del emisor identifica al transistor como un dispo- sitivo pnp o npn. Los voltajes Vag ¥ Vc Son necesarios para activar y polarizar al transis- tor en la forma adecuada, en sus modos normales de operaci6n. ‘Un BIT es un dispositivo controlado por corriente, y su corriente de colector (salida), ic depende de la corriente de base ig, como se muestra en la figura 1.23(c). La unién base cemisor se comporta como un diodo y puede representarse con un diodo. Por lo tanto, un cambio pequefio en la corriente de base i, provoca un cambio amplificado en la corriente de colector i, €s decir, fe = Beiy as) donde By es la ganancia en corriente de cd del transistor. En la figura 1.23(4), se muestra el modelo de sefal pequefia de un BIT. En el capitulo 5 se analizardn las caracterfsticas y Jos modelos de los transistores bipolares. ck, Re lem le*h + PHO " om cana pm le (2) teansistor npn (b) Transistor pap (©) Modelo de cd (@) Modelo de sefial pequefia Los transistores de efecto de campo (FET) representan la siguiente generacidn de transis- tores después de los BJT. Un FET tiene tres terminales: el drenaje (D), la compuerta (G) y la fuente (S). La corriente de salida de un FET esté controlada por un campo eléctrico queFIGURA 1.24 ‘MOSFET incremental SECCION 1.9» —_DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 23 depende del voltaje de control de la compuerta, El FET opera como un dispositive contro- lado por voltaje, es decir, la corriente de drenaje (salida) depende del voltaje de entrada de la compuerta. Existen tres tipos de FET: transistores de efecto de campo de metal-Sxido- semiconductor incrementales (MOSFET incremental, por sus siglas en inglés), transistores, de efecto de campo de metal-6xido-semiconductor decrementales (MOSFET decremental) y transistores de efecto de campo de unién (JPET, por sus siglas en inglés). En el capitulo 5 se analizardn las earacteristicas y los modelos de los FET. MOSFET incrementales Hay dos clases de estos dispositivos: de canal n y de canal p, En las figuras 1.24(a) y 1.24(b) estén representados sus simbolos respectivos. La punta de flecha del sustrato indica el tipo: p 0 n. Por lo comiin, el sustrato B se conecta en la termi- nal de la fuente. Gracias a la accin de un campo eléctrico se induce un canal. Como lo indican las lineas interrumpidas que van del drenaje a la fuente, no existe un canal fisico entre estos iltimos. Los voltajes vcs = Vos ¥ Vop S0n necesarios para activar y polarizar en forma adecuada un FET en sus modos norinales de operacién. La corriente de compuer- ta ig es muy pequeia, précticamente cero. La corriente de drenaje (salida) ip depende det voltaje compuerta-fuente vgg, como se muestra en la figura 1.24(c), y esta determinada por io = Ky(vas~ Vara ics! 21M (1.19) donde K, = constante del MOSFET, en A/V? V, = voltaje de umbral de! MOSFET, en V vos ¥ V; Son positives para los MOSFET incrementales de tipo n, y negativos para los dispositivos MOSFET incrementales de tipo p. El valor de vgs debe ser mayor que el de V, ppara que pueda fluir cualquier corriente de drenaje. Es decir,|¥s| > IVj|. Por ejemplo. K, = 20 mA/V?, V, = 1.5 V (para un MOSFET de canal »), y vas = 3 V, de la ecuaci6n (1.10) se tiene que ip = 20 mA X (3 = 1.5? = 45 mA () Modelo de ed para el canal MOSFET decrementales Hay dos clases de MOSFET decrementales: de canal n y de canal p. En las figuras 1.25(a) y 1.25(b) estén representados sus simbolos respectivos. Co- ‘mo lo indican las Kineas continuas que van del drenaje a la fuente, existe un canal fisico en- tre estos tiltimos. Sin embargo, el canal puede aumentar 0 disminuir debido a la accion de ‘un campo eléctrico. Los voltajes vgs (= Vos)¥ Vpp polarizan en forma adecuada a los FET ‘en sus modos normales de operaciGn, La corriente de compuerta ig es pricticamente cero,FIGURA 1.25 MOSFET decremental CAPITULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO La corriente de drenaje (salida) ip depende del voltaje compucrta-fuente vgs, como se muestra en la figura 1.25(c), y esté determinada por K (ves ~ ¥)" aay wr oe(1-") para Ihc =lvpl (12) donde — K, = constante del MOSFET, en A/V? pss = K,V3, la corriente de drenaje en vgs = V, = voltaje de apagado del MOSFET, en V Vpes el voltae en el cual el canal fuente-drenaje estéefectivamente apagado y no fuye corriente de drenaje. V, es negativo para los MOSFET decrementales tipo n, y €5 positivo para los dispositivos MOSFET decrementales tipo p. El voltaje ves puede ser positive 0 ne- gativo, pero su magnitud no puede exceder el valor de |V,| = voy {€) Modelo de cd para el canal FET de unién (JFET) Existen dos clases de FET de unin; de canal n y de canal p. En las figuras 1.26(a) y 1.26(b) se’representan sus simbolos respectivos. La unién compuerta- fuente se comporta como un diodo que esté polarizado en inversa. Como lo indican tas Iineas continuas que van del drenaje a la fuente, existe un canal fisico entre estos ultimos. La corriente de drenaje esté controlada por la influencia de 1a accién de un campo eléctri- co. Los voltajes vgs (=Ves) ¥ Vop Polarizan apropiadamente a los JFET en sus modos rormales de operaciGn. Existe una pequefia corriente de compuerta ig del orden de mi- ceroamperes. La corriente de drenaje (salida) ip depende del voltaje compuerta-fuente 5, ‘como se muestra en la figura 1.26(c), y esté dada por la expresién 2 ip toss (1 -3) para [vosl = |¥4l (1.13) f donde —Ipss = corriente de drenaje cuando vgs = 0, en A Vy = voltaje de apagado del JFET, en V V, es el voltaje en el que el canal drenaje-fuente estéefectivamente apagado, y no Ruye corriente de drenaje. V, es negativo para los JFET de tipo n, y positive para los FET de ti po p. El voltaje vgs es negativo para los JFET de tipo n, y positivo para los JFET de tipo p, pero su magnitud no puede exceder el valor de Vp, Por ejemplo, si pss = 20™mA, V, = ~3V (para un JEET de canal n), y vgs = 1.5 V, de la ecuacién (1.13) se tiene que ip = 20 mA X (1 — 1.53)? = 5 mAFIGURA 1.26 Dispositivos JFET FIGURA 1.27 Caracteristicas de transferencia y modelo de sefial pequefia de los FET SECCION 1.9» — DISPOSITIVOS ELECTRONICOS 25 (© Modelo decd para cl canal n Caracteristicas de transferencia La caracteristica de transferencia de un FET describe larelacién que existe entre la corriente de drenaje ip y el voltaje compuerta-fuente vgs. En Ja figura 1.27(a) se muestra la curva caracteristica para todas las clases de FET: La pendien- te de la curva caracteristica ip-¥s proporciona la transconductancia de sefial pequetia 9 la cual se define como to as) VG | ent puro 2 Por lo tanto, la corriente de drenaje de sefial pequetia ig se puede hallar con la siguiente expresin fa = BmYos (Ls) donde vgs es el voltaje compuerta-fuente de sefal pequefia. Los FET pueden representarse mediante e! modelo de sefial pequefia, como se muestra en la figura 1.27(6) aaa “od ( a Se ame: is (a) Caracteristicas de transferencia (b) Modelo de seiial pequetia para los FET 'ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 1.9 ‘+ Los dispositivos electrénicos consttuyen la parte medular de la electrOnica, Hay tres cate- orias de dispositivos electrénicas: diodos semiconductores, transistores de unién bipolar (BIT) y tansistores de efecto de campo (FET). + El diodo actia como un interruptor, que puede estar encendido 0 apagado segiin sea el vol taje a través de sus terminales. El BJT es un dispositivo controlado por corriente que puede funcionar como interruptor o como amplificador. El FET es un dispositive controlado por voltaje que puede funcionar como un interruptor o como amplificador.26 CAapfTULO 1» INTRODUCCION A LA ELECTRONICA Y EL DISENO Referencias 1 BB. Blanchard y W. J. Fabrycky, Systeme Engineering and Analysis. Englewood Cliffs, NJ: Pren- tice Hall Inc., 1990. John Burkhardt, Lecture Notes on the Art of Design. Fort Wayne: The Indiana Universty-Purdue University Fort Wayne, 1996. Criteria for Accrediting Programs in Engineering in the United States. Baltimore, MD: Engineering Accreditation Commission of the Accreditation Board for Engineering and Technology (EAC/ABET), 1996. Robert L. McConnell, Wils L. Cooley, y N. T: Middleton, Electrical Engineering Design Compen- dium. Reading, MA; Addison-Wesley Publishing, 1993. John G. Webster, Teaching Design in Electrical Engineering. Piscataway. NJ: The Institute of Elec- trical and Blectronics Engineers, Inc., 1990. Richaed C. Jaeger, Microelectronic Circuit Design. Nueva York: MeGraw Hill, 1997, capitulo 1 PW, Tuinenga, SPICE—A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using PSpice. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall Inc., 1995. MH Rashid, SPICE for Circuits ond Electronics Using PSpice. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall Tnc., 1995. Marc E, Hemiter, Schematic Capture with Microsim PSpice. Englewood Chifs, NJ: Prentice Hall Inc., 1996, Problemas 12 13 14 1s 16 7 18 19 110 Disefiar un circuito para medir un voltaje de cd en el intervalo de 0 a 400 V. Para obtener una defte- ‘xin de escala completa, el cuadro mévil consume 100 WA y presenta una caida de | V (cd) entre sus terminales. La precisién debe ser superior al 2%, La corriente de entrada desde la fuente debe ser ‘menor que I mA. Disedie un circuito que suministre 6 V a una carga, a partir de una alimentacién de 24 V. La corrien- te de carga debe ser 5 A. La precisin debe ser superior al 5%. Disefie un circuito que proporcione 60 W a $0 V a una témpara resistive, a partir de una linea de ali- imentacién de ca de 120 V + 10% a 60 Hz. El circuito debe ser eficiente con relacion al consumo de ‘energia; es decir, debe consumir la rinima cantidad de potencia, Disefie un circuito para cargar un capacitor de 2 wF a partir de un voltaje de alimentacion de od de 24 V. La corriente de carga debe limitarse a 1 mA. La precisin debe ser superior al 5%. Los voltajes de entrada y de salida de un amplificador son y= Ssen (100m +307)mV yy 400 sen (10002¢ + 90°) mV Calcul la magnitudy la fase de la ganancia en voltaje del amplificador. En un MOSFET de canal n, K, = 20 mA/V? y ¥, = 15 V. Si el voltaje compuerta-fuente es vos = 3 V.ealeule la transconductancia de sefial pee gq del MOSFET. En un JFET de canal, Iss = 20 mA,y V, = ~3V. Sil voltae compuerta-uente es vgs = = 1.5 V- ‘aleul la transconductanela de sefial peqvetia gq del JPET. Suponga que los dispostivos estén en saturacin. Lacorriente de base de un transistor bipolar es ig = 2(1 + sen 2000) mA y la ganancia en corrien- te del transistor es fp = 100. {Cues son los valores de Tp ge He © ic? ara un transistor bipolar los voltajes colector-emisor son Ve = 6 V y Yq = ~100 sen (200070) IV. los votajes base-emisor son Vag ~ 0.7 Vy Ye = {sen (2000nt) m¥. (a) Determine las expresiones para Yee ¥ Ya (b) Caleue la gunancia en volaje de seal pequetia Ay Para un FET, os voliajes drenaje-fuente son Vpg = 6 V y Yay = ~50 sen (100021) mv, y los volla- jes compuerta-fuente son Veg = 3 Vy vg = 2 Sen (1000) mY. (a) Determine las expresiones para Yo, ¥ Yas () Calcule la gananciaen volaje de seal pequefia A,Diodos Contenido del capitulo 2 ntroduccién 29 Anilisis de circuitos con diodos reales 22 Diodos ideales 2.10 Modelado de diodos reales 23 Caracteristicas de transferencia de los 2.11 Diodos zener circuitos con diodos: 2.12 Diodos emisores de luz 24 Diodos reales 2.13 Diodos de barrera Schottky 25 Funcionamiento fisico de los diodos de 2.14 — Disipacién nominal de potencia niga 2.15 Hojas de datos técnicos para diodos 26 Caracteristicas de los diodos reales 27 Determinacién de tas constantes del diodo RESUMEN > REFERENCIAS 28 Efectos de la temperatura PREGUNTAS DE REPASO b PROBLEMAS 2.1 I El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales que ofrece una baja resistencia Introduccién del orden de los m® en una direccisn y una alta resistencia del orden de los GO en a otra. Por tanto, el diodo facta el flujo de corriente en s6lo una direccién. El diodo es el disposi- tivo electrénico més simple, y ¢s el componente bésico de muchos circuitos y sistemas elec- Uwénicos. En este capftulo se analizan las caracteristicas de los diodos y sus modelos mediante el anilisis de un circuito con diodes El diodo exhibe una relacién no lineal entre el vottaje a través de sus terminales y la corriente que circula por él. No obstante, el analisis de un diodo se simplifica con la supo- sicién de una caracteristica ideal. Los resultados de este andlisis simplificado son tiles para comprender el funcionamiento de los circuitos con diodos, y son aceptables en mu- ‘chos casos précticos, sobre todo en la etapa inicial de disci y andlisis. Si se requieren resultados més precisos, pueden usarse modelos de circuitos lineales que representen la ccaracterfstica no lineal de los diodos. Por lo general se uilizan estos modelos al evaluar el desempefio de los circuitos con diodos. Sin embargo, cuando se requiere més precisién, es comin utilizar ef modelado la simulaciGn asistidos por computadora. Los objetivos de aprendizaje de este capitulo son los siguientes: «+ Entender las caractertsticas ideales y reales de los diodos semiconductores + Comprender el principio de funcionamiento de los diodos semiconductores y sus aplicaciones como dispositivos interruptores 27Carfruto2 = DIoDOs + Aprender los modelos de circuitos de un diodo y los métodos para analizar circuitos ‘con diodos + Estudiar las caracteristicas de los diodos zener y sus aplicaciones como reguladores de voltaje En Ja figura 2.1(a) se representa el simbolo de un diodo semiconductor, Sus dos terminales ‘son el &nodo y el cétodo. Si el voltae en el dnodo se mantiene positive con respecto al céto- do, el diodo conduce y ofrece una pequefia resistencia. Se dice entonces que el diodo est polarizado directamente, y se comporta como un cortocircuito, como se muestra en a fi- ura 2.1(b). Si el voltaje en el 4nodo se mantiene negativo con respecto al cétodo, el diodo ofrece alta resistencia, Se dice entonces que el diodo esté polarizado inversamente, y se comporta como un circuito abierto, como se ilustra en la figura 2.1(c). Por consiguiente, un diodo ideal ofrece una resistencia cero y una caida de voltaje cero en la direccidn directa. En direccién inversa, ofrece una resistencia infinita con una corriente cero, FIGURA 2.1. Caracteristica de un diodo ideal Raye Roo ip Sh oe LL 2.2 Diodos ideales B.Anodo fo” Jie w YD todo ‘G Tey \ 's 3 K (@) Diode encendido {€) Diodo apagado (@) Caracterstica ¥4 ideal El diodo ideal se comporta como un cortocitcuito en la regién directa de conduccién (vp = 0), como circuito abierto en la regidn inversa de no conducci6n (ip = 0). La carac- teristica v-ide un diodo ideal se muestra en la figura 2.1(d). Ya que el voltaje en sentido di- recto tiende a ser mayor que cero, [a corriente en sentido directo a través del diodo tiende ser infinita, En la préctica, sin embargo, el diodo se conecta a otros elementos del circui- {o, tales como resistencias, por lo que su corriente directa se limita a un valor conocido. EJEMPLO 2.1 SOLUCION Circuito con diodos para implantar la funcién W6gica OR En la figura 2.2 se ilustra un circuito ‘con diodos capaz de generar una funcién logica OR. La convencién logica positiva denota el 0 logi- ‘co con OV, y un I lgico con un voltaje positive, por lo general de 5 V. Muestre Ia tabla de verdad aque ilustra la salida logica FIGURA22 Circuito : Vipin OR con dodo yep} ——2€ \s AB Si atmbas entradas tienen OV (es decit, Vy = OV y Vg ~ OV), ambos diodos estan apagados y la salida Vo serd de 0V (00 l6gico). Si V0 Yq (o ambos) tienen un rive alto (+5 V),e dodo cores- pondiente (Dj 0 D; © ambos) conducirs cori, y el volaje de salida ser alt: estos, Vo = $V:SECCION22 » —DIODOS IDEALES 29 Como se verd més adelante, el diodo real tiene una caida de voltaje finita de aproximadamente 0.7 V, y el voltaje de salida serd de alrededor de S ~ 0.7 = 4,3 V (0 | I6gico). La tabla de verdad que ilus- tra la funcién logica estdrepresentada en la tabla 2.1 TABLA 2.1 Tabla de verdad del ejemplo 2.1 Voltajes Niveles ldgicos Va. Ye ve [aA 8 C ov ow ow i}o 0 0 ov sv ov Jo 1 1 sv wi oo 4av} i oot sv sy avr td EVEMPLO 2.2 SOLUCION Circuito con diodos para implantar la funciéa lagica AND En la figura 2.3 se muestra un circ to con diodos que puede generar una funcién légica AND. La convencién légice positiva denota un O légico con 0'V y un I égico con un voltae positivo, por lo general de 5 V. Muestre la tabla de ver- dad que ilusra la salida logica. FIGURA23 Circuito Tégico AND con diode ~5V ® ey Si Ia entrada Va 0 Vp (o ambas) es de 0 V, el diodo correspondiente (D, 0 Dz © ambos) conduciré corriente, y el voltaje de salida seré de 0 V. En la préctica, el diodo tiene una caida de voltae finita ‘de unos 0.7 V. y el voltae de salida ser8 aproximadamente de 0.7 V (0 0 légico). Si ambas entradas son altas (esto es, Vy = 5 Vy Vg = 5 V), ambos diodes estar polarizados a la inversa (apagados). el voltae de salida seré alto, es decir, Ve = 5 V. La salida sera un | l6gico. En la tabla 2.2 se mucs- {ra la tabla de verdad de una compuertalégica AND. TABLA2.2 Tabla de verdad del ejemplo 2.2 Voltajes Niveles logicos VA EoV Vea | Anes, ov ov. omy [oo oo osv ow jo 1 oO sv ow ow jt 0 Oo svoosy sv ft at > NOTA: Sibien es posible uiizar diodos para desempetarfunciones Logica, os ciruitos log «0s con diodos son lentos y, por tanto, rara vez se uilzan en la précica. En el capitulo 12 se verd que el desempefio de muchas familias logicas ¢s superior.CapfruLo 2» —Dioos EVEMPLO 2.3 IF SOLUCION Aplicacién como diode rectificador El voltaje de entrada det circuito con diodo expuesto en ta f- sgura 2.4. €5 vg = v, = Vq sen a, Dicho voltae tiene una componente de cd cero; esto es, Vs = Oy /g + vy = vg Trace las formas de onda del voliaje de salida vg y el voltaje en el diodo vp. FIGURA24 Circuito Durante el intervalo 0 = ar 0 Yo vs Sivs $0 En la figura 2.6(c), el voltaje de salida vg es igual al voltaje de entrada cuando el diodo con- duce. Esto es, vo = {’s Sivs > Ye '0 = \Wasivs = Ve En la figura 2.6(4), el voltaje de salida vp se queda como Vg (esto es, permanece fijo en Vp) ‘cuando el diodo conduce. Cuando el diodo esté apagado, el volta de salida es igual al vol- taje de entrada. Asi, v= [Yesivs> Ve 0 = lye sing SVQ En la figura 2.6 también se mucstran las caracteristicas de transferencia representativas, Db, os ae ee a codions = 1 seaeceell eee % o o 0 val /fediene = 1 entice = %, % © @32 CaPituLo2 > — Diopos ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.3 Lacaracteristica de transferencia relaciona el voltaje de salida con el voltaje de entrada y 00) depende de la magnitud ni de la forma de onda de este sltimo, 2.4» Diodos reales La caracteristica que distingue a un diodo real de uno ideal, es que cl diodo real experimen ‘a una caida de voltae finita cuando conduce. Esta caida se encuentra por lo general den tro del intervalo de 0.5 V a 0.7 V. Si el voltaje de entrada a un circuito con diodos es sufi- Cientemente elevado, esta pequeta caida se puede pasar por alto. Sin embargo, la cafda de voltaje puede provocar un error significativo en circuitos electrénicos, por lo que hay que tener en cuenta la caracteristica del diodo al evaluar el desempefio de circuitos con diodos. Para comprender la caracteristica de un diodo real, es necesario entender su Funcionamien- to fisico. 2.5% Funcionamiento fisico de los diodos de unin Uni6n del diodo Los diodos de unidn se fabrican con materiales semiconductores. A un semiconductor puro se le ama material intrinseco, en el que las concentraciones de electrones 7 y huecos p son iguales. Un hueco es la ausencia de un electrén en un enlace covalente, y es semejante a luna carga positiva independiente. Las corrientes inducidas en semiconductores puros son muy pequetias. Los semiconductores més utilizados son los de silicio, de germanio y de ar- seniuro de galio, Los materiales de silicio cuestan menos que los de germanio y permiten que los diodos operen a temperaturas més altas. Por esta raz6n, ya casi no se utilizan los diodos de germanio, Los diodos de arseniuro de galio (GaAs, por sus siglas en inglés) pue- den funcionar a velocidades de conmutacién més altas y a frecuencias més altas que los diodos de silicio, y por eso se les preficre, Sin embargo, los materiales de arseniuro de ga- Tio son més caros que los de silicio y més dificites de fabricar, asi que por regla general se utilizan sélo en aplicaciones de alta frecuencia. Se espera que los dispositivos GaAs ad- ‘quieran cada vez. mas importancia en los citcuitos electrénicos. Para incrementar la conductividad, en los semiconductores puros se introducen cantida- des controladas de materiales, conocidos como impurezas, con lo que se ctean electrones li- bres o huecos. El proceso de agregar cantidades cuidadosamente controladas de impurezas a los semiconductores puros se conoce como impurificacién. Un semiconductor al que se le hhan agregado impurezas se conoce como extrinseco. Por lo general se utilizan dos tipos de impurezas: tipo n (como antimonio, fésforo y arsénico), ¥ tipo p (como boro, galio ¢ indio). Las impurezas tipo n son materiales pentavalentes, con cinco electrones de valencia en la capa extema del tomo. La adicién de una cantidad controlada de una impureza tipo nal icio 0 al germanio, hace que un electrén se vincule débilmente al dtomo paterno, porque cuatro electrones bastan para completar un enlace covalente, A temperatura ambiente, existe suficiente energia para provocar que el electrn redundante se desprenda de su Sto- ‘mo paterno; de esta manera se genera un electr6n libre. Este electron puede moverse alea- {oriamente en ¢l interior del cristal semiconductor. Por consiguiente, una impureza ti dona elecirones libres al semiconductor; por esta raz6n, a menudo se le conoce como do- nador de impureza. El étomo de impureza originalmente era neutro, y la remocin del elec~ ‘én redundante hace que el étomo de impureza exhiba una carga positiva igual a +e, y que permanezca fijo en la rejilla de cristal de la estructura. En la figura 2.7(a) se muestra un semiconductor tipo n. Observe que los huecos también estan presentes en los materiales se- ‘miconductores tipo n imperfectos debido a las agitaciones térmicas de los electrones y los, hhuecos en el interior de los materiales. Por consiguiente, en un semiconductor tipo n, los elec- {rones son los portadores mayoritarios, y los huecos los minoritarios. Las impurezas tipo p son materiales trivalentes, con tres electrones de valencia en Ia capa extema del étomo. La adicién de una impureza tipo p al silicio o al germanio provo-SECCION 25 > — FUNCIONAMIENTO FISICO DE LOS DIODOS DE UNION 33, FIGURA 2.7 Semiconductores tipo y tipo p lca redundant acco wiso (eyamiso ‘éoiment at Re x Seiimene Soe pte (2) Atomo de impurezas tipo (b) Atome de impureza tipo p_ © com carga postiva ‘con carga negativa sion fof IDR tipon k Regién de aguamieato fo =), © © ca un vacio para un electrén cerca del étomo de impureza, ya que se requieren cuatro elec: trones para completar enlaces covalentes. Un vacio para un electrén es como un hueco, el cual equivale a una carga positiva +e. A temperatura ambiente, existe suficiente energia para hacer que un electrén cercano ocupe el vacio existente, lo que a su vez provoca un ‘acio en otra parte. De esta manera, el hueco se mueve aleatoriamente en el interior del cris- tal semiconductor. Por consiguiente, una impureza tipo p acepta electrones libres, y se le ‘conoce como aceptor de impureza. Con el electrén que gana, cl étomo de impureza exhibe ‘una carga ~ e, y permanece fija en la rejilla de cristal de 1a estructura. En la figura 2.7(b) se ‘muestra un semiconductor tipo p. En un semiconductor tipo p, Ios huecos son los portado- res mayoritarios, y los electrones los minoritarios. Para considerar el principio de funcionamiento de un diodo, se supondré que se colo- ca un material tipo p en un lado de un cristal de un material semiconductor puro, y que se ‘coloca un material tipo m en el otro lado, como se muestra en la figura 2.7(c). (Est bargo, no es la manera de hacer un diodo.) A temperatura ambiente, los electrones, que son los portadores mayoritarios en la regién n se difunden del lado tipo 7 al lado tipo pi los hue- cos, que son los portadores mayoritarios en la regién p, se difunden de! lado tipo p al lado tipo n. Los electrones y los huecos se recombinan cerca de la uniGn y, por consiguiente, se anulan entre sf. En cada lado de la unién habré cargas opuestas, lo que crea una regién de ‘agotamiento, o regién de carga espacial, como se muestra en la figura 2.7(d). Bajo condi- clones de equilibrio térmico, no habré mas electrones o huecos que crucen la unin, ‘Debido a la presencia de cargas opuestas en cada lado de la unin, se establece un cam- po eléctrico a través de ésta. La barrera de potencial resultante V,, que se forma porque el Tado tipo n esté a un potencial mayor que el Lado tipo p, impide cualquier flujo de portado- ‘res mayoritarios hacia el otro lado. En la figura 2.7(e) se muestra la variaci6n del potencial a través de la uni6n. ‘A causa de la barrera de potencial ¥;, los electrones, que son los portadores minorita- rios en el lado p, cruzan Ia unién hacia el lado n; los huecos, los portadores minoritarios en ‘l lado n, cruzan la unién hacia el lado p. De esta manera, fluye una corriente provocada por los portadores minoritarios (huecos) del lado n hacia el lado p, que se conoce como co- rriente de deriva Iyg. Asimismo, una corriente conocida como corriente de difusién Ing flu- ye del lado p hacia el lado n, provocada por los electrones mayoritarios. En condiciones de cequilibrio, 1a corriente resultante es cero. En consecuencia, estas dos corrientes (Ie € fon) son iguales y fluyen en direcciones opuestas, es decir, Tor = —lorCondicién de polarizacién directa FIGURA 2. Unign pn con polarizacion directa Condicién de polarizacién inversa FIGUBA29 Unig pn con polarizacién inversa Condicion de ruptura Cartruto2 » —Diopos Se dice que una unién tiene polarizacién directa si l lado p se hace positivo con respecto al lado n, tal como se ilustra en la figura 2.8(a). Si se incrementa ct voltaje aplicado Yp, la barrera de potencial se reduce a V; ~ vp, como se muestra en la figura 2.8(b), y un gran nd- ‘mero de huecos fluyen del lado p al lado n, De la misma manera, fluye un gran nimero de electrones del lado 7 al lado p. La corriente en el diodo resultante €s ahora ip = Ine - Jpg. Conforme Ia corriente del diodo fp s¢ incrementa, las resistencias Ghmicas del lado p y del lado n provocan una significativa caida de voltaje en serie, Si vp se incrementa aiin més, la mayor parte de este incremento se pierde como una cafda de voltaje en serie, Asf, el ancho de la regién de agotamiento se reduce con el incremento del voltaje en polarizacién direc- ta, La harrera de potencial no se reduce proporcionalmente, aunque puede llegar a set cero. Regia de Bae poten section Iii Jor: Toor inp Tom Reraiane | ie te [: ‘aaa reac Regn aga a © Se dice que cierta unin tiene polatizaciGn inversa cuando el lado n se hace positive con respecto al lado p, tal como se ilustra en la figura 2.9(a). Si se incremental voltaje inverso py la barrera de potencial se incrementa a V, + vp, como se muestra en la figura 2.9(b) Los huecos del lado p y los electrones del lado n no pueden cruzar la uniGn, y la corriente de difusi6n [pe provocada por los portadores mayoritarios es insignificante. Sin embargo, a causa de la barrera de potencial més alta, los huecos minoritarios del lado n cruzan con facilidad fa unién hacia el lado p y los electrones minoritarios del lado p cruzan ta unién hacia el lado-n. Por tanto, la corriente fluye solamente a causa de los portadores minorita- tios. El flujo de corriente inverta se debe a la corriente de detiva Ipg. la cual se conoce como corriente de saturacién (0 de fuga) inversa, denotada por /s como en la ecuacién (2.1). Regn de Banea de poencisl, agoumieno Resa ‘oe ' =f nici Teor | ipp Tipo yop Regi nde agotamiesto @ © La cantidad de portadores minoritarios disponible es muy pequefia y, por consiguiente, la cortiente resultante también lo es, del orden de los picoamperes. La produccién de porta- dores minoritarios depende de la temperatura. Por tanto, siel voltaje inverso vp se incremen- {a alin més, la corriente del diodo permanece casi constante hasta que se alcanza una condi- cin de ruptura, Sin embargo, si se incrementa la temperatura, fa corriente inversa del diodo también se incrementa, por lo que el ancho de la regidn de agotamiento se inerementa a in- crementarse el voltaje aplicado. Si el voltaje inverso se mantiene suficientemente alto, el campo clécirico de la capa de ago- tamiento Hlega a ser tan fuerte como para romper los enlaces covalentes de los étomos deSECCION 2.6» — CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS REALES 35, silicio (o de germanio), lo que produce una gran cantidad de pares electr6n-hueco por todo el cristal semiconductor. Estos electrones y huecos producen un gran flujo de corriente in- versa. La region de agotamiento (a menudo llamada regidn de carga espacial) Mega a ser tan ancha que las colisiones son menos probables, aunque el cada vez mds intenso campo eléctrico dispone de la fuerza para romper directamente los enlaces. Este fenémeno se lla- ima efecto de tunelizacin o efecto zener. El mecanismo se conoce como ruptura zener. Los clecirones y los huecos anulan a su vez las cargas negativas y positivas de la region de ago- tamiento, y la barrera de potencial de la unién virtualmente se elimina. La cotriente inver- ‘sa esté limitada entonces tnicamente por el citcuito externo, mientras que el voltaje termi- nal inverso permanece casi constante, en un valor igual al voltae zener Vz Cuando el campo eléctrico llega a ser suficientemente fuerte, los electrones del lado p se aceleran a través del cristal y chocan con los enlaces covalentes no rotos, con fuerza su- ficiente para romperlos. Los electrones gencrados por los choques pueden adquirir suficien- te energia cinética para chocar con otros enlaces no rotos, también con la fuerza suficiente para romperlos, Este efecto acumulativo, que produce una gran cantidad de flujo de corrien- te no controlado, se conoce como ruptura en avalancha. En la préctica, no hay distipcidn entre los efectos zener y en avalancha, porque ambos Hevan a una gran corriente inversa. Cuando ocurre una ruptura con Vz <5 V (como en uniones excesivamente impurificadas) se trata de una ruptura zener, Cuando ocurre con Vz >7V (aproximadamente), es una ruptura en avalancha. Cuando fa unién se rompe con un voltaje entre 5 y 7 V, la ruptura puede ser zener 0 en avalancha, o una combinacién de las dos. ‘ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.5 + Se crean electrones libres (en material tipo n) y huecos (en material tipo p) agregando can- tidades controladas de impurezas tipo n y p, respectivamente, a semiconductores puros + Un diodo semiconductor puede concebirse como formado al emparedar un cristal tinico eon ‘ua material p por un lado y un material n por el otro. + Siun diodo tiene polarizacin directa, la hartera de potencial se reduce y una gran cantidad ‘de huecos fluyen det lado p hacia el lado n. Asimismo, fluye una gran cantidad de electro- nes del lado m hacia el lado p. La resistencia dhmica del diodo Hega a ser muy pequefia en condiciones de polarizacién directa. + Sin diodo tiene polarizacién inversa, la barrera de potencial se incrementa. Los huevos del lado p y los electrones del lado n no pueden cruzar la uai6n. La resistencia Ghmica del dio- do llega ser muy alta. Sin embargo, un voltaje inverso suficientemente alto puede provocar tuna ruptura en avalancha, 2.6 Caracteristicas de los diodos reales En la figura 2.10 se muestra la caracteristica voltaje-cortiente (v-i) de un diodo real. Esta caracteristica, que puede aproximarse con una ecuacién conocida como ecuacién de Shoc- ley, esté dada por ip = [ger - 1) ea donde corriente que circula por el diodo, en A voltaje del diodo con el énodo positivo con respecto al cétodo, en V Ig = cortiente de fuga (0 de saturaci6n inversa) por lo general del orden de 1A alo" A constante empirica conocida como coeficiente de emisién 0 factor de idealidad, cuyo valor varia desde | hasta 2FIGURA210 Caractetistica de un diodo reat CapiruLo2 —» —_Diovos El cocficiente de emisi6n m depende del material y de la construcci6n fisica del diodo. Para diodos de germanio se considera que m es igual a 1. Para diodos de silicio, el valor pronos- ticado de n es 2, con corrientes muy pequefias 0 grandes, aunque para la mayor parte de los diodos reales de silicio el valor de n esta dentro del intervalo de 1.1 1.8. Vz de la ecuacién (2.1) es una constante llamada voltaje térmico, y esté dada por KT, v, = A 22) q donde q = carga del electrén = 1.6022 1079 coulomb (C) Tx = temperatura absoluta en grados Kelvin = 273 + Teens & = constante de Boltzmann = 1.3806 X 10-” J por grado Kelvin ‘A.una temperatura de 25 °C en la uni6n, la ecuacién (2.2) da el valor de Vz como ' AT _ (0.3806 x 1079273 + 25) _ _ Tr ~258mV q 1.6022 x 10" Tose y ‘A.una temperatura especifica, la corriente de fuga /s permanece constante para un dio~ do dado. Para diodos de sefal pequetia (0 de baja potencia), el valor tipico de Is es 10° A. [La caracteristica del diodo de la figura 2.10 se puede dividir en tres regiones, como sigue: regidn de polarizacién directa, donde vp > 0 regiGn de polarizacién inversa, donde vp <0 regién de ruptura, donde vp < — Vex. Regién de polarizacién directa: En esta regién, vp > 0. La corriemte en el diodo ip es muy pequeiia cuando el voltaje del diodo vp es menor que un valor espectfico Vrp, conocido como unbral de voltaje, voltaje de activacién 0 voltaje de encendido (por lo ge- neal, de 0.7 V). El diodo conduce completamente cuando vp es mayor que Vzp. Por tanto, el umbral de voltaje es el voltaje con el cual un diodo con polarizacidn directa empieza a conducir Supéngase que se aplica un pequefio voltaje directo de vp = 0.1 V a un diodo dem = 1 ‘A temperatura ambiente, Vz = 25.8 mV. A partir de la ecuacién (2.1), se determina la co- rriente del diodo ip como Ig(et/ V4 — 1) = L6fe01/E * 059 — 1) = 1548.23 - 1) = 48.231, con 2.1% de error ‘npEEE eee eee SECCION 2.7» DETERMINACION DE LAS CONSTANTES DEL DIOD0 37 Por consiguiente, para vp > 0.1 V, que es el caso general, ip >> fy ¥ ta eeuaci6n (2.1) puede aproximarse dentro de un 2.1% de error mediante ip = Lge'0/™M ~ 1) = Het!" 23) Regién de polarizacién inversa: En esta regién, vp <0, estos, vp es negativo Si |vo] >> Vr. lo cual ocurre para vp <0. V, el término exponencial de Ia ecuacién (2.1) se vuelve insignificantemente pequeto comparado con la unidad, y la corriente en el diodo ig llega a ser p= tye bl/*¥4 ym ly ar lo cual indica que la corriente en el diodo jp permanece constante en la direccién inversa, yy su magnitud es igual a la de Is. Region de ruptura: En esta regidn el voltae inverso es alto, por lo general mayor que 100 V. Si la magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especifico conocide como vol- taje de ruptura Vp, la corriente inversa correspondiente Jyy se incrementa répidamente, con un pequefio cambio del voltje inverso més allé de Vi. El funcionamiento en la region de ruptura no destruye el diodo, siempre que la disipacién de potencia (Pp = vpip) se man tenga dentro del nivel de seguridad especificado en la hoja de datos técnicos del fabricante. Sin embargo, es necesario limitar la corriente inversa en la regidn de ruptura de modo que la disipacién de potencia quede dentro de un intervalo admisible. ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.6 {Un diodo real exhibe una caracterstica v-i no lineal, la cual puede representarse con la eoua- cin de Shockley. + La curva caracteristica v-i de un diodo puede dividirse en tres regiones: de polarizacién di recta, de polarizacién inversa y de suptura. Por lo comin, el diodo funciona en la region de. polarizacién directa 0 en la de potarizacién inversa 2.7 W Las constantes del diodo Is n pueden determinarse con datos ~i medidos experimental Is en Determinacién mente o con la caracteristca »-, Hay varios pasos que deben seguirse. Si se toma el loga- Fee eeenateg ano catural (basen ambos membres d= a enaién 2, scene del diodo Tecae We lo cual, después de las simplificaciones, da el voltae del diodo vp a ‘pb Yo = avy in (2) as) s Si el logaritmo natural de base e se convierte al logaritmo de base 10, la ecuaciGn (2.5) se transforma en = 23nV5 log (2) 26) is Jo cual indica que el voltaje en el diodo vp es una funcién no lineal de la corriente det dio- do ip, Si fpy €5 la cortiente en el diodo correspondiente al voltaje en el diodo Vp 18 ecua- cidn (2.5) da vay = an! en38 FIGURA 2.11 Grifica de la caracterfstica i del diodo trazada en una ‘scala semilogaritmica Cariruto 2» Diovos Asimismo, si Vpges el voltaje en el diodo correspondiente a la corriente en el diodo Ip2, s¢ obtiene h Von = V4 In (2) 2.8) s Por consiguiente, la diferencia de los voltajes del diodo se puede expresar por medio de I Vpn ~ Yor = 0Ve ln (2) - 29) Is que puede convertirse en el logaritmo de base 10 como I Yoo ~ Yor = 239V5 Hos (2) (2.10) fon Esto demuestra que para un cambio de una década (es decir, un factor de 10) de la corrien- teen el diodo [py = 10/py, el voltaje del diodo cambia 2.3nVz, Por tanto, la ecuacién (2.6) ise como yp = 23nV log ip — 2.3nVy log fy ean la grifica de esta ecuacién se raza en una escala semilogarftmica con vp en el eje vert- cal lineal e ip en eleje logaritmico horizontal, 1a caracteristica serd una Ifnea recta con pen- diente +2.3nV- por década de corriente, y su ecvacidn tend la forma de una ecuacién de linea recta estandar; esto es, ysmr-e donde ¢ = 23nV log Is ‘m= 2.3nVz por década de corriente La gréfica de la ecuaci6n (2.11) esté representada en la figura 2.11 23nV log (ls) Jofen mA) Por consiguiente, con base en Tos resultados experimentales de un diodo desconocido, la prifica de a caracterfstica v-i puede trazarse en una escala semilogaritmica, Los valores de Is y n pueden calcularse como sigue: Paso 1. Trace la grifica vp en funcidn de ip en una escala semilogaritmica, como se mues- tra en la figura 2.11. Paso 2. Halle la pendiente m por década del cambio de cortiente Paso 3. Determine el coeficiente de emisidn n con el valor conocido de m: esto es, 23V, 2.3 % 0.0258 Paso 4. Determine el punto de interseccién ¢ en el eje vp,SECCION 2.8» — EFECTOS DE LA TEMPERATURA 39 Paso 5. Calcule el valor de fs con 2.3nVy log Is = ¢ Una vee que se determinan fos valores de Is y n, el voltaje de diodo vp puede expresarse explicitamente como una funcién de la corriente del diodo ip como en la ecuacién (2.5). EJEMPLO 2.4 SOLUCION Determinacién de las constantes del diodo Los valores medidos de un diodo, a una temperatura de unién de 25 °C, estén dados por (OSV a ly=SHa von ey tata Determinar (a) el coeficiente de emision my (b) le corrente de fuga Ts Voy = 05 V com fp: = 5 WA y Voy = 0.6 V con Ipg = 100 WA. A 25 °C, Vp = 25.8 mv. (a) Con la ecuacidn (2.9), ) © 06-05 = myn (SOR) Ay SHA la cual da nVq. = 0.03338 y m = 0.03338/Vq = 0.03338/(25.8 x 107?) = 1.294; (6) Con la ecuacién (2.5), ) 0.03338 In ta cual da fy = 1.56193 x 107A, 'ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECt N27 ‘Las constantes del diodo J; y n pueden determinarse trazando la gréfica de la caracteristiea ‘4 de un diodo en una escala semilogaritmica. 2.8 Efectos de la temperatura Lacorriente de fuga /g depende de la temperatura de unién 7, (en grados celsius), y se in- ‘crementa a razén de aproximadamente +7.2%/°C en cl caso de diodos de siticio 0 germa- rio. Por tanto, si se suman los incrementos por cada grado de aumento de la temperatura de unién hasta 10 °C, se obtiene I(T, = 10) = Igll + 0.072 + 0.072 + 0.072%) + (0.072? + 0.072%) + (0.072 + 0.0724) + (0.0724 + 0.0725) + (0.0725 + 0.072% + (0.0726 + 0.0727) + (0.0727 + 0.0728) + (0.072 + 0.072°) + 0.072 + 0.072!) ~ 2s esto €5, Is casi se duplica por cada 10 °C de aumento de temperatura, y se puede relacionar ‘con cualquier cambio de temperatura por medio de Ig) = LT )A0 19 = (TT) 2.12) donde [,(T,) es la cortiente de fuga a la temperatura T,, La sustitucion de Vz = KT,/q en fa ecuaci6n (2.5) da la dependencia en la temperatura del voltaje del diodo en condiciones de polarizacién directa, esto es, neR aay (2) (2.13) ty q dsa ap Ee EE eee ee eee 40 CapfruLo2 » —DIoDos la cual, después de derivar yp con sespecto aT, da cay tt ,(2)- “ES pe aa (\Ms als aT, 273+T, Is dT {que disminuye con la temperatura 7, con vp constante. Con una corriente de diodo dada ip, €l voltaje del diodo vp disminuye con la temperatura, La dependencia con respecto a la ter- peratura de la caracteristica del diodo en condiciones de polarizacién directa se muestra en ¥ Vy dl B ats (2.14) la figura 2.12. FIGURA 2.12 Dependeneia eon respecto h ‘ala temperatura de la a corriente del diodo Ip fa TT Voy < Yon < You 0 Vips Frma\Vioi\ Vox Yor Vou El umbral de voltaje Vp también depende de la temperatura 7, Conforme aumenta la temperatura, Vp disminuye, y viceversa. Vp. el cual guarda una relacién aproximada- ‘mente lineal con la temperatura 7, esté dado por Vro(T}) = Vro(Ts) + KyelT ~ 7.) (2.8) donde 7, = temperatura de unién de 25 °C TT, = nueva temperatura de unién, en °C Vyp(T,) = umbral de voltaje a la temperatura de unién T,, el cual es de 0.7 V para un diodo de silicio, de 0.3 V para un diodo de germanio y de ‘0.3 V para un diodo Schottky (analizado en la seccién 2.9) Vro(T;) = umbeal de voltae a la nueva temperatura de unién 7, Kc = coeficiente de temperatura, en V/°C, el cual es -2.5 mV /°C para tun diodo de germanio, ~2 mV /°C para un diodo de silicio y -1.5 mV/°C para un diodo Schottky EJEMPLO 2.5 Jp Determinacién de ta dependencia con respecto a ta temperatura del umbral de voltaje El ‘umbral de volije Vep de un diodo de sliio es de 0:7 V, a 25 °C, Determine entonces el umbral de voltae Vzp 2 (a) 7, = 100 °C y (b) T, = ~ 100°C. SOLUCION | AT. = 25°C, Vrp(T,) = 0:7 V.EI coctciente de temperatura det silico es Kye (a) AT, = 100°C, con a ecuaci6n (2.15), 2mV/°C. VapT) = Vao(To) + KrolT ~ Te) 50.7 ~ 2% 10-? x (100 ~ 25) = 0.55V {b) AT, = —100°C, con la ecuacién (2.15), Vyo(T) = Yep\Ta) * KredT, ~ To) 7 = 2x 1073 x (100 ~ 25) = 095 V Por tanto, un cambio de temperatura puede provocar un cambio significativo en el valor de VpEEE EEE eee eee eee SECCION 2.9 > — ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS REALES 4a EJEMPLO 2.6 Dp Determinaciin de ta dependencia con respecto ala temperatura de la corriente del diodo Ls ‘corriente de fuga de un diodo de silicio es Ig = 107 A, a 25 °C, y el coeficiente de emision es n= 2-La temperatura de unin de operaciGn es T, = 60 °C. Determine entonces (a) la corrente de fuga Is y (b) la comiente de diodo jp con vp = 0.8 V. SOLUCION Ig = 10° AaT, = 25°C, T, = 60°Cy vp = 08 V. (@)De acuerdo con la ecuacién (2.12), el valor de Iga T, = 60°C es Ig, = 60) = Bg T2987) m= 1079 x 2018-29. = 1131. 1O-PA (D)A Ty = 273 + 60 = 333 °K, ln ecuacién (2.2) da 1.3806 x 10°73 x (273 + 60) Vp = SEK — 1:3806 10 OO 5) 258.69 mi ie 1.6022 x 10°™ ae Con ta ecuacién (2.3) se determina la coriente de diodo ip: fp fet! = 131 x 1079 x e280 = 1284 mA "ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.8, ~ La coriente de fuga /g aumenta a raz6n de aproximadamente +7.2%/°C en los diodos de silicio 0 germanio. + Tanto el voltae del diodo vp como el umbral de voltaje Vzp disminayen con la temperatura 29 El diodo se utiliza como parte de un circuito electrénico, y la corriente del diodo ip se vuel- Antlisis vve dependiente de otros elementos del circuito. En la figura 2.13 se muestra un circuito sim- de circuitos con diodos reales FIGURA 2.13 Circuito simple con diodo ple de diodo, Con la ley del voltae de Kirchhoff (LVK), la fuente de voltaje de Vs ip pue- de expresarse como Vs= vp + Ruip Ja cual origina la corriente del diodo ip, como 2.16) Como el diodo se va a polarizar directamente, la corriente del diodo ip se relaciona con el voltaje del diodo vp, de acuerdo con la ecuacién de Shockley, pn igerol™ = 1) 2.47) la cual demuestra que ip depende de vp, que a su vez depende de ip, Por tanto, las ecuacio- nes (2.16) y (2.17) pueden resolverse para vp ¢ /p mediante cualesquiera de los siguientes métodos: método grafico, método de aproximaciGn 0 método iterativo.Eee eee eee 42 CaptruLo2 >» —Diovos Método gréfico Suponga que vp es positivo. La ecuacién (2.17) representa entonces la caracteristca del diodo en la direccién de polarizacin directa. La ecuaci6n (2.16) corresponde a una linea recta con pendiente -I/R,_y representa la caracterfstica de carga, conocida como recta de ‘carga. Si las ecuaciones (2.16) y (2.17) se trazan en una sola grifica, como se muestra en Ia figura 2.14, la caracterfstica del diodo corta la linea de carga en el punto Q, el cual es el punto de operacidn de! diodo. Las coordenadas de este punto Q dan el voltaje de polariza- ibn del diodo Vog (0 simplemente Vp) y la corriente de polarizacién del diodo Ipq (0 sim- plemente Ip). Este enfoque grafico no es un método de andlisis conveniente y, por tanto, tara vez se utiliza en el andlisis de circuitos con diodos. Sin embargo, ayuda a comprender el concepto de punto Q y el mecanismo de andlisis de circuitos con diodos. FIGURA 2.14 Método grafico de andlisis Caracertica de un odo en la diseccida & de polarizaion desta og = bo vm A ve % Yoo = Yo Método Para resolver las ecuaciones (2.16) y (2.17) mediante el método de aproximacién, suponga de aproximacién {que el diodo tiene una caida de voltaje constante igual al umbral de voltaje Vp, es deci, ¥p = Vr con lo que la caracteristica de diodo se muestra de manera aproximada como tuna linea vertical en la figura 2.15. El umbral de voltaje Vzp de los diodos de sefial peque- wigurazas ja queda dentro del intervalo de 0.5 V a 1.0 V. La caida de voltaje en diodos de silicio es ‘Coucerisicn _aroximadamente ¥p = Vz) = 0.7 V, mientras que en diodos de germanio ¢s ¥p = Vp = aproximada de undiodo 03 V. Con el valor aproximado de vp se determina a corriente del diodo ip por medio de la ecuacidn (2.16), como sigue: Vs — vp _ Vg ~ 0.7003 para germanio a Re (2.48) ip= TeV % —_Como ejemplo, sean Vs = 10 V, yp = Vap = 0.7 Vy Ry = 1 KO. Lucgo, In corriente de operacién fp llega a set fy = ip = (10 -0.7)/(1 kM) = 9.3 mA. Este método ofrece una soluci6n aproximada y no toma en cuenta la caracterfstica no lineal descrita por la ecuacién (2.17). Sin embargo, esta aproximacién es adecuada en mu- 1 cchas aplicaciones, y es «til como punto de partida en el diseiio de un circuito. Método iterativo El método iterativo utiliza una solucién iterativa para determinar los valores de ip ¥ Yps partir de la recta de carga de la ecuacién (2.16) y la caracteristica no lineal del diodo de la ecuacién (2.17). En primer lugar, se supone un valor pequefio de vp y se utiliza la ecuaciGn (2.16) para hallar un valor aproximado de ip, el cual se utiliza después para calcular una mejor aproximacién del voltaje del diodo vp con la ecuacién (2.17). Esto completa una ite- racién; las iteraciones continuan hasta que se obtiene la precisién deseada. Los pasos que se sigue son: Paso 1. Comenzar con un punto arbitrario a, como se muestra en la figura 2.16, y suponer tun valor fijo de vp (por ejemplo, 0.7 V) a un valor especifico de fp, Paso 2. Localizar el punto b calculando el valor de ip a partir de la caracteristica de carga descrita por Ia ecuacién (2.16). Paso 3. Identificar el punto ¢ calculando un valor modificado de vp a partir de 1a caracte~ ristica de diodo descrita por las ecuaciones (2.17) 0 (2.9). Esto completa una iteraci6n. Paso 4. Localizar el punto d calculando el valor de ip a partir de la caracterfstica de diodo descrita por la ecuacién (2.16).FIGURA 2.16 ‘Trayectorias para el método iterativo SECCION 2.9.» ANALISIS DE CIRCUTTOS CON PIODOS REALES 43 Paso 5. Identificar el punto ¢ calculando un valor modificado de vp a partir de la caracte- istica de diodo descrita por la ecuacidn (2.17). Esto completa dos iteraciones. Paso 6. Localizar el punto f caleulando el valor de ip a partir de la caracteristca de diodo descrita por la ccuacién (2.16) Paso 7. Identificar el punto g calculando un valor modificado de vp a partir de la caracte- ristica de diodo descrita por las ecuaciones (2.17) 0 (2.9). Esto completa tres iteraciones. Este proceso continda hasta que los valores de ip y vp convergen hacia el interior del inter- valo de precisién deseado. Caracteratica de un 7 iodo en la direecion & de polarizacion direct. Punto Q tof Recta de carga EYEMPLO 2.7 SOLUCION Determinacién del punto Q de un circuito con diodes En el circuito con diodos mostrado en la figura 2.13, R, = 1 kSLy Vs = 10 V. El coeficionte de emisién es n = 1.84 y la corriente de fuga es Ig = 2682 x 10° A, Emplee el método iterativo para caleular el punto Q (0 punto de operacicn), ccuyas coordenadas son Vp ¢ I. Suponga una caida de voltae del diodo aproximada de vp = 0.61 V con ip = 1 mA, y una temperatura de unién de 25 °C. Ulice slo tres iteraciones. Ry = 1 KO, n= 1.84, Vy = 25.8 mV y yp = 061 V con iy = 1 mA, Iteracin 1: Suponga vp = 0.61 V e ip = I mA. De la ecuaci6n (2.16), Vs ~ vp)/R, = (10 ~ 0.61)/(1 KO) = 9.39. mA ‘nme Segiin la ecuaci6n (2.9), el nuevo valor de vp es Yoimaewy = ¥p + Vr It Gopaeoy/i0) 0.64 + 1.84 X 0.0258 In (9.39/1) = 0.7163 V Iteracién 2: Suponga los valores de vp ¢ p de la iteraci6n anterior. Esto €5, 4p = Ypjquem) = 0.7163 V © i ™ fgquevs) = 9.39 mA. De la ecuscién (2.16), Foxauevoy = (V5 — ¥p)/R, = (10 ~ 0.7163)/(1 kM) = 9.284 mA Seguin la ecuaci6n (2.9), el nuevo valor de vp es ¥ + AV 5 Cipro) 0.7163 + 1.84 x 0.0258 In (9.284/9.39) = 0.7158 V eraciém 3: Suponge los valores de vp ¢ ip de Ia iteraci6n anterior, eSt0€5, yp = Yoyeaney = 0.7158 V © in = fnguees) = 9.284 mA. De Ia ecuacisn (2.16), ‘ngaveny = (Vg ~ ¥p)/Ry, = (10 ~ 0.7158)/(1 kM) ~ 9.284 mA ‘Segén la ccuacién (2.9), el nuevo valor de ¥p ¢s Yoyeeeo) Yom) = > + AV IO Cipjauney/i0) = 0.7158 + 1,84 x 0.0258 In 9.284 /9.284) = 0.7158 V Por consiguiente, después de tes iteraciones, Vi = Yoyaueuoy = 0:7158 V € Ip = inyere) = 9.284 mA, ‘Obsérvese que los resultados dela iteracién 3 no difleren en forma significativa de los deta iteracion 2. De hecho, ya no era necesaria Ia iteracidn 3epee AEE EEE eee eee ey 44 Carfruto2 + DIODOS > NOTA: Seuilizaron espuestas de cuatro digits pra contol into Ios erores de calle com NOTA de ueraciones necesria pa legar ata solve, En realidad, los resstores ene tle rancias y tal vez no se requiers tal precsiGn. ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.9 El andlisis de un circuito con diodos implica la solucién de la ecuacién no lineal de! diodo, + El método grafico rara vez se utiliza, 1 Et método aproximado da resultados aceptables en la mayor parte de las aplicaciones 1 Er método iterative da resultados precisos; sin embargo, tiende a ser largo y laborioso en él ‘caso de circuitos complejos. 2.10 En la prictica, en un circuito se utiliza mds de un diodo. Por consiguiente, Jos circuitos con Modelado | ciodos se vuelven complejos y su andlisis mediants los métodos grafico 0 iterativo es muy diodos real Tango y laboriso, Para simplificar el andlisis y el disco de circuits con diodos, el diodo con diodos reales puede representarse mediante uno de los siguientes modelos: ‘modelo de cd con caida de Moltaje constante, modelo de cd lineal por secciones, modelo de ca de baja frecuencia, mo delo de ca de alta frecuencia o modelo SPICE. Modelo de cd EI modelo de cd con caida de voltaje constante presupone que el diodo en conduccién tie- con caida de voltaje ne una cafda de voltaje vp que permanece casi constante y es independiente de la corriente ‘Tol diodo, Por consiguiente, Ia caracteristica del diodo se transforma en una recta vertical constante Gue pasa por cl umbral de volla¢; esto 5, %p = Vzp- El punto @ se calcula agregando 1s essa de carga a la caracterstica aproximada del diode, como se muestra en la Figura 2.11 (a). El voltaje del diodo vp se expresa como sigue: ae {yo para vp = Vay >= {0° parayy < Veo En ta figura 2.17(b) se muestra el modelo del circuito. El valor tipico de Vp es 07 N pare srs de silicioy 0.3 V para diodos de germanio, Con este modelo, la corrente del diode ig se obtiene con la ecuacién V5— V5 ‘1 ~ re 2.19) i 249) FIGURA 2.17 Modelo de ed con caida, carsceristicn de voltae constante soroxmada i Punto Q Vo= Yo ye (2) Punto Q () Modelo Modelo de cd lineal La caida de voltaje a través de un diodo real se incrementa con su corrinte, La caracteris- por secciones sel aiodo puede representrse en forma aproximada por medio de una eafda de volts je fin Vzp yuna linea recta, como se muestra en la figura 2182). La linea recta a oma enFIGURA 2.18 Modelo de ed lineal por seeciones SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 45 ‘cuenta la dependencia con respecto a ta corriente de la caida de voltaje, y representa una resistencia fija Rp, la cual permanece constante. La linea a puede pasar a lo més por dos puntos; en general se dibuja tangente a la caracteristica de diodo en el punto Q estimado. Este modelo representa la caracteristica del diodo aproximadamente por medio de dos sec- ciones: una fija y una dependiente de la corriente. En la figura 2.18(b) se muestra una re- presentacién lineal por secciones del diodo. Los pasos para determinar los parémetros del modelo son los siguientes: Paso 1, Dibujar una recta tangente a la seccién dependiente de la corriente de la caracterts- tica del diodo en condiciones de polarizacién directa en el punto Q estimado. En general, cs aceptable Ia linea que mejor se ajuste a ta parte dependiente de la corriente. Paso 2. Usar el punto de interseccién en el eje vp como Ia cafda fija Vrp. Paso 3. Elegir una corriente adecuada ix en el eje ip de la recta tangent a, y leer el volta- je correspondiente vx en el eje vp. Es comin seleccionar ix como la corriente méxima del iodo; esto es, ix = foymesy = ¥s/R.- Paso 4. Calcular la resistencia Rp, la cual es el inverso de la pendiente de la inea tangente, sy M4 ona =-xX—P (2.20) Aly lem el punto @ estimado ee fcstuapaine i 7 extn = 2 ‘ aoe ie Re DEA { 2 ee Ss z +l Ym fon : Riga We R otra neater Panto g ) Modelo Este modelo determina el valor de R, en el punto Q, y no toma en cuenta la forma real de la caracterfstica del diodo en otros puntos. Por consiguiente, si el punto @ cambia como consecuencia de las variaciones de la resistencia de carga R, 0 del voltaje de la fuente de cd Vs, el valor de Rp también to hard, Sin embargo, el modelo por secciones es bastante sa- tisfactorio en la mayor parte de las aplicaciones, Con este modclo, y aplicando la LKY, se cobtiene que la corriente del diodo ip, de la figura 2.18(b), esté dada por Vp + Rpip + Ruin 20 Ia cual da la corriente de diodo ify como (2.22) EJEMPLO 2.8 Determinacién del punto Q de un circuito con diodos mediante diferentes métodos El circuito ‘con diodo mostrado en la figura 2.1%(a) tiene Vs = 10 V y Ry = 1 kA. La caracteristica de! diodo se muestra en la figura 2,19(b). Determine el voltaje del diodo vp, la cortiente del diodo ip y el voliaje de carga vo, por medio de (a) modelo de cd lineal por secciones y (b) modelo de ed con caida de vol- {aje constantSOLUCION Modelo de ca de baja frecuencia CaPiruLo 2» Dives EIGURA 2.19 Circuito con diodo del ejemplo 2.8 ig(en mA) ‘oh 8 6 % Caracteristica | tangeote ca : ‘el died, A Tend puno 1a 2 tei i ie a p02 08 06 G8 Vio (2 Circuito (0) Caracteristica 0 mA. V5 (a) Si se siguen tos pasos del método aproximado descrito en la seccidn 2.9, la recta tangente da 0 y Ry = 1 KA Por tanto, ipgmsy = Vo/Ry, = 10/1 KO Vap = 0.6V y by = 08 V con ix lpm) = 10 MA. De aeverdo con la ecuaci6n (2.20), a resis- tencia Rp dela seocidn dependiente dela corrente es Ry = (ox — Vapilix = (08 ~ 0.6)/(10 mA) = 20.0 Segin la figura 2.18(b. la corsiene de dio es p= Ve ~ Wyp)/ARy + Rp) = (10 ~ 0.69/41 KO + 20) = 9.22 ma De la figura 2.18(b, el vollaje de diodo es vp = Vip * Roy = 0.6 + 20 x 9.22% 107 Asi, el voltae de carga es s~ Yo 0 ~ 0.784 = 9.216 (b) Al utilizar la ecuacién (2.19) para el modelo de ed con caida constante de Ia figura 2.17(6), s€ obtiene la corriente del diodo Ig = (Vg ~ Vpp)/Ry, = (10 ~ 0.61/(1 KO) = 94 mA El volije de carga es to" Vg ~ Vp = 10-06 = 9.4 con un error de (9.4 ~ 9.216)/9.4 = 1.96%, comparado con el modelo lineal por secciones. NOTA: Si el voliaje de alimentacion Vs es mucho mayor que la caida de voltaje del diodo vp, el ‘modelo de cd con caida constante da resultados aceplables, Si el voltaje de diodo vp es comparable ‘con el voltaje de alimentacién Vs, el modelo de ed lineal por seeciones, que da mejores resultados, es aceplable en la mayor parte de las aplicaciones. En circuitos electrénicos, una fuente de ed es la que por fo comin estableve el punto de ‘operacién de ed de los dispositivos electrénicos, incluidos los diodos, y por lo general des- pués se superpone una sefal de ca sobre el punto de operacién. Ast, el punto de operacién, formado por una componente de od y una sefial de ca, cambia con la magnitud de la seal de ca. Como la caracterfstica ip en funcién de vp de un diodo es no lineal, ta corriente det diodo iy también cambia de manera no lineal con el voltaje de la sefial de ca. Generalmen- te, la magnitud de la sefial de ca es pequefia, asf que el punto de operacién cambia s6lo en tuna pequeiia cantidad, Por tanto, la pendiente de la caracteristica (Aip en funcién de Byp) ‘se puede aproximar linealmente, Bajo esta condicién, ¢1 diodo puede representarse como tuna resistencia para determinar la respuesta del circuto a esta sefal pequefia de ca. Esto es, la caracteristica no lineal del diodo puede linealizarse en el punto de operacién. El modelo : de sefial pequetia se utiliza mucho en el andlisis y el disefio de circuitos electr6nicos para ‘obtener su comportamiento con sefial pequefia.ee ee OOO OCC ee ed SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES a7 En la figura 2.20(a) se muestra un circuito con diodo con una fuente de ed Vp, fa cual cestablece el punto de operacién en Q, definido por las coordenadas Vp € Ip. Si a Vo Se Su~ perpone un voltaje senoidal v, de amplitud pequefia, el punto de operacién cambiaré de ‘acuerdo con las variaciones en el tiempo de la sefal de ca v4, Por consiguiente, si el volta- je del diodo varia entre Vip + Vx ¥ Vp ~ Vw la corriente del diodo correspondiente to ha- rd entre Ip + Aip/2 € Ip ~ ip/2. Esto se ilustra en la figura 2.20(b), donde se supone que el cambio en la corriente de ca del diodo ig ¢s aproximadamente senoidal, como respuesta ‘aun Voltaje senoidal vy, Sin embargo, la caracteristica del diodo es no lineal, y ta corriente del diodo se distorsionaré un poco. FIGURA 2.20 Modelo de ca de baja frecuencia i Sra = vq 800 0 (@) Circuito 1 xo a Sra Ro (@) Salida producida porta ca "superpussta a voltaje deed {@) Modelo de ca Bajo condiciones de sefal pequea, la caracterfstica del diodo alrededor del punto @ puede aproximarse por medio de una linea recta, y puede modelarse mediante una resister ccia llamada resistencia dindmica o resistencia de ca ra, la cual esté definida por 1 f._ Mp 14,82 (2.23) 4 vp] enet pune o donde gs la transconductancia de seal pequefie del diodo y depende de la pendiente de Ia caracteristica del diodo en el punto de operaciGn. Como r4 se obtiene a parti de la pen- diente de la caracteristica del digdo en el punto Q, su valor debe ser igual al de Ry de la fi- ‘gura 2.18(b) Determinacién de rg mediante diferenciacién Si se conoce e} punto de operacién (Vp, Ip) ~ ‘para una caracterfstica del diodo y una recta de carga dadas, el valor de r (= Rp) se obtie- ne directamente considerando un cambio en el voltaje del diodo alrededor del punto de ope- racién, Si Avp y Aip son pequetios y tienden a cero, la ecuacién (2.23) se transforma en 1 Ho | " (2.24) 4¥%y | en et punto 0 Si vp > 0.1 V, que es el caso general cuando c! diodo opera en la direccién de polarizaci6n directa, entonces la corriente del diodo ip esté relacionada con el voltaje del diodo vp me- diante [ip = felerO( Yt — 1) = geo 225) i —_——.enn Ee EEE Eee ee eee CM 35 peer tps Ise sD 48 ApiTuLo2 » ropes A v tp ¢Tp 2 Ts EY) Sustituyendo jp de la ecuacién (2.25) en la ecuacién (2.24) y derivando ip con respecto a vp, se obtiene L_ dip 1 p/n, ints Sancta Eye eya (2.26) ra dep ‘en el punto Q wy Vy sal Ia cual da la resistencia de ca (ry = Rp) en el punto de operacién (Vp, Ip). Esto es, Lavy nv rg = Ry eert sto que Ip = fy \ (2.27) Sage erge ia eee oe EE ane 0.0258 ~ SESE a 25C y conn (2.28) iD [Notese que, segin la ecuacién (2.27), la determinacién de la resistencia de ca requiere la El umbral de votaje del diodo es Vap = Vp ~ Roly = 1.193 - 39x 55.2 mv =098V (©) Segimn la ecuacin (2.27), la resistencia de ca de sefal peque'ia es 147 Vg [Ip = 1% 288 MV/(SS2X 10-9) = 05.0. > NOTA: La diferencia entre rg y Rp se debe al hecho de que el diodo cumple la ecuacién de Shockley, micntras que los valores incinidos en la tabla de datos se citan sin hacer caso de cual- ‘quier otta relacién EJEMPLO 2.10 y SOLUCION ‘Analisis de sefial pequefia de un circuito con diode En el circuito con diodo mostrado en la igu- ra 2.22, Vj = 10, Vq = SO mV y R, = 1 KO Emplee el punto Q determinado en el ejemplo 27 ‘para calcular ef voltae instanténeo de! diodo vp, Supéngase un coeficiente de emisién de m = 1.84. FIGURA 2.22 Circuito con diodo del ejemplo 2.10 Vz = 25.8 mV, n= 1.84, Vo = 10 y R= KO, Las iteraciones del andlisis det punto Q del ejem- plo 2.7 dieron Vi = 0.7158 V e /p = 9.284 mA. Con la ecuaci6n (2.27) se obtiene la resistencia de Vig/ Ip = 1.84 X 25.8 x 1073 /(9.284 x 1079) = 5.11.0 Em la figura 2.23 se muestra el circuito equivalente de ca. De acuerdo com la cegla del divisor de vol- taje, el volige de ca vg del diodo es ¥;, sen a (235) sal = SH 50x 107 sen wt = 3 sen ot sein 9% 0 0.2542 x 107 FIGURA 2.23 Circuito equivalente de ca del diodo .Modelo de ca de alta frecuencia FIGURA 2.24 Relacién carga-voltaje de la regién de agotamiento SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 51 Por consiguiente, el vollaje instanténeo del diodo vp ¢s la suma de Vp y vy. Esto es, Vp tg 7158 + 0.2542 X 1079 sen wt V Hasta aqut se ha considerado el comportamiento estético de un diodo, Un diodo real, sin ‘embargo, exhibe algunos efectos capacitivos que no es necesario incorporar en cualquier modelo de alta frecuencia para obtener la respuesta en el tiempo de un circuito con diodos, Se ha visto que existe una capa de agotamiento en la unidn pn de los diodos polarizada in- vversamente, esto es, existe una region con escasez de portadores, que separa dos regiones de relativamente buena conductividad, Por tanto, en esencia se tiene una capacitor de pla- ‘cas paralelas, con cl silicio como dieléctrico. Ademés, existe una inyeccién de una gran cantidad de portadores minoritarios bajo condiciones de polarizacién directa, por lo que se ddan dos tipos de capacitancias: de agotamiento y de difusion. Capacitancia de agotamiento Una capa cargada positivamente se separa de una capa cargada negativamente mediante una distancia muy pequefa, pero finita. Conforme cambia cl voltaje a través de 1a uni6n pn, también cambia la carga almacenada en la capa de ago- tamiento, Esto se muestra en la figura 2.24 para una relacién q-v no lineal. La capacitancia de agotamiento relaciona el cambio que experimenta la carga (Aq,) en la regiGn con esca- sez de portadores con el cambio del voltaje de polarizacién Avp, y esté dada por dq, -4¥1 | enc punto etimado Q vp = Vo Ja. cual puede expresarse como Go ; (2.36) a= ¥p/¥" donde im esel coeficiente de gradiente de unién, cuyo valor se encuentra dentro del interva- lo de 0.332055. Vp es el voltaje de polarizacién nado a cétodo, que serd positivo en la direecion de polarizacién directa, y negativo en ta direccién inversa ¥, es la barrera de potencial con voltaje exter cero aplicado al diodo, y se conoce como potencial interno, que esté en funcién del tipo de material semiconductor, el grado de impurificacién y la temperatura de unién. Para un diodo de silicio, V; = 0.5,V a0. V, y para un diodo de germanio, V; ~ 0.2 Va 0.6 V. jes la capacitancia de agotamiento cuando et voltae externo a través del diodo es cero. La capacitancia de agotamiento también se conoce como capacitancia de transici6n. El valor de C, ¢s directamente proporcional a la seccién transversal de la unin del diodo, y se encuentra dentro del intervalo 0.1 a 100 pF. Obsérvese que, segtin la ecuacién (2.36), ‘Carga dela capa desgotamien’. 4, gendieste = C, a82 FIGURA 2.25 Concentraciones en exceso de portadores minoritarios cerca del borde de la capa de agotamiento CarfruLo2 > —Diopos 1a capacitancia de agotamiento C; puede variar cambiando el voltaje inverso ~vo 4 través del diodo. La capacidad de cambiar una capacitancia variando un voltae se puede explotar ten algunas aplicaciones. Los diodos disefiados para tales aplicaciones se aman varactores ‘o varicaps, segin se les use. Esta capacitancia de agotamiento puede usarse para sintonizar adios de EM. circuitos de televisiGn, osciladores de microondas y otros circuitos en los que tuna pequefia variacin de la capacitancia tiene un cambio significativo en la frecuencia, En estas aplicaciones, se conecta un diodo con polarizacién inversa en paralelo con el capa- itor externo de un circuito RLC paralelo, de modo que la frecuencia de resonancia esté dada por —— (2.3% fe aac + Gy”? ee donde G, varfa debido al voltaje de polarizacisn inversa (—vp) del diodo. Los valores tfpicos de C, son 10 a 100 pF con voltajes inversos de 3.a 25 V. L es lainductancia del circuito RLC paralelo. es la capacitancia del circuito RLC paralelo. Capacitancia de difusién Cuando la unién tiene polarizacién directa, la region de ago- tamiento se estrecha y la capacitancia de agotamiento se incrementa porque el voltaje de polarizaci6n vp es positivo. Sin embargo, una gran cantidad de portadores minoritarios son inyectados en la unién bajo la condiciGn de polarizaciGn directa, Por ello, habré un exceso de portadores de carga minoritarios cerca de la capa de agotamiento, lo que provocard un efecto de almacenamiento de mucha carga. El exceso de concentracién seré més alto cerca del borde de la capa de agotamiento y disminuiré exponencialmente hacia cero con la dis- tancia a la uniGn. Esto se muestra en la figura 2.25, donde p, es la concentracién de huecos en la regiGn n, y n, la de electrones en la regién p. Si el voltaje aplicado al diodo cambia, las cargas de los portadores minoritarios almacenadas en las regiones py n también cam- bian, y alcanzardn una nueva condicién de estado estable. Por consiguiente, una unién pn polarizada directamente exhibird un efecto capacitivo a consecuencia de Ia escasez de car- zas de portadores minoritarios. Como estas cargas serdn proporcionales a la corriente det diodo fp, la ecuaci6n de Shockley, ecuacién (2.1), se puede aplicar para relacionar la carga qm Con el voltaje de polarizacién directa vp, dada por Gy = 4586"! = 1) (2.38) donde qq 5 la carga constante proporcional ala cortiente de fuga (o de saturacién inversa) Ig. Por consiguiente, la caracteristica q-v de un diodo polatizado directamente es no lineal, y se puede modelar por medio de una capacitancia de sefial pequefia C, conocida como ca- pacitancia de difusion. Asi, den | he Cs en el punto estimado Q Region pNeen eee ee eee eee eee eee ee ee ee EEE Eee eee eee See ee ee SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 53 to que indica que Cy es proporcional al valor de dq, + qo: En la condicién de polarizacién inversa, Cy = 0. En la condicién de polarizacién directa, sin embargo, el valor de Cy es aproximadamente proporcional a la corriente de polarizaci6n de cd fy (en el punto Q). Asi, Cy estd dada por Cam Kalo donde K, es una constante y Cy es directamente proporcional a la seccién transversal de la unién del diodo, que por lo general es del orden de 10 pF a 100 pF. Modelo de polarizacién directa: Un diodo con polarizacién directa exhibe dos c: pacitancias: de difusién Cy y de capa de agotamiento C;, Estas capacitancias afectarsn las aplicaciones de alta frecuencia de los diodos. Para el modelo de alta frecuencia de un dio- do con polarizacién directa, como el que se muestra en la figura 2.26(a), los parémetros del modelo estdn dados por 1Vy an s So- wit eae: Ca= Kalo Por eemplo, Si Gg = 4 BR, V; = 0.75 V, m = 0.333 y Vp = 0.7158 V, entonces C, 11.18 PE, Modelo de polarizacién inversa: La resistencia de ca de seftal pequefta ry en la direccién inversa es muy alta, del orden de varios MQ, por lo que se puede suponer que es muy grande, tendiendo a infinito, La capacitancia de difusién Cy, que depende de la corriente del diodo, es insignificante en la direccién inversa, debido que la corriente in- versa es muy pequefia. Para’el modelo de ca de alta frecuencia de un diodo polarizado inversamente, cuya resistencia en la direccidn inversa ¢$ r. como se muestra en la figura 2.26(b), los parémetros del modelo estén dados por cy=0 ie ce ee 3 a v/Km Por ejemplo, si Cj. = 4 pF, V; = 0.75 V, m = 0.333 y Vp = —20V, entonces C, para V) <0 FIGURA 2.26 A In Modelo deca deala. = + L frecuencia 4 Ba GG fu ow EG a K Te (a) Direes6n directa () Dircciéniversa Modelo del diodo PSpice/SPICE utiliza una fuente de corriente que depende del voltaje, como se muestra en en PSpice/SPICE 1a figura 2.27(a). r,¢s la resistencia en serie, conocida como resistencia volumétrica (0 pa- résita), la cual se debe a la resistencia del semiconductor y depende de la cantidad de impurezas. Es pertinente enfatizar que la figura 2.27(a) es un modelo de diodo no lineal, ‘mientras que el modelo de cd con caida constante, el modelo de cd lineal por secciones y cel modelo de ca de baja frecuencia son lineales.4 FIGURA 2.27 Modelo de PSpice/SPICE del diodo FIGURA 2.28 Representacién TABLE del iodo CariruLo 2» © Diopos + iol 3 2 Ie, gee de - Tatoo Tease (@) Modelo de seal grande —(b) Modelo de seal pequeia En primer luget, PSpice/SPICE determina el punto de polarizacicn de od, y ensegui- da calcula el parmetro del modelo de sefial pequefia mostrado en la figura 2.27(b). C; es ‘una funcién no lineal det voltaje del diodo vp, y su valor es igual a C, = daj/dvp, donde a, es la carga de la capa de agotamiento, PSpice/SPICE genera los pardmetros de sefial pe- quefia a partir del punto de operaciGn, y ajusta los valores de ry y C, para la condicién di- recta 0 inversa. En PSpice/SPICE la caracteristica del diodo se puede describir en un enun- ciado Model o en una representacién tabular. Enunciado Model: El enunciado Model de PSpice /SPICE de un diodo tiene Ia forma general MODEL ONRME D (PIAAL 2A? PRB even donde DNAME es el nombre del modelo, el cual puede comenzar con cualquier carécter, ‘aunque por lo general esté limitado a 8 caracteres. D es el simbolo de tipo para diodos, PI, P2,... y Al, A2,... son las pardmetros del modelo y sus valores, respectivamente. Los pa- metros del modelo se encuentran en el archivo de biblioteca de PSpice/SPICE, o pueden ‘obtenerse a partir de la hoja de datos técnicos [1]. Por ejemplo, una sentencia tipica para tun diodo DiN4148 es la siguiente: poet, OINEL4B © (1542. 682N Nel. 836 RSH. S564 IA*C4.17M HETAD EOAL11 ¥ CQOe4P He. 2099 We, 5 Fon, $ ISReL,S6SN MRE? BYA1OOU TE=11.588) Representacién tabular: La representacin TABLE esta disponible solo en PSpice. Permite describir la caracteristica v-i, y su forma general es Eenane> Nt Re TABLE ( E es el nombre de una fuente de voltaje controlada por voltaje, y N+ y N~ son Jos nodos positivo y negativo de la fuente de voltae, respectivamente. La palabra reserva- da TABLE indica que la relaci6n est4 descrita por una tabla de datos. La tabla se compone de pares de valores: <(entrada) valor> y <(salida) valor>. El primer valor de un par es la entrada, y el segundo, la salida correspondiente. La es el valor de entrada; se utiliza para hallar la salida correspondiente a partir de una tabla de busqueda. Si un valor de entrada queda entre dos valores, la salida se obtiene mediante interpolacién lineal. Si la ‘entrada queda fuera del intervalo de la tabla, entonces se supone que la salida permanece constante ¢ igual al valor correspondiente a la entrada més pequefia 0 mas grande. La caracterfstica del diodo se representa por medio de una fuente de voltaje controla- dda por corriente (por ejemplo, HD). Esto es, el diodo es remplazado por una fuente de vol- taje HD en serie con una fuente de voltae fcticia VX de 0 V. VX actiia como amperfmetro ¥y mide la corsiente en el diodo. Esto se muestra en la figura 2.28. HD se relaciona con fp {es decir, I(VX)] mediante una tabla. La representacién con PSpice de ta caracterfstica del diodo del ejemplo 2.9 se da a continuacién: m2 300 ov sige 1a corriente del diode 10 MD 1 2 TABLE {L1¥RI) = (0, 0.5) (108, 0.87) (20m, 0.98) (30n, 1.058) + (400, 1.138) ($0, 1.173) (€0, 1.212) 170, 1.25) (800, 1.5) (3800, 3.0SECCION 2.10» — MODELADO DE DIODOS REALES 58. EJEMPLO 2.11 SOLUCION » Modelo y anlisis con PSpice/SPICE de un diodo Los parsmetros del circuito con diode mostra- do en la figura 2.22 son: Vg = 10, Vq, = 50 mV a1 KElz, R = LkQy Vp = 25.8 mV. Supéngase tun coeficiente de emisién de m = 1.84. (@) Utiizar PSpice/SPICB para generar el punto Q, los pardmetros de seflal pequefia y trazar ia gré- fica del voltae de salida instantineo vo = vp, (b) Comparar los resultados con los del ejemplo 2.10. Asmanse tos parémetros de modelo del dio- do DINAI48: Vs = 10V, Vq = SOmVy Ry = 10. (a) De acuerdo con el ejemplo 2.7, los valores del punto Q son Vp = 0.7158 V e Ip = 9.284 mA. EI Circuito con diodo para fa simulacién con PSpice se muestra en la figura 2.29. El listado del archivo del circuito es el siguiente: Ejenplo 2.11 Un eircuito de diode vs 1 0 SiN (av Sty Liam) vss 3.1 oc tov 23K pi 2 0 pinnae WOOEL DINGLME O(LS=2.6028 CJO-4P Me.3993. We1.036 We.5 av=100 + ravetgo0 Tret1.sem Paranetros de wedelo det diode sANyOR 205 DHS bedlisis transitorio e inpresién del punto de operacién prone + Rosprozesador de griticos END La simmulacién con PSpice da el punto de polarizacién y los parémetos de seflal pequefa six uientes: 1D 9.286-03 Jp =9.28mA vo 7.18e-8 Vp = 718 mV ray. §.538000 r= 553.0 car 2,108-09 C= 21oF En Ia figura 2.30 se muesra la grifica generada por PSpice dela respuesta transitora, la cual da Vp = 718.35 mV y Yypea) = Pag) = 600-52 HV/2 = 300.3 WY. Por tanto, 3003 nV (b) El ejemplo 2.10 da Vp = 0.7158 V, fp = 9.284 mA, rq = 5.11.0, Vagicoy = 254.2 nV, los cuales son muy parecidas @ los resultados obter vg = 3003 X 10° sen wey regen 254.2 x 10° sen wry ‘con PSpice. TCU Aas! FIGURA 2.30 Gréfica de PSpice del ejemplo 2.11 Cireuito con diodo para simulacién con PSpice/SPICECaPiTuLO2 » Diodes ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.10 EI modelo de ed con cafda constante presupone: ida de voltae jaa través del diodo. Da un resultado répido, pero aproximado. Es adecuado para determinar ef comportamiento aproximado de un creuito, sobre todo en la etapa incial de! dseho. + El modelo lineal por secciones divide la caracerstica no lineal en dos partes: un voltaje de ced fio y una caida de voltae, que depende de lacorrente a través de una resistencia ja. La resistencia se obtiene dibujando la recta de mejor ajuste que pase por el punto Q estimado cena eccién que depende dela cortiente. Este modelo es de uso comin en el andisis de ci- cuitos con diodos, y da resultados razonables en la mayor parte de las aplicaciones. + El modelo de ca de baja frecuencia representa el comportamiento de un diodo en respuesta ‘una varaciGn del punto O provocada por una sefial pequeia. Se modela mediante una re- sistencia de seial pequeiadibujada como una tangents en el punto Q y que depende de la comrenteen el diodo, La resistencia puede ser aproximada por la del modelo lineal por see- clones. Por tanto ese modelo puede considerarse como una extensin del modelo linea. + El modelo de ca de alta frecuencia representa la respuesta del diodoa la frecuencia median te Ia incorporacién de dos capacitancias de unin (de difusi6n y de capa de agotamiento) en ‘el modelo de ca de baja frecuencia. La.capacitancia de capa de agotamiento depende del vol- taje del diodo, Pero la capacitanca de difusi es directamente proporcional la coriente del diodo, y esté presente s6lo en la direcci6n directa + PSpice/SPICE genera un modelo complejo pero preciso. Sin embargo, se tienen que definir fos pardmetros del modelo, los que pueden obtenerse dela biblioteca de PSpice/SPICE 0 del fabricante. También se pueden determinar a partir de la caracteristca del diodo 241 Diodos zener Si el voltaje inverso de un diodo excede un voltaje especifico, denominado voltaje de rup- tura, el diodo operaré en la region de ruptura. En esta region, la corriente inversa del dio- do se incrementa con mucha rapidez. El voltaje del diodo permanece casi constante, y es independiente de la corriente del diodo. Sin embargo, el funcionamiento en la region de ruptura no serd desiructivo, siempre que la corriente del diodo se limite a un valor seguro por medio de un circuito externo, de modo que la disipacién de potencia en el diodo se en- cuentre dentro de los limites permisibles especificados por el fabricante y el diodo no se sobrecaliente. Un diodo que esté especialmente disefiado para tener una caracteristica muy marcada cen la regi6n de ruptura es el diodo zener. El simbolo de un diodo zener est representado en la figura 2.31(@), y su caracteristica v-i aparece en la figura 2.31(b). Vzx ¢s el voltaje de FIGURA231 Caracteristica de los diodos zener Cy + D = > » Rp » Re Veo * Var issue eee ceed (© Direccibn directa (@) Direecl6n inversa (b) Caracteristica zenerRegulador zener SECCION 2.11» — DIODOS ZENER 57 rodilla, ¢ /2x €s su corriente correspondiente, El diodo zener se especifica mediante su vol- taje de ruptura, llamado voltaje zener (o voltaje de referencia) Vz, a una corriente de prue- 'ba especificada Iz = Izy. Izimsx) €S 1a corriente méxima que el diodo zener puede soportar sin que se rebasen los limites de disipacién de potencia permisibles. I7qyay es la cortiente minima, ligeramente por debajo de la rodilla de la curva caracteristica, a la cual el diodo exhibe fa ruptura inversa. ‘Las caracterfsticas directa e inversa de un diodo zener se representan por medio de una flecha, La flecha apunta en la direccin positiva de la corriente i. En la direccién directa, el diodo zener se comporta como un diodo normal; su circuito equivalente se muestra en la figura 2.31(c). En la direccion inversa, ofrece una resistencia muy alta y actia como un dio- do normal con polarizacin inversa con yo] < Vz, y como un diodo de baja resistencia con Ivpl > Vo. Por ejemplo, considérese un diodo zener con un voltaje nominal V, = SV + 2V. Con 3 V'< |yp| < 5 V en la dreccién inversa, el diodo exhibir por lo comtn un efecto ze- net. Con 5 V < Vz <7 V, la ruptura se podria deber al efecto zener, al efecto de avalancha a una combinacién de los dos. La caracteristica inversa (zener) de la figura 2.31(b) se puede representar de manera aproximada por medio de un modelo lineal por secciones. con un voltje fio Vzo y un diodo ideal en serie con la resistencia Rz. En la figura 2.31(d) se muestra el circuito equi: valente de la acciGn zener con \vp| > Vz. Rz depende del inverso de a pendiente de la ca- racteristica zener y se define como ay, ay, easel =a 239) i Nave Alo |parupe0 € yd Ry también se llama resistencia zener. El valor de R, permanece casi constante a lo largo de un amplio intervalo de la caracteristica zener. Sin embargo, su valor cambia con mucha rapidez cerca del punto de rodilla. Por tanto, el diodo zener debe operarse lejos de ese punto. El valor tipico de Rz.es de unas cudntas decenas de ohms, pero se inerementa con la corrien- te ip, Enel punto de rodilla de la caracteristica zener, Ry tiene un valor grande, por lo ge- neral de 3 kQ. La corriente zener i(= —i) puede relacionarse con Vzq y Rz por medio de ¥2 = Vag + Rein 2.40) ‘Se puede considerar que un diodo zener ofrece una resistencia variable, cuyo valor cambia con la cortiente, de modo que la caida de voltaje a través de las terminales permanece cons- tante, Por consiguiente, también se le conoce como diodo de referencia de voltaje, El valor de Ry, es muy pequefio. Asi pues, el voltaje zener vz es casi independiente de la corriente inversa del diodo ip = ~iz, Debido a la caracterfstica de voltaje constante en la regién de ruptura, el diodo zener puede emplearse como regulador de voltaje. El regulador mantiene un voltaje de salida casi constante, aun cuando el voltaje de alimentaciGn de cd y la corrien- te de carga pueden variar dentro de un amplio intervalo, En la figura 2.32(a) esté represen tado un regulador de voltaje zener. El regulador de voltaje zener también se conoce como regulador en paralelo, porque el diodo zener se conecta en paralelo con la carga R,. El va- FIGURA 2.32. Regulador zener en paralelo ms fe pee Ke a wz 2 3 % (@ Cireaito () Circuito equivaleteCaPituLo2 » Dios lor de fa resistencia R, debe ser tal que el diodo pueda funcionar en la regién de ruptura, en todo el intervalo de voltajes de entrada vs y de variaciones de la corriente de carga i Si el diodo zener es remplazado por su modelo lineal por secciones con Vzo y Ra, Se obtiene el circuito equivalente mostrado en la figura 2.32(b). Si el vollaje de alimentacién vg varfa, entonces la corriente zener iz variaré por la presencia de Rz, 10 que provoca un ‘cambio del voltaje de salida. Este cambio del voltaje de salida est4 definido por un factor Mamado regulacién de linea, el cual esté relacionado con R, y Re: by R, Regulaci6n de linea = —~2 = — “2 41) Avs Ra +R, Si la corviente de carga i, s¢ incrementa, entonces la corriente zener iz disminuird por la presencia de Rz, lo que provoca una disminucién del voltaje de salida, Esta variacién det voltaje de salida esté definida por un factor llamado regulacién de carga, el cual esta rela- cionado con Ry y Rz: Av Regulacién de carga = = ai, —(Rz 8) (2.42) CCualquier cambio del voltaje zener Vzq hard que se incremente el voltaje de salida. La va- riacién del voltaje de salida estd definida por un factor lamado regulacién zener, el cual es- 1 relacionado con Ry y Rz: Any Regulacién zener = — Wyo Re +R, Por lo tanto, aplicando el teorema de superposicién, puede determinarse el voltaje de sali- da efectivo vo del regulador de la figura 2.32(b) como sigue: (2.43) EJEMPLO 2.12 SOLUCION Disefio de un regulador zener_ Los parimetros del diedo zener del circuito regulador de voltaje de fa figura 2.32(a), son: Vz = 4:7 V con una corriente de prueba Izy = 53 mA, Ry = 8 Dy Rew = 500.0 con Fzx = } mA. El voltaje de alimentaciin es vs = Vj + 12+ 2Vy R, = 2200. (a) Determiner los valores méximo y minimo del voltaje de salida vg, bajo la condicin de no carga R=, (b) Hallar los valores maximo y minimo del volaje de salida, con una resistencia de carga R, = 4700. (©) Caleular el valor nominal del voltae de salida vo, con una resistencia de carga R= 100.0. (@) Determinar el valor minimo de Ry, con et que el diodo zener funciona en la regién de ruptura, Con la ecuacién (2.40), se tiene Yeo fy ~ Roig = 47 ~ 8X S3mA=428V (a) Para Ry = «, la corriente zener es, ig.= Ws — Vap)/ (Ry, +R) = (12 ~ 4.28)/(8 * 220) = 33.86 ma El voltae de salida es Yo = Vp + Ryiz = 428 + 8 X 33.86 mA = 4.55 VSECCION 2.11» DIODOS ZENER 59 (b) Un cambio en el voltaje de alimentacién AVs = cual se obtiene con la ecuacién (2.41): 2 V hard que cambie el voltae de salida, e1 Avocaimentisn) = AvsRe/(Ry, + R,) = (£2V x 8)/(8 + 220) = £70.18 mV El valor nominal de la corriente de carga es é, = Vz/R,, = 4.7/470 = 10 mA. Un cambio de la co- rriente de carga de Ai, = 10 mA también hari que cambie el voltae de salida, el cual puede calcu. larse con la ecuacién (2.42): (RzlIRD = Bi, Por consiguiente, os valores méximo y mfnimo del voltae de salida pueden hallarse por medio de Avo¢ear) (8||220) X 10 mA = =77.19 mV Voumssime) = 4.55 + 70.18 mV = 77.19 mV = 4.54V voininino) = 455 ~ 70.18 mV ~ 77.19 mV = 4.40 (© El valor nominal dela corriente de carga esi, = Vz/R, = 47/100 = 47 mA, lo cual noes po- sible, porque fa corriente maxima que puede circular por R es de slo 33.86 mA. Asi pues, el diodo ener staré apagado, y el volaje de sla ser cl vole através de Ry. Esto es, 100 100-12 = 37 100 + 330 |? aeons (@) Para que el diodo zenec funcione en la regién de ruptura, la corriente méxima que puede circu- lar por R,, esté dada por (suponga que zg = Hz en Vz = Veo) 24s) = (10 ~ 4.28)/220 — 1 mA = 25 mA Por consiguiente, el valor minimo de R,, que garantiza el funcionamiento en la regién de ruptura lo da “20. as) Tn Recon) = 4.28/(25 ma) = 171.20 Disefio de un Si iz es la corriente zener e i, es la corriente de carga, el valor de la resistencia R, se dever- regulador zener mina mediante ati, 2.46) Para garantizar el funcionamiento del diodo zener en la regiGn de ruptura en el peor de los casos, el regulador se debe disefiar para que haga lo siguiente: 1. Garantizar que la corriente zener excederd iziqiq) cuando cl voltaje de alimentacién sea minimo Vejmia) ¥ la corriente de carga Sea méxima i,q.) Para determninar Ry se aplica la ecuacién (2.46) Veuniny ~ Vzo + Rai pr, = “unin — Wao * Releine) ar eatey + Foy 2. Garantizar que la corriente zener no excederd izimsy Cuando el voltaje de alimen- tacién sea maximo Vejnia) ¥ 1a Corriente de carga sea mfnima iy qiqy- COM la ecua- ign (2.46) se determina Ry: Vsimixy — V20 + Retarmsx)) (2.48) Fax) * ‘esaCartruLo2 > — Diovos Si se iguala R, de Ia ecuacién (2.47) con R, de ta ecuacién (2.48), se obtiene ta relacién de la corriente zener méxima en funcién de las vatiaciones de Vs ¢ i,. Por ello, stay ~ Veo ~ Rziz rims izemany * Lemmy) (Vsimaxy ~ V0 ~ Rekzcmaay) zim) + ‘Lemisy) (2.49) ‘Como regla general, la corriente zener minima izjqiq) por lo comin se limita al 10% de la corriente zener méxima iziqay, Pata garantizar el funcionamiento en la regién de ruptura, por lo que Een = 91% izemsxy (2.50) EJEMPLO 2.13 o SOLUCION Diseo de un regulador zener Los parémetros de un diodo zener de 63 V para el circuitoregula- dor de voliaje de la figura 232a), son: Vz = 63 V con Izy = 40 mA y Rz = 2 0. El voltae de alimentacién vs = Vz puede variar ene 12.V y 18 V. La coriente de carga minima es de O mA. La corriente del diodo 2ener minim tia €5 | MA. La disipacion de potencia Pzjqay del diodo zener no debe exceder de 750 mW a 25 °C. Determine (a) el valor méximo permisble de la coniente 2e- net igimtay(b) el valor de Rs que limita la corriente zener igqgq al Valor determinado en el inciso (a). (6) la disipacin de potencia Pp de R, y (d) la corrente de carga maxima iq Vz = 6.3 V con izy = 40 MA, igniny = OMA © izqus) = 1 mA, Con la ecuacién (2.40), e obtiene Vag) = Vz.— Ryig = 63-2 40 mA = 6.22 (@) La disipacién de potencia mixima Priqis de un diodo zener es izimaxV'z = 0.75 W “imax Ye = 0.75/63 = 119 mA Pimtss ° Froese (b) La corriente zener iz Hega a ser maxima cuando el voltaje de alimentacién es méximo y la corriente de carga ¢s minima; esto es, Vsingy) = 18 V € inguin) = 119 mA. De la ecuacién (2.48), Vente) Yao ~ Ralzimss) 18 ~ 622 ~ 2x 119 mA Hermasy * baie) T9mA +0 = 96.9.0 (© Ladisipacion de potencia Pp de R, es i Pp * (izimntsy + SimindYsimix)~ V20 ~ Rz!zoensx) = 119 mA X (18 ~ 622 = 2X 119mA) = 1.373 W La disipacin de potencia de R, para el peor de los casos ocurriré cuando la carga esté en corto- » —Diopos FIGURA 2.33 Regulador de voltaje RIGURA 2.34 Gréficas PSpice del zener para simulacién con PSpice ejemplo 2.14 my Ao % Ry DIN7SO ARVAL) Pardmeteos: RVAL 94 (b) La grifica PSpice del voltaic de salida vo en funcién del voltae de alimentacién se muestra en la figura 2.34. La accién zener comienza con un voltae de salida de Yq = 4.74 V, cercano al valor es- perado de 4.7 V. La caracteristica zener mostrada en la figura 2.31(b) puede aproximarse por medio de la ca- racteristica lineal por secciones de la figura 2.35(a). En la polarizaciGn directa, el diodo zener se comporta como un diodo normal, y se puede representar con un modelo lineal por secciones, con voltaje Vzp y resistencia Rp. En la figura 2.35(b) se ilustra el modelo de un iodo zener en las direcciones directa ¢ inversa, La cortiente a través de un diodo zener se expresa como sigue: 0 para Va < ¥p < Vay para vp = Vap Para Y= —Vzo) Los valores de Rz y Rp son muy pequefios (por lo general, de 20 92) y pueden omitir- seen la mayorfa de los andlisis. La caracterfstica de la figura 2.35(b) puede ser representa- dda mediante la caracteristica zener ideal mostrada en la figura 2.35(c). De esta manera, el ddiodo zener forma un limitador natural. Si el diodo zener es remplazado con su caracte- ristica ideal (esto es, omitiendo Rp y Rz), el circuito de la figura 2.35(b) se puede simplifi- ‘car al circuito de la figura 2.36(a). Para un voltaje de alimentacién positivo vg > Vzp, el voltaje de salida vo se limitard a Vp. Sin embargo, una entrada de alimentaciOn negativa ¥5 5 ~Vap limitard el voltae de salida vo a Vp, En la figura 2.36(b) esté representada la ccaracteristica de transferencia aproximada de un limitador zener; se trata de un limitador asimétrico. Ro Yeo Ovo Yoo. Vp’ je td rsa (©) Modelo (©) CoractereteaSECCION 211» — Dionos ZENER 63 FIGURA 2.36 Limitador asimétrico pendiente = 1 (®) Modelo El limitador simétrico se obtiene mediante la conexién de dos diodos zener en seri ‘modo que uno se oponga al otro, como se ve en la figura 2.37(a). Si se remplaza cada dio- do zener con su modelo, como se muestra en la figura 2.35(b), se crea el circuito equiva- lente de un timitador zener, el cual se ilustra en la figura 2.37(b), Si vs > (Vip + Vzo). los diodos Dy y Dy se comportan como cortocircuitos y pueden ser remplazados por un diodo Ainico equivalente en serie, con un voltaje Vp + Vz y una resistencia Ry + Rz. Asimismo, cuando vs < —(Vzp + Vzp). los diodos D, y Dg pueden ser remplazados por un diodo en serie con un voltaje Vrp + Vao y una resistencia Rp + Rz, Este arreglo se muestra en Ia fi- ura 2.37(c). Si se supone un diado zener ideal, de modo que los valores de Rp y Rz son insignificantes, a figura 2.37(c) se reduce a la figura 2.37(d). La caractistica de transferen- ia (vp en funcién de v) de un limitador zener simétrico se muestra en la figura 2.37(c). FIGURA 2.37 _Limitador zener simétrico 8 aaa : x x 1 a7 (0 Create (9) Ciao equate V0 + Yi ~We0 + Veo) () Cireuito simpiteado (4) Circuito aproximade () Caracteristica de transterenclaCaPituLo 2» —Diovos EJEMPLO 2.15 FF SOLUCION Anilisis de seial pequeiia de un limitador zener y verificacién con PSpice/SPICE Los paréme- ttos de fos diodos zener del limitador zener simeitico de la figura 2.37(8), son: Rp = 50.0, Viz, 0.7.V, Ry = 20 Dy Vz = 4.7 V con Izy = 20 mA. El valor de la resistencia limitadora dela corien- te R,€5 kA. El voltaje de entrada af limitador es ca, en lugar de ed, y est dado por v5 = v4 > 15 sen (20000) (a) Determinar el voltaje de salida instantineo vp (=vp) y la corriente pico del diodo Ipsec: (b) Usar PSpice/SPICE para trazar la grifica del voltaje de salida instantineo vo, Considerar 10s pa metros del modelo PSpice /SPICE del diodo zener DIN750: TS*880.5E-18 =1 CJOALISP We.75 BV=4.7 TBI 0.285 (a) Ry = 50.9, Vip = 0.7 V, Ry = 20.0, Vz = 4.7V,R, = UROL vg = 15 sen (200077). Con la ‘ecuacién (2.40), se obtiene Voy = Vg ~ Rely = 4.7 = 20 20mA = 43V Existen cuatro intervalos posibles, seguin el valor de vs Si 15 sen 2000mt = Voo + Vip = 5, entonces 20001 = sen~{5/15} 34 ad Intervalo 1: Este intervalo es vilide cuando 0 $ v5 Vag + Vp) ip=0 Yo = He = 1S sen(2000z1) para 0< 200m = 0.36 y (mr ~ 034) < 200m » — Dropos Rjemplo 2.16 On coqulador de diode zener WS 10 0 207 ‘ton 25 100 + para dos temperatures de snién fs12K ot 0 2 oiNrs0 O08 DIITSD (159880.56-18 NL W975 + Bved.7 10¥~20, 205K) + parimetros del modelo de dodo zener 2c ¥5 0 20¥ 0.050 4 Rarrido de od para v5 708 # Posprocesador de. gréfic ex FIGURA 2.41 FIGURA 2.42 Regulador de diodo 2ener Grificas de PSpice del ejemplo 2.16 para sirnulacién con PSpice a 10 1 a 2 Dik x pinrsn 2S % 0 En Ia figura 2.42 se representan las grficas producidas por PSpice det voltaje de salida vo en {uncidn del voltae de alimentacién vs, las cuales demuestran que la temperatura de la unién alecta ligeramente el voltae zener. Por ejemplo, cuando vg = $V, vo = 4.3025 V a 25 °C, y 4.2336 V a 100°C. ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2. EE diodo zener se comporta como un diodo normal en la direccisn ditecta. En ta direccign ‘versa, mantiene un voltaje casi consiante bajo varias condiciones de carga si su votaje es mayor que el voltae zener, *+ El diodo zener real tiene una resistencia zener fnia, y el voltaje zener varia ligeramente con Ja corriente zener. + En general, cualquier cambio de la temperatura de la unign hace que cambie el voltae zener. 212 t Diodos emisores de luz Un diodo emisor de luz (0 LED, por sus siglas en inglés) es un tipo especial de diodo se- miconductor que emite luz cuando esté en polarizacién directa. La intensidad de la luz es aproximadamente proporcional a la corriente directa del diodo ip. Los diodos emisores de {uz por lo comtin se utilizan en aplicaciones de bajo costo, como calculadoras, cémaras, aparatos eléctricos y tableros de instrumentos para autor6viles. 2.13 i Diodos de barrera Schottky En los diodos de unién se forma un “contacto shmico” cuando se introducen al material se- miconductor demasiadas impurezas. Debido al comportamiento de contacto Shmico, Ja ‘caida de voltaje en polarizacién directa de un diodo de unién es por lo general de 0.7 V. y la capacitancia de agotamiento C, limita el funcionamiento a alta frecuencia. Si se coloca ‘una capa delgada de aluminio sabre silicio tipo n ligeramente impurificado, se forma una unién rectificadora entre el metal y el semiconductor. Esta unién rectficadora se llama ba-Sp eee ee SSeS eee eee Cee eee ee eee eee SECCION 2.14» —_DISIPACION NOMINAL DE POTENCIA o rrera Schottky y el dioso resultante se denomina diodo de barrera Schottky (SBD, pot sus ‘iglas en inglés). Por consiguiente, el SBD se forma con un metal adecuado y un semicon- ductor tipo n. ‘La estructura bisica de un SBD esté representada en la figura 2.43(a) y su simbolo en la figura 2.43(b). El contacto éhmico se forma con el aluminio y ta regiGn n* que contiene tun exceso de impurezas. La caracteristica v-i es similar a la del diodo de unién pm, y cum- ple la eeuacién de Shockley. Como consecuencia de los altos valores de Us y del coeficiente fe emisidn n, la caracteristica de polarizacién directa se desplaza a la izquierda con respec- toa lade un diodo de unin, Este desplazamiento se muestra en la figura 2.44, La caida de ‘voltaje en condiciones de polarizacién directa de un SBD es mucho més baja que la de un diodo de uni6n pr, pues es de alrededor de 0.3 V en comparacién con 0.7 V para un diodo de unién pn. ee FIGURA2.43, Boreca Contacte Diodo de barrera Schottky Schoty Metal hico Susan 7 a — Sesto p : (a) Rstrvctura sica () Simbolo FIGURA 2.44 En un diodo de unién pa, un gran ntimero de electrones excedentes cruzan la unién ba- Caracterisica de un diodo de jo condiciones de polarizacidn directa, esto es, a través de la unién ocurre una inyeccién de tartera Schottky glectrones a un alto nivel, Por el contrario, en un SBD la inyecci6n de electrones entre el metal y los materiales n* es de un nivel muy bajo. Por lo tanto, el SBD funciona en condi- Cones de inyecci6n de bajo nivel como un dispositive portador de curgas mayoritarias, y se elimina el tiempo de almacenamiento minoritario, La capacitancia de difusién Cy ¢s i8- significante en un SBD. Solo la capacitancia de agotamiento C, aparece en el modelo de al- ta frecuencia, Por consiguiente, el SBD puede funcionar a una frecuencia més alta que un iodo de unin, y es varios érdenes de magnitud més répido en aplicaciones de conmuta- cin o interrupeién. "ASPECTOS PRINCIPALES DE LA SECCION 2.13 ~ En un diodo de barrera Schottky (SBD) se forma una unién tectificadora colocando unt ca- ‘pa delgada de aluminio sobre siticio tipo m igeramente impurificado. «+ La caida de voltae directo de un SBD es mucho més baja que la de un diodo de unién pri es aproximadamente de 0.3 V en comparacién con 0.7 V para un diodo de unién pn «+ Un SBD opera en condiciones de inyecci6n de bajo nivel como un dispositive portador de cargas mayoritaria, y el tiempo de almacenamiento minaritaio se elimina, La eapacitancia de difusién Cy es insignificant. 2.14 En funcionamiento normal, a temperatura de la unién de un diodo se eleva a consecuencia Disipacin | dels disipacién de potencia. Los materiales semiconducoys ene ‘bajos puntos de fusién. La temperatura de unin, especficada por el fabricante, por lo general se limita a un valor nominal de de seguridad del orden de 150 a 200 °C para diodos de silicio, y de 60 a 110 ¢C para dio- potentcia dos de germanio, La disipaci6n de potencia de un diodo se calcula con Ja couacion Py= lop 283) La disipacién de potencia de un diodo de sefal pequefia es baja (del orden de los mW), ¥ la temperatura de unign por lo comiin no rebasa el valor méximo permsible especificado68 FIGURA 2.45, Curva de reduccién de aisipacién de potencia- temperatura Cartruto2 » — Dropos por el fabricante. Sin embargo, ¢s comiin que los diodos de potencia sean montados sobre un disipador de calor. La funcién de un disipador de calor es transmitir el calor al ambiente (es- toes, al material que circunda al dispositivo), para mantener la temperatura de unién de los diodos de potencia por debajo del valor méximo permisible. El aumento en estado estable de a temperatura de unién con respecto a la temperatura del medio ambiente, determinada experimentalmente, es proporcional a la disipacidn de potencia, es decir, 87 = T,- T= Po as) donde 7, = temperatura de unin, en °C temperatura ambiental, en °C = resistencia térmica desde la unién hasta el ambiente, en °C/W Si la disipacién de potencia Pp excede el valor maximo permisible, la temperatura de ‘unin rebasara la temperatura maxima permisible, La excesiva disipacidn de potencia pue- de dafiar un diodo. La disipacin de potencia permisible en la unin Pp se obtiene reorde- nando la ecuacién (2.54) Py (25) 4, jin pe lo cual indica que la disipacién de potencia permisible aumenta si la temperatura ambien- tal 7, disminuye por debajo de la temperatura normal de 25 °C. Sin embargo, en la précti- NOTA: Para permitir un margen de seguridad, los discfiadores deben garantizar que lus valores de coperacién de volaj, corriente y disipacién de potencia sean, por lo menos, 20 a 30% menores que tos valores nominales maximos publicados, Para aplicaciones militares, la reduccidn puede ser hasta de 50%.