Elektrotehniki

fakultet u Sarajevu Prezime i ime: _________________________

Elektroniki elementi i sklopovi
Br. indexa: _________________________
Akademska 2016/2017 godina
Red.br.grupe: _________________________
Sarajevo, 01.07.2017. godine

DRUGI PARCIJALNI POPRAVNI ISPIT VARIJANTA A

Zadatak 1: Odgovoriti na postavljena pitanja i odgovore napisati u zadanicu!

Pitanje 1.1. Nacrtati ulaznu i izlaznu karateristiku npn tranzistora s radnom pravom, te naznaiti radnu taku tranzistora u
oblasti zasienja.

Pitanje 1.2. Nacrtati i oznaiti prenosnu i izlaznu karakteristiku p kanalnog JFET tranzistora.

Pitanje 1.3. Nacrtati i oznaiti popreni presjek p kanalnog MOSFET tranzistora s ugraenim kanalom u linearnoj oblasti.

Pitanje 1.4. Nacrtati i oznaiti simbol i ekvivalentnu emu IGBT tranzistora.


Zadatak 2: U zadanicu rijeiti postavljene zadatke i rjeenja itko napisati na kraju svakog zadatka.


Zadatak 2.1.
Na slici 2.1. je prikazan sklop za polarizaciju MOSFET tranzistora.
Odrediti radnu taku za dati sklop ako je poznato: VDD=24V,
RD=1k, RS=200, R1=50k i R2=100k. Kod prorauna radne
take uzeti u obzir da je isti ovaj tranzistor u kolu s drugaije
odabranim vrijednostima otpora imao struju IDS=10mA pri
VGS=4V dok je vrijednost praga iznosila VTN=2 V.

Slika 2.1

Zadatak 2.2.
Na slici 2.2. je data ema jednostepenog pojaala sa
zajednikim emiterom i sa bipolarnim tranzistorom npn
tipa, koje pojaava mali ulazni signal eg. Poznate su
slijedee vrijednosti parametara eme: R1=25k, R2=35k,
RC=2k, Rg=200, RP=2k. Koristei mjerne instrumente
utvreno je da radna taka tranzistora iznosi Q(5mA, 5V), a
pojaanje sklopa 100. Potrebno je:

(a) nacrtati izmjenini ekvivalentni krug pojaala,

(b) zamijeniti tranzistor njegovim ekvivalentnim modelom
za male signale,
(c) izvesti potpuni izraz za naponsko pojaanje pojaala
A=uizl/eg sa slike 2.2,
(d) na bazi dobijenog izraza za pojaanje pojaavaa
odrediti parametre tranzistora o i VA za koje e se dobiti
izmjereno pojaanje. Slika 2.2





Zadatak 3: Zaokruiti taan odgovor na ovom papiru! Tano zaokruen odgovor NEE biti priznat bez napisanog
postupka/obrazloenja u zadanici.

Zadatak 3.1.
Na slici 3.1 su prikazana dva sklopa polarizacije jednog JFET tranzistora. Ako
je mjerenjem utvreno da je struja IDSa=5mA a struja IDSb=10mA, radna taka
tranzistora lei:
(a) u omskoj oblasti za oba sklopa.
(b) u omskoj oblasti za sklop prikazan na slici 3.1(a) i u oblasti zasienja za
sklop prikazan na slici 3.2(b).
(c) u oblasti zasienja za sklop prikazan na slici 3.1(a) i u omskoj oblasti za
sklop prikazan na slici 3.2(b).
(d) u oblasti zasienja za oba sklopa. Slika 3.1.(a)
Slika 3.1.(b)

Zadatak 3.2.
Na slici 3.2 je prikazana:

(a) prenosna karakteristika pkanalnog JFET tranzistora.

(c) izlazna karakteristika nkanalnog MOSFET tranzistora s ugraenim kanalom.
(b) izlazna karakteristika nkanalnog MOSFET tranzistora s induciranim kanalom.
(d) nijedan od ponuenih, taan odgovor je ___________________.

Slika 3.2

Zadatak 3.3.
U sklopu s trijakom (slika 3.3) ulazni naizmjenini signal je
definisan kao uAB(t)=10sin(314t). Sklop je optereen sijalicom
otpornosti RL=10. Ako se prekida SW ukljuuje pri uglu =107o,
mjerenom od poetka svake poluperiode ulaznog napona,
maksimalna vrijednost struje kroz otpornik RL iznosi:

(a) A (b) 2A
(d) Nijedan od ponuenih, taan odgovor je
(c) 1A ____________________. Slika 3.3

Zadatak 3.4.
Na slici 3.4. je prikazan popreni presjek:
(a) nkanalnog VMOSFET tranzistora.
(b) pkanalnog VMOSFET tranzistora.
(c) nkanalnog IGBT tranzistora.
(d) pkanalnog IGBT tranzistora.
Slika 3.4

Zadatak 3.5.
Kod MOSFET tranzistora s ugraenim kanalom provodnost kanala se mijenja promjenom:
(a) poprenog presjeka kanala to se postie kontrolom duine osiromaene oblasti inverzno polarisanog pn spoja izmedu
vrata i izvora pod dejstvom upravljakog napona.
(b) koncentracije slobodnih nosilaca naelektrisanja to se postie djelovanjem magnetnog polja na kondenzatorsku strukturu
formiranu od metala, oksida i poluprovodnika.
(c) poprenog presjeka kanala to se postie kontrolom irine osiromaene oblasti inverzno polarisanog pn spoja izmedu
vrata i izvora pod dejstvom upravljakog napona..
(d) koncentracije slobodnih nosilaca naelektrisanja to se postie djelovanjem elektrinog polja na kondenzatorsku
strukturu formiranu od metala, oksida i poluprovodnika.