VISOKA KOLA ELEKTROTEHNIKE I RAUNARSTVA STRUKOVNIH

STUDIJA-VIER, BEOGRAD
STUDIJSKI PROGRAM: NOVE ENERGETSKE TEHNOLOGIJE
SPECIALISTIKE STUDIJE
PREDMET: UPRAVLJANJE ELEKTROENERGETSKIM PRETVARAIMA

IGBT - PREKIDA SNAGE

Predmetni profesor:
Dr eljko Despotovi, dipl.el.in
 UVOD
Bipolarni tranzistor sa izolovanim gejtom, engl. Insulated Gate
Bipolar Transistor (IGBT) je ustvari hibridni element koji
kombinuje pozitivne osobine MOSFET-a (tranzistora sa efektom
polja i BJT-a (bipolarnog tranzistora).

IGBT tranzistori su u sutini elementi sa manjinskim nosiocima,

imaju bolju karakteristiku voenja od MOSFET tranzistora, dok
su im konkurentni po ostalim osobinama kao to su:
-jednostavna pobuda,
-iroka oblast sigurnog rada SOA ("Safe Operating Area"),
-velika strujna idrljivost (podnoenje strujnih pikova i trajna
strujna opteretivost).

Generalno govorei, prekidaka brzina IGBT-a je manja u

odnosu snane MOSFET-e.
Ipak prekidake karakteristike novih tipova IGBT-a proizvodnje
MOTOROLA, IRF,.... su veoma sline snanim MOSFET-ima
ali sa mnogo boljom karakteristikom provoenja.
 IGBT, dakle ima sposobnost brzog prekidanja (osobina
MOSFET-a) pri relativno velikim strujama i naponima, tipinim
za BJT.
Osim toga IGBT sa niskim naponima upravljake elektrode
(gejta) imaju sposobnost blokiranja viih napona.
U prvoj aproksimaciji IGBT se moe modelirati kao PNP
tranzistor upravljan od strane MOSFET-a.

Simboli za IGBT Uproeni model

TANIJI IGBT MODEL JE MALO SLOENIJI

NPN i PNP tranzistori predstavljaju

parazitni TIRISTOR, koji u sebi
sadri regenerativnu povratnu
spregu (tzv. regenerativni
latch-up efekat)

Otpornik RB ima zadatak da oslabi

ovaj efekat, koji je za IGBT
nepoeljan
JFET predstavlja konstrikciju
(suenje) struje izmeu dve osnovne
strukture (na ovaj nain je MOSFET
na niskom naponu te stoga ima
veoma nizak Rds(on)
 STRUKTURA IGBT-a PO SLOJEVIMA i SPOJEVIMA

Neki proizvoai prave IGBT-ove bez baferskog sloja N+, tako da u tom sluaju
imamo tzv. NOT PUNCH THROUGH (NPT) IGBT
Neki proizvoai ubacuju ovaj sloj. Ukoliko ovaj sloj N+ postoji, ustvari dobijamo
tzv. PUNCH THROUGH (PT) IGBT

ta se ustvari dobija ovim slojem N+ ??

Poreenje NPT i PT IGBT tranzistora
 TA JE SA UPRAVLJAKIM ULAZOM NA GEJTU?

Upravljaki ulaz IGBT je isti kao kod MOSFET-a, odnosno ima

izrazito kapacitivni karakter
Stoga ovi elementi u ovom upravljakom kolu gejta, u odnosu na
BJT imaju mnogo manju potronju energije

Jedna od vanijih osobina IGBTa je

mogunost prekidakog rada na relativno
visokim uestanostima (do 20kHz)
Realtivno mali su gubici snage pri ovom
radu Parazitne kapacitivnosti
Unutranja kapacitivnost (CGE) utie IGBT-a
znaajno na ponaanje tranzistora dok je CGC - povratni kapacitet ili
Miller kapacitet
uticaj tzv.Miller-ove kapacitivnosti CGC vrlo CGE - ulazni kapacitet
mali ili ak zanemariv. CCE-izlazni kapacitet
GRANINE VREDNOSTI (GRANICE MOGUNOSTI)!!!

IGBT prekidai se koriste za prekidanje velikih struja

(do 500A) i relativno visokih napona napona (2kV).
Opseg radnih uestanosti do 25kHz
 STATIKE KARAKTERISTIKE IGBT PREKIDAA

Upravljaki
Napon GE

prenosna k-ka

transkonduktansa

inverzni
probojni
napon direktni
probojni
napon

STRUJNO-NAPONSKA KARAKTERISTIKA STRUJNO -NAPONSKA

ENERGETSKOG (C)-(E) SPOJA KARAKTERISTIKA STRUJE
IGBT-a U FUNKCIJI
I - oblast zasienja UPRAVLJAKOG NAPONA
II oblast aktivnog reima (G)-(E)
A KAKO IZGLEDAJU PRETHODNO PRIKAZANE KARAKTERISTIKE
ZA REALNE IGBT PREKIDAE??

IZLAZNA
I-V KARAKTERISTIKA

NPT IGBT prekidaa

30A/600V
IXSH 30N60B2D1
Proizvoaa IXYS

ukljuenje
iskljuenje

Kod ukljuenja-iskljuenja
kritian je prolazak kroz
aktivni reim (aktivna oblast)!!
PRENOSNA
KARAKTERISTIKA

NPT IGBT
prekidaa
30A/600V
IXSH 30N60B2D1
Proizvoaa IXYS
ZAVISNOST
TRANSKONDUKTANSE
gfs
OD STRUJE KOLEKTORA
Kada se ukljuuje i iskljuuje preteno induktivno
optereenje tranzistor radi sa poveanim naponskim i
strujnim naprezanjem (u sutini sa poveanim zamorom).

Dakle ima smisla prouavanje vremena ukljuenja i

iskljuenja IGBT pri upravljanju induktivnim optereenjem.

Uostalom, proizvoai obavezno navode sve irelevantne

tehnike podatke (struju, napon, vremena prekidanja,) za
svoje komponente upravo pri ovim uslovima

Kako izgleda jedno test kolo?

PREKIDAKI GUBICI
IGBT prekidako test kolo
Naponski izvor VcL mora biti veeg
napona u odnosu na Vcc

ukljuenje iskljuenje

TALASNI OBLICI
 SEKVENCA UKLJUENJA I UTICAJ OTPORNOSTI U KOLU GEJTA NA
UKLJUENJE
-IGBT radi kao MOSFET tokom
veeg dela intervala uljuenja.

-Kada se pobuuje gejt, napon

IGBT-a raste od nule do VGE (TH)

-Ovaj porast napona se deava

zbog otpornosti (Rgate) i CGE.
-Vreme ukljuenja je u funkciji
izlazne impedanse

Dakle mogue je kontrolisati brzinu ukljuenja

odabirom odgovarajue vrednosti otpora (Rgate)
drugim reima menjanjem otpornosti gejta
mogue je odrediti vremensku konstantu
parazitnih gubitaka Rgate x (CGE +CCG) odnosno
Ic=CCG x dV/dt.

Stoga vrednost otpornosti gejta snano utie na

gubitke snage budui da njegova varijacija utie
na dV/dt strminu
 SEKVENCA ISKLJUENJA Pri iskljuenju, napon na gejtu se
smanjuje sve dok ne dostigne
konstantnu vrednost (uoiti plato).

Tokom ovog vremena Vce napon se

plato poveava i menja izlaznu
karakteristiku sa stalnom Ic.

Dalje, dolazi do Miller-ovog efekta

i VGE napon ostaje konstantni
(efekat platoa) zbog modulacije
kapaciteta kolektor-gejt, ali se napon
Vce brzo poveao na maksimalnu
vrednost.

Tokom ovog vremena struja

kolektora IC poinje brzo da pada i
Pojava strujnog repa IC na prelazu nastavlja sa sporim opadanjem zbog
Iskljuenja izaziva najvei deo sklopnih manjinskih nosilaca naelektrisanja
gubitaka koji su se zateklji u provodnom sloju .
 GUBICI U STANJU VOENJA

IGBT je ogranien rasipanjem snage tokom prekidakog rada odnosno brojem

prekidakih ciklusa. Temperatura Tj za vreme normalnog rada zavisi od snage
gubitaka tranzistora i delotvornosti hlaenja.

J engl.junction (spoj) TJ = TC + Ptot JC

C-engl.case (kuite)

Za odabir hlaenja ,koje treba da odrava temperaturu ispod kritine moe se

koristiti sledea jednaina:
T
S- engl.sink (hladnjak) SA = JC CS
A engl. ambient (okolina) Ptot

SA -termika otpornost hladnjak-okolina

JC -termika otpornost spoj-kuite
CS -termika otpornost kuite-hladnjak
Ptot -ukupni gubitak snage
Tc -temperatura kuita (IGBT-a)
Kada se koristi delotvorno hlaenje Tc se moe znaajno smanjiti.
To znai da kod viih temperatura od propisanih dolazi do veih gubitaka snage.
Ptot je najvea trajna snaga disipacije za odreenu temperaturu.

TJ TC
Ptot =
JC
Glavni faktor za Ptot , IGBT-a je nivo napona Vce koji je zavisan od
temperature spoja, kolektorske struje i napona GE.

Ptot = I CE ( avg ) VCE ( sat )

 IZRAUNAVANJE PREKIDAKIH GUBITAKA

Pri ukljuenju ili iskljuenju nivo pobudnog napona VGE i otpornosti Rgate utiu
znaajno na prekidake gubitke.

Izbor napona VGE i otpornosti Rgate je uslovljen smanjenjem vremena kanjenja

pri ukljuenju odnosno iskljuenju, te stoga i na smanjenje prekidakih gubitaka.

Smanjenje vrednosti VGE ili poveanje Rgate rezultuje poveanim prekidakim

gubicima, ali moe uticati na smanjenje elektromagnetne interference (EMI).

Ostali faktori koji utiu na prekidake gubitke ukljuuju antiparalelnu diodu (Free
Wheeling Diode-FWD), induktivno optereenje, radni napon i struju..

Antiparalelna dioda ima ulogu

u operskim i invertorskim mosnim
aplikacijama
 UKUPNA ENERGIJA PREKIDAKIH GUBITAKA

Da bi izraunali energije pri ukljuenju (ON) ili iskljuenju (OFF) moramo u tim
intervalima vremena poznavati struju i napon na IGBT-u. Onda raunamo za
Svaki od intervala (ON i OFF) integral oblika:

ODNOSNO:
UKLJUENJE sa VREMENOM PREKLAPANJA tc
UKLJUENJE BEZ VREMENA PREKLAPANJA
UKLJUENJE sa VREMENOM PREKLAPANJA tc i
IZRAENIM STRUJNIM PIKOM

strujni pik

Posledica ega je strujni pik?

 IL=Ic+ID = const

Vremena ukljuenja i iskljuenja su veoma kratka (reda veliine 1us).

U tim kratkim intervalima struja prigunice ne moe naglo da se promeni.
Stoga se moe smatrati da je ona u trenutcima komutacije konstantna.
To drugim reima znai da se grana sa prigunicom moe smatrati kao
STRUJNI PONOR ija je struja IL=const
KRAJNJI REZULTAT JE DA JE
UKLJUEN SAMO IGBT TRANZISTOR
UTICAJ INVERZNOG OPORAVKA DIODE NA STRUJU IGBT-a
(mosne i polumosne aplikacije u invertorima)

Posmatramo jednu vertikalu

Invertorskog mosta i
komutaciju
Izmeu diode i IGBT-a

Inverzni oporavak D2

Komutacija izmeu T1 i D2
A GUBICI??
 ISKLJUENJE

Posledica ega je
naponski pik VCE
kod
iskljuenja IGBT-a ??
Ic-tail

OBINO JE
ODNOSNO STRUJNI REP JE DOMINANTAN
UKUPNA DISIPIRANA ENERGIJA USLED PREKIDANJA SE PRIBLINO
MOE PREDSTAVITI KAO:

vreme ukljuenja Vreme iskljuenja

SNAGA PREKIDAKIH GUBITAKA

SNAGA DISIPACIJE KOD UKLJUENJA

Na snagu disipacije tokom iskljuenja utiu dva faktora:
(I)brzina kojom kolektorski napon dostie maksimalnu vrednost
(II)trajanje strujnog repa
KAKO USTVARI IZGLEDAJU STVARNI TALASNI OBLICI KARAKTERISTINIH
NAPONA PRI UKLJUENJU I ISKLJUENJU IGBT prekidaa?

Vce
Ic

Uge

Posmatraju se naponi na T1: Uge, Vce i struja Ic, kao i talsni oblik energije
gubitaka Esw (I TO PRI UKLJUENJU I PRI ISKLJUENJU!!!)
 UKLJUENJE Mali pad napona VCES tokom porasta struje Ic je posledica
IGBT-a pada napona na parazitnoj induktivnosti IGBT-a

Strujni pik
UGE [10V/c] u struji Ic
je posledica
0- inv.oporavka
diode u
polumostu

Ic [100A/c] UCE [200V/c]

0- -0
TIME
0- [100ns/c]
 ISKLJUENJE IGBT-a Uoava se pojava strujnog repa u struji kolektora
IGBT-a, tokom njenog opadanja

UGE [10V/c]
0-
UGE < 0
UGE= -10V

UCE [160V/c] Ic [100A/c]

0- -0
POBUDNO KOLO GEJTA IGBT -a

IGBT su naponski kontrolisani poluprovodniki elementi. Oni zahtevaju (+) napon

na gejtu da bi se uspostavilo provoenje spoja emiter-kolektor.
Zbog relativno velike kapacitivnosti CGE IGBT-a, potreban je napon koji e
inicijalno morati da napuni ovaj kpacitet..
Pozitivan napon na gejtu bi trebao biti takav da obezbedi pouzdano ukljuenje ali
i da ogranii struju kratkog spoja u kolu gejta.
Negativan napon se koristi za poboljanje rada IGBT-a pri iskljuenju odnosno za
smanjenje gubitaka pri iskljuenju.
 PRENAPONSKA ZATITA KOLA GEJTA

Tokom iskljuenja IGBT-a napon na njegovom kolektoru veoma brzo raste (sa
velikom strminom dV/dt). Ovaj porast se kroz parazitnu kapacitivnost CGC moe
trenutno preneti na prikljuak gejta i zajedno sa Miller-ovim efektom CGS moe
pojaati delovanje VGE. Naroito je ovo opsano kada se iskljuuje struja kratkog
spoja IGBT-a (poveanjem napona na gejtu, nebi dolo do iskljuenja struje KS
ve bi se ona poveavala. Povezivanjem dve Zener diode u spoju back to back
direktno na spoj GE se spreava oteenje gejta odnosno samog IGBT-a.
EFEKAT dV/dt PRI ISKLJUENJU NA POBUDNO KOLO GEJTA
 IZBOR OTPORNOSTI U KOLU GEJTA
Vrednost Rg ima znaajan uticaj na dinamike performanse IGBT-a.
Mala vrednost Rg moe dovesti do oscilacija izmeu IGBT ulazne kapacitivnosti i
parazitne induktivnosti prikljunog provodnika.

Minimalna vrednost strujnog impulsa potrebnog za pobudu IGBT-a je:

Pri odreivanju uslova za prekidaki rad IGBT-a kljuno je prouiti pobudu gejta.
Glavni razlog za posmatranje punjenja je Miller-ov kapacitet (Miller efekat) i
njegov uticaj na kolo gejta.

U emu se ogleda taj uticaj ?

 Prvo se puni CGE (CGC se takoe puni
ali je vrednost punjenja vrlo niska i
zanemarljiva.)

Punjenje CGE se vri do napona

VGE (th) praga punjenja VGE (th)

Tranzistor se nakon impulsa ukljuuje, struja raste do pune vrednosti. Nakon

Postignute pune vrednosti struje , VCE napon naglo pada i napon na gejtu postaje
konstantanzbog punjenja CGC..
Poto je napon kolektora pao na svoju konanu vrednost , CGE i CGC se pune na
vrednost pobudnog anapona gejta
Ukupno naelektrisanje gejta :

Ukupna kapacitivnost gejta:

Punjenje i pranjenje IGBT gejta moe posmatrati kao punjenje i pranjenje kondenzatora!!!.
SNAGA POBUDNOG KOLA GEJTA
prekidaka uestanost

Kolo na slici se koristi za pobudu IGBT-a koji je sa emiterom vezan ka masi.

Ova pobuda se ne moe koristiti ako je spoj CE razapet izmeu VN.
U tom sluaju se koristi optiki izolovano pobudno kolo IGBT-a.
OPTIKI IZOLOVANO POBUDNO KOLO
IGBT-a

Icc

D- koeficijent radnog
reima ( duty-cycle)

potrebna snaga za kolo gejta

potrebna snaga za LED kolo

interno kolo elektronike

Ukupna snaga potrebna za pobudu IGBT-a:

 KAKO DIMENZIONISATI OPTIKI IZOLOVANO POBUDNO KOLO??!!!
Vrlo vaan uslov za upravljanje IGBT-a preko gejta je da optika sprega
obezbeuje minimalnu izlaznu struju ili struju gejta (IOL ili I gate) sa to niom
impedansom.

Struja gejta se deli

na dve struje:
 DIMENZIONISANJE OTPORA U KOLU GEJTA

Rg mora biti odabran tako da maksimalna vrednost izlazne struje ne prekorai

vrednost izlazne struje optokaplera IOL(pik).

IOL Rg

GND
VOL Minimalna vrednost izlaznog napona optokaplera

Pad ispod ove vrednosti moe dovesti do disipativnog (linearnog reima IGBT-a)
 ULOGA ZATITNOG EKRANA U OPTO DRAJVERSKOM KOLU IGBT-a

U sutini to je jedan Faradejev ekran (tit) izmeu LED ulaza i drajverskog kola sa
BJT. Zatitni ekran je prikazan isprekidanom crvenom linijom. Postojanje ovog
ekrana dodatno skree parazitne kapacitivne struje dalje od osetljivih sklopova u
samom drajveru, to dovodi do poboljanja dinamikog odziva CMTR (tzv. common
mode transient response). Ipak on ne moe eliminisati kapacitivnu spregu LED-a i
pinova napajanja Vcc i VEE.
Ova parazitna kapacitivna sprega prouzrokuje poremeaj u LED struji tokom
common mod reima rada i postaje glavni izvor CMTR kvarova za optokopler.
 TIPINO POBUDNO KOLO
SA OPTOIZOLACIJOM

Kada je BJT Q1 ukljuen, napon VAC je jednak priblino nuli LED ne svetli
tako da nema prenosa upravljakog signala ka drajveru. Q2 je iskljuen a Q3 je
ukljuen , te dolazi do pranjenja kapacitivnosti CGS kroz Rg, odnosno do iskljuenja
IGBT-a. Obrnuto kada je BJT Q1 iskljuen dolazi do ukljuenja Q2, odnosno do
ukljuenja IGBT-a.
Veoma je bitno da prethodno opisano pobudno kolo funkcionie za vreme izraenih
tranzijenata koji se Imaju pri komutacijama (ukljuenju i iskljuenju energetskog
IGBT-a). U velikoj meri Rad pobudnog kola u ovim reimima je uslovljen ulaznom
LED.
LED= Light Emiting Diode

Sledee metode se mogu koristiti kako bi se osiguralo da stanje ulazne LED

-zahtevano stanje (ukljuenosti i iskljuenosti)

LED (on state) stabilno ukljuen (CMH)

CMTR LED pobudno kolo mora drati ukljuenu ulaznu LED tokom common
mode tranzijenata .To se postie malo veom pobudnom strujom LED ija
vrednost mora biti vea od ulaznog praga, za vreme tranzijenata.

LED (off-state) stabilno iskljuen (CML)

CMTR LED pobudno kolo treba da zadri LED u iskljuenom stanju tokom
common mode tranzijenata. Dokle god je nizak napon na logikom gejtu poobuda
LED je manja od VF (OFF), tako da e LED biti iskljuena.Ovaj sklop se preporuuje
za visoke performanse CMTR.
APLIKACIJA OPTO POBUDNIH KOLA U TROFAZNOM
ELEKTRO-MOTORNOM POGONU
APLIKACIJA OPTO POBUDNOG KOLA SA PLIVAJUIM POZITIVNIM
NAPAJANJEM Vcc i PLIVAJUIM NEGATIVNIM NAPAJANJEM
U TROFAZNOM ELEKTRO-MOTORNOM POGONU
APLIKACIJA OPTO POBUDNIH KOLA U
IZVORIMA NAPAJANJA (NAPONSKIM PRETVARAIMA)

PODIZA NAPONA
step-up ili
boost konvertor
 POBUDNA IGBT KOLA BEZ GALVANSKE IZOLACIJE

U ovom delu predavanja e biti rei o kolima za pobudu IGBT-a, koja nemaju
galvansku izolaciju.
Prednost ovih kola su to ne zahtevaju galvanski izolovane plivajue izvore
napajanja za pobudno kolo, jednostavna su i jeftinija u odnosu na optika
pobudna kola sa galvanskom izolacijom.
Najvea mana im je to su jako osetljiva na tranzijente napona dV/dt
International Rectifier je razvio integrisani gejt drajver IR2213 visokih
performansi u kome je integrisano vie funkcija koje su neophodne za pobudu
snanih
prekidaa (MOSFET i IGBT) koji se nalaze kako na visokonaponskoj strani
(prema +Vbus) tako i prema masi energetike(prema -Vbus).
Dodatkom nekoliko komponenti IR2213 obezbeuje veoma brz prekidaki rad i
nisku disipaciju.
Kolo radi na principu "bootstrap" odnosno poetnog punjenja ali sa plivajuim
izvorom napajanja bez galvanske izolacije.
U "bootstrap" modu IR2213 drajver radi u veini aplikacija pri frekvencijama
od 10Hz do stotinak KHz.
 INTEGRISANI DRAJVER IR2213

Kolo se sastoji se od jednog drajverskog kola referisanog prema masi energetskog

tranzistora i drugog drajverskog kola koje slui za pobudu gornjeg tranzistora i koji
sadri translator nivoa. Pored ova dva pobudna stepena kolo sadri odgovarajuu
ulaznu logiku.
Funkcija shutdown je realizovana interno sa signalom logike "1" i ostvaruje
iskljuenje oba kanala. Prva ulazna komanda nakon odstranjivanja SD signala brie
latch i aktivira te kanale.
 ULAZNA LOGIKA DRAJVERA IR2213

Ulaznu logiku ine dva kanala sa dva ulaza HIN i LIN i jedan za blokadu rada
drajvera SD- shutdown , koji su kontrolisani sa TTL/CMOS kompatibilnim ulazima
sa konverzijom pragova koji zavise od napajanja logike VDD(3-20V) i baferskim
kolima sa Schmitt triger komparatorima, koja imaju histerezis od 10%VDD, a
prhvatanje ulaznih signala, potrebnog vremena porasta. Svaki kanal je nezavisno
kontrolisan. Pobudni impuls na gejtu prekidakog tranzistora sledi ulazni kontrolni
logiki impuls ali sa ogranienim vremenom propagacije
PROBLEMI PRI POBUDI IGBT-a KOJI RADE U MOSTU ILI POLIMOSTU

U invertorskim aplikacijama gde

se zahteva mrtvo vreme tzv.
dead-time za eliminaciju
preklapanja voenja tranzistora
u vertikali ulazna komanda
mora obezbediti taj mrtvi
vremenski interval u kontrolnoj
logici. Za tu funkciju je potrebno
dodati nekoliko komponenti.

Propagaciono kanjenje izmeu

ulaznih komandi i pobude gejta
je priblino isto za oba kanala u
IR2213 i iznosi oko 120ns pri
ukljuenju i 95ns pri iskljuenju.
Ova vremena su zavisna od
temperature i te zavisnosti se
daju u katalokim podacima.
 REALIZACIJA FUNKCIJE MRTVOG VREMENA - Engl. DEAD TIME

Iskljuenje T+ pre ukljuenja

T- dovodi do preklapanja
njihovih voenja to
predstavlja kratak spoj za
jednosmerni izvor Vd

OVO PREDSTAVLJA
VELIKI PROBLEM
U MOSNIM I POLUMOSNIM
APLOKACIJAMA!!!!

Treba razlikovati
DEAD TIME od
BLANKING TIME!!!!
IZLAZNI STEPEN ZA POBUDU IGBT-a Izlazni stepen za donji nivo je
implementiran sa dva N-
kanalna MOSFET-a u "totem-
pol konfiguraciji (source
follower kao strujni izvor i
zajedniki izvor za strujni
ponor) pobuivan ulaznim
kolom.

Stoga je ovaj deo sposoban da

generie ili da sinkuje struju
gejta od oko 2A.

Sa ovom totem-pole
konfiguracijom vreme porasta
pobudnog talasa na gejtu je
manje od vremena pada.

Ova osobina je naroito bitna i

predstavlja prednost za brojne
aplikacije u kolima sa
energetskim pretvaraima.
 Kanal na visokonaponskoj strani je
oformljen u obliku izolacionog korita
tzv. isolation tub koje je sposobno
da pliva od -5V do +1200V u odnosu
na energetsku masu (COM-Pin2).

Korito pliva na potencijalu pina 5-(Vs)

koji je dobijen od napona primenjenog
na pinu 6- Vb.

Ovaj pin 5 je prikljuen prema

snanom prekidakom elementu na
gornjoj strani i to ka njegovom sorsu
(Sl.117) i razapet je izmeu dve
sabirnice +Vbus i -Vbus.

Ako je izolovani izvor prikljuen

izmeu pina 5 i pina 6-(Vs) kanal na
PLIVAJUE DRAJVERSKO gornjoj strani e prekidati izlaz na pinu
KOLO GORNJEG 7 -(HO) izmeu pozitivnog pola
TRANZISTORA U POLUMOSTU napajanja ovog izvora i njegove
lebdee floating mase u skladu sa
ulaznom komandom.
PRINCIP IFTOVANJA NIVOA i FILTRIRANJE SMETNJI

Princip iftovanja nivoa i prenos

ON/OFF komandi u obliku uskih impulsa
pri rastuim i opadajuim ivicama ulazne
komande.
Ove su leovane set/reset flip
flopom, koji je referisan prema plivajuem
potencijalu. Korienje uskih impulsa
znaajno redukuje disipaciju snage
prilikom translacije (pomeranja) nivoa.
Impulsni diskriminator diferencira
set/reset impulse kroz impulsni ureaj
gde je brzi dv/dt tranzijent primenjen na
Vs prikljuak, poto brzina porasta od
50V/ns na snanom elementu jo uvek
nee uticati negativno na rad IR2213.
Ovaj kanal ima podnaponsku zatitu
(UVLO) koja blokra pobudu gejta ako je
napon izmeu plivajue take Vs(pin5) i
Vb(pin6) ispod njegovih limita (8.7/8.3V).
UTICAJ RASIPNIH INDUKTIVNOSTI NA POBUDU IGBT-a
USLED EGA USTVARI POTIE INDUKTIVNOST RASIPANJA?

Induktivnost rasipanja je
ustvari induktivnost petlje u
kolu gejta koju ine drajver
i vodovi koji ga povezuju sa
priljucima G i E od IGBT-a
(rafirane povrina)

Ova induktivnost potie od

Ig
rasipnog fluksa koji proima
celu konturu, a on je posledica
struje gejta
PARAZITNE OSCILACIJE U KOLU GEJTA USLED RASIPNIH INDUKTIVNOSTI

Kako reiti problem parazitnih oscilacija

struje gejta ?
Induktivnost L2 se
eliminie izvoenjem
dvostrukog prikljuka
emitera IGBT-a.
Ustvari jedan emiter
E1 je energetski a
drugi je E2 kontrolni.
Oba su u galvanskoj
vezi

Induktivnost L1 se
eliminie korienjem
irmovanih i upredenih
provodnika za
prikljuenje pobudnog
kola sa kontrolnim
prikljucima IGBT-a.
Ova mera se pogotovu
primenjuje ako je
rastojanje vee 10-tak
centimetara.
PREKOSTRUJNA ZATITA IGBT-a U TROFAZNOM INVERTORU

U komparatorskom kolu se poredi stvarna vrednost struje DC meukola (u datom

trenutku to je struja pripadajueg IGBT-a) sa podeenim pragom zatite. Kada je
razlika >0 aktivira se LATCH kolo koje blokira pobudne impulse. Reset zatite se
ostvaruje brisanjem sadraja LATCH kola.
 LOGIKI DIJAGRAM PREKOSTRUJNE ZATITE

PRAG ZATITE
 ZATIT A IGBT-a OD IZLASKA IZ ZASIENJA

Usled struje kratkog spoja dolazi do porasta napona zasienja IGBT-a.

Odnosno Vce(sat) i kada on postane vei od Vref, aktivira se izlaz
komparatora na logiku 1. Uz uslov da postoji pobuda na gejtu preko
logikog i kola se aktivira LATCH kolo greke koje blokra rad drajvera
odnosno ostvaruje njegov DISABLE.
 IGBT MODULI?
IZ PRETHODNO NAVEDENIH RAZLOGA, MORA SE DOSTA PANJE POSVETITI
SMANJENJU PARAZITNIH UTICAJA.

SMANJENJE PARAZITNIH INDUKTIVNOSTI, ALI I KAPACITIVNOSTI VRI SE

INTEGRACIJAOM VIE POJEDINANIH IGBT STRUKTURA U KOMPAKTNIJE
JEDINICE.

PROIZVOAI IGBT TRANZISTORA INTEGRIU OVE POLUPROVODNIKE

KOMPONENTE U TZV. IGBT MODULE.

OBINO SE MODULI IZVODE U OBLIKU POLUMOSTA I TROFAZNOG MOSTA.

RETKO SE NA TRITU MOGU NAI JEDNOSTRUKI SNANI IGBT.

VARIJANTA TROFAZNOG MOSTA SE NEKADA INTEGRIE U INTELIGENTNE

TZV. SMART MODULE U OKVIRU KOJIH JE IZVEDENO I POBUDNO KOLO.

ULAZI U OVE MODULE SU CMOS/TTL I DIREKTNO SE VEZUJU NA

MIKROPROCESOR ILI MIKROKONTROLER.
JEDNOSTRUKI IGBT ENERGETSKI MODULI
KOMBINACIJE

GA GAR
GAL

GAX GAY
POPRENI PRESEK JEDNOG TIPINOG
JEDNOSTUKOG IGBT MODULA (single module)
DVOSTRUKI IGBT ENERGETSKI MODULI
KOMBINACIJE

GB
PULUMOSNE I MOSNE PRIMENE

PRIMENE
U REZONATNI M GBD
PRETVARAI
TIPIAN IZGLED JEDNOG DVOSTRUKOG IGBT MODULA

DIODA2 DIODA1 IGBT1 KUITE

IGBT2
TROSTRUKI IGBT MODULI

GT

ZGODNI U PRIMENAMA SA VELIKIM STRUJAMA

KADA IH TREBA VEZIVATI U PARALELI
SIMETRIAN H-MOST i ASIMETRIAN H-POLUMOST

GAH
GH
 IGBT MODULI ZA
TROFAZNE APLIKACIJE
(ELEKTROMOTORNI
POGONI)

GD

BLOK
ZA UKLJUENJE
OTPORNIKA ZA
KOENJE
U DC MEUKOLU
GDL
 INTELIGENTNI IGBT MODULI
OBJEDINJAVAJU ENERGETSKI IZLAZNI DEO I POBUDNA (DRAJVERSKA KOLA)

ENERGETSKI PRIKLJUCI

KONTROLNI PRILJUCI

IPM- Inetlligent Power Module

 ARHITEKTURA IPM-a

Svaki drajver (predriver) ima

prikljuke
-za nuapajanje +Vcc i GND
-ulazni kontrolni prikljuak

Sam modul ima termiki senzor

i kolo koje predstavlja termiku
zatitu (zatita od pregrevanja)
modula

Prikljuci P i N su ustvari krajevi

Na koje se dovodi napon DC
meu kola P(+) i N(-)

Prikljuak B je za koioni otpornik

Energetski prikljuci za motor

su U,V,W
IPM sa integrisanim trofaznim diodnim ispravljaem 7MBR25SA120B Fuji
6x 25A/1200V
Kada su u pitanju moduli manjih snaga pored invertorskog mosta, kola za koenje ,
integrisan je i ulazni diodni modul (trofazni mosni ispravlja) tj. trofazni diodni most,
Kao i sva potrebna zatitna kola (zatita od KS, prekostruje, podnaponska i sl...).

PS11034
 PERSPEKTIVE DALJEG RAZVOJA IGBT-a

Silicijumski energetski elementi i kontinualni trendovi razvoja bazirani na

tehnolokoj platformi
 Soft-Punch-Through SPT

EVOLUCIJA IGBT TEHNOLOGIJE

Trend u razvoju novih IGBT modula

U modernim aplikacijama dioda u IGBT-u predstavlja ozbiljno ogranienje.

Naroito se to odnosi na performanse gubitaka i strujne udarne preopteretivosti.

Tipian odnos povrine u foot-printu modula je 2:1 za IGBT.

Ovo ogranienje u pogledu strujne opteretivosti je u osnovi uspostavljeno

nakon uvoenja modernog dizajna IGBT-a baziranog na malim gubicima snage.

Zahtevi za poveanjem gustine snage su doveli do reenja RC-IGBT odnosno

inverzno provodnog IGBT-a tj. Reverse Conducting IGBT.

Razvojni napori koji su se odnosili na reavanje brojnih problema RC-IGBT (pre

svih gubitaka snage i iroke oblasti RBSOA i FBRSOA doveli su do hibridnog
reenja tzv. Bi-mode Insulated Gate Transistor (BIGT).

Ovo reenje kombinuje dobre osobine RC-IGBT i IGBT u

jednostukom modulu.
Popreni presek BIGT
3.3kV BIGT modul

ISKLJUENJE

Eoff=2.8J

INVERZNI OPORAVAK

Eon=2.2J
Erec=2.3J
HVALA NA PANJI !!!!!

NOVEMBAR 2013