BAB III

SAMBUNGAN P N

3.1 Sambungan p-n kondisi keseimbangan

Kerapatan arus hole pada pita valensi :

Jp = Jp (drift) + Jp(difusi)

dp
= q . p . p . E q Dp
dx

1 dEi dp
= q . p. p . -kT p
q dx dx

dimana level energi intrinsik

dEi
Ei = 0 dan
dx

dp
=0 p = ni e (Ei-Ef)/KT
dx

jadi Jp = 0, dengan

Kerapatan arus elektron pada pita valensi

Jn = Jn(drift) + Jn(difusi)
 dn
= q . n . n . E q Dn
dx

1 dEi KT dn
= q . n . p . +q n
q dx q dx

Pada level energi intrinsik

dEi dn
= 0 dan =0
dx dx

jadi Jn = 0

Dengan n = ni e (Ef-Ei)/KT

J = Jp + Jn

J = 0

3.2 Potensial Elektrostatis

* Daerah P (Wp)

Wp x xp
1
Ei Ef
q

KT N
Wp = - ln A
q ni

* Daerah N (Wn)

Wn x xn
1
Ei Ef
q
 KT N
Wn = - ln D
q ni

Potensial Built-in (Vbi)

KT N KT N
Vbi = Wn + Wp = ln D + ln A
q ni q ni

KT N .N KT C .C
Vbi = ln A 2 D Vbi = VTH Vbi = ln xi 2 B
q ni q ni

Lebar Deplesi (W)

W = Xp + Xn

Muatan total perluasan daerah P = daerah N

3.3 Medan Listrik

Daerah N :

q ND
E( X )
0 x xy X X n
s

Daerah P :

E(X)
xp x 0
q NA
X X p

Muatan listrik max X = 0

s = permitivitas semi konduktor

s = 10-12 F/cm

q Nn Xn q NA Xp
Em = =
s s

dv
E = - dv = - E dx
dx

Vbi Xn

dv
0
E dx
Xp
 0 Xn
= - EX p dx EX n dx
Xp 0

0 q NA xn

Vbi = x xp dx . q N 0 x x n dx
XP s 0
s

2 2
q. NA . Xp q. ND . Xn q.NA . Xp . Xp q.ND. Xn . Xn
Vbi = + = +
2 s 2 s 2 s 2 s

q. NA . Xp q. ND . Xn
Dimana : = = Em
s s

Em . Xp Em . Xn
Vbi =
2 2

= Em (Xp + Xn)

Vbi = Em . W W = Xp + Xn
*

2Vbi 2 N A N D
W= W = atau s Vbi
* Em q N A . N D

pada V = 0

2 s N A N D
W= Vbi V
q N A . N D

Jika V 0 maka dibias maju Vbi V

dibias mundur Vbi + V

K = 1,38 . 10-23 Joule/K

= 8,654 . 10-5 eV/K

o = 8,854 . 10-14 F/cm

Soal - Soal

1. Sebuah sambungan p-n (step junction) mempunyai NA = 1016 cm-3 dan No =

5.1016 cm-3. Pada suhu kamar, Hit. Potensial kontak, daerah deplesi type P dan
type N serta medan maksimumnya !

2. Gambarkan diagram pita energi sambungan p-n tersebut dengan teliti !

Solusi

1. Diket : NA: 1016 cm-3 No = 5.1016 Cm-3

Dit : a. Vbi

b. Xp dan Xn

c. E max

Jawab :

K.T N .N
a. Vbi = ln. A 2 D
q ni

1,38.10 23. J 16 16
= k.300 0 k .ln. 10 .5.10
1,6.10 19 1,5.1010 2

= 0,0259. ln. 2,22.1012

= 0,0259 . 28,43

Vbi = 0,74 V

Atau :

8,654.10 5 ev .300 0 k 1016.5.1016

Vbi = k ln.
Ie 1,5.101
2

= 0,0259 v. ln. 2,22.1012

= 0,74 V
 2 s NA ND
c. W = .Vbi
q NA.ND

2.10 12 F
cm 10 cm 5.10 cm .0,74 v
16 3 16 3
=
1,6.10 19 1016 cm 3 .5.1016 cm 3

F
= 12,5.10 6 .1,2.10 16.0,74
cm.C

= 3,33.10-5

2 Vbi 2 Vbi
w = Em =
Em W

2.0,74
= 5
= 44,4.103 V/cm.
3,33.10

q ND Xn q NA Xp
Medan listrik max = - =-

1,6 .10 19 . 5. 1016 . 5,6 .10 6

=
8,854.10 13 . 11,8

V
= -42,9.103
cm

2 N D
b. Xp = .Vbi
q.N A N A

2.8.854.10 1411,8 5.1016

= . 0,74
1,6.10 19..1016 1016 5.1016

76895,2
= = 2,83.10-5 cm
9,6.10 13

2 NA
Xn = Vbi
q.N D NA ND
 2.8,854.10 1411,8 1016
= .0,74
1,6.10 19.5.1016 1016 5.1016

= 5,6.10-16 cm-3

2. Untuk type P

NA
EF Ei = K.T.ln.
ni

1016
= 0,0259 ln.
1,5.1010

= 0,347 eV

EF Ev = Eg (Ef-Ei)

= 0,56 0,347

= 0,213 ev

Untuk type N

NA
EF Ei = K.T.ln.
ni

516
= 0,0259 ln.
1,5.1010

= 0,389 eV

NA
EF Ec = K.T.ln.
ni

516
= 0,0259 ln. = -0,1638 eV
2,8.1019
3.4 Kapasitansi Deplesi (Cd)

s
Cd =
w

2 s N A N D
W= Vbi v
q N A .N D

2 s 1
Jika = NA >> W= Vbi v
q N D

2 s 1
No >> W = Vbi v
q N A

NA, ND NB

s q NB
Cd = = s
2 s 1 2 s Vbi v
Vbi v
q N B

q N B s 1
=
2 Vbi V

q.N B s 1
Cd2 =
2 Vbi v
 s = permitivitas s.k. (si) = 10-12 F/cm

atau
1

2
Vbi V
Cd q.N B s
2

3.5. Karakteristik I - V

KT
Vt = Is = arus saturasi
q

ID = IS (e v/vt - 1

Transkonduksi P-N junction (qd)

d ID
qD = Pada daerah
dV resistive

qd =
1 d
rd dv

Is (e v 1)
vt

= Is.
1 v
Vt
e
vt
1
ID 1
qd =
VT rd

Vt
rd =
Id
3.6. Kapasitas Difusi

Lp = Dp p

KT
Dp = . p
q

q.Pno ALp v
dQ CJ = e.
Cj = Vt vt
dv

ni 2
P no = minoritas hole pada N
ND

A = Luas junction

q = muatan

Dp = difusitas hole

Lp = Panjang Difusi Hole