Fakultet elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje

Sveuilita u Splitu

Dr. sc. Ivan Zulim, red. prof.

ELEKTRONIKA
Prvi dio
( predavanja )

Privremeno izdanje

samo za internu uporabu

Split, oujak 2003.

0
1. VRSTA TVAR
1.1. Definicija i opa svojstva
Zbog toplinskog gibanja, sve estice vrste tvari (vrstog tijela) titraju oko svog sredinjeg
poloaja, tzv. ravnotenog poloaja u kojem je rezultantna sila na promatranu esticu od
susjednih estica jednaka nitici. Kad se estica pomakne iz svoga ravnotenog poloaja na
nju poinje djelovati sila od susjednih estica koja ju vraa u prvotni ravnoteni poloaj. U
tom smislu moe se izrei i prirodna definicija vrstog tijela kao sustava u kojemu estice
zadravaju stalan meusobni poloaj i orijentaciju
Osnovni kriterij razlikovanja ustrojstva takvih sustava je stupanj ureenosti. U skladu s tim
kriterijem podjela vrste tvari moe se shematski prikazati kao na slici 1.1.1.

Slika 1.1.1: Podjela vrste tvari s obzirom na stupanj strukturne ureenosti.

U kristalima je ureenost dugog dosega jer su atomi, odnosno molekule u pravilnom

unutranjem geometrijskom rasporedu koji se periodiki ponavlja. U monokristalu je
ureenost u cijeloj tvari, a karakterizirana je periodikim ponavljanjem osnovnog
geometrijskog oblika s pravilnim rasporedom atoma u kristalnoj reetci. U polikristalu postoji
ureenost u manjim podrujima koja se nazivaju zrnima. Kristalna zrna su nepravilne veliine
i meusobno su razliito orijentirana, a odijeljena su granicama zrna.
Znaajka amorfnih tvari je ureenost kratkog dosega; elementarna struktura nema stalan
oblik ni veliinu, ali zadrava iste sastavne dijelove.
Na slici 1.1.2. je usporedbe radi prikazano kristalno ustrojstvo molekula kristala kvarca i
kvarcnog stakla,SiO2. Dok su u kristalu kvarca atomi silicija i kisika rasporeeni u pravilne
esterokute (osnovni geometrijski oblik) s periodikim ponavljanjem u cijelom kristalu, u
kvarcnom staklu nema takve pravilne ureenosti na velike razdaljine jer se osim esterokuta
pojavljuju jo peterokuti i sedmerokuti.

1
 Slika 1.1.2: Kristalno i amorfno ustrojstvo molekula SiO2 prikazano u dvije dimenzije.
Ustrojstvo osnovnog geometrijskog oblika odreeno je veliinom atoma ili molekula te
silom vezivanja. Prema vrsti sile vezivanja (kemijske veze) razlikuju se etiri skupine kristala:
kristali nemetali,
ionski kristali,
molekularni kristali
kovalentni kristali.
U poluvodikoj elektronici, s obzirom na praktinu primjenu, mogu se istaknuti kovalentni
kristali silicij i germanij, gdje se pod pojmom kovalentni podrazumijeva kristalna veza
pomou para valentnih elektrona izmru dva susjedna atoma, sl. 1.1.3.

2
 Slika 1.1.3: Kristalno veza izmeu atoma silicija simboliki prikazana u dvije dimenzije.
Na kovalentnoj vezi temelji se dijamantna struktura koju imaju etverovalentni elementi kao
to je ugljik, silicij i germanij. U dijamantnoj strukturi sredinji je atom okruen s etiri
susjedna atoma koji lee u vrhovima tetraedra (tijela omeenog sa etiri istostranina trokuta),
slika 1.1.4.

Slika 1.1.4: Dijamantna (tetraedarska) struktura.

3
1.2. Elektrina svojstva kristala
S obzirom na elektrinu provodnost ili otpornost, kristali se mogu podijeliti u tri skupine:
kovine (vodii), poluvodii i izolatori. Na sobnoj temperaturi elektrina otpornost za kovine
je reda veliine 10-8 m, za izolatore dosie vrijednost od 1014 m, a za poluvodie vrijednost
za je u granicama od 10-5 do 104 m. Razlika u elektrinim svojstvima izmeu kovina,
elementarnih poluvodia i izolatora proistjee iz ustrojstva energijskih vrpci. Struktura
energijskih vrpci istih poluvodia slina je onima u izolatoru, slika 1.2.1. a) i b), a razlika je
u udaljenosti izmeu vodljive i valentne vrpce, tj. u irini energijskoga procjepa (zabranjene
vrpce). Na niskim temperaturama valentna vrpca je potpuno popunjena elektronima, a
vodljiva prazna, zbog ega je elektrina vodljivost onemoguena. O irini zabranjene vrpce
ovisi na kojoj e temperaturi nastati elektron-upljina parovi, a time i gibanje naboja pod
djelovanjem elektrinog polja. U kovinama I skupine najgornja energijska vrpca nije potpuno
zaposjednuta elektronima (slika 1.2.1c). Za II skupinu elemenata, takoer kovina, svojstveno
je preklapanje dviju najgornjih energijskih vrpci, ime je opet postignuta djelomina
zaposjednutost doputenih energijskih stanja elektronima (slika 1.2.1d). Upravo to
omoguava struju elektrona i pri malim iznosima prikljuenoga elektrinog polja.

Slika 1.2.1: Energijska ustrojstva za:

a) izolator,
b) poluvodi,
c) kovinu s doputenom energijskom vrpcom djelomino popunjenom
elektronima (npr. Na),
d) kovinu gdje dolazi do preklapanja energijskih vrpci; nia energijska
vrpca potpuno popunjena elektronima (npr. Mg).

4
2. POLUVODII
2.1. Intrinsini poluvodii
Poluvodi koji ne sadri atome drugih elemenata naziva se intrinsini (isti) poluvodi.
Takav poluvodi je praktiki nemogue proizvesti pa se umjesto idealizirane (teorijske)
definicije ee izrie realnija definicija: intrinsini poluvodi je kristal u kojem jedan strani
atom dolazi na 109 atoma elementarnog poluvodia.
Na temperaturi apsolutne nitice isti poluvodi ima svojstva izolatora jer nema slobodnih
nosilaca naboja; valentna vrpca je popunjena, a vodljiva vrpca je prazna. Za poluvodie
energijski procijep ima relativno mali iznos (EG 1 eV za silicij), tako da se ve pri sobnim
temperaturama, zbog toplinske pobude, neki elektroni mogu prebaciti iz valentne vrpce u
vodljivu. U voenju struje u poluvodiima sudjeluju negativni elektroni i pozitivne upljine.
Prazna stanja u valentnoj vrpci su upljine, slika 2.1.1.

Slika 2.1.1: Raspodjela nosilaca naboja u istom poluvodiu.

Slika 2.1.2: Struje elektrona i upljina u kristalu silicija.

Pri odreenoj temperaturi postoji vjerojatnost slabljenja valentnih veza te prebacivanja
elektrona iz valentne veze u prostor izmeu atoma. Ti elektroni imaju veu energije od onih u
valentnoj vezi, mogu sudjelovati u voenju struje pa se nazivaju vodljivim elektronima (zbog
djelovanja vanjskog elektrinog polja elektroni dobivaju energiju i prelaze u via energijska
stanja). Iznos dobivene energije je vrlo malen, te je prijelaz mogu samo s nieg u vie
energijsko stanje unutar jedne energijske vrpce. Ti prijelazi se odvijaju se u energijskim

5
stanjima na dnu vodljive (struja elektrona) i pri vrhu valentne vrpce (struja upljina), slika
2.1.2. Koliko elektrona prijee u vodljivu vrpcu toliko upljina ima u valentnoj, slika 2.1.1.
Termikom pobudom u istom poluvodiu nastaje ravnotena gustoa elektrona n 0 u
vodljivoj vrpci i upljina p0 u valentnoj. Te gustoe su jednake pa su oznaene zajednikom
oznakom za istu (intinsinu) gustou (koncentraciju):
n0 = p0 = ni (2.1.1)
Broj vodljivih elektrona u energijskom intervalu dE dobije se mnoenjem gustoe energijskih
stanja C(E) s vjerojatnou zaposjednua fFD(E) tih stanja. Ukupan broj valentnih elektrona
moe se odrediti s pomou integrala:
E 'C

n 0 = f FD ( E ) C ( E ) dE (2.1.2)
EC

s granicama integracije po ukupnoj irini vodljive vrpce (slika 2.1.1). Gustoa kvantnih stanja
C(E) u vodljivoj vrpci odreena je izrazom:
3
2 mC 2 1
C ( E) = 4
h2
E - E C 2 (2.1.3)

u kojemu je mC efektivna masa elektrona, a h Planckova konstanta.

Efektivna masa, za razliku od mase slobodnog elektrona, nema stalnu vrijednost i ovisi o
energiji elektrona te o energijskoj vrpci u kojoj se elektron nalazi.
Funkcija fFD(E) je Fermi-Diracova vjerojatnost kojom se iskazuje zaposjednue kvantnih
stanja pri temperaturi T:
1
f FD ( E ) = (2.1.4)
1+ exp (E - E fi ) / kT

gdje je Efi Fermijeva energija u istom poluvodiu, k je Boltzmannova konstanta, a umnoak

kT = ET je energijski temperaturni ekvivalent. T je oznaka za termodinamiku temperaturu u
stupnjevima Kelvina.
Pri temperaturi T = 0K i E Efi sukladno izrazu (2.1.4), Fermi-Diracova vjerojatnost iznosi
fFD(E) = 1. Za E Efi je fFD(E) = 0 to znai da su pri temperaturi T = 0 K sve doputene
energijske razine popunjene. Na temperaturi T > 0K vjerojatna je zaposjednutost energijskih
razina E > Efi na raun termike pobude elektrona s razina ispod E f. Iz slike 2.1.3. vidi se da
koliko opadne vjerojatnost zaposjednua energijskih razina npr. E - E fi = -0.2 eV toliko
naraste vjerojatnost zaposjednua razina E - Efi = +0.2 eV. Stoga se Fermijeva energija Efi
definira kao razina s vjerojatnou zaposjednua fFD(E) = 0.5 [16].

6
 Slika 2.1.3: Fermi-Diracova funkcija vjerojatnosti zaposjednua kvantnih stanja.

Ako se za Boltzmannovu konstantu uvrsti njena vrijednost, (prilog 1.)

k = 1.38110-23 JK-1 = 8.62010-5 eVK-1,
gdje je
1eV 1.602 10 19
C 1V 1.602 10 19 AsV 1.602 10 19 Ws = 1.602 10 19 J ,
dobiva se praktian izraz za raunanje energije ET:
eV T eV
E T = 8.620 10 -5 T = . (2.1.5)
K 11605 K
Pri sobnoj temperaturi (T = 300 K), ET = 0.0259 eV.
Uvrtavanjem (2.1.3) i (2.1.4) u (2.1.2) dobiva se izraz za ravnotenu gustou slobodnih
elektrona u vodljivoj vrpci kao funkcija energije E:
3 1
E 'C
2 m 2
ni = n0 = 4 2 C
E - EC 2 dE (2.1.6)
EC
h 1 + exp E -
E fi / kT
Uz uvjet E - Efi 3kT moe se zanemariti jedinica u nazivniku izraza za fFD(E), pa Fermi-
Diracova funkcija vjerojatnosti prelazi u klasinu Maxwell-Boltzmannovu vjerojatnost:
E - E
f FD (E) exp fi (2.1.7)
k T

Gornja se granica integrala (2.1.6) moe zamijeniti s graninom vrijednou E C' zbog
eksponencijalnog opadanja funkcije fFD(E).
Uvoenjem priblinog izraza (2.1.7) u (2.1.6) dobiva se:
3

E - E fi 2 mC 2 1
n i = n 0 = exp 4 E - E C 2 dE . (2.1.8)
E
k T h 2
C

Nakon supstitucije x = (E - E C)/kT i promjene granica integracije od 0 do , izraz (2.1.8)

poprima oblik
3
1
2 mC k T 2 E C - E fi
k T 0
ni = n0 = 4 exp x 2 exp( x) dx (2.1.9)
h2

7
u kojem je:
1

x 2 exp( x ) dx =
0
2
. (2.1.10)

Za ravnotenu gustou n0 konano se moe pisati izraz:

3
2 m C k T 2 E C - E fi , (2.1.11)
ni = n0 = 2 exp
h 2
k T

ili u skraenom obliku

E -E
n i = n 0 = N C exp C fi , (2.1.12)
k T
gdje je
3
2 m C k T 2 (2.1.13)
NC = 2
h2

oznaka za efektivnu gustou kvantnih stanja u vodljivoj vrpci.

Vjerojatnost nalaenja upljina na energijskoj razini E je 1 - fFD(E), a to je vjerojatnost
nepostojanja elektrona u valentnoj vrpci i jednaka je:
1
1- f FD ( E ) =

1+ exp E fi - E / k T (2.1.14)

Gustoa upljina u valentnoj vrpci dana je integralom:

3 1
-E 'V
2 mV E V - E
2 2
pi = p0 = 4
EV
2

h 1+ exp E fi - E / k T
dE ,

(2.1.15)

koji se moe rijeiti primjenom postupka jednakom onom za odreivanje gustoe n 0. Nakon
integracije funkcije (2.1.15) dobiva se formula
E -E
p i = p 0 = N V exp fi V (2.1.16)
kT
u kojoj je
3
2 m V k T 2 (2.1.17)
NV = 2
h2

izraz za efektivnu gustou kvantnih stanja, a mV oznaka za efektivnu masu upljina, u

valentnoj vrpci.
Raspodjela elektrona i upljina po energijama u istom poluvodiu prikazana je na slici
2.1.4.

8
 Slika 2.1.4: Gustoa elektrona i upljina u istom poluvodiu.
Iz uvjeta n0 = p0 moe se odrediti poloaj Fermijeve razine u odnosu prema rubu valentne EV
i vodljive EC vrpce:
E -E E -E
N C exp - C fi = N V exp - fi V . (2.1.18)
k T k T
Iz (2.1.18) proizlazi izraz za Fermijevu razinu u istom poluvodiu:
EC + EV k T N
E fi = + ln V . (2.1.19)
2 2 NC
Ako se Efi promatra u odnosu prema EC, izraz (2.1.19) moe se pisati kao:
EC - EV k T N
E C - E fi = + ln C (2.1.20)
2 2 NV
ili kao
EC - EV 3 m
E C - E fi = + k T ln C . (2.1.21)
2 4 mV
Fermijeva se razina u istom poluvodiu nalazi priblino na sredini zabranjene vrpce, slika
2.1.5.

Slika 2.1.5: Poloaj Fermijeve energije u istom poluvodiu.

Prema izrazu (2.1.21) moe se zakljuiti da se Fermijeva razina Efi u istom poluvodiu nalazi
tono na sredini zabranjene vrpce jedino na temperaturi apsolutne nitice. Pri temperaturi
razliitoj od apsolutne nitice Fermijeva razina moe biti na sredini zabranjene vrpce uz uvjet
istovrijednosti efektivnih masa elektrona i upljina, mC = mV. Za silicij je mV neto vee od mC
12, pa je Fermijeva razina pomaknuta od sredine zabranjene vrpce prema rubu vodljive
3 mV
vrpce za mali iznos energije k T ln (npr. pri T=300K taj iznos je 0.01eV).
4 mC

9
2.2. Zakon termodinamike ravnotee
Umnoak ravnotenih gustoa vodljivih elektrona i upljina u istom je poluvodiu na nekoj
temperaturi stalan i jednak kvadratu intrinsine gustoe:
E -E E
n 0 p 0 = n i2 = N V N C exp C V = N V N C exp G . (2.2.1)
ET ET

Umnoak n0p0 u jednadbi (2.2.1) odreuje brzinu ponitavanja parova elektron-upljina, a

desna strana te jednadbe je brzina stvaranja parova. Stoga se sukladno jednadbi (2.2.1)
zakon termodinamike ravnotee moe formulirati kao:
brzina ponitavanja parova elektron-upljina, proporcionalna umnoku gustoe elektrona
i upljina, jednaka je brzini stvaranja parova elektron-upljina, koja je odreena irinom
zabranjene energijske vrpce i temperaturom.
Ako se u (2.2.1) uvrste izrazi za efektivne gustoe kvantnih stanja NC i NV, dobiva se oblik
kojim je u cijelosti iskazana ovisnost intrinsine gustoe o temperaturi:
3 3

2 k m 0 2 mC T mV T 4 2 E T
3
ni = 2

T exp G . (2.2.2)
2 ET T
2 2
h m0
m0 je masa elektrona u mirovanju, a mC(T) i mV(T) su efektivne mase elektrona i upljina
naznaene kao funkcije temperature. irina zabranjene vrpce E G(T) je takoer funkcija
temperature, kao i energijski temperaturni ekvivalent ET(T) = kT. U podruju sobnih
temperatura promjene efektivnih masa elektrona i upljina su relativno malene za silicij, pa se
moe raunati s tablinim vrijednostima odreenima pri temperaturi T = 300 K (tablica
2.2.1.).
mC mV
m0 m0

1.18 0.81

Tablica 2.2.1: Vrijednosti efektivnih masa elektrona i upljina za silicij normirane na

vrijednost mase mirovanja pri T = 300 K.

2.3. irina zabranjene vrpce

U energijskom dijagramu poluvodia podruje izmeu valentne i vodljive vrpce energija
naziva se energijski procjep ili zabranjena vrpca, slika 2.3.1:

Slika 2.3.1: Energijski dijagram za isti poluvodi.

O irini zabranjene vrpce ovise mnoga svojstva materijala. Za poluvodi ona iznosi
E G 1eV . Pri temperaturi apsolutne nitice EG ima najvei iznos i lagano opada s porastom
temperature. U strunoj se literaturi moe nai nekoliko empirijskih izraza pomou kojih se

10
moe odrediti irina zabranjene vrpce na nekoj temperaturi. Za silicij su odreena dva
empirijska izraza, za dva razliita temperaturna podruja 3:
E G T = 1.170 -1.059 10 -5 T - 6.05 10 -7 T 2 za T 170 K (2.3.1)
E G T = 1.1785 -9.025 10 T - 3.05 10 T
-5 -7 2
za T 170 K . (2.3.2)

2.5. Ekstrinsini poluvodi

Dodavanjem atoma drugih elemenata (primjesa) intrinsinom (istom) poluvodiu nastaje
ekstrinsino (primjesno) poluvodiko ustrojstvo kojemu su elektrina svojstva odreena
brojem atoma primjesa. Element kojemu se dodaju primjese (matini element) je
etverovalentni silicij ili germanij dok primjese mogu biti peterovalentni elementi (duik,
fosfor, arsen, antimon) ili trovalentni elementi (bor, aluminij, galij, indij). Primjese se unose u
matini element odgovarajuim tehnolokim postupkom.

2.5.1. Poluvodi n-tipa

Dodavanjem peterovalentne primjese matinom elementu nastaje n-tip poluvodia. etiri
elektrona matinog elementa i etiri elektrona primjesnog tvore etiri kovalentne veze. Na T
= 0 K peti elektron ostaje vezan uz svoj atom zbog privlane sile svoje jezgre. Energija ove
veze znatno je slabija od kovalentne pa se pri T 0 K ovaj elektron lako oslobodi iz atoma.
Na T = 0 K na prikazu energijskih vrpci, sl. 2.5.1.1, taj elektron se nalazi na energijskoj razini
ED znatno vioj od energije valentnih elektrona, dok je na viim temperaturama (T 0 K),
zbog toplinske pobude na energijskim razinama na dnu vodljive vrpce. Zbog toga to
peterovalentna primjesa daje elektrone u vodljivu vrpcu koji se mogu slobodno gibati kroz
kristal, naziva se donor. U raspodjelu energija unosi se dodatna energijska razina u zabranjenu
vrpcu, tzv. donorska razina ED u blizini dna vodljive vrpce, slika 2.5.1.1.

Slika 2.5.1.1: Energijski dijagram za n-tip poluvodia pri temperaturi T = 300K

kada su svi donori ionizirani.

2.5.2. Poluvodi p-tipa

Dodavanjem trovalentnih primjesa (akceptora) etverovalentnom matinom elementu nastaje
p-tip poluvodia. Trovalentnoj primjesi nedostaje jedan elektron za tvorbu etvrte kovalentne
veze, pa se ona tvori elektronom iz valentne vrpce etverovalentnoga matinog elementa.
Trovalentni atom postaje negativni ion, a u valentnoj vrpci atoma matinoga elementa nastaje
upljina. Akceptorske primjese unose dodatnu akceptorsku energijsku razinu E A u zabranjenu
vrpcu koja se nalazi u blizini valentne vrpce, slika 2.5.2.1.

11
 Slika 2.5.2.1: Energijski dijagram za p-tip poluvodia pri temperaturi T = 300K
kad su svi akceptori ionizirani.

2.5.3. Degenerirani poluvodi

Pri gustoama primjesa u poluvodiima priblino iznad 1017cm-3 udaljenosti izmeu atoma
primjese nisu vie tako velike te se diskretne energijske razine donora, odnosno akceptora
cijepaju u vrpce energija. Tako se diskretna donorska razina ED cijepa u vrpce energija irine
ED, slika 2.5.3.1.

Slika 2.5.3.1: Donorski pojas energijske irine ED u degeneriranom poluvodiu.

Energija ionizacije EI je smanjena u odnosu prema nedegeneriranom poluvodiu, a pokusom
je utvreno da pri gustoama donora priblino 1.81018cm-3 energija ionizacije u potpunosti
nestaje.
Pojava cijepanja diskretnih razina u vrpcu energija popraena je i suenjem zabranjene
energijske vrpce u odnosu prema irini procjepa nedegeneriranog poluvodia. Za umjereno
visoke gustoe primjesa (1019cm-3) suenje zabranjene vrpce moe se odrediti prema
teorijskoj relaciji koju su izveli Lanyon i Tuft 1:
3 q3 N
E G (2.5.3.1)
16 k T

u kojoj je N gustoa primjesa (donorskih ili akceptorskih), a permitivnost poluvodia

(silicija).
Za gustoe primjese iznad priblino 1020cm-3 suenje EG vie ne ovisi o temperaturi pa se
moe primijeniti izraz:
1
N 6
E G 0.62 20 eV . (2.5.3.2)
10

Osim navedenih relacija za odreivanje suenja zabranjene vrpce u strunoj literaturi mogu se
nai i izrazi izvedeni na osnovi drugaijih pretpostavki i drugog teorijskog pristupa. Tako su
polazei od eksperimentalnih rezultata Slotboom i De Graaff 2 dobili izraz koji se moe
primijeniti za n tip silicija s gustoama donora do 1021cm-3:

12
 N N
E G 0 E1 ln ln 2 0.5 (2.5.3.3)
N1 N1
u kojemu je:
E1 = 9 m eV
N1 = 1019 cm-3
N = gustoa primjesa.

2.5.4. Odreivanje gustoe elektrona i upljina

Ako poluvodi nije degeneriran, za odreivanje ravnotenih gustoa vodljivih elektrona n 0 i
upljina p0 mogu se upotrijebiti izrazi izvedeni za isti poluvodi, ali se uvodi oznaka E f za
Fermijevu razinu umjesto oznake Efi:
E -E
n 0 = N C exp C f , (2.5.4.1)
kT

E -E
p 0 = N V exp f V , (2.5.4.2)
kT
odnosno
N
E C - E f = k T ln C , (2.5.4.3)
n0

N
E f - E V = k T ln V . (2.5.4.4)
p0
Dijeljenjem jednadbe (2.5.4.1) s jednadbom za intrinsinu gustou (2.1.12) dobiva se izraz
za gustou slobodnih elektrona u ovisnosti o intrinsinoj gustoi i razlici Fermijevih razina
ekstrinsinog i intrinsinog poluvodia:
E E fi
n 0 n i exp f . (2.5.4.5)
kT
Iz (2.5.4.5) i zakona o termodinamikoj ravnotei moe se odrediti ravnotena gustoa p0:
E Ef
p 0 n i exp fi . (2.5.4.6)
k T
Umnoak ravnotenih gustoa n0 i p0 jednak je kvadratu intrinsine gustoe i ne ovisi o
Fermijevoj energiji:
E -E
n 0 p 0 = n 2i = N C N V exp C V , (2.5.4.7)
kT
to znai da pri nekoj temperaturi jedna od ravnotenih gustoa raste dok druga pada da bi
njihov umnoak ostao stalan.
U ravnotenom stanju svaki poluvodi ima jednak iznos pozitivnog i negativnog naboja
(zakon elektrine neutralnosti):
N D + p0 = N A + n 0 . (2.5.4.8)

13
Za n-tip poluvodia, uz uvjet NA = 0, izraz (2.5.4.8) poprima oblik:
n 0 = N D + p0 . (2.5.4.9)
n2
Uz zamjenu p 0 = i dobiva se:
n0
ND N 2D + 4 n 2i
n0 = + . (2.5.4.10)
2 2
n 2i
Ako je N 2D >> 4 n 2i , tada je n0 ND i p 0 = .
ND
U n-tipu poluvodia elektroni su veinski (glavni ili majoritetni), a upljine manjinski
(sporedni ili minoritetni) nosioci naboja. U skladu sa zakonom o termodinamikoj ravnotei,
gustoa upljina opada s porastom gustoe elektrona (potiskivanje manjinskih nosilaca).
Poloaj Fermijeve razine u odnosu prema dnu vodljive vrpce odreen je izrazom:
N
E C - E f = k T ln C , (2.5.4.11)
ND
prema kojemu je u dijagramu energija za n-tip poluvodia poloaj Fermijeve energije blizu
dna vodljive vrpce, slika 2.5.4.1., jer je NC 1019 cm-3, a ND 1016 cm-3.

Slika 2.5.4.1: Fermijeva razina u n-tipu poluvodia.

Za p-tip poluvodia, uz uvjet ND = 0, izraz (2.5.4.8) poprima oblik:
p0 = N A + n 0 . (2.5.4.12)
n 2i
Uz zamjenu n 0 = dobiva se:
p0

NA N 2A + 4 n 2i
p0 = + . (2.5.4.13)
2 2
U p-tipu poluvodia upljine su veinski nosioci, a elektroni manjinski. Dodavanjem
akceptora raste gustoa upljina, a opada gustoa elektrona.
n 2i
Ako je N 2
A >> 4 n , tada je p0 NA i n 0 =
2
i .
NA

Poloaj Fermijeve razine odreen je izrazom:

N
E f - E V = k T ln V . (2.5.4.14)
NA

14
U dijagramu energija za p-tip poluvodia Fermijeva se razina nalazi blizu vrha valentne
vrpce, slika 2.5.4.2., jer je NV 1019 cm-3, a NA 1012 cm-3.

Slika 2.5.4.2: Fermijeva razina u p-tipu poluvodia.

U temperaturnom podruju nepotpune ionizacije (T < 200K) svi primjesni atomi nisu
ionizirani, to znai da svi donori nisu dali elektron u vodljivi pojas, a svi akceptori nisu
primili elektron iz valentnog pojasa. Za ove temperature gustoa elektrona n(T<200K) u
vodljivoj vrpci jednaka je broju ioniziranih donora N D+. On se moe izraunati ako se
ukupnom broju donora oduzmu donori zaposjednuti elektronima:
1 ND
n( T 200K ) N D = N D N D
E -E E -E . (2.5.4.15)
1+ exp D f 1+ exp f D
ET ET

Slino se gustoa upljina p(T<200K) moe odrediti iz gustoe ioniziranih akceptora N A :

NA
N A =
E -E , (2.5.4.16)
1+ exp A f
ET
Izjednae li se izrazi (2.5.4.1) i (2.5.4.15) dobije se poloaj Fermijeve razine u n-tipu
poluvodia na niskim temperaturama
E Ef ND
N C exp C
kT E ED . (2.5.4.17)
1 exp f
kT
Kako je za T < 200 K Ef - ED > kT, jedinica se u nazivniku desne strane moe zanemariti, pa
slijedi:
E Ef Ef ED
N C exp C N D exp
kT kT
EC ED k T N
Ef ln D . (2.5.4.18)
2 2 NC
Analogno, ako se izjednae izrazi (2.5.4.2) i (2.5.4.16) dobiva se jednadba za odreivanje
Fermijeve razine u p-tipu poluvodia:
EV EA k T N
Ef ln A . (2.5.4.19)
2 2 NV

15
2.7. Driftno gibanje nosilaca
Gibanje nosilaca u poluvodiu na koji nije prikljuen napon (unutar poluvodia nema
elektrinoga polja), je neusmjereno (stohastiko) s prosjenom termikom brzinom koja se
mijenja u ovisnosti o temperaturi prema izrazu:
3 ET
vt = (2.7.1)
m*
u kojem je ET temperaturni ekvivalent energije, a m* efektivna masa elektrona (upljina).
Zbog utjecaja prikljuenoga napona u poluvodiu nastaje elektrino polje koje usmjerava
gibanje nosilaca u smjeru svog djelovanja. Pri tome se prosjenoj termikoj brzini pribraja
(superponira) brzina zbog djelovanja elektrinoga polja, tzv. driftna brzina. Ona je
proporcionalna jakosti elektrinoga polja F i pokretljivosti nosilaca :
vd = F , (2.7.2)
gdje je oznaka za pokretljivost nosilaca.
Na slici 2.7.1 prikazano je usmjereno gibanje nosilaca (elektrona i upljina) u poluvodiu
duljine w, pod utjecajem elektrinoga polja iznosa F = U/w.

Slika 2.7.1: Usmjereno gibanje nosilaca u poluvodiu.

Gustoa struje je prema Ohmovom zakonu proporcionalna jakosti elektrinoga polja, a
konstanta proporcionalnosti je elektrina provodnost:
I U U
J= = F (2.7.3)
S R S w
Za pozitivni smjer struje prema dogovoru uzima se smjer gibanja pozitivnoga naboja
(upljina). Kako je gibanje elektrona isto to i gibanje upljina u suprotnom smjeru, te dvije
struje se zbrajaju i ine ukupnu struju I u strujnom krugu, slika 2.7.1.
Elektrina provodnost poluvodia je jednaka zbroju elektrine provodnosti zbog gibanja
elektrona n i elektrine provodnosti upljina p:

= n + p = q n n + q p p = q n n + p p (2.7.4)
gdje je n oznaka za pokretljivost elektrona, a p za pokretljivost upljina.
U n-tipu poluvodia gustoa elektrona je mnogo vea od gustoe upljina (n>>p), pa je
elektrina provodnost priblino jednaka elektronskoj provodnosti n qnn, dok je za p-
tip poluvodia prevladavajua upljinska provodnost p qpp.
Elektrinu provodnost istog poluvodia karakterizira njegova intrinsina gustoa ni:

16

i = q n i n + p . (2.7.5)

2.8. Difuzijsko gibanje naboja u poluvodiu

Ako u poluvodiu postoji nejednolika gustoa pokretnih nosilaca naboja, tada i bez vanjskog
utjecaja (npr. elektrinog polja) nastaje gibanje naboja iz podruja vee ka podrujima manje
gustoe naboja i traje do uspostave jednake raspodjele naboja u cijelom obujmu poluvodia.
Takav prirodan proces koji se odvija u svakom prostoru gdje postoji nejednolika gustoa bilo
kojih pokretnih estica naziva se difuzija. Npr. difuzijom se iri plin, miris, kap tinte u vodi
itd.. U prosjeku se jednak broj estica iri u svakom smjeru nekog izotropnog prostora. Ali,
ako je odreeni prostor podijeljen na vie dijelova (podprostora) s obzirom na gustou estica,
npr. tako da idui od lijeva na desno gustoa opada, tada e rezultantno gibanje tih estica biti
u smjeru desne strane. Za ilustraciju prikazan je jednodimenzijski prostor podijeljen na est
dijelova, slika 2.8.1.

Slika 2.8.1: Ilustracija pojave difuzije u jednodimenzijskom prostoru

s nejednolikom gustoom estica.
U prostoru oznaenom brojem 1, od 12 estica njih est se giba udesno, a est ulijevo. U
prostoru broj 2, pet estica se giba ulijevo, a pet udesno, itd. Dakle samo se jedna polovina
estica svakog dijela prikazanoga jednodimenzijskog prostora giba u pozitivnom, polovina u
1
negativnom smjeru osi x. Za trodimenzijski prostor umjesto konstante treba raunati s
2
1
vrijednou zbog vie smjerova gibanja (lijevo-desno, gore-dolje, naprijed-natrag). Kako
6
je promjena gustoe estica po dijelovima prostora prikazanog na slici 2.8.1. jednaka -2
(opadajua gustoa prema pozitivnom smjeru osi x) difuzijska struja iznosi:
1
I d 2 1 (2.8.1)
2
Neto difuzijska struja je jedna estica u pozitivnom smjeru osi x. Dobiveni se rezultat moe
uoiti i bez rauna. Npr. izmeu dijelova 1 i 2 od est estica dijela 1 koje se gibaju udesno i
pet estica dijela 2 koje se gibaju ulijevo samo se jedna estica giba udesno. Isto razmatranje
vrijedi za preostale dijelove obujma.
Openito se za difuzijsku struju estica u jednom smjeru vrijedi izraz:
dn
Id D (2.8.2)
dx
dn
u kojem je D difuzijska konstanta, a promjena (gradijent) gustoe u smjeru osi x.
dx
Ako su estice nabijene (elektroni ili upljine) tada se za elektrone koji su nosioci negativnog
naboja izraz za gustou struje (struja po jedinici povrine presjeka) moe pisati u obliku:
dn
J n q Dn , (2.8.3)
dx

17
a za upljine
dp
J p q D p . (2.8.4)
dx
U izrazima (2.8.3) i (2.8.4) Dn i Dp su difuzijske konstante za elektrone, odnosno za upljine, a
q je naboj elektrona.
Difuzijska konstanta obino se odreuje mjerenjem pri nekoj temperaturi, a moe se i
izraunati ako su poznati odreeni parametri. Njeno fizikalno znaenje moe se razjasniti npr.
analizom neprekinute difuzijske raspodjele uskog impulsa elektrona u jednodimenzijskom
prostoru, slika 2.8.2.

Slika 2.8.2: Difuzijska raspodjela impulsa elektrona.

Brzina difuzije elektrona npr. u pozitivnom smjeru osi x, moe se odrediti iz raspodjele n(x)
podijeljene po dijelovima irine koja odgovara duini srednjeg slobodnog prevaljenog puta
(nema sudara s drugim elektronima), slika 2.8.3.

Slika 2.8.3: Podjela difuzijske raspodjele elektrona po dijelovima duine .

Elektronima u dijelu 1 pripisuje se jednaka vjerojatnost gibanja lijevo i desno, a u srednjem
slobodnom vremenu jedna polovina tih elektrona dospjet e u dio 2. Isti zakljuak i
razmatranje moe se primijeniti na dio 2. Rezultantni broj elektrona koji prelaze podruje s
lijeve i desne strane od toke x0 iznosi:

18
 1 1
n 1 A n 2 A (2.8.5)
2 2
gdje je A povrina presjeka kroz koji prolaze elektroni.
Brzina protjecanja elektrona po jedinici povrine u smjeru osi +x jednaka je:

n (x) n1 n 2 (2.8.6)
2
Budui da je srednji slobodni put upravo mala diferencijalna duina, razlika u gustoi
elektrona n1 - n2 moe se izraziti u obliku derivacije:
n 1 n 2 n ( x ) n ( x x )
. (2.8.7)
x
Za male priraste x (tj. male vrijednosti srednjeg slobodnog puta prije rasprenja zbog
meusobnog sudaranja) relacija (2.8.6.) moe se pisati u obliku:
dn ( x ) .
2 2
n ( x ) n ( x x ) (2.8.8)
n (x) lim
2 x 0 x 2 dx

Veliina u izrazu (2.8.8.) oznaava se kao difuzijska konstanta (za elektrone) D n. U

2
sluaju gibanja u tri dimenzije, difuzijska konstanta u +x smjeru ima manju vrijednost.
Gustoa struje elektrona jednaka je umnoku brzine gibanja elektrona i naboja koji nose:
dn dn
J ndif q D n q D n . (2.8.9)
dx dx
Za difuzijsku gustou struje upljina moe se napisati slian izraz:
dp dp
J pdif q D p q D p . (2.8.10)
dx dx
U izrazima (2.8.9.) i (2.8.10.) uoava se suprotan predznak struje upljina i elektrona upravo
zbog suprotnog naboja koji te estice nose.

2.9. Difuzijsko i driftno gibanje

Ako se na poluvodi u kojemu postoji nejednolika raspodjela gustoe elektrona i upljina

prikljui i elektrino polje, nastaje difuzijska i driftna struja elektrona i upljina. Ukupna
struja jednaka je zbroju driftne i difuzijske sastavnice. Na slici 2.9.1. prikazana je raspodjela
gustoe elektrona n(x) i upljina p(x) s opadajuim vrijednostima u pozitivnom smjeru osi x i
prikljuenim elektrinim poljem u smjeru osi +x, te su ujedno ucrtani smjerovi odgovarajuih
sastavnica struje, slika 2.9.1.

Slika 2.9.1: Smjerovi driftne i difuzijske sastavnice struje upljina i elektrona

u poluvodiu.

19
 Prema prihvaenom dogovoru o pozitivnom smjeru elektrine struje (smjer gibanja estica
koje nose pozitivan naboj), te prema ucrtanom smjeru vektora elektrinog polja, driftna i
difuzijska struja upljina imaju pozitivan smjer. Elektroni se pod utjecajem elektrinog polja
gibaju u smjeru suprotnom onom od gibanja upljina. Kako smjeru gibanja negativnog naboja
odgovara suprotan smjer gibanja pozitivnog naboja, driftna sastavnica elektrona ima isti smjer
kao i driftna sastavnica upljina. Difuzijska struja elektrona ima suprotan smjer od onoga koji
ima difuzijska struja upljina zbog toga to su isti smjerovi difuzijskog gibanja elektrona i
upljina.
Sukladno slici 2.9.1. mogu se napisati jednadbe za gustou ukupne struje elektrona i
upljina:
dn( x )
J n ( x ) q n n( x ) E( x ) q D n (2.9.1)
dx
dp( x )
J p ( x ) q p p( x ) E( x ) q D p (2.9.2)
dx
Sukladno slici 2.9.1., zbog negativnog gradijenta gustoa, difuzijska i driftna sastavnica
struje upljina se zbrajaju, a te iste sastavnice struje elektrona se oduzimaju. Pri tome ukupna
struja moe biti struja elektrona ili struja upljina to ovisi o odnosu veliina njihovih gustoa,
o iznosu i smjeru elektrinog polja te o gradijentu gustoa upljina i elektrona.

2.10. Pokretljivost nosilaca

Na pokretljivost nosilaca u poluvodiu utjeu razliiti efekti zbog meusobnog djelovanja
nosilaca s ioniziranim atomima primjesa (ionsko rasprenje), s kristalnom reetkom (fononsko
rasprenje), te meusobnih sudara samih nosilaca.
Analiza pokretljivosti nosilaca moe se provesti po njenim sastavnicama, a pri tome se svaka
sastavnica odnosi na odgovarajui efekt rasprenja. Uglavnom se razmatraju tri sastavnice
pokretljivosti:
-pokretljivost odreena fononskim rasprenjem
-pokretljivost odreena ionskim rasprenjem u meusobnom djelovanju nosilaca i ioniziranih
primjesa
-pokretljivost odreena rasprenjem koje je posljedica meusobnih sudara nosilaca
Za odreivanje pokretljivosti elektrona i upljina, ako se razmatra samo utjecaj gustoe
primjesa pri temperaturi T = 300 K, moe se upotrijebiti izraz naveden u literaturi 5:
maks - min
=
+ min
N (2.10.1)
1+
N ref

u kojemu je N ukupna gustoa svih ioniziranih primjesa, a vrijednost parametara min, maks,
i Nref dane su u tablici 2.10.1. 6.

nosilac
N ref cm 3
maks cm 2 V 1s 1 min cm 2 V 1s 1

elektron 1.121017 1430 80 0.72

upljina 2.231017 460 45 0.72

20
Tablica 2.10.1: Parametri za odreivanje pokretljivosti nosilaca u siliciju u ovisnosti o
gustoi primjesa, T = 300 K.

2.12. Einsteinova relacija; odnos pokretljivosti nosilaca i difuzijske konstante

Relacija koja povezuje pokretljivost nosilaca naboja i difuzijsku konstantu moe se dobiti
analizirajui gibanje naboja u poluvodiu u kojem gustoa primjesa nije jednoliko
raspodijeljena (nehomogeni poluvodi), a poloaj Fermijeve razine u zabranjenoj vrpci nije
stalan. Na slici 2.12.1. prikazane su energijske razine za nedegenerirani nehomogeni
poluvodi n-tipa u kojemu je gustoa donora na lijevom kraju (x=0) vea od one na desnome
kraju (x=w), ND0> NDW.

Slika 2.12.1: Energijske razine u nehomogenom poluvodiu n-tipa u ravnotei.

Zbog gradijenta gustoe u nehomogenom poluvodiu postoji elektrino polje iji je smjer
djelovanja suprotan difuzijskom gibanju nosilaca.
U uvjetima ravnotee ukupna struja u nehomogenom poluvodiu je jednaka nitici:
dn 0
J n q n0 n F q Dn 0 (2.12.1)
dx
dp 0
J p q p0 p F q D p 0. (2.12.2)
dx
Ravnotena gustoa elektrona n0, u homogenom nedegeneriranom poluvodiu n-tipa odreena
je izrazom:
E Ef
n 0 N C exp C , (2.12.3)
kT
koji se moe primijeniti i na nehomogeni poluvodi, a razlika energijskih razina E C - Ef se
izrazi u ovisnosti o koordinati x s pomou potencijalne energije elektrona:
E C E f q U ( x ) (2.12.4)
gdje je (-q) naboj elektrona, a U(x) elektrini potencijal, slika 2.12.2.

21
 Slika 2.12.2: Energijske razine u nehomogenom poluvodiu n-tipa.
Izraz (2.12.3) moe se, dakle, prikazati u obliku:
q U( x )
n 0 N C exp (2.12.5)
k T
iz kojega proizlazi i gradijent gustoe n0 po koordinati x:
dn 0 q q U ( x ) dU( x ) q dU ( x )
N C exp n0 . (2.12.6)
dx kT k T dx k T dx
Uvrtavanjem izraza (2.12.6) u (2.12.1), te zamjenom polja F negativnom derivacijom
potencijala po udaljenosti,
dU( x )
F , (2.12.7)
dx
dobiva se jednadba:
dU( x ) q dU( x )
q n0 n q Dn n0 0, (2.12.8)
dx k T dx
iz koje, nakon kraenja istovrsnih veliina, proistjee poznata Einsteinova relacija,
kT
n Dn , (2.12.9)
q

kojom je iskazana meusobna povezanost karakteristinih parametara za dva mehanizma

provoenja struje u poluvodiima: drifta (preko pokretljivosti nosilaca) i difuzije (preko
difuzijske konstante).
Veliina kT/q = UT ima dimenziju volt pa se naziva naponski temperaturni ekvivalent. U T je
po brojanoj vrijednosti jednak energijskom temperaturnom ekvivalentu ET; naravno, razlika
je u jedinicama: UT se iskazuje u voltima, a ET u elektronvoltima. Pri temperaturi T = 300K
naponski temperaturni ekvivalent iznosi UT = 25.9mV.
Na isti nain izvodi se Einsteinova relacija za upljine:
kT
p Dp . (2.12.10)
q

Promatra li se raspodjela potencijala u nehomogenom poluvodiu u ravnotenom stanju s

energijskim razinama prikazanim na slici 2.12.2., u toki x = 0, ravnotena gustoa elektrona
iznosi n00, a u toki x = w, n0w. Za potencijal u toki x = w moe se uzeti vrijednost nula (ako
se ta toka odabere kao ishodina ili uzemljenje), a u toki x = 0 neka je vrijednost potencijala
U0. Prema tome definirane su granice integracije izraza (2.12.6):

22
 n 0
k T 0 w dn 0
q n00 n 0 dU( x )
(2.12.11)
U0

iz kojeg proistjee vrijednost za potencijal Uk:

kT n D n
Uk ln 00 n ln 00 . (2.12.12)
q n 0W n n 0w
Sukladno primijenjenom postupku moe se napisati izraz za potencijal na bilo kojem mjestu x
du poluvodia:
Dn n
Ux ln 0 x . (2.12.13)
n n 0w
Na slici 2.12.3. prikazana je raspodjela potencijala po cijeloj duini poluvodia.

Slika 2.12.3: Raspodjela potencijala u nehomogenom poluvodiu.

Potencijal u toki x = 0 je pozitivan prema vrijednosti u toki x = w koja je uzemljena, jer su
neki elektroni zbog gradijenta gustoe difuzijom preli na desni kraj poluvodia. Daljnja
difuzija elektrona je zaustavljena uspostavljenim elektrinim poljem koje djeluje suprotno
njihovom gibanju tako da je struja u poluvodiu jednaka nitici.
Dakle, iako je nehomogeni poluvodi u ravnotenom stanju prema vani elektriki neutralan, u
njemu je izmeu bilo kojih dviju toaka uspostavljena potencijalna razlika, koja ovisi o
gustoi istovrsnih nosilaca u tim tokama. to je razlika (prijelaz) u gustoi vea to je i
potencijalna razlika vea. Najvea vrijednost potencijalne razlike postie se naglim prijelazom
iz podruja n-tipa u podruje p-tipa poluvodia. Za takvo nehomogeno poluvodiko
ustrojstvo, poznato pod nazivom pn spoj moe se rei da je temelj svekolike poluvodike
elektronike.

2.14. Vrijeme ivota i ponitavanje (rekombinacija) nosilaca

Ako se poluvodi, u kojemu je ravnotena gustoa vodljivih nosilaca n 0 i p0, obasja
svjetlou odreene energije h ( je frekvencija fotona, a h Planckova konstanta) koja je
priblino jednaka irini zabranjene vrpce dolazi do fotogeneracije elektron-upljina parova.
Posljedica te pojave je poveana gustoa vodljivih nosilaca u poluvodiu. Uklanjanjem izvora
svjetla, nastala poveana gustoa s vremenom opada u procesu meusobnog ponitavanja, tzv.
rekombinacije elektrona i upljina, teei prvobitnoj ravnotenoj gustoi n 0 odnosno p0.
Nastajanje (generacija) i nestajanje (rekombinacija) fotogeneriranih (ekscesnih) nosilaca
moe se razmatrati odvojeno za upljine, a odvojeno za elektrone. Npr. u poluvodiu n-tipa,
djelovanjem svjetlosne energije, gustoa manjinskih upljina porast e od ravnotene
vrijednosti p 0 n na p 0n , slika 2.14.1., a glavnih od n 0n na n 0 n . Broj fotogeneriranih

23
elektrona n 0 n n 0 n zanemariv je prema broju n0n u poluvodiu n-tipa, pa se moe smatrati da
je ravnotena gustoa glavnih nosilaca naboja ostala nepromijenjena.

Slika 2.14.1: Poluvodi n-tipa pod utjecajem svjetla.

Nakon prestanka djelovanja svjetla fotogenerirane manjinske upljine rekombiniraju se
okruene velikim brojem elektrona. Viak gustoe upljina, p 0 n p 0 n , opada po
eksponencijalnom zakonu s vremenskom konstantom p koja se zove vrijeme ivota upljina,
slika 2.14.2.
t
p n p 0 n ( p 0 n p 0 n ) exp . (2.14.1)
p

Slika 2.14.2: Ponitavanje fotogeneriranih upljina u ovisnosti o vremenu

u poluvodiu n-tipa.
Ista zakonitost raspodjele vrijedi i za ekscesne manjinske elektrone u poluvodiu p-tipa:
t
n n n 0 n ( n 0 n n 0 n ) exp . (2.14.2)
n

Parametar n je vrijeme ivota manjinskih elektrona u poluvodiu p-tipa.

Deriviranjem izraza (2.14.1) dobiva se brzina promjene gustoe ekscesnih manjinskih upljina
u poluvodiu n-tipa:
dp n p p 0n t p p 0n
0n exp n . (2.14.3)
dt p p p

Predznak (-) u izrazu (2.14.3) oznaava opadanje gustoe, odnosno ponitavanje ili
rekombinaciju upljina.
Vrijeme ivota manjinskih nosilaca nije stalna veliina ve ovisi o gustoi primjesa u
poluvodiu. Na temelju provedenih mjerenja za silicijski poluvodi 8 izvedene su empirijske
relacije za odreivanje vremena ivota manjinskih nosilaca.
p0
p
Za upljine u poluvodiu n-tipa: N , (2.14.4)
1 D
N 0D

24
gdje je p0 = 3.5210-5 s, N0D = 7.11015 cm-3 (T = 300 K).
n0
n
Za elektrone u poluvodiu p-tipa: N , (2.14.5)
1 A
N 0A
gdje je n0 = 1.710-5 s, N0A = 7.11015 cm-3 (T = 300 K).

2.15. Jednadba kontinuiteta

Naelna dinamika svojstva vodljivih nosilaca naboja u poluvodiu su: gibanje pod
utjecajem elektrinog polja (drift), gibanje od podruja visoke gustoe prema mjestu niske
gustoe (difuzija), te nestajanje nosilaca (rekombinacija). Promjena gustoe nosilaca u
jedinici vremena dana je jednadbom kontinuiteta koja ukljuuje sva tri navedena efekta
preko pripadajuih karakteristinih parametara: vrijeme ivota, difuzijske konstante i
pokretljivosti nosilaca.
Za generirane upljine u poluvodiu n-tipa jednadba kontinuiteta ima oblik:
p n p p 0n 2pn p
n Dp F p n , (2.15.1)
t p x 2
x

koji se u odreenim uvjetima moe svesti na jednostavnije diferencijalne jednadbe. Npr. ako
se pretpostavi da u poluvodiu nema elektrinog polja, (F = 0), te ako je gustoa upljina
p
stalna s obzirom na koordinatu x, ( n 0 ), izraz (2.15.1) svodi se na (2.15.3) s rjeenjem
x
(2.15.2). Ako se poluvodi razmatra u stacionarnom ravnotenom stanju (nema promjene
p
gustoe s obzirom na vremensku varijablu, ( n 0 ), te ako se zanemari utjecaj elektrinog
t
polja, (F = 0), dobiva se diferencijalna jednadba (2.15.2) koja ukljuuje efekt rekombinacije i
difuzije.
d 2 p n p n p 0n
. (2.15.2)
dx 2 Dp p

Netona bi bila pretpostavka da je elektrino polje jednako nitici, (F = 0), jer ako postoji
gradijent gustoe u poluvodiu, postoji i elektrino polje. Ali utjecaj uspostavljenog
elektrinog polja moe se zanemariti u odnosu prema utjecaju difuzije na manjinske upljine u
poluvodiu n-tipa:
Ope rjeenje jednadbe (2.15.2) koja se naziva difuzijska jednadba je oblika:
x x
p n p 0 n A 1 exp A 2 exp , (2.15.3)
Lp Lp

gdje je oznaka Lp uvedena za izraz D p p , a oznaava difuzijsku duinu upljina. Konstante

A1 i A2 nuno je odrediti iz rubnih uvjeta za poluvodiko ustrojstvo koje se razmatra.
Isti izraz vrijedi i za elektrone u poluvodiu p-tipa:
x x
n p n 0 p B1 exp B 2 exp , (2.15.4)
Ln Ln

25
gdje je oznaka Ln uvedena za izraz D n n , a oznaava difuzijsku duinu elektrona, a
konstante B1 i B2 su definirane rubnim uvjetima koji vrijede za dotini poluvodi.

3. PN SPOJ
3.1 Uvod
Izrazita nehomogenost poluvodia postie se tako da se monokristalu u jednom dijelu dodaje
primjesa akceptora, a drugom primjesa donora. Ta dva dijela odvojena su graninom plohom
(ravninom kompenzacije) koja se zove pn spoj ili pn prijelaz, slika 3.1.1.

Slika 3.1.1: Prikaz pn spoja.

Netona bi bila tvrdnja da se pn spoj moe nainiti jednostavnim spajanjem poluvodia p i n
tipa, kao to bi se moglo pomisliti na temelju slike 3.1.1. Dodir (kontakt) p i n tipa poluvodia
mogue je jedino ostvariti posebnim tehnolokim metodama odnosno postupcima planarne
tehnologije na siliciju. Tri su standardna postupka planarne tehnologije:
epitaksijalni rast,
difuzija primjesa,
ionska implantacija.
Epitaksijalni rast (krae epitaksija) je tehnoloki postupak rasta monokristalnog sloja na
monokristalnoj podlozi. Potom slijedi postupak termike oksidacije kako bi se stvorio tanki
zatitni sloj silicijevog dioksida SiO2, slika 3.1.2.

26
 Slika 3.1.2: pn spoj dobiven epitaksijalnim rastom n tipa na podlozi p tipa.
Kada su epitaksijalni sloj i podloga od istog materijala tada je to homoepitaksijalni,
autoepitaksijalni ili izoepitaksijalni rast. Ako je podloga razliita od epitaksijalnog sloja tada
je to heteroepitaksijalni rast. Za pokretanje procesa epitaksijalnog rasta potrebna je energija
od 1.6 do 1.9 eV (aktivacijska energija), a brzina samog rasta ovisi o temperaturi.
Difuzija primjesa je osnovni tehnoloki postupak dobivanja pn spoja koji se obavlja na
visokoj temperaturi u zatvorenom sustavu (difuzijskim peima). Za razliku od epitaksijalnog
rasta difuzija primjesa je selektivan proces jer se obavlja na tono odabranim mjestima na
poluvodiu kroz otvor (prozore) u oksidnom sloju na povrini silicija. Na slici 3.1.3. prikazan
je tipian pn spoj dobiven difuzijom primjesa donora u podlogu p tipa.

Slika 3.1.3: pn spoj dobiven difuzijom primjesa.

Ionska implantacija je niskotemperaturan tehnoloki postupak koji se obavlja uz potencijalnu
razliku (100 kV) pri kojoj je omogueno prodiranje iona kroz povrinu vrstog tijela. Pri
tome implantirani ioni oteuju kristalnu reetku, a nastala oteenja se mogu ukloniti
kaljenjem na odreenoj temperaturi (npr. za silicij temperatura iznosi oko 600 oC).
Raspodjela (profil) primjesa u blizini ravnine kompenzacije ovisi o postupku planarne
tehnologije a redovito je neka sloena matematika funkcija. Npr. raspodjela primjesa u
difuzijskom procesu moe se opisati funkcijom pogreke i Gaussovom normalnom funkcijom.
Teorijska razmatranja obino se aproksimiraju skokovitim i linearno-postupnim pn
prijelazom.

3.2. Skokoviti pn prijelaz

Izrazita nejednolikost (nehomogenost) raspodjele primjesa u poluvodiu postie se naglim
prijelazom iz podruja p-tipa u podruje n-tipa, slika 3.2.1.

Slika 3.2.1: Skokoviti pn prijelaz.

27
P strana je jednoliko oneiena atomima akceptora, a n strana atomima donora, a na prijelazu
izmeu ta dva homogena podruja razlika u gustoi donora i akceptora mijenja se skokovito.
Ravnotene gustoi nosilaca na p strani su p0p i n0p, a na n strani su p0n i n0n, slika 3.2.2.

Slika 3.2.2: Zamiljeno neravnoteno stanje pn spoja.

U zamiljenom neravnotenom stanju pn spoja, Fermijeve razine na p i n strani nisu
izjednaene. Lijevo i desno od granine ravnine, (x = 0), velika je razlika u gustoi istovrsnih
nosilaca p0p i p0n, te n0n i n0p. Posljedica je difuzijsko gibanje upljina iz p u n stranu, a
elektrona iz n u p stranu. Ravnoteno stanje nastaje kada se uspostavi kontaktna energetska
barijera Ek, a Fermijeve razine izjednae na jednoj i drugoj strani pn spoja, slika 3.2.3.

Slika 3.2.3: Energijski dijagram pn spoja u ravnotei.

Sukladno slici 3.2.3. potencijalna energija na barijeri moe se izraziti kao:
Ek q U k q n q p (3.2.1)
Kontaktna se barijera uspostavlja zbog difuzijskoga gibanja upljina iz p strane u n stranu, a
elektrona iz n strane u p stranu. U okoliu granine ravnine pn spoja nastaje podruje koje
zbog pojave ponitavanja oskudijeva slobodnim nosiocima, a postoje samo nepokretni ioni
akceptora s negativnim nabojem i donora s pozitivnim nabojem. To podruje, ovisno o gustoi
primjesa, zadire nesimetrino u p i n stranu i naziva se pn barijera, prijelazni sloj, dvosloj ili
osiromaeno podruje, a sjedne i druge strane omeeno je neutralnim podrujima p i n strana,
sl. 3.2.4.

28
 neutralno neutralno
podruje podruje

Slika 3.2.4: Podruje barijere pn spoja u ravnotei.

Uspostavljeno elektrino polje F ima smjer od pozitivnih atoma donora prema negativnim
akceptorima i zaustavlja prijelaz veinskih nosilaca tj. elektrona u p stranu i upljina u n
stranu, ali istodobno omoguava prijelaz manjinskih nosilaca (za njih barijera ne postoji), tj.
elektrona iz p strane u n stranu i upljina iz n strane u p stranu. Budui da je za pn spoj u
ravnotei ukupna struja elektrona, odnosno upljina, jednaka nitici, uspostavljeno elektrino
polje omoguava protjecanje difuzijske struje veinskih upljina iz p strane, I Dp, koja
ponitava driftnu struju manjinskih upljina iz n strane, ISn. Isto tako driftna sastavnica
manjinskih elektrona iz p strane, ISp, ponitava difuzijsku struju veinskih elektrona iz n strane
IDn, slika 3.2.3. Takvo ravnoteno dinamiko stanje definirano je jednadbama:
I Dn I Sn 0 , (3.2.2)
I Dp I Sp 0 . (3.2.3)

3.2.1. Kontaktni potencijal

Izmeu neutralne n strane i neutralne p strane je prijelazno podruje u kojem postoji
intrinsina ravnina 1 . U toj ravnini, koja se za nesimetrian pn spoj ne poklapa s ravninom pn
spoja, ispunjen je uvjet q = 0 i intrinsina Fermijeva razina je jednaka Fermijevoj razini
kroz prijelazno podruje, slika 3.2.1.1.

Slika 3.2.1.1: Uz definiciju podruja barijere pn spoja.

Kontaktna energijska barijera proporcionalna je kontaktnom potencijalu (razlici potencijala
izmeu p i n strane pn spoja u ravnotenim uvjetima):
E k q U k . (3.2.1.1)
Iznos kontaktnog potencijala Uk moe se odrediti iz uvjeta termike ravnotee (npr. za
gustou struje elektrona, Jn = 0):

11
P. Biljanovi, Poluvodiki elektroniki elementi, kolska knjiga Zagreb 1996. str. 191.

29
 dn 0
0 q n0 n F q Dn , (3.2.1.2)
dx
D n dn 0
F , (3.2.1.3)
n n 0 dx

d k T dn 0
F . (3.2.1.4)
dx q n 0 dx
Integraciju diferencijalne jednadbe (3.2.1.4) potrebno je provesti u granicama koje odreuje
podruje barijere: od x = -xp do od x = xn, slika 3.2.1.1.
k T n (x )
( x n ) ( x p ) ln 0 n . (3.2.1.5)
q n 0 (x p )

Ako su svi donori i akceptori ionizirani izraz (3.2.1.5) moe se pisati u obliku:
k T N N
( x n ) ( x p ) U k ln A 2 D , (3.2.1.6)
q ni
gdje je: n 0 ( x n ) N D i n 0 ( x p ) N A .

3.2.2. irina barijere

irina barijere pn spoja u ravnotenom stanju ovisi o gustoi primjesa N D i NA, a moe se
odrediti rjeenjem Poissonove jednadbe koja uz zanemarenje gustoa slobodnih elektrona i
upljina u odnosu prema gustoama ioniziranih donora i akceptora ima oblik:
d 2 dF ( x )
, (3.2.2.1)
dx 2 dx
u kojoj je (x) gustoa naboja u podruju barijere, a permitivnost (dielektrika konstanta)
materijala.
Za podruje barijere od -xp do 0 Poissonova se jednadba moe pisati u obliku:
d 2 q NA
, (3.2.2.2)
dx 2

a za podruje od 0 do xn:
d 2 q N D
2 . (3.2.2.3)
dx
Integriranjem jednadbe (3.2.2.2) dobiva se:
q NA
F( x ) x K1 . (3.2.2.4)

Uz rubni uvjet F(-xp) = 0, konstanta K1 iznosi:

30
 q NA xp
K1 , (3.2.2.5)

te se (3.2.2.4) moe pisati u obliku:
d q NA
F( x ) (x xp ) . (3.2.2.6)
dx
Za podruje od 0 do xn, jakost elektrinoga polja dana je izrazom:
d q N D
F( x ) (x xn ) . (3.2.2.7)
dx
U toki x = 0 elektrino polje ima maksimalnu vrijednost:
q ND xn q NA xp
Fm . (3.2.2.8)

Integriranjem izraza (3.2.2.6) i (3.2.2.7) dobiva se funkcija raspodjele potencijala u podruju
barijere:
q N A x2
x p x K 2 , (3.2.2.9)
2

q N D x 2
x n x K 3 . (3.2.2.10)
2

Ako se odabere jedna strana barijere kao ishodina (npr. (-xp) = p = 0), za konstante K2 i K3
dobiva se:
2
q N A xp
K2 K3 . (3.2.2.11)
2
Konstante integracije K2 i K3 su jednake jer je funkcija raspodjele potencijala neprekinuta
(kontinuirana).
Vrijednost potencijala u toki x = xn iznosi:
2
q N D x 2n q N A x p
( x n ) n (3.2.2.12)
2 2
i jednaka je kontaktnom potencijalu Uk.
Uz uvjet:
ND xn N A xp (3.2.2.13)
kojim se izrie elektrina neutralnost cjeline pn spoja, mogu se odrediti irine barijere xn i xp:
2 Uk NA
xn , (3.2.2.14)
q N D (N A N D )

2 Uk ND
xp . (3.2.2.15)
q N A (N A N D )

Ukupna irina barijere jednaka je:

31
 2 U k (N A N D )
d B x n ( x p ) . (3.2.2.16)
q NA ND

Iz uvjeta neutralnosti N D x n N A x p , izravno proistjee zakljuak: ako je jedna strana pn

spoja vie oneiena, barijera se protee na slabije oneienu stranu (jednostrani pn spoj).
Npr ako je NA>>ND, irina barijere je:
2 Uk
dB xn . (3.2.2.17)
q ND

Provedeni postupak rjeavanja jednodimenzijske Poissonove jednadbe za podruje barijere

pn spoja ilustriran je crteom 3.2.2.1. :

Slika 3.2.2.1: Ilustracija rjeenja Poissonove jednadbe za pn spoj.

3.2.3. PN spoj s prikljuenim naponom

irina podruja barijere pn spoja moe se mijenjati promjenom iznosa i polariteta
prikljuenog napona, slika 3.2.3.1.

32
 Slika 3.2.3.1: Polarizacija pn spoja.
Promjena irine podruja barijere pn spoja izravna je posljedica promjene napona na barijeri
UB, koji je jednak kontaktnom naponu Uk i njemu superponiranom vanjskom naponu U. U
uvjetima propusne polarizacije napon na barijeri je umanjen upravo za iznos prikljuenog
napona U:
UB Uk U , (3.2.3.1)
a pri nepropusnoj polarizaciji je povean, slika 3.2.3.2.
UB Uk U , (3.2.3.2)

Slika 3.2.3.2: Promjena visine barijera (napona UB) u ovisnosti

o polaritetu prikljuenog napona U.
Djelovanjem prikljuenog napona pn spoj prelazi iz ravnotenog u neravnoteno stanje. Pri
propusnoj polarizaciji veinski nosioci pojaano prelaze barijeru na onu stranu gdje su u
manjini (upljine iz p strane na n stranu, a elektroni iz n strane na p stranu), stoga se taj proces
naziva utiskivanje (injekcija) manjinskih nosilaca. Gustoa utisnutih nosilaca uz rubove
barijere ovisi o iznosu prikljuenog napona (poveana je u odnosu prema ravnotenoj
manjinskoj gustoi) i postupno se smanjuje prema krajevima p i n strane, zbog efekta
rekombinacije, teei ravnotenim manjinskim gustoama, slika 3.2.3.3.

Slika 3.2.3.3: Gustoa manjinskih nosilaca u uvjetima propusne polarizacije pn spoja.

Dakle, stalno postoji gradijent gustoe s posljedicom difuzijske struje u pn spoju. U uvjetima
nepropusne (reverzne) polarizacije veinski nosioci ne mogu prelaziti barijeru pa tee struja
manjinskih nosilaca (upljina iz n strane i elektrona iz p strane). Gustoe tih nosilaca uz

33
rubove barijere su manje od ravnotenih, ali prema krajevima p i n strane tee ravnotenim
razinama, slika 3.2.3.4.

Slika 3.2.3.4: Gustoa manjinskih nosilaca u uvjetima nepropusne polarizacije pn spoja.

U ravnotenom stanju pn spoja zamiljene se struje difuzije i drifta meusobno ponitavaju
(Jn= 0, Jp= 0). Iznosi gustoa tih struja su za nekoliko redova veliina vee od gustoe struje
polariziranog (propusno ili nepropusno) pn spoja. Pritom su naponi propusne polarizacije
umjerenih vrijednosti, a neravnoteno stanje pn spoja moe se smatrati priblino ravnotenim
(kvaziravnotenim), te se mogu primjeniti i uvjeti ravnotee: Jn= 0, Jp= 0:
dn
Jn 0 q n n F q Dn . (3.2.3.3)
dx
Uz pretpostavku da je cijeli narinuti vanjski napon U na samoj barijeri pn spoja, ukupni napon
barijere pri propusnoj polarizaciji jednak je UB= Uk- U. Razlika potencijala u tokama -xp i xn,
slika 3.2.3.5., iznosi:
k T n( x p )
( x p ) ( x n ) p n ln . (3.2.3.4)
q n( x n )

Slika 3.2.3.5: Uz definiciju potencijala na rubovima barijera pn spoja.

Budui da je:
p n U Uk (3.2.3.5)
za prikljueni napon U moe se pisati izraz:
kT n( x p ) k T N N
U ln ln A 2 D (3.2.3.6)
q n( x n ) q ni
U uvjetima niske injekcije (gustoa manjinskih nosilaca mnogo je manja od ravnotene
gustoe veinskih nosilaca), odnos ravnotene gustoe manjinskih elektrona i veinskih
upljina na p strani dan je relacijom:
n 2i
n 0 ( x p ) n 0p (3.2.3.7)
NA
pa se (3.2.3.6) moe pisati kao:

34
 k T kT k T k T
U ln n( x p ) ln n( x n ) ln N D ln n 0 p . (3.2.3.8)
q q q q

Ako se pritom uzme u obzir jednakost oznaka:

n( x n ) n 0 n N D
(3.2.3.9)
n( x p ) n p 0
dobiva se relacija koja povezuje ravnotenu gustou manjinskih nosilaca (elektrona), gustou
elektrona uz rub barijere -xp i narinuti vanjski napon U:
q
n p 0 n 0 p exp U . (3.2.3.10)
kT

Za upljine uz rub barijere xn vrijedi ista veza s ravnotenim manjinskim upljinama na n

strani:
q
p n 0 p 0 n exp U . (3.2.3.11)
kT

Relacije (3.2.3.10) i (3.2.3.11) znaajne su pri odreivanju rubnih vrijednosti gustoa uz

barijeru pn spoja u uvjetima niske injekcije.

3.2.5. Barijerni (tranzitni) kapacitet; kapacitet dvosloja

U podruju barijere pn spoja gustoe nosilaca su malene (osiromaeno podruje), a
dominiraju nepokretni negativni ioni akceptora na p strani i pozitivni donori na n strani. Cijeli
taj prostor ima karakteristike dielektrika na koji se s obje strane nastavljaju relativno dobro
vodljiva neutralna p i n podruja, tvorei tako ustrojstvo sa svojstvom kapacitivnosti
analognoj kapacitivnosti ploastog kondenzatora. Zbog nepropusne polarizacije ioniziraju se
akceptori i donori, iri se podruje barijere i mijenja barijerni kapacitet. Kapacitet po jedinici
povrine odreen je izrazom:
dQ
CT , (3.2.5.1)
dU
gdje je Q naboj po jedinici povrine, a U je narinut napon na barijeri pn spoja.
Na n strani Q iznosi:
Q q N D xn . (3.2.5.2)
Uvrtavanjem izraza
2 (U k U ) NA
xn (3.2.5.3)
q N D (N A N D )

u jednadbu (3.2.5.2) dobiva se:

2 NA
Q q ND (U k U ) (3.2.5.4)
q N D (N A N D )

iz ega, sukladno definicijskom izrazu (3.2.5.1) proistjee relacija za barijerni kapacitet pn

spoja:
q NA ND
CT , (3.2.5.5)
2 (U k U ) (N A N D )

35
koja se moe pisati u skraenom obliku:
C T0
CT
U (3.2.5.6)
1
Uk

gdje je:
q NA N D
C T0 . (3.2.5.7)
2 U k (N A N D )

Kombinirajui izraz za irinu podruja barijere:

2 N ND
d 2B (U k U ) A (3.2.5.8)
q NA ND
s relacijom (3.2.5.5) dobiva se jednostavan izraz:

CT , (3.2.5.9)
dB

koji je upravo jednadba za odreivanje kapaciteta po jedinici povrine ploastoga

kondenzatora. Dakle, prema dobivenom izrazu (3.2.5.9), moe se povui formalna analogija
izmeu ploastog kondenzatora i podruja barijere pn spoja.
Relacija za CT (3.2.5.5) izvedena je na temelju odreenih aproksimacija koje vrijede za pn
barijeru u uvjetima nepropusne polarizacije, a koje su sadrane u pretpostavci nepokrivenosti
nepokretnog naboja (osiromaenosti podruja barijere) i protenosti prikljuenoga napona
iskljuivo na podruje barijere (zbog zanemarivo malog pada napona izvan podruja barijere).
Pri propusnoj polarizaciji navedene su pretpostavke priblino tone (npr. moe se uzeti da je
vei dio napona na barijeri iako postoji pad napona, zbog protjecanja struje, i izvan podruja
barijere), te se izraz (3.2.5.5) moe upotrijebiti uz odreeni oprez. Npr. pri naponu U = U k
dobiva se za CT neizmjeran iznos, ali to ne odgovara izmjerenoj vrijednosti na karakteristici
CT = f(U) na slici 3.2.5.1.:

Slika 3.2.5.1: Ovisnost barijernoga kapaciteta o naponu:

a) teorijska karakteristika,
b) izmjerena karakteristika.

36
3.2.7. Odnos struje i napona pn spoja
Uz prikljueni napon U kojim je pn spoj propusno polariziran, poveava se koncentracija
upljina na rubu barijere n strane i elektrona na rubu barijere p strane, slika 3.2.7.1.

Slika 3.2.7.1: Rubne vrijednosti poveanih gustoa nosilaca uz barijeru.

Poviene gustoe ekscesnih nosilaca iznose:
q U
n'( x p ) n( x p ) n 0 ( x p ) n 0 ( x p ) exp 1 , (3.2.7.1)
k T

qU
p'( x n ) p( x n ) p 0 ( x n ) p 0 ( x n ) exp 1 . (3.2.7.2)
k T

Izrazi (3.2.7.1) i (3.2.7.2) mogu se upotrijebiti kao rubni uvjeti pri odreivanju gustoe struje
elektrona u p strani i upljina u n strani pn spoja. Drugi rubni uvjet je iznos gustoe na
krajevima pn spoja: p'(xcn) = 0; n'(-xp) = 0.
Ope rjeenje jednadbe kontinuiteta za ekscesne upljine u podruju od xn do xcn ima oblik:
x x
p'( x ) A exp B exp . (3.2.7.3)
Lp Lp

Uvrtavanjem rubnih uvjeta u (3.2.7.3) dobiva se:

x x
p'( x x ) A exp n B exp n , (3.2.7.4)
Lp Lp

x x
0 A exp cn B exp cn . (3.2.7.5)
Lp Lp

Iz sustava jednadbi (3.2.7.4) i (3.2.7.5) mogu se odrediti konstante A i B, te izraz za p'(x):

x x
p 0 ( x n ) sh cn
Lp q U
p'( x ) exp 1 . (3.2.7.6)
x xn k T
sh cn
Lp

Gustoa struje upljina na n strani odreena je njenom difuzijskom sastavnicom:

dp( x ) dp'( x )
J p q D p q D p , (3.2.7.7)
dx dx

37
gdje je
dp( x ) dp '( x )
. (3.2.7.8)
dx dx
Jednakost (3.2.7.8) proistjee iz relacije p(x) = p'(x) + pon, slika 3.2.7.2.

Slika 3.2.7.2: Gustoa upljina na n strani pn spoja.

Uvrtavanjem (3.2.7.6) u (3.2.7.7) dobiva se izraz za gustou struje upljina na n strani pn
spoja:
x x
q p 0 ( x n ) D p ch cn
Lp q U
J p (x) exp 1 . (3.2.7.9)
x xn kT
Lp sh cn
Lp

U toki x = xn gustoa te struje jednaka je:

q p 0 (x n ) D p q U
J p (x n ) exp 1
x cn x n k T . (3.2.7.10)
L p th
Lp

Gustoa difuzijske struje elektrona u toki x = -xp jednaka je:

q n 0 ( x p ) D n q U
J n ( x p ) exp 1
x cp x p k T . (3.2.7.11)
Ln th
Ln
Ukupna gustoa struje je, dakle:
J J p ( x n ) J n ( x p ) , (3.2.7.12)
odnosno


q n 0 ( x p ) D n q p 0 (x n ) D p q U
J exp k T 1 . (3.2.7.13)
x cp x p x x
L n th L p th cn n

Ln Lp

38
Ako se u (3.2.7.13) uvedu supstitucije:
n 2i n2
n 0 ( x p ) ; p 0 ( x n ) i ; x cp x p w p ; x cn x n w n ,
NA ND
dobiva se izraz:


2 Dn Dp q U
J q ni exp k T 1 , (3.2.7.14)

L n N A th
wp w
L p N D th n
Ln L
p

koji se obino pie u jednostavnijem obliku poznatom kao Shockleyjeva jednadba:

U
I I s exp 1 (3.2.7.15)
U T
kT
gdje je I J S ; U T q , a Is reverzna struja zasienja:


Dn Dp
I s q n i S
2
. (3.2.7.16)
wp wn
L n N A th L p N D th
Ln L p

Reverzna struja zasienja sastoji se od manjinskih nosilaca i proporcionalna je njihovim

gustoama. Ukupna struja kroz pn spoj je u svakom njegovom presjeku ista, a odreena je
zbrojem difuzijske struje elektrona i upljina u dvjema razliitim tokama (J = Jp(xn) + Jp(-
xp)). Pritom je pretpostavljeno da je neposredno iza barijere na n strani struja upljina ista kao
i na rubu barijere na p strani, a to vrijedi i za struju elektrona koji ulaze na p stranu. Od ruba
barijere prema dubini p i n podruja difuzijske struje I Dp i IDn opadaju i nakon udaljenosti koja
odgovara difuzijskoj duini poprimaju male iznose, ali se pojaava struja veinskih nosilaca
IFp i IFn, tako da ukupna struja kroz pn spoj ima stalnu vrijednost, slika 3.2.7.3.

Slika 3.2.7.3: Struja i njene sastavnice propusno polariziranog pn spoja.

Ako su irine neutralnih podruja wp i wn p i n strane velike u odnosu prema difuzijskim
duinama Ln i Lp (iroka p i n strana), vrijednosti tangensa hiperbolnog priblino su jednake
jedinici:
wp wn
th 1 ; th 1,
Ln Lp

pa se izraz (3.2.7.16) svodi na jednostavniji oblik:

Dn Dp
I s q n 2i S . (3.2.7.17)
N A Ln N D Lp

39
Za wp<<Ln i wn<<Lp (uska p i n strana), funkcija tangens hiperbolni moe se aproksimirati
argumentom:
wp wp wn wn
th ; th ,
Ln Ln Lp Lp

pa izraz (3.2.7.16) poprima oblik:

Dn Dp
I s q n 2i S . (3.2.7.18)
NA wp ND wn

Shockleyjeva jednadba (3.2.7.15) opisuje strujno-naponsku karakteristiku idealnoga pn

spoja, slika 3.2.7.4., i u skladu je s izmjerenim vrijednostima za realni pn spoj tj.
poluvodiku diodu, poglavito u podruju negativnih i umjereno pozitivnih napona.

Slika 3.2.7.4: Strujno-naponska karakteristika poluvodike diode.

Reverzna struja zasienja Is, teoretski je asimptota funkcije (3.2.7.15) kad napon U , a
praktiki ona poprima konaan iznos ve pri negativnim naponima od nekoliko volti.
U podruju propusne polarizacije, struja u poetku polagano raste do napona koljena (U =
0.5V za silicijski pn spoj), a zatim naglo raste poprimajui sve vee vrijednosti.
Da bi Shockleyjeva jednadba to bolje opisivala strujno-naponsku karakteristiku stvarne
poluvodike diode, uvodi se korekcijski parametar m, ija vrijednost ovisi o struji kroz diodu,
a obino se nalazi u granicama od 1 do 2.
U
I I s exp 1 . (3.2.7.19)
m UT

3.2.9. Akumulirani naboj manjinskih nosilaca

Na slici 3.2.9.1. prikazan je nagomilani (akumulirani) naboj manjinskih upljina na irokoj n
strani pn spoja. U uvjetima niske injekcije struja upljina ima difuzijska svojstva, a njihova
gustoa pn(x) opada od ruba barijere xn prema kraju poluvodia xcn, po eksponencijalnom
zakonu:
x xn
p n ( x ) p 0 n ( p n 0 p 0 n ) exp , (3.2.9.1)
L p

gdje je p n 0 p n ( x n ).

40
 Slika 3.2.9.1: Akumulirani naboj na irokoj n strani pn spoja.
Za iroku stranu pn spoja vrijedi uvjet x cn - xn = wn >> Lp, slika 3.2.9.1. Akumulirani naboj
upljina Qp na n strani odreen je izrazom:
x cn

Qp q S p
xn
n ( x ) p 0 n dx . (3.2.9.2)

Uvrtavanjem izraza (3.2.9.1) u (3.2.9.2) dobiva se:

x cn
x xn
Q p q S ( p n 0 p 0n ) exp
xn
dx
L p
x cn
x xn
q S ( p n 0 p 0 n ) ( L p ) exp
L p
xn

x cn x n xn xn
(3.2.9.3)
q S (pn0 p 0 n ) ( L p ) exp exp
L p L p
1 4 4 2 4 4 3
0
q S (pn0 p 0n ) Lp .

Struja upljina jest difuzijska struja odreena izrazom:

dp n ( x )
I dp ( x n ) q S D p . (3.2.9.4)
dx x x n

Uvrtavanjem (3.2.9.1) u (3.2.9.4) dobiva se izraz:

q S Dp x xn
I dp ( x ) ( p n 0 p 0 n ) exp (3.2.9.5)
Lp L p

U toki x = xn struja Idp(x) iznosi:

q S Dp Qp
I dp ( x ) ( p n 0 p 0n ) , (3.2.9.6)
Lp p

gdje je p vrijeme ivota manjinskih upljina na n strani.

Na uskoj n strani x cn - xn << Lp , raspodjela manjinskih upljina priblino je linearna, slika
3.2.9.2.

41
 Slika 3.2.9.2: Akumulirani naboj na uskoj n strani pn spoja.
Jednadba pravca koji je jednoznano definiran tokama T2(xn,pn0) i T1(xcn,p0n) glasi:
p n 0 p 0n
p n ( x) p 0n ( x x cn ) . (3.2.9.7)
x n x cn
Akumulirani naboj Qp moe se odrediti prema izrazu (3.2.9.2):
x cn

Q p q S (p n0 p0n ) p
xn
n ( x ) p 0 n dx

x
( p p 0 n ) cn
x n x cn xn
q S n0 ( x x cn ) dx
(3.2.9.8)
x cn
( p n 0 p 0n ) x 2
q S wn
q S x x cn (p n 0 p0n ) .
x n x cn 2 x 2
n

Difuzijska struja upljina jednaka je:

dp n ( x ) p p 0n Q p
I pd q S D p q S Dp n0 , (3.2.9.9)
dx wn t pr

gdje je tpr vrijeme proleta manjinskih upljina kroz usku n stranu:

w 2n
t pr . (3.2.9.10)
2 Dp

3.2.11. Ovisnost reverzne struje zasienja o temperaturi

U relaciji za reverznu struju zasienja:
Dp Dn
I s q S n 2i , (3.2.11.1)
Lp n 0n Ln p 0p

temperaturna je ovisnost uglavnom sadrana u kvadratu intrisine gustoe n 2i , dok se

temperaturne promjene ostalih parametara (Dp, Dn, Lp, Ln) mogu zanemariti u odnosu prema
n 2i , pa se (3.2.11.1) moe prikazati kao umnoak neke stalne veliine koja ne ovisi o
temperaturi i intrinsine gustoe:
I k 'n 2i (3.2.11.2)
Iz izraza (3.2.11.2) moe se izvesti relativna promjena reverzne struje zasienja o temperaturi:

42
 ln I s ln k '2 ln n i , (3.2.11.3)
dI s dn E dT
2 i 3 G0 . (3.2.11.4)
Is ni ET T

3.2.12 Ovisnost struje pn spoja o temperaturi

Ovisnost struje o naponu pn spoja dana je Shockleyjevom jednadbom:
U
I I s exp 1 , (3.2.12.1)
m UT
koja se u podruju propusne polarizacije, uz uvjet U>>U T, moe prikazati u priblinom
obliku:
U E q U
I I s exp K T exp G 0
3
. (3.2.12.2)
m UT m k T

Uz stalan napon U, deriviranjem jednadbe (3.2.12.2) po temperaturi, proistjee izraz za

strujni temperaturni koeficient:
dI E U I
3 G0 . (3.2.12.3)
dT ET m U T T

3.2.13. Ovisnost napona pn spoja o temperaturi

U podruju propusne polarizacije pn spoja, uz uvjet U >> U T, za napon U moe se pisati
relacija:
k T I
U m ln , (3.2.13.1)
q Is
iz koje se, deriviranjem po temperaturi, dobiva izraz za naponski temperaturni koeficient:
dU m k I m k T 1 dI s
ln . (3.2.13.2)
dT q Is q I s dT

3.3. Linearno-postupan pn prijelaz

Za razliku od skokovitog pn prijelaza koji odgovara idealiziranoj predodbi raspodjele
naboja u podruju barijere, linearno-postupan pn prijelaz je blie stvarnoj raspodjeli naboja
posebno kod prijelaza dubljih pn spojeva.
Gustoa primjesa na p i n strani linearno-postupnog prijelaza moe se priblino prikazati s
pravcem odreenim jednadbom:
ND NA ax, (3.3.1)
u kojoj je a nagib raspodjele gustoe, slika 3.3.1.

43
 Slika 3.3.1: Raspodjela primjesa u linearno-postupnom pn prijelazu.

3.3.1. Kontaktni potencijal

Kontaktni potencijal za linearno-postupan pn prijelaz moe se odrediti na slian nain kao i
za skokoviti pn prijelaz. Budui da nagib raspodjele gustoe primjesa ima istu vrijednost na p
i n strani, to su i irine barijera p i n strane jednake pa je to simetrini pn spoj, slika 3.3.1.1.

Slika 3.3.1.1: irina barijere linearno-postupnog pn prijelaza.

Sukladno slici 3.3.1.1., irina barijere p i n strane iznosi:
dB
xp xn , (3.3.1.1)
2
a pripadajue gustoe primjesa su:
dB a
ND NA (3.3.1.2)
2
pa se kontaktni potencijal moe odrediti izravnim uvrtavanjem izraza (3.3.1.2) u izraz za
kontaktni potencijal skokovitog pn prijelaza:
ND NA a 2 d 2B
U k U T ln U T ln . (3.3.1.3)
n 2i 4 n 2i

3.3.2. Raspodjela elektrinog polja i potencijala

Za osiromaeno podruje linearno-postupnog pn prijelaza u kojemu se gustoa slobodnih
elektrona i upljina moe zanemariti u odnosu prema gustoi ioniziranih akceptora i donora,
Poissonova jednadba ima oblik:

44
 d 2 a
x . (3.3.2.1)
dx 2

Integriranjem jednadbe (3.3.2.1) u podruju
dB d
x B (3.3.2.2)
2 2
uz uvjet
d d
F 0 za x = B (3.3.2.3)
dx 2
dobiva se izraz za jakost elektrinog polja kao funkcija od x, slika 3.3.2.1 b),

a q 2 d 2B 4 x2
F( x ) x Fmaks 1 2 (3.3.2.4)
2 2 dB
gdje je Fmaks maksimalna jakost elektrinog polja:
q a d 2B
Fmaks . (3.3.2.5)
8
Nakon integracije izraza 3.3.2.4 uz rubni uvjet (x)=0 za x=0, dobiva se raspodjela
potencijala:
q a d 2B x3
( x ) x . (3.3.2.6)
2 4 3

dB
Na rubovima barijere, tj u toki x , potencijal iznosi:
2
d q a d 3B
B n , (3.3.2.7)
2 24
dB
a u toki x
2
d q a dB 3
B p . (3.3.2.8)
2 24
Razlika potencijala u tim tokama upravo je izraz za kontaktni potencijal, slika 3.3.2.1 c)
q a d 3B
U k n p . (3.3.2.9)
12
Iz sustava jednadbi 3.3.1.3 i 3.3.2.9 moe se odrediti irina podruja barijere d B i kontaktni
potencijal Uk.

45
 Slika 3.3.2.1: Raspodjelau linearno-postupno, pn prijelazu:
a) naboja, b) elektrinog polja, c) potencijala
Iz jednadbi 3.3.1.3. i 3.3.2.9. odreena je ovisnost kontaktnog potencijala o nagibu
raspodjele gustoe te grafiki prikazana na slici 3.3.2.2.

Slika 3.3.2.1: Kontaktni potencijal u ovisnosti o nagibu raspodjele gustoe za

Si pri T=300K.
Ako je na pn spoj narinut vanjski napon U tada je ukupni iznos napona potencijalne barijere
odreen relacijom:
UB UK U , (3.3.2.10)
a irina barijere dB je dana izrazom:

46
 1
12 3
dB U k U . (3.3.2.11)
q a

3.3.3. Prijelazni kapacitet CT

Ukupan naboj osiromaenog podruja linearno-postupnog pn prijelaza iznosi:
q d a dB q a dB 2
Q B . (3.3.3.1)
2 2 2 8
U skladu s opom definicijom kapaciteta (derivacija naboja po naponu) prema jednadbi
3.3.3.1 dobiva se izraz za prijelazni kapacitet CT:
dQ q S a d B dd B
CT S (3.3.3.2)
dU 4 dU
dd B
u kojemu se diferencijalni kvocijent moe odrediti iz jednadbe 3.3.2.11, pa je za
dU
kapacitet barijernog podruja izvedena relacija:
1
q a 2 3 S
CT S . (3.3.3.3)
12 U k U dB

3.4. PN spoj dobiven difuzijom primjesa

Difuzija primjesa je fizikalno identina difuziji slobodnih nosilaca (elektrona i upljina).
Jedina je razlika u masi estica i uvjetima odvijanja samog procesa. Kako je masa atoma
primjesa mnogo vea od mase slobodnih elektrona (upljina) i njihova pokretljivost je manja.
Stoga je nuno atomima primjesa dati dodatnu vanjsku energiju potrebnu za odvijanje procesa
difuzije. Ta dodatna energija je u obliku topline u toplinskim peima gdje se ploice silicija
nalaze u plinovitom oblaku primjesa na temperaturi izmeu 900 i 1200 oC. Broj atoma
primjese ogranien je najveim moguim brojem atoma koji je mogue zamjeniti u kristalnoj
reetki silicija na zadanoj temperaturi (topljivost primjese), slika 3.4.1.

47
 Slika 3.4.1: Ovisnost topljivosti primjesa u siliciju o temperaturi.
Difuzija primjese se obavlja na odabranim mjestima na povrini silicija kroz otvore (prozore)
nainjene na oksidnom sloju SiO2 kojim je presvuena cijela ploha, slika 3.4.2.

Slika 3.4.2: Difuzija primjese u silicij kroz otvor u silicijskom dioksidu.

Gustoa primjese u ovisnosti o trajanju difuzije i udaljenosti od povrine silicija odreena je
Fickovim zakonima (prvi i drugi Fickov zakon difuzije). Za difuziju samo u smjeru osi x prvi
Fickov zakon glasi:
N ( x, t )
f ( x, t ) D
x
cm -2
s 1 (3.4.1)

gdje je:
f(x,t) broj atoma primjese koji prou u jedinici vremena kroz centimetar etvorni povrine
silicija,
D difuzijska konstanta za atome primjese,
N(x,t) gustoa primjese na udaljenosti x od povrine silicija nakon vremena t od poetka
difuzije.
Drugi Fickov zakon proistjee iz difuzijske jednadbe slobodnih nosilaca u kojoj je
izostavljen lan za rekombinaciju i generaciju nosilaca jer te pojave ne postoje u procesu
difuzije primjesa:

48
 N ( x, t ) 2 N ( x, t )
t
D
x 2
cm -3

s 1 . (3.4.2)

Difuzijski proces moe tei uz stalnu povrinsku gustou primjese na povrini silicija. To je
difuzija iz neogranienog izvora ili difuzija uz stalnu povrinsku gustou.
Drugi tip je difuzija iz ogranienog izvora pri kojoj nastaje prostorna preraspodjela
(redistribucija) atoma primjese predhodno uneenih u silicij u prvom koraku difuzije
(predepoziciji).

3.4.1. Difuzija iz neogranienog izvora

Gustoa atoma primjese kao funkcija udaljenosti od povrine kristala i vremena trajanja
difuzije, pri difuziji iz neogranienog izvora, moe se odrediti pomou drugog Fickovog
zakona. Ako se kao rubni uvjet u rjeavanju parcijalne diferencijalne jednadbe (3.4.2) uzme
neograniena protenost kristala u x smjeru dobiva se izraz:
x
N ( x, t ) N 0 erfc (3.4.1.1)
2 Dt
gdje je N0 povrinska gustoa koja ujedno odgovara i topivosti primjese, a erfc je oznaka za
komplementarnu funkciju pogreake, prilog 2. Veliina D je difuzijska konstanta odreena
Arrheniusovim zakonom:
E
D D 0 exp A (3.4.1.2)
k T
gdje su parametri D0 i EA dani u tablici 3.4.1.1. za razliite primjese koje se postupkom
difuzije unose u silicij. D0 je hipotetska vrijednost od D pri termodinamikoj temperaturi
T, a EA je aktivacijska energija za odreenu primjesu.
Primjesa fosfor arsen kositar bor aluminij galij indij
D0 cm2/s 10.50 0.32 5.60 10.50 8.00 3.60 16.50
EA eV 3.69 3.56 3.96 3.69 3.47 3.51 3.90

Tablica 3.4.1.1: Vrijednosti parametara D0 i EA za razliite primjese.

Veliina D t u izrazu (3.4.1.1) ima dimenziju duine, stoga se naziva difuzijska duina
primjese. Funkcija f(x,t) iz prvog Fickovog zakona moe se odrediti uvrtavanjem izraza
(3.4.1.1) u diferencijalnu jednadbu (3.4.1) te se dobiva tok atoma primjese po Gaussovoj
funkciji raspodjele:
N0 D x2
f ( x, t )
Dt
exp
4 D t
cm 2

s 1 . (3.4.1.3)

Isto tako se moe odrediti s pomou izraza (3.4.1.1) i ukupan broj atoma primjese koji prou
kroz jedininu povrinu (1 cm2) poluvodia do trenutka t:

2 N0
Q( t ) N ( x, t ) dt

D t cm -2 . (3.4.1.4)
0

3.4.2. Difuzija iz ogranienog izvora

49
 Ukoliko je ukupan broj atoma primjese odreen izrazom (3.4.1.1) poetni (ogranieni) izvor
iz kojeg primjesa prodire dublje u obujam poluvodia, tada se prvi korak difuzije kojim je
uneena koliina Q(t) naziva predepozicija. Da bi koliina primjese Q(t) ostala
nepromjenjena, povrina silicija se prekriva slojem silicijevog dioksida SiO 2 kako bi se
onemoguilo isparavanje primjese u okolni prostor. Nakon oksidacije poluvodi se stavlja u
difuzijsku pe u kojoj pri temperaturi od oko 1000 oC primjesa prodire (difundiraja) dublje u
obujam poluvodia. To je drugi korak difuzije primjese ili redistribucija. Raspodjela gustoe
primjese kao funkcija udaljenosti x od povrine poluvodia i trajanja difuzije t odreena je
Gaussovom raspodjelom koja se dobiva rjeenjem jednadbe drugog Fickovog zakona:
Q x2
N ( x, t ) exp . (3.4.2.1)
Dt 4 D t
3.4.3. Dubina pn spoja
Odreivanje dubine pn spoja dobivenog difuzijom primjese razmotrit e se na siliciju s
jednolikom (uniformnom) gustoom primjese donora ND, u koji se difuzijom unose atomi
akceptora s raspodjelom gustoe N(x,t), slika 3.4.3.1.

Slika 3.4.3.1: Prikaz odreivanja dubine pn spoja xj.

Na mjestu spoja xj raspodjela gustoa NA(x,t) i ND su jednake:
N A ( x, t ) N D . (3.4.3.1)
Ako je difuzija primjese akceptora iz neogranienog izvora tada se poloaj x j pn spoja moe
odrediti iz uvjeta:
xj
N A 0 erfc ND , (3.4.3.2)
2 D t
gdje je NA0 gustoa akceptora na povrini silicija.
Rjeenjem jednadbe (3.4.3.2) dobiva se:
N
x j 2 D t erfc 1 D , (3.4.3.3)
N A0
-1
gdje je erfc oznaka za inverznu komplementarnu funkciju pogreke.
Na isti nain izveden je izraz za dubinu pn spoja dobivenog difuzijom primjese iz
ogranienog izvora:
QA
x j 2 D t ln . (3.4.3.4)
ND Dt

4. BIPOLARNI TRANZISTOR
4.1 Definicija i tehnoloka izvedba

50
 Naziv tranzistor nastao je kao sloenica od dvije engleske rijei: transfer resistor to u
prijevodu znai prenjeti otpor. U nazivu bipolarni tranzistor sadrana je osnovna znaajka
ovog elektronikog elementa, njegovo aktivno djelovanje (prijenos otpora) koje se temelji na
sudjelovanju obaju tipova nosilaca naboja (bipolarnih nosilaca tj. elektrona i upljina).
Bipolarni spojni tranzistor (skraenica BJT od engl. bipolar junction transistor) moe se u
naelu shvatiti kao ustrojstvo dvaju pn spojeva, tj. kao poluvodika cjelina pnp ili npn tipa u
kojoj se sredinji sloj naziva baza (oznaka B), a druga dva sloja su emiter (oznaka E) i
kolektor (oznaka C), slika 4.1.1.

Slika 4.1.1: Ustrojstvo i simbol za bipolarni spojni tranzistor:

a) pnp tip, b) npn tip.
S obzirom na tri prikljuka (emiter, baza i kolektor) postoji mogunost i vie naina
polarizacije odnosno rada tranzistora. Ako tranzistor radi kao pojaalo tada je spoj emiter-
baza propusno polariziran, a spoj kolektor-baza nepropusno. Pri tome se promjenom napona
na propusno polariziranom pn spoju, odnosno promjenom struje kroz taj spoj, mijenja i struja
kroz nepropusno polarizirani pn spoj. Ta pojava nazvana tranzistorski efekt ili bipolarno
meudjelovanje dvaju pn spojeva preko zajednikog uskog podruja baze temelji se na
mehanizmu utiskivanja (injekcije) manjinskih nosilaca iz emitera, prijenosa (tranzita) tih
nosilaca kroz bazu i sakupljanja (kolekcije) na kolektoru.
Propusno polariziranim spojem emiter-baza omogueno je utiskivanje manjinskih nosilaca iz
podruja emitera u podruje baze i obrnuto (ako se radi o npn tranzistoru tada su to elektroni
iz emitera i upljine iz baze). Kao posljedica tehnolokog postupka izvedbe tranzistora velika
je razlika u gustoi primjesa izmeu emitera i baze pa je ukupna struja praktiki jednaka struji
manjinskih nosilaca iz emitera. Kako je irina baze relativno malena (manja od difuzijske
duine manjinskih nosilaca u bazi), manji dio utisnutih nosilaca se poniti (rekombinira) u
bazi, a vei dio dospije u podruje kolektora privuen potencijalom nepropusno polariziranog
spoja kolektor baza, tvorei tako glavnu sastavnicu struje u kolektorskom podruju.
U ravnotenom stanju (uvjeti kada nema prikljuenog vanjskog napona) na spoju emiter-
baza i spoju kolektor-baza postoje samo energetske barijere zbog kontaktnog potencijala, a
Fermijeva razina je kroz cijelu kristalnu strukturu izjednaena, slika 4.1.2. a). Kako je
pretpostavljena gustoa primjese u emiteru iznad 51018cm-3, emiter je degenerirani n tip
poluvodia pa Fermijeva razina zadire u vodljivu energijsku vrpcu. Za podruje baze koja je p
tip poluvodia, Fermijeva razina je blizu valentne vrpce, a u podruju kolektora je ispod
vodljive vrpce to odgovara n tipu poluvodia s umjerenom gustoom donorske primjese.
U uvjetima normalne polarizacije (spoj emiter-baza je propusno, a spoj kolektor-baza
nepropusno polariziran), visina potencijalne barijere je umanjena na emiterskom spojitu
upravo za potencijalnu energiju odreenu naponom propusne polarizacije qUBE, a na
kolektorskom spojitu je uveana za qUCB, slika 4.1.2. b).

51
 Slika 4.1.2: Energijski i potencijalni dijagrami za npn tranzistor:
a) i d) u ravnotenom stanju,
b) i c) u stanju normalne polarizacije.
irina osiromaenog podruja na emiterskom i kolektorskom spojitu mijenja se u ovisnosti
o iznosu prikljuenog napona i njegovu polaritetu. Stoga su efektivne irine pojedinih
podruja wE, wB i wC razliite od tehnolokih dimenzija wE0, wB0 i wC0, a najizraenije su
promjene u podruju baze na spojitu kolektor-baza zbog nepropusne polarizacije tog spojita,
slika 4.1.3.

Slika 4.1.3: Definicija podruja emitera, baze i kolektora

normalno polariziranog npn tranzistora.
Tehnoloka izvedba bipolarnih spojnih tranzistora moe biti u diskretnom (jedan tranzistor)
ili u integriranom obliku (vie tranzistora ili jedan i vie tranzistora s drugim elementima na
istoj silicijskoj ploici), slika 4.1.4.

52
 Slika 4.1.4: Diskretna izvedba planarnog npn tranzistora.
Proizvodnja planarnih tranzistora temelji se na metodama planarne tehnologije na siliciju.
Na jako vodljivoj n+ monokristalnoj silicijskoj podlozi (ploici) formira se epitaksijalnim
rastom n sloj (epitaksijalni sloj). Zatim se cijela struktura podvrgava procesu oksidacije
(nanoenje sloja silicijeva dioksida), te se kroz male otvore (prozore) difuzijom iz
ogranienog izvora unosi primjesa tj. atomi akceptora formirajui tako p podruje (podruje
baze). Potom se kroz novi otvor (E) difuzijom iz neogranienog izvora formira n + podruje
emitera. Kao materijal za kontakt s pojedinim podrujima upotrebljava se aluminij jer se
dobro vezuje s oksidnim slojem, dobro odvodi toplinu i ne stvara sa silicijem ispravljaki
spoj. Aluminijski spoj s n+ podrujem, zbog velike gustoe primjese (iznad 51018cm-3) ima
omski karakter, kao i aluminijski spoj s podrujem baze koje je poluvodi p tipa. Podruje
emitera obino ima veu gustou primjesa u odnosu prema bazi, a baza u odnosu prema
kolektoru. Podruje kolektora je n tip poluvodia, ali je spojeno na aluminijski kontakt preko
n+ podruja kako bi se uklonilo ispravljako djelovanje na spoju metal-poluvodi.
Tipina raspodjela (profil) primjese za pojedina podruja bipolarnog spojnog tranzistora
prikazana je na slici 4.1.5., gdje je uz stvarnu nejednoliku raspodjelu primjese prikazana i
idealizirana jednolika raspodjela sa skokovitim prijelazima.

Slika 4.1.5: Profil primjese u bipolarnom npn tranzistoru:

a) stvarna raspodjela, b) idealizirana sa skokovitim pn prijelazima.

53
4.2. Profili manjinskih nosilaca i podruje rada tranzistora
U stacionarnom stanju raspodjela elektrona u bazi npn tranzistora moe se odrediti rjeenjem
jednadbe kontinuiteta (2.14.1) koja napisana za manjinske elektrone u bazi, uz uvjet
n B
0 , prelazi u oblik:
t
2 n B n B n B0
Dn 0 (4.2.1)
x 2 nB
gdje je nB gustoa elektrona u bazi, a nB0 je toplinska ravnotena gustoa:
n 2i
n B0 . (4.2.2)
N AB
Rjeenje jednadbe (4.2.1.) potrebno je odrediti uz uvjete:
U
n B x E n B 0 exp BE (4.2.3)
UT

U
n B x E w B0 n B0 exp BC (4.2.4)
UT
u kojima su zanemarene irine osiromaenih podruja emiterskog i kolektorskog spojita, tj.
za efektivnu irinu emitera, baze i kolektora uzete su njihove tehnoloke irine w E0, wB0 i wC0,
slika 4.1.3.
Sukladno ovim oznakama rjeenje jednadbe poprima oblik:
x xE x xE
n B ( x ) n B 0 A 1B exp A 2 B exp (4.2.5)
L nB L nB
gdje je:
w
n B x E w B0 n B x E exp B0
L nB
A 1B , (4.2.6)
w
2 sh B0
LnB

w
n B x E w B 0 n B x E exp B0
LnB
A 1B , (4.2.7)
w B0
2 sh
LnB
n B x E w B 0 n B x E w B0 n B 0 , (4.2.8)
n B x E n B x E n B 0 . (4.2.9)
Ako je spoj emiter-baza propusno, a spoj kolektor-baza nepropusno polariziran, tada se mogu
pisati sljedee relacije:

54
 U
n B ( x E ) n B0 exp BE , (4.2.10)
UT

n B ( x E w B0 ) 0 . (4.2.11)
Budui da je za tranzistorski efekt nuan uvjet uske baze, tj. treba biti:
w B0
1 (4.2.12)
L nB
rjeenje jednadbe (4.2.5) moe se aproksimirati linearnim rjeenjem nakon razvoja u
x xE x xE
Taylorov red lanova exp i exp :
L nB L nB

w B0 x E x
n B (x) n B (x E ) . (4.2.13)
w B0
Na slici 4.2.1. prikazana je linearna raspodjela manjinskih elektrona u bazi npn tranzistora
sukladno relaciji (4.2.13) i nelinearna sukladno relaciji (4.2.5).

Slika 4.2.1: Raspodjela utisnutih elektrona u bazi npn tranzistora

wB 0
za dvije vrijednosti omjera LnB .
Gustoa upljina u emiterskom i kolektorskom podruju moe se odrediti rjeenjem
jednadbe kontinuiteta za ta podruja:
2 p E p E p E0
Dp 0 (4.2.14)
x 2 pE

2 p C p C p C0
Dp 0 (4.2.15)
x 2 pC

gdje je pE vriojeme ivota upljina u emiteru, a pC vrijeme ivota upljina u kolektoru.

Termike ravnotee gustoa odreene su izrazima:
n 2i n2
p E0 ; p C0 i . (4.2.16)
N DE N DC

55
Uz rubne uvjete:
p E ( 0) p E 0 , (4.2.17)
U
p E ( x E ) p E 0 exp BE , (4.2.18)
UT

U
p C ( x E w B0 ) p C 0 exp BC , (4.2.19)
UT

p C ( x E w B0 x C ) p C 0 . (4.2.20)
Rjeenja jednadbi (4.2.14) i (4.2.15) su:
x
sh
U BE L pE
p E ( x) p E0 p E 0 exp 1 , (4.2.21)
UT xE
sh
L pE

x w B0 x C x
sh E
U BE LpC
p C ( x ) p C 0 p C 0 exp 1 , (4.2.22)
UT xC
sh
LpC

Ovisno o polaritetu napona prikljuenog izmeu emitera i baze, te kolektora i baze, u naelu
se razlikuju tri podruja rada tranzistora:
1. normalno aktivno podruje (spoj emiter-baza je propusno, a spoj kolektor-baza nepropusno
polariziran),
2. podruje zasienja (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su propusno polarizirani),
3. zaporno podruje (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su nepropusno polarizirani).
Uz navedena tri podruja teorijski se razmatra i etvrto podruje koji je obrnuto (inverzno) u
odnosu prema normalnom aktivnom podruju (spoj emiter-baza je nepropusno, a spoj
kolektor-baza propusno polariziran).
Raspodjela utisnutih manjinskih nosilaca u podruje emitera, baze i kolektora mogu se
grafiki prikazati na temelju jednadbi (4.2.5), (4.2.21) i (4.2.22). Na slici 4.2.2 prikazane su
raspodjele za sva etiri podruja rada.

56
 Slika 4.2.2: Raspodjela utisnutih manjinskih nosilaca u podruje
emitera, baze i kolektora za:
a) normalno aktivno podruje, b) podruje zasienja,
c) zaporno podruje, d) inverzno aktivno podruje.
U normalnom aktivnom podruju prema slici 4.2.2. vea gustoa primjese iz emitera rezultira
u veem utiskivanju nosilaca u podruje baze.
U podruju zasienja je utiskivanje elektrona iz kolektora u suprotnom smjeru od utiskivanja
iz emitera. Stoga je struja koja je proporciionalna nagibu raspodjele elektrona u bazi manja u
odnosu prema struji u normalnom aktivnom podruju. Kvalitativan prikaz ove pojave
prikazan je na slici 4.2.3.

57
 Slika 4.2.3: Raspodjela utisnutih elektrona u bazi npn tranzistora u podruju zasienja:
a) iz emitera, b) iz kolektora, c) ukupna raspodjela.
U zapornom podruju teku male zaporne struje jer se mali broj nosilaca utisne u bazu.
U inverznom aktivnom podruju se vei broj upljina utisne u kolektorsko podruje nego
elektrona u bazu, to rezultira u vrlo malom strujnom pojaanju, pa se ovo podruje samo
teorijski razmatra pri odreivanju parametara tranzistora.

4.3. Struje normalno polariziranog tranzistora

Tranzistor ima tri izvoda (elektrode) stoga tri elektrodne struje: emitera, baze i kolektora,
sastavljene od pripadnih upljinskih i elektronskih sastavnica (slika 4.3.1.). Za prikazani pnp
tranzistor ucrtani su stvarni smjerovi struja koji odgovaraju smjeru gibanja pozitivnog naboja
(upljina).

Slika 4.3.1: Struje normalno polariziranog pnp tranzistora.

Struja emitera IE je struja propusno polariziranog spoja emiter-baza, a sastoji se od dvije
sastavnice:

58
1. struje upljina IpE (upljine utisnute iz emitera u bazu),
2. struje elektrone InE (elektroni utisnuti iz baze u emiter).
I E I pE I nE (4.3.1)
Sastavnice struje kolektora IC su:
1. struje upljina IpC (struja IpE umanjena za rekombinacijsku struju IR),
2. reverzne struje zasienja ICB0 (struja manjinskih nosilaca nepropusno polariziranog spoja
kolektor-baza).
I C I pC I CB0 (4.3.2)
Struja baze IB sastoji se od tri sastavnice:
1. struje elektrona InE (utisnuta struja iz emitera u bazu),
2. rekombinacijske struje IR , koja je posljedica rekombinacije elektrona u bazi i dijela
upljina iz emitera,
I R I pE I pC (4.3.3)
3. reverzne struje zasienja spojita kolektor-baza ICB0.
I B I nE I R I CB 0 (4.3.4)
Struja emitera jednaka je zbroju struje kolektora i struje baze:
IE IC IB (4.3.5)
Za npn tranzistor, slika 4.3.2. sve struje teku u suprotnom smjeru u odnosu prema strujama
pnp tranzistora.

Slika 4.3.2: Struje normalno polariziranog npn tranzistora.

Struje normalno polariziranog npn tranzistora dane su jednadbama:
I E I nE I pE (4.3.6)
I C I nC I CB 0 (4.3.7)
I R I nE I nC (4.3.8)
I B I pE I R I CB 0 (4.3.9)
IE IC IB (4.3.10)
Pri normalnoj polarizaciji npn tranzistora, zbog linearne raspodjele gustoe injektiranih
elektrona u bazi, difuzijska struja elektrona ima praktiki stalnu vrijednost i priblino je
jednaka emiterskoj, odnosno kolektorskoj struji:
dn B q D n n B0 U
I nE q S D n IE IC exp BE . (4.3.11)
dx w B0 UT
Pribline jednakosti u jednadbi (4.3.1) znae da se skoro svi elektroni injektirani iz emitera u
podruje baze difuzijom prenesu do kolektorskog spojita, a odatle do vanjskog prikljuka
kolektora djelovanjem jakoga elektrinog polja (zbog nepropusnog napona izmeu kolektora i
baze). Struja baze je uglavnom odreena strujom upljina IpE koja tee iz podruja baze u
emiter.

59
To je difuzijska struja upljina koja tee u n tip emitera kao to tee difuzijska struja elektrona
u p tip baze. Stoga se struja baze moe izraziti relacijom:
dp E q D p S p E0 U
I B I pE q D p S exp BE , (4.3.12)
dx x x w w E0 UT
E E0

n 2i
gdje je p E 0 .
N DE
Tehnoloka irina emitera wE0 mnogo je manja od difuzijske duine upljina u emiteru
(transparentni emiter), tj. moe se pisati nejednakost wE0 << LpE. Obino je wE0 istog reda
veliine kao i tehnoloka irina baze wB0, ali je redovito u emiteru mnogo vea gustoa
primjese nego u bazi (pE0 << nB0) to znai da je struja baze mnogo manja od struje emitera.

4.4. Parametri tranzistora

4.4.1. Djelotvornost emitera
Djelotvornost (efikasnost) emitera definirana je omjerom struje veinskih nosilaca, upljina za
pnp, odnosno elektrona za npn tranzistor, i ukupne struje emitera:
I pE I pE
(za pnp tranzistor) (4.4.1.1)
I pE I nE IE

I nE I
nE (za npn tranzistor) (4.4.1.2)
I nE I pE IE

4.4.2. Prijenosni (transportni) faktor

Mjera kvalitete prijenosa definirana je omjerom struje veinskih nosilaca kolektora i struje
veinskih nosilaca emitera:
I pC IR
* 1 (za pnp tranzistor) (4.4.2.1)
I pE I pE

I nC I
* 1 R (za npn tranzistor) (4.4.2.2)
I nE I nE
4.4.3. Strujno pojaanje
Omjer struje veinskih nosliaca kolektora i ukupne struje emitera jednak je umnoku
djelotvornosti i faktora prijenosa, a definira se kao strujno pojaanje tranzistora u spoju
zajednike baze:
I pC I pC I pE
* (za pnp tranzistor) (4.4.3.1)
IE I pE I E

I nC I nC I nE
* (za npn tranzistor) (4.4.3.2)
IE I nE I E

Sukladno definiciji za strujno pojaanje , jednadba (4.3.1), odnosno (4.3.7) moe se pisati
kao funkcija IC = f(IE):
I C I E I CB 0 (4.4.3.3)

60
Uvrtavanjem izraza za struju emitera, IE = IC + IB u relaciju (4.4.3.3) dobiva se funkcija IC =
f(IB):
I
IC I B CB0 I B ( 1) I CB 0 (4.4.3.4)
1 1
u kojoj je faktor strujnog pojaanja tranzistora u spoju zajednikog emitera.

4.6. Djelotvornost emitera

Djelotvornost emitera na npn tranzistor definirana je kao:
I nE I nE 1

IE I nE I pE I pE . (4.6.1)
1
I nE
Struja emitera, tj. struja diode emiter-baza dana je Shocklyjevom jednadbom:
q U BE
I E I sE exp 1 , (4.6.2)
kT
u kojoj je IsE struja manjinskih nosilaca spoja emiter-baza, odreena izrazom:
D nB D pE
I sE q n 2i S . (4.6.3)

N AB L nB th w B L nB N DE L pE th w E L pE

Jednadba (4.6.3) je jednadba reverzne struje zasienja pn spoja, s pridodanim slovima B i E

u oznakama odgovarajuih parametara za podruje baze, odnosno emitera.
Budui da je IE = IpE + InE, faktor djelotvornosti jednak je:
1

D pE

1

N DE LpE th w E L pE , (4.6.4)
D nB
N AB L nB th w B L nB

odnosno
1
D pE N AB L nB th w B L nB
1 . (4.6.5)

D nB N DE L pE th w E L pE
Iako je u pravilu kod stvarnih planarnih tranzistora emiter uska n strana, transparentni emiter,
teorijski se moe razmatrati i sluaj kada je emiter iroka n strana (w E/LpE >> 1), a baza uska p
strana (wB/LnB << 1). Tada vrijede sljedee aproksimacije:
th( w E L pE ) 1 , (4.6.6)
wB
th( w B L nB ) , (4.6.7)
L nB
te se izraz izraz za djelotvornost pnp tranzistora svodi na jednostavniji oblik:

61
 1
D N DB w B
1 nE . (4.6.8)
D pB N AE L nE

S pomou Einsteinove relacije (2.11.9) i (2.11.10), djelotvornost emitera moe se prikazati

kao funkcija elektrine provodnosti emitera i baze:
1

B wB . (4.6.9)
1
E L nE
Djelotvornost emitera je vea to je vea njegova elektrina provodnost E, stoga je gustoa
dodanih primjesa u emiteru uvjek vea od gustoe primjesa u bazi.

4.7. Prijenosni faktor baze

Za normalno polarizirani npn tranzistor gustoe utisnutih elektrona uz rubove barijera xBE i
xBC (slika 4.1.3) dane su izrazima:
q U BE
n '( x BE ) n 0 B exp 1 (4.7.1)
kT
q U BC
n '( x BC ) n 0 B exp 1 (4.7.2)
kT
u kojima je n0B ravnotena gustoa elektrona u podruju baze, slika 4.7.1.:

Slika 4.7.1: Raspodjela elektrona u bazi normalno polariziranog npn tranzistora.

Spoj kolektor-baza je nepropusno polariziran naponom koji je po iznosu mnogo vei od
vrijednosti kT/q stoga je n'(xCB) priblino jednako ravnotenoj koncentraciji n0B, odnosno
moe se uzeti da je n'(xBC) 0.
Ope rjeenje jednadbe kontinuiteta za podruje baze od ruba barijere xBE do xBC je:
x x
n '( x ) A exp B exp , (4.7.3)
Ln Ln

gdje su A i B konstante odreene rubnim uvjetima:

n'(xBC) 0, (4.7.4)

62
 q U BE
za x = xBE, n '( x ) n '( x BE ) n 0 B exp 1 (4.7.5)
kT
Uvrtavanjem navedenih rubnih uvjeta u jednadbu (4.7.3) dobiva se:
n 0 B sh ( x BC x ) LnB q U BE
n '( x ) exp 1 . (4.7.6)
sh( w B LnB ) kT
Deriviranjem izraza za n'(x) dobiva se gradijent gustoe:
dn '( x ) n 0 B ch ( x BC x ) L nB q U BE
exp 1 , (4.7.7)
dx L nB sh ( w B ) L nB k T
kojim je za x = xBC odreena difuzijska struja InC:
dn '( x )
I nC q S D nB
dx x x BC
, (4.7.8)
n 0B q U BE
q S D nB exp 1
L nB sh w B L nB kT
a za x = xBE, difuzijska struja InE:
dn '( x )
I nE q S D nB
dx x x BE
. (4.7.9)
n ch w B L nB q U BE
q S D nB 0 B exp 1
L nB sh w B L nB k T

Omjerom struja InC/InE definiran je faktor prijenosa:

1 w
* sch B
w L nB . (4.7.10)
ch B
L nB
Uz uvjet wB << LnB (usko podruje baze), za faktor prijenosa moe se pisati priblian izraz:
2
1 1 wB

*
1
w 2B 2 LnB . (4.7.11)
1
2 L2nB
to je baza ua u odnosu prema difuzijskoj duini manjinskih nosilaca, to je prijenos nosilaca
iz emitera kroz bazu do kolektora djelotvorniji, pa se moe kazati da je kvaliteta prijenosa
nosilaca, uz utiskivanje iz emitera i sakupljanje na kolektoru, bitna znaajka tranzistora.
Dakle, za postizanje tranzistorskog efekta treba biti ispunjen uvjet wB << Ln (za npn
tranzistor) iz kojeg proistjee i granina (najmanja) vrijednost irine baze. Za w B >>
LnB, faktor prijenosa prema izrazu (4.7.10) poprima male vrijednosti, a to znai da mali dio
utisnutih elektrona dolazi na kolektorsko spojite, te u graninom sluaju kada * 0,
tranzistorski efekt prestaje, a tranzistor se moe prikazati kao dvije nasuprot spojene diode,
slika 4.7.2.

63
 Slika 4.7.2: Prikaz tranzistora s dvije diode kad je irina
baze vea od difuzijske duine nosilaca.

4.8. Faktor strujnog pojaanja

Prema relacijama (4.3.11) i (4.3.12)definiran je faktor strujnog pojaanja kao omjer struje
kolektora i struje baze kad je tranzistor spojen na nain da mu je emiter zajednika elektroda,
tj. u spoju zajednikog emitera:
I C D n N DE w E
. (4.8.1)
I B D p N AB w B

Budui da je NDE >> NAB redovito je faktor >> 1. Omjer Dn/Dp moe se izraziti kao omjer
pokretljivosti elektrona i upljina n/p. Kako je pokretljivost elektrona vea od pokretljivosti
upljina (2.5 puta za silicij) to je i faktor npn tranzistora vei od faktora pnp tranzistora.
Prema relaciji (4.8.1) moe se zakljuiti da se vei postie poveanjem razine gustoe
primjese u emiteru NDE. Naalost, takav zakljuak se u praksi pokazao netonim to se tumai
degeneriranim svojstvima poluvodia. Naime pri gustoama primjese veliine od oko 1019cm-3
i veima mijenjaju se fizikalna svojstva materijala, tj. smanjuje se energijski procijep za iznos
EG koji se moe odrediti pomou izraza (2.4.3.1).
Smanjenjem energijskog procijepa nastaje poveanje intrinsine gustoe u emiteru n i deg koja
se moe odrediti iz izraza (2.2.1) za intrinsinu gustou nedegeneriranog poluvodia u koji je
uvrteno smanjenje energijskog procijepa:
E E G
ni2deg N V N C exp G
k T
(4.8.2)
E E E
N V N C exp G exp G ni2 G ,
k T k T k T
gdje je ni intrinsina gustoa nedegeneriranog poluvodia.
Budui da je gustoa utisnutih upljina u podruje emitera proporcionalna veliini nideg/NDE za
faktor strujnog pojaanja moe se pisati izraz koji ukljuuje efekt degeneriranog emitera:
Dn N DE w E E G
exp . (4.8.3)
D p N AB wB k T
Ovisnost faktora strujnog pojaanja o razini gustoe primjese NDE za odreenu vrijednost
gustoe NAB prikazana je na slici 1. za temperaturu T = 300 K i T = 280 K.

64
 Slika 4.8.1: Ovisnost faktora strujnog pojaanja o gustoi primjese u emiteru.

4.9. Vrijeme proleta nosilaca kroz bazu

Raspodjela gustoa manjinskih nosilaca u bazi tranzistora moe se zbog uskog podruja baze
priblino prikazati pravcem, slika 4.9.1.

Slika 4.9.1: Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi npn tranzistora.

Sukladno slici 4.9.1., pravac kroz toke T1 i T2 jednoznano je odreen jednadbom:
n '( x BE ) n '( x BC )
n '( x ) n '( x BC ) ( x x BC ) . (4.9.1)
x BE x BC

Linearna funkcija raspodjele (4.9.1) moe se, sukladno uvjetu n'(xBE) >> n'(xBC) 0, svesti na
jednostavniji oblik:
n '( x BE ) n '( x BE )
n '( x ) n '( x BC ) ( x x BC ) ( x x BC ) . (4.9.2)
x BE x BC w B
Gustoa difuzijske struje elektrona u bazi tranzistora dana je izazom:

65
 dn '( x ) dn '( x BE )
J nB q D nB q D nB q n '( x ) v( x ) , (4.9.3)
dx wB
u kojemu je v(x) brzina nosilaca kroz bazu.
dx
U skladu s definicijom za brzinu v( x ) moe se odrediti vrijeme proleta nosilaca kroz
dt
bazu:
x BC
dx
t pr
x BE
v( x )
. (4.9.4)

Uvrtavanjem izraza za brzinu iz (4.9.3)

D nB n '( x BE ) D nB
v( x ) (4.9.5)
w B n '( x ) x x BC
u (4.9.4) dobiva se:
x BC x BC x BC
x x BC x2 x BC
t pr dx x
x BE
D nB 2 D nB x BE
D nB x
BE
(4.9.6)
x 2
x x2
x x BE ( x BC x BE ) 2
2
w 2B
BC
BE
BC BC

2 D nB 2 D nB 2 D nB D nB 2 D nB 2 D nB

Dobiveni izraz za vrijeme proleta nosilaca kroz bazu identian je izrazu izvedenom za usku n
stranu pn spoja.

4.10. Earlyjev efekt

Porastom napona nepropusne polarizacije na pn spoju poveava se irina podruja barijere
koja se u pravilu iri na slabije oneienu stranu. Isti efekt nastaje u bipolarnom tranzistoru
na nepropusno polariziranom spoju kolektor-baza. Ako je spoj emiter-baza propusno
polariziran naponom stalne vrijednosti, poveanjem napona nepropusne polarizacije na spoju
kolektor-baza, podruje barijere na kolektorskom spojitu se poveava, tj smanjuje se
efektivna irina baze. Ta promjena efektivne irine ili modulacija baze naziva se Earlyjev
efekt. Primjer za npn tranzistor prikazan je na slici 4.10.1.

Slika 4.10..1: Prikaz Earlyjevog efekta za npn tranzistor.

66
Pri veim iznosima napona nepropusne polarizacije kolektor-baza UCB, efektivna irina baze
moe poprimiti iznos nula pri emu nastaje naponski proboj tranzistora (engl. punch-through).
Posljedica Earlyjevog efekta oituje se u promjeni gustoe i nagibu raspodjele gustoe
manjinskih nosilaca naboja u bazi. Smanjenjem efektivne irine baze umanjuje se i
vjerojatnost ponitavanja manjinskih nosilaca u bazi pa prema tome i rekombinacijska
sastavnica struje baze, to izravno utjee na poveanje faktora strujnog pojaanja (jednadba
4.8.1.). Nadalje poveava se nagib (gradijent) raspodjele gustoe manjinskih nosilaca u bazi
(elektrona, ako se radi o npn tranzistoru), te se poveava elektronska sastavnica struje emitera
koja je proporcionalna nagibu raspodjele gustoe. Navedene se pojave mogu iskazati
jednadbama:
I R I nE I nC (4.10.1)
2
1 w
I R I nE (1 ) I nE B
*
(4.10.2)
2 LnB

S q n B0 D nB
I nE (4.10.3)
wB
Uvrtavanjem jednadbe (4.10.3) u (4.10.2) izraz za rekombinacijsku sastavnicu struje baze
poprima oblik:
S q n B0 D nB 1 w 2B S q n B0 w B Q nB
IR (4.10.4)
wB 2 L nB 2 nB nB

4.11. Ebers-Mollove jednadbe i model tranzistora

Ebers-Mollov nadomjesni sklop tranzistora sastiji se od dvije diode i dva zavisna strujna
izvora. Na slici 4.11.2. prikazan je tzv. injekcijski Ebers-Mollov model u kojemu su struje
strujnih izvora proporcionalne strujama kroz diode.
.

Slika 4.11.2: Injekcijski Ebers-Mollov model za pnp tranzistor.

Sklop na slici 4.11.2. opisan je jednadbama:
IE I IR IF 0 , (4.11.19)
IC N IF IR 0 , (4.11.20)
U
I F I ES exp EB 1 , (4.11.21)
UT

67
 U
I R I CS exp CB 1 . (4.11.22)
UT
Faktor I (alfa inverzno) je strujno pojaanja tranzistora u spoju zajednike baze kad
tranzistor radi u inverznom aktivnom podruju (spoj emiter baza je nepropusno polariziran, a
spoj kolektor baza propusno). N (alfa normalno) je strujno pojaanje tranzistora u spoju
zajednike baze za normalno aktivno podruje.
Iz sustava jednadbi od (4.11.19) do (4.11.22) mogu se struje I E i IC izraziti kao funkcije
napona UEB i UCB:
U U
I E I ES exp EB 1 I I CS exp CB 1 , (4.11.23)
UT UT
U U
I C N I ES exp EB 1 I CS exp CB 1 . (4.11.24)
UT UT

Ebers-Mollov model u kojemu su struje strujnih izvora proporcionalne vanjskim

(elektrodnim) strujama tranzistora prikazan je na slici 4.11.3.

Slika 4.11.3: Ebers-Mollov model pnp tranzistora.

Sklop na slici 4.11.3. moe se opisati jednadbama:
I E I I C I' 0 , (4.11.28)
I C N I E I'' 0 , (4.11.29)
U
I' I EB 0 exp EB 1 , (4.11.30)
UT

U
I'' I CB 0 exp CB 1 . (4.11.31)
UT
Iz sustava jednadbi (4.11.28)-(4.11.31) mogu se struje IC i IE izraziti kao funkcije napona UEB
i UCB:

I EB0 U I U
IE exp EB 1 I CB 0 exp CB 1 , (4.11.32)
1 N I U T 1 N I U T

68
 N I EB 0 U EB I CB0 U
IC exp 1 exp CB 1 . (4.11.33)
1 N I U T 1 N I U T

Usporeujui jednadbe (4.11.32) i (4.11.33) s (4.11.23) i (4.11.24) mogu se napisati relacije

koje meusobno povezuju razliito definirane reverzne struje zasienja emiterskog i
kolektorskog spojita tranzistora:
I EB0
I ES , (4.11.34)
1 N I

I CB0
I CS , (4.11.35)
1 N I
U Ebers-Mollovom modelu npn tranzistora strujni izvori i struje dioda imaju suprotan
predznak u odnosu prema strujama pnp tranzistora, a zbog npn ustrojstva promjenjeni su i
polariteti napona na spoju emiter-baza i kolektor-baza, slika 4.11.4.

Slika 4.11.4: Ebers-Mollov model npn tranzistora.

Sukladno sklopu prikazanom na slici 4.11.4. mogu se napisati Ebers-Mollove jednadbe za
npn tranzistor:
U U
I E I ES exp BE 1 I I CS exp BC 1 , (4.11.36)
UT UT
U U
I C N I ES exp BE 1 I CS exp BC 1 . (4.11.37)
UT UT

4.12. Podruja rada tranzistora

Naponima na emiterskom i kolektorskom spojitu odreene su i gustoe manjinskih nosilaca
na rubovima barijere tih spojita. Stoga se, s obzirom na polaritet tih napona, mogu zorno
prikazati etiri podruja rada raspodjelom gustoa manjinskih nosilaca u bazi tranzistora, slika
4.12.1.

69
 Slika 4.12.1: Podruja rada npn tranzistora:
"1" - normalno aktivno, "2" - inverzno aktivno,
"3" - zasienje, "4" - zapiranje.
Sukladno Ebers-Mollovim jednadbama prikazana etiri podruja rada tranzistora mogu se
odrediti analitikim izrazima:
1. Za normalno aktivno podruje, iz jednadbi za npn tranzistor (4.11.36) i (4.11.37), uz
uvjet UBE >> UT; UBC < 0, dobivaju se relacije:
U
I E I ES exp BE 1 I I CS , (4.12.1)
UT
U
I C N I ES exp BE 1 I CS , (4.12.2)
UT
pomou kojih se moe odrediti funkcija IC = f(IE) za normalno aktivno podruje:
I C N I E I CS (1 N I ) , (4.12.3)
odnosno
I C N I E I CB0 . (4.12.4)
2. Za inverzno aktivno podruje izvedena je relacija iz Ebers-Mollovih jednadbi uz uvjet
UBE < 0 i UBC >> UT,:
I E I I C I EB0 . (4.12.5)
3. Podruje zasienja definirano je naponima kojima su propusno polarizirana oba spojita,
UBE > 0 i UBC > 0. Sukladno tim uvjetima iz relacija (4.11.36) i (4.11.37) izvedeni su izrazi
za napone UBE i UBC:
I E I I C I EB 0
U BE U T ln , (4.12.6)
I EB0

I C N I E I CB0
U BC U T ln . (4.12.7)
I CB0
Napon izmeu kolektora i emitera UCE jednak je razlici napona UBE i UBC, slika 4.12.2.:

70
 Slika 4.12.2: Orijentacija napona za npn tranzistor u zasienju.
( I E I I C I EB0 ) N
U CE U T ln . (4.12.8)
( I C N I E I CB 0 ) I
4. Zaporno podruje definirano je naponima kojima su nepropusno polarizirana spojita
emiter baza i kolektor baza, UBE < 0, UBC < 0. Uz te uvjete, iz Ebers-Mollovih jednadbi
za npn tranzistor proistjeu relacije za struje IC i IE:
I EB0
IE (1 N ) (4.12.9)
1 N I
I CB0
IC (1 I ) , (4.12.10)
1 N I
koje pokazuju da unato nepropusnoj polarizaciji oba spojita teku male struje emitera i
kolektora. Stoga se zaporno podruje definira uvjetom I E = 0 i UBC < 0, a pritom je struja
kolektora IC jednaka struji ICB0. Uvrtavanjem uvjeta IE = 0 i IC = ICB0 u Ebers-Mollovu
jednadbu (4.11.36) dobiva se izraz za napon UBE:
U BE U T ln(1 N ) . (4.12.11)
Npr. za vrijednost N = 0.9 pri T = 300 K, emitersko je spojite nepropusno polarizirano
naponom iznosa UBE = -59.5 mV.
Ebers-Mollove jednadbe izvedene su uz napone emiter-baza i kolektor baza za tranzistor sa
zanemarivim serijskim otporima emitera, baze i kolektora. Tako npr. serijski otpor emitera
sastoji se od otpora prikljuka metalnog kontakta na emiter i tijela emitera. Na isti nain
definiraju se serijski otpori baze i kolektora. Za realni tranzistor u raun je potrebno ukljuiti i
vrijednosti tih otpora. Nadomjesni sklop za realni tranzistor moe se prikazati kao idealni
tranzistor s ukljuenim serijskim otporima rbb', rcc' i ree', slika 4.12.3. Kako je emiter najjae
oneieno podruje njegova elektrina provodnost je velika pa se serijski otpor ree' obino ne
ukljuuje u raun. Podruje baze je relativno usko sa znatnom elektrinom otpornou pa se
serijski otpor s tipinim iznosima od 10 do 100 najee ukljuuje u raun. Pri veim
strujama kolektora pad napona na serijskom otporu rcc' moe znaajno utjecati na rad
tranzistora.

71
 Slika 4.12.3: Nadomjesni sklop realnog npn tranzistora
(za podruje zasienja).
U skladu s orijentacijom struja i padova napona u nadomjesnom sklopu na slici 4.12.3., mogu
se napisati jednadbe naponske ravnotee:
U BE I B rbb ' U B 'E ' I E ree ' 0 (4.12.12)
U BC I B rbb ' U B'C ' I C rcc ' 0 . (4.12.13)
Paljiv e itatelj odmah uoiti nedosljednost u oznakama za napone realnog i idealnog
tranzistora. Prema slici 4.12.3. oznake U B'E' i UB'C' odnose se na idealan tranzistor stoga
odgovaraju oznakama UBE i UBC u Ebers-Mollovim jednadbama, dok se oznake U BE i UBC
odnose na realan tranzistor.

4.13. Izlazne karakteristike tranzistora

4.13.1. Spoj zajednike baze
Baza tranzistora je zajednika elektroda ulaznom i izlaznom krugu tranzistora, slika 4.13.1.1.

Slika 4.13.1.1: npn tranzistor u spoju zajednike baze.

Struja IC i napon UCB pripadaju izlaznom, a IE i UBE ulaznom krugu tranzistora. Izlazne su
karakteristike dane kao funkcija IC = f(UCB) pri stalnoj vrijednosti struje IE za pojedinu
karakteristiku, slika 4.13.1.2.

72
 Slika 4.13.1.2: Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajednike baze.
U normalnom aktivnom podruju rada tranzistora u spoju zajednike baze karakteristike su
priblino vodoravni pravci, a mali porast struje I C koji nastaje s poveanjem napona U CB
tumai se kao posljedica Earlyjevog efekta. Pri propusnom polaritetu napona kolektor-baza, (-
UCB), tranzistor radi u podruju zasienja koje je karakterizirano naglim padom struje
kolektora to se tumai smanjenjem gradijenta gustoe elektrona u bazi.
Stalna vrijednost struje emitera IE pri promjeni (poveanju apsolutne vrijednosti) napona UCB
moe se odrati promjenom (smanjenjem) napona UBE tako da je gradijent gustoe elektrona u
bazi tranzistora stalan, slika 4.13.1.3.

Slika 4.13.1.3: Definicija stalnog gradijenta gustoe nosilaca (elektrona) u bazi npn
tranzistora pri promjeni napona UCB.

4.13.2. Spoj zajednikog emitera

U spoju zajednikog emitera, emiter je zajednika elektroda ulaznom i izlaznom krugu
tranzistora, slika 4.13.2.1.

Slika 4.13.2.1: npn tranzistor u spoju zajednikog emitera.

Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajednikog emitera dane su kao funkcija I C =
f(UCE) pri stalnoj vrijednosti struje baze za pojedinu karakteristiku (slika 4.13.2.2.).

73
 Slika 4.13.2.2: Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajednikog emitera.
U skladu s jednadbom UCE = UBE - UBC za aktivno podruje nuno treba biti ispunjen uvjet
UCE > UBE da bi spoj kolektor-baza bio nepropusno polariziran naponom UCB. Poveanjem
napona UCE poveava se i apsolutni iznos napona UCB, a smanjuje se efektivna irina baze. Da
bi pritom struja baze zadrala stalnu vrijednost potrebno je poveati gustou manjinskih
nosilaca (elektrona) n0B na rubu barijere emiterskog spojita, odnosno poveati napon
propusne polarizacije UBE spoja emiter-baza, slika 4.13.2.3.

Slika 4.13.2.3: Prikaz utjecaja promjene efektivne irine baze na izlazne karakterisike npn
tranzistora u spoju zajednikog emitera.

74
5. UNIPOLARNI TRANZISTOR (TRANZISTOR S DJELOVANJEM
ELEKTRINOG POLJA)
U voenju struje kod unipolarnih tranzistora sudjeluju veinski nosioci naboja (elektroni ili
upljine), a jakost te struje moe se mijenjati vanjskim naponom. Zbog toga to se promjena
vodljivosti poluvodia, a time i jakosti struje, postie djelovanjem poprenoga
(transverzalnoga) elektrinoga polja koje je posljedica upravo prikljuenog vanjskog napona
na poluvodi, uz naziv unipolarni tranzistor obino se upotrebljava skraeni naziv tranzistor s
efektom polja. Dio poluvodia kroz koji tee struja naziva se kanal, a ovisno o tome koji je tip
nosilaca naboja u kanalu, unipolarni tranzistori mogu biti p-kanalni ili n-kanalni. Prvi
unipolarni tranzistori su spojni tranzistori s efektom polja sa skraenim nazivom JFET (engl.
junction field effect transistor). Za razliku od ustrojstva spojnog tranzistora, upravljaka
elektroda kojom se upravlja protjecanjem struje kroz kanal, moe biti odvojena od kanala
izolacijskim slojem silicijevog dioksida. Takav tranzistor pripada skupini tranzistora s
efektom polja s izoliranim vratima, a skraeni mu je naziv IGFET (engl. insulated gate field
effect transistor) ili MOSFET (engl. metal-oxide-semiconductor field effect transistor) zbog
ustrojstva kojega ini silicij kao ishodini materijal i silicijev dioksid kao izolacijski sloj ispod
metalne elektrode (vrata).

5.1. Tranzistor s efektom polja (JFET)

Na slici 5.1.1.a) prikazan je presjek za simetrini n-kanalni spojni FET s oznaenim
elektrodama (prikljunicama): uvod S (engl. source), odvod D (engl. drain) i vrata G (engl.
gate). Prikljuenim naponima izmeu odgovarajuih elektroda odreena je radna toka
tranzistora, a sukladno tim naponima oznaen je i smjer struje odvoda (struja izmeu uvoda i
odvoda) koji odgovara smjeru gibanja pozitivnog naboja (upljina).

Slika 5.1.1: a) n-kanalni spojni FET, b) simbol za n-kanalni spojni FET.

Dio poluvodia oznaen kao kanal je vodljivi dio omeen dvjema simetrinim barijerama
uspostavljenima naponom nepropusne polarizacije UGS izmeu p+ poluvodia (p-tip
poluvodia s relativno velikom gustoom akceptorske primjese) i n-tipa poluvodia s
gustoom donorske primjese manjom u odnosu prema gustoi akceptora u p + podruju, slika
5.1.1.a). Struja tee od uvoda prema odvodu zbog prikljuenog napona U DS. Sukladno analizi
provedenoj za pn spoj, barijera se iri na slabije oneienu stranu pn spoja. Stoga e se
porastom apsolutne vrijednosti napona UGS irina kanala smanjivati, a time i njegova
vodljivost.
Pri naponu UDS = 0 i UGS = 0, ako se zanemare osiromaena podruja koja nastaju zbog
djelovanja kontaktnog potencijala, kanal tranzistora ima najveu irinu iznosa 2a (irina
potpuno otvorenog kanala), slika 5.1.2.

75
 Slika 5.1.2: irina potpuno otvorenog kanala pri UDS = 0 i UGS = 0.
U skladu sa slikom 5.1.2. vodljivost potpuno otvorenog kanala odreena je izrazom:
1 q n N D 2a w 2a w
G0 . (5.1.1)
R0 L L
Pri nekom naponu UGS i naponu UDS = 0 irina kanala se jednako po cijeloj njegovoj duini
smanji na stalnu vrijednost 2b, slika 5.1.3.

Slika 5.1.3: irina kanala pri nekom naponu UGS i naponu UDS = 0.
U skladu s jednadbom izvedenom za irinu podruja barijere jednostranog pn spoja, moe se
napisati izraz za irinu barijere:
2 ( U k U GS )
ab . (5.1.2)
q ND

Napon UGS pri kojemu je irina kanala jednaka nitici (b = 0), oznaen je kao napon dodira
UGS0 (engl. pinch-off voltage):
2 ( U k U GS 0 )
a2 , (5.1.3)
q ND
odnosno
a2 q N D
U GS 0 U k . (5.1.4)
2
Iz jednadbi (5.1.2) i (5.1.4) moe se izraziti poluirina kanal u ovisnosti o naponu UGS i UGS0:

76
 U k U GS
b a 1 . (5.1.5)
U k U GS 0

Pri naponu UDS 0 i UGS 0 kroz kanal tee struja odvoda stvarajui pad napona du kanala.
Napon izmeu uvoda i bilo koje toke u kanalu funkcija je koordinate x, U(x), pa je i napon
nepropusno polariziranog pn spoja vrata-kanal funkcija koordinate x. Posljedica toga je da
irina kanala vie nije stalna ve se mijenja du kanala, slika 5.1.4.

Slika 5.1.4: irina kanala pri naponu UGS 0 i UDS 0.

Polazei od izraza za irinu barijere pn spoja (5.1.2) poluirina kanala u ovisnosti o
udaljenosti x moe se prikazati kao funkcija:
U k U GS U ( x )
b( x ) a 1 . (5.1.6)
U k U GS 0
Struja u kanalu je u svakom njegovom presjeku ista. Stoga se izraz za struju odvoda I D moe
pisati u obliku:
dU ( x )
I D ( x ) I D 2b ( x ) w q N D . (5.1.7)
dx
Kako presjek kanala od uvoda prema odvodu 2b(x)w postaje sve manji, slika 5.1.4.,
elektrino polje treba biti sve vee da bi struja imala stalnu vrijednost ID.
Uvrtavanjem izraza (5.1.6) u (5.1.7) dobiva se:
U k U GS U ( x ) dU ( x )
I D 2 a w q N D n 1 , (5.1.8)
U k U GS 0 dx

odnosno
U k U GS U ( x )
I D dx 2a w q N D n 1 dU ( x ) . (5.1.9)
U k U GS 0

Ako se uvod S uzme kao ishodina i referentna toka, integraciju lijeve strane jednadbe treba
provesti u granicama od x = 0 do x = L, a desne od napona vrijednosti 0 do U DS. Tako se
dobiva izraz:

77

k GS 2
3 3
2 U U U DS
2 U U
I D G 0 U DS k GS
, (5.1.10)
3 U k U GS 0

gdje je G0 vodljivost potpuno otvorenog kanala:
2a w q N D n
G0 . (5.1.11)
L
Funkcija (5.1.10) poprima maksimalnu vrijednost u toki UDS = UGS - UGS0, a zatim opada s
porastom napona UDS. Takav tok funkcije ne odgovara stvarnoj (izmjerenoj) karakteristici. Na
izmjerenim karakteristikama utvreno je da nakon vrijednosti UDS = UGS - UGS0 struja blago
raste s porastom napona UDS (praktiki ima stalnu vrijednost). Pri naponu UDS = UGS - UGS0,
napon odvod-vrata, UDG, jednak je naponu dodira -UGS0, a to znai da dodir barijera nastaje na
strani odvoda. Smanjivanje irine kanala kao i dodir barijera nastaju zbog pada napona du
kanala. Kako je pad napona posljedica protjecanja struje kroz kanal, pri dodiru barijera
prestala bi tei i struja, te bi nestao i uzrok dodira barijera. Stoga je zakljuak da irina kanala
na mjestu dodira barijera nije jednaka nitici, ve ima mali iznos koji se pri prekoraenju
napona dodira protee prema uvodu, slika 5.1.5.

Slika 5.1.5: irina kanala uz naponu UDS >UGS - UGS0.

Uvrtavanjem uvjeta UDS = UGS - UGS0 u izraz (5.1.10) dobiva se jednadba koja vrijedi za
podruje zasienja:
3 3

I Dzas 2
G 0 U GS U GS 0
U k U GS 0 2 U U
k GS 2
.

(5.1.12)
3 U k U GS 0

Dio karakteristike opisan jednadbom (5.1.10) pripada triodnom podruju.
Geometrijsko mjesto toaka odreeno uvjetom UDS = UGS - UGS0 na izlaznim karakteristikama
za pojedini napon UGS, jest granina crta izmeu triodnog podruja i podruja zasienja, slika
5.1.6.

78
 Slika 5.1.6: Izlazne karakteristike FETa. Definicija triodnog podruja i
podruja zasienja.
5.1.1. Dinamiki parametri FETa
Derivacija struje ID po naponu UGS pri nekoj stalnoj vrijednosti napona U DS definira se kao
strmina:
I D
gm . (5.1.1.1)
U GS U DS konst.

U triodnom podruju definiciju za strminu treba primijeniti na izraz (5.1.10), a u podruju

zasienja na izraz (5.1.12). Tako se dobiva:
U k U GS U DS U k U GS
gm G0 , (5.1.1.2)
U k U GS 0

U k U GS
g m G 0 1 . (5.1.1.3)
U k U GS 0

Izlazna dinamika vodljivost definirana je derivacijom struje I D po naponu UDS pri nekoj
stalnoj vrijednosti napona UGS. Tako je za triodno podruje izveden izraz:
U k U GS U DS
g d G 0 1 . (5.1.1.4)
U k U GS 0

Za odreivanje dinamike vodljivosti u podruju zasienja moe se upotrijebiti empirijski

izraz kojim je iskazan lagan porast struje ID s porastom napona UDS:
I D I Dzas (1 U DS ) , (5.1.1.5)
gdje je parametar koji moe imati vrijednost izmeu 0.1 i 0.001 V -1. U skladu s relacijom
(5.1.1.5) izlazna dinamika vodljivost moe se odrediti s pomou izraza:
g dzas I Dzas . (5.1.1.6)
Faktor pojaanja definiran je derivacijom napona UDS pri nekoj stalnoj vrijednosti struje ID:
U DS U DS I D g
m rd g m . (5.1.1.7)
U GS I D U GS g d
5.1.2. p-kanalni FET

79
Ustrojstvo p-kanalnog spojnog FETa (kanal je p tipa, a podruje vrata n + tipa) je takvo da
naponi napajanja UGS i UDS, te struja ID, imaju suprotan predznak od onog za n-kanalni FET,
slika 5.1.2.1.

Slika 5.1.2.1: a) p-kanalni spojni FET. b) simbol za p-kanalni spojni FET.

Stoga u svim jednadbama izvedenim za n-kanalni FET treba promjeniti predznak uz
veliine: UDS, UGS, UGS0 i ID:
2 ( U k U GS )
ab , (5.1.2.1)
q NA

a2 q N A
U GS 0 Uk , (5.1.2.2)
2
U k U GS
b a 1 . (5.1.2.3)
U k U GS 0

Triodno podruje:
3 3

2
I D G 0 U DS
U k U GS U DS 2 U U
k GS 2
.

(5.1.2.4)
3 U k U GS 0

Granini uvjet izmeu podruja zasienja i triodnog podruja treba pisati u obliku apsolutnih
vrijednosti:
U DS U GS U GS 0 . (5.1.2.5)
Podruje zasienja:
3 3

I Dzas 2
G 0 U GS U GS 0
U k U GS 0 2 U U
k GS 2
.

(5.1.2.6)
3 U k U GS 0

80
5.1.3. Statike karakteristike FETa
Izlazne karakteristike spojnog FETa dane su za triodno podruje jednadbom (5.1.10), a za
podruje zasienja jednadbom (5.1.12). U podruju zasienja funkcija I D = f(UGS) je ujedno i
prijenosna karakteristika koja se moe priblino prikazati parabolinom funkcijom:
2
U
I D I DSS 1 GS (5.1.3.1)
U GS 0

u odsjeku odreenom tokama UGS0 i IDSS (struja ID pri naponu UGS = 0). Dio parabole izvan
tog podruja nema fizikalnoga znaenja, slika 5.1.3.1.

Slika 5.1.3.1: Statike karakteristike n-kanalnog FETa.

5.2. MOSFET
MOS unipolarni tranzistor moe biti izveden kao n-kanalni na p-podlozi ili kao p-kanalni
na n-podlozi, obogaenog ili osiromaenog tipa. Podloga je silicij s relativno malom
gustoom primjese na koju se nanosi tanki sloj silicijeva dioksida SiO 2 debljine t0x 0.1 m.
Zatim se odreenim planarnim postupkom (fotolitografski postupak) otvaraju "difuzijski
prozori" u oksidnom sloju kroz koje se difuzijom unosi primjesa, oblikujui tako podruje
uvoda i odvoda u podlozi. Gustoa primjese u podruju uvoda i odvoda je relativno velika.
Dio poluvodia izmeu uvoda i odvoda oznaen je kao kanal kroz koji struja moe tei jedino
ako su u njemu nosioci naboja istog tipa kao i veinski nosioci podruja uvoda i odvoda. To
znai da je za n-kanalni MOSFET uz povrinu izmeu p-podloge i izolatora (u kanalu) nuno
stvoriti viak elektrona, odnosno uspostaviti inverzijski sloj izmeu uvoda i odvoda. To je
temeljni preduvjet za voenje MOSFETa.
Inverzijski sloj moe nastati pod utjecajem prikljuenog napona odgovarajueg polariteta
izmeu vrata i uvoda, UGS. Tako npr. za p kanalni MOSFET pozitivni napon U GS izvlai
elektrone iz dubine podloge te ih gomila uz spoj podloge i izolacijskog sloja obogauji tako
podruje kanala elektronima, slika 5.2.1. to je vei pozitivni napon U GS to je vea i
vodljivost kanala, te je uz stalan napon izmeu odvoda i uvoda U DS vea i struja ID izmeu
njih. Struja ID moe tei uz prikljueni napon UDS samo ako je napon UGS pozitivan i vei od
odreene vrijednosti koja se naziva napon praga UGS0. S obzirom na iznesene znaajke takav
n-kanalni MOSFET pripada skupini obogaenog tipa.

81
 Slika 5.2.1: Presjek n-kanalnog MOSFETa.
Drugi tip n-kanalnog MOSFETa mogue je oblikovati tako da se izmeu uvoda i odvoda
posebnim tehnolokim postupkom unese uzak kanal n-tipa s relativno malom gustoom
primjese, slika 5.2.2. a). Znaajka je tog n-kanalnog MOSFETa to struja I D moe tei i pri
naponu UGS = 0.
Uz negativan napon UGS u izolacijskom sloju dolazi do gomilanja pozitivnog naboja uz
metalni spoj upravljake elektrode i izolatora, a negativnog naboja uz spoj izolatora i kanala.
Nagomilani negativni naboj odbija slobodne elektrone u dijelu kanala u blizini spoja s
izolacijskim slojem, te se u kanalu stvara sloj koji je osiromaen slobodnim nosiocima naboja,
slika 5.2.2. b), odnosno smanjena je vodljivost kanala. Upravo zbog svojstva to se vodljivost
podruja izmeu uvoda i odvoda moe mjenjati osiromaenjem kanala elektronima ovakav
tranzistor spada u skupinu tranzistora osiromaenog tipa. Pozitivnim naponm UGS postie se
isti uinak kao i kod tranzistora obogaenog tipa: elektroni se izvlae iz dubine podloge i
gomilaju se u kanalu poveavajui tako njegovu vodljivost.

Slika 5.2.2: Presjek n-kanalnog MOSFETa osiromaenog tipa:

a) uz napon UGS = 0, b) uz napon UGS < 0.
Napon UGS pri kojem kanal praktiki prestaje biti vodljiv naziva se napon praga UGS0. Za n-
kanalni MOSFET osiromaenog tipa UGS0 je negativan, a za obogaeni tip je pozitivan, slika
5.2.3.

82
 Slika 5.2.3: Prijenosne karakteristike n-kanalnog MOSFETa.
Znaajka je n-kanalnog MOSFETa osiromaenog tipa to struja ID moe tei i pri negativnim
naponima UGS, pri emu treba biti UGS0 < UGS < 0 (rad u osiromaenom modu) te pri
pozitivnim naponima UGS (rad u obogaenom modu). Za razliku od tranzistora osiromaenog
tipa, kroz kanal tranzistora obogaenog tipa struja moe tei samo uz pozitivne napone U GS
pri emu treba biti UGS > UGS0, tj. tranzistor moe raditi samo u obogaenom modu.
Za p-kanalni MOSFETa podloga je silicijski poluvodi n-tipa, a podruja uvoda i odvoda p +-
tipa. Napon praga p-kanalnog MOSFETa obogaenog tipa je negativan, a tranzistor moe
raditi jedino u obogaenom modu uz negativan napon U GS. Za osiromaeni tip napon praga
UGS0 je pozitivan, a tranzistor moe raditi u osiromaenom modu pri U GS > 0 i obogaenom
modu pri UGS < 0, slika 5.2.4.

Slika 5.2.4: Prijenosne karakteristike p-kanalnog MOSFETa.

5.2.1. Izlazne karakteristike MOSFETa

Osnovni preduvjet za rad MOSFETa je stvaranje inverzijskog sloja na povrini podloge uz
izolacijski sloj, odnosno nastajanje pokretnog (povrinskog) naboja gustoe m, koja je pri
naponu UDS = 0, odreena izrazom
0 ,0 x
m ( U GS U GS0 ) , (5.2.1.1)
t 0x
budui da je napon UGS, pri kojemu nastaje inverziski sloj, upravo jednak naponu praga UGS0.

83
Uz prikljueni napon UDS tee i struja izmeu uvoda i odvoda. Posljedica je pad napona du
kanala, odnosno nejednolika irina kanala, slika 5.2.1.1. Pad napona du kanala je funkcija
udaljenosti x od ishodine, odnosno referentne toke (elektrode), pa izraz za povrinsku
gustou naboja treba takoer prikazati kao funkciju udaljenosti x:
0 ,0 x
m (x) ( U GS U ( x ) U GS 0 ) . (5.2.1.2)
t 0x
S pomou relacije (5.2.1.2) moe se odrediti vodljivost jedinine duine kanala G(x):
G( x ) nk m ( x ) w , (5.2.1.3)
gdje je nk pokretljivost elektrona u kanalu, a w dubina kanala, slika 5.2.1.1.

Slika 5.2.1.1: Geometrijsko ustrojstvo MOSFETa.

Pokretljivost nosilaca u kanalu je manja od pokretljivosti u dubini podloge. Smanjenje
pokretljivosti nastaje zbog djelovanja elektrinog polja u kanalu, te rasprenjem nosilaca na
meupovrini SiO2-Si.
U skladu s relacijom (5.2.13) struja u kanalu ima stalan iznos I D, a moe se prikazati kao
umnoak dviju promjenljivih veliina: vodljivosti G(x) i jakosti elektrinog polja dU(x)/dx:
dU ( x )
I D G( x ) . (5.2.1.4)
dx
S pomou relacija (5.2.1.2) i (5.2.1.3) izraz (5.2.1.4) moe se prikazatiti u obliku integrala
L U DS
,
I D dx nk 0 0 x w (U GS U GS0 U ( x ))dU (5.2.1.5)
0
t 0x 0

iz kojega nakon provedene integracije lijeve i desne strane u odgovarajuim granicama,

proistjee jednadba za struju ID:
1
I D K ( U GS U GS 0 ) U DS U 2DS , (5.2.1.6)
2
gdje je
nk 0 ,0 x w
K . (5.2.1.7)
t 0x
Funkcija (5.2.1.6) ima minimum u toki UDS = UGS - UGS0, kojim je ujedno oznaeno i
podruje zasienja struje ID:
K
I Dzas ( U GS U GS0 ) 2 . (5.2.1.8)
2

84
Jednadba (5.2.1.6) opisuje triodno podruje, a (5.2.1.8) podruje zasienja polja izlaznih
karakteristika n-kanalnog MOSFETa, slika 5.2.1.2.

Slika 5.2.1.2: Izlazne karakteristike n-kanalnog MOSFETa.

a)obogaeni tip; b)osiromaeni tip.
Kod stvarnih, izmjerenih karakteristika postoji mali porast struje ID s porastom napona UDS, te
se za podruje zasienja moe primijeniti empirijska relacija
I D I Dzas (1 U DS ) (5.2.1.9)
u kojoj je parametar koji moe imati vrijednost izmeu 0.01 i 0.001V-1.
Jednadbe (5.2.1.6) i (5.2.1.8), iako su izvedene za n-kanalni MOSFET obogaenog tipa s
definiranim predznacima napona u skladu sa slikom 5.2.1.3., vrijede i za sve ostale tipove
MOSFETova, vodei pritom rauna o predznacima odgovarajuih elektrinih veliina.

Slika 5.2.1.3: Definicija polariteta napona i smjera struje za n-kanalni MOSFET obogaenog
tipa.

5.2.2. Parametri MOSFETa

U triodnom se podruju MOSFET moe upotrijebiti u elektronikim sklopovima kao linearni
otpornik iji se iznos moe mijenjati naponom UGS, slika 5.2.2.1. Linearna se ovisnost struje
ID i napona UDS postie, sukladno jednadbi (13.3.1.6), uz uvjet UDS < UGS - UGS0:

I D K ( U GS U GS0 ) U DS U 2DS K ( U GS U GS0 ) U DS . (5.2.2.1)

85
 Slika 5.2.2.1: MOSFET kao promjenjivi linearni otpornik.
Dinamiki su parametri definirani kao i za spojni FET. Primjenom njihovih definicija na
odgovarajue jednadbe za triodno podruje rada, dobiva se:
U DS 1
rd , (5.2.2.2)
I D U GS konst. K ( U GS U GS0 U DS )

I D
gm K U DS , (5.2.2.3)
U GS
g m rd , (5.2.2.4)
Za podruje zasienja:
1
I Dzas , (5.2.2.5)
rd

g m K ( U GS U GS 0 ) . (5.2.2.6)

86
5.3. Nadomjesni sklop za unipolarni tranzistor
Za nadomjesni sklop unipolarnog tranzistora u podruju rada sa znaajkama malih promjena
iznosa signala i srednjih frekvencija, moe se upotrijebiti linearni sklop koji sadri naponski
ili strujni ovisni izvor.
Polazei od funkcije kojom je izraena ovisnost struje iD o dvije varjable uGS i uDS,
i D f ( u GS , u DS ) (5.3.1)
moe se odrediti ukupna promjena strujr iD, to s matematikog stajalita odgovara totalnom
diferencijalu funkcije (5.3.1)
i D i
di D du GS D du DS (5.3.2)
u GS u DS
Kako oznake iD, uGS i uDS ukljuuju istosmjerne i trenutne izmjenine veliine:
iD = ID + id,
(5.3.3)
uGS = UGS + ugs, (5.3.4)
uDS = UDS + uds, (5.3.5)
mogu se promjene diD, duGS i duDS prikazati kao trenutne izmjenine veliine id, ugs i uds jer su
za male promjene signala po iznosu zadovoljeni uvjeti:
ID >> id; UGS >> ugs; UDS >> uds. (5.3.6)
U skladu s definicijom za dinamike parametre:
i D i
gm d (5.3.7)
u GS u gs

1 i D i
d (5.3.8)
rd u DS u ds
relacija (5.3.2) moe se pisati u obliku:
1
i d g m u gs u ds (5.3.9)
rd

ili
u ds u gs i d rd (5.3.10)

ako se umjesto gm uvrsti r .
d

Jednadbama (5.3.9) i (5.3.10) odreen je nadomjesni sklop unipolarnog tranzistora za

podruje srednjih frekvencija i malih promjena iznosa signala, slika 5.3.1.

87
Slika 5.3.1: Nadomjesni sklop unipolarnog trtanzistora
a) sa strujnim izvorom, b) s naponskim izvorom.

88
PRILOG 1.

Fizikalne konstante i veliine

Konstanta, veliina Simbol Iznos Dimenzija

Naboj elektrona q 1.60210-19 C
Masa slobodnog elektrona m0 9.108510-31 kg
Planckova konstanta h 6.62510-34 Js
Planckova konstanta h 4.13510-15 eVs
Boltzmanova konstanta k 1.38110-23 JK-1
Boltzmanova konstanta k 8.6210-5 eVK-1
Permitivnost vakuma 0 8.85410-12 Fm-1
Relativna permitivnost za silicij r 11.7
Intrinsina gustoa za silicij pri T=300K ni 1.451010 cm-3

89
PRILOG 2.
Definicija funkcije pogreke i tablica vrijednosti

Funkcija pogreke erf(z) i njena komplementarna funkcija erfc(z) definirane su izrazima:

z

erf ( z)
2


exp x 2 dx , erfc(z) = 1 - erf(z).
0

Za komplementarnu funkciju pogreke vrijedi:

1
erfc( z) dz
0
.

Tablica vrijednosti funkcije erfc(z)

z erfc(z) z erfc(z) z erfc(z) z erfc(z) z erfc(z)
0.00 1.000000 0.70 0.322199 1.40 0.047715 2.10 2.97910-3 2.80 7.5010-5
0.02 0.977435 0.72 0.308567 1.42 0.044624 2.12 2.71610-3 2.82 6.7010-5
0.04 0.954889 0.74 0.295322 1.44 0.041703 2.14 2.47510-3 2.84 5.9010-5
0.06 0.932378 0.76 0.282463 1.46 0.038946 2.16 2.25310-3 2.86 5.2010-5
0.08 0.909922 0.78 0.269990 1.48 0.036346 2.18 2.04910-3 2.88 4.6010-5
0.10 0.887537 0.80 0.257899 1.50 0.033895 2.20 1.86310-3 2.90 4.1010-5
0.12 0.865242 0.82 0.246189 1.52 0.031587 2.22 1.69210-3 2.92 3.6010-5
0.14 0.843053 0.84 0.234857 1.54 0.029414 2.24 1.53610-3 2.94 3.2010-5
0.16 0.820988 0.86 0.223900 1.56 0.027372 2.26 1.39310-3 2.96 2.8010-5
0.18 0.799064 0.88 0.213313 1.58 0.025453 2.28 1.26210-3 2.98 2.5010-5
0.20 0.777297 0.90 0.203092 1.60 0.023652 2.30 1.14310-3 3.00 2.2110-5
0.22 0.755704 0.92 0.193232 1.62 0.021962 2.32 1.03410-3 3.02 1.9510-5
0.24 0.734300 0.94 0.183729 1.64 0.020378 2.34 9.3510-4 3.04 1.7110-5
0.26 0.712100 0.96 0.174576 1.66 0.018895 2.36 8.4510-4 3.06 1.5110-5
0.28 0.692120 0.98 0.165768 1.68 0.017507 2.38 7.6310-4 3.08 1.3210-5
0.30 0.671373 1.00 0.157299 1.70 0.016210 2.40 6.8910-4 3.10 1.1710-5
0.32 0.650874 1.02 0.149162 1.72 0.014997 2.42 6.2110-4 3.12 1.0210-5
0.34 0.630635 1.04 0.141350 1.74 0.013865 2.44 5.5910-4 3.14 8.9710-6
0.36 0.610670 1.06 0.133856 1.76 0.01281 2.46 5.0310-4 3.16 7.8610-6
0.38 0.590991 1.08 0.126674 1.78 0.011826 2.48 4.2610-4 3.18 6.8910-6
0.40 0.571608 1.10 0.119795 1.80 0.010909 2.50 4.0710-4 3.20 6.0310-6
0.42 0.552532 1.12 0.113212 1.82 0.010057 2.52 3.6610-4 3.22 5.2710-6
0.44 0.533775 1.14 0.106918 1.84 9.26410-3 2.54 3.2810-4 3.24 4.6010-6
0.46 0.515345 1.16 0.100904 1.86 8.82810-3 2.56 2.9410-4 3.26 4.0210-6
0.48 0.497250 1.18 0.095163 1.88 7.84410-3 2.58 2.6410-4 3.28 3.5110-6
0.50 0.479500 1.20 0.089686 1.90 7.21010-3 2.60 2.3610-4 3.30 3.0610-6
0.52 0.462101 1.22 0.084466 1.92 6.62210-3 2.62 2.1110-4 3.32 2.6610-6
0.54 0.445061 1.24 0.079495 1.94 6.07710-3 2.64 1.8910-4 3.34 2.3210-6
0.56 0.428384 1.26 0.074764 1.96 5.57410-3 2.66 1.6910-4 3.36 2.0210-6
0.58 0.412077 1.28 0.070266 1.98 5.10810-3 2.68 1.5110-4 3.38 1.7510-6
0.60 0.396144 1.30 0.065992 2.00 4.67810-3 2.70 1.3410-4 3.40 1.5210-6
0.62 0.380589 1.32 0.061935 2.02 4.28110-3 2.72 1.2010-4 3.42 1.3210-6
0.64 0.365414 1.34 0.058086 2.04 3.91410-3 2.74 1.0710-4 3.44 1.1510-6
0.66 0.350623 1.36 0.054439 2.06 3.57710-3 2.76 9.5010-5 3.46 9.9210-7
0.68 0.336218 1.38 0.050985 2.08 3.26610-3 2.78 8.4010-5 3.48 8.5910-7

90
Literatura

1 P. Biljanovi, Poluvodiki elektroniki elementi, kolska knjiga-Zagreb, 1996.,

2 W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors, D.Van Nostrand, New York,
1950.,
3 H.D.P. Lanyon, R.A. Tuft, Bandgap Narrowing in Moderately to Heavily Doped Silicon,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-26,1979, 7,1014-1018,
4 H.D.P. Lanyon, R.A. Tuft, Bandgap Narrowing in Moderately to Heavily Doped Silicon,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-26,1979, 7,str. 1014-1018,
5 J.W. Slotboom, H.C. de Graaff, Measurements of Bandgap Narrowing in Si Bipolar
Transistors, Solid-State Electronics, 19, 1976, 10, str. 857-862,
6 C. D. Thurmond, The Standard Thermodynamic Functions for the Formation of
Electrons and Holes in Ge, Si, GaAs and GaP, J. Electrochemical Society, vol. 122, pp.
1133-1141, August 1975.
7 F. J. Morin, J. P. Maita, Electrical Properties of Silicon Containing Arsenic and Boron,
Phys. Rev., vol. 96, pp. 28-35, October, 1954.
8 F. H. Gaensslen, R. C. Jaeger, Temperature Dependent Threshold Behavior of Depletion
Mode MOSFETs, Solid-State Electronics, vol. 22, pp 423-430, April 1979.
9 J. M. Dorkel, Ph. Leturcq, Carrier Mobilities in Silicon Semi-Empirically Related to
Temperature, Doping and Injection Level, Solid-State Electronics, vol. 24, pp. 821-825,
September 1981.
10 D. M. Caughey, R. E. Thomas, Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to
Doping and Field, Proc. IEEE, vol. 55, pp. 2192-2193. December 1967.
11 G. Baccarani, P. Ostoja, Electron Mobility Empirically Related to the Phosphorous
Concetration in Silicon, Solid-State Electronics, vol. 18. pp. 579-580, 1975.
12 A. K. Henning, N. N. Chan, J. T. Watt, J. D. Plummer, Substrate Current at Cryogenic
Temperatures: Measurements and a Two-Dimensional Model for CMOS Technology,
IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-34, pp. 64-74, January 1987.
13 J. G. Fossum, Computer-Aided Numerical Analysis Of Silicon Solar Cells, Solid-State
Electronics, vol. 19, pp. 269-277, April 1976.
14 B. Juzbai, Elektroniki elementi, kolska knjiga, Zagreb, 1975.
15 P. Biljanovi, Mikroelektronika-integrirani elektroniki sklopovi, kolska knjiga,
Zagreb, 1982.
16 J. Millman, C. C. Halkias, Electronic Devices and Circuits, McGraw-Hill, New York,
1967.
17 V. Knapp, P. Coli, Uvod u elektrina i magnetska svojstva materijala, kolska knjiga,
Zagreb, 1990.
18 R. B. Adler, A. C. Smith, R. L. Longini, Introduction to Semiconductor Physics, John
Wiley & Sons, Inc., New York, 1964.

91
19 R. A. Colclaser, S. Diehl-Nagle, Materials and Devices for Electrical Engineers and
Physicists, McGraw-Hill Book Company, New York, 1985.
20 K. Adami, J. Herak, Fizika struktura, stanja i svojstva tvari, kolska knjiga, Zagreb,
1981.

92