ndice Captulo VIII: Transdutores

8 TRANSDUTORES........................................................................................................ 2
8.1 Classificao dos transdutores ............................................................................... 2
8.2 Modo de seleco de um transdutor........................................................................ 2
8.3.1 Transdutores resistivos de posio .................................................................... 3
8.3.2 Transdutores resistivos de presso.................................................................... 4
8.4 Transdutores Capacitivos ...................................................................................... 7
8.5.1 Transdutores indutivos .................................................................................. 10
8.5.2 Transdutores indutivos variveis: os transformadores diferenciais variveis lineares
.......................................................................................................................... 11
8.5.3 Transformadores diferenciais variveis rotativos (RVDT) .................................... 13
8.6 Transdutores piezoelctricos ................................................................................ 14
8.6.1 Efeito Piezoelctrico ...................................................................................... 14
8.6.2 Tipo de oscilaes provocadas por um cristal de quartzo .................................... 14
8.6.3 Circuito equivalente ...................................................................................... 15
8.6.4 Factor de qualidade ...................................................................................... 15
8.7 Transdutores de temperatura .............................................................................. 16
8.7.1 Detectores de Temperatura Resistivos. ............................................................ 16
a) Tipos de RTD e tabelas de calibrao. .................................................................. 17
b) Determinao do factor de dissipao de um RTD.................................................. 18
8.7.2 Termopares ................................................................................................. 20
8.7.3 Termstores ................................................................................................. 23
8.7.4 Transdutores de temperatura ultra-snicos ...................................................... 28
8.8 Transdutores Fotoelctricos ................................................................................. 31
8.8.1 Vlvulas Fotomultiplicadoras .......................................................................... 31
8.8.2 Transdutor fotocondutivo............................................................................... 33
8.8.3 Fotododo .................................................................................................... 34
8.8.3.1 Circuito elctrico equivalente e modos de funcionamento................................. 37
8.8.4 Fototransstor .............................................................................................. 39
8.9 Transdutores Biolgicos ...................................................................................... 41

1
8 TRANSDUTORES

Transdutor um dispositivo que converte uma forma de energia em outra forma de energia.
Na maioria dos casos, consiste em converter energia elctrica num deslocamento mecnico ou
converter alguma grandeza fsica no elctrica tal como som, temperatura, presso,
velocidade ou luz, numa grandeza elctrica. Com o recurso a transdutores podemos utilizar
instrumentao electrnica para medir, modificar e melhorar o actual estado tecnolgico das
aplicaes industriais. Por exemplo, hoje em dia existem j transdutores integrados de
temperatura com sensibilidades da ordem dos 10 a 200 mV por grau centgrado,
extremamente lineares. Existem tambm transstores de efeito de campo sensveis a
diferentes ies, utilizados na medida de potenciais bioelectrnicos. Os transdutores so
tambm hoje muito utilizados em telemetria (transmisso de informao quantificada
distancia).
As funes de um transdutor so:
1. ser sensvel presena, magnitude e variao de um dado mesurando;
2. proporcionar a sada de um sinal elctrico a ser lido por um leitor.

Mesurando Sada elctrica

TRANSDUTOR

Excitao

8.1 Classificao dos transdutores

A maneira mais satisfatria de classificar os transdutores pelos princpios elctricos

envolvidos no seu funcionamento. Os transdutores podem tambm ser classificados de acordo
com a sua aplicao.
Em termos elctricos, os transdutores podem ser classificados em passivos ou auto-
generativos. No primeiro caso, o transdutor necessita de uma fonte de excitao externa e a
sua sada a medida de uma variao de uma grandeza de um componente elctrico, tal como
uma resistncia ou capacidade. No segundo caso o transdutor no necessita de qualquer fonte
de alimentao externa, produzindo eles prprios um sinal analgico de corrente ou tenso,
quando estimulado por alguma forma de energia. Esto neste caso os transdutores
piezoelctricos, clulas solares, termopares, geradores de bobina mvel.

8.2 Modo de seleco de um transdutor

O transdutor ou sensor a seleccionar deve ser fisicamente compatvel com a aplicao

desejada. Assim, ao seleccionar-se um transdutor deve-se ter em conta:
A sua faixa de funcionamento, de modo a que este tenha uma boa resoluo.
Sensibilidade do transdutor em termos da grandeza fsica a medir.

2
Frequncia de resposta e frequncia de ressonncia do transdutor.
Compatibilidade ambiental.
Sensibilidade mnima, em termos de preciso da grandeza a medir.
Eficcia.
Robustez.
Caractersticas funcionais elctricas, nomeadamente, no que se refere relao sinal/rudo.

Em termos genricos, os transdutores so classificados em

passivos, tais como: os resistivos; piezoresistivos;; capacitivos, transformador diferencial
linear varivel; indutivo; conversores de sinal; potenciomtricos e termopares; termistores
ou auto generativos, tais como: piezoelctricos; auto-transformadores; fotoelctricos (foto-
emissivos; fotocondutores e clulas solares);.

8.3.1 Transdutores resistivos de posio

Figura 8.1:Transdutor resistivo de posio ou transdutor de deslocamento

O princpio de funcionamento de um sensor resistivo de posio a de que a varivel fsica sob

medida provoca uma variao da resistncia elctrica do transdutor, quando se pretende , por
exemplo, determinar a posio de um objecto ou de quanto este se deslocou.
Neste caso o transdutor consiste numa resistncia varivel do tipo potencimetro em que o
cursor da variao da resistncia se encontra ligado ao objecto a ser monitorado. Assim,
aplicando-se uma tenso aos terminais fixos da resistncia e monitorando-se a variao de
tenso entre o terminal varivel e o de referncia da resistncia, a tenso de sada
proporcional variao de resistncia :

R2
V0 = VT 8.1
R1 + R2
onde R2 a componente da resistncia varivel ligada a V0 e R1 a outra componente da
resistncia varivel, ligada fonte VT.

Problema 8.1- Um transdutor de deslocamento com um cursor com excurso mxima de 10

cm ligado a um objecto. Sabendo que a variao da resistncia com a posio linear,
determine o valor da tenso de sada quando o cursor est a 3 cm e 8 cm da referncia,
respectivamente, sabendo que a tenso de excitao de 5 V e a resistncia total de 5 k.
Resoluo.

3
Primeiro, devemos calcular o valor da resistncia varivel, para os diferentes deslocamentos e
depois as respectivas tenses de sada.. Assim tem-se: Rv(3cm)=(3/10).5000=1500
V0=(1500/5000).5=1,5 V; Rv(8cm)=4000 .V0=4V.

8.3.2 Transdutores resistivos de presso

O princpio de funcionamento consiste em alterar a resistncia ou o comprimento de um fio
resistivo, quando este sujeito a uma presso.
L
R= 8.2
A
onde a resistividade elctrica do fio, L o comprimento e A a seco do fio.

Figura 8.2.: Resistncia metlica tpica de um sensor resistivo

razo entre a variao da resistncia elctrica e do comprimento, designamos por factor de

calibrao de presso
R / R
K= , 8.3a)
L / L
onde G = L / L , 8.3b)

corresponde variao extensomtrica do fio. Como a fora de presso p, dada por: p=F/A
(fora por unidade de rea) e como a constante de proporcionalidade tenso e extenso para
uma variao linear destes dois parmetros o modulo de elasticidade E ou o mdulo de
Young, tem-se pela lei de Hooke que

E=p/G. 8.4

Problema 8.2- Um extensmetro resistivo utilizado para ler tenses mecnicas, com um
factor de calibrao de 2 ligado a uma chapa de ao inox que sujeita a um alongamento
relativo de 10-6. Se a resistncia elctrica original do calibrador for de 130 , calcule a
variao da resistncia deste.
Resoluo.
K=(R/R)/GR=KGR=210-6130=260.

4
Problema 8.3-Uma barra de ao de seco circular (dimetro de 2cm) e com o comprimento
de 40 cm sujeita a uma fora de tenso de 33000 Kg, onde E=21010 Kg/m2. Calcule a
elongao sofrida pela barra, em metros.
Resoluo.
A=(D/2)2=3,1410-4 m. E=p/G=(F/A)/(L/L) L=FL/AE=2,110-3 m

Os medidores de presso metlicos so constitudos por um fino fio resistivo, formado a partir
da eroso de folhas metlicas muito finas, sobre a qual se impressionou o padro da
resistncia com o comprimento e seco desejadas. Normalmente estes sensores de presso
so utilizados em aplicaes onde o ambiente envolva a utilizao de altas temperaturas.
Os sensores de presso podem tambm ser baseados em elementos resistivos
semicondutores. . Neste caso os sensores so extremamente sensveis s variaes de
presso, possuindo factores de calibrao (G) que variam entre 50 e 200. Contudo estes
sensores so altamente afectados pela variao de temperatura.
Os sensores de presso so normalmente utilizados como um dos braos de uma ponte
Wheastone (ver captulo IV).

Figura 8.3a: Ponte de Wheatstone

Na prtica os medidores de presso lem valores da ordem dos milsimos de E. Por

conseguinte, a ponte deve ser sensvel a pequenas variaes da resistncia (por exemplo, para
uma resistncia da ordem dos 120 , a ponte deve ser capaz de detectar variaes da ordem
dos 0,12 ).
Se tivermos em conta a figura 8.2, quando a ponte no est balanceada tem-se:

R3 R2
V0 = V EX 8.5
3
R + R 4 R1 + R 2

onde V00, Se substituirmos R4 pela resistncia RG do sensor, e se a variao da resistncia do

sensor poder ser expressa pela relao: R = RGGK=RGKp/E.
Se R1=R2 e R3=RG , tem-se:

5
 Figura 8.3b: Ponte de Wheatstone ligada a sensor de presso

V0 GK 1
= 8.6
V EX 4 1 + GK / 2

Ao utilizar-se no brao que vai medir e num outro, a mesma resistncia de sensor, o efeito
da temperatura pode ser minimizado. Por exemplo, se tivermos um dos sensores activos (RG +
R), e um segundo sensor inactivo colocado transversalmente, qualquer variao de
temperatura afectara igualmente ambos os sensores, compensando-se deste modo o seu
efeito final no valor de V0.

Figura 8.4a: Utilizao de um sensor inactivo (resistncia de teste) para eliminao/compensao da

temperatura.

A sensibilidade da ponte pode ser aumentada para o dobro se se fizer com que os dois
sensores sejam activos em cada uma das metades da ponte, tal como se ilustra na figura que
se segue.

Figura 8.4b: Ponte com dois elementos sensoriais activos.

V0 GK
= 8.7
V EX 2

6
No processo de seleco do sensor de presso mais adequado deve-se ter em conta: (1) os
componentes que constituem a ponte; (2) a forma de excitao da fonte; (3) tipo de senor
utilizado; (4) que tipo de amplificao do sinal obtido se vai utilizar; (5) o circuito de filtragem
usado; (6) o nvel de offset; (7) a resistncia shunt de calibrao.

8.4 Transdutores Capacitivos

Figura 8.5: Diferentes tipos de transdutores capacitivos

Como a capacidade de um condensador de placas paralelas varia inversamente com a

distancia entre placas (C=0A/d), qualquer variao em d provoca uma variao em C.
Os transdutores capacitivos podem ser do tipo de placas variveis (utilizados nos rdios), de
ncleo varivel ou de membrana. Estes ltimos so muito utilizados para medir depresses.
Outros transdutores capacitivos funcionam por remoo do material dielctrico existente entre
duas placas fixas.

Figura 8.6: Exemplos de transdutores capacitivos de placas paralelas.

7
Problema 8.4- A membrana de um medidor de presso capacitivo tem a rea de 510-3 m2 e
uma distncia entre placas de 110-3 m. Calcule o valor da sua capacidade se este se encontra
a medir a presso do ar (=1).
Resoluo

0 A 1 5 10 3 8,854 10 12
C= = = 44,25 pF
d 10 3

Transdutores capacitivos de elevada sensibilidade e imunes a variaes de outras variveis

baseiam-se em sensores diferenciais capacitivos, do gnero dos que a seguir se indicam:

Figura 8.7: Sensores diferenciais capacitivos

Como se pode ver, os sensores capacitivos diferenciais possuem 3 fios de ligao, em vez de
2. Isto , um fio ligado a cada placa do condensador e um terceiro, ligado placa comum. Isto
, a variao da capacidade em cada uma das seces complementar da outra (quando uma
aumenta a outra diminui i vice-versa).
Este tipo de estrutura fcil de implementar num circuito medidor, agora baseado em pontes
ac (ver captulo IV).
Os transdutores capacitivos operam por variaes muito pequenas da capacidade,
normalmente da ordem dos picofarads. Tal faz com que se utilizem fontes de excitao de
frequncias muito elevadas, de forma a reduzir os valores da reactncia em jogo, para valores
razoveis. Para alm disso, o sistema deve ser convenientemente blindado para reduzir o
efeito das capacidades distribudas e ter-se bons contactos hmicos, de forma a reduzir a
influncia do rudo.

8
 Figura 8. 8: Ponte ac de um transdutor capacitivo diferencial.

A forma alternativa ponte ac da figura 8.8 o recurso ponte gmea T (twin T) em que dois
dos braos so constitudos por dodos ligados em oposio de fase tal como se indica no
esquemtico que se segue.

(a)

(b)
Figura 8.8: Ponte T gmea capacitiva (a); esquemtico elctrico

Neste circuito, o condensador C1 carrega durante o meio ciclo positivo da fonte ac enquanto
que o condensador C2 carrega durante o meio ciclo negativo. Enquanto um dos condensadores
carregado o outro descarrega-se (a uma razo menor do aquela com que foi carregado)
sobre as 3 resistncias do circuito. Como consequncia, C1 mantm uma tenso dc positiva em
relao massa, enquanto que C2mantm uma tenso negativa. Assim, se a capacidade do

9
transdutor variar. Tal significa que um dos condensadores aumenta a sua capacidade e outro
diminui (no esquecer: trata-se de um capacidade diferencial!).
A queda de tenso associada resistncia de carga, (Rload), ligada entre o ponto de ligao das
2 resistncias (R) de igual valor e a massa ser nula se a carga dos dois condensadores for a
mesma. Caso contrrio existir uma queda de tensa, cujo sinal depende do valor da tenso
associada a cada um dos condensadores: positiva quando C1 dominante e negativa no caso
inverso.

8.5.1 Transdutores indutivos

Os transdutores indutivos podem se passivos ou auto generativos. Os auto generativos
utilizam o princpio bsico do gerador elctrico que quando existe um movimento relativo
entre um condutor e o campo magntico, induz-se neste uma tenso.
Um tacmetro um transdutor indutivo que
converte directamente a velocidade ou acelerao
num sinal elctrico. Assim, o objecto cuja
velocidade angular se pretenda conhecer
directamente acoplado ao rotor de um gerador de
corrente continua, que roda em torno dos plos de Figura 8.9a) Tacmetro em que o estator um
uma armadura de um magnete permanente magneto permanente

(estator).
Deste modo, induz-se uma tenso aos enrolamentos das espiras do rotor. A tenso
desenvolvida da ordem dos 10 mV por rotao e minuto (rpm) e pode ser directamente
fornecida a um voltmetro de corrente continua calibrado em rpm.
Alternativamente, a armadura rotativa pode ser
um magnete permanente e as bobinas serem o
estator. Este tipo de configurao proporciona um
sinal de corrente alterna, apresentando com
vantagem a facilidade se poder filtrar o rudo e o
riple do sinal, para eventual amplificao do
sinal obtido. Figura 8.9b) Tacmetro em que o rotor um
magneto permanente.

Uma aplicao tpica deste transdutor para determinar a frequncia de um tacmetro, para
alm da velocidade de fluxos de fluidos condutores, que atravessam um campo magntico
esttico. Deste modo, a velocidade de deslocao do fluxo condutor v), na direco
perpendicular do campo magntico B, origina o aparecimento de um fluxo de energia
perpendicular ao plano definido por vB, que induz uma fora electromotriz (E) a uma bobina
que constitui os terminais dos elctrodos, colocados perpendicularmente direco do fludo:
Genericamente, o princpio de determinao da velocidade tem em conta que:

10
E(fora electromotriz)=Blv, 8.8

em que B a intensidade do campo magntico em webber m-2; l o comprimento do condutor

(neste caso, o dimetro interno do tubo isolante, por onde flui o fluido condutor); v a
velocidade em m/s.
No caso de fluxmetro
electromagntico, o rotor substitudo
por um tubo colocado entre os dois
plos do magnete. Assim, medida
que flui um lquido atravs do campo
magntico, induz-se uma fora
electromotriz no enrolamento deste que
Figura 8.10: Transdutor indutivo para medio de fluxos.
mensurvel.

Problema 8.5- Tem-se um dado transdutor indutivo para medir fluxos, em que o dimetro da
conduta de 1,25 cm. Se a velocidade de um fluxo de 10m/s produz um campo magntico de
o,2 T, determine a fora electromotriz gerada.
Resoluo.
E=Blv=0,21,2510-210=25 mV.

8.5.2 Transdutores indutivos variveis: os transformadores diferenciais variveis

lineares
Os transdutores passivos indutivos necessitam de uma fonte de excitao externa. A aco do
transdutor consiste principalmente em modular a excitao do sinal.

Figura 8.11. O transformador diferencial varivel linear (LVDT)

11
Tal o que acontece com o
transformador diferencial linear
varivel (LVDT). O LVDT consiste
basicamente num enrolamento
primrio (onde se aplica a excitao) e
dois enrolamentos secundrios (onde
se tira o sinal de sada), que envolvem
um tubo oco, posicionados de tal modo
que o enrolamento primrio rodeado
pelos enrolamentos secundrios, em
oposio de fase. No tubo oco
colocado um material ferromagntico,
movvel tal que quando o ncleo se
encontra centrado, os plos A e B
estaro em oposio de fase, as f.e.m
geradas em cada um dos enrolamentos
do secundrio iguais, pelo que no
existe qualquer tenso sada.
Tenso de sada
Se o ncleo se desloca para um dos
lados, por exemplo A, a tenso gerada
no enrolamento do secundrio prximo
de A (V1) superior do outro
A B
enrolamento (V2), sendo a diferena,
- +
directamente proporcional distancia Posio do ncleo
percorrida pelo ncleo, que se
pressupe variar linearmente. Figura 8.12: O LVDT (a); esquemtico do LVDT; (c) forma
de variao da tenso de sada, em funo do
posicionamento do ncleo

A principal vantagem do LVDT sobre um potencimetro para a determinao da posio, a de

ausncia de contactos fsicos entre as partes mveis e estacionrias.
As tenses de excitao do LVDT so geralmente da ordem dos 10 V eficazes, utilizando-se
sinais em que a frequncia varia entre os 50 Hz e os 20 kHz.
Uma das potenciais desvantagens do LVDT o tempo de resposta, que dependente da
frequncia da fonte do sinal de excitao utilizado. Se se pretenderem tempos de resposta
muito rpidos, as frequncias do sinal a utilizar devem ser muito elevadas, de modo a que
qualquer que seja o circuito de deteco da tenso decorram o nmero de ciclos suficientes
capazes de determinarem o nvel de tenso correspondente ao movimento do ncleo. Por
exemplo, se tivermos um LVDT alimentado por um sinal de 50 Hz em que o ncleo se mova
para dentro e para fora de algumas centenas de vezes por segundo. O sinal de sada deste
LVDT no se parecer em nada com uma funo sinusoidal, uma vez que o ncleo se mova ao

12
longo de todo um ciclo, de forma mais rpida que o sinal, pelo que tambm no possvel
relacionar o nvel de tenso com a posio do ncleo.

Problema 8.6- Num dado transformador linear diferencial, a tenso de entrada de 6,5 V e a
tenso de sada de 5 V, para uma excurso mxima de 2 cm. Determine qual a tenso de
sada quando o ncleo do transformador se desloca de 2 cm para 1 cm.
Resoluo

Tendo em conta os dados fornecidos e que o sistema simtrico, tem-se que Vo=(-15/2)=-
2,5 V.

8.5.3 Transformadores diferenciais variveis rotativos (RVDT)

Uma variao dos LVDT so os RVDT. O princpio de funcionamento destes dispositivos
similar aos dos LVDT, excepto que agora o movimento linear transformado num movimento
angular rotacional de ou superior a 360. Baseado neste principio, temos os chamados
Synchro ou Selsyn, que no mais do que um dispositivo similar a um rotor polifsico de um
motor ac. Neste caso, o rotor livre de rodar de 360 e em que existe um nico enrolamento
ligado fonte de excitao. Por outro lado, o estator composto por 3 enrolamentos dispostos
na forma de Y. As tenses induzidas nos braos do estator pelo rotor no se encontram
desfasadas de 120, como acontece num motor trifsico com o estator com ligao em estrela.
Com o rotor excitado pelo sinal ac, a tenso aos terminais de cada enrolamento do estator
ser em mdulo, proporcional posio angular do rotor.

Figura 8.13: Esquemtico de um RVDT.

13
8.6 Transdutores piezoelctricos

8.6.1 Efeito Piezoelctrico

O efeito piezoelctrico foi descoberto em 1880 pelos irmo Curie em Frana e consiste na
transformao de tenso mecnica num sinal elctrico (acumulao de cargas superfcie de
um cristal) ou vice-versa.

Figura 8.14. Efeito Piezoelctrico

Isto , a aplicao de uma tenso mecnica (presso) ao longo do eixo de um cristal de

quartzo provoca o aparecimento de cargas elctricas na direco dos outros eixos ou,
reciprocamente como resultado de uma diferena de potencial aplicada numa direco
particular, ocorre uma variao nas dimenses fsicas do cristal, ao longo de um outro eixo.
Este o efeito bsico que provoca o aparecimento de uma vibrao num cristal anistropo (as
suas propriedades variam com a direco). No caso do cristal de quartzo, este tem 3 eixos,
(X;Y;Z), dispostos ao logo de um hexgono, fazendo-se o efeito piezoelctrico sentir somente
ao longo dos eixos X e Y. Isto , os eixos que passam respectivamente atravs das arestas
laterais do hexgono (eixos elctricos) ou que so perpendiculares aos lados do hexgono
(eixos mecnicos).
Tipicamente, define-se coeficiente de acoplamento razo:
K=(energia mecnica convertida em elctrica)/(energia mecnica aplicada) ou, K=(Energia
elctrica convertida em mecnica)/(Energia elctrica aplicada).

8.6.2 Tipo de oscilaes provocadas por um cristal de quartzo

O cristal pode produzir 4 tipos diferentes de oscilaes:
1. Oscilaes longitudinais, nas quais o cristal se alarga e contrai, dando origem a uma
frequncia fundamental ou harmnica da oscilao fundamental;
2. Oscilaes de curvatura, em que o raio de curvatura varia, dando origem a uma frequncia
fundamental ou harmnica da oscilao fundamental;
3. Oscilaes de corte, ao longo de uma das diagonais do cristal, dando origem a uma
frequncia fundamental ou harmnica da oscilao fundamental;
4. Oscilaes de toro, ao longo dos planos de escorregamento do cristal, dando origem a
uma frequncia fundamental ou harmnica da oscilao fundamental.

14
8.6.3 Circuito equivalente
O circuito equivalente de um cristal piezoelctrico o que apresenta no esquema ao lado em
que C0 representa a capacidade dos elctrodos que so formados por um filme fino metlico
depositado na sua superfcie, conjuntamente com a capacidade associada ao revestimento
deste (encapsulamento). R1 a resistncia srie equivalente do cristal, resultante da
montagem e perdas mecnicas que ocorrem no cristal. L1 resulta da vibrao da massa do
cristal e C1 representa a elasticidade mecnica do quartzo.
L1 varia tipicamente entre alguns Henrys a algumas centenas de henrys; C1 tem normalmente
valores da ordem dos milsimos de PF; R1 varia entre as dezenas s centenas de ohms; C0
normalmente da ordem de vrios pF.
A frequncia de ressonncia do cristal pode ser determinada quer por L1, C1 e R1 (Frequncia
de oscilao srie), quer por C0 (frequncia de oscilao paralelo). Isto :

1
fs = , frequncia srie 8.9a)
2 ( L1C1 )

1
fp = , frequncia paralelo 8.9b)
CC
2 L1 1 0
C1 + C 0

C1
em que f p = f s 1 + 8.9c)
2C 0

8.6.4 Factor de qualidade

O factor de qualidade (Q) representa a medida da eficincia da oscilao. Os valores deste
parmetro para osciladores de quartzo cerca de 3 a 4 ordens de grandeza superior aos
osciladores base de componentes elctricos passivos. Os factores que limitam Q so:
impurezas e defeitos do material (da ordem de 16106/f); perdas devido montagem (tenses
mecnicas); o acabamento da superfcie do cristal e a sua geometria; gases no interior da
cpsula; temperatura; tipo de elctrodos.

2f s L1
Q= . 8.10
R1
Problema 8.7- Um dado cristal tem um coeficiente de acoplamento de 0,32. Qual a
quantidade de energia elctrica que se lhe deve aplicar para produzir uma sada equivalente a
7mJ?

Resoluo
Nestas condies, sabe-se que 0,32= 710-3/E E=21,9 mJ.

15
8.7 Transdutores de temperatura

Os transdutores de temperatura so dispositivos que permitem ler temperaturas desde a

criogenia (temperaturas muito baixas, prximas do zero absoluto) fuso, incluindo a fuso
nuclear. A forma de seleco do tipo de transdutor mais conveniente para cada aplicao
tambm condicionada pelo tipo de ambiente ande este ir ser aplicado. Em termos gerais
existem 3 grandes tipos de transdutores de temperatura: resistivos, termopares e termstores.

8.7.1 Detectores de Temperatura Resistivos.

Os detectores de temperatura resistivos (RTD) so normalmente feitos de fio ou chapa fina
gravada de Pt, Ni ou outros materiais cuja resistncia varia com a temperatura, de forma
coerente. Neste caso, a resistncia do metal aumenta com a temperatura.
A relao entre a resistncia e a elevao de temperatura dada por:

R = R0 (1 + T ) , 8.11

onde R a resistncia do condutor temperatura t (C), R0 a resistncia do condutor a 20

C, o coeficiente de temperatura da resistncia e T a diferena entre a temperatura de
servio e a temperatura ambiente, (20C).
A incerteza de medida com estes detectores da ordem dos 0,1 C. Este tipo de detectores
existe na forma no encapsulada ou encapsuladas (com isolantes base de MgO; Al2O3 ou
outros compostos similares), funo do meio onde estes so utilizados.
As vantagens destes detectores so: (sadas estveis por longos perodos de tempo; (2) fcil
de serem recalibrados; (3) elevada preciso sobre uma faixa estreita de temperaturas.
Como desvantagens temos: (1) faixa de preciso de leituras de temperatura menor (entre os -
200C e os 700C), quando comparados com os termopares; (2) custo inicial mais elevado do
que o dos termopares; (3) menos robustos que os termopares, quando sujeitos ao choque e
vibraes mecnicas.
Em termos de processo de medida, o detector funciona como o brao de uma ponte no
balanceada (ver captulo IV). Neste circuito, os cabos de ligao podem contribuir para o erro
da medida, especialmente se os cabos so demasiado compridos. O erro introduzidos pelos
cabos de ligao pode ser minimizado com recurso a cabos de compensao ou pela utilizao
de um transmissor montado prximo do RTD. Neste caso, os transmissores convertem o valor
medido da resistncia num sinal analgico de corrente ou sinal srie digital, que enviado a
grandes distancias por um cabo de ligao ou sinal de rf, para um sistema de aquisio de
dados ou controlo e/ou indicador.
Os RTD mais baratos e de menos preciso so feitos de fio de cobre ou nquel (comportamento
no linear da sua resistividade em funo da temperatura, em faixas largas de temperatura).
Para mais informao sobre as potencialidades dos RTD e suas aplicaes, ver a Hart
Scientific website.

16
 Figura 8.15: diferentes tipos de detectores de temperatura resistivos.

a) Tipos de RTD e tabelas de calibrao.

Em termos de calibrao as normas que so seguidas a alem (DIN 751), somente para RTD
de Pt com um coeficiente =0,00385.

17
Os padres ASTM E-1137 para termmetros resistivos de Pt, diz que para a faixa de
temperaturas entre os 0C e os 650C, o comportamento da resistncia deve ser traduzido
pela relao:

R(T) = R(0)[1 + AT +BT2] 8.12

onde: T= temperatura em C; R(T) a resistncia temperatura T; R(0) a resistncia a 0C; A

= 3.9083 10-3(C); B = -5.775 10-7(C-2). Esta equao ligeiramente diferente da relao
geral dada pela equao 8.11.
Nos EUA as especificaes ASTM E1137 para RTD industriais de Pt incluem um conjunto de
recomendaes, nomeadamente tolerncia de admissveis para A e B que so: Tolerncia
gradual de A com T = [0.13 +0.0017 |T|] C; Tolerncia gradual de B com T=[0.25
+0.0042 |T] C, em que |T| o valor absoluto da temperatura de RTD em C.
Na tabela que se segue mostramos mostram-se exemplos dessas tolerncias para um RTD de
Pt em que a 0C a resistncia de 100.

Tabela 8.1 Classificao de RTD e limites de

tolerncia de acordo com ASTM E1137
Limites de
Temperatura em Limites de B
A
Graus C
C Ohms C Ohms

-200 0.47 0.20 1.1 0.47

0 0.13 0.05 0.25 0.10

100 0.30 0.11 0.67 0.25

400 0.81 0.28 1.9 0.66

650 1.24 0.40 3.0 0.94

O padro DIN quando comparado com as normas ASTM reconhece a existncia de 3 classes
diferentes de tolerncias:
DIN Classe A tolerncia: [0.15 + 0.002|T|] C
DIN Classe B tolerncia: [0.30 + 0.005|T|] C
DIN Classe C tolerncia: [1.20 + 0.005|T|] C

b) Determinao do factor de dissipao de um RTD

A constante de dissipao de um RTD usualmente definida sob duas condies: ar livre
(atmosfera) e sob as condies de um banho de leo. O auto-aumento de temperatura
determinado pela potncia dissipada pelo RTD e pela constante de dissipao:
P
T = 8.13
PD

18
onde T o aumento de temperatura provocado pelo auto-aquecimento em C; P a potncia
dissipada na RTD pelo circuito, em W; PD a constante de dissipao da RTD em W/C

Problema 8.8- Um RTD tem o = 0.005/C, R = 500 , e uma constante de dissipao PD =

30 mW/ C a 20C. A RTD usada num circuito ponte em que R1 = R2 = 500 e R3 uma
resistncia varivel usada para balancear a ponte. Se a fonte de excitao da ponte for de 10
V e a RTD for colocada num banho a 0C, determine o valor de R3 que conduza condio de
balanceamento da ponte.
Resoluo
A primeira coisa determinar o valor de RTD a 0C sem incluir os efeitos de dissipao. A
partir da equao 8.11 tem-se:
R = 500[1 + 0.005(0 - 20)]
R = 450
Se no tivermos em conta a condio de auto aquecimento, a ponte est balanceada quando
R3 for igual a 45 .
Vejamos agora o que acontece se tomarmos em conta a condio de auto-aquecimento.
Assim, a potncia dissipada em RTD (que ainda vale 450 ) pelo circuito dada por :
P = I2R

em que a corrente I obtida a partir da relao:

10
I= = 0,011 A
500 + 450

pelo que a potncia dissipada de: P = (0.011)2(450) = 0.054

Tendo em conta este valor, a subida de temperatura dada por: T=0,054/0,030=1,8C.

Nestas condies, a RTD no se encontra temperatura de 0C, mas sim de 1.8C. Nestas
condies, tem-se: R = 500[1 + 0.005(1.8 - 20)]
R = 454.5
pelo que para a ponte ficar balanceada se deve ter R3 = 454.5 .

Problema 8.9- Um termmetro de resistncia de Platina tem uma resistncia de 150 a

20C. Calcule qual dever ser a sua resistncia a 570C.

Resoluo
Sabemos que a variao da resistncia com a temperatura dada por: R = R0 (1 + T ) , pelo

que se tem:

R = 150[1 + 0,00392(570 20)] = 473,4

19
8.7.2 Termopares
O termopar um sensor usado para medir a temperatura. Consiste na unio de dois metais
dissimilares, que produzem uma muito pequena tenso a uma dada temperatura. Esta tenso
proporcional variao da temperatura e lida e convertida em unidades de temperatura
pelo medidor apropriado, depois de devidamente compensado (ver o caso da RTD).
Na verdade, uma das formas mais comuns de se medir a temperatura de um corpo baseado
no efeito termopar (efeito Peltier). Isto , quando se faz uma juno de dois fios feitos de
materiais metlicos diferentes a diferena de temperatura entre este terminal (juno) e a
outra extremidade do fio (c.a.) gera uma diferena de potencial proporcional variao da
temperatura. A juno designa-se de juno sensvel enquanto que os outros dois terminais
so ligados a um voltmetro, graduado em temperatura, constituem os terminais de referncia.
Uma vez que a diferena de temperaturas entre as duas extremidades um factor crtico, a
outra extremidade deve ser mantida a uma temperatura constante (juno de referncia).
Tipicamente tem-se que

E = c(T1 T2 ) + k (T12 T22 ) , 8.14

onde c e k so constantes tpicas dos materiais de que o termopar feito, T1 refere-se

temperatura da juno quente e T2 temperatura da juno fria.

Existem diferentes tipos de termopares, funo dos metais utilizados e do calibre dos fios
utilizados. Os quatro tipo mais comuns de termopares so o J (os metais usados so de ferro-
constant), K (os metais usados so Chromega-Alomega, Cromoniquel-alumen), T (os
metais usados so cobre-constant) e E (os metais usados so Chromega-Constantan). Cada
um deles tem uma faixa especfica de medida de temperaturas.
O processo de seleco do termopar mais adequado a uma dada aplicao deve ter em
conta: (1) faixa de temperaturas a usar; (2) resistncia qumica do termopar ou da sua bainha
de proteco ao meio ambiente onde vai ser usado; (3) resistncia abraso e s vibraes;
(4) compatvel com a instalao pretendida, (5) compatibilidade do dimetro e forma de
apresentao do termopar (no encapsulado ou encapsulado), funo da aplicao pretendida.
No processo de seleco de um termopar deve-se tambm ter em conta que a juno pode ser
blindada e poder estar numa das 3 configuraes possveis: massa, flutuante ou exposta.

Juno massa juno flutuante juno exposta

Figura 8.16; Diferentes formas de ligao da juno com a ponta de prova.

No caso da juno massa, os fios do termopar esto fisicamente ligados parte interior da
ponta de prova/blindagem. Tal faz com que existe uma boa transferncia de calor do exterior
para a juno atravs das paredes da ponta de prova/blindagem. Este tipo de juno

20
recomendada para medies de temperatura estacionrias ou em que existam gases
corrosivos ou elevadas temperaturas ou presses.
Numa juno flutuante, a juno no se encontra ligada s paredes da ponta de prova ou
blindagem. Embora possua tempos de resposta baixos, a vantagem que oferece do seu
isolamento elctrico, de cerca de 500 M a 500 Vdc.
Tabela 8.2- Materiais de que a ponta de prova ou blindagem so constitudos e seu comportamento
em diferentes atmosferas.

Temperatura Atmosfera usada

Material
Mxima Oxidante Hidrognio Vcuo Inerte

900 C Muito Muito Muito
304 SS Bom
(1650 F) bom bom bom
Inconel 1148C Muito Muito Muito
Bom
600 (2100F) bom bom bom

No caso da juno exposta, esta encontra-se em contacto directo com o ambiente cuja
temperatura se pretende determinar. Este tipo de configurao est associada a sistemas com
os melhores tempos de resposta mas est limitada a meios no corrosivos e no
pressurizados.
A constante de tempo do termopar definida como correspondo ao intervalo de tempo
necessrio para que o sensor atinja 63,2% do valor da temperatura pretendido, sob
determinadas condies, bem especificadas.
Os dimetros padres dos termopares so: 0.010", 0.020", 0.032", 0.040", 1/16", 1/8", 3/16",
e 1/4", com 2 fios. Normalmente, o terminal negativo (menor potencial) do termopar
corresponde cor vermelha.

Tabela 8.3- Diferentes tipos de termopares, materiais constituintes e faixa de temperaturas de utilizao.

Faixa de temperatures de
Tipo de termopares Nome dos Materiais
aplicao
Platinum30% Rhodium (+) 2500 -3100F
B
Platinum 6% Rhodium (-) 1370-1700C
W5Re Tungsten 5% Rhenium (+)
3000-4200F
C W26Re Tungsten 26% Rhenium (-
1650-2315C
)
Chromel (+) 200-1650F
E
Constantan (-) 95-900C
Iron (+) 200-1400F
J
Constantan (-) 95-760C
Chromel (+) 200-2300F
K
Alumel (-) 95-1260C
Nicrosil (+) 1200-2300F
N
Nisil (-) 650-1260C
Platinum 13% Rhodium (+) 1600-2640F
R
Platinum (-) 870-1450C
Platinum 10% Rhodium (+) 1800-2640F
S
Platinum (-) 980-1450C
Copper (+) -330-660F
T
Constantan (-) -200-350C

21
Num termopar designa-se por juno fria ou de referncia juno que mantida a uma
temperatura relativamente constante ou a que corresponde um potencial fictcio de referncia.
Por compensao da juno fria, entende-se o valor que se deve adicionar ao da leitura da
juno do ponto de medida, tendo em conta a temperatura de referncia usada (normalmente
a ambiente e nunca superior a 27,2C) e a que se encontra a juno fria (referncia).
Por juno quente, entende-se a juno no ponto de medida.
Um das condies importantes a ter em conta pelo utilizador a identificao do tipo de
termopar que est a utilizar. Para isso existe um cdigo de cores que os identificam.
Infelizmente, a sua identificao ainda no Universal, mesmo na Europa. Nas tabelas que se
seguem apresentamos os cdigos de cores seguidos em cinco pases de referncia.

Tabela 8.4 Cdigo de cores dos termopares, de acordo com os padres ASTM nos EUA

Tabela 8.5 Cdigo de cores dos termopares, de acordo com os padres ingleses BS1843: 1952:

Tabela 8.6 Cdigo de cores dos termopares, de acordo com os padres ingleses BS4937: Part
30: 1993:

22
 Tabela 8.7 Cdigo de cores dos termopares, de acordo com os padres franceses NFE:

Tabela 8.8 Cdigo de cores dos termopares, de acordo com os padres alemes DIN:

Problema 8.10- Durante um conjunto de experimentaes com um termopar de ferro

constant verificou-se que c=3,7510-2 mV/C e k=4,510-5 mV/C2. Se T1=150C, e a juno
fria se encontrar temperatura do gelo fundente, determine qual a fora electromotriz
desenvolvida na juno.

Resoluo
2 5
Como E = c (T1 T2 ) + k (T1 T2 ) E = 3,75 10 (T 150 0) + 4,5 10 (150 0) = 6,64mV
2 2 2

8.7.3 Termstores
Os termstores so dispositivos sensoriais trmicos que possuem coeficientes de temperatura
ou positivos (PTC) ou negativos (NTC) da resistncia e elevados.
Os termstores PTC so resistncias cujo valor dependente da temperatura, normalmente
fabricadas a partir de titanato de brio e so normalmente utilizadas em sistemas em que se
pretenda uma drstica variao da resistncia a uma dada corrente ou temperatura. Os PTC
funcionam nos seguintes modos: (1) sensor trmico para temperaturas entre os 60C e os
180C. Podem ser aplicados como por exemplo, na proteco de enrolamentos em motores
elctricos e transformadores; (2) fusvel de estado slido para proteco contra nveis de
correntes excessivas, que variam dos mA aos vrios amperes e nveis de tenso continua que
podem ir at cerca de 600 V. Podem ser aplicados, como por exemplo, na proteco de fontes
de alimentao: (3) sensores de nveis de lquidos. Podem ser utilizados, por exemplo no
controlo do lquido de arrefecimento de motores de automveis.

23
No caso dos NTC, o termstor um transdutor de temperatura feito de semicondutores
degenerados, baseados na sinterizao de uma mistura de xidos metlicos tais como de Mn,
Ni, Co, Cu ou Ur (a resistncia diminui com o aumento de temperatura). Estes sensores
trmicos so normalmente muito estveis, suportam elevadssimas temperaturas, sendo por
isso usados para controlar a temperatura de reactores nucleares.
Em termos comerciais existem dois tipos de termstores, funo do modo como o elctrodo se
encontra ligado ao corpo de detector cermico. Cada um destes grupos pode ainda ser
subdividido em outros tipos de termstores, funo da sua geometria, forma de
empacotamento e tcnicas de processamento utilizadas.
O primeiro grupo de termstores consiste de termstores na forma de gota/prola. Estes
dispositivos tm normalmente fios de Pt ligados sinterizados directamente com o corpo
cermico do termstor. Os termstores deste tipo incluem: gotas despedidas; gotas revestidas
a vidro; gotas rugosas; pontas de prova de vidro miniaturizadas, varetas de vidro, gotas
enclausurados em vidro.
O segundo tipo de termstores possuem superfcies de contacto metalizadas, com cabos de
ligao radiais ou axiais ou mesmo sem cabos de ligao, para os casos de montagem
superficial destes num dado circuito ou se a ligao se faz atravs de uma mola que precisa de
ser pressionada. Estes termstores aparecem sob a forma de: discos, bolachas, montagem
superficial, lminas, varetas, anilhas.

Figura 8. 17a: Termstores NTC com a forma de Figura 8. 17b: Termstores NTC de superfcie
gota metalizada

24
Os termstores NTC comercialmente disponveis possuem seces transversais que variam
entre os 0,25mm0,25mm e os 3mm3mm, com espessura entre os 0,15 mm e os 0,75mm.
Na figura 8.18 mostramos a razo de variao da resistncia normalizada com a temperatura
de um NTC, onde se tambm se mostra o comportamento tpico de uma RTD de Pt.
Os resultados claramente mostram a superioridade destes, em termos de discriminao dos
valores de leitura e portanto, a maior fiabilidade e preciso dos valores de leitura, numa faixa
extensa de temperaturas. Para alm disso, estes dispositivos tm tambm como vantagem, o
facto de possurem resistncias elevadas e portando minimizarem a contribuio da resistncia
de contactos, o seu baixo custo e a possibilidade de poderem ser utilizados em formas
miniaturizadas, quando comparados com os RTD.

Figura 8.18: Razo da variao da resistncia normalizada de um termstor com a temperatura, onde
tambm se mostra o comportamento de um RTD e de um termopar

A razo a que a energia trmica fornecida ao termstor num circuito elctrico igual
energia dissipada no termstor:
dH dT
= P = I 2 R = EI = (T TA ) + c 8.15
dt dt
onde a constante de dissipao do termstor, definida como sendo a razo entre a variao
da potencia dissipada no termstor e a variao resultante de temperatura; c a capacidade
calorifica do material de que o termstor constitudo.
Resolvendo a equao anterior tem-se:

P
T = T TA = 1 exp( t ) 8.16
c
onde /c tem as dimenses da constante do tempo de resposta do termstor.
Quando o termstor encapsulado, o tipo de resposta exponencial deixa de existir. A massa da
cpsula e a condutividade trmica dos materiais utilizados no sensor normalmente fazem
aumentar a constante de dissipao do termstor, fazendo com que o tempo de resposta
aumente, passando o dispositivo a ter um comportamento essencialmente estacionrio, com

25
tempos de resposta independentes da rampa de aquecimento/arrefecimento utilizadas no
processo.
Em termos de aplicao, existem trs caractersticas dos termstores (NTC ou PTC) que
determinam o seu campo de aplicao:
(1) Caracterstica Resistncia - temperatura. A relao da resistncia do termstor com a
temperatura aproximadamente dada por:

1 1 Tref T
R = Rref exp T ( ) T =
T Tref [
T + Tref ln( R) ln( Rref ) ] 8.17

onde T a temperatura em graus Kelvin; Tref a temperatura de referncia, usualmente

298,15 K; R a resistncia do termstor; Rref o valor de R a Tref; T a constante de
calibrao usualmente entre 3000 a 5000 K.
Para termstores NTC o coeficiente NTC T utilizado para descrever a sensibilidade do
termstor:

T
T =
T2
Os valores tpicos de T so de -2% a -8%.
(2) Caracterstica Tenso corrente. Para os NTC a caracterstica tenso corrente do
termstor depende da razo de auto aquecimento deste e das condies que levam
obteno da condio de equilbrio ( a razo das perdas de calor pelo dispositivo so iguais
potncia fornecida). Se se considerarem desprezveis as variaes da constante de
dissipao e se conhecer a caracterstica resistncia temperatura do termstor, ento
possvel resolver-se a equao:

(T-TA ) = T = P = ET IT 8.18

em termos da caracterstica esttica tenso corrente. Neste caso, o traado em escala log
log onde a condio de resistncia constante tem um declive de +1 e a condio de
potncia constante corresponde a um declive -1 (ver tabela 8.9). Quando a quantidade de
energia dissipada no termstor desprezvel, a caracterstica tenso corrente
corresponde a uma condio de resistncia de dissipao nula (condio de cc) e portanto
ao ponto de inflexo mostrado na figura da tabela 8.9.

Nos PTC a curva tenso corrente define a relao destes dois parmetros em qualquer
ponto em equilbrio trmico. Neste caso, o valor da resistncia associada afectada pelas
condies ambientais e o auto aquecimento. Assim qualquer factor que afecte a razo de
dissipao, tambm afectar a relao tenso corrente. Neste caso, o ponto de inflexo
corresponde condio da tangente inversa do que acontecia no caso dos NTC, ou seja o
declive da curva ser paralelo ao eixo Log V (condio de resistncia infinita ou de circuito
aberto), enquanto que no caso anterior era paralela ao eixo LoI.

26
(3) Caracterstica corrente tempo. No caso dos NTC a dependncia que se obtm
inicialmente a que devida a uma resistncia muito elevada e portanto, a sinais de
corrente muito baixo. Contudo, medida que a temperatura se eleva, a corrente aumenta
pelo facto da resistncia do termstor baixar. Finalmente, medida que o dispositivo se
aproxima da condio de equilbrio, a razo de variao da corrente diminui, at que atinge
o seu valor final estacionrio. No Caso dos PTC, o comportamento inverso. Inicialmente a
corrente sobe, associado a problemas de estabilizao da resistncia, mas depois desce at
atingir a condio estacionria. A caracterstica corrente - tempo usada em processos
como tempo de atraso em sistemas com supresso de movimentos ondulatrios, proteco
de filamento, proteco de sobre carga e aplicaes de comutaes sequenciais

Tabela 8.9- Caractersticas principais dos termstores

Caracterstica Resistncia - Caracterstica Tenso - Caracterstica
Temperatura Corrente Dinmica

PTC termstor
de BaTio3

NTC termstor
de Mn-Ni,Mn-
Co-Cu, Mn-
Ni+X

Problema 8.10- O circuito que se mostra I

utilizado para medir temperaturas. O Termistor B
A
utilizado possui uma resistncia de 4 k e o
ampermetro que se utiliza l correntes de fim de 15 V I Termistor

escala de 50 mA e possui uma resistncia interna

de 3 . Sabendo que Rc=17 e que a tenso de VBB
Rc
alimentao vale 15 V, qual ser o valor da leitura
do ampermetro quando a temperatura for de
40C (nota, para 20C temperatura a resistncia
do termstor vale 4K e para 40C vale 900).
Resoluo

Para as condies iniciais (ditas de referencia ) tem-se: I=VT/RT=15(4000+17+3)=3,73 mA.

A 40C, o valor da resistncia do termstor baixou, pelo que a corrente deve subir. Isto :
I=VT/RT=15(950+17+3)=15,5 mA.

27
8.7.4 Transdutores de temperatura ultra-snicos
Por ultra-snicos designam-se as vibraes do som de frequncia superior a 20 kHz. Os
sensores de temperatura ultra-snicos baseiam-se neste efeito e permitem ler desde
temperaturas criognicas at temperaturas de fuso de plasmas, com elevada resoluo e
preciso.
O processo de deteco e medida de ondas ultra-snicas efectuado utilizando receptores
piezoelctricos ou por meios pticos. O ultra-som est bem acima do limiar da audio
humana que inclui a banda dos 18 Hz aos 18 kHz. Ondas ultra-snicas no devem ser
confundidas com o termo supersnico, que se refere a fenmenos ao facto da velocidade de
um corpo slido exceder a velocidade do som.

Figura 8.19: esquemtico de um transdutor ultra-snico

Os mecanismos conhecidos para produzir ultra-sons so: fluxo de fluidos turbulentos;

movimento de lquidos; movimentos mecnicos; geradores de som; descargas elctricas.
As razes da tecnologia remontam aos trabalhos efectuados por Pierre Curie, em termos de
efeito piezoelctrico, em 1880, onde observou que cristais assimtricos de quartzo ou de
tartarato de potssio de sdio geravam uma carga elctrica quando sobre estes se aplicava
uma presso mecnica. Inversamente, obtinha vibraes mecnicas ao aplicar oscilaes
elctricas aos mesmos cristais. Uma das primeiras aplicaes para as ondas ultra-snicas foi o
sonar (sound navigation ranging), de elevada utilidade navegao. Para alm desta
aplicao, os ultra-sons so muito utilizados em: limpeza de superfcies (de grande
aplicabilidade nas industria electrnica e mdica); sistemas medidores de fluxo (baseado no
efeito Doppler); teste no destrutivos de falhas superficiais e em volume; maquinao e
soldagem de peas; electrnica (filtros de ondas acsticas superficiais, para telefones, TV,
...); sonoqumica (ondas sonoras a provocarem a acelerao de reaces qumicas, oxidao,
hidrlise, polimerizao, despolimerizao e produo de emulses); agricultura (os ultra-
sons so utilizados para medir a espessura de da gordura na carne de porco e de vaca; so
tambm utilizados na homogeneizao do leite e no controlo de pestes, incluindo o matar

28
insectos); Oceanografia (localizao de submarinos, cardumes, etc.); medicina (em
imageologia de tecidos humanos, com a vantagem de aparentemente no ter as contra-
indicaes, normalmente associadas aos raios X)
As tcnicas de deteco ultra-snicas so altamente dependentes do tipo de transdutores
usados. Normalmente os detectores trmicos usados so do tipo RTD base de PZT
(zirconato-titanato de chumbo) ou LM (metaniobato de chumbo) ou de materiais piezo-
compsitos, de elevada sensibilidade trmica, devido ao elevado factor de acoplamento destes
materiais e portanto, recomendada a sua utilizao em aplicaes de espectro largo.
O acoplamento acstico dos componentes de ponta de prova ao meio a medir/controlar a
temperatura normalmente efectuado por:
(1) alta presso (acoplamento seco). Neste caso a ponta de prova deve ter um acabamento
superficial muitssimo bom. Contudo, no permitem o recurso a membranas (por exemplo,
folhas de ouro), como camadas intermedirias como forma de amplificar o sinal obtido,
uma vez que estas no so capazes de suportar presses elevadas em jogo. Neste caso, a
presso de acoplamento exerce sobre o sinal a medir o efeito de amplificao do eco at
uma dada presso crtica.

Figura 8.20 a) Transdutor ultra-snico

de contacto/presso

Figura 8.20b) amplificao do eco de um sistema ultra-snico, em

funo da presso de acoplamento para uma amostra teste de
bronze e utilizao de camadas intermdias de Chumbo e ouro.

(2) usando um fluido (acoplamento fluidico). Neste caso, o acoplamento efectuado atravs
de um fluido. Nestas condies, as
presses em jogo so baixas e permitem a
utilizao de membranas finas como
camadas intermdias. Neste caso, o
problema que se pe o da eventual
corroso promovida pelo fluido, a medida
que a temperatura sobe, em termos de
material de base ou da membrana (que
Figura 8.21: Acoplamento do ransdutor por um fluido
deve ser de material nobre, de forma a
reduzir esses efeitos).

29
(3) por soldagem (acoplamento slido). Neste caso, o problema que se pe o dos
coeficientes de expanso trmica dos materiais envolvidos.
Em termos de leitura de informao, os fabricantes normalmente fornecem o comportamento
no domnio do tempo e da frequncia, da resposta do transdutor. Os sinais que a seguir se
mostram correspondem formas de onda de resposta a um impulso de um transdutor
ultra-snico, no domnio do tempo (amplitude versus tempo) e da frequncia (amplitude
versus frequncia).

Figura 8.22: Resposta de um transdutor ultra-snico, no domnio dos tempo e frequncia.

Como transdutor trmico, os medidores ultra-snicos so essencialmente utilizados para

controlo de temperatura em ambientes altamente agressivos, ou em que se desenvolvam
elevadas temperaturas, como o caso da industria de fundio. Na figura que se segue
mostra-se a forma de onda tpica obtida atravs de um disco de 3 mm de espessura de nitreto
de silcio a 200C no modo de transmisso, no interior de um forno, capaz de suportar
temperaturas at 500 C. Este transdutor utilizado para medida de temperaturas por
acoplamento fluidico (ar). Este processo de controlo utilizado na queima de polmero ligante
na industria de moldes.

Figura 8. 23: Resposta de um transdutor ultra-snico

30
8.8 Transdutores Fotoelctricos

Neste tipo de transdutor, a radiao luminosa convertida directamente num sinal elctrico,
proporcional intensidade do fluxo luminoso utilizado. Os materiais que melhor proveito tiram
deste efeito so base de semicondutores (resistncias de semicondutor ou dispositivos
activos). Neste caso, o transdutor no necessita de qualquer excitao externa. Existem trs
tipos de transdutores fotoelctricos:
Fotoemissivos, em que a radiao ao incidir num ctodo provoca a emisso de electres da
superfcie do ctodo. Neste caso, existe um ctodo, um nodo e vrios elctrodos
secundrios designados de dinodos, cada um a um potencial superior que o antecedente.
Neste caso, os electres emitidos pelo ctodo so atrados para um primeiro nodo, que ao
embaterem neste, do lugar emisso de electres secundrios, que se vo multiplicando,
at ao ltimo elctrodo.
Deste modo, podem conseguir-se amplificaes do primeiro sinal to elevadas quanto 105
ou 109.
As sensibilidades luminosas variam normalmente entre 1 A/lumen a cerca de 2000
A/lumen. As correntes tpicas de nodo so da ordem dos 100 A a 1mA. Tipicamente,
dispositivos com uma sensibilidade de 100 A/lumen, precisam somente de 10-5 lumen de
intensidade luminosa para produzirem uma corrente de sada de 1 mA. Por lumen entende-
se a unidade de luz igual luz emitida por um ngulo slido a partir de uma fonte luminosa
pontual, com a intensidade de uma candeia (cdl)
Fotocondutivos, em que a radiao luminosa provoca uma alterao da resistncia
elctrica, traduzindo-se por uma variao do potencial ou corrente debitada por um dado
circuito de excitao (foto-transstores, foto-resistncia).
Fotoclulas, em que a radiao luminosa ao incidir numa juno do tipo dodo pn gera uma
tenso de sada proporcional intensidade da radiao luminosa.

8.8.1 Vlvulas Fotomultiplicadoras

As vlvulas ou tubo fotomultiplicadores (PMT) so utilizados para a deteco de sinais
luminosos de muito baixa intensidade. O PMT um dispositivo foto-emissivo em que a
absoro de um foto resulta na emisso de um electro. Estes detectores funcionam por
amplificao dos electres gerados por um fotoctodo exposto a um fluxo de fotes. O fluxo de
fotes acoplado ao ctodo atravs de janela de quartzo , que por sua vez liberta electres
que so multiplicados pelos elctrodos conhecidos por canais metlicos dinodos. No extremo
da cadeia de dinodos existe um nodo ou elctrodo de coleco, dando lugar a uma corrente
que directamente proporcional ao fluxo de electres gerados pelo fotoctodo, multiplicada
pelo factor de amplificao, funo do nmero de dinodos utilizados (lembrar que a
amplificao dos electres segue a regra 2n).

31
 Figura 8. 24: Fotomultiplicador

A resposta espectral, eficincia quntica, sensibilidade e corrente no escuro de um PMT so

determinadas pela composio do PMT. Os melhores fotoctodos, capazes de responderem
luz visvel apresentam eficincia qunticas cerca de 30% mais baixas, o que significa que 70%
do impacto dos fotes no fotoctodo no produzem electres e portanto, no so detectados.

Figura 8.26: Pico de um fotoelectro de um PMT.

Figura 8. 25: Eficincia quntica de um PMT em

funo do comprimento de onda da radiao
incidente.

A espessura do fotoctodo um parmetro importante, que deve ser monitorada, de forma a

garantir a resposta adequada em funo dos fotes absorvidos. Se o fotoctodo for demasiado
espesso, mais fotes sero absorvidos mas menos electres sero emitidos da sua superfcie
posterior. Mas, se o PMT for demasiado fino, menos fotes sero absorvidos.
Os electres emitidos pelo fotoctodo so acelerados em direco cadeia de dinodos, que
pode conter at 14 elementos.

32
 O PMT costuma tambm ter elctrodos de
focagem, de forma a garantir que os foto-electres
emitidos prximos das bordas do fotoctodo sejam
colectados pelo primeiro dinodo. Aps colidirem
com o primeiro dinodo os foto-electres
promovero a libertao de mais electres (dois
por cada impacto), que sero de novo acelerados
em direco ao prximo dinodo e assim
sucessivamente. A composio da superfcie dos
dinodos e a sua geometria determinam a sua
capacidade para servirem como multiplicadores de
electres. Ganhos de electres da ordem dos 107
so possveis de se obterem usando 12 a 14
dinodos. Os PMT produzem a sinal, mesmo na
ausncia de luz, devido corrente no escuro
Figura 8. 27- Ganho do PMT em funo da proveniente da emisso trmica dos electres do
tenso de acelerao, tendo como parmetro
o nmero de dinodos do PMT. fotoctodo, correntes de fuga entre dinodos e
outro rudo electrnico

8.8.2 Transdutor fotocondutivo

O transdutor fotocondutivo no mais do que uma resistncia feita de material do tipo
semicondutor cujo valor dependente da intensidade luminosa que sobre ele incide. Isto ,
quanto maior for a intensidade do feixe luminoso incidente, menor ser o seu valor.
Os seus valores variam de vrias ordens de grandeza,
apresentando normalmente uma resistncia elevada no
escuro (quase circuito aberto) a uma baixa resistncia, sob
condies de forte iluminao (quase curto circuito).
O tipo de semicondutor a utilizar funo do comprimento
de onda da luz a utilizar. Para utilizaes no visvel ou do
infravermelho prximo, utiliza-se o silcio cristalino ou
amorfo. Nestes casos, para baixos nveis de iluminao, Figura 8.28: Exemplos de sensores
existe uma relao linear entre o foto-corrente e o nvel fotocondutivos

da intensidade luminosa utilizada. Quando se utilizam intensidades luminosas muito elevadas,

a relao deixa de ser linear. No extremo, a foto-corrente varia com a raiz quadrada da
intensidade luminosa utilizada.
Este tipo de dispositivos utilizado como sensor ptico, nomeadamente em sistemas de
abertura e fecho de circuitos, por interrupo de um feixe de luz, tal como acontece com a
abertura e fecho de muitas portas, de forma automtica.

33
Problema 8.11- O rel do circuito que se fotoclula

mostra controlado por uma fotoclula tal V=120V ~ I

que no escuro o rel desligue e para uma

I
iluminao de 400 lm/m2 o circuito debite Rc Resistncia do rel

uma corrente de 30 mA, para uma tenso de

entrada de 30 V.

Nestas condies, determine qual o valor da resistncia em srie a adicionar ao circuito, bem
como a corrente que passa por este, quando a fotoclula no iluminada.
(Nota: a resistncia da clula de 1 K para um nvel de iluminao de 400 lm/m2, enquanto
que no escuro vale 200 K).).
Resoluo
I=30/(R1+Rfotoclula), portanto, R1=30/10-2-103=2K.

Para se determinar a corrente no escuro, tem-se: I=30/(2000+200000)=0,15 mA.

8.8.3 Fotododo
O fotododo um dispositivo semicondutor de juno (pn, para dispositivos cristalinos ou pin
para dispositivos de filme fino amorfos ou nanocristalinos) , sensvel radiao luminosa, que
podem funcionar no modo fotovoltaico (sem polarizao) ou no modo fotocondutivo
(polarizado inversamente). No modo fotovoltaico, o fotododo funciona sem qualquer tipo de
polarizao. No modo fotocondutivo a juno polarizada inversamente, actuando como uma
fonte de corrente controlada pela luz. A sada de corrente do dispositivo proporcional
iluminao incidente, sendo relativamente independente da tenso aplicada.

Figura 8.29: Fotododo

Os componentes fotoelctricos so utilizados em electrnica, so utilizados como acopladores

pticos, de forma a garantir isolamento elctrico entre componentes. O acoplador ptico
constitudo por um dodo emissor de luz (LED) e um fotododo, ligado a um meio condutor.
Neste caso, o LED polarizado directamente, enquanto o fotododo polarizado inversamente.
Neste caso, o aumento de corrente no LED faz com que a sua intensidade luminosa aumente e
portanto, que a resistncia do fotocondutor diminua e portanto, que a corrente que o

34
atravessa aumente. Deste modo, possvel controlar o circuito que contm o fotododo, do
qual o LED se encontra electricamente isolado.

Figura 8.30: Acoplador ptico

O fotododo um dispositivo de dois termais, designados de ctodo (terminal negativo) e o

(nodo), em que o modo de polarizao idntico ao de uma juno dodo normal. Isto , em
polarizao directa o nodo est ligado ao terminal positivo e em polarizao inversa, o nodo
est ligado ao terminal negativo da fonte de excitao.
A medida de sensibilidade
de um fotododo, designa-
se de responsividade, que
no mais do que a razo
entre a corrente fornecida
pelo fotododo e a energia
radiante (em Watts)
incidente no fotododo. As
unidades da responsividade
so A/W. Na figura que se
segue mostramos a
responsividade tpica de um
fotododo, com e sem
Figura 8.31: responsividade sem e com polarizao de um fotododo de
polarizao inversa.
silcio cristalino
O comprimento da radiao de primordial importncia, pois em funo do material
constituinte, a radiao poder ser absorvida ou transmitida. Por exemplo, no caso do silcio
cristalino o material torna-se transparente para comprimentos de onda superiores a 1100 nm.
Mas, por outro lado, a luz ultravioleta absorvida nos primeiros 100 nm de espessura do
silcio.

35
Em termos de linearidade, a sada em corrente do fotododo quando inversamente polarizado
extremamente linear com a intensidade da iluminao usada, como se mostra na figura que
se segue.

Figura 8.32: Variao da corrente de sada de um fotododo em funo da intensidade luminosa usada,
para diferentes valores de polarizao inversa.

A capacidade de um fotododo converter energia luminosa em energia elctrica expressa

atravs da sua eficincia quntica (QE):

1,24 10 5
QE (%) = R( A / W ) 8.19
(nm)

onde R(A/W) a responsividade do fotododo e as outras letras tm o seu significado habitual.

Figura 8.33: Variao incremental percentual de QE com a

temperatura. Figura 8.34: Variao da corrente no escuro de um
fotododo com a temperatura.

36
A variao da temperatura de um fotododo provoca o deslocamento do espectro de QE e a sua
diminuio na regio do ultravioleta, enquanto que aumenta, na regio prxima do
infravermelho. Para alm disto, a temperatura faz com que a corrente no escuro aumente e
por conseguinte, que a responsividade diminua.

8.8.3.1 Circuito elctrico equivalente e modos de funcionamento

O fotododo pode ser representado pelo circuito equivalente que se segue:

Figura 8. 35: Circuito elctrico equivalente de um fotododo.

Rl Rd
Onde e0 = ( I s + I l + I n )
Rl + Rd + Rs

Fundamentalmente o fotododo um gerador de corrente controlado pela tenso de

polarizao. Nestes dispositivos, a resistncia shunt (paralelo) normalmente elevada (da
ordem dos M), enquanto que a resistncia srie muito baixa( da ordem dos ohms). O efeito
da resistncia de carga na caracterstica tenso do dispositivo a que a seguir se mostra.

Figura 8.36: Curva I-V de um fotododo, mostrando o efeito da resistncia de carga (linha a vermelho)

37
Quando o dispositivo funciona na regio a (ver figura 8.36), RlRd, diz-se que o mesmo est a
funcionar no modo fotovoltaico. Neste caso o valor de Rd decai exponencialmente medida
que a intensidade de iluminao aumenta. A maior desvantagem deste modo de
funcionamento que a intensidade doo sinal depende da temperatura do dispositivo.

Figura 8. 37: Circuito fotovoltaico bsico

Na regio b o fotododo funciona sem polarizao, RlRd. Neste caso, Rl fixo e a tenso aos
terminais da carga varia linearmente com a corrente e portanto, com a intensidade da luz
usada.
Uma das formas que existe de se conseguir uma resistncia de carga baixa e uma tenso de
sada amplificada, por aplicao do sinal da foto-corrente do fotododo a um amplificador
diferencial, com uma massa virtual, como se mostra na figura que se segue. Neste caso, o
circuito tem uma resposta linear e baixo rudo, devido eliminao de praticamente todas as
correntes de fuga.

Figura 8.38: circuito de polarizao nula

Na regio c, o fotododo est no modo fotocondutivo, em que a foto-corrente produz uma

tenso aos terminais da resistncia de carga, ligada em paralelo com a resistncia shunt. Uma
vez que em polarizao inversa Rd se mantm praticamente constante e de valor elevado,
pode-se recorrer ao uso de Rl elevados e obter-se ainda uma resposta linear do dispositivo, em
funo da intensidade luminosa usada. Este tipo de circuito utiliza-se quando se pretendem
tempos de resposta curtos. A principal desvantagem deste modo de funcionamento o

38
aumento da corrente de fuga devido tenso de polarizao. Tal faz com que o rudo seja
elevado, quando comparado com o rudo obtido nos outros circuitos j descritos.

a)

b)

Figura 8. 39 Circuitos de polarizao de um fotododo: (a) polarizao negativa; (b) polarizao positiva.

8.8.4 Fototransstor

Um segundo dispositivo optoelectrnico que conduz corrente quando exposto luz o

fototransstor. Um fototransstor muito mais sensvel e produz muito mais corrente, quando
estimulado por um dado feixe de luz que um fotododo.

Na figura que se segue mostramos um fototransstor NPN em que no circuito de base, a juno
um fotododo. A luz ao incidir na base deste dispositivo faz com que a corrente de base

39
varie, e portanto, que a corrente no colector, amplificada, aumente. Os fototransstores podem
tambm ser do tipo PNP.

a)

b)

Figura 8. 40(a) Ilustrao esquemtica do modo de funcionamento de um fototransstor NPN; (b)

exemplos de diferentes fototransstores NPN e PNP de dois e trs terminais.

Os fototransstores podem ser de dois ou trs terminais. Nos foto-dodos de dois terminais, a intensidade
da luz no fotododo, s por si determina a quantidade de conduo elctrica (corrente). No de 3
terminais, possvel aplicar uma dada tenso de polarizao base, de forma a optimizar o nvel de
conduo (compensao da corrente devida luz ambiente).

40
Problema 8.12- Considere um dado
fototransstor que apresenta as curvas
caractersticas que abaixo se indicam, quando
sujeito a diferentes nveis de iluminao.
Sabendo que a tenso de alimentao de 20
V e que a resistncia de carga vale 2 K,
determine o valor da tenso de sada e da
respectiva corrente quando o nvel de
iluminao de 200 mWcm-2.

Resoluo
A anlise da malha de sada deste circuito conduz-nos relao: VCE = Vcc IRL , onde Vcc a
tenso de polarizao e RL a resistncia de carga. Nestas condies tem-se que a corrente de
curto-circuito (VCE=0 V) de 10 mA. Traando-se agora a recta de carga que contm a
corrente de curto circuito e a tenso em circuito aberto (Vcc), o ponto de intercepo com a
curva parametrizada para 200 mWcm-2, d-nos o ponto quiescente pretendido. Neste cas0o,
obtm-se VCE=9 V e I=5,6 mA.

10 400 mWcm-2
8 300 mWcm-2
Ic (mA)

6 200 mWcm-2
4 100 mWcm-2

0
5 10 15 20 25
VCE (V)

8.9 Transdutores Biolgicos

Os transdutores biolgicos so dispositivos que permitem converter um agente biologicamente

activo num sinal celular ou vice versa. Os transdutores so, em regra gera, do tipo dos
descritos na seco 8.8, mas agora adaptados ao reconhecimento de sinais, essencialmente
electroqumicos. Os sensores bioqumicos mais tpicos so os sensores de presso de
membrana; sensores piezoelctricos e sensores de fluxo (micro canais).
Como exemplo de um biosensor temos o caso de um sensor trmico do tipo memria de forma, que pode ser utilizado
no bombeamento de fluidos no corpo humano ou sensores pticos, utilizados por exemplo em imagiologia ou na
investigao do DNA.

41