CAPITULO RESUMO TEDRICO 31 I CAPITULO I RESUMO TEORICO 1.1. 0 Diodo de Jungéio Os cristais semicondutores mais utilizados para a Fabricagdo de conponentes eletrénicos so formados por Vigagdes covalentes dos elementos tetravalentes gemminto ou stifeto. Estes cristais puros sao denominados semi condutores intrinsecos. Na temperatura de zero absoluto, todos os elétrons de valéncia esto fazendo parte das li gagdes covalentes @ no se comportam como portadores de carga. Porém, & temperatura ambiente, algunas ligacdes se desfazem dando origem a pares de portadores de carga eletron-livre e lacuna. Os elétrons livres so os elé - trons de valéncia que passaram da banda de valéncia para 2 banda de condugio. As lacunas so as faltas destes eld trons nas ligagées covalentes. Portante, em um semicondu tor intrinseco, a qualquer temperatura terenos a concea- tragéo de portadores elétrons-livres Igual 3 de lacunas, sono € esquematicamente mostrado na Figura 1.1.1. (Figura a sequir) 33II ET a) b) FIGURA I.1.1'- a) Representagdo planar de um dtomo de gernanio ou de silicio. b) Representacio planar do cristal se ni-condutor intrinsica & temperaty ra ambiente. Para a obteng3o dos componentes eletrnicos, faz-se necessaria uma dopagem no cristal puro, ou seja, acres - centar outro elemento na estrutura cristalina do gern - nio ou do silicio. Esta dopagem é feita normalmente com impurezas (elementos) trivalentes e/ou pentavalente, dan do origem aos materiais semicondutores extrinsecos tipo Pe tipo N, respectivanente. 34 Devido 4 energia térmica, todos os atomos de impure zas sao joni ados @ temperatura anblente. Assim, no mate 1 tipo P, para cada fon negative (impureza trivalente mais elétron) exixtird uma lacuna, e no material tipo N, para cada fon positivo (impureza pentavalente menos elé- tron) existira um elétron ivre. Além destas cargas, exis tira, em cada um dos dois tipos de materiais, pares de portadores de carga (elétron-livre e lacuna) gerados pe- Ja quebra de algunas ligagdes covalentes. Os fons forte- rente ligados 3 estrutura cristalina ndo agir3o como transportadores de carga. (Figura a segutr) 35Hl il qo | wre Ions de impure) Positivo Janar dos semicondutores dopados com inpure- . = Representagao p = a) Trivatente (material tipo P); b) Pentavalente {material tipo N) @ temperatura ambi- ente. Desta forma, fica claro que a dopagem altera as con cent races dos portadores de carga do semicondutor — in- trinseco de modo que, no material tipo N ou tipo P, tere mos, cono portadores majoritarios, elétrons livres e la- cunas, respectivarente, € como portadores minoritarios 3s lacunas e elétrons livres, conforme mostra o esquema da Figura 1.1.2 0 diodo de junc € fornado pela unido metaldrgica dos materiais tipo Pe tipo N. Ao unirmos estes materi - ais, aparecera una corrente de difuso devido 4 diferen~ ga de concentragao dos portadores de carga nos dois mate riais. Esta corrente aumenta a concentragdo dos portado- res minoritarios préximos a jungao. Com o aumento da con centragio, aumenta-se a reconbinagSo, dando origem a car gas descobertas, formando, assim, um campo elétrico. Com a formacao do carpo elétrico surge una corrente de deslo camento enoposic¢3o3 corrente de difusdo. No equil brio, estas correntes se igualam, e a barreira de potencial for mada nas proxinidades da Jung3o equilibra o efeito de di fusdo, conforme mostra a Figura 1.1.3. (Figura a seguir) 37de impurezes Jons fortemente ligados a estrutura cristalina 38 2 = °° eo Portadores de carga lacuna e eletron=li- vre = Formagio do diodo de juncdo PN FIGURA 1.1.3 A corrente no diodo relaciona-se con a tensio ¢ po larizag3o pela equado I-1. i= Te (eT - 1) (I-1) Onde: v = tensio de polarizacio; Vy= tensdo equivalente da temperatura; para t= 300°K temos Vy = 26 aM Io= corrente reversa de saturagao, formada por por- tadores minoritarios (depende da dopagem dos materiais semicondutores, temperatura e geo- metria do cristal). Esta equacio pode ser esbogada do seguinte modo: para v>0 e v>> Vy tals eT (1g quadrante) para v<0 e |v|>>vy a= ly (3? quadrante) (Figura a seguir) 39(Amper, Dezena de Amper) VF(Decimos de Vol) ‘ou Cen tenas de Vol ts) (Dezenas 3 g a) (na, pa) bolo do diode de junc’ 2 a FIGURA 1 b) Curva caracteristica estatica do diodo de jungio. Podemos observar que o diodo pedera ser polarizado com tensdes positivas (If quadrante) ou tensées negati - vas (3? quadrante). Con tensdes positives, ele apresenta rd uma pequena queda de tensao em seus terminais, € sua corrente sera limitada praticamente pelo circuito exter no (polarizagdo direta). Com tensdes negativas, sua cor rente sera limitada pela concentragao dos portadores mi~ noritérios e seré praticanente independente da tensio de polarizaco, desde que esta nao ultrapasse o valor de rup tura (polarizegdo reversa). Das caracterfsticas v x i do diodo, conforme a ra l.1e4., podenos definir quatro resisténcias para 0 mesmo. Em polartaagdo diveta: -L (resisténcia estatica) téncia dindmica) Bn polartsagéo reserva: a) Rp = (resisténcia reversa) RT a b) a, =2YZ. (resisténeia na regido ZENER) Z al, Também observanos duas tensées de quebra na FIGURA VT vis alBm polarisagdo déveta: = devido ao potencial de barreira En polarizagdo reversa: Val) - tensio de ruptura reversa A tens3o de polarizagdo reversa aumenta o campo elé trico da barreira de potencial e pode acelerar os porta dores de carga, cedendo-lhes energia suficiente para que, através de choques, geren mais portadores (ef to avalan che) e/ou sejam rom jas diretamente as ligagdes covalen tes, formando novos pares de portadores (efeito ZENER) Uma vez atingido este potencial, a corrente reversa nao sera mais limitada pelos portadores minoritdrios, pois estes aumentardo grandemente para pequenos acréscimos de tensio reversa. Diodos fabricados especialmente para trabalhar nes- ta regio sido chamados de diodos ZENER, cujo simbolo é apresentado na Figura 1.1.5. Skint’ ~ ¥ Catodo S/ FIGURA 1.1.5. Simbolo do diodo ZENER. 42 lelel, Diodo Ideat © sfmbole do diodo ideal é 0 mesmo usado pa- rao real, sendo, portanto, necessario mostrar se esta ~ mos considerendo um diodo ideal ou real. A Figura 1.1.6. a. nostra o simbolo usado para o diodo Ideal, assim, com mo a convencio para a tensdo e a corrente em seus termi- nas. FIGURA 1.1.6. - a) Sfmbolo do diodo ideal; b) Caracterfsticas terminais do do ideal. 0 diodo ideal pode ser identi Tcade como um elemento que apresenta as seguintes caracter{sticas: 43para v>Q tems i>0 0 para v0 D, cortado (c. aberto) D, conduzindo (curto-cireui to) para v< 0 D, cortado (c, aberto) Dz conduzindo (curto-circui to) 471.1.3. Biodos Ret: Os parSnetros basicos para especificagao de tais diodes séo definidos a seguir e mostrados na Figura 1.10. Estes pardnetros referen-se as polarizagées dire tas e reserva, pois normalmente o diodo @ submetido al- ternadanente a estes dois tipos de polarizagao. Polarézagéo Direta Vp Tens3o de Barreira Re Resisténcia direta Corrente direta média (DC) Tecpus) Corrente direta eficaz Tpgy Corrente direta de pico nao repetitive maxina Ipqy Corrente direta de pico repetitivo maxima Tey Corrente direta maxima de pico. ea Reserva IR Corrente reverse (DC) Vp Tense reversa média (0C) Vacangy Tense reversa eftcae Vpgu _Tensdo reverse de pico ndo repetitive maxima Vagy _Tenso reversa de pico repetitive mixina Vays Tensdo reversa maxima de pice 48 49 FIGURA 1.1.10 - Especificagio dos pa rnetros basicos pa- ra os diodos retifi- cadores.1.1.4, Déodos 221 So diodos fabricados especialmente para tra balhar em polarizagao reversa. Portanto, seus princip: pardnetros basicos referem-se a esta polarizagdo, como mostrado abaixo. 1 Corrente de anutengSo (1 Ay) Tensdo ZENER Resisténcia ZENER Pray Potencia de dissipacéo maxima (Py) Tomax Corrente maxima (yy) i FIGURA 1.1,11, Curva caracteristica Estatica (vx i) do Diodo Zener. 50