Amplicadores de Potencia

J.I.Huircan
Universidad de La Frontera
January 6, 2016

Abstract
Los amplicadores de potencia son convertidores que transforman la
energa de la fuente de polarizacin en seal de potencia de salida. Estos
pueden ser tipo clase A, AB, B y C. Los cuales tienen distintos parmetros
de eciencia y uso.

1 Introduccin
Un amplicador de potencia convierte la potencia de una fuente de corriente
continua (Polarizacin VCC de un circuito con transitores) a potencia de salida
en forma de seal, lo cual es controlado usando una seal de entrada. Si sobre la
carga se desarrolla una gran cantidad de potencia, el dispositivo deber manejar
una gran excursin en voltaje y corriente. Los puntos de operacin deben estar
en un rea permitida de voltaje y corriente que asegure la mxima disipacin,
(SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar los voltajes de ruptura y efec-
tos trmicos permitidos en los dispositivos de estado slido, las caractersticas
no lineales en el funcionamiento y usar los parmetros para gran seal del dis-
positivo. La curva de la Fig. 1 muestra las caracteristicas de emisor y colector
de un transistor delimitada por el SOA, que est denido por la PCEM AX . [1].
i
C
SOA
I C Max

PCE Max

I B=0
v
CE
V
CE Max

Figure 1: Area Segura de Operacin del Transistor.

La corriente iC y el voltaje VCE no podrn sobrepasar los mximos indicados.

1
2 Clasicacin de los amplicadores de potencia
Existen cuatro clasicaciones bsicas de amplicadores de potencia: A, AB, B
y C. En clase A, el amplicador est polarizado de tal forma que la corriente
por el colector uye durante el ciclo completo de la seal de entrada. Para clase
AB, la polarizacin del amplicador es de tal forma que la corriente de colector
solamente uye para un lapso menor a los 360o y mayor a los 180o de la onda
correspondiente. Para el funcionamiento en clase B, la corriente IC uir solo
durante 180o de la onda de entrada. Finalmente, para funcionamiento en clase
C, el dispositivo conducir durante un periodo inferior a los 180o correspondiente
a la onda de entrada. La Fig. 2, muestra el comportamiento del dispositivo en
las distintas clases.

vBE iC

Clas e A
2

Clas e B

Clase A B Conduccin >

2

Conduccin <
Clas e C

Figure 2: Comportamiento para clase A, AB, B, C.

Los amplicadores tipo AB y B usan conguraciones transistorizadas lla-

madas push-pull. Cada uno de estos amplicadores posee caractersticas de
eciencia y distorsin distintos, por lo cual, sus aplicacin ser a distintas reas.

3 Relaciones bsicas en los amplicadores de po-

tencia
Para el anlisis de los amplicadores de potencia se requiere de relaciones aso-
ciadas a su funcionamiento y desempeo. Como el amplicador de potencia
convierte la potencia de CC de la fuente de alimentacin en una seal de po-
tencia en la carga, la eciencia de este proceso est dada por
PL(CA)
= (1)
PCC

2
Donde es la eciencia, PL(CA) , es la potencia media de seal en la carga y
PCC , la potencia media de salida en la fuente de alimentacin.
La potencia media disipada en el dispositivo de amplicacin, considerando
un transistor bipolar como dispositivo de potencia, ser

PCE = PCC PL (2)

Donde PCE es la disipacin media de colector, PL es la potencia total, es
decir, PL = PL(DC) + PL(CA) .
Para la determinacin de las potencias se usar (3), donde p es la potencia
instantnea, v e i son el voltaje y la corriente instantneos.

p = vi (3)
Sean v e i formas de onda periodica, con componente continua (la cual puede
ser cero) y una componente de corriente alterna, no necesariamente sinusoidal

v = VDC + vCA (4)

i = IDC + iCA (5)

Luego la potencia media en un periodo T ser

Z 2
1
P = p d!t
2 0
Z 2
1
= VDC IDC + vCA iCA d!t (6)
2 0
" "
PCC PCA

Donde, PCC es la contribucin de la componente continua y PCA es la

contribucin de la componente alterna a la potencia media. Considerando
vCA (t) = Vm cos !t y iCA (t) = Im cos !t; reemplazando en (6), se tiene

Z 2
1
P = VDC IDC + [(Vm cos !t) (Im cos !t)] d!t =
2 0
Vm Im Vm Im
= VDC IDC + = VDC IDC + (7)
2 2
p p
Como 2 = 2 2; entonces

Vm Im
P = VDC IDC + p p
2 2
= VDC IDC + Vrms Irms (8)

3
 Cuando una seal de corriente peridica tiene componente continua el valor
rms de la forma de onda se expresa como
q
Irms = IDC 2 + I12rms + I22rms + ::: + In2rms (9)
Donde IDC , es la componente continua de la seal, I1rms es el primer ar-
mnico de la seal, Inrms es el n simo armnico de la seal. Para el caso de
una seal sinusoidal con componente continua ser
q
Irms = IDC2 2
+ Irms (10)

4 El amplicador Clase A
En operacin clase A, el transistor reproduce toda la seal de entrada, la cor-
riente de colector es distinta de cero todo el tiempo, lo cual se considera muy
ineciente, ya que para seal cero en la entrada, se tiene un ICQ > 0, luego el
transistor disipa potencia.

4.1 Amplicador Emisor comn

Sea la conguracin de emisor comn de la Fig. 3a, la cual funciona en clase
A. Por simplicicidad se hace la resistencia de emisor RE = 0. Se selecciona RL
para mxima potencia de salida, lo que implica que la recta de carga de CA
debe pasar por la curva PCEM AX . El circuito equivalente de CC y CA se indica
en la Fig. 3b-c.

VCC VCC

RL RL RL
RB

vi

v CE VCC v CE VCEQ
iC = _ + iC = _ + + I CQ
RL RL RL RL

(a) (b) (c)

Figure 3: (a) Emisor Comn. (b) CC. (c) CA.

Dependiendo del diseo, las rectas de carga estarn en dos puntos de op-
eracin Q; los cuales se intersectan con la curva PCEM ax; de acuerdo a la Fig.
4a, se observa que IC2 ser la mxima corriente permitida para iC y VCE1 ser el

4
mximo voltaje permitido para vCE : El ptimo elegido ser el punto de reposo
Q1 , debido a que IC1 < IC2 , lo cual implica una menor corriente de colector,
menor distorsin y una menor corriente de base requerida para obtener IC . Para
que la realizacin sea factible, VCE1 debe ser menor que VCEO , as se tomar
que VCE1 = VCC . Lo cual puede no ser necesariamente efectivo para otras
conguraciones en clase A.
iC iC

IC
2
IC Max
PCE Ma x PCE Ma x
IC
1

Q2 Q
IC Q
Q1

VC E VC E v v
2 1 CE VC EQ V CE
C E M ax

(a) (b)
iC

VC C
I C M a x= PCE Ma x
RL

VC C IC Q
I C Q= Q
2R L

VC EQ v
V = VC C CE
C E M ax

VC C
VC EQ=
2
(c)

Figure 4: (a) Distintos puntos Q. (b) Punto Q para mxima excusin simtrica.
(c) Excursin de la corriente y el voltaje.

Para valores arbitrarios ICM ax y VCEM ax , el punto Q estar dado por la

tangente a la curva PCEM ax , en las coordenadas ICQ = ICM 2
ax
y VCEQ =
VCEM ax
2 de acuerdo a la Fig. 4b. Se asume que la seal de entrada puede
manejar el transistor entre el corte y la saturacin, de esta forma para una
variacin en la corriente de base, se tiene la variacin en la corriente de colector,
y una variacin en la potencia. La recta de carga de CA tiene la misma pendiente
que la recta de carga de CC. En la Fig. 4c, se observan la onda de corriente iC
y vCE : Note que la excursin ser simtrica, as de acuerdo se tiene ICQ = V2R CC
L
VCC
y VCEQ = 2 .
La Fig. 5, muestra las formas de onda a travs del tiempo iC , vCE , pCC .
La onda de potencia instantnea de la fuente pCC , estar dada por el pro-
ducto VCC iC y tiene la misma forma que iC . PCE = ic vCE . Note que la forma
de onda de PCE tiene una frecuencia el doble de las otras formas de onda.

5
 iC
ICMax

ICMax VCC
ICQ =
2R
2 L

t
v CE
VCE M ax
V
VCE M ax VCEQ = CC
2
2
t
p CC

PCC =VCC CQ
I

Figure 5: Curvas de iC , vCE y pCC .

4.1.1 Determinacin de la Eciencia

La potencia en la carga ser
2
PL = ICrms RL (11)
Luego de acuerdo a (9) o (10), considerando que la corriente tiene compo-
nente continua y alterna, se tiene

2s 32
2
ICQ
PL = 4 ICQ
2 + p 5 RL
2
2
2 2 VCC
2
ICQ VCC 2RL
= ICQ RL + RL = RL + RL (12)
2 2RL 2

Entonces

2
VCC V2
PL = + CC (13)
4RL 8RL
" "
PL(CC) PL(CA)

Por otro lado, la potencia promedio entregada por la fuente ser

2
VCC
PCC = VCC ICQ = (14)
2RL

6
 Finalmente, la eciencia estar dada por
2
VCC
8RL
= 2
VCC
= 0:25 (15)
2RL

La eciencia de este amplicador es baja, 25%, esto debido principalmente

a que se mantiene una corriente de reposo en la carga, la cual no es usada
(desperdiciada).
La potencia disipada en el transistor ser

PCE = PCC PL
2 2
VCC VCC V2 2
VCC 2
VCC
= + CC = (16)
2RL 4RL 8RL 4RL 8RL

4.2 Conguracin emisor comn con transformador de acoplo

Sea el circuito de la Fig. 6a. Una forma de mejorar la eciencia del amplicador
clase A es usar el acoplo de la carga mediante un transformador. Cmo es eso?

VCC V CC

Np Ns RL RL
'

2
'
Np
RL = RL
Ns2

(a ) (b)

Figure 6: (a) Amplicador acoplado por transformador. (b) Equivalente.

Para CC y CA se obtienen los circuitos equivalentes de la Fig .7.

VCC RL'

v CE VCEQ
v CE =VCEQ =V
CC i C =_ '
+ ' + I CQ
RL RL

(a) (b)

Figure 7: Equivalentes de CC y CA

7
 Al considerar el acoplamiento, la recta de carga en CC pasa por VCEQ =
VCC , pues RCC = 0, luego la recta de carga de CA corta el eje del voltaje en
un valor VCEM ax = 2VCC . Como consecuencia de esto, cuando no hay seal,
no existir corriente por el colector.

iC
iC ICMax
VCC
ICQ=
ICMax RL'
VC C 2
I C M a x= + IC Q
RL' PCE Max t
vC E

VCE Max
Q
IC Q VCE Max VCEQ= V CC
2
t
pC C

PCC= V I
v CC CQ
VC EQ=VC C V =2V CE t
CE Max CC

(a)
(b)

Figure 8: Rectas de carga de CC y CA.

4.2.1 Determinacin de la Eciencia

La potencia en la carga ser
2 0
PL = ICrms RL (17)
Como slo lapcarga recibe componente alterna, la corriente efectiva ser la
amplitud sobre 2; luego
2
ICQ 0
PL = p RL (18)
2
VCC
Como ICQ = RL0 , as
2
VCC
PL = PL(CA) = 0 (19)
2RL
Dado que la potencia media de la fuente es PCC = VCC ICQ , entonces
2
VCC VCC
PCC = VCC 0 = 0 (20)
RL RL
As, la eciencia de la conversin ser
2
VCC
PL(CA) 2RL0
= = 2
VCC
= 0:5
PCC 0
RL

8
 Finalmente, la potencia disipada por el transistor ser

PCE = PCC PL
2 2 2
VCC VCC VCC
= 0 0 = 0
RL 2RL 2RL

Note que solo existe PL = PL(CA) .

Example 1 Sea el amplicador clase A de la Fig.8, sabiendo que a la carga

RL se le entrega una potencia de 2 [W ] :Considere la relacin de transformacin
n:1. Calcular la potencia de la fuente PCC y ICQ para que el transistor trabaje
en clase A:
PL(CA)
Dado que el rendimiento es el 50%, se tiene 0:5 = P CC
= 2[W ]
PCC entonces
PCC = 4 [W ] :
V2 2
Como PL(CA) = RCC 0 = 20 0
R0 = 2 [W ], entonces RL = 100 [ ] : Dado que
L L
2
ICQ 0
PL = p
2
RL ;

2
ICQ
2 [W ] = p 100 [ ]
2
ICQ = 0:2 [A]

4.3 Amplicador con resistencia de emisor

Una variacin del amplicador considera RE 6= 0; de acuerdo a la Fig. 9a.
iC

Recta de carga de CC
VCC
I C Max
PCE Max
Np Ns RL
R1

Q
ICQ

R2
RE Recta de carga de CA

v
V CE
VCEQ=VCC C E Ma x

(a) (b)

Figure 9: (a) Ampilcador con RE :(b) Rectas de carga amplicador modicado.

Para esta situacin se tiene que la recta de CC no es del todo innita dado
el valor de RE como se indica en la Fig. 9b. La recta de CA ser lvemente
modicada. Sin embargo, el rendimiento permanece igual.

9
Example 2 Sea el amplicador de la Fig.10, determine la potencia en la carga,
la potencia entregada por la fuente y la potencia disipada por el transistor. Con-
sidere la relacin de transformacin n : 1, RE = 1 [ ] ; RL = 8 [ ] :
+10[V]

RL
R1
n:1

R2
RE CE

Figure 10: Amplicador con RE y CE .

Para CC, se tiene

10 [V ] = ICQ 1 [ ] + VCEQ
Para CA,
0
vCE = iC RL
vCE VCEQ
iC = 0 + 0 + ICQ
RL RL
La maxima excursin se dar cuando cuando
0
VCEQ = ICQ RCA = ICQ RL
Luego reemplazando ICQ en la recta de carga de CC, se tiene 10 [V ] =
VCEQ
0
RL 1[ ] + VCEQ ; as se obtiene

10 [V ] 10 [V ]
VCEQ = 1[ ]
= 1 = 8:88 [V ]
RL0 +1 8 +1

10 [V ] 10 [V ]
ICQ = 0 = = 1:11 [A]
1 [ ] + RL 8[ ] + 1[ ]
Para el clculo de las potencias se tiene
2 2
2 0 ICQ 0
ICQ 0
PL(CA) = ICrms RL = p RL = RL = 4:93 [W ]
2 2
PCC = VCC ICQ = 10 [V ] 1:11 [A] = 11:11 [W ]
La potencia disipada por el transistor ser
2
VCC
PCE = 0 = 6:25 [W ]
2RL
4:93
Se observa que el rendimiento ser = 11:11 = 0:44:

10
5 El amplicador Clase B
En esta operacin, se usa un transistor para amplicar el ciclo positivo de la
seal de entrada, mientras un segundo dispositivo se preocupa del ciclo negativo.
La conguracin se conoce como push-pull.

Q1 Np
VCC 1
+ + Ns RL

Np
2
Q2

Figure 11: Amplicador clase B.

Se requieren dos transistores para producir la onda completa. Cada tran-

sistor se polariza en al punto de corte en lugar del punto medio del intervalo
de operacin. Si el voltaje de entrada es positivo, de acuerdo a la conexin
del transformador se tiene que Q1 conduce y Q2 est en corte. Si el voltaje de
entrada es negativo Q1 no conduce y Q2 conduce. Esto permitir obtener la
onda de salida de acuerdo a la Fig.12.

Q1 Np
+ 1
VCC
_ + Ns RL
+
Np
_ 2
Q2

(a)

Q1 Np
_ 1
VCC
+ + Ns RL
_
Np
+ 2
Q2

(b)

Figure 12: Conduccin de los transistores.

La corriente de colector es cero cuando la seal de entrada es cero, por lo

11
tanto el transistor no disipa potencia en reposo. En CC, el VCEQ = VCC , y en
CA, la variacin de iC ser solo positiva, considerando que la recta de carga es
V
iC = vRCE 0 + CEQ 0
RL + ICQ ; de la curva se tiene que ICQ = 0, luego para iC = 0,
L
la recta corta en vCE = VCC , de acuerdo a la Fig.13.
iC

VC C
I C Max =
RL' PCE Max

I C Max

VC C v
CE
V =V
2 CE Max CC

Figure 13: Rectas de Carga CA y CC del amplicador clase B.

Al considerar seal positiva en la base, el vCE disminuye a partir de VCC

como se muestra en la Fig.14.

iC Esta curva corresponde a un transistor (Q1)

I C Max
PC E M a x

I C Max

VCC v
CE
2 V =V
CE Max CC

Figure 14: Variacin en torno al punto de operacin.

De la curva dada en la Fig. 13, se obtiene

VCEM ax VCC
ICM ax = 0 = 0
RL RL
Luego, la potencia en la carga ser nuevamente la indicada en (11). En este

12
 i C1
ICM ax

t
i C2
ICM ax

iC
ICM ax
ICC ICC Prom ed io

Figure 15: Curvas de corriente.

caso, cada transistor opera durante un semi-ciclo, por lo tanto, el valor efectivo
de la onda ser ICM2
ax
: As, la potencia total en la carga por cada transistor ser
2 2 2
ICM ax 0 VCC 0 VCC
PL = RL = 0 RL = 0 (21)
2 2RL 4RL
Luego, la potencia total en la carga suministrada por ambos transistores
2
VCC
PL(CA) = 0 (22)
2RL
Para determinar la potencia entregada por la fuente PCC , se requiere deter-
minar la corriente media consumida por el transistor (corriente promedio), la
cual se llamar ICC . De acuerdo a la Fig. 15, la onda de corriente producida
ser la superposicin de los dos semiciclos aportados por la conduccin de los
dos transistores.

Z
1
ICC = ICM ax sin (!t) d!t
0
Z
ICM ax 2 ICM ax
= sin (!t) d!t =
0

As se tiene que

2 ICM ax 2 VCC
PCC = VCC = VCC 0
RL
2 2
2VCC VCC
= 0 = 0:636 0 (23)
RL RL

Finalmente, se tiene el redimiento

13
 2
VCC
2RL0
= 2
2VCC
= = 0:785 (24)
0
4
RL

Lo que corresponde a un 78.5% de eciencia en la conversin. Por otro lado,

la potencia disipada por el colector ser
2
VCC
PCE = 2 R0
L

5.1 Amplicador de Simetra Complementaria

Sea el circuito de la Fig. 16 que corresponde a un amplicador de simetria
complementaria. La carga ser de acoplamiento directo.

+V
CC

vi
+
RL vo
_

-VCC

Figure 16: Amplicador de simetra complementaria, con acoplamiento directo.

Cuando la seal de entrada es positiva, el voltaje en el emisor de Q1 es

levemente menor que en la entrada, haciendo conducir este y dejando en corte
Q2 . Cuando el voltaje de entrada es negativo, conduce Q2 , quedando en corte
Q1 , como se muestra en la Fig. 17.
+V +V
CC CC

Q Q
1 1
+
vi _ vi +
+ _ +
Q
2
RL vo Q RL vo
2
_ _

-V -V
CC CC

Figure 17: Funcionamiento del simetra complementaria.

14
6 El problema de la distorsin
El problema de la conguracin es que la onda de salida tiene distorsin debido
a que los transistores no empiezan a conducir inmediatamente, dado que la seal
en la base debe sobrepasar el umbral VBE : El semi-ciclo de la salida no es una
sinusoide perfecta.
vo (t)

Figure 18: Distorsin de la onda de salida.

La versin propuesta en [3] para el amplicador con transformador se mues-

tra en la Fig. 19. Para este caso en CC, se tiene la base polarizada a travs de
VBB y RB .

Np
VCC 1
RB VBB
+ RL
+ + Ns

Np
2

Figure 19: Modicacin para atenuar la distorsin.

En rigor puede ser implementada de acuerdo al circuito de la Fig.20 se con-

sidera que R1 R2 entregan un voltaje en la base en torno a VBEON . Lo cual
permite la conduccin del transistor al inicio de la onda de entrada.
Para este caso, la conduccin de ambos transistores ser mayor a 180 ; lo
que hace que su funcionamiento sea llamado Clase AB.

R2
VBB = VCC
R 1 + R2
VBB VBE VBB VBE
IB = =
R1 jjR2 RB

Esta red resitiva puede ser modicada usando un diodo, el cual permitir
obtener el voltaje requerido para la base del transistor.

15
 Np
VCC 1
+ R2 RL
+ Ns

Np
2

R1

Figure 20: Disminucin de la distorsin.

VCC VCC

R1 R1

+ +
R2 D1 VBB
VBB
_ _

Figure 21: Red de polarizacin.

7 Amplicadores Clase AB
Se dice que este amplicador posee un comportamiento en clase A y clase B [2].
En este amplicador, el funcionamiento del dispositivo de potencia es mayor a
los 180 y menor a 360 :
El amplicador de simetra complementaria puede ser modicado de acuerdo
al esquema indicado en la Fig. 22. Para lo cual se requiere que VBB
2 = VBE =
VEB : lo que asegure que ambos transistores queden al borde de la conduccin.
+VCC

VBB +

vi
VBB + +
RL vo
2
_

-VCC

Figure 22: Amplicador Clase AB de simetra complementaria.

Luego un pequeo voltaje positivo hara que conduzca ale transistor NPN,

16
de forma anloga el transistor funcionar con un pequeo voltaje negativo en
la entrada.
De acuerdo a esto se indican las variantes de la Fig. 23, esto permite que
los transistores entren en operacin al recibir la seal de entrada.

+VCC +VCC +VCC

R1 R1 R1

R2 R2 D1
vi vi
vi
+ +
R2 +
RL vo R2 RL vo D2 RL vo
_ _ _

R1 R1
R1

-VCC
-VCC -VCC

(a) (b) (c)

Figure 23: Modicacin del amplicador con simetra complementaria (a) Di-
visor de voltaje. (b) alternativo. (c) con diodos.

8 Amplicador de simetra complementaria con

acoplamiento capacitivo
El circuito de la Fig.24 ser un amplicador de simetra complementaria con
acoplamiento capacitivo. Para este caso se tiene que la alimentacin de cada
transistor es VCC
2 y la carga ser RL .

+V
CC

vi
+
RL vo
_

Figure 24: Amplicador de simetra complementaria con acoplamiento capaci-

tivo.

De esta forma a partir de las relaciones del clase B push-pull, (22), (23) y

17
 VCC 0
(24) , reeemplazando VCC por 2 y RL por RL , se puede determinar

2
2VCC
PCC =
4RL
2
VCC
PL =
8RL
2
VCC
PCE = 2 4R
L

Luego el rendimiento ser

2
VCC
8RL
= 2VCC2 = = 0:785
4
4RL

8.1 Modicacin del amplicador de simetria complemen-

taria con acople capacitivo
Debido a que este amplicador trabaja con una sola fuente, es posible modi-
carlo de acuerdo a la Fig. 25a-b.
+VCC +VCC

R1 R1

R2 D1
vi
vi
+ +
R2 RL vo D2 RL vo
_ _

R1 R1

(a) (b)

Figure 25: (a) Modicacin con malla resistiva. (b) Usando diodos.

9 Conclusiones
Se han planteado algunos conceptos bsicos de amplicadores de potencia. Las
magnitudes ms importantes a considerar son la eciencia, la potencia en la
carga y la potencia disipada en el transistor. Cada una de las conguraciones

18
tiene un rendimiento diferente, es importante determinar las magnitudes asoci-
adas a las variables de tal forma de ocupar las ecuaciones adecuadas tanto para
anlisis como para diseo.

References
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