1. Cmo se generan los rayos X?

Para generar un fotn de rayos-X se necesita expulsar un electrn de alguno de los orbitales
internos del tomo y que este hueco sea ocupado por alguno de los electrones de un orbital
ms externo. La radiacin se produce por este salto de electrones entre orbitales, salto
que se debe al exceso de energa por ionizacin.

2. Qu tipo de rayos caractersticos son estos?

Teora:

Si el electrn expulsado perteneca al orbital K del tomo obtendremos un rayo-X tipo K,

pero si perteneca al orbital L entonces ser del tipo L, y asimismo los M se corresponden
con el orbital M. Dentro de estos tipos generales existen subtipos. Si un electrn expulsado del
orbital K es ocupado por un electrn del orbital L, tendremos un rayo-X tipo K, pero si es
ocupado por un electrn del orbital M, entonces tendremos un rayo-X tipo K. Si un electrn
expulsado del orbital L es ocupado por otro del orbital M, tendremos un rayo-X tipo L. A
partir de aqu las cosas empiezan a complicarse un poco, ya que tenemos que considerar no
solo desde que suborbital procede el electrn sino tambin que suborbital es el que rellena,
ya que excepto en el orbital K, el resto se dividen en subniveles (3 para el L, 5 para el M, 7 para
el N...). As que, si un electrn expulsado del orbital K es ocupado por otro del orbital L3,
tendramos un rayo-X tipo K1, si es del orbital L2 seria del tipo K2, etc.
 3. hay algn otro tipo de rayos X que no sean los caractersticos
generados por la iluminacin del haz de electrones?

La distribucin continua de rayos X que forma la base para los dos picos agudos de la izquierda
se llama radiacin de frenado, y se generan cuando los electrones son frenados, al
dispararse contra un objetivo metlico, y cuando la energa de los electrones de bombardeo es
lo suficientemente alta.

4. Cul es la extensin de la regin en la que se producen los rayos X

caractersticos?
Probabilidad de interaccin (cross-section, ):

Definiremos este concepto con un ejemplo. Supongamos un haz de electrones con una
densidad de corriente de 1 electrn por m2 por segundo. Si calculamos que la probabilidad de
que un tomo de la muestra objetivo sea ionizado cada segundo es de 1/1028, la cross-section
de la muestra para este haz seria = 10 -28 m2 , que equivalen a 1 Barn. Mientras mayor sea la
cross-section, mayores probabilidades tendremos de que el haz electrnico interacte con la
muestra, por ejemplo generando un fotn de rayos-X. Para que un electrn de la muestra sea
expulsado de su orbital por un electrn primario, este ltimo debe tener una energa igual o
mayor que la energa de ionizacin del tomo para ese orbital. La probabilidad de ionizacin
aumenta rpidamente con la energa del haz incidente, alcanzando su mximo cuando esta es
tres veces superior a la energa de ionizacin del tomo, como puede verse en el siguiente
grfico. A partir de este punto, al seguir aumentando la energa del haz electrnico la
probabilidad de ionizacin comienza a decaer lentamente.
No obstante, el principal factor determinante de la cross-section es la energa de ionizacin del
orbital atmico en cuestin, que aumenta con el no atmico de la muestra objetivo (Z) para
cada rango de rayos-X. Por eso cuando Z aumenta, disminuye, aunque la energa del haz sea
ptima para cada elemento. Vemoslo con un ejemplo: la probabilidad de ionizacin del
orbital K del oro (80.7 keV) es de 3.15 Barns para un haz de 200kV, la del cobre (8.98 keV) es
de 327 Barns para un haz de 20kV, y la del aluminio (1.56 keV) es de 11208 Barns para un haz
de 5kV. Como puede deducirse, magra ser la cosecha de rayos-X del tipo K en elementos
pesados como el oro y largo ser el tiempo de anlisis para obtener un nmero de cuentas
aceptable para el anlisis.

Volumen de interaccion:

Si sabemos que la muestra tiene N tomos/m3 y lo multiplicamos por obtenemos T o

cross-section total, cuyas unidades vienen expresadas en m-1. El inverso de esta cifra es lo que
se conoce como mean free path (), que podramos traducir como trayectoria media sin
interaccin, es decir, la distancia media que recorrera un electrn antes de interaccionar con
un tomo de la muestra. Haciendo uso de estos parmetros en los algoritmos de simulacin de
Monte Carlo, podemos predecir cual sera el volumen de interaccin del haz con la muestra,
fundamental para saber hasta que profundidad est penetrando el haz y que resolucin lateral
podemos esperar del anlisis. En un microscopio de barrido el mnimo volumen de muestra
analizado es del orden de 1 m3. Como ejemplo, reproducimos el volumen de interaccin de
un haz de 20 kV y 20 nm de radio en una muestra de aluminio y otra de platino:
 5. Qu tipo de detector de rayos X se usa en el SEM?
Un espectrmetro de rayos X de dispersin de energa (EDS) y un espectrmetro de rayos X de
dispersin de longitud de onda (WDS) son los instrumentos que pueden realizar un anlisis
composicional de los rayos X caractersticos generados cuando un haz de electrones golpea la
superficie de una muestra. El primero consiste en una combinacin de un semiconductor y un
analizador de altura de pulso multicanal, y el ltimo consiste en una combinacin de un
mecanismo de dispersin de longitud de onda usando un cristal dispersivo y un contador
proporcional. Ambos tienen sus propias ventajas y desventajas

6. Principio y configuracin del instrumento de EDX

El detector de EDX utiliza un detector en el que los elementos de deteccin se utilizan para el
semiconductor. Cuando un rayo X caracterstico incide en la capa intrnseca, pares de electrn-
hueco son producidos en proporcin a la energa de los rayos X caractersticos. Los pares
electrn- hueco generados son movidos a los respectivos electrodos porque una tensin de
polarizacin est impresa en los electrones de deteccin, y los pares electrn hueco salen
como un pulso de corriente elctrica. La energa de los rayos X pueden ser medidos desde la
altura de la onda de pulso de corriente elctrica, y la intensidad del rayo X puede ser medido
desde el nmero de pulsos de corriente elctrica.

Detectores de Lithium drift silicone Si(Li) que contienen alta pureza Si dopado con Li son
comnmente utilizados como detectores semiconductores. En aos recientes, los detectores
son conocidos como SSD (detector de deriva de silicio) se han producido y ahora estn
ampliamente disponibles.

detector de deriva de silicio:

Al igual que otros detectores de rayos X de estado slido, los detectores de deriva de silicio
miden la energa de un fotn entrante por la cantidad de ionizacin que produce en el material
del detector. En el SDD, este material es de silicio de alta pureza con una corriente de fuga
muy baja. La alta pureza permite el uso del enfriamiento Peltier en lugar del nitrgeno lquido
tradicional. La principal caracterstica distintiva de un SDD es el campo transversal generado
por una serie de electrodos anulares que hace que los portadores de carga se "desven" a un
pequeo electrodo de recoleccin. El concepto de 'deriva' del SDD (que se import de la fsica
de partculas) permite tasas de conteo significativamente mayores junto con una capacitancia
muy baja del detector.

En los diseos de detectores ms antiguos, el electrodo de recoleccin se ubica centralmente

con un FET externo ( transistor de efecto de campo ) para convertir la corriente en voltaje y
por lo tanto representa la primera etapa de amplificacin. Los diseos ms nuevos integran el
FET directamente en el chip, lo que mejora en gran medida la resolucin y el rendimiento
energtico. Esto se debe a la reduccin de la capacitancia entre el nodo y el FET, que reduce
el ruido electrnico.

Otros diseos mueven el nodo y el FET fuera del rea irradiada. Esto provoca un tiempo de
respuesta ligeramente ms largo, lo que conduce a un rendimiento ligeramente menor
(750,000 cuentas por segundo en lugar de 1,000,000). Sin embargo, debido al menor tamao
del nodo, esto conduce a mejores resoluciones de energa (hasta 123 eV para longitud de
onda Mn K). Combinado con un procesamiento de seal mejorado o adaptado, es posible
mantener la resolucin de energa del detector de deriva de silicio de hasta 100.000 cuentas
por segundo.