UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN

FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y

SERVICIOS

Escuela Profesional de Ingeniera Electrnica

Electrnica Anloga II

Amplificador AB de 500 Watts

Docente: Ing. Ronald Coaguila Gomez

Integrantes:
Lipa Hilario, Cristian Albert
Medina Villagomez, Brayan Kevin
Santisteban Torres, Hugo Edison
Villena Pampa, Roni

AREQUIPA-2017

1
INDICE

1.-INTRODUCCION_______________________________________________ 2
2.-OBJETIVOS GENERALES Y ESPECIFICOS____________________ 4
3.-DEFINICION____________________________________________________4
4.-DIAGRAMA DE BLOQUES_____________________________________ 5
5.-DISEO DE LA FUENTE Y EL AMPLIFICADOR______________ 5
ANALISIS MATEMATICO_________________________________________8
PCB Y ESQUEMATICO___________________________________________10
6.- DESCRIPCION ________________________________________________12
PREAMPLIFICADOR_____________________________________________19
CALCULO_________________________________________________________20
AMPLIFICADOR
FOTOS DEL PROCEDIMEINTO
COMPONENTES ________________________________________________30
7.-MONTAJE_____________________________________________________33
8.-OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES_______________________36
9.-BIBLIOGRAFIA_______________________________________________36

2
1. INTRODUCCIN
El amplificador es lo que transforma la seal de audio que proviene de
nuestro dispositivo mvil o celular y es transmitida mediante cable en
algo audible. En funcin de nuestras necesidades de volumen
necesitaremos uno de mayor o menor potencia.
En efecto, no es lo mismo tener audio en el local de ensayo, que en un
estadio frente a 70.000 personas. Los fabricantes de amplificadores
suelen tener toda la gama que nos permita cubrir las diferentes
necesidades sonoras.
Amplificador electrnico puede significar tanto un tipo de circuito
electrnico o etapa de este, como un equipo modular que realiza la
misma funcin. Su funcin es incrementar la intensidad de corriente, la
tensin o la potencia de la seal que se le aplica a su entrada;
obtenindose la seal aumentada a la salida. Para amplificar la potencia
es necesario obtener la energa de una fuente de alimentacin externa.
En este sentido, se puede considerar al amplificador como un
modulador de la salida de la fuente de alimentacin.

3
2. OBJETIVOS
2.1. OBJETIVOS GENERALES
Implementar en la prctica el desarrollo de un
amplificador de potencia clase AB. Hacer uso del
amplificador implementado para generar una salida
de audio amplificada con ayuda de una bocina o
parlante.
2.2. OBJETIVOS ESPECFICOS
Realizar el diseo de circuitos anlogos y clculos de
los mismos de lo aprendido en clases, y aplicarlos en
nuestro proyecto.
Investigar todo lo necesario para la implementacin
fsica de cada parte del proyecto.
Buscaremos mejorar y sacar un mayor beneficio a los
diseos con los cuales nos apoyemos.
Adecuar la calidad de sonido de la transmisin a los
diferentes tipos de msica o voces.
Describir los diversos componentes que conforman
un sistema de sonido, entre ellos los amplificadores,
parlantes y sistemas acsticos, los filtros y
ecualizadores, los compresores y expansores.
3. DEFINICIN
Esta clase funciona igual a la clase B pero con la diferencia de que
existe una pequea corriente que circula por los 2 transistores
(configuracin push-pull) constantemente, reduciendo por tanto la
distorsin por cruce producida en la clase B. Como en los
amplificadores clase A hay una corriente constante polarizando el
elemento amplificador, pero en esta es relativamente baja. Son los
amplificadores ms comercializados ya que consumen menos
potencias y pueden llegar a ser ms econmicos, dejando a decisin del
msico entre un amplificador de esta clase por su calidad y precio, o
por un amplificador de clase A que son ms preferidos, pero mucho
ms costosos por la cantidad de elementos necesarios para lograr
potencia
De acuerdo a lo dicho anteriormente la clase A tiene un ngulo de
conduccin de 360, Clase B de 180 y la Clase C<180. La transicin
4
entre la clase A y la clase B en bastante amplia, por lo que entre ese
intermedio se encuentra la clase AB.
4. DIAGRAMA DE BLOQUES
4.1. Diagrama de bloques general

4.2. Diagrama de bloques de Preamplificador

4.3. Diagrama de bloques de Amplificador

5. DISEO DE LA FUENTE Y EL AMPLIFICADOR

5.1. Diseo de la fuente
5.1.1. Introduccin
Este circuito integrado (IR2153) nos proporcionara una
frecuencia de oscilacin, que controlara los estados de la salida de los
mosfet, que actuaran como switches que permitirn los ciclos de
conduccin de los bobinados primarios del transformador, y es en
esencia este el principio de funcionamiento de la fuente switching,
permitindonos obtener una entrada de tensin con elevada frecuencia
en el bobinado primario y por lo tanto tambin tendremos la misma
frecuencia en el bobinado secundario, al que trataremos como una

5
fuente lineal cualquiera, que tendr que pasar por una etapa de
rectificacin y filtrado, pero bajo la condicin de que los componentes
tengan una buena respuesta frente a cambios muy rpidos de tensin.
5.1.2. Diagrama de bloques de la fuente switching
Una fuente conmutada comn posee la siguiente estructura
en diagrama de bloques:

5.1.3. Principio de funcionamiento

El principio de funcionamiento de una fuente SMPS se basa
en la excitacin del primario de un transformador mediante
pulsos de onda cuadrada de ancho variable (PWM), que es
controlado por un circuito integrado (SG3525).
Un transformador comn de ncleo de hierro, para las
necesidades de potencia y frecuencia de conmutacin, seria
de dimensiones grandes, sin embargo, se puede reducir el
tamao de este transformador utilizando ncleos de ferrita,
que permiten excitaciones a altas frecuencias (33 KHz o
ms).
Para la fuente utilizada en este proyecto, se seleccion el
modo de operaciones Lazo Abierto Half-Bridge donde el
transformador posee 1 primarios iguales y 2 secundarios, el
primario excitado independientemente, la excitacin del
6
 primario del transformador se realiza mediante mosfets
canal-N.
5.1.3.1. Circuito de Switcheo
Etapa de Switcheo
Antes veremos de cmo funciona o trabaja este integrado
IR2153, para asi llegar a una conclusin en esta etapa, por
consiguiente veremos el IR2153:

7
5.1.3.2. Caractersticas
Controlador integrado de puerta medio-puente de 600V.
Rango de suministro de unidad de puerta de 10 a 20V
Bloqueo de mnima tensin para ambos canales
Lgica 3.3V compatible Separada rango de suministro de la
lgica de 3.3V a 20V La lgica y la tierra de la alimentacin
5V compensados
Ciclo por ciclo lgica de desconexin por flanco
Retardo de propagacin igualados para ambos canales
Las salidas en fase con los insumos
Tambin disponible SIN PLOM
Un control de tiempo muerto inicial ms estricto.
Excelente inmunidad de enganche en todas las entradas y
salidas.
Proteccin ESD en todas las conexiones potenciales.
5.1.4. Desarrollo matemtico
Voltaje de entrada:

180 240

= 220

Parmetro de salida:

75 3.3

=> = (2 75) 33 + 0.5 24

=> = 500

Potencia de entrada estimada:

500
= = = 588.2 = 590
0.85

8
 Corriente promedio de entrada y corriente pico:

= 2
= 25 220
590
( ) = = = 2.57 3
min() 254 25
2.8 2.8 590
= = = 7.21
229
Diseo del transformador:
Para el diseo del transformador usaremos un ncleo
de ferrita de cdigo EER-39 que tiene un Ac (seccin
transversal).
=1.492
=40
=155
=1800
o :
() 108
=
4
155 108
= = 36
4 1800 40000 1.492

=> : 18 + 18
Numero de espiras secundarias:

1 = (1 + 0.01)

Dnde: =
=
=
36(75)
1 = (1 + 0.01) = 18.18 18
150

9
 36(15)
2 = (1 + 0.01) = 3.7 4
150
Clculos de los calibres de los alambres:
=500
=150
1=3.3 19
2=0.5 24
=3 19
Datos del transformador:

PCB Y ESQUEMATICO :

10
11
6. DESCRIPCIN
El IR2153 es de alto voltaje, MOSFET de potencia de alta velocidad
y Conductores IGBT con salida del lado de alta y baja referencia
independiente canales. Propietaria HVIC y trabe tecnologas CMOS
inmunes permitir la construccin monoltica construido slidamente.
Entradas lgicas son compatibles con CMOS estndar o de salida LSTTL,
frente a la lgica 3.3V. Los controladores de salida cuentan con una
etapa buffer actual pulso alto diseada para el conductor transversal
mnima de conduccin. Los retardos de propagacin se emparejan para
simplificar el uso en aplicaciones de alta frecuencia. El canal flotante se
puede utilizar para conducir una potencia de 22 Canal N MOSFET o IGBT
en la configuracin del lado alto que opera hasta 500 o 600 voltios.

Fig. Conexiones tpicas del IR2153.

Fig. Diagrama de bloques del IR2153.

12
 6.1.1. Grados mximos absolutos
Valores absolutos nominales mximos sostenidos indican
lmites ms all de los cuales se puede producir daos en el aparato.
Todas tensiones parmetros son tensiones absolutas referidas a COM.
Las clasificaciones de resistencia y disipacin de la energa trmica se
miden bajo tarjeta montada y an las condiciones del aire.

Fig. Patillaje del IR2153.

13
6.1.2. Etapa conmutadora
En esta seccin, est formada por 2 transistores de
potencia y sus correspondientes disipadores, as como por una
pequea cantidad de componentes de menor tamao.
Aplicaciones
Conmutacin de alta corriente
Fuente de alimentacin ininterrumpida
Convertidores dc/dc para telecomunicaciones industriales
y equipo de iluminacin
Entonces ya sabiendo la informacin del datasheet del MOSFET nos da
a concluir que estos transistores de potencia es convertir la seal
proveniente de los capacitores electrolticos de gran tamao de la etapa
anterior en una seal de mayor frecuencia.
6.1.3. Etapa rectificadora de la seal
Para la rectificacin de alta frecuencia se utiliza un sistema
de media onda con filtrado capacitivo e inductivo. Este rectificador est
compuesto de diferentes elementos como son: Diodos Fast Recovery,
Resistencia, Capacitores.

14
Fig. Rectificador de salida con diodos FR107, MUR1620 Y S5KC20R.
Debido a que en la rectificacin de salida se necesita menos
cada de tensin y perdidas de potencia producidas por el
nmero de diodos se opt por una rectificacin de media onda.
Para eso, nos dirigiremos al datasheet del diodo FR107,
MUR1620 y S5KC20R.

Fig. FR1620 (Fast Recovery)

15
Fig. MUR1620

16
Fig. S5KC20R

17
 En esta seccin los transformadores depositan una
corriente alterna, que nuevamente debe ser procesada para ser llevada
a continua. Este proceso es llevado a cabo por otra lnea de transistores
de potencia que suelen asociarse con diodos de gran tamao que se
conocen como doble diodo o diodos de potencia.
Al salir de esta etapa, la seal es nuevamente continua y regular, al punto
de estar casi completamente purificada para ser usada por el sistema.
6.1.4. Etapa de Filtro de salida
En esta etapa se usan capacitores electrolticos y
resistencias, el filtrado de la corriente se hace necesario porque los
diodos y transistores usados en la etapa anterior no alcanzan a tener un
tiempo de recuperacin apropiado para enviar una corriente continua
pura sin oscilaciones. El conjunto de capacitores y resistencias de esta
seccin permite complementar esa tarea y lograr una salida continua
perfecta para el sistema.

18
6.2. Pre-Amplificador
6.2.1. Diseo de pre-amplificador
La seal que ingresa a un amplificador es muy pequea,
aproximadamente 100mv, en este caso ser el audio de un reproductor
MP3. Para lo cual es necesario construir una etapa previa a la
AMPLIFICACION en s.
Usaremos OP-AMP para esta etapa previa, ya que son sencillos de usar
y su respuesta en frecuencia es suficientemente necesario para la
frecuencia de audio.
6.3. Amplificador de potencia
El amplificador de potencia es la parte est encargada de
amplificar la seal y hacerla audible.

19
6.1.3. Calculo
Determina la tensin de salida necesaria del puente
rectificador. Este valor se expresa en voltios y est determinado
por las especificaciones de la carga que se va a alimentar con el
rectificador.
1ro. Calculo de corrientes en DC:
Primera etapa:
548 110 < < 800
558 120 < < 800

20
 Hallando corriente de emisor en el transistor 1:
2 = (3,9) + 1(4.7) + 1(33) + 2(56)
1 4.7 56
2 = [3.9 ( + 1) + + 33 + ] 1
1 + 1 1 + 1 2(2 + 1)
2 = [37.209]1
2 75 2 0.6
1 = =
37.209 37.209
1 = 1.983
Hallando voltaje de Thevenin:
+ 1(4.7) + (3.9)1 = 75
1 1
= 75 (4.7) + (3.9)1 ( + 1)
1 + 1 1 + 1
= 67.11 ; > 24 ; 67.11 > 24 ;

21
 Hallando el punto Q del transistor 1:
2 = (1)1 + (2)2
=> 1 = 22 = 2(2 + 1)2
(2)1
2 = (1)1 +
2(2 + 1)
2
1 =
2
1 +
2(2 + 1)
1 = 681.35
Hallando voltaje colector-emisor del transistor 1:
2 4.7
1 = ( ) = (51 )
1 + 2 4.7 + 5.9
1 = 27.87 => 2 = 5.92
= 1(1) + + 1(1) + + 2(2)
1
= (1 + 2)(1) + + 1(1) + + (2)
2(2 + 1)
2
2(1) = [1 + 1 + ] 1 + ()
2(2 + 1)
1 = 26.01
1 = 0; = 51.31
= 0; 1 = 1.38 ( ())

22
En los transistores 2 y 3:
1
2 = => 2 = 340.68
2
() 3 = +
3 (3) = + (5)5
3 = 3 + 5
5
3 = 3 5 = 3 ; 5 = 110
5 + 1
5 = 2(5)
5
=> (3 ) 3 = + 5(2(5))
5 + 1

23
 3(3)
= 5 => 5 = 2.17
3
2(5) +
5 + 1
5 = 2(5) => 5 = 4.34
5
3 = 3 = 321.13
5 + 1
3 = 3 (3) = 1.25
Hallando el voltaje colector emisor en el transistor 2:
= 1 + 1 + 1
= ( ( + 2)) + 1 + 1(1)
= 71.62
+ 2 + 3 = ( ())
2 = 77.1
() = 1 + 1 + 1
= ( ( + 2)) + 1 + 1(2(2))
= (23 + 26.01) + 1(2(2))
= 49.01 + 2(1)(2)
=> + 2 + 3 = 2; 3 = 2(3) 76.2
49.01 + 2(1)(2) + 2 + (2)(3) 76.2 = 2
2 + 2(21 + 3) = 2 + 76.2 49.01
2 = 0 => = 101.06
2 = 0 => 2 = 1.44
Transistor 2 y 3 (Puntos Q):
2 340.68
2 = =
2 + 1 121
2 = 3.069

24
 5 = + 4
=> 4 = 5
5 5
4 =
1
(1 4 + 1)

4 = 2.24 => 4 = 72.26

2 = (4) + + 5() + 5 + 5(5)
5
2 = 5 [4 + + ] + 5 4(4) +
2
5
2 + 4(4) = 5 [4 + + ] + 5
2
25
 5
149.33 = 5 [4 + + ] + 5
2
5 = 127.14
5 = 0 => 5 = 14.60
5 = 0 => 5 = 149.33
Transistor 5 y 6 puntos Q:
5
5 = = 2.17
5 + 1

2 + () = 2 + (7 + 8)7
4 = + 7

26
 7
4 = + ; = 20
7 + 1
=> 7 = (4 )(7 + 1)
= 6 8
8
= 6
8 + 1
=> 8 = (6 )(8 + 1)
2 + () = 2 + (4 + 6 )( + 1); = 20
2 + () = 2 + ( + 1)(4 + 6) 2( + 1)
( + 2( + 1)) = 2 2 + ( + 1)(4 + 6)
2 2 + ( + 1)(4 + 6)
=
+ 2( + 1)
= 2.18
=> 7 = (4 )(7 + 1) => 7 = 1.26
=> 8 = (6 )(8 + 1) => 8 = 1.26
Notamos que Ie7 e Ie8 son aproximados por ser
complementarios.

= 7 + 7(7)
2
75 = + (1.26 )120
= 0 7 = 625
7 = 0 7 = 75
7 = 74.84
Transistores 7 y 8 puntos Q:
7 1.26
7 = = = 60
7 + 1 21

27
 7 = 1.26
7 = 74.84
7 = 9
9 + 9 = 9
9 = 9 9
9 + 9(0.33) = 75; 9 0
75 = 9 + 9(0.33)
9 = 0 9 = 227.27
9 = 0 9 = 75
Mediante un anlisis en AC, se obtienen los siguientes valores
para las siguientes variables:
Calculando ganancia en voltaje:

= =
+

28
 (15.5)(20.56 )
=
(50.27 ) + (16.5)(346.52)

= 58.82

=> = 58.82
Calculando ganancia en corriente;
= 1; = 10

= = =
1 1
1 (58.82)(56)
=
4
823.48

29
Componentes
Fuente switching:
Fusible de 4 A
Termistor S05K175
Filtro EMI de 7 A
Puente de diodos de 4 A
Molex de dos pines
Bobina de ncleo de ferrita EER-39
3 borneras de tres terminales
Resistencias:
330K/ 1/4W
47/ 1W
2 de 180K/ 1/4W
2 de 22/ 1W
56/ 5W
4 de 10K/ 1/4W
2 de 15K/ 1/4W
Capacitores:
220nF/ 250V
2 de 560uF/ 250V
2uF/ 250V
2.2nF/ 250V
6 de 1000uF/ 63V
4 de 100nF
Diodos:
1N4007
6 de FR107
2 de LED
Mosfets:
2 de IRF450
Driver de la fuente switching:
VIPER22A
IR2153

30
 Resistencias:
10/ 1/4W
39K/ 1/4W
Capacitores:
22nF
450pF
100nF
2 de 47uF/35V
22uF/25V
Inductores:
1mH
Diodos:
Diodo Zener 15V
3 de FR107
Amplificador AB:
Transistores:
2 de A1015
3 de C2229
TIP42
D718
B688
5 de 2CS5200
5 de 2SA1943
Diodos:
Diodo Zener de 24v
3 diodos 1N4004
Capacitores:
2.2uF/50V
2 de 47uF/80V
2 de 10pF
2 de 470pF

31
Resistencias:
56K/ 1/4W
4.7K/ 1W
33K/1/4W
3.9K/1W
3.9K
3.9K
150
150
960
150 /1/2W
33/1W
56
150
120 /1W
120/1W
0.33/5W
0.33/5W
0.33/5W
0.33/5W
0.33/5W
0.33/5W
0.33/5W

32
7. MONTAJE
Fuente switching:

33
34
Amplificador:

35
8. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:
Se utiliz y puso en prctica lo aprendido en clases para el desarrollo y utilizacin
de circuitos para las partes de nuestra consola de radio.

Se logr obtener un sonido limpio de nuestro amplificador.

Al momento de disear algn circuito, se debi tener en cuenta el hecho de
utilizar componentes comerciales, eran muchos los casos en los cuales los
componentes no eran comerciales y se debi buscar alternativas.

Del proceso de ensamblaje, desde el punto de la simulacin al caso prctico

notamos que se encuentran puntos en los cuales influyen mucho el material
(cable rgido o multifilar), el tipo de conexiones, la fuente de la alimentacin.

9. BIBLIOGRAFIA

http://www.forosdeelectronica.com/f21/fuente-conmutada-switching-
8558/index3.html
http://www.forosdeelectronica.com/f16/fuente-smps-switching-mode-power-
supply- 12vdc-3251/
http://www.smps.us/topologies.html
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2153.pdf
http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/wte/FR107-TB.pdf
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/7/IRF740.shtml
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/Y/Q/2/BYQ28E-200.shtml
http://www.irf.com/
https://www.eqr.msu.edu/eceshop/Parts_Inventory/datasheets/lm311n.pdf
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2184.pdf
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb4227pbf.pdf
http://www.smps.us/topologies.html
Gray Meyer Anlisis y diseo de circuitos integrados
Horenstein Microelectrnica. Circuitos y Dispositivos
Millman Halkias Electrnica Integrada (ltima edicin)
Shilling Belove Electrnica Integrada (ltima edicin)
Rashid Circuitos microelectrnicos: Anlisis y Diseo.
Sedra Smith Circuitos Microelectrnicos. Ed. OXFORD.

36