Osnovi elektronike - II test - 04.01.2017.

Grupa A
TEORIJA
1. Parametri koji uti£u na gornju frekvenciju tranzistora sa efektom polja
2. Izrazi koji opisuju bipolarni (unipolarni) tranzistor
3. Kako se realizuje nelinearna temperaturna stabilnost
4. Kakav je propusni opseg kod poja£ava£a sa povratnom vezom u odnosu na one bez povratne
veze.
Pitanje iz lab: Neka ²ema i da se zaokruºi odgovor.
Grupa B
TEORIJA
1. Utjecaj spojnog kondenzatora kod kaskadnih poja£ava£a.
2. Opisati kako se dobijaju h parametri kod bipolarnih poja£ava£a.
3. Nacrtati ²emu za indukovani n-kanalni Mosfet zajedno sa generatorom, ne²to na taj fazon,
ona zadnja slika u knjizi ja msm vezano za to
4. Opisati ²ta se de²ava sa ulaznim otporom kod serijske-naponske povratne veze i nacrtati
²emu?
Pitanje iz lab: b)

Grupa C
TEORIJA
1. Navesti parametre koji uti£u na gornju grani£nu frekvenciju tranzistora.
2. Za²to se koristi dominantno poja£ava£ sa zajedni£kim emiterom?
3. Izlazna karakteristika FET-a.
4. Kako se mijenja izlazni otpor kod povratne veze (ne znam ta£no kod koje).
Pitanje iz lab: Nacrtati ²emu za odreživanje izlaznih karakteristika.

Grupa D
1. Razlika izmežu linearne i nelinearne stabilizacije
2. Na koji na£in ra£unamo poja£anje.
3. Izlazna karakteristika tranzistora u spoju ZB
4. JFET tranzistor n kanalni u zasi¢enju (polarisati ga da radi u zasi¢enju i napisati ²ta se
de²ava sa kanalom)
Pitanje iz lab: MOSFET vi²e nekih slu£ajeva, osiroma²eni. (ne znam ta£no)

ZADACI
1. MOSFET zadatak - Izra£unati potencijale V1 i V2
2. Bipolarni tranzistor - Odrediti Ru l, Ri zl, Av i Av g