327434178 BG Phương Phap Phan Tich Vật Liệu PDF

HANOI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
INTERNATIONAL TRAINING INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
CÁC PHƯƠNG PHÁP VẬT LÝ

PHÂN TÍCH CẤU TRÚC VẬT RẮN
TRONG KHOA HỌC VẬT LIỆU
Dr. NGUYEN ANH TUAN
HANOI-2007
MỤC ĐÍCH MÔN HỌC
1. Về mặt lý thuyết: Nắm được các nguyên lý cơ bản của một số

phương pháp/kỹ thuật vật lý thông dụng trong việc phân tích cấu trúc
bên trong và bề mặt của các vật rắn, cũng như màng mỏng chất rắn
trong Khoa học Vật liệu, gồm 4 nhóm phương pháp:
+ Các phương pháp trên cơ sở nhiễu xạ (XRD, ED, ND)
+ Các phương pháp hiển vi hiển vi điện tử (TEM, STEM, SEM)
+ Các phương pháp phân tích phổ (Auger, EPMA, XRF, XPS, EELS,...)
+ Các hiển vi đầu dò quét (SPM: AFM, MFM, STM, SNOM,...)
2. Về mặt thực hành: Nắm được một số kỹ năng thực hành, kỹ thuật
phân tích các yếu tố/thông số cơ bản của cấu trúc vật rắn để thấy
được những ứng dụng thông dụng của các phương pháp / kỹ thuật
nêu trên. Nắm được các ưu nhược điểm và phạm vi/giới hạn của
từng phương pháp phân tích. Bước đầu có thể áp dụng thực tế trong
việc phân tích mẫu chất rắn / vật liệu.
NATuan-ITIMS-2007
NỘI DUNG BÀI GIẢNG
CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC CỦA VẬT RẮN

1.1. Cấu trúc nguyên tử.
1.2. Chất rắn và các liên kết trong chất rắn.
1.3. Cấu trúc tinh thể của chất rắn - Mạng tinh thể và đối xứng tinh thể.
1.4. Cấu trúc vật rắn vô định hình.
CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP NHIỄU XẠ

2.1. Cơ sở của nhiễu xạ - Lý thuyết tổng quát.
2.2. Nhiễu xạ tia X (XRD).
2.3. Nhiễu xạ điện tử (ED).
2.4. Nhiễu xạ nơtron (ND).
CHƯƠNG 3: CÁC PHƯƠNG PHÁP HIỂN VI

3.1. Cơ sở của HV - Hiển vi quang học (OM).
3.2. Hiển vi điện tử truyền qua (TEM).
3.3. Hiển vi điện tử quét (SEM).
3.4. Các loại hiển vi khác (hiển vi laze đồng tiêu, hiển vi tia X, hiển vi nơtron, ...).
NATuan-ITIMS-2007
CHƯƠNG 4: CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH PHỔ

4.1. Giới thiệu.
4.2. Các phương pháp phân tích phổ điện tử.
4.3. Các phương pháp phân tích phổ ion.
4.4. Các phương pháp phân tích khối phổ.
CHƯƠNG 5: CÁC PHƯƠNG PHÁP HIỂN VI ĐẦU DÒ QUÉT (SPM)

5.1. Hiển vi lực nguyên tử (AFM).
5.2. Hiển vi đầu dò quét hiệu ứng xuyên ngầm (STM).
5.3. Hiển vi lực từ (MFM).
5.4. Hiển vi quang học quét trường gần (SNOM).
5.5. Một số loại hiển vi đầu dò quét (SPM) đặc biệt khác.
CHƯƠNG 6: CÁC BÀI THỰC HÀNH

6.1. Phân tích cấu trúc đơn tinh thể bằng nhiễu xạ Lauer.
6.2. Phân tích cấu trúc đa tinh thể bằng phương pháp nhiễu xạ bột.
6.3. Phân tích pha định tính, định lượng.
6.4. Quan sát hình thái/cấu trúc bề mặt bằng hiển vi điện tử quét.
6.5. Quan sát hình thái/cấu trúc bề mặt bằng hiển vi lực nguyên tử.
NATuan-ITIMS-2007
TÀI LIỆU THAM KHẢO CHÍNH
1. “Materials science and technology”, Ed. by R.W. Cahn, P. Haasen and E.J.
Kramer, Vol. 1&2 A & B, VCH Weinheim, 1993.
2. “Elemen of X-ray diffraction”, B.D. Culity and S.R. Stock; Prentice Hall, 2001.
3. “Diffraction for Materials Scientists” by J.M. Schultz, Prentice-Hall, Inc.,
Englewood Cliffs, New Jersey 1982.
4. “Electron Microscopy in Material Science” ed. by U. Valdrè; Academic Press
Inc., New York and London 1971.
5. “Fundamental of surface and thin film analysis ”, L.C. Feldman and J.W.
Mayer, North Holland, Amsterdam, 1986.
6. “Electron Microscopy of thin crystals ”, P.B. Hirsch, London, 1965.
7. “Scanning tunneling microscopy and related methods”, NATO ASI series E,
Vol. 184, 1990.
8. “Electron Scattering and Related Spectroscopies”, by M. De Crescenzi and
M.N. Piancastelli; World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. 1996.
9. “Analytical Techniques for Thin films” Ed. by K.N. Tu and R. Rosenberg
(Treatise on Materials Science and Technology, Vol. 27); Academic Press, Inc.;
Hardcourt Brace Jovanovich, Publishers, 1988.
10. “Practical surface analysis” – 2nd ed. by David I. Briggs, John Wiley & Sons
1996.
NATuan-ITIMS-2007
1.1. Cấu trúc nguyên tử

1.1.1. Cấu tạo nguyên tử
1.1.2. Phân bố điện tử trong nguyên tử
1.1.3. Bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học
1.2. Chất rắn và các liên kết trong chất rắn
1.3. Cấu trúc tinh thể của chất rắn - Mạng tinh thể và đối
xứng tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
1.1.1. Cấu tạo nguyên tử

– Nguyên tử: hạt nhân (p & n) + e-
– Điện tích: |e| = 1.6 x 10-19C
– Khối lượng: mp ≈ mn ~ 1.67 x 10-27 kg
(~ 1.67 x 10-24 g); me ~ 9.11 x 10-31 kg.
– Số nguyên tử: Z = số p trong hạt nhân. Đ/v nguyên tử trung hòa điện, Z = số
điện tử. Z của các nguyên tố trong bảng tuần hoàn: từ 1 (H) - 94 (Pu).
– Khối lượng nguyên tử: A = ∑mp + ∑mn
Đ/v một nguyên tố cho trước: số proton là như nhau cho các ng.tử,
nhưng số neutron (N) có thể khác nhau → các đồng vị khác nhau.
A≅Z+N
– Đơn vị khối lượng nguyên tử (amu):
• Khối lượng mỗi proton (hay nơtron) là ~ 1.67 x 10-24 g, được quy ước là
đơn vị khối lượng của nguyên tử.
• Khối lượng nguyên tử carbon đồng vị là 12 (6 proton & 6 nơtron), (12C),
nghĩa là: A = 12 amu. Như vậy 1 amu = 1/12 .
– Như vậy có 0.6023 x 1024 amu/g Ö Số Avogadro
Ö là số proton (hay nơtron) cần thiết để tạo ra một khối lượng là 1 gram.
Ö hay là số nguyên tử/phân tử có trong 1 mol chất.
NATuan-ITIMS-2007
1.1.2. Phân bố điện tử trong nguyên tử Xác suất
0
Khoảng cách
đến hạt nhân
Mẫu nguyên tử Bohr Điện tử

(Mẫu hành tinh) quỹ đạo Hạt nhân Đám mây
điện tử
Mẫu nguyên tử theo cơ học sóng

(so sánh với mẫu Bohr)
NATuan-ITIMS-2007
Các số lượng tử của điện tử trong nguyên tử:
n: Số lượng tử chính (n = 1, 2, 3, ...), mô tả kích thước của quỹ đạo (hay đám mây
phân bố mật độ điện tử: n = 2 > n = 1) và biểu thị gián tiếp năng lượng của các quỹ
đạo điện tử.
l: Số lượng tử góc (l = 0, 1, ... n -1), mô tả hình dạng của quỹ đạo: với l = 0 → hình
cầu; l = 1 → hình cực (hình quả tạ); l = 2 → hình lá chẻ; v.v... Với l = 0 chỉ có một
cách định hướng duy nhất trong không gian (hình cầu); với các trường hợp l ≠ 0
còn có những hướng khác nhau trong không gian.
m: Số lượng tử từ (m = - l, - (l + 1), ..., (l + 1), l), mô tả sự định hướng trong không
gian của mỗi quỹ đạo điện tử riêng biệt (còn ký hiệu là ml).
s: Số lượgn tử spin (s = - 1/2; +1/2), mô tả sự định hướng spin của điện tử trên mỗi
quỹ đạo (còn ký hiệu là ms).
l=0 l=1 l=2

NATuan-ITIMS-2007
....
s orbital p orbital
px orbital py orbital pz orbital
dxy orbital dxz orbital dyz orbital dx2-y2 orbital dz2 orbital
NATuan-ITIMS-2007
Một số dạng đám mây mật độ điện tử phân bố trong không gian
3D tương ứng với các tổ hợp khác nhau của các số lượng tử
n=1, l=0, m=0 n=3, l=2, m=1 n=3, l=2, m=2 n=4, l=2, m=2
n=2, l=1, m=0 n=2, l=1, m=1 n=3, l=2, m=0

NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Ký hiệu các lớp vỏ điện tử và số điện tử tối đa chứa trong một nguyên tử
Mức năng Các lớp Số điện

lượng quỹ đạo tử tối đa
Ký hiệu
(Số lượng con chứa
lớp vỏ
tử chính) (ứng với trong
quỹ
(n ) các l nguyên
đạo
khác tử
chính
nhau)
Electron Capacity = 2n2
1 K s 2
s 8 :K
2 L p :L
s :M
3 M 18
:N
4 N 32 :O
:P
5 O 50
6 P 72
NATuan-ITIMS-2007
1.1.3. Bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học
- Nguyên lý AUFBAU (tiếng Đức, có nghĩa là BUILDUP trong tiếng Anh): thể hiện cách xây
dựng bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học, dựa vào cách sắp xếp các điện tử như thế
nào trong các nguyên tử.
- Có 2 nguyên tắc được tuân theo:
+ Quy tắc Hund
Các điện tử được điền vào các quỹ đạo theo nguyên tắc lần lượt từ các
mức năng lượng thấp nhất có thể.
+ Nguyên lý loại trừ Pauli
Hai điện tử không thể cùng chiếm giữ một trạng thái năng lượng (ứng với cùng
một bộ các số lượng tử)
H 1 electron 1s1
He 2 electrons 1s2
Li 3 electrons 1s22s1
O 8 electrons 1s22s22p4
Ne 10 electrons 1s22s22p6
Na 11 electrons 1s22s22p63s1
Ar 18 electrons 1s22s22p63s23p6
K 19 electrons 1s22s22p63s23p64s1
Ca 20 electrons 1s22s22p63s23p64s2
NATuan-ITIMS-2007
THE AUFBAU The Electron Configurations of the Elements THE PERIODIC
PRINCIPLE (1st, 2nd, 3rd, and 4th Row Elements) TABLE
Atomic Symbol Electron Configuration Atomic Symbol Electron Configuration
Number Number
1 H 1s1 19 K [Ar] 4s1
2 He 1s2 = [He] 20 Ca [Ar] 4s2
3 Li [He] 2s1 21 Sc [Ar] 4s2 3d1
4 Be [He] 2s2 22 Ti [Ar] 4s2 3d2
5 B [He] 2s2 2p1 23 V [Ar] 4s2 3d3
6 C [He] 2s2 2p2 24 Cr [Ar] 4s1 3d5
7 N [He] 2s2 2p3 25 Mn [Ar] 4s2 3d5
8 O [He] 2s2 2p4 26 Fe [Ar] 4s2 3d6
9 F [He] 2s2 2p5 27 Co [Ar] 4s2 3d7
10 Ne [He] 2s2 2p6 = [Ne] 28 Ni [Ar] 4s2 3d8
11 Na [Ne] 3s1 29 Cu [Ar] 4s1 3d10
12 Mg [Ne] 3s2 30 Zn [Ar] 4s2 3d10
13 Al [Ne] 3s2 3p1 31 Ga [Ar] 4s2 3d10 4p1
14 Si [Ne] 3s2 3p2 32 Ge [Ar] 4s2 3d10 4p2
15 P [Ne] 3s2 3p3 33 As [Ar] 4s2 3d10 4p3
16 S [Ne] 3s2 3p4 34 Se [Ar] 4s2 3d10 4p4
17 Cl [Ne] 3s2 3p5 35 Br [Ar] 4s2 3d10 4p5
18 Ar [Ne] 3s2 3p6 = [Ar] 36 Kr [Ar] 4s2 3d10 4p6 = [Kr]
NATuan-ITIMS-2007
THE PERIODIC TABLE OF THE ELEMENTS
1s:
H
1
1
mm
Electron configurations of the neutral gaseous atoms in the ground state
2
He
2
[He] 3 4 5 6 7 8 9 10
+ Li Be B C N O F Ne
2s: 1 2 2 2 2 2 2 2
2p: - - 1 2 3 4 5 6
[Ne] 11 12 13 14 15 16 17 18
+ Na Mg Al Si P S Cl Ar
3s: 1 2 2 2 2 2 2 2
3p: - - 1 2 3 4 5 6
[Ar] 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36
+ K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
4s: 1 2 2 2 2 1 2 2 2 2 1 2 2 2 2 2 2 2
3d: - - 1 2 3 5 5 6 7 8 10 10 10 10 10 10 10 10
4p: - - - - - - - - - - - - 1 2 3 4 5 6
[Kr] 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54
+ Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
5s: 1 2 2 2 1 1 2 1 1 - 1 2 2 2 2 2 2 2
4d: - - 1 2 4 5 5 7 8 10 10 10 10 10 10 10 10 10
5p: - - - - - - - - - - - - 1 2 3 4 5 6
[Xe] 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86
+ Cs Ba La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
6s: 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 2 2 2 2 2 2 2
4f: - - - 1 3 4 5 6 7 7 9 10 11 12 13 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14 14
5d: - - 1 1 - - - - - 1 - - - - - - 1 2 3 4 5 6 7 9 10 10 10 10 10 10 10 10
6p: - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 1 2 3 4 5 6
[Rn] 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118
+ Fr Ra Ac Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No Lr Rf Db Sg Bh Hs Mt Ds Rg Uub Uut Uuq Uup Uuh Uus Uuo
7s: 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
5f: - - - - 2 3 4 6 7 7 9 10 11 12 13 14 14 14
6d: - - 1 2 1 1 1 - - 1 - - - - - - - 2
7p: - - - - - - - - - - - - - - - - 1 -
NATuan-ITIMS-2007

1.2.1. Mở đầu
1.2.2. Các liên kết trong chất rắn
xứng tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
1.2.1. Mở đầu
+ Chất rắn là một trạng thái của vật chất ở đó một số lớn các nguyên tử
(~1023/cm3) liên kết hóa học bền vững với nhau để tạo ra khối kết tụ đặc
(đóng rắn/ ngưng tụ).
D + Bản chất các lực liên kết là lực tĩnh điện; tương tác từ tính rất yếu; tương
tác hấp dẫn coi như không có.
+ Bản chất của liên kết phụ thuộc vào cấu trúc điện tử của nguyên tử.
+ Trạng thái điện tử của nguyên tử có thể thu được từ cơ học học lượng tử:
Phương trình Schrodinger trong trường xuyên tâm.
+ Dạng của lực liên kết quy định dạng của chất rắn và tính chất tương ứng.
+ Các dạng thế năng tương tác đóng vai trò chính trong các dạng liên kết
các nguyên tử.
+ Năng lượng liên kết tiêu biểu: ~ 1 - 400 kcal/mol (tương tác từ tính ~
1kcal/mol, tương tác hấp dẫn ~ 10-27 kcal/mol).
+ Dựa trên cơ sở cách sắp xếp các nguyên tử, có thể chia CR làm 3 loại:
CR tinh thể, CR đa tinh thể, và CR vô định hình (có thể có dạng tổ hợp).
NATuan-ITIMS-2007
Sự liên kết giữa các nguyên tử hình thành nên chất rắn và cấu trúc tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
1.2.2. Các liên kết trong chất rắn
– Liên kết ion

– Liên kết cộng hóa trị
– Liên kết kim loại
– Liên kết hydro
– Liên kết Van der Waals
• Xem thêm về các kiểu liên kết này trong “Solid State Physics” của
Ashcroft and Mermine
NATuan-ITIMS-2007

xứng tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
1.3.1. Cấu trúc tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
Trục tinh thể:
Các vec-tơ đơn vị:

a theo trục x;
b theo trục y;
c theo trục z.
Ô đơn vị:
Một thể tích không gian mà
Ô đơn vị được xác lập khi tịnh tiến theo tất cả các
r* vectơ trong một ô mạng
theo các vec tơ đơn vị
a, b, c. Bravais, phải lấp đầy hoàn
DVectơ cơ sở: toàn không gian mà không,
r* = a + b + c hoặc trùng với chính nó,
hoặc để lại chỗ trống.
NATuan-ITIMS-2007
Việc lựa chọn các

ô nguyên thủy:
Trường hợp mạng 2-D
NATuan-ITIMS-2007
Việc lựa chọn các ô nguyên thủy:
Trường hợp mạng 3-D
NATuan-ITIMS-2007
CÓ 7 LOẠI MẠNG TINH THỂ:
LẬP PHƯƠNG
TỨ GIÁC
TRỰC THOI
MỘT NGHIÊNG
BA NGHIÊNG
LỤC GIÁC
THOI
NATuan-ITIMS-2007
.....
Bậc của đối xứng
LẬP PHƯƠNG
THOI
TỨ GIÁC
ĐƠN TÀ
LỤC GIÁC
TAM TÀ
TRỰC THOI
NATuan-ITIMS-2007
Point Orthographic
..... Conditions
Groups
Order
projection
a b c C1 1
Triclinic
Ci 2
Cs (C1h) 2
a b c
Monoclinic C2 2
= = /2
C2h 4
C2v 4
a b c
Orthorhombic D2 4
= = = /2
D2h 8
C4 4
S4 4
C4h 8
a=b c
Tetragonal D2d 8
= = = /2
C4v 8
D4 8
D4h 16
NATuan-ITIMS-2007
C3 3
.....
S6 6
a=b=c
Trigonal = < 2 /3, C3v 6
/2
D3 6
D3d 12
C3h 6
C6 6
C6h 12
a=b c
Hexagonal = = /2, D3h 12
=2 /3
C6v 12
D6 12
D6h 24
T 12
Th 24
a=b=c
Cubic* Td 24
= = = /2
O 24
Oh 48
NATuan-ITIMS-2007
• 14 mạng không gian - Mạng Bravais
Crystal system Lattices
triclinic
(tam tà)
simple base-centered
monoclinic
(đơn tà)
simple base-centered body-centered face-centered
orthorhombic
(trực thoi)
NATuan-ITIMS-2007
Crystal system Lattices
hexagonal
(Lục giác)
rhombohedral
(trigonal)
(thoi)
simple body-centered
tetragonal
(trực thoi)
simple body-centered face-centered
cubic
(isometric)
NATuan-ITIMS-2007
Ô nguyên thủy của mạng Ô nguyên thủy của mạng

trực thoi đơn: trực thoi tâm đáy:
NATuan-ITIMS-2007
Ô nguyên thủy của mạng Ô nguyên thủy của mạng

trực thoi tâm khối: trực thoi tâm mặt:
NATuan-ITIMS-2007
Ô nguyên thủy Wigner-Seitz:
Ô Wigner-Seitz là vùng không gian bao quanh một nút mạng mà vùng đó ở
gần nút mạng này hơn bất kỳ nút mạng nào khác.
Hay: Là quỹ tích các điểm trong một không gian bao quanh một nút mạng nào đó
và gần nó hơn bất kỳ nút mạng nào khác.
Ô WS trong trường hợp mạng 2-D
Cách xây dựng ô WS

- Xác định nút mạng.
- Chọn nút gốc (sẽ là tâm của ô WS).
- Nối nút gốc với tất cả các nút lân cận gần nhất.
- Vẽ các mặt trung trực của các đoạn nối giữa
các nút.
- Không gian có thể tích nhỏ nhất giới hạn bởi
các mặt trung trực bao quanh nút gốc là ô WS.
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: Xác định ô Wigner-Seitz của 2 mạng dưới đây
NATuan-ITIMS-2007
Ô WS trong trường hợp mạng 3-D
NATuan-ITIMS-2007
- Mỗi ô mạng Bravais có ít nhất 1 ô Wigner-Seitz.
Nếu tính đến tỷ lệ các trục, có 24 dạng khác nhau của ô WS.
NATuan-ITIMS-2007
Sự lấp đầy không gian bởi ô WS
- Ô WS tương tự một viên gạch hoa

- Sự lấp đầy không gian bởi ô WS
tương tự như việc lát nền bằng những
viên gạch hoa
NATuan-ITIMS-2007
- Nút mạng:
r = u’a + v’b + w’c ; trong đó u’, v’, w’ là những số nguyên
z
u’ = 1, v’ = 1, w’ = 2
- Một điểm bất kỳ trong mạng tinh thể r = a + b + 2c
112
không nằm ở các vị trí nút mạng: r = r* + R = r* + c
r = (n + u)a + (p + v)b + (q + w)c c
001 R
n, p, q là số nguyên; 111 121
½½½
u; v; w là số không nguyên r*
y
000 0½0 b 010
½½0
D r = (n a + p b + q c) (r') a
+ (u a + v b + w c) (r’') x 100 110
= r' + r’' 0½-1
r' = vectơ nút mạng Vectơ xác định vị trí bất kỳ của một điểm trong ô
r’' = vectơ xuất phát từ nút mạng mạng tinh thể bằng tổng của vectơ góc chéo của
r (đỉnh của vectơ r) một ô đơn vị với vectơ xuất phát từ đỉnh góc chéo
đó tới một điểm ở bên trong ô đơn vị ở vị trí u v w
đối với đỉnh góc chéo của ô đơn vị đó)
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: Xác định vị trí các nút mạng
Hãy xác định các vị trí nút mạng của các mạng Bravais fcc (face
centered cubic) và fco (face centered orthorhombic).
Các mạng Bravais fcc gồm:
z
001
c
111
0½0 010
000 y Các mạng Bravais fco gồm:
½00 b
100 ½½0
a
110
x
- Vị trí các nút mạng ở các góc là: 000, 100, 010, 001, 110, 101, 011, và 111.
- Vị trí các nút mạng ở tâm mặt là: ½½0, ½0½, 0½½, ½½1, ½1½, 1½½.
NATuan-ITIMS-2007
Hướng tinh thể:
- Một hướng bất kỳ ↔ một đường song song với nó đi qua gốc mạng, sau đó gắn tọa
độ của điểm bất kỳ trên đường đi qua gốc mạng đó. Ö Tất cả các hướng tinh thể có
thể quy về các hướng trong một ô đơn vị với gốc được gắn ở đỉnh nút mạng.
- Xét một điểm bất kỳ ở vị trí u'v'w' (không
z t nhất thiết phải là số nguyên) trên đường t
001 3u'3v'3w' đi qua gốc tọa độ. Ö đường t sẽ đi qua tất
c
011 cả các điểm có tọa độ 2u'2v'2w', 3u'3v'3w',
2u'2v'2w'
101
111 4u'4v'4w',....
u'v'w'
000 b y - Ký hiệu [u v w] để chỉ hướng tinh thể học
010
a của đường t. Tất cả các đường song song
x 100 110 với đường này đều có cùng chỉ số hướng
với đường t này.
- Bất kỳ giá trị nào của u' v' w' đều có thể chuyển thành một bộ gồm các số nguyên nhỏ
nhất bằng cách nhân hoặc chia liên tục cho cùng một số. Ví dụ, như vậy [½½1], [112],
[224], [448] đều chỉ thị cùng một hướng tinh thể. Nhưng người ta quy ước chọn bộ số
gồm những số nguyên nhỏ nhất (nút mạng), như là [112] để chỉ hướng tinh thể này.
NATuan-ITIMS-2007
Nguyên tắc xác định hướng tinh thể :
Trục tinh thể: x y z Ví dụ:

Vectơ đơn vị: a b c z
Các hình chiếu: u'a v'b w'c (toạ độ cắt các trục)
Hệ số h. chiếu: u' v' w' 011
c 001
Rút gọn: x n Ö u v w
Chỉ số hướng: [uvw] 101 111
Cắt b ở -1
[130]
b 010 y
000
a Cắt c ở 0
Các hình chiếu: a/3 -1b 0c 100 110
x
Hệ số h. chiếu: 1/3 -1 0 Cắt a ở 1/3
Rút gọn: x 3 Ö 1 -3 0
Chỉ số hướng: [130]
NATuan-ITIMS-2007
Một số hướng tinh thể quan trọng:
[001]
z [012] [011]
[102]
[212] [111]
001 011
[101] c
0½1
½01
1½1 111 [021]
101
01½
[201] 11½
[221]
10½ b 010
y
000
[010]
a ½10 [120]
100 1½0 110
x
[100] [110]
[210]
Góc tạo bởi hai hướng tinh thể: r = u’a + v’b + w’c r’ = u a + v b + w c
Ö Chỉ đối với các hệ lập phương: r.r’ = |r||r'| cosδ Ö
r.r' uu '+ vv'+ ww'
cos δ = =
r r' u 2 + v 2 + w 2 (u ' ) 2 + (v' ) 2 + ( w' ) 2
NATuan-ITIMS-2007
- Các hướng có chỉ số âm: Ví dụ, ký hiệu là [u v w] hay [u -v w].
Để dễ dàng xác định các hướng có chỉ số âm, cần thiết lập bộ vectơ đơn vị (xác
định ô cơ sở) thích hợp, ở đó những tọa độ nào âm, trục của vectơ cơ sở tương
ứng cần đổi chiều ngược lại.
Ví dụ một số hướng có chỉ số âm

z
[u
[u
[uvvvvw]
[u w]
w]
w]
c c 001 011
[111]
-- aa
101 111
b [-100]
-b
-b
b [0-10]
[110]
b 010 y
000
a a
100 110
x
-c-c [00-1]
[111]
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: Xác định hướng ở trong mạng tinh thể
Hãy xác định các hướng mạng sau đây: [123], [-120], [1-4-2] và [-1-3-4].
(chỉ vẽ trong giới hạn ô cơ sở)
1- Dựng ô đơn vị.
2- Với bộ tọa độ [u v w] đã cho (ví dụ [123]),
c -a c xác định số nguyên có giá trị tuyệt đối lớn
⅓⅔1 nhất trong bộ tọa độ đó (ví dụ 3) - Chia cả
-b ba số cho 3 → [123] trở thành [⅓⅔1].
000
[1-42] 3- Xác định điểm ⅓00;
¼1½
4- Xác định điểm 0⅔0;
000
-a-b
000 0⅔0 b 5- Xác định được điểm ⅓⅔0;
⅓00 ⅓⅔0 ½10 6- Tịnh tiến điểm ⅓⅔0 theo chiều trục c một
¼¾1 [-120]
a
000 [-1-3-4] ab-c đoạn 1 đơn vị để có điểm ⅓⅔1.
7- Nối gốc 000 với điểm ⅓⅔1 để có hướng [123].
Với cách làm tương tự, ta có các hướng [-120], [1-4-2], [-1-3-4].
Lưu ý: trong trường hợp có chỉ số âm, cần xoay hệ tọa độ của ô đơn vị một
cách thích hợp để xác định các tọa độ trong phạm vi một ô cơ sở.
NATuan-ITIMS-2007
Hướng của một lớp (hình thái) - Họ của hướng:
- Đó là các hướng liên quan đến tính đối xứng của chúng.
- Quy ước chọn một trong các hướng đó để đại diện cho một tập hợp các
hướng có tính chất như vậy và ký hiệu bằng dấu ‹...›: ‹uuu› đại diện
cho một họ gồm các hướng [uuu], [-uuu], [u-uu], [uu-u], [-u-uu], [-u-u-u]...
[-111]
[-1-11]
c
Ví dụ: ‹111› đại diện cho một họ các
[1-11] [111]
hướng đường chéo trong mạng lập
phương: [111], [1-11], [-1-11], [-1-1-1],...
Nhận xét: Các hướng ngược nhau có các 000 b

chỉ số tọa độ đối dấu nhau. [111] >< [-1-1-1]. [-1-1-1] [-11-1]
a
[1-1-1] [11-1]
NATuan-ITIMS-2007
Xác định các mặt phẳng trong mạng tinh thể - Chỉ số Miller:
- Quy định sử dụng hệ thống chỉ số Miller tinh thể học của Anh
- Hướng của các mặt phẳng mạng được gắn với các trục tinh thể học;
- Việc xác định một mặt phẳng mạng được dựa trên các khoảng cách thực
(tính từ gốc mạng) mà nó cắt 3 trục tinh thể: Đó là những đoạn cắt của các
trục: a/h; b/k; c/l.
c Nguyên tắc xác định hướng tinh thể :
(hkl) Trục tinh thể: x y z

b Vectơ đơn vị: a b c
c/l
Các hình chiếu: a/h b/k c/l

b/k
Hệ số h. chiếu: 1/h 1/k 1/l
Nghịch đảo: h k l
a
0 Chỉ số hướng: (hkl)
a/h
- Chỉ số Miller xác định một mặt phẳng là bộ số nghịch đảo của các phân
đoạn 1/h; 1/k; 1/l, nghĩa là h; k; l, và được viết trong ngoặc đơn (h k l).
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ:
c
3Å
Độ dài các trục: 4Å 8Å 3Å

(421)
8Å Độ dài các đoạn cắt: 1Å 4Å 3Å
2
6
4
b Phân số các đoạn cắt: 1/4 1/2 1
1
2
0 a Các chỉ số Miller: 4 2 1
0
0 1 2 3 4Å
Lưu ý: - Khi mặt phẳng cắt các trục ở phía âm, các chỉ Miller tương ứng
cũng là các số âm. Ký hiệu là, ví dụ: (h k l), (h k l), hoặc dùng dấu "-".
- Trường hợp các mặt phẳng không cắt một trục nào đó, nghĩa là
song song với trục đó, hoặc chứa trục đó Ö được coi là cắt nhau ở
∞ Ö Phân đoạn tương ứng sẽ là 1/∞ Ö Trong trường hợp này quy
ước chỉ số Miller là 0.
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: Xác định chỉ số Miller của các mặt phẳng trong hình dưới đây:
(210) Trả lời
Cắt c ở ∞
CắtCắt cở∞ c
ở 2c a) Mặt mầu vàng:
- Các đoạn cắt: ½ a, 1b , ∞c
Cắt ở -1b - Các phân đoạn: ½ , 1, ∞
- Nghịch đảo: 2 1 0
- Chỉ số Miller (hkl): (210)
0 b
b) Mặt mầu hồng:
a
- Các đoạn cắt: ½a , -1b, ∞c
Cắt ở 1b
- Các phân đoạn: ½ , -1 , ∞
Cắt
Cắtởở½a
½a Cắt b ở ∞ (210) - Nghịch đảo: 2 -1 0
Cắt a ở 1 - Chỉ số Miller (hkl): (210)
c) Mặt mầu xanh:
- Các đoạn cắt: 1a, ∞b, 2c
(201)
- Các phân đoạn: 1, ∞ , 2
- Nghịch đảo: 1, 0, 1/2 Ö 2 , 0, 1
- Chỉ số Miller (hkl): (201)
NATuan-ITIMS-2007
Một số mặt phẳng quan trọng nhất của mạng tinh thể
Nhận xét:
Trong hệ lập phương, [uvw]
chính là vectơ pháp tuyến
của mặt (hkl)
Lưu ý: Đối với các hệ khác
điều này không đúng.
NATuan-ITIMS-2007
Các mặt phẳng quan trọng tương đương khác
Họ mặt phẳng {100}

NATuan-ITIMS-2007
Họ mặt phẳng {110}

NATuan-ITIMS-2007
Các mặt mạng song song
- Các mặt phẳng (nh nk nl) song song với mặt (h k l) và cách nhau
một khoảng d = 1/n.
(200)
(100)
b
d200
d100
a
NATuan-ITIMS-2007
Lưu ý:
- Tập hợp các mặt song song khác nhau trong mạng có các khoảng cách
d giữa các mặt khác nhau: Các mặt có khoảng cách càng lớn chỉ số Miller
càng nhỏ và có mật độ nút mạng càng lớn.
b (13)
a
(10)
(11)
(31)
(41) (12)
Lưu ý: Điều này cũng đúng cho mạng 3-D

NATuan-ITIMS-2007
Khoảng cách giữa các mặt phẳng
−1 / 2
⎡1
( ⎤
Mạng Lập phương: d = ⎢ 2 h 2 + k 2 + l 2 ⎥ )
(Cubic) ⎣a ⎦
−1 / 2
⎡h2 + k 2 l 2 ⎤
Mạng Tứ giác: ⎢ 2
+ 2⎥
(Tetragonal) ⎣ a c ⎦
−1 / 2
⎡ h2 k 2 l 2 ⎤
Mạng Trực thoi: ⎢ 2 + 2 + 2⎥
(Orthorombic) ⎣a b c ⎦
⎡ h 2 l 2 2hl cos β ⎤
−1 / 2
⎢ 2 + 2 − k 2 ⎥
⎢a c ac + 2⎥
Mạng Đơn nghiêng (đơn tà):
(Monoclinic) ⎢ sin β
2
b ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
−1/ 2
⎡ h2 2 k2 2 l2 2 2hk 2kl 2lh ⎤
⎢ 2 sin α + 2 sin β + 2 sin γ + (cosα cosβ − cosγ ) + (cosβ cosγ − cosα ) + (cosγ cosα − cosβ ) ⎥
Mạng Ba nghiêng (tam tà): ⎢ a b c ab bc ca ⎥
⎢ 1 − cos α − cos β − cos γ + 2 cosα cosβ cosγ
2 2 2
⎥
(Triclinic) ⎢⎣ ⎥⎦
−1 / 2
⎡ 4 l2 ⎤
Mạng Sáu cạnh (lục giác):
2
(
⎢ 2 h + hk + k + 2 ⎥
2
) Cho mạng lục giác đơn
(Hexagonal) ⎣ 3a c ⎦
−1 / 2
⎢ a2(
⎡1 2 2 2
h + k + l )
sin 2
α + 2(hk + kl + lh) cos2
(α − cosα )
⎤
⎥
⎢ ⎥ Cho mạng thoi (Rhombohedral)
⎢ 1 − 2 cos3 α + 3cos2 α ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
NATuan-ITIMS-2007
Góc giữa hai mặt phẳng
ANGLE 100 110 010 001 101
100 0.00 45.0 90.0 90.0 45.0
011 90.0 60.0 45.0 45.0 60.0
111 54.7 35.3 54.7 54.7 35.3
211 35.2 30.0 65.9 65.9 30.0
311 25.2 31.4 72.4 72.4 31.4
511 15.8 35.2 78.9 78.9 35.2
711 11.4 37.6 81.9 81.9 37.6
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: Xác định các mặt phẳng song song dưới đây
NATuan-ITIMS-2007
Trường hợp mạng lục giác
z
- Hệ lục giác khác hẳn với các hệ khác (0001)
do có đối xứng sáu cạnh, trong đó
một số hướng tinh thể tương đương c
nhau lại không có cùng bộ chỉ số. (1210)
(1100)
- Để thuận lợi, người ta sử dụng hệ tọa a 3
độ Bravais-Miller,
Miller là một hệ 4-trục,
trong đó 3 trục nằm trong mặt phẳng xy, a2
a1, a2, và a3, tạo với nhau góc 1200 1200
(1011) Ô đơn vị
và trục thứ tư, trục c, hướng theo trục z. a1 (cơ sở)
là lăng trụ
- Ô đơn vị được thiết lập trên cơ sở 3 a3 đáy thoi
vectơ đơn vị a1, a2, và c. a2/k
- Các mặt phẳng trong các hệ lục giác được a1/h a3/i a2
nhận diện bằng bộ 4 chỉ số Miller-Bravais: (hki0)
(hkil), trong đó chỉ số i là nghịch đảo của
phân đoạn cắt trục a3. a1 a3
NATuan-ITIMS-2007
Trường hợp mạng lục giác

Hãy chứng minh điều này !
Lưu ý : a3
OC AC OC − OA
- 3 chỉ số đầu trong bộ chỉ số Miller- = =
OD AB AB D
Bravais thuộc mặt phẳng xy (chứa a2
cả 3 vectơ đồng phẳng a1, a2, và a3).
O
- Chỉ số i luôn là chỉ số phụ thuộc các )
(hki0
chỉ số h và k, vì một mặt phẳng cắt
A B
các đoạn trên các trục a1 và a2 cũng
luôn xác định đoạn cắt của nó trên a3
trục a3: C
a1 / h a / h − a3 / i
⇒ = 1
h + k = -i a1 a2 / k a3 / i
Vì các trục a1, a2, và a3 bằng nhau, sau khi nhân
hay: h + k + i = 0 p/t với hki, và để ý đến điểm B luôn ở phía âm của
a3 nếu C và D ở phía dương, nên:
1 1 1
= − ⇒ k = i − h ⇒ h + k + i = 0
hi hk ki
NATuan-ITIMS-2007
- Vì i phụ thuộc h và k, nên đôi khi người ta sử dụng ký hiệu mặt phẳng là
(h k · l), thậm chí bỏ cả dấu '·' để đơn giản như biểu diễn ở các hệ khác (hkl).
- Hướng ở trong hệ lục giác đơn tốt nhất [001]
được biểu diễn trong khuôn khổ của 3 z [011]
vectở cơ sở a1, a2 và c, nghĩa là lấy ô đơn
vị là lăng trụ đáy thoi
- Trong các hệ lục giác khác có thể phải
c
biểu diễn đầy đủ cả 4 thông số trong bộ
chỉ số Miller-Bravais, nghĩa là sử dụng [110]
a3
các đoạn cắt trong cả 4 vectở cơ sở a1,
a2, a3 và c (lấy ô đơn vị là lục lăng đáy lục [010]
giác). Lưu ý: Trong trường hợp đó luôn a2
nhớ phải lấy chỉ số thứ ba là âm của
tổng hai chỉ số đầu: h + k = -i.
[100]
a1
- Chuyển đổi từ hệ thống 3-chỉ số sang
hệ thống 4-chỉ số: [uvw ] → [hkil ] [210]
n
h= (2u − v ) ; k = n (2 v − u ) ; i = − (h + k ) ; l = nw
3 3
NATuan-ITIMS-2007
Trục vùng và vùng tinh thể:
- Một vùng (zone) bao gồm các mặt tinh thể cắt nhau sao cho các cạnh giao nhau
song song với nhau Î tạo thành vùng tinh thể (crystallography zone).
- Hướng được xác định bởi các cạnh song song Î tạo thành trục vùng (zone axis).
crystallography zone crystallography zone
zone axis
NATuan-ITIMS-2007
Mạng tinh thể & Cấu trúc tinh thể:

- Ô mạng, nút mạng.
- Các nguyên tử hay nhóm nguyên tử.
- Sự sắp xếp các nguyên tử theo một trật tự nhất định.
Î Mạng tinh thể
- Kiểu sắp xếp Î Cấu trúc tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Sự sắp xếp các nguyên tử

lớp
lớp
lớp lớp
lớp lớp
lớp
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Một số tinh thể tiêu biểu
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
1.3.2. Đối xứng tinh thể và các nhóm đối xứng
NATuan-ITIMS-2007
1.3.2. Đối xứng tinh thể và các nhóm đối xứng
Nhắc lại một số khái niệm cơ bản:
- Khi thực hiện một phép biến đổi R nào đó lên tinh thể, vd làm quay tinh thể quanh
một trục, hay tịnh tiến nó,... để có được một tinh thể trùng với tinh thể ban đầu → gọi
là phép biến đổi đối xứng.
- Ví dụ: Việc tịnh tiến vectơ cơ sở r* = a + b + c có thể thu được các nút mạng TR
TR= (n a + p b + q c), với n, p, q là các số nguyên.
TR được gọi là phép tịnh tiến.
- Nhóm đối xứng là tập hợp các phần tử là các phép biến đổi đối xứng, trong đó bao
gồm cả phép đồng nhất E, được coi là phần tử đơn vị của nhóm (Lý thuyết nhóm).
- Mỗi cấu trúc tinh thể được đặc trưng bằng nhóm đối xứng của nó.
NATuan-ITIMS-2007
Đối xứng tinh thể và các nhóm đối xứng
Nhắc lại một số khái niệm cơ bản:
- Phép tịnh tiến TR có thể được thực hiện ở bất kỳ tinh thể nào → Tập hợp các phép
tịnh tiến tạo thành nhóm tịnh tiến R = {TR}.
Lưu ý: R là nhóm có số phần tử vô hạn, và là nhóm giao hoán (không phụ

thuộc thứ tự khi thực hiện tích của hai phép tịnh tiến).
- Nhóm đối xứng trong đó chỉ chứa các phép quay, phép phản chiếu, và tổ hợp của
hai phép biến đổi này (như quay-phản chiếu, nghịch đảo), không kể phép tịnh tiến,
gọi là nhóm điểm (P).

Các nhóm điểm tạo ra các lớp tinh thể: có 32 nhóm điểm → 32 lớp tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
1) Nhóm điểm:
Các phần tử của nhóm đối xứng điểm
Phần tử Ký hiệu Quốc tế
Trục (quay) n
Trục (quay đảo) n Nhóm điểm:
Mặt phẳng (phản chiếu) m (σ)
P = {n, m, 1, I, ∏(n, m, 1, I)}
Nghịch đảo I I là phép biến đổi nghịch đảo (VD: n → n);
Tâm đối xứng (ngh/đảo) ī ∏ là phép biến đổi tổ hợp (VD: n9m).
Đồng nhất 1 (E)
- Phép quay:
+ Một phép quay được xác định bởi trục quay C và góc quay φ.
+ Do tính chất tuần hoàn của mạng tinh thể → để phép quay là phép biến đổi đối
xứng, góc quay φ chỉ có thể có một số giá trị nào đó:
NATuan-ITIMS-2007
M' A & M = nút mạng → A', M' = nút mạng

A a a
AM' = m.MA' = m.a (m =1, 2, 3,...)
a φ Mặt khác:
φ
AM' = MA’ + 2a.cos(π - φ)
M a A' = a.[1 + 2cos(π - φ)]
= a.(1 - 2cosφ)
Ö 1 - 2cosφ = m
φ 3600 1800 1200 900 600
(2π) (π) (2π/3) (π/2) (π/3)
n 1 2 3 4 6
= 2π/φ
Ký hiệu phép quay: Cn n là bậc của trục quay.

(Ký hiệu Schönflies) Không có n = 5 & > 6
NATuan-ITIMS-2007
C1
C2
C3
NATuan-ITIMS-2007
C4
C6
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ về phép quay bậc n = 4 (900) của mạng lập phương 2-D
NATuan-ITIMS-2007
- Phép phản chiếu (phép đối xứng gương):

Phép phản chiếu là phép lấy đối xứng qua một mặt phẳng, ký hiệu là m.
- Phép đồng nhất E: Hai lần phản chiếu qua một mặt phẳng sẽ trở về chính nó →
m9m = m2 = E
- Phép quay-phản chiếu: Trong một nhóm điểm có thể có cả phép biến đổi quay (trục
đối xứng n) và phép phản chiếu (đối xứng gương m). Trong trường hợp mặt phản chiếu
⊾ trục đối xứng (ký hiệu là mh) → n9mh = n (ký hiệu quốc tế) ≡ Sn (ký hiệu Schönflies).
+ Có thể thấy rằng: S2 ≡ I Phép nghịch đảo chính là phép lấy đối xứng qua tâm I,
là giao điểm của trục quay bậc 2 với mặt phản chiếu.
C2 C3
E 2
600
I
m m m
2 S
2 3
Tổ hợp các phép quay & đối xứng gương nm (theo cách ký hiệu Schönflies là
Cnm) → 12 phép biến đổi đối xứng cho phép trong tinh thể học. Î
NATuan-ITIMS-2007
Ký hiệu nhóm điểm
NATuan-ITIMS-2007
Hình chiếu nổi

Î Biểu diễn các hướng tinh thể trong KG bằng các điểm trên mặt phẳng
Î Thể hiện tính đối xứng của tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Ký hiệu ĐN phép đối xứng gương
Các phép đối xứng thuộc nhóm điểm (không
có phép tịnh tiến) bao gồm các phép quay và
phép phản chiếu gương: Cnm
- 1 (hay n) là phép quay 1 (hay 1/n) vòng
quanh trục đối xứng.
m
- 1 (hay n) là các phép quay trên, sau đó lấy
đối xứng qua tâm. m
1 2 3 4 6
1 2 3 4 6
(= I ≡ m) (≡ 39m)
NATuan-ITIMS-2007
Ghi chú:
Trong ký hiệu của Schönflies:
- O (octahedron) ký hiệu nhóm có đối xứng của một hình tám mặt (hay còn
gọi là hình lập phương), có các phép biến đổi thích hợp như có mặt phản
xạ vuông góc với trục quay (Oh) hay không có mặt phản xạ này (O).
- T (tetrahedron) ký hiệu nhóm có đối xứng của một hình bốn mặt (tứ diện).
- Td bao gồm cả các phép biến đổi thích hợp,
- T không bao gồm các phép biến đổi thích hợp đó,
- Th là T có thêm phép nghịc đảo.
- Cn (cyclic) biểu thị nhóm có một trục quay bậc n (n-fold) rotation axis.
- Cnh là Cn có thêm mặt phản xạ vuông góc với trục quay n.
- Cnv là Cn có thêm mặt phản xạ song song với trục quay n.
NATuan-ITIMS-2007
Ghi chú:
Trong ký hiệu của Schönflies:
- Sn (Spiegel, tiếng German là gương) ký hiệu nhóm chỉ chứa một trục quay-
phản xạ bậc n.
- Dn (Dihedral, hoặc hai mặt) ký hiệu nhóm có một trục quay bậc n và có thêm
một trục quay bậc 2 vuông góc với trục quay bậc n đó.
- Dnh là Dn có thêm một mặt phản xạ vuông góc với trục quay bậc n.
- Dnv là Dn có thêm mặt phản xạ song song với trục quay bậc n.
(Lưu ý: Đ/lý tinh thể học giới hạn chỉ có n = 1, 2, 3, 4, hoặc 6).
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Một số ví dụ về đối xứng trong không gian
- Đối xứng gương trong không gian 2D:
NATuan-ITIMS-2007
- Đối xứng xuyên tâm trong không gian 3D
NATuan-ITIMS-2007
Combinations of Symmetry Operations 32 Crystal Classes
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
14 mạng Bravais Kiểu mạng
- Các mạng tinh thể khả dĩ, Hệ tinh thể Nguyên Tâm đáy Tâm Tâm
mà được tạo nên bằng phép thủy mặt khối
tịnh tiến ô đơn vị trong mỗi BA NGHIÊNG P
hệ tinh thể, được mô tả MỘT NGHIÊNG P A hoặc C
bằng 14 mạng Bravais.
TRỰC THOI P A, B, hoặc C F I
TỨ GIÁC P I
LỤC GIÁC P
Các vectơ tịnh tiến của mạng
THOI (P) = R
P: m a + m b + m c
1 2 3 LẬP PHƯƠNG P F I
A: m a + m b + m c và m a + m b + m c + b + c
1 2 3 1 2 3 2
B: m a + m b + m c và m a + m b + m c + a + c
1 2 3 1 2 3 2
C: m a + m b + m c và m a + m b + m c + a + b
1 2 3 1 2 3 2
mi = 1, 2, 3, …
I: m a + m b + m c và m a + m b + m c + a + b + c
1 2 3 1 2 3 2
F: m a + m b + m c , m a + m b + m c + b + c ,
1 2 3 1 2 3 2
m a + m b + m c + a + c và m a + m b + m c + a + b.
1 2 3 2 1 2 3 2
NATuan-ITIMS-2007
Hình chiếu nổi của các phần tử nhóm đối xứng điểm và các ký hiệu Schönflies tương ứng
C1 C2 C3 C4 C5 C6
C2v C3v C4v C5v C6v
C2h C4h C6h
C1h/S1 C3h/S3 C5h/S5
S2 S4 S6 S8
NATuan-ITIMS-2007
Hình chiếu nổi của các phần tử nhóm đối xứng điểm và các ký hiệu Schönflies tương ứng
D2 D3 D4 D5 D6
D2d D3d D4d D5d D6d
D2h D3h D4h D5h D6h
NATuan-ITIMS-2007
Bảng tổng hợp các nhóm điểm của hệ tinh thể [sử dụng cả ký hiệu quốc
tế (hay ký hiệu của Hermann-Mauguin) và cả ký hiệu của Schönflies]
Hệ quốc tế Đường
Hệ tinh thể Nhóm điểm / Lớp Hệ (Hermann- gập Những phần tử
tinh thể Schönflies Mauguin) (orbifold) đối xứng
(Số TT = Nhóm điểm) (Số phần tử)
Triclinic triclinic-pedial C1 11
Ba nghiêng 1 1
triclinic-pinacoidal Ci 1x
2 2
Monoclinic monoclinic-sphenoidal C2 22
Một nghiêng 3 2
monoclinic-domatic Cs 1*
4 2
monoclinic-prismatic C2h 2*
5 4
Orthorhombic orthorhombic-sphenoidal D2 222
Hệ trực thoi 6 4
orthorhombic-pyramidal C2v *22
7 4
orthorhombic-bipyramidal D2h *222
8 8
NATuan-ITIMS-2007
Tetragonal tetragonal-pyramidal C4 44
Bốn phương 9 4
tetragonal-disphenoidial S4 2x
10 4
tetragonal-dipyramidal C4h 4*
11 8
tetragonal-trapezoidal D4 422
12 8
ditetragonal-pyramidal C4v *44
13 8
tetragonal-scalenoidal D2d or 2*2
14 8
ditetragonal-dipyramidal D4h *422
15 16
Rhombohedral trigonal-pyramidal C3 33
(trigonal) 16 3
Hệ Mặt Thoi
rhombohedral S6 3x
(hay Hệ Ba
17 (C3i) 6
phương)
trigonal-trapezoidal D3 or or 322
18 6
ditrigonal-pyramidal C3v or or *33
19 6
ditrigonal-scalahedral D3d or or 2*3
20 12
NATuan-ITIMS-2007
Hexagonal hexagonal-pyramidal C6 66
Sáu phương 21 6
trigonal-dipyramidal C3h 3*
22 6
hexagonal-dipyramidal C6h 6*
23 12
hexagonal-trapezoidal D6 622
24 12
dihexagonal-pyramidal C6v *66
25 12
ditrigonal-dipyramidal D3h or *322
26 12
dihexagonal-dipyramidal D6h *622
27 24
Cubic tetartoidal T 332
Lập phương 28 12
diploidal Th 3*2
29 24
gyroidal O 432
30 24
tetrahedral Td *332
31 24
hexoctahedral Oh *432
32 48
NATuan-ITIMS-2007
Lưu ý:
Các nhóm điểm có thể tồn tại trong một không gian Euclid có số chiều bất kỳ . Có
vô số các nhóm điểm riêng biệt ở trong mỗi chiều không gian. Tuy nhiên, trong tinh
thể học, chỉ có một số hữu hạn các nhóm điểm là tương thích với đối xứng tịnh tiến.
Trong KG 1-D chỉ có 2 nhóm, trong KG 2-D có 10 nhóm và trong KG 3-D có 32
nhóm như vậy, được gọi là nhóm điểm tinh thể học.
Không gian ở đó thỏa mãn 5 tiên đề của Euclid:

1- Tiên đề về Điểm & đường thẳng: Đường nối giữa 2 điểm bất kỳ trong KG là một đường thẳng.
2- Tiên đề về Đoạn thẳng & đường thẳng: Bất kỳ đoạn thẳng nào cũng có thể được kéo dài
thành đường thẳng vô hạn.
3- Tiên đề về Đoạn thẳng & đường tròn: Từ một đoạn thẳng bất kỳ có thể xây dựng được đường
tròn lấy đoạn thẳng đó là bán kính.
4- Tiên đề về Góc vuông: Tất cả các góc vuông đồng dạng với nhau.
5- Tiên đề về Đường thẳng song song: Nếu hai đường thẳng cùng cắt đường thứ ba sao cho
tổng của các góc trong cùng phía nhỏ hơn hai góc vuông, thì hai đường thẳng đó chắc chắn phải
cắt mỗi đường khác ở trên phía đó nếu kéo đủ dài.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
- Các nhóm không gian trong 3-D được tạo nên từ việc tổ hợp 32 nhóm
điểm tinh thể học với 14 mạng Bravais tương ứng với 7 hệ tinh thể.
Î Sự tổ hợp của tất cả phép biến đổi đối xứng này sẽ tạo ra tổng cộng
230 nhóm không gian duy nhất mô tả tất cả các khả năng đối xứng
tinh thể có thể có.
NATuan-ITIMS-2007
M M
M
NATuan-ITIMS-2007
2) Nhóm không gian Triclinic BA NGHIÊNG
1. P 1 2. P -1
Monoclinic MỘT NGHIÊNG

3. P 1 2 1 4. P 1 21 1 5. C 1 2 1 6. P 1 m 1 7. P 1 c 1
8. C 1 m 1 9. C 1 c 1 10. P 1 2 / m 1 11. P 1 21 / m 1 12. C 1 2 / m 1
13. P 1 2 / c 1 14. P 1 21 / c 1 15. C 1 2 / c 1
Orthorhombic TRỰC THOI

16. P 2 2 2 17. P 2 2 21 18. P 21 21 2 19. P 21 21 2 1 20. C 2 2 21
21. C 2 2 2 22. F 2 2 2 23. I 2 2 2 24. I 21 21 2 1 25. P m m 2
26. P m c 21 27. P c c 2 28. P m a 2 29. P c a 21 30. P n c 2
31. P m n 21 32. P b a 2 33. P n a 21 34. P n n 2 35. C m m 2
36. C m c 21 37. C c c 2 38. A m m 2 39. A b m 2 40. A m a 2
41. A b a 2 42. F m m 2 43. F d d 2 44. I m m 2 45. I b a 2
46. I m a 2 47. P m m m 48. P n n n 49. P c c m 50. P b a n
51. P m m a 52. P n n a 53. P m n a 54. P c c a 55. P b a m
56. P c c n 57. P b c m 58. P n n m 59. P m m n 60. P b c n
61. P b c a 62. P n m a 63. C m c m 64. C m c a 65. C m m m
66. C c c m 67. C m m a 68. C c c a 69. F m m m 70. F d d d
71. I m m m 72. I b a m 73. I b c a 74. I m m a
NATuan-ITIMS-2007
Tetragonal TỨ GIÁC
75. P 4 76. P 41 77. P 42 78. P 43 79. I 4

80. I 41 81. P -4 82. I -4 83. P 4 / m 84. P 42 / m
85. P 4 / n 86. P 42 / n 87. I 4 / m 88. I 41 / a 89. P 4 2 2
90. P 4 21 2 91. P 41 2 2 92. P 41 21 2 93. P 42 2 2 94. P 42 21 2
95. P 43 2 2 96. P 43 21 2 97. I 4 2 2 98. I 41 2 2 99. P 4 m m
100. P 4 b m 101. P 42 c m 102. P 42 n m 103. P 4 c c 104. P 4 n c
105. P 42 m c 106. P 42 b c 107. I 4 m m 108. I 4 c m 109. I 41 m d
110. I 41 c d 111. P -4 2 m 112. P -4 2 c 113. P -4 21 m 114. P -4 21 c
115. P -4 m 2 116. P -4 c 2 117. P -4 b 2 118. P -4 n 2 119. I -4 m 2
120. I -4 c 2 121. I -4 2 m 122. I -4 2 d 123. P 4 / m m m 124. P 4 / m c c
125. P 4 / n b m 126. P 4 / n n c 127. P 4 / m b m 128. P 4 / m n c 129. P 4 / n m m
130. P 4 / n c c 131. P 42 / m m c 132. P 42 / m c m<> 133. P 42 / n b c 134. P 42 / n n m
135. P 42 / m b c 136. P 42 / m n m 137. P 42 / n m c 138. P 42 / n c m 139. I 4 / m m m
140. I 4 / m c m 141. I 41 / a m d 142. I 41 / a c d
NATuan-ITIMS-2007
Trigonal THOI
143. P 3 144. P 31 145. P 32 146. R 3 147. P -3
148. R -3 149. P 3 1 2 150. P 3 2 1 151. P 31 1 2 152. P 31 2 1
153. P 32 1 2 154. P 32 2 1 155. R 3 2 156. P 3 m 1 157. P 3 1 m
158. P 3 c 1 159. P 3 1 c 160. R 3 m 161. R 3 c 162. P -3 1 m
163. P -3 1 c 164. P -3 m 1 165. P -3 c 1 166. R -3 m 167. R -3 c
Hexagonal LỤC GIÁC

168. P 6 169. P 61 170. P 65 171. P 62 172. P 64
173. P 63 174. P -6 175. P 6 / m 176. P 63 / m 177. P 6 2 2
178. P 61 2 2 179. P 65 2 2 180. P 62 2 2 181. P 64 2 2 182. P 63 2 2
183. P 6 m m 184. P 6 c c 185. P 63 c m 186. P 63 m c 187. P -6 m 2
188. P -6 c 2 189. P -6 2 m 190. P -6 2 c 191. P 6 / m m m 192. P 6 / m c c
193. P 63 / m c m 194. P 63 / m m c
NATuan-ITIMS-2007
Cubic LẬP PHƯƠNG

195. P 2 3 196. F 2 3 197. I 2 3 198. P 21 3 199. I 21 3
200. P m -3 201. P n -3 202. F m -3 203. F d -3 204. I m -3
205. P a -3 206. I a -3 207. P 4 3 2 208. P 42 3 2 209. F 4 3 2
210. F 41 3 2 211. I 4 3 2 212. P 43 3 2 213. P 41 3 2 214. I 41 3 2
215. P -4 3 m 216. F -4 3 m 217. I -4 3 m 218. P -4 3 n 219. F -4 3 c
220. I -4 3 d 221. P m -3 m 222. P n -3 n 223. P m -3 n 224. P n -3 m
225. F m -3 m 226. F m -3 c 227. F d -3 m 228. F d -3 c 229. I m -3 m
230. I a -3 d
http://img.chem.ucl.ac.uk/sgp/mainmenu.htm
NATuan-ITIMS-2007
Một số ví dụ: Có thể tra cứu trong: http://img.chem.ucl.ac.uk/sgp/mainmenu.htm
1. P 1
Triclinic
NATuan-ITIMS-2007
Một số ví dụ:
3. P 1 2 1
Monoclinic
NATuan-ITIMS-2007
28. P m a 2
Orthorhombic
NATuan-ITIMS-2007
100. P 4 b m
Tetragonal
NATuan-ITIMS-2007
159. P 3 1 c
Trigonal
NATuan-ITIMS-2007
168. P 6
Hexagonal
NATuan-ITIMS-2007
195. P 2 3
Cubic
NATuan-ITIMS-2007

xứng tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
(32 nhóm điểm)
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Crystal Structure
NATuan-ITIMS-2007
CÁC PHƯƠNG PHÁP VẬT LÝ

PHÂN TÍCH CẤU TRÚC VẬT RẮN
TRONG KHOA HỌC VẬT LIỆU
Dr. NGUYEN ANH TUAN
HANOI-2007
CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC CHẤT RẮN & MẠNG TINH THỂ
1.1. Cấu trúc nguyên tử.
1.2. Chất rắn và các liên kết trong chất rắn.
1.3. Cấu trúc tinh thể của chất rắn - Mạng tinh thể và đối xứng tinh thể.
2.1. Cơ sở của nhiễu xạ - Lý thuyết tổng quát.
2.2. Nhiễu xạ tia X (XRD).
2.3. Nhiễu xạ điện tử (ED).
2.4. Nhiễu xạ nơtron (ND).
3.1. Cơ sở của HV - Hiển vi quang học (OM).
3.2. Hiển vi điện tử truyền qua (TEM).
3.3. Hiển vi điện tử quét (SEM).
3.4. Các loại hiển vi khác (hiển vi laze đồng tiêu, hiển vi tia X, hiển vi
nơtron,....).
NATuan-ITIMS-2007
TÀI LIỆU THAM KHẢO CHÍNH
1. “Materials science and technology”, Ed. by R.W. Cahn, P. Haasen and E.J.
Kramer, Vol. 1&2 A & B, VCH Weinheim, 1993.
2. “Elemen of X-ray diffraction”, B.D. Culity and S.R. Stock; Prentice Hall, 2001.
3. “Diffraction for Materials Scientists” by J.M. Schultz, Prentice-Hall, Inc.,
Englewood Cliffs, New Jersey 1982.
4. “Electron Microscopy in Material Science” ed. by U. Valdrè; Academic Press
Inc., New York and London 1971.
5. “Fundamental of surface and thin film analysis ”, L.C. Feldman and J.W.
Mayer, North Holland, Amsterdam, 1986.
6. “Electron Microscopy of thin crystals ”, P.B. Hirsch, London, 1965.
7. “Scanning tunneling microscopy and related methods”, NATO ASI series E,
Vol. 184, 1990.
8. “Electron Scattering and Related Spectroscopies”, by M. De Crescenzi and
M.N. Piancastelli; World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. 1996.
9. “Analytical Techniques for Thin films” Ed. by K.N. Tu and R. Rosenberg
(Treatise on Materials Science and Technology, Vol. 27); Academic Press, Inc.;
Hardcourt Brace Jovanovich, Publishers, 1988.
10. “Practical surface analysis” – 2nd ed. by David I. Briggs, John Wiley & Sons
1996.
NATuan-ITIMS-2007
2.1. Cơ sở của nhiễu xạ - Lý thuyết tổng quát

2.2. Nhiễu xạ tia X (XRD)
2.3. Nhiễu xạ điện tử (ED)
2.4. Nhiễu xạ nơtron (ND)
NATuan-ITIMS-2007
MỞ ĐẦU: Giới thiệu về hiện tượng nhiễu xạ ánh sáng

Bản chất của ánh sáng
- Bản chất hạt của ánh sáng do Newton đưa ra từ cuối TK XVII đã không giải thích
được các hiện tượng nhiễu xạ, giao thoa, phân cực và tán sắc của ánh sáng.
- Đến TK XIX, Huygens (1629-1695) đưa ra thuyết sóng của ánh sáng (Khảo luận
về ánh sáng; 1678/1690), coi ánh sáng là sóng đàn hồi lan truyền trong môi
trường ête, tương tự như sóng âm lan truyền trong môi trường không khí.
- 1865, Maxwell đã chứng tỏ ánh sáng là sóng điện từ: các trường điện và từ biến
thiên lan truyền trong không gian với vận tốc của ánh sáng.
Bản chất sóng điện từ của ánh sáng đã giải thích được các hiện tượng nhiễu xạ,
giao thoa, phân cực và tán sắc của ánh sáng. (Tuy nhiên, một số hiện tượng khác
như quang điện, tán xạ Compton,…lại phải dựa trên bản chất hạt của ánh sáng).
- Thuyết lượng tử tổng hợp cả tính chất sóng và hạt: ánh sáng là dòng các hạt
(photon) lan truyền theo các nguyên lý của sóng điện từ.
Ánh sáng có lưỡng tính sóng và hạt. Tuy nhiên các hiện tượng nhiễu xạ và giao
thoa chỉ dựa trên bản chất sóng điện từ của ánh sáng.
NATuan-ITIMS-2007
- Nguyên lý Huygens: Mỗi điểm mà sóng truyền tới trở thành

tâm của các sóng thứ cấp. Vị trí của mặt đầu sóng thực lan
truyền được xác định bởi mặt bao của các sóng thứ cấp đó.
Nguồn sóng
thứ cấp
Sóng thứ
Mặt sóng cấp
mới
Mặt sóng là mặt đẳng pha Mặt sóng Tia sáng
ban đầu
Mặt sóng ở thời gian t + ∆t
Mặt sóng ở thời gian t

NATuan-ITIMS-2007
Nguyên lý Huygens
Mặt bậc 0
Mặt bậc 1
Mặt bậc 2
Các tâm phát sóng thứ cấp

Các đỉnh sóng phía trước
NATuan-ITIMS-2007
Sự nhiễu xạ và khúc xạ của sóng
Sự khúc xạ sóng hiểu theo nguyên lý

Huygens.
Sự nhiễu xạ sóng hiểu theo nguyên lý

Huygens.
NATuan-ITIMS-2007
Sóng phẳng (plane wave)
- Sóng phẳng là sóng có tần số không đổi, các mặt sóng là mặt phẳng song song với
nhau với biên độ không đổi vuông góc với phương truyền sóng (phương của vectơ
vận tốc pha v); và thoả mãn phương trình sóng một chiều trong hệ toạ độ Decade:
∂ 2ψ 2 ∂ ψ
2
=v (1)
∂t 2
∂x 2
- Nghiệm của phương trình sóng phẳng có dạng tổng quát:
r r
i ( k . x −ωt )
ψ ( x, t ) = ψ 0 e (2)
Hay dưới dạng điều hoà (eiφ = cosφ + i sinφ):
rr
ψ ( x, t ) = ψ 0 cos(ωt − k . x + φ ) (3)
trong đó A là biên độ sóng, ω là tấn số góc, k là vector sóng (k là số sóng = ω/v,
trong trường hợp ánh sang, v = c), x là vector tia của hướng lan truyền sóng, còn ø là
pha của sóng.
- Để thu được các sóng phẳng, vector vị trí, hay vector vận tốc pha phải luôn duy trì
vuông góc với một mặt phẳng cho trước. Nếu lấy một điểm x0 ở trên mặt sóng, thì
đối với sóng phẳng luôn thỏa mãn hệ thức:
(x – x0).k = 0, và: x.k = x0.k = const.
NATuan-ITIMS-2007
Sóng cầu (Spherical wave)
- Sóng cầu là sóng phát ra từ một tâm điểm và lan truyền đẳng hướng trong KG, thoả
mãn phương trình truyền sóng:
1 ∂ 2
ψ
∇ 2ψ = 2 2
v ∂t (4)
Trong đó
∂ 2
∂ 2
∂ 2
∇ 2 = 2 + 2 + 2 và r = x 2 + y 2 + z 2
∂x ∂y ∂z
- Nhưng trong hệ toạ độ cầu, vì đẳng hướng (không phụ thuộc góc, hay có tính đối
xứng góc), nên không phụ thuộc các tọa độ góc φ và θ , do đó p/t (4) có thể được
viết dưới dạng:
∂ ψ 2 ∂ψ
2
1 ∂ψ 2
+ =
∂r 2 r ∂r v 2 ∂t 2 (5)
Nghiệm của phương trình sóng cầu,
r r
i ( k .r −ωt )
r e
ψ (r , t ) = ψ 0 (6)
r
Hay dưới dạng điều hoà:
ψ0 rr
ψ (r , t ) = cos(ωt − k .r + φ ) (7)
r
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
- Hình ảnh về sóng phẳng và sóng cầu:
Sóng phẳng Sóng cầu
NATuan-ITIMS-2007
Sóng dọc và sóng ngang
- Sóng dọc được hình thành khi phần tử dao động dịch chuyển song song với
phương lan truyền sóng. Các phần tử dao động không chuyển động cùng với
sóng, mà chỉ dao động tiến-lùi xung quanh vị trí cân bằng của nó khi sóng đi qua.
- Với sóng ngang, các phần từ dao động dịch chuyển theo phương vuông góc với
phương lan truyền sóng. Ở đây các phần tử dao động cũng không chuyển động
cùng với sóng, mà chỉ dao động lên xuống xung quanh vị trí cân bằng của nó khi
sóng đi qua.
NATuan-ITIMS-2007
Bản chất sóng điện từ của ánh sáng

- Sóng điện từ là sóng sinh ra bởi tương tác giữa điện trường và từ trường biến thiên
theo thời gian
Minh hoạ về sự lan truyền sóng điện từ (phim)

NATuan-ITIMS-2007
Sự tán xạ và giao thoa của sóng
Hình ảnh giao thoa của 2 nguồn sóng phát ra từ 2 điểm gần nhau
NATuan-ITIMS-2007
Hiện tượng giao thoa và nhiễu xạ sóng điện từ qua nhiều khe hẹp
Giao thoa qua 2 khe
Sóng Điều này sẽ được điều
phẳng Nhiễu xạ qua 1 khe
biến bởi đường bao của
tới nhiễu xạ 1 khe
Sóng
phẳng tới
Nhiễu xạ qua 3 khe Nhiễu xạ qua 4 khe

Điều này sẽ được điều Điều này sẽ được điều
biến bởi đường bao của biến bởi đường bao của
nhiễu xạ 1 khe nhiễu xạ 1 khe
Sóng
phẳng tới Sóng
phẳng tới
NATuan-ITIMS-2007
Nhiễu xạ qua 5 khe

Điều này sẽ được điều
biến bởi đường bao của
nhiễu xạ 1 khe
Sóng
phẳng tới
So sánh cường độ các cực đại nhiễu xạ theo số khe
NATuan-ITIMS-2007
Hiện tượng giao thoa và nhiễu xạ sóng điện từ qua các khe hẹp
Cường độ các vết

nhiễu xạ qua khe.
Thí nhiệm nhiễu xạ

qua một khe.
Ghi chú: sinc(x) = sin(x)/(x)
Các giản đồ nhiễu

xạ từ một khe.
Các giản đồ nhiễu

xạ từ nhiều khe.
Hình ảnh các vết
nhiễu xạ từ các
khe có độ rộng
khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
Hình ảnh các quầng nhiễu xạ qua 1 khe
- Nếu sóng điện từ có dạng điều hoà biểu

diễn theo thời gian (đ.vị là s), khi thực
hiên phép biến đổi Fourier đối với sóng
này, ta có thể nhận được một dạng biểu
diễn hàm này trong thang tần số (đ.vị là
Không gian thực Không gian pha s-1), có dạng chỉ là một sọc đơn.
Real: cos(2πνt) , Imaginary: -sin(2πνt) ⇒ Hình ảnh nhiễu xạ là kết quả của
phép biến đổi Fourier đ/v sự biến đổi
tuần hoàn theo thời gian của sóng qua
một cấu trúc không gian thực thành dạng
sóng biến đổi tuần hoàn trong không gian
tần số (KG ảo), và nó mô tả một cấu trúc
A delta function at nào đó trong KG ảo mà phản ánh cấu
trúc tương ứng của không gian thực.
NATuan-ITIMS-2007
Sự tán xạ của sóng trên các vật liệu
- Một hạt nhỏ tán xạ sóng theo tất cả các hướng đều nhau.
- Trong khi một vật liệu tinh thể tán xạ sóng điện từ chiếu tới chỉ theo một số hướng
và hơn nữa sự giao thoa làm tăng cường lẫn nhau để tạo ra sự nhiễu xạ.
Nhiễu xạ = tán xạ + giao thoa

NATuan-ITIMS-2007
2.1.1. SỬ DỤNG HIỆN TƯỢNG NHIỄU XẠ TRONG PHÂN TÍCH CẤU TRÚC
VẬT CHẤT
- Chùm tia tới (sóng bức xạ điện từ hoặc sóng DeBroglie): bước sóng λ,
cường độ I0
- Mẫu vật chất là một "HỘP ĐEN".
- Các giả thiết:
* Tán xạ đàn hồi: một số tia tới chỉ bị lệch hướng (góc 2θ);
* λ không đổi, cường độ I(s) là hàm của góc lệch 2θ,
trong đó s là một vector: s = 2(sinθ)/λ.
λ Black box
I0 Specimen
2θ
λ
I(2θ)
NATuan-ITIMS-2007
- Kết quả của tán xạ đàn hồi:
* Các chùm tia tán xạ có thể giao thoa với nhau, nếu cùng pha, có
thể xuất hiện các cực đại và các cực tiểu giao thoa.
* Tại các vị trí có cực đại giao thoa, các tia tán xạ có cường độ
mạnh lên do tổng hợp các sóng có cùng pha, cùng tần số → gọi là
các cực đại nhiễu xạ.
Nhiễu xạ = Tán xạ + Giao thoa.
- Kết quả của sự nhiễu xạ:
* Tùy thuộc vào điều kiện thực nghiệm: sự nhiễu xạ được thể hiện
qua nhiều hiện tượng khác nhau.
* Các dạng thường được ghi nhận :
+ Vết (spot) nhiễu xạ
Có thể tái tạo lại được
+ Vạch (line) nhiễu xạ
cấu trúc của môi trường
+ Đường viền (contour) nhiễu xạ tán xạ (mẫu/"hộp đen").
+ Đường nhiễu xạ ngược
NATuan-ITIMS-2007
Một số hình ảnh nhiễu xạ thường ghi nhận được của tia X và tia e
Ảnh các vết nhiễu xạ của tia e trên Ảnh các vành nhiễu xạ của tia e
đơn tinh thể. trên đa tinh thể.
Ảnh các vành nhiễu xạ của tia X trên đa tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
• Xét trường hợp khi môi trường tán xạ được cấu tạo bởi các điểm rời rạc: mỗi điểm
là một tâm gây ra sự tán xạ đối với chùm tia tới là sóng phẳng → tâm tán xạ.
• Mỗi tâm tán xạ như một nguồn phát sóng cầu thứ cấp. Các sóng cầu này giao
thoa với nhau tạo nên các cực đại nhiễu xạ ở những vị trí nhất định trong không
gian.
• Mỗi tia tán xạ đi những quãng đường có độ dài khác nhau trước khi đến mặt
phẳng chung PP’ → Điều kiện giao thoa bị phá vỡ.
P
• Mức độ bị phá hủy phụ thuộc vào mức độ trật tự của các
tâm tán xạ và góc nhiễu xạ 2θ.
Mẫu
"HỘP ĐEN"
Có 2 khả năng:
2θ
- Các tâm tán xạ sắp xếp P’
trật tự trong "hộp đen".

- Các tâm tán xạ sắp xếp
không trật tự. Sóng phẳng Tâm tán xạ
NATuan-ITIMS-2007
- Khi các tâm tán xạ sắp xếp hoàn toàn trật tự
Ö Sẽ có những tia tán xạ dưới những góc 2θhkl nào đó giao thoa hoàn
toàn với nhau Ö xuất hiện các cực đại nhiễu xạ (hay cực đại giao thoa).
Đó là những góc thỏa mãn điều kiện Bragg: nλ = 2dhkl sinθhkl (2.1)
+ n là số bậc phản xạ
+ dhkl là khoảng cách giữa các tâm tán xạ có cùng tính chất
nào đó (ký hiệu qua các chỉ số hkl)
+ θhkl là góc tán xạ từ các tâm tán xạ nằm ở khoảng cách
tương ứng dhkl .
- Khi các tâm tán xạ sắp xếp ít trật tự, hoặc hoàn toàn hỗn độn
Tính không trật tự càng lớn, mức độ bị phá hủy của điều kiện giao thoa
càng cao → sự giao thoa xảy ra không hoàn toàn hoặc bị mất hẳn.
Ö không xuất hiện các cực đại nhiễu xạ.

NATuan-ITIMS-2007
2.1.2. LÝ THUYẾT NHIỄU XẠ TỔNG QUÁT
- Sóng tới: λ, vectơ lan truyền đơn vị: ŝo

- Sóng tán xạ: λ, góc tán xạ 2θ, vectơ lan truyền tán xạ đơn vị: ŝ
- Chọn gốc O là một tâm tán xạ bất kỳ.
Các tâm tán xạ khác được xác định bằng các vectơ ri (i = 0, 1, 2, 3,...)
- Biên độ sóng tán xạ tại một điểm trong KG:
trong đó là biên độ
λ, ŝ
A = AI sin(ωt -2πx/λ) (2.2) Detector
Tâm tán xạ
Nguồn λ, ŝo 2θ
sóng tới r1 r2
O
r4 r3
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
2.1.3. CÁC HIỆU CHỈNH THỰC TẾ
NATuan-ITIMS-2007
2.1.4. CÁC TÍNH CHẤT TOÁN HỌC ĐƯỢC SỬ DỤNG TRONG LÝ THUYẾT
NHIỄU XẠ
1- Các chuỗi Fourier
2πnx
f ( x) = ∑ an sin (1)
n λ
λ/2 λ/2
2πmx 2πmx 2πnx
∫λ f ( x) sin dx = ∑ an ∫λ sin sin dx (2)
− /2
λ n − /2
λ λ
e iax − e − iax e ibx − e − ibx

sin ax sin bx = ⋅
2i 2i
e i( a +b ) x + e −i(a +b ) x e i( a −b ) x + e −i(a −b ) x
= −
−4 −4 (3)
1 1
= − cos( a + b ) x + cos( a − b ) x
2 2
NATuan-ITIMS-2007
Các tính chất toán học sử dụng trong lý thuyết nhiễu xạ
1- Các chuỗi Fourier

λ/2
2πmx 1 ⎡ λ/2 2π (m + n) x
λ/2
2π (m − n) x ⎤
∫ f ( x) sin dx = − ∑ an ⎢ ∫ cos dx − ∫ cos dx ⎥
λ
− /2
λ 2 n ⎣−λ / 2 λ −λ / 2
λ ⎦
1 ⎡ λ 2π (m + n) x λ 2π (m − n) x ⎤
=− ∑ n
a
2 n ⎢⎣ 2π (m + n)
sin
λ
λ /2
−λ / 2 −
2π (m − n)
sin
λ
λ/2
−λ / 2 ⎥ (4)
⎦
λ /2
2 π nx 1 λ λ
∫
x =πn
sin 2
dx = x − sin 2 x x = − πn = (5)
−λ / 2
λ 2 2π n 2
λ/2
2πnx λ
∫λ
− /2
f ( x) sin
λ
dx =
2
an (6)
NATuan-ITIMS-2007
2- Phép biến đổi Fourier
2πnx
g ( x ) = ∑ bn cos
n λ (7)
λ /2
2 2πnx
bn =
λ ∫
λ
− /2
g ( x ) cos
λ
dx
2πnx
i
h ( x ) = ∑ cn e λ
n
λ/2 2πnx (8)
2 i
cn = ∫ h( x)e
λ −λ / 2
λ
dx
NATuan-ITIMS-2007

∞
3- Tích phân Fourier
h( x) = ∫ c(q )e i 2πqx dx (9)
−∞
+M ∞ +M
∫ ∫ ∫
− 2πiq ' x 2πi ( q − q ') x
h ( x )e dx = c ( q ) e dxdq (10)
−M −∞ −M
+M +M +M
∫e ∫ cos[ 2π ( q − q ' ) x ]dx + i ∫ sin[ 2π ( q − q ' ) x ]dx

2 π i ( q − q ') x
dx = (11)
−M −M −M
sin 2πMQ
M
1
−M
∫ cos 2πQxdx = 2πQ
sin 2πQ −MM =
πQ
(12)
⎛ 2πMQ ⎞
∂ ⎜⎜ sin ⎟⎟
⎝ π Q ⎠ = 1 2 M cos 2πMQ − 1 sin 2πMQ = 0
∂Q Q πQ 2
2πMQ = tan 2πMQ (13)
Q=0 ( rad )
NATuan-ITIMS-2007
Tính chất của hàm δ
1. Trường hợp hàm f(x) liên tục
2. Các tích phân: Nếu
3. Sự dịch vị (theo phương trình (1)):
NATuan-ITIMS-2007
4. Lấy tích số:
5. Tích phân của hàm δ:
Hàm này được gọi là hàm “bậc” Heaviside function. Có dạng đồ thị đơn giản như sau:
NATuan-ITIMS-2007
2.1.5. CÁC THỪA SỐ TÁN XẠ NGUYÊN TỬ
- Các thừa số tán xạ là thành phần biên độ hay cường độ tán xạ riêng, nó phản ánh
những đóng góp hay ảnh hưởng của các yếu tố, nguyên nhân nào đó gây nên sự
tán xạ đang được xét. Sau này sẽ đề cập đến nhiều loại thừa số khác nhau ảnh
hưởng đến cường độ nhiễu xạ.
- Vì trong “hộp đen” các nguyên nhân chính gây nên tán xạ đang xét là các nguyên
tử, nên các thừa số tán xạ nguyên tử là những đại lượng đóng góp quan trọng
nhất vào biên độ tán xạ trong các bài toán về nhiễu xạ các chùm tia vật chất nói
chung trên các chất rắn (là tập hợp các tâm tán xạ gồm các nguyên tử).
- Các sóng được sử dụng trong thực nghiệm nhiễu xạ thường là sóng của tia X, tia
điện tử hay nơtron, vì vậy các thừa số tán xạ nguyên tử được xét ở đây là cho
các loại sóng này.
- Như trước đây đã thấy, từ biểu thức (38) có thể ký hiệu tỷ số biên độ tán xạ tổng
quát như sau:
r ∞
A(k ) r − ik . r
r r r
= ∫ ρ (r )e dvrr ≡ f (k )
AI (k ) −∞
- Lần lượt ta có các loại thừa số tán xạ nguyên tử: thừa số tán xạ nguyên tử đ/v
tia X (ký hiệu là fX(k)), thừa số tán xạ nguyên tử đ/v điện tử (ký hiệu là f e(k)),
thừa số tán xạ nguyên tử đ/v nơtron (ký hiệu là f n(k)).
NATuan-ITIMS-2007
2.1.6. SỰ BẢO TOÀN NĂNG LƯỢNG
Có thể chứng minh rằng cường độ tán xạ khi được lấy tích phân qua toàn bộ các giá
trị k là không đổi đối với một khối lượng cho trước, không phụ thuộc vào trạng thái kết
tụ của nó.
- Hãy nhớ lại cường độ tích phân tương đối được biểu diễn qua hàm tự tương
quan P(u), đối với một hệ bất kỳ, ta có:
r
I (k ) r −ikr .ur
= ∫ P(u)e dvur
I I (k )
- Ở đây vi cấu trúc của hệ được hàm chứa trong hàm tự tương quan P(u). Lấy
tích phân cường
r độ tương đối ở trên qua toàn bộ không gian k, ta được:
I (k ) r r −ikr .ur
r r
r r
r
[
∫ I I (k ) dvk = ∫ ∫ P(u)e dvu dvk = ∫ ∫ e dvk P(u)dvur
− ik . u
r ]
- Hãy nhớ lại những lập luận trước đây để đi đến biểu thức (31), ở đó đã chứng tỏ
tích phân của hàm exp có tính chất của hàm Dirac δ. Do đó ở đây ta có:
r r
r r
r ⎧0 ( r ≠ r ' ) r r r
∫e dv k = δ ( u ) = ⎨
− ik . u
r r r (Note : u = r ' - r )
⎩ ∞ ( r = r ')
NATuan-ITIMS-2007
- Vì vậy: r
I (k ) r r r
∫ I I (k ) k ∫
= δ r = P ( 0) = ρ V
2
dv ( u ) P ( u ) dv u e
Ở đây V là thể tích của vật liệu bị bức xạ, ρe là mật độ trung bình của điên tử.
- Biểu thức trên đây cho thấy vế phải là một hằng số. Do đó giá trị của tích phân
phải không phụ thuộc vào cấu trúc. Nói khác đi, biểu thức trên đây thể hiện
tính chất bảo toàn năng lượng của hệ.
NATuan-ITIMS-2007
2.1. Cơ sở của nhiễu xạ

NATuan-ITIMS-2007
GIỚI THIỆU
2.2.1. SƠ LƯỢC LỊCH SỬ TIA X
1895: tia X được W.C. Röntgen

Lần đầu tiên phát hiện ra.
Wilhelm Conrad Röntgen

(1845 - 1923)
The first Nobel Prize for Physics, in 1901
Bức ảnh tia X đầu tiên được ghi nhận

bởi Roentgen. Đó là bàn tay của Alfred
von Kolliker, chụp vào ngày 23/1/1896.
NATuan-ITIMS-2007
Lich sử của nhiễu xạ tia X bởi tinh thể
Max vol Laue William Henry Bragg William Lawrence Bragg

Germany United Kingdom United Kingdom
1879 – 1960 1862 - 1942 1890 (in Australia) – 1971
The Nobel Prize in Physics 1914 The Nobel Prize in Physics 1915 The Nobel Prize in Physics 1915
"for his discovery of the diffraction "for their services in the analysis "for their services in the analysis
of X-rays by crystals" of crystal structure by means of of crystal structure by means of
X-rays" X-rays"
NATuan-ITIMS-2007
2.2.2. BẢN CHẤT CỦA TIA X
- Sóng điện từ
* Bước sóng:
λ ~ 0.01 - 10 nm
(0.1 – 100 Å)
Tia X cứng: ~ 10-1 - 10-3 nm

(1 - 0.01 Å)
Tia X mềm: ~ 10 - 1 nm
(100 - 10 Å)
* Tần số: f ~ 1016 - 1020 Hz

* Năng lượng:
E = hν = hc/λ
Ö EX-ray = 102 - 106 eV
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
- Những tính chất cơ bản:
+ Không nhìn thấy (vùng ánh sáng nhìn thấy có bước sóng là 400 – 700 nm;
còn vùng bước sóng của tia X là 0.1 – 0.001 nm)
+ Truyền thẳng trong không gian tự do.
+ Phản xạ → bị che chắn bởi môi trường.
+ Hấp thụ → bị suy giảm cường độ bởi môi trường.
+ Tuyền qua → có tính “thấu quang” với nhiều môi trường không trong suốt.
Vì có bước sóng ngắn, năng lượng cao → khẳ năng xuyên thấu cao.
+ Khúc xạ → bởi chiết suất của môi trường vật chất.
+ Phản ứng quang hóa → tác dụng lên phim ảnh.
Ứng dụng:
- Chụp ảnh “X quang”
- Thăm dò không phá hủy
- 1912: Laue: quan sát thấy hiện tượng nhiễu xạ tia X trên tinh thể
Nhận xét: λX-ray ~ kích thước ng.tử và ô mạng tinh thể. EX-ray ~ năng lượng liên kết
giữa e- và hạt nhân nguyên từ. Tia X thích hợp cho việc phân tích cấu
trúc tinh thể của vật rắn.
NATuan-ITIMS-2007
Biểu diễn sóng điện từ của tia X:
Sóng phẳng: E & B luôn vuông góc với nhau và vuông góc với phương truyền sóng.
Sóng phẳng không phân cực: Sóng phẳng phân cực phẳng:
E quay quanh trục lan truyền trong E luôn nằm trong một mặt phẳng (B cũng
mặt phẳng vuông góc với phương lan tương tự, nhưng mặt phẳng chứa B luôn
truyền và chứa B. vuông góc với mặt phẳng chứa E).
Phương trình sóng điện từ:
Nghiệm của phương trình sóng điện từ phẳng:
; r.k = const.
NATuan-ITIMS-2007
PHỔ BỨC XẠ TIA X LIÊN TỤC (BỨC XẠ TRẮNG, BỨC XẠ ĐA SẮC, BỨC XẠ HÃM)
- Tia X được phát xạ khi hạt tích điện bất kỳ có gia tốc bị hãm đột ngột.
- Các điện tử thường được sử dụng.
- Các bia dùng để hãm các điện tử có gia tốc là một số kim loại chọn lọc.
- Điện tử có điện tích e được gia tốc dưới điện áp V có động năng bằng:
KE = eV = ½mv2
e = 1.6 x 10-19 C
m = 9.11 x 10-31 kg
- Mặt khác: eV = hc/λ
(6.624 x 10-27 erg-sec) x (2.998 x 1010 cm/sec) 12400

Î λ = hc/(eV) = -------------------------------------------------------------- = --------------- Å
(1.6 x 10-20 emu) x (V volts) V
Ö Như vậy λ biến đổi liên tục theo điện áp gia tốc điện tử V.
NATuan-ITIMS-2007
Sự thay đổi cường độ phổ tia X liên tục theo bước sóng ở các điện áp khác nhau của Mo
1) Cường độ I biến đổi liên tục theo λ.

2) Có Imax phụ thuộc vào V & dịch về
phía sóng ngắn khi V tăng.
3) Có giới hạn về độ dài sóng ngắn,
λSWL, và giới hạn này dịch về phía
sóng ngắn khi V tăng.
4) I phụ thuộc Z (nguyên tử số của
bia) và i (dòng qua ống phát):
I = AiZV 2
(A là hằng số tỷ lệ)
Î Bia thường được làm từ các kim
loại nặng.
Giới hạn sóng
ngắn, λSWL
NATuan-ITIMS-2007
PHỔ TIA X ĐẶC TRƯNG (BỨC XẠ VẠCH, BỨC XẠ ĐƠN SẮC)
λKα
- Khi V > V* (một giá trị tới hạn nào đó λKα1 ~ 0.709 Å
λKα2 ~ 0.71 Å
của điện áp, phụ thuộc vào bản chất λKβ1 ~ 0.632 Å
của vật liệu bia) Î xuất hiện các đỉnh
cường độ cực đại trên nền phổ liên tục
ở các λline xác định và đặc trưng cho
λKβ
loại vật liệu bia Î các vạch đặc
trưng hay phổ bức xạ đặc trưng.
- λline → K, L, M, N,... → λK, λL, λM,...
Ö Như vậy bức xạ đặc trưng xuất

hiện khi các e- bắn phá bia có năng
lượng đủ cao để thấm sâu vào các
lớp vỏ bên trong nguyên tử và gây
các kích thích và chuyển dời lượng
tử ở các lớp K, L, M, ...
NATuan-ITIMS-2007
Lưu ý:
- Việc tăng V làm tăng cường độ phổ đặc trưng nhưng không làm thay đổi bước sóng
của bức xạ đặc trưng (vị trí cực đại của phổ liên tục thay đổi).
- Bước sóng không phân giải là trung bình có trọng số của các thành phần của nó:
λKα = ⅓ (2 x λKα1 + λKα2 ).
VD: λMoKα = ⅓ (2 x 0.709 + 0.714) = 0.711 Å
- Cường độ của bất kỳ vạch đặc trưng nào cũng phụ thuộc vào dòng i qua ống phát
và lượng điện áp chênh lệch so với điện áp tới hạn kích thíc vạch tương ứng, ∆V =
V - V*. Ví dụ đối với vạch K: IK = Bi(V - V*K)n
n nói chung phụ thuộc vào V và nằm trong khoảng 1-2. Đối với phần lơn các vật liệu
bia, trung bình n = 1.6.
- Định luật Moseley: bước sóng của bất kỳ vạch cụ thể nào cũng giảm theo nguyên tử
số Z: √ν = C(Z - σ) (σ là hệ số chắn) Eq = eVq ∝ (Zσ)2 (Vq là thế cực tiểu).

- Các vạch đặc trưng rất hẹp, thường < 0.001 Å đo ở vị trí một nửa cực đại, có cường
độ lớn, thích hợp cho các phép thực nghiệm nhiễu xạ tia X.
NATuan-ITIMS-2007
Moseley's Law for several x-ray

lines and absorption edges
(from Heinrich, 1981).
NATuan-ITIMS-2007
Characteristic Wavelengths
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
PHỔ TIA X ĐẶC TRƯNG (BỨC XẠ VẠCH)
Một số kim
loại phổ biến
dùng làm anốt
ống phát tia X
NATuan-ITIMS-2007
HUỲNH QUANG TIA X
- Các phổ đặc trưng K, L, M cũng có thể
được phát ra bằng chính sự kích thích của
các photon tia X.
Năng suất huỳnh quang tia X, w, đối với các

họ vạch K, L và M như là hàm của nguyên tử
số Z (Goldstein et al., 1984).
Giản đồ minh hoạ sự hấp thụ bên trong một
photon tia X và tạo ra một điện tử Augér.
- Một số vật liệu có huỳnh quang

mạnh bởi tia X tương ứng với các
bước sóng khác nhau (sử dụng các
vật liệu bia khác nhau).
NATuan-ITIMS-2007
CƠ CHẾ PHÁT XẠ TIA X ĐẶC TRƯNG
λKα : L → K λLα : M → L Lβ
Lα
λKβ : M → K λLβ : N → L
λKγ : N → K λLγ : P → L
Kα
Chú ý: Điện áp tối thiểu để có bức xạ
đặc trưng dãy K, thế kích thích, là: Kβ
Vmin = 12400 / λhấp thụ-K (volts)
K Kγ
Bước sóng phổ vạch dãy K (nm) của một số vật liệu bia phổ L
biến (David R. Lide: CRC Handbook of Chemistry and Physics.
Target Kβ₁ Kβ₂ Kα₁ Kα₂ Vmin(kV) M
Fe 0.17566 0.17442 0.193604 0.193998 7.10
N
Ni 0.15001 0.14886 0.165791 0.166175
K, L, M, N, ↔ n = 1, 2, 3, ...
Cu 0.139222 0.138109 0.154056 0.154439 8.98
Zr 0.070173 0.068993 0.078593 0.079015 E(Kα1) = EK - EL(III)

Mo 0.063229 0.062099 0.070930 0.071359 20.0
NATuan-ITIMS-2007
SỰ HẤP THỤ TIA X
- Hấp thụ dài (hấp thụ thẳng): Phương trình Beer:
It = Ioexp(-µt)
µ: hệ số hấp thụ thẳng, phụ thuộc bản chất và trạng
thái của vật chất (rắn, lỏng, khí) mà tia X đi qua và λ của tia X sử dụng.
- Hấp thụ khối:
It = Ioexp(-µ/ρ)ρt (ρ là mật độ khối (khối lượng riêng)
của chất; µ/ρ là hệ số hấp thụ khối, không phụ thuộc
trạng thái của môi trường).
- Hệ số suy giảm thực nghiệm: µ = µτ + µσ , trong
đó µτ là hệ số hấp thụ thực (hay còn gọi là hấp
thụ photon), µσ là hấp thụ tán xạ.
- Ngưỡng hấp thụ: µ/ρ = kλ3Z3
ở một số giá trị λ, hệ số µ/ρ thay đổi đột ngột
Ứng dụng: lọc bức xạ (lọc đơn sắc) cho tia X, …
NATuan-ITIMS-2007
Sự hấp thụ của một số bức xạ tia X theo tiêu

chuẩn của Kakanui Hornblende. Các ngưỡng
hấp thụ được chỉ thị ra đối với các nguyên tố
tương ứng, và độ cao của ngưỡng là một
phép đo gần đúng của mật độ nguyên tố.
NATuan-ITIMS-2007
Hệ số hấp thụ khối (Mass Absorbtion coefficients) đối với tia X của các nguyên tố hóa học
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Minh họa hiệu ứng hấp thụ tia X bởi các vật liệu khác nhau khi chiều dày của vật
liệu thay đổi
NATuan-ITIMS-2007
VẤN ĐỀ LỌC TIA X
Sử dụng ngưỡng hấp thụ của một số kim loại.
Kα
Ni được sử dụng phổ biến.
Kα
Kβ
Kβ
Không lọc Sau khi lọc bằng lá Ni

NATuan-ITIMS-2007
2.2.3. CÁC NGUỒN PHÁT TIA X
- Nguồn tự nhiên: trong không gian vũ trụ có nhiều vùng vật chất phát ra tia X
Trái đất là một nguồn phát tia Mặt trời cũng là một nguồn Thậm chí sao chổi cũng
X. Vùng đỏ bức xạ mạnh nhất. phát xạ tia X khổng lồ. là một nguồn phát tia X.
Bức xạ tia X từ một hệ sao đôi, trong Bức xạ tàn dư tia X của một sao siêu mới
đó có một sao nơtron hay lỗ đen. (phần màu xanh tím than).
NATuan-ITIMS-2007
- Nguồn nhân tạo:
1. Ống phát tia X
Chỉ ~ < 1 % động năng của e-

chuyển thành bức xạ tia X Ö
Hiệu suất phát xạ tia X rất thấp.
Tia X phát xạ
Óng chân không ~ < 10- 6 Torr
Lối ra nước
làm mát Dòng điện tử năng lượng
cao đập lên bề mặt bia (T)
Lối vào nước

làm mát anốt UF
A T K
I ~ 1.0 - 1000 mA
A
UHV ~ 30 - 150 kV
Nguyên lý cấu tạo và làm việc của một ống phát tia X
NATuan-ITIMS-2007
Một số kiểu ống phát
Kiểu ống phát thường

dùng trong kỹ thuật
nhiễu xạ tia X
Cửa sổ Be
Cửa sổ Be
NATuan-ITIMS-2007
Kiểu ống phát anốt quay
Ống phát anốt quay vỏ thủy tinh
Thường dùng trong công nghiệp
Ống phát anốt quay vỏ kim loại
Anốt quay có gắn bia
Catốt phát ra Cửa sổ Be cho

chùm tia e- tia X phát ra
Chùm tia X phát ra

Machlett FDX 1-2 Rotating Anode Tube
NATuan-ITIMS-2007
- Nguồn nhân tạo:
2. Synchrotron (Synchrotron storage ring)
(Vòng tích tụ đồng bộ)
+ Hạt điện tích q chuyển động với v ~ c (q thường là e- hoặc e+)
+ Tác dụng H → q chuyển động cong → bức xạ tia X theo phương tiếp tuyến
+ Cường độ bức xạ: I ~ Γ4 , với Γ = Ep/mc2, trong đó Ep là năng lượng của hạt q.
Ep ~ 2 – 8 GeV
1. Electron gun
2. Linac (linear accelerator )
3. Booster ring
4. Storage ring
5. Beamline
6. End station
NATuan-ITIMS-2007
Vấn đề quang học tia X
- Tia X cũng có những đặc điểm/tính chất như ở quang học thông thường → có thể sử dụng các
tính chất như truyền thẳng, phản xạ, khúc xạ, hội tụ, phân kỳ,… và sử dụng các công cụ/linh
kiện/vật liệu thích hợp để có được các tính chất như ở quang học thông thường.
- VD: dẫn truyền tia X (phản xạ, khúc xạ,…) sử dụng các hệ trên cơ sở các mặt đới cong (zone
plate), các cấu trúc quang học đa lớp (multilayer optics) và dãy cách tử vi cấu trúc (micro-
structured optical arrays),…
- Các phần tử linh kiện dùng trong quang học tia X có kích thước rất nhỏ, được thiết kế thích hợp
với tia X có những góc tới riêng, có năng lượng cụ thể. Vì vậy gây nhiều hạn chế về thực hành.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.4. GHI NHẬN VÀ PHÁT HIỆN TIA X (detector)
• Nguyên lý: chủ yếu dựa trên 3 nguyên lý chính:
– Hiệu ứng quang - huỳnh quang
– Hiệu ứng quang hóa Gemstar X-Ray Cameras
– Hiệu ứng quang điện

• Phương tiện/dụng cụ:
– Màn huỳnh quang
– Phim ảnh/kính ảnh nhũ tương
– Detector điện tử High Resolution Digital X-ray CCD Camera XDI
+ Ống đếm Geiger

+ Ống đếm tỷ lệ
+ Ống đếm nhấp nháy
+ Detector bán dẫn
→ Digital X-ray CCD Camera (Charge-coupled device )
NATuan-ITIMS-2007
Camera CCD dùng để ghi-đo/phát hiện tia X
- Trước đây, ngay cả cho đến gần đây, việc ghi-đo/phát hiện tia X phổ biến
vẫn là sử dụng phim ảnh, với ưu điểm chính là có thể cho phép trải trên
một diên rộng, có độ phân giải không gian tốt, và giá thành khá thấp.
- Tuy nhiên, ngày nay người ta đưa vào sử dụng các màn hình điện tử loại
CCD (Charge- Coupled Device) để làm detector tia X với nhiều ưu điểm nổi
trội: rất tiện lợi cho vệc ghi nhận/phát hiện tia X – ảnh tia X có thể được
hiển thị rất nhanh và có thể được lưu giữ dưới dạng số hoá.
- Có hai phương pháp chính để ghi nhận các photon tia X sử dụng detector
CCD: ghi trực tiếp và gián tiếp.
- Đặc trưng cơ bản của mỗi phương pháp đó trình bày ở slide sau.
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ minh hoạ detector CCD theo kỹ thuật
1) Ghi trực tiếp ghi trực tiếp photon tia X.
- Số quang điện tử phát xạ trong CCD
phụ thuộc vào năng lượng photon tia
X tới và được hấp thụ (eV):
- Ưu điểm: khoảng động lực (Dynamic

Range) cao: số đếm phát ra khi một
photon có năng lượng E (eV) được ghi
nhận:
Bảng: Số đếm trên photon ghi được (counts per detected photon) và khoảng động lực học
(dynamic range) ứng với các năng lượng tia X đến detector khác nhau (sử dụng một detector có
hệ linh kiện CCD 16-bit và có hiệu suất (g) là 7 photon (quang điện tử) trên một phép đếm)
NATuan-ITIMS-2007
2) Ghi gián tiếp Sơ đồ minh hoạ detector CCD theo kỹ
thuật ghi gián tiếp photon tia X.
- Có 3 thành phần chính trong một camera CCD
ghi gián tiếp lượng tử tia X: - Số photon ánh sáng nhìn
+ c màn huỳnh quang (phosphor) để chuyển đổi thấy, N, trên photon tia X
tia X thành ánh sáng, đập vào với năng lượng:
+ d bó sợi thuỷ tinh quang học tóp đầu (fiber-optic
taper) để thu nhỏ ảnh ánh sáng chiếu vào chip
CCD có kích thước nhỏ,
+ e chip CCD để ghi nhận ảnh ánh sáng như là
ảnh điện tích (do chuyển đổi bằng hiệu ứng d
quang điện).
e
- Có 3 kiểu ghi gián tiếp: A, B, C. c B
A e C
d e
Không có
Bó sợi
quang
d
c c Ví dụ: Nếu photon tia X đập vào màn huỳnh
quang với năng lượng là 1 keV, số photon
ánh sáng nhìn thấy sinh ra sẽ là N ≈ 658.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.5. HÌNH HỌC NHIỄU XẠ
1) Định luật Bragg

2) Phương trình Laue
3) Mạng nghịch và nhiễu xạ
4) Các hướng nhiễu xạ
5) Các phương pháp nhiễu xạ
6) Các ứng dụng của XRD
NATuan-ITIMS-2007
1) Định luật Bragg
λ = 2 dhkl sinθhkl
Lưu ý:
- Tia tới, pháp tuyến mặt phẳng
nhiễu xạ và tia nhiễu xạ là đồng
phẳng.
- Góc giữa tia nhiễu xạ và tia
truyền qua luôn là 2-Theta (2θ).
Minh họa định luật Bragg bằng mô

phỏng máy tính.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
2) Phương trình Laue
Lý thuyết Laue: (có thể sử dụng chung cho các bài toán của nhiều loại nhiễu
xạ khác nữa)
- Các giả thiết cơ sở:
* Mạng không gian gồm các điểm (nút) tán xạ đồng nhất (coi các nút
mạng là giống nhau) sắp xếp tuần hoàn.
* Bức xạ tới là một chuỗi sóng phẳng → mỗi nút mạng trở thành một
tâm tán xạ và phát ra sóng cầu.
* Chùm tia X qua tinh thể với vận tốc c
(bỏ qua tương tác giữa sóng tới và sóng
tán xạ).
* Sự tán xạ chỉ xảy ra một lần (sóng tán
xạ đi qua tinh thể không bị tán xạ lại).
* Cả bức xạ tới và bị tán xạ đều không bị
hấp thụ trong tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
-Sóng cầu
- Các tâm phát ra sóng cầu và biểu diễn các bậc

mặt sóng khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
* Ghi chú về các giả thiết đơn giản hóa nêu trên:
. Khi tính đến tương tác giữa sóng phẳng tới và sóng cầu bị tán xạ → tương tác
này sẽ gây nên sự điều biến vận tốc pha của sóng phẳng tới khi đi qua tinh thể.
Khi đó hệ số khúc xạ của tinh thể đối với tia-X là ≠ 1.
. Khi sóng cầu tán xạ khi đi qua tinh thể bị tái tán xạ nhiều lần bởi các nút mạng
khác → gây nên những hiệu ứng có thể trở nên rất quan trọng. Ví dụ, đ/v cấu trúc
tinh thể kiểu rạn men nhỏ, việc bỏ qua hiệu ứng tái tái xạ sẽ gây nên những sai số,
và trong trường hợp đó hiệu ứng này sẽ được xét đến.
. Khi có sự hấp thụ bức xạ tới cũng như bức xạ bị tán xạ ở trong mẫu tinh thể
được khảo sát → các tính toán cho trường hợp các tinh thể nhỏ của cấu trúc rạn
men bị hạn chế.
* Xét một mạng tinh thể hình hộp có ô đơn vị được xác định bởi các vector tịnh
tiến a, b và c. → Bất kỳ các vector nào song song với a,
b và c cũng đều chứa tương ứng N1, N2, và N3 nút, sao
cho N = N1N2N3 là tổng số nút mạng chứa trong ô được
c
b
quy định bởi các vector này.
a
NATuan-ITIMS-2007
Â Bài toán của lý thuyết Laue trở thành bài toán tìm ra hiệu ứng tổ hợp của
các sóng cầu đó ở một điểm nằm ngoài tinh thể và ở khoảng cách lớn
so với kích thước thẳng của tinh thể.
ŝo
- Giả sử mạng tinh thể có N ŝ
M
A2
nút mạng, trên mỗi trục tinh
thể có tương ứng N1, N2, N3 ŝo r
N
ŝ
nút mạng (N = N1N2N3 ). A1
- Chùm tia tới ŝo , λ .
B
- Xét các nút mạng A1, A2, r.
- Tia tán xạ ŝ, λ . s
θ S = s - so
→ Hiệu quãng đường: 0 θ Mặt phản xạ
│S │= │s – so│
A1N - A2M = r · (s – so) so = 2 sinθ
= r · S. A
S = s – so là vectơ nhiễu xạ, vuông góc với mặt phẳng tán xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Điều kiện để có nhiễu xạ: khi r = R là một vectơ mạng Bravais (A1, A2,...
là các nút mạng), → R · Ŝ = R · (ŝ – ŝo) = nλ (n = số nguyên, ŝ là vectơ đv).
- Mặt khác: so = ŝo/λ; s = ŝ/λ → r · (s – so) = n
Điều kiện Von Laue: R · S = R · (s – so) = n (n = số nguyên, R là

vectơ mạng Bravais)
↔ eiR·S = 1
- Dưới dạng vectơ sóng-k: k = 2πs → K = 2πS
Điều kiện Von Laue: R · K = 2πn → thể hiện tính trực giao
→ Theo điều kiện này, một cấu trúc giao thoa sẽ xuất hiện. Điều kiện
giao thoa này được quy định bởi sự thay đổi của vectơ sóng một lượng K
= k - ko, dưới dạng một mạng tuần hoàn (phản ánh tính tuần hoàn của
mạng tinh thể Bravais) là một vectơ thuộc không gian của vectơ sóng -
không gian nghịch đảo về mặt toán học với không gian của mạng tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
• Tóm tắt điều kiện Von Laue ko · Ќ = ½K
(hay phương trình Laue): O
½K (Ќ = ќ - ќo)
- Một vectơ sóng tới ko sẽ thoả
mãn điều kiện Laue - nghĩa là ½K
ko
thực hiện sự nhiễu xạ với cường
độ nhiễu xạ khác không - nếu và K
k
chỉ nếu điểm mút của vectơ này
nằm trong một mặt phẳng mà
vuông góc và cắt tại một nửa - Nếu sử dụng đến cosin chỉ phương
của một đường thẳng nối gốc của các vectơ ko và k, phương trình
của không gian-k với một nút Laue có dạng:
mạng nghịch K. a(cosα - cosαo) = hλ
- Những mặt phẳng như vậy b(cosβ - cosβo) = kλ
được gọi là các mặt phẳng c(cosγ - cosγo) = lλ
Bragg. với h, k, l, là những số nguyên.
NATuan-ITIMS-2007
Sự tương đương của các công thức Bragg và Von Laue
K = 2πn/d K = k - ko
K = 2 k sinθ –ko
→ k sinθ = πn/d
ko k
Vì: k = 2π/λ
→ nλ = 2dsinθ θ θ
Một vết nhiễu xạ Laue tương ứng với một sự thay đổi của vectơ sóng mà được cho
bởi vectơ mạng nghịch K tương ứng với một phản xạ Bragg từ họ của các mặt
phẳng mạng thuận vuông góc với K. Bậc của phản xạ Bragg, n, chính là chiều dài của
K mà được chia bởi chiều dài của vectơ mạng nghịch ngắn nhất song song với K.
NATuan-ITIMS-2007
Các tính toán nhiễu xạ theo lý thuyết hình học của Laue – Các dạng nón nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Nhiễu xạ từ một dãy nguyên tử sắp xếp theo mạng phẳng.
NATuan-ITIMS-2007
Nhiễu xạ từ một dãy nguyên tử sắp xếp

theo hàng khi góc tới bằng 90o.
Trường hợp chung cho sự giao nhau của các nón

nhiễu xạ đồng trục với 3 dãy nguyên tử sắp xếp
theo hàng không đồng phẳng.
NATuan-ITIMS-2007
3) Không gian nghịch - Mạng nghịch - Bản chất của các thực nghiệm nhiễu xạ tia X
• Không gian nghịch

- Một trong những khái niệm quan trọng để hiểu được các hiện tượng
nhiễu xạ là "không gian nghịch" (reciprocal space).
- Các tâm tán xạ trong "hộp đen" đã từng được đề cập trước đây là ở
trong không gian thuận, và bài toán tán xạ đã làm xuất hiện vectơ tán xạ
S = (ŝ - ŝo)/λ, với S = │S│2sinθ/λ.
kết quả tán xạ được biểu diễn trong không gian -s.
- Trong các biểu thức về biên độ và cường độ tán xạ đều biểu diễn qua
vectơ tán xạ s.
- Trong thực tế các tích phân liên quan đến quá trình tán xạ/nhiễu xạ cũng
thường được lấy trong không gian của s.
- Không gian s là một không gian nghịch (để mô tả tổng quát sự lan
truyền của sóng người ta thường sử dụng không gian k = 2πs).
NATuan-ITIMS-2007
• Khảo sát thực nghiệm nhiễu xạ: z s
- Chùm tia tới đơn sắc: λ, so ψ
y
- Chọn gốc của cả KG thực và KG λ
nghịch ở O và hệ trục x, y, z ở tâm so
của mẫu (hình vẽ).
O so, λ
→ Cường độ nhiễu xạ liên quan đến 2θ
vectơ tán xạ s:
x
I ( s ) = I I ∫ P(u)e −2πi u. s
dv u Minh họa cho thấy cách mà mạng nghịch
trở thành vùng ánh xạ đối với các thực
- Mỗi giá trị s tương ứng với một biên độ nghiệm nhiễu xạ (các giản đồ nhiễu xạ).
│s│= 2sinθ/λ, một góc tán xạ 2θ và góc

phương vị ψ. Về nguyên tắc có thể tạo ra một
giản đồ về cường độ ở trong
Ở mỗi phép thực nghiệm nhiễu xạ, có
không gian s dựa trên 3 tọa độ
thể thay đổi một cách độc lập 3 yếu tố:
cầu │s│, 2θ, ψ.
ŝo, 2θ, ψ. → Có thể gán cho mỗi điểm
trong KG nghịch (s-space) một cường → Giản đồ này sẽ biểu diễn
độ dự đoán trước khi cho trước một bộ các kết qủa thực hiện sự nhiễu
các điều kiện thực nghiệm. xạ trên mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
- Các kết quả nhiễu xạ từ một đơn tinh thể - các giản đồ nhiễu xạ - được
biểu diễn trong không gian nghịch (resp) gọi là mạng nghịch (rel).
- Một tinh thể hoàn hảo được lấp đầy bằng những ô cơ sở với gốc O tương
ứng ở đó r = 0 (hình vẽ):
- Mật độ điện tử trong mỗi ô cơ O O O

sở là ρc(r). Vị trí không gian
của các gốc rpqr của các ô cơ O O O
sở là rpqr = pa + qb + rc. c
- Quỹ tích của tất cảc các điểm O O O

mạng là: a
∞ ∞ ∞
z(r) = ∑ ∑ ∑δ (r - r
p=−∞ q=−∞ r =−∞
pqr )
- Mật độ điện tử phân bố trong toàn bộ tinh thể hữu hạn, hoàn hảo là:
ρ(r) = ρc(r) * z(r)
- Gọi σ(r) là hàm có tính chất: σ(r) = 1 khi r nằm trong tinh thể;
0 khi r nằm ngoài tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
- Với tính chất như một hàm delta của σ(r) và tính trơn và đơn điệu của hàm
ρc(r), ta có thể viết:
ρ(r) = ρc(r) * [z(r) · σ(r)]
∞
A( k )
∫
− i 2π s .r
- Đưa vào biểu thức biên độ nhiễu xạ trước đây: = ρ ( r )e dv r
Ae ( k ) −∞
A( s )
ta được: = F [ ρ (r )] ⋅F [ z (r ) ⋅ σ (r )]
Ae ( s )
Nhận thấy rằng:
* σ(r) chỉ đơn thuần giới hạn các giá trị có thể của r.
* Trong biểu thức biên độ trên đây, các số hạng đã được tách riêng ra
(tương ứng với hai thành phần của tích chập) tương ứng bao hàm:
+ Những thứ có chứa ở bên trong ô cơ sở → Thừa số cấu trúc F(s)
+ Sự phân bố của các ô cơ sở: → Thừa số mạng Z(s)
A( s )
→ Có thể biểu diễn biên độ nhiễu xạ gồm hai số hạng: = F ( s) ⋅ Z ( s)
Ae ( s )
NATuan-ITIMS-2007
• Ý nghĩa của các thừa số:
+ Thừa số mạng Z(r): chức năng là để xác định vị trí-s có cường độ nhiễu
xạ khác zero.
Nếu trên 3 trục tọa độ của tinh thể có số nguyên tử tương ứng là N1, N2, N3
(N = N1N2N3 là tổng số nguyên tử có trong tinh thể).
∞ N1 / 2 N 2 / 2 N 3 / 2
r r −i 2πsr .rr r r
∫ z (r )e dvr = ∫ ∑ ∑ ∑ δ (r - r
− i 2πs . r
Z (s ) = pqr )e dvrr
tinh thê − ∞− N 1 / 2 − N 2 / 2 − N 3 / 2
N1 / 2 r r N2 / 2 r r N3 / 2 r r
= ∑e − i 2πp ( s .a )
p = − N1 / 2
∑e
q=− N 2 / 2
− i 2πq ( s .b )
∑e
r =− N3 / 2
− i 2πr ( s .c )
r r r r r r
= N. ∑∑∑ δ ( s ⋅ a − h) δ ( s ⋅ b − k ) δ ( s ⋅ c − l )
h k l
Lưu ý:
- Vì N1, N2, N3 rất lớn nên 3 số hạng exp ở trên đã tiếp cận đến
hành vi của hàm delta.
- h, k, l, là các số nguyên.
NATuan-ITIMS-2007
- Công thức cuối cùng trên đây đã xác định một tập hợp các điều kiện cần
thiết để có cường độ nhiễu xạ khác không:
r r
r r ⎧ 0 khi s ⋅ a ≠ h
∑h δ ( s ⋅ a − h ) = ⎨1 khi sr ⋅ ar = h
⎩
Ta có điều tương tự với các cặp b, k và c, l.
Điều kiện Laue:
s.a = h
s.b = k h, k, l, là các số nguyên
s.c = l
- Nếu ta chọn 3 vectơ a*, b*, c* có đơn vị là (độ dài)-1, sao cho thỏa mãn đ/k:
a* · a = 1 a* · b = 0 a* · c = 0
b* · a = 0 b* · b = 1 b* · c = 0
c* · a = 0 c* · b = 0 c* · c = 1
Như vậy các vectơ a*, b*, c* có thể được dùng để mô tả mạng không gian
tuần hoàn ở trong KG nghịch (resp).
Nếu các vectơ mạng nghịch này có độ dài "đơn vị" → Mạng nghịch cơ sở.
NATuan-ITIMS-2007
- Mặt khác, từ các điều kiện của a*, b*, c* ở trên, ta cũng có thể có:
(ha* + kb* + lc*)· a = h
(ha* + kb* + lc*)· b = k
(ha* + kb* + lc*)· c = l
Rõ ràng rằng: s = (ha* + kb* + lc*)
Như vậy các giá trị

của s mà ứng với
cường độ nhiễu xạ
được xác định, sẽ rơi
c*
vào một mạng với các
nút ở trong không gian
b*
nghịch (resp).
a*
MẠNG NGHỊCH (rel)
NATuan-ITIMS-2007
• Mạng nghịch trong không gian nghịch
1) Ô cơ sở và các vectơ đơn vị trong mạng tinh thể: a, b, c

→ mạng thuận là tập hợp các vectơ thực r = pa + qb + rc (với p, q, r là các
số không nhất thiết phải nguyên).
→ R = ua + vb + wc (với u, v, w là các số nguyên) → Nút mạng Bravais.
2) Các vectơ đơn vị trong mạng nghịch tương ứng:

a*, b*, c* → r* = a* + b* + c*.
3) Thể tích của ô đơn vị trong mạng nghịch:
Vc* = a*·(b* × c*) = b*·(c* × a*) = c*·(a* × b*)
4) Quan hệ giữa các vectơ mạng nghịch với mạng thuận:
a* = (b × c)/Vc, b* = (c × a)/Vc, c* = (a × b)/Vc
a = (b* × c*)/Vc, b = (c* × a*)/Vc, c = (a* × b*)/Vc
Trong đó Vc là thể tích ô cơ sở: Vc = a·(b × c) = b·(c × a) = c·(a × b)
→ Như vậy a* vuông góc với cả b và c → a* vuông góc với mặt phẳng bc
(mặt yz). Tương tự như vậy với các vectơ b* và c*.
NATuan-ITIMS-2007
5) Độ lớn của các vectơ mạng nghịch: b×c

│a*│ = 1/(acosχ), a*
a
│b*│ = 1/(bcosψ),
χ c
│c*│ = 1/(ccosω).
(Hình bên mô tả cho trường hợp đầu.

b
Các trường hợp còn lại tương tự)
6) Bất kỳ vectơ mạng nghịch nào r* = ha* + kb* + lc* cũng dều vuông góc với
mặt phẳng hkl ở trong không gian thực.
7) r*hkl = 1/dhkl trong đó dhkl là khoảng cách của các mặt hkl.
8) Góc øhkl giữa mặt phẳng hkl với mặt phẳng h'k'l' bằng:
r* r*
rhkl ⋅ rh 'k 'l '
cos φhkl = * *
rhkl rh 'k 'l '
NATuan-ITIMS-2007
Bảng cosin góc giữa các mặt phẳng hkl và h'k'l'.
h1k1l1
h2k2l2
NATuan-ITIMS-2007
9)- Khoảng cách dhkl giữa các mặt hkl lân cận bằng:
1
= rhkl
*2
d 2hkl
• Từ biểu thức này có thể xác định cho 7 hệ tinh thể như sau:
Cubic
1
=
(h + k + l ) 2 2 2
Tương quan giữa mạng
2
d hkl a2 thuận và mạng đảo
Tetragonal
1
=
(
h2 + k 2
+
l2 )
2
d hkl a2 a2
1 h2 k 2 l 2
Orthorhomb ic 2
= + +
d hkl a2 b2 c2
Hexagonal
1
=
(
4 h 2 + kl + k 2
+
l2 )
2
d hkl 3 a2 c2
1
Rhombohedr al 2
= ( h 2 + k 2 + l 2 ) a * 2 + 2 ( hk + kl + lh ) a * 2 cos α *
d hkl
Chú thích
1 α*, β*, γ* tương ứng là góc giữa
Monoclinic 2
= h 2 a * 2 + h 2 b * 2 + l 2 c * 2 + 2lha * c * cos β *
d hkl b* và c*; c* và a*; a* và b*
1
Triclinic 2
= h 2 a * 2 + k 2 b * 2 + l 2 c * 2 + 2 hka * b * cos γ * + 2 klb * c * cos α * + 2lhc * a * cos β *
d hkl
NATuan-ITIMS-2007
+ Thừa số cấu trúc F(s): Trong biểu thức của biên độ tán xạ đề cập ở trên có 2 thừa
số: thừa số mạng và thừa số cấu trúc. Trên đây đã xét đến ý nghĩa của thừa
mạng Z(s), là thành phần quyết định đến hình học của nhiễu xạ. Thành phần thứ
hai là thừa số cấu trúc F(s) liên quan đến cường độ của nhiễu xạ.
- Thừa số cấu trúc F(s) có chức năng là để xác định biên độ hay cường độ nhiễu
xạ có liên quan đến các vị trí có thể có mà thừa số mạng đã chỉ ra.
- Vì mạng thực và mạng nghịch là nghịch đảo lẫn nhau về mặt toán học, nên có
thể chứng minh được rằng:
[ r r
]r r*
F ∑δ (r − rpqr) = ∑δ (s − rhkl )
[ r r*
]
r r
F ∑δ (s − rhkl ) = ∑δ (r − rpqr)
−1
(Chứng minh điều này tương tự như đã làm đối với thừa số mạng Z(s) ở trên).
(Phần này sẽ được khảo sát kỹ ở mục 2.2.7. CƯỜNG ĐỘ NHIỄU XẠ dưới đây).
NATuan-ITIMS-2007
• Cầu Ewald
- Điều kiện để nhiễu xạ tia X xảy ra cũng có thể được biểu diễn dưới dạng
biểu đồ trong không gian nghịch khi sử dụng phép dựng hình cầu Ewald.
là hình cầu trong không gian nghịch (không gian-k) có bán kính bằng ko/λ.
- Xây dựng cầu Ewald:
+ Trong không gian mạng nghịch gồm các
nút mạng nghịch, chọn nút gốc O.
+ Từ nút gốc O, vẽ vectơ ko hướng song
ko
song với phương tia tới. k
+ Tại đầu mút vectơ ko lấy làm tâm cầu
Ewald, vẽ hình cầu có bán kính k = 2π/λ K
sao đi qua gốc O.
- Chỉ có một số vectơ k thảo mãn điều kiện
Laue nếu, và chỉ nếu, một số nút mạng nghịch (gồm cả nút gốc) nằm trên
bề mặt của cầu Ewald mà từ đó sẽ có một phản xạ Bragg từ họ các mặt
phẳng mạng thuận vuông góc với vectơ mạng nghịch đó.
NATuan-ITIMS-2007
• BÀI TẬP:
Từ hình cầu Ewald có thể đi đến điều kiện Bragg:
Nếu các nút điểm trên mặt cầu Ewald là các nút nhiễu xạ, chúng phải thoả mãn
phương trình Bragg.
Chứng minh:
Chọn các điểm X và Y trên mặt cầu Ewald,
Sinθ = XY/2r
Đặt r = 1/λ
Nếu Y là nút mạng nghịch 000

và X là một điểm chung hkl nào đó
→ XY = 1/dhkl
Hay: λ = 2dhkl sin θ
NATuan-ITIMS-2007
• Các bước xây dựng cầu Ewald:
Bước 1:
Tạo mạng nghịch từ một mạng
thuận tương ứng
Bước 2:
Gán các chỉ số hkl tương ứng với
các trục mạng nghịch đã cho.
NATuan-ITIMS-2007
Bước 3:
- Xác định hướng chùm tia tới với
bước sóng λ cố định.
- Chọn điểm gốc mạng nghịch 000
ở đó tia tới chiếu vào.
Bước 4:
- Xác định một điểm O nào đó trên
đường của tia tới cách gốc mạng
nghich 000 một khoảng bằng 1/λ.
- Vẽ hình cầu tâm O có bán kính O
1/λ. Tất nhiên hình cầu này sẽ đi
qua gốc mạng nghịch 000.
(Trong trường hợp 2D, cầu Ewald là
một đường tròn)
NATuan-ITIMS-2007
Bước 5:
- Như thấy ở bước 4, không có nút
mạng nghịch nào nằm trên mặt cầu
Ewald → không có nhiễu xạ.
- Thường trong nhiễu xạ đơn tinh thể,
tinh thể được quay đối với chùm tia X.
Điều này tương đương với việc quay
mạng nghịch xung quanh gốc 000 (ví
dụ ở đây là quay quanh trục c).
- Một số nút mạng nghịch sẽ cắt cầu
Ewald, ví dụ nút 220.
Bước 6:
- Có thể tính toán các thông số đối với
nút 220 như ví dụ đưa ra ở đây: θ220,
d220.
NATuan-ITIMS-2007
Bước 7:
- Nút mạng nghịch 220 cắt cầu
Ewald thảo mãn điều kiện Laue →
thỏa mãn điều kiện Bragg → tạo nên
vết nhiễu xạ 220.
- Việc quay tiếp tục mạng nghịch sẽ

dẫn đến một số nút khác lần lượt cắt
mặt cầu Ewald → Các nút đó đều
thỏa mãn điều kiện Laue → tạo nên
các vết nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
• Một số nhận xét từ cách vẽ cầu Ewald cho các phương pháp nhiễu xạ:
1- Nếu tia X đơn sắc & tinh thể đứng yên → Chưa chắc đã có nhiễu xạ
⇒ Để có nhiễu xạ, cần có một trong hai cách:
+ Bước sóng tia X phải thay đổi Nút mạng nghịch
+ Mạng tinh thể phải được quay*) cắt cầu Ewald
*) Chuyển động quay ở đây không có nghĩa là mẫu bị chuyển dịch.
2- Tốt nhất là chuyển động quay theo cả 3 chiều: phương pháp Cardan: 3 vòng tròn
đồng tâm có 3 trục quay vuông góc nhau trong không gian 3D. Mẫu đặt ở tâm chung
của 3 vòng tròn, và detector được quay theo một vòng tròn khác. → Phương pháp
nhiễu xạ bốn vòng tròn (Four Circle Diffractometor).
3- Trong thực tế có thể chỉ quay theo 1 hoặc 2 trục quay. Trong trường hợp chỉ quay
tinh thể theo 1 trục → Phương pháp tinh thể quay, hay phương pháp tinh thể dao
động. Có thể thực hiện quay theo 1 trục và trượt theo 1 trục khác.
4- Trong trường hợp đơn tinh thể đứng yên, nếu sử dụng bức xạ tia X đa sắc, λ thay
đổi, bán kính cầu Ewald thay đổi nên vẫn có thể cắt nút mạng nghịch để có nhiễu xạ
→ Phương pháp Laue, nhưng không thể biết cực đại nhiễu xạ thuộc về λ nào.
⇒ Phương pháp này chỉ hạn chế cung cấp một số thông tin về cấu trúc mạng. Chủ
yếu chỉ để xác định đối xứng tinh thể.
5- Khi mẫu là đa tinh thể, ngay cả khi sử dụng bức xạ đơn sắc và tinh thể cố định, vẫn
có nhiễu xạ vì một nút mạng nghịch tương ứng với nhiều điểm trên mặt cầu Ewald
⇒ Phương pháp đa tinh thể, hay phương pháp bột (còn gọi là pp Debye-Scherrier).
NATuan-ITIMS-2007
4) Các hướng nhiễu xạ
- Làm thế nào xác định được các góc 2-Theta có thể có trong thực nghiệm nhiễu xạ?
2θ1, 2θ2, 2θ3,… = ?, nghĩa là xác định được các hướng nhiễu xạ.
Tổ hợp với định luật Bragg λ = 2dsinθ với phương trình khoảng cách giữa các
mặt, ta có thể xác định được các hướng nhiễu xạ (thông qua sinθ). Các hướng
này phụ thuộc vào các hệ tinh thể.
+ Phương trình khoảng cách giữa các mặt của 7 hệ mạng tinh thể:
Cubic
1
=
(h + k + l )2 2 2
2
d hkl a2
Sự tổ hợp của định luật Bragg và ph/trình khoảng cách giữa
1 (
h2 + k 2 l2) các mặt phẳng, khi một sóng tới được xác định (λ) và một
Tetragonal = +
2
d hkl a2 a2 mạng tinh thể với ô cơ sở được biết trước (a), cho phép ta
có thể tiên đoán về tất cả các hướng khả dĩ (ứng với các
1 h2 k 2 l 2
Orthorhomb ic = 2+ 2 + 2
2
d hkl a b c góc Bragg θ) của các tia nhiễu xạ từ các mặt (hkl).
1 (
4 h 2 + kl + k 2 l2) c*
Hexagonal 2
= +
d hkl 3 a2 c2
β* α*
a* b*
Rhombohedr al
1
= ( h 2 + k 2 + l 2 ) a *2 +2( hk + kl + lh ) a *2 cos α * γ*
2
d hkl
Chú thích
Monoclinic
1
= h 2 a *2 + h 2 b *2 + l 2 c *2 +2lha * c * cos β * α*, β*, γ* tương ứng là góc
2
d hkl giữa b* và c*; c* và a*; a* và b*
1
Triclinic 2
= h 2 a *2 + k 2b *2 + l 2 c *2 +2 hka * b * cos γ * +2 klb * c * cos α * +2lhc * a * cos β *
d hkl
NATuan-ITIMS-2007
+ Ví dụ các hướng tinh thể tương ứng trong hệ tinh thể cubic:
- Điều kiện Bragg là: λ = 2dsinθ
- Phương trình khoảng cách giữa các mặt trong hệ cubic:
1
=
(
h2 + k 2 + l 2 )
2
d hkl a2
- Tổ hợp các phương trình trên ta tìm được p/t về hướng
λ2
nhiễu xạ:
sin 2 θ =
4a 2
(h 2
+ k2 + l2 )
- Ví dụ những góc nhiễu xạ Bragg θ có thể có ứng với các tia nhiễu xạ từ mặt phẳng
(110) (khi λ và kích thước ô mạng a được xác định rõ) thoả mãn phương trình:
sin2θ110 = λ2/2a2
- Tương tự ta có các công thức xác định sin2θ đối với các hệ tinh thể khác.
⇒ Như vậy, các hướng nhiễu xạ có thể có sẽ gắn liền với hệ tinh thể (gồm 14 mạng
Bravais) và các tham số mạng của nó (a, b, c, và α, β, γ).
→ Nói khác đi: Các hướng nhiễu xạ được xác định chỉ bởi hình dạng và kích
thước của ô cơ sở.
→ Ngược lại: Có thể xác định về một tinh thể chưa được biết (hình dạng và kích
thước của ô cơ sở) khi đo các hướng (góc Bragg θ ) của chùm tia nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
5) Các phương pháp nhiễu xạ
(Khảo sát kỹ trong chương 6: Các bài thực hành phân tích cấu trúc)
Phương pháp λ θ
X Phương pháp Laue Biến đổi Cố định
Y Phương pháp quay đơn tinh thể Cố định Biến đổi một phần
Z Phương pháp bột Cố định Biến đổi
NATuan-ITIMS-2007
X Phương pháp Laue
Experiment of Laue 1912

X-ray diffraction by a single crystal
Phương pháp Laue thực hiện nhiễu xạ trong trường hợp đơn tinh thể đứng yên, nhưng
sử dụng bức xạ tia X đa sắc (λ thay đổi), do đó bán kính cầu Ewald thay đổi nên vẫn có
thể cắt nút mạng nghịch để có nhiễu xạ. Tuy nhiên phương pháp này không thể cho
biết cực đại nhiễu xạ thuộc về λ nào. ⇒ Vì vậy phương pháp này chỉ hạn chế cung cấp
một số thông tin về cấu trúc mạng. Chủ yếu chỉ để xác định đối xứng tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
Phương pháp Laue truyền qua
Các vết nhiễu xạ của một họ mặt

phẳng (hkl) thường phân bố trên
các đường parabollic kín hoặc mở.
NATuan-ITIMS-2007
Phương pháp Laue phản xạ ngược
Các vết nhiễu xạ của một họ mặt phẳng (hkl) thường phân bố trên một
cung của đường hyperbolic.
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ ứng dụng kỹ thuật Laue để kiểm tra cấu trúc tinh thể
của các wafers Si trong công nghiệp bán dẫn
- Xác định hướng tinh thể của thỏi Si.
• Sau khi cắt ra khỏi thỏi, các wafer Si được xác định hướng để kiểm tra chất lượng
NATuan-ITIMS-2007
Giản đồ nhiễu xạ Laue phản xạ ngược
• Tính góc θ:
tan(180o −2θ) = r, trong đó r là khoảng cách từ tâm ảnh, là vết của
chùm tia trên film, và R là khoảng cách từ film tới tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
• Hình chiếu nổi và Lưới Wulff
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
• Lưới Greninger
- Lưới Greninger cho phép xác định các toạ

độ góc của pháp tuyến bề mặt của mặt
phẳng nhiễu xạ ứng với một vết nhiễu xạ
nào đó.
- Các toạ độ Greninger có thể được chuyển
thành các toạ độ trên hình chiếu nổi.
- Các bước được thực hiện như sau:
NATuan-ITIMS-2007
Chuyển đổi các số liệu Laue phản xạ ngược từ lưới Greninger
thành các số liệu trên hình chiếu nổi
NATuan-ITIMS-2007
Chuyển đổi các số liệu Laue phản xạ ngược từ lưới Greninger
thành các số liệu trên hình chiếu nổi
NATuan-ITIMS-2007
Sau khi chuyển đổi, các số liệu Laue phản xạ ngược ứng với
các số liệu trên hình chiếu nổi:
NATuan-ITIMS-2007
- Bước tiếp theo là phân tích các hình chiếu nổi thực nghiệm dựa vào giản đồ atlat
chuẩn để xác định các cực có chỉ số hkl thấp. Ví dụ :
Nhìn vào giản đồ thực nghiệm (bên trái) đối chiếu với hình chiếu nổi
chuẩn 001 (bên phải) – ta thấy hình chiếu thực nghiệm giống với hình
chiếu chuẩn sau khi quay nó đi một góc thích hợp.
NATuan-ITIMS-2007
Giản đồ hình chiếu nổi chuẩn 001
Xác định nhanh tính đối

xứng:
- Đối xứng bậc 4 (4-fold):
(100)
- Đối xứng bậc 3 (3-fold):
(111)
- ……………
NATuan-ITIMS-2007
Xác định các góc đặc trưng trong hệ lập phương
45º 45º
100 zone: 100 110 100
54.7º 35.3º 35.3º 54.7º

110 zone: 100 111 110 111 100
60º
111 zone: 110 110
Các góc này là đặc trưng cho sự

có mặt của những cực nào đó, là
chỗ giao nhau của một vùng mặt
phẳng – Đó là hình chiếu của các
trục vùng.
NATuan-ITIMS-2007
Y Phương pháp quay đơn tinh thể
Trong thực tế có thể chỉ quay theo 1 hoặc 2 trục quay. Trong trường hợp chỉ quay
tinh thể theo 1 trục → Phương pháp tinh thể quay, hay phương pháp tinh thể dao
động. Có thể thực hiện quay theo 1 trục và trượt theo 1 trục khác.
Tốt nhất là chuyển động quay theo cả 3 chiều: phương pháp Cardan: 3 vòng
tròn đồng tâm có 3 trục quay vuông góc nhau trong không gian 3D. Mẫu đặt ở
tâm chung của 3 vòng tròn, và detector được quay theo một vòng tròn khác.
→ Phương pháp nhiễu xạ bốn vòng tròn (Four Circle Diffractometor).
NATuan-ITIMS-2007
Y Phương pháp quay đơn tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
Z Phương pháp bột
Khi mẫu là đa tinh thể, ngay cả khi sử dụng bức xạ đơn sắc và tinh thể cố định, vẫn
có nhiễu xạ vì một nút mạng nghịch tương ứng với nhiều điểm trên mặt cầu Ewald.
NATuan-ITIMS-2007
Z Phương pháp bột
- Kỹ thuật Debye (sử dụng film để ghi chùm tia nhiễu xạ)
NATuan-ITIMS-2007
- Máy nhiễu xạ tia X (nhiễu xạ kế) ghi tia X bằng detector.
Giác kế (goniometer) - Sơ đồ tụ tiêu

để ghi chùm tia nhiễu xạ.
Sơ đồ hình học để ghi tia X nhiễu

xạ (sơ đồ tụ tiêu)
NATuan-ITIMS-2007
• Bộ phận lọc bằng các khe
Khe hạn chế chùm Khe hạn chế

Mẫu chùm tia tán
tia tán xạ ngang Khe hạn chế chùm tia tán
xạ ngang
Khe hạn chế chùm tia tán xạ thẳng đứng (tạo chùm
xạ thẳng đứng (tạo chùm tia song song nằm ngang)
tia song song nằm ngang) Khe giới hạn
chùm tia phân
Khe nhận chùm kỳ theo phương
tia hội tụ ngang
Nguồn
phát tia X
Detector
NATuan-ITIMS-2007
Các sơ đồ tụ tiêu Bragg-Brentano
- Kỹ thuật hội tụ một vòng tròn - Kỹ thuật hội tụ hai vòng tròn
(sơ đồ θ-θ) (sơ đồ θ-2θ)
NATuan-ITIMS-2007
– Kiểu sơ đồ tụ tiêu Bragg-Brentano θ-θ
NATuan-ITIMS-2007
– Kiểu sơ đồ tụ tiêu Bragg-Brentano θ-2θ
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
• Bài tập:
Xây dựng cầu Ewald cho các phương pháp nhiễu xạ sau:
- Phương pháp Laue,
- Phương pháp tinh thể quay,
- Phương pháp bột (hay phương pháp Debye-Scherrier).
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Các máy nhiễu xạ kế đơn tinh thể
IPDS II IPDS 2T
NATuan-ITIMS-2007
Máy nhiễu xạ Röentgen
http://www.microphotonics.com/stadimp.htm
NATuan-ITIMS-2007
• Giản đồ nhiễu xạ bột XRD hiển thị trên cửa sổ màn hình máy tính điều
khiển nhiễu xạ kế.
Ở khu vực góc

2-theta thấp
thường quan
sát thấy hiện
tượng phản xạ
toàn phần.
NATuan-ITIMS-2007
• Ví dụ về một giản đồ nhiễu xạ bột điển hình của NaCl
NATuan-ITIMS-2007
Thẻ ASTM (American Society for Testing and Materials)
_ Y
5-628 X
NaCl Z dÅ Int hkl dÅ Int hkl
Sodium Chloride Halite, Syn
Rad. CuKα1 λ 1.5406 Filter Ni d-sp [ 3.26 13 111
Cut off Int. Diffractometer I/Icor. 4.40 2.821 100 200
Ref. Swanson, Fuyat, Natl. Bur. Stand. (U.S.), Circ. 539, 2 41 (1953) 1.994 55 220
Sys. Cubic S.G. Fm3m (225) 1.701 2 311
\ 1.628 15 222
a 5.6402 b c A C
α β γ Z 4 mp 804o 1.410 6 400
Ref. Ibid. 1.294 1 331
Dx 2.16 Dm 2.17 SS/FOM F17 = 92.7(.0108,17) 1.261 11 420
1.1515 7 422
εα nωβ 1.542 εγ Sign 2V ]
1.0855 1 511
Ref. Dana’s System of Mineralogy, 7th Ed., 2 4
0.9969 2 440
Color Colorless ^ 0.9533 1 531
X-ray pattern at 26oC. An ACS reagent grade sample 0.9401 3 600
recrystallized twice form hydrocloric acid. Merck Index, 8 th
0.8917 4 620
Ed., p.956. Halite group, halite subgroup. PSC: cF8. 0.8601 1 533
Ghi chú: XSố thẻ; Ysố liệu định tính; Z tên và công thức 0.8503 3 622
hoá học; [ số liệu sử dụng nh.xạ kế;\ số liệu tinh thể học, 0.8141 2 444
(225) là số thứ tự của nhóm KG (có 230 nhóm KG); ] Số
liệu quang học; ^số liệu về mẫu; _số liệu về giản đồ nh.xạ
NATuan-ITIMS-2007
Joint Committee on Powder Diffraction Standards (1969)
International Centre for Diffraction Data, ICDF (1978)

1. Số file; 2. Ba vạch mạnh nhất; 3. Vạch ở góc thấp nhất; 4. Tên và công thức hoá học; 5. Các
số liệu và phương pháp sử dụng trên máy nhiễu xạ kế; 6. Các số liệu tinh thể học; 7. Các số liệu
quang học và những số liệu khác; 8. Các số liệu về mẫu; 9. Các số liệu về giản đồ nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Nhóm không gian của tinh thể NaCl: Fm3m (225) (Theo ký hiệu Schönflies là Oh)
Ký hiệu ngắn của Ký hiệu đầy đủ của Đói xứng Laue Số nhóm KG
nhóm điểm hệ LP nhóm điểm hệ LP (gồm 230 nhóm KG)
Ý nghĩa (xem thêm ý nghĩa của ký
hiệu Schönflies ở chương 1):
- Hệ tinh thể là LP (cubic) và mạng
Bravais là LPTM (fcc).
- Gồm có 4 trục đối xứng bậc 3 hoặc
3 tương đương nhau, 3 trục quay
bậc 4 (Oh) và 6 trục bậc 2.
- Có 3 mặt phản xạ vuông góc với
các trục quay bậc 4 và 6 mặt phản
xạ vuông góc với các trục bậc 2.
C3 C4 C3
C3
C4
C2 C2
C4
NATuan-ITIMS-2007
Hình chiếu nổi sử dụng trong biểu diễn đối xứng tinh thể học
Hình chiếu nổi của một tinh thể Cubic. Hình chiếu cầu của một tinh thể Cubic.
Các điểm △ và（）lần lượt ký hiệu
chỗ cắt của các trục quay bậc 4, 3, và
2 ở trên bề mặt hình cầu.
NATuan-ITIMS-2007
6) Các ứng dụng của XRD
• Dựa trên những dấu hiệu chủ yếu cung cấp thông tin về mẫu trên các giản đồ
XRD như sau:
– Vị trí các peak nhiễu xạ
– Độ rộng của peak nhiễu xạ
– Cường độ nhiễu xạ của peak
• Một số ứng dụng điển hình của kỹ thuật XRD. Vì XRD là một kỹ thuật không phá
hủy, nên có thể sử dụng để:
– Xác định pha tinh thể (cả định tính và định lượng);
– Xác định sự định hướng tinh thể;
– Xác định các tính chất cấu trúc: Các hằng số mạng (10-4 Å), ứng suất/biến
dạng mạng, kích thước hạt, sự sắp xếp tinh thể (expitaxy), thành phần pha,
sự định hướng ưu tiên (Laue, texture), chuyển pha trật tự-không trật tự, dãn
nở nhiệt;
– Đo chiều dày màng mỏng và màng đa lớp;
– Xác định sự sắp xếp các nguyên tử;
– Tìm các giới hạn dung dịch rắn hay hợp kim;
– v.v...
NATuan-ITIMS-2007
Những thông tin thường được khai thác từ các giản đồ XRD.
• Vị trí của peak - Góc 2-Theta (θhkl)
Từ đó xác định được bộ các vạch đặc trưng của một pha tinh thể xác định. Nghĩa là
xác định pha định tính (ít nhất cũng có một bộ gồm 3 vạch mạnh nhất không trùng
nhau), cũng như xác định được mặt nguyên tử tương ứng nào gây ra phản xạ (hkl)
và khoảng cách giữa các mặt đó: dhkl = λ/2sinθhkl
NATuan-ITIMS-2007
• Độ rộng của peak
- Trong phương pháp bột hay đa tinh thể, sự mở rộng của vạch nhiễu xạ có nhiều
nguyên nhân: do nhiệt độ, do sai số thiết bị (cơ khí,…), do ứng suất nội, và đặc biệt là
do kích thước các vi tinh thể. Sau khi loại trừ các yếu tổ mở rộng vạch khác, đóng
góp của kích thước tinh thể vào sự mở rộng vạch nhiễu xạ được xác định qua công
thức Scherrer: độ rộng của nửa vạch nhiễu xạ:
- Công thức này thường được sử

dụng để xác định kích thước tinh
thể (đơn tinh thể), hay còn gọi là hạt
vi tinh thể trong mẫu.
Chú ý: Kích thước tinh thể có thể rất
khác với kích thước hạt hình thành
trong quá trình kết tinh kim loại. Các
hạt này thường là đa tinh thể.
- Để xác định chính xác kích thước tinh thể, thường phải loại trừ các nguyên nhân mở
rộng vạch khác, như do máy, do nhiệt và vi ứng suất, sau đó chỉ quét trong phạm vi
góc 2-theta của 1 vạch nhiễu xạ đặc trưng nhất (xem hình trên), và sử dụng công thức
Scherrer.
Lưu ý cách gọi: Độ rộng nửa vạch (không gọi là nửa độ rộng vạch).
NATuan-ITIMS-2007
• Cường độ của peak nhiễu xạ
- Định lượng pha (Phase quantification) có mặt trong mẫu được xác định thông
qua đo cường độ tích phân của vạch nhiễu xạ, so sánh với cường độ tích
phân của mẫu chuẩn để tính cường độ tỷ đối, từ đó rút ra tỷ phần pha có mặt
trong mẫu.
(phần này sẽ xét đến kỹ hơn ở chương 6)
NATuan-ITIMS-2007
- Cường độ của peak nhiễu xạ phản ảnh sự tán xạ tổng cộng từ mỗi mặt phẳng trong
cấu trúc tinh thể của pha có mặt trong mẫu, và phụ thuộc trực tiếp vào phân bố các
nguyên tử cụ thể ở trong cấu trúc đó. Vì vậy cường độ peak nhiễu xạ rất phụ thuộc
vào cả cấu trúc và thành phần của pha.
- Phương trình cường độ nhiễu xạ từ pha α nào đó có trong mẫu, như sẽ thấy sau
này, gồm các thành phần (các thừa số tán xạ) như sau:
trong đó:
NATuan-ITIMS-2007
- Các số hạng trên đây có thể được định nghĩa lại bằng các hằng số thực nghiệm (chỉ
phụ thuộc vào cách bố trí thực nghiệm cụ thể) và ẩn số, là tỷ phần thể tích của pha
α cần được xác định, Xα.
Khi đó cường độ của peak nhiễu xạ hkl của pha α được trình bày đơn giản hơn:
Trong đó Ke là hằng số thực nghiệm, K(hkl)α là thừa số cấu trúc của pha α, ρα là mật
độ của pha α, và (µ/ρ)s là hệ số hấp thụ khối của mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
Một số ví dụ ứng dụng của XRD
• Quan sát hiệu ứng của kích thước

kết đám (Coherent Domain Size)
Kích thước các hạt kết tụ từ các hạt

siêu mịn Cu70Zn30 chế tạo bằng phương
pháp nghiền quay nguội (nghiền trong
nước) đã tăng lên khi tăng nhiệt độ ủ.
NATuan-ITIMS-2007
• Quan sát ảnh hưởng của nhiệt độ lên sự rã pha của YBa2Cu3O7-δ
NATuan-ITIMS-2007
• Quan sát sự chuyển pha cảm ứng điện trường của đơn tinh thể
Sự tách vạch (330) là do sự có

mặt của các domain <111> pha
mặt thoi (Rhombohedral phase)
Vạch (330) tách thành pha tứ

giác (Tetragonal phase)
NATuan-ITIMS-2007
• Quan sát ảnh hưởng của ứng

suất gây biến dạng mạng tinh thể
thông qua sự dịch vạch nhiễu xạ
và sự mở rộng của vạch nhiễu xạ
NATuan-ITIMS-2007
2.2.6. CƯỜNG ĐỘ NHIỄU XẠ
- Trước đây đã cho thấy biên độ, hay cường độ nhiễu xạ được biểu diễn qua hai
thành phần ứng với hai thừa số: Thừa số mạng Z(s) và Thừa số cấu trúc F(s):
A( s )
= F ( s) ⋅ Z ( s)
Ae ( s )
Từ đó bài toán nhiễu xạ được xét đến ở hai khía cạnh: khía cạnh hình học của
nhiễu xạ, ở đó chỉ quan tâm đến vấn đề có tính định tính, mang bản chất hình học:
điều kiện hình học và những vị trí trong không gian ở đó xuất hiện các cực đại
nhiễu xạ.
- Phần tiếp theo của bài toán nhiễu xạ là xét ở khía cạnh định lượng, đó là cường
độ nhiễu xạ. Thực tế là xét đến tính tương tác của tia X với các đối tượng gây ra
nhiễu xạ. Đó là tương tác của tia X với điện tử, nguyên tử và mạng tinh thể, là
những yếu tố chính gây nên sự thay đổi về lượng của cường độ nhiễu xạ.
- Ngoài ra một số yếu tố khác cũng gây ảnh hưởng không nhỏ đến cường độ nhiễu
xạ, như dao động nhiệt (yếu tố nhiệt độ), hấp thụ, vi hấp thụ, góc nhiễu xạ, sự phân
cực của tính đơn sắc, tính đối xứng của hệ tinh thể,…
NATuan-ITIMS-2007
1) Thừa số cấu trúc F(s)
Thừa số F(s) có chức năng là để xác định biên độ hay cường độ nhiễu xạ có liên
quan đến các vị trí có thể có mà thừa số mạng đã chỉ ra.
- Từ những lập luận tương tự như của trường hợp thừa số mạng Z(r) trước đây, có
thể thu được biến đổi Fourier cho trường hợp của thừa số cấu trúc F(r) như sau:
(Biến đổi Fourier thuận đ/v các vị trí trong mạng thuận) [ r r
] r r*
F ∑δ (r − rpqr) = ∑δ (s − rhkl )
[ ]
r r* r r (…)
(Biến đổi Fourier ngược đ/v các vị trí trong mạng nghịch) F ∑δ (s − rhkl ) = ∑δ (r − rpqr)
−1
Từ đó có thể viết biên độ tán xạ như sau, như trước đây đã từng làm đối với thừa
số mạng: rr
A( s)
Ae (r)
[ r r* r
= N ∑∑∑δ (s − rhkl ) ∗ F(s ) ] (…)
Nhận xét:
+ Điều trên đây cũng cho thấy rằng vị trí của các vết nhiễu xạ cũng được quy
định bởi các vectơ mạng Bravais trong không gian mạng thực.
+Trong khi đó, cường độ của các vết nhiễu xạ liên quan đến các nút mạng nghịch
ứng với các nút mạng Bravais đó, được quy định bởi thừa số cấu trúc F(s).
NATuan-ITIMS-2007
- Ta định nghĩa lại F(s) dưới dạng thông dụng nhất mà trước đây đã từng viết cho biên
độ A hoặc cường độ I: r r 2 πisr ⋅rr
F (s ) = ∫ ρ ( r )e dv rr
cell
- Chuyển sang các tọa độ "tâm nguyên tử" (atom-centered coordinates) trong ô đơn vị,
nghĩa là chọn gốc toạ độ tại tâm của một nguyên tử nút mạng, ta có (lưu ý sự chuyển
đổi từ ∫ sang ∑): r NC r r
F (s ) = ∑ fne 2 πis ⋅ rn
n =1
trong đó fn được gọi là thừa số cấu trúc nguyên tử thứ n (thừa số này sẽ được xét
đến trong phần tán xạ bởi nguyên tử), NC là số nguyên tử trong một ô đơn vị.
- Như đã thấy trước đây, điều cần thiết đối với s là nó chính là một vectơ mạng nghịch
r*hkl. Do đó có thể thay s bằng r*hkl trong biểu thức ở trên, và cũng viết rn trong không
gian thực dưới dạng các vectơ mạng thuận như sau:
rn = xna + ynb + znc
Khi đó:
r NC
r* r* r* r r r NC
F ( s ) = ∑ f n exp[ 2πi ( h a + kb + lc ) ⋅ ( x n a + y n b + z n c )] = ∑ f n e 2πi ( hx n + ky n + lz n )
n =1 1
NATuan-ITIMS-2007
Một số tính chất cần lưu ý đối với hàm exp khi (hx + ky + lz) là những
số nguyên (điều kiện Laue để có phản xạ)
a) eπi = e3πi = e5πi = … = - 1 → e(2n+1)πi = - 1 với n = 0, 1, 2, 3,…
b) e2πi = e4πi = e6πi = … = + 1 → e(2n)πi = + 1 với n = 0, 1, 2, 3,…

c) Nói chung, enπi = (- 1)n với ∀ n = 0, 1, 2, 3,…
d) enπi = e-nπi với ∀ n = 0, 1, 2, 3,…
e) eπi + e-πi = 2 cosx Lưu ý các tính chất của hàm exp
Thừa số cấu trúc: NC

r
F (s ) = ∑ fne 2 πi ( h x n + k y n + lz n )
1
NATuan-ITIMS-2007
Các ví dụ về tính toán F(s) – Hiệu ứng dập tắt có hệ thống:
1. Mạng tinh thể với ô cơ sở chỉ có 1 nguyên tử: (ví dụ mạng SC)
Đặt nguyên tử ở vị trí x,y,z = 0,0,0 ⇒ F(s) = Fhkl = f.

Ö Nghĩa là mỗi nút mạng nghịc sẽ có biên độ f.
2. Mạng tinh thể với ô cơ sở có một loại nguyên tử ở tâm khối: (ví dụ mạng BCC)
Đặt gốc tọa độ sao cho 2 nguyên tử ở trong ô xuất hiên ở vị trí x,y,z = 0,0,0
và ½, ½, ½. ⇒ F(s) = Fhkl = f .[1 + ℮iπ(h + k + l) ] = 0 → nếu h + k + l = số lẻ
= 2f → nếu h + k + l = số chẵn
3. Mạng tinh thể với ô cơ sở có một loại nguyên tử ở tâm mặt: (ví dụ mạng FCC)
Khi đó các nguyên tử được đặt ở (0,0,0); (½, ½, 0); (0, ½, ½), và (½, 0, ½).
⇒ Fhkl = f .[1 + ℮iπ(h + k) + ℮iπ(k + l) + ℮iπ(h + l)] = 0 → nếu h,k,l là hỗn hợp cả số lẻ và chẵn.
= 4f → nếu h,k,l hoàn toàn là số lẻ hoặc
hoàn toàn là số chẵn.
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: Hãy xét thừa số cấu trúc Fhkl trong trường hợp tinh thể CsCl
Gợi ý: - CsCl có mạng kiểu BCC, trong đó các nguyên tử nút đỉnh là các
nguyên tử Cs;
- Thừa số cấu trúc của ô mạng là tổng các thừa số cấu trúc của
mỗi lọai nguyên tử riêng biệt.
Cl
- Nguyên tử Cs định xứ ở 0,0,0

- Nguyên tử Cl định xứ ở ½, ½, ½.
fCs + fCl khi (h + k + l) = số chẵn

⇒ Fhkl = fCs + fCl .℮iπ(h + k + l) =
fCs - fCl khi (h + k + l) = số lẻ
NATuan-ITIMS-2007
Các điều kiện dập tắt hệ thống do các phần tử đối xứng tịnh tiến.
P: mạng nguyên thủy. A, B, C: tâm đáy ở trên các mặt -a, -b, -c, tương ứng.
I: tâm khối; F: tâm mặt. 21||b: biểu thị ô mạng có cạnh dài nhất là trục b. Ký hiệu này
cũng biểu thị trục xoắn bậc 2 song song với trục [010].
NATuan-ITIMS-2007
Sự vắng mặt hệ thống của các cực đại nhiễu xạ trong hệ lập phương
SC (lập phương FCC (lập phương BCC (lập phương

đơn giản) tâm mặt) tâm khối)
h2 + k2 + l2 Tất cả h, k, l hoặc đều Tổng (h + k + l) chẵn
Bất kỳ tổ hợp nào của
h, k, l là chẵn, hoặc đều là lẻ
Lưu ý đến hướng nhiễu xạ đã đề cập ở trên
1 100 - -
2 110 - 110
3 111 111 -
4 200 200 200
5 210 - -
6 211 - 211
7 - - -
8 220 220 220
9 300, 221 - -
10 310 - 310
11 311 311 -
12 222 222 222
NATuan-ITIMS-2007
2) Thừa số tán xạ tia X bởi nguyên tử
- Đối tượng gây nên sự tán xạ chùm tia X ở bên trong “hộp đen” (mạng tinh thể của
chất rắn) là các nguyên tử. Trong bài toán xét ở đây, các ng.tử được coi như là
các tâm tán xạ hiệu dụng, vì trong thực tế, gây ra sự tán xạ sóng tới chính là các
điện tử ở lớp vỏ của nguyên tử. Các điện tử này được quy về một điện tích điểm
đặt ở khối tâm của nguyên tử.
- Tia X là một dạng của bức xạ điện từ → khi tác động lên điện tử sẽ gây chuyển
động dao động cho các điện tử với tần số bằng
tần số dao động của sóng tới → các điện tử được
gia tốc dưới tác dụng của trường điện từ này.
- Các hạt điện tích khi được gia tốc sẽ tạo ra (bức
xạ) trường điện từ. Các điện tử khi bị kích thích
dao động bởi chùm tia X tới sẽ phát ra trường điện
từ thứ cấp theo tất cả các hướng và có tính tuần
hoàn giống như sóng kích thích, và trong thực tế
sẽ tiếp tục pha của sóng kích thích đó.
NATuan-ITIMS-2007
Như vậy trường điện từ thứ cấp, là trường tuần hoàn mới phát ra từ điện tử,
chính là sóng tán xạ.
- Trong trường hợp đ.tử gây ra tán xạ bởi sóng tới, nhưng làm thay đổi một trạng thái
lượng tử khác, thì sóng tán xạ sẽ bị thay đổi bước sóng đôi chút: lượng thay đổi này
tương ứng với năng lượng đã bị điện tử hấp thụ. Đó là trường hợp tán xạ không
đàn hồi
Chú ý: về nguyên tắc, các photon của sóng tới có thể gây ra kích thích cho các hạt
điện tích ở hạt nhân (proton), nhưng với khối lượng lớn của các hạt này, sự dao động
là rất không đáng kể, các kích thích là quá nhỏ không đủ để phát hiện được.
- Như trên đây đã cho thấy (38) biên độ tán xạ có thể biểu diễn dưới dạng:
r ∞
A(k ) r −ikr .rr
= ∫ ρ (r )e dvrr (38)
AI (k ) −∞
¾ Giả sử tâm của các ng.tử được đặt ở các vị trí được xác định bằng các vectơ r1,
r2, r3,… và giả thiết rằng mật độ của đám mây điện tử xung quanh hạt nhân ng.tử
thứ n là ρn(r - rn). Lưu ý: r là toạ độ của điểm bất kỳ trong không gian của “hộp
đen”, rn là toạ độ khối tâm của ng.tử.
NATuan-ITIMS-2007
→ Do đó mật độ tổng cộng của điện tử sẽ là:
r r r
ρ (r ) = ∑ ρ n (r - rn ) (52)
n
Thay (52) vào (38), ta được: Thừa số
r chung
r r ⎡∞
A( k )
∞
r r −ikr .rr r r −ikr .( rr − rrn ) ⎤
= ∫ ∑ ρ n ( r − rn )e dvrr = ∑ e − ik . rn
⎢ ∫ ρ n ( r − rn )e dvrr ⎥
AI ( k ) − ∞ n n ⎣−∞ ⎦ (53)
(tích phân của một tổng bằng tổng các tích phân với thừa số chung được rút ra)
¾ Nhận xét:
*) Số hạng tích phân trong (53) chính là biểu diễn biên độ của tán xạ bởi
nguyên tử thứ n (không phụ thuộc vào nguyên tử khác). Đặt tích phân
này như sau:
r ∞
r r −ikr.(rr−rrn )
fn (k) = ∫ ρn (r − rn )e
X
dvrr (54)
−∞
Tích phân này được gọi là Thừa số tán xạ tia X bởi nguyên tử.
(Lưu ý: Thừa số cấu trúc của nguyên tử fn đã đề cập trên đây chính là fn X ở đây).
NATuan-ITIMS-2007
→ Biên độ tán xạ được đóng góp bởi cấu trúc nguyên tử, và (38) bây giờ trở thành:
r
A(k ) r −ikr .rr (55)
= ∑ f n (k ).e n
X
AI (k ) n
**) Nhận thấy rằng giá trị của fnX gần như độc lập với trạng thái tích tụ, nghĩa là cấu
hình điện tử là của toàn bộ nguyên tử, trong khi đó các điện tử hoá trị quy định
kiểu nguyên tử.
Tuy nhiên, đ/v các nguyên tử có nguyên tử số Z lớn, các trạng thái hoá trị khác
nhau thường chỉ dẫn đến những ảnh hưởng rất nhỏ đối với thừa số tán xạ nguyên
tử ở những tỷ lệ bất kỳ.
***) Cũng nhận thấy biên độ tán xạ (55) có cùng dạng với biểu thức (13) trước đây,
chỉ khác ở chỗ rn trong b/th (55) biểu diễn vị trí của các tâm khối của nguyên tử
hơn là biểu diễn vị trí của các điện tử; và fnX(k) được thay thế để tính cho cường
độ tán xạ riêng của nguyên tử thứ n. → Do đó các nguyên tử được xem như là
các tâm tán xạ hiệu dụng.
NATuan-ITIMS-2007
- Khảo sát về dạng của thừa số tán xạ nguyên tử. Có thể viết thừa số này dưới dạng
như sau:
r r −ikr .rr
f (k ) = ∫ ρ n (r )e dvrr
X
n (56)
(one atom
of type n )
+ Nhận thấy rằng tại k = 0 (nghĩa là 2θ = 0), ta có:

r
f ( 0) = ∫ ρ n (r )dvrr = Z n
X
n
(57)
(one atom
of type n )
trong đó Zn là nguyên tử số của nguyên tử kiểu n.

+ Ở những góc cao hơn, k = 4πsinθ/λ, biên độ của fnX giảm liên tục:
f X(k)
Thừa số tán xạ nguyên tử của Hydro
1
Sử dụng biểu thức (64):
ρn(r) = Cexp(-r/0.48)
Các giá trị được

tính từ hàm sóng
0 chính xác
k = 4πsinθ/λ
NATuan-ITIMS-2007
- Lập luận về khuynh hướng giảm biên độ của thừa số tán xạ nguyên tử f X ở vùng k
lớn:
*) Giả thiết mật độ điện tử có đối xứng cầu, như đ/v nguyên tử Hydro và Heli.
Khi đó ρn(r) → ρn(r) và sự phụ thuộc góc được quy về việc khảo sát hàm trong
k hệ toạ độ cầu. φ sẽ bằng 0 khi r hướng dọc theo k và mặt phẳng
chứa θ vuông góc với k. Vì vậy k. r = cosφ, và dvr = r 2 sinφdθdr.
φ
Từ đó ta có:
r ∞ π 2π
∫∫ ∫
− ik . r cos φ 2
f nX ( k ) = ρ n ( r ) e r sin φ d θ d φ dr (58)
0 0 0
θ
Lấy tích phân theo toàn bộ θ (= 2π) ta được:
∞ π
∫∫ n
− ik . r cos φ 2
f n
X
( k ) = 2π ρ ( r ) e r sin φ d φ dr (59)
0 0
Đặt u = cosφ và lấy tích phân theo u, ta được:
∞ 1 ∞
− 1 ik . r
f n
X
( k ) = − 2π ∫∫ ρ n (r )e − ik . r . u
r dudr = − 2 π
2
∫ ρ n (r )
r 2
ikr
e( )
− e − ik . r dr (60)
0 −1 0
hay: ∞
sin k .r
( k ) = 4π ∫ ρ n (r )
X 2
f n r dr (61)
0
kr
NATuan-ITIMS-2007
**) Có thể thấy mật độ độ điện tử ρn(r) trong (60) và (61) có thể lấy gần đúng bằng
C.e- r/a đối với một trạng thái quỹ đạo s (là C và a các hằng số). Thay trở lại (61),
ta có biểu thức của thừa số tán xạ nguyên tử chính xác đối với H và He, còn gần
đúng bậc nhất đối với các nguyên tử khác:
∞ ∞ ∞
2πC 2πC
f nX ( k ) = ∫
ik 0
re −r / a
e (
ikr
− e − ikr
dr)= ∫
ik 0
re ( − 1 / a + ik ) r
dr − ∫ re ( − 1 / a − ik ) r
dr (62)
0
Lấy tích phân từng phần, ta được:

2 π C ⎧ ⎛ r − b1 r ⎞ ∞ ⎛ 1 − b1 r ⎞ ∞ ⎛ r − b2 r ⎞ ∞ ⎛ 1 − b2 r ⎞ ∞ ⎫ (63)
(k ) = ⎨⎜ − ⎟⎟ − ⎜⎜ 2 e ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ 2 e ⎟⎟ ⎬
X
f e e
ik ⎩ ⎜⎝ b1
n
⎠ 0 ⎝ b1 ⎠ 0 b
⎝ 2 ⎠ 0 ⎝ b2 ⎠ 0⎭
ở đây b1 = 1/a - ik; b2 = 1/a + ik.
Sử dụng quy tắc L'Hospital để đánh giá hàm ở các lân cận 0 và ∞, ta thấy:
−2
⎧ 2πC
1 1 ⎫ 8πC ⎛ 1 2⎞
f nX ( k ) =
⎨ 0 + + 0 + = ⎜ + k ⎟ (64)
2 2 ⎬ 2
⎩ ik
b1 b2 ⎭ a ⎝a ⎠
Như vậy đồ thị biểu diễn hàm fnX trên đây đã biểu diễn quan hệ giữa (1/a2 + k2)-2
đối với k = 4πsinθ/λ với a = 0.48 là trường hợp của hydro. Khi đó C được tìm ra bằng
cách đặt fnX = 0, vì ZH = 1. Cách tính đơn giản trên đây cho kết quả khá gần với
những tính toán chính xác hơn.
NATuan-ITIMS-2007
***) Nói chung thừa số tán xạ ng.tử đối với vật liệu bất kỳ đều được tính toán theo
cách như đã trình bày ở trên, nghĩa là bắt đầu với mật độ điện tử ρ(r) được lấy từ
cơ học lượng tử.
Trong tất cả các trường hợp, fX(0) = Z và đường cong của fX(k) đối với k đều giảm
tương tự như ở đồ thị trên đây.
****) Cần lưu ý rằng khi chùm tia X tới có khả năng kích thích mạnh một lớp vỏ ng.tử
K hay L để đến một trạng thái có năng lượng cao hơn, có thể có sự khác biệt đôi
chút đối với dáng điệu giảm chung của thừa số tán xạ ở khu vực k lớn. Điều này
chỉ xuất hiện khi λ gần với một giá trị tới hạn nào đó.
Nói chung thừa số tán xạ tia X bởi nguyên tử được cho bởi:
f = f 0 + ∆ f ' + i∆ f '' (65)
trong đó ∆f’ và ∆f’’ được lấy từ các thừa số tán xạ nguyên tử cổ điển f. Chúng
được gọi là các hiệu chỉnh tán sắc.
NATuan-ITIMS-2007
Sau đây sẽ xét từng trường hợp cụ thể những ảnh hưởng đến cường độ tán xạ
1) Tán xạ bởi một điện tử
- Bức xạ tia X đặc trưng phát ra từ ống phát nói chung là không phân cực.
Nhưng quá trình tán xạ làm cho chùm tia nhiễu xạ bị phân cực một phần.
→ Lượng phân cực này phụ thuộc vào góc tán xạ.
Ö Cường độ tán xạ bởi một điện tử biến thiên theo góc:

Cường độ tán xạ Ie ở khoảng cách R từ một điện tử tự do là (công thức Thomson):
⎛ e 4 ⎞ sin 2 α Liên quan đến N D

I e = I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎟ 2
bán kính điện z
⎝ m c ⎠ R tử cổ điển, re y
αz 2θ
trong đó Io là cường độ chùm tia tới, α là góc giữa W X'
phương tán xạ và phương gia tốc của điện tử. z

O y αy = 90o
- Giả sử điện tử đặt ở O. Chùm tia tới dọc theo XX' E
và không phân cực ( , hay phân cực tròn) X
→ E2 = E2y + E2z và về trung bình Ey = Ez Ö ½Io = Ioy + Ioz S
NATuan-ITIMS-2007
- Điện tử làm tán xạ chùm tia tới và chùm tia tán xạ hướng dọc theo OD, tạo một góc
2θ với phương của chùm tia tới. Chùm tia tán xạ có sự phân cực nhất định ( ).
- Thành phần y của chùm tia này gia tốc điện tử theo phương OE tạo một góc αy = 90o
so với phương tán xạ OD; gây ra cường độ tán xạ bằng:
⎞ sin α y
2
⎛ e 4
⎛ e 4
⎞
I ey = 2 .I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎟
1
2
= 1 .I ⎜
2 0⎜ ⎟
2 4 2 ⎟
⎝m c ⎠ R ⎝m c R ⎠
- Thành phần z gia tốc điện tử theo phương ON, tạo một góc αz = (90o - 2θ) so với
phương tán xạ OD; gây ra cường độ tán xạ bằng:
⎛ e 4
⎞ sin 2
αz ⎛ e 4
⎞ 2
I ez = 2 .I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎟
1 1 .I ⎜
2
=
2 0⎜ ⎟ cos 2θ
2 4 2 ⎟
⎝m c ⎠ R ⎝m c R ⎠
- Do vậy cường độ tán xạ tổng cộng trong phương OD bằng: Ie = Iey + Iez Ö
⎛ e 4 ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ ⎛ e4 ⎞
I e = I 0 ⎜⎜ 2 4 2 ⎟⎟⎜⎜ ⎟⎟ = I 0 ⎜⎜ 2 4 2 ⎟⎟.℘(θ )
⎝ m c R ⎠⎝ 2 ⎠ ⎝m c R ⎠
- Đại lượng ℘(θ) = 1 + cos22θ)/2 chính là thừa số phân cực, đặc trưng cho tán
xạ bởi điện tử.
NATuan-ITIMS-2007
2) Tán xạ bởi một nguyên tử
→ Sóng bị tán xạ bởi tất cả điện tử trong nguyên tử. Hơn nữa, sóng tán xạ có cùng
chiều dài quãng đường đối với hướng chùm tia tới, và do đó có cùng pha.
Ö Biên độ sóng tán xạ theo phương tán xạ từ toàn bộ

nguyên tử sẽ tỷ lệ với số điện tử có trong nguyên tử
tính theo phương tới. Tuy nhiên, theo phương khác,
các điện tử này không nhất thiết phải cùng pha.
- Các điện tử của một nguyên tử phân bố trong

Hiệu quãng đường
một vùng không gian có kích thước cỡ như
bước sóng của tia X sử dụng trong nhiễu xạ. D
2θ
→ Sóng tạo thành sẽ giao thoa một phần và
C
làm giảm biên độ của sóng tán xạ trên toàn bộ A
nguyên tử. → Sóng trở nên lệch pha hơn khi B
1λ
góc tán xạ tăng lên → Biên độ giảm nhanh.
NATuan-ITIMS-2007
Ö Biên độ tán xạ ở một góc cụ thể phụ thuộc vào số điện tử (do đó phụ thuộc vào
trạng thái liên kết hóa học của nguyên tử), phụ thuộc vào sự phân bố điện tử trong
nguyên tử, và phụ thuộc vào bước sóng của bức xạ tới.
- Hiệu suất tán xạ bởi một nguyên tử theo một phương cụ thể chính là: fo = AA/Ae
trong đó AA là biên độ sóng tán xạ từ toàn bộ nguyên tử, Ae là biên độ của sóng tán
xạ từ một điện tử tự do. → fo được gọi là thừa số tán xạ nguyên tử (trước đây khi
xét trong ô mạng có nhiều nguyên tử, đã ký hiệu là fn).
→ IA = Ie fo2
sin[4πr (sin θ / λ )]
∞
→ Thừa số tán xạ nguyên tử : f o = ∫ D (r )dr

0
4πr (sin θ / λ )
+ D(r) = 4πr2ρ(r) là sác xuất tìm ra điện tử nằm trong khoảng giữa bán kính r và r + dr
→ Do đó D(r)dr = Z, chính là tổng số điện tử có trong khỏang giữa hai mặt cầu bán
kính r và r + dr.
+ 4π r (sinθ/λ) biểu diễn độ lệch pha do các điện tử ở khoảng cách r so với mặt phẳng
phản xạ đi qua tâm nguyên tử .
(Lưu ý: Tán xạ bởi nguyên tử chủ yếu là tán xạ bởi “đám mây” điện tử).
NATuan-ITIMS-2007
- Thừa số tán xạ nguyên tử fo phụ thuộc chủ yếu vào sinθ/λ .
→ Các số liệu tán xạ nguyên

ZAg = 47
tử được biểu diễn theo số hạng
sinθ/λ này.
ZBr = 35
- Công suất nhiễu xạ của một số

ZFe = 26
fo nguyên tử và ion.
- Cực đại của fo tại sinθ/λ = 0,
ZCa = 20
ứng với θ = 0.
ZCl = 17
ZAl = 13 - fo giảm khi tăng θ.
- Thấy rõ fo giảm theo Z.
ZO = 8
ZC = 6
Khi λ thay đổi, fo thay đổi như thế nào?
NATuan-ITIMS-2007
3) Tán xạ bởi một ô cơ sở - Trong khi đó sự dịch chuyển của các mặt Q và R, tương
- Trên đây đã thấy sự tán xạ ứng là xQ, xR.
tia X từ một nguyên tử phụ
thuộc vào sự phân bố của → Độ lệch pha gây nên bởi các mặt phản xạ này tương
điện tử trong nguyên tử. ứng là:
→ Có thể nhận định rằng sự φQ = 2πxQ/dhkl ;
tán xạ trên một ô đơn vị sẽ φR = 2πxP/dhkl.
phụ thuộc vào sự sắp xếp
các nguyên tử ở trong ô đó.
- Khảo sát cấu trúc tinh thể

gồm 3 lọai nguyên tử: P (đặt ở
nút mạng gốc), Q và R, với hệ
thống các mặt phản xạ (hkl) và
khoảng cách giữa chúng là dhkl.
→ Độ lệch pha của các phản

xạ từ các mặt P kế tiếp là 360o,
hay 2π, vì hiệu quãng đường
của các tia phản xạ từ các mặt xR
xQ
này là 1λ.
NATuan-ITIMS-2007
F(hkl) = (A2 + B2)1/2
Biểu diễn các thành phần α(hkl) = arctan(B/A)
lệch pha của các mặt hkl
ứng với nguyên tử P, và
các mặt dịch chuyển nhỏ
của các nguyên tử Q và R.
Biểu diễn các thành phần lệch biên độ khi phản xạ

từ các mặt hkl ứng với nguyên tử P, và các mặt
của các nguyên tử Q và R bị dịch chuyển nhỏ.
- Đối với một ô cơ sở có m nguyên tử:
F (hkl ) = [(∑ f 0 , r cos ϕ r ) + (∑ f 0 , r sin ϕ r )

2 2
] 1/ 2
trong đó f0,r là thừa số tán xạ nguyên tử, φ0,r là thừa số pha của nguyên tử vị trí r.
- Góc lệch pha đối với mặt hkl từ một ô cơ sở sẽ là: α (hkl ) = arctan
∑ f 0,r sin ϕ r
∑ f 0,r cos ϕr
- Cường độ tán xạ bởi ô cơ sở: IC/IA = |F(hkl)|2 (tương tự như trường
xR
hợp tán xạ
xQ
bởi nguyên tử, nhưng ở đây thay f0 bằng |F(hkl)|).
NATuan-ITIMS-2007
- Biểu diễn thừa số pha trong biểu thức của biên độ cấu trúc theo vị trí các
nguyên tử trong ô cơ sở. (1/k)·b
O b
* Ví dụ: Xét ô mạng 2-D, gốc ở O. xr·a
* Giả thiết họ mặt (hk) cho phản (1/h)·a
yr·b xr, yr
xạ bậc nhất. Mặt hk gần gốc nhất
ng.tử r
có các đoạn cắt (1/h)·a và (1/k)·b
trên các cạnh ô cơ sở. (hk)
* Độ lệch pha từ các mặt này là 2π

theo hai hướng a và b.
a
* Xét nguyên tử r có tọa độ xr, yr
tương ứng lệch khỏi gốc O một đọan xr·a và yr·b theo các cạnh a và b.
→ Độ lệch pha từ các đoạn lệch gốc này tương ứng là:
φr(a) = [xr·a/(a/h)]2π = hxr·2π và φr(b) = [yr·b/(b/k)]2π = kyr·2π
→ Độ lệch pha tổng cộng đối với nguyên tử r là: φr = φr(a) + φr(b) = 2π (hxr + kyr)
→ trong không gian 3-D: φr = 2π (hxr + kyr + lzr)
NATuan-ITIMS-2007
- Từ những điều trên đây (thay thế các thừa số pha vào biên độ cấu trúc ở trên) ta có
Ö F ( hkl ) = {[∑ f 0 , r cos 2π ( hx r + ky r + lz r )] [∑ f

2
+ 0 , r sin 2π ( hx r + ky r + lz r ) ]}
2
1
2
Ö Nhận xét:
1- |F | phụ thuộc vào loại nguyên tử có trong ô cơ sở và vị trí của chúng.
(f0,r) (cosφr & sinφr)
2- Các số hạng cosφr & sinφr thường được gọi là thừa số cấu trúc hình học vì là
hàm của tọa độ nguyên tử → Đặc trưng cho nhóm không gian của tinh thể.
3- Góc lệch pha của các mặt phản xạ thuộc họ (hkl) `đơn giản là hàm của tọa độ
α (hkl ) = arctan ∑
nguyên tử → f 0,r sin 2π (hxr + kyr + lz r )
∑f 0,r cos 2π (hxr + kyr + lz r )
NATuan-ITIMS-2007
4) Thừa số nhiệt độ (Thừa số Debye):
- Thừa số tán xạ trên đây (tán xạ bởi nguyên tử) được xét với giả thiết nguyên tử ở
trạng thái tĩnh.
- Trong thực tế, sự dao động nhiệt của các nguyên tử làm sự xê dịch vị trí của
chúng. Nhiệt độ càng cao các nguyên tử dao động càng mạnh. → Theo thuật ngữ
của khái niệm phản xạ Bragg, khi có dao động nhiệt, một mặt phẳng phản xạ
không còn là một mặt phẳng toán học.
⇒ Các sóng phản xạ thỏa mãn ở góc Bragg sẽ không chính xác cùng pha → Độ lớn
của thừa số cấu trúc hình học sẽ nhỏ hơn so với dự đoán từ các thừa số tán xạ
nguyên tử.
- Với bất kỳ tinh thể nào, sự ảnh hưởng của dao động nhiệt lên biên độ cấu trúc
hình học cũng tăng lên theo góc Bragg, vì θ = arcsin(nλ/2d), và tăng lên theo
T.
→ Debye: Thừa số tán xạ của một nguyên tử ở một nhiệt độ thông thường (T) có
quan hệ với thừa số tán xạ của nó ở trạng thái tĩnh (To) qua biểu thức:
⎡ B sin 2 θ ⎤ , trong đó B thể hiện sự xê dịch khỏi vị trí cân bằng của
T = T 0 exp ⎢− ⎥ các nguyên tử. B phụ thuộc vào loại nguyên tử và sự
⎣ λ2
⎦ định hướng của các mặt phản xạ trong tinh thể.
- Đánh giá định lượng T chỉ có tính chất gần đúng.
NATuan-ITIMS-2007
5) Thừa số hấp thụ
- Các chùm tia tới và chùm tia phản xạ bị hấp thụ một phần khi đi qua tinh thể.
→ Cường độ phản xạ bị suy giảm.
- Hệ số hấp thụ phụ thuộc vào:
* Hệ số hấp thụ của tinh thể
* Thiết diện ngang
* Trong trường hợp mẫu bột, phụ thuộc vào hệ số ép chặt (mật độ xếp chặt của
các hạt tinh thể).
⇒ Cường độ phản xạ thay đổi theo góc Bragg.
+ Một mẫu có độ hấp thụ tia X cao sẽ
bj hấp thụ nhiều nhất ở sâu bên
trong mẫu (tâm), tương ứng với
cường độ phản xạ yếu nhất; bị phản
xạ càng nhiều khi càng ra gần biên
(bề mặt).
+ Khi góc θ tăng lên → phần thể tích
đóng góp cho phản xạ tăng lên →
cường độ chùm tia phản xạ cũng lớn
hơn, nghĩa là hấp thụ giảm đi.
NATuan-ITIMS-2007
Định luật Beer:
Hệ số tuyền qua: ℑ = It/Io = e-µt
trong đó t là chiều dày mà tia X đi qua, µ là hệ số hấp thụ thẳng.

µ A
- Gọi hệ số hấp thụ nguyên tử là σa (cm2): σa = × cm 2
ρ N0
m
n
trong đó µ/ρ là hệ số hấp thụ khối. ⇒ µ = m
Vuc
∑ ai
(σ
i =1
) cm -1
với A là trọng lượng nguyên tử, nm là số của phân tử, mỗi phân tử có m nguyên tử
trong ô thể tích Vuc, N0 là số Avogadro.
Ö Hệ số truyền qua ℑ, hay ở đây còn gọi là thừa số hấp thụ, phụ thuộc vào bản
chất của mẫu và bước sóng tia X tới. (Xem thêm bảng các hệ số hấp thụ khối của
các nguyên tố với các bước sóng tia X sử dụng khác nhau ở Slide 49 và 50 trên đây).
- Sau đây sẽ cho thấy sự phụ thuộc vào góc Bragg θ của thừa số hấp thụ ℑ.
NATuan-ITIMS-2007
- Trong thực nghiệm nhiễu xạ tia X bởi một tinh thể, hoặc mẫu của bột tinh thể, nói
chung tất cả các tia X đều không có cùng chiều dài quãng đường đi ở trong môi
trường.
- Chùm tia tới có cường độ I0 đập lên mẫu sẽ bị giảm cường độ xuống còn Ioe-µt1
ở độ sâu t1 trong thể tích mẫu, và tia nhiễu xạ bị giảm cường độ tương tự sau khi
đi qua khoảng cách t2 trước khi ra khỏi tinh thể.
∆x
t1
t2
∆y
Itr.qua(θ = 0)
(hkl)
- Thừa số truyền qua trở thành:
Phụ thuộc góc Bragg Phụ thuộc vị trí Itr.qua(2θ)
1
ℑ (hkl ) = ∫
− µ [ t1 ( xyz ) + t 2 ( xyz )]
e dxdydz , ở đây tích phân được lấy qua thể tích
Vcrystal Vcrystal của tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
* Những lưu ý:
- Thừa số hấp thụ tăng khi góc θ giảm >< Thừa số nhiệt độ tăng khi góc θ tăng.
- Trong thực tế hai thừa số hấp thụ và nhiệt độ gần như triệt tiêu lẫn nhau ở những
tinh thể có hệ số hấp thụ vừa phải.
- Có thể tính được thừa số hấp thụ của tinh thể có hình dạng bất kỳ. Mức độ hiệu
chỉnh chính xác của sự hấp thụ tùy thuộc vào mức độ chính xác trong việc xác định
dạng đó, do đó phụ thuộc vào việc xác định được chính xác độ dài quãng đường
của các tia tới và tia nhiễu xạ.
- Dể dẽ dàng xác định quãng đường tương đối chính xác → chế tạo mẫu có hình
dạng xác định: thường là hình trụ hay cầu.
- Dạng mẫu hình cầu là lý tưởng cho việc chuẩn hóa XRD đối với đơn tinh thể.
Tuy nhiên nhiều tinh thể khó tạo dạng cầu, nên chỉ có thể tạo được dạng gần cầu.
- Để giảm ảnh hưởng của sự hấp thụ, mẫu cần được chế tạo có kích thước đủ nhỏ.
- Để không cần phải hiệu chỉnh sự hấp thụ, mẫu cần có kích thước cỡ 0.1 mm (100
µm). Ở kích thước này, có thể bỏ qua sự hấp thụ trong mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
Sự dập tắt sơ cấp và thứ cấp
- Sự dập tắt sơ cấp:
Trong một đơn tinh thể “lý tưởng hoàn hảo”, một số lớp ở bề mặt bị rơi vào tình
trạng hầu như phản xạ toàn phần năng lượng tới, đến mức phần ở sâu hơn bên
trong tinh thể không nhận được bức xạ tới. → Việc chắn các lớp ở bên dưới bởi
những lớp ở bên trên trong một tinh thể hoàn hảo gọi là sự dập tắt sơ cấp.
- Sự dập tắt thứ cấp:
Ngay cả với một tinh thể không lý tưởng, nhưng có cấu trúc kiểu "khảm trai"
(mosaic) của các khối tinh thể có kích thước đủ nhỏ sắp xếp không trật tự mà
sự dập tắt sơ cấp không xảy ra, thì chùm tia tới chiếu vào một khối ở sâu bên
trong tinh thể có khi ít hơn so với sự hấp thụ thông thường.
Hiệu ứng này xuất hiện vào lúc điều kiện phản xạ được thỏa mãn và là kết quả
của việc chùm tia phản xạ bởi các khối sắp xếp giống nhau ở gần bề mặt tinh
thể bị đi ra khỏi chùm tia tới. Đó là hiệu ứng dập tắt thứ cấp.
- Hiệu ứng dập tắt thứ cấp thường xảy ra hơn hiệu ứng dập tắt sơ cấp.
- Có thể bổ xung hệ số dập tắt vào hệ số hấp thụ thông thường.
NATuan-ITIMS-2007
6) Thừa số Lorentz
- Trong các phương pháp nhiễu xạ đơn tinh thể, trong đó mẫu được cho chuyển động
trong vùng của chùm tia X chiếu tới (như phương pháp đơn tinh thể quay, hoặc dao
động), các mặt phản xạ trong tinh thể lần lượt được biến đổi tương ứng với những
góc thoả mãn điều kiện Bragg → lần lượt thực hiện phản xạ.
- Tốc độ mà các mặt phẳng trải qua các điều kiện Bragg thay đổi theo góc nhiễu xạ,
→ mỗi phép đo cường độ phải được hiệu chỉnh riêng biệt đối với nhau theo thời
gian mà một mặt phẳng cụ thể mất để quay qua góc Bragg đó.
⇒ Dạng của hiệu chỉnh này chính là thừa số Lorentz, phụ thuộc vào phương pháp
ghi phản xạ.
P
- Hình học của điều kiện Bragg θ
1/d θ
- Đây chính là vòng tròn phản xạ Bragg của tập θ 2θ
X O θ R
hợp các mặt phẳng phản xạ có khỏang cách d
d
của tinh thể đặt ở vị trí R (cầu Ewald). P chính
là vết cực đại nhiễu xạ trong không gian nghịch.
NATuan-ITIMS-2007
- Từ những minh họa ở hình vẽ → ∠(PXR) = θ và P
∠(RPX) = 90o → PR/XR = sinθ → PR ~ 1/d, V ∠(RPX) = 90o
XR ~ 2/λ. ∠(ROP) = 2θ → OP // phương VN 1/d = 2sinθ/λ
phản xạ. θ 2θ ω
X 1/λ O R
- Giả thiết tinh thể quay với vận tốc góc không đổi
ω quanh trục tại R và vuông góc với mặt phẳng
chứa hình tròn tâm O.
→ Khi đó điều kiện Bragg cho các mặt phẳng đang xét (ở điểm R) luôn được thỏa
mãn trong suốt quá trình quay mà điểm P nằm trên chu vi của đường tròn quay
quanh điểm R.
- Thời gian cần thiết để điểm P cắt đường tròn tâm O phụ thuộc vào vận tốc của
điểm P và góc mà ở đó nó cắt đường tròn tâm O, giả sử với thành phần vận tốc là
VN vuông góc với chu vi đường tròn tâm O.
- Nhận xét:
* Các điểm ở xa R (ứng với khoảng cách giữa các mặt nhỏ, góc θ lớn) sẽ
chuyển động nhanh hơn các điểm ở gần R, nhưng cắt qua đường tròn ở
những góc nghiêng hơn.
NATuan-ITIMS-2007
* Vận tốc V của điểm P là: PR·ω = (1/d)ω = [(2sinθ)/λ]ω
Vận tốc này được hướng dọc theo PX.
- Từ đó ta có: ⎛ 2 sin θ ⎞ ⎛ sin 2θ ⎞

VN = V cos θ = ⎜ ω ⎟ cos θ = ⎜ ⎟ω
⎝ λ ⎠ ⎝ λ ⎠
- Gọi E là năng lượng tổng cộng của bức xạ bị phản xạ bởi một họ các mặt mà làm
cho P cắt ngang qua chu vi của đường tròn phản xạ Bragg, thì ta có cường độ tán
xạ bởi tinh thể sẽ là:
⎛ sin 2θ ⎞
E ⋅ VN = Eω ⎜ ⎟ = Ic
⎝ λ ⎠
- Tích trên đây là không đổi đối với một cường độ chùm tia cho trước.
- Hệ thức trên đây có thể được viết lại dưới dạng năng lượng trong khuôn khổ của
vận tốc góc của tinh thể:
⎛ λ ⎞
Eω = I c ⎜ ⎟
⎝ sin 2θ ⎠
- Vì năng lượng E = I.t , với t là thời gian, → lượng λ/2sinθ biểu thị thời gian mà các
mặt phản xạ tương ứng cần để phản xạ năng lượng E. → 1/2sinθ biểu diễn thời gian
tương đối mà bất kỳ mặt phẳng tinh thể nào cần để quay khoảng góc nhỏ của θ mà sự
phản xạ xuất hiện. L(θ) = 1/2sinθ chính là thừa số Lorentz.
NATuan-ITIMS-2007
7) Thừa số lặp lại
- Số của các mặt phẳng riêng biệt cắt một ô cơ sở trong một họ hkl cụ thể được gọi
là thừa số lặp lại, Mhkl.
- Đối với những hệ có đối xứng thấp, hệ số lặp lại cũng luôn thấp.
- Đối với những hệ có đối xứng cao, họ các mặt đơn có thể được lặp lại nhiều lần bởi
các phép biến đổi đối xứng, mỗi lần lặp lại đó sẽ làm tăng thêm cường độ nhiễu xạ.
VD: Ở hệ lập phương đơn giản, mỗi mặt tinh thể có 1 mặt chéo (110) và 1
mặt tương đương (-110). ⇒ Với 6 mặt có tất cả 12 hướng tinh thể.
Tương tự, mặt (100) có 6 hướng ⇒ Như vậy họ mặt (110) có cường độ
gấp đôi cường độ của họ mặt (100) vì thừa số lặp lại.
- Thừa số lặp lại của các lớp tinh thể khác nhau, với các họ mặt khác nhau được cho
trong bảng dưới đây:
a Khi tất cả các hoán vị của các chỉ số không tạo ra các mặt phẳng tương đương, M phải được giảm đi một nửa.
NATuan-ITIMS-2007
Thừa số lặp lại Mhkl thường sử dụng trong phương pháp bột đối với các
tinh thể có đối xứng lập phương.
hkl Mhkl
h00 6
hhh 8
hh0 12
hhk 24
hk0 24
hkl 48
NATuan-ITIMS-2007
8) Thừa số cấu trúc và sự vắng mặt hệ thống của các cực đại nhiễu xạ
SC (lập phương đơn FCC (lập phương tâm BCC (lập phương
giản) mặt) tâm khối)
h2 + k2 + l2 Tất cả h, k, l hoặc đều là Tổng (h + k + l) chẵn
Bất kỳ tổ hợp nào của
h, k, l chẵn, hoặc đều là lẻ
1 100 - -
2 110 - 110
3 111 111 -
4 200 200 200
5 210 - -
6 211 - 211
7 - - -
8 220 220 220
9 300, 221 - -
10 310 - 310
11 311 311 -
12 222 222 222
NATuan-ITIMS-2007
9) Tổng kết các yếu tố gây nên cường độ nhiễu xạ tương đối (thừa số cấu trúc)
a) Các tác nhân chính – bản chất của tinh thể
1 + cos 2 2θ
- Tán xạ bởi điện tử → Thừa số phân cực: ℘(θ) =
2
sin[4πr (sin θ / λ )]
∞
- Tán xạ bởi nguyên tử → Thừa số tán xạ nguyên tử: f o = ∫ U (r )dr

0
4πr (sin θ / λ )
[
- Tán xạ bởi ô mạng → Thừa số cấu trúc: F(hkl) = (∑ f0,r cosϕr ) + (∑ f0,r sinϕr )
2
]
2 1/ 2
b) Các tác nhân phụ - các yếu tố ảnh hưởng

⎡ B sin 2 θ ⎤
- Thừa số nhiệt độ: T = T 0 exp ⎢−
⎣ λ2 ⎥⎦
1
- Thừa số hấp thụ: ℑ ( hkl ) =
V crystal ∫ e − µ∆t d x d y d z
- Thừa số Lorentz: L(θ) = 1 1 + cos 2 2θ

Thừa số góc: L (θ).℘(θ) =
sin 2θ sin 2θ
- Thừa số lặp lại : Mhkl (phụ thuộc vào kiểu tinh thể và họ mặt hkl)
- Vi hấp thụ: xuất hiện đối với mẫu đa pha. Hệ số hấp thụ thẳng tiêu biểu ở các mẫu này được tính trên cơ
sở các tỷ lệ thành phần pha có ở trong hỗn hợp đa pha. Vi hấp thụ sẽ xuất hiện khi các tinh thể lớn
tương tác ưu tiên với chùm tia gây ra cả hấp thụ dị thường và các cường độ không đại diện cho những tỷ
lệ thành phần cảc các pha này. Để hạn chế ảnh hưởng của vi hấp thụ, cần giảm kích thước các vi tinh
thể ở trong mẫu.
- Sự phân cực đơn sắc: Trên đây đã cho thấy chùm tia nhiễu xạ còn bị phân cựuc một phần bởi quá trình
nhiễu xạ. Vì tinh thể lọc đơn sắc có thể làm biến đổi cường độ nhiễu xạ → số hạng liên quan đến góc
nhiễu xạ của bộ lọc sắc (θm) cần phải được đưa thêm vào để hiệu chỉnh.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.7. CƯỜNG ĐỘ TÍCH PHÂN
• Biểu thức chung của cường độ tích phân
Định nghĩa:
Cường độ bị nhiễu xạ bởi mặt tinh thể (hkl) được gọi là cường độ
tích phân (integrated intensity), hay phản xạ tích phân (integrated
reflection), nghĩa là cường độ nhiễu xạ được lấy tích phân qua
vùng lân cận của cực đại nhiễu xạ.
- Khi đó biểu thức chung của cường độ tích phân có thể biểu diễn như sau: với một
tinh thể nhỏ có thể tích δV quay với vận tốc không đổi ω quanh trục song song với
mặt (hkl) → Năng lượng phản xạ tích phân sẽ tỷ lệ với δV nên có thể viết (với Q là
khả năng phản xạ khối riêng): Q(hkl)δV = E(hkl)ω/I0 (cm2),
trong đó E(hkl) là năng lượng tổng cộng được nhiễu xạ từ một chùm tia có cường
độ I0.
- Năng lượng tổng cộng của bức xạ bị phản xạ bởi một họ các mặt thu được
trong thời gian quay tinh thể chính là cường độ tán xạ bởi tinh thể đã được hiệu
chỉnh Lorentz: ⎛ λ ⎞
Eω = I c ⎜ ⎟
⎝ sin 2θ ⎠
Cướng độ tán xạ bởi tinh thể: I c = I e ( F (hkl ) × N ) × V × T , trong đó |F(hkl)| là tỷ lệ
2
-
giữa biên độ hỗn hợp của sóng tán xạ bởi một ô cơ sở với biên độ của sóng tán xạ
bởi một điện tử, N là số ô đơn vị trong một đơn vị thể tích, V là thể tích của tinh
thể, T là thừa số nhiệt độ.
NATuan-ITIMS-2007
- Như trước đây đã thấy, cường độ tán xạ đo ở khoảng cách R bởi một điện tử là:
⎛ e 4 ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞
I e = I 0 ⎜⎜ 2 4 2 ⎟⎟⎜⎜ ⎟⎟
⎝ m c R ⎠⎝ 2 ⎠
- Nếu lấy R = 1/λ , chính là cầu phản xạ Ewald, ⇒ Năng lượng tổng cộng nhận được
với một vết nhiễu xạ nằm trên chu vi của cầu Ewald sẽ là:
⎛ e4 ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 1
Eω = I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎜
2 ⎟⎜
⎟
⎟ × ( F ( hkl ) × N )2
× V × T ×
⎝ m c (1 / λ ) ⎠⎝ 2 ⎠ sin 2θ
⎛ e 4 N 2 λ3V ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
= I 0 ⎜⎜ 2 4 ⎟⎜
⎟⎜ ⎟
⎟ F ( hkl ) T Thừa số góc: L (θ).℘(θ)
⎝ 2m c ⎠⎝ sin 2θ ⎠
Biểu thức này được viết với giả thiết không có sự ảnh hưởng của các laọi hấp thụ
thông thường cũng như hấp thụ đặc biệt lên các chùm tia nhiễu xạ và sơ cấp ở trong
tinh thể (gây nên các hiệu ứng tắt sơ cấp và thứ cấp). Vì thế nó chỉ áp dụng một cách
lý thuyết cho trường hợp lý tưởng với tinh thể vô cùng nhỏ (để loại trừ hấp thụ).
- Viết lại năng lượng tổng cộng dưới dạng: Eω ⎛ e 4 N 2 λ3V ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
= ⎜⎜ ⎟
2 4 ⎟⎜
⎜ ⎟
⎟ F ( hkl ) T
I 0 ⎝ 2m c ⎠⎝ sin 2θ ⎠
→ Đây là năng lượng tổng cộng tương đối giữa năng lượng được phản xạ bởi họ mặt
(hkl) với năng lượng tới tính trên một đơn vị diện tích của tinh thể và trong một đơn
vị thời gian.
NATuan-ITIMS-2007
- Biểu thức Eω/I0 trên đây chính là Cường độ (hay phản xạ) tích phân, được đo
bằng cách so sánh giữa cường độ phản xạ từ một họ mặt phẳng với cường độ
chùm tia tới. Tuy nhiên việc đo cường độ sơ cấp không thuận tiện về mặt thực
nghiệm, và cũng không cần thiết, nên chỉ sử dụng biểu thức tương đối cho trường
hợp tổng quát.
e 4 N 2 λ3V
- Số hạng 2 4
là một hằng số đối với mỗi thực nghiệm với tinh thể cho trước.
2m c
Cường độ tương đối của tất cả các mặt phản xạ mà song song với trục quay có
dạng: ⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
I hkl ∝ ⎜⎜ ⎟⎟ F (hkl ) T
2 ⎝ sin 2θ ⎠
⎛ e ⎞ I 0λ
2 3
- Nếu đặt K e = ⎜⎜ ⎟
2 ⎟ , là một hằng số đối với một phép thực nghiệm cụ thể,
m c
⎝ e ⎠ 64 π L
ở đây I0 là cường độ chùm tia tới, L là khoảng cách từ mẫu đến detector, (e2/mec2)2
chính là bình phương của bán kính điện tử cổ điển, re, có thể viết cường độ của
vết/peak nhiễu xạ từ một pha α nào đó trong mẫu dạng chữ nhật phẳng đặt trong
một nhiễu xạ kế có các khe lấy chùm tia nhiễu xạ cố định (bỏ qua hấp thụ của
không khí) là:
K e K ( hkl )α vα
I ( hkl )α =
µs
NATuan-ITIMS-2007
ở đây vα là phần thể tích của pha α, µs là hệ số hấp thụ thẳng, còn K(hkl)α cũng là
một hằng số đối với mỗi phản xạ hkl từ cấu trúc tinh thể của pha α.
M 2 ⎛ 1 + cos 2 2θ cos 2 2θ m ⎞
K ( hkl )α = hkl F( hkl )α ⎜⎜ ⎟⎟
Vα2 ⎝ sin θ cos θ
2
⎠ hkl
với Mhkl là thừa số nhân số đối với mặt phản xạ hkl của pha α, Vα là thể tích của ô cơ
sở của pha, θm là góc nhiễu xạ của bộ lọc đơn sắc (là đơn tinh thể) (monochromator),
còn F(hkl)α là thừa số cấu trúc đối với phản xạ hkl của pha α, bao gồm cả các hiệu ứng
tán xạ dị thường và nhiệt độ.
Lưu ý: thừa số trong ngoặc đơn là hỗn hợp của các hiệu chỉnh phân cực và Lorentz,
nên gọi là hiệu chỉnh Phân cực-Lorentz, (Lp)hkl:
⎛ 1 + cos 2 2θ cos 2 2θ m ⎞
( Lp ) hkl = ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ sin θ cos θ
2
⎠ hkl
NATuan-ITIMS-2007
• Tổng kết cường độ tích phân tổng quát:
- Cường độ tán xạ tổng quát:
+ Tổ hợp của hai thành phần: thừa số cấu trúc và thừa số mạng
r 3 ⎛ sin 2 π N s a ⎞
I (s )
= F (s) Z (s) = F (s) ∏ ⎜ ⎟
2 2 2 j j j
Ie (s) ⎜
j =1 ⎝ sin π s j a j
2 ⎟ Hàm giao thoa
⎠
Lưu ý ở đây các cạnh aj (j = 1, 2, 3) chính là các cạnh a, b, c, tương ứng:
a1 = a ; a 2 = b ; a 3 = c
+ Biểu thức chung của cường độ tán xạ thực nghiệm tổng quát có thể viết lại dưới
dạng: 2
2
⎡ e ⎤
∑ Q δ V = L ⋅ P ⋅ g ⋅ ℑV xtl ⋅ M ⋅ ⎢ 2
F ( T ) ⎥
⎣ mc ⎦
Lorentz Phân cực Hình học Truyền qua Thể tích tinh thể Nhân số Thừa số cấu trúc
được chiếu xạ mặt ph/xạ tinh thể ở T oK
- Biểu thức cường độ tán xạ ứng với các phương pháp thực nghiệm nhiễu xạ:
Cường độ tích phân được xét theo các phương pháp thực nghiệm nhiễu xạ khác
nhau sẽ có dạng biểu thức khác nhau, trong đó có những phương pháp làm xuất
hiện các thừa số đặc biệt.
NATuan-ITIMS-2007
- Có nhiều phương pháp để thực nghiệm nhiễu xạ. Tuy nhiên có hai phương pháp
thường được sử dụng trong kỹ thuật nhiễu xạ tia X:
Cường độ tích phân trong phương pháp bột:
re = (e2/mec2) chính là
bán kính điện tử cổ điển.
re2 = 7.94 x 10-30 m2. Thể tích vùng được chiếu bức xạ.
re2 V λ3 ⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
J hkl = I0 ⎜⎜ ⎟⎟ M hkl F (hkl )
64π 2 R 3 Vc2 sin θ sin 2θ ⎝ 2 ⎠
Bán kính của buồng chụp Lorentz Phân cực Thừa Cấu trúc
Debye-Scherrer (khoảng số lặp
cách từ tinh thể đến điểm
Thể tích ô cơ sở.
ghi vết nhiễu xạ).
Cường độ tích phân trong phương pháp quay tinh thể:
Ehklω re2 V λ3 ⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2

Phkl = = 2 2 ⎜⎜ ⎟⎟ M hkl F (hkl )
I0 R0 Vc 2 sin 2θ ⎝ 2 ⎠
NATuan-ITIMS-2007
• Bề rộng của cực đại nhiễu xạ và kích thước của nút mạng nghịch
3 ⎛ sin 2 π N s a ⎞
I (s)
= F (s) G ; G = ∏ ⎜ ⎟
2 j j j
⎜ ⎟ Hàm giao thoa:
j =1 ⎝ sin π s j a j
2
Ie (s) ⎠
- Xét hàm giao thoa G ở lân cận cực đại nhiễu xạ g, nghĩa là xét đến các điểm ở lân
cận với một khoảng rất nhỏ εj nào đó, có vectơ mạng nghịch là g'.
r* r r* r* r*
r = g = ha + kb + lc
r r r r r
r * ' = g' = (h + ε 1 )a * + (k + ε 2 )b * + (l + ε 3 )c *
- Cực đại chính của hàm G có cường độ là Nj2 ở ngay tại điểm giữa của nút mạng
nghịch. Ngoài ra G còn có những cực đại phụ khác có cường độ bằng 4Nj2/(2n+1)2π2
(n là những số nguyên) tại các điểm lân cận nút mạng nghịch có giá trị εj = 1/Nj, 2/Nj,
3/Nj,.... (Nj là số nút theo chiều j).
- Tỷ số giữa cực đại chính và các cực đại phụ

là 4/(2n+1)2π2 khi n =1, 2, 3,... → tỷ số
này tương ứng bằng 4,5%; 1,62%; 0,82%; ... 1/Nj
Nghĩa là các cực đại phụ rất nhỏ so với 2/Nj
cực đại chính. −3 −2 −1 0 1 2 3

Nj Nj Nj Nj Nj Nj
Kích thước mẫu mỏng làm cho các nút mạng nghịch bị kéo dài ra theo hướng mạng
nghịch tương ứng với chiều bị làm mỏng trong không gian thực của mẫu tinh thể:
Chiều làm
mỏng mẫu
tinh thể.
Mạng không gian thực

Nếu có các mặt phản xạ (001) …
… thì các nút mạng nghich sẽ bị kéo dài ra Mạng không gian nghịch
theo hướng [001]* trong mạng nghịch.
Chiều kéo dài của
nút mạng nghịch.
NATuan-ITIMS-2007
Ö Theo 3 chiều không gian nghịch, hàm giao thoa có cực đại với bề rộng cókích thước
là a*/N1, b*/N2, c*/N3. → Tinh thể thực có kích thước là N1a, N2b, N3c.
→ Nút mạng nghịch có kích thước tương ứng là a*/N1, b*/N2, c*/N3.
K/t tinh thể k/t nút mạng nghịch K/t tinh thể k/t nút mạng nghịch
NATuan-ITIMS-2007
SỰ BẢO TOÀN NĂNG LƯỢNG
Có thể chứng minh rằng cường độ tán xạ khi được lấy tích phân qua toàn bộ các giá
trị k là không đổi đối với một khối lượng cho trước, không phụ thuộc vào trạng thái kết
tụ của nó.
- Hãy nhớ lại cường độ tích phân tương đối được biểu diễn qua hàm tự tương
quan P(u), đối với một hệ bất kỳ, ta có:
r
I (k ) r −ikr .ur
= ∫ P(u)e dvur
I I (k )
- Ở đây vi cấu trúc của hệ được hàm chứa trong hàm tự tương quan P(u). Lấy
tích phân cường
r độ tương đối ở trên qua toàn bộ không gian k, ta được:
I (k ) r r −ikr .ur
r r
r r
r
[
∫ I I (k ) dvk = ∫ ∫ P(u)e dvu dvk = ∫ ∫ e dvk P(u)dvur
− ik . u
r ]
- Hãy nhớ lại những lập luận trước đây để đi đến biểu thức (31), ở đó đã chứng tỏ
tích phân của hàm exp có tính chất của hàm Dirac δ. Do đó ở đây ta có:
r r
r r
r ⎧0 ( r ≠ r ' ) r r r
∫e dv k = δ ( u ) = ⎨
− ik . u
r r r (Note : u = r ' - r )
⎩ ∞ ( r = r ')
NATuan-ITIMS-2007
- Vì vậy: r
I (k ) r r r
∫ I I (k ) k ∫
= δ r = P ( 0) = ρ V
2
dv ( u ) P ( u ) dv u e
Ở đây V là thể tích của vật liệu bị bức xạ, ρe là mật độ trung bình của điên tử.
- Biểu thức trên đây cho thấy vế phải là một hằng số. Do đó giá trị của tích phân
phải không phụ thuộc vào cấu trúc. Nói khác đi, biểu thức trên đây thể hiện
tính chất bảo toàn năng lượng của hệ.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.8. ĐO CƯỜNG ĐỘ TÍCH PHÂN
(Tự nghiên cứu về phần nội dung này)
NATuan-ITIMS-2007
2.2.9. XÁC ĐỊNH VỊ TRÍ NGUYÊN TỬ & Vấn đề xác định lệch pha và dấu
của thừa số cấu trúc
NATuan-ITIMS-2007
2.2.10. XÁC ĐỊNG CẤU TRÚC TINH THỂ
Nhớ lại:
Eω ⎛ e 4 N 2 λ3V ⎞⎛ 1 + cos 2 2θ ⎞ 2
- Phương trình phản xạ tích phân: =⎜ ⎟⎟⎜⎜ ⎟⎟ F (hkl ) T
I 0 ⎜⎝ 2m 2 c 4 ⎠⎝ sin 2θ ⎠
có chứa thừa số |F(hkl)| biểu diễn các vị trí của các nguyên tử trong ô cơ sở:
F ( hkl ) = {[∑ f ] [∑ f
2
0 , r cos 2π ( hx r + ky r + lz r ) + 0 , r sin 2π ( hx r + ky r + lz r ) ]}
2
1
2
Phương trình này cho phép tính được những cường độ phản xạ khi biết cấu trúc tinh
thể. Cường độ đo được, sau khi hiệu chỉnh hấp thụ và sự dập tắt, và các thừa số đặc
biệt chỉ xuất hiện từ phương pháp cụ thể dùng để ghi phản xạ, có thể thực hiện tính
toán cấu trúc tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.11. LÝ THUYẾT ĐỘNG LỰC HỌC NHIỄU XẠ
- Các vấn đề về cường độ nhiễu xạ trên đây được xét với tinh thể “thực” và đặc biệt
đã bỏ qua tương tác của sóng tán xạ và sóng tới, và kích thước các đơn tinh thể
không đủ lớn. Vì thế xuất hiện rất nhiều các hiệu chỉnh (các thừa số tán xạ). Đó là
cường độ nhiễu xạ đã được xét trên cơ sở của lý thuyết động học, ở đó bài toán
được xét ở những khía cạnh có tính chất hiện tượng luận hay có tính “kinh nghiệm”.
- Trong trường hợp các đơn tinh thể hoàn hảo, có kích thước đủ lớn, các cường độ
nhiễu xạ đo được và tính toán theo thuyết động học không phù hợp với các số liệu
thực nghiệm, vì khi đó các tương tác giữa bức xạ tới với bức xạ tán xạ, hay các
tương tác với trường tinh thể,… có ảnh hưởng không nhỏ tới cường độ tán xạ.
- Thuyết động lực học nhiễu xạ khảo sát trường sóng trong trường thế tuần hoàn của
mạng tinh thể và kể đến tất cả các hiện tượng tán xạ nhiều lần. Không như thuyết
động học nhiễu xạ, ở đó chỉ mô tả gần đúng vị trí của các cực đại nhiễu xạ
Bragg hay Laue trong không gian nghịch, thuyết động lực học tính cả đến hiện
tượng khúc xạ, hình dạng và kích thước của các vết nhiễu xạ, các hiện tượng dập
tắt và giao thoa. Kết quả là có sự tán sắc của sóng tán xạ bởi bề mặt tinh thể.
⇒ Thuyết động lực học (dynamical theory of diffracton) về cường độ nhiễu xạ là xét
đến bài toán tán xạ khi đưa vào các tương tác hay các hiện tượng kể trên.
NATuan-ITIMS-2007
2.2.12. CƯỜNG ĐỘ TÁN XẠ TIA X Ở CHẤT RẮN VÔ ĐỊNH HÌNH
NATuan-ITIMS-2007

NATuan-ITIMS-2007
2.3.1. MỞ ĐẦU
2.3.2. LÝ THUYẾT CỦA NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ
..) Tán xạ điện tử bởi điện tử

1) Tán xạ điện tử bởi nguyên tử
2) Tán xạ điện tử bởi mạng tinh thể
3) Lý thuyết đơn giản của sự lan truyền sóng điện tử trong tinh thể
4) Lý thuyết hình thức luận của tán xạ đàn hồi trong tinh thể hoàn hảo
2.3.3. THỰC NGHIỆM NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ
1) LEED (Low-Energy Electron Diffraction)

2) HEED (High-Energy Electron Diffraction)
3) TED (Transmission Electron Diffraction)
4) CBED (Convergent Beam Electron Diffraction)
5) EBSD (Electron Backscatter Diffraction)
NATuan-ITIMS-2007
2.3.1. MỞ ĐẦU
- 1924, de Broglie đã đưa ra giả thuyết về tính chất sóng của các hạt vật chất. Năm 1925 lần
đầu tiên Davisson & Germer làm thực nghiệm nhiễu xạ điện tử (ED) trên tinh thể Ni, và năm
1927, G.P. Thomson (con của J.J. Thomson) thực hiện nhiễu xạ e trên các lá KL Au và Al.
⇒ Đã chứng tỏ tính chất sóng của các vi hạt (dựa trên giả thuyết này người ta đã xây dựng lý
thuyết cơ học sóng của cấu trúc nguyên tử, phân tử).
Louis Victor de Broglie

(1892-1987) Clinton Joseph Davisson (left; George Paget Thomson
Nobel Prize in Physics in 1929 1881-1958) and Lester Halbert (1892-1975)
Germer (right; 1896-1971) in 1927 Nobel Prize in Physics
in 1937
Nobel Prize in Physics in 1937
Cùng chia giải

NATuan-ITIMS-2007
Davisson-Germer Experiment 1925 Davisson, C. J., "Are Electrons Waves?"
Franklin Institute Journal 205, 597 (1928)
1 n
= = 0.815 U (volts)
λ (nm) 2d sin θ
NATuan-ITIMS-2007
Thomson Experiments
Thực nghiệm nhiễu xạ điện tử của G.P. Thomson
J.J. Thomson (giải Nobel năm 1906 (1927) trên các lá kim loại mỏng (Au & Al).
về chứng minh tia cathode là hạt e-)
Ống tia cathode của J.J. Thomson
(a) (b)
Ảnh nhiễu xạ điện tử (ED) từ một lá kim loại Au đa
tinh thể mỏng (a) và đơn tinh thể Al (b).
NATuan-ITIMS-2007
Bước sóng ℮
- Bước sóng de Broglie của điện tử được gia tốc dưới điện thế U là: có hiệu chỉnh
h h 12.3 o
1.23 tương đối tính
λ= = = ( Α) hoặc: λ (nm) =
p mv U ( volts) U (volts)
• h = hằng số Planck (6.624 X 10-27 erg/s)

• m = khối lượng của điện tử (9.11 X 10-28 gram = 1/1837 of a proton)
• v = vận tốc của điện tử
→ với U ~ 40 - 60 kV → λ ~ 0.05 Å.
- Ví dụ: Một chùm tia điện tử năng lượng 100 keV có λ = 0.0389 Å, phân giải được
kích thước đến 0.0195 Å.
- Sự khác nhau giữa ED và XRD

1. Thiết diện tán xạ điện tử của nguyên tử khá lớn đối với cả tán xạ đàn hồi và
không đàn hồi làm cho ℮ tương tác với vật chất mạnh hơn nhiều so với tia X.
→ ℮ ít xuyên thấu hơn nhiều so với tia X → ℮ rất dễ bị hấp thụ mạnh trong không khí.
→ Các thao tác để thực nghiệm nhiễu xạ đối với ED, từ việc tạo ra chùm tia điện tử
(tia-℮), bố trí mẫu đến ghi giản đồ nhiễu xạ, đều được thực hiện ở trong buồng
chân không cao.
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Sự xuyên thấu ít và tương tác mạnh của ℮ với nguyên tử và điện tử trong CR →
kỹ thuật ED trở thành gần như là duy nhất để nghiên cứu các hiện tượng liên quan
đến một lượng ít các nguyên tử, như tán xạ trên các “cấu trúc bề mặt” và tán xạ với
các chất khí. Đặc biệt ED thích hợp để nghiên cứu các màng mỏng và các bề mặt
tinh thể rắn. Tuy nhiên ở đây thường phải giải quyết những vấn đề lớn liên quan đến
hiệu ứng hấp thụ và các hiệu ứng bề mặt.
Đối với giản đồ nhiễu xạ tia-℮ truyền qua, mẫu phải rất mỏng, như dạng màng
mỏng hay lá mỏng. Đối với mẫu dày, giản đồ nhiễu xạ phản xạ tia-℮ được ghi bằng
kỹ thuật góc sượt (glancing-angle). → Giản đồ nhiễu xạ được tạo chỉ bởi một lớp
mỏng ở bề mặt mẫu, chỉ từ vài chục đến vài trăm angstrom.
Nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược (BSED) cũng
cung cấp thông tin về tinh thể học của mẫu.
2- Cường độ tán xạ ℮ lớn hơn so với tia X Chùm tia-e
đến mức ngay cả một lớp rất mỏng cũng
cho vết/vạch nhiễu xạ mạnh chỉ trong một Mẫu Màn huỳnh quang
& các vành nhiễu xạ
thời gian rất ngắn.
Kỹ thuật góc sượt
3- Cường độ tán xạ ℮ giảm nhanh hơn nhiều so
với trường hợp nhiễu xạ tia X khi góc 2θ tăng.
Cùng với λ rất ngắn làm cho giản đồ ED bị hạn chế trong vùng góc ~ ±40 (2θ).
NATuan-ITIMS-2007
- Về mặt thực nghiệm, ED đã từng phát triển qua 3 giai đoạn:
+ Giai đoạn đầu: trước khi sáng chế ra TEM, các "buồng nhiễu xạ điện tử" (electron
diffraction cameras) đã được tự làm "bằng tay" (homemade).
Ở giai đoạn này, nhiều nghiên cứu cấu trúc của các lá kim loại, các lớp mạ
điện hóa, các màng mỏng chế tạo bằng kỹ thuật bốc bay trong chân không, các
màng ôxýt ở trên bề mặt kim loại và các lớp bề mặt được đánh bóng.
Electron Diffraction Tube - Welch

Scientific Co. Cat. No. 2639
NATuan-ITIMS-2007
+ Giai đoạn thứ hai: Kỹ thuật ED được tổ hợp và cùng được thực hiện trên các máy
TEM. Điều này cho phép tăng cường tính năng nghiên cứu cấu trúc của các hạt tinh
thể, hoặc các vùng tinh thể có kích thước rất nhỏ và được lựa chọn.
+ Giai đoạn thứ ba: phát triển các kỹ thuật nhiễu xạ điện tử năng lượng thấp (LEED),
còn gọi là nhiễu xạ điện tử chậm, ở đó sử dụng các thiết bị nhiễu xạ đặc biệt với
điện áp làm viẹc chỉ cỡ 100V. Với năng lượng thấp như vậy, ℮ có thể thấm sâu chỉ
vào một đơn lớp nguyên tử, hoặc cỡ như vậy, ở bề mặt mẫu. Thông tin thu nhận
được từ giản đồ LEED cho biết cách sắp xếp các nguyên tử ở bề mặt, mà cách sắp
xếp này thường hoàn toàn khác với cách sắp xếp ở sâu bên trong mẫu.
Ở giai đoạn sau này, nhiều kỹ thuật khác nữa cũng đã được phát triển, như
nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược (BSED), là sự tổ hợp ED với SEM, nhiễu xạ điện tử
chùm tia năng lượng cao phản xạ (RHEED), nhiễu xạ điện tử chùm tia năng lượng
cao truyền qua (RHEED), còn gọi là nhiễu xạ điện tử nhanh, hay kỹ thuật nhiễu xạ
điện tử bằng chùm phần kỳ (CBED),...
NATuan-ITIMS-2007
2.3.2. LÝ THUYẾT CỦA NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ (ED)
1) Tán xạ điện tử bởi nguyên tử
- Khác với tán xạ tia X ở chỗ, sóng bức xạ của điện tử phải thỏa mãn phương trình
Schrödinger:
⎛ 4π 8π 2 m ⎞
∇ Ψ + ⎜⎜ 2 − 2 V ⎟⎟Ψ = 0
2
⎝λ h ⎠
trong đó V là thế tương tác giữa sóng điện tử có bước sóng λ với toàn bộ điện tích
phân bố của nguyên tử.
- Với sóng điện tử là sóng phẳng đến dọc theo trục x, tới một nguyên tử cô lập ở r = 0,
nghiệm có nghiã đối với phương trình trên phải có dạng tiệm cận ở giá trị r lớn:
⎛ 2πix ⎞ 1 ⎡ ⎛ 2πi ⎞ r r ⎤
Ψ = exp⎜ ⎟ + ⎢exp⎜ ⎟ S ⋅ r ⎥ f (φ )
⎝ λ ⎠ r⎣ ⎝ λ ⎠ ⎦
Vectơ tán xạ
Mô tả sóng Mô tả sóng bị tán xạ
S = (s - so)/λ = r*
phẳng không ở góc ø với biên độ f(ø) │S│= S = 2sin(½ø)
bị tán xạ tương quan với biên độ r*= G= ha* + kb* + lc*
của sóng tới. ø = 2θ
NATuan-ITIMS-2007
- Lưu ý: Biên độ tán xạ điện tử f(ø) bởi nguyên tử ở trên đây, như đã biết từ lý thuyết
tổng quát về nhiễu xạ, chính là thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử mà ta đã ký
hiệu là f e(s), hoặc f e(k), khi nhớ lại rằng k = s/λ.
- Các điện tử mang điện tích âm và rất nhạy với điện trường định xứ ở trong nguyên
tử. Vì thế, tương tự như ở trường hợp tán xạ tia X bởi nguyên tử, ta có thể viết:
r r ikr⋅rr
f (k ) = B ∫ V (r )e dvrr '
e
ở đây B là một hằng số, thế V(r) là thế tương tác Coulomb giữa ℮ tới có điện tích
-e với một nguyên tử có điện tích hạt nhân là +Ze và một điện tích phân bố của
nguyên tử ở vị trí r so với tâm nguyên tử lấy làm gốc tọa độ. Tích phân được lấy
trong thể tích nguyên tử.
- Giả thiết mật độ điện tích của nguyên tử có dạng phân bố cầu. Xét ảnh hưởng của
phần tử thể tích vô cùng nhỏ dvr' ở vị trí r' có mật độ điện tích địa phương tổng
cộng là ρc(r') (kể cả điện tích hạt nhân) lên điện tử ở r (hình ở slide
r sau).
ρ (r ' )
→ Thế năng tác động tới chỉ một phần tử thể tích này chính là: rc r dvrr ' .
r −r'
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Vậy thì thế năng do tất cả các phần tử thể tích

dvr'
như vậy trong đám mây điên tử bao quanh hạt
r'
r
nhân nguyên tử, sẽ là: r ρ (r ' )
+Z V (r ) = ∫ rc r dvrr '
atom
r − r'
r
→ từ đó thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử
có dạng:
r rr ⎡
r r r
⎤ r ikr ⋅rr'
ρ c ( r ' ) ik ⋅ r r r e i k ⋅( r - r ' )
f ( k ) = B ∫ ∫ r r e dvr dvr ' = B ∫ ⎢ ∫ r r dvrr ⎥ρ c ( r ' )e dvrr '
e
r − r' ⎢⎣ r − r ' ⎥
atom
144244 3⎦
1 /( πk 2 )
B r ikr ⋅rr'
f ( k ) = 2 ∫ ρ c ( r ' )e dvrr '
e
πk
- Mặt khác, mật độ điện tích ở r' trong nguyên tử có thể biểu diễn dưới dạng:
r r r
ρ c (r ' ) = eZδ (r ' ) − eρ e (r ' )
trong đó số hạng đầu biểu diễn điện tích của hạt nhân ở r' = 0, nghĩa là mật độ điện
tích hạt nhân chỉ tập trung tại tâm hạt nhân, là gốc của nguyên tử, số hạng thứ hai
biểu dẫn mật độ điện tử ở tại r' trong nguyên tử có mật độ địa phương là ρe(r') .
NATuan-ITIMS-2007
- Lưu ý rằng ρc(r') là mật độ điện tích tổng cộng trong nguyên tử, bao gồm cả hạt nhân
còn ρe(r') là mật độ điện tử của đám mây điện tử trong nguyên tử. Khi đó thế tổng cộng
V(r) trên đây có thể biểu diễn dưới dạng tách riêng hai thành phần như sau:
Ze 2 ρ (r ' )
V (r ) = − + e 2 ∫ re r dvrr'
r atom
r − r'
- Sử dụng biễu diễn của ρc(r') trên đây thay vào biểu thức fe(k) ở trên để rút ra được:
⎡ ⎤
Be
πk
[ r rr
r rr
] Be ⎢
πk 1442443
r rr
⎥ Be 1
f e (k ) = 2 Z ∫ δ (r ' )e ik ⋅r' dvrr ' − ρ e (r ' )e ik ⋅r' dvrr ' = 2 ⎢ Z − ∫ ρ c (r ' )e ik ⋅r' dvrr ' ⎥ =
π k
[2
Z − f X
(k ) ]
⎢⎣ X
f (k ) ⎥
⎦
trong đó fx(k) chính là thừa số tán xạ nguyên tử đối với tia X.
- Có thể sử dụng thế tổng cộng V(r) ở trên để giải phương trình Schrödinger, từ đó rút
ra được dạng thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử có dạng như sau:
e2 1
f (φ ) =
e
[Z − f x (φ / 2)] B = π/2mv2
2mv sin (φ / 2)
2 2
- Khi nhớ lại rằng vectơ tán xạ S = (s - so)/λ = r* = ha* + kb* + lc*, │S│= S = 2sin(½ø),
trong đó ø = 2θ, và khi chuyển S sang k = 2πs, với k = 2πsinθ/λ, ta có thể viết lại thừa
số tán xạ nguyên tử như sau:
NATuan-ITIMS-2007
⎛ sin θ ⎞ e2 1 ⎡ X ⎛ sin θ ⎞ ⎤
⎟= −
e
f ⎜ ⎢ Z f ⎜ ⎟⎥
⎝ λ ⎠ 2mv sin (θ ) ⎣ ⎝ λ ⎠⎦
2 2
⇒ Như vậy 1/k2 sẽ là đóng góp chính cho sự phụ thuộc k, hay 1/sin2θ là đóng góp
chính cho sự phụ thuộc θ của biên độ sóng điện tử tán xạ bởi nguyên tử. Hàm f e(k)
giảm đơn điệu theo k.
- Thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử thu được trên đây là kết quả của phép gần
đúng Born thứ nhất [trong chuỗi triển khai Born của hàm sóng tán xạ, chỉ lấy số hạng
bậc nhất có dạng exp(ik·r)]. Đối với các gần đúng bậc cao hơn cho thấy không làm
thay đổi độ lớn của biên độ f e(k), nhưng nó cho thấy sự dịch pha tỷ lệ với số nguyên
tử Z và gần như tỷ lệ thuận với vectơ tán xạ S.
- Hãy nhớ lại kết quả đã thu được trước đây đối với thừa số tán xạ tia X bởi một
nguyên tử đơn như r sau:
sin[4πr(sinθ / λ )]
2πi r r
⎛ S ⎞ r S ⋅r
X ⎛ sinθ ⎞
∞
f ⎜⎜ ⎟⎟ = ∫ ρe (r ) e
X λ
dvrr ⇒ f ⎜ ⎟ = ∫ 4πr ρe (r)
2
dr
λ
⎝ ⎠ atom ⎝ λ ⎠ 0
4π r (sinθ / λ )
- Trong trường hợp điện tử bị tán xạ bởi một đám nguyên tử - phân tử → Biên độ
tán xạ phân tử của điện tử có dạng là tổng các biên độ tán xạ nguyên tử được lấy
trung bình (xấp xỉ) pha do sai khác về vị trí ng.tử: n n sin [2πSrij / λ ]
M c = ∑ ∑ f (e) f (e)
2
i j
i
2πSrij / λ
j
trong đó f(e)i(j) chính là f e(k) ở trên ứng với nguyên tử i hay j cách nhau một khoảng rij.
NATuan-ITIMS-2007
- Trong trường hợp i = j, fi 2 là cường độ tán xạ nguyên tử kết hợp. Những số hạng
như vậy chỉ đóng góp vào làm giảm đơn điệu phông tán xạ nền.
Những thông tin về cấu trúc phân tử đo được từ tán xạ của điện tử là do đóng góp
của các số hạng hỗn hợp với i ≠ j.
- Có 2 hiệu ứng ảnh hưởng chính đến cường độ tán xạ tổng cộng của điện tử:
+ Tán xạ không đàn hồi, ở đó năng lượng của điện tử thay đổi trong suốt quá trình
tán xạ. Đây là tán xạ hoàn toàn không kết hợp, xuất hiện dưới dạng bức xạ
khuếch tán của phông (nền). So với tia X, thiết diện tán xạ này của điện tử gấp
~ 108 lần thiết diện tán xạ của tia X.
+ Hiệu ứng dao động nhiệt làm giảm bớt tán xạ nguyên tử kết hợp: → tương tự
như trong trường hợp nhiễu xạ tia X, biên độ dao động riêng biệt cho mỗi cặp
nguyên tử được đưa vào. ⇒ Tán xạ tổng cộng, bao gồm cả tán xạ không đàn hồi
I(Zi,S): n −
Bi S 2 n n −
Bij S 2
[
sin 2πSrij / λ ]+ n
Mc = ∑ fi (e) 2
+ ∑∑ fi ∑ I (Z , S )
2 2 λ2 (e) (e) 2λ 2
e fj e
2πSrij / λ
i
i i j i
trong đó Bi và Bij tỷ lệ với biên độ căn bậc hai của dao động nhiệt của nguyên tử
thứ i và cặp nguyên tử i-j.
NATuan-ITIMS-2007
2) Tán xạ điện tử bởi mạng tinh thể
- Như trên đây đã thấy hàm sóng ψ mô tả sự lan truyền của sóng điện tử trong không
gian tự do có dạng sóng phẳng exp[2πis·r] trong đó vectơ sóng s mô tả hướng của
chuyển động (hướng tới) và có biên độ │s│= s = 1/λ = (2moeUo)1/2/h, ở đây Uo là thế
gia tốc điện tử.
- Khi sóng điện tử đập lên tinh thể, sự tán xạ đàn hồi (phản xạ Bragg) xảy ra với biên
độ sóng có dạng exp[2πis'·r] xuất hiện theo phương s' (nhưng về độ lớn, s' = s) chứa
thừa số giao thoa A mà có tính đến các hiệu quãng đường liên quan đến sự tán xạ
bởi các nguyên tử khác nhau, và thừa số tán xạ nguyên tử fj của nguyên tử thứ j:
r r r
( − s ' )⋅raj
A= ∑ fj e (e) 2 πi s
r
raj
- Hướng tán xạ s' tạo với hướng tới s một góc ø = 2θ nào đó và phụ thuộc chỉ vào độ
lớn của vectơ tán xạ S = s' - s: │S│ = │s' - s│= 2sinθ/λ.
- Trong một tinh thể hoàn hảo, vị trí của nguyên tử-j trong ô cơ sở thứ-n được xác định
bằng vectơ raj = rn + Rj (rn = n1a + n2b + n3c). Do đó:
NATuan-ITIMS-2007
r r r r r r
A=∑ f j
( e ) − 2πiS ⋅ R j
e ∑e − 2πiS ⋅rn
= F (S )∑ e − 2πiS ⋅rn
j n n
- ở đây ta đã thấy, tương tự như ở trường hợp nhiễu xạ tia X bởi mạng tinh thể, thừa
số F(S) chính là thừa số cấu trúc, của biên độ tán xạ của điện tử bởi mạng tinh thể.
- Hành vi của số hạng giao thoa phụ thuộc vào vectơ tán xạ S = s' - s, một vectơ trong
không gian mạng nghịch.
- Gọi vectơ mạng nghịch cơ sở là G = ha* + kb* + lc*, với h,k,l là những số nguyên,
và chính là các chỉ số Miller của mặt phản xạ Bragg tương ứng vuông góc với G, và
như đã từng thấy, G·rn = số nguyên đối với bất kỳ vectơ ô cơ sở rn nào.
⇒ Tất cả các sóng tán xạ bởi các ô cơ sở khác nhau đều có cùng pha, do đó có biên
độ cực đại nhiễu xạ với biên độ A khi và chỉ khi: S = s' - s = G. Điều đó tương đương
với điều kiện Bragg đã nêu ở trên: λ = 2dsinθ.
- Khi điều kiện Bragg không hoàn toàn chính xác, nghĩa là chỉ lệch khỏi điều kiện chính
xác một lượng nhỏ được biểu diễn bằng vectơ nhỏ δ nào đó trong không gian mạng
nghịch → S = s' - s = G + δ . Vectơ δ biểu thị độ lệch khỏi điều kiện phản xạ Bragg.
NATuan-ITIMS-2007
2θ
s'
s
Cầu Ewald
δ
-G G
- Cường độ nhiễu xạ │A│2 từ một tinh thể hoàn hảo có chiều dày t theo chiều z (là
chiều của chùm tia ℮ tới) và các chiều ngang có kích thước Lx và Ly thu được bằng
cách thay S = s' - s = G + δ vào biểu thức của A ở trên, ta được:
sin 2 (π t δ z ) sin 2 (π L x δ x ) sin (π L y δ y )

2 2
2 F
A =
V c2 (πδ z )2 (πδ x )2 (πδ )y
2
Hàm giao thoa
⇒ Như vậy│A│2 sẽ rất nhỏ trừ phi tδz, Lxδx, và Lyδy có độ lớn rất nhỏ. Nhưng vì Lx
và Ly lớn hơn nhiều so với t nên ta coi như bỏ qua δx và δy so với δz.
→ Để đơn giản, ta đặt δz = δ.
NATuan-ITIMS-2007
- Lưu ý:
+ Trong trường hợp của ED, ở đó các giá trị λ là nhỏ, dẫn đến các góc Bragg rất
nhỏ: θ ≅ λ/2d ≅ 0.01 rad, và cầu Ewald rất lớn (vì λ nhỏ, bán kính cầu là 1/λ).
+ Biên độ tán xạ nguyên tử f (e) suy giảm rất nhanh khi sinθ/λ tăng (ứng với những
góc θ cao). Vì vậy các nút mạng nghịch quan trọng xuất hiện để phản xạ Bragg,
trong trường hợp cho trước, sẽ nằm trên một mặt phẳng của mạng nghịch đi qua
gốc và gần như nằm vuông góc với hướng chùm tia tới. ⇒ Khả năng nhận ra và
xác định chỉ số các vết nhiễu xạ trong các giản đồ nhiễu xạ dạng lưới đan chéo
nhau (cross grating diffraction patterns) là một cách sơ bộ nhưng quan trọng trong
việc giải thích các vi ảnh điện tử của tinh thể.
+ Biểu thức│A│2 trên đây cho thấy một giản đồ nhiễu xạ dạng lưới đan chéo nhau
cho trước sẽ được quan sát thấy qua một khoảng nào đó (~ 5o) của góc tới (giá trị
của δ, và do đó cường độ, mà không phải vị trí, của mỗi vết nhiễu xạ có thể thay
đổi).
+ Trong trường hợp các tinh thể dày hơn, các giản đồ nhiễu xạ quan sát thấy có các
đường được gọi là đường Kikuchi xuất hiện do tán xạ không đàn hồi và khi tinh
thể bị nghiêng đi các đường này dịch chuyển như thể bị gẵn cứng với nó.
NATuan-ITIMS-2007
- Trở lại với các biểu thức về biên độ tán xạ A đã đề cập ở trên cho trường hợp tinh thể
hoàn hảo. Ảnh hưởng của việc tinh thể không hoàn hảo được đặc trưng bằng sự
thay đổi trong thừa số cấu trúc F (VD như do các nguyên tử tạp), hoặc do biến dạng
đàn hồi làm xê dịch ô đơn vị ra khỏi vị trí tinh thể hoàn hảo rn thành rn + R(rn).
r r
Trong trường hợp này, từ A = F (S ) ∑e −2πiS ⋅rn
và S = G + δ, ta có:
n
r r
A = F∑e −2πi (δz +G ⋅ R )
ở đây đã sử dụng G·rn = số nguyên và δ·rn = δz, và đã bỏ qua số hạng δ·R vì là rất
nhỏ: δ << G và R << rn.
⇒ Như vậy sự có mặt của sai hỏng làm xuất hiện sự thay đổi trong giản đồ nhiễu xạ và
điều đó được sử dụng để cung cấp thông tin về bản chất của hàm dịch chuyển R.
- Có thể thấy rằng, nếu hướng của R nằm trong một mặt phẳng, sẽ có những phản xạ
Bragg (từ các mặt phẳng nguyên tử song song với hướng đó) mà không bị ảnh
hưởng của sự không hoàn hảo, thì G·R = 0.
NATuan-ITIMS-2007
3) Lý thuyết đơn giản của sự lan truyền sóng điện tử trong tinh thể
- Nguồn gốc của các hiệu ứng nhiễu xạ được mô tả trên đây được coi như là
sự lan truyền điện tử trong trường thế tinh thể có tính tuần hoàn:
V(r + rn) = V(r)
⇒ Để đảm bảo tính chất đó, thế V(r) có dạng chuỗi Fourier:
r r r
V (r ) = ∑ VG e 2πiG ⋅r
G
trong đó VG là hằng số phụ thuộc vào dạng của thế trong trường hợp cụ thể, và có
tính chất VG = V-G* vì V(r) là số thực.
- Thế V(r) làm cho vectơ sóng điện tử s thay đổi thành sl:
1
{2m0e(E0 + V )} 2
1
sl =
h
⎛ 1 V ⎞ m eV
≅ s⎜⎜1 + ⎟⎟ = s + 02
⎝ 2 E0 ⎠ h s
NATuan-ITIMS-2007
- Khi một sóng phẳng φoexp[2πis·r] chiếu lên một phiến tinh thể mỏng dz, một sự dịch
pha sẽ xuất hiện thêm ở trong phiến tinh thể sao cho sóng ló ra phía sau có dạng:
r dz
r r 2πim0 eV ( r ) 2 s
2πis ⋅r ⎡ rr
2πis ⋅r r dz ⎤
ϕ0e e ≅ ϕ0e
h
⎢1 + 2πim0 eV (r ) h 2 s ⎥
⎣ ⎦
rr
dịch pha rr⎡ ⎛ dz ⎞ 2πi G⋅r ⎤
⎢1 + ⎜ 2πim0 e h 2 s ⎟∑ VG e
2πis ⋅r
≅ ϕ0e ⎥
⎣ ⎝ ⎠ G ⎦
thành phần sóng truyền qua thành phần sóng nhiễu xạ
- Sóng nhiễu xạ ra khỏi phiến tinh thể với vectơ sóng s' và biên độ dφG ở đó:
r r r
r r
2 πi s ' ⋅ r ⎛ dz ⎞ 2πi ( s +G )⋅r
dϕ G e = ⎜ 2πim 0 e 2 s ⎟ϕ 0VG e
⎝ h ⎠
- Như đã quy ước từ trước là phiến tinh thể mỏng theo chiều z và đó cũng là phương
của chùm tia ℮ tới. Khi đó ta có: πi −2πisz phương trình động học
dϕ G = ϕ 0e dz nhiễu xạ cho các tinh thể
ξG hoàn hảo.
trong đó ξG có thứ nguyên chiều dài, gọi là chiều dài tắt (extinction distance), được
xác định là: ξG = h2/2moesVG. Giá trị điển hình của ξG ~ 10 - 100 nm.
NATuan-ITIMS-2007
- Lấy tích phân phương trình động học nhiễu xạ theo toàn bộ chiều dày t của phiến tinh
thể, ta được: πi −πist sin( πst )
ϕ G (t ) = e
ξG πs
2 π 2 sin 2 (πst )
và cường độ nhiễu xạ: ϕ G (t ) = 2
ξ G (πs ) 2 Thừa số giao thoa
Phân tích cường độ nhiễu xạ:
+ Nếu tinh thể có chiều dày là t, các vân chiều dày (thickness fringes) sẽ được
quan sát thấy với khoảng cách ∆t = 1/s.
+ Khi t không đổi, s biến thiên do sự uốn cong địa phương của tinh thể, các đường
viền dập tắt (extinction contours), hay các đường viền cong (bend contours) sẽ
xuất hiện theo quỹ tích các điểm mà ở đó tinh thể ở vị trí phản xạ Bragg.
+ Các đường contour đối xứng theo ±s, và có tâm sáng cực đại nhưng ở bên cạnh
có cực đại phụ với cường độ bị suy giảm đi một lượng không đổi là ∆s = 1/t.
(Các đường contour này thực tế được quan sát thấy ở những tinh thể rất mỏng).
+ Khi chỉ có một phản xạ Bragg là quan trọng, cường độ trong ảnh trường sáng là
bù với cường độ trong ảnh trường tối, nghĩa là: |φo|2 = 1 - |φG|2.
NATuan-ITIMS-2007
- Khi tinh thể không hoàn hảo, những dịch chuyển R do sai hỏng làm cho trường thế ở
điểm r trong tinh thể không hoàn hảo sẽ tương tự như ở điểm r – R(r) trong tinh thể
hoàn hảo: r r r r r
V (r ) = ∑ VG e 2πiG ⋅r −2πiG ⋅ R
e
G
r r
πi −2πi ( sz +G ⋅R )
⇒ dϕ G = ϕ 0e dz
ξG
r r
πi t
−2πi ( sz +G ⋅R )
ϕG = ϕ0 ∫ e dz
ξG 0
2
ϕ G (t ) = 2
2
(
π 2 sin πt s + 1 / ξ G
2 2
)
và cường độ nhiễu xạ:
(
ξG π s 2 + 1 / ξ 2 2
G ) Thừa số giao thoa
Chiều dài tắt

- Công thức cường độ thu được trên đây là kết quả của việc áp dụng lý thuyết động
lực học hai chùm tia (two-beam dinamical theory), ở đó đã giả thiết rằng cả hai
biên độ sóng tới φo và sóng nhiễu xạ φG đều thay đổi theo chiều dày z ở trong tinh
thể, và sự thay đổi của φo là do sóng nhiễu xạ φG → tính đến tương tác giữa hai
chùm tia tới và tán xạ.
NATuan-ITIMS-2007
- Phép gần đúng cột (column approximation).
r r
* Từ biên độ tổng quát đã trình bày khi có sự chuyển R(r): A = F∑e −2πi (δz +G ⋅ R )
|φo|2 + |φG|2 = constant
- Lý thuyết động lực học n-chùm tia
G2ξG/s >> 1
- Phép gần đúng cách tử pha (phase grating approximation).
r r ⎛ 2πim e ⎞
t
Ψ ( x, y, t ) = ϕ 0 exp(2πis ⋅ r ) exp⎜ 2
0
s ⎟ ∫ V ( x , y , z ) dz
⎝ h ⎠0
⇒ G2t/2s << 1
NATuan-ITIMS-2007
4) Lý thuyết hình thức luận của tán xạ đàn hồi trong tinh thể hoàn hảo
- Phương trình Schrödinger:
r 8π 2 me r r
∇ Ψ (r ) +
2
[E + V ( r ) ]Ψ ( r )=0
h2
trong đó E và m là năng lượng và khối lượng điện tử trong trường thế của trường tinh
thể hoàn hảo. Các điện tử có tính tương đối, nên có quan hệ với năng lượng được
gia tốc bởi thế E0 và khối lượng tĩnh m0 của điện tử:
eE 0
1+
m0 ⎛ eE 0 ⎞ 2m0 c 2
m= = m 0 ⎜⎜ 1 + ⎟
2 ⎟
; E = E0
v2 ⎝ m0 c ⎠ eE 0
1− 2 1+
c m0 c 2
eE 0
1+ Thành phần pha
r 2 m0 c 2
- Biên độ của vectơ sóng: s = s = λ −1 = 2 m 0 eE 0 Thành phần biên độ
h
2
r r r
h r r
- Hàm thế được biểu diễn dưới dạng chuỗi Fourier: V (r ) = ∑ ∑
2πiG ⋅r 2πiG ⋅r
VGr e = U Gr e
G
r
2me Gr
với UG là hằng số, có liên quan tới thừa số tán xạ điện tử fj của nguyên tử thứ-j trong
ô cơ sở (ở điều kiện sinθ/λ = G/2): m e−M G l r r Tìm nghiệm của
∑f
− 2πiG ⋅ ρ j
Thừa số nhiệt độ Debye- UG = (sin θ / λ )e phương trình
m0 πVc
j
Waller: UG giảm nhẹ theo T j =1 Schrödinger
UG tăng theo E vì m/m0
NATuan-ITIMS-2007
- Nghiệm của phương trình Schrödinger được tìm dưới dạng tổ hợp tuyến tính của
các sóng phẳng kiểu như các phản xạ Bragg:
r r r r r
Ψ ( r ) = b( r ) = ∑
r
CGr e 2πi ( k + G )⋅r
Thành phần pha
G
Thành phần biên độ
Hàm này có dạng của hàm Block của sóng phẳng dạng exp[2πik·r] được nhân với
một hàm tuần hoàn.
Vì vậy có thể đi đến hệ phương trình của các biên độ sóng tán xạ CG như sau:
[ r r2
( )]
K − k + G CGr + ∑
2
r
UGr 'CGr −Gr ' = 0
G'≠0
trong đó K2 = s2 + U0 là hằng số, phụ thuộc chủ yếu vào năng lượng của điện tử.
→ Giải hệ phương trình trên đây để thu được biên độ tán xạ điện tử bởi mạng tinh thể.
- Hệ phương trình trên gồm có N phương trình, với N tùy thuộc vào số nút mạng nghịch
hoặc số chùm tia được khảo sát, thiết lập lên các phương trình cơ sở của lý thuyết
động lực học.
- Nếu sử dụng phép gần đúng 2-chùm tia, ở đó chỉ khảo sát biên độ sóng C0 và CG. →
(K2 – k2)C0 + U-GCG = 0 ; UGC0 + [K2 – (k + G)2]CG = 0
NATuan-ITIMS-2007
- Để có nghiệm không tầm thường, ta phải có:

r2
( )( )
K −k
2
U −G r2 2 r r 2 2
r r = K 2
− k K − ( k + G ) − U G =0
UG K 2 − (k + G ) 2
NATuan-ITIMS-2007
2.3.3. THỰC NGHIỆM NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ
MỞ ĐẦU:
- Để thực hiện phép ED, chùm tia ℮ được tạo ra từ hệ súng điện tử, sau khi hội tụ
(bằng trường tĩnh điện hay tĩnh từ), được chiếu lên mẫu tinh thể. Các tia nhiễu xạ,
tạo thành giản đồ nhiễu xạ ℮, được ghi nhận bằng: phim ảnh, màn huỳnh quang,
camera CCD.
⇒ Như vậy, nói chung thiết bị ED chỉ gồm có 3 bộ phận chính:

Nguồn (súng) ℮ - hệ thống thấu kính chùm tia ℮ - detector/màn hiển thị.
- Nguồn điện tử
- Hệ thống thấu kính (từ hoặc tĩnh điện)
NATuan-ITIMS-2007
CÁC LOẠI NHIỄU XẠ ĐIỆN TỬ:
Tùy theo năng lượng của chùm tia ℮, E = eV, có các loại nhiễu xạ ED tương ứng
như sau:
+ Nhiễu xạ điện tử năng lượng thấp, LEED: 5 - 500 eV; → λ ~ 5 - 0.5 Å.
+ Nhiễu xạ điện tử năng lượng trung bình, MEED: 0.5-5 keV; → λ ~ 0.5 - 0.2 Å.
+ Nhiễu xạ điện tử năng lượng cao, RHEED: 5 - 500 keV. → λ ~ 0.2 - 0.02 Å.
Các điện tử có năng lượng khi

tương tác với nguyên tử sẽ bị
tán xạ (đàn hồi hoặc không
đàn hồi), hay tán xạ ngược.
NATuan-ITIMS-2007
- Điện tử có điện tích, có khối lượng rất nhỏ, độ thấm sâu vào CR bị hạn chế:
→ LEED, MEED và RHEED là các kỹ thuật chủ yếu dùng cho phân tích bề mặt.
Lưu ý: trong ED, sự tán xạ nhiều lần rất quan trọng, không thể bỏ qua.
- Kỹ thuật nhiễu xạ điện tử truyền qua (transmission electron diffraction, TED),

thường được thực hiện kết hợp trong kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM), chỉ giới
hạn sử dụng đối với mẫu có chiều dày nhỏ hơn 1 mm.
- Trong kỹ thuật TED, khi chiếu chùm tia ℮ được kỳ thành hình nón và chiếu lên mẫu
tinh thể mỏng → thực hiện ED đồng thời dưới các góc tới khác nhau → kỹ thuật
CBED (Convergent Beam Electron Diffraction) → bộc lộ đối xứng tinh thể 3 chiều.
- Ngoài ra còn có kỹ thuật nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược (EBSD), thường kết hợp
với kính hiển vi điện tử truyền qua (SEM).
- ED cũng là một kỹ thuật rất hữu ích trong việc nghiên cấu trúc trật tự gần của CR
VĐH và cấu trúc hình học của các phân tử tự do của các chất khí.
NATuan-ITIMS-2007
- LEED chủ yếu được sử dụng để nghiên cứu cấu trúc của các bề mặt đơn tinh thể
và các quá trình ở trên các bề mặt có liên quan đến tính tuần hoàn ngang của
những bề mặt đó (cấu trúc mạng tuần hoàn theo 2 chiều bề mặt).
- Cường độ các vết nhiễu xạ được đo như là hàm của năng lượng của chùm tia tới,
để thu được đường đặc trưng LEED I-V, hay I(V) [hoặc I(E)] → Cung cấp thông tin
về vị trí nguyên tử ở trong lớp bề mặt tinh thể.
- Phân tích chi tiết phân bố cường độ của một vết nhiễu xạ đơn cung cấp thông tin về
sai hỏng ở trên bề mặt, như mật độ bậc, kích thước các đảo.
- Tổ hợp kỹ thuật LEED với phổ kế điện tử Auger (Auger electron spectroscopy, AES)
và với các phép đo công thoát bề mặt mẫu, là một công cụ cực kỳ mạnh để nghiên
cứu quá trình hấp thụ nguyên tử trên bề mặt CR.
- Kết hợp LEED với các kỹ thuật phụ trợ khác như phổ kế tán xạ ion (ion scattering
spectroscopy, ISS), phổ kế tổn hao năng lượng điện tử (electron energy loss
spectroscopy, EELS), hay phổ quang điện tử (photoelectron spectroscopy, PES) làm
tăng khả năng lý giải các kết quả của LEED.
NATuan-ITIMS-2007
1) LEED (Low-energy electron diffraction)
- Trong kỹ thuật LEED (được thực hiện lần đầu tiên bởi Davisson & Germer vào năm
1927), một chùm tia ℮ đơn sắc, gần như song song có kích thước (đường kính) ~
0.1 - 1.0 mm, đập lên bề mặt mẫu đơn tinh thể theo hướng vuông góc. → Các tia
điện tử tán xạ ngược đàn hồi, có hướng xuyên tâm, được tách/lọc ra khỏi các điện
tử khác bằng bộ phân tích năng lượng trường hãm, là hệ thống 4 điện cực lưới và
chiếu lên màn hiển thị dạng bán cầu, mà tâm là nơi đặt mẫu.
Sơ đồ cấu tạo của hệ nhiễu xạ LEED bốn - Lưới 1 nối đất, cùng thế
điện cực lưới (Theo M.A. Van Hove, 1986) 0V với mẫu, để tạo ra vùng
U0 ~ 6 kV không có thế giữa mẫu và
lưới 1 → hạn chế tối thiểu
sự lệch tĩnh điện của các ℮
Súng điện tử
Chùm tia tới
nhiễu xạ.
Mẫu
- Lưới 2 và 3 có thế âm –
Tia nhiễu xạ (U0 – ∆U), gọi là lưới triệt,
Màn huỳnh quang có tác dụng chỉ cho những
Lưới 1 điện tử có năng lượng hẹp
Lưới triệt
Lưới 2 e∆U của các ℮ tán xạ đàn
Lưới 3 hồi đi qua và tới màn ảnh.
Lưới 4
NATuan-ITIMS-2007
- Điện cực lưới thứ 4 cũng thường được nối đất với thế bằng 0 V, để giảm sự thâm
nhập điện trường của các lưới triệt do cao thế của màn huỳnh quang, làm thấy
được các vết nhiễu xạ.
- Màn hùynh quang trong suốt nên có thể quan sát được các vết nhiễu xạ từ phía
sau (màn ảnh) mà không thấy bóng của mẫu, nhưng bị súng điện tử (có đ/kính <
15 mm) gây trở ngại. Vùng ảnh quan sát được hoàn toàn có đường kính rộng ~
140 mm.
- Tính đối xứng của giản đồ LEED nhận được phản ánh tính đối xứng của cách sắp
xếp các nguyên tử ở bề mặt mẫu tinh thể.
- Cường độ của vết nhiễu xạ, là hàm của năng lượng, xác định chính xác cách sắp
xếp nguyên tử ở trong ô cơ sở.
- Ngày nay ít sử dụng màn huỳnh quang, phim ảnh để ghi nhận giản đồ nhiễu xạ
LEED. Thay vào đó người ta sử dụng màn CCD, đặc biệt sử dụng các thiết bị hay
detector phân tích profile vết nhiễu xạ đơn lẻ (SPA-LEED) để đo sự phân bố cường
độ của các vết nhiễu xạ LEED.
NATuan-ITIMS-2007
Mẫu tinh thể Màn huỳnh quang
Lối ra của
chùm tia ℮ Các lưới triệt
Súng điện tử
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ nguyên lý của một hệ SPA LEED Tinh thể
Màn hùynh Thấu kính

quang tĩnh điện
phía tinh
Các vết Các phiến
thể
nhiễu xạ điện cực
Các phiến phía tinh
Súng điện tử điện cực thể
phía màn
hình
Bộ phân tích
Các thấu kính tĩnh điện
kênh điện tử
(detector)
dạng 8 phiến điện cực
dùng để điều khiển góc
của chùm ℮ đi đến
detector điện tử.
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ cấu tạo của SPA LEED (Spot Profile Analysis)
(Picture from: Henzler,Göpel, Oberflächenphysik

des Festkörpers, Teubner Stuttgart 1994).
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Sơ đồ của buồng chân không siêu cao (UHV) để sử dụng các phép đo LEED và AES
NATuan-ITIMS-2007
* Phân tích LEED
- Thông tin thu nhận được từ LEED: có thể nhận được 2 loại thông tin trực tiếp từ
giản đồ nhiễu xạ LEED. Đó là:
+ Vị trí của các vết nhiễu xạ: cung cấp thông tin về tính tuần hoàn, tính đối xứng,
tính trật tự tầm trung của bề mặt tinh thể.
+ Cường độ các vết nhiễu xạ: xác định mức độ hoàn hảo của sự sắp xếp các
nguyên tử bề mặt (phân tích giống như sử dụng nhiễu xạ tia X trong tinh thể học).
Cụ thể là thông tin về vị trí và tính đồng nhất của tất cả các nguyên tử có ở
trong ô cơ sở của lớp tinh thể bề mặt.
LEED spot profile

(được đo bằng kỹ
thuật SPA-LEED
với các độ phân
giải khác nhau)
Giản đồ LEED
NATuan-ITIMS-2007
- Mô tả cấu trúc tinh thể học của bề mặt: Do điện tử không thấm đủ sâu vào khối
tinh thể để có đủ thông tin về tính tuần hoàn 3D, nên các giản đồ LEED được
xác định bởi tính tuần hoàn bề mặt 2D.
+ Tính tuần hoàn 2D của bề mặt tinh thể nhiễu xạ được mô tả bằng 2 vector mạng
nghịch a* và b* song song với bề mặt tinh thể được chiếu chùm tia ℮.
→ Một nút mạng của bề mặt được biểu diễn bởi vector mạng: R = ma + nb.
+ Điều kiện Laue hay Bragg 2D để từ đó xác định các vector mạng nghịch trong
trường hợp này là:
a · a* = b · b* = 2π → a // a* ; b // b*
a · b* = b · a* = 0 → a ┴ b*; b ┴ a*
(|a*| = 2π / |a|; |b*| = 2π / |b|)
⇒ Như vậy các vector mạng nghịch a* và b* cũng song song với bề mặt tinh thể, và
xác định giản đồ LEED trong không gian vector sóng.
+ Mỗi vết nhiễu xạ trên giản đồ LEED được xác định bởi các vector mạng nghịch
a* và b* như sau:
G(m,n) = ha* + kb*.
NATuan-ITIMS-2007
- Khái niệm của ô cơ sở bề mặt:
+ Ô cơ sở là ô đơn giản nhất lặp lại một cách tuần hoàn mà có thể lấp đầy một
cách đồng nhất trong một dãy được sắp xếp theo một trật tự nào đó (ordered
array). Dãy ở đây là sự sắp xếp trật tự của các nguyên tử bề mặt. ⇒ Bằng cách
tịnh tíên ô cơ sở, có thể xây dựng được toàn bộ cấu trúc của dãy.
VÍ DỤ
Bề mặt fcc(100)
b a
Lưu ý: Các hình ở
đây mô tả các a
a
nguyên tử bề mặt
được nhìn từ trên
xuống (top-view) (a) (b)
Bề mặt fcc(100) có đ/x quay bậc-4 (đ/x hình vuông).
Có thể có 2 lựa chọn ô cơ sở trong trường hợp này.
+ Thường lựa chọn ô cơ sở sao cho b ngược chiều kim đồng hồ đối với a như
trong trường hợp ở hình (b). Bề mặt fcc(100), ô cơ sở thoả mãn: |a| = |b| và a ┴ b.
+ Lưu ý: Chiều dài của các vector a và b liên quan đến hằng số mạng a của ô cơ
sở khối (hình vuông mầu hồng) bởi hệ thức: |a| = |b| = a/√2.
NATuan-ITIMS-2007
+ Khi mạng tinh thể khối có cấu trúc kiểu fcc và bề mặt thực hiện nhiễu xạ song
song với mặt (110), ô cơ sở là hình chữ nhật có tính chất: |a| < |b| và a ┴ b.
VÍ DỤ b
Bề mặt fcc(110) a
Trong trường hợp này, bề mặt fcc(110) có đ/x quay bậc-2

và ô cơ sở có dạng hình chữ nhật được chỉ ra trong hình.
NATuan-ITIMS-2007
+ Với trường hợp bề mặt thực hiện nhiễu xạ song song với mặt (111), ô cơ sở là
một hình thoi có tính chất: |a| = |b| và a⌃b ≠ 90o
+ Cũng có 2 lựa chọn ô cơ sở trong trường hợp bề mặt là fcc(111): ứng với a⌃b
< 90o và a⌃b > 90o
VÍ DỤ b
Bề mặt fcc(111)
a
b
a
Trong trường hợp này, bề mặt fcc(111) có thể có

đ/x quay bậc-3 hay bậc-6, và ô cơ sở có dạng hình
thoi được chỉ ra trong hình. Thường ô cơ sở được
chọn với a⌃b = 120o
NATuan-ITIMS-2007
- Các cấu trúc của các lớp lắng đọng bên trên bề mặt:
+ Nếu có các nguyên tử hay phân tử được hấp thụ trên một bề mặt có cấu trúc và
tính đối xứng xác định, cũng có thể sử dụng những ý tưởng mô tả về cấu trúc
tinh thể bề mặt trên đây để xác định cấu trúc và tính trật tự của các nguyên tử
hay phân tử hấp thụ này.
+ Ô cơ sở của chất hấp thụ bề mặt cũng được xác định bởi 2 vector, để phân biệt
với ô cơ sở của bề mặt đế, ở đây ký hiệu là b1 và b2.
+ Thường chọn b2 đi ngược chiều kim đồng hồ từ b1; và b1 song song với a (của
bề mặt đế) còn b2 song song với b (của bề mặt đế) .
- Các ký hiệu mô tả cấu trúc của sự lắng đọng trên bề mặt:
Có 2 kiểu ký hiệu thường được sử dụng:
+ Ký hiệu Woods
+ Ký hiệu “ma trận”
Lưu ý: Ký hiệu Woods là đơn giản nhất và thường hay được sử dụng nhất, nhưng
chỉ đối với trường hợp khi 2 ô cơ sở của chất hấp thụ và của bề mặt đế có cùng
tính đối xứng hoặc có tính đối xứng rất gần nhau (đặc biệt hơn là phải có góc giữa
các vector cơ sở của chất hấp thụ bằng góc giữa các vector cơ sở của bề mặt đế:
b1⌃b2 = a⌃b).
NATuan-ITIMS-2007
+ Ký hiệu Woods: Ký hiệu đầy đủ là: X{hkl} (m×n)Røo – A
- Ký hiệu Woods bao hàm 2 ý nghĩa:
* Trước hết, nó bao hàm về độ dài của hai vector cơ sở của chất hấp thụ b1 và b2
ở trong hai vector cơ sở của bề mặt đế, a và b.
* Tiếp theo nó biểu diễn góc mà các vector cơ sở của chất hấp thụ trên bề mặt bị
quay đi so với ở các vector ở lớp bề mặt đế.
- Trong ký hiệu Woods đầy đủ, X và A là ký hiệu tương ứng cho đế và chất hấp thụ
trên đế đó, {hkl} là chỉ số Miller của mặt phẳng bề mặt đế.
Ký hiệu (m×n)Røo xác định quan hệ tỷ số về độ dài của các trục cơ sở a và b của
đế với các trục cơ sở b1 và b2 của chất hấp thụ trên bề mặt đế mà ý nghĩa đầu tiên
trên đây đã đề cập đến: (m×n) = (|b1|/|a| × |b2|/|b|) → m = |b1|/|a|; n = |b2|/|b|.
- Thường cách ký hiệu Woods hay được dùng dưới dạng đơn giản là (m×n)Røo
- Một số ví dụ về kiểu ký hiệu Woods:
* (2 x 2)R0o; trong đó (2 x 2) có nghĩa là |b1| = 2|a| và |b2| = 2|b| (ô cơ sở chất hấp
thụ lớn gấp 2 lần ô cơ sở bề mặt đế và hướng các vector cơ sở tương ứng vẫn
là song song với nhau, không bị quay lệch đi).
* (√2 x √2)R45o; trong đó (√2 x √2) có nghĩa là ô cơ sở của chất hấp thụ với các
trục b1 và b2 chính là đường chéo của ô cơ sở của bề mặt đế. Đồng thời góc của
bộ các vector cơ sở này lệch đi một góc 45o.
NATuan-ITIMS-2007
+ Lưu ý:
- Kiểu ký hiệu Woods, ngoài việc được sử dụng để ký hiệu cấu trúc của
các lớp nguyên tử được hấp thụ ở trên một bề mặt nào đó (như đã đề
cập ở trên), nó còn được dùng để mô tả cấu trúc của bản thân lớp bề
mặt khi nghiên cứu cấu trúc tinh thể của bề mặt đó bằng nhiễu xạ điện
tử năng lượng thấp,LEED, nghĩa là không phải nghiên cứu lớp chất
được hấp thụ trên bề mặt đó.
⇒ Khi đó kiểu ký hiệu Woods thể hiện tỷ số các chiều dài của các trục
a và b ở trong lớp bề mặt với các chiều dài của chúng ở trong khối, và
mức độ quay góc giữa các vécter cơ sở ở trên bề mặt và ở trong khối.
Nghĩa là LEED cho phép nghiên cứu mức độ sai lệc của cấu trúc ở bề
mặt so với ở trong khối vật liệu.
NATuan-ITIMS-2007
- Một số kiểu sắp xếp các nguyên tử chất hấp thụ trên các bề mặt đế có cấu trúc
lập phương:
Bề mặt đế fcc(100)
-Substrate : fcc(100)
- Substrate unit cell
- Substrate : fcc(100)
- Adsorbate unit cell
- Adsorbate atoms
- Adsorbate atoms Một kiểu liên kết bề mặt khác có cùng cấu
Ô cơ sở của bề mặt đế có cấu trúc fcc(100) và hình ( 2 x 2 ) ở trên đế có cấu trúc fcc(100):
các ng.tử của chất hấp thụ liên kết ngay trên các ng.tử hấp thụ nằm ở những chỗ trũng
đỉnh (on-top) với từng ng.tử bề mặt đế theo bậc-4 (four-fold hollows) của các ng.tử bề
cấu hình ( 2 x 2 ). mặt đế.
NATuan-ITIMS-2007
- Ghi chú: Trên đây cả hai cấu trúc sắp xếp với cấu hình (2 x 2) được gọi là cấu hình
nguyên thuỷ [primitive (2 x 2), hay p(2 x 2)]. Nghĩa là các ô cơ sở thực sự là những ô
đơn giản nhất có thể dùng để mô tả cấu trúc của chất hấp thụ bề mặt, và chỉ chứa
một “đơn vị” lặp lại.
Lưu ý: chữ p được sử dụng ở đây, hoặc có thể không sử dụng, với ngụ ý đó là cấu
hình (hai – hai) nguyên thuỷ để phân biệt với
các cấu hình (hai – hai) khác).
- Cấu hình (2x2) như trên cũng được tìm thấy

ở cách sắp xếp của các nguyên tử hấp thụ
trên bề mặt đế có cấu trúc fcc(110).
Tuy nhiên, trong trường hợp này các ng.tử hấp

thụ lại xuất hiện dưới một hình thức bên ngoài
hoàn toàn khác với trường hợp hấp thụ trên bề
mặt có cấu trúc fcc(100) như ở trên đây.
Trong trường hợp đế fcc(110), ô cơ sở của chất hấp thụ lớn
gấp 2 lần ô cơ sở của bề mặt đế theo cả 2 chiều, nhưng vẫn
duy trì dạng chữ nhật có tỷ số (1:√2) và không bị xoay đi. - Adsorbate atoms
NATuan-ITIMS-2007
- Một cách sắp xếp khác cũng theo cấu hình (2 x 2) của các nguyên tử chất hấp thụ
lên bề mặt đế có cấu trúc fcc(111), cũng thường xảy ra như mô tả ở hình dưới đây.
- Trong trường hợp này ô cơ sở của chất hấp thụ cũng có tính đối xứng như của ô
cơ sở của bề mặt đế, nhưng có độ dài gấp đôi theo cả 2 chiều (diện tích gấp 4 lần)
và không có sự quay góc giữa hai ô cơ sở này.
- Ô cơ sở, cả của bề mặt đế và chất hấp

thụ, đều cùng có trục đối xứng bậc-3.
- Ở đây các nguyên tử của chất hấp thụ

nằm ngay trên đỉnh của các nguyên tử bề
mặt, nhưng theo kiểu cách một.
- Adsorbate atoms
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ sau đây cho thấy một cấu trúc bề mặt kiểu khác có quan hệ gần gũi với cấu
hình kiểu (2 x 2) khi các nguyên tử được hấp thụ trên một bề mặt có cấu trúc fcc(100).
Khác là ở chỗ có thêm một nguyên tử ở tâm của ô cơ sở của chất hấp thụ có cấu
hình (2 x 2).
- Ở đây, nguyên tử ở tâm ô cơ sở của chất
hấp thụ tương đương về mặt tinh thể học với
các nguyên tử ở các đỉnh của ô này (nghĩa là
không phân biệt bởi chính các toạ độ với đế
ở bên dưới, hay bất kỳ đặc trưng cấu trúc
nào khác). Vì vậy đây không còn là một cấu
trúc p(2 x 2) nữa.
- Trong trường hợp này, người ta có thể phân

loại chúng theo 2 cách:
- Substrate : fcc(100) *) Biểu diễn là: centred (2 x 2) hay c(2 x 2),
- Adsorbate unit cell nhưng vậy ta đã sử dụng một ô cơ sở
- Adsorbate atoms không nguyên thuỷ, chứa 2 đơn vị lặp lại.
c(2 x 2) **) Biểu diễn là: (√2 x √2)R450, và như vậy đã
(√2 x √2)R450 sử dụng một ô cơ sở nguyên thuỷ thực sự.
NATuan-ITIMS-2007
- Trong cách ký hiệu Woods như (√2 x √2)R450, có nghĩa là ô cơ sở của chất hấp
thụ lớn gấp √2 lần ô cơ sở của đế theo mỗi chiều trên bề mặt, đồng thời cũng bị
xoay đi một góc 45o trong mặt phẳng bề mặt so với ô cơ sở của đế.
- Lưu ý: Nếu nguyên tử “ở tâm” không tương đương về mặt tinh thể học thì cấu trúc
vẫn là một ô cơ sở nguyên thuỷ p(2 x 2), nhưng khi đó có một cơ sở (basic) với 2
nguyên tử hấp thụ có mặt trong một ô đơn vị.
- Có thể sử dụng một cách mô tả ô cơ sở có tâm đối với một cấu trúc mà ô cơ sở
nguyên thuỷ không thể được mô tả bằng ký hiệu Woods thông thường.
Ví dụ: cấu trúc kiểu c(2 x 2) trên bề mặt đế fcc(110):
Substrate : fcc(110)
c( 2 x 2 )
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ sau đây minh hoạ một cấu trúc của các nguyên tử lắng đọng được quan sát
thấy rất phổ biến lên bề mặt đế có cấu trúc fcc(111) mà có thể được mô tả một cách
dễ dàng bằng ký hiệu Woods:
Hãy tự xác định ô đơn vị của

chất hấp thụ.
(√3 x √3)R30o
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ sau đây minh hoạ một cấu trúc của các nguyên tử lắng đọng được quan sát
thấy rất phổ biến lên bề mặt đế có cấu trúc fcc(111) mà có thể được mô tả một cách
dễ dàng bằng ký hiệu Woods:
Ô đơn vị của chất hấp thụ trong

trường hợp này được xác định
như sau:
Kéo dài ô đơn vị của đế ra một

đoạn tương ứng bằng √3 lần (1.732),
sau đó quay đi một góc 30o.
(√3 x √3)R30o
NATuan-ITIMS-2007
+ Ký hiệu “ma trận”: Đây là cách ký hiệu phổ biến hơn cách ký hiệu Woods. Nó sử
dụng được cho tất cả các kiểu xếp chồng có trật tự của các nguyên tử trên một
bề mặt của đế tinh thể.
- Cách ký hiệu này sử dụng một ma trận đơn giản để biểu thị quan hệ giữa
hai vector b1 và b2 của ô cơ sở chất hấp thụ với hai vector a và b của ô cơ sở
của bề mặt đế:
b1 a
b2 b
M
(Lưu ý: các phần tử ma trận cột là các vector, còn các phần tử ma trận M
là các số biểu diễn tỷ lệ giữa các vector cơ sở)
⇒ Ứng với ký hiệu Woods trên đây, (m×n) được chuyển thành dạng giống như ký
hiệu ma trận. Ví dụ, dạng ký hiệu Woods (2 x 2)R0o; được chuyển thành dạng
⎛2 0⎞
“ma trận” ⎜⎜ ⎟⎟ ; dạng ký hiệu (√2 x √2)R45o được chuyển thành dạng “ma
0 2⎠
⎛ 1 1⎞ ⎝
trận” ⎜⎜ ⎟⎟ (xem các ví dụ sau đây).
⎝ − 1 1 ⎠
NATuan-ITIMS-2007
Substrate : fcc (100)
(2 x 2) overlayer
- Đối với cấu trúc (2 x 2), ta có:
b1 a b
b2 a b
b2
Substrate : fcc (100)
c(2 x 2) overlayer
b
a b1
b2 b1
b
- Đối với cấu trúc c(2 x 2), ta có:
b1 a b
a
b2 a b
NATuan-ITIMS-2007
Tóm lại
Các cấu trúc bề mặt có trật tự có thể được mô tả bằng cách xác
định ô đơn vị của chất hấp thụ trong mối quan hệ với ô đơn vị
của đế ở bên dưới bằng:
1) Ký hiệu Wood: trong đó các độ dài của b1 và b2 được xác định một cách
đơn giản bởi một nhân số của a và b tương ứng, và điều đó còn được kéo
theo bởi góc quay của b1 ra khỏi a (nếu góc quay đó khác zero).
2) Ký hiệu Matrix: trong đó b1 và b2 được xác định một cách phụ thuộc như là
tổ hợp tuyến tính của a và b và quan hệ này được biểu diễn dưới dạng một
ma trận.
NATuan-ITIMS-2007
- Tiên đoán/giải thích các giản đồ LEED
+ Tương tự như đ/v các ảnh nhiễu xạ Laue, các giản đồ nhiễu xạ LEED cũng là
phép biến đổi Fourier của KG mạng thuận của tinh thể bề mặt được nhiễu xạ.
Nói cách khác, giản đồ LEED chính là ảnh Fourier của KG mạng tinh thể. Vì vậy
trật tự ở các ảnh nhiễu xạ LEED phản ánh tính trật tự của lớp tinh thể bề mặt gây
ra sự nhiễu xạ điện tử.
Sự tương ứng giữa cấu trúc

(cách sắp xếp và tính tuần
hoàn) của các nguyên tử bề
mặt và dạng giản đồ LEED
tương ứng quan sát thấy.
+ Cần chú ý rằng khoảng cách giữa các vết nhiễu xạ (trong KG mạng nghịch) luôn
tỷ lệ nghịch với khoảng cách tương ứng giữa các nguyên tử trong KG mạng thuận.
NATuan-ITIMS-2007
Hãy nhớ lại rằng nếu mạng là 1 dãy các nguyên tử cách nhau a → ảnh nh.xạ là
những đường thẳng cách đều nhau là 2π/a & vuông góc với dãy ng.tử vì đ/k Bragg là
nλ = asinθ. Nếu là mạng 2D, ta có các đ/k Bragg là nλ = asinθa và mλ = bsinθb.
→ Do đó vết nh.xạ chính là giao điểm của 2 hệ thống đường thẳng vg.góc với nhau,
ứng với các cạnh a và b của mạng 2D.
Cấu trúc tinh thể (không Giản đồ nhiễu xạ (không
gian mạng thực) gian mạng nghịch)
G (hkl )
rG
O (000)
- Vì khoảng cách của một vết nhiễu xạ G (hkl) là rG trên giản đồ LEED, tính từ vết gốc O (000)
nào đó liên quan tới khoảng cách giữa các mặt hkl của tinh thể, dhkl, qua hệ thức: dhkl = λL/rG,
trong đó là khoảng cách từ bề mặt tinh thể được chiếu đến màn ảnh nhiễu xạ.
- Từ đó xác định được dhkl → xác định được chỉ số phản xạ hkl.
NATuan-ITIMS-2007
- Các lưu ý quan trọng khi nhận định về ảnh nhiễu xạ LEED
+ Trong trường hợp ảnh nhiễu xạ LEED thu được khi nghiên cứu các lớp được hấp
thụ trên bề mặt, luôn ghi nhớ rằng các vết nhiễu xạ LEED đó có khoảng cách gần
với nhau hơn so với trường hợp nhiễu xạ chỉ có đế không. Điều đó có nghĩa là
khoảng cách giữa các nguyên tử hấp thụ lớn hơn so với khoảng cách của các
nguyên tử bề mặt đế.
Ví dụ cứ hai nguyên tử đế có thể có 1 nguyên tử được hấp thụ (nhưng vấn đề là

nguyên tử hấp thụ đó nằm ở đâu, ở vị trí như thế nào trên bề mặt đế ?).
+ Vì vậy một điều quan trọng khác ở đây trong việc đoán nhận về giản đồ nhiễu xạ
LEED là chỉ một mình giản đồ nhiễu xạ LEED thôi không đủ thông tin để nói về vị trí
được hấp thụ. ⇒ Ảnh nhiễu xạ LEED chỉ cho biết thông tin chung về tính đối xứng
bao trùm của các vị trí được hấp thụ trên bề mặt.
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ:
Có thể có 3 khả năng sắp xếp các nguyên tử hấp thụ trên bề mặt như sau, và
chúng đều cho cùng một kiểu bức tranh nhiễu xạ LEED giống nhau: cấu hình p(2 x 2)
trên bề mặt fcc(100).
Cách sắp xếp cách một Cách sắp xếp cách một Cách sắp xếp cách một
ngay trên đỉnh (on-top) ở chỗ lõm bậc-2 ở chỗ lõm bậc-4
(two-fold hollows) (four-fold hollows)
NATuan-ITIMS-2007
Một số dạng mạng thuận (ứng với cấu trúc tinh thể bề mặt) và mạng nghịch
tương ứng (ứng với dạng giản đồ LEED quan sát được) của các ô cơ sở
thường gặp.
Mạng hình vuông b* Mạng chữ nhật có tâm

a* b*
b b
a a
a*
Mạng lục giác

b
b* Mạng hình thoi
a b*
a*
b
a a*
Mạng hình chữ nhật

b
b*
a
a*
Các vết nhiễu xạ LEED
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập
Xác định các chỉ số phản xạ trên các giản đồ nhiễu xạ
Nếu đã biết chỉ số đối với 2 vết nhiễu xạ, ví dụ 2 vết tương ứng với 2 vector g1 và
g2, ta có thể xác định được chỉ số của các vết còn lại , ví dụ vết ghkl, bằng cách
sử dụng vector tổng hợp từ các vector đã biết.
110
000 020
NATuan-ITIMS-2007
Bài tập: phân tích một ảnh LEED cho thấy thông tin về kích thước và hình dạng
của ô cơ sở của tinh thể bề mặt.
gi = 2π/ai
a1 = 2π(g2 x n)/|g1 x g2|

a2 = 2π(n x g1)/|g1 x g2|
Với n là vector pháp tuyến của bề mặt nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
* Phân tích hình dạng của vết nhiễu xạ LEED
- Như đã thấy ở trên đây, vị trí các vết nhiễu xạ LEED chỉ mang thông tin về tính đối
xứng chung và kích thước của ô cơ sở bề mặt.
- Trong khi đó cấu trúc của vết nhiễu xạ, như hình dạng, phân bố cường độ và độ
rộng của vết, nghĩa là profile của các vết, lại mang thông tin về mức độ trật tự/vị trí
nguyên tử và loại ô cơ sở bề mặt.
- Hình dạng của các vết nhiễu xạ LEED là do tính trật tự của các nguyên tử bề mặt
quy định:
+ Các vết sắc nét và nhỏ khi bề mặt rộng và rất trật tự.
• Ảnh STM cho thấy bề mặt có cấu trúc tinh thể

hoàn hảo. Vì vậy các vết nhiễu xạ LEED thường
nhỏ và sắc nét.
• Điều này còn ngụ ý rằng toàn bộ bề mặt nhiễu
xạ là một tinh thể lớn.
⇒ Bề mặt tinh thể càng lớn (tương đương với
kích thước tinh thể càng lớn) → vết nhiễu xạ
càng nhỏ. Và ngược lại, hạt tinh thể trên bề mặt
càng nhỏ sẽ tạo ra các vết nhiễu xạ càng lớn.
NATuan-ITIMS-2007
+ Nếu trên bề mặt tinh thể hoàn hảo xuất hiện chỉ 1 “đảo” nhỏ gồm các nguyên tử
hình thành nên một “miếng đắp” có tính trật tự riêng, khác biệt với tinh thể bề mặt,
vết nhiễu xạ LEED bị nhoè rộng ra.
+ Nếu trên bề mặt tinh thể hoàn hảo xuất
hiện nhiều “đảo” nhỏ gồm các nguyên tử
hình thành nên những “miếng đắp”, hoặc
tạo thành những “bậc thang” trên bề mặt,
các vết nhiễu xạ LEED không những bị
nhoè rộng ra, thậm chí còn bị tách.
Đo sự phân bố cường độ của các vết

nhiễu xạ LEED ở những vị trí khác nhau.
LEED pattern
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Như vậy có thể đánh giá được mức độ “nhám” trên bề mặt tinh thể (lateral
roughness), độ rộng các “vết xước” và kích thước của các “đảo” thông qua độ rộng
cường độ của một vết nhiễu xạ LEED.
Lisland
K┴
∆K//~1/Lisland
K//
FWHM
⇒ Độ rộng ở ½ của cường độ vết nhiễu xạ là nghịch đảo của kích thước ngang trung
bình của “đảo” tinh thể hình thành trên bề mặt đế: FWHM = ∆K// ~ 1/Lisland
⇒ Hình dạng của vết nhiễu xạ chứa thông tin về phân bố thống kê của các “đảo” có
kích thước khác nhau.
⇒ Vì vậy đo profile các vết nhiễu xạ LEED sẽ cho phép định lượng được các thông
tin về bề mặt tinh thể cũng như những chất bám dính hay lắng đọng trên đó.
NATuan-ITIMS-2007
- Mức độ “nhám” theo chiều vuông góc với bề mặt (vertical roughness), độ cao của
“bậc thang”, các phân bố theo lớp trên bề mặt và chiều cao của độ gồ ghề (asperity
height) cũng có thể được đánh giá qua vết nh.xạ.
K┴
K//
K┴
K//
- Ngoài ra cường độ lớn nhất của profile của vết nhiễu xạ còn là độ đo đối với số
nguyên tử thuộc về loại pha tinh thể mà gây ra vết nhiễu xạ đó. ⇒ Vì vậy phân tích
này cung cấp thông tin về quá trình chuyển pha cấu trúc.
NATuan-ITIMS-2007
* Phân tích cường độ profile của vết
nhiễu xạ LEED (1 1)
- Đo cường độ profiles của các vết (1/2 ½)
nhiễu xạ LEED trong giản đồ của pha

c(2x2) khi nghiên cứu sự hấp thụ (0 0)
nguyên tử ôxy trên bề mặt Ni(100). (-1/2 -1/2)
(-1 -1)
- 4 phổ cường độ profile trong hình bên
đo ứng với 4 vết nhiễu xạ được chỉ ra
trên đường thẳng đứng trong cửa sổ đo
của màn hình máy tính. Chỉ số (hk) của
các vết này lần lượt từ trên xuống là
(11), (1/2 1/2), (-1/2 -1/2), (-1 -1).
- Tập hợp các profile cường độ vết

nhiễu xạ được đo theo các nhiệt độ ủ
khác nhau cho phép quan sát quá trình
thay đổi trật tự theo nhiệt độ.
NATuan-ITIMS-2007
- Ngoài ra, có thể đánh giá được nhiều thông tin khác nữa từ giản đồ nhiễu xạ LEED:
+ Xác định vị trí của các nguyên tử trong ô cơ sở bề mặt (nghĩa là xác định cấu
trúc bề mặt) bằng đo cường độ tích phân của vết nhiễu xạ.
+ Nghiên cứu các cấu trúc hấp thụ định xứ (các mảnh hay các mẩu nguyên tử,
phân tử được hấp thụ trên bề mặt nhưng không có trật tự tầm xa) thông qua
tính dị hướng của phân bố cường độ, hay còn gọi là tính loang dị hướng của
vết nhiễu xạ LEED.
LEED pattern of a The same surface The amplified

"clean" Ni (100) covered with difference map
surface potassium
+ Hay có thể quan sát được tương quan về vị trí giữa
các nguyên tử đế và nguyên tử được thêm vào thông qua
phép biểu diễn toàn ảnh (sử dụng phép giao thoa của các
tia được tách từ một chùm tia nhiễu xạ ban đầu: holography).
NATuan-ITIMS-2007
2) HEED (High-energy electron diffraction)
(hay còn gọi là kỹ thuật phản xạ của các tia nhiễu xạ năng lượng cao, RHEED)
- HEED chủ yếu để nghiên cứu cấu trúc của CR ở dạng lá mỏng, màng mỏng và các
hạt nhỏ (chiều dày hoặc đường kính ~ 10−9 to 10−6 m), cấu trúc của các phân tử, và
cũng được dùng cho phân tích bề mặt của các vật liệu kết tinh.
- Kỹ thuật HEED sử dụng chùm tia ℮ đơn sắc, song song và có đường kính ~ 10−3
đến 10−8 m (~ 4 × 10−2 đến 4 × 10−7 inc.) chiếu lên bề mặt mẫu.
- Trong kỹ thuật này, các tia tán xạ ngược bị bỏ qua, các ℮ tán xạ thẳng được ghi
nhận bằng màn huỳnh quang, phim ảnh hay các detector nhạy dòng điện (thường
không hạn chế đối với các ℮ tán xạ không đàn hồi).
- Giống như LEED, kỹ thuật phản xạ của các tia nhiễu xạ ℮ năng lượng cao
(Reflection HEED - RHEED) được sử dụng để xác định sự sắp xếp theo bề ngang
của các nguyên tử/phân tử ở trên bề mặt CR, bao gồm cả cấu trúc của các lớp được
hấp thụ lên bề mặt CR.
- Kỹ thuật RHEED cũng để xác định tính tuần hoàn ngang của các ng.tử sắp xếp
song song với bề mặt, nhưng có ưu điểm hơn so với LEED ở chổ có thể sử dụng
ngay cả với các bề mặt rất gồ ghề, như bề mặt bị ăn mòn, bị kết tụ/kết tủa,... vì các ℮
nhanh thấm sâu được vào những chỗ gồ ghề đó và tạo ra giản đồ truyền qua HEED.
- Kỹ thuật RHEED đặc biệt quan trọng để khảo sát và điều khiển quá trình hình thành
và phát triển của màng mỏng thông qua hiện tượng dao động của cường độ của
chùm tia "phản quang" (specular) gây ra khi mọc từ đơn lớp này đến đơn lớp khác.
NATuan-ITIMS-2007
Hệ RHEED/MBE
Sơ đồ cấu tạo của hệ MBE với

sự bố trí hệ đo RHEED
NATuan-ITIMS-2007
Kỹ thuật RHEED
- Góc tới nhỏ (~ 50) vì chỉ quan
sát được các lớp trên bề mặt,
và cùng với năng lượng của
điện tử, được giữ cố định trong
suốt quá trình nhiễu xạ. Sơ đồ thực nghiệm
nhiễu xạ RHEED
- Năng lượng điện tử nằm trong
khoảng 5 ÷ 100 keV, tương đương
với số sóng k = 2π/λ ~ vài trăm Å-1.
Hình ảnh giản đồ nhiễu xạ RHEED
- Bộ phận quan sát có thể là màn huỳnh
quang hoặc detector số, hay màn hiển
thị CCD ghép nối máy tính.
Màn huỳnh quang
& các vành nhiễu xạ
Mẫu
Chùm tia-e
tới năng
lượng cao
NATuan-ITIMS-2007
Kỹ thuật RHEED
Nguyên tắc tạo ảnh

nhiễu xạ RHEED
NATuan-ITIMS-2007
Kỹ thuật RHEED
Nguyên tắc tạo ảnh nhiễu xạ RHEED
NATuan-ITIMS-2007
Mạng đảo là các
thanh thẳng góc với
bề mặt mạng thuận
• Mạng đảo hai chiều
trong không gian ba
chiều là một hàng các
thanh đi qua các nút Mạng thuận hai chiều
đảo hai chiều và vuông
góc với bề mặt mẫu.
~ 3-50
NATuan-ITIMS-2007
Hình cầu Ewald cho nhiễu xạ bề mặt
• Hình cầu giới hạn: Do giới hạn về phạm

vi nhiễu xạ (vùng chiều dày tinh thể được
thực hiện nhiễu xạ từ chùm tia e tới rất
nhỏ) mà chỉ một số mặt phẳng có h,k,l hạn
chế nào đó thực hiện được sự nhiễu xạ
(thường các mặt có chỉ số thấp).
NATuan-ITIMS-2007
Các bước xây dựng cầu Ewald trong trường hợp sử dụng kỹ thuật RHEED
• Dựng không gian mạng đảo. • Dựng véc tơ sóng tới có mũi trùng
với gốc mạng đảo.
NATuan-ITIMS-2007
Các bước xây dựng cầu Ewald trong trường hợp sử dụng kỹ thuật RHEED
• Dựng hình cầu Ewald tâm là gốc • Vẽ các véc tơ mạng đảo tương ứng
của vec-tơ sóng tới. với nút đảo.
• Đánh dấu tất cả các điểm là nút • Các véc tơ trên là các hướng có thể
đảo và nằm trên hình cầu Ewald. cho cực đại nhiễu xạ
• Một số hướng bị dập tắt do tính chất
của mạng Bravais.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
Các dạng hình học ảnh nhiễu xạ RHEED
- Với bề mặt khá phẳng: • Đơn tinh thể, mặt phẳng lý
tưởng: Ảnh là các chấm rõ
nét, gọi là các vết nhiễu xạ.
• Đa tinh thể: ảnh là chồng

chập của nhiều vết nhiễu xạ,
tạo ra các đường tròn đồng
tâm, gọi là các vành nhiễu
xạ.
• Màng đang mọc theo từng

lớp (epitaxy): ảnh là các vết
nhiễu xạ có dạng sọc vuông
góc với bề mặt màng mỏng.
- Với bề mặt khá gồ ghề: • Khi mẫu thô nhám, chùm

điện tử có thể thâm nhập
nhiều lớp trên mẫu, ảnh ED
giống như được chụp bằng
phương pháp Laue.
NATuan-ITIMS-2007
- Số chấm trên ảnh RHEED của mẫu có bề mặt gồ ghề khá dày đặc do số sóng điện
tử lớn hơn nhiều so với đơn vị mạng đảo.
NATuan-ITIMS-2007
3) TED (transmission electron diffraction)
Sơ đồ nguyên lý và cấu tạo của TEM có chức
năng thực hiện nhiễu xạ điện tử truyền qua TED)
NATuan-ITIMS-2007
Virtual
Aperture
Specimen - Để thực hiện chế độ nhiễu xạ ED

trong kính TEM, khe hở của vật kính
(objective aperture) được bỏ đi khỏi
Lower Objective đường đi của chùm tia ℮ ở vị trí mặt
Lens phẳng tiêu phía sau vật kính (back
focal plan) và kính được điều chỉnh
Ảnh nhiễu xạ TED BackFocal Plan để thu ảnh nhiễu xạ (điều chỉnh sự tụ
tiêu của mặt phẳng tiêu) rơi lên màn
ảnh quan sát mà không tạo ảnh ở
trên mặt phẳng ảnh.
SAAperture
Nguyên lý tạo ảnh nhiễu xạ TED
NATuan-ITIMS-2007
Bằng cách điều chỉnh cường

độ dòng điện của vật kính
(thấu kính từ, do đó làm tăng
cường độ từ trường) để điều
chỉnh tiêu điểm sao cho vết
nhiễu xạ được sắc nét và rơi
lên màn hình quan sát hay
thiết bị hiển thị.
NATuan-ITIMS-2007
- Ảnh nhiễu xạ LED và xác định chỉ số các vết nhiễu xạ
Lattice plane
have spacing of d
θ K+g
K
b*
Camera length L a*
K+g
Ewald Sphere K g
D
Vì λ rất nhỏ (~ 0.04 Å) → bán kính cầu Ewald ~ 1/λ rất lớn, gần như đường thẳng,
và góc θB nhỏ để có thể lấy gần đúng sinθB ~ θB và & tan2θB ~ 2θB ⇒
D
= tan (θ ) = tan (2θ B ); 1 D
L ≈
2 dSin θ B = λ d Lλ
NATuan-ITIMS-2007
Xác định cấu trúc ĐƠN TINH THỂ từ giản đồ nhiễu xạ TED
r/L = tan2θ
Hình học nhiễu xạ điên tử Từ định luật Bragg: 2dsinθ = λ.
Màn ảnh Vì λ rất nhỏ → sinθ ~ θ & tan2θ ~ 2θ
Thấu ⇒ r/L = 2θ = 2(λ/2d)
kính từ ⇒ r = λL/d
r Ö Nếu đo rG trên giản đồ nhiễu xạ ứng
với vết nhiễu xạ G, và λ, L là những
hằng số, thì dhkl của vết G được tính:
Súng-℮
dhkl = λL/rG
Mẫu
T = Chùm tia truyền thẳng r

O = Tâm điểm trên màn ảnh nhiễu xạ
S = Chùm tia nhiễu xạ Bragg
G = Vết nhiễu xạ Bragg
r = Khoảng cách từ tâm màn ảnh đến vết
nhiễu xạ Bragg G.
NATuan-ITIMS-2007
Kích thước mẫu mỏng làm cho các nút mạng nghịch bị kéo dài ra theo hướng mạng
nghịch tương ứng với chiều bị làm mỏng trong không gian thực của mẫu tinh thể:
Chiều làm
mỏng mẫu
tinh thể.
Mạng không gian thực

Nếu có các mặt phản xạ (001) …
… thì các nút mạng nghich sẽ bị kéo dài ra Mạng không gian nghịch
theo hướng [001]* trong mạng nghịch.
Chiều kéo dài của
nút mạng nghịch
(vuông góc với
chiều mỏng của
phiến/màng mỏng).
Với các mẫu đơn tinh thể, không phải lúc nào cũng có mặt phẳng cụ thể thoả mãn điều
này. Tuy nhiên, đây là cách xác nhận các pha tinh thể để định hướng chùm tia e sao
cho song song với các hướng mạng có chỉ số hkl thấp để dễ dàng ghi nhận được các
vết nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
- Bước sóng điện tử rất nhỏ → Bán kính cầu Ewald rất lớn (1/λ). Làm cho cầu
Ewald trở nên
→ Góc nhiễu xạ cũng rất nhỏ (1-2°). ⇒
cắt toàn bộ nút
- Mẫu tinh thể đủ mỏng → Nút mạng nghịch bị kéo dài ra . mạng nghịch mà
hình chiếu của
chúng là các vết
trên màn hình:
NATuan-ITIMS-2007
Xác định cấu trúc ĐA TINH THỂ từ giản đồ nhiễu xạ TED
rhkl
Giản đồ TED thu được từ mẫu tinh thể gồm rất nhiều các tinh thể con được
phân bố ngẫu nhiên có dạng gồm các đường tròn liên tục và đồng tâm. Bán
kính của các vòng này tỷ lệ nghịch với khoảng cách giữa các mặt phản xạ
dhkl của mạng tinh thể. → dhkl = Lλ/rhkl, (r - bán kính của các vành nhiễu xạ)
dùng để xác định nghĩa là chỉ số hkl.
NATuan-ITIMS-2007
Kiểu giản đồ nhiễu xạ tiêu biểu của một

mẫu gồm nhiều tinh thể con
và một mẫu VĐH
Giản đồ TED được tạo ra

từ một cấu trúc VĐH chỉ
tạo ra một vòng sáng ở
tâm giản đồ, ứng với vết
của chùm tia điện tử
Ảnh nhiễu xạ TED được tạo ra từ vật liệu gồm truyền qua mẫu, và một
nhiều tinh thể nhỏ, một số tinh thể được định vòng đơn tạo ra bởi sự
hướng đúng theo góc Bragg, trong khi một số tán xạ ngẫu nhiên của
khác thì không. Giản đồ gồm các vòng sáng gần các điện tử.
như liên tục mà không phải là các vết nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2007
Các kiểu giản đồ nhiễu xạ điện tử truyền qua (TED)
Cấu trúc đơn tinh thể kiểu rạn men Cấu trúc sợi kiểu tấm Cấu trúc đa tinh thể
(MOSAIC SINGLE) CRYSTAL (PLATELIKE TEXTURE) (POLYCRYSTAL)
NATuan-ITIMS-2007
Xác định ô cơ sở đối với tinh thể
chưa biết:
Có thể ghi nhận được nhiều mặt cắt khác
nhau của mạng nghịch bằng cách
nghiêng mẫu tinh thể trong máy nhiễu xạ
điện tử (trong một kính hiển vi TEM).
Từ đó xác định được kiểu mạng và các
tham số tương ứng nếu biết quan hệ của
các mặt cắt 2D thu được này.
¼ giản đồ chuẩn (atlat) của hình chiếu nổi đối

với tinh thể lập phương.
NATuan-ITIMS-2007
Ví dụ xác định ô cơ sở của một pha mới của bán dẫn màng mỏng pentacene:
1. Nghiêng tinh thể chưa biết đi
một góc nhỏ để thu được giản
đồ nhiễu xạ điện tử (ED) đầu
tiên có chỉ số hkl bậc thấp.
2. Nghiêng tiếp tinh thể dọc theo
một hướng nào đó và ghi các
giản đồ ED tương ứng, sau đó
tập hợp ít nhất 3 giản đồ ED lại.
Viết các góc nghiêng này ra.
3. Dựng lại mạng nghịch.
4. Xác định chỉ số của giản đồ
và kiểm tra các góc nghiêng
(thực nghiệm và tính toán). 4 giản đồ ED thu được bằng cách nghiêng tinh thể pentacene
màng mỏng (lắng đọng trên đế (100) NaCl với tốc độ cao ở nhiệt
(Ghi chú: Pentacene là một chất độ phòng sau đó được ủ ở 200ºC trong 2 giờ). Mạng tinh thể được
bán dẫn hữu cơ quan trọng nhất tái tạo lại sau khi phân tích và tính toán cho thấy đây là mạng 3
dùng trong công nghệ chế tạo các nghiêng (triclinic) có a = 6.08 Å, b = 7.63 Å, c =15.3 Å, α = 80.7º,
transistor màng mỏng hữu cơ chất β = 84.5º và γ = 89.5º, với khoảng cách d của các mặt (001) là 15.1
lượng cao). Å. Các góc thực nghiệm (không có ngoặc đơn) và các góc tính
toán (trong ngoặc đơn) được chỉ ra ở hình trên đây.
NATuan-ITIMS-2007
Nghiêng tinh thể để có 3 giản đồ ED ứng với 3 vùng khác nhau
Sơ đồ biểu diễn phương pháp nghiêng tinh thể
NATuan-ITIMS-2007
4) CBED (Convergent Beam Electron Diffraction)

- Các kỹ thuật nhiễu xạ điện tử như truyền thống
thường sử dụng một chùm tia tới có kích thước
nhỏ và song song chiếu lên một vùng diện tích rất
nhỏ nào đó trên mẫu, nên còn được gọi là nhiễu
xạ diện tích chọn lọc (Selected Area Electron
Diffraction: SAED).
- Trong kỹ thuật ED được thực hiện từ một hiển vi
TEM, cả độ lớn và cường độ của chùm tia đều có
thể đóng góp vào cho giản đồ nhiễu xạ. Việc này
được thực hiện bằng cách sử dụng một khe hẹp
hình tròn để hạn chế chùm tia điện tử song song
chiếu lên mẫu (xác định độ mở), còn gọi là khẩu độ
(aperture), ở tại vị trí mặt phẳng tiêu của vật kính.
Tạo nên một màng ngăn ảo (virtual diaphragm)
tại mặt phẳng mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
- Ngược lại, kỹ thuật nhiễu xạ chùm tia điện tử hội tụ (Convergent Beam Electron
Diffraction: CBED) lại sử dụng một chùm tia điện tử được hội tụ với kích thước vết
rất nhỏ (thường khoảng từ vài hay vài chục ăngstrom) để hạn chế vùng mẫu được
nhiễu xạ (Kỹ thuật này được thực hiện lần đầu tiên bởi Kossel và Mollenstedt vào
năm 1939). - Các hiển vi TEM thường được thiết kế tổ
hợp cả kỹ thuật nhiễu xạ SAED và CBED.
- Khi một chùm tia hội tụ được chiếu
xuyên qua mẫu tinh thể mỏng, các tia đi
ra khỏi mẫu ở các phía khác nhau, ảnh bị
đảo ngược giống như ở máy ảnh. Tuy
nhiên không cần để ý đến ảnh ngược
được tạo thành, mà chỉ cần nhìn vào
giản đồ hiễu xạ được tạo thành với các
vết được phóng to ra (xem slide sau).
- Tuỳ thuộc vào khoảng cách từ vật kính
đến bề mặt mẫu, có thể chọn được hoặc
là vùng Laue bậc không (zero order Laue
zone: ZOLZ), hay các vùng Laue bậc cao
Đĩa trung tâm (higher order Laue zones: HOLZ).
NATuan-ITIMS-2007
- Trong mạng nghịch, tất cả các phản xạ (hkl) trong một mặt phẳng (với pháp tuyến
{uvw}) tuân theo định luật về vùng (zone law) như sau: hu + kv + lw = N, với N luôn
là một số nguyên, và được gọi là bậc Laue (Laue order). {uvw} là hướng của chùm
tia điện tử tới.
- Các đường Kikuchi cũng xuất hiện từ sự tán xạ không đàn hồi của các mặt có N
cao – các mặt thuộc vùng Laue bậc cao, HOLZ (higher order Laue zones).
- Ta sẽ có các vùng Laue:
+ ZOLZ: vùng Laue bậc không
(zero order Laue zone:),
+ FOLZ: vùng Laue bậc nhất
(first order Laue zone:),
+ SOLZ: vùng Laue bậc hai
(second order Laue zone:),…
→ HOLZ: vùng Laue bậc cao.
Ghi chú: các nút mạng thực được biểu
diễn bằng các chấm đen, các “nút”
mạng nghịch được biểu diễn bằng các
g
thanh dọc (bị kéo dài theo chiều mỏng
của tinh thể). Bán kính vòng nhiễu xạ
R1
ứng với FOLZ: g ≈ R1, → RN ứng với
vùng Laue bậc N. RN
NATuan-ITIMS-2007
- Các đường vùng Laue bậc cao (HOLZ) xuất hiện ở đĩa trung tâm của giản đồ khi
chùm tia điện tử tới mẫu dưới một góc hội tụ thích hợp, và được chiếu dọc theo một
trục vùng nào đó. (Ví dụ dưới đây là chiếu dọc theo trục vùng [210] của tinh thể GaAs).
Đĩa trung tâm

NATuan-ITIMS-2007
- Khi một đầu dò điện tử được tạo ra từ một chùm
tia hội tụ chiếu vào mẫu tinh thể mỏng dưới điều
kiện nhiễu xạ Bragg ở phản xạ bậc cao (g) sẽ tạo
ra trong các vết đĩa nhiễu xạ và vết đĩa truyền
thẳng qua (đĩa ở tâm) gồm các cặp đường thẳng,
hoặc thiếu hụt hay dư thừa các đường thẳng.
Đĩa ở tâm
- Có thể nhận thấy các cặp đường cắt nhau
hình chữ “V” ở trong vết đĩa ở tâm là chồng
chập từ các đường ở trong các vết đĩa
Đĩa ở tâm với các đường Kikuchi và ảnh phóng to nhiễu xạ phân bố ở xung quanh đĩa tâm.
NATuan-ITIMS-2007
- Ưu điểm lớn của kỹ thuật CBED so với kỹ thuật
SAED ở chỗ có nhiều thông tin hơn thu được từ
những vùng diện tích rất nhỏ của mẫu, thậm chí
vượt trội hơn cả một số kỹ thuật khác.
- Có độ phân giải không gian cao hơn so với kỹ
thuật SAED, và được quy định bởi kích thước
chùm tia nhỏ nhất của đầu dò điện tử. Kích
thước này có thể đạt được độ phân giải đến cỡ
ăngstrom, điển hình là khoảng 0.2 nm (2 Ǻ).
- Các giản đồ chứa thông tin về đối xứng tinh
thể, cấu trúc nguyên tử và điện tử của vùng
được nhiễu xạ trong mẫu.
Ảnh nhiễu xạ CBED của mẫu đơn tinh
- Một chùm tia điện tử hội tụ tạo thành một thể Si, cho thấy các vết nhiễu xạ được
phóng đại lên, gọi là các đĩa (disk).
giản đồ nhiễu xạ Fresnel (trường gần).
- Các vết nhiễu xạ thu được từ kỹ thuật CBED sẽ có dạng đĩa (disk), trong đó thể hiện rõ
sự biến đổi cường độ nhiễu xạ (trong nhiễu xạ thông thường, các tia nhiễu xạ Bragg tạo
nên những vết nhiễu xạ (spot), là những điểm hay những nốt nhỏ). (hình ở slide sau)
- Các giản đồ này chứa đựng nhiều thông tin về đối xứng và chiều dày của tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
Ảnh nhiễu xạ điện tử thu được trên cùng một mẫu tinh thể ở 2 chế độ chùm
tia tới khác nhau: chùm tia song song (chế độ SAD) (bên trái), và chế độ
CBED (bên phải). Các giản đồ nhiễu xạ tương ứng quan sát thấy có dạng vết
(sport pattern) với chế độ SAED, và dạng đĩa (disk pattern) vớichế độ CBED.
Có thể nhận thấy dạng vân nhiễu xạ Fresnel trong giản đồ nhiễu xạ CBED và các
đường thẳng là các đường nhiễu xạ Kikuchi (hình bên phải trên đây) (về đường
Kikuchi sẽ trình bày ở trong phần 5) EBSD dưới đây).
- Quan hệ giữa một giản đồ vết và một giản đồ chùm tia hội tụ có thể được khảo sát
bằng cách thay đổi góc hội tụ chùm tia. (xem hình ở slide sau)
NATuan-ITIMS-2007
- Sự hình thành các vết nhiễu xạ (chế độ SAED) hay đĩa nhiễu xạ (chế độ CBED)
ứng với sự thay đổi góc hội tụ (φ) của chùm tia điện tử chiếu lên tấm tinh thể mỏng.
NATuan-ITIMS-2007
- Sự hình thành các vết nhiễu xạ (chế độ SAED) hay đĩa nhiễu xạ (chế độ CBED)
ứng với sự thay đổi góc hội tụ (φ) của chùm tia điện tử chiếu lên tấm tinh thể mỏng.
Ghi chú: Khi Ghi chú: Khi

φ α ≈ 0 chùm α > 0 chùm
φ
tia song song tia hội tụ (chế φ
(chế độ SAD) độ CBED)
Góc tụ tiêu φ nhỏ Góc tụ tiêu φ trung bình Góc tụ tiêu φ lớn (quan sát
thấy các đường Kikuchi)
NATuan-ITIMS-2007
- Sự hình thành các đĩa nhiễu xạ (chế độ CBED)
ứng với sự thay đổi khoảng cách chụp ảnh nhiễu
xạ (camera) (là khoảng cách giữa vật kính phía
dưới và màn hiển thị).
Chiều dài lớn Chiều dài trung bình Chiều dài bé

NATuan-ITIMS-2007
- Sự thay đổi hình dạng vân nhiễu xạ Fresnel

trong các đĩa nhiễu xạ CBED khi thay đổi chiều
dài tiêu cự (vị trí tụ tiêu) của vật kính phía trên
mẫu của chùm tia điện tử chiếu lên mẫu.
Quá điểm hội tụ Đúng điểm hội tụ Chưa tới điểm hội tụ
(Overfocus) (Focus) (Underfocus)
NATuan-ITIMS-2007
Có thể nhận thấy các dạng vân nhiễu xạ Fresnel điển hình trong đĩa trung tâm
(hình bên trái), hay các đĩa khác xung quanh đĩa trung tâm của giản đồ nhiễu xạ
CBED và các đường thẳng là các đường nhiễu xạ Kikuchi.
NATuan-ITIMS-2007
- Quan sát ảnh bóng (shadow image) ở trong chế độ kiểu CBED.
1. Khi kính tụ II (Condenser II)

Giản đồ nhiễu xạ chế độ CBED
hoàn toàn chưa tới tụ tiêu
(Underfocus).
2. Khi kính tụ II gần như tụ tiêu
(Approchingfocus).
3. Khi kính tụ II hoàn toàn tụ
tiêu (Focus) Chế độ CBED.
4. Khi kính tụ II quá điểm tụ
tiêu (Overfocus) Ảnh bị
ngược so với 2.
NATuan-ITIMS-2007
- Hình ảnh giản đồ nhiễu xạ CBED ứng với chiều dày của tấm tinh thể mỏng khác nhau.
Mẫu tinh thể mỏng Mẫu tinh thể dày

NATuan-ITIMS-2007
- Vị trí chính xác của các đường nhiễu xạ trong các giản đồ CBED vùng Laue bậc
cao (HOLZ) rất nhạy với sự thay đổi của tham số mạng. Vì vậy thực hiện nhiễu xạ
CBED để thu các đường vùng Laue bậc cao HOLZ và xác định chính xác vị trí các
đường này người ta có thể xác định được sự thay đổi hằng số mạng tinh thể, ví dụ
do ứng suất đàn hồi hay các nguyên nhân khác dẫn đến sự biến dạng (đàn hồi)
mạng tinh thể chẳng hạn. Nguyên lý được trình bày ở hình dưới đây.
- Ưu điểm của cách xác định này so với các kỹ thuật khác ở chỗ thông tin nhận được
chỉ từ một thể tích rất nhỏ của mẫu: ~ (10x10x100) nm3.
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ dưới đây là ảnh nhiễu xạ CBED với các đường HOLZ của Si (hình (a) bên
trái). Khi tạo hợp chất Si1-xGex, sự thay thế của các nguyên tử Ge vào một số vị trí
của Si đã làm cho mạng tinh thể Si bị thay đổi đi (dãn ra) (hình dưới bên phải), dẫn
đến sự dịch chuyển của các đường HOLZ (hình (b) bên trái).
NATuan-ITIMS-2007
Tóm lại, giản đồ nhiễu xạ CBED cung cấp những thông tin sau:
- Chiều dày mẫu
- Thông tin chính xác hơn về các thông số mạng. Có thể xác định được tất cả 6 thông
số mạng: a, b, c, α, β, γ.
- Có thể quan sát trực tiếp mạng nghịch.
- Xác định hệ tinh thể và đối xứng tinh thể,
- Xác định sự đối xứng 3D của sự sắp xếp các ng.tử: xác định các toạ độ không gian.
- Xác định pha.
- Đặc trưng sai hỏng của cấu trúc tinh thể, như lệch mạng (dislocation).
- Xác định được mật độ điện tích liên kết.
Một số nhược điểm:

- Gây nhiễm bẩn hệ (kỹ thuật CBED đòi hỏi mẫu phải sạch, chân không ở trong TEM
phải rất cao).
- Gây nóng mẫu cục bộ, tạo ra dãn nở nhiệt và ứng suất nhiệt. Cần phải sử dụng bộ
giá đỡ “nghiêng kép” (double-tilt) được làm lạnh cho mẫu
NATuan-ITIMS-2007
5) EBSD (Electron Backscatter Diffraction) - Đường Kikuchi
1- Lịch sử phát triển của kỹ thuật EBSD
- 1924: lần đầu tiên khi Kikuchi thực hiện nhiễu xạ trên tinh thể mica (ở trong TEM) đã
quan sát thấy bên cạnh những vết nhiễu xạ còn có rất nhiều những vết nhiễu xạ khác
dưới dạng là các đường cắt nhau. → gọi là những đường Kikuchi.
- 1954: các đường Kikuchi phản xạ ngược (ở góc

cao) lại được Alam, Blackman và Pashley quan
sát thấy trong TEM khi thực hiện nhiễu xạ ED
trên LiF, KI, NaCl và PbS2.
- 1969-1979: phát triển 3 kỹ thuật nhiễu xạ ở trong

SEM, trong đó vào năm 1972 Venable và Harland
đã công bố những kết quả nghiên cứu vi tinh thể
và vi texture bằng kỹ thuật EBSD trên SEM.
Các đường Kikuchi quan sát thấy lần đầu
tiên ở tinh thể mica bởi Kikuchi.
NATuan-ITIMS-2007
- 1982-1984: sử dụng máy tính hỗ trợ việc xác định chỉ số của các đường Kikuchi
trong EBSD và trừ giá trị nền (Dingley, Wright, Adams, Schwarzer,…).
- 1990: việc xác định chỉ số trong các giản đồ EBSD hoàn toàn tự động bằng phép
biến đổi Hough (Yale, Clausthal, Ris).
- 2000: phân tích tự động rất nhanh các giản đồ EBSD ⇒

+ Kỹ thuật EBSD phân giải cao
+ Thực nghiệm EBSD tại chỗ (in-situ)
+ Kỹ thuật EBSD dòng cao (high current).
- Kỹ thuật EBSD hiện nay chủ yếu được sử dụng trong SEM, vì vậy kỹ thuật này còn
có tên gọi là kỹ thuật nhiễu xạ điện tử ở trong SEM:
+ Khi một chùm tia ℮ ổn định (về bước sóng và kích thước hội tụ) chiếu lên
bề mặt mẫu tinh thể được đặt nghiêng trong buồng mẫu của SEM, các điện
tử có thể bị nhiễu xạ và tạo nên một giản đồ rất đặc trưng trên màn hiển thị.
+ Các điện tử của chùm tia tới lan toả ra khắp các hướng ở phía bên dưới
bề mặt mẫu do tương tác đàn hồi (các điện tử bị tán xạ ngược), điều đó
tương đương như một nguồn phân kỳ với kích thước rất nhỏ (chỉ~100 nm)
nằm ở phía sau bề mặt mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
+ Các điện tử từ nguồn phân kỳ nhỏ sẽ bị nhiễu xạ bởi các mặt tinh thể (hkl) đối
với những tia nào thoả mãn điều kiện Bragg:
Hình thành các đường Kikuchi

(hkl)
θ, d
nλ = 2dsinθ
NATuan-ITIMS-2007

(hkl)
θ, d
nλ = 2dsinθ
NATuan-ITIMS-2007

(hkl)
θ, d
nλ = 2dsinθ
NATuan-ITIMS-2007
2- Kỹ thuật lắp đặt để thu ảnh giản đồ EBSD
Sơ đồ kết cấu các thành phần

cơ bản của một hệ EBSD.
Ảnh phía bên trong buồng SEM cho thấy

cách bố trí các bộ phận để thực hiện kỹ
thuật nhiễu xạ điện tử - EBSD.
NATuan-ITIMS-2007
Camera CCD (Charge-Coupled Device)

– Ồn nhiệt thấp
– Độ nhạy cao
– Không bị phá huỷ vì quá sáng
– Tốc độ thấp (?).
Camera SIT (Silicon Intensifier Target)

– Tốc độ cao
– Độ nhạy cao
– Tương phản cao
– Độ ồn (noise) cao.
NATuan-ITIMS-2007
3- Bố trí hình học để thu ảnh EBSD - đường Kikuchi
Một giản đồ EBSD, gồm các

đường/dải Kikuchi, của Ni ghi ở
điện thế gia tốc 20 kV.
Các thông số hình học trong kỹ thuật ghi nhận ảnh
nhiễu xạ EBSD
Các chế độ thường sử dụng trong kỹ thuật EBSD
- Điện áp gia tốc: 5 – 30 kV
- Cường độ chùm tia điện tử: 1 -15 nA
- Độ rộng của sổ WD: 20 mm
NATuan-ITIMS-2007
4- Những tính năng chính của kỹ thuật EBSD
- Cho phép nhận được thông tin về cấu trúc tinh thể học của mẫu trong hiển vi điện tử
quét (SEM): Giản đồ nhiễu xạ thu được là đặc trưng của cấu trúc tinh thể và đặc biệt là
sự định hướng tinh thể học của vùng mẫu mà từ đó xuất hiện đường nhiễu xạ Kikuchi.
- Ngoài việc xác định được hướng tinh thể của vùng được nhiễu xạ (hạt tinh thể), còn
có thể xác định được các độ lệch hướng ở các biên hạt, phân biệt được sự khác nhau
giữa các vật liệu khác nhau (pha tinh thể), và cung cấp thông tin về sự hoàn hảo của
các tinh thể địa phương (hạt tinh thể).
- Khi chùm tia ℮ được quét trong một ô lưới ngang qua bề mặt mẫu đa tinh thể (kỹ
thuật EBSD trong SEM), và hướng tinh thể được đo ở mỗi điểm ⇒ xây dựng được bản
đồ biểu lộ hình thái, sự định hướng và biên của các hạt tinh thể tạo thành của mẫu.
- Số liệu từ bản đồ này (gồm các pha, hay hạt tinh thể) cũng có thể được sử dụng để
biểu lộ sự định hướng ưu tiên (texture) có mặt ở trong vật liệu.
Tóm lại: Kỹ thuật EBSD hoàn toàn có thể thực hiện được việc biểu diễn mức độ
hoàn hảo và định lượng về vi cấu trúc của mẫu.
Hơn nữa, với công nghệ/kỹ thuật hiện nay, việc đo đạc và phân tích các số liệu EBSD
được tiến hành rất nhanh chóng: gần như đo ngay lập tức sau khi “point and click”.
NATuan-ITIMS-2007
Minh hoạ cho thấy:
- EBSD – Một công cụ xác định thành phần, cấu trúc và định hướng tinh thể rất nhanh:
NATuan-ITIMS-2007
Minh hoạ cho thấy:
- EBSD – Một công cụ xây dựng được bức tranh về cấu trúc hạt/pha tinh thể và phân
bố định hướng tinh thể ở bề mặt mẫu:
+ Các dải Kikuchi

tương ứng với các
mặt phẳng nhiễu xạ
khác nhau.
+ Chỗ giao nhau

của các dải ứng với
trục vùng tinh thể.
+ Sự sắp xếp hình

học (các dải bố trí
kiểu bậc-3, -4, …)
phụ thuộc vào đối
xứng tinh thể và
hướng tinh thể.
NATuan-ITIMS-2007
NATuan-ITIMS-2007
5- Kỹ thuật chuẩn bị mẫu đối với các phép đo EBSD
- Yêu cầu đối với bề mặt mẫu sử dụng trong kỹ thuật EBSD:
+ Nhẵn bóng như gương.
+ Vùng thể tích được tán xạ ngược dưới bề mặt mẫu (dày khoảng
100 nm) phải là tinh thể.
+ Vùng thể tích này không được có biến dạng dẻo quá mức (ứng
suất dư).
- Các vấn đề thường gặp đối với bề mặt thực hiện nhiễu xạ:
+ Biến dạng dẻo do đánh bóng cơ học
+ Các lớp ngoại lai (ôxýt)
+ Ứng suất nội
NATuan-ITIMS-2007
- Do bề mặt mẫu thường được tạo nhẵn bóng bằng kỹ thuật mài cơ học (bột kim
cương) ⇒ Tạo ra ứng suất dư trên bề mặt mẫu ⇒ Gây trở ngại cho việc thu giản đồ
EBSD có chất lượng tốt.
Mài bằng bột kim cương Bề mặt chứa ứng suất dư hoặc bị phá
huỷ sau khi tẩm thực
Vùng
ứng Vùng
suất dư ứng
suất dư
⇒ Chuẩn bị tốt bề mặt mẫu là kỹ thuật mấu chốt trong việc tạo ra các giản đồ
của các đường Kikuchi có chất lượng tốt.
NATuan-ITIMS-2007
⇒ Cần phải tránh tạo ra suất dư trên bề mặt mẫu trong quá trình gia công bề mặt
bằng các cách sau:
+ Khử suất dư bằng tẩm thực sâu + Ngoài ra có thể sử dụng các bề
+ Mài kết hợp cơ-hoá học mặt được chẻ từ khối tinh thể,
hoặc các bề mặt màng mỏng
+ Đánh bóng bằng điện
được mọc, lắng đọng hay phủ
+ Mài ion trên các bề mặt của đế rắn.
NATuan-ITIMS-2007
- Ví dụ minh hoạ chất lượng gia công bề mặt mẫu lên phép đo EBSD khi xác định
hướng tinh thể của các hạt tinh thể trong sợi dây Au sau khi mài ion.
Ảnh SEM (điện tử thứ cấp) Giản đồ định hướng của Bản đồ đặc tính bề mặt của
của đầu sợi dây Au 32 mm. các hạt tinh thể rạn men các hạt tinh thể rạn men
Giản đồ cho thấy sự lệch hướng ở

các biên hạt tinh thể rạn men.
NATuan-ITIMS-2007
- Tuy nhiên, trong kỹ thuật EBSD, còn phải thực hiện việc xử lý ảnh để nhận được các
giản đồ đường Kikuchi rõ nét nhất.
Ảnh gốc Ảnh nền Ảnh sau khi trừ nền
(Phần này sẽ đề cập đến ở dưới đây)
NATuan-ITIMS-2007
6- Lý thuyết cơ sở của EBSD
Mở đầu:
- Tán xạ đàn hồi: không mất mát năng lượng, chỉ làm lệch hướng của điện tử tới khi
chúng va chạm với nhau.
Sự tương tác giữa điện tử tới với điện trường của hạt nhân nguyên tử
của bia bị chiếu xạ. Kết quả là các điện tử bị tán xạ ngược.
Tương tác có thể xẩy ra nhiều lần (tương tác

thác lũ) khi một điện tử tương tác với nhiều hạt
nhân nguyên tử của bia.
NATuan-ITIMS-2007
- Tán xạ không đàn hồi: năng lượng của điện tử tới bị mất mát do truyền cho mẫu.
Gây ion hoá cho các nguyên tử trong mẫu.
Các điện tử bị phóng ra trong quá trình ion hoá: điện tử thứ cấp (SE) có
năng lượng < 50 eV.
Ngoài ra còn gây các tương tác khác: các phonon (1-100 eV), các
plasmon (10 eV),…
NATuan-ITIMS-2007
- Tán xạ ngược: do tương tác không đàn hồi một chút (<200 eV) (chủ yếu sinh ra các
phonon và plasmon) Chùm điện tử bị thấm sâu vào trong mẫu (~ 100 nm) và loang
ra theo tất cả các hướng Tương tự như một nguồn điện tử với tiêu điểm nhỏ và bị
phân kỳ.
NATuan-ITIMS-2007
- EBSD xuất hiện do nhiễu xạ Bragg: nλ = 2dsinθ
Hình thành nên các đường Kikuchi & các dải Kikuchi.
- Mỗi dải Kikuchi được giới hạn bởi một
cặp đường Kikuchi.
- Giản đồ EBSD là tập hợp gồm các dải
Kikuchi với phân bố có đ/x đặc thù:
Cặp
đường
(hkl) Kikuchi
θ, d
Cặp đường Kikuchi Cơ chế hình thành các dải Kikuchi

NATuan-ITIMS-2007
Cơ chế hình thành nên các dải Kikuchi
Chùm tia điện tử

Mặt phẳng
nhiễu xạ
Dải Kikuchi
Các nón
nhiễu xạ Màn huỳnh quang
Khi U = 20 kV λ ~ 0.07 Å θ ~ 0.5o
NATuan-ITIMS-2007
Những đặc trưng điển hình trên các
giản đồ EBSD Các trục vùng
- Vùng và Trục vùng trong

các ảnh EBSD
+ Vùng (Zone) các mặt phẳng trong
tinh thể là tập hợp những mặt/ bề mặt
cắt nhau theo những đường song song.
+ Trục vùng (Zone axis) là hướng
chung của các đường song song là các
giao tuyến của vùng các mặt phẳng.
Các đường Kikuchi có
thể được xác định chỉ số
Giảng đồ điện tử tán xạ ngược

(EBSP) của đơn tinh thể Ge được
thực hiện ở 20 kV.
Vùng các mặt phẳng Trục vùng

NATuan-ITIMS-2007
Xác định các chỉ số hkl trên ảnh EBSP
- Điều kiện Bragg: , lưu ý góc θ chính là độ rộng của dải

Kikuchi
NATuan-ITIMS-2007
Xác định các chỉ số hkl trên ảnh EBSP
NATuan-ITIMS-2007
Chỉ một tỷ lệ nhỏ các e đến được màn hình là gây ra nhiễu xạ → do đó giản đồ
EBSD được chồng lên tín hiệu nền ⇒ trừ nền là khâu quan trong để tăng cường độ
tương phản của giản đồ.
Ảnh chưa trừ nền
Ảnh đã trừ nền

NATuan-ITIMS-2007
Một số ảnh hưởng của chế độ chụp ảnh lên giản đồ EBSD
Giản đồ EBSD chụp ở các khoảng cách khác nhau

từ vùng nhiễu xạ tới detector.
NATuan-ITIMS-2007
Giản đồ EBSD chụp ở các điện thế màn huỳnh quang

khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
- Phép biến đổi Hough là kỹ thuật cho phép thu được các tham số của một đường
thẳng do đó rất thích hợp để xác định các đường/dải Kikuchi.
- Bằng phép biến đổi Hough, các đường trong EBSP được chuyển thành các “điểm”
hay các “vết” ở trong “không gian” Hough.
- Sử dụng phép biến đổi Hough để đo các hướng tinh thể ứng với các dải Kikuchi.
NATuan-ITIMS-2007
Phép biến đổi Hough của một EBSP
NATuan-ITIMS-2007
Phép biến đổi Hough của một EBSP
(Lưu ý cả đến độ xám trong phép
biến đổi Hough)
NATuan-ITIMS-2007

NATuan-ITIMS-2007
2.4.1. Giới thiệu:
Sơ lược lịch sử
- 1932 James Chadwick khám phá ra hạt neutron:
• Mn = 1.674928.10-27 kg
• Mn ~ 1.001 Mproton ~ 1840 me
• τ = 885 s (~ 15 min) (trong p/ư phân rã β)
• n → p + e- + νe + 0.78 MeV
(νe là phản hạt neutrino: antineutrino)
⇒ Giải Nobel vật lý năm 1935. James Chadwick: The Nobel Prize
(Ghi chú: 1930 khám phá ra hạt alpha, 1932 khám phá in Physics 1935 "for the discovery
of the neutron“.
ra tính phóng xạ).
- 1942: ra đời lò phản ứng hạt nhân và đặt nền móng cho sự hình thành một kỹ
thuật nhiễu xạ mới - là kỹ thuật nhiễu xạ neutron (ND).
- 1945, lần đầu tiên Ernest O. Wollan đã thực hiện được kỹ thuật nhiễu xạ ND ở
lò phản ứng hạt nhân Graphite ở Oak Ridge (Mỹ), và sau đó đã cùng với
Clifford G. Shull xây dựng nguyên lý cơ sở của ND và đã áp dụng thành công
cho nhiều loại vật liệu khác nhau.
NATuan-ITIMS-2007
- 1950s là giai đoạn có nhiều công trình nghiên cứu thực nghiệm đo đạc các thông
số tương tác và hấp thụ của neutron với từng nguyên tố và đồng vị.
Lý thuyết của tán xạ neutron với nguyên tử cũng đã được nghiên cứu đầy đủ hơn
trong giai đoạn này.
- 1990s: Shull (Mỹ) và Bertram N. Brockhouse(Canada) sau này đã nhận giải

Nobel vật lý năm 1994 về những nghiên cứu phát triển kỹ thuật tán xạ không
đàn hồi).
- Đặc biệt là trong giai đoạn này, bằng

kỹ thuật ND đã tiếp cận được cách sắp
xếp vi mô của mômen từ trong vật liệu.
The Nobel Prize in Physics 1994: (a) Clifford G.

Shull "for the development of the neutron diffraction
technique“ and (b) Bertram N. Brockhouse "for the
development of neutron spectroscopy“.
NATuan-ITIMS-2007
Nguồn nơtron
1- Lò phản ứng hạt nhân.

+ Vì thành phần nhiệt động của thông lượng neutron ở trong một lò phản ứng
hạt nhân có phân bố theo nhiệt độ của lò gần với phân bố Maxwell-Boltzmann
nên bước sóng trung bình ở tâm lò được đánh giá bằng: λ(Å) = h(2/πmkT)1/2
= 34.9/√T(oK)
+ Theo năng lượng, bước sóng của nơtron được đánh giá là: λ = h/p = 0.28/√Ee
(Ee = p2/2m). ⇒ Sau khi được làm chậm lại, nhiệt độ ở gần 300K ứng với Ee
= 0.08 eV, và được chọn lọc thích hợp, các neutron ở vùng tâm lò có bước
sóng so ánh được với tia X: λN ~ 1 Å (0.1 nm), nên có thể sử dụng chúng để
thực hiện nhiễu xạ trong nghiên cứu cấu trúc của các chất rắn được tạo bởi
các nguyên tử hay phân tử.
2- Các nguồn phân hạch:

Sự phân rã hạt nhân trong các nguồn phân hạch tự nhiên → giải phóng nơtron
dưới dạng hạt tự do → Chùm nơtron có năng lượng phân bố trong một dải rộng:
→ không "đơn sắc".
- Sử dụng các bộ đơn sắc đơn tinh thể (crystal monochromators ) hoặc dùng các
bộ lọc kiểu hấp thụ để tạo ra chùm tia nơtron '"đơn sắc“ với λ xác định.
NATuan-ITIMS-2007
Một số đặc điểm trong nhiễu xạ nơtron
- Chùm nơtron tương tác yếu với các hạt tích điện, tương tác mạnh với hạt nhân
nguyên tử → Là công cụ tốt hơn trong việc xác định vị trí proton.
- Đặc biệt hơn neutron tương tác mạnh với hạt nhân và mômen từ của điện tử, tương
tác với CR ít hơn nhiều so với tia X và điện tử (chủ yếu với lớp vỏ điện tử)→ND cũng
được ưu tiên sử dụng trong trường hợp mẫu bị phá hủy bởi bức xạ tia X, và trong
những trường hợp đòi hỏi có sự thấm sâu lớn.
- ND cung cấp thông tin về cấu trúc, tính trật tự và tính đối xứng trong các liên kết
nguyên tử/phân tử CR tương tự như XRD & ED.
- Trong ba phương pháp nhiễu xạ: XRD, ED, và ND, nhiễu xạ ND là cách duy nhất
để xác định cấu trúc trật tự từ trong chất rắn, vì nơtron rất nhạy với mômen từ.
- Những thông tin thu được từ thực nghiệm tán xạ neutron chậm cho phép đoán nhận
về bản chất của lực hạt nhân.
NATuan-ITIMS-2007
- Hai ứng dụng chính của tán xạ nơtron là:
+ tái tạo lại cấu trúc phân tử một cách tinh tế hơn sau khi đã xác định cấu trúc
sơ bộ trước bằng XRD. Đặc biệt ND là thế mạnh để nghiên cứu các chất
được cấu tạo từ các nguyên tử nhẹ, như hydro, heli hay các cấu trúc phân tử
hữu cơ, phân tử sinh học và tế bào sống (vì chứa hydro là một nguyên tố
quan trong khi các liên kết với hydro là liên kết trọng nhất trong các phân tử
hữu cơ và sinh học).
+ đặc trưng cấu trúc polimer sử dụng tán xạ nơtrong góc nhỏ (small-angle
neutron scattering, SANS).
- Nghiên cứu cấu trúc chất lỏng:

Có 2 cách để xác định hàm phân bố xuyên tâm f(r):
+ Sử dụng XRD và ND từ các chất lỏng (sử dụng bức xạ đơn sắc).
+ Mô phỏng máy tính cấu trúc của phân tử và các chuyển động trong chất lỏng.
NATuan-ITIMS-2007
2.4.2. Thực nghiệm nhiễu xạ nơtron
- Nhiễu xạ neutron có thể thực hiện trên các mẫu là đơn tinh thể, đa tinh thể hay bột.
- Để tập trung chùm tia lên bề mặt mẫu, người ta sử dụng một hệ thống hội tụ quang
học đặc biệt gồm nhiều ống “mao quản” (polycapillary focusing optics) để dẫn và tụ
tiêu các tia neutron.
- Detector, thường là một dãy gồm nhiều detector nối liên tiếp theo hình vòng cung
được bố trí trong khoảng góc tán xạ của neutron, ~ 10o – 160o với bề mặt mẫu.
NATuan-ITIMS-2007
- Detector ghi nhận tia neutron tán xạ/nhiễu xạ:

Có các loại detector phổ biến như sau:
+ Loại ống đếm tỷ lệ (như 3He Pressurized Gas Tube Proportional Detectors)
và ống đếm nhấp nháy (như 6Li Scintillation Detectors) được sử dụng phổ
biến nhất trước đây.
+ Gần đây sử dụng loại sợi thuỷ tinh nhạy neutron (như Neutron Sensitive
Scintillating Glass Fiber (PUMA) Detectors).
+ Hay loại khuếch đại hàn kín (Sealed Image Intensified Neutron Detectors).
+ Các loại detector nhiều dây (Multi-wire Detectors), …
Hình ảnh một Detector tỷ lệ kiểu ống đếm khí nhấp nháy
NATuan-ITIMS-2007
- Detector ghi nhận tia neutron tán xạ/nhiễu xạ:
Một kiểu detector Neutron của NOVA có độ nhạy cao sử dụng nhiều tấm vi kênh
MCP (microchannel Plate) gắn chặt vào một kết cấu và được hút chân không sơ
cấp, tương tự như kiểu thiết bị nhìn ban đêm của quân đội.
Mỗi tấm MCP đơn có độ KĐ ~ 1000x đối với mỗi neutron được bắt (nghĩa là mỗi
neutron được ghi nhận tạo ra một xung trong 1 nanogiây tương ứng với khoảng
~1000 electrons.
NATuan-ITIMS-2007
Nguyên lý hoạt động của detector nhấp nháy
n + 6 Li → 4
He + 3 H + 4.79 MeV
NATuan-ITIMS-2007
Một số vật liệu nhấp nháy dùng trong các detector Neutron
Density of Scintillation Photon Photons

6Li atoms efficiency wavelength per neutron
Material
(cm-3) (nm)
Li glass (Ce) 1.75×1022 0.45 % 395 nm ~ 7,000
LiI (Eu) 1.83×1022 2.8 % 470 ~ 51,000
ZnS (Ag) - LiF 1.18×1022 9.2 % 450 ~ 160,000
NATuan-ITIMS-2007
Nguyên lý hoạt động của các detector Neutron bán dẫn
n + 6 Li → 4
He + 3 H + 4.79 MeV
NATuan-ITIMS-2007
Ống đếm tỷ lệ nhiều sợi (Multi-Wire Proportional Counter)
• Một dãy các detector rời rạc
• Từ nhiều detector sợi đơn được bỏ đi lớp vỏ bọc và sắp đặt cạnh nhau để tạo
thành đetector ống đếm tỷ lệ nhiều sợi.
NATuan-ITIMS-2007
Giải mã điện trở của detector nhiều sợi
NATuan-ITIMS-2007
Bộ đếm kiểu khí vi dải (Micro-Strip Gas Counter)
NATuan-ITIMS-2007
Thực nghiệm tán xạ neutron đàn hồi bởi vật liệu
Tương tác của neutron với vật liệu
Nguyên lý đo của các

phép nhiễu xạ
Neutron cũng được
dựa trên phương trình
Bragg: 2d·sin(θ)=λ.
NATuan-ITIMS-2007
Thực nghiệm tán xạ neutron không đàn hồi bởi vật liệu
NATuan-ITIMS-2007
Phổ kế 3 trục để ghi/đo tán xạ neutron không đàn hồi
NATuan-ITIMS-2007
Results from quantitative phase

analysis using neutron diffraction
(Movie)
NATuan-ITIMS-2007
Một số kiểu nhiễu xạ kế neutron
• HRPT
Thermal, High Resolution Powder Diffractometer
• DMC
Cold, High Intensity Powder Diffractometer
• TriCS
Thermal Single Crystal Diffractometer
• POLDI
Thermal, Time-of-Flight Strain Scanner
NATuan-ITIMS-2007
HRPT
Nhiễu xạ kế bột phân giải cao sử dụng Neutron nhiệt
(High Resolution Powder Diffractometer for thermal neutron)
HRPT features
¾Thermal neutrons (0.9-2.5) Å
¾2θ<165oÆhigh Q ≤ 13 Å-1
¾High resolution δd/d =10-3
¾1600-3He detectors (70%
efficiency @1.5Å) with angular
separation 0.1o
¾Flexible wavelength,
resolution/intensity
λ=1.9Å, 12’/24’
10mm, Na2Al12Ca3F14
NATuan-ITIMS-2007
DMC
Nhiễu xạ kế bột sử dụng neutron lạnh
(Cold Neutron Powder Diffractometer) detector
radial collimation
sample
sample table
collimation
monochromator shielding
neutron guide
monochromator
NATuan-ITIMS-2007
TriCS
Nhiễu xạ kế đơn tinh thể Monochromator:
(Single Crystal Diffractometer)
tanzboden (granite)
cradle
polygon
de
(1.5 - 380K)
te
monitor
ct
shutter
or
secondary
1
collimators
cooled N 2-filter collimation
neutron shutter
filter primary collimation (fail safe)
beam reduction
3
horizontal collimation r
c to
te
high energy shutter de
borpoly-
ethylen
iron
polyethylen
primary beam stop
monochromator
(Ge311 , C002)
H 2O - scatterer
three 2D detectors,1 single detector
NATuan-ITIMS-2007
Mặt mạnh và yếu của nhiễu xạ X-ray và
neutron là hiển nhiên khi biên độ tán xạ
neutron và X-ray có thể được so sánh:
chỉ trong bảng 15.1 sự biến đổi của tiết
diện liên kết (coherent cross section)
hoặc chiều dài tán xạ của neutron với Z
không monotonic và nhỏ hơn biến đổi
tương ứng của f. do đó ta có thể thấy
hydrogen hoặc deuterium với neutron.
Hydrogen có thuận lợi đó là: chiều dài tán
xạ là âm; nó cho hằng số lớn hơn các
nguyên tử khác. Nó có những bất lợi là
tiết diện không liên kết , nó làm tăng
undersirable nền rất lớn.
Comparison of radiation probes

NATuan-ITIMS-2007
Superior results from quantitative phase analysis using neutron diffraction

NATuan-ITIMS-2007
Phổ kế neutron góc nhỏ
NATuan-ITIMS-2007
Phổ kế neutron phân cực
NATuan-ITIMS-2007
So sánh 3 kỹ thuật nhiễu xạ
NATuan-ITIMS-2007
Crystal Structure
NATuan-ITIMS-2007
HANOI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY (HUT)
Spectroscopic Techniques
f M
for Materials
t i l Science
S i
NGUYEN ANH TUAN
HANOI-2011
CHƯƠNG 1:
1 KHÁI NIỆM CHUNG
1.1. Mở đầu
ạ vật
1.2. Cấu tạo ậ chất,, cấu trúc tinh thể và cấu trúc tinh thể thực
ự
1.3. Phân loại vật liệu và các ph/pháp phân tích cấu trúc vật chất
2 1 Hiể
2.1. Hiển vii quang học
h (OM)
2.2. Hiển vi điện tử truyền qua (TEM)
2.3. Hiển vi điện
ệ tử q
quét (SEM)
( )
2.4. Một số phương pháp hiển vi khác
3.1. Cơ sở của nhiễu
ễ xạ
NATuan-ITIMS-2011
CHƯƠNG 4:
4 CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH PHỔ
4.1. Mở đầu
4 2 Các phương pháp phổ điện tử
4.2.
1). Phổ quang điện tử (XPS)
2). Phổ điện tử Auger (AES)
3). Phổ
ổ tổn
ổ hao năng lượng điện tử (EELS)
4.3. Các phương pháp phổ photon/phổ Rơntgen
1). Phổ tán sắc năng lượng (EDS
EDS)
2). Phổ tán sắc bước sóng (WDS
WDS)
3). Phổ huỳnh quang Rơngen (XRF
XRF)
4.4. Các phương pháp phổ
ổ ion/khối
ố phổ
ổ
1). Khối phổ ion thứ cấp (SIMS)
2). Phổ tán xạ ngược Rutherford (RBS)
….
NATuan-ITIMS-2011

5.1. Hiển vi lực nguyên tử (AFM)
5.2. Hiển vi đầu dò quét hiệu ứng xuyên ngầm (STM)
5.3. Hiển vi lực từ (MFM)
5.4. Hiển vi quang học quét trường gần (SNOM)
5.5. Một số loại hiển vi đầu dò quét (SPM) đặc biệt khác
CHƯƠNG 6: CÁC BÀI THỰC HÀNH

6.1. Phân tích cấu trúc đơn tinh thể bằng nhiễu xạ Lauer.
6 2 Phâ
6.2. Phân tí
tích
h cấu
ấ trúc
t ú đa
đ tinh
ti h thể bằng
bằ phương
h pháp
há nhiễu
hiễ xạ bột.
bột
6.3. Phân tích pha định tính, định lượng.
6.4. Quan sát hình thái/cấu trúc bề mặt bằng hiển vi điện tử quét.
6.5. Quan sát hình thái/cấu trúc bề mặt bằng hiển vi lực nguyên tử.
NATuan-ITIMS-2011
4.1. MỞ ĐẦU
- Các p/p nhiễu xạ: chủ yếu cung cấp thông tin về "hình thái" của cấu trúc bên trong:
cách thức bố trí, tương quan sắp xếp, cách thức tổ chức tập hợp của các nguyên tử
/ phân tử Î cấu trúc mạng
mạng, tính đối xứng
xứng, tính tuần hoàn
hoàn, tổ chức pha tinh thể
thể.
- Sự nhiễu xạ xuất phát từ sự tán xạ đàn hồi của tia X, e hay n bởi các nguyên tử -
đối tượng, thực thể “cơ sở nhất” cấu thành nên vật chất. Sự giao thoa của các tia
tán xạ đàn hồi trên mạng của các nguyên tử/phân tử (xắp xếp theo một trật tự nào
đó - mạng tinh thể) tuân theo định luật Bragg Î thường không quan tâm đến năng
lượng của các tia/hạt (Một số p/p hiển vi mặc dù sử dụng cả sự tán xạ không đàn
hồi và hấp thụ (do mất mát năng lượng) tuy nhiên cũng chỉ biết được những thông
tin có tính chất “bên ngoài” cấu trúc của nguyên tử/phân tử.
- Cá p/p
Các / hiển
hiể vi:
i chủ
hủ yếu
ế cho
h thấ
thấy cái
ái “dá
“dáng vẻ”,
ẻ” “hình
“hì h dá
dáng”” bên
bê ngoài
ài của
ủ vật:
ật
nghĩa là những cái thuộc về "hình thái" của vẻ bên ngoài, bề mặt là chính (như
“cảnh quan” bề mặt: lồi, lõm,…; hay hình dáng: tròn, vuông,…); hoặc ở mức vi mô
hơn, là “cái vỏ” bao bên ngoài của các nguyên tử/phân tử Î Về cơ bản cũng
không phân biệt được loại nguyên tử và cấu trúc bên trong của nguyên tử/phân tử.
NATuan-ITIMS-2011
4.1. MỞ ĐẦU
- Ngoài những thông tin chung liên quan đến tính “tổng thể", tính "hình thái" bên
ngoài nêu trên
trên, các tính chất khác liên quan tới bản chất bên trong của vật chất/vật
liệu rất cần được biết: thành phần hoá học (loại nguyên tử), liên kết hoá học, bản
chất của các liên kết,... nghĩa là cần những phân tích có chiều “sâu” hơn vào bên
trong của vật chất, vào đến tận cấu trúc bên trong của các nguyên tử/phân tử cấu
thành nên vật chất/vật liệu.
- Phân tích phổ cho biết “cái bên trong”, ở TG của các nguyên tử: Î nguyên tử gì ?
Các trạng thái liên kết của ng.tử Î chất gì ? Î pha gì ? v.v…
Î Ở đây quan tâm đến năng lượng của các quá trình tương tác, tán xạ, nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2011
Cấu trúc/cấu tạo vật chất qua các cấp độ quan sát: 1
1) Hình thái bên ngoài Î Cấu trúc ‘‘thô’’
thô , ‘‘tinh’’
tinh ở
mức vĩ mô.
2) Hình thái bên trong ‘‘nông’’: Cấu trúc pha tinh thể
Î các tổ chức tế vi - tinh ở mức vi mô.
3) Hình thái bên trong sâu: Cấu trúc tinh thể 2
Î tinh ở thang/mức nguyên tử: TG ng.tử, ph.tử.
4) Cấu trúc của ng. tử, ph. tử: TG các hạt sơ cấp
(Cấu trúc dưới ng.tử
ng tử (subatomic) – tạo nên các ng ng.tử)
tử)
5) Cấu trúc của các hạt sơ cấp: TG các hạt cơ bản -
- điện tử và các hạt nhân nguyên tử.
6) …. ? Các hạt quark – cấu tạo nên các hạt sơ cấp.
6
?
3 5
4 ? 6
NATuan-ITIMS-2011
- Nguyên tắc chung của phân tích phổ:
+ Kích
Kí h thích/”bắn
hí h/”bắ phá”
há” bề mặt
ặ CR bằ
bằng các
á hhạt ((℮-, ion,
i h
hạt trung hòa,…)
hò )hhay
photon; hoặc bằng các trường vật lý (điện trường, từ trường, trường nhiệt,...).
+ Diễn ra các quá trình, các tương tác của các hạt hay bức xạ với các nguyên tử
trong mẫu, ở ngay trên hay gần bề mặt mẫu gây phát xạ/bức xạ thứ cấp.
+ Phát hiện và ghi các hạt hoặc photon (bức xạ) thứ cấp thoát ra khỏi bề mặt mẫu
((hoặc
ặ các trạng
ạ g thái kích thích thứ cấp
p khác).
)
+ Đo/phân tích cường độ các hạt/photon phát xạ phân giải theo năng lượng/bước
sóng hoặc theo bất kỳ một đại lượng vật lý đặc trưng nào đó bằng các kỹ thuật
khác nhau
nhau.
⇒ các kỹ thuật/phương pháp đo phổ.
⇒ phổ: một tập hợp các đặc trưng
∑λi (thường là các đại lượng vật lý tiêu biểu
ể
cho vật thể/vật chất/vật liệu) được biểu
diễn, được triển khai, được “trải ra” theo
λ1 một đại lượng vật lý tiêu biểu khác
khác.
λ2
λ.... λ3 Ví dụ: Một lăng kính phân tích ánh sáng trắng thành các
ánh sáng có bước sóng khác nhau (mầu sắc).
NATuan-ITIMS-2011
- Nguyên lý chung của KT phân tích phổ
1 Nguồn kích thích phổ

3 Ghi, đo, phân tích phổ
Hiển thị kết quả: thông tin về

2 cấu trúc nguyên tử của mẫu
? !
Mẫu được
Mẫ đ kí
kích
h
thích phổ
NATuan-ITIMS-2011
Danh sách các chữ viết tắt thường gặp trong kỹ thuật phân tích phổ:
AES - Auger electron spectroscopy

APS - Appearance potential spectroscopy
CAICISS - Coaxial impact collision ion scattering spectroscopy
EDX - Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS EDS); see EPMA
EELS - Electron energy loss spectroscopy
EPMA-
EPMA Electron Probe Microanalysis
ESCA - Electron spectroscopy for chemical analysis; see XPS
GDMS - Glow discharge mass spectrometry
GDOS - Glow discharge optical spectroscopy
HREELS - High resolution electron energy loss spectroscopy
IAES - Ion induced Auger electron spectroscopy
IIX - Ion induced X-ray analysis
INS - Ion neutralization spectroscopy
p py
IRS - Infra Red spectroscopy
ISS - Ion scattering spectroscopy
LEIS - Low energy ion scattering
LIBS - Laser induced breakdown spectroscopy - also: LIPS - Laser
induced plasma spectroscopy
LOES - Laser optical emission spectroscopy
NATuan-ITIMS-2011
LS
S- Light
g t (Raman)
( a a ) scatte
scattering
g
MEIS - Medium energy ion scattering
NDP - Neutron depth profiling
NEXAFS - Near edge X-ray absorption fine structure
PD - Photodesorption
PDEIS - Potentiodynamic electrochemical impedance spectroscopy
PIXE - Particle (or proton) induced X-ray spectroscopy
RBS - Rutherford backscattering g spectroscopy
p py
SCANIIR - Surface composition by analysis of neutral species and ion-
impact radiation
SEIRA - Surface enhanced infrared absorption spectroscopy
SERS - Surface
S f Enhanced
E h dR Raman S Spectroscopy
t
SEXAFS - Surface extended X-ray absorption fine structure
SIMS - Secondary ion mass spectrometry
SNMS - Sputtered neutral species mass spectroscopy
TXRF - Total Reflection X-ray fluorescence analysis
UPS - UV-photoelectron spectroscopy
XAES - X-ray induced Auger electron spectroscopy
XPS - X-ray
y photoelectron
p spectroscopy
p py
XRF - X-ray fluorescence analysis
NATuan-ITIMS-2011
4.2. Phương pháp phân tích phổ điện tử

1) Phổ quang điện
điệ tử (XPS/ESCA
XPS/ESCA)
2) Phổ điện tử Auger (AES
AES)
3) Phổ tổn hao năng lượng điện tử (EELS
EELS)
4) Các kỹ thuật phân tích phổ điện tử khác
4.3. Phương
g pháp
p p phân
p tích phổ
p p photon
4.4. Phương pháp phân tích khối phổ ion
Lưu ý: Mỗi
ỗ p/p trình bày gồm
ồ 4 phần:
ầ
- nguyên lý chung
- thiết bị chung Thi/k.tra
- bộ phân tích: cấu
ấ tạo & nguyên lý làm việc
- các vấn đề mở rộng đáng chú ý khác
NATuan-ITIMS-2011
- Các kỹ thuật phổ điện tử
phần lớn liên quan đến các
quá trình chuyển dời điện tử ở
các mức lõi – cách gọi khác:
các kỹ thuật phổ mức lõi
- Các kỹỹ thuật

ậ mức lõi được
ợ chia
làm 2 nhóm kỹ thuật, tương ứng
với sự tạo ra hay hủy các lỗ
trống trong các mức lõi:
1- Tạo ra các lỗ trống trong các

mức lõi hình thành nên các kỹ
thuật cơ bản gồm: 2- Sự hủy các lỗ trong các mức lõi hình
- X-ray Photoelectron thành nên các kỹ thuật cơ bản gồm:
Spectroscopy
p py ((XPS))
- X-ray Absorption - Auger Electron Spectroscopy (AES)
Spectroscopy (XAS) - X-ray Emission Spectroscopy (XES)
NATuan-ITIMS-2011
1) Phổ quang điện tử (Photoelectron Spectroscopy, PES )
Nguyên lý:
- Nguyên lý chung là sử dụng photon để kích thích phát xạ điện tử thứ cấp ở bề mặt mẫu.
- Đo và phân tích năng lượng của điện tử phát xạ thứ cấp để biết thông tin về tính chất bề mặt.
hν ℮
Điện tử (quang điện tử)
Photon phát xạ.
(tia X, UV, Ký hiệu là p℮. L1,
l
laser,...)
) M
⇓ L2,
Hiện tượng K
quang ion hóa
X ray
E = hν p℮
+ X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) – sử dụng bức xạ tia X mềm (hν ~ 200-
000 e
2000 eV)) để kiểm
ể tra/thăm
t a/t ă dò các mức
ức lõi
õ (co
(core-levels)
e e e s) ((hoặc
oặc cò
còn gọ
gọi là
à Electron
ect o Spect
Spectro-
o
scopy for Chemical Analysis, ESCA).
+ Synchrotron X-ray Photoelectron Spectroscopy (SXPS): sử dụng bức xạ tia X đồng
bộ (hν ~ 100-1000 eV).
+ Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy (UPS) - sử dụng bức xạ tia cực tím (UV) có
năng lượng hν ~ 10-100 eV để kiểm tra/thăm dò các mức hoá trị.
- Ứng dụng chủ yếu: phân tích thành phần hóa học và liên kết ở bề mặt chất rắn.
NATuan-ITIMS-2011
Động năng của điện tử phát xạ:
Ekin(hν,
(h X) = hν
h - EB - ФS h - Ekin - ΦS
EB = hν
h - Hằng số Planck ( 6.62 × 10-34 Js )
ν - Tần số của bức xạ quang (Hz)
- Công thoát của một số kim loại
X - Các mức K hoặc L1, L2, L3,... bị kích thích.
thích
thông dụng
EB - Năng lượng liên kết (binding energy)
ФS - Công thoát bề mặt (work function), rất nhỏ và
hầu như không đổi đối với phần lớn các kim loại. In Air* UHV**
Fe 4.35 [eV] 4.50 [eV]

Φ Ni
Fermi level 4.25 [eV] 5.15 [eV]
Cu 4 45 [eV]
4.45 4 65 [eV]
4.65
Al 3.60 [eV] 4.20 [eV]
Zn 3.80 [[eV]] -
Au 4.78 [eV] 5.10 [eV]
Ekin
* M. Uda ; Jpn. J.Appl.Phys. 24,284 (1985)
EB hν ** D
D.E.
E EEastman
t ; Ph
Phys.Rev.
R B2,
B2 1 (1970)
Î ФS của KL khác nhau không nhiều !

NATuan-ITIMS-2011
Yêu cầu của thiết bị:
- Chân không UHV: ~ 10-8 Pa (~10( 10-10 Torr hay mBar)
- Vỏ thiết bị được làm bằng vật liệu từ có độ từ thẩm
cao (vật liệu µ-metal) nhằm ngăn chặn ảnh hưởng
của từ trường (của trái đất và các thiết bị khác).
Phổ kế qquang
g
- Nguồn tia X: Đòi hỏi bức xạ đặc trưng có năng điện tử (PES)
lượng cao, ~ > 1 keV, yêu cầu cao về phân giải
năng lượng: Độ rộng vạch của bức xạ đặc trưng
tia X cần
ầ phải
ả rất
ấ hẹp, < 1.0 eV.
Y Mζ Zr Mζ Mg Kα Al Kα Si Kα
Energy: hν = Energy : hν = Energy : hν = Energy : hν = Energy : hν =
132.3 eV 151.4 eV 1253.6 eV 1486.6 eV 1739.5 eV
Line width:
Line-width: Line width:
Line-width:
0.47 eV 0.77 eV 0.70 eV 0.85 eV 1.00 eV
- Nguồn bức xạ đồng bộ (synchrotron radiation):

+ Trong một số trường hợp cần nguồn có thể điều biến
năng lượng được: năng ă lượng kíchí thíchí được biến ế
thiên liên tục. ⇒ Sử dụng nguồn bức xạ đồng bộ: gia
tốc điện tử với vận tốc (tương đối tính) lớn → bức xạ
phôton tia X có phổ liên tục (máy gia tốc hạt điện tích).
+ Lýý do: thiết
ế diện
ệ quang ion hóa
ó của ủ cácá nguyên
ê tố ố
hay nhóm các nguyên tố thay đổi → cần có bức xạ thích
hợp để "thăm dò" (VD: các VL đa nguyên tố).
NATuan-ITIMS-2011
Nguồn tia X: Sự phát xạ tia X bằng va chạm điện tử (bắn phá - bức xạ hãm)
Incident electron Cơ chế phát xạ tia X

e1
K: lớp vỏ/quỹ đạo với n = 1

(lớp vỏ trong cùng),
cùng)
L: với n = 2,
M: với n = 3,
N: với n = 4, …
X-ray
Năng lượng tương ứng với
e1 (elastic-scattered mỗi mức n của một nguyên
e2 electron)
tử có nguyên tử số Z bằng:
(photo-electron → inelastic-
scattered electron)
E = - 13.56 (Z/n)2 (eV)
Khi các electron sơ cấp đủ năng lượng kích
thích các electron ở lớp vỏ lõi (K) của nguyên Lưu ý: riêng đ/v vạch Kα, do hiệu ứng màn chắn
tử, làm bật electron của lớp này đi, để lại một (screening effect) của electron khác ở mức n = 1,
lỗ trống, một electron từ lớp vỏ L nhảy đến lớp nên (Z-1) được thay cho Z.
vỏ K. Có 2 khả năng có thể xảy ra (cạnh tranh Tổng quát hơn: (Z-1) cần được thay bằng (Z-σ),
nhau): hoặc là phát ra tia X đặc trưng,
trưng hoặc là ới σ tính
với tí h đến
đế hiệu
hiệ ứng
ứ màn à chắn.
hắ
tia X truyền năng lượng cho điện tử ở lớp vỏ
2⎛ 1 1⎞
ngoài để nó có đủ năng lượng thoát ra khỏi E = Ek − E L = 13.56(Z − 1) ⎜ 2 − 2 ⎟ ≈ 10.17(Z − 1) (eV )
2
ng.tử - Auger electron (không cho thấy ở đây). ⎝1 2 ⎠

NATuan-ITIMS-2011
Ống phát tia X

• Do Coolidge (người Đức) phát minh ra vào khoảng năm 1912.
• Electron được gia tốc với năng lượng cao đi đến anode
anode.
• Electron tới tương tác với các nguyên tử của anode (VD: Mg,
Co, hoặc Cu), gây ra bức xạ tia X đặc trưng (bức xạ hãm).
X-ray
Ống phát tia X kiểu

nguồn điểm
e
Hot filament emits electrons
NATuan-ITIMS-2011
Ống phát tia X
-50 kV
H 2O
vào/ra
Anode quay với

vận tốc ∼ 6000 rpm
Ống phát tia X kiểu

Ố ể anode quay
(Có công suất phát cao hơn)
NATuan-ITIMS-2011
Nguồn sáng cao cấp: Phát xạ tia X/ánh sáng bằng bức xạ đồng bộ (gia tốc)
Storage Ring
Shield Wall
Bức xạ đồng bộ (Synchrotron radiation - SR):

• Bức xạ điện từ (light) được phát xạ từ các điện tử chuyển động với vận tốc tương đối tính → Do điện
tử được
đ gia
i tố
tốc, và
à chuyển
h ể động
độ vớiới vận
ậ tốc
tố so sánh
á h được
đ với
ới vận
ậ tốc
tố ánh
á h sáng.
á
• Lần đầu tiên, vào năm 1947, được quan sát thấy từ máy gia tốc điện tử (electron accelerator) 70 MeV
ở Đức. Sau đó SR chỉ được coi như một thứ "chất thải", làm hạn chế chất lượng của máy gia tốc.
• Nhưng g sau đó người
g ta nhận
ậ thấyy SR là nguồn
g sáng
g này,
y ggồm các loại
ạ hồng
g ngoại
g ạ ((infrared),
) tia cực
ự
tím (ultraviolet), và tia x, rất hữu ích cho các nghiên cứu vật chất ở thang nguyên tử, phân tử., và ngày
nay cũng thường được sử dụng cho công nghệ quang khắc bằng tia X (x-ray lithography).
• Bức xạ có tính phân cực cao và dạng xung tần số cao (ví dụ, xung nano giây).
NATuan-ITIMS-2011
Nguồn sáng cao cấp: Phát xạ tia X/ánh sáng bằng bức xạ đồng bộ (gia tốc)
Nguyên lý bức xạ dao động sóng do hiện tượng dịch Doppler về phía sóng nm
Bức xạ đồng bộ từ các điện trử chuyển động gia tốc tương đối tính (relativistic electrons)
- Khi các hạt điện tích, VD e, chuyển động trong một từ trường được tạo ra bởi các viên nam châm bố trí tuần
hoàn, các e sẽ “nhìn thấy” một cấu trúc nam châm tuần hoàn chuyển động thẳng về phía chúng với một chu kỳ bị
thu nhỏ lại một cách tương đối: λ’ = λu/γ (λu là chu kỳ của nam châm, γ ≡ 1/(1-β 2)1/2, β ≡ v/c)
- Tần số của bức xạ được phát xạ ra bằng f ’= c/λ’=cγ/λu.
- Khi tới người quan sát, dạng tương đối
ố tính của
ủ công thức tần ố Doppler là: f = f’/(γ(1-β)) = c//(λu(1 - β)) ≈
ầ số
2γ2c/λu. (khi β ≈ 1 → 1 - β ≈ 1/2γ2). Vì vậy tần số được quan sát thấy là: λ = c/f = λu /2γ2.
VD: khi e có năng lượng 1.9 GeV, γ = 1900/0.511 = 3718; với λu = 5 cm, cho ra λ = 1.8 nm (tương ứng với tia X).
NATuan-ITIMS-2011
Nguyên lý tạo bức xạ đồng bộ do sự “uốn lượn” (“Wiggler”) hoặc “dập dờn” (“undulator”)
• Đối với sự bức xạ bằng nam châm uốn cong chùm tia, các điện từ được gia tốc, hay được
uốn, bằng từ trường đồng đều uniform magnetic field (B dọc theo chiều +z, quỹ đạo của
điện tử cong theo hình tròn).
• Bằng cách đặt một dãy các nam châm vĩnh cửu, từ trường lần lượt lên (phương +z) và
xuống (phương –z), gây ra cho hạt điện tích bị bẻ cong tới lui, dọc theo mặt phẳng ngang.
• Ở mỗi chỗ bị bẻ cong quỹ đạo, các điện tử phát ra bức xạ đồng bộ trong vùng phổ tia X.
(positive electron) Quỹ đạo

của hạt
ạt
NATuan-ITIMS-2011
Sự phát xạ bức xạ đồng bộ diễn ra như thế nào ?
Nguồn hạt (điện tử) Nam châm uốn cong: Với cảm ứng từ thông
được phóng từ đây thường được sử dụng là B ≤ ∼ 1.5 Tesla.
Dạng chữ “C” cho phép bức xạ đi ra.
Đường
thẳng
× Chỗ uốn
r và phát
ra khi qua
một nam
Được châm
gia tốc
tại đây 0.559 r (m)
λc (nm) =
E (GeV) 3
• Một máy gia tốc phóng các chùm hạt điện tử vào vòng gia tốc (storage ring) theo chế độ xung
pico giây (pico-second pulses) với các dòng xung của hạt điện tích cách nhau từng đợt khoảng
một vài phần của nano giây.
• Sự gia tốc được tạo ra bằng một điện trường xoay chiều có tần số radio (RF – radio frequency)
sao cho đồng bộ với tần số quỹ đạo (orbital frequency).
• Một miền liên tục của bức xạ được phát ra bởi mỗi chùm hạt khi nó được thay đổi hướng gia tốc
(tại mỗi vị trí đặt nam châm điện) với bước sóng trung bình (hay tới hạn) là λc ~ r / E.
NATuan-ITIMS-2011
NATuan-ITIMS-2011
Sự phân bố góc của bức xạ đồng bộ
Không có bức xạ dọc theo hướng gia tốc.

Bức xạ mạnh nhất ở hướng vuông góc.
P: côngg suất pphát xạạ
a: gia tốc
ố
Ω: góc khối
Góc mở hình cone

~ 1/γ
Trường hợp II:

v/c ~ 1
Trường
ờ hợp I:
v/c << 1
Khi vận tốc của điện tử thấp Khi vận tốc của điện tử tiếp cận tới gần
(trường hợp không tương đối tính)
tính), với vận tốc ánh sáng (trường hợp
bức xạ được phát ra với một kiểu tương đối tính), bức xạ phát ra được
không có hướng. thu lại theo một hướng.
NATuan-ITIMS-2011
Phổ của bức xạ đồng bộ (nam châm uốn cong)
Bending Magnet
(critical energy)
Phổ tia X phát xạ đồng bộ là

phổ liên tục 1.24nm
Năng lượng nghỉ của điện tử = mc2 = (9.1×10-31)(3×108)2 = 8.19×10-14 J = 0.511 MeV (rất
ấ nhỏ).
Năng lượng tổng cộng của điện tử = γmc2, with γ = 1/(1-v2/c2)1/2.
Với năng lượng là 1.0 GeV, γ = 1000/0.511=1957, vì vậy v/c = 0.99999987, nghĩa là v rất gần với c.
NATuan-ITIMS-2011
Chọn lọc bước sóng bằng sử dụng bộ lọc sắc (monochromator) bởi nhiễu xạ tia X
Từ phổ liên tục của tia X phát xạ

đồng bộ phát ra, việc tách ra/chọn
lọc phổ đơn sắc bằng phương pháp
n = 1, 2, 3…
nhiễu xạ tia X trên đơn tinh thể.
d : khỏang cách giữa các

mặt phẳng mạng tinh thể
NATuan-ITIMS-2011
Phổ kế quan điện tử - PES
Nguyên lý chung của phổ kế PES
EB = 0 at EF
Ekin
Đo Ekin = hν - EB - ΦS
Xác định được EB = (hν - ΦS ) - Ekin

(đặc trưng cho các nguyên tố hóa học)
Xác định được nguyên tố hóa học & liên kết

NATuan-ITIMS-2011
Ví dụ:
ụ một
ộ pphổ XPS của Au
Au-4f
Au-5d
A 5d
Au-5d
- Có thể thấy rõ các trạng thái năng lượng điện tử ở mức lõi (4f) và dạng dải hoá trị còn khá thô
của Au (5d).
- Mặc dù có thể thấy dải hoá trị bằng XPS, nhưng phân giải năng lượng vẫn chưa đủ cao nên
còn hạn chế
ế trong việc nghiên cứu chi tiết
ế giải hoá trị.
- Tuy nhiên phổ XPS nhạy với môi trường hoá học, nên được dùng để phân tích trạng thái hoá
học của mẫu.
NATuan-ITIMS-2011
- Bộ phân tích năng lượng p℮ của phổ kế PES: (ký hiệu p℮ nghĩa là đ.tử phát xạ do tương tác
với
ới phôton
hôt - quan điện
điệ tử)
+ Bộ phân tích bán cầu đồng tâm (Concentric Hemispherical Analyzer, CHA) được sử dụng
phổ biến cho các kỹ thuật phân tích phổ điện tử nói chung.
+ Đặc trưng tiêu biểu của bộ phân tích CHA là khả năng phân giải năng lượng
lượng.
* Độ phân giải tuyết đối: ∆E ở FWHM của một peak được chọn, không phụ thuộc vào
vị trí của peak.
* Độ phân giải tương đối: R = ∆E/E (E là động năng của vị trí năng lượng peak) → phụ
thuộc vào vị trí của peak → R được quy về cho một động
năng của p℮ cụ thể.
* Các thế âm -V2 và -V1 với │V2│> │V1│, có tác dụng uốn cong quỹ đạo của p℮.
*NNguồn
ồ S,
S tiê
tiêu điểm
điể F vàà tâm
tâ O là đồng
đồ phẳng.
hẳ
* Mặt bán cầu ứng với r0 là đẳng thế giữa 2 cực bán cầu r2 và r1.
- Khi các p℮ có năng lượng eV0 được phát ra từ S và đi dọc Sơ đồ cấu tạo của bộ phân
tích bán cầu đồng tâm CHA
theo mặt đẳng thế (có thế tương ứng là V0),
) chúng sẽ hội tụ
-V2
ở F nếu: V2 - V1 = V0(r2/r1 - r1/r2)
r2
- Nếu các p℮ được phóng ra không chính xác dọc theo mặt r0
∆α r1
đẳng thế,
thế mà bị phân tán theo một góc ∆α nào đó xung
S -V1 F
quanh hướng chính xác của mặt đẳng thế → chúng sẽ hội O
Độ rộng Độ rộng
tụ ở F nếu: ∆E/E = (wS + wF)/4r0 + (∆α)2 lối vào wS lối ra wF
NATuan-ITIMS-2011
- Trong phần lớn các thiết bị sử dụng cho mục đích phân tích thông thường, wS = wF = w →
∆E/E = w/2r0 + (∆α)2

(w và r0 là hằng số)
D ∆α được điều khiển bằng các điện áp V1 và V2

của hai điện cực bán cầu đồng tâm của bộ CHA Bộ phân
tích CHA
để chọn lọc các điện tử có năng lượng tương ứng.
- Cấu trúc của các phổ kế XPS hiện đại ngày

Detectors
nay có bộ phận quang điện tử để hội tụ các Chùm Thấu kính 2 điện tử
tia p℮
điện tử vào cửa sổ S và detector ở của sổ F
có thể gồm một số bộ phân tích điện tử đơn
kênh hay tấm phân tích đa kênh
kênh. Thấu kính 1
Nguồn tia X
Mẫu
NATuan-ITIMS-2011
Thông tin từ phổ XPS:
+ Đặc trưng chính, hay đặc trưng ban đầu/nguyên thủy: dạng phổ rộng → thông tin về nguyên tố
hóa học và các mức liên kết tương ứng.
+ Đặc trưng phụ, hay đặc trưng chi tiết: dạng phổ hẹp → thông tin về các liên kết tinh tế (như
liê kết spin
liên i quỹỹ đ
đạo).
)
Phổ XPS quét dải năng lượng rộng: 0 - 1100 eV 4d5/2

4d3/2
Các nguyên
Cá ê tố hóa
hó hhọc và
à 4p3/2
các mức liên kết tương ứng ionization 4p1/2
potential 4s
3d5/2
3d3/2
3p3/2
3p1/2
3s
2p3/2
2p1/2
2s
j: Total angular momentum: j = l + s 1s
l = 0, 1, 2, 3, ...; s = ± ½ ⇒ j = 1/2; 3/2; 5/2, ....
NATuan-ITIMS-2011
VD đo phổ XPS của Pd: Đối với phổ XPS rộng
Đo phổ động năng của điện tử phát xạ: Tính toán được phổ năng lượng liên kết:
Ekin(hν, X) = hν - EB - ФS EB = (hν - ΦS ) - Ekin
(1) (5)
(3)(4)
valence band
(2)
(4d,5s)
- Phổ XPS thực thu được từ một mẫu - Phổ XPS tương ứng biểu diễn theo năng lượng
kim loại Pd sử dụng bức xạ Mg
Mg-Kα
Kα. liên kết (BE). Các mức 3p và 3s ứng với các
- Các peaks chính (động năng của điện peak ở 534/561 eV và 673 eV.
- Mức 3d ứng với peak ở 335 eV.
tử tương ứng) xuất hiện ở các năng
- Các mức 4p và 4s ứng với các peak rất yếu ở 54
lượng (KE) 330 (1), 690 (2), 720 (3), và 88 eV.
910 (4) và 920 eV (5). - Sự phát xạ hóa trị (4d,5s) xuất hiện ở một năng
lượng liên kết nằm trong khoảng 0 - 8 eV (được
đo tới mức Fermi).
NATuan-ITIMS-2011
VD về giản đồ phổ XPS hẹp của Pd: chọn lọc mức năng lượng liên kết của 3d
valence band
(4d,5s)
Sự phát xạ quang 3d trong thực tế bị tách thành 2 peaks, một ở 334.9 eV BE và một ở 340.2
eV BE,
BE với tỷ số cường độ khoảng 3:2. 3:2 Hiện tượng này xảy ra do hiệu ứng liên kết spin-quỹ
spin quỹ
đạo (spin-orbit coupling) ở trong trạng thái cuối cùng → Tạo ra mômen goc tổng cộng (total
angular momentum) là: j = l + s = 3/2 và 5/2.
NATuan-ITIMS-2011
Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy (UPS)
Phổ
ổ quang điện tử sử dụng
nguồn tia cực tím (UV)
UPS là một trong những công cụ
hữu ích nhất trong việc nghiên cứu
các cấu trúc dải hoá trị của các chất
ngưng tụ (chất rắn). Thường các
vạch bức xạ của He I (hv = 21.22
eV) hoặc He II (hv = 40.8 eV) được
dùng làm nguồnồ photon kích thích.
So với XPS, độ phân giải của UPS
cao hơn (~ meV), vì thế nó thích
hợp hơn trong việc nghiên cứu cấu
trúc dải so với XPS
XPS.
(Yield [cps])1/2 Sơ đồ của ống đếm hở (Open counter)

và dạng sóng ở các lưới “đóng băng”
(quenching grid)
grid), lưới “nén”
nén
(suppresser grid) và tiền KĐ công suất.
Năng lượng photon tới [eV]

NATuan-ITIMS-2011
• Trong kỹ thuật UPS, nguồn bức xạ thường sử dụng là đèn phóng điện khí hiếm, như đèn
phóng điện khí He phát ra bức xạ He I có năng lượng 2121.2
2 eV
eV.
• Bức xạ này chỉ có thể ion hoá các điện tử từ các mức ngoài cùng của nguyên tử, nghiã là
các mức hoá trị.
• Ưu điểm chính của việc sử dụng bức xạ UV so với tia X ở chỗ, có độ rộng vạch bức xạ rất
h và
hẹp à cóó thô
thông llượng phôton
hôt ((quang thô
thông)) cao từ đè
đèn phát.
hát
• Những ứng dụng chính đối với phương pháp UPS:
– Xác định cấu trúc điện tử của chất rắn: do có thể khảo sát với độ phân giải tốt theo góc
nên cho p phépp xây
y dựng
ự g được
ợ toàn bộ ộ sơ đồ cấu trúc dải trong
g không
gggian-k.
– Nghiên cứu sự hấp thụ các phân tử có cấu trúc tương đối đơn giản ở trên bề mặt kim
loại: bằng cách so sánh các orbitals phân tử của các chất hấp thụ với cả phân tử cô lập
và kết hợp với tính toán.
VD (hình bên): phổ UPS thu được từ bề

mặt (110) của Cu. Tưừdạng phổ này, sau
khi tách nền phổ thứ cấp (phần gạch chéo
lớn) do phông tán xạ đàn hồi, có thể thu
được “bản sao” của mật độ trạng thái điện
tử (DOS) của mẫu. Với ví dụ ở đây, có thể
thấy các dải 3d, 4s và mức Fermi.
NATuan-ITIMS-2011
2) Phổ điện tử Auger (AES) ℮ A℮
~2 - 10 keV
Nguyên lý:
- Kích thích bề mặt mẫu bằng các điện tử có năng lượng ~ 2 -
10 keV ⇒ Quá trình p
phát xạ
ạ Auger-℮.
g
- Tất cả các nguyên tố có Z ≥ 3 (Li) đều có thể phát xạ Auger-℮.
- Ghi và đo phân bố năng lượng của các Auger-℮ phát ra từ mẫu. Điện tử (Auger-℮) phát xạ.
Ký hiệu là A℮.
- Phân tích các Auger-℮ theo năng lượng. ⇒ Xác định được
nguyên tố hoá học & trạng thái hóa học.
Quá trình phát xạ Auger-℮:
- Kích thích nguyên
g y tử bằng g ℮ bắn pphá có năngg
lượng đủ lớn (1-10 keV):
(1) Ion hóa lớp vỏ bên trong: ℮ phát ra → để lại
một chỗ trống.
(2) Chỗ trống được lấp đầy bằng một ℮ ở lớp
vỏ bên ngoài.
(3) Quá trình lấp chỗ trống (2) làm giải phóng
năng lượng → bức xạ tia X đặc trưng (4a).
(4b) Nếu tia X tương tác với điện tử thứ ba,làm
e thứ cấp phát xạ e thứ cấp phát xạ cho điện tử này nhận đủ năng lượng để bị
- để lại lỗ trống. - để lại lỗ trống.
bứt ra → A℮
NATuan-ITIMS-2011
Quá trình phát xạ Auger-℮:
- Như đã thấy, năng lượng của cả tia X

bức xạ và Auger-℮ đều được xác định
bằng các mức năng lượng của nguyên tử,
⇒ cóó thể phân
hâ tích
tí h tổ
tổng hợp
h đ/đ/v cả
ả 2 quá
á
trình này.
- Sự phát xạ photon tia X (huỳnh quang tia
X) và phát xạ A℮ là các quá trình cạnh
tranh nhau. Nhưng đ/v các lớp vỏ không
sâu thì quá trình Auger vẫn có nhiều khả
năng hơn.
- Động năng của A℮ được xác định bởi:

Ekin (KL1L23) = EK - EL1 - EL23 - Einter(L1L23)
- ER - ΦS
EK: năng lượng của lõi K; EL: năng lượng
tương ứng đ/v các lớp vỏ ngoài L.
Einter: năng lượng tương tác giữa các lỗ
trống trong lớp vỏ L1 và L23.
ER: tổng cộng các năng lượng hồi phục
nguyên tử.
NATuan-ITIMS-2011
Yêu cầu về thiết bị
- Chân không UHV: ~ 10-88 Pa (~10-10 10 Torr hay mBar)
- Vỏ thiết bị được làm bằng vật liệu từ có độ từ thẩm

cao (vật liệu µ-metal) nhằm ngăn chặn ảnh hưởng của
từ trường (của trái đất và các thiết bị khác).
khác)
Bộ phân tích
gương
g g trụ
ụ ((CMA))
Phổ kế AES model PHI660. Sơ đồ của bộ vi đầu dò Auger dùng

trong hệ PHI660.
NATuan-ITIMS-2011
Auger Electron Spectroscopy,
Low Energy Electron Diffraction
NATuan-ITIMS-2011
- Nguồn ℮:
=Φ
Cost Lifetime
W= $15 100 hr.

L B6 = $400
LaB6 1000 h
hr
F.E. = $6000 5-8,000 hr.
Không giống như trong XPS ở đó năng lượng photon (hν) được tính đến trong phương
trình năng lượng, trong khi đó, ở AES năng lượng của ℮ dùng để kích thích không có mặt trong
phương trình năng lượng. Vì vậy thoạt nhìn cho thấy tính chất phân tán năng lượng sẽ không
thích hợp cho kỹ thuật AES. Thực tế các ℮ sơ cấp vẫn thích hợp vì thiết diện cho việc ion hóa do
va chạm phụ thuộc vào năng lượng
lượng.
NATuan-ITIMS-2011
Quang
Qua gđđiện
ệ tử của bộ súng
sú g e
e:
25 - 50 kV
~2
~ 1 µm ~ x 10 nm
NATuan-ITIMS-2011
- Bộ phân tích năng lượng của A℮: Có sử dụng được
+ Kỹ thuật phân tích AES sử dụng bộ phân tích gương hình trụ bộ phân
hâ tích
tí h CHA ?
CMA (Cylindrical Mirror Analyzer).
-V
r2
42.30 r1
e-gun
∆α F
w
Quan hệ giữa năng lượng E và thế V:

E = 1.31 eV/ln(r2/r1)
ế góc phân tán trong một khoảng ∆α, điển
Nếu ể hình ~ 6o,
độ phân giải năng lượng tương đối của một CMA là:
Models BDL800IR-MCP ∆E/E = 0.18 w/r1 + 1.39(∆α)3
NATuan-ITIMS-2011
Các hệ sử dụng bộ
phân tích CHA kết
ế
hợp phân tích đa
năng phổ điện tử
(XPS & AES)
NanoSAM Lab
Auger Electron Analyser
Thiết bị phân tích phổ điện tử đa năng AXIS 165: X-ray

Photoelectron Spectroscope (ESCA, XPS)/ Auger Electron MICROLAB 350 - Auger
Spectroscope (AES) Electron Spectrometer
Súng điện tử
Súng ion Chú ý: thường có súng ion

để bóc lớp bề mặt mẫu.
NATuan-ITIMS-2011
Hệ phân tích hóa học bề mặt (chemical
surface characterization) Escalab 250Xi có
thể phân tích đa chức năng:
XPS, UPS, AES, SAM, REELS
(SAM = Scanning Auger Microscopy; REELS =
Reflected Electron Energy Loss Spectroscopy)
NATuan-ITIMS-2011
- Phổ năng lượng của A℮:
+ Thông thường phổ AES được trình bày dưới dạng phân bố năng lượng vi phân dN(E)/dE,
dN(E)/dE
trong khi đó ở phổ XPS lại sử dụng dạng phân bố năng lượng tích phân N(E). Î Cách sử dụng
này làm tăng cường khả năng phát hiện các đặc trưng Auger.
- Phổ AES của Cu dưới dạng mode tích

phân (integral mode spectra).
spectra)
(after Goldstein et al. 1981)
- Phổ AES của Cu tương ứng dưới dạng

mode vi phân (differential mode spectra)
Các mode phổ tích phân và vi phân

phân, ví dụ của Cu với
các peaks mạnh nhất: A → M2,3M4,5M4,5; B →
L3M4,5M4,5; C → L3M2,3M4,5; D → L3M2,3M2,3.
NATuan-ITIMS-2011
Thông tin từ phổ AES:
- Phân
Phâ tí tích
h thà
thành
h phần
hầ định
đị h tí
tính:
h AES có ó độ nhạy
h rất
ất cao (tiêu
(tiê biể
biểu ~ 1% đơn
đ lớp
lớ bề mặt)
ặt) đối với
ới
tất cả các nguyên tố, ngoại trừ đối với H và He. Mỗi nguyên tố trong mẫu sẽ cho những bộ vạch
phổ Auger là các peak có những động năng khác nhau tương ứng đặc trưngvới nguyên tố đó.
- Phân tích thành phần định lượng (sử dụng mẫu chuẩn).
- Ngoài ra: phân tích theo chế độ phân bố năng lượng Auger theo độ sâu - Auger Depth Profiling,
và chế độ hiển vi điện tử Auger (còn gọi là Auger mapping) - Scanning Auger Microscopy (SAM).
• VD về phân tích AES tại một điểm
240
275
330
240
275
330
Phổ Auger đo thực (biểu diễn dưới dạng phân bố tích phân
Phổ Auger của Pd biểu diễn dưới dạng vi phân, dN(E)/dE.
năng lượng, N(E)) của Pd kim loại thu được khi sử dụng
chùm tia 2.5 keV để tạo ra quá trình chuyển dời Auger.
Các peak chính xuất hiện ở giữa khoảng 220 & 340 eV.
NATuan-ITIMS-2011
• VD về phân tích AES tại nhiều điểm
Kiể tra một
Kiểm ộ dây
dâ dẫ
dẫn hợp
h kim
ki C
Cu-Ag
A nằm
ằ trên
ê bề mặt
ặ đế Si/SiO2
Phổ AES cho thấy xuất hiện các peak Auger (được đánh dấu) và tỷ lệ về cường độ của các
peak đó. Nền của các phổ này không như nhau, tùy thuộc vào độ sáng khác nhau của vùng
được khảo sát ở ảnh điện tử thứ cấp (SEI) (ảnh3). Nguyên nhân là do sự phản xạ mạnh ở
những vùng có chứa các nguyên tố nặng (nguyên tử số Z lớn ứng với miền sáng hơn), như Ta
(#2) và giảm ở các nguyên tố nhẹ hơn như Ag (#3), Cu (#1) và tới SiO2 (#4) có độ tối nhất.
NATuan-ITIMS-2011
• VD về p
phân tích AES phân
p bố theo chiều sâu của mẫu
Phân tích sự phân bố các nguyên tố hóa học theo chiều sâu trên bề mặt chất rắn
bằng điện tử Auger (Auger Depth Profiling - ADP
ADP)
Điện tử Auger Chùm tia điện tử sơ cấp
Bề mặt ban đầu của mẫu
Súng ion
Điện tử Auger
Súng ion
Điện tử Auger
Điện tử Auger Súng ion
NATuan-ITIMS-2011
Scanning Auger Microscopy (SAM) → Xây dựng bản đồ phân bố các nguyên tố
bằng vi đầu dò Auger
Các điểm
được phân
tích (mầu đỏ)
Phân tích AES theo các

đường ngang (mầu đỏ)
quét từ trên xuống
Phổ AES
tương ứng
thu được
Ảnh phổ AES cho thấy sự phân bố của các nguyên tố Ni, Fe và P.
NATuan-ITIMS-2011
3) Phổ tổn hao năng lượng điện tử (EELS)
Nguyên lý: tán xạ đàn hồi
- Trong TEM, các ℮ năng lượng cao (HEE) truyền qua mẫu mỏng → tán xạ không đàn hồi ⇒
nghĩa là có tổn hao năng lượng.
elastic inner-shell inelastic outer-shell inelastic ℮
Eo 20 - 100 keV
Eo Eo Eo Eo
Điện tử tán xạ tuyền

qua bịị tổn hao năng
q g
lượng. Ký hiệu là EL℮.
Eo Ngoài năng lượng bị mất,
E1 < Eo còn phải tính đến góc tán ℮
EL
xạ Î EELS chỉ quan tâm tới
Bức tranh tán xạ hạt E1’ < Eo năng lượng và phân bố ố
(góc lệch) của điện tử sơ
cấp sau khi qua mẫu.
⇒ Như vậy EELS là kỹ thuật dựa trên phân tích sự mất
mát năngg lượng
ợ g của chính các ℮ sơ cấp
p bịị tán xạ
ạ do tương
g Đo năng lượng tổn hao của
tác với mẫu. → Thu được thông tin về bản chất các kích ℮ tán xạ trong một khoảng
thích cơ bản của tinh thể ở vùng gần bề mặt. góc riêng ⇒ EELS.
NATuan-ITIMS-2011
BIỂU DIỄN QUÁ TRÌNH TÁN XẠ KHÔNG ĐÀN HỒI TRONG KHÔNG GIAN THỰC
p0 incident TÁN XẠ KHÔNG ĐÀN HỒI BỞI MỘT ĐIỆN TỬ TỰ DO TĨNH

electron Î Quan hệ giữa góc tán xạ và năng lượng bị mất
p0 = xung lượng của e tới.

p = xung lượng của e sau khi bị tán xạ.
free
pe = xung lượng của e tự do tĩnh nhận được
electron
từ điện tử tới → tạo ra động năng:
E = pe2/(2m)
θ p
Từ tam giác mômen xung lượng:
p0 pe = p0sinθ ≈ p0θ
scattered
electron ¨ Trong cơ chế tán xạ không đàn hồi:
pe θ ~ pe/p0 ≈ (2mE)1/2/(2mE0)1/2 = (E/E0)1/2
θ ≈ (E/E0)1/2
scattering
Î góc Bethe cố định θr
0
θr angle
NATuan-ITIMS-2011
TÁN XẠ KHÔNG ĐÀN HỒI BỞI MỘT ĐIỆN TỬ CÓ LIÊN KẾT
Từ tam giác mômen xung lượng:

p0 incident p = xung lượng sau khi tán xạ, được cho bởi:
electron p2 = px2 + pz2
pe = p0 Nếu px ≈ 0, →
p ≈ pz = p0 - dp
p
bound
electron Năng lượng không tương đối tính: E0= p02/(2m)
dp = - p0 (dE0/2E0) = p0 (E/2E0) = p0θE
(đặt θE = E/2E0)
θ
pz p Nói chung, cho rằng px ~ dp
p0
scattered ⇒ góc tán xạ tiêu biểu là:
electron
dp px θ ~ px/pz ~ (p0 θE)/p0 = θE
D Có sự phân bố (Lorentzian) nào đó của các

scattering
góc tán xạ (Thừa số Lorentz biểu diễn sự phân
angle θ
bố góc tán xạ của cường độ tia bị tán xạ).
NATuan-ITIMS-2011
Thừa số tán xạ nguyên tử của điện tử có dạng như sau:
e2 1 ⎛ sin θ ⎞ e2 1 ⎡ ⎛ sin θ ⎞⎤
f e (φ ) = [Z − f x (φ / 2)] fe ⎜ ⎟ = ⎢ Z − f x⎜ ⎟⎥
2mv sin (φ / 2) ⎝ λ ⎠ 2mv sin (θ ) ⎣ ⎝ λ ⎠⎦
2 2 2 2
NATuan-ITIMS-2011
BIỂU DIỄN QUÁ TRÌNH TÁN XẠ KHÔNG ĐÀN HỒI TRONG KG ẢO
Tia e tán xạ
Hình học tán xạ của thực nghiệm EELS bởi tinh thể
ể mỏng 00
0,0 không đàn
- Mẫu tinh thể rất mỏng (hay chỉ một hồi, ks.
số lớp nguyên tử bề mặt CR - được e¯ q
coi là mạng 2D) → Nút mạng nghịch θi θs
có dạng thanh kéo dài theo chiều Các "nút"
mỏng của mẫu ⇒ Cầu Ewald cho mạng nghịch q//
thấy hình học tán xạ đàn hồi của các dạng thanh
e bề mặt (hay màng mỏng 2D) với các ki//

tia tán xạ thoả nãm điều kiện nhiễu xạ ks//
Bragg. Cầu Ewald
- Tuy nhiên, xung quang mỗi tia Bragg,
g
trong một khoảng góc côn có độ mở θ, Tia nhiễu xạ, e
sẽ có những tia tương ứng với các e tán xạ đàn hồi.
thực hiện sự tán xạ không đàn hồi,
g : vectơ mạng nghịch bề mặt 2D.
tương ứng với vectơ q.
q// : vectơ xung lượng được truyền bởi e tới, tương
- Theo đ/l bảo toàn năng lượng và bảo
toàn vectơ sóng k: ứng g với vectơ sóng
g ki//.
Es = Ei - ∆E ks//: xung lượng tương ứng với độ tổn hao năng
ks// = ki// + g + q// lượng ∆E của e tán xạ.
NATuan-ITIMS-2011
Có 3 nguyên nhân dẫn đến sự tổn hao năng lượng của ℮:
- Sự kích thích của các dao động mạng của các nguyên tử bề ề mặt (các phonon quang và âm)
và/hoặc các đám nguyên tử, phân tử bị hấp thụ ở bề mặt.
- Các kích thích của các chuyển dời liên quan đến vùng hóa trị (các kích thích điện tử giữa các
dải và trong bản thân dải
dải, các trạng thái bề mặt và trong khối,
khối các plasmon ở bề mặt và ở các
mặt phân cách).
- Các kích thích mức lõi (từ đó có thể phân tích thành phần hóa học tưong tự như kỹ thuật XPS,
hoặc
ặ có thể p phân tích cấu trúc thông
gqqua cấu trúc tổn hao năng g lượng
ợ g tinh tế (p
(phân tích p
phổ
hẹp)).
⇒ Các kích thích trên đây bao trùm một khoảng phổ rộng từ vài chục meV của tổn hao
năng lượng đ/v phonon, hay các dao động hấp thụ lên đến vài trăm eV để ion hóa
các mức lõi.
Ưu điểm chính của kỹ thuật sử dụng phổ EELS:
- Cung
C cấp
ấ thông
thô titin về
ề mật
ật độ của
ủ cả á ttrạng thái ℮ được
ả các đ lấ đầy
lấp đầ (các
( á mức
ứ lõi) và
à còn
ò ttrống
ố
(các mức hoá trị) trong bề mặt chất rắn.
- Dễ dàng thay đổi được năng lượng của ℮ tới để tạo ra một khoảng năng lượng rộng với cùng
một thiết bị mà không cần các bộ lọc đơn sắc
sắc.
- Độ thấm nông của ℮ vào môi trường làm nổi bật sự tổn hao năng lượng của ℮, do đó EELS
nhạy với trạng thái bề mặt hơn so với các phổ quang học.
NATuan-ITIMS-2011
Cơ chế của quá trình tương tác dẫn đến EELS
Quá trình tương tác giữa e năng lượng

Xét tương tác giữa e năng lượng cao với các e trong nguyên tử đơn lẻ
cao với vật chất trong TEM Điện tử Auger
g
E Huỳnh quang
Primary e Evac cathode Điện tử tự do
Backscattered e Điện tử bị kích thích
Auger e X-rays Dải dẫn vào một trạng thái
Secondary e EF khô bị chiếm
không hiế giữiữ
Cathodo-
luminescence Dải
Thin crystalline hóa trị
specimen
Điện
ệ tử sơ cấp
p
L3 E0
L2
L1
Diffracted beam Diffracted beam Hole
Direct beam
Tia X đặc trưng
K
Elastically and Inelastically Scattered e
Hole
- Đo và phân tích năng lượng tổn hao & sự phân E

bố góc của các tia tán xạ truyền qua không đàn Điện tử tổn hao năng lượng
hồi biết được thành phần các nguyên tố hóa học &
trật tự sắp xếp ngang ở trên bề mặt.
∆Ε = E0 - E
NATuan-ITIMS-2011
Quá trình tương tác giữa e năng lượng cao với các e trong nguyên tử
liên kết với nhau (chất rắn)
Vacuum level
Valence or
conduction band
NATuan-ITIMS-2011
• ELMISKOP IA with serial EELS
http://tem.atp.tuwien.ac.at/EELS/elmi3.html
NATuan-ITIMS-2011
Yêu cầu về thiết bị
- Trang bị cần thiết cho phản xạ EELS thường được kết hợp với phổ kế AES (thao tác của hai
loại phổ kế này tương tự nhau).
- Bộ phận phổ kế EELS thường được cấy vào các thiết bị TEM và STEM với các bộ phận chủ
yếu,
ế gồm:
ồ + Bộ lọc trong cột (in-column filter)
gồm bộ phân tích năng lượng là
thấu kính từ; khe chọn lọc n.lượng.
+ Bộ lọc hình ảnh Gatan (gương e). e)
+ Ghi/hiển thị (CCD detector).
in-column ffilter
Gatan imaging filter

(post-column filter)
NATuan-ITIMS-2011
- Bộ lọc thấu kính từ kiểu cong là bộ phân tích
năng lượng phổ biến, vừa có thể hội tụ, vừa có
thể phân tán ("tán sắc") được một chùm tia e.
TV-rate
TV-
camera
Sử dụng CCD camera → ghi đồng thời

(song song) toàn bộ dải phổ → phổ kế
evB = F = mv2/R EELS ghi song song: PEELS. ⇒ Ghi
R = (m/e)(v/B) hiệu quả hơn loại ghi tuần tự (SEELS)
NATuan-ITIMS-2011
- Bộ lọc thấu kính từ kiểu Ω:
Gồm 4 thấu kính từ hình quạt để tạo ra

từ trường dạng dẻ quạt bẻ cong quỹ đạo
điện tử tương tự như thấu kính tròn trong
quang học. → tăng khả năng phân ly
chùm tia e theo năng lượng (bước sóng)
→ tăng độ "tán sắc" ⇒ dễ dàng chọn lọc
tia e có năng lượng thích hợp.
Độ tách phổ biến trong khoảng một vài

µm/eV đối với năng lượng chùm e sơ cấp
khoảng 80 - 100 ekV
energy-selecting slit
NATuan-ITIMS-2011
NATuan-ITIMS-2011
• Nguyên lý của lọc Omega
Độ tán sắc ~ 1.3 µm/eV ở 200 kV. Hiện nay đang kỳ vọng xuống < 1 Å/eV ở hàng nghìn kV.
NATuan-ITIMS-2011
Thông tin từ phổ EELS:
a)- Thông tin phổ định tính

- Phổ EELS biểu diễn quan hệ giữa cường độ
của các e tán xạ không đàn hồi như là hàm
của năng lượng tổn hao ở một góc đo nào
đó của phổ kế mà xác định bởi độ mở
(aperture) ở phía trước bộ phân tích.
- Phổ EELS được chia làm 2 vùng:
+ Vùng tổn hao thấp: 0 - ~ 50 eV
g năng
+ Vùng g lượng
ợ g cao: ~ 50 - ~ 2000 eV
(Z
(Zero-loss
l peak)
k)
(giới hạn trên được xác định bởi cường độ tín
hiệu, mà cường độ này giảm theo hàm exp khi
g lượng
năng g tổn hao tăng.
g Giới hạn nàyy có
thể > 2 keV khi sử dụng PEELS).
- Đặc trưng tổn hao cung cấp thông tin về
thành phần cấu tạo nguyên tố hóa học,
xuất hiện từ sự ion hóa các lớp vỏ bên
trong nguyên tử.
NATuan-ITIMS-2011
Lưu ý: + Các đặc trưng trên đây không phải là
các peaks
peaks, mà là các biên (gờ/khấc) (edges) được
chồng lên trên một nền phổ do những kích thích
tổn hao thấp (như plasmons, các kích thích e hóa
trị đơn),
đơn) hay là đoạn cuối của một biên ion hóa có
năng lượng thấp hơn tạo nên.
+ Các biên xuất hiện là do các e lớp vỏ bên
trong không chỉ được truyền năng lượng ngưỡng,
mà còn được truyền thêm cả một chút động năng.
x 100
OK
Ni M Ni L
NATuan-ITIMS-2011
Năng lượng-thiết diện vi

phân đối với sự ion hóa lõi
K của các nguyên tố nhẹ
được tính từ Hartree-Slater
(Leapman et al., 1982)
NATuan-ITIMS-2011
- vùng tổn hao zero

(Zero-loss region)
- vùng plasmon/ - vùng ion hóa

kích thích e-đơn (Ionization region)
(Plasmon/single e
(Plasmon/single-e
region)
NATuan-ITIMS-2011
b)- Các kích thích tổn hao thấp
- Trong vùng tổn hao thấp, đặc trưng nổi bật là peak tổn hao zero (zero-loss) mà bản thân nó
không có ích để khai thác thông tin về tổn hao năng lượng - đó là peak đàn hồi, vì đóng góp chủ
yếu là của các e tán xạ đàn hồi và được truyền qua mẫu mà không tương tác.
- Tuy nhiên FWHM của peak tổn hao zero được dùng như một phép đo để đánh giá về độ phân
giải
g ả năng
ă g lượng
ượ g của một
ộ pphổ
ổ kế
ế EEL.
- Trong vùng ~ 5 - 50 eV, là vùng của các peak có dạng Gaussian, có nguồn gốc khác nhau:
+ Đối với kim loại (e tự do), các peak này là do các dao động tập thể, nghĩa là plasmon của
các
á e dẫ
dẫn trong
t KL.
KL
+ Với các vật liệu không nhiều e tự do, có một cơ chế khác thay thế: đó là sự truyền năng
lượng cho các e hóa trị đơn lẻ. ⇒ Hiện tượng kích thích e-đơn là quan trọng đối với các
chất bán dãn và cách điện (Ghi chú: thường những chất này cũng phát ra các kích thích
plasmon ở vùng ~ 20 -30 eV).
y dời g
+ Các chuyển giữa các dải ((interband transition).
)
NATuan-ITIMS-2011
• Sự kích động plasmon
- Sự tán xạ không đàn hồi trong CR là một hiệu

ứng tập thể, bao gồm nhiều e của ng.tử.
- Trường tĩnh điện của e chuyển động nhanh gây

nên sự dao động cho trường thế địa phương và
làm thay đổi mật độ của các e dẫn (hay e hóa trị).
- Các dao động plasmon không chỉ gây a trong

khối mà cả ở trên bề mặt. → Phần dao động
plasmon bề mặt càng tăng lên khi chiều dày mẫu
càng mảng đi, và năng lượng để kích thích các
dao động này bằng 1/2 năng lượng của plason
khối tương ứng.
- Phân tích năng lượng plasmon, Epl, cho phép

thăm dò mật độ e địa phương tự do Ne, vì:
Epl ∝ √(Ne)
Echenique, Ritchie & Brandt, 1979
NATuan-ITIMS-2011
- Năng lượng Plasmon của các nguyên tố
+ Các điểm chấm tròn: Ep = (h/2π)(ne2/ε0m) với m = m0 và n = mật độ e ở lớp vỏ ngoài.

+ Các điểm chữ thập: Các giá trị thực nghiệm (Colliex, 1984).
NATuan-ITIMS-2011
- Sự tán xạ không đàn hồi nhiều lần trong quá trình tương tác của e với CR có thể tăng lên theo
chiều dà t của mẫ
chiề dày mẫu → gây
gâ ra ssự tổn hao nhiề
nhiều lần → gây
gâ nhiề
nhiều lần kích thích dao động
plasmon ⇒ Sử dụng sự phụ thuộc tán xạ nhiều lần vào chiều dày mẫu để đo chiều dày của vùng
được chiếu chùm tia điện tử.
- Nếu gọi λ là quãng đường tự do trung bình tổng cộng của tất cả các tán xạ không đàn hồi, I0 là
cường độ tích phân được lấy đối với peak tổn hao zero (chính là diện tích của peak), Itot là
cường độ tích phân của toàn bộ phổ ghi được cho đến khoảng 200 eV
eV, quan hệ của chiều dày
mẫu với tán xạ nhiều lần sẽ là:
t ⎛ I tot ⎞ first-plasmon
l ⎜⎜
= ln ⎟
λ I
⎝ 0 ⎠ zero-loss
- Để xác định t, cần phải biết λ.

Đánh giá tho có thể dựa trên công thức silicon
ili
λ = 0.8E0
trong đó λ tính theo nm, còn E0 là năng
lượng của e sơ cấp (tính theo eV).
NATuan-ITIMS-2011
c)- Các tổn hao ion hóa
- Đặc trưng quan trọng nhất cho phân tích vật liệu là các gờ ion hóa các lớp vỏ bên trong của
nguyên tử, bởi vì năng lượng ion hóa là đặc trưng cho các nguyên tố hóa học.
- Về nguyên
ê tắ
tắc, có
ó thể phát
hát hiện
hiệ tất cả
ả các
á nguyên
ê tố
tố. Tuy
T nhiên,
hiê nói
ói chung
h phổ
hổ EELS đặc
đặ biệt
nhạy với các nguyên tố nhẹ, vì thiết diện ion hóa σ tăng khi nguyên tử số Z giảm. Tuy nhiên,
trong vùng năng lượng cao, vùng ion hóa, để làm nổi bật các đặc trưng gờ ion hóa, theo thang
cường độ, cần phải dãn thang từ vài chục đến vài trăm lần.
- Trong khoảng năng lượng lên đến 2 keV có thể làm xuất hiện các gờ K của các nguyên tố từ Li -
Si, các gờ L23 đối với các nguyên tố từ Al - Sr, và các gờ M45 đối với các nguyên tố từ Rb - Os.
- Mỗi gờ của vỏ sâu bên trong đều có đoạn năng lượng cao kéo dài (tail) mà đoạn này là tín hiệu
nền (background) của các gờ tiếp theo được chồng lên ở trên đoạn kéo dài đó.
- Thực
Th nghiệm
hiệ cho
h thấ
thấy cường
ờ độ tín
tí hiệ
hiệu nền
ề này
à được
đ fit với
ới hà
hàm mũ:
ũ
IB = A.E-r (A và r là các hằng số, E là năng lượng tổn hao)
Cả r và A đều thay đổi theo chiều dày của mẫu, theo điện áp gia tốc và góc nhận của phổ kế.
r có giá trị trong khoảng 2-5, trong khi A có thể thay đổi đột ngột.
NATuan-ITIMS-2011
Ký hiệu của các gờ ion hóa ứng với các lớp vỏ phía trong nguyên tử.
Chiều tăng của năng lượng ion hóa

NATuan-ITIMS-2011
inner-shell edge • Tín hiệu phổ nền phía năng lượng cao
high-energy tail dưới mỗi
ỗ gờ ion hóa lớp lõi là do tán
(background) xạ không đàn hồi nhiều lần dẫn đến
IB = A.E-r tổn hao năng lượng.
IB = A.E-r
• Trừ phổ nền theo quy luật hàm mũ

NATuan-ITIMS-2011
d)- Các cấu trúc tinh tế
- Khi phân giải năng lượng cao, ví dụ đến 1 eV, có thể thu được các cấu trúc tinh tế ở gần các
gờ ion hóa. Đó là các kích thích của các e ở các lớp vỏ bên trong riêng rẽ (K, L, M, N,...) chuyển
từ vùng trạng thái cơ bản của chính nó lên các trạng thái chưa bị chiếm trong vùng dẫn, nghĩa
là ion hóa các mức lõi.
- Có hai kiểu đặc trưng của cấu trúc tinh tế:
+ cấu trúc tổn hao gờ gần (energy loss near-edge structure, ELNES)
+ cấu
ấ trúc tổn
ổ hao tinh tế
ế mở
ở rộng (extended energy-loss fine structure, EXELFS)
NATuan-ITIMS-2011
• ELNES
- Xuất hiện do các chuyển dời của e ở các lớp vỏ phía trong của một nguyê tử cụ thể tới
những trạng thái còn trống thấp nhất ở trong CR.
⇒ ELNES có thể dò mật độ trạng thái (DOS) còn trống ở trên mức EF ở vị trí của nguyên tử
được kích thích.
- ELNES cũng liên quan đến cả nguyên tử số, sự sắp xếp, loại nguyên tử và liên kết hóa học
của nguyên tử mà gây ra cấu trúc kiểu này.
- Ngoài ra ELNES còn cung cấp thông tin về dị hướng trong liên kết hóa học và cấu trúc dải.
• EXELFS
- Xuất hiện do sóng e được kích thích có bước sóng xấp xỉ với khoảng cách giữa các
nguyên tử của mẫu được chiếu truyền qua.
→ Vì thế sóng
ó này
à có
ó thể bị nhiễu
hiễ xạ bởi các
á nguyên
ê tử lân
lâ cận
ậ và
à có
ó thể trở
t ở thành
thà h giao
i ththoa
với sóng phát ra. Sự giao thoa có thể được tăng cường hoặc triệt tiêu, tạo ra một phần dao
động nào đó của cường độ đi kèm theo với gờ ion hóa.
⇒ EXELFS có
ó thể dùng
dù để phân
hâ tích
tí h các
á khoảng
kh ả cách
á h ttương tá
tác giữa
iữ các
á nguyên
ê tử ở lâ
lân
cận gần nhất để xây dựng hàm phân bố xuyên tâm (RDF).
NATuan-ITIMS-2011
e) Ảnh hưởng của chiều dày lên các peak của plasmon
Số và cường độ các peak plasmon từ phổ EELS của Al sạch tăng lên theo chiều dày cuả mẫu
tinh thể. Từ cường độ này, quãng đường tự do trung bình đối với kích thích plasmon có thể xác
định được
được.
- Đối với các nghiên cứu EELS, Ip cần phải nhỏ hơn 0.1 I0.
- Tuy
y nhiên, đối với các hạt
ạ nano có kích thước tiêu biểu < 100 nm, p
phân tích EELS vẫn luôn
có thể thực hiện mặc dù các hạt nano đó là các nguyên tố có nguyên tử số Z cao.
NATuan-ITIMS-2011
C-K
Dao động plasmon với tán xạ
không đàn hồi nhiều lần
Ảnh hưởng của plasmon (thể hiện qua

mẫu
ẫ mỏng) + tán xạ lớp vỏ K của
carbon lên hình dạng cuả gờ ion hóa
lõi K
⇒ tạo nên các cấu ấ trúc tinh tế
ế ứng với
nhiều lần tán xạ (n = 0, 1, 2...)
(ở đây tính với t = 1/2 plasmon-MFP,
và giả thiết
ế các peaks plasmon có dạng
nhọn với Epl = 25 eV)
NATuan-ITIMS-2011
C-K
T ờ hợp
Trường h mẫu
ẫ dà
dày h
hơn: t = 2 plasmon-
MFP ⇒ Dao động plasmon với tán xạ không
đàn hồi nhiều lần hơn → Gờ ion hóa lõi K có
cấu trúc gồm nhiều các gờ con tinh tế hơn.
NATuan-ITIMS-2011
f)- Thông tin phổ định lượng
- Cường độ thuần của ion hóa lớp vỏ thứ k: Ik
- Số nguyên tử được kích thích, N.
- Độ rộng cửa sổ năng lượng để lấy tích phân cường
độ tín hiệu: ∆.
- Nửa
Nử gócó thu
h thập
hậ tín
í hiệu
hiệ của ủ phổ
hổ kế
kế: β.
β
- Thiết diên ion hóa: σ(β, ∆).
- Khi tán xạ một lần: Ik1 = N I0 σ(β,∆)
- Với tán xạ nhiều lần: Ik ≈ N I0 σ(β,∆)
D Số tuyệt đối nguyên tử trên một đơn vị
diện tích mà tạo ra gờ ion hóa thứ k
trong phổổ EELS là:
I k ( ∆, β )
N=
σ k ( ∆, β ) I 0
D Tỷ lệ nồng độ của hai nguyên tố
A và B sẽ là:
N A I A (∆, β )σ B (∆, β )
=
N B I B (∆, β )σ A (∆, β )
NATuan-ITIMS-2011
g)- Ảnh phân bố các nguyên tố
- Tổ hợp của EELS và TEM/STEM có thể xây dựng được các ảnh phân bố các nguyên tố của
vùng bề mặt mẫu nghiên cứu.
C N
V.J.KEAST AND M.BOSMAN; MICROSCOPYRESEARCHANDTECHNIQUE70:211–219(2009)
Ảnh phân bố thành phần các nguyên tố hóa học trong hợp chất Nitrit-Bo (BN).
NATuan-ITIMS-2011
Ví dụ
Ảnh phân bố nguyên

tố hóa học của các hạt
C cho
Co h thấ
thấy có
ó lớ
lớp vỏ
ỏ
bị ôxy hóa. Ảnh thu
được ở chế độ 200kV
GIF (Gatan
(G Image
I O Co O
Filter)
Disko et al., Proc. M&M

2001, p.1090)
NATuan-ITIMS-2011
NATuan-ITIMS-2011
NATuan-ITIMS-2011
NATuan-ITIMS-2011
NATuan-ITIMS-2011
NATuan-ITIMS-2011
4) Các kỹ thuật phân tích phổ điện tử khác
a) Phổ điện thế làm xuất hiện điện tử Auger (AEAPS)

(Auger ElectronAppearance Potential Spectroscopy)
Nguyên lý:
- Sự kích thích lớp vỏ sâu bên trong của nguyên tử bởi ℮ dẫn đến khả năng phát xạ
không chỉ tia X mềm mà cả A℮. → Lượng ℮ thứ cấp tổng cộng sẽ tăng khi vượt qua
ngưỡng ion hóa.
- Lượng ℮ thứ cấp tổng cộng được đo bằng AEAPS.
- Dòng thứ cấp xuất hiện bao gồm các A℮ và cả từ tán xạ không đàn hồi của các A℮ ở
chiều
hiề sâu
â ddưới
ới bề mặt.
ặt
- Dòng thứ cấp thay đổi là phép đo cơ bản của khả năng kích thích của một điện tử ở
mức lõi tới một mức trống ở trên mức Fermi.
NATuan-ITIMS-2011
b)) Phổ điện

ệ tử Auger
g kích thích ion (IAES)
( )
(Ion (Excited) Auger Electron Spectroscopy)
Nguyên lý:
- Sự kích thích phát xạ các điện tử A℮ cũng có thể được thực hiện bằng các ion (tương tự
như đã sử dụng tia X hay ℮). ⇒ Kỹ thuật kích thích mẫu bằng chùm ion và phát hiện/đo
phân bố năng lượng của các A℮ đã tạo ra kỹ thuật IAES.
- Các ion khí hiếm, các proton và hạt α thường được sử dụng trong kỹ thuật IAES.
- Trong phổ IAES, bên cạnh các phổ tương tự như XPS và AES, còn có những peak xuất
hiện từ những chuyển dời trong các nguyên tử hay phân tử bị phún xạ khỏi bề mặt.
Vì tính phức tạp của phổ, kỹ thuật IAES không thể dùng
để phân tích trực tiếp, mà chỉ dùng trong các thực
nghiệm vật lý cơ bản nghiên cứu các quá trình Auger xảy
ra trong các nguyên tử bị kích thích.
NATuan-ITIMS-2011
c) Phổ trung tính hóa ion (INS)
(Ion Neutralization Spectroscopy)
Nguyên lý: (các ion chậm)
- Các ion He+ được chọn lọc có năng lượng trong khoảng 5-10 eV chiếu lên bề mặt kim loại.
- Ở dưới
d ới bề mặt
ặt khoảng
kh ả vài
ài lớ
lớp nguyên
ê tử sự ttương tá
tác với
ới các
á nguyên
ê tử bề mặt
ặt lân
lâ cận
ậ
gần nhất hình thành nên các cặp nguyên tử-ion → gọi là các chuẩn phân tử bị kích thích
(excited quasi moleculars, EQM).
- Các EQM có thể được giải phóng kích thích bằng cách trung hòa bởi A℮: các mức chưa đầy
của ion (ở đây là He+) nằm ngoài khoảng các mức được điền đầy của nguyên tử bề mặt chất
rắn → xuất hiện quá trình chuyển dời A℮ trong đó một ℮ từ dải hóa trị của CR lấp vào lỗ trống
của lớp vỏ bị ion hóa ion He+. → Năng lượng vượt quá được nhường cho ℮ hóa trị khác mà
được phát xạ ra sau đó.
- Phổ năng lượng quan sát được phản ánh mật độ trạng thái địa phương (LDOS) của các
trạng thái bề mặt CR, nhưng lại là một sự tự tích chập (self-convolution) của LDOS và các
xác suất chuyển dời qua các dải hóa trị. ⇒ đòi hỏi công cụ toán học phức tạp để giải chập
(deconvolution) phổ INS
INS.
- Đây là kỹ thuật tương đối phức tạp trong việc xử lý phổ, nên ít được sử dụng.
NATuan-ITIMS-2011
d) Phổ dập tắt giả bền (MQS)
(Metastable Quenching Spectroscopy)
Nguyên lý:
- Kỹ thuật phổ MQS là sự mở rộng của kỹ thuật phổ INS: thay vì sử dụng ion He+ năng
lượng thấp, nguyên tử He ở trạng thái giả bền có năng lượng thấp được dùng để kích
thích phát xạ ℮. Ghi chú: cấu hình điện tử của He: 1s2.
- He ở trạng thái kích thích đơn He*(21s1) có năng lượng ~ 20.62 eV và thời gian sống τ ~
2.10-2 s thích hợp cho ứng dụng ở đây.
- Chế tạo HeHe*(2
(21s1): Giãn nở khí He ở áp suất cao, dẫn qua một ống nhỏ để đi vào buồng
phóng điện cathod lạnh (plasma được duy trì bằng cả trường tĩnh điện và từ trường): Ở
trường cao, các ion bị ngăn chặn và thúc đẩy các nguyên tử He ở trạng thái bị kích thích
đi ra khỏi vùng phóng điện ⇒ chùm hạt phát ra hầu như hoàn toàn chỉ có He*(21s1).
- Khi chùm
hù h hạtt ion
i giảiả bền
bề đập
đậ lê
lên bề mặt
ặt CR sẽẽ giải
iải phóng
hó tì tình
h ttrạng bị kích
kí h thí
thích.
h
- Có hai cơ chế đều dẫn đến làm phát xạ A℮ tươg tự như INS và thực hiện chức năng giải
kích thích:
+ Nếu mức kích thích trong g nguyên
g y tử He cộng g hưởng g với trạngg thái trốngg ở mức
Fermi ở bề mặt CR → ℮ truyền từ nguyên tử He đến bề mặt → ion hóa cộng hưởng
nguyên tử He. ⇒ Quá trình trung tính hoá Auger xảy ra tương tự như ở trong INS,
và xuất hiện sự tự tích chập (self-convolution) của LDOS.
+ Nếu không g xảyy ra sự
ự cộng
ộ g hưởng g trên đây,
y, sựựggiải kích thích Auger
g trựcự tiếp p có thể
xảy ra khi các lỗ trống ở lớp vỏ bên trong của He*(21s1) được lấp đầy từ một trạng
thái bề mặt CR và kèm theo là bứt ra ℮ kích thích của ng.tử He (gọi là quá trình ion
hóa Penning). ⇒ Chỉ 1 ℮ được phát ra → phổ phản ánh sự giải tích chập của LDOS.
NATuan-ITIMS-2011
e) Phổ xuyên ngầm điện tử không đàn hồi (IETS)
(Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy)
- Đây là cách duy nhất theo nghĩa hoàn toàn đặc trưng bề mặt mà không cần thực hiện trong
môi trường chân không.
Nguyên lý:
- Dựa trên hiện tượng xuyên ngầm điện tử qua cấu trúc M/I/M với lớp cách điện I dày cỡ vài
nanomét (gọi là tiếp xúc xuyên ngầm).
- Quá trình xuyên ngầm không tổn hao năng lượng ℮ → xuyên ngầm đàn hồi.
- Quá trình xuyên ngầm không đàn hồi xảy ra khi xuất hiện các trạng thái tạp rời rạc ở mặt
phân cách giữa lớp kim loại và lớp cách điện; hoặc có các phân tử ở các mặt phân cách đó
với năng lượng dao động một cách đặc trưng. → khi đó ℮ xuyên ngầm có thể nhường bớt một
phần năng lượng hoặc cho các trạng thái tạp, hoặc cho các mode dao động trước khi xuyên
được đến điện cực đối diện. → quá trình xuyên ngầm bị tổn hao năng lượng → không đàn hồi.
⇒ Để có xuyên ngầm, đ/áp tác dụng phải lớn hơn năng lượng của các trạng thái tạp hoặc của
các mode dao động.
- Nếu đo dòng xuyên ngầm qua cấu trúc M/I/M theo điện áp tác dụng, thì dòng xuyên ngầm
này sẽ tăng lên khi vượt qua được ngưỡng đối với mỗi trạng thái tạp hoặc mỗi mode
dao động. D Xác định được trạng thái kích thích của các mode dao động hay trạng thái tạp.
NATuan-ITIMS-2011
4 1 Mở đầu
4.1. đầ
4.3. Phương pháp phân tích phổ photon / phổ Rơngen
- Phổ tán
tá sắc
ắ nămg
ă l
lượng (EDS)
1) Phổ
ổ tia X đặc trưng (EPMA) - Phổ tán sắc bước sóng (WDS)
2) Phổ huỳnh quang tia X (XRF)
3) Một số kỹ thuật phân tích phổ photon khác
- Phổ quang hóa bằng chùm ion (IBSCA)
- Phổ hồng ngoại hấp thụ phản xạ (RAIRS)
- Phổ tá
tán xạ R
Raman bề mặt
ặt tăng
tă cường
ờ (SERS)
- Phổ phát xạ quang do phóng điện hào quang (GD-OES)
NATuan-ITIMS-2009
1) Phổ tia X đặc trưng (EPMA)
Nguyên lý: ~5 - 50 keV ℮ XCh

E = hν
- Chiếu lên bề mặt mẫu một chùm tia điện tử có năng lượng
~ 5 - 50 keV ⇒ Diễn ra quá trình phát xạ tia X đặc trưng
trưng.
- Hầu như tất cả các nguyên tố có Z ≥ 2 (He) đều có thể phát
xạ tia X đặc trưng. MẪU
- Ghi và đo sự phân bố của lượng tử tia X đặc trưng phát ra
Tia X đặc trưng XCh phát xạ.
từ mẫu theo năng lượng hay bước sóng.
- Phân tích sự phân bố các lượng tử tia X đặc trưng theo
năng lượng hay bước sóng. ⇒ Xác định được
nguyên tố hoá học. 3
2
Cơ chế phát xạ tia X đặc trưng:
1
Quá
Q á trình
t ì h phát
hát xạ titia X đặc
đặ trưng
t khi bắ
bắn
phá (ion hóa) nguyên tử bởi e:
Điện tử lớp lõi
Tia X đặc trưng được phát ra khi chùm e bị bật ra
tới kích thích các điện tử ở các lớp lõi của Điện tử
ử tới kích thích
nguyên tử, và dẫn tới quá trình chuyển dời
từ các lớp ngoài vào các lớp vỏ bên trong.
NATuan-ITIMS-2011
- Năng lượng của photon tia X phát ra chính là độ chênh lệch giữa năng lượng liên
kết Eb của lớp vỏ trong và lớp vỏ bên ngoài diễn ra quá trình chuyển dời:
Đó cũng chính là hiệu giữa năng lượng ion hoá của các lớp vỏ tương ứng
Do đó rất xác định và đặc trưng cho loại nguyên tử Cơ sở để phân tích các
nguyên tố hóa học.
- Mức năng lượng tương ứng với mỗi lớp vỏ điện tử trong nguyên tử phụ thuộc
vào nguyên tử khối:
En = −13.56
(Z −σ )
2
n2
σ ∼ 1 do bị hiệu ứng màn chắn (σ = 0 đối với mô hình lý tưởng).

Các mức tương ứng: n = 1 (K-shell), 2 (L-shell), 3 (M-shell)….
- Tuy nhiên các chuyển dời giữa các mức n tương ứng với các lớp vỏ điện tử không
phải được diễn ra bất kỳ, mà theo một quy tắc riêng – nguyên lý chọn lọc lượng tử.
NATuan-ITIMS-2011
- Các chuyển dời cho phép của điện tử tới lớp vỏ K và bức xạ tia X đặc trưng tương ứng
sau khi ion hóa nguyên tử
+ Quy tắc chọn lọc lượng
tử cho phép xác định các N7 ........................
chuyển dời được phép:
1) ∆n >0 (nghĩa là chỉ có

N1 .........................
các chuyển dời từ L → K;
từ M → K,...
K mà không có M5 (3d l =2 j = 5/2)
chuyển dời K → L; L3 → L2). M4 (3d l =2 j = 3/2)
2) ∆l = ±1 và ∆j = -1, 0, 1,... M3 (3p l =1 j = 3/2)
M2 (3p l =1 j = 1/2)
+ Năng lượng của lượng M1 (3s l =0 j = 1/2)
tử tia X đặc trưng phát xạ
L3 (2p l =1 j = 3/2)
ứng với các chuỗi vạch xác
h (Kα, Kβ) đ
định
đị được tí
tính
h gần
ầ L2 (2p l =11 j = 1/2)
đúng qua nguyên tử số Z L1 (2s l =0 j = 1/2)
của nguyên tử bị ion hóa:
α2 α1 β3 β1 γ2 γ1
√E ∝ (Z - 1) K (1s l =0 j = 1/2)
(chính xác hơn phải tính theo công thức En ở slide trước) Hai vạch bị cấm
NATuan-ITIMS-2011
- Sơ đồ các chuyển dời Kα(1,2), Kβ(1-,5), Kδ(1,2) Lα(1,2), Lβ(1-7,9,10,15,17 ), Lγ(1-6)
điện tử được phép ứng Các vạch quan Các vạch quan
trọng nhất:
với các loại bức xạ tia X trọng nhất: Lα(1,2)
Kα(1,2), Kβ1
đặc trưng khác nhau. Lβ(1-4)
Lγ(1,3)
Mα(1,2), Mβ(1,2), Mγ(1-3), Mδ

Các vạch quan trọng nhất: Mα(1,2), Mβ1, Mγ(1,2), Mδ
NATuan-ITIMS-2011
3
Các vạch phát xạ tia X đặc trưng của một số 2
nguyên tố
1
Năng lượng của tia X phát ra, Ex-ray :
Kα: Ex-ray = E1 - E2 Kβ: Ex-ray= E1 - E3 Điệ tử lớp

Điện lớ lõi
bị bật ra
Lα: Ex-ray = E2 - E3 ;…. Điện tử tới kích thích
NATuan-ITIMS-2011
- Các bức xạ tia X đặc trưng Kα, Kβ phát xạ
cùng với bức xạ nền (phổ tia X liên tục) khi một
chùm e có năng lượng ~ 5 – 50 keV tác dụng
lên bề mặt mẫu.
- Cơ chế của bức xạ
ạ nền: khi chùm e tới có
năng lượng cao (~ 5 – 50 keV) tác dụng lên
nguyên tử ở lớp bề mặt mẫu gây ra sự lệch
và/hoặc hãm các điện tử của lớp vỏ ở trong điện
trường của hạt nhân (chuyển động gia tốc)
phát ra bức xạ điện từ (tia X) có phổ liên tục.
Phổ tia X đặc trưng
Phổ liên tục

(phổ nền)
Phổ hấp thụ
Eo E
¨ Phổ đo được là chồng chập của các phổ
tia X đặc trưng, hấp thụ và liên tục (nền).
NATuan-ITIMS-2011
- Nguyên lý của phân tích phổ tia X đặc trưng:
* Các vạch bức xạ đặc trưng tia X có bước sóng cố định đối với mỗi loại nguyên tử
xác định – Có vị trí vạch xác định trên giản đồ phổ năng lượng. Nghĩa là có tính
đặc trưng cho nguyên tố
ố hoá học (Mosely's law):
ν = 2.481015(Z −1)2 ( E = hν & λ = c/ν ) ¨ Nguyên tắc phân tích định tính.
* Cường độ của vạch đặc trưng của nguyên tố phụ thuộc vào nồng độ nguyên tử
của nó trong mẫu: IA/IB. ¨ Nguyên tắc phân tích định lượng.
Nguyên lý chung của vi phân tích tia x đặc trưng trong SEM
* Có hai kỹ thuật phân tích chủ yếu, tùy thuộc vào việc đo và phân tích năng lượng
hayy bước sóng
g của tia X đặc
ặ trưng
gpphát ra từ mẫu:
⇒ Đo sự tán sác của năng lượng → Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDXS:
Energy Dispersive X-ray Spectroscopy);
⇒ Đo sự tán sắc của bước sóng → Phổ tán sắc bước sóng tia X (WDXS:
Wavelength Dispersive X-ray Spectroscopy).
NATuan-ITIMS-2011
Những đặc điểm cần lưu ý trong phân tích phổ tia X đặc trưng (hay EPMA)
Vùng thểể tích tương tác: Vùng bị ion hóa có dạng “quả lê” bên dưới bề mặt mẫu,
có độ sâu ζm (µm). Một số đặc điểm chính:
- Độ thấm sâu ζm của chùm e tới
5 to 50 keV
e
bề
ề mặt mẫu
ẫ phụ thuộc năng lượng
và bản chất bề mặt. Ví dụ:
- Chùm tia X đặc

trưng được phát
xạ từ ở sâu trong
khối, bên dưới
bề mặt
ặt mẫu.
ẫ
- Xảy ra quá trình tán xạ đàn hồi và
không đàn hồi đa cấp (nhiều lần)
theo các hướng bất kỳ.
- Diễn ra quá trình tái phát xạ từ

ζm
vùng
ù được
đ mở
ở rộng
ộ theo
th chiều
hiề
ngang ở xung quanh chùm tia tới.
NATuan-ITIMS-2011
Các vùng phát xạ và ứng dụng
Vùng điện tử thứ cấp Vùng e tán xạ ngược Vùng tia X đặc trưng
(Secondary electron - SE) (Back-scattered electron (Tia X đặc trưng thường được
(SE thường được sinh ra tại nơi (BSE) (BSE thường được tạo ra tạo ra tại nơi mà chùm tia sơ cấp
mà chùm tia sơ cấpp đi tới,, nhưng
g ở vùng sâu hơn dưới bề mặt mẫu.
mẫu đi tới. Vùngg hình thành tia X có
chỉ những e nào ở gần bề mặt Điện tử BSE có năng lượng cao thể nằm sâu hơn, phía dưới vùng
mẫu mới thoát ra được và tới hơn, nên đi được dài hơn so với điện tử BSE) – Sử dụng cho
được detector SE để tạo ảnh SE). các điện tử SE – Tạo ảnh BSE). phân tích EDX / WDX.
Ảnh SE - cho độ phân giải Ảnh BSE - cho tương phản ảnh SEM Tốt nhất cho phân tích EDX / WDX
không gian tốt nhất của SEM theo Z tốt hơn (vùng phát xạ khi có Z (EPMA)
(k/t vùng
ù ph/xạ
h/ nhỏ hỏ - độ phân
hâ giải
iải tốt) càng
à lớ lớn - độ sáng
á càng
à cao))
Ảnh BSE có độ phân giải thấp hơn so với ảnh SE, và thường chỉ được sử dụng khi
tương phản hóa học (nghĩa là theo Z).
NATuan-ITIMS-2011
Kích thước các vùng SE và BSE phụ thuộc vào năng lượng của chùm tia tới
((Mô p
phỏng
gqquỹ
ỹ đạo của điện tử bằng
gpphương
gppháp
p Monte-Carlo))
Các đường mầu đỏ mô tả các quỹ đạo (vết) của điện tử BSE.
Xác suất tán xạ biến thiên theo Z2, và tỷ lệ nghịch với động năng tới E0.
Độ thấm
sâu giảm
khi Z tăng.
tăng
Low Z High Z
Số
ố lượng của
ủ các điện tử
ử tán xạ ngược (BSE)
không phụ thuộc nhiều vào năng lượng, nhưng
phân bố rất rộng theo không gian.
NATuan-ITIMS-2011
- Độ thấm sâu (trung bình) của chùm tia e ở bề mặt mẫu:
ζm = 0.033(Eo2 - Ec2)/ρ
Eo : năng lượng của điện tử sơ cấp, [keV]
Ec : năng lượng tới hạn của lớp vỏ điện tử bị kích thích,
thích [keV]
ρ : mật độ khối của mẫu, [g/cm3]
Ví dụ: Với mẫu Fe (iron, Ec = 7,12 keV), ρ = 8 g/cm3:
Eo 15 keV 20 keV 30 keV
ζm 0.7 um 1.5 um 3.5 um
→ Độ thấm sâu (thể tích) còn

phụ thuộc vào loại nguyên tố
năng, nhẹ hay vừa
NATuan-ITIMS-2011
Vì vậy việc phân tích luôn gặp phải vấn đề về điều kiện tiến hành phân tích:
+ Với điện áp gia tốc lớn sẽ cải thiện được sự kích thích ion hoá. Tuy nhiên lại
làm tăng độ thấm sâu của e, và cũng gây ra sự hấp thụ lượng tử tia X:
Độ thấm sâu (thể tích) dưới bề mặt được phân tích bị ảnh hưởng bởi năng
lượng chùm tia e tới (điện thế gia tốc)
+ Tối ưu: thường sử dụng hệ số quá áp Uo thích hợphợp, thường ít nhất là 2 lần để
sao cho kích thích đối với tất cả các nguyên tố có trong mẫu.
+ Do hiệu ứng hấp thụ (làm cho việc đánh giá định lượng phổ trở nên khó khăn
hơn) vì thế không cần thiết phải sử dụng điện tử có năng lượng quá cao
hơn), cao.
+ Khi sử dụng điện áp gia tốc lớn để tăng cường kích thíc ion hóa trong phân
tích nguyên tố, độ phân giải theo chiều ngang và chiều sâu cũng đều sấu đi.
NATuan-ITIMS-2011
* Điện thế gia tốc tối ưu để ion hoá một lớp vỏ nào đó cần phải có một độ quá áp là:
Uo = Eo / Ec ≈ 3
nghĩa là năng lượng của e tới ít nhất
ấ phải gấp
ấ 3 lần
ầ năng lượng tới hạn của e bị
kích thích của lớp vỏ có liên quan.
¨ Không
g thể có một
ộ điều kiện
ệ tối ưu nào để cùng
g kích thích ion hoá cho tất cả các
lớp vỏ nguyên tử của mẫu, mà chỉ có thể đo được phổ của bao gồm tất cả các
lượng tử tia X chỉ với duy nhất năng lượng điện tử sơ cấp (do cao áp của SEM quy
định).
định)
* Thiết diện ion hoá đạt cực đại khi đạt được độ quá áp Uo ≈ 3.
(Xem hình sau)

NATuan-ITIMS-2011
• Thiết diện ion hoá (Q(E)) giảm chậm khi hệ số quá áp rất cao,
cao > 10
10.
• Trong khi đó với độ quá áp rất thấp, Uo < ~ 3, khi năng lượng của chùm tia e tới
nằm trong vùng năng lượng tới hạn (Eo ~ EC), thiết diện ion hoá lại giảm rất nhanh.
¨Như vậy có sự khác nhau đáng

kể đối với sự ion hoá do các
l
lượng tử tia
ti X gâyâ ra, d
do h
huỳnh
ỳ h
quang tia X, có thể cho rằng có
sự “cộng hưởng” tia X với lớp vỏ
điệ tử và
điện à vìì thế gây
â ra hiệ
hiện
tượng có đỉnh cực đại của thiết
diện ion hoá.
* Với một hệ số quá áp Uo quá

lớn thì năng
g lượngg ion hoá tới hạn
Thiết diện ion hóa (ionization cross-section) Q(E) Ec đối với một lớp vỏ lại càng nhỏ.
theo độ quá áp U
NATuan-ITIMS-2011
• Với năng
g lượng
ợ g của chùm tia e tới,, EO, được
ợ xác đinh,, và một
ộ chuỗi vạch
ạ đặc
ặ trưng
g
của một nguyên tố được phân tích (xem bảng dưới đây, ví dụ Pb-L, -M), thì độ nhạy
trên bề mặt là khác nhau và độ phân giải không gian của phép phân tích EDS được
chọn
h llọc:
NATuan-ITIMS-2011
+ Sự hấp thụ tia X: Từ độ sâu cỡ vài micromét dưới bề mặt mẫu, nơi chịu tác
dụng của chùm tia e, tia X đặc trưng phải đi qua các lớp bề
ề mặt mẫu
ẫ trước khi bay
tới detector (EDX) năng lượng tia X bị hấp thụ khối:
- Độ hấp thụ khối cho thấy cường độ tia X

giảm nhanh theo hàm exp và phụ thuộc vào
năng lượng của lượng tử tia X (No), loại vật
liệu (ρ) và chiều dày (d) mà nó đi qua (chính
là độ sâu dưới bề mặt mẫu). Mass absorption coefficient for Zr (Z = 40)
- Hệ số hấp thụ khối µ/ρ là một hàm của Các gờ hấp thụ, xuất hiện
khi năng lượng của tia X bị
nguyên tử số Z của lớp vật liệu được hấp hấ thụ
hấp th ddo kí
kích
h thí
thích
h các
á
thụ và năng lượng của tia X: lớp vỏ tiếp theo.
µ N
= σ a 0 , trong đó σa là hệ số hấp thụ
ρ A −
µ
ρ
d .ρ
nguyên tử, N0 là số Avogadro, A là khối e
lượng nguyên tử.
NATuan-ITIMS-2011
Absorption of various x-ray radiation for the

Kakanui Hornblende reference standard.
The edges indicate actually which elements
are present, and the height of the edge
being an approximate measure of the
element's concentration.
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
EPMA trong SEM Súng điện tử
Kính tụ thứ nhất

Cuộn quét
chùm tia e-
(SEM) trên
Kính tụ thứ hai
bề mặt mẫu
HV quang học
Detector e-
Microamperkế
Đo dòng qua mẫu
Kỹ thuật WDXS thường không hay ghép nối với SEM, trong khi đó kỹ thuật EDXS
thường hay được kết hợp với SEM.
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
• EDXS/EDS trong SEM
Buồng mẫu
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
• Nguồn điện tử (e-gun) phát xạ nhiệt
Phương trình Richardson-Dushman
cho mật độ dòng điện tử phát xạ:
LaB6 tip
p
⎛ Φ⎞
j = A.T . exp⎜ −
2
⎟
⎝ kT ⎠
A: Hằng số Richardson (Acm-2K-2) - phụ thuộc vật liệu phát xạ
(A = 4πmek2/h3 ~ 1202 mA/mm2K2, trong đó m khối lượng điện tửtử, e điện tích nguyên tố
tố,
h là hằng số Plank, k là hằng số Boltzmann (1.38066 × 10-23J/K)
Ф: Công thoát (work function) ; T : Nhiệt độ.
+ Vật liệu có công thoát càng thấp, điểm nóng chảy càng cao càng tốt.
+ Cường
C ờ độ dòng dò củaủ chùm
hù tia
ti e- phát
hát xạ càng
à cao, độ sáng
á càngà lớ lớn
(Nhiệt độ
nóng chảy)
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
Bảng: Công thoát và hằng số Richardson của một số vật liệu khác nhau
Material Ф A.b*) (A.cm-2 K-2) Material Ф A.b*) (A.cm-2 K-2)
Molybdenum 4.15 55 Platinum ~ 5.7 32

Nickel 4.61 30 Tungsten 4.2 60
Iron ~ 4.7 26 Ba on W 1.56 1.5
Tantalum 4.12 60 Cs on W 1.36 3.2
Tungsten 4.54 60 Th on W 2.63 3.0
Barium 2.11 60 Thoria 2.54 3.0
Cesium 1.81 160 BaO + SrO 0.95 ~10-2
Iriduim 5.40 170 Cs-oxide 0.75 ~10-2
Platinum 5.32 32 TaC 3.14 0.3
Rhenium 4.85 100 LaB6 2.70 29
Thorium 3.38 70 theoretical: 120.2 (b = 1)
*) b là hệ sốố hiệu
hiệ chỉnh
hỉ h vật
ật liệu:
liệ Vì hằng
hằ sốố Richardson
Ri h d A - thực
th chất
hất là "hằ
"hằng số
ố hó
hóa h
học"" của
ủ khí điệ
điện tử phát
hát
xạ nhiệt (có liên quan đến thế hóa và công thoát) - khi ở vùng nhiệt độ cao khác với khi ở vùng nhiệt độ rất thấp
(ở đó được coi như lý thuyết, A = 120 amp./cm2 °K2, nghĩa là coi b = 1).
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị: Field emitter
• Nguồn
N ồ điện
điệ tử phát
hát xạ trường
t ờ
(Field emission guns - FEGs)
Phương trình Fowler-Nordheim cho mật độ dòng phát xạ:
vacuum level
A.F 2 ⎛ BΦ 1.5 ⎞
∆φ j= exp⎜⎜ − ⎟⎟
potential
work Φ ⎝ F ⎠
function Điện trường E
φeV tunneling
Fermi level
barrier
Trong đó:
A = 1.5×10-6; B = 4.5×107;
conduction band
F >> 108(V/m).
(V/m)
Field
F V/cm
Sự giảm cường độ điện trường ở Hình dạng mũi nhọn tạo ra sự tập
distance ngoài chân không theo khoảng trung mật độ đường sức điện lớn -
cách
á h khi đi xa khỏi bề mặt
ặt phát
hát xạ. Điện trường cao
cao.
Lưu ý:
• Sự phát xạ trường xảy ra khi cường độ điện trường F >> 108V/m.
• Cần phải có chân không cao để tránh phóng điện hồ quang ở đỉnh mũi nhọn.
• Vì bản chất sự phát xạ trường là sự xuyên ngầm của điện tử qua rào thế là công thoát, nên đường đặc
trưng I-V (current-voltage) không tuyến tính.
• Kích thước vết chùm tia rất nhỏ vì điện trường đủ cao gây ra sự xuyên ngầm chỉ ở gần đầu mũi nhọn.
NATuan-ITIMS-2011
Phát xạ Schottky: nguồn phát xạ nhiệt được trợ giúp bởi điện trường
• Công thoát phụ thuộc vào nhiệt độ T và điện trường F theo công thức:
1
eF e
φ = φ0 − e ; = 3.8 ×10 −5 (V ⋅ m) 2
4πε 0 4πε 0
• Cathode hoạt động như một thiết bị phát nhiệt với năng lượng EA = φ0 - ∆φ.
( )
Ví dụ:
Đối với F = 1×108 V/m, ∆φ = 0.38eV.
Lấy T = 1750 K, thì kT = 0.15 eV,
mật
ật độ dòng
dò tătăng theo
th quy luật:
l ật
j/j0 = e0.38/0.15 = 13.
Khi F cao hơn đángg kể so với 1×108V/m,,

phương trình ở trên không còn phù hợp
nữa vì dòng xuyên ngầm trở nên đáng kể.
NATuan-ITIMS-2011
Dòng phát xạ trường của các dâu nano
Hành vi phát xạ trường của ống nano cacbon (CNT). Sự phụ thuộc của dòng phát xạ trường của dây nano
Hình nhỏ cho thấy biểu đồ Fowler-Nordheim (FN) và mũi kim nano ZnO vào cường độ điện trường (E). Đồ
tương ứng.
ứng thị nhỏ kèm theo là đồ thị đường ln(J/E2) – 1/E (đường
liền nét là kết quả mô phỏng theo phương trình FN.
NATuan-ITIMS-2011
So sánh phẩm chất giữa các nguồn điện tử khác nhau
(flashing)
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị: Thiết bị vi đầu dò điện tử EPMA (Electron Probe MicroAnalyser)
– được lắp
ắ đặt kèm theo SEM
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
• Yêu cầu khi tiến hành phân tích EDS trong SEM
Cần có được những điều kiện tốt nhất:

– Bề mặt mẫu phẳng không bị nhiễm bẩn (lưu ý không phủ Au mà sử dụng C để
thay thế).
– Mẫu phải đồng đều ở nơi phân tích (nghiã là vùng tương tác của e sơ cấp với
bề mặt mẫu).
– Phân tích được tiến hành theo phương ngang của bề mặt.
– Tốc
ố độ đếm
ế cao (nhưng thời gian chết
ế < 30%)
– Hệ số quá áp khoảng Uo = Eo/Ec > 1.5 – 2
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
• Detector:
Detector Ghi/đo tia X trong kỹ thuật EDS/WDS-SEM
- Có 2 kiểu ghi/đo-phân tích tia X:
+ Ghi phổ cường độ tia X theo năng lượng: EDXS/EDS.
Ở đây sử
ử dụng detector bán dẫn
ẫ Si(Li)
S ( ) nhạy với năng lượng của
ủ các lượng tử
ử photon.
+ Ghi/đo theo bước sóng của bức xạ tia X: WDXS/WDS.
Kiểu này đòi hỏi phải có bộ lọc đơn sắc (monochromator) và ống đếm tỷ lệ (propotional
counter).
- Ưu điểm của kiểu đo/ghi-phân tích WDS so với kiểu EDS:
+ WDX cho độ phân giải theo năng lượng tốt hơn nhiều so với kiểu EDS.
+ Hạn chế rất nhiều sai số do sự chồng chập của nhiều peak
(thường hay gặp trong kiểu phân tích EDS.
+ Nhiễu nền (background noise) thấp hơn, cho phép phân tích định lượng chính xác hơn
so với kiểu phân tích EDS.
- Nhược điểm (???):
+ Phân tích WDS mất nhiều thời gian hơn phân tích EDS.
+ Phân tích WDS phá huỷ mẫu mạnh hơn (vì đòi hỏi dòng chùm tia e- cao hơn) do đó
gây nhiễm bẩn buồng chân không nhiều hơn.
+ Giá thành phân tích WDS cao hơn.
NATuan-ITIMS-2011
So sánh phổ EDS và WDS
Ba-Lα + Ti-Kα
Phổ EDS của BaTiO3

EDS
Ba-Lβ1 Ti-Kβ
Ba-Lβ2
Ba-L1 Ba-Lγ
Ti-Kα1,2
Ba-Lα
Ba-Lβ1
WDS
Phổ WDS của BaTiO3
Ti-Kβ1
Ba-Lβ2
Ba-Lγ1
Ba-L1
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
Quá trình ghi/đo và xử lý tín hiệu tia X đặc trưng trong phân tích EDS
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
Detector bán dẫn Si(Li) sử dụng cho phân tích EDS
Đến bộ tiền khuếch đại
Điện cực Au tiếp

xúc mặt dưới)
(màng Au
~ 200 nm)
Bề mặt hứng bức xạ được

phủ màng Au dày ~ 200 nm
((điện
ệ cực
ự tiếp
p xúc p
phía trên))
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị: Detector bán dẫn Si(Li) sử dụng cho phân tích EDS
Lượng tử tia X gây ra quá trình ion hoá Si hình thành
cặp e-–h. ¨ năng lượng tia X đã được chuyển đổi thành
điện tích. Năng lượng tia X đặc trưng tỷ lệ với dòng điện
tạo thành. Bộ phân tích đa kênh (multichannel analyzer),
chuyển đổi năng lượng tia X thành tín hiệu điện.
Ví dụụ về tín hiệu

ệ được
ợ tạo
ạ ra từ detector Si(Li)
( ) đối với
tia X đặc trưng của Mn-Kα và -Kβ.
Mn Kα
Gờ, không cần

Counts (thang log) quan tâm
tâ ((shelf)
h lf) Mn Kβ
Nền của Các peak không

bộ tiền KĐ cần quan tâm
Hiệu suất chuyển đổi năng lượng tia (escape peaks)
X thành điện tích tương ứng là 3.8
Peak huỳnh quang
eV/cặp e-–h trong một phổ nền trung của bản thân Si
bình gồm các nhiễu điện tử và các
điệ tí
điện tích
h nhiễu
hiễ khác.
khá
Độ phân giải ~ 130 eV/vạch Mn(Kα).
Năng lượng
NATuan-ITIMS-2011
WD (Working Distance): Xác định khoảng cách giữa đầu
cùng của miếng cực (trong hệ quang học của chùm tia e)
và bềmặt mẫu.
Thườngg detector EDX được lắpp đặt sao cho nhìn thấy
y bề
mặt mẫu dưới khoảng cách làm việc WD không đổi.
TOA (Take Off Angle): Xác định góc giữa trục tinh thể của
detector EDX và mặt phẳng mẫu. Góc TOA khả dĩ nằm
trong khoảng được giới hạn bởi vị trí của cổng EDX ở trên
SEM và thường không đổi, mặc dù người sử dụng vẫn có
thể làm biến đổi góc này khi nghiêng giá gá mẫu để dùng
trong truờng hợp phân tích các nguyên tố nhẹ (cần góc
TOA lớn hơn để hạn chế hiệu ứng hấp thụ do cấu hình bề
mặt của mẫu).
NATuan-ITIMS-2011
Single-element Si(Li) Detectors
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
Ghi/đo và xử lý tín hiệu tia X đặc trưng trong phân tích WDS
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị: Wavelength
g Dispersive
p Spectroscopy
p py ((WDS))
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
Wavelength Dispersive Spectroscopy (WDS)
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
Detector tia X kiểu CCD
Large-Area CCD X-Ray Detector

NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị: Một SEM đặc biệt với vi đầu dò điện tử với trang bị
một
ột detector
d t t EDS và à mộtột dãy
dã các
á d detector
t t WDSWDS.
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
S ghi/đo
Sự hi/đ ti
tia X tổ EDS WDS
hợp cả hai kỹ
thuật
ậ đo phổ
p
EDS và WDS
trong SEM
NATuan-ITIMS-2011
Thiết bị:
EDS trong TEM
Detector
NATuan-ITIMS-2011
• Thông tin từ Phổ EDXS
Phân tích EDS/WDS định tính:
Xác định các nguyên tố hóa học
NATuan-ITIMS-2011
Phân tích EDS/WDS định lượng:

Xác định tỷ phần các nguyên tố hóa học
Tỷ số nồng độ
Hiệu chỉnh ZAF

Z : nguyên tử số: hiệu chỉnh đối với các tính chất tán xạ không đàn hồi khác
nhau
h d do sự khác
khá nhau
h giữa
iữ nguyên
ê tử số
ố ttrung bình
bì h ttrong mẫu
ẫ và
à ttrong
mẫu chuẩn.
A : độ hấp thụ: hiệu chỉnh đ/v những sai lệch do độ hấp thụ tia X.
F : huỳnh quang tia X: hiệu chỉnh đ/v sự sai lệch do huỳnh quang tia X.
NATuan-ITIMS-2011
X-ray
y Mapping
pp g
NATuan-ITIMS-2011
4.1. Mở đầu
4.2. Phương
g pháp
p p phân
p tích phổ
p điện
ệ tử
4.3. Phương pháp phân tích phổ photon / phổ Rơngen
1) Phổ tia X đặc trưng - EPMA (EDS/WDS)
2) Phổ huỳnh quang tia X (XRF)
3) Một số kỹ thuật phân tích phổ photon khác
- Phân
Phâ tí
tích
h phổ
hổ quang hóa
hó bằ
bằng chùm
hù iion (IBSCA)
- Phổ hồng ngoại hấp thụ phản xạ (RAIRS)
- Phổ tán xạ Raman bề mặt tăng cường (SERS)
- Phổ phát xạ quang do phóng điện hào quang (GD-OES)
NATuan-ITIMS-2011
Phân tích nguyên tố “vết” được tăng cường trong SEM - Kỹ thuật phổ XRF
- Nhằm
ằ tăng cường khả năng vi phân tích các “vết”
ế nguyên tốố trong các thiết
ế bị SEM,
đưa thêm vào một ống phát vi chùm tia X được gắn tổ hợp cùng với detector EDS.
- Nguyên lý:
S phát
Sự hát xạ photon
h t tia
ti X (huỳnh
(h ỳ h quang titia X) d
dưới
ới tá
tác d
dụng kích
kí h thích
thí h bằng
bằ tia
ti X
XRF
X ray
E = hν
- Ưu điểm:
+ Phân tích được bán định lượng hầu hết các nguyên tố trong bảng tuần hoàn.
+ Thời gian phân tích nhanh
+ Không cần phá hủy mẫu
+ Đo được các mẫu ở trạng thái rất đa dạng: rắn, lỏng, bột, polymer, màng mỏng…
- Nhược điểm:
+ Chủ yếu phân tích định tính, đặc biệt là phân tích "vết" (phát hiện có mặt nguyên
tố với hàm lượng rất thấp; có thể định lượng chính xác chỉ trong một số trường hợp).
NATuan-ITIMS-2011
Phân tích nguyên tố “vết”

vết được tăng cường trong SEM
Sơ đồ bố trí bên trong SEM
Detector EDS
Ống phát vi chùm tia X
Sở đồ của ống phát tia X tiêu điểm nhỏ kết hợp với một
detector EDS gắn trong SEM Hitachi S 3000 NH
NATuan-ITIMS-2011
Phân tích nguyên tố “vết” tăng cường trong SEM
Detector EDS
Ống phát
Ố há vii
chùm tia X
X-Beam
Sở đồ của ống phát tia X X-Beam kết hợp với một

detector EDS gắn trong SEM Hitachi S 3000 NH
NATuan-ITIMS-2011
Phân tích nguyên

g y tố “vết” tăng
g cường
g trong
g SEM
Hệ X-Beam Micro-EDXRF
Nguồn tia X X-Beam
được gắn vào SEM
X-Beam
X-Beam on JEOL JSM-7000 X-Beam on FEI Quanta 600 X-Beam on Hitachi S-3400
NATuan-ITIMS-2011
Detector bán dẫn Si(Li) sử dụng cho phân tích XRF
Detector nhiều phần tử (Multi-element Si(Li) Detectors)

Mỗi detector phần tử được thiết kế một cách đặc biệt để sử dụng cho những trường
hợp cụ thể,
thể phù hợp với kích thước ống,
ống sự định hướng tinh thể cửa sổ sổ, nối thông và
bịt kín chân không.
Detector
etecto 13-phần
3 p ầ tử
dùng để phân tích
huỳnh quang tia X
(XRF) phân giải cao
và p
phổ hấpp thụ
ụ tia X
(XAS) tốc độ cao.
• Gồm 13 viên tinh thể Si(Li) có diện tích 50mm².

• Sắp xếp chụm lại gần nhau trên bề mặt cong.
• Các cửa sổ mỏng bằng DuraBeryllium(TM).
• Có tính chọn lọc tốt khi sử dụng đối với từng cái
(no cross-talk).
• Có các bộ tiền KĐ hồi phục không đồng bộ.
• Độ phân giải đ/v nguyên tố đơn: < 145 eV
NATuan-ITIMS-2011
Detector bán dẫn Si(Li) sử dụng cho phân tích XRF
Multi-element Si(Li) Detectors
Detector 7 phần tử dùng để phân tích huỳnh quang tia X Detector 6 phần tử dùng để phân tích huỳnh quang tia X
(XRF) phân giải cao và phổ hấp thụ tia X mở rộng cấu trúc phản xạ toàn phần phân cực (SR-TXRF).
tinh tế (EXAFS) tốc độ cao: - Gồm 6 tinh thể Si(Li) 6 x 30mm²
- Gồm 7 tinh thể Si(Li) 7 x 80mm² - Sắp xếp theo hàng thẳng
- Được bố trí tập trung theo góc không gian - Sử dụng cử sổ DuraBeryllium(TM) mỏng 8µm
g từng
- Có tính chọn lọc tốt khi sử dụng g tinh thể riêng
g rẽ
- Sử dụng loại cửa sổ DuraBeryllium(TM) mỏng
- Có các bộ tiền khuếch đại hồi phục không đồng bộ
- Có tính chọn lọc tốt khi sử dụng từng tinh thể riêng rẽ - Có độ phân giải đối với nguyên tố đơn <136 eV
- Có các bộ tiền khuếch đại hồi phục không đồng bộ - Được thao tác như là một cặp đ/x gương tạo thành 12
- Có độ phân giải đối với nguyên tố đơn <150 eV phần tử.
NATuan-ITIMS-2011
4.1. Mở đầu
4.3. Phương pháp phân tích phổ photon
1) Khối phổ ion thứ cấp tĩnh (SSIMS)
2) Khối phổ ion thứ cấp động (SIMS)
3) Khối phổ trung hòa thứ cấp va chạm điện tử (EI-SNMS)
4) Khối phổ trung hòa thứ cấp laser (Laser-SNMS)
5) Phổ tán
tá xạ ngược R
Rutherford
th f d (RBS)
6) Phổ tán xạ ion năng lượng thấp (LEIS)
7)) Các kỹ
ỹ tthuật
uật khác
ác liên
ê qua
quan đế
đến p
phân
â ttích
c ion
o
NATuan-ITIMS-2011
• Nguyên lý chung:
- Bắn phá bề mặt CR bằng các ion dương (⊕) +
→ Các lọai hạt/bức xạ thoát ra: +
|
|
+ Nguyên tử trung hòa (hiện tượng phún xạ)
+ Ion dương thứ cấp ⊕' và ion âm thứ cấp Θ'
+ Nguyên tử bị kích thích “”
+ Photon (tia X, tia UV)
+ e Auger; e thứ cấp
- Đo và phân tích các ion ⊕' và Θ' bằng phổ kế khối lượng (gọi là khối phổ kế) → Thu được
giản đồ phổ khối lượng của các ion thứ cấp: là các peaks đặc trưng cho nguồn ion và bề mặt bị
bắn há D Phân
bắ phá. Phâ títích
h được
đ tính
tí h chất,
hất cấu
ấ trúc
t ú của
ủ bề mặt
ặt hay
h các á chất
hất bám
bá dính
dí h ttrên
ê bề mặt.
ặt
- Các speaks có thể được xác nhận của chính vật liệu đế, từ các chất bám dính hay các tạp chất
trên bề mặt mẫu, hoặc các chất được đưa vào hấp thụ có chủ tâm lên trên bề mặt.
- Trong các kỹ thuật khối phổ, các hạt nặng dùng để bắn phá thường là ion Ar+ có năng lượng ~
1 - 15 keV.
- Các
Cá lloạii khối phổ
hổ kế thông
thô d dụng gồm:
ồ Khối phổ
hổ iion thứ cấp
ấ tĩ
tĩnh
h (SSIMS) và
à độ
động (SIMS)
(SIMS),
Phổ tán xạ ngược Rutherford (RBS), Phổ tán xạ ion năng lượng thấp (LEIS),...
NATuan-ITIMS-2011
Phụ lục
(tìm hiểu thêm)
Các kỹ thuật thực nghiệm

trong phổ tán xạ neutron
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Nghiên cứu dao động mạng thế nào?
Hãy thử cái lưới ...
... nguyên lý của các thực nghiệm tán xạ

NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
20
10
Các X-ray
electromagnetic
neutron 18
10 radiation
khá kỳ
dị 16
10
ultraviolett
visible
ν / Hz
14 neutrons
10 infrared
phonon-
frequencies far infrared

12
10
hopping-
microwaves
10
10
Khoảng cách
giữa các nguyên tử
8
10 -10 -8 -6 -4 -2 0
10 10 10 10 10 10
λ/m NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Phổ kế ba trục (Three axes
spectroscopy)
Phổ kế ba trục là cách nhìn trục tiếp của tam giác tán xạ:
Bộ lọc sắc
kf
Mẫu
ki
Q
Bộ phân tích
detector
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Phổ kế ba trục (Three axes
Khe vào có thể biến đổi
spectroscopy)
Phổ kế ba trục PUMA đặt tại FRM-II
Bộ chọn lựa
Bộ lọc sắc
(monochromator)
(hội tụ kép)
Bảng mẫu
Bộ phân tích/
detector
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Cơ sở của tán xạ neutron
1
S (Q, ω ) = ∑ σ inc
(i )
⋅ Sinc
(i )
(Q,ω) + ∑∑bi ⋅ bk∗ ⋅ Scoh
(i ,k )
(Q,ω)
4π i i k
r (r,t)
Hàm tán xạ kết hợp riêng phần (coherent
coherent k
partial scattering) trên đây là phép biến đổi i
Fourier của hàm tương quan cặp KG-TG (0,0) (r´,0)
(space-time pair
pair--correlation
correlation) đối với các
hạt kiểu i và k.
k (r”,t)
⋅ ∑∑ ∫ dr′ δ (r′ − R j (0 ))⋅ δ (r′ + r − R j ′ (t ))

1
G (i ,k ) (r, t ) =
N j j′ T
tạo ra sự chuyển động tập thể

(collective motion)
(
r
) 1
e( ) r r r r
rr
S coh Q, ω =
2πN ∫∫
i Qr −ωt
∑∑ bκ bκ ´δ (r − (R κ (0) − R κ ´ (t )) dr dt
κ κ´
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Tán xạ neutron không đàn hồi từ các phonon
h Q ⋅ e κ (qj)
Scoh (Q, ω) =
4πNωqj
∑κ b κ m exp(− Wk )exp(−iqrκ ) 2
⎧ ⎫
× ⎨nqj δ(ω + ωqj )∑ δQ,g−q + (nqj + 1)δ(ω − ωqj )∑ δQ,g+q ⎬
⎩ g g ⎭
Sự bảo toàn năng lượng:
1
Bảo toàn
kf nq , j =
hωq , j
exp( ) −1
chuẩn xung kT
(quasi- ki
lượng (quasi
momentum)
Q g
Quyy luật
chọn lọc sự
phân cực ±q -ωqj ω
0
ωqj
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Các neutron nhạy với các thành phần của sự dịch chuyển song song với sự
truyền xung lượng Q
Luật bảo toàn chuẩn xung lượng (quasi-momentum) giúp cho việc quan sát
các phonon ngang.
Q e
Q
q
g q
g
e
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Sự tán sắc phonon
Sự tán sắc phonon của Nd2CuO4
Nd2CuO4
PINTSCHOVIUS et al. (1991).

NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Sự tán sắc phonon LA-Phonon
Sự tán sắc phonon của Hafnium lập phương tâm khối (bcc) q = (2/3 2/3 2/3)
TA-Phonon
q = (1/2 1/2 0)
Trampenau et al. (1991)

NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Sự tán sắc phonon
Sự tán sắc phonon của thạch anh beta (β-quartz)
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Mật độ phonon
- Thăm dò các phonon ở đâu
trong không gian đảo (nghịch) ?
Những cường độ được cho rằng

là mode mềm
ề (quartz-softmode)
của thạch anh:
Q ⋅ e κ (qj) ⎧ ⎫
exp(− Wk ) exp( −iqrκ ) 2 × ⎨nqj δ(ω + ωqj )∑ δQ,g−q + (nqj + 1)δ(ω − ωqj )∑ δQ,g+q ⎬
h
Scoh (Q, ω) =
4πNωqj
∑b κ
mκ
κ ⎩ g g ⎭
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Mật độ trạng thái
- Mật độ trạng thái phonon:
G(ω)dω = Số các dao động mạng với tần số trong khoảng giữa
ω và ω + dω
G(ω ) = ∑δ (ω − ωqj )
qj
Xác định năng lượng tích trữ trong hệ phonon: nhiệt dung và các đại lượng nhiệt động khác
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ neutron
Nhiệt động lực học của phonons
∞
hω
- Nội năng và nhiệt dung: E Ph − E o = ∫ exp( ⋅ G (ω ) ⋅ d ω
0
hω
kT )−1
hω
∞ 2
⎛ hω ⎞ e kT
cV = k ⋅ ∫ ⎜⎝ kT
0
⎟ ⋅
⎠ ⎛ kT
h ω
⎞
2
⋅ G (ω ) ⋅ d ω
⎜e − 1 ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Mật độ trạng thái của thạch anh (quarzt - SiO2) Nhiệt dung của thạch anh
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Cơ sở của tán xạ
neutron
Tán xạ không kết hợp từ các phonon:
Q ⋅ eκ (qj )
2
h
Sinc (Q, ω ) = ∑ κ
σ inc
exp(− 2Wk )
8π κ mκ ωqj
× {nqj δ (ω + ωqj )+ (nqj + 1)δ (ω − ωqj ) }
Lấy tổng
Lấ tổ qua tất cả ả các
á
trạng thái phonon
Q ⋅ e κ (qj)
2
h
∑ σinc
κ exp(− 2Wk ) ∑
1
{nqj δ(ω + ωqj )+ (nqj + 1)δ(ω − ωqj ) }
8π κ mκ qj ωqj
Q ⋅ e κ (qj)
2
h 2n(ω) + 1
∑ κ
σ inc
exp(− 2Wk ) G(ω)
8π κ mκ ω
NATuan-ITIMS-2011
Phổ tán xạ
ạ neutron
Phổ kế thời gian bay

(Time-of-flight
spectroscopy)
Sự tán xạ không kết hợp từ

các mẫu bột ộ sinh ra mật
ậ độộ
trạng thái (có trọng lượng)
(weighted density of states)
NATuan-ITIMS-2011
TÓM TẮT
1. Các phương pháp phổ điện tử Thu/ghi và phân tích năng lượng e-
- Phổ quang điện tử (XPS) → e- phát ra bởi photon (hν : tia X, UV)
- Phổ điện
ệ tử Auger ) → e- p
g (AES)
( phát ra bởi hν ((tia X)) thứ cấp
p ((tạo bởi e-)
- Phổ tổn hao năng lượng điện tử (EELS) → e- sơ cấp bị mất năng lượng
2. Các phương pháp phổ photon / phổ Rơntgen Thu/ghi và phân tích năng lượng
hν
- Phổ tán sắc năng lượng (EDS) → hν phát ra bởi e- phân tích theo năng lượng, E.
- Phổ tán sắc bước sóng (WDS) → hν phát ra bởi e- phân tích theo bước sóng, λ.
ổ huỳnh quang Rơngen (XRF) → hν phát ra bởi hν
- Phổ
3. Các phương pháp phổ ion/khối phổ Thu/ghi và phân tích năng lượng ion
- Khối p
phổ ion thứ cấp ( ) → ion mẫu p
p (SIMS) phát ra bởi bắn p
phá bằng
g ion
- Phổ tán xạ ngược Rutherford (RBS)
YÊU CẦU HIỂU VÀ NHỚ

- Nguyên lý/cơ chế
ế vật lý
- Thiết bị (chỉ những bộ phận chính, bộ phận trung tâm, bộ phân tích,...)
- Các thông tin chính thu được khi phân tích NATuan-ITIMS-2011
Crystal Structure
NATuan-ITIMS-2011
Scanning Probe Microscope (SPM)

Techniques for Materials Science
NGUYEN ANH TUAN
HANOI-2013
CHƯƠNG 1: KHÁI NIỆM CHUNG VỀ CẤU TRÚC CHẤT RẮN

1.1. Mở đầu
1.2. Cấu tạo vật chất, cấu trúc tinh thể và cấu trúc tinh thể thực
1.3. Phân loại vật liệu và các ph/pháp phân tích cấu trúc vật chất
2.1. Hiển vi quang học (OM)
2.2. Hiển vi điện tử truyền qua (TEM)
2.3. Hiển vi điện tử quét (SEM)
2.4. Một số phương pháp hiển vi khác
NATuan-ITIMS-2013
4.1. Mở đầu
4.2. Các phương pháp phổ điện tử
4.3. Các phương pháp phổ Rơntgen
4.4. Các phương pháp phổ ion/khối phổ

5.4. Một số loại hiển vi đầu dò quét đặc biệt khác
CHƯƠNG 6: CÁC BÀI THỰC HÀNH PHÂN TÍCH CẤU TRÚC

6.1. Phân tích cấu trúc đơn tinh thể bằng nhiễu xạ Lauer
6.2. Phân tích cấu trúc đa tinh thể bằng phương pháp nhiễu xạ bột
(Phân tích pha định tính, định lượng)
6.3. Quan sát hình thái/cấu trúc bề mặt bằng hiển vi điện tử quét
6.4. Quan sát hình thái/cấu trúc bề mặt bằng hiển vi lực nguyên tử
NATuan-ITIMS-2013
CHƯƠNG 5: CÁC PHƯƠNG PHÁP HIỂN VI ĐẦU DÒ QUÉT
• Mở đầu: Giới thiệu về họ hiển vi đầu dò quét (SPM)

- Imaging Techniques:
Optical Microscope (OM)

limited to wavelength ~ 250 nm scale
Electron Microscope (EM)
- Scanning Electron Microscope (SEM): µm to sub-µm scales
FE-SEM: to nm scales
- Transmission Electron Microscope (TEM) µm to nm scales
- High Resolution TEM (HRTEM) down to 0.1 nm
Scanning Probe Microscope (SPM)
- Scanning tunneling microscope (STM)
- Atomic Force Microscope (AFM)
⇒ nm to atomic scales
- Scanning Near-field Optical Microscope (SNOM)
- Shear-force Microscopy(ShFM)
NATuan-ITIMS-2013
So sánh độ phân giải của một số kỹ thuật nhiễu xạ và hiển vi SPM
NATuan-ITIMS-2013
- Các kỹ thuật phổ biến để tạo ảnh và đo hình thái bề mặt
Phân bố độ phân giải trong không gian của một số kỹ thuật hiển vi
NATuan-ITIMS-2013
- Các đặc điểm của các kỹ thuật phổ biến tạo ảnh và đo hình thái bề mặt
NATuan-ITIMS-2013
- Sơ lược lịch sử
1981, two IBM scientists, Binnig & Rohrer, invented STM
(Binnig, G., et al., Phys. Rev. Lett., 1982, 49, 57)
1986 Nobel Prize
1986 Binnig et al invented AFM (Scanning Force Microscopy
- SFM) (Binnig, G. et al, Phys. Rev. Lett., 1986, 56, 930)
1990 First commercial AFM
HEINRICH ROHRER GERD BINNIG Thiết bị STM đầu tiên
Shared the 1986 Nobel prize in Physics for their invention of the scanning tunneling microscope (STM)
NATuan-ITIMS-2013
Thiết bị STM đầu tiên
Hình ảnh của thiết bị Sanning Tunneling

Microscope (STM) của Binnig and Rohrer
Bản vẽ thiết kế và chế thử STM

NATuan-ITIMS-2013
1971: Topografiner
- Vào năm 1966 Russell Young đã bắt đầu có ý
tưởng về việc tạo ảnh của cảnh quan bề mặt (the
surface topography) bằng việc sử dụng dòng
điện giữa bề mặt và một mũi kim loại sắc nhọn.
- Vào năm 1971 Russell Young đã xuất bản bài

báo về một dụng cụ gọi là “dụng cụ tạo ảnh bề
mặt tinh tế" (Topographfiner), mà có chứa tất cả
những bộ phận lắp ráp tương tự như là của hiển
Russell Young (trái), Fredric Scire (giữa) và
vi đầu dò quét (SPM) sau này. John Ward (phải) với bộ tái tạo hình ảnh bề
Phys. Rev. Lett. V. 27, N 14, 1971, P. 922-924. mặt tinh tế (máy đồ hình) (Topographfiner).
Rev. Sc. Instr. V. 43, N 7, 1972, P. 999-1011.
- Vấn đề là ghi nhận/

phát hiện & phân tích
∆z như thế nào, bằng
nguyên lý, hiện tượng,
- Nguyên lý tái tạo hình ảnh bề mặt có độ nét
cao bằng máy đồ hình (Topographfiner) - kỹ thuật gì ?
tiền thân của AFM.
NATuan-ITIMS-2013
Từ 1982 trở đi
phát triển dòng
Scanning Tunneling Microscopy (STM)
hiển vi đầu dò
quét cơ học - G. Binnig, H. Rohrer et al, (1982)
(SPM): Scanning Near-Field Optical Microscopy (SNOM)
- D. W. Pohl (1982)
Atomic Force Microscopy (AFM)
- G. Binnig, C. F. Quate, C. Gerber (1986)
Scanning Thermal Microscopy (SThM)
- C. C. Williams, H. Wickramasinghe (1986)
Magnetic Force Microscopy (MFM)
- Y. Martin, H. K. Wickramasinghe(1987)
Friction Force Microscopy (FFM or LFM)
- C. M. Mate et al (1987)
Electrostatic Force Microscopy (EFM)
- Y. Martin, D. W. Abraham et al (1988)
Scanning Capacitance Microscopy (SCM)
- C. C. Williams, J. Slinkman et al (1989)
NATuan-ITIMS-2013
- Sắp xếp theo niên đại sự phát triển của SPM
Những tiến bộ và phát triển Những sự kiện công nghiệp

1981 STM được phát minh bởi Binnig và Rohrer ở IBM-Zurich.
1982 Sự phân giải đến mức nguyên tử được thực hiện bởi
Binnig ở trên Si(7x7).
1983
1984 Hiển vi quang học quét trường gần (Near-field Optical Hãng Omicron được thành lập
Microscope - NFOM) đầu tiên được phát minh.
1985 Binnig, Gerber, và Quate đã phát triển hiển vi AFM đầu

tiên trên TG.
1986 Binnig và Rohrer cùng được nhận giải Nobel Prize về vật
lý vì phát minh ra hiển vi xuyên ngầm quét STM
1987 - Lần đầu tiên phân giải đến mức nguyên tử bằng hiển vi Các nhà nghiên cứu của trường đại
AFM do T. Albrecht ở Stanford thực hiện học Univ. of California - Santa
- Đưa ra loại hiển vi AFM hoạt độngt heo chế độ không tiếp Barbara thành lập ra hãng Digital
xúc (Noncontact AFM) Instruments.
- Phát minh ra hiển vi từ lực (MFM).
NATuan-ITIMS-2013
1988 Hiển vi AFM thương mại lần đầu tiên ra đời Các nhà nghiên cứu ở Stanford thành lập
ra Công viên khoa học (Park Scientific)
1989 Thành lập ra hãng Topometrix
Hãng Burleigh Instruments chào hàng hệ

hiển vi SPM.
1990
1991 Các đầu dò của AFM được sản xuất theo công Công ty về đầu dò AFM đầu tiên được
nghệ vi chế tạo lần đầu tiên được giới thiệu. thành lập, có tên Nanoprobe (sau đổi
thành tên Nanosensors).
1992 Piezolevers are first introduced Thành lập hãng Quesant

Shear-force detection type NSOM/SNOM first
introduced
1993 Kiểu gõ (TappingMode®) lần đầu tiên được giới Tạo ảnh phân tử (Molecular Imaging)
thiệu. được các nhà nghiên cứu của Arizona
State University tạo dựng.
1994 Kiểu gõ TappingMode® trong chất lỏng lần
đầu tiên được giới thiệu.
1995 Hãng Nanonics được thành lập

NATuan-ITIMS-2013
Kiểu MACMode® (kiểu từ AC) được giới thiệu cho

1996
AFM
1997 - ThermoSpectra dành được Park

Scientific.
- WITec được thành lập bởi các nhà nghiên
cứu ở Universität Ulm.
- Nanosurf được thành lập bởi các nhà
nghiên cứu ở Universität Basel.
1998 Veeco Instruments dành được Digital

Instruments.
1999 Asylum Research được thành lập bởi

nhunữg người làm thuê trước đây ở Digital
Instruments.
2000
2001 Veeco dành được ThermoMicroscopes, và
đổi tên hãng này thành TM Microscopes.
2002 Digital Instruments và TM Microscopes sáp

nhập với Veeco Metrology Group.
NATuan-ITIMS-2013
- Sơ đồ nhánh cây các hiển vi thuộc họ SPM
NATuan-ITIMS-2013
- Nguyên lý chung về cấu tạo và làm

việc của các hiển vi thuộc họ SPM
Mỗi kiểu khác nhau của SPM được

đặc trưng bởi bản chất của đầu dò và
tương tác của nó với bề mặt mẫu:
- Đầu dò: + nhọn đến mức nguyên tử

+ dẫn điện
+ dẫn quang
+ từ tính, v.v...
- Tương tác:
+ xuyên ngầm
+ lực nguyên tử
+ lực từ
+ lực tĩnh điện
+ thế điện hóa
+ lực trượt/cắt
v.v...
NATuan-ITIMS-2013
Ví dụ về nguyên lý
cấu tạo và cơ chế
hoạt động của SPM
Lưu ý:
- Mặc dù ở đây đưa ra hình
ảnh sơ đồ nguyên lý cấu tạo
và cơ chế hoạt động của
STM, nhưng cũng mang đặc
điểm chung cho tất cả các
loại hiển vi SPM.
- Trường hợp đưa ra
ở đây là đầu quét PZT có
dạng chạc ba. Trong các
trường hợp khác, đầu
quét áp điện PZT có thể
có dạng thanh dầm, dạng
trụ đặc, hoặc sau này phổ
biến sử dụng loại PZT có Vấn đề là:
dạng trụ rỗng.
+ Lấy ra các tín hiệu xuất hiện từ
- Tín hiệu sử dụng để tạo tương tác của đầu mũi dò với bề
ảnh trong VD này là dòng mặt mẫu như thế nào?
xuyên ngầm. Trong các
trường hợp khác sẽ là lực + Chuyển đổi các tính hiệu tương
nguyên tử (AFM), lực tính tác đó thành tín hiệu ảnh (độ
điện (EFM), lực từ (MFM), tương phản, độ sáng tối, màu
lực ma sát (LFM), v.v... sắc, tính chất của vật chất,...
NATuan-ITIMS-2013
Hiển vi Tương tác Thông tin
STM Dòng xuyên ngầm - Hình thái 3-D: kích thước, hình dạng và
tính tuần hoàn của các đặc trưng, độ nhám
bề mặt.
- Cấu trúc điện tử, và có thể xác định các
nguyên tố.
AFM Các lực tương tác giữa các nguyên tử và - Hình thái 3-D: kích thước, hình dạng và
mode tiếp xúc hoặc trung gian phân tử tính tuần hoàn của các đặc trưng, độ nhám
bề mặt.
AFM Các lực tương tác giữa các nguyên tử và Độ cứng và tính đàn hồi bề mặt ở các vùng
điều biến lực phân tử khác nhau.
LFM Lực ma sát Sự khác nhau của mức độ kết dính và độ

ma sát ở các vùng bề mặt khác nhau.
MFM Lực từ Kích thước và hình dạng của các vùng có

đặc tính từ. Cường độ và cực tính của từ
trường ở các vùng khác nhau.
SThM Tuyền nhiệt Sự khác nhau về độ dẫn nhiệt giữa các

miền có đặc điểm khác nhau trên bề mặt.
EFM Lực tĩnh điện Trường tĩnh điện và sự thay đổi của điện
trường (gradients) ở trên bề mặt mẫu do
những nơi tập trung các tạp kích thích,...
NSOM Phản xạ, hấp thụ và huỳnh quang ánh sáng Các tính chất quang của các vùng khác
nhau trên bề mặt.
NATuan-ITIMS-2013
+ Hiệu ứng áp điện (Piezoelectric Effect )

Hiệu ứng áp điện:
Khi làm thay đổi kích thước của một tinh thể (như làm biến dạng mạng tinh thể) sẽ
dẫn đến phát ra điện áp bởi tinh thể đó.
NATuan-ITIMS-2013
Ô đơn vị có lưỡng cực điện

Khi nguyên tử ở tâm bị xê dịch đi sẽ tạo ra một ô đơn vị có mômen lưỡng cực -
Mômen điện - Tính chất sắt điện và có khả năng tạo ra tính áp điện và áp điện ngược.
Cubic Tetragonal
T > Tc T < Tc
Nhiệt độ Curie Tc là nhiệt độ mà khi ở trên đó vật liệu trở thành thuận điện (para-electric) -
Nghĩa là trở thành không còn là sắt điện (ferroelectric) hay không còn có mômen lưỡng cực
(dipole moment) nữa khi không có điện trường ngoài.
NATuan-ITIMS-2013
Hiệu ứng áp điện ngược:

(Khám phá vào năm 1880 bởi Pierre và Jacques Curie)
Khi tác dụng điện áp lên tinh thể rắn - Đặt một điện trường - mạng tinh thể bị biến
dạng đi (thay đổi kích thước).
Độ dịch chuyển ∝ Cường độ điện trường

l0
u ij = d ijk E k ∆ Z = d ⊥ U
h
d31 = S1/E3 ; S1 = δx/x ; E3 = U/z

d33 = S3/E3 ; S3 = δz/z
NATuan-ITIMS-2013
Vật liệu áp điện phổ biến nhất: PZT (Lead zirconium titanate)
• Các vật liệu áp điện có ô đơn vị bất đối xứng, tương tự như một lưỡng cực
• Nếu các tinh thể có tính chất này được mọc ở trong một điện trường mạnh
có hướng xác định, các hạt tinh thể sẽ sắp đặt trục dị hướng theo phương
của điện trường, và hiệu ứng áp điện được tạo ra.
• Tỷ số ứng suất điển hình có thể tạo ra được là ~ 1/1000, nghĩa là 1µm biến
dạng mạng tinh thể cho 1mm biến dạng khối PZT.
NATuan-ITIMS-2013
Tính sắt điện (ferro-electricity) - Tương tự với tính sắt từ (ferro-magnetism)
→ Có cấu trúc đômen (domain structure), có tính trễ (hysteresis), có tính kháng (coercivity),
có nhiệt độ Curie đặc trưng
NATuan-ITIMS-2013
Các dạng cơ bản của cơ cấu quét bằng nguyên lý áp điện
(Piezoelectric Scanner)
Bộ quét dạng chạc ba (Tripod scanner) (quét x-y-z)
Thanh PZT biến dạng theo chiều
dài, là cơ sở của các bộ quét x-y-z
Bộ quét dạng ống rỗng (Tube scanner)

Bộ quét dạng trụ đặc (quét x-y)
(quét x-y)
NATuan-ITIMS-2013
Bộ quét áp điện dạng ống rỗng
(Piezoelectric tube scanner)
Bố trí điện cực trong các bộ quét dạng ống rỗng (quét x-y-z)
Tube scanner
Một kiểu bố trí các điện cực
NATuan-ITIMS-2013
Bộ quét áp điện dạng ống rỗng

(Piezoelectric tube scanner)
Bố trí điện cực trong các bộ quét dạng ống rỗng (quét x-y-z)
Kiểu bố trí khác các điện cực

NATuan-ITIMS-2013
Hai kiểu thực hiện quét bằng cơ cấu PZT trong các hiển vi SPM
Kiểu quét mẫu Kiểu quét tip
Tầng gắn mẫu ở trạng thái tĩnh, đầu dò (tip)

chuyển động bởi bộ quét áp điện PZT .
Đầu dò (tip) ở trạng thái tĩnh, tầng gắn mẫu

chuyển động bởi bộ quét áp điện PZT .
NATuan-ITIMS-2013
Danh sách các kiểu mode của SPM
- Tạo ảnh STM - Ảnh độ nhớt đàn hồi cục bộ

- Phổ xuyên ngầm điện tử (ETS/STS)
- Khắc bằng STM - Ảnh hình thái bề mặt:
+ Kiểu bán tiếp xúc
+ Kiểu không tiếp xúc
(AFM)
- Ảnh tổ chức pha:
- Hình thái bề mặt (topography)
* Kỹ thuật "đi qua hai lần" (two-pass)
- Ảnh lực
- Ảnh đường cong lực + Ảnh hiển vi lực từ (MFM)
- Hiển vi lực ngang (lateral) LFM + Ảnh hiển vi lực tĩnh điện (EFM)
- Hiển vi lực kết dính (adhesion) * Hiển vi điện dung quét (SCM)
- Ảnh trở kháng rải rác bề mặt (spreading) * Hiển vi Kelvin quét (SKM)
- Mẫu dạng lỏng

- SPM điện hóa Thực hiện làm nóng mẫu với điều
khiển nhiệt độ của mẫu
- Khắc bằng AFM kiểu tiếp xúc

- Khắc bằng AFM kiểu cộng hưởng
- Khắc điện bằng STM
Thông tin nhận được - kiểu ảnh, và chức
- Khắc điện bằng AFM năng có thể thao tác (ứng dụng)
NATuan-ITIMS-2013
5.1.1. Sơ lược lịch sử
5.1.2. Nguyên lý hoạt động
5.1.3. Tương tác giữa đầu tip và bề mặt mẫu
5.1.4. Các thông tin nhận được và ứng dụng

NATuan-ITIMS-2013
• 1981: Scanning Tunneling Microscope (STM)
Gerd K. Binnig and Heinrich Rohrer of IBM Zurich Research Laboratory.
Hình ảnh nguyên

tử Si(7x7) được
quan sát thấy tinh
tế hơn, chính xác
hơn trên các kính
hiển vi STM hiện
đại hơn sau này.
• Nguyên lý làm việc:
NATuan-ITIMS-2013
• 1981: Scanning Tunneling Microscope (STM)
Gerd K. Binnig and Heinrich Rohrer of IBM Zurich Research Laboratory.
STM atomic image of Si (7 x 7)
Hình ảnh nguyên

tử Si(7x7) được
quan sát thấy tinh
tế hơn, chính xác
Hình ảnh hơn trên các kính
nguyên tử hiển vi STM hiện
Si(7x7) được
đại hơn sau này.
quan sát thấy
lần đầu tiên.
• Nguyên lý làm việc:
NATuan-ITIMS-2013
Nguyên lý hoạt động của STM
- Trường hợp đầu quét

PZT có dạng khối trụ.
Đ/k khoảng cách tip-
Khuếch đại dòng bề mặt mẫu và điều
xuyên ngầm khiển khối quét
Xử lý số liệu
Điện áp và hiển thị
xuyên ngầm
Tập hợp các dòng
xuyên ngầm ứng với
mỗi đường quét
Tập hợp các dòng điện xuyên ngầm tại mỗi điểm trên bề
mặt mẫu được chuyển đổi và "gán" giá trị tương ứng với
cường độ sáng của điểm ảnh, và tương ứng về vị trí trên
màn hình quan sát để tạo ra hình ảnh bề mặt.
NATuan-ITIMS-2013
Hiện tượng xuyên ngầm lượng tử
Atom Surface STM
• Khi tác dụng một điện áp lên 2 vật dẫn hoàn toàn không tiếp xúc với nhau, một dòng điện
vẫn có thể xuất hiện ➽ gọi là dòng xuyên ngầm (tunneling current)
• Độ lớn của dòng xuyên ngầm phụ thuộc mạnh vào khoảng cách giữa hai vật dẫn: thay
đổi 1Å dẫn đến dòng xuyên ngầm thay đổi gấp 10 lần!
• Cường độ dòng xuyên ngầm (cỡ pA) phản ánh:
- Hình thái bề mặt (surface topography) phân giải ở mức độ nguyên tử của vật dẫn điện
→ Cơ sở để phân tích hình ảnh sắp xếp các nguyên tử
- Các tính chất điện của bề mặt (như độ dẫn) → Cơ sở của phân tích pha
- Dòng xuyên ngầm đặc trưng cho nguyên tử bề mặt → Cơ sở của phân tích nguyên tố
NATuan-ITIMS-2013
Mode dòng không đổi
Chú ý phần biểu thị mầu đỏ ở đầu mũi tip

thể hiện dòng xuyên ngầm không thay đổi
Khoảng thay đổi của

mũi tip theo độ cao
Mode chiều cao không đổi
Mức mũi tip duy trì theo độ cao
Chú ý mật độ các chấm đỏ ở đầu mũi tip

thay đổi biểu thị dòng xuyên ngầm thay đổi
NATuan-ITIMS-2013
Hai kiểu quét cơ bản
Mặt phẳng cơ sở (đế/giá gắn mẫu)

∆z = constan ∆I = I - I'
I
I'
z
NATuan-ITIMS-2013
I I
∆z z = const.
I = const. ∆I ∆I = 0
I I'
I - I' = ∆I
NATuan-ITIMS-2013
• Ngắt hồi tiếp - giữ chiều cao không đổi
(Feedback off/constant height) Dòng xuyên ngầm thay đổi
theo địa hình bề mặt mẫu
Quét ngang qua bề mặt ở chiều cao z0 không
thay đổi (sử dụng điện áp cấp cho thành phần z Chiều cao của mũi tip không
của khối áp điện - piezo voltage - không thay thay đổi so với bề mặt mẫu
đổi), điều khiển tín hiệu điện (dòng xuyên ngầm)
Địa hình bề mặt mẫu
thay đổi theo khoảng cách giữa bề mặt mẫu và
đầu mũi quét (tip-surface). Thao tác này thích
hợp đối với bề mặt mẫu tương đối nhẵn, có thể
quét với tốc độ nhanh.
• Bật hồi tiếp – duy trì dòng không đổi
Dòng xuyên ngầm không đổi
(Feedback on/constant current)
Mạch điều chỉnh cấp điện áp cho thành phần áp
điện z của khối piezo thay đổi theo địa hình bề
mặt sao cho tín hiệu điện (dòng xuyên ngầm)
nhận được có giá trị không đổi. Kiểu này sử
Chiều cao của mũi tip thay
dụng với bề mặt mẫu không bằng phẳng với độ đổi theo địa hình bề mặt mẫu
tinh tế cao cần quét chậm hơn. Ảnh nhận
được từ kiểu thao tác này sẽ ứng với một bề
mặt có mật độ trạng thái (DOS) không đổi.
NATuan-ITIMS-2013
Vật lý của hiện tượng xuyên ngầm lượng tử
- Hiện tượng xuyên ngầm lượng tử qua rào thế
khi khi
khi khi
khi khi
các vecto sóng:
Hệ số truyền qua:
trong đó:
U(z)
Trong gần đúng chuẩn cổ điển (rào thế không vuông lý tưởng):
NATuan-ITIMS-2013
Vật lý của hiện tượng xuyên ngầm lượng tử
Xuyên ngầm đàn hồi

(elastic tunneling)
và xuyên ngầm không đàn hồi

(inelastic tunneling)
- Đàn hồi (Elastic): năng lượng của các

điện tử xuyên ngầm được bảo toàn.
- Không đàn hồi (Inelastic): điện tử mất
đi một lượng tử năng lượng (quantum
of energy) ở bên trong rào thế.
NATuan-ITIMS-2013
Cơ sở vật lý của “tiếp xúc” xuyên ngầm giữa đầu tip và bề mặt mẫu:
- Khi e có năng lượng và đạt đến hàng rào
chân không với thế năng lớn hơn động năng
→ hàm sóng bị “rò”, vượt qua vùng cấm và
xuất hiện ở bên kia rào chân không.
K-1 K-1 - Hàm sóng của e ở EF suy giảm theo hàm

exp →
ψ ~ exp(– iz√2mφ/ħ2)
Hàm sóng e bị "rò“ở ngoài vùng chân không với nghịch đảo độ dài suy giảm là
K = √2mφ /ħ ⇒ ψ ~ exp(– iKz )
- Khi cho hai vật dẫn lại gần nhau sao cho hàm
sóng "rò" chùm lên nhau → mật độ dòng phân
bố liên tục giữa hai vật dẫn xuyên qua rào thế.
- Khi đặt một thế nhỏ V giữa hai vật dẫn →

vùng hàm sóng chùm nhau cho phép e xuyên
ngầm lượng tử → xuất hiện dòng điện I qua
Hàm sóng e được “nối“ bên trong vùng rào thế khe chân không (rào thế) với mật độ dòng
V
xuyên ngầm: I ∝ exp( −2 Kd )
NATuan-ITIMS-2013
Cơ sở vật lý:
- Sử dụng một mũi nhọn kim loại làm tip
đầu dò, như là vật dẫn thứ nhất. Mẫu là
vật liệu dẫn điện, như là vật dẫn thứ hai.
d d
- Đặt một thiên áp V giữa mẫu và mũi dò
(tip). ⇒ Dòng xuyên ngầm 1D (eV << Ф)
được xác định bằng:
V ⎛ 1
⎞
I ∝ exp ⎜⎜ − Aφ 2 d ⎟⎟
d ⎝ ⎠
o1
A = 1.025(eV )
−
2 [A -1 ]
• Khi d tăng mỗi 1 Å, dòng xuyên ngầm I giảm đi
cỡ ~ 1 bậc về biên độ.
• Độ nhạy tiêu biểu ~ 0.01 Å theo phương thẳng
đứng, và ~ 0.1 Å theo phương ngang trên bề
mặt mẫu.
• Dòng xuyên ngầm có độ lớn trong khoảng
10 pA - 1 nA và phụ thuộc vào thiên áp (đối với
d thiên áp V ~ 1 V ở d ~ 1 Å → gradient về điện
áp ~ 107 V/cm).
NATuan-ITIMS-2013
• Cơ sở vật lý:
- Dòng xuyên ngầm ∞
+ "Golden rule" của mật độ dòng xuyên ngầm: J (V ) ~ ∫ D ( E − V ) D ( E )[ f ( E − V ) − f ( E )]dE
−∞
1 2
Với rào thế có dạng bất kỳ → U(z) = µ + Ф(z)

S¬ ®å rµo thÕ
⇒ φ
EF1
eV
µ D1 EF2
δ
D2
⇒ Mật độ dòng xuyên ngầm: Simmons Formula
trong đó:
; β là hệ số hiệu chỉnh
NATuan-ITIMS-2013
Cơ sở vật lý:
+ Công thức dòng xuyên ngầm của Bardeen tính cho hệ tip-mẫu (T-S):
f (E) là hàm phân bố Fermi, V điện thế tác dụng, MTS là phần tử ma trận xuyên ngầm giữa
hàm sóng của tip và hàm sóng bề mặt mẫu. Ei là năng lượng của một trạng thái khi không có
xuyên ngầm (i = T (tip), S (mẫu)), µ là thế hóa, kB là hằng số Boltzman, và T là nhiệt độ.
- Hàm sóng của tip và mẫu trong khe chân không:
với K = √(2mφ)/ħ trong đó φ là chiều cao trung bình của

rào thế.
- Dòng xuyên ngầm:
Lưu ý ! STM không dò trực tiếp vị trí hạt nhân, đúng ra nó

chỉ dò mật độ điện tử lớp vỏ ngoài cùng. Vì vậy các ảnh
STM không nhất thiết phải luôn cho thấy vị trí của nguyên
tử, và nó phụ thuộc vào bản chất của bề mặt (trạng thái liên
kết), biên độ và dấu của dòng xuyên ngầm.
NATuan-ITIMS-2013
Clip minh họa hiệu ứng xuyên ngầm
NATuan-ITIMS-2013
Tại sao có thể phân giải được ở mức nguyên tử ?
d d
NATuan-ITIMS-2013
Chìa khóa là ở chất lượng của đầu quét (tip)

Độ phân giải được xác định bởi:
• Kích thước của mũi dò (probe) - Mũi dò phải
nhỏ nhất có thể.
• Khoảng cách giữa mũi dò và bề mặt mẫu:
- Mũi dò được xem như một điểm, và khoảng
cách giữa mũi nhọn và bề mặt mẫu là một
môi trường chân không.
- Các lớp oxide hay các lớp bẩn cách điện có

chiều dày vài nanometers bao quanh mũi dò có
thể ngăn cản sự xuyên ngầm chân không.
- Các lớp cách điện này có thể làm cho đầu mũi
dò tiếp xúc cơ học trực tiếp với bề mặt mẫu, dẫn
đến làm thay đổi điểm đặt dòng (set-point current).
- Dòng xuyên ngầm qua lớp oxide hay lớp bẩn có
thể phá hỏng đầu tip.
NATuan-ITIMS-2013
- Tip Hình ảnh của vùng đầu tip và bề mặt mẫu được nhìn dưới các khoảng
kích thước khác nhau:
Một đầu tip sắc nhọn có

thể coi đầu cùng là một
nguyên tử đơn.
Thường tạo mũi nhọn bằng phương
pháp điện phân
NATuan-ITIMS-2013
Làm nhọn mũi quét STM như thế nào ? Chế tạo tip bằng phương pháp điện phân:
• Dùng dây W hay Pt-Ir có đường kính 200 µm.
• Cắt hay ăn mòn xuống đến ∼40 nm.
• Làm bằng tay (Hand-made), không gia công
bằng kỹ thuật vi chế tạo (micro-fabrication).
• Có thể làm cho sắc nhọn bằng cách sử dụng
chùm tia ion được hội tụ để mài.
W, Pt-Ir,...
NATuan-ITIMS-2013
Chế tạo tip bằng phương pháp điện phân:
Hình dạng và độ nhọn của đầu tip khi điện phân ở các chế độ khác nhau
NATuan-ITIMS-2013
• Cấu tạo thiết bị Hình ảnh của hiển vi STM
NATuan-ITIMS-2013
Cấu tạo của một hiển vi STM được bố trí trong buồng chân không
Gương quan sát

bề mặt mẫu và tip
NATuan-ITIMS-2013
Cấu tạo của một loại STM làm việc ở
nhiệt độ thấp
STM
NATuan-ITIMS-2013
Thông tin nhận được và những ứng dụng của STM
• Hình thái học bề mặt Ví dụ về quan sát hình thái cấu

trúc bề mặt với độ phân giải ở
• Cấu trúc phân tử
thang nguyên tử
• Cấu trúc điện tử địa phương (để ý tới cách sắp xếp nguyên tử)
• Cấu trúc spin địa phương
Hướng sắp xếp nguyên tử

• Sự dao động phân tử đơn
• Sự vận chuyển của điện tử
• Chế tạo nano (Nano-fabrication)
• Thao tác trên các nguyên tử
Khuyết
• Phản ứng hóa học nano nguyên tử
Những kết cấu khác nhau ở

Thấy rõ kiểu
sắp xếp trên bề mặt Ge(100)-2x1
NATuan-ITIMS-2013
• Thông tin nhận được:
- Các ảnh STM phân
giải ở mức nguyên tử
STM Images of Si(111)-(7×7)

STM atomic resolution on HOPG
(Highly Oriented Pyrolytic Graphite)
- STS images
(ảnh phổ xuyên ngầm điện tử
quét – Scanning Tunneling
Spectrum)
STS of Si(111)-(7x7)
NATuan-ITIMS-2013
• Các đại lượng vật lý "quan sát" được trong STM ⇒ phổ STS (scanning
tunneling spectrum)
- Đặc trưng I-V (Current-Voltage Characteristic)
- Đặc trưng dòng theo khoảng cách (Current-Distance Characteristic)
- Mật độ trạng thái điện tử (Electronic States Density
- Phân bố của công thoát (Work-Function)

NATuan-ITIMS-2013
Phổ xuyên ngầm điện tử quét (STS) trên các chất siêu dẫn nhiệt độ cao
(High-Temperature Superconductors
Nature 403 746(2000)

NATuan-ITIMS-2013
Thay đổi cực tính của thiên áp (Bias polarity): Î cho phép
thăm dò các trạng thái đã được điền đầy và còn trống
NATuan-ITIMS-2013
Ứng dụng STM trong khắc nano (nanolithography)
Thao tác lắp đặt các nguyên tử và

chùm nguyên tử bằng STM
NATuan-ITIMS-2013
Thao tác lắp đặt nguyên tử bằng STM
Sắp đặt các nguyên tử bằng STM – Tạo hình theo khuôn mẫu sử dụng STM
để đẩy, kéo các nguyên tử
STM Lithography:
•Là kỹ thuật sắp đặt theo khuôn mẫu cho trước (patterning) ở thang nguyên tử.
•Thao tác với cả các nguyên tử đơn và phân tử.
•Có thể ứng dụng để, ví dụ, lưu trữ thông tin lượng tử với mật độ cực cao (mỗi ng.tử trên một bit)
Cơ chế di chuyển nguyên tử:

- Khi lực ngang Fx vượt quá hàng rào nhảy cóc
(hopping barrier), nguyên tử nhảy (jump) tới
dãy/hàng bên cạnh.
- Đối với phân tử, điện trường cao làm phân cực
phân tử và có thể bắt nó phải nhảy từ bề mặt tới
tip, hoặc từ tip tới bề mặt.
- Tuy nhiên quá trình này có thể khó điều khiển tốt
việc di chuyển nguyên tử hay phân tử. Vì vậy
không nên sử dụng điện trường quá cao (như thế
nguyên tử sẽ vẫn luôn ở gần bề mặt đế) và nên
sử dụng lực hút van der Waals để kéo các ng.tử.
Hla et al., Phys. Rev. B 67, 201402 (2003)
NATuan-ITIMS-2013
Cơ chế làm khuếch tán các nguyên tử hấp thụ trên bề mặt
Giản đồ giải thích cơ chế tại sao các nguyên tử được hấp thụ trên bề mặt sẽ di trú về phía tip bằng
điện áp tác dụng tới tip hay tới mẫu. Mặc dù có sự phân cực của các xung điện áp, các nguyên tử
hấp thụ vẫn sẽ luôn di chuyển về phía trung tâm, nơi mà có cường độ điện trường cao nhất.
NATuan-ITIMS-2013
Các nguyên tử đơn Xenon on Nickel (110)

được lắp đặt chính xác
bằng STM
NATuan-ITIMS-2013
Vòng xoắn tròn có bán kính 71.3 Å

được tạo ra từ 48 nguyên tử Fe ở
trên bề mặt Cu (111).
(Có thể thấy hình ảnh của các sơ đồ
giao thoa cơ học lượng tử ở xung
quanh các nguyên tử Fe). M.F. Crommie, C.P. Lutz, D.M. Eigler. Science 262, 218-220 (1993)
NATuan-ITIMS-2013

Các vòng xoắn lượng tử (quantum corrals)
Thực hiện sự di trú lượng tử (quantum mirage) tạo ra các cấu trúc lượng tử khác nhau.
(Sắp đặt nano theo khuôn mẫu bằng STM ở IBM)
M.F. Crommie, C.P. Lutz, D.M. Eigler, Science 262, 218-220 (1993).
M.F. Crommie, C.P. Lutz, D.M. Eigler, Nature 363, 524-527 (1993).
NATuan-ITIMS-2013
Vòng xoắn lượng tử hình tròn (Quantum Vòng xoắn lượng tử hình sân vận động
Corral): Fe ở trên Cu(111) (Stadium Corral): Fe ở trên Cu(111)
(Sắp đặt nano theo khuôn mẫu bằng STM ở IBM)
M.F. Crommie et al., Science 262, 218 (1993).

NATuan-ITIMS-2013
Một số ưu điểm, đặc điểm, hạn chế chính của hiển vi STM
Tóm lại, hiển vi xuyên ngầm quét STM:
• Cho ảnh không gian thực
• Phân giải cao theo cả phương ngang và chiều thẳng đứng
• Đầu dò phải có tính dẫn điện
• Rất nhạy với tiếng ồn (noise)
• Chất lượng ảnh phụ thuộc vào các điều kiện của tip
• Ảnh topographic (hình thái bề mặt) không thực
• Chỉ sử dụng cho các vật liệu dẫn điện
NATuan-ITIMS-2013
5.2.1. Sơ lược lịch sử
5.2.2. Nguyên lý hoạt động
5.2.3. Tương tác giữa đầu tip và bề mặt mẫu
5.2.4. Các thông tin nhận được và ứng dụng
NATuan-ITIMS-2013
- Lịch sử:
1978: E.C. Teague - Thực hiện xuyên ngầm giữa hai quả cầu kim loại bằng vàng,
ở nhiệt độ phòng, thông qua môi trường chân không, cấu hình Au-Vacuum-Au,
trong đó đã đề cập đến lực hút giữa hai quả cầu Au là lực van der Waals.
Vacuum
Au Au
van der Waals
NATuan-ITIMS-2013
- Lịch sử:
- Stylus profilometer được chế tạo và sử
1982: E.C. Teague. et al. Đưa ra ý tưởng dụng để nghiên cứu mức độ "gồ ghề" của bề
và thiết kế một hệ thống đo đạc bề mặt theo mặt vật liệu.
cả 3 chiều: Surface Profilometer - Đầu tip của stylus (bằng kim
cương hoặc đá hồng ngọc) có
đường kính ~ 1 µm, tiếp xúc
với bề mặt mẫu với lực tiêu biểu ~ 10-4 N.
- Ngày nay dụng cụ Stylus profilometer vẫn

được sử dụng rất rộng rãi trong kỹ thuật và
công nghệ: như đo chiều dày và độ nhám của
bề mặt màng mỏng,...
NATuan-ITIMS-2013
- Lịch sử:
1986: G. Binnig, C. F. Quate,and C. Gerber phát minh ra hiển vi lực nguyên tử
- Atomic Force Microscopy (AFM)
PRL, 56(9) 930 (1986)
NATuan-ITIMS-2013
- Lịch sử:
PRL, 56(9) 930 (1986)
Ý tưởng cơ bản:
- Tổ hợp giữa nguyên lý của STM và của
kỹ thuật đồ hình bề mặt bằng vạch mũi
nhọn (Stylus profilometer)
- Do đó về nguyên lý hoạt động của AFM
cũng tương tự như ở STM.
- Thực hiện được ở trong môi trường
không khí.
- Khác cơ bản với STM ở tương tác giữa
đầu tip với bề mặt mẫu: lực nguyên tử
(trong khi ở STM là dòng xuyên ngầm)
NATuan-ITIMS-2013
- Lịch sử:
Lưu ý:
PRL, 56(9) 930 (1986)
- Ở thiết kế ban đầu (gốc) của
AFM của nhóm Binnig, sử dụng
nguyên lý STM (xuyên ngầm với
đầu tip C) để ghi nhận sự thay
đổi khoảng cách ở đầu tip B của
AFM do lực tương tác nguyên tử
với bề mặt mẫu A.
- Các AFM thương mại sau này
sử dụng nguyên tắc quang.
NATuan-ITIMS-2013
- Nguyên lý hoạt động: Dựa trên tương tác của đầu típ với bề mặt mẫu
Cấu trúc cơ bản phát hiện lực tương tác
giữa các nguyên tử
Detector (photo-diode chia hai nửa)
A ∆U = UA – UB
Vết chùm tia
∆ U < 0; = 0; > 0
laser phản xạ B
thay đổi vị trí
Lưu ý: sensor lực chính là lò xo lá - cantilever
Nguyên lý hoạt động của AFM
Đối với AFM, cần đầu tip phải nhỏ

NATuan-ITIMS-2013
Đầu dò của AFM

Đầu dò gồm một mũi
nhọn (tip) được gắn
trên một thanh dầm –
hay lò xo lá (cantilever).
Lò xo lá có 2 dạng chủ
yếu: thanh chữ nhật và
thanh chữ V (hoặc chữ U)
Kiểu dãy tip cho khắc nhanh Kiểu tip cho AFM mode gõ Kiểu tip cho AFM mode tiếp xúc
NATuan-ITIMS-2013
Chế tạo đầu dò của AFM

• Một số kiểu cantilever
Dạng chữ V Dạng chữ nhật Dạng chữ U
• Một số hình dạng và kiểu của đầu tip
Dạng hình tháp Dạng chóp nhọn Tip phủ kim cương Tip gắn NCT
NATuan-ITIMS-2013
Profile đơn của một đường quét ngang trên bề mặt mẫu
z ∆z
Tập hợp các đường profile đơn, thu nhận được khi đầu tip quét ngang qua toàn bộ
vùng bề mặt được chỉ định quét, sẽ phản ánh "địa hình" bề mặt tương ứng, với mức
độ trung thực/chính xác, phụ thuộc vào mức độ “tinh sảo” (tính liên tục) của mỗi bước
quét → Có thể chính xác đến kích thước ở mức thang nguyên tử - 0.01 nm.
NATuan-ITIMS-2013
Các kiểu tiếp cúc cơ bản giữa tip với bề mặt mẫu
- Kiểu tiếp xúc (Contact Mode)
- Kiểu không tiếp xúc (Non-contact Mode)
- Kiểu gõ (Tapping Mode) Đường bao của mode lực không đổi.
Đường bao của mode chiều cao không đổi.
∆F = constz
z ∆z biến đổi ∆z = const Phần lồi
∆F biến đổi Mặt cơ sở
(z = 0)
Phần lõm
Kiểu tiếp xúc: Kiểu không tiếp xúc: Kiểu gõ (tiếp xúc gián đoạn):
Đầu tip luôn tiếp xúc, bám sát Đầu tip cách bề mặt mẫu một Cần gắn tip được rung với tần số xác định
địa hình bề mặt. khoảng ∆z. Có 2 loại ∆z: làm cho đầu tip gõ liên tục lên bề mặt mẫu.
Trên thực tế, đầu tip (nguyên - ∆z cố định (mode chiều cao Kiểu này được sử dụng phổ biến hiện nay.
tử đầu cùng) chỉ có thể "tiếp không đổi): đầu tip luôn không
xúc" với "lớp vỏ của nguyên đổi so với mặt cơ sở, lực ng.tử
tử" bề mặt mẫu (mô tả bằng thay đổi (∆F).
đường bao nét liền). - ∆z thay đổi để sao cho lực (mô tả bằng đường bao nét đứt).
ng.tử không đổi (∆F = const) Lực trong trường hợp này rất yếu,
(mode lực không đổi). Lực yếu. thường ít được sử dụng.
NATuan-ITIMS-2013
• 3 mode ảnh của AFM
- Kiểu tiếp xúc - Kiểu gõ, hay - Kiểu không tiếp xúc
kiểu bán tiếp xúc
NATuan-ITIMS-2013
- Mode gõ (tapping) sử dụng trong AFM - Kiểu tiếp xúc trực tiếp mũi nhọn của tip
với bề mặt mẫu (contact mode) dễ làm
hỏng hình thái bề mặt.
- Mặt khác, đối với các mẫu mềm (mô sinh
vật,...) hoặc trên bề mặt có một lớp chất
lỏng rất mỏng (dầu, nước,...) ⇒ làm cho
khó thực hiện AFM. ⇒ Sử dụng kiểu "gõ"
(tapping mode)
Phân tích mức độ dịch pha để xác định độ dẻo hay

độ nhớt của bề mặt, và tái hiện hình ảnh bề mặt
Phân tích mức độ suy

Sự suy giảm biên độ do dính giảm biên độ để xác định
ướt hay độ nhớt ở bề mặt độ dẻo hay độ nhớt của
bề mặt, và tái hiện hình
ảnh bề mặt
NATuan-ITIMS-2013
Các loại AFM điển hình
3 kiểu AFM cơ bản:
- Kiểu tiếp xúc - tip không rung
- kiểu không tiếp xúc - tip có thể rung
- Kiểu gõ (Tapping mode) – tip rung
Các loại hiển vi lực quét

(Scanning Force Microscopy):
- Liquid AFM
- Magnetic Force Microscopy (MFM)
- Latteral Force Microscopy (LFM)
- Intermitant and non-contact AFM
- Force Modulation Microscopy (FMM)
- Electrostatic Force Microscopy (EFM)
Yêu cầu về mẫu:

- Dẫn điện
- Không đẫn điện, v.v…
Cảm biến lực: Cantilever

Phát hiện độ lệch: photodiode
Tip có thể được gắn trên bộ quét áp điện,

hoặc mẫu.
NATuan-ITIMS-2013
Các kiểu thao tác của AFM và tính chất của lực tương tác
Loại thao tác Tính chất của lực tương tác
Lực đẩy mạnh: kiểu lực không đổi hoặc
Loại Tiếp xúc kiểu chiều cao không đổi
Lực hút yếu: kiểu đầu dò rung

Loại Không tiếp xúc
Lực đẩy mạnh: kiểu đầu dò rung
Loại Tiếp xúc gián đoạn
Lực ma sát, sử dụng lực vặn của thanh quét
Loại Lực ngang (cantilever)
Từ trường ở bề mặt
Loại Từ lực
Sự phân bố của độ dẫn nhiệt bề mặt
Loại Quét nhiệt
Các kiểu tiếp xúc gián đoạn (từng lúc, không liên tục) và quét nhiệt không thông dụng.
NATuan-ITIMS-2013
Hệ thống phát hiện sự tương tác giữa đầu dò và mẫu

Photo-diode kiểu 4 mảnh của hầu hết các thiết bị AFM ngày nay –
Cấu trúc kiểu 4 mảnh làm tăng độ nhạy đối với vị trí ngang trên bề mặt
Photo-diode A B
(divided into
four parts)
D C
Gắn vào hệ
PZT ⇒ dịch
chuyển X, Y, Z
NATuan-ITIMS-2013
Hệ thống phát hiện sự tương tác giữa đầu dò và mẫu

Ghi nhận sự phát hiện theo phương z (để duy trì Ghi nhận sự phát hiện theo phương x-y, đối
lực không đổi đ/v thao tác AFM thông thường) với loại hiển vi lực ngang hoặc lực ma sát
Measure Measure
(A+B-C-D)/(A+B+C+D) (A+C-B-D)/(A+B+C+D)
Photo-diode
(divided into
four parts)
NATuan-ITIMS-2013
• Lateral Force Microscopy
NATuan-ITIMS-2013
Vòng hồi tiếp cho loại AFM thao tác kiểu lực không đổi
∆Z tương đương với hình thái bề mặt (topography) của mẫu
Sự lệch nhỏ của cần lò xo lá (cantilever) dẫn đến sự xê dịch lớn của vị trí vết chùm tia ở trên
photo-diode → rất nhạy cảm đối với sự thay đổi theo chiều z (độ nhạy ∆Z << 1Å)
NATuan-ITIMS-2013
Các lực và tầm ảnh hưởng của chúng:
Tầm xa: Tầm gần:

- Lực tĩnh điện trong không khí: 100 nm - Lực van der Waals: 10 nm
- Lực từ-tĩnh điện (magneto-electrostatic): - Kiểu suy giảm cảm ứng bề mặt
100 nm (Surface-induced solvent ordering): 5 nm
- Lực tĩnh điện lớp kép (chất lỏng):100 nm - Lực liên kết hydro: 0.2 nm
- Tiếp xúc: 0.1 nm
four quadrant
detector Sử dụng detector kiểu 4 mảnh (four
quadrant detector) cho phép thu được tín
hiệu của độ lệch tip-cantilever đầy đủ hơn
theo cả 3 chiều trong không gian trên bề
mặt mẫu so với loại detector kiểu 2 mảnh.
⇒ Phản ảnh đầy đủ hơn về cảnh quan bề
mặt (topography) mẫu.
NATuan-ITIMS-2013
- Định luật Hook:
F = k∆z
- Trong AFM, tương tác giữa nguyên tử của tip và các nguyên tử bề mặt mẫu là
tương tác van der Waals, sinh ra do sự thăng giáng trong mômen lưỡng cực điện và
sự phân cực lẫn nhau. Tương tác van der Waals có tầm tác dụng từ vài đến vài trăm
angstrom.
- Lực hút giữa các nguyên tử ~ r -7; giữa hai mặt phẳng ~ r -3; giữa một quả cầu với
một mặt phẳng ~ r -2; lực tĩnh điện (Coulombic) ~ r -2;
Đ/v AFM: F = 10-10 – 10-6 N; k = 0.1 – 1 N/m.
- Đầu tip của stylus có đường kính ~ 1 µm, tiếp xúc với bề mặt mẫu với lực tiêu biểu
~ 10-4 N.
NATuan-ITIMS-2013
- Cơ sở vật lý của tương tác tip-mẫu:
Lennard-Jones potential φ(r) = - A/r6 + B/r12
Khu vực tip khó tiếp

xúc với bề mặt mẫu
→ Chế độ đẩy - tiếp
xúc không liên tục
Khu vực không làm

lệch tip-cantilever vì
còn cách xa với bề
mặt mẫu
Khu vực tip bị kéo

về phía bề mặt mẫu
→ Chế độ hút
NATuan-ITIMS-2013
Tương tác giữa mẫu và tip đối với các hiển vi AFM
Tip được tiếp
xúc với bề măt (1) Khoảng ngăn cách tip-mẫu lớn – Không
– Chế độ đẩy Tip còn xa với bề thể phát hiện được lực tương tác.
măt; không bị lệch
(2) Khoảng ngăn cách tip-mẫu giảm.
(3) Là khoảng ngăn cách mà ở đó độ chênh
lệch (gradient) của năng lượng tương tác
vượt quá lực hồi phục của lò xo lá – Điểm bắt
Tip bị kéo thẳng xuống đầu “nhảy sang tiếp xúc”.
bề măt – Chế độ hút
(4) Khi tip tiếp tục tiến gần đến bề mặt, bắt
đầu quan sát thấy sự lệch tuyến tính của lò xo
lá; tip có xu hướng bị đẩy khỏi bề mặt, vạch ra
một đường lệch của cần lò xo lá đồng dạng
với đường lực (hình ở phía trên), và cả tip và
mẫu vẫn tiếp xúc với nhau.
(5) Là khoảng cách mà ở đó lực hồi phục bị
ép bởi sự uốn của lò xo lá vượt quá lực kết
dính của tip-mẫu – “lực tương tác”
(6) Không còn tương tác, ở vị trí cân bằng.
NATuan-ITIMS-2013
Đường cong lý tưởng của đặc trưng lực-khoảng cách đối với tip-cantilever
NATuan-ITIMS-2013
Tương tác giữa mẫu và tip đối với các hiển vi lực
Xa (50-100nm)
Gần (<10nm) Tiếp xúc
Tiếp xúc
Lực van der Các lực từ Các lực ma sát Các tính chất
Waals hoặc tĩnh điện liên kết dính đàn hồi và dẻo
Chế độ tiếp xúc

(vdW)
Vùng lực đẩy ion
Chế độ tiếp xúc

trung gian
Lực tổng cộng tác

Chế độ không tiếp xúc dụng lên mẫu:
Vùng lực hút
NATuan-ITIMS-2013
Lực của mũi tip theo khoảng cách với bề mặt mẫu
Trong chân không
Đang chạm tới

bề mặt mẫu
Chưa chạm tới bề mặt mẫu

Trong không khí
Kéo ra
khỏi Lực mao dẫn
Độ dốc phản ánh modul đàn hồi
Bị nhiễm bẩn
của mẫu: độ mềm/cứng, hoặc trong không khí
hằng số đàn hồi k của cần tip
(cantilever)
Î AFM cũng có thể được sử dụng cho nghiên cứu sự lồi lõm nano để khảo sát các tính
chất cơ học (đường ứng suất căng, mô-đun Young) của mẫu, mặc dù lực không chính
xác như khi đo bằng công cụ chuyên dụng về ứng suất căng.
NATuan-ITIMS-2013
• Tính toán về độ lệch của chùm tia laze
Chùm tia laze chiếu tới
PSD
Photo-
Semiconductor
Diode
NATuan-ITIMS-2013
- Cấu trúc AFM
PZT
NATuan-ITIMS-2013
Có 2 kiểu quét; quét tip/cantilever & quét mẫu
NATuan-ITIMS-2013
Hình thức bên ngoài của AFM
NATuan-ITIMS-2013
Digital Instruments
(DI, hiện nay đã thuộc về Veeco)
NATuan-ITIMS-2013
• Một số ảnh AFM
NATuan-ITIMS-2013
• Lateral Force Microscopy
- Một số ảnh LFM
Ảnh hình thái bề mặt Ảnh lực ngang trên bề mặt
Ảnh tương phản pha và ảnh lực ngang trên bề mặt
NATuan-ITIMS-2013
Chế tạo đầu dò (tip) của AFM
NATuan-ITIMS-2013
• Vật liệu: Si, Si3N4

• Hình dạng: tháp hoặc chóp nhọn
• Kích thước điển hình:
• Tính cứng:
- mềm: mode tiếp xúc
- cứng: mode rung (lực điện động:
dynanic force)
• Hằng số đàn hồi (k):
Ảnh SEM của một tổ hợp gồm tip nhọn được
• Tần số cộng hưởng: gắn trên phần đầu cần lò xo lá (cantilever) đơn
VD: tinh thể Si. Bán kính của mũi típ từ 2 tới 10 nm,
chiều dài của thanh lò xo lá là ~ 200 µm.
NATuan-ITIMS-2013
Sử dụng KOH để ăn mòn ướt.
1. Tạo mặt nạ (mask) SiO2
2. ăn mòn khô Si bằng ăn
mòn ion phản ứng (RIE:
Reactive Ion Etching)
3. ăn mòn ướt Si bằng KOH
4. Tạo mặt nạ SiO2
5. ăn mòn khô Si bằng RIE
6. Tạo mặt nạ SiO2 ở mặt sau
7. ăn mòn ướt Si bằng KOH, thụ động hóa
(passivation: chống ăn mòn) ở mặt trước
8. ăn mòn ướt SiO2 bằng BHF
(Buffered HF)
9. ăn mòn khô Si bằng RIE
10. Lấy cantilever ra ở trong BHF
T. Wakayama, T. Kobayashi, N. Iwata, N. Tanifuji, Y. Matsuda, and S.
Yamada, Sensors and Actuators a-Physical, vol. 126, pp. 159-164, 2006.
NATuan-ITIMS-2013
Chế tạo đầu dò của AFM Tạo khuôn mẫu (mặt nạ)
Si
bằng SiO2
Sử dụng EDP thay cho KOH.
Bổ xung ôxy hóa để tạo sắc nhọn hơn.
EDP (ethylene-diamine Hình thành tip Si bằng

pyrocatechol), là một dung dịch ăn ăn mòn EDP
mòn (tẩm thực) dị hướng đối với
Si, gồm có ethylene-diamine,
pyrocatechol, pyrazine và nước. Làm nhọn tip Si bằng
ôxy hóa ướt
Ethylene-diamine Bảo vệ mặt trước bằng

ôxy hóa nhiệt
Pyrocatechol
Loại bỏ lớp màng ngăn
Si bằng ăn mòn EDP
đối với Si
Tạo khuôn mẫu của thanh
Pyrazine dầm bằng ăn mòn ion phản
ứng (RIE) sâu và loại bỏ
lần cuối. NATuan-ITIMS-2013
Công nghệ chế tạo tip-cantilever cho AFM
Sử dụng kỹ thuật ăn mòn Si và lắng

đọng Si3N4
NATuan-ITIMS-2013

Chế tạo tip chất dẻo SU-8 sử dụng kỹ thuật khắc-in dấu
Đầu tip được lấy ra

KOH ăn mòn để tạo
thành khuôn đúc-Si
Các mũi nhọn

NATuan-ITIMS-2013
Chế tạo tổ hợp lò xo lá (cantilever) – đầu dò silicon
Silicon nitride (Si3N4)
Tip kiểu này thường dùng cho

AFM thao tác kiểu mode tiếp xúc.
NATuan-ITIMS-2013
Trên đầu tip của AFM, có thể gắn thêm ống carbon nano
AFM Carbon
tip Nanotube
φ ≅ 20nm
L ≅ 80nm
10µm 1µm
NATuan-ITIMS-2013
Sử dụng ống nano carbon để cải thiện độ phân giải
Để hạn chế sự rung động, cần ống ngắn ∼ 0.2 µm

NATuan-ITIMS-2013
Siêu tip (super tip) được lắng đọng bằng chùm điện tử
- Các tip tiêu chuẩn bằng silicon nitirde có dạng hình tháp nhọn trên thị trường
thương mại thường không đủ sắc nhọn cho một số thực nghiệm.
Bằng cách hội tụ chùm tia điện tử trong một kính hiển vi SEM lên trên đỉnh nhọn của
một cái đầu tip dạng tháp chưa được chỉnh sửa, một cái gai sắc nhọn với chiều dài
mong muốn sẽ mọc lên.
- Thực ra đây là sự mọc của tinh thể carbon

trên đỉnh tháp nhọn của tip do sự nhiễm
bẩn bởi chùm tia điện tử tạo nên, nó không
nhất thiết phải thật sắc nhọn, nhưng có tỷ
số hình dạng rất cao để có thể đạt tới được
những hố/lỗ hay các rãnh rất sâu.
NATuan-ITIMS-2013
Ảnh hưởng của hình

dạng và kích thước
của đầu tip
NATuan-ITIMS-2013
Ảnh hưởng của hình dạng và
kích thước của đầu tip
Đầu tip “tô” lại gần đúng với địa
hình cấu trúc thực của bề mặt
Đầu tip “tô” lại rất sai so với địa

hình cấu trúc thực của bề mặt
NATuan-ITIMS-2013
Một số ưu điểm, đặc điểm, hạn chế chính của hiển vi AFM
Tóm lại, hiển vi lực nguyên tử AFM:

• Áp dụng với các vật liệu không dẫn điện, đặc biệt là phân tử sinh học,
gốm,…
• Cho ảnh thực về hình thái bề mặt (topographic).
• Đầu dò biến đổi theo các tính chất vật lý: từ, tĩnh điện, tính kỵ nước,
ma sát, modul đàn hồi, v. v...
• Có thể thao tác và lắp đặt các phân tử và chế tạo các cấu trúc nano.
• Có độ phân giải thấp theo phương ngang.
• Mode tiếp xúc có thể làm hỏng bề mặt mẫu.
• Ảnh có thể bị vặn do có nước (hơi nước trong môi trường không khí).
NATuan-ITIMS-2013
Một số ứng dụng của SPM trong thao

tác với từng nguyên tử và khắc nano
(nanolithography)
1. STM và AFM có thể sử dụng để thao tác với các nguyên tử hay các hạt.
2. AFM có thể ôxy hóa Si hay các kim loại.
Reviews of Modern Physics, Vol. 71, No. 2, 1999
NATuan-ITIMS-2013
Thao tác, sắp đặt các hạt nano bằng AFM
NATuan-ITIMS-2013
Thao tác, sắp đặt các hạt nano bằng AFM
NATuan-ITIMS-2013
Thao tác/sắp đặt các sợi CNT bằng AFM
IBM tạo dạng (uốn, gấp)

hoặc định vị cho sợi
nano bằng AFM cho các
transistor.
Chỗ uốn, gấp của sợi nano.
NATuan-ITIMS-2013
AFM sử dụng để ôxy hóa Si và các kim loại
Thiên áp (voltage
bias) đặt vào giữa
đầu tip nhọn và mẫu
làm cho phát ra một
điện trường mạnh ở
đầu mũi nhọn của
tip. Điện trường này
xúc tác cho quá
trình ôxy hóa diễn ra
trên bề mặt silic
hoặc anốt hóa các
kin loại (thực chất
cũng là ôxy hóa).
• Cơ chế của phản ứng ôxy hóa diễn ra như sau:
• Kết quả của việc ôxy hóa bị ảnh hưởng bởi các tham số
thực nghiệm:
o Điện áp (thường từ 5-10 V)
o Tốc độ quét tip (từ đứng yên cho đến hành chục µm/s)
o Độ ẩm (20% to 80%)
• Dòng điện ghi nhận được có thể sử dụng để điều khiển
quá trình ôxy hóa.
NATuan-ITIMS-2013
Ứng dụng AFM trong chế tạo nanolithography
Nanolithography bằng bút khắc nano (Dip-pen)
NATuan-ITIMS-2013
Ứng dụng AFM trong khắc nano (nanolithography)
1. Thao tác với các nguyên tử và hạt bằng AFM.

2. Sử dụng AFM để ôxy hóa Si hoặc các kim loại.
3. Khắc nano bằng bút trổ (Dip-pen nanolithography - DPN).
4. Kiểu thao tác MAC Mode trong AFM.
NATuan-ITIMS-2013

NATuan-ITIMS-2013
5.3.1. Hiển vi quang học
CÁC LOẠI HIỂN VI PHỔ BIẾN NHẤT

- Optical microscope
- Electron microscope (xem CH. 2)
- Scanning probe microscope
Optical microscopes
• Hiển vi quan học "cổ điển" ("Classical" Optical Microscopy) - OM

• Hiển vi (Laser) đồng tiêu (Confocal Laser Microscopy) - CLM
• Hiển vi quang học (quét) trường gần (Near-Field Optical Microscopy) ∈ SPM
+ Cần nắm lại các nguyên lý của quang học "cổ điển" để hiểu về SNOM.
+ CLM sử dụng chủ yếu trong lĩnh vực y-sinh học, không xét ở đây.
+ SNOM sử dụng nguyên lý mới của quang học ở thang nanomét →
được áp dụng rộng rãi trong công nghệ nano Î Quang học nano
(Nano-Optics)
NATuan-ITIMS-2013
1) Hiển vi quan học "cổ điển"
Sơ lược lịch sử:
Năm 1544: Hình ảnh đầu tiên về

camera (Camera Obscura) được
công bố (không rõ tác giả).
“Buồng chụp ảnh” đơn giản chỉ

gồm 1 lỗ nhỏ để những tia nắng
mặt trời có thể chiếu vào và tạo
ảnh trên bức tường phía đối diện.
“Camera” này được xây dựng

nhằm mục đích gì (?) chưa được
rõ: nghiên cứu thiên văn, làm đồng
hồ, lịch hay nghiên cứu quang
hình học (vật lý) ?.
Năm 1646: Buồng ghi ảnh di động

(Portable Camera Obscura) ra đời
(không rõ tác giả).
NATuan-ITIMS-2013
Chụp ảnh qua lỗ kim (Pinhole Camera) thời nay (2008):
Người ta có thể tự chế máy ảnh kiểu pinhole (lỗ kim) bằng cách sử dụng
một hộp kín (làm bằng bất kỳ chất liệu gì như vỏ sò, hộp bánh, lon nước
ngọt) rồi chọc một lỗ nhỏ (bằng kim) ở một đầu, phía đối diện đặt phim
hoặc giấy chuyên dụng trong nhiếp ảnh.
Pinhole camera không cần có ống kính, pin hay cơ chế tự động.
Ánh sáng lọt qua lỗ kim bé xíu và tạo hình ảnh, do đó đòi hỏi khoảng
thời gian phơi sáng khá dài (nhiều tuần, nhiều tháng). Người chụp cũng
không thể ngắm trực tiếp nên chất lượng ảnh tùy thuộc vào sự may rủi.
Sau đây là một số ảnh chụp

bằng kỹ thuật Pinhole Camera
NATuan-ITIMS-2013
Một số ảnh chụp qua lỗ kim:
NATuan-ITIMS-2013
Một số ảnh chụp qua lỗ kim:
NATuan-ITIMS-2013
• Năm 1665, Robert Hooke (1635 -1703) xuất bản
quyển sách nhan đề Micrographia, trong đó có
nhiều bức tranh mô tả lại những quan sát bằng
kính hiển vi (microscopic) và kính thiên văn
(telescopic). Trong số những bức vẽ này có một số
là những "ảnh" quan sát sinh vật lần đầu tiên.
Hooke là người đầu tiên đặt ra thuật ngữ "tế bào" -
cell - trong sinh học, cái mà ông liên tưởng đến khi
đặt ra thuật ngữ này là những căn phòng nhỏ của
các thầy tu nối liền nhau như những cái lỗ
("cellula").
Hình ảnh của con bọ chét do Robert Hooke

quan sát được bằng kính hiển vi OM tự chế,
lần đầu tiên cho thấy những chi tiết trên thân
của nó.
"Ảnh" hiển vi đầu tiên do Robert Hooke

quan sát được bằng kính hiển vi OM, cho
thấy cấu tạo của lá cây có dạng gồm các
tế bào ("cell").
NATuan-ITIMS-2013
Năm 1769: Buồng ghi ảnh kiểu bàn (Table
Camera Obscura) ra đời (không rõ tác giả).
Một thiết bị chụp ảnh những năm 1870

(Photographic Equipment: Stereoscope)
NATuan-ITIMS-2013
Nguyên lý tạo ảnh trong các dụng cụ quang học "cổ điển"
Quang hình (Ray optics)

Thị kính
(thấu kính
Kính hiển vi OM: quan sát)
D
Vật Vật kính
Ảnh trong
fv.k vật kính
- fv.k - ft.k ft.k
Ảnh trong thị kính
Độ phóng đại của hiển vi:

K ≈ SD/fv.kft.k
D - là khoảng cách nhìn tốt nhất
S - là tỷ số độ dài ống kính hiển vi
NATuan-ITIMS-2013
Nguyên lý tạo ảnh trong các dụng cụ quang học "cổ điển"
Quang hình (Ray optics)
Vật kính Kính thiên văn Kepler
Kính thiên văn: Thị kính
β - ft.k fv.k α
- fv.k ft.k
Độ phóng đại của kính thiên văn:

K = tgα/tgβ ≈ fv.k/ft.k
Kính thiên văn Newton

(viễn vọng phản xạ) Kính thiên văn Lomonoxov
Gương cầu
Gương cầu
lõm
Z
lõm
Thị kính
Z
Thị kính
NATuan-ITIMS-2013
Dụng cụ hiển vi quang học truyền thống ("cổ điển")
Thị kính
Ảnh cuối cùng
Thị kính
Thân đỡ vật kính Các vật kính Kính

và thị kính phóng
Tầng dịch chuyển Vật kính x 1000
cơ khí
Kính tụ
Tầng kẹp mẫu
Điều chỉnh Vật kính
hội tụ thô Mẫu
Đĩa chắn khẩu độ
Điều chỉnh (diaphragm)
hội tụ tinh Kính tụ &
Điều chỉnh của nguồn
độ sáng phát sáng
Bệ đỡ kính Nguồn sáng

Nguồn sáng
và chứa nguồn
sáng (điện)
Kính hiển vi quang học truyền thống Cấu tạo và nguyên lý tạo ảnh của
kính hiển vi quang học truyền thống
NATuan-ITIMS-2013
Quang học sóng (wave optics)
NATuan-ITIMS-2013
ψo
NATuan-ITIMS-2013
NATuan-ITIMS-2013
Quan hệ giữa KG
thực và KG ảo (KG
pha): Kích thước vết
nhiễu xạ tỷ lệ nghịch
với kích thước khe.
Hướng kéo dài của
vết nx vuông góc với
hướng hẹp của khe.
2λL/w
NATuan-ITIMS-2013
NATuan-ITIMS-2013
NATuan-ITIMS-2013
NATuan-ITIMS-2013
Hiện tượng nhiễu xạ và khúc xạ sóng phẳng bởi các điểm rời rạc,
nguồn phát sóng cầu thứ cấp (theo nguyên lý Huygens).
Hiện tượng khúc xạ

sóng phẳng bởi các
điểm rời rạc, mỗi
điểm được coi như
một nguồn phát
sóng cầu thứ cấp.
n1
n2
Nhiễu xạ = Tán xạ + Giao thoa
Tán xạ là sự lệch hướng truyền bởi vật cản trên đường truyền
sóng. Khúc xạ là trường hợp riêng của hiện tượng tán xạ.
Hiện tượng khúc xạ: là hiện tượng đổi hướng lan truyền
sóng do thay đổi chiết suất của môi trường lan truyền.
Quan sát, phân tích bức tranh nhiễu xạ "Nhìn thấy" được cấu trúc khe/cách tử
KG pha, KG ảo, KG Fourier KG thực, cấu trúc thực

NATuan-ITIMS-2013
Vài ví dụ về hình ảnh nhiễu xạ qua các khe, cách tử và vật nhỏ có kích
thước và hình dạng khác nhau:
Giản đồ nhiễu xạ được tạo bởi lưỡi dao cạo Các lỗ nhỏ ~ 0.5 - 0.2 µm trên bề mặt đĩa CD/DVD
với ánh sáng đơn sắc. Có thể thấy rõ các vân hình thành một mạng lưới nhiễu xạ (diffraction
sáng-tối của hiện tượng giao thoa tại các khe grating). Có thể thấy rõ các vân mầu sắc khác
có hình dạng và kích thước khác nhau. nhau của hiện tượng tán sắc.
Các quầng sáng xuất hiện xung quanh mặt trăng trong đêm
rằm là sự chồng chập các hiện tượng nhiễu xạ và tán sắc
(phân tích phổ) bởi các giọt nước nhỏ li ti trong không khí. Có
thể thấy rõ các vân sáng-tối của hiện tượng giao thoa và các
vân màu sắc khác nhau của hiện tượng tán sắc.
NATuan-ITIMS-2013
Giới hạn phân giải của OM do hiện tượng nhiễu xạ giữa 2 vật điểm
- Bản chất sóng của ánh sáng gây ra sự nhiễu xạ từ hai vật điểm rất gần nhau, làm giới hạn độ
phân giải theo phương ngang của hiển vi quang học.
- Khoảng cách tối thiểu (nhỏ nhất) có thể nhận biết được giữa hai tâm tán xạ ánh sáng, đối với một
hệ quang học cho trước, được xác định bằng Tiêu chuẩn Rayleigh (Rayleigh Criterion).
- Với các hiển vi quang học thông thường, giới hạn này ứng với độ phân giải khoảng 200-300 nm.
- Với hệ quang khắc sử dụng tia cực tím trong môi trường chân không và kỹ thuật cắt rìa, độ phân
giải có thể đạt tới ~ 100 nm.
NATuan-ITIMS-2013
Giới hạn phân giải của OM do hiện tượng nhiễu xạ giữa 2 vật điểm
Giới hạn phân giải bởi hiện tượng nhiễu xạ:
0.61λ d
d= λ
n sin α
n
λ α
d = 0.61
NA NA α : số độ mở của hệ
= µsinβ
NA=n.sin
quang học.
Tiêu chuẩn Rayleigh (Rayleigh’s Criterion) cổ điển:
rmin ?
r
min ~ λ/2
Ví dụ:
- Ánh sáng trắng có λtrung bình ~ 0.55 µm, hay 550 nm → rmin ~ 0.275 µm, hay 275 nm.
→ 2 điểm cách nhau ~ 275 nm chỉ được thấy như 1 điểm đơn.
- Chùm tia điện tử (trong TEM) có λtrung bình ~ 0.004 nm. Tuy nhiên do hiện tượng cầu sai
(spherical aberration) nổi trội trong hiển vi điện tử, nên: , trong đó Cs là
độ cầu sai và cố định đối với một hệ thấu kính, thường ~ 2 cm, → rmin ~ 1 - 3 nm.
NATuan-ITIMS-2013
Tóm lại:
* Quang học "cổ điển" (truyền thống) quan sát các vật thể ở khoảng cách rất xa so với vật kính.
Khoảng cách đó lớn hơn rất nhiều so với bước sóng ánh sáng sử dụng để quan sát
→ thuộc về "trường xa" → Hiển vi quang học trường xa (Far-field Optical Microscope: FOM).
* Những yếu tố chính giới hạn tính trung thực của ảnh quang học và độ phân giải của
quang học "cổ điển" ở chế độ "trường xa" là:
- Chất lượng của gương, thấu kính và điều kiện (môi trường) quan sát.
- Các hiện tượng khúc xạ, phản xạ, quang sai, và nhiễu xạ, đặc biệt là hiện tượng nhiễu xạ.
Việc sử dụng quang học "cổ điển" ở chế độ "trường xa" để nghiên cứu các cấu trúc nano
bị hạn chế, chỉ xuống đến được kích thước vài trăm nanomét.
Sử dụng quang học nano - quang học trường gần (đưa khoảng cách giữa vật quan sát
và vật kính nhỏ tới mức có thể so sánh được với bước sóng ánh sáng sử dụng) → phá
vỡ giới hạn nhiễu xạ → có thể phân giải đến < 50 nm (chỉ bị hạn chế bởi kích thước lỗ
aperture) → Hiển vi quang học trường gần (Near-field Optical Microscope: NOM).
Ghi chú: Mặc dù sử dụng hiển vi điện tử phân giải cao (HRTEM) với điện áp gia tốc đến hàng
triệu vôn, có thể giảm bước sóng xuống đến ~ 0.001 nm (~ 0.01 Å), và phân giải được kích thước
của nguyên tử (vài ängstrom), nhưng các hiển vi này rất đắt tiền, cồng kềnh, đòi hỏi chế tạo mẫu
đặc biệt, vận hành phức tạp, phải hoạt động trong môi trường chân không, nhưng vẫn có những
hiện tượng quang sai như ở hiển vi quang học. Trong khi đó quang học nano nhỏ gọn và có giá
thành thấp hơn hơn rất nhiều, không đòi hỏi chế tạo mẫu đặc biệt, làm việc được cả trong môi
trường không khí,v.v...
NATuan-ITIMS-2013
Quanh học nano:
Một số kích thước tiêu biểu ở các thang mm, µm và nm thường gặp trong tự nhiên
Sợi tóc
Kiến
Hồng cầu
Vi-rut máu
Chuỗi
phân tử
Cấu trúc ADN
màn hiển
thị OLED
Mạng các
nguyên tử
Si
NATuan-ITIMS-2013
Lưu trữ số liệu kiểu quang
Khoa học nano và công nghệ Hiển thị
nano hướng tới những vấn đề
mấu chốt của quang học ở
Thông tin quang
thang nanomet → Quang học Sinh học và khoa học nano
nano và quang học trường gần
(NOM) → Bao trùm cả những
vấn đề của công nghệ và khoa
học cơ bản. Mạch tích hợp quang Chiếu sáng
Công nghệ nano

và chế tạo nano
Hóa học và khoa Điện tử học và
học vật liệu xử lý thông tin
Sinh học
Toán học và
Quang học và tính toán
xử lý ảnh
NATuan-ITIMS-2013
Quang học trường xa (FOM) → Khoảng cách giữa mũi dò & bề mặt mẫu h >> λ
→ Thu nhận thông tin toàn cục, rộng khắp, tổng hợp
Quang học trường gần (NOM) → Khoảng cách giữa mũi dò & bề mặt mẫu h << λ
→ Thu nhận thông tin cục bộ, hạn hẹp, riêng lẻ
Âm thanh thu được là sự hỗn hợp của cả Âm thanh thu được chủ yếu chỉ đặc trưng
ban nhạc khi đặt mic ở xa để thực hiện riêng lẻ cho một cá nhân trong ban nhạc khi
thu âm theo chế độ "trường xa" thực hiện đặt mic ở chế độ "trường gần"
NATuan-ITIMS-2013
Nhận xét về đặc trưng chung giữa các quanh học:
• Quang học trường xa (Far-field optics)

o Quang hình học được dựa trên các phần tử quang truyền thống - Đó là các thấu
kính (lens), gương ➽
o Dẫn đến những sai lệch sẽ gặp phải được thể hiện tương ứng dưới những tình
trạng nào đó. VD: khi những khẩu độ/độ mở nhỏ hơn bước sóng (sub-
wavelength apertures), sử dụng các bức xạ có bước sóng cực ngắn, như DUV
(Deep Ultra-Violet), hay các xung cực ngắn.
o Đo sự lan truyền của sóng ánh sáng ở khoảng cách xa ➽ hàm chứa ít thông tin.
• Quang học trường gần (Near-field optics)

o Thực hiện giam hãm/nén ánh sáng trong không gian theo cả 3 chiều x, y và z.
o Dẫn đến hình thành quang học phi thấu kính (lens-less optics) có độ phân giải
nhỏ hơn bước sóng sử dụng (sub-wavelength resolution).
o Không phụ thuộc vào bước sóng ánh sáng sử dụng, mà chỉ bị hạn chế bởi kích
thước lỗ tạo độ mở (aperture).
o Đo sự lan truyền của sóng ánh sáng ở khoảng cách rất gần ➽ chứa đựng nhiều
thông tin.
NATuan-ITIMS-2013
Phạm vi thao tác ở chế độ trường xa và trường gần - Thông tin về tương
tác trong các hệ vật chất
Với khoảng cách >> λ, sự rung động của (A)

bởi sóng điện từ chiếu tới bị tán xạ, không Xa / Tách
(hoặc rất yếu) tác động/cảm nhận lên (B) → rời nhau
Không/ít hàm chứa thông tin về tương tác/liên
kết giữa (A) và (B).
Với khoảng cách ~ 0, tương tác/liên kết giữa (A)

và (B) tạo thành một thể thống nhất. Sự rung động Dính liền
của (A) bởi sóng điện từ chiếu tới cũng đồng thời với nhau
tác động lên (B) → Không có thông tin, không
“thấy”, không phân biệt được giữa (A) và (B) .
Với khoảng cách < λ, sự tương tác/liên kết giữa

Gần/
(A) và (B) được ghi nhận/phát hiện qua sự rung Bên
động của (A) lan truyền tới (B) khi được kích thích cạnh
bởi sóng điện từ chiếu tới → Hàm chứa thông tin nhau
của các đối tượng lân cận, thông tin về tương
tác/liên kết giữa (A) và (B).
NATuan-ITIMS-2013
2) Hiển vi quang học (quét) trường gần (Near-Field Optical Microscopy) - SNOM
(Scanning Near-Field Optical Microscopy);
hay tên khác: NSOM (Near-Field Scanning Optical Microscopy)
a. Sơ lược lịc sử ra đời và phát triển của SNOM/NSOM
- 1870s, Ernst Abbe đưa ra công thức giới hạn đối với độ phân giải của hiển vi
quang học: d > λ/(2sinθ), trong đó d là khoảng cách giữa hai vật, λ là bước sóng
của ánh sáng tới, 2θ là góc tạo bởi ánh sáng tới và ánh sáng được ghi nhận.
- 1928/1932: E.H. Synge đề xuất ý tưởng sử dụng lỗ
Tấm kim loại với lỗ nhỏ

nhỏ để thu ảnh quang học ở bề mặt với độ phân giải
hơn bước sóng

nhỏ hơn bước sóng (sub-wavelength): xuống đến vùng
siêu vi mô (ultramicroscopic). Lỗ nhỏ có thể được tạo
ra từ lỗ kim châm trên một tấm kim loại, hoặc từ một Trường gần
mũi nhọn bằng thuỷ tinh thạch anh (quartz cone) được
Trường xa
mạ kim loại chỉ để hở đầu tip nhọn [Phil. Mag. 6, 356
(1928); Phil. Mag., 13, 297 (1932)].
NATuan-ITIMS-2013
a. Sơ lược lịc sử ra đời và phát triển của SNOM/NSOM
- 1956: J.A. O'Keefe (một nhà toán học), đưa ra khái niệm của "Near-Field
Microscopy" trong khi không biết về các công bố trước đây của Synge. O'Keefe đã
nhận thấy khó khăn của NFM ở chỗ rất khó thực hiện sự dịch chuyển giữa pinhole
và vật để đưa bề mặt vật cần quan sát đến sát với pinhole." [J.A. O'Keefe, J. of the
Opt. Soc. of America, 46, 359 (1956)].
- Cùng năm 1956, Baez đã thực hiện bằng thực nghiệm với phương cách hoàn toàn
bằng âm thanh nguyên lý tạo ảnh trường gần: Ở tần số 2.4 kHz (λ0 = 14 cm) một vật
có kích thước nhỏ hơn bước sóng của âm thanh có thể được phân giải.
- 1972: E.A. Ash và G. Nichols đã thực hiện được độ phân giải λ0/60 trong một hiển
vi quét trường gần bằng vi sóng (microwave), sử dụng bức xạ 3 cm [E.A. Ash and G.
Nichols, Nature 237, 510 (1972)].
- 1984: Xuất hiện những bài báo công bố đầu tiên về NSOM/SNOM [A. Lewis, M.
Isaacson, A. Harootunian and A. Murray, Ultramicroscopy 13, 227 (1984); D.W. Pohl,
W. Denk and M. Lanz, APL 44, 651 (1984)].
- 1992: SNOM đượck kể đến như những thiết bị đắc dụng cho khoa học sau khi sử
dụng sợi quang mode đơn và hệ hồi tiếp lực trượt (shear-force feedback system).
NATuan-ITIMS-2013
Ngày nay, với công nghệ nano, người ta dễ dàng tạo ra được
những cấu trúc thích hợp cho kỹ thuật trường gần.
Ví dụ:
- Tạo ra được lỗ aperture
với kích thước << bước sóng a = 50 nm ; λ = 500 nm
được sử dụng.
- Tạo ra được các mũi

dò có lỗ chỉ vài chục nanomét
Near-field probe (a = 50 nm)

Tseng, Optics & Laser Technology, 39, 514-526 (2007).
NATuan-ITIMS-2013
b. Nguyên lý cấu tạo của SNOM
CCD
NATuan-ITIMS-2013
b. Nguyên lý cấu tạo của SNOM
Bố trí thực nghiệm của hệ NSOM
Khống chế khoảng cách tip:
Làm thế nào để đo/phát hiện và • Cách thức làm lệch chùm tia (như trong AFM).
khống chế khoảng cách trường • Phép do lực cắt (như trong ShFM).
• Lực tác động lên cần lò xo lá (như trong EFM).
gần trong các hệ NSOM ? • Âm thoa áp điện (Piezo-electric tuning fork)
được lựa chọn cho SNOM.
Hệ quang học
phản xạ
Tín hiệu trường gần
Âm thoa gắn trên phân rã theo hàm exp
đầu tip (sợi quang) trong phạm vi ½ λ.
trong SNOM
Hệ máy tính điều khiển,

lưu trữ, hiển thị và phần
Bộ quét mẫu x,y,z mềm tương thích
Hệ quang học Ống nhân

truyền qua quang
NATuan-ITIMS-2013
Bố trí thực nghiệm của hệ NSOM Âm thao được sử dụng để phát
hiện/khống chế khoảng trường gần
Đường cong tiếp cận bề mặt mẫu của tip
Biên độ dao động

của sợi quang
Khoảng cách giữa mẫu và (tip)
Sau khi tiến vào vùng < ~ ½ λ, hệ điều

khiển giữ sao cho đầu dò quang học được
duy trì ở chế độ chiều cao không đổi.
NATuan-ITIMS-2013
Bố trí thực nghiệm của hệ NSOM
NATuan-ITIMS-2013
c. Sơ đồ cấu tạo của một
hệ SNOM
• Máy tính điều khiển, xử lý và Các thiết bị phân

tích quang hoặc
hiển thị quan sát bằng mắt
• Bộ điều khiển quét áp điện

PZT và mạch hồi tiếp
• Nguồn sáng laze

Bộ phân cực
• và các bộ lọc sắc
Bộ lọc
Thấu kính cho

• Bộ tạo và phân tích dao động mode phản xạ
âm cảm ứng (âm thoa) và lực
Sợi quang
biến dạng của sơi quang Tạo âm thoa
bằng áp điện
• Mạch điện áp quét cho khối Mẫu
PZT Bộ quét PZT

Thấu kính cho mode
Tới màn CCD truyền qua
NATuan-ITIMS-2013
• Một số hệ NSOM
Hệ MultiView 1000™ được lắp đặt giữa các vật Sơ đồ cấu tạo của hệ Nanonics NSOM system.
kính của hiển vi Nanonics Dual Microscope.
NATuan-ITIMS-2013
• Một số hệ NSOM
NATuan-ITIMS-2013
• Hiển vi SNOM để tạo ảnh theo mode

truyền qua
DNA
Gương
bán mờ
Ống nhân
quang
(Photomultiplier)
NATuan-ITIMS-2013
• Một số vấn đề đặc trưng cho hiển vi quang học quét trường gần:
- Khi khoảng cách giữa bề mặt mẫu và lỗ nhỏ nằm ở trong vùng nhỏ hơn nửa đường
kính của lỗ, thì nguồn sáng sẽ không thể tạo ra sự nhiễu xạ trước khi tương tác với
mẫu, và độ phân giải của hệ hiển vi NSOM sẽ được xác định bởi đường kính lỗ, chứ
không phải là bước sóng của ánh sáng được sử dụng.
- Trường gần mang thông tin về không gian tần số cao của bề mặt mẫu (ở trong vùng
trường xa, thông tin không gian tần số cao bị lọc mất đi và bị giới hạn do hiện tượng
nhiễu xạ).
- Cường độ ánh sáng sẽ giảm sụt nhanh theo hàm mũ khi tăng khoảng cách giữa bề
mặt mẫu và lỗ nhỏ. Ở trong vùng trường gần, sự tương phản được tăng cường với độ
phân giải cao và hầu như chỉ phụ thuộc vào kích thước lỗ của đầu tip với một bước
sóng xác định.
- Trong các hệ NSOM tiêu biểu, phương thức chủ yếu được sử dụng là đầu dò có lỗ
nhỏ được đặt cố định, còn mẫu được quét. Detector phải được đặt ở khoảng vài nm ở
phía sau mẫu, và gắn chặt với chuyển động của mẫu (nghĩa là phải cùng được quét
với mẫu bằng cơ cấu áp điện).
- Thao tác quét có thể được thực hiện với mode chiều cao không đổi, hoặc mode chiều
cao biến đổi bằng cơ chế phản hồi (feedback).
- NSOM cho phép làm việc với các dụng cụ quang học chuẩn nhưng vượt ra ngoài giới
hạn nhiễu xạ mà thường hạn chế độ phân giải.
NATuan-ITIMS-2013
d. Nguyên lý làm việc của SNOM/NSOM
• Ánh sáng phát ra từ nguồn đi qua một lỗ nhỏ (aperture) hình thành ở phía đầu mút
của một sợi quang đơn mode (single-mode drawn optical fiber) có đường kính
khoảng vài chục nanomét (nhỏ hơn nhiều so với bước sóng được sử dụng), và
chiếu lên bề mặt mẫu.
• Mẫu được đưa sát vào vùng trường gần (near-field) sao cho bề mặt không được
tiếp xúc với lỗ, nằm trong khoảng một bước sóng của ánh sáng được sử dụng (~
200 nm).
• Bề mặt mẫu được kích thích bằng ánh sáng

trong vùng trường gần.
• Ảnh NSOM được tạo ra từ vùng được quét

của đầu tip qua bề mặt mẫu sẽ được ghi
nhận qua những đáp ứng quang ở trên bề
mặt mẫu thông qua một vật kính (của loại
hiển vi trường xa thông thường). Sau đó
được thu thập (hội tụ) và ghi lại bằng màn
hình CCD.
NATuan-ITIMS-2013
e. Cơ chế tương phản ở trong NSOM/SNOM
- Một số tính chất của mẫu có thể cho sự tương phản ở trong ảnh NSOM/SNOM:
• Sự thay đổi về chỉ số khúc xạ.
• Sự thay đổi về tính phản xạ.
• Sự thay đổi về tính truyền qua.
• Sự thay đổi về tính phân cực.
• Ứng suất tại những điểm nào đó của mẫu mà làm thay đổi các tính chất quang.
• Các tính chất từ mà có thể làm thay đổi các tính chất quang.
• Các phân tử huỳnh quang.
• Các phân tử kích thích gây ra sự dịch chuyển Raman, phát dao động hài thứ
cấp (Second harmonic generation, SHG), hoặc các hiệu ứng khác.
• Những thay đổi ở trong vật liệu.
(Mặc dù trong NSOM/SNOM những thay đổi của cường độ ánh sáng thường được
sử dụng để tạo ra ảnh, nhưng sự thay đổi của tính phân cực ánh sáng cũng được
dùng cho cơ chế tương phản, hoặc thậm chí sự phụ thuộc của cường độ sáng vào
bước sóng được dùng để chiếu sáng).
NATuan-ITIMS-2013
f. Cách tạo nguồn sáng điểm: chế tạo đầu tip
+ Cấu tạo của đầu tip
Đầu thon sơ cấp Đầu thon

thứ cấp
Đầu tip bằng sợi quang

+ Sử dụng sợi quang (optical fiber) (đây là cách phổ biến nhất) được kéo thẳng có trợ
- Kéo sợi quang bằng sức căng hoặc có trợ giúp nóng chảy giúp nóng chảy (Melt-
(cũng có thể ăn mòn hóa học). drawn straight tip)
- Phủ lớp kim loại (nhôm) bên ngoài, trừ phần lỗ nhỏ ở mũi nhọn.
Sợi quang
Lớp Al mạ bên ngoài
NATuan-ITIMS-2013
+ Kéo sợi quang bằng sức căng với sự trợ giúp nóng chảy hoặc không
NATuan-ITIMS-2013
+ Có thể sử dụng các vật liệu khác, và đầu tip có thể không thẳng
Một số đầu tip SNOM không làm bằng sợi quang và không thẳng:
Hình ảnh của một loại tip NSOM bằng ống kim loại hình côn, và loại có đầu không thẳng.
+ Về nguyên tắc các đầu típ có thể là bất cứ vật liệu nào, và có hình dạng ra sao
nhưng phải đảm bảo được các đặc trưng sau:
- Tạo ra tính đơn mốt
- Có lỗ nhỏ với đường kính bé hơn bước sóng được sử dụng, vì thế không nhất
thiết phải là hình côn nhọn, có thể là tấm phẳng (nhưng cũng phải đủ nhỏ) có lỗ nhỏ
với kích thước tuân theo yêu cầu nhỏ hơn bước sóng.
NATuan-ITIMS-2013
Ví dụ: Sử dụng cantilever của AFM tiêu chuẩn với đầu tip dạng tháp có lỗ ở giữa.
Lỗ nhỏ ở đỉnh của đầu tip có kích thước 100 nm.

Ảnh iển vi điện tử của một đầu tip dạng
tháp của một NSOM
NATuan-ITIMS-2013
Lưu ý: Ánh sáng bị ép qua khe hẹp hình côn ở đầu tip (aperture)
- Dẫn ánh sáng một cách hiệu quả bằng phân bố mode lan truyền trong đầu dò.
- Sự phân tán của mode dẫn.
- Sự phản xạ trở lại rất mạnh, do đó làm suy yếu đầu ra.
- Khi đường kính lỗ
lớp nhôm (dày ~ 100 nm)
giảm dần, lần lượt kim
loại hết mode này đến d = 250 nm d = 160 nm
mode khác bị chặn Sóng bị
Thuỷ tinh suy giảm
cho đến khi chỉ có
mode HE11 cuối cùng
a = 50 nm
vẫn lan truyền qua được. (từ 25 đến
- Một ống dẫn sóng phủ 100 nm)
lớp nhôm cung cấp Suy giảm
mode HE11 ở bước HE11 dần
sóng 488 nm khi đường
kính trong nằm giữa
250 và 160 nm.
- Dưới 160 nm đường kính, mode HE11 cũng bị chặn.
NATuan-ITIMS-2013
Hiệu suất truyền qua của đầu tip của sợi quang NSOM
• Vật liệu sợi – bằng thủy tinh, cường độ phụ thuộc mạnh vào các tính chất điện
mô của tip.
• Khi φ << λ/2, mode quang học không thể lan truyền (chế độ cut-off), cường độ
ánh sáng giảm theo hàm exp – độ truyền qua chỉ từ ∼ 10-4 tới 10-6.
• Năng suất phân giải khả dĩ để ngăn cản sự tổn hao lan truyền:
o Đầu sợi quang được tạo với nhiều góc tóp nhỏ khác nhau.
o Mạ phủ kim loại
- Bên phía ngoài của đầu dò được phủ bằng Al.

- Màng kim loại (dày ∼ 100 nm) làm tăng ánh
sáng liên kết ở bên trong lỗ thoát của đầu tip sợi
quang, và xác định tốt hơn hình dang của nó.
NATuan-ITIMS-2013
Những mode thao tác có thể đối với SNOM sử dụng đầu dò có lỗ
(a) (b) (c) (d) (e)
(a) Mode ảnh truyền qua: mẫu được chiếu sáng qua đầu dò và xuyên qua mẫu,
được tụ lại và ghi.
(b) Mode ảnh phản xạ: mẫu được chiếu sáng qua đầu dò, các tia phản xạ trên bề mặt mẫu
được tụ lại và ghi.
(c) Mode ảnh tụ (collection): mẫu được rọi sáng với nguồn sáng vĩ mô chiếu từ trên đỉnh,
hoặc đáy (e) và đầu dò được dùng để thu thập ánh sáng và ghi lại.
(d) Mode ảnh rọi sáng-tụ: đầu dò được dùng cả rọi sáng bề mặt mẫu và thu thập ánh sáng
phản xạ từ mẫu.
(e) Mode ảnh truyền qua-tụ: như trường hợp (c) với nguồn sáng chiếu qua mẫu từ dưới lên.
NATuan-ITIMS-2013
Với mũi
nhọn TIP
không
có lỗ ?
Kỹ thuật
ASNOM
Hiển vi quét trường gần sử dụng một khe hẹp và cho quét
Hiện tượng nhiễu xạ gây ra giới hạn về độ phân giải ngang
ngang qua vật quan sát. Ánh sáng chỉ có thể đi qua khe
giữa 2 điểm rất gần nhau, và khoảng cách nhỏ nhất giữa
hẹp này, do đó kích thước của khe hẹp mới là giới hạn của
hai điểm (theo phương ngang) mà hiển vi quang học "nhìn
độ phân giải của hệ quang học: khe càng hẹp độ phân giải
thấy", được xác định bằng Tiêu chuẩn Rayleigh.
càng cao, và quan sát được vật có kích thước càng nhỏ.
Cho đầu tip quét qua

bề mặt mẫu quan sát,
hình ảnh thu được có
độ phân giải được
xác định bằng kích
thước của đầu tip,
nghĩa là từ vài đến
vài chục nano mét.
Khi khe hẹp có kích thước ~ 100 nm, ngưỡng của cường độ
sáng bị giảm xuống đến 3-4 bậc độ lớn, và khi khe hẹp rộng cỡ
~ 50 nm, chỉ 1/108 cường độ sáng xuyên qua được. Trong khi Thay cho khe hẹp rất nhỏ, dùng một mũi nhọn (tip) kim loại để tạo ra sự kích thích
đó công suất sáng đầu vào không thể tăng tùy ý, vì 1/3 công cục bộ. Khi mũi nhọn KL, kích thước ~ 10 nm, được đặt tại tiêu điểm của chùm tia
suất này sẽ bị lớp phủ hấp thụ, và nếu > 10 mW sẽ phá hủy lớp laze → xuất hiện hiệu ứng được gọi là sự tăng cường trường cục bộ (local field
phủ đó, làm giảm tỷ số tín hiệu trên tiếng ồn (S/N) - nhiễu rất
enhancement), gây ra một điện trường mạnh tại đỉnh mũi nhọn, làm tăng cường tới
mạnh. Đó là hạn chế khi sử dụng khe hẹp.
1000 lần công suất độ sáng ở đầu tip.
NATuan-ITIMS-2013
Kỹ thuật đầu dò không có lỗ (Apertureless probe - ASNOM)
Trường tới
Trường truyền qua
(tín hiệu mẫu)
Trường nền (phản xạ bề mặt)
(opaque)
Ưu điểm:
• Độ rọi (độ chiếu sáng) và độ phân tách trường
xa cho phép sử dụng hệ quang thông thường.
• Cường độ sáng ở đầu tip trong ASNOM được
tăng cường mạnh hơn so với SNOM do hiệu
ứng tăng cường trường cục bộ.
Nhược điểm:
• Độ phản xạ mạnh từ bề mặt tạo ra nền đậm
cho ảnh.
Mũi nhọn tán xạ cả trường gần được chiếu từ • Trường nền gây ra hiệu ứng giao thoa rất khó
mẫu (a) và cả trường xa tới (không mong
muốn) từ nguồn (b). loại bỏ.
NATuan-ITIMS-2013
So sánh giữa SNOM sử dụng kỹ thuật đầu típ có lỗ (apertured)
với đầu tip không lỗ (apertureless)
Loại có lỗ: - Cường độ sáng thấp, “viết” (dò/quét) chậm, đầu tip rất khó làm nhỏ và nhẵn phẳng ở
đầu cùng. - Đối với những bước sóng tiêu biểu, nếu lỗ rộng 100 nm, lượng ánh sáng có thể
truyền qua giảm đi 3 bậc, trong khi đó nếu lỗ rộng 50 nm, chỉ khỏang 1/107 lượng ánh sáng đi
qua được.
Loại không có lỗ: - Tip kim loại dễ dàng làm cho nhỏ, nhọn, do đó thực hiện được phân giải cao
hơn (40 nm). - Ánh sáng được tăng cường cực mạnh ở đầu mũi nhọn kim loại do hiệu ứng
“ngọn tầm sét” (“lightning rod”) (hiện tượng cộng hưởng plasmon bề mặt). - Tuy nhiên, trong
trường hợp sử dụng để làm quang khắc, ánh sáng tản mạn khắp nơi có thể làm lộ sáng lớp
phủ cảm quang (resist) ở gần.
Cả hai loại: Chỉ tốt đối với lớp cảm quang mỏng (dưới-50nm) vì đó là trường gần (độ sáng mờ
dần).
SNOM với tip có lỗ SNOM với tip

(Apertured) không có lỗ
(Apertureless)
NATuan-ITIMS-2013
So sánh về kỹ thuật quang học trường gần
Ph
ản
xạ
cấm
Bị
Được phép
(cho đế truyền qua được)
a) Với kỹ thuật đầu dò có lỗ (SNOM) – ánh sáng mờ dần từ đầu dò bằng sợi
quang được sử dụng hoặc để rọi lên mẫu, hoặc là kết hợp với ánh sáng trường
gần từ mẫu ở bên trong sợi quang.
b) Với kỹ thuật đầu dò không có lỗ (ASNOM) – mũi nhọn của đầu tip nhỏ (sub-
wavelength) tán xạ các dao động ở bên trong vùng trường gần.
NATuan-ITIMS-2013
Sự phụ thuộc của khoảng cách mẫu-tip
A: Gần như tiếp xúc
B: 5 nm
C: 10 nm
D: 25 nm
E: 100 nm
F: 400 nm
Chữ “AT&T” và “SNOM”
NATuan-ITIMS-2013
So sánh sự phân giải
A: Ảnh SEM
B: Ảnh OM (x 100, 0.9)
C: Ảnh SNOM gốc
D: Ảnh SNOM sau khi đã
xử lý Fourier
NATuan-ITIMS-2013
VÍ DỤ VỀ ẢNH SNOM
Ảnh topography Ảnh NSOM
NATuan-ITIMS-2013
Quan sát sự hình thành vi tinh thể polymer ở trong màng mỏng polystyrene
(a) Ảnh topography (Shear force), (b) ảnh NSOM truyền qua, và ảnh NSOM huỳnh
quang của một mẫu polymer blend.
NATuan-ITIMS-2013
Các phép đo đồng thời trên SNOM

Ảnh topo Ảnh truyền qua Ảnh huỳnh quang
(Lực trượt) (λ = 488 nm) (λ = 515 nm)
Mẫu polymer blend

NATuan-ITIMS-2013
Tóm lại, một số đặc điểm chính của SNOM/NSOM
• Hạn chế về độ phân giải do hiện tượng nhiễu xạ không còn là giới hạn cơ bản nữa.
• Độ phân giải phụ thuộc vào kích thước lỗ của đầu dò (tip/aperture) và khoảng cách
đầu típ với bề mặt mẫu khi sử dụng ánh sáng có bước sóng xác định.
• Độ phân giải cũng phụ thuộc mạnh vào bước sóng, độ phân cực và hướng lan
truyền của ánh sáng tới (xem công thưc Tiêu chuẩn Rayleigh).
• Độ phân giải không gian được cải thiện rất nhiều, ghi được đồng thời cả ảnh địa
hình, tăng cường độ sáng bề mặt.
• Có cùng cơ chế tương phản với hiển vi quang học, nhưng với độ phân giải đã
vượt qua giới hạn nhiễu xạ.
NATuan-ITIMS-2013
Các ứng dụng chính
• Quang khắc với độ phân giải cực cao (nhưng tốc độ chậm)
• So mask và sửa chữa mask
• Tạo ảnh khúc xạ của các đặc điểm tiền ẩn trên photoresist
• Phân bố tạp chất và kiểm tra sự khuếch tán
• Tạo ra các domain quang-từ cực nhỏ dùng để lưu trữ thông tin mật độ cao
• Tạo ảnh huỳnh quang của các tế bào sống.
NATuan-ITIMS-2013
Chế tạo nano (Nanofabrication) sử dụng SNOM.
Viết/phơi sáng dãy chữ cái trên

bề mặt lớp cảm quang sử dụng
đầu tip của sợi quang (fiber tip),
tương tự như quang khắc (photo-
lithography), nhưng với độ phân
giải cao và tốc độ viết rất chậm.
Ảnh mode “gõ” (Tapping Mode) của khuôn

mẫu kiểm tra quang khắc. Hãng Rạng đông
3 (Aurora-3) đã sử dụng phần mềm khắc
nano để viết lên lớp cảm quang
(photoresist) S1805. Khoảng quét là 25 µm.
NATuan-ITIMS-2013
Kỹ thuật quang khắc trường gần hai photon
Công suất đỉnh xung: 0.45×1012W/cm2 Độ rộng của đường được đo bằng AFM
• Tạo ra độ phân giải ∼ λ/10 bằng cách hội tụ chùm tia laser femto giây lên trên đầu
tip AFM được phủ Au đặt rất gần với bề mặt polymer SU-8.
• Quá trình polymer hóa hai photon xuất hiện trong SU-8 thoát ra ngoài vùng bị giam
hãm do sự tăng cường của trường điện từ cục bộ bởi plasmon bề mặt ở trên tip
Yin et. al., Appl. Phys. Lett. 81 3663 (2002) 4
AFM kim loại.
NATuan-ITIMS-2013
Quang “khắc” (photo-patterning) bằng SNOM trên một lớp phân tử đơn tự
sắp xếp (SAM: self assembled monolayer)
(a) Một cách tạo các chi tiết “khắc” thông qua sự phơi sáng bằng tử ngoại (UV) với sự có mặt của quá trình
ôxy hóa của oxy trong SAM, làm suy yếu liên kết của nó với Au.
Ôxy hóa Thay thế
(b) Ảnh FFM của một vệt dài có chiều rộng 39 nm của phân tử dodecanethiol (HS[CH2]11CH3) được viết vào
một đơn lớp tự sắp xếp (SAM) của phân tử mercaptoundecanoic acid (HS[CH2]10COOH) .
(c) Các vệt dài có chiều rộng 40 nm của phân tử mercaptoundecanoic acid được viết trên phân tử
dodecanethiol bằng thủ tục ngược với quá trình ở (b).
NATuan-ITIMS-2013
Dùng SNOM tẩy bỏ vật liệu bằng đốt cháy laze
(laser ablation)
Công suất đỉnh (peak power) của xung laser: 12 mJ/83 fs = 0.14×1012 W/cm2. Công suất
này là đủ cao để làm nóng chảy và bay hơi Au, có thể đồng thời hình thành plasma.
Các đường nano được tạo nên do sự sói mòn bề mặt đế Au bằng một hiển vi SNOM
sử dụng mũi nhọn không có lỗ (apertureless) được liên kết với một nguồn laser siêu
nhanh có độ rộng xung ở nửa cực đại (FWHM) là 83fs (femto giây, 10-15 s): (a) ảnh
AFM, (b) Quan hệ giữa đặc điểm về kích thước và mật độ công suất laser.
NATuan-ITIMS-2013
Những hạn chế của SNOM
• Khoảng cách làm việc rất thấp và có độ sâu trường ảnh cực kỳ nông.
• Hạn chế để nghiên cứu các bề mặt.
• Có độ truyền qua thấp đối với các lỗ có kích thước dưới bước sóng (sub-
wavelength)
• Không hữu dụng đối với các vật liệu làm việc ở mode làm việc kiểu lực cắt
(shear force).
• Thời gian quét lâu.
• Phần lớn ánh sáng bị phản xạ trở lại.
• Năng lượng bị ngưng tụ lại trong đầu tip phát sinh nhiệt.
• Càng gần bề mặt mẫu càng truyền nhiệt
Một số hướng cải thiện của SNOM trong tương lai
• Thiết kế đầu dò (probe) tối ưu. Hạn chế độ mờ đục của lớp phủ Al làm hạn
chế độ phân giải.
• Độ phân giả đạt được ~ 12 nm sử dụng đầu dò hình nón, và thậm chí cao hơn
• Có độ nhạy cực cao với nhiều tham số, ví dụ như tip và các vật liệu mẫu, hình
học của hệ.
• SNOM phân giải theo thời gian với thang phân giải thời gian là femto giây.
NATuan-ITIMS-2013

5.4.1. Hiển vi từ lực (Magnetic Force Microscope, MFM)
5.4.2. Hiển vi lực tĩnh điện (Electrostatic force microscopy, EFM)
5.4.3. Hiển vi nhiệt quét (Scanning thermal microscopy, SThM)
5.4.4. Hiển vi AFM dẫn điện (Conductive AFM)
5.4.5. Hiển vi lực ma sát ngang (Lateral (friction) force microscopy, LFM)
5.4.6. Hiển vi điều biến lực (Force modulation microscopy - FMM)
5.4.7. Hiển vi lực hoá học (Chemical force microscopy - CFM)
5.4.8. Hiển vi điện dung quét (Scanning capacitance microscopy - SCM)
5.4.9. Hiển vi lực cắt trượt (Shear-Force Microscopy, ShFM)
5.4.10. Hiển vi thế điện hoá (Electro-Chemical Potencial Microscope)
5.4.11. Phụ lục: Một số loại hiển vi không quét hiện đại:
- Hiển vi laze đồng tiêu (Confocal Laser Microscopy)
- Hiển vi huỳnh quang (Fluorescent Microscope)
- Hiển vi tia X (X-ray Microscope)
NATuan-ITIMS-2013
5.4.1. Hiển vi lực từ (Magnetic force microscopy - MFM)
• Bột sắt từ mịn phân bố
theo từ trường phát tán ở
trên bề mặt (F. Bitter, 1931)
• Hình ảnh sơ đồ xuất hiện
theo một cấu hình nào đó
cho thấy ranh giới của các
miền từ (domain) ở trong
vật liệu.
Làm thế nào để thấy
được cấu trúc từ của
vật liệu ?
MFM:
• Một đặc biệt của AFM với
đầu mũi nhọn được phủ vật
liệu từ.
• Nhạy với sự biến đổi của lực
từ.
• Phân giải tốt hơn so với kỹ
thuật giản đồ Bitter.
• Không làm nhiễm bẩn mẫu.
NATuan-ITIMS-2013
Giá đỡ hệ thống
Bộ phận phát
hiện độ lệch
của cantilever
Cantilever
Tip từ tính Đường sức từ
Bit từ
Tip: Mũi dò bằng silicon được phủ màng mỏng từ (bằng phún xạ catốt) có thể
nhạy với từ trường yếu.
Độ phân giải: ~ 10 - 25 nm.
Các ứng dụng chính: quan sát các bit từ trên ổ đĩa cứng, domain từ trên bề
mặt các vật liệu từ, vi từ (micromagnetism).
NATuan-ITIMS-2013
Các bit từ (50 nm) trên đĩa quang từ

(magneto-optical disk).
Vùng được quét (5μm× 5μm)
(bên trái) Ảnh AFM của đĩa cứng

(bên phải ) Ảnh MFM của cùng
diện tích mẫu ở ảnh AFM.
NATuan-ITIMS-2013
Chế độ nâng (Lift mode)
Đối với các hiển vi MFM/EFM, đầu tip
thường được nâng lên khỏi bề mặt mẫu
khoảng 30-100 nm. Nếu ở khoảng cách
quá xa sẽ làm giảm độ phân giải; nhưng
quá gần sẽ bị ảnh hưởng bởi lực van Quét lần thứ nhất
Quét lần thứ hai
der Waals.
Khoảng chiều cao
được nâng lên
Ảnh hình thái bề mặt
Ảnh lực
không
tiếp xúc
Chế độ nâng (LiftMode) là một kỹ thuật quét 2 lần (two-pass) để đo các lực từ và điện
trên bề mặt mẫu.
- Ở lần quét 1: ảnh hình thái bề mặt (topo) được đo và ghi.
- Ở lần quét 2: đầu tip được nâng lên một khoảng (do người sử dụng quyết định) ở
trên cùng vùng bề mặt mẫu đã được ghi nhận ảnh topo trước đó, và thực hiện đo lực.
NATuan-ITIMS-2013
TÓM LẠI:
Những đặc điểm chính về MFM:
• Tip có tính chất sắt từ: Co, Ni…
• Lực van de Waals là lực tầm ngắn → chỉ có tác dụng/ý nghĩa trong những
khoảng cách rất nhỏ, vài nanomét.
• Lực từ: là lực tầm xa, sự biến thiên của lực là rất nhỏ
• Ảnh ở chế độ tiếp xúc (mode gõ - tapping mode): là ảnh cảnh quan bề mặt
(topography)
• Ảnh ở chế độ khoảng cách (mode nâng - lift mode): là ảnh phản ánh tính chất
từ bề mặt.
Những đặc điểm trong nguyên lý hoạt động của MFM:
• MFM ghi nhận/phát hiện sự thay đổi tần số cộng hưởng của thanh rung
(cantilever) gây ra bởi sự phụ thuộc của từ trường vào khoảng cách mẫu-tip.
• Ghi nhận sự thay đổi (gradient) của từ trường (dB/dz, không phải của tần số,
đối với từ trường một chiều (không đổi) không có gradient).
• Bên cạnh sự thay đổi về tần số, sự thay đổi về pha (liên quan tới thay đổi tần
số) cũng thường được ghi nhận/phát hiện để tạo ra ảnh MFM.
NATuan-ITIMS-2013
• Mẫu: Bề mặt mẫu có mật độ điện tích phân bố khác nhau trong các vùng khác nhau - các
miền tĩnh điện.
• Mũi dò: bằng kim loại
• Mode làm việc: động lực (dynamic) & không tiếp xúc (non-contact), nghĩa là mũi dò được gắn
trên một thanh rung dao động với tần số xác định, và không cho tiếp xúc với bề mặt mẫu.
• Đặc điểm: Ngược với MFM, EFM không sử dụng vật liệu áp điện (như PZT) để phát hiện sự
thay đổi, mà sự thay đổi được tạo ra bằng cách tác dụng thiên áp lên mũi dò bằng kim loại →
Ghi nhận bằng, hoặc:
+ sự điều biến lực (∆F, ∆C, ∆V): C là điện tích, VEFM là thế của tip, VS là thế của mẫu
k là hệ số đàn hồi và m là khối lượng hiệu dụng

+ điều biến tần số (∆f): của thanh rung → f0 là tần số dao động riêng
của thanh rung.
• Hạn chế: Khó lấy được thông tin hữu ích hoàn hảo do hiệu ứng điện tích gương,...
V
± F → ∆E → ∆V → ∆f
NATuan-ITIMS-2013
Sử dụng EFM để khám phá các cấu trúc kênh (rãnh) tiếp xúc
điện (trái) và pha tạp (phải) ở bên dưới bề mặt mẫu SRAM
Thông tin nhận được từ ảnh EFM:
Những dạng hiển vi biến thể khác từ
• EFM đồ (phác họa) lại sự phân bố điện tích bề
EFM:
mặt định xứ ở trên bề mặt mẫu, tương tự như
MFM "vẽ" lại các đômen từ ở bề mặt mẫu. • Hiển vi đầu dò quét Kelvin (Scanning
Kelvin Probe Microscopy - SKPM)
• EFM cũng có thể họa lại trường tĩnh điện của một
mạch điện tử khi các linh kiện điện tử bật lên • Hiển vi điện thế xuyên ngầm quét
(hoạt động) và tắt đi. (Scanning Tunneling Potentiometry - STP)
• Đây là một kỹ thuật "dò điện áp" ("voltage • Hiển vi Maxwell quét (Scanning Maxwell
probing") và là công cụ tốt để kiểm tra các IC/vi Microscopy - SMM)
xử lý (ở cấp độ dưới micron) đang hoạt động.
NATuan-ITIMS-2013
• Lưu ý tên gọi khác: Hiển vi nhiệt quét trường gần (Scanning Near-Field
Thermal Microscopy)
Cấu tạo (phần chính) và nguyên lý

làm việc của SThM.
Sử dụng tiếp xúc "kiểu

cặp nhiệt điện" để đo sự
phân bố nhiệt độ/độ dẫn
nhiệt ở bề mặt mẫu.
NATuan-ITIMS-2013
Những nét đặc chưng chủ yếu:
• SThM có thể sử dụng trong hai mode thao tác khác nhau, cho phép tạo ảnh
nhiệt của nhiệt độ và độ dẫn nhiệt của mẫu.
• Có thể có hai kiểu thanh rung (cantilever) khác nhau: kiểu tổ hợp hai kim loại
khác nhau → Mỗi kim loại đáp ứng sự thay đổi độ dẫn nhiệt khác nhau →
gây ra sự lệch hay biến dạng (thường là vặn) của thanh rung. → Sử dụng tín
hiệu lệch (điện) để tái tạo lại sự thay đổi về nhiệt độ hay độ dẫn ở mẫu.
• Hiển vi SThM chủ yếu tạo ra ảnh nhiệt, là bản đồ nhiệt độ hay độ dẫn nhiệt
ở các vùng khác nhau trong mẫu.
• Tuy nhiên hệ hiển vi này cũng có thể tạo ra được ảnh cảnh quan bề mặt
không tiếp xúc (topographic) thông qua sự thay đổi biên độ dao động của
thanh rung, tương tự như hiển vi AFM làm việc theo mode gõ (tapping
mode). Vì vậy thông tin về cảnh quan bề mặt có thể được tách ra khỏi
những thay đổi địa phương (cục bộ) ở trong tính chất nhiệt của mẫu, và hia
kiểu ảnh này có thể được thu nhận đồng thời.
NATuan-ITIMS-2013
Ví dụ:
Ảnh topo (bên trên, phía trái) và ảnh nhiệt (bên

trên, phía phải) của một "vết nóng" “hot spot”
trong một linh kiện IC đang được cấp nguồn. Tổ
hợp hai ảnh vào nhau (bên dưới) cho thấy vị trí
của "vết nóng" (vùng hỏng/sai) bên trong IC này.
NATuan-ITIMS-2013
5.4.4. Hiển vi lực nguyên tử theo độ dẫn điện (Conductive AFM)
- Hiển vi AFM kiểu dẫn điện được dùng để

thu thập đồng thời cả hình thái bề mặt
(topographic) và dòng điện để tạo ảnh.
- AFM độ dẫn làm việc theo chế độ tiếp
xúc (contact mode) để đo độ dẫn điện của
mẫu.
- Sự biến đổi về độ dẫn điện trên bề mặt
mẫu được phát hiện và ghi lại khi sử dụng
mode này để tái tạo lại hình ảnh.
- Cũng có thể thao tác AFM ở trong chế độ xuyên ngầm (STM): Giữ cho dòng
không đổi hay chiều cao không đổi. Một số dụng cụ/linh kiện của AFM có thể cho
phép sử dụng như là một STM (không có chân không), trong đó dùng tip kiểu dẫn
điện (có thể dùng một tip bằng W của STM thông thường) thay cho hệ cần lò xo
lá (thanh rung) bằng Si hay Si3N4) có gắn tip.
NATuan-ITIMS-2013
* Trong khi quét, đầu tip liên tục bị lệch, xê dịch theo
topo của bề mặt mẫu.
Detector quang 4 mảnh
* Lực ma sát xuất hiện, gây nên sự vặn/xoắn của
thanh rung.
Giá đỡ đầu Tia phản * Ghi lại sự xoắn/vặn của thanh rung bằng một
quét (probe) xạ detector nhạy với sự thay đổi vị trí 2 chiều (thường sử
Tia laze tới dụng quang điôt 4 mảnh)
* Hiệu ứng ma sát có thể được hiệu chỉnh lại bằng
Cantilever sửa đổi hình thái một cách "nhân tạo" thông qua việc
Tip so sánh/đối chiếu các đường quét đi và quét về (tính
toán và xử lý tín hiệu điện bằng máy tính).
- Có thể phân biệt các vật Đường quét đi

liệu khác nhau ở mức độ
nguyên tử. Vòng trễ
- Có thể thực hiện những
Đường quét về
nghiên cứu về mức độ ma
sát, mài mòn ở cấp nano
(Nano-tribology).
NATuan-ITIMS-2013
Ví dụ:
Ảnh hiển vi LFM của một mẫu hình đơn

lớp tự sắp xếp (SAM, self-assembled
Ảnh topo phân giải cao (ở trên) và ảnh LFM
monolayer) (50µm x 50µm) được hình
(bên dưới) của một màng mỏng polyester (PET)
thành bằng cách in (ấn) vi tiếp xúc
thương phẩm. Ảnh LFM cho thấy lực ma sát làm
(micro-contact printing) của alkatheniols
tăng cường độ tương phản ảnh.
trên bề mặt vàng (Au) sử dụng con triện
dấu (stamp) bằng nhựa đàn hồi.
NATuan-ITIMS-2013
5.4.6. Hiển vi điều biến lực (Force modulation microscopy - FMM)
• Hiển vi này, FMM, được sử dụng để phân tích đặc trưng các tính chất cơ học của
mẫu. Nó cho phép đồng thời lấy ra được cả số liệu về hình thái bề mặt (topographic)
và tính chất cơ học của vật liệu (cứng/mềm).
• Với kiểu FMM, một mũi nhọn kiểu AFM (tip) được quét theo chế độ tiếp xúc (contact)
với bề mặt mẫu, còn mạch hồi tiếp theo phương z duy trì độ lệch không đổi cho thanh
rung (như trường hợp kiểu lực không đổi (constant-force mode) trong AFM).
• Trong khi đó một tín hiệu tuần hoàn được tác dụng lên hoặc là tip, hoặc là mẫu. Biên
độ bị điều biến của thanh rung, mà gây nên từ tín hiệu tuần hoàn tác dụng vào, sẽ bị
biến đổi theo các tính chất đàn hồi của mẫu.
Bị “làm nhụt”,
bị suy giảm đi.
Vùng Vùng Vùng

cứng mềm cứng
NATuan-ITIMS-2013
Phủ Au lên
đầu tip
Sulfuhydryl hóa
(-SH) bề mặt để
hình thành liên
Ghi chú:
Phản ứng -SiCl3 - Carbon-bonded sulfhydryl kết R-S-Au
(–C–SH hoặc R–SH); R là một
và liên kết với SiO2 nhóm kiềm hoặc nhóm chứa C
- Self-Assembled Monolayer
(SAM)
Có hai cách để lắp ghép nhóm phân tử hữu cơ R vào đầu tip và đế
Các phân tử có cực (ví dụ COOH) có xu hướng liên kết mạnh nhất với nhau, và
các phân tử không cực (ví dụ CH3-CH3) liên kết với nhau yếu hơn, nhưng liên
kết yếu nhất là giữa các phân tử có cực với không cực.
A. Noy et al, Ann. Rev. Mater. Sci. 27, 381 (1997)
NATuan-ITIMS-2013
Phát hiện và ghi nhận lực ngang/lực ma sát
Thấm nước
Kỵ nước
(Bên trái) Sử dụng CFM để tở/gỡ rối các phân tử protein.

(Bên phải) Tip được gắn ở đầu ống CNT (carbon
nanotube) đã thực hiện được chức năng hóa ở đầu cùng
của CNT.
CH3 COOH A. Ảnh hình thái bề mặt (topography)

B. Lực ma sát sử dụng một tip được sửa
đổi đi bằng gắn vào đầu nhọn một lớp
đơn lớp tự sắp xếp (SAM) bằng nhóm
chức COOH.
C. Lực ma sát sử dụng một tip được sửa
đổi đi bằng gắn vào đầu nhọn một lớp
SAM bằng nhóm chức methyl.
- Các vùng sáng ở trong (B) và (C) cho
thấy ma sát lớn hơn các vùng tối.
NATuan-ITIMS-2013
5.4.8. Hiển vi điện dung quét (Scanning capacitance microscopy - SCM)
SCM có thể họa lại bản đồ nồng độ pha tạp và hằng số điện môi cục bộ.
Điện dung của một tụ điện phẳng: C = ε0εrS/d (S: diện tích bề mặt; d: khoảng cách)
Chiều dày lớp ôxýt trong transistor
Tip kim loại

tiếp xúc lên
bề mặt mẫu Ảnh topography Ảnh SCM
- Có thể nhận được ảnh topo bằng cách điều chỉnh chiều cao hoặc của tip hoặc mẫu
trong khi vẫn duy trì điện dung không đổi (tốt cho trường hợp đồng nhất về εr và nồng
độ pha tạp).
- Hoặc bằng cách giữ cố định khoảng cách tip-mẫu, thu lấy các tín hiệu do tính chất
pha tạp (nồng độ) và điện môi của mẫu gây ra (tốt cho trường hợp bề mặt phẳng).
NATuan-ITIMS-2013
5.4.9. Hiển vi lực cắt trượt (Shear-Force Microscopy, ShFM)
(Chuyên đề tìm hiểu thêm)
Appl. Phys. Lett. 60, 2484 (1992) and Appl. Phys. Lett. 60, 2957 (1992);
and J. Appl. Phys. 71, 2499 (1992)
NATuan-ITIMS-2013
5.4.10. Hiển vi thế điện hoá (Electro-Chemical Potencial Microscope)
NATuan-ITIMS-2013
5.4.11. Phụ lục - Một số loại hiển vi không quét hiện đại
- Hiển vi (laze) đồng tiêu

- Hiển vi huỳnh quang (Fluorescent Microscope)
- Hiển vi tia X (X-ray Microscope)
NATuan-ITIMS-2013
Lưu ý các nội dung kiểm tra/thi ở các chương 4 & 5
- Các kỹ thuật phổ XPS, AES và EELS

Chú ý đến:
+ Nguyên lý chung / cơ chế vật lý
+ Cấu tạo thiết bị chung
+ Bộ phân tích: cấu tạo & nguyên lý làm việc
- Các loại hiển vi STM, AFM và SNOM

Chú ý đến:
+ Nguyên lý / cơ sở vật lý
+ Cấu tạo thiết bị chung
+ Nguyên lý làm việc / Nguyên tắc tạo ảnh
NATuan-ITIMS-2013
Crystal Structure
NATuan-ITIMS-2013

327434178 BG Phương Phap Phan Tich Vật Liệu PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

327434178 BG Phương Phap Phan Tich Vật Liệu PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

HANOI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

INTERNATIONAL TRAINING INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE

CÁC PHƯƠNG PHÁP VẬT LÝ

Dr. NGUYEN ANH TUAN

1. Về mặt lý thuyết: Nắm được các nguyên lý cơ bản của một số

CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC CỦA VẬT RẮN

CHƯƠNG 2: CÁC PHƯƠNG PHÁP NHIỄU XẠ

CHƯƠNG 3: CÁC PHƯƠNG PHÁP HIỂN VI

CHƯƠNG 4: CÁC PHƯƠNG PHÁP PHÂN TÍCH PHỔ

CHƯƠNG 5: CÁC PHƯƠNG PHÁP HIỂN VI ĐẦU DÒ QUÉT (SPM)

CHƯƠNG 6: CÁC BÀI THỰC HÀNH

1.1. Cấu trúc nguyên tử

1.1.1. Cấu tạo nguyên tử

Mẫu nguyên tử Bohr Điện tử

Mẫu nguyên tử theo cơ học sóng

l=0 l=1 l=2

px orbital py orbital pz orbital

n=2, l=1, m=0 n=2, l=1, m=1 n=3, l=2, m=0

Mức năng Các lớp Số điện

THE PERIODIC TABLE OF THE ELEMENTS

1.1. Cấu trúc nguyên tử

1.2.2. Các liên kết trong chất rắn

– Liên kết ion

1.1. Cấu trúc nguyên tử

1.4. Cấu trúc vật rắn vô định hình.

Trục tinh thể:

Các vec-tơ đơn vị:

Việc lựa chọn các

Trường hợp mạng 2-D

Việc lựa chọn các ô nguyên thủy:

Trường hợp mạng 3-D

CÓ 7 LOẠI MẠNG TINH THỂ:

• 14 mạng không gian - Mạng Bravais

Crystal system Lattices

simple base-centered body-centered face-centered

simple body-centered face-centered

Ô nguyên thủy của mạng Ô nguyên thủy của mạng

Ô nguyên thủy của mạng Ô nguyên thủy của mạng

Cách xây dựng ô WS

Ô WS trong trường hợp mạng 3-D

Sự lấp đầy không gian bởi ô WS

- Ô WS tương tự một viên gạch hoa

= r' + r’' 0½-1

Bài tập: Xác định vị trí các nút mạng

Nguyên tắc xác định hướng tinh thể :

Trục tinh thể: x y z Ví dụ:

- Các hướng có chỉ số âm: Ví dụ, ký hiệu là [u v w] hay [u -v w].

Ví dụ một số hướng có chỉ số âm

Hướng của một lớp (hình thái) - Họ của hướng:

Nhận xét: Các hướng ngược nhau có các 000 b

(hkl) Trục tinh thể: x y z

Các hình chiếu: a/h b/k c/l

Độ dài các trục: 4Å 8Å 3Å

Họ mặt phẳng {100}

Họ mặt phẳng {110}

Các mặt mạng song song

Lưu ý: Điều này cũng đúng cho mạng 3-D

Góc giữa hai mặt phẳng

ANGLE 100 110 010 001 101

100 0.00 45.0 90.0 90.0 45.0

011 90.0 60.0 45.0 45.0 60.0

111 54.7 35.3 54.7 54.7 35.3

211 35.2 30.0 65.9 65.9 30.0