24/10/2013

Université Abdelmalek Essaâdi

Ecole Nationale des Sciences Appliquées - Tanger Sommaire

Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)

Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC)

Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)

Chapitre 4 : Oscillateurs

Pr. Ahmed EL OUALKADI

ahmed.eloualkadi@ieee.org

1ière année du cycle d’ingénieur

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Année universitaire : 2013/2014

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Sommaire
Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)
Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC)
Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)
Chapitre 4 : Oscillateurs
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Introduction
Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur
deux types de porteurs les trous et les électrons, les transistors unipolaires
fonctionnent avec un seul type de charges, soit les trous soit les électrons.
Le transistor à effet de champs à jonction (JFET) est un premier exemple de
transistor unipolaire.
Le deuxième exemple de transistor unipolaire est le transistor à effet de
champs à grille isolée ou MOSFET.
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Etude du transistor JFET ou TEC Etude du transistor JFET ou TEC

Structure et description Structure et description

La structure du JFET (Junction Field Effect Transistor) ou du TEC (Transistor à Effet de
Champs) est constituée d’un substrat P+ (N+) très fortement dopé, sur lequel on diffuse
une zone dopée N appelée canal. Et au centre de ce dispositif, on diffuse une grille
nommée aussi porte ou gate, dopée P+ et reliée au substrat et de part et d’autre de la
grille on diffuse deux régions dopées N+ : la source (zone d’entrée des charges qui sont
les électrons) et le drain (zone de sortie des charges qui sont les électrons). Ce transistor
JFET sera appelé JFET à canal N.
Il existe aussi un transistor JFET à canal P (remplacer N par P et P par N dans la
description précédente).
Les transistors JFET à canal N et P sont complémentaires. Dans les symboles des deux
transistors JFET, la flèche sur le grille indique le sens Anode Cathode de la jonction grille
canal en direct du transistor.

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Etude du transistor JFET ou TEC

Etude du transistor JFET ou TEC

Fonctionnement du JFET
Fonctionnement du JFET
Le fonctionnement normal du transistor JFET consiste à polariser la jonction canal-grille
en inverse par une tension VGS négative pour créer un champ électrique E dirigé du canal VDS augmente
vers la grille. Plus ce champ est important (VGS plus négative) plus l’espace de jonction La zone désertée s’étend davantage dans le canal, la section offerte au passage des
canal-grille se vide des porteurs majoritaires et le canal se rétrécit de plus en plus et le électrons diminue et la caractéristique s’incurve.
courant drain ID apparaît lorsqu’on polarise le drain D par rapport à la source S par une VDS>VGSoff=VP
tension positive VDS. ID a le sens drain vers la source pour un JEFT-N et de la source Lorsque VDS atteint et dépasse VGSoff, appelée tension de pincement, le courant ID ne
vers la drain pour un JFET-P et avec les tensions de polarisation inversées. varie plus avec VDS.

Pour des faibles valeurs de VDS, il y a le canal est pincé ou étranglé

création d’une zone désertée des porteurs
majoritaires (dite région de charge
d’espace). Le canal se comporte comme
une résistance dans laquelle circule un
courant ID de porteurs majoritaires.

Si VDS reste faible, la région de charge

d’espace n’est pas très étendue et on
vérifie que ID est proportionnel à VDS, ce
qui signifie que la résistance du canal est
constante.
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Etude du transistor JFET ou TEC Réseau de caractéristique du JFET

Fonctionnement du JFET Pour relever les courbes caractéristiques du JFET-N, on réalise le montage de la figure
suivant:
VGS<0

Si on porte la grille à un potentiel négatif par rapport à la source, la région de charge

d’espace s’étend d’avantage dans le canal, qui a donc une section plus faible et ID
diminue.

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Réseau de caractéristique du JFET Réseau de caractéristique du JFET

ID=F(VGS, VDS=cte): caractéristique de transfert ID=F(VDS, VGS=cte): caractéristiques de sortie ID=F(VGS, VDS=cte): caractéristique de transfert ID=F(VDS, VGS=cte): caractéristiques de sortie
Dans la courbe de transfert, deux valeurs caractéristiques du transistor JFET:
Dans les courbes de sortie, on trouve trois zones de fonctionnement distinctes:
- Le courant drain maximum IDSS obtenu pour VGS=0 (4mA<IDSS<16mA)
- La zone Ohmique ou le transistor JFET est équivalent à une résistance rds variable vue entre
- La tension grille source de pincement du canal appelée VP obtenue pour ID=0 (-2V>VP>-8V)
le drain et la source, en fonction de la tension d’entrée VGS pour des valeurs de VDS <1V
- La zone linéaire ou le transistor JFET est utilisé en amplification La courbe caractéristique de transfert du transistor JFET-N peut être représentée par
- La zone d’avalanche ou le courant ID croit rapidement et entraîne la destruction du transistor l’équation caractéristique: ID=IDSS(1-VGS/VP)²
JFET. C’est la zone interdite. 11 12

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Polarisation d’un JFET

Polarisation automatique par résistance à la source et résistance RG

Polarisation d’un JFET Cette polarisation consiste à mettre la grille à la masse par la résistance RG qui est de
grande valeur (1MΩ) et fixer la valeur de la tension VGS par le choix de RS et ID et VDS par
Comme pour les transistors bipolaires, le transistor à effet de champs doit être polariser la droite de charge ID=F(VDS).
en un point de fonctionnement pour être utilisé comme un amplificateur.

Différents schémas de polarisation automatiques sont possibles: parmi les schémas les
plus utilisés on a:
VG=RGIG=0
ID=IS
- La polarisation automatique par résistance à la source et résistance RG.
Droite d’attaque est:
- La polarisation automatique par pont de résistance VGS= -VS= -RSID

Droite de charge est:

VDS=VDD-(RD+RS) ID

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Polarisation d’un JFET Polarisation d’un JFET

Polarisation automatique par résistance à la source et résistance RG Polarisation automatique par pont diviseur
Le représentation des deux droites sur la courbe des caractéristiques donne le point de Cette polarisation utilise un pont de résistance (RG,R).
fonctionnement : (ID0, VDS0, VGS0)

VG=VDDRG/(RG+R)
VS=RSID
VGS=VG-VS

Droite d’attaque est:

ID=(VG -VGS)/RS

Droite de charge est:

ID=(VDD-VDS)/(RD+RS)

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Comportement dynamique d’un JFET Modèle dynamique du FET: schéma équivalent

En régime petits signaux ou régime dynamique, le transistor FET se caractérise par les On a montré que le courant drain iD(t) dans le transistor FET est fonction des tensions
signaux dynamiques: id(t)=∆ID, vds(t)= ∆VDS et vgs(t)= ∆VGS qui varient au tour du point de vDS(t) et vGS(t).
fonctionnement défini par (ID0, VDS0, VGS0).
iD(t)=F(vDS(t), vGS(t)) et le courant drain dynamique est tel que:
Les paramètres dynamiques caractéristiques du FET
Deux paramètres caractérisent le comportement dynamique du FET:
- La résistance de sortie vue entre le drain et la source, rds. Elle est définie par:

rds=∆VDS/∆ID pour un VGS=cte, rds s’exprime en Ω. D’où les schémas équivalents du FET en BF et HF:

- La pente (ou transconductance) du transistor FET gm. Elle est définie par:

gm= ∆ID/ ∆VGS pour VDS=cte, gm s’exprime en mA/V

Expression de gm:
En utilisant la relation ID=IDSS(1-VGS/VP)², on trouve:

Schéma équivalent du FET en BF Schéma équivalent du FET en HF

Dans le schéma HF, on remarque l’apparition des capacités parasites du FET:

- La capacité parasite grille source Cgs.
c’est la pente pour VGS=0 - La capacité parasite grille drain Cgd.
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Les montages amplificateurs à JFET Amplificateurs à transistor JFET

En dynamique, comme pour le transistor bipolaire FET peut être considéré comme un Amplificateur à transistor JFET source commune (SC)
quadripôle suivant trois montages fondamentaux.
Les caractéristiques dynamiques:
Le gain en tension: Av=Vs/Ve= - gm(rds//RD)≈ -gmRD
L’impédance d’entrée: Ze=Ve/Ie=RG
L’impédance de sortie: Zs=RD (si rds est négligeable)
Le gain en courant: AI=Id/Ie=gmRG (si rds est négligeable)

FET en (SC) FET en DC

FET en GC
Schéma dynamique équivalent de l’ampli SC
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Amplificateurs à transistor JFET Transistor à effet de champs à grille isolée ou MOSFET

Amplificateur à transistor JFET drain commun (DC) Structure et description:

Les caractéristiques dynamiques: Le MOSFET est constitué d’un barreau de silicium de type (N) appelé substrat dans lequel
on diffuse deux régions de type P (N) et entre les quelles apparaît un canal de type N (P).
Le gain en tension: Av=Vs/Ve= gmRS/(1+ gmRS )=1
L’une des deux régions est appelé source (S) et l’autre le drain (d). La grille est isolée du
L’impédance d’entrée: Ze=Ve/Ie=RG canal par un couche isolante (Oxyde de Silicium) de façon à constituer un condensateur dont
les armatures sont: la grille et le canal.
L’impédance de sortie: Zs=1/gm

Schéma dynamique équivalent de l’ampli DC

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Transistor à effet de champs à grille isolée ou MOSFET Transistor à effet de champs à grille isolée ou MOSFET

Symbole du MOSFET: Fonctionnement du MOSFET à enrichissement

Le principe de fonctionnement du MOSFET consiste à créer un champ électrique dans
l’espace grille canal, par une source de tension appliquée entre la grille et la source UGS de
façon à inverser la polarité du canal pour qu’il devient de même type que le semi-conducteur
constituant les régions S et D. Dans ces conditions, si on applique une tension de
polarisation entre le drain et la source UDS les charges diffusent de la source vers le drain et
de ce fait il y a un courant électrique ID qui circulera entre le drain et la source.

MOSFET-N MOSFET-P

Suivant que le canal est près diffusé ou non, on trouve différents types de MOSFET.

- Les NMOSFET ou PMOSFET à enrichissement du canal. Dans lesquels le champ crée

attire les charges pour enrichir celui-ci.

- Les NMOSFET ou PMOSFET à appauvrissement (déplétion) dans les quels le champ crée
vide le canal.

Fonctionnement d’un MOSFET à canal N

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Transistor à effet de champs à grille isolée ou MOSFET Transistor à effet de champs à grille isolée ou MOSFET

Réseau de caractéristiques d’un transistor MOSFET Réseau de caractéristiques d’un transistor MOSFET
Pour relever les courbes caractéristiques du MOSFET-N à enrichissement, on réalise le
montage suivant: La courbe caractéristique de transfert ID=F(VGS,VDS=cte) peut être représenter par l’équation:
ID=α(VGS-VT)²
et la pente gm a pour expression:
gm=gm0(VGS-VT), avec gm0=2α

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