Professional Documents
Culture Documents
PVD Tekni̇ği̇ - Ebru Arslan PDF
PVD Tekni̇ği̇ - Ebru Arslan PDF
EBRU ARSLAN
GÜZ, 2018
1
İÇİNDEKİLER
TEŞEKKÜR 3
ÖZET 4
1.GİRİŞ 5
2.PVD TEKNİKLERİ 6
2.1.Buharlaştırma 6
2.1.1.Termal Isıtma 6
2.2.Saçtırma 9
2.2.1.Dc Saçtırma 9
4.SONUÇ VE YORUM 11
KAYNAKÇA 13
2
TEŞEKKÜR
İnce film üretme tekniklerinden biri olan fiziksel buhar biriktirme yönteminin genel
prensipleri ve uygulama metodları üzerine gerçekleştirdiğim bu çalışma lisans ve
lisanüstü öğrenimim boyunca almış olduğum derslerin ve çalışmaların ışığında
kazanmış olduğum perspektifin bir ürünüdür. Bu perspektifi kazanmama vesile olan
Hacettepe Üniversitesi ve Ankara Üniversitesi’nde ders aldığım bütün hocalarımdır.
Optoelektronik dersini ilk defa aldığım saygıdeğer hocam Doç Dr. Akın Bacıoğlu’na
3
ÖZET
İnce filmler malzemenin mekanik, ısıl, elektrik, magnetik veya optik özelliklerinden
birini ön plana çıkartmak ve ondan yararlanmak amacıyla kullanılırlar.
Eski yıllardan beri bilinen fakat 2. Dünya savaşı sırasında farklı bir kullanım alanı
bulmuş, vakum teknolojisinin gelişmesiyle yeni bir boyut kazanmış fiziksel teknikler
( PVD) günümüzde optoelektronik , mikroelektronik, tıp, dekoratif amaçlı, korozyona
karşı direnç gerektiren alet yapımında ve sanayide birçok kullanım alanına sahiptir.
PVD temel olarak buharlaştırma ve saçtırma olarak iki ana başlık altında toplanırlar.
Buharlaştırma tekniği; termal ısıtma, elektron tabancası, lazer demeti, katodik ark ve
iyon plazması yöntemleri ile icra edilebilmektedir. Saçtırma tekniği ise dc , rf ve
magnetron yöntemleri olarak sınıflandırılabilir.
Seçilen kaplama prosesi, vakum ve temizlik seviyesi, kullanılan pota malzemesi, alttaşın
yüzey durumu, kaplanacak parçanın geometrisi gibi parametrelerin tamamı kaliteyi
belirler.
Fiziksel buhar biriktirme tekniği , kimyasal buhar biriktirme tekniği ile kıyaslanırsa bir
çok avantaja sahiptir. En büyük artısı alttaşın özelliğini etkilemeden düşük sıcaklıklarda
uygulama yapılabilmesidir. Ayrıca PVD çevre dostudur, işlem esnasında tehlikeli ve
çevreye zararlı kimyasal malzemeler açığa çıkmaz. CVD tekniğinde iş güvenliği ve çevre
korunması amacıyla kullanılan ek donanımlara PVD tekniğinde ihtiyaç duymaz. Buna
karşın CVD tekniğinde uniform kaplamalar yapılabiliyorken , PVD ile alttaşın sadece bir
yüzeyinin kaplanabiliyor olması bu tekniğin dezavantajıdır. Fakat alttaş hedefe göre
hareket ettirilerek bu sınırlama aşılabilir.
4
1.GİRİŞ
PVD tekniği kaplama yapılacak olan malzemenin önce buharlaştırılıp daha sonra
yoğuşturularak bir alttaş üzerine kaplanmasıdır.
PVD yönteminin tarihte ilk uygulaması Faraday’ın 1850 yılında metalleri vakum
ortamında buharlaştırarak ürettiği kaplamalar olarak kabul edilir. Alman fizikçi Kundt
ise 1888 yılında bu yöntem uygulanarak elde edilen ince filmlerin yansıtma özellikleri
üzerine bir takım çalışmalarda bulunmuştur. Takip eden yıllarda ince metalik film
tabakalarının kinetiği, gazların difüzyonu ve gaz metal reaksiyonları üzerine bir takım
araştırmalar yapılmıştır. Vakum teknolojisinde sağlanan gelişmeler sonucunda 2. Dünya
savaşı zamanında PVD tekniği endüstriyel olarak kullanılmaya başlanmıştır. Yarı iletken
endüstrisindeki ilerlemelerle birlikte , mikroelektronik, tıp, dekoratif amaçlı vb birçok
uygulamada yer bulabilmiştir. 1999 yılından itibaren PVD kaplamaların pazar
boyutunun 750 milyon dolar civarında olduğu düşünülmektedir.
Günümüzde ise PVD tekniklerinden olan saçtırma yöntemi ile mor ötesi dedektör
çalışmaları da dahil olmak üzere optoelektronik sektöründe kendine yer bulmaya
devam etmektedir.
5
2. PVD TEKNİKLERİ
2.1. Buharlaştırma
PVD teknikleri arasından en yalın ve kolay olanıdır. Genellikle 10^(-5) - 10^(-8) Torr
basınç seviyelerinde gerçekleştirilir.
Alttaş
Rezistans
Güç kaynağı
Şekil 1. https://rvcethinfilms.wordpress.com/2016/08/09/unit-2/
Bu teknikte öncelikle dikkat edilmesi gereken husus pota malzemesi seçimidir. Kaplama
malzemesini ıslatmaması için yüksek erime sıcaklığına sahip tungsten, molibden gibi
materyaller kullanılmalıdır. Ayrıca işleme başlamadan önce çeşitli ısıtma teknikleri ile
ön temizlik sağlanmalı ve gaz katkısı gerebilecek kaynaklar engellenmelidir. Bu gaz
kaynakları: yüzeyden gaz atma, malzemeden difüzlenen gazlar, buharlaşma ile oluşan
gazlar, dışarıdan içeriye gaz sızması, pompadan yağ buharı akışı, iç kaçaklar ve dış
kaçaklar olarak belirtilebilir. Bu istenmeyen gaz katkılarının tamamı ince film saflığını ve
kalitesini belirler.
Termal ısıtma işlemi sırasında alttaşın kaynağa en yakın bölümünün daha kalın olması
sorununa alttaş döndürülerek çözüm bulunabilir. Veyahut vakum bölmesine soygaz
verilerek buhar atomlarının birbirlerine çarpması sağlanarak eşit şekilde dağılmalarına
olanak tanınabilir.
Termal buharlaştırma tekniği sistemin oldukça basit olması, buhar veriminin yüksek
olması ve kaplama malzemelerinde geniş bir yelpazeye sahip olması yönünden oldukça
avantajlıdır.
6
2.1.2. Elektron Demeti İle Buharlaştırma
Termal yöntem ile eri lemeyen ve ergime sıcaklıkları 3500 C’ye kadar olan malzemeler
elektron tabancası ile eritilebilir .
Alttaşlar
Lazer demeti ile buharlaştırma yöntemi dört evrede gerçekleşmektedir. Öncelikle lazer
ışınımı ile hedef malzeme buharlaştırılır ve plazma oluşturulur. Daha sonra plazma
yüksek enerji ile yüklenir ve kaplanacak yüzeye birikmesi başlanır. Son olarak ise film
alttaş üzerinde büyümesi sağlanır.
Plazma
Alttaş
Odaklama lensi
Hedef Lazer demeti
Odaklanmış lazer
Şekil 3 Wikipedia
7
PLD ( Pulsed Laser Deposition) şeklinde de adlandırılan bu teknikte plazma boyutu ,
saçtırma veya elektron demeti yönteminden daha küçük ve yoğundur. Bu yüksek
yoğunluklu plazma bölgesi filmin kalitesini arttırır. Bu sebeplerden dolayı PLD kaplama
en düzgün filmlerin elde edildiği kaplama türü olarak adlandırılır.
Lazer demeti ile buharlaştırma tekniği ile lazer ışınını soğurabilen yüksek ergime
sıcaklığına sahip metaller buharlaştırılabilmekte ve kompleks metal kaplamalarında,
süperiletkenlerde ve ferro-elektrik ince filmlerde kullanılmaya olanak sağlamaktadır.
Katod hedefteki malzemenin ark kullanılarak buharlaştırılması tekniği olup bu teknik ile
metalik, seramik ve kompozit ince filmler oluşturulabilmektedir.
Buharlaştırılacak olan malzeme vakum odasına katot, kaplanacak olan taban malzeme
ise anot olarak yerleştirilir. 100 – 200 A mertebesinde yüksek akım ve 10-30 V
mertebesinde düşük voltaj ile katot üzerinde ark oluşturulur. Katot yüzeyinde arkın
meydana geldiği noktalarda sıcaklık 2500 C gibi yüksek değerlere ulaşır ve katodun bu
noktaları hemen buharlaşır. Oluşan buhar fazı , katodun önündeki yüksek elektron
yoğunluğuna sahip bölgede çarpışmalar sonucu iyonize olur ve oluşan iyonlar hızla
taşınır.
Şekil 4
Katodik ark yöntemi ile buharlaştırma yönteminin endüstride ilk uygulaması 1960’lı
yıllarda Sovyetlerde gerçekleşmiştir. Bu yöntem ile TiN kaplama yaparak altın
görünümü elde edilmesi başarılmıştır.
Ağırlıklı olarak kesici takımların üzerine aşırı sert kaplamalar yapılmasında kullanılır,
TiN, TiAlN, CrN, ZrN, TiAlSiN gibi nanokompozit yapılar örnek olarak verilebilir.
8
2.1.5 İyon Buharı İle Kaplama
2.2 Saçtırma
2.2.1 Dc Saçtırma
Hedef
Vakum bölmesi
Gaz girişi
Plazma Alttaş
Şekil 6
9
Vakum bölmesinin vakumlanmaya başlaması ve içeriye çalışma gazının verilmesi ile
birlikte iki katod arasında plazma ateşlenmektedir. Plazma içerisindeki çarpışmalar
sonucu oluşan iyon yüklü parçacıklar dc gerilimin sağladığı potansiyel fark sebebiyle
hedefe doğru yönlenir. Hedef malzemenin atomları ortama sıçratılır ve alttaş üzerinde
yoğunlaşır. Bazı durumlarda alttaş ile plazma arasında perde bulunur. Böylelikle
istenilen zamanda alttaşın kaplanması sağlanır. Saçtırma işlemi başlangıcında hedef
malzeme yüzeyinden saçılan pürüzlerin alttaş üzerinde birikmesi de önlenmiş olur.
Bu teknik ile elektrik iletkenliği olan tüm malzemeler saçtırılabilir. Fakat yalıtkan
malzemelerde kullanılamaz.
Hedef
Alttaş
Rf kaynağı
Şekil 7
Alternatif akımın negatif olduğu zaman aralığında dc saçtırma tekniğinde olduğu gibi
iyon bombardımanı devam eder. Pozitif döngüde ise elektronlar katoda doğru yol alır.
Böylelikle iyon birikmesinin önüne geçilerek döngünün devamlılığı sağlanmış olur.
Manyetik alanda saçtırma tekniği dc veya ac akım ile yapılan tekniğe mıknatıs
eklenmesi ile oluşturulur. Mıknatısın bir ucu hedef malzemesinin eksenine diğer uçları
da hedef malzemesinin uçlarına konumlandırılır. Manyetik alan çizgileri ve elektrik alan
çizgileri birbirlerine dik olacak şekilde tasarlanarak elektrona hedef malzemesine
paralel bir ivme kazandırılır. Böylelikle elektronun katedeceği yol uzayacak, iyonlaşma
verimi artacak ve yüksek enerjiye ihtiyaç duyulmadan kaliteli kaplama malzemeleri
elde edilecektir. Manyetik alan eklenmemiş saçtırma yöntemlerine kıyasla onlarca kat
daha hızlı sonuçlar elde edilebilmektedir.
10
Anot
Alttaş
Katod
Soğutucu sistem
http://www.visual-science.com/projects/magnetron-sputtering/technical-illustration
Öncelikle ince film oluşma hızı açısından ele alacak olursak her ne kadar mıknatıs
eklenmesi ile saçtırma yönteminin hızı arttırılmış olsa da buharlaştırma yöntemleri
kadar saniyede binlerce katman hızına ulaşılamamıştır. Fakat bu hızın kalınlık
kontrolünü zorlaştırdığını unutmamak gerekir. Ayrıca buharlaşma yönteminde birçok
farklı parametreden ötürü malzeme seçimi kısıtlıyken saçtırma yönteminde neredeyse
sınırsızdır. Safsızlık buharlaşma yönteminde daha düşükken, saçtırma yönteminde
sürece katılan iyonlardan ötürü daha yüksektir. Alttaş ısıtılması buharlaşma
yönteminde düşükken saçtırma tekniğinde önem arz etmektedir. Manyetik alanda
saçtırma tekniğinde bu sebeple soğutucu sıvı kullanılmaktadır. Yüzey tahribatı
açısından olayı ele alacak olursak buharlaşma yönteminde saçtırmanın aksine çok fazla
tahribat oluşmamaktadır. Buharlaşma yönteminde kaynak malzemesi değişimi kolay
iken saçtırma yönteminde düzeneğin yapısı gereği pahalıdır. Homojenlik buharlaşma
yönteminde biraz daha zordur ama hareketli alttaş kullanılarak bir nebze sorun
aşılabilir. Saçtırma yönteminde geniş alanlar üzerinde homojenliği yakalamak kolaydır.
Maliyet açısından buharlaşma yönteminin ana ekipmanları fiyat avantajına sahiptir.
Adezyon kuvveti buharlaştırma yönteminde zayıfken saçtırma tekniğinde mükemmel
olduğunu söyleyebiliriz.
4. SONUÇ VE YORUM
PVD tekniklerini anlamak öncelikle ince film mantığını kavramak, vakum teknoloji ve
pompa sistemlerine hakim olmak ve temel fizik kavramlarını bilmekten geçmektedir.
İnce filmler günümüzde hayatın bir çok alanında yer almaktadır. Elektronik ve yarı
iletken elemanlar, elektronik gösterge ve LCD&LED gibi lamba elemanları, lazerler,
11
optik filmler, dedektörler, sert kaplamalar, antistatik kaplamalar gibi birçok örnek
verebiliriz. Bu sebeple PVD dahil olmak üzere tekniklerin geliştirilmesi bir çok sektöre
ışık tutacaktır. PVD tekniği çevre dostu olması ve nispeten daha az zararlı olması gibi
sebeplerden ötürü CVD tekniğinden sıyrılarak bir adım öne çıkmaktadır. Ayrıca en
kaliteli filmlerin fiziksel tekniklerle ve yüksek vakum altında oluşturulanlar olduğunu
düşünmekteyim.
Aslında her bir teknik kendi içerisinde birçok parametreyi ve birçok kombinasyonu
barındırmaktadır. Bu sebeple teknikler tek başlarına bir araştırmanın konusudurlar. Bu
çalışmada sadece tekniklerin anlaşılması ve temel fizik bilgilerimiz ile iyileştirmeler
hususunda düşünmeye sevk etmesi amaçlanmıştır. Yaptığım çalışma PVD tekniklerine
çok kısa bir giriş olarak düşünülebilir.
12
KAYNAKÇA
13