ELECTRÓNICA-ICE-ESIME-ZACATENCO-IPN REACTIVOS PARA DISPOSITIVOS

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA
UNIDAD PROFESIONAL “ADOLFO LOPEZ MATEOS”
COL. LINDAVISTA MEXICO, DF.

ACADEMIA:
ELECTRÓNICA

ASIGNATURA:
DISPOSITIVOS

REACTIVOS
PARA
DIPOSITIVOS

ELABORÓ:
ELIZABETH ARÉVALO GONZÁLEZ

SEMESTRE EN QUE SE IMPARTE:

QUINTO

PROGRAMA DE ESTUDIOS:
2004

FECHA DE ELABORACION:
ENERO-FEBRERO DEL 2012

PERIODO DE APLICACIÓN:
2º 2009/2010 (ENE-JUN/2010), 1º 2010/2011 (AGO-DIC/2010), 2º 2010/2011 (ENE-JUN/2011), 1º
2011/2012 (AGO-DIC/2011), 2º 2012 (ENE-JUN/2012), 1º 2013 (AGO-DIC/2012)

Elizabeth Arévalo González -2012 1

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ÍNDICE

UNIDAD NOMBRE DE LA UNIDAD Pág.

I Conceptos generales de las componentes electrónicas. 3
Bibliografía 7
II Dispositivos de estado sólido de dos terminales (diodos) 8
Bibliografía 12
III Dispositivos de estado sólido de tres terminales 13
(transistores)
Bibliografía 17
IV Dispositivos de estado sólido, utilizados como 18
interruptores controlados.
Bibliografía 21

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Reactivos para apoyar a los alumnos en sus estudios en la evaluación teórica de la materia de
Dispositivos.

Unidad I Conceptos generales de las componentes electrónicas.

OBJETIVO

El alumno distinguirá las características generales de los componentes electrónicos (dispositivos), sus
principales representaciones gráficas en el plano X-Y, sus propiedades eléctricas, su clasificación de
acuerdo al número de terminales, los procesos de fabricación, los tipos de encapsulados y su
ejemplificación como bloques funcionales de acuerdo al proceso matemático que puede efectuar a la
señal eléctrica que se le aplique.

1 ¿Cómo se clasifican las componentes electrónicas?

Respuesta:

En componentes electrónicas discretas e integradas.

2 Identifica los dispositivos eléctricos y electrónicos del siguiente circuito colocando el número que
le corresponde de acuerdo a la respuesta:

Respuesta:

1. Capacitores electrolíticos
2. Potenciómetro.
3. Transistor bipolar.
4. Diodos rectificadores.
5. Diodo emisor de luz.
6. Regulador de voltaje LM7XXX
7. Resistores.
8 Capacitor cerámico de disco.

3 Identificar la simbología de los dispositivos electrónicos y eléctricos en el siguiente diagrama

electrónico que se muestra. Relacionando el número de la respuesta con el dispositivo:

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Respuesta:

1. Puente de diodos de de 8A.

2. Capacitor electrolítico de 4700µF, 100µF ambos a125V y de 3.3µF a 100V.
3. Diodo Zener de 15V, 30V y 13V.
4. Resistores de 27KΩ, 1KΩ, 10KΩ, 6K8Ω, 8K2Ω, 5K6KΩ, 100KΩ, 9K1Ω, 0.22Ω, 47Ω, 470Ω y
180KΩ.
5. Capacitor cerámico 47nF
6. Potenciómetros de 3KΩ, y 5KΩ.
7. Transistor (BJT) PNP: BC327 y BD242A.
8. Transistor (BJT) NPN 2SD110 ó 2SD388 ó 2SD711 ó 2N3055
9. Diodo emisor de luz (LED)
10 Transformador a 5A.
11. Circuito integrado LM723.
12. Tierra eléctrica ó punto de referencia del circuito.
13. Push button NA
14. Diodos de conmutación 1N4148.

4 ¿Cuáles son las características generales de los dispositivos de estado sólido?:

Respuesta:
1. Construidos con materiales semiconductores, tipo P y N.
2. Respuesta exponencial.
3. Dispositivos pasivos, es decir, consumen energía eléctrica para poder realizar su trabajo.
4. Su funcionamiento depende de la polarización (directa e indirecta).
5. Pueden tener dos (como los diodos), tres (como los transistores) ó más terminales (como los
circuitos integrados).
6. Existen dispositivos de estado sólido de propósito general, de respuesta rápida, de
conmutación, de potencia, entre otros.

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5 ¿Cuáles son los tipos de encapsulados?

Respuesta:
Existen 2 clasificaciones generales para lo encapsulados, según contengan circuitos
integrados ó componentes discretos, encapsulados IC y encapsulados discretos
respectivamente.

Tipos de Encapsulados
CI Discretos
De inserción Montaje Superficial De inserción Montaje Superficial
DIP SOP SP-8 SC-59 TO-252
SIP TSOP SST SC-62 TO-263
PGA QFP TO-3 SC-70 HVSON
SOJ TO-92 SC-74 HWSON
QFJ TO-126 SC-75 XSOF
QFN Isolated TO-220 SC-84 SOP8
TCP TO-220AB SC-88 TSSOP
BGALGA TO-251 SC-89 MLP
SC-95 EFLIP

7 Dar algunos ejemplos de dispositivos de estado sólido de dos, de tres y más terminales.

Respuesta:

1. Ejemplos de dispositivos de estado sólido de dos terminales: Diodo rectificador, Diodo Zener,
Diodo Túnel, Diodo Varactor, Diodo de conmutación, entre otros.
2. Ejemplos de dispositivos de estado sólido de tres terminales: Transistor bipolar (BJT), JFET,
MOSFET, SCR, TRIAC, entre otros.
3. Ejemplo de dispositivos de estado sólido de más de terminales: CI555, CI556, CI174, 74LS00,
74LS02, 74LS04, MOC3031, HC4007, MCT2, MC14544B, entre otros.

8 Explicar qué es un diagrama a bloques.

Respuesta:

Es una representación gráfica y abreviada de la relación de causa y efecto entre la entrada y la

salida de un sistema físico.

9 ¿Para qué sirve un diagrama a bloques?

Repuesta:

Proporciona un método útil y conveniente para caracterizar las relaciones funcionales ente
diversos componentes de un sistema de control. Los componentes del sistema se llaman de
manera alterna elementos del sistema. La forma más simple de representar un diagrama a
bloques es con un solo bloque, con una entrada y una salida.

10 ¿Cuáles son las características generales del diodo en polarización directa e inversa?

Respuesta

1. Polarización directa: VD pequeño; ID mayo a cero, resistencia interna del diodo pequeña.
2. Polarización inversa: VD menor ó igual a cero; ID aproximadamente a cero, resistencia interna

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del diodo muy grande.

11 ¿Cómo se representa la gráfica de un diodo?, e indicar en que parte de la gráfica conduce el

diodo.

Respuesta.

Gráfica característica de un diodo.

En el primer cuadrante de la gráfica al estar polarizado directamente el diodo conduce, mientras

que en el tercer cuadrante al estar polarizado inversamente el diodo deja de conducir.

12 Dibujar el diagrama a bloques de una fuente de voltaje lineal no regulada (eliminador).

Respuesta:

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13 Dibujar el diagrama a bloques de una fuente conmutada.

Respuesta:

BIBLIOGRAFÍA

 Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA

EDITORES, Balderas 95, México, D.F., 1994.

 García B. Margarita, Dispositivos Electrónicos, TOMO I, IPN, 1995.

 Malvino, Albert, Principios de Electrónica, Mc Graw Hill, España, 2007.

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Unidad II Dispositivos de estado sólido de dos terminales (diodos)

OBJETIVO

El alumno analizará y verificará las características, limitaciones, comportamientos eléctricos y

modelos equivalentes, de los principales dispositivos de estado sólido de dos terminales (diodos), así
como, su aplicación en el procesamiento de señales eléctricas en circuitos electrónicos típicos, como
(rectificadores, limitadores ó recortadores de voltaje, sujetadores ó cambiadores de nivel, dobladores,
triplicadores, regulador, voltaje de referencia, indicadores luminosos). Considerando símbolos,
características eléctricas, circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante de cada
dispositivo.

1 Analizar la gráfica y calcular la resistencia dinámica y la potencia

máxima, tomando en cuenta los valores de la gráfica. Cada división
en el eje Y equivale a 5mA, mientras que cada división en el eje X
equivale a 1V.

Sol: rZ=27.69Ω y PZ=210mW

R1
2 Calcular la potencia que disipa un LED rojo, si su 390 Ohm LED
resistencia interna es de 5Ω, y su voltaje de unión es de
1.8V. Vs 15V
_
Sol: PLED=49.42mW
R2
120 Ohm

3 Analizar el circuito y calcular la carga, para que esta disipe una 1N4001
potencia de 500mW, si el transformador tiene una relación de 6:1. N2
Dibujar la señal de la carga indicando el valor de la amplitud y el RL C
N1
N3
periodo. También calcular el valor del capacitor que está conectado
en paralelo con la carga, para tener un rizo de 100mV. 1N4001
¿Qué pasaría si el D1 se abriera? Explica.
Se tendría la respuesta de un circuito rectificador de media
onda.

Sol: RL=165Ω y C=7207.07µ F

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R
4 Diseñar el circuito para que un diodo emisor de luz, trabaje
adecuadamente, de acuerdo a los siguientes datos: ILED=50mA a
E = 9V
VLED=3.3V

Sol: R=114Ω

D (Si )
5 Analizar y calcular VO y PO del circuito mostrado. También dibujar la 1k

curva de salida y la función de transferencia.

+
20Senwt Vz = 5.1 V Vo
VO= 5.1V; y Po=72.42mW; semiciclo positivo.
VO= 0V; y Po=0W; semiciclo negativo.

6 Calcular el voltaje de entrada del circuito si la carga es de 560Ω y 1N4001

esta disipa una potencia de 250mw, Dibujar la señal de la carga
indicando el valor de la amplitud y el periodo. Calcular el capacitor N2
RL C
N1
que está conectado en paralelo con la carga, para tener un rizo de N3
50mV.
¿Qué pasaría si el D2 se pusiera en corto? Explica. 1N4001

Sol: Vi=17.8859Vp; y C=5531.522 µF

7 Analizar el circuito rectificador de onda completa con puente de D1 D3

diodos y calcular el valor del capacitor, para un rizo de 100mV, si el RL
transformador con derivación central, presenta un voltaje en el
D2
secundario de 12Vrms; para alimentar una carga que disipa 250mW. C D4
¿Qué pasa si uno de los diodos se abre? Explica

Sol: C=3029.009µF
El circuito rectificador de onda completa se comporta como un
circuito rectificador de ½ onda.

8 Analizar y determinar el voltaje pico inverso del diodo, la potencia y

el período de salida del rectificador de media onda, si el voltaje del D
primario del transformador es de 127 Vrms, con una relación 5:1 y
una carga de 560Ω. Dibuje las gráficas del secundario y de la N1 N2
carga, así como la gráfica de la función de transferencia. En todas RL
las gráficas deben estar expresados los valores y las unidades
correspondientes.

Sol: VPI=36.62Vp; Po=224.448mW; y TO=16.66ms

9 Analizar el circuito, y calcular el voltaje de salida (VO) y dibujar la C = 10 u F o 1 u F

gráfica de salida, así como la gráfica de la función de transferencia. + +

+

Si el voltaje de la fuente es una señal senoidal con una amplitud de

CH1 Vs CH2
10V. D

Sol: El circuito es un sujetador positivo con VO=-0.7V a - -

VO=19.3Vp

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10 Analizar el circuito, y calcular el VO y dibujar la gráfica de salida, así C=1 uF

como la gráfica de la función de transferencia. + Vo
D (Si)

+
Sol: de VO= 1.7V a VO=21.3Vp Vs = 12 Vp sent
E=2V

--

Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida; dibujar la gráfica, D

si el voltaje del Zener es de 3.9V y el diodo es de germanio. 1k
Explicar el funcionamiento del circuito e indicar que tipo de circuito
es.

+
Z Vo
20Senwt
Sol: VO=3.9V y VO=0V, y se trata de un circuito recortador.

11 Analizar el circuito y calcular el voltaje de entrada mínimo necesario 560

para establecer la regulación del Zener y la potencia que éste
disiparía, si dicho diodo presenta una resistencia interna de 10Ω,
una corriente nominal de 1mA y un voltaje de ruptura Zener de Vi 100
3.3V.

Sol: Vimín=22.406V

R = 1 Kohm
12 Analizar el circuito y calcular el voltaje de salida (VO) del circuito +
mostrado. Dibujar la curva de salida y la función de transferencia del D (Si )
circuito. +
Vs = 20 Vp Vo
500 KHz Vz = 5.1 V
Sol: VO=20Vp y VO=-5.8V _

R1
13 Analizar el circuito y calcular VO del circuito mostrado. Dibuja Si los
diodos Zener ambos son de 5.1V, y la fuente de alimentación Vs
+

Vs Z1
entrega una señal senoidal con una amplitud de 20Vp a una
frecuencia de 100Hz, y una R1 de 1KΩ.
Z2

Sol: VO=5.8V y VO=-5.8V

14 En un circuito regulador con diodo Zener, por el cual circula una

RS
corriente de 5mA, con una fuente de alimentación de 15V que
alimenta a una resistencia limitadora y a una carga, ambas de
330Ω. Calcular el voltaje del Zener.
15 V Z RL
Sol: VZ=6.675V

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15 Analizar el circuito y determinar la Izmáx y la potencia que disiparía

un Zener de 9.1V, con una fuente de alimentación que varía desde RS
0V a 20V, si la resistencia limitadora es igual la resistencia de carga
mínima, con un valor de 270Ω, y resistencia de carga máxima de E
10KΩ. Z RL

Sol: IZmáx=40.36663mA y PZ=367.3336mW

16 Analizar el circuito y determinar el valor de la RLmin necesaria para

RS
que el Zener de 10V regule, con una corriente nominal de 2mA,
cuya resistencia limitadora es de 390Ω y la fuente de alimentación
es de 25V. 25 V
Z RL
Sol: RLmín=274.26Ω

17 Analizar el circuito y determinar el valor del resistor limitador en el

circuito regulador con diodo Zener de 5.1V a una corriente nominal RS
de 1mA, si se desea alimentar una carga de 150Ω, y la fuente de
alimentación tiene una variación del 20% de su valor que es de
20 V Z RL
20V. También calcular la potencia de disipación del Zener.

Sol: RS=302.777Ω y PZ=144.953mW

18 Analizar el circuito y determinar los voltajes de entrada mínimo y

máximo que pueden regularse por el diodo Zener, si la IZK es de RS
1mA, 15mA de corriente de Zener máxima, el voltaje del Zener es
de 5.6V y una rZ de 10Ω, para una carga infinita y una resistencia E Z Vo
limitadora de 560Ω.

Sol: Emín=6.17V y Emáx=14.15V

19 Analizar el circuito y calcular las corrientes de carga mínima y RS

máxima para las cuales el diodo Zener se mantenga en regulación.
Calcular la resistencia de carga mínima para que el Zener regule,
RL
considerando VZ=9.1V, RS= 330Ω, IZK=3mA e IZmáx=90mA, con una 24 V Z
rZ=10Ω, si la fuente de alimentación es de 24V.

Sol: Para RLmáx=∞Ω, ILmín=0A e IZmáx=43.824mA

RLmin=202.62Ω, ILmáx=45.06mA e IZmín=3mA

20 Un diodo Zener de 8.2V a 25oC, tiene un coeficiente en temperatura

positivo de 0.062%, calcular la variación del voltaje a una
temperatura de 75oC.

Sol: ΔVZ=0.542V, VZ(75oC)=8.4542V

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21 Analizar el circuito y calcular el valor de la resistencia de carga para 100

que el diodo Zener regule, si Vi es igual 20V con una variación de
20%, con VZ de 9.1v @ 5mA y RS de 100Ω. RLmín
20V 9.1V

Sol: RLmín=142.1875Ω

Elizabeth Arévalo González -2012 12

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BIBLIOGRAFÍA

 Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA

EDITORES, Balderas 95, México, D.F., 1994.

 García B. Margarita, Dispositivos Electrónicos, TOMO I, IPN, 1995.

 Malvino, Albert, Principios de Electrónica, Mc Graw Hill, España, 2007.

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Unidad III Dispositivos de estado sólido de tres terminales (transistores)

OBJETIVOS

El alumno analizará y comprobará las características, limitaciones, comportamientos eléctricos y

modelos equivalentes, de los dispositivos de estado sólido de tres terminales conocidos como
transistores, así como, su aplicación en circuitos electrónicos de polarización con Transistores
bipolares y Transistores de efecto de campo (considerando símbolos, características eléctricas,
circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante).

Circuitos de polarización con transistores bipolares y transistores de efecto de campo.

1 Analizar el circuito y calcular los voltajes y corrientes en cada 10 V

uno de los dispositivos y uniones del transistor, si este es de
silicio y tiene una α=0.99, calcular la potencia que disipa el 3.3 Kohm
1 Kohm
transistor.

Sol. VRC=8.0336V, VCE=1.9664V,

VR1=VCB=0.845V,VR2=VBE=0.7V, IRC=8.0336mA, I1=256.05µA, 3.9 Kohm
I2=179.4872µA, IB=76.56µA, IC=7.7776µA y PT=15.3475mW

Vcc= 15 V
2 Analizar el circuito y calcular: VCB, VCE, VE, VB, VC, IB, IC, I1, I2, 1k
e IE, para una beta de 45 y con el potenciómetro en 0 de su R1
valor. 2.2 K
TIP 41
Con base en los resultados escribir en que región se
encuentra trabajando el transistor, e indicar la configuración RE
Z
del transistor, así como las características de esta. 100
5.1 V
P
Sol. VCE=-31.743V, VC=-28.04V, VCB=31.743V,VB=5.1V,
VBE=0.7V, VE=4.4V, IC=43.0435mA, I1=4.5mA, I2=3.5435mA, 10 k
IB=956.522µA, IE=44mA

3 Analizar el circuito y calcular el voltaje de entrada, las Vcc = 10V

corrientes y potencias de disipación en cada uno de los RC = 820

dispositivos, considerando α = 0.99 y un VCE= 3V para un
transistor de silicio. RB =27 K
T1

Sol: VS=3.54V, IB=76.77µA, IC= 7.6mA, IE=7.677mA, Vs

RE = 100
VRB=2.073V, VRC=6.232V, VCB=2.3V, PRB=159.14µW,
PRC=47.36mW, PRE=5.894mW, PT≡22.8mW

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Vcc=+5V
4 Analizar el circuito y calcular los resistores para que el
transistor trabaje en el región de saturación, el cual tiene
RC
VCEsat=0.25V, una ICsat de 25mA, un factor de ganancia en
corriente de 110 y el VI es igual al VCC. Considerando un LED
de rojo de 1.5V. +
RB
BC 547A Vo
Sol: RB=18KΩ y RC=120Ω Vi
_

5 Analizar el circuito y calcular los valores de VCE, IC e IB Vcc = + 5 V

considerando RB=18KΩ y RC=120Ω del circuito, el cual tiene,

un factor de ganancia en corriente de 110 y el VI es igual al RC
VCC. Considerando un LED de rojo de 1.5V. LED

Sol: IB=238.89µA, IC=26.278mA y VCE=0.347V RB

Vi BC547A Vo

6 Analizar el circuito y calcular los resistores para el circuito + Vcc = 12V

considerando VE de 2V, VCE=5V e IC=12 mA, para un factor
de corriente de 180. R1 RC

Sol: R1=68KΩ, R2=47KΩ, RC=390Ω, y RE=150Ω

BC548B

R2 RE

7 Analizar el circuito y calcular: VCB, VCE, VE, VB, VC, IB, IC, I1, I2, + Vcc = 12V
e IE, para un factor de corriente de 180. Considerando
R1=68KΩ, R2=47KΩ, RC=390Ω, y RE=150Ω. R1 RC

Sol. VCE=4.55V, VC=6.63V, VCB=3.85V, VB=4.9V, VBE=0.7V,

VE=2.08V, IC=13.775mA, I1=1.12mA, I2=1.043mA, BC548B
IB=76.626µA, IE=13.851mA.
R2 RE

8 Analizar el circuito y calcular RB, RE y RC para el circuito

RB RC
básico de polarización con transistor bipolar, con, VCC=15V,
IC=10mA, VBE=0.7V, VCE=5V, y una β=200. Considere VE=2V.
VCC

Sol: RB=246KΩ, RC=800Ω, y RE=199Ω

RE

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9 Analizar el circuito y calcular R1, R2, RE y RC para el circuito

RC
del transistor bipolar de silicio a baja potencia con, VCC=15V, R1
IC=20mA, VCE=5V, IR1= (1/10) IC y una β=180. Considere
VE=2V. VCC

Sol: R1=1.8KΩ, R2=1.5KΩ, RC=330Ω, y RE=100Ω RE

R2

10 Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes; para un

transistor de silicio con β=180 y un VCC=15V. 1.8 K
330

Sol. IB=126.324µA, IE=22.865mA, IC=22.7384mA, VCC

I1=2.11mA, I2=1.983mA, IRC=24.8473mA, VCE=4.498V,
VC=6.7845V, VCB=VR1=3.798V, VB=VR2=2.9865V, y
VE=2.2865V. 1.5K 100

11 Analizar el circuito y diseñar el circuito para una IC2=30mA y RC

un VCE2=1.5V, si β1=110 y β2=45; y el diodo emisor de luz

tiene un voltaje de 3.3V. RB
9V

Sol. IB1=6.006µA, IE1=IB2=666.667µA, RB=1.2654MΩ y BC 547

RC=140Ω. TIP41

En valor comercial RB=1.2MΩ y RC=120Ω.

12 Para un JFET con polarización mediante divisor de voltaje, 820

10 M
analizar el circuito y calcular: voltajes y corrientes del circuito,
dado un VGS= -1.1v, R1=10MΩ, R2=2.2MΩ, RD=820Ω, 9V
RS=390Ω y un VDD=9 V.
2.2 M 390
Sol: VG=1.62V, VS=2.72V, ID=6.97mA, VDS=0.5663V y
VD=3.2863V

13 Analizar y calcular el circuito de polarización con IDSS=6mA, VDD

VGSOFF=-4V, VDD=12, considerando las condiciones del punto
RD
medio.

Sol: RS=390Ω, RD=1.8KΩ y RG=1MΩ T1

RG RS

Elizabeth Arévalo González -2012 16

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14 Analizar el circuito y calcular VD, VS, VDS, VGSQ, VG gm e IDQ, VDD

mediante el método grafico. Considerando RS=390Ω,
RD=1.8KΩ y RG=1MΩ RD

Sol: VD=6.42V, VS=1.2V, VDS=7.62V, VGSQ=-1.2V, VG=0V e T1

IDQ=3.1mA y gm=2.1mS
RG RS

VD D=12.5V
15 Analizar y diseñar el circuito para IDSS=8mA, VGSoff=-5V y un
VGS de 1V R2 R1

VD =5V
Sol: R3=1MΩ, R2=11.5MΩ y R1=651.04Ω

R3

16 Con base en el método analítico, analizar el circuito y

3.9 M 820
calcular: VDS, ID, VS, VGS, y VG, considerando VD de 6V.
12 V
Sol: VDS=3.585V, ID=7.38mA, VS=2.415V, VGS=0.03554V, y
VG=2.45V
1M 330

17 Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes del circuito 1.8 K

10 M
e indicar de qué transistor se trata y en qué región está
trabajando. Si VDS es de 5V.
9V
Sol: ID=0.784mA, VS=2.588V, VGS=-0.965V, VD=7.588V y
2.2 M 3.3 K
VG=1.623V

18 Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes empleando

en método analítico, e indica en que región se encuentra R1 RD
820
trabajando el dispositivo semiconductor y de que dispositivo 3M9
12V
se trata. Considerando un voltaje de drenador de 5V, una
IDon=1mA para una VGSumb de 1.5V, y una K=5.42mA/V2
R2
1M
Sol: ID=4.892mA, VS=0V, VGS=2.45V, VG=2.45V y
VDS=7.989V

Elizabeth Arévalo González -2012 17

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19 Analizar el circuito y calcular los valores de los resistores del

circuito, para un VGS de 5V y una ID de 5mA. RG
RD

12V
Sol: RD=1.4KΩ, y RG=1MΩ

20 Analizar el circuito y calcular voltajes y corrientes en cada R1

RD
3K9
dispositivos del circuito considerando que el transistor tiene 12M
12 V
un VD=5V, un VDon de 1.5V y una y una K=5.42mA/V2
R2
Sol: VG=VR2=VGS=0.923V, ID= 1.804mA, VRD=7.04V, 1M
VDS=4.96V, I1=923.1nA e I2=936nA

BIBLIOGRAFIA

 Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA

EDITORES, Balderas 95, México, D.F., 1994.

 García B. Margarita, Dispositivos Electrónicos, TOMO I, IPN, 1995.

 Malvino, Albert, Principios de Electrónica, Mc Graw Hill, España, 2007.

 García B. Margarita, Dispositivos Electrónicos, TOMO II, IPN, 1995.

Elizabeth Arévalo González -2012 18

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Unidad IV Dispositivos de estado sólido, utilizados como interruptores controlados.

OBJETIVOS

El alumno analizará y comprobará las características, limitaciones, comportamientos eléctricos y

modelos equivalentes, de los principales dispositivos de estado sólido utilizados en el procesamiento
conmutado de las señales eléctricas, así como, su aplicación en circuitos electrónicos como
Interruptor eléctrico y electrónico, con SCR, TRIAC y Optoacopladores. Considerando símbolos,
características eléctricas, circuitos equivalentes, y hojas de especificaciones del fabricante, de cada
dispositivo.

R1
1 Calcular el valor de las resistencias para un ángulo de
conducción de 1350 y 900, empleando un SCR con IGT= RL

60μA, VGT=0.6V, VBR=400V, con diodo de silicio, 120 Vrms

RL=50Ω. Siendo el diodo de silicio. a 60 Hz

R2
D
Sol. R1=4.00976MΩ, R2=866.036KΩ

2 Calcular el valor de las resistencias, considerando que el

SCR, tiene un VGT de 1.2V, IGT de 200µA, y un VBR de
Lámpara
200V, para una conducción que se encuentre entre 5º y R1
90º. Considerando el diodo de silicio.
120Vca
60Hz
Sol. R1=906.053KΩ, R2=4.6341MΩ
R2

D (Si)

3 Calcular las resistencias del circuito de la figura y el

ángulo de conducción. Si las características del SCR RL=20
son: VGT=3V, VDRM=VBR=400V, IGT=200μA, IH=5mA, 100Vrms
P1

PG=1.3W y el diodo es de silicio. Describir el R1

60Hz
funcionamiento del circuito.
D1
Sol. R1=705.27KΩ, R2=359.94KΩ; θCmín=900 ,
θcmáx=175.9450

Elizabeth Arévalo González -2012 19

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4 Calcular las resistencias del circuito, para que tenga un

ángulo de conducción de 90 0    170 0 . Si las RL=20
P1
características del SCR son: VGT=3V, VDRM=200V, 100Vrms

IGT=200μA, IH=5mA, PG=1.3W y el diodo es de silicio 60Hz

R1

Sol. R1=784.9743KΩ, R2=1.566MΩ D1

5 Analizar el circuito y calcular R1 y R2 para un ángulo de R1

Rcarga
disparo de 90º y de 10º, considerando una IGT de 15mA y
VDRM de 330V un VGT de 2V. 120Vca R2

Sol: VSCR=169.71Vp, Vdmáx=169.71V, IGmín=7.28591mA,

Vdmín=29.47V, IGmáx=13.6605mA, R1=12.28KΩ, SW1

R2=10.63KΩ.

6 Del ejercicio anterior si se elige R1 de 12KΩ, en que R1

Rcarga
valor de estará el ángulo de conducción y de disparo. 12K

También calcular el Vd y la IG y el ángulo de disparo. 120Vca R2

Sol: IGmáx=13.976mA, Vdmín=22.528V, θdisparo=7.6282º,

θconducción=172.372º. SW1

7 Proponer un circuito con transistor bipolar que controle la Respuesta

corriente en la compuerta de un SCR.
20V

R1
RE
Rcarga
120Vca
R2

T2
R3

8 Proponer un circuito que controle la intensidad de Repuesta

iluminación, que emplee dispositivos tiristores.
L=100mH

Lámpara DIAC
R2=15K
R1=100K TRIAC
120Vca
a 60Hz
C1=0.1uF
C1=0.1uF a 200V
a 250V

9 Proponer un circuito que permita controlar los ángulos de Repuesta

conducción y de disparo, así como los tiempos de
conducción y de disparo, en un SCR.

Elizabeth Arévalo González -2012 20

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R1
1K
Rcarga
330

+
R2=5K
Vi
12VpSent SCR

R3
100

10 Analizar el circuito para verificar el funcionamiento,

tomando en cuenta que en el optoacoplador se tiene un R1 = 2.2 K R2=100
VCE de 10V, para un a IF de 10mA, e ICmáx de 100mA, 4N26
mientras que el diodo emisor se tiene una IFmáx=100mA,
IFtyp=10mA, para un VFtyp=1.18V. Vi = 24V 5V

Sol: IFi=10.375mA, IC=10.375mA, VCE=3.963V

11 Analizar el circuito de la fig. 2, considerando en el emisor

1K 1N4004
del optoacoplador VF de 1.18V; mientras que para el 4N26
detector se tiene VCEsat de 0.3V, y el SCR presenta un

+
9V
VDRM de 400V, IGTtyp de 60µA y un VGTtyp de 0.6V. C106
0V ó 5V
SW
1k
Sol: IFi=9.795mA, V120K=8.1V, I120K=67.7µA, V82K= 0.6V, 1k
I82K=7.32µA, V18K=8.7V, I18K=483.3µA, IE=560.83µA,
IG=60.183µA Y Vd=-1.22V

12 Analizar el circuito, para verificar el funcionamiento,

considerando en el emisor del optoacoplador (4N26): 470
470
VFtyp de 1.15V para una IFtyp de 10mA, y una IFmáx de
60mA; mientras que para el detector se tiene una ICmáx de 5V
15 K
150mA y una β de 500; y para el 2N3904 una beta 2N3904
mínima de 60.
150

Sol: IFI= 8.191mA, IRE1≈IC1=20.5mA, VCE1=1.925V, optoacoplador abierto

IB2=158.33mA, IC1=20.5mA, IC2=9.4998mA,
VCE2=0.5351V,

13 Explicar el funcionamiento del circuito. Calcular: voltajes, 1K RL

corrientes del diodo emisor de luz, del transistor y del
Zener, así como α. Si el diodo emisor de luz tiene un 24V,5A
+

voltaje típico de VF=1.2V, una IFMáx=80mA, mientras que

el fototransistor presenta un punto de operación de 0V a 5V Z 24V
4N37
voltaje entre colector y emisor de 0.4V, para una 10K
IF=10mA, y una ICMáx=100mA. El transistor es de silicio y
tiene una ganancia en corriente de 40.

Sol: Para VI=5V; IFI= 2.8mA, VCE1sat= 0.4V, IC1=4.75mA,

VCE2= 1.1V, por lo que VRL=22.4V.
Para Para VI=0V; IFI= 0mA, VCE1corte= VZ-VBEO2, IC1=0mA,
VCE2= VZ, por lo que VRL=24V-VZ.

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14 Analizar y explicar el funcionamiento del circuito.

R1
Respuesta: 5V
10K

LED
El circuito permite acoplar un voltaje de CC externo a la
entrada del dispositivo digital (compuerta), mediante el
optoacoplador 4N33. El circuito convierte un voltaje de 4N33
entrada de 12VCD en un nivel alto de 5V y uno nivel bajo
de aproximadamente 0V. Este circuito se puede emplear R2 TTL o CMOS
para monitorear una batería de automóvil. 470
Cuando de aplica la señal de 12VCD, circula una corriente
IF a través de la resistencia R1, se energiza el LED y el
fotodarlington conduce. Como resultado, circulara una
corriente de colector IC a través del resistor R2. Esta
corriente causa una caída de voltaje de
aproximadamente 5V que es interpretada por la entrada
de la compuerta inversora como un nivel alto ó 1 lógico.
Cuando se retira la señal de entrada, no circula corriente
a través del LED y el fotodarlington no conduce. Como
consecuencia, la entrada de la compuerta inversora
queda puesta a tierra y recibe un nivel bajo de
aproximadamente 0V.
Los valores de R1 y R2 deben elegirse de modo que la
corriente de entrada IF y de salida IC no excedan los
valores máximos especificados por el fabricante. Siendo
para el optoacoplador 4N33 IFmáx de 80mA e ICmáx de
100mA.

15 Analizar y explicar el funcionamiento del circuito.

5V
Respuesta: 120Vca
R a 10W
1k
El circuito sirve para interfazar una salida digital a cargas
Vlínea
LE D

de CA de baja potencia utilizando un optoacoplador Lámpara 120Vca

MOC3010. El fototriac actúa como un interruptor en serie Entrada a 60Hz
con la lámpara, conectándola a la red de 120VCA cuando TTL o CMOS MOC3010
la salida de la compuerta inversora es de nivel bajo (0V) Fusible
y desconectándola cuando es de nivel alto (5V).
El fototriac se dispara (entra en conducción) cuando la
corriente a través del LED (IF) supera un cierto umbral
denominado IFT. Para el MOC3010, la IFmáx es de 50mA e
IFTmáx de 8mA. Típicamente la IFT es de 8mA e IF de
10mA.

BIBLIOGRAFIA

 Floyd, Thomas L., Dispositivos Electrónicos, Ed. LIMUSA, S.A. de C.V. Grupo NORIEGA

EDITORES, Balderas 95, México, D.F., 1994.

 García B. Margarita, Dispositivos Electrónicos, TOMO I, IPN, 1995.

 Malvino, Albert, Principios de Electrónica, Mc Graw Hill, España, 2007.

Elizabeth Arévalo González -2012 22

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 García B. Margarita, Dispositivos Electrónicos, TOMO II, IPN, 1995.

 CEKIST S.A. Cursos prácticos de electrónica digital.

 Almendarez A. Domingo, Curso de Electrónica II, IPN, México, D.F., 1998.

Elizabeth Arévalo González -2012 23