CIRCUITOS ANALÓGICOS II

2016 - I
Antonio Pardo Marquez

Polarización de un transistor

Si no hay corriente de base (IB) el transistor no se puede polarizar:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇
− 1)

𝛼
𝛽=
1−𝛼

𝛽
𝛼=
𝛽+1

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸

𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝐼𝐵 = (1 − 𝛼 )𝐼𝐸
 Amplificación

𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 𝐵𝐸: 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑜(+)

𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 𝐵𝐶: 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑜(−)

2 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜𝑠 𝐵𝐸 𝑦 𝐵𝐶 𝑒𝑛 𝑢𝑛 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟.

IC (mA)

VCC .
RC+RE

IE Q

VCE (V)
VCE VCC

0.5 KΩ VC=2V

VCE=2.5V

2 KΩ IE=1mA
 𝑉𝐶𝐶 .𝑅𝐵2
𝑉𝐵 =
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
=
𝑉𝐵 𝑅𝐵2
𝑅𝐵1 𝑉𝐶𝐶
= −1
𝑅𝐵2 𝑉𝐵
𝑅𝐵1 5
= −1
𝑅𝐵2 1.2

𝑅𝐵1 = 3.167𝑥𝑅𝐵2

Por definición:
10𝐼𝐵 < 𝐼𝑅 < 30𝐼𝐵
𝐼𝑅 = 10𝐼𝐵
𝑅𝐵1 = 38 𝐾Ω
𝑅𝐵2 = 12 𝐾Ω

Circuito:
Teorema de la superposición: Se analiza el punto incógnita con una sola
fuente y las demás se eliminan.

Modelo híbrido 𝜋:

𝐼𝐶 𝛽
𝑔𝑚 = 𝑟𝜋 =
𝑉𝑇 𝑔𝑚

Por superposición:

1 1
𝑋𝐶 = = ⇒ 𝑋𝐶 → 0
𝜔𝐶 2𝜋𝑥5𝑥103
 𝑅𝐵 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2
𝛽 𝛽𝑥𝑉𝑇
𝑟𝜋 = =
𝑔𝑚 𝐼𝐸/𝑄

𝑉𝑂𝑈𝑇 = −𝑔𝑚 𝑉𝜋 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )

𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇
= ∆𝑉 = −𝑔𝑚 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
𝑉𝐼𝑁
1𝑚𝐴
∆𝑉 = − (2𝑘 ∥ 1𝑘)
25𝑚𝐴
∆𝑉 = −26

𝑅𝐼𝑁 = 𝑅𝐵 ∥ 𝑅𝜋
𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿

Teorema de la impedancia de entrada y de salida:

RIN: Se trabaja con el puerto de entrada y el puerto de salida queda a

circuito abierto; además, se usa una fuente ideal (Vx).

𝑉𝑋
𝑅𝐼𝑁 = 𝐼𝑋

ROUT: Se trabaja con el puerto de salida y el puerto de entrada se anula

(corto circuito); además se usa una fuente ideal (Vx).

𝑉𝑋
𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝐼𝑋
Configuraciones en AC y en pequeña señal

1) Emisor Común

Hallando Rin y Rout:

𝑅𝐼𝑁 = 𝑟𝜋
𝑉𝑋
𝑅𝑂𝑈𝑇 = = 𝑅𝐶
𝐼𝑋

Ganancia en voltaje:

𝑉𝑂𝑈𝑇 = −𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇
= ∆𝑉 = −𝑔𝑚 𝑅𝐶
𝑉𝐼𝑁
2) Nada Común (Emisor Degenerativo)

Hallando Rin y Rout:

𝑉𝜋
𝐼𝐸 = + 𝑔𝑚 𝑉𝜋
𝑟𝜋

𝑉𝑋
𝑅𝐼𝑁 =
𝐼𝑋

𝐼𝑋 = 𝐼𝐵
𝐼𝐸
= 𝐼𝐵
(𝛽 + 1)
𝑉𝜋
𝑟 + 𝑔𝑚 𝑉𝜋
𝐼𝐵 = 𝜋
(𝛽 + 1)
 𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝑋 = 𝑉𝜋 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸
𝑉𝑋 = 𝑉𝜋 + 𝐼𝐵 (𝛽 + 1). 𝑅𝐸
𝑉𝜋
+ 𝑔𝑚 𝑉𝜋
𝑟𝜋
𝑉𝑋 = 𝑉𝜋 + (𝛽 + 1). 𝑅𝐸
(𝛽 + 1)
𝑉𝜋
𝑉𝑋 = 𝑉𝜋 + ( + 𝑔𝑚 𝑉𝜋 ) 𝑅𝐸
𝑟𝜋

𝑉𝜋
𝑉𝑋 𝑉𝜋 + ( 𝑟𝜋 + 𝑔𝑚 𝑉𝜋 ) 𝑅𝐸
𝑅𝐼𝑁 = =
𝐼𝑋 𝑉𝜋
𝑟𝜋 + 𝑔𝑚 𝑉𝜋
(𝛽 + 1)
𝛽+1
𝑅𝐼𝑁 = + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
1
+ 𝑔𝑚
𝑟𝜋
𝛽
∗ 𝛽≫1 ∧ 𝑟𝜋 = ⁄𝑔𝑚
𝛽+1 𝛽𝑟𝜋 𝛽𝑟𝜋 𝛽𝑟𝜋
= = = = 𝑟𝜋
1 1 + 𝑔𝑚 𝑟𝜋 1 + 𝛽 𝛽
𝑟𝜋 + 𝑔𝑚

Entonces:
𝑅𝐼𝑁 = 𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝑋
𝑅𝑂𝑈𝑇 =
𝐼𝑋
𝑉𝑋 = 𝐼𝑋 . 𝑅𝐶
𝐼𝑋 . 𝑅𝐶
𝑅𝑂𝑈𝑇 = = 𝑅𝐶
𝐼𝑋
𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐶
Ganancia en voltaje:

𝑉𝜋
𝐼𝐸 = + 𝑔𝑚 𝑉𝜋
𝑟𝜋
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝜋 + 𝐼𝐸 . 𝑅𝐸
1
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝜋 [1 + ( + 𝑔𝑚 ) 𝑅𝐸 ]
𝑟𝜋

𝑉𝑂𝑈𝑇 = −𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶
𝑉𝑂𝑈𝑇
𝑉𝜋 = −
𝑔𝑚 𝑅𝐶

𝑉𝑂𝑈𝑇 1
𝑉𝐼𝑁 = − [1 + ( + 𝑔𝑚 ) 𝑅𝐸 ]
𝑔𝑚 𝑅𝐶 𝑟𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑔𝑚 𝑅𝐶
= ∆𝑉 = 1
𝑉𝐼𝑁 1 + ( + 𝑔𝑚 ) 𝑅𝐸
𝑟 𝜋
𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑔𝑚 𝑟𝜋 𝑅𝐶
=
𝑉𝐼𝑁 (1 + 𝑔𝑚 𝑟𝜋 )𝑅𝐸
𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝛽𝑅𝐶
=
𝑉𝐼𝑁 ( 1 + 𝛽 ) 𝑅𝐸
∗ 𝛽≫1
𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑅𝐶
=
𝑉𝐼𝑁 𝑅𝐸
3) Base común

Hallando Rin y Rout:

* Si la corriente va a tierra, la resistencia se elimina.

𝑉𝑋 = 𝑉𝜋
𝑉𝜋
𝐼𝑋 = + 𝑔𝑚 𝑉𝜋
𝑟𝜋
𝑉𝑋 𝑉𝜋
𝑅𝐼𝑁 = =
𝐼𝑋 𝑉𝜋 + 𝑔 𝑉
𝑟𝜋 𝑚 𝜋

1 𝑟𝜋 𝑟𝜋
𝑅𝐼𝑁 = = =
1 𝑟𝜋 𝑔𝑚 + 1 𝛽 + 1
𝑟𝜋 + 𝑔𝑚
∗ 𝛽≫1
𝑟𝜋 1
𝑅𝐼𝑁 = =
𝛽 𝑔𝑚
 𝑉𝜋 = 0 ∧ 𝑔𝑚 𝑉𝜋 = 0
𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐶

Ganancia en voltaje:

𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝜋

𝑉𝑂𝑈𝑇 𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶
=
𝑉𝐼𝑁 𝑉𝜋

𝑉𝑂𝑈𝑇
= 𝑔𝑚 𝑅𝐶
𝑉𝐼𝑁
4) Colector común (Buffer o seguidor)

Io proviene de una fuente de corriente constante.

Hallando Rin y Rout:

𝑅𝐼𝑁 = 𝑟𝜋 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

* La resistencia de salida de un colector común es baja.

Como base está en tierra, 𝑟𝜋 es una resistencia de emisor

1
𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝜋 ∥
𝑔𝑚

Ganancia en voltaje:

𝑉𝑂𝑈𝑇 = −𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐸
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝜋 + 𝑉𝑂𝑈𝑇

𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐸
=
𝑉𝐼𝑁 𝑉𝜋 − 𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐸

𝑉𝑂𝑈𝑇 𝑔𝑚 𝑅𝐸
=
𝑉𝐼𝑁 𝑔𝑚 𝑅𝐸 − 1
∗ 𝑔𝑚 𝑅𝐸 ≫ 1

𝑉𝑂𝑈𝑇 𝑔𝑚 𝑅𝐸
=
𝑉𝐼𝑁 𝑔𝑚 𝑅𝐸

𝑉𝑂𝑈𝑇
=1
𝑉𝐼𝑁
EJERCICIO1

CALCULO Rin
Puerto de entrada E1
Rπ1 : debe reflejarce en el emisor

𝑅𝜋
Rin = RS + (RE // (𝛽+1) )

CALCULO Rout
R out = R inferior // (RC + R superior )
R inferior: Rin Rout : Rin //(Rin + Rπ)
R superior: Rπ2

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑉𝜋2
= 𝛥𝑉 > 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 ( 𝑟𝜋2 + gm2 Vπ2)
𝑉𝑖𝑛

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑉1 𝑉𝜋2
𝛥𝑉 = ( )(𝑉𝑖𝑛) −𝑔𝑚1 𝑉𝜋1𝑅𝑋 = 𝑅𝐶 (𝑅𝜋2 + 𝑔𝑚2𝑉𝜋2)
𝑉1

𝑅𝐸 𝑉1 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝑖𝑛 𝑥 𝑅𝑆+𝑅1 (𝑉𝑖𝑛)( )
𝑉1
 TRANSISTOR MOS
(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR)

CANAL N (NMOS)

CANAL P (PMOS)

Donde:
G: Gate S: Source D: Drain

En continua:
𝑊
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 ∗ ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2
𝐿
𝜇𝜀𝑂𝑋 𝑊
𝑘𝑛 = : 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑎𝑑𝑖𝑚𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛𝑎𝑙
2𝑡𝑂𝑋 𝐿

Transconductancia:
2𝐼𝐷
𝑔𝑚 = = 2𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻
𝑉𝑇𝐻 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙
Canal N: 𝑉𝑇𝐻 > 0 Canal P: 𝑉𝑇𝐻 < 0
1) Surtidor común:

𝑉𝑂𝑈𝑇 = −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐷 )

𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐺𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐷 )

=
𝑉𝐼𝑁 𝑉𝐺𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇
= −𝑔𝑚 (𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐷 )
𝑉𝐼𝑁
2) Nada común

𝑉𝑂𝑈𝑇 = −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝐷

𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝐷

=
𝑉𝐼𝑁 𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝑆
𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑔𝑚 𝑅𝐷 −𝑅𝐷
= =
𝑉𝐼𝑁 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 1 + 𝑅
𝑔𝑚 𝑆

∗ 𝑔𝑚 𝑅𝑆 ≫ 1
𝑉𝑂𝑈𝑇 −𝑅𝐷
=
𝑉𝐼𝑁 𝑅𝑆
3) Compuerta común

𝑉𝑋
𝑅𝐼𝑁 =
𝐼𝑋
𝑉𝐺𝑆
𝑅𝐼𝑁 =
𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆
1
𝑅𝐼𝑁 =
𝑔𝑚

𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐷

𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝐷
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐺𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇
= 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑉𝐼𝑁
3) Drenador común

𝑅𝐼𝑁 = ∞
𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝑆
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝑆
=
𝑉𝐼𝑁 𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 𝑅𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇 𝑅𝑆
=
𝑉𝐼𝑁 1
𝑔𝑚 + 𝑅𝑆
∗ 𝑔𝑚 ≫ 1
𝑉𝑂𝑈𝑇 𝑅𝑆
=
𝑉𝐼𝑁 𝑅𝑆

𝑉𝑂𝑈𝑇
=1
𝑉𝐼𝑁
Circuitos híbridos (MOS - BJT)
Rin:

𝑉𝑋
𝑅𝐼𝑁 =
𝐼𝑋
𝑉𝑋 = 𝐼𝑋 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐺 )
𝑅𝐼𝑁 = 𝑅𝑆 + 𝑅𝐺
𝑅𝑆 → 0
𝑅𝐼𝑁 = 𝑅𝐺
Rout:

𝑅𝐶
−𝑔𝑚2 𝑉𝜋2 = 𝐼𝑋 ( )
𝑅𝐶 + 𝑟𝜋2
𝑉𝑥
𝐼𝑋 = − 𝑔𝑚2 𝑉𝜋2
𝑅𝐶
𝑉𝑥 𝑅𝐶
= 𝐼𝑋 − 𝐼𝑋 ( )
𝑅𝐶 𝑅𝐶 + 𝑟𝜋2
𝑉𝑥 𝑅𝐶
= 𝐼𝑋 − 𝐼𝑋 ( )
𝑅𝐶 𝑅𝐶 + 𝑟𝜋2
𝑟𝜋2
𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐶 ( )
𝑅𝐶 + 𝑟𝜋2
𝑅𝐶
𝑅𝑂𝑈𝑇 =
𝑅 𝑔
1 + 𝐶 𝑚2
𝛽
 𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑔𝑚2 𝑉𝜋2 𝑅𝐶
𝑉𝐼𝑁 𝑅𝐺
𝑉𝐺𝑆 =
𝑅𝐺 + 𝑅𝑆
𝑉𝜋2 = −𝑔𝑚 𝑉𝜋 (𝑅𝐶 ∥ 𝑟𝜋2 )

𝑉𝑂𝑈𝑇 𝑅𝐶
= −𝑔𝑚 ∗ 𝑔𝑚2 ∗ 𝑅𝐶 (𝑅𝐶 ∥ 𝑟𝜋2 ) ( )
𝑉𝐼𝑁 𝑅𝐶 + 𝑟𝜋2
 TRANSISTOR MOSFET – PROBLEMAS

1. Un transistor NMOS tiene los siguientes parámetros: 𝑉𝑇𝑁 = 0.8 𝑉, 𝑘𝑛′ =

40 𝜇 𝐴⁄𝑉 2 𝑦 𝜆 = 0. Determine la relación entre ancho y longitud (𝑊/𝐿) tal que
𝑔𝑚 = 0.5 𝑚𝐴⁄𝑉 en 𝐼𝐷 = 0.5 𝑚𝐴 cuando está polarizado en la región de
saturación. Calcular el valor requerido de 𝑉𝐺𝑆 .

Solución:

𝑘𝑛′ 𝑊 0.040 𝑊 𝑚𝐴 𝑊
𝑘𝑛 = ( ) ( ) → 𝑘𝑛 = ( )( ) ⁄𝑉 2 → 𝑘𝑛 = 0.02 ( ) 𝑚𝐴⁄𝑉 2
2 𝐿 2 𝐿 𝐿

𝑊 𝑊
𝑔𝑚 = 2√𝑘𝑛 ∗ 𝐼𝐷 → 0.5 = 2√0.02 ( ) ∗ 0.5 → = 6.25
𝐿 𝐿

𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2 → 0.5 = 0.02 ∗ 6.25 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 0.8)2 → 𝑉𝐺𝑆 = 2.8 𝑉

2. Un transistor PMOS tiene los siguientes parámetros: 𝑉𝑇𝑃 = −1.2 𝑉, 𝑘𝑝′ =

20 𝜇𝐴⁄𝑉 2 𝑦 𝜆 = 0. Determine la relación entre ancho y longitud (𝑊/𝐿) tal que
𝑔𝑚 = 50 𝜇𝐴⁄𝑉 en 𝐼𝐷 = 0.1 𝑚𝐴 cuando está polarizado en la región de
saturación. Calcular el valor requerido de 𝑉𝑆𝐺 .

Solución:

𝑘𝑝′ 𝑊 0.020 𝑊 𝑚𝐴 𝑊
𝑘𝑝 = ( ) ( ) → 𝑘𝑛 = ( )( ) ⁄𝑉 2 → 𝑘𝑛 = 0.01 ( ) 𝑚𝐴⁄𝑉 2
2 𝐿 2 𝐿 𝐿

𝑊 𝑊
𝑔𝑚 = 2√𝑘𝑛 ∗ 𝐼𝐷 → 0.05 = 2√0.01 ( ) ∗ 0.1 → = 0.625
𝐿 𝐿

𝐼𝐷 = 𝑘𝑝 ∗ (𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃 )2 → 0.1 = 0.01 ∗ 0.625 ∗ (𝑉𝑆𝐺 − 1.2)2 → 𝑉𝑆𝐺 = 5.2 𝑉

3. Calcule la ganancia de voltaje en pequeña señal de un amplificador surtidor
común, como se muestra en la figura, asumiendo 𝑔𝑚 = 1 𝐴⁄𝑉 , 𝑟𝑜 =
50 𝑘Ω 𝑦 𝑅𝐷 = 10 𝑘Ω . También asumir: 𝑅𝑆𝑖 = 2 𝑘Ω 𝑦 𝑅1 ∥ 𝑅2 = 50 𝑘Ω.

Solución:

Circuito equivalente en pequeña señal:

𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑉𝐺𝑆 = ∗ 𝑉𝑖
(𝑅1 ∥ 𝑅2 ) + 𝑅𝑆𝑖

𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝐺𝑆 ∗ (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 ) → 𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 ∗ ∗ 𝑉𝑖 ∗ (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 )
(𝑅1 ∥ 𝑅2 ) + 𝑅𝑆𝑖

𝑉𝑜 𝑅1 ∥ 𝑅2
= 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 ∗ ∗ (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 )
𝑉𝑖 (𝑅1 ∥ 𝑅2 ) + 𝑅𝑆𝑖

50
𝐴𝑣 = −1 ∗ ∗ (50 ∥ 10) → 𝐴𝑣 = −8.013
50 + 2
4. Un amplificador surtidor común, como se muestra en la figura, tiene los
siguientes parámetros: 𝑟𝑜 = 100 𝑘Ω 𝑦 𝑅𝐷 = 5 𝑘Ω. Determine la
transconductancia del transistor si la ganancia de voltaje en pequeña señal es
𝐴𝑉 = −10. Asumir 𝑅𝑆𝑖 = 0.

Solución:

Circuito equivalente en pequeña señal:

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑖

𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝐺𝑆 ∗ (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 ) → 𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝑖 ∗ (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 )

𝑉𝑜
= 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 ∗ (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 )
𝑉𝑖

−10 = −𝑔𝑚 ∗ (100 ∥ 5)

𝑔𝑚 = 2.1 𝑚𝐴⁄𝑉
5. Para el amplificador surtidor común NMOS de la figura, los parámetros para el
transistor son: 𝑉𝑇𝑁 = 2 𝑉, 𝑘𝑛 = 1 𝑚𝐴⁄𝑉 2 𝑦 𝜆 = 0. Los parámetros del circuito
son: 𝑉𝐷𝐷 = 12 𝑉, 𝑅𝑆 = 2 𝑘Ω, 𝑅𝐷 = 3 𝑘Ω, 𝑅1 = 300 𝑘Ω y 𝑅2 = 200 𝑘Ω. Asumir
𝑅𝑆𝑖 = 2 𝑘Ω y asumir una resistencia de carga 𝑅𝐿 = 3 𝑘Ω que está
capacitivamente acoplada a la salida. Determine los valores de reposo de
𝐼𝐷 𝑦 𝑉𝐷𝑆 . Encuentre la ganancia de voltaje en pequeña señal. Determine la
oscilación máxima simétrica en el voltaje de salida.

Solución:

𝑅2 200
𝑉𝐺 = ∗𝑉 → 𝑉𝐺 = ∗ 12 → 𝑉𝐺 = 4.8 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷 200 + 300

𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2 =
𝑅𝑆
2
1 ∗ 2 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 4𝑉𝐺𝑆 + 4) = 4.8 − 𝑉𝐺𝑆
2𝑉𝐺𝑆 2 − 7𝑉𝐺𝑆 + 3.2 = 0 → 𝑉𝐺 = 2.96 𝑉

𝐼𝐷 = 1 ∗ (2.96 − 2)2 → 𝐼𝐷 = 0.920 𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) → 𝑉𝐷𝑆 = 12 − 0.92 ∗ (3 + 2) → 𝑉𝐷𝑆 = 7.4 𝑉

−𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 ∗ (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )

𝑉𝑜 =
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝑅1 ∥ 𝑅2 300 ∥ 200
𝑉𝐺𝑆 = ∗ 𝑉𝑖 → 𝑉𝐺𝑆 = ∗𝑉 → 𝑉𝐺𝑆 = 0.984𝑉𝑖
(𝑅1 ∥ 𝑅2 ) + 𝑅𝑆𝑖 300 ∥ 200 + 2 𝑖
𝑉𝑜 −𝑔𝑚 ∗ 0.984 ∗ (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
= 𝐴𝑣 =
𝑉𝑖 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝑔𝑚 = 2 ∗ 1 ∗ (2.96 − 2) → 𝑔𝑚 = 1.92 𝑚𝐴⁄𝑉
−1.92 ∗ 0.984 ∗ (3 ∥ 3)
𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = −0.586
1 + 1.92 ∗ 2
6. En el circuito de la figura anterior: 𝑉𝐷𝐷 = 15 𝑉, 𝑅𝑆 = 0.5 𝑘Ω, 𝑅𝐷 = 2 𝑘Ω, 𝑅𝐿 =
5 𝑘Ω y 𝑅𝑖𝑛 = 200 𝑘Ω. Encontrar 𝑅1 y 𝑅2 tal que 𝐼𝐷𝑄 = 3 𝑚𝐴 para 𝑉𝑇𝑁 = 2 𝑉,
𝑘𝑛 = 2 𝑚𝐴⁄𝑉 2 𝑦 𝜆 = 0. Determine la ganancia de voltaje en pequeña señal.

Solución:

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷𝑄 ∗ 𝑅𝑆 → 𝑉𝑆 = 3 ∗ 0.5 → 𝑉𝑆 = 1.5 𝑉

𝐼𝐷𝑄 = 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2 → 3 = 2 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 2)2 → 𝑉𝐺𝑆 = 3.22 𝑉
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆 → 𝑉𝐺 = 3.22 + 1.5 → 𝑉𝐺 = 4.72 𝑉
𝑅2 1
𝑉𝐺 = ( ) ∗ 𝑉𝐷𝐷 → 𝑉𝐺 = ∗ 𝑅𝑖𝑛 ∗ 𝑉𝐷𝐷
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1
1
4.72 = ∗ 200 ∗ 15 → 𝑅1 = 636 𝑘Ω
𝑅1
636 ∗ 𝑅2
= 200 → 𝑅2 = 292 𝑘Ω
636 + 𝑅2
 −𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆
𝑔𝑚 = 2 ∗ 2 ∗ (3.22 − 2) → 𝑔𝑚 = 4.88 𝑚𝐴⁄𝑉
−4.88 ∗ (2 ∥ 5)
𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = −2.03
1 + 4.88 ∗ 0.5

7. Para el amplificador surtidor común de la figura, los parámetros del transistor

son: 𝑉𝑇𝑁 = −1 𝑉, 𝑘𝑛 = 4 𝑚𝐴⁄𝑉 2 𝑦 𝜆 = 0. Los parámetros del circuito son:
𝑉𝐷𝐷 = 10 𝑉 y 𝑅𝐿 = 2 𝑘Ω. Diseñar el circuito tal que 𝐼𝐷𝑄 = 2 𝑚𝐴 y 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 6 𝑉.
Determine la ganancia de voltaje en pequeña señal. Si 𝑣𝑖 = 𝑉𝑖 sin 𝜔𝑡, determine
el máximo valor de 𝑉𝑖 tal que 𝑣0 es una onda senoidal no distorsionada.

Solución:

Análisis en DC:

2
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2 → 2 = 4 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − (−1)) → 𝑉𝐺𝑆 = −0.293 𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 → −0.293 = 0 − 𝑉𝑆 → 𝑉𝑆 = 0.293 𝑉

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 → 0.293 = 2 ∗ 𝑅𝑆 → 𝑅𝑆 = 0.146 𝑘Ω

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 → 𝑉𝐷 = 6 + 0.293 → 𝑉𝐷 = 6.293 𝑉

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷 10 − 6.293
𝑅𝐷 = → 𝑅𝐷 = → 𝑅𝐷 = 1.85 𝑘Ω
𝐼𝐷 2
 −𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 =
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆

𝑔𝑚 = 2 ∗ 𝑘𝑛 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ) → 𝑔𝑚 = 2 ∗ 4 ∗ (−0.293 + 1)

𝑔𝑚 = 5.66 𝑚𝐴⁄𝑉

−5.66 ∗ (1.85 ∥ 2)
𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = −2.98
1 + 5.66 ∗ 0.146

8. Para el circuito surtidor común de la figura, los parámetros del transistor PMOS
son: 𝑉𝑇𝑃 = −1.5 𝑉, 𝑘𝑃 = 5 𝑚𝐴⁄𝑉 2 𝑦 𝜆 = 0. La resistencia de la carga es 𝑅𝐿 =
2 𝑘Ω. Diseñe el circuito tal que 𝐼𝐷𝑄 = 1 𝑚𝐴 y 𝑉𝑆𝐷𝑄 = 5 𝑉. Determine la
ganancia de voltaje en pequeña señal. ¿Cuál es la oscilación máxima simétrica
en el voltaje de salida?
Solución:

2
𝐼𝐷𝑄 = 𝑘𝑝 ∗ (𝑉𝑆𝐺𝑄 + 𝑉𝑇𝑃 ) → 1 = 5 ∗ (𝑉𝐺𝑆 − 1.5)2 → 𝑉𝑆𝐺𝑄 = 1.95 𝑉

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑆𝐺𝑄 5 − 1.95

𝑅𝑆 = → 𝑅𝑆 = → 𝑅𝑆 = 3.05 𝑘Ω
𝐼𝐷𝑄 1

𝑉𝑆𝐺𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ) → 5 = 10 − 1 ∗ (3.05 + 𝑅𝐷 ) → 𝑅𝐷 = 1.95 𝑘Ω

𝑔𝑚 = 2√𝑘𝑃 ∗ 𝐼𝐷𝑄 → 𝑔𝑚 = 2√5 ∗ 1 → 𝑔𝑚 = 4.47 𝑚𝐴⁄𝑉

𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ) → 𝐴𝑣 = −4.47 ∗ (1.95 ∥ 2) → 𝐴𝑣 = −4.41

Línea ac

1
1
− 1.9582

1
− 0.987𝑘𝛺

5 10

1
𝛥𝑖𝐷 = − 𝛥𝑉𝐷𝑠
0.987𝑘𝛺

[𝛥𝑉𝐷𝑠] = (1)(0.987) = 0.987𝑉

en voltaje Vout = 1.97 V

9. El transistor en el circuito seguidor de fuente de la figura tiene los siguientes
parámetros: 𝑘𝑃 = 2 𝑚𝐴⁄𝑉 2 , 𝑉𝑇𝑃 = −2 𝑉 𝑦 𝜆 = 0.02 𝑉 −1 . Los parámetros del
circuito son: 𝑅𝐿 = 4 𝑘Ω, 𝑅𝑆 = 4 𝑘Ω, 𝑅1 = 1.24 𝑀Ω y 𝑅2 = 396 𝑘Ω. Calcule 𝐼𝐷𝑄 y
𝑉𝑆𝐷𝑄 . Determine la ganancias de voltaje en pequeña señal 𝐴𝑣 = 𝑣𝑜 ⁄𝑣𝑖 y 𝐴𝑖 =
𝑖𝑜 ⁄𝑖𝑖 . Calcule la resistencia de salida 𝑅𝑜 .

Solución:

𝑅2 396
𝑉𝐺 = ( ) ∗ 𝑉𝐷𝐷 → 𝑉𝐺 = ( ) ∗ 10 → 𝑉𝐺 = 2.42 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 396 + 1240
𝑉𝐷𝐷 − (𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝐺 )
𝐼𝐷𝑄 = ∧ 𝐼𝐷𝑄 = 𝑘𝑝 (𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃 )2
𝑅𝑆
7.58 − 𝑉𝑆𝐺 2 2
= 2(𝑉𝑆𝐺 − 4𝑉𝑆𝐺 + 4) → 8𝑉𝑆𝐺 − 31𝑉𝑆𝐺 + 24.4 = 0 → 𝑉𝑆𝐺 = 2.78 𝑉
4

𝐼𝐷𝑄 = 𝑘𝑝 ∗ (𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃 )2 → 𝐼𝐷𝑄 = 1.21 𝑚𝐴

𝑉𝑆𝐷𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 ∗ 𝑅𝑆 → 𝐼𝐷𝑄 = 10 − 1.21 ∗ 4 → 𝐼𝐷𝑄 = 5.16 𝑉

Circuito equivalente en pequeña señal:

𝑔𝑚 = 2√𝑘𝑃 ∗ 𝐼𝐷𝑄 → 𝑔𝑚 = 2√2 ∗ 1.21 → 𝑔𝑚 = 3.11 𝑚𝐴⁄𝑉

1 1
𝑟𝑜 = → 𝑟𝑜 = → 𝑟𝑜 = 41.3 𝑘Ω
𝜆 ∗ 𝐼𝐷𝑄 0.02 ∗ 1.21
𝑉𝑖 = −𝑉𝑆𝐺 ∗ [1 + (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 )] ∧ 𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝑖 ∗ (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 )
𝑉𝑜 𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 ) 3.11 ∗ (4 ∥ 4 ∥ 41.3)
𝐴𝑣 = = → 𝐴𝑣 =
𝑉𝑖 1 + 𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 ) 1 + 3.11 ∗ (4 ∥ 4 ∥ 41.3)
𝐴𝑣 = 0.886

𝑅𝑆 ∥ 𝑟𝑜
𝐼𝑜 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑉𝑆𝐺 ∗ ( )
𝑅𝑆 ∥ 𝑟𝑜 + 𝑅𝐿
−𝑉𝑖
𝑉𝑆𝐺 = ∧ 𝑉𝑖 = 𝐼𝑖 ∗ (𝑅1 ∥ 𝑅2 )
1 + 𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 )

𝐼𝑜 𝑔𝑚 ∗ (𝑅1 ∥ 𝑅2 ) 𝑅𝑆 ∥ 𝑟𝑜
𝐴𝑖 = = ∗
𝐼𝑖 1 + 𝑔𝑚 ∗ (𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 ) 𝑅𝑆 ∥ 𝑟𝑜 + 𝑅𝐿
3.11 ∗ (396 ∥ 1240) 4 ∥ 41.3
𝐴𝑖 = ∗ → 𝐴𝑖 = 64.2
1 + 3.11 ∗ (4 ∥ 4 ∥ 41.3) 4 ∥ 41.3 + 4
3.11 ∗ 300 3.647
𝐴𝑖 = ∗
1 + 3.11 ∗ 300 3.647 + 4

1 1
𝑅𝑜 = ∥ 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 → 𝑅𝑜 = ∥ 4 ∥ 4 ∥ 41.3 → 𝑅𝑜 = 0.275 𝑘Ω
𝑔𝑚 3.11
10. Considere el PMOS compuerta común de la figura. Los parámetros de
transistor son: 𝑉𝑇𝑃 = −1 𝑉, 𝑘𝑃 = 0.5 𝑚𝐴⁄𝑉 2 𝑦 𝜆 = 0. Determine 𝑅𝑆 y 𝑅𝐷 tal
que 𝐼𝐷𝑄 = 0.75 𝑚𝐴 y 𝑉𝑆𝐷𝑄 = 6 𝑉. Determine la impedancia de entrada 𝑅𝑖 y la
impedancia de salida 𝑅𝑜 . Determine la carga de corriente 𝑖𝑜 y el voltaje de
salida 𝑣𝑜 si 𝑖𝑖 = 5 sin 𝜔𝑡 𝜇𝐴.

Solución:

𝐼𝐷𝑄 = 𝑘𝑝 ∗ (𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃 )2 → 0.75 = 0.5 ∗ (𝑉𝑆𝐺 − 1)2 → 𝑉𝑆𝐺 = 2.22 𝑉

5 − 2.22
𝑉 + = 𝐼𝐷𝑄 ∗ 𝑅𝑆 + 𝑉𝑆𝐺 → 𝑅𝑆 = → 𝑅𝑆 = 3.71 𝑘Ω
0.75
𝑉𝑆𝐷𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 ∗ (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )
6 = 10 − 0.75 ∗ (3.71 + 𝑅𝐷 ) → 𝑅𝐷 = 1.62 𝑘Ω

1
𝑅𝑖 =
𝑔𝑚
𝑔𝑚 = 2√𝑘𝑃 ∗ 𝐼𝐷𝑄 → 𝑔𝑚 = 2√0.5 ∗ 0.75 → 𝑔𝑚 = 1.22 𝑚𝐴⁄𝑉
1
𝑅𝑖 = → 𝑅𝑖 = 0.816 𝑘Ω
1.22
𝑅𝑜 = 𝑅𝐷 → 𝑅𝑜 = 1.62 𝑘Ω

𝑅𝐷 𝑅𝑆
𝑖𝑜 = ( )∗( ) ∗ 𝑖𝑖
𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑅𝑆 + 1⁄𝑔𝑚
1.62 3.71
𝑖𝑜 = ( )∗( ) ∗ 𝑖𝑖
1.62 + 2 3.71 + 0.816
𝑖𝑜 = 0.367 ∗ 𝑖𝑖 → 𝑖𝑜 = 1.84 sin 𝜔𝑡 𝜇𝐴

𝑣𝑜 = 𝑖𝑜 ∗ 𝑅𝐿 → 𝑣𝑜 = 1.84 ∗ 2 sin 𝜔𝑡 → 𝑣𝑜 = 3.68 sin 𝜔𝑡 𝑚𝑉

 AMPLIFICADORES DIFERENCIALES

β1=β2=β

Rc1=Rc2=Rc

Si trabajas solo con v1 y de entrada v2 el dispositivo 1 funciona como inversor

como el dispositivo 2 trabaja como el dispositivo de derivación y se trabaja
contrario el dispositivo 2 trabajaría como inversor y el dispositivo 1 trabajaría
como derivación.

 Específicamente un amplificador diferencial correctamente diseñado

amplificara la diferencia entre sus señales de entrada en un factor de
ganancia y el componente promedio de sus señales de entrada por un
factor de ganancia mucho más pequeño.
 Modo diferencial de la entrada(md)

Vin md = v1 – v2

 Modo comun de la entrada (mc)

𝑉1 + 𝑉2
𝑉 𝑖𝑛 𝑚𝑐 =
2
Por lo tanto v1=f(mc,md)
𝑉𝑖𝑛 𝑚𝑑
 𝑉1 = Vin mc + 2

𝑉1 + 𝑉2 V1 − V2
𝑉1 = + = 𝑉1
2 2
Vin md
 𝑉2 = Vin mc −
2

𝑉1 + 𝑉2 𝑉1 − 𝑉2
𝑉2 = − = 𝑉2
2 2

SALIDA (Vout)

Vout md = Vout1 – Vout2

𝑉𝑜𝑢𝑡1+𝑉𝑜𝑢𝑡2
Vout mc = 2

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑚𝑑
Vout1 = Vout mc + 2

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑚𝑑
Vout2 = Vout mc - 2
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL (BJT) CON UNA SOLA ENTRADA

Vout1 = -gm1 Vᴨ*Rc1 V1 = Vᴨ1 + Vᴨ2

AMPLIFICADOR NADA COMUN (EMISOR EN DERIVACION)

CALCULO DE RE

𝑉𝑥
RE = 𝐼𝑥
=? VX = Vπ2

𝑉𝜋2 𝑉𝜋2 𝑅𝜋2 1

Ix : gm Vπ2 + 𝑅𝜋2 RE2 = 1 = 𝑔𝑚2𝑅𝜋2 ≈ 𝑔𝑚2
𝑉𝜋2 (𝑔𝑚2+ )
𝑅𝜋2
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL BJT CON UNA SOLA ENTRADA

𝑅𝐶 𝑅𝐶
Vout1 = −𝑔𝑚1 1 = −𝑔𝑚1 2𝑅𝜋
𝑅𝜋1+( )(𝛽+1)
𝑔𝑚2
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON DOS ENTRADA
 2 va = Ib1 Rᴨ + Ib2 Rᴨ

2 va 2 𝑣𝑎
V1-Vᴨ1 = -(Vᴨ2 + V2 ) Ib1 = Ib2 =
2𝑟ᴨ 2𝑟ᴨ
−𝑣𝑎
VI +V2 = Vᴨ1 - Vᴨ2 = Ib1 Rᴨ1 – Ib2 Rᴨ2 Ib2 =
𝑟ᴨ

Por simetria β1 = β2 = β

Ib1 = - Ib2

Vo1 = -β Ib1 RC

V02 = -β Ib2 RC

REEMPLAZANDO
𝛽 𝑣𝑎(𝑇)
V01 = − 𝑟ᴨ
RC

𝛽 𝑣𝑎(𝑇)
V02 = 𝑟ᴨ
𝑅𝐶
GANANCIA MODO DIFERENCIAL
ESPEJOS DE
CORRIENTE

DISPOSITIVO DE
POLARIZACION

RED DE

POLARIZACION
I0

CIRCUITO A POLARIZAR
IB IB2

Dispositivo I0
IB1 + IB2
De

Referencia

RELACION

IA E I ref
𝐼 𝑟𝑒𝑓 𝐼𝑜
IA = I ref + +
𝛽+1 𝛽+1
1
IA = I ref ( 1 + )
𝛽

Si β >> 1

IA ≈ I ref

Pero Vbe1 = V be2 IE1 = IE2

Como

IE1 ≈ I ref
IE2 ≈ Io

Io ≈ IA igual a espejo de corriente

EJEMPLO

Diseñar un amplificador diferencial con cargas remitidas en las que cada una de ellas lleva una
corriente de aproximadamente 1.5 ma . La ganancia deberá definirse mediante una caída de
voltaje 5v a través de cada resistencia de carga. La alimentación disponible esta mediante una
fuente simétrica de ± 10v. Determinar cuál de los siguientes transistores que se van a utilizar
contienen la mayor potencia.

β3 = β4 >> 1
10−0.7
IC = IE RA = 3𝑚𝑎
= 3.1 k𝝮
𝑉𝑅𝐶 5𝑉
RC = =
𝐼𝐶 1.5𝑚𝑎

Rc = 3.33 k𝛺
Por espejos de corriente

IA ≈ I ref = 3ma

ANALISIS EN DC (SUPERPOSICION)

Debido a que consume la mayor

potencia es recomendable que en la
práctica se use una de mediana
potencia

V δ = -0.7 v

Para Q1

Vce1 = - IA RA – VEE

Vce1 = 10 – 3ma (3.1k𝝮)

Vce2 = 0.7 v

Potencia

PQ1 = (Vce1)(IA) = 2.1 MW

PARA Q2 PQ2 = (Vce)(Io)

Vce2 = -VEE – Vδ PQ2 = 28 MW

Vce2 = 10 – 0.7 = 9.3 v

PQ3

Vce3 = 10 – VRC - Vδ

Vce3 = 10 -5 + 0.7 = 5.7 v

PQ3 = (Vce 3)(IE3)

PQ3 = 8.55 MW

PARA Q4

PQ4 = 8.55 MW
PRACTICA DIRIGIDA

TEMA : AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

1 CALCULE EL VALOR DE Vout en el siguiente circuito

β1 = β2 = β
𝐼0
IE1 + IE2 =
2

Solución = divisor de tensión

7.5
VA = - VCC * 10+7.5

VA = -5.14
 0−𝑉𝐴 5.14 𝑉
IA = 𝑅𝐴
= 7.5 𝐾𝛺 = 0.68 mA
𝑉𝐸𝐸−( 𝑉𝐴+0.7)
I0 = 4.3 𝐾𝛺
= 1.43 mA
MODO DIFERENCIAL (EN COLECTOR COMUN)

𝑔𝑚 𝑅𝐶
V out =
2

𝐼𝐸
𝑉𝑜𝑢𝑡 ∗𝑅𝐶 𝐼𝐸 𝑅𝐶
= 𝑉𝑇 =
𝑉 𝑖𝑛 2 2𝑉𝑇

1.43
𝑉𝑜𝑢𝑡 ( )(8200)
2
𝑉𝑖𝑛
= 2(0.025)
= 117.26

V out = 1.172 V

A md = 117.26

MODO COMUN ( EN COLECTOR 2)

−𝛽𝑅𝐶
A mc =
𝑅𝜋+2 (𝛽+1) 𝑅𝜋

100(8200)
A mc =
3.496+2(101)(17)

82 𝑥 104
A mc =
6930 𝑥 103

A mc = 0.118

𝐶𝑀𝑅𝑅 117.26
𝑑𝐵
= 20 LOG ( 0118 )

CMRR = 60 Db
 RA //RX = RB3
𝑉𝑋
Rn = 𝐼𝑋
Ix = gm3 Vπ3

𝛽 𝛽 𝛽𝑉𝑇
 Rπ3 = = 𝐼𝐸 =
𝑔𝑚 𝐼𝐸
𝑉𝑇

100 (25𝑚𝑉)
Rπ3 = 1.43𝑚𝐴

Rπ = 1.748 K𝝮

1
 Vx = gm3 Vπ3 {RY //(RB3 + Rπ3)(𝛽+1)}

1
Rn = 1 Rn ≈ 17K𝝮
𝑅𝑌 (𝑅𝐵3+𝑅𝜋3)( )
𝛽+1

𝛽 100(25𝑚𝑉)
Rn = 𝑔𝑚 = 1.43
𝑚𝐴
2
 RESPUESTA EN FRECUENCIA

Cc1 : capacito de carga de entrada

Cc2 : capacitor de carga de salida
CE : capacitor de derivación

 Análisis Cc1 del circuito nada común

 RB = RI // R2
1
Rin = {(RE(β + 1) + Rπ ) // RB} + (RS + 𝑆𝐶𝑐1)

{Rπ + RE (β+1)} // RB}

CIRCUITO RC τ = RC
𝑉𝐵
FUNCION TRANSFERENCIA (s)
𝑉𝑖𝑛
Τs = (RS + RP) Cc1
𝑅𝑝
VB = Vin 1
𝑅𝑆+ +𝑅𝑃
𝑆𝐶𝑐1

𝑉𝐵 𝐴𝐿𝐺𝑂
𝑉𝑖𝑛
= 𝐾 (1+𝑆𝜏𝑠)
𝑉𝐵 𝑅𝑝 𝑅𝑝 𝑆𝐶𝑐1
𝑉𝑖𝑛
= 𝑅𝑠𝑆𝐶𝑐1+1+𝑅𝑝𝑆𝐶𝑐1 = 1+𝑆𝐶𝑐1(𝑅𝑠+𝑅 𝑝)
𝑆𝐶𝑐1

1
 F1 =
2𝜋 𝜏𝑆

1
F1 = 2𝜋 ( 𝑅𝑆+𝑅𝑃) 𝐶𝑐1

𝑔𝑚𝑅𝜋𝑅𝐶
‖𝐴𝑣 𝑚𝑎𝑥‖𝑑𝐵 = 20 log ( )
𝑅𝑆+𝑅𝑃

 EJEMPLO
PARA EL SIGUIENTE CIRCUITO

CALCULAR LA FRECUENCIA DE ESQUINA DE (CORTE) Y DE LA GANANCIA MAXIMA DE

UN CIRCUITO DE EMISOR COMUN
R2 = 9.6K𝝮

R1 = 51.2K𝝮

RC = 2K𝝮

RE = 0.4K𝝮

RS = 0.1K𝝮

Cc1 = 1UF

β = 100

ANALISIS EN DC : gm ; Rπ
 𝑉𝐸
IE = 𝑅𝐸 Vbe = Vb – Ve

Vbe = Vb – 0.7V

𝑉𝐵 − 0.7 𝑉
𝐼𝐸 =
0.4 𝐾𝛺

9.6
10 ( ) − 0.7
𝐼𝐸 = 9.6 + 51.2
0.4𝐾𝛺

IE = 2.19 Ma

𝐼𝐸 2.19 𝑚𝐴 𝑚𝐴
Gm = 𝑉𝑇 = 0.025
= 87.6 ( 𝑉
)

𝛽 100
Rπ = = (v/A)
𝑔𝑚 87.6 𝑥 10−3

Rπ = 1.14 (k𝝮)

CALCULO F1

(R1//R2) // {Rπ + RE (β + 1)}

(51.2//9.6) // { 1.14 + 0.4 (101) }

1
F1 =
2𝜋 (0.1+6.78)𝑋 103 ¨(1𝑋 10−6 )

F1 = 23.13 (HZ)

87.6 𝑥 10−3 𝑥 1.14 𝑥 10 3 𝑥 2 𝑥 103

[𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥] dB = 20 log ( )
0.1 𝑥 103 𝑥+ 6.78 𝑥 103

[Avmax] = 29.25 (dB)

AV
-3dB

F1 = 23.13 hz
Vout = -gm Vπ RC
𝑉𝑖𝑛
IB = 1
𝑅𝑆+𝑉𝜋+(𝛽+1) (𝑅𝐶∗
𝑆𝐶𝐸 )

Vπ = Ib Vπ
𝑉𝑜𝑢𝑡 1
𝑉𝑖𝑛
= −(𝑔𝑚 𝑣𝜋 . 𝑅𝐶 ) 𝑥 𝑅𝐶 )
𝑅𝑆+𝑉𝜋+(𝛽+1)(
𝑅𝐸𝑆𝐶𝐸+1

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶 (1+𝑅𝐸 𝑆𝐶𝐸)

𝑉𝑖𝑛
= − (𝑅𝑆+𝑉𝜋) (1+𝑅𝐸 𝑆𝐶𝐸)+𝑅𝐸 (𝛽+1)

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶+𝑔𝑚𝑉𝜋𝑅𝐸 𝑅𝐶𝑆𝐶𝐸

𝑉𝑖𝑛
=− 𝑅𝑆+𝑉𝜋+𝑅𝐸 (𝛽+1)+(𝑅𝑆+𝑉𝜋)(𝑅𝐸𝑆𝐶𝐸)

𝑔𝑚𝑉𝜋 𝑅𝐶 1+𝑆𝑅𝐸𝐶𝐸
AV = − 𝑋 𝑆𝑅𝐸 (𝑅𝑆+𝑉𝜋)𝐶𝐸
𝑅𝑆+𝑉𝜋+(𝛽+1)𝑅𝐸 1+
{𝑅𝑆+𝑉𝜋+(𝛽+1) 𝑅𝐸

𝑔𝑚𝑉𝜋 𝑅𝐶 1+𝑆𝜏𝐴
𝐴𝑉 = − 𝑅𝑆+𝑉𝜋+(𝛽+1)𝑅𝐸 (1+𝑆𝜏𝐵)

DONDE

Τa = RE CE
𝑅𝐸(𝑅𝑆+𝑉𝜋)𝐶𝐸
Τb = 𝑅𝑆+𝑉𝜋+(𝛽+1)𝑅𝐸

La grafica de bode de la magnitud de ganancia de voltaje tiene dos asíntotas horizontales

limitantes si consideramos el limite usando w = 0 el capacito ce actúa como un circuito
abierto y para w = ∞ CE actúa como un cortocircuito.
 𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶
[𝐴𝑉]w= 0 =
𝑅𝑆+𝑉𝜋+(𝛽+1)𝑅𝐸

𝑔𝑚 𝑉𝜋 𝑅𝐶
[AV] w=∞ =
𝑅𝑆+𝑉𝜋

1
FA = 2𝜋𝜏𝐴

1
FB = 2𝜋𝜏𝐵

EJEMPLO
Determinar la τ de esquina y las asíntotas horizontales limitantes
SOLUCION

Τ A = 4𝑋103 𝑋 1 𝑋 10−6 Τa = 4l

𝛽𝑉𝑇 (100)(25𝑚𝑉)
Rπ = 𝐼𝐸
= 1,07𝑚𝐴
= 2.34 𝐾𝞨

IE = 1.07 mA

Τa = 4 m𝝮
Τb = 27.9

FA = 39.78 (HZ)
FB = 5.7 (HZ)

0.5

T hz
34.78 5700
 𝑅𝐸 𝑅𝐸𝐸
Rπ + {( + )(𝛽 + 1)} Amc pequeña
2 2

𝑉𝑖𝑛𝑑 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑚𝑑 = )( )
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑉𝑖𝑑

𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑅𝜋1 + 𝑅𝐸
𝑉𝑖𝑑 = =( )
2 𝑅𝑆 + 𝑅𝜋1 + 𝑅𝐸

Vid = 6.8

Amd = (0.8)(50) = 40

𝑅𝐶 𝛥𝑅𝐶
Amc = 2 𝑅𝐸𝐸 ( 𝑅𝐶
)
𝛥𝑅𝐶
Amc = Δ2𝑅𝜋
40
CMRR = 20 log (
5𝑥104 )
 CMRR = 98dB
EJERCICIO
PARA EL SGIUIENTE CIRCUITO ( AMPLIFICADOR DIFERENCIAL RUDIMENTARIO),
SI β SON IGUALES PARA CADA TRANSISTOR ENCUENTRE.
a) EL PUNTO DE OPERACIÓN APROXIMADO EN CADA OPERACIÓN
b) EL GM EN PEQUEÑA SEÑAL PARA CADA DISPOSITIVO
c) DETERMINE LAS EXPRESIONES PARA LA GANANCIA EN MODO COMUN Y E
MODO DIFERENCIAL DEL AMPLIFICADOR
d) ENCUENTRE LA GANANCIA DEL AMPLIFICADOR MULTIETAPA
𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑉𝑖𝑛
e) Encuentre las entradas V+ Y V-
 IE1 + IE2 = IO
Vce1 = 5.3v
𝑅𝐶
Amc = −
2 𝑅𝜋

10𝑘𝞨 𝟏
Amc = - 𝟐(𝟏𝟎𝒌𝞨) = − 𝟐

Amd = -gm RL

⅀V = ⅀V

6 = 0.7 + IO REE
5.3
IO = 5𝐾𝛺 1.06 Ma

IE1 + IE2 = IO ……… (1)

Vce1 = 5.3 V
IE2 (RC) + Vce2 = 6.7

6.7
15𝑘𝛺
= 0.44𝑚𝐴

0.22mA

Vce2
4.5 6.7v

IE1 = 0.84 mA
IE2 = 0.22 mA
Vce1 = 5.3V
Vce2 = 4.5V
0.22
Amd = ( 25 )(10000)

Amd = -88

𝐴𝑑
CMRR = 20 log [ 𝐴𝑐 ]

88
= 20 log [ ]
0.5

CMRR = 44.91 dB

Q3 EN DC
Vbe + 6 = 0.7 + I3RE
3.8 + 6 – 0.7 = I3RE
4.3
I3 = 10𝐾𝛺

I3 = 0.91 mA

Si Vin = 10 mVpp
Vout max = (10 mVpp)(88)
= 880 mVpp = 0.88 Vpp
CONCEPTO DE POLO DOMINANTE
[𝐴𝑣]

REGION BANDA MEDIA

POLO

DOMINANTE

DE ALTA
FRECUENCIA

W1 WH

Band width = BW = WH – W1

EJERCICIO

DETERMINAR LOS PUNTOS TERMINALES DE -3 dB de alta y baja frecuencia del

siguiente circuito utilizando el principio de polo dominante el MOSFET tiene una
capacitancia de cgs = 8pf con un capacito drenador surtidor cds cgd despreciables y
una resistencia de salida Ro = 100k𝝮.

El dispositivo esta polarizado en la región de corriente constante con k= 1mA/r2 y

voltaje umbral de vth = 4v de manera que la corriente drenador en dc ID = 1mA .

2𝑚𝐴
𝑔𝑚 = 2 √𝐾 𝐼𝑂 =
𝑉
SOLO

SOLUCION

Los capacitores c1 y c2 aparecen en serie con la trayectoria de la señal y por tanto se

comportan como capacitores de baja frecuencia que reducen la ganancia del
amplificador conforme se reduce la frecuencia. Por tanto parte los capacitores en
paralelo cL y cgs actúan para reducir la ganancia conforme se incrementa la frecuencia
comportándose como consiguiente como capacitores de alta frecuencia. Un análisis
simple de pequeña señal aproximado quiere decir que c1 y c2 son tratados como corto
circuito y lo capacitores cL cgs como circuitos abiertos.

 Análisis en pequeña señal

 Guanacia en banda media del amplificador
 C1 y c2 como corto circuito
 Cl y cgs como circuitos abiertos
RG = R1//R2

𝑉𝑖𝑛𝑅𝐺
V1 = 𝑅𝑆+𝑅𝐺 RS =MUY PEQUEÑO

V1 = Vin

ΔV = -gm (ro// RO // RL)

2𝑚𝐴
ΔV = − (100K𝝮 // 5K𝝮 // 10K𝝮)
𝑉

AV = -6.67 v
 FEEDBACK (REALIMENTACIÓN)

¿Qué significa?
Tomar o censar el parámetro de salida y compáralo con la entrada.

Lazo cerrado:

X: entrada
Y: salida
A1: Ganancia en lazo abierto
K: Red de realimentación
Xf: error

𝑋𝑓 = 𝑋 − 𝑌𝐾
𝑌
= 𝐴1
𝑋𝑓
𝑌
= 𝑋 − 𝑌𝐾
𝐴1
Feedback negativo:
𝑌 𝐴1
=
𝑋 1 + 𝐴1 𝐾
Feedback positivo:
𝑌 𝐴1
=
𝑋 1 − 𝐴1 𝐾
Propiedades de la realimentación negativa:

1. Desensibilización de la ganancia:

Ganancia de lazo cerrado < Ganancia de lazo abierto

2. Extensión del ancho de banda:

X es un divisor de voltaje que hace una réplica del voltaje de salida (Y) y
la compara con el voltaje de entrada.

𝑅2
𝑉𝑋 = 𝑉𝑌
𝑅1 + 𝑅2
𝑉𝑋 𝑅2
= =𝐾
𝑉𝑌 𝑅1 + 𝑅2
𝑌 𝐴1
=
𝐾 1 + 𝐾. 𝐴1
3. Modificación de la resistencia de entrada y la resistencia de salida:

Open loop:

1
𝑅𝑖𝑛 = 𝑔
𝑚

𝑅𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐷
𝐴1 = 𝑔𝑚 𝑅𝐷

Close loop:

𝑉𝑋
𝑅𝐼𝑁 =
𝐼𝑋
𝐼𝑋 = 𝑔𝑚 𝑉1
𝑉𝑋 = 𝑉1 + 𝑉2
𝐼𝑋 = 𝑔𝑚 (𝑉𝑋 − 𝑉2 )
𝑉𝑋 1 𝑅2
𝑅𝐼𝑁 = = (1 + 𝑔 𝑅 )
𝐼𝑋 𝑔𝑚 𝑅1 + 𝑅2 𝑚 𝐷
𝑅𝐼𝑁 = 𝑅𝐼𝑁𝑂𝐿 (1 + 𝐾. 𝐴1 )
 𝑉𝑋
𝑅𝑂𝑈𝑇 =
𝐼𝑋
𝑉𝑋 𝑅𝐷
=
𝐼𝑋 1 + 𝑅2 𝑔 𝑅
𝑅1 + 𝑅2 𝑚 𝐷
𝑅𝑂𝑈𝑇𝑂𝐿
𝑅𝑂𝑈𝑇 =
1 + 𝐾. 𝐴1

En resumen:

𝑅𝐼𝑁𝐶𝐿 > 𝑅𝐼𝑁𝑂𝐿

𝑅𝑂𝑈𝑇𝐶𝐿 < 𝑅𝑂𝑈𝑇𝑂𝐿
1 voltaje

2 Transimpedancia

𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝐼𝑖𝑛
3 Transconductancia

4 Corriente
Modelo idelales

1 voltaje

𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝐴𝑣 𝑉𝑖𝑛

2 Transimpedancia

Vout = Ro . Iin
 3 Transconductancia

I out

t=∞ Rout = ∞

I out = Gm Vin

MODELO DE MOSFET

4 Corriente

Iout = AI. I in
PRINCIPIOS DE FEEDBACK

COMO SE MIDE EL VOLTAJE ATRACES DE UN PUERTO?

SE MIDE A TRAVES DE UN MULTIMETRO CUYA IMPEDANCIA ES INFINITA ( LA CONEXIÓN ES EN

PARALELO)

COMO SE MIDE LA CORRIENTE EN EL PUERTO DE SALIDA

SE MIDE EN SERIE CON UN AMPERIMETRO CUYA IMPEDANCIA ES CERO

Ejemplo

𝑅2
𝑉𝑓 = 𝑉𝑜𝑢𝑡 .
𝑅1+𝑅2
R1 + R2 debe ser muy grande para no afectar a A1

Entonces mientras mas pequeña se Rs 𝐼𝑜𝑢𝑡 ≈ 𝐼𝑓

1
𝑅𝑠 ≪
𝑔𝑚

Para retomar el voltaje o corriente a la entrada debemos emplear un

mecanismo para sumar o sustraer dichas cantidades.
Para sumar dos fuentes de voltaje: la conexión en serie análisis en el
puerto de entrada.
 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝐴 ( 𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑓)

𝐼𝑂 = 𝐾𝑛
REGLAS PARA ROMPER LA RED DE REALIMENTACION

1 VOLTAJE / VOLTAJE

𝑉
𝑉
2 voltaje / corriente

𝑉
𝐼

3 Corriente / corriente

𝐼
𝐼
4 Corriente / Voltaje
Ejemplos

1)
Modelo real

𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑉𝑖𝑛
= 𝑔𝑚1 . 𝑅𝑑 AV : gm1. RD

Rin : ∞

Rout : 1/gm2

2)
 1
Rin = 𝑔𝑚1 Por seguidor

Vout = gm1v1 RD
1
Rout = 𝑔𝑚2 Vout = I in.RD

𝑉𝑜𝑢𝑡
RD =
𝐼 𝑖𝑛

Ejercicios
 𝑉𝑜𝑢𝑡
= 𝐴𝑣 = ? Vout = v2
𝑉𝑖𝑛

V out : gm1.v1 . RL

V1 = V in – gm2.v2 .RS
V1 = Vin +

Vin = Vin + gm2.v2 RS gm2.v2Rs= Vf

REALIMENTACION NEGATIVA
PRACTICA DIRIGIDA

1 Para el siguiente circuito encuentre

a) Red feedback
b) Rin de lazo cerrado
c) Rout de lazo abierto
 𝑅𝑖𝑛 𝑜𝑙 =
𝑉𝑖𝑛 𝑅𝑜𝑢𝑡 𝑜𝑙 =𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐼 𝑖𝑛 𝑉𝑖𝑛

𝐼 𝐺𝑜
=
𝑉 1 + 𝑘𝐺𝑜
= Rf // 1/gm1

Vout = gm2.v2 (Rf//Rl)

𝑉1 1
I in = gm1.v1 + = 𝑉1 (𝑔𝑚1 + )
𝑅𝑓 𝑅𝑓
 𝐼2 1
K= =−
𝑉1 𝑅𝑓

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑅𝑜
=
𝐼𝑖𝑛 1 + 𝐾 𝑅𝑂
RF : suponer que es muy grande
𝐼𝑖𝑛 𝐼𝑖𝑛 𝑉2
𝑜 ( )
𝑉𝑥 𝑉2 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐼𝑖𝑛 𝐼𝑖𝑛 1
𝑉2 = 𝑔𝑚1𝑣1 , 𝑅𝐷 − =
𝑉2 𝑉2 𝑅𝐷

𝑉2 1
𝑉𝑜𝑢𝑡 = −𝑔𝑚2𝑣2. 𝑅𝐿− , =−
𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑔𝑚2𝑅𝐿

1 1 1
= ( )( − )
𝑅𝑜 𝑅𝑜 𝑔𝑚2𝑅𝐿
𝑅𝑜
Ro = –R(gm2RL)
1+𝑘𝑅𝑜

𝑅𝑔𝑚𝑅𝐿
𝑅𝑜𝑐𝑙 = 1
1+ (𝑅𝑜.𝑔𝑚2,𝑅𝐿)
𝑅𝐿
R entrada : teorema calculo Rin

𝑉𝑥
𝐼𝑓: 𝑘 . 𝑅𝑜
𝑅𝑖𝑛
Ix : If + Ie .
𝑉𝑥 𝑉𝑥
Ix 𝐼𝑥 ∶ 𝑘 . 𝑅𝑜 +
𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑖𝑛

𝑉𝑥 𝑅𝑖𝑛
∶
𝑖𝑥 1 + 𝑘𝑅𝑜