7.

TRANZISTORI

Tranzistori su aktivni poluvodički elementi, u pravilu s tri elektrode, a pretežito se

upotrebljavaju kao pojačala ili elektroničke sklopke. Njegov naziv dolazi od Transfer
Resistor (prijenosni otpornik), a može biti bipolaran ako korisnu struju kroz njega
čine i manjinski i većinski nositelji naboja ili unipolaran ako je struja posljedica
djelovanja većinskih nosilaca.
Bipolarni tranzistori nazivaju se još i spojni (eng. junction), a mogu biti PNP ili
NPN tipa.
Unipolarni tranzistori još se nazivaju i tranzistori s efektom polja (eng. Field Effect
Transistor), a postoje dva osnovna kontrukcijska oblika: spojni tranzistori s efektom
polja (Junction Field Effect Tranzistor) i metal oksidni poluvodički tranzistor s
efektom polja (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tranzistor) ili skraćeno FET i

$
MOSFET.
Bipolarni i unipolarni tranzistori imaju sličnu temeljnu poluvodičku strukturu, ali

,.
su bitno različiti u načinu upravljanja izlaznom strujom.

7.1. Unipolarni tranzistori

1
Kod unipolarnih tranzistora, izlazna struja je struja većinskih nosilaca koja nastaje
uz zanemarivo malo djelovanje manjinskih nosilaca. Oni se lakše proizvode od
2
bipolarnih tranzistora i zauzimaju malo prostora kada se proizvode u tehnici
integriranih krugova. Imaju vrlo veliku ulaznu impedanciju, tako da ih se može
usporediti s elektroničkim cijevima. Unipolarni tranzistor kao i elektronička cijev je
75

naponski upravljiv elektronički element, što je velika prednost prema bipolarnom

tranzistoru koji je strujno upravljivi element.

7.1.1. Spojni tranzistor s efektom polja

.

Spojni tranzistori s efektom polja se proizvode: s kanalom N tipa i s kanalom P

tipa. Pojednostavljena struktura FET-a s kanalom N tipa prikazana je slikom 179.
(
(/

Slika 179. Pojednostavljena struktura spojnog tranzistora s efektom polja

Komadić materijala N tipa koji predstavlja kanal, ima oblik štapa, čiji krajevi se
nazivaju izvod ili ponor (eng. drain) i izvor (eng. source). Na drugim stranama kanala
71
oformljena su područja P tipa, međusobno povezana i jako dopirana (P+) koja s manje
dopiranim (N) kanalom čine PN spoj, a cijelo to područje naziva se upravljačka
elektroda (end. gate). Ukoliko se na krajeve kanala sa slobodnim priključkom
upravljačke elektrode, dovede napon UDD, tada će kroz njega poteći struja većinskih
nosilaca - elektrona. Jakost ove struje određena je Ohmovim zakonom, odnosno
naponom UDS i otporom kanala. Izvor (S) je kraj kroz koji većinski nosioci ulaze u
kanal, ponor (D) je onaj kraj kroz koji većinski nosioci izlaze iz kanala. Područja
upravljačkih elektroda mogu se dobiti legiranjem, difuzijom ili nekom drugim
postupkom, a jedan tip konstrukcije FET-a dobiven procesom difuzije prikazan je
slikom 180.
Proces započinje s podlogom P tipa, na kojoj se difuzijom donorskih primjesa
oformi kanal N tipa. Tada se difuzijom primjesa P tipa (akceptorskih primjesa) na N
kanalu oformi jedna strana upravljačke elektrode, dok drugu stranu predstavlja

$
podloga. Na kraju se nanosi metal za mjesta priključaka.

,.
1
2
75

Slika 180. Konstrukcija FET-a dobiven procesom difuzije

Ako se na upravljačku elektrodu (G) priključi negativan potencijal u odnosu na

potencijal izvoda (S), osiromašeni slojevi PN spojeva se prošire jer su PN spojevi
polarizirani u inverznom smjeru, i to više u području kanala, a manje u području
.

upravljačke elektrode zbog različitih koncentracija primjesa (slika 179). Iz osiromašenog

sloja strujni nosioci su difundirali preko spoja, ostavljajući pozitivne ione na N strani i
(

negativne ione na P strani. Ukoliko se taj inverzni napon poveća, povećati će se i debljina
osiromašenog područja kanala, što znači, da će se povećanjem inverznog napona između
upravljačke elektrode i izvora smanjiti vodljiva širina kanala, zbog čega će porasti otpor
(/

kanala, odnosno opasti će struja kanala pri konstantnom naponu na krajevima kanala.
Doda li se potrošač u seriju s naponom UDD prema izvodu (D), promjena struje ID
dovodi do pada napona na potrošaču, tako da uz malu promjenu napona na
upravljačkoj elektrodi dolazi do velike promjene izlazne struje. Za određenu
vrijednost inverznog napona UGS kanal cijelom svojom širinom postaje nevodljiv i
struja kroz njega je tada jednaka nuli.
Sam naziv “efekt polja” dolazi iz činjenice da su osiromašena područja u kanalu
rezultat djelovanja električnog polja na inverzno polariziranim PN spojevima
upravljačka elektroda (G) - kanal. Naziv “unipolarni”, vidi se, dolazi zbog toga što
struju izvoda čini samo jedan tip nosilaca naboja - elektrona kod N-kanalnog FET-a,
odnosno šupljina kod P-kanalnog.

72
7.1.2. Karakteristika FET-a N tipa

Na ponašanje spojnog tranzistora s efektom polja bitno djeluje osiromašeni sloj PN

spoja. Njegov utjecaj najbolje se može pokazati ako se promatra karakteristika
IDS=f(UDS) kada je UGS=0, kako je to prikazano slikom 181.

$
,.
1
2
75

Slika 181. Prikaz osiromašenog sloja pri UGS=0 i funkcija ID=f(UDS)

.

Kako kanal ima određeni otpor, struja ID stvara na njemu pad napona, koji ovisi o
jakosti ove struje. Napon između upravljačke elektrode (G) i neke točke na kanalu,
neće biti konstantan duž kanala zbog razlike pada napona na dijelu otpora izvora (S)
(

do promatrane točke. To će dovesti do različitog širenja osiromašenog sloja duž

kanala, a najširi je u području priključka izvoda (D), jer su na tom dijelu PN spojevi
(/

najviše inverzno polarizirani.

Ako se spoje upravljačka elektroda i izvor (slika 181) i za različite napone UDS
mjeri struja ID, tada se dobivenim vrijednostima može nacrtati krivulja prikazana na
istoj slici.. Kada je UDS=0 i ID=0, duž kanala nema pada napona, tako da je i napon
između svake točke na kanalu i izvora (S) jednak nuli. U području napona UDS=0 do
nakog napona manjeg od UP, porast struje je približno linearan. Daljnjim porastom
napona UDS nastaje znatno proširenje osiromašenog sloja, koje dovodi do znatne
promjene otpora kanala, pa se kod napona UP dolazi do struje zasićenja IDSS. Daljnjim
povećanjem napona UDS dolazi do neznatnog povećanja struje ID. Kada se postigne
struja zasićenja, oblik osiromašenih slojeva je takav da želi zatvoriti ili “prekinuti”
kanal, pa se napon kod kojeg se to događa naziva “napon prekida ili dodira” (eng.
pinch off voltage) ili Vp. Područje karakteristike između UDS=0 i UDS=UP naziva se
triodno područje, jer je ovaj dio sličan karakteristici elektroničke cijevi - triode.
Daljnjim povećanjem napona UDS dolazi do proboja, pri čemu će se tranzistor
73
najvjerojatnije uništiti, tako da je normalni rad tranzistora s efektom polja u području
zasićenja.
Ako se između upravljačke elektrode i izvora priključi napon UGS tako da još više
inverzno polarizira PN spojeve, onda i pri naponu UDS=0 postoji osiromašeno
područje u kanalu čija širina ovisi o naponu UGS. Tako se u odnosu na UGS=0 u
području malih napona, od UDS=0 kanal ima veći otpor, pa krivulja ID=f(UDS) u tom
području ima manji nagib. Niža struja zasićenja se postiže na nižim vrijednostima
napona UDS, tako da se uz različite napone UGS dobiva skup krivulja prikazan slikom
182, koji se naziva izlazna karakteristika tranzistora.

$
,.
1
2
75

Slika 182. Skup krivulja ID=f(UDS) pri UGS=const. za FET

Sa slike je vidljivo da se napon UP smanjuje ako se povećava inverzna polarizacija

PN spojeva između upravljačke elektrode i kanala. Ukoliko se mjeri ID uz konstanatan
UDS i promijenjiv UGS dobiva se prijenosna karakteristika FET-a, koja je prikazana
.

slikom 183.
(
(/

Slika 183. Prijenosna karakteristika FET-a ID=f(UGS) uz UDS=const.

Osim već opisanog N kanalnog FET-a postoji i P kanalni, kod kojeg je kanal P tipa, a
upravljačke elektrode su N tipa. Princip rada obje vrste je jednak, uz osnovnu razliku u
smjeru napona za postizanje inverznog napona PN spoja upravljačka elektroda - kanal.
Simboli oba tipa FET-a prikazani su slikom 184.
74
 N kanalni FET P kanalni FET
Slika 184. Grafički simboli za spojni tranzistor s efektom polja

Prijenosna karakteristika FET-a približno se može prikazati jednadžbom:

2
 U GS 
I D = I DSS 1 − 
 UP 
Iz nagiba prijenosne karakteristike može se odrediti parametar gm tranzistora, koji
se kao i kod elektroničkih cijevi naziva strmina. Kako se nagib prijenosne
karakteristike mijenja s promjenom napona UGS, tako i strmina gm ovisi o točci na
karakteristici na koju se odnosi. Vrijednost gm daje proizvođač tranzistora u sklopu

$
tehničkih podataka, a eksperimentalno se može odrediti pomoću izraza:
promjena I D ∆I D
gm = , kada je napon UDS konstantan, ili g m = , a

,.
promjena U GS ∆U GS U DS = const .
izražava se u µS ili mA/V.
Drugi parametar tranzistora, značajan za izmjenični signal je otpor izvoda rd, a
definira se:
rd =
promjena U DS
promjena I D 1
, kada je napon UGS konstantan, ili rd =
∆U DS
∆I D U GS = const .
.
2
7.1.3. Ekvivalentna shema tranzistora za mali signal
75

2
 U GS 
Ako se izraz za prijenosnu karakteristiku I D = I DSS 1 −  derivira, dobiva se:
 UP 
dI D  U   1  2 I DSS  U GS 
= I DSS ⋅ 1 − GS  ⋅ 2 − = ⋅ 1 −  i ako se obje strane pomnože s
.

dU GS  UP   UP  UP  UP 
IDSS dobije se:
(

2
2
 U GS  2
I D ⋅ I DSS = I DSS − 1 −  iz čega slijedi da je: g m = − ⋅ I D ⋅ I DSS , pa je:
 UP  UP
(/

u DS
i D = g m ⋅ uGS + , koji se može prikazati ekvivalentnom shemom kao na slici 185.
rd

Slika 185. Ekvivalentna shema FET-a za mali signal

75
7.1.4. Struktura i karakteristika MOS tranzistora s efektom polja (MOSFET)

Osim naziva Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) može
se naći naziv tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljačkom elektrodom, a
proizvode se u dva podtipa: s kanalom N tipa i s kanalom P tipa. Struktura MOSFET-
a prikazana je slikom 186, gdje su na podlozi od visokootpornog poluvodičkog
materijala P tipa (Si) difuzijom oformljena dva područja od jako dopiranog materijala
N tipa.

$
,.
1
Slika 186. Struktura MOSFET-a s kanalom N tipa
2
Jedno područje predstavlja izvod (D), a drugo izvor (S), a cijela površina je
prekrivena slojem silicijevog dioksida, na kojem su napravljeni otvori prema N
području i oformljeni metalni priključci za izvod i izvor. Na površini između područja
75

izvoda i izvora postavlja se metal koji predstavlja upravljačku elektrodu (G). Ovo
dočarava tzv. “sendvič strukturu”: metal-oksid-poluvodič, odakle i naziv MOS
tranzistor. Na slici 186 prikazana je struktura MOS tranzistora s efektom polja s
kanalom N tipa. U normalnom radu napon između izvoda (D) i izvora (S) priključen
.

je tako da pozitivan pol dođe na priključak izvoda, pa ako je pri tome priključak
upravljačke elektrode (G) slobodan, dva N područja i zajednička podloga P tipa
predstavljaju dvije PN diode (suprotno orjentirane) između kojih je serijski vezan
(

otpornik. Kako oba spoja ne mogu biti propusno polarizirana, tako se cijeli spoj
ponaša kao veliki otpor između izvoda i izvora. Ako se podloga P tipa poveže na
(/

priključak izvora (S) na PN spoju izvor-podloga nema napona, a PN spoj izvod-

podloga ostaje inverzno polariziran. Dovođenjem napona na upravljačku elektrodu s
pozitivnim potencijalom u odnosu na izvor (S), u podlozi se stvaraju negativni nosioci
naboja - elektroni, koji za podlogu P tipa predstavljaju manjinske nosioce. Oni će biti
privučeni na metalnu ploču, koja je na pozitivnom potencijalu, ali na nju ne mogu stići
jer se između ploče i podloge nalazi izolirajući oksid, tako da se oni skupljaju ispod
ploče u području između izvoda i izvora, stvarajući na taj način kanal N tipa kako je
to prikazano slikom 187. Jakost struje izvoda (D) je to veća što je veći broj nosilaca
stvorenih naboja na strani upravljačke elektrode, a veći pozitivni potencijal na njoj
stvara veći broj nosilaca naboja. Potencijalom na upravljačkoj elektrodi je tako
moguće upravljati strujom izvoda (D).

76
 $
Slika 187. Nastajanje kanala N tipa priključkom potencijala na MOSFET

Za napon UGS=0 i struja ID=0, a uz pozitivniji potencijal na upravljačkoj elektrodi i

,.
vodljivost kanala je veća. Zbog toga što je upravljačka elektroda izolirana od kanala,
ulazni otpor tranzistora je vrlo velik i iznosi oko 1012 do 1014 Ohma. Tako se može
pokazati da je izlazna struja praktički upravljana bez ulazne struje u ulaznom krugu
tranzistora..

1
Drugi tip MOSFET-a se dobije ako se tvornički oformi kanal, neznatnom
difuzijom primjesa istog tipa kao i izvor i izvod. Kod ovog tranzistora za napon
2
UGS=0 teče znatna struja izvoda IDSS (ako između izvoda i izvora postoji napon), jer
takav kanal ima određenu vodljivost i bez utjecaja električnog polja između
upravljačke elektrode i podloge. Izlazne i prijenosne karakteristike ovog tipa
75

MOSFET-a slične su karakteristikama spojnog FET-a kako je to prikazano slikom

188.
( .
(/

Slika 188. Izlazne i prijenosne karakteristike MOSFET-a s tvornički izvedenim

kanalom N tipa

Kod MOSFET-a bez tvornički oformljenog kanala prijenosna karakteristika se

nalazi samo u području pozitivnih vrijednosti napona UGS, za tranzistor s kanalom N

77
tipa, dok se za tranzistor s ugrađenim kanalom prijenosna karakteristika nalazi za oba
polariteta napona UGS (slika 188).
Simbol tranzistora s ugrađenim kanalom prikazan je slikom 189b, dok je MOSFET
bez ugrađenog kanala prikazan slikom 189a.

a) MOSFET bez ugrađenog kanala b) MOSFET s ugrađenim kanalom

Slika 189. Simboli MOSFET-a

Prijenosna karakteristika MOSFET-a također se približno može prikazati jednadžbom:

I D = K / 2(U GS − U GS 0 )
2

$
gdje je K konstanta MOSFET-a, UGS0 napona praga. Iz nagiba prijenosne
karakteristike može se odrediti parametar strmina gm tranzistora, kao i otpor izvoda

,.
rd, koji se kao i kod spojnog tranzistora s efektom polja određuju iz izraza:.
promjena I D ∆I D
gm = , kada je napon UDS konstantan, ili g m = ,a
promjena U GS ∆U GS U DS = const .
∆U DS
rd =
promjena U DS
promjena I D
1
, kada je napon UGS konstantan, ili rd =
∆I D U GS = const .
.
2
7.1.5. Pojačalo s unipolarnim tranzistorom
75

Pojačalo sa spojnim tranzistorom s efektom polja u spoju zajedničkog izvora (S)

prikazano je slikom 190.
( .
(/

Slika 190. Pojačalo s FET-om u spoju zajedničkog izvora

Iz slike je, po smjeru strelice na simbolu tranzistora, vidljivo da se radi o

tranzistoru s kanalom N tipa. Kada nema ulaznog izmjeničnog signala, kroz tranzistor
teče istosmjerna struja ID, a između izvoda i izvora postoji istosmjerni napon UDS.
Istosmjerni napon između upravljačke elektrode (G) i izvora (S) UGS jednak je naponu
-UG, ako se zanemari ekstremno mala struja upravljačke elektrode. Pad napona na RL
jednak je IDRL, a kondenzator C1 i otpornik RG služe za odvajanje izvora ulaznog
signala od pojačala, isto kao i kondenzator C2 za odvajanje pojačala od potrošača.
Za izlazni krug pojačala vrijedi:

78
 U DD U DS
UDS=UDD-IDRL iz čega slijedi: I D = −
RL RL
Ekvivalentni strujni krug za izmjenični signal na ulazu pojačala prikazan je slikom
191, pri čemu se koristi ekvivalentna shema tranzistora s efektom polja (slika 185).
Pomoću tog ekvivalentnog kruga izvode se izrazi za naponsko pojačanje, ulaznu i
izlaznu impedanciju.

$
,.
Slika 191. Ekvivalentni strujni krug pojačala s FET-om za izmjenični signal

Uz rd>>RL, što je najčešći slučaj, naponsko pojačanje je:

U i I D ⋅ RL − gm ⋅ U u ⋅ RL
AV =
Uu
≈
Uu
=
Uu
1
= − gm R L

Pri niskim i srednjim frekvencijama izlazna impedancija je:

2
Z i = R L rd ≈ rd
Za visoke frekvencije moraju se uzeti u obzir parazitni kapaciteti između elektroda.
75

Ulazna impedancija pojačala predstavlja paralelan spoj RG i RGS, pa se zbog toga

što je RGS obično puno veće od RG može ulazna impedancija izraziti:
Zu≈RG .

ZADATAK 1:
.

N-kanalni spojni FET u pojačalu na slici 192 ima slijedeće parametre: IDSS=8mA,
UP=4V, µ=200. Odrediti statičku radnu točku i pojačanje AV=uiz/uul te ulazni i izlazni
otpor sklopa.
(

Zadano je: UDD=50V Rg=10kΩ RD=10kΩ RP=15kΩ RG=1MΩ

RS=500Ω
(/

Da bi odredili statičku radnu točku potrebno je pronaći UDSQ, UGSQ, IDQ.

Slijedi: iz izlaznog dijela sklopa: UDSQ=UDD-IDQ(RD+RS) (1)
iz ulaznog dijela sklopa: UGSQ+IDRS=-IGRG=0→ID=-UGSQ/RS (2)
jednadžba FET-a: ID=IDSS(1+UGSQ/UP)2 (3)
gdje je: IDSS struja odvoda u području zasićnja pri naponu UGS=0
UP napon praga.
Struja IG=0 iz razloga što je ulazni otpor FET-a vrlo velik.
Uvrstivši (2) u (3) slijedi: UGSQ2.IDSS/UP2+UGSQ(2.IDSS/UP+1/RS)+IDSS=0
Kao rješenja ove kvadratne jednadžbe po UGS slijede UGSQ1=-10.5V i UGSQ2=-1.5V.
Prema prijenosnoj karakteristici na slici 193 slijedi kao moguće rješenje za radnu
točku UGSQ=-1.5V.

79
 UDD

RD
CP
CG
IG=0
UDSQ

Rg UGSQ
RP uiz
uul RG
RS
ug

$
,.
Rizl
Rul
Slika 192.
. -3 2
Iz (3) slijedi IDQ=8 10 (1+(-1.5)/4) =3mA
Iz (1) dobiva se UDSQ=50-3.10-3(10000+500)=18.5V
1 ID/mA
2
75

IDQ
.

-4 UGSQ=-1.5 0 UGS/V
(

Slika 193. Prijenosna karakteristika n kanalnog spojnog FET-a

Dinamički parametri se izračunavaju iz podataka u statičkoj analizi:

(/

dI D 2 I DSS U GS
gm = = (1 + ) -strmina se dobiva kao parcijalna derivacija
dU GS UP UP
struje po naponu u statičkoj radnoj točki.
gm=2.8.10-3/4.(1+(-1.5)/4)=2.5mA/V
Relacija gm.rd=µ poznata je kao Barkhausenova relacija i vrijedi kod svih realnih
naponom upravljanih elektroničkih elemenata pa tako i kod FET-a, gdje je µ-faktor
pojačanja, rd-dinamički otpor.
Slijedi rd=µ/gm=200/2.5.10-3=80kΩ.

Nadomjesni sklop FET-a prikazan je na slici 194.

80
 D id D

G G rd

gmUgs rd µUgs Uiz

S S

Slika 194. Nadomjesni sklop sa strujnim Nadomjesni sklop s naponskim

$
izvorom u izlaznom krugu izvorom u izlaznom krugu
Nadomjesni sklop pojačala u režimu malih signala prikazan je na slici 195.

,.
D
id

gmUgs rd

Rg G 1
2
RD RP uiz
S
75

Ug uul RG RS
.

Rul Riz
Slika 195. Nadomjesni sklop pojačala
(

Naponsko pojačanje AV=uiz/uul=uiz/id.id/uul

(/

uiz=-id(RD RP) id=µugs/(RS+rd+(RD RP))

ugs=uul-idRS id/uul=µ/((1+µ)RS+rd+(RD RP))
R ⋅R
µ D P
RD + RP
AV = − =-6.43
RD ⋅ RP
(1 + µ) RS + rd +
RD + RP
Rul=RG=1MΩ

Izlazni otpor sklopa određuje se tako da se odspoji potrošač i na njegovo mjesto

umetne idealni naponski izvor, te odredi omjer napona tog izvora i struje koju “vuče”
sklop gledano s izlaznih priključnica (slika 196).

81
 ugs=-idRS
rd Riz=u/i=RD ‫(׀׀‬u/id)
i u=id(RS+rd)-µugs
µugs u=id(RS+rd)+µidRS
Riz=RD ‫( ׀׀‬RS(1+µ)+rd)=9.5kΩ

u
RD

RS

$
,.
Slika 196. Određivanje izlaznog otpora sklopa

ZADATAK 2:

K=1.25mA/V2, UGS0=1V.
Zadano je: UDD=20V R1=16kΩ
1
Odredite statičku radnu točku sklopa na slici 197. MOSFET ima slijedeće parametre:

R2=4.3kΩ RD=3.5kΩ RS=500Ω

2
UDD
75

RD
R1
ID/mA
IG=0
.

UGSQ
(

IDQ
R2
RS
(/

UGS/V

0 UGS0 UGSQ

Slika 197. Slika 198. Prijenosna karakteristika

n kanalnog MOSFET-a obogaćenog
tipa

82
 UDD

R1

IG=0 IG=0

FET
RGG

R2 UGG

$
,.
Slika 199. Nadomještanje ulaznog dijela sklopa po Thevenenu

RGG=(R1 ‫ ׀׀‬R2)=3390Ω UGG=UDD.R2/(R1+R2)=4.23V

1
Obzirom da je ulazni otpor FET-a vrlo velik struja IG=0 te vrijedi slijedeća relacija:
UGG=UGS+ID.RS
2
K
Jednadžba MOSFET-a glasi I D = (U GS − U GS 0 ) gdje je: K-konstanta MOSFET-a,
2

2
UGS0-napon praga,UGS-napon između kontrolne elektrode i uvoda, ID- struja odvoda.
75

Za statičku analizu vrijedi:

IDQ=K/2.(UGSQ-UGS0)2 UGG=UGSQ+IDQ.RS
što nakon uvrštavanja daje UGSQ1=3V i UGSQ2=-4,2V, ali prema prijenosnoj
karakteristici na slici 198 kao rješenje slijedi UGSQ=3V i IDQ=2.5mA
Za izlazni dio sklopa vrijedi jednadžba: UDSQ=UDD-IDQ.(RD+RS)
.

UDSQ=20-2.5.10-3(3500+500)=10V
(

ZADATAK 3:
Za JFET u sklopu pojačala sa zajedničkim uvodom na slici 200 zadana je izlazna
karakteristika prema slici 201. Odredite vrijednosti otpora RD i RS tako da radna točka
(/

ima slijedeće parametre UGSQ=-2V, UDSQ=15V, IDQ=3.5mA. Ucrtajte statički i

dinamički radni pravac. Nacrtajte shemu za režim malog signala te odredite
Avg=uiz/ug. Zadano:
UDD=30V RG=1MΩ
C→∝ Rg=500Ω µ=200 gm=2.35mA/V
Na slici je prikazan n kanalni spojni FET.
Iz izlaznog dijela kruga slijedi jednadžba statičkog radnog pravca:
UDD=UDSQ+IDQ(RD+RS) (1)
Prema slici 201 točka 1 ima koordinate (0,UDD/RD+RS), točka 2 (UDD,0).

83
 id
Rg UDD
RD

Ug RG
RS CS

$
Slika 200.
Obzirom da je struja upravljačke elektrode približno nula zbog velikog ulaznog otpora
FET-a slijedi: UGSQ=-IDQRS (2)

,.
Iz jednadžbe: (2) RS=UGSQ/IDQ=-(-2)/3.5.10-3=572Ω
(1) RD+RS=(UDD-UDSQ)/IDQ=4.3kΩ RD=3728Ω
10.5 iD/mA UGS=0V

7
8 1
2
-1V
1 dinam.r.p.
statič.r.p.
-2V
75

IDQ=3.5
-3V
-4V

0 10 UGSQ=15 20 28 2 30 uDS/V
.

Slika 201. Radni pravac u polju izlaznih karakteristika

(

Da bismo nacrtali nadomjesnu shemu za režim malog signala potrebno je odrediti

dinamički otpor rd=µ/gm=200/2.35.10-3=85kΩ
(/

G D

Rg id

Ug RG uul gmUgs rd RD uiz

S
Avg=uiz/uul.uul/ug
uiz=-gmUgs.(rd RD) uul=Ugs uiz/uul=-gm(rd RD)
uul/ug=RG/(RG+Rg) Avg=-gm.(rd RD).RG/(RG+Rg)=-8,4

84
7.2. BIPOLARNI TRANZISTORI

Bipolarni tranzistor je sastavljen iz kompaktne cjeline dva PN spoja, tako da se

između dva prijelazna područja PN spoja nalazi poluvodički sloj koji je zajednički za
oba PN spoja. Ako je taj zajednički sloj od materijala N tipa, radi se o bipolarnom
tranzistoru PNP tipa, a kod NPN tipa taj je sloj iz materijala P tipa, kako je to
prikazano slikom 202.

$
,.
Slika 202. Struktura i simboli oba tipa bipolarnih tranzistora

1
Zajednički sloj naziva se baza (B), a vanjski slojevi emiter (E) i kolektor (C).
2
Simbol tranzistora PNP tipa je različit od NPN tipa po smjeru strelice koja se nalazi
na emiterskom kraju. Dogovorom se uzima, da je smjer struje pozitivan kada ona teče
u tranzistor.
75

Ako na krajevima tranzistora nema priključenog napona, sve su struje jednake nuli.
Na PN spojevim oformljuju se energetske barijere kao kod PN dioda, pa ako se
promatra simetričan (iako je u praksi nesimetričan) tranzistor ( područje emitera i
kolektora identične fizičke dimenzije i koncentracije primjesa), onda dvije energetske
barijere imaju iste vrijednosti q0U0, kako je to prikazano slikom 203.
( .
(/

Slika 203. Tranzistor PNP tipa bez polarizacije i energetske razine

85
 Priključkom napona na tranzistor (slika 204) PN spojevi se polariziraju i to:
emiterski PN spoj u propusnom smjeru, a kolektorski u nepropusnom smjeru.

$
,.
1
2
Slika 204. Normalno polarizirani PNP tranzistor s energetskim razinama
75

Energetska barijera na emiterskom PN spoju je snižena za q0UEB, gdje je UEB

napon polarizacije emiterskog spoja u propusnom amjeru, dok će se na kolektorskom
spoju povećati za q0UCB, gdje je UCB napon polarizacije kolektorakog PN spoja u
nepropusnom smjeru. Kako je emiterski PN spoj polariziran u propusnom smjeru,
.

struja većinskih nosilaca teče preko ovog spoja. Emiter i kolektor sadrže šupljine kao
većinske nosioce, dok baza N tipa sadrži elektrone kao većinske nosioce (slika 205).
(
(/

Slika 205. Struktura struja u normalno polariziranom PNP tranzistoru

86
 Zbog polarizacije emiterskog PN spoja u propusnom smjeru emitersko područje
emitira (stoga naziv “emiter”) šupljine u prostor baze, gdje predstavljaju manjinske
nositelje. U prostor baze se u istom omjeru ubacuju većinski nosioci - elektroni, kako
bi se očuvala električna neutralnost baze. Jedan dio šupljina ubaćenih u područje baze
iz emitera, rekombinira se s elektronima koji se nalaze u bazi kao većinski nosioci.
Gubitak ovih elektrona zbog rekombinacije se nadoknađuje elektronima iz vanjskog
izvora UCC (kojim je emiterski PN spoj polariziran u propusnom smjeru). Kako je
vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi relativno dugačko i ako je širina baze,
odnosno dužina puta od emiterskog do kolektorskog područja dovoljno mala, što se
konstrukcijom tranzistora efikasno postiže, relativno veliki broj šupljina emitiranih iz
emitera u bazu dolazi do kolektorskog PN spoja. Za manjinske nosioce - šupljine koje
prelaze bazu, nepropusna polarizacija kolektorskog spoja predstavlja propusni smjer,
tako da šupljine stižu u područje kolektora, gdje se skupljaju i predstavljaju većinske

$
nosioce. Ovo skupljanje je znakovito za kolektor (od eng. collect - skupljati). Struja
ovih šupljina, koje potiču iz emitera, predstavlja glavninu struje kolektorskog PN
spoja polariziranog u nepropunom smjeru. Manji dio kolektorske struje čine vlastiti

,.
manjinski nosioci kolektorskog PN spoja, tako da se pristizanje šupljina u kolektor
kompenzira pristizanjem istog broja elektrona iz vanjskog izvora u obliku kolektorske
struje IC. Njihovom rekombinacijom u području kolektora održava se električna

1
ravnoteža ovog područja. Šupljine koje se emitiraju u bazu se kompenziraju odlaskom
istog broja elektrona iz emitera u vanjski krug prema izvoru napajanja u obliku
emiterske struje IE, te se na taj način održava ravnoteža.
2
Sliačan proces kretanja nosilaca naboja se odigrava i kod tranzistora NPN tipa,
kada je u području normalne polarizacije, kao je to prikazano slikom 206.
75
( .
(/

Slika 206. Struktura struja u normalno polariziranom NPN tranzistoru

Kada se na krajeve emiterskog PN spoja, polariziranog u propusnom smjeru, malo

mijenja napon UBE dolazi do male promjene struje baze, ali to dovodi do znatnog
povećanja emisije manjinskih nosilaca u području baze, a time i do znatnog povećanja
kolektorske struje IC, pri znatnom izlaznom naponu UCE, što na kraju ima za
posljedicu znatno povećanje emiterske struje IE. To znači da se malom ulaznom
snagom upravlja velikom izlaznom snagom, ako se na izlazu priključi odgovarajući
omski potrošač.

87
 Ako se u ulaznom krugu isključi napon polarizacije UBE, odnosno otvori ulazni
krug, a ostavi napon polarizacije UCB, pokazati će se da kroz inverzno polarizirani
kolektorski PN spoj teče inverzna kolektorska struja ICB0. Ona teče u istom smjeru u
kojem teče struja nosilaca koji potiču iz emitera i preko baze difundiraju u područje
kolektora i koja predstavlja glavninu kolektorske struje IC. Iz uvjeta da je zbroj svih
struja, sa slike 206, koje teku u tranzistor jednaka nuli slijedi:
IB+IC+IE=0, a kako je kolekrorska struja jednaka:
IC=-IpC+InC, emiterska struja je: IE=IpE+InE, a uvođenjem faktora strujnog pojačanja
I pC
α= za spoj zajedničke baze slijedi da je kolektorska struja:
IE
IC=-αIE+ICB0.
U spoju zajedničkog emitera se tako dobiva izraz:
a I 1−α I

$
IC = I B + CB0 , pa zamjenom = β i CB0 = I CE0 dobiva se izraz:
1− a 1− a α 1−α
IC=βIB+ICE0, gdje je β - faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera, a

,.
ICE0 - reverzna struja zasićenja u istom spoju. Kako je α vrlo blizu jedinici, faktor
strujnog pojačanja β može biti i nekoliko stotina. U analizi rada tranzistora najčešće se
umjesto simbola α upotrebljava hFB, a umjesto β hFE.

7.2.1 Karakteristike bipolarnih tranzistora

1
2
Promatrajući tranzistor kao četveropol i parametre koji utjeću na njegov rad mogu
se postaviti četiri vrste karakteristika: ulazna, izlazna, prijenosna i povratna. Kao što
je poznato tranzistor se može spojiti u tri osnovna spoja: zajedničkog emitera,
75

zajedničke baze i zajedničkog kolektora. Za uporabu tranzistora kao pojačala najčešće

se koristi spoj zajedničkog emitera, a za određivanje karakteristika tranzistora u tom
spoju koristi se strujni krug prikazan slikom 207.
( .
(/

Slika 207. Strujni krug za određivanje karakteristika tranzistora u spoju

zajedničkog emitera

Za određivanje ulazne karakteristike tranzistora promatra se kako ulazna struja IB

ovisi o ulaznom naponu UBE, pri konstantnom izlaznom naponu UCE. Ova
karakteristika objašnjava kako će se opteretiti izvor signala, ako se spoji na ulazni
krug. Ovisnost ulazne struje IB o ulaznom naponu UBE prikazan je ulaznom
karakteristikom na slici 208.

88
 $
Slika 208. Ovisnost struje IB=f(UBE) uz UCE=const. (ulazna karakteristika)

Izlazne karakteristike pokazuju ovisnost između izlazne struje IC i izlaznog napona

,.
UCE, a daju se ili uz konstantan ulazni napon UBE ili ulaznu struju IB. Ove
karakteristike najčešće se upotrebljavaju, jer daju informaciju o ponašanju tranzistora.
Na izlaznoj karakteristici mogu se opaziti tri područja rada tranzistora: 1 područje

1
zapiranja ili prekida, 2 aktivno područje i 3 područje zasićenja (slika 209).
2
3
75

2
.

1
(
(/

Slika 209. Ovisnost struje IC=f(UCE) uz IB=const. (izlazne karakteristike)

U području zapiranja oba PN spoja su polarizirana u nepropusnom smjeru, pa kroz

tranzistor teku samo male struje. Za primjenjene napone tranzistor pruža veliki otpor.
U aktivnom području emiterski PN spoj je polariziran u propusnom smjeru tako da
emiter emitira u područje baze manjinske nosioce koje kolektorski PN spoj skuplja.
U području zasićenja oba PN spoja su polarizirana u propusnom smjeru, tako da
oba PN spoja u područje baze emitiraju manjinske nosioce ali nasuprot jedan drugom,
pri čemu kolektorska struja ostaje konstantna čak i pri većoj baznoj struji ili naponu
UBE. Između kolektora i emitera djeluje napon zasićenja, pa tranzistor pruža mali
otpor priključenom naponu.
Iz karakteristika, može se vidjeti da postoji beskonačan broj mogućih stanja
tranzistora, ako se pod stanjem podrazumjeva odnos napona i struje na njegovim
krajevima.
89
 Ako se analizira pojačalo s bipolarnim tranzistorom može se vidjeti da je stanje
istosmjernog napona i struje tranzistora opisano radnom točkom. Pod radnom točkom
podrazumjeva se točka koja predstavlja stanje napona i struja na izvodima tranzistora
bez priključenog signala na ulazu pojačala. Radna točka leži na radnom pravcu koji je
temelj za proučavanje struja i napona u određenom strujnom krugu. Stoga se radni
pravac crta u istom koordinatnom sustavu zajedno s izlaznim karakteristikama
tranzistora (slika 210).

$
,.
1
2
75

Slika 210. Karakteristike tranzistora s ucrtanim radnim pravcem

Kada na ulazu pojačala djeluje promjenjivi signal, naponi i struje na krajevima
tranzistora ne ostaju više na vrijednostima određenim radnom točkom, već se
mijenjaju po dinamičkom pravcu u ritmu ulaznog signala.
.

7.2.2. Ekvivalentni strujni krug tranzistora

(

Promatra li se tranzistor u sva tri moguća spoja može ga se zamijeniti s

četveropolom. Kod analize tranzistora kao aktivnog linearnog četveropola, pri čemu je
jedan kraj tranzistora zajednički za ulazni i izlazni par priključnica, pojmovi režima
(/

rada u praznom hodu i režima rada u kratkom spoju odnose se samo na promjenjive
komponente struje i napona. Za određivanje značajki takvog četveropola najčešće se
primjenjuju hibridni parametri.
Prema poznatoj teoriji četveropola hibridni parametri se označavaju:

h11=hi -ulazni parametar (eng. input)

h12=hr -povratni parametar (eng. reverse)
h21=hf -parametar pojačanja (eng. forward)
h22=ho -izlazni parametar (eng. output)

Ovisno o spoju uz oznaku indeks oznake h parametra dodaje se oznaka zajedničke

elektrode.

90
 Ekvivalentna shema bipolarnog tranzistora za mali signal prikazana je slikom 211.

Slika 211. Nadomjesna shema bipolarnog tranzistora

ZADATAK 1:

$
Odredite otpore R1 i R2 da bi se ostvario maksimalni hod kolektorske struje. Zadano
je:Ucc=15V, RP=1kΩ, RE=0.5kΩ, β=100 (faktor istosmjernog pojačanja)

,.
Ucc

ICQ
R1 RP

1
2
IBQ

UCEQ
75

UBEQ

R2 IEQ RE
.

Slika 212. Pojačalo s bipolarnim NPN

(

tranzistorom

Da bi tranzistor radio kao pojačalo u normalnom aktivnom području moraju biti

(/

zadovoljena dva uvjeta: 1. spoj emiter-baza propusno polariziran 2. spoj kolektor baza
nepropusno polariziran. U našem primjeru prikazan je NPN bipolarni tranzistor za
koji vrijedi da je UBEQ=0.7V uz označen polaritet.
Iz izlaznog dijela sklopa dobiva se jednadžba statičkog radnog pravca:
UCEQ=UCC-ICQ.RP-IEQ.RE
gdje su IEQ -struja kroz emiter i ICQ -struja kroz kolektor u statičkoj analizi kojom
pronalazimo statičku radnu točku.
Za tranzistor vrijedi IEQ=ICQ+IBQ ICQ=βIBQ
Obzirom da je β>>1 slijedi IEQ=ICQ tako da jednadžba statičkog radnog pravca ima
oblik UCEQ=UCC-ICQ.(RP+.RE)
Statički radni pravac ucrtavamo zajedno sa izlaznim karakteristikama tranzistora.
Uvjet za maksimalni hod kolektorska struje je da radna točka bude na sredini
dinamičkog radnog pravca. U našem primjeru nema reaktivnih komponenata te su
dinamički i statički pravac isti.
91
 iC/mA Nagib statičkog radnog pravca je -1/(RP+RE)

15 IB=150µA

10 IB=100µA

ICQ=5mA IB=50µA
IB=25µA

0 5 15 uCE/V
10
UCEQ=7.5V
Slika 213. Radni pravac u polju izlaznih karakteristika

$
Sa slike 213 očitavamo UCEQ=UCC/2=15/2=7.5V

,.
ICQ=(UCC-UCEQ)/(RP+RE)=7.5/1500=5mA
Sa slike također očitavamo IBQ=50µA što možemo provjeriti i analitički iz izraza
IBQ=ICQ/β=0.005/100=50.10-6A.
Za određivanje bilo kojeg parametra ulazni dio sklopa se nadomješta po Thevenenu
(slika 214)
1
UBB=UCC.R2/(R1+R2) RBB=R1.R2/(R1+R2)
Obzirom da se u našem primjeru traže otpori R1,R2 slijedi:
2
R1=RBB.UCC/UBB R2=RBB/(1-UBB/UCC)
Ucc
75

R1

IBQ RBB IBQ

.

UBEQ
(

UBEQ
UBB
R2 IEQ RE IEQ RE
(/

Slika 214.
Prema slici 214 slijedi:
UBB=IBQRBB+UBEQ+IEQRE=IEQ/(1+β).RBB+UBEQ+IEQRE
IEQ=(UBB-UBEQ)/(RE+RBB/(1+β))=ICQ
Parametar β mijenja se u masovnoj proizvodnji tranzistora kod tranzistora istog tipa u
širokom rasponu iznosa, npr.između 100 i 300 te nastojimo da karakteristika sklopa
što manje ovisi o tom parametru.
Iz tog razloga treba RE>>RBB/(1+β) →RBB<<RE(1+β)
U praksi je dovoljno pretpostaviti RBB=0.1(RE(1+β))
92

RE
RBB=0.1.500.101=5050Ω UBB=3.45V
R1=5050.15/3.45=21900Ω R2=5050/(1-0.23)=6550Ω

ZADATAK 2:
Odredite statičku radnu točku sklopa prema slici 215. Pretpostavite da je frekvencija
ulaznog signala takva da kondenzatori predstavljaju kratki spoj.
Zadano: RC=1kΩ RE=0.5kΩ RP=1kΩ β=100 UCC=15V
a) statička analiza
Frekvencija ω=0 1/ωC=∝ , kondenzatori predstavljaju otvoreni kraj
Budući da je β=100>>1 slijedi ICQ=IEQ
Uzevši u obzir ova dva uvjeta iz izlaznog dijela sklopa slijedi prema slici 215
jednadžba statičkog radnog pravca na kojem leži statička radna točka: UCEQ=UCC-
ICQ(RC+RE) (1)

$
UCC

,.
ICQ RC
R1
CC

IBQ
1UCEQ
2
RP
75

uul R2 IEQ
RE CE

Slika 215.
( .

b) dinamička analiza ic
(/

uce RC RP
uul RBB

Slika 216.
RBB=R1.R2/(R1+R2)
Iz izlaznog dijela sklopa prema slici 216 dobiva se jednadžba dinamičkog radnog
pravca: uce=-ic.RC.RP/(RC+RP) ic=-uce(RC+RP)/RC.RP

93
Statička radna točka mora se nalaziti na statičkom i dinamičkom pravcu, a obzirom da
su to različiti pravci jer u krugu postoje reaktivne komponente moramo naći presjek
pravaca.
Dinamički pravac može se napisati kao:
iC-ICQ=-(uCE-UCEQ).(RC+RP)/RC.RP
gdje je: iC-ukupna struja ICQ-istosmjerna komponenta struje
uCE-ukupni napon UCEQ-istosmjerna komponenta napona
Za točku 1 vrijedi uCE=0 iC=2ICQ (za maksimalni hod kolektorske struje radna točka
treba biti na polovici dinamičkog radnog pravca) te se dobiva :
ICQ=UCEQ.(RC+RP)/RC.RP (2)
Iz jednadžbi (1) i (2) slijedi:
U CC
U CEQ =
( RC + R P )( RC + R E )

$
1+
RC R P
U CC
I CQ =

,.
R R
RC + R E + C P
RC + R P
UCEQ=3.75V ICQ=7.5mA

15 1
1
Isti rezultat bi se dobio grafičkim postupkom prema slici 217:
iC(mA)
iC=uCE.(RC+RP)/RCRP
2
-pomo}ni pravac
statički radni pravac
dinamički radni pravac
75

10
Q
7.5
5
.

uCE(V)

3.75 5 10 15
(

Slika 217.
(/

ZADATAK 3:
Odredite h parametre za sklop prema slici 218. Zadano je: R1=2Ω, R2=6Ω, R3=4Ω

i1 R2 i2
Slika 218.
u1 R1 R3 u2

Prema definiciji jednadžbe četveropola pomoću h-parametara glase:

U1=h11.I1+h12.U2
I2=h21.I1+h22.U2

94
 U1 R1 R2
h 11 = = = 1500Ω
I 1 U 2= 0 R1 + R2
U1 R1
h 12 = = = 0.25
U 2 I 1= 0 R1 + R2
I R1
h21 = 2 =− = -0.25
I1 U 2 = 0 R1 + R2
I2 R1 + R2 + R3
h 22 = = = 0.375S
U 2 I 1= 0 ( R1 + R2 ) ⋅ R3

ZADATAK 4:

$
Tranzistor u pojačalu (spoj zajedničkog emitera) sa slike 219 ima slijedeće parametre:
β=hfe=100 hoe=10µS hre=10-4, parametar hie odredite iz statičke analize.
a) nacrtajte nadomjesni sklop pojačala za mali signal s he parametrima

,.
b) odredite ulazni i izlazni otpor uz hre,hoe=0
c) izračunajte strujno pojačanje AI=iiz/iul uz hre,hoe=0

UCC

ICQ RC
1
2
R1
CC iiz
CG
75

iul IBQ
UCEQ

Rg uiz
RP
.

uul R2 IEQ
RE CE
ug
(

Riz
(/

Rul Slika 219.

Zadano je: UCC=24V R1=50kΩ R2=10kΩ RC=3.8kΩ

RE=2.2kΩ RP=1kΩ
Kondenzatori predstavljaju kratki spoj na frekvenciji izmjeničnog signala.
U analizi pojačala za mali signal koristimo se teoremom superpozicije te promatramo
statiku (kojom određujemo parametre tranzistora) i dinamiku.
Statička analiza
Prema slici 220 slijedi: RBB=R1.R2/(R1+R2)=8.33kΩ
UBB=UCC.R2/(R1+R2)=4V

95
 Ucc

ICQ
R1 RC
IBQ=(UBB-UBEQ)/(RBB+(1+β)RE
IBQ=14.3µA
IBQ hie=m.UT/IBQ=0.025/14.3.10-6
hie=1.75kΩ
UCEQ

UBEQ

R2 IEQ RE

$
,.
Slika 220. Nadomjesna shema za
statičku analizu

B hie
1
Nadomjesni sklop tranzistora za mali signal prikazan je na slici 221.

C
2
hreUce hfeIb hoe
75

E
.

Slika 221. Hibridni nadomjesni sklop bipolarnog tranzistora

Nadomjesna shema pojačala za naš primjer prikazana je na slisi 222, gdje su
istosmjerni izvori kratko spojeni.
(

Rg B hie C
iiz
(/

iul ib RC
Ug uul RBB hreuce hfeib hoe uiz
RP

E
Rul Riz
Slika 222. Nadomjesni sklop pojačala
b) ulazni i izlazni otpor
Slijedi prema slici 222: Rul=RBB.hie/(RBB+hie)=1450Ω ,uz hre=0
Riz=RC=3800Ω
96
c) strujno pojačanje AI=iiz/iul
AI=iiz/ib.ib/iul -jer se struja ib javlja u ulaznom i izlaznom dijelu
sklopa.
Izlazni dio sklopa:
uiz=iiz.RP uiz=-hfeib(RP RC)
iiz/ib=-hfe(RP RC)/RP
Ulazni dio sklopa:
(iul-ib)RBB=hieib
ib/iul=RBB/(RBB+hie)
iiz ib R BB RC
AI = ⋅ = − h fe =-65.4
ib i ul R BB + hie RC + R P

ZADATAK 5:

$
Za pojačalo prema slici 223 (spoj zajedničkog kolektora) izračunajte ulazni otpor
pojačala, strujno AI=iiz/iul i naponsko pojačanje AV=uiz/uul.

,.
UCC

RC CC
ICQ

CG
R1

IBQ
1
2
iul
UCEQ iiz
75

Rg UBEQ
uul R2 CE
IEQ RE RP uiz
ug
.

Rul Slika 223.

(

Zadano: UCC=25V R1=65kΩ R2=10kΩ RC=2kΩ RE=1kΩ

(/

RP=1kΩ β=hfe=100 CG,CE,CC→∝

Iz statičke analize slijedi:

RBB=R1.R2/(R1+R2)=8.67kΩ
UBB=UCCR2/(R1+R2)=3.33V
UBB=IBQRBB+UBEQ+(β+1)IBQRE IBQ=24µA
hie=UT/IBQ=0.025/24.10-6=1040Ω
Prema slici 224 slijedi:
uul=ibhie+(1+hfe)ib(RE RP)
1 i i −i i
uul=(iul-ib)RBB = ul = ul b + b
Rul uul uul uul
1/Rul=1/RBB + 1/(hie+(1+hfe)(RE RP)) ⇒Rul=7420Ω

97
 iul hie
B E iiz

RG
ib

ug uul RBB hfeib RE RP uiz

Rul . C Riz

$
Slika 224.
AI=iiz/iul=iiz/ib ib/iul

,.
iiz/ib=RE(1+hfe)/(RE+RP)
ib/iul=RBB/(RBB+hie+(1+hfe)(RE RP)) AI=7.28
AV=uiz/uul=iizRP/iulRul=AIRP/Rul=0.98

1
2
75
( .
(/

98