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Seco - UNCPBA
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Índice
1. Conducción eléctrica 4
2. Conductores 4
3. Dispositivos Semiconductores 5
3.1. Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.2. Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2.1. Potencia máxima de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4. Conversor Digital-Analógico 12
4.1. Red R-2R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5. Guı́a 1 15
6. Guı́a 2: Laboratorio 17
7. Guı́a 3 19
8. Material de Consulta 21
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El objetivo fundamental de este texto es brindar a los alumnos elementos de
electrónica analógica que les permitan comprender cómo funcionan las compuer-
tas lógicas utilizadas en el curso. Los contenidos pertenecen al espacio curricular
Electrónica Digital, materia del segundo año de la carrera Ingenierı́a en Sistemas
de la Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires.
Los alumnos han cursado Electricidad y Magnetismo y no poseen conoci-
mientos sobre semiconductores. Las clases prácticas consisten en cuatro encuen-
tros de dos horas cada una. La mitad del tiempo se dedica a la resolución de
problemas y la otra mitad al armado de circuitos. Dada la escasa disponibilidad
de tiempo, el siguiente material no busca hacer hincapié en aspectos teóricos que
pueden encontrarse ampliamente en la bibliografı́a, sino que pretende1 ofrecer
aspectos eminentemente prácticos.
Agradezco las sugerencias y aportes realizadas por el Ing. José Marone, que
permitieron mejorar el contenido de las Guı́as de problemas.
1y probablemente no logre.
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1. Conducción eléctrica
Para poder entender los fenómenos de conductibilidad eléctrica se recurre al
concepto de niveles y bandas de energı́a. Las energı́as permitidas para los electro-
nes dependen de la distancia interatómica. En un átomo aislado, los electrones
pueden tener sólo ciertas cantidades discretas de energı́a, como se muestra en
la Fig. 1. Cuando se tiene un conglomerado de átomos cercanos entre sı́ de ma-
nera tal que el conjunto conforma un cristal, la energı́a puede tomar cualquier
valor dentro de ciertos intervalos permitidos (denominados bandas). Los elec-
trones ‘llenan’ las bandas de menor energı́a. La última banda completa de
electrones se denomina banda de valencia (BV) y la inmediata superior banda
de conducción (BC).
2. Conductores
La relación tensión-corriente en una resistencia viene dada por la ley de
Ohm:
V = IR (1)
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Figura 2: Estructura de bandas de un conductor: a) La BC posee algunos elec-
trones responsables de la conductividad. b) Las BC y BV están solapadas.
R = ρL/A (2)
3. Dispositivos Semiconductores
La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes
y la de los metales. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores
más frecuentemente utilizados en la fabricación de diodos y transistores. Ambos
átomos, cuando están aislados, poseen cuatro electrones en su última capa de
energı́a, es decir, son tetravalentes.
Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrı́nseco)
a una temperatura de cero grados Kelvin, los electrones de la red ocuparán
todos los estados de energı́a posibles dentro de la BV. De esta manera, al no
quedar estados libres dentro de esta banda, y al verse imposibilitados de pasar
a la banda de conducción donde sı́ hay estado libres, el material se comporta
como un aislante. Si se incrementa la temperatura, algunos electrones tendrán
una probabilidad no nula (la distribución de probabilidad que corresponde es la
de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podrá conducir.
Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente, como los que men-
cionamos previamente, al que se le agrega una pequeña dosis de átomos (impu-
rezas) de átomos pentavalentes (por ejemplo Fósforo). A este tipo de materiales
los denominaremos tipo n. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un
nivel de energı́a en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducción.
Un electrón que ocupa este nivel de energı́a fácilmente puede saltar a la banda
de conducción.
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De la misma manera, podemos ahora considerar un semiconductor puro te-
travalente al que se le agrega una pequeña dosis de átomos (impurezas) de
átomos tetravalentes (por ejemplo Boro). A este tipo de materiales los deno-
minaremos tipo p. La estructura de bandas se modifica, apareciendo un nuevo
nivel de energı́a en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. Con
alta probabilidad, un electrón en la banda de valencia puede ocupar ese estado
en la banda prohibida, dejando un estado libre en la BV. Ahora, los electrones
en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducción.
3.1. Diodos
Un diodo es un dispositivo no lineal de dos terminales. Posee la propiedad de
conducir corriente en un solo sentido (corriente directa). Está fabricado sobre
una pastilla semiconductora a la cual se le agregan impurezas para formar un
ánodo tipo p y un cátodo tipo n (ver Fig. 3).
VT = k̄T /q (4)
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Figura 4: Curva caracterı́stica del diodo. La diferencia de potencial V aplicada
se refiere al potencial en el ánodo respecto del cátodo.
3.2. Transistor
El transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo semiconductor de
tres terminales construido como dos uniones PN similares a las del diodo. Exis-
ten dos clases de transistores de acuerdo a como esté construido: NPN y PNP.
La Fig. 5 muestra el esquema de los transistores y su simbologı́a.
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transistor posee tres parámetros a variar cuando se desea caracterizar su salida:
la corriente de base Ib , la de colector Ic , y la tensión colector-emisor Vce 3 . El
fabricante proporciona un gráfico con las curvas caracterı́sticas de salida como
la que se muestra en la Fig.6. Para obtener dichas curvas se sigue el siguiente
procedimiento: se fija una corriente de base, por ejemplo Ib = 0 mA, y se grafica
Ic a medida que se aumenta la tensión Vce desde 0 hasta cierto valor (20 V en
este ejemplo). El proceso se repite para diferentes valores de Ib . A la izquierda
de cada curva aparece el valor de Ib correspondiente.
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de donde
Ic = (Vcc − Vcc )/Rc (6)
Se puede trazar esta relación sobre las curvas caracterı́sticas de salida. Dado
que la Ec. 6 es una relación lineal entre Ic y Vce , dos puntos son suficientes para
determinarla, por ejemplo, en las intersecciones con los ejes: (Ic = 0; Vce = Vcc )
e (Ic = Vcc /Rc ; Vce = 0). La lı́nea resultante es habitualmente denominada recta
de carga. Para poder trazar una recta sobre las curvas caracterı́sticas de la Fig.
6, elegiremos a modo de ejemplo valores particulares para Vcc = 15 V y Rc = 1, 5
KΩ. Los puntos de intersección con los ejes vienen dados por (Ic = 0; Vce = 15
V) e (Ic = 10 mA;Vce = 0). Las curvas caracterı́sticas y la recta de carga están
trazadas en la Fig. 8.
Nótese que una vez trazada la recta de carga, Ic y Vce quedan determinadas
si se conoce IB . Por ejemplo, si Ib = 50 µA, Ic = 3, 75 mA y Vce = 10 V ;
si Ib = 150 µA, Ic = 7, 5 mA y Vce = 3, 75 V . El par (Ic ; Vce ) se denomina
punto de trabajo. Como siempre debe cumplirse la ley de Kirchoff, éste punto
se encuentra sobre la recta de carga. Esta posibilidad de controlar Ic mediante
Ib es frecuentemente utilizada para plantear una analogı́a entre un transistor y
un grifo: el caudal de agua (Ic ) es controlado por la apertura de una llave(Ib ).
Es fácil analizar ahora que sucederá al variar la tensión de entrada Vbb : si
Vbb = 0, entonces Ib ≈ 0. El punto de trabajo es el que intercepta la recta de
carga con la caracterı́stica Ib = 0. En ese caso la tensión Vce ≈ Vcc e Ic = 0.
Dado que no circula corriente por el colector, a estado se lo denomina corte.
A medida que se aumenta Vbb , aumentará también Ib . El punto de trabajo se
desplazará entonces sobre la recta de carga. Obsérvese que un aumento de Ib
implica un incremento proporcional de Ic . Matemáticamente
Ic = βIb (7)
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trabajo se la denomina activa. La Ec. 7 deja de ser cierta cuando alcanzamos
la región de saturación: nótese que a partir de cierto valor de Ib (para nuestro
ejemplo Ib = 300 µA) un aumento de Ib no implica un aumento correspondiente
de Ic . Por lo tanto puede asegurarse que se ha alcanzado el estado de saturación
cuando
Ic < βIb (8)
En saturación Vce es muy cercano al cero, tı́picamente Vce = 0, 1V .
Las tres zonas de trabajo del transistor pueden ser discriminadas según la
polarización de las junturas base-colector (BC) base-emisor (BE):
En la zona de corte, ambas junturas están polarizados inversamente,
BE BC
Corte I I
Activa D I
Saturación D D
Ic = βIb
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El objetivo es conocer cuál es la polarización de la juntura BC para deter-
minar si está polarizada en directa o en inversa, y ası́ saber si el transistor se
encuentra saturado o en la zona activa, respectivamente. Las tensiones en la
malla de entrada satisfacen la siguiente relación:
5V = Ib Rb + Vbe (9)
y resulta Vcb = 1, 3V . Como Vcb > 0, la tensión del colector es mayor que
la tensión de la base y por lo tanto la juntura está en inversa debido a que el
transistor es NPN. Se concluye entonces que el transistor está trabajando en la
zona activa.
Vbe ≈ 0,7V
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3.2.1. Potencia máxima de salida
El fabricante suele ofrecer una cartilla técnica con la corriente y potencia
máxima de salida que soporta el transistor, Imax y Pmax , respectivamente. Si se
superan estas cantidades el dispositivo se destruirá, y por lo tanto debe tenerse
muy en cuenta al momento de diseñar un circuito. En particular, la potencia de
salida de un transistor viene dada por el producto
P = Ic Vce (12)
30
PMAX = 60 mW
20
Ic [mA]
10 37.5 mW
25 mW
0
0 5 10 15
VCE [V]
4. Conversor Digital-Analógico
Entre los dispositivos más ampliamente utilizados en electrónica digital po-
demos mencionar a los convertidores Digital/Analógico (D/A). Como su nombre
lo indica, el dispositivo tiene como misión transformar una expresión o informa-
ción binaria a valores analógicos equivalentes. Es posible configurar un conver-
sor que posea estas caracterı́sticas con el simple uso de resistencias, como por
ejemplo, el denominado red R − 2R. Otra implementación posible es la red de
resistencias ponderadas, que se propone como experiencia en la guı́a 2.
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Figura 10: Esquema de un conversor digital - analógico R-2R de tres entradas.
de Kirchoff:
i2 = −i1 + i3 (13)
i3 = −i0 + i4 (14)
E0 − V 0
i0 = (15)
2R
E1 − V 1
i1 = (16)
2R
V1 − V0
i3 = (17)
R
V0
i4 = (18)
2R
La corriente i2 puede ser escrita de diversas formas:
E2 − V s
i2 = (19)
2R
Vs − V1
i2 = (20)
R
E2 − V 1
i2 = (21)
3R
(22)
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mientras que reemplazando i3 (Ec. (17)), i0 (Ec. (15)) e i4 (Ec. (18)) en la Ec.
(14) se obtiene
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Guı́as de Problemas
5. Guı́a 1
1. Dispositivos lineales versus no lineales. Grafique cómo varı́a la corriente
entre bornes de una resistencia y un diodo, al variar la tensión desde
−1V a 1V con un paso ∆V = 0,2V . Para realizar los gráficos emplee
la relación teórica corrrespondiente presentada en las clases teóricas (la
Figura 11 muestra el esquema del circuito que debiera emplearse si se
deseara realizar una medición experimental). Polarice el diodo en forma
inversa cuando sea necesario. La resistencia es de 1 KΩ. El diodo es de
silicio (Si), y su corriente inversa de saturación es de 1 nA (η = 2).
Describa las diferencias encontradas. Considere que la temperatura de
trabajo es la normal del ambiente (300K).
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Figura 12: Transistor polarizado.
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6. Guı́a 2: Laboratorio
1. Utilizando un multı́metro, halle los parámetros caracterı́sticos de los si-
guientes elementos.
Resistencias
Transistores (Factor β)
Baterı́as (Tensión)
2. Sobre la base del ejercicio 2 del práctico 1, arme el circuito y compare las
tensiones y corriente que circula con los valores calculados. ¿El punto de
trabajo es el mismo que el calculado?. ¿Por qué?.
Teórico Experimental
Vd (polarizado)
Id
Rd
3. a) Con el transistor BC547 que le será entregado debe armar una com-
puerta inversora como la que se muestra en la Figura 13. Mida los
parámetros del transistor que considere necesarios. Luego de calcular
y diseñar el circuito solicite el resto de los elementos que necesite.
b) Una vez armado, verifique que funcione correctamente. Registre las
tensiones de entrada y salida, como ası́ también las VBE , VBC y
VCE . Concluya si efectivamente se han alcanzado oportunamente los
estados de corte y saturación.
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Entrada Digital Salida Digital
00 0V
01 1V
10 2V
11 3V
Diseñe y construya el dispositivo utilizando una red de resistencias pon-
deradas. Nota: El nivel lógico es de 3V y se dispone de una fuente de
5V .
6. Resistencias en modo PULL-UP / PULL-DOWN
Descripción Las resistencias de tipo pull-up y pull-down, se utilizan para
definir valores de tensión en ciertos puntos de un circuito y evitar los
valores inciertos comúnmente en las entradas de un componente. El valor
de la resistencia debe ser suficientemente alto como para que el puerto de
lectura pueda asumir los valores de intensidad que se establecen. Veamos
un ejemplo: Supongamos que tenemos un registro de desplazamiento como
el de la siguiente figura
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7. Guı́a 3
1. Para cada una de las siguientes compuertas, explique cualitativamente el
funcionamiento del circuito y complete una tabla con los valores lógicos
de entrada y salida. Señale las resistencias Pull-Up y Pull-Down
a) b) R2 >> R1
c)
d)
e)
2. Se requiere el diseño de un sistema que convierta la entrada digital (2
dı́gitos binarios) en una salida luminosa que consiste en una seria de 3
LED, como se muestra en la figura.
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3. Un dispositivo A mide el nivel de aceite de una máquina industrial y en-
trega la lectura en un número binario de 4 dı́gitos. Se requiere el diseño de
un dispositivo B, cuya entrada sea la salida de A, que alerte encendiendo
un led amarillo cuando la entrada es mayor o igual a 4, y uno rojo cuando
es mayor o igual a 9. La entrada al dispositivo es un binario de 4 dı́gitos.
Diseñar el circuito lógico e implementar cada una de las compuertas.
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8. Material de Consulta
Referencias
[1] J. Millman. Electrónica; fundamentos y aplicaciones. Hispano-Europea, Bar-
celona, 1979. Solicitarlo por: 621.38. M653-2. Disponible en acceso directo.
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