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nar un periodo. El desarrollo del tiristor GTO

IGCT, conmutador supuso un gran avance, ya que puede con-

mutar en cualquier instante de un periodo. Los
tiristores IGBT han permitido conseguir fre-

de semiconductores cuencias de conmutación más altas, pero sus

pérdidas de conmutación sólo se mantienen
en un nivel aceptable a bajas tensiones. Para

de alta potencia para todos estos semiconductores de potencia, los

responsables del desarrollo se concentraron
básicamente en los procesos de conmutación

tensiones medias mismos, dejando de lado los trabajos técnicos

necesarios para su uso en la práctica.
Los tiristores GTO están formados por mi-
El diseño de componentes semiconductores para la conmutación de potencia llares de elementos de conmutación alojados
en la gama de megawatios y tensiones medias plantea numerosos problemas. en un disco de silicio. Las pérdidas se produ-
Las propiedades naturales de los dos semiconductores de potencia disponi- cen en cualquiera de los cuatro estados de
bles en la técnica de silicio, concretamente los tiristores GTO (Gate-Turn-Off) servicio (on, off, conexión, desconexión). Con
e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) obligan a aceptar compromisos de tensiones medias, las pérdidas de conducción
cálculo que hacen que los sistemas de potencia y la regulación de los mismos de los tiristores GTO son muy bajas, mientras
sean más complejos y más caros. Para funcionar de manera fiable, los tiristo- que sus pérdidas estacionarias se mantienen
res GTO necesitan circuitos periféricos complejos; además, tienen una fre- en un nivel razonable. Sin embargo, puesto
cuencia baja de conmutación. Los ingenieros de desarrollo de sistemas con la que el proceso de conmutación no es homo-
técnica IGBT tienen que resolver, por una parte, el problema de las grandes géneo, el funcionamiento de conmutación
pérdidas y, por otra parte, han de conjugar la necesidad de mayor número de exige circuitos externos de protección contra
componentes con la exigencia de más disponibilidad. La nueva técnica IGCT las sobretensiones (snubber). Estos circuitos
(Integrated Gate Commutated Thyristor), desarrollada por ABB, compensa los ocupan más de la mitad del volumen del ele-
inconvenientes de los tiristores GTO e IGBT y contiene todos los circuitos ne- mento terminado, requieren mucho tiempo de
cesarios para asegurar la fiabilidad del aparato de conmutación, que puede diseño y provocan una gran parte de los cos-
emplearse sin problemas en la gama de tensiones medias. tes y pérdidas.
Aunque los tiristores IGBT tienen en estado

A BB fabrica los tiristores de alto rendi-

miento GTO e IGBT para aplicaciones en que
la fiabilidad es decisiva. Se utilizan, entre otras
aplicaciones, en accionamientos industriales,
en trenes y barcos y en los sistemas de trans-
porte y distribución de electricidad 1 , 2 .
También se usan a menudo en la gama de
tensiones medias más usuales: 2,3 kV, 3,3 kV,
4,16 kV y 6,9 kV.
Desarrollo de los conmutadores
de potencia de silicio
ABB ha venido invirtiendo constantemente
en el desarrollo y fabricación de los tiristores
GTO y en técnica IGBT, con el resultado de
un continuo incremento de la potencia de
conmutación 3 . Una serie de innovaciones
ha permitido crear durante los últimos años
una plataforma para el diseño y fabricación
de un conmutador de potencia, hecho de si-
licio, que supera las prestaciones de los tiris-
tores GTO e IGBT. Denominado IGCT con-
mutador de semiconductores, este puede
conmutar más rápidamente y con menores
pérdidas que los tiristores GTO e IGBT. Ade-
más, sus propiedades permiten a los pro-
yectistas de instalaciones reducir las dimen-
siones y bajar los costes de los sistemas
para media tensión, aumentando al mismo
tiempo su eficacia y fiabilidad.
Un conmutador de potencia
mejorado
Durante los 30 años transcurridos desde su
introducción, los conmutadores de potencia
hechos de silicio se han ido haciendo a la vez
más complejos y más eficaces. Los primeros
tiristores no podían desconectar sino al termi-
Harold M. Stillman
ABB Corporate Technology
de paso pérdidas comparativamente más
altas, conmutan de forma homogénea, por lo
que no necesitan circuitos de protección con-
tra las sobretensiones. De todas formas, aún
no se encuentran disponibles para todos los
niveles de media tensión. Para remediar este
inconveniente, los diseñadores tienen que co-
nectar en serie varios tiristores IGBT de menor
tensión de bloqueo, lo que aumenta enorme-
mente la complejidad y produce muchas más
pérdidas, con la correspondiente reducción de
la fiabilidad. Así, un convertidor calculado para
funcionar con 4,15 kV necesita para cada fase
cuatro tiristores IGBT de 1,8 kV conectados
en serie.
Los tiristores GTO pueden fabricarse eco-
nómicamente para casi todos los niveles de
media tensión. Previsiblemente, en un próxi-
mo futuro también se dispondrá de tiristores
IGBT para 3,3 y 4,5 kV, que simplificarán el di-
seño de los circuitos de media tensión, pero
se sabe que provocarán pérdida altas. Para
compensar estas pérdidas y actuar contra el
correspondiente calentamiento, los tiristores

12 Revista ABB 3/1997

 S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

IGBT deberán tener más superficie de silicio,

lo que aumentará su coste.
El conmutador de potencia ideal debería
conmutar como un IGBT y conducir la corrien-
te como un GTO, tendría que tener unos cos-
tes de fabricación razonables y alcanzar el alto
rendimiento de los tiristores GTO. Estas son,
precisamente, las propiedades del tiristor
IGCT (Tabla 1).

El secreto de la técnica IGCT

Han sido necesarias varias innovaciones en la
técnica IGCT para conseguir que los muchos
miles de estructuras individuales de conmuta-
ción de un tiristor GTO modificado puedan
conmutar rápidamente y al mismo tiempo.
Además se ha conseguido mantener el bajo
nivel de pérdidas en estado de paso y de blo-
queo, típicas de los tiristores.
Una de las principales innovaciones es una Con la tecnología IGCT se pueden construir instalaciones electrónicas de potencia 1
más compactas y de mejor precio, por ejemplo instalaciones de convertidores
nueva capa tampón, que permite reducir en
para instalaciones CCAT o compensadores estáticos de potencia reactiva.
un factor 2 a 2,5 las pérdidas en estado de
paso y de conmutación, y hace que los perfi-
les óptimos de dotación de un tiristor GTO y tampón es casi tan vieja como el tiristor GTO estado de paso del aparato. En un tiristor GTO
de un diodo sean prácticamente idénticos. mismo, aún no había llegado a ser realidad de diseño convencional, esta misión la asu-
Hasta ahora, la combinación de un diodo y de por las razones que se exponen a continua- men los cortocircuitos de ánodo, que propor-
un tiristor GTO traía consigo una limitación im- ción. Para reducir las pérdidas de conmuta- cionan una vía de escape a los electrones. La
portante de las prestaciones del diodo en ción, en la desconexión es necesario eliminar combinación de cortocircuitos de ánodo con
cuestión. Aunque la idea de usar una capa lo más rápido posible la carga presente en el una capa tampón, sin embargo, conlleva la

Tabla 1:
La técnica IGCT aúna las ventajas de los tiristores GTO e IGBT

Ventajas Tiristores GTO IGBT IGCT

Técnica de conmutación
• suministrable para la • elevada frecuencia de conmutación • elevada frecuencia de conmutación
mayoría de las tensiones • bajas pérdidas de conmutación • bajas pérdidas de conmutación
medias • sin circuitos de protección contra y en estado de paso
• bajas pérdidas en estado las sobretensiones • sin circuitos de protección contra
de paso • control integrado de compuerta las sobretensiones
• suministrable para la mayoría de las
tensiones medias

Conmutación • seguridad contra • menos piezas y con menor tensión • seguridad contra fallos graves
de potencia fallos graves • apropiado para la conexión en serie • fiabilidad acreditada
y en paralelo en caso de tensión baja • diodo y compuerta integrados, para
reducir el número de componentes
• apropiado para la conexión
en serie y en paralelo

Equipos • fiabilidad demostrada • configuración modular • permite construir aparatos

• compacidad modulares compactos
• bajos costes de cableados y conexiones
• módulos listos para su uso
• fiabilidad demostrada

Revista ABB 3/1997 13

 S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

vido de base al mito de la imposibilidad de

Los IGCT se pueden aplicar a menudo en la técnica de accionamiento,
como en esta bomba de alimentación de agua.
aparición de corrientes de encendido y de
mantenimiento muy altas, un problema que se
ha resuelto prescindiendo de los cortocircuitos
de ánodo. Así, el ánodo se ha hecho «trans-
parente», es decir, permeable a los electrones.
El resultado es que las corrientes de encendi-
do se han reducido casi en un orden de mag-
nitud respecto de los tiristores GTO sin tam-
pón.
Mejora de la potencia de conmutación P de los tiristores GTO e IGBT
10 8
VA
10 7
P
10 6
1985
2
Otra importante innovación se produce en
el nivel del control de la compuerta. Los GTO y
otros tiristores son dispositivos de cuatro
capas (npnp) y tienen, por tanto, sólo dos
puntos estables de funcionamiento: «on» y
«off». Todos los estados intermedios son ines-
tables y provocan corrientes de fuga. Esta
inestabilidad propia está agravada además
por los defectos de fabricación, lo cual ha ser-
3
GTO
IGBT
1990 1995
usar los GTO sin circuito de protección contra
las sobretensiones.
De hecho, el GTO ha ser reducido a un ele-
mento pnp estable (es decir, a un transistor)
sólo durante unos pocos microsegundos, crí-
ticos, durante el proceso de desconexión.
Para neutralizar el cátodo durante este proce-
so se ha de bloquear la polarización de la
unión np del cátodo antes de que se constitu-
ya la tensión en la unión principal. Esto exige
conmutar la corriente de plena carga del cáto-
do (n) hacia la compuerta (p) en aproximada-
mente un microsegundo. El diseño de la
nueva carcasa de baja inductancia permite al-
canzar un valor de 4000 A/µs con una unidad
de compuerta de 20 V. Así quedan eliminadas
por completo las corrientes de fuga, y el com-
portamiento de desconexión y la gama de fun-
cionamiento fiable son análogos a los de un
transistor (por ejemplo un IGBT). Además, los
actuales GTO pueden conmutar inmediata-
mente sin provocar las fluctuaciones que
antes exigían el máximo ingenio para diseñar
circuitos en serie.
Semiconductores de potencia y
experiencia de diseño de circuitos
La técnica IGCT es el resultado de un intenso
trabajo conjunto entre el departamento de de-
sarrollo de componentes electrónicos de ABB
Semiconductors AG y los grupos de desarro-
llo de convertidores de potencia de ABB In-
dustrie AG. Precisamente ha sido el desarrollo
simultáneo del silicio, de la carcasa y de los
circuitos complementarios requeridos por las
aplicaciones industriales lo que ha permitido
hacer realidad esta combinación de propieda-
des de los IGCT, única en su género.
La técnica IGCT engloba el aparato de
conmutación de potencia (GTC) y el circuito
de control (diodo de rueda libre y control de la
compuerta), constituyendo un componente in-
tegrado 4 . Puesto que se efectúan cuatro ni-
veles de agrupación para el suministro e inte-
gración de componentes 5 , 6 , es posible
conseguir perfeccionamientos al mismo tiem-
po en cuatro campos interdependientes: bajas
pérdidas de conmutación y de estado de
paso en la gama de tensiones medias, circui-
tos más sencillos para el control de los semi-
conductores de potencia, menores costes del
sistema de potencia y, finalmente, más seguri-

14 Revista ABB 3/1997

 S E M I C O N D U C T O R E S
dad de funcionamiento y mayor fiabilidad. Y
puesto que la oferta contiene también módu-
los de conmutación prediseñados, la técnica
IGCT permite al proyectista de equipos de
tensión media desarrollar sus productos en
menos tiempo.
Ventajas de la técnica IGCT
de media tensión
Bajas pérdidas de conmutación
Una ventaja de la conmutación con bajas pér-
didas es que el proyectista puede elegir la fre-
cuencia de conmutación más conveniente
para el caso en cuestión. En los semiconduc-
tores de potencia construidos con técnicas
anteriores, la frecuencia de conmutación a la
intensidad nominal estaba limitada a 250 Hz.
La técnica IGCT permite trabajar con una fre-
cuencia hasta cuatro veces mayor. Por ejem-
plo, un proyectista de sistemas de acciona-
miento puede elegir una frecuencia de conmu-
tación más alta para conseguir mayor
rendimiento del sistema o, en otro caso, optar
por una frecuencia de conmutación más baja
para un IGCT con el fin de mejorar el rendi-
miento de instalaciones de onduladores y re-
ducir sus pérdidas.
Reducción de tamaño de los
circuitos auxiliares
Las sobresalientes características del GCT en
el nivel de aparatos, únicas en su clase, hacen
posible el funcionamiento sin circuitos de pro-
tección contra las sobretensiones (snubber),
con las importantes ventajas que esto conlle-
va. Las instalaciones de onduladores equipa-
das con circuitos de protección contras las
sobretensiones son caras y grandes, mientras
que las mismas instalaciones sin circuitos de
protección no sólo tienen menores pérdidas
sino que son más compactas y tienen menos
componentes 6 . Y, además, aumenta la se-
guridad de funcionamiento.
Hay que mencionar también que la técnica
IGCT simplifica el proyecto de instalaciones,
gracias a la integración de los diodos de rueda
libre en la estructura GCT. Esto es posible por-
que la reducción de espesor del disco de sili-
cio GCT, que también reduce las pérdidas de
conmutación, no impide fabricar un diodo efi-
caz en el mismo.
D E P O T E N C I A
n+
p
n+
p p p
n + n– ⇒ n–
n+ n n+
p+
p+ n + p + n + p +
a
n n
p p p
n n–
+
p n+
Comparación entre los IGBT y los GCT, en el cual el interruptor de potencia 4
y el diodo de rueda libre están montados en el mismo disco de silicio.
El GCT es mucho más sencillo que el IGBT.
a Sección de un tiristor GTO (a la izquierda), de un diodo (en el centro) y de un GCT (a la de-
recha). Como puede verse, la capa emisora y tampón transparente del GCT permite tener
una capa de base n más delgada, lo cual posibilita integrar el diodo de rueda libre en la
misma estructura y, si se combina con una carcasa de baja inductividad y un circuito de
mando de compuerta de baja inductividad, prescindir del circuito de protección.
b Sección de una célula de IGBT (a la izquierda) y de un diodo (a la derecha). Un circuito inte-
grado IGBT completo está formado por gran número de celdas monolíticas como esta. La
técnica MOS limita el tamaño de los circuitos integrados IGBT a 1-2 cm2 aproximadamente,
de modo que se han de conectar varios circuitos en paralelo. Puesto que los semiconduc-
tores IGBT todavía no alcanzan los mismos valores de tensión de estado de «no conduc-
ción» que los GCT, han de conectarse en serie para conseguir la tensión de bloqueo reque-
rida por la aplicación concreta.
Mejores precios de componentes Los GCT pueden fabricarse con los proce-
y sistemas dimientos que ya se emplean para fabricar los
La aplicación de la técnica IGCT permite re- GTO. Puesto que se trata de procedimientos
ducir al menos un 30% de los costes de los perfectamente dominados y además pueden
convertidores de potencia para control y re- utilizarse los equipamientos ya disponibles, los
gulación. Varios factores contribuyen a esta costes de fabricación de los GCT son seme-
reducción. jantes a los de los tiristores GTO. Comparados
Revista ABB 3/1997 15
 S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

La técnica IGCT ofrece cuatro niveles para la construcción 5

por capas e integración de los componentes (véase a, b y c,
así como la figura 6b ). Los diseñadores de aparatos
pueden utilizar cada nivel como punto de partida. Si se
elige una pila IGCT lista para usarse (figura 6b ),
se puede ahorrar gran parte del tiempo dedicado al
proyecto de circuitos de potencia y de sistemas mecánicos.
a GCT (Gate commutated thyristor)
a • El tiristor GCT y el diodo están integrados en el mismo disco.
• Gracias al diseño del ánodo, la carga eléctrica puede entrar y
salir rápidamente del GCT.
• La baja potencia del disco de silicio limita la carga almacenada
y permite colocar en el mismo disco el diodo y el conmutador
de potencia.
• Un disco de silicio más delgado tiene mayores pérdidas en es-
tado de paso.
• Todos los elementos conmutan al mismo tiempo; se puede
prescindir de un circuito de protección contra las sobretensio-
nes.
b GCT alojado en carcasa
• Una carcasa de baja inductancia asegura que las corrientes de
carga y de control de compuerta penetran en el GCT y salen de
b
él con rapidez.
• La carcasa «Presspack» garantiza libertad de movimientos y
previene los fallos por fatiga, con solicitaciones térmicas incluso
durante decenas de años.
• La carcasa «Presspack» resiste sin problemas la solicitación
térmicas y aumenta la fiabilidad.
c Control de compuerta integrado
• El circuito de control de compuerta, de baja inductancia, se en-
carga de que las corrientes de control penetren y salgan con
rapidez del GCT.
• El circuito de mando de compuerta, localizado y altamente inte-
c grado, reduce la inductancia de fuga.
• La compacidad de la construcción simplifica el diseño de las
instalaciones.

con los IGBT, los tiristores GCT son menos
sensibles a las fluctuaciones de procedimien-
to, que no influyen sobre el comportamiento
de desconexión. Por eso ha mejorado el ren-
dimiento de fabricación y se han reducido los
costes. Además, la simulación de los GCT es
más simple, lo que se refleja en una reducción
de costes y en plazos más cortos de desarro-
llo de los sistemas.
Gracias a la técnica GCT, el número de
componentes de los circuitos de potencia ha
quedado reducido en cerca del 50%. Esto
proviene, de forma general, de la reducción de
cableado, conseguida gracias a la fuerte inte-
gración de los elementos, y a que los diodos
forman parte del tiristor GCT. La mayor fre-
cuencia de funcionamiento permite que algu-
nos componentes tengan menor tamaño, lo
que trae consigo otros ahorros. Y finalmente,
el circuito de control de la compuerta requiere
menos potencia y por tanto se pueden utilizar
componentes más baratos.
Los componentes realizados con la técnica
IGCT consiguen rendimientos mayores que los
hechos con otras técnicas. Las pérdidas en los
circuitos de potencia y en los correspondientes
circuitos auxiliares son más bajas y, por tanto,
los dispositivos de refrigeración ocupan menos
espacio, reduciéndose aún más los costes.
Fiabilidad y disponibilidad
De forma general, los costes de las instalacio-
nes de control y regulación de potencia son
bajos en comparación con los provocados
por las interrupciones de los procedimientos
industriales. La disponibilidad de estos com-
ponentes y sistemas es, por lo tanto, funda-
mental. La técnica IGCT, desarrollada espe-
cialmente para aplicaciones en la gama de
tensión media, proporciona máxima fiabilidad
gracias a las características siguientes:
• conmutación homogénea,
• técnica robusta de apilado, semejante a la
de los tiristores (sin cableado),
• simplificación de los circuitos de control de
compuertas,
• menor número de componentes.
Este último factor reduce también los costes
de almacenamiento de piezas de recambio.
Además, en el caso improbable de una pertur-
bación, la configuración modular de la técnica
IGCT permite sustituir con facilidad y rapidez
los componentes de potencia, de modo que
el proceso industrial continúa sin problemas o
a lo más se interrumpe brevemente.
Aplicaciones de la técnica IGCT
La mayor ventaja del tiristor IGCT es su capa-
cidad para desconectar en 3 microsegundos y
para conducir como un tiristor normal. Por
eso, la tecnología IGCT permite realizar ins-
talaciones de onduladores con pérdidas que
no llegan ni a la mitad que las de otras tecno-
logías. Los IGCT han hecho posible la configu-
ración de circuitos con una potencia nominal
de hasta 100 MW, valor que antes exigía el
montaje en serie de numerosos conmutado-
res de silicio. Los equipamientos para media
tensión construidos con la nueva técnica se
distinguen además por su altísima fiabilidad.

16 Revista ABB 3/1997

 S E M I C O N D U C T O R E S D E P O T E N C I A

a b

Comparación entre dos convertidores de tiristores, GTO e IGCT, el primero refrigerado por agua y el segundo por aire, 6
para la misma potencia y tensión. La técnica IGCT permite una configuración mucho más simple, lo cual repercute en el
coste y proporciona mayor fiabilidad.

a Convertidor de tiristores GTO b Convertidor de tiristores IGCT con las siguientes características:
– Los elementos IGCT se montan con facilidad en una configuración compacta.
– La estructura permite sustituir rápidamente los IGCT en el improbable caso de que falle
un elemento.

Por vez primera se ha conseguido desa-
rrollar la técnica de silicio para aplicaciones
de alta potencia en la gama de tensiones
medias. Por eso, ahora es posible construir
sistemas de control y regulación más fiables,
más compactos y más baratos, como:
• convertidores de frecuencia para alimen-
tación ferroviaria,
• acoplamiento de redes,
• compensadores de corriente reactiva para
regular el factor de potencia,
• reguladores de flujo de potencia para cen-
trales nucleares,
• accionamientos de media tensión para
tensiones de red de hasta 6,9 kVeff,
• accionamientos de bombas y ventila-
dores 2 para la industria química y pe-
troquímica,
• accionamientos eléctricos principales
para barcos,
• alimentación de corriente ferroviaria sin
transformadores,
• accionamientos para locomotoras eléctri-
cas,
• convertidores de resonancia para calefac- Bibliografía
ción inductiva, [1] Grüning, H. y otros: High power hard dri-
• interruptores automáticos estáticos. ven GTO module for 4,5 kV/ 3 kA snubberless
operation. PCIM Conference, 21–23 de mayo
de 1996, Nüremberg.
La técnica IGCT ya se encuentra [2] Grüning, H.; Zuckerberger, A.: Hard drive
disponible of high power GTOs: better switching capabi-
ABB es uno de los proveedores más impor- lity obtained through improved gate units. IEEE
tantes de componentes y sistemas electróni- paper 0-7803-3544-9/96.
cos de potencia. Su posición puntera queda
ilustrada claramente por las innovaciones téc-
nicas que la técnica IGCT ha hecho posibles.
Las instalaciones realizadas con esta técnica
destacan por sus menores costes y por su
gran fiabilidad, incluso para los máximos valo-
res de la potencia. Actualmente, los proyectis- Dirección del autor
tas de instalaciones de electrónica de poten- Harold M. Stillman
cia para tensiones medias pueden optar entre ABB Corporate Technology
tres tecnologías de conmutadores de poten- ABB Asea Brown Boveri AG
cia, hechos de silicio: los tiristores GTO, IGBT Postfach 8131
e IGCT. La técnica IGCT se utiliza preferente- CH-8050 Zurich
mente cuando lo fundamental es conseguir Telefax: + 41 (0) 1 317 79 68
compacidad de construcción, alto rendimien- E-mail:
to, rapidez en el desarrollo y alta fiabilidad. hal.stillman@abbzh.mail.abb.com

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