Preinforme Nº 2

Compuertas lógicas

1. Investigue las características de las compuertas con tecnología TTL y CMOS.

Los diseñadores de circuitos integrados solucionan los problemas que se plantean en la integración,
esencialmente, con el uso de transistores. Esto determina las tecnologías de integración que,
actualmente, existen y se deben a dos tipos de transistores que toleran dicha integración: los bipolares y
los CMOS y sus variantes.
a) Tecnología TTL: Lógica de Transistor a Transistor. Esta tecnología, hace uso de resistencias, diodos
y transistores bipolares para obtener funciones lógicas estándar.
b) Tecnología CMOS: Lógica MOS Complementaria. Esta tecnología, hace uso básicamente de
transistores de efecto de campo NMOS Y PMOS.
En ingeniería electrónica, se puede referir a uno de dos conceptos relacionados: una familia lógica de
dispositivos circuitos integrados digitales monolíticos, es un grupo de puertas lógicas (o compuertas)
construidas usando uno de varios diseños diferentes, usualmente con niveles lógicos compatibles y
características de fuente de poder dentro de una familia. Muchas familias lógicas fueron producidas
como componentes individuales, cada uno conteniendo una o algunas funciones básicas relacionadas,
las cuales podrían ser utilizadas como “construcción de bloques” para crear sistemas o como por así
llamarlo “pegamento” para interconectar circuitos integrados más complejos.

TTL es la sigla en inglés de transistor-transistor logic, es decir, "lógica transistor a transistor". Es

una familia lógica o lo que es lo mismo, una tecnología de construcción de circuitos
electrónicos digitales. En los componentes fabricados con tecnología TTL los elementos de entrada y
salida del dispositivo son transistores bipolares.
 Su tensión de alimentación característica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V
(como se ve un rango muy estrecho).
 Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre 0,2V y 0,8V
para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).
 La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base, si bien esta
característica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han
aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y últimamente los CMOS: HC,
HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco más de los 250 MHz.
 Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten a través de circuitos
adicionales de transmisión (no pueden viajar más de 2 m por cable sin graves pérdidas).
TTL trabaja normalmente con 5V.

Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS es una de las familias lógicas empleadas en la

fabricación de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la utilización conjunta
de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el
consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas.
En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnología CMOS.
Esto incluye microprocesadores, memorias,procesadores digitales de señales y muchos otros tipos de
circuitos integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo.
Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales. La serie 4000 que fue
introducida por RCA y la serie 14000 por Motorola, estas fueron las primeras series CMOS. La serie
74C que su característica principal es que es compatible terminal por terminal y función por función
con los dispositivos TTL. Esto hace posibles remplazar algunos circuitos TTL por un diseño
equivalente CMOS. La serie 74HC son los CMOS de alta velocidad, tienen un aumento de 10 veces la
velocidad de conmutación. La serie 74HCT es también de alta velocidad, y también es compatible en lo
que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL.
Los voltajes de alimentación en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos valores van de 3 a
15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT.
Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lógicos se expresa como un porcentaje
del voltaje de alimentación. Tenemos entonces:
VOL(max) = 0 V
VOH(min) = VDD
VIL(max) = 30%VDD
VIH(min) = 70% VDD
Por lo tanto los margenes de ruido se pueden determinar a partir de la tabla anterior y tenemos que es
de 1.5 V. Esto es mucho mejor que los TTL ya que los CMOS pueden ser utlizados en medios con
mucho más ruido. Los margenes de ruido pueden hacerse todavía mejores si aumentamos el valor de
VDD ya que es un porcentaje de este.
En lo que a la disipación de potencia concierne tenemos un consumo de potencia de sólo 2.5 nW
cuando VDD = 5 V y cuando VDD = 10 V la potencia consumida aumenta a sólo 10 nW. Sin embargo
tenemos que la disipación de potencia sera baja mientras estemos trabajando con corriente directa. La
potencia crece en proporción con la frecuencia. Una compuerta CMOS tiene la misma potencia de
disipación en promedio con un 74LS en frecuencia alrededor de 2 a 3 Mhz.
Ya que los CMOS tienen una resistencia de entrada extremadamente grande que casi no consume
corriente. Pero debido a su capacitancia de entrada se limita el número de entradas CMOS que se
pueden manejar con una sola salida CMOS. Así pues, el factor de carga de CMOS depende del máximo
retardo permisible en la propagación. Comúnmente este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias,
para altas frecuencias el factor de carga disminuye.
Los valores de velocidad de conmutación dependen del voltaje de alimentación que se emplee, por
ejemplo en una 4000 el tiempo de propagación es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V.
Como podemos ver mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias más elevadas.
Hay otras características muy importantes que tenemos que considerar siempre, las entradas CMOS
nunca deben dejarse desconectadas, todas tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje, esto es
por que los CMOS son, al igual que los MOS muy susceptibles a cargas electrostáticas y ruido que
podrían dañar los dispositivos.
Características de la familia CMOS.
La tecnología MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la estructura básica MOS de un
electrodo metálico montado en un aislador de óxido sobre un subestrato semiconductor. Los
transistores de la tecnología MOS son transistores de campo denominados MOSFET. La mayoría de
los CI digitales MOS se construyen exclusivamente con MOSFET.
2. Realizar el esquema eléctrico para probar el funcionamiento y verificar la tabla de verdad de los
circuitos integrados 74LS04 (6 compuertas NOT), 74LS14 (6 compuertas NOT smith triger), 74LS08 (4
compuertas AND), 74LS32 (4 compuertas AND), 74LS00 (4 compuertas AND,.74LS86 (4 compuertas
AND). Indicar los niveles de las fuentes de alimentación a utilizar.

 Circuito integrado 74LS04

Parámetros 74LS04 Unidad

Tensión de alimentación Vcc 5±0.25 V
Tensión de entrada nivel alto VIH 2.0 a 7.0 V
Tensión de entrada nivel bajo VIL -0.5 a 0.8 V
Tensión de salida nivel alto VOH condiciones de funcionamiento:
2.7 a 3.4 V
V CC = 4.75, VIL = 0.8
Tensión de salida nivel bajo VOL condiciones de funcionamiento:
0.35 a 0.5 V
V CC = 4.75, VIH = 2.0
Corriente de salida nivel alto IOH máx -0.4 mA
Corriente de salida nivel alto IOL máx 8 mA
Tiempo de propagación 9.5 ns

U3A
U2A
U1A
VDD 74LS04D
5V 74LS08D
74LS32D
U1C

U3B 74LS32D
U2B U1B
R1

74LS04D 10Ω
74LS08D 74LS32D
U2C LED1

74LS08D

3. Para el circuito de la figura graficar la forma de onda de la salida “S” si en el interruptor “SW” se
introducen los niveles lógicos que se muestran a continuación:
 VDD
5V
XSC1

Ext T rig
R1 +
3.9kΩ _
A B
+ _ + _
U1A

74LS04D

J1
Key = A

4. Para el circuito de la figura obtener la tabla de verdad para las salidas “S1” y “S2” en función de A, B y
C.
VDD
5V

R1 R2 R3
3.9kΩ 3.9kΩ 3.9Ω
U3A

U3B
74LS08D

74LS08D R4
470Ω
U1A
J1 J2 J3
Key = A Key = B Key = C
74LS11D R5
470Ω

LED2
LED1

𝐹𝐴𝐵𝐶 1 = (𝐵 ∙ 𝐶) ∙ 𝐴
𝐹𝐴𝐵𝐶 2 = (𝐴 ∙ 𝐵 ∙ 𝐶)

Tabla de verdad

A B C (𝐵 ∙ 𝐶) 𝐹𝐴𝐵𝐶 1 𝐹𝐴𝐵𝐶 2
0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0
0 1 0 0 0 0
0 1 1 1 0 0
1 0 0 0 0 0
1 0 1 0 0 0
1 1 0 0 0 0
1 1 1 1 1 1

5. Para el circuito de la figura obtener la tabla de verdad para las salidas “S1” y “S2” en función de A, B, y
C.
 VDD
5V

R1 R2 R3
3.9kΩ 3.9kΩ 3.9kΩ
U2A

U2B
74LS32D

74LS32D R4
470Ω
U1A
J1
Key = A J2 J3
Key = B Key = C R5
74LS27D
470Ω

LED2
LED1

𝐹𝐴𝐵𝐶 1 = (𝐵 + 𝐶) + 𝐴
𝐹𝐴𝐵𝐶 2 = (𝐴 + 𝐵 + 𝐶)´
Tabla de verdad

A B C (𝐵 + 𝐶) 𝐹𝐴𝐵𝐶 1 𝐹𝐴𝐵𝐶 2
0 0 0 0 0 1
0 0 1 1 1 0
0 1 0 1 1 0
0 1 1 1 1 0
1 0 0 0 1 0
1 0 1 1 1 0
1 1 0 1 1 0
1 1 1 1 1 0

6. Para el circuito de la figura obtener la tabla de verdad para la salida “S1” en función de A y B. Indicar a
que compuerta conocida corresponde la tabla de verdad de este circuito.

VDD
5V U1A
U3A

R2 74LS04D U2A
R1 3.9kΩ 74LS08D
3.9kΩ
U1B R4
U3B 74LS32D
470Ω
74LS04D
74LS08D

LED2
J1
Key = A J2
Key = B

𝐹𝐴𝐵𝐶 1 = 𝐴´ ∙ 𝐵 + 𝐵 ´ ∙ 𝐴
Tabla de verdad

A B 𝐴´ ∙ 𝐵 𝐵´ ∙ 𝐴 𝐹𝐴𝐵𝐶 1
0 0 0 0 0
0 1 1 0 1
1 0 0 1 1
1 1 0 0 0

La tabla de verdad de este circuito corresponde a la compuerta excluyente – OR o también conocida

como XOR que tiene la siguiente forma: