Гүйдэлийн толь

Электроникт тодорхой гүйдлийн утгатай ижил гүйдэл хуулбарлан гаргах хэрэгцээ

гардаг.Хэлхээнд хоорондоо ижил үзүүлэлтүүдтэй транзисторуудыг хэрэглэх бөгөөд хоёулаа
ижил VBE бааз-эмитерийн хүчдэлтэй байна.Иймээс баазийн гүйдэл нь ч хоорондоо ижил
байх а хоёр транзисторын гүйдэл өсгөлтийн коэффициентүүд хоорондоо ижил учир
коллектроын гүйдэлүүд нь ижил байна. Транзисторын коллектороор гүйх гүйдлийг,
Транзисторын коллектор даган дуурайдаг учир гүйдэлийн толь гэж
нэрлэжээ.Тиймээс транзисторын коллектороор гүйх гүйдлийг програмчлагч гүйдэл
гэнэ.Транзисторууд нь ижил үзүүлэлтүүдтэй байхаас гадна ижил температурт байх ёстой
учир голдуу нэг кристалл дээр бүтээсэн транзисторуудыг хэрэглэвэл тохиромжтой
байдаг.Түүнчлэн транзисторт өсгөгчийн адил температурын тогтворжилтыг сайжруулахын
тулд эмиттерийн эсэргүүцэгчүүдийг холбож өгдөг.

Транзисторыг хослуулан болон давхарлан хэрэглэх нь

Хоорондоо ижил үзүүлэлтэй ч эсрэг бүтэцтэй,өөрөөр хэлбэл N-P-N болон P-N-P

транзисторуудыг комплиментар хос гэж нэрлэдэг.Ийм хосоор чадлын өсгөгч
буюу гүйдэлээр өсгөх эмиттерийн давтагчийг хийдэг.Энд оролтын хүчдэл нь
тогтмол байгуулагчгүй цэвэр гармоник дохио байна.Гармоник
дохионы эерэг үед T1 тронзистор ажиллаж дохионы эерэг үеийг давтах ба
дохионысөрөг үедT2 транзистор ажиллана. Иймд

Энэ хэлхээнд дохионд тогтмол хо

байгуулагч нэмэх,дараа нь лб
түүнийгээ салгах зэрэг үйлдлүүд од
шаардлагагүй юм.Нэг нь эерэг ог.
үеийг, нөгөө нь сөрөг үеийг
хариуцан ажилладаг учир энэ
давтагчийг түлхэж-татагч(push-
pull)давтагч гэж нэрлэдэг.Мөн энэ
хэлхээнд нэг онцлог бол заавал
газартай харьцангүй ±туйлтай
буюу дундаж цэгтэй тэжээлийн
үүсгүүр шаардлагатай.Ачаалал нь
хэлхээний гаралт болон газартай

Энэ давтагч нь 2 үндсэн дутагдалтай байдаг.Нэгдүгээрт

гаралтын хүчдэлийн утга нь оролтын хүчдэлээс үргэлж
0.6Vоор бага байх ба оролтын хүчдэл +0.6V- -0,6Vзавсарт байх
үед гаралтын хүчдэл тэгтэй тэнцүү болно.Үүнийг тэг шугам
огтлох гажиг(crossover distortion) гэж нэрлэдэг.Хоёрдугаарт
транзистор нь идэвхтэй төлөвт өндөр чадал ялгаруулан ажиллах учир халдаг
бөгөөд улмаар температурын тогтворгүй байдалд орж гүйдэл өсгөлтийн
коэффициент өөрчлөгддөг.Иймд үүнээс хамгаалахын тулд температурын
тогтворжуулагч эсэргүүцлийг транзистор бүрийн эмиттерт холбож
өгнө.Түүнчлэн транзисторыг хөргөх хөргөгч металлыг түүнд бэхэлж өгөх нь
зайлшгүй шаардлагтай юм.

Зурагт хос транзисторүлхэж-татах

т
давтагчийн гаралтын хүчдэлт бий болдог тэг
шугам огтлох гажигийг харуулжээ.Энэ гажигыг
арилгахын тулдтранзисторуудын бааз дээр
нэмэгдэл диодыг холбож түүн дээр
унах0.6V хүчдэлээр дохионы хүчдэлийг
дээшлүүлэх аргыг хэрэглэнэ.

Уг засварласан хэлхээг дараах зурагт сар

үзүүлэв.Мөн транзисторуудын эмиттерт ниу
температурын тогтворжилтыг хангах лал
эсэргүүцэгчүүд холбосон болохыг харж тыг
болно.Практикт энэ эсэргүүцэгчүүдийн нь
хэмжээг ачааны эсэргүүцлийн 10%-аас сай
хэтрэхгүй байхаар сонгодог.Аливаа жру
хөгжмийн өсгөгчийн гаралтыг чадлын улд
өсгөгчөөр хийдэг.Зурагт үзүүлсэн хос аг.
транзисторт давтагч нь зөвхөн чадлаар
өсгөх үүрэгтэй юм. Үүний өмнө хүчдэлээр
өсгөх үүрэгтэй өсгөгчийг угсарч
бүрэнгаралтын өсгөгч болно.Гаралтын
өсгөгчийг татаж-түлхэх зарчмаар ажилладаг
хос транзисторын гаралт нь өөрсөд дээрээ маш их
чадал ялгаруулж халдаг тухай дурдаж
байсан.Тиймээс транзисторуудыг хөргөх хөргөгч
материалыг тэдгээрийн их биенд бэхэлж дулаан

Чадлын транзисторынөргөлтийг
х бэхлэлгүйгээр эсвэл дутуу сул
бэхлэхж ажиллуулах нь транзисторыг эвдэрхэд хүргэж
болно.Хөргөлтийг бэхлэхдээ транзистор,хөргөгч хоёрын дунд дулаан
сайн дамжуулдаг тусгай тос түрхэхээс гадна транзисторын их
биеийг хөргөгч металаас тусгаарлах тусгаарлагч ашиглах хэрэгтэй.

Гаралтын транзисторууд өндөр өсгөлтийн коэффициенттэй байвал

оролтын үгйдэл багасаж,оролтын
Гүйдэл багасаж, оролтын эсэрг үүцэл ихсэнэ. Транзисторын өсгөлтийн
коэффициентийг ихэсгэдэг аргыг доор үзүүлэв. Транзисторыг
давхарлан холбож өсгөлтийн коэффициентийг ихэсгэж
болдог.Дараах зурагт үзүүлсэнхолболтыг
Дарлингтон ( Darlington)холболт гэж нэрлэнэ.Хоёр транзисторыг
давхарлан холбосон тохиолдолд нэгд үгээр транзисторын эмиттерийн
гүйдэл хоёрдугаар транзисторын баазын гүйдэл болно.Өсгөлтийн
коэффициентийг тооцоолъё:
ICT=IC1+IC2=�1°IB1+ �2°I B2

IB2=IE1=IC1+IB1 учир:

ICT=β1°IB1+� 2°( β1°IB1+IB1)

ICT=( β1°( � 2+1)+1)°IB1 эндээс

ΒT= β1( � 2+1)+1 болно.

Ийнхүү Дарлингтон транзисторын гүйдэл өсгөлтийн
коэффициент нь хоёр транзисторын коэффициентүүдийн
үржвэрээр тодорхойлогдоно. P-N шилжилт нь багтаамж бүхий
кондинсатор шиг шинж чанартай байдгийг дурдаж байсан
билээ.Ийм багтаамжийг электроник хортой багтаамж гэж
нэрлэдэг.Дарлингтон холболтын хоёр дахь транзисторт бий
болсон хортой багтаамж нь цэнэглэгдвэл цэнэг алдах гүйдэл
нь нэгдүгээр P-N транзисторын шилжилтэд хаагдан цэнэг нь
тэндээ үлдсэнээр хоёрдугаар транзистор удаан хаагдахад
хүрдэг.Энэ нь транзисторын хурдыг удаашруулна.Иймд цэнэг
алдах гүйдэлийг саадгүй гүйлгэхийн тулд эсэргүүцэгч холбож
транзисторын хурдыг дээшлүүлдэг.
Практикт их чадлын транзисторүссэн
х шилжилттэй нь
олдохгүй хясах явдал тохиолддог.Тухайлбал
N-P-N чадлын
транзистор хэрэгтэй байхад P-N-P шилжилттэй байвал
яах вэ?Мөн эсрэгээр P-N-P чадлын транзистор хэрэгтэй
байхад N-P-N шилжилттэй нь байвал яах вэ?Эдгээрт
асуултуудад Циклай холболт харуулна.Үнэн хэрэгтээ
чадлын транзистор нь хоёр дахь транзистор нь боловч
холболтын үзүүлэх шинж чанар нь нэгдүгээр
транзисторынхоороо байна.Зурагт А-д чадлын P-N-P
транзистороор N-P-N транзисторыг орлуулсан
байдал,зурагт Б-д чадлын P-N-P транзисторыг
орлуулсан байдалыг тус тус харуулав.Циклай
холболтын гүйдэл өсгөлтийн коэффициент нь: ΒT=�1°�2
гэж тодорхойлогдоно.

Транзисторт дифференциал (ялгаварын)

өсгөгч

Транзистороор үтээдэг
б хэлхээн
үүдийн нэг сонирхолтой
хэлбэр хоёр хүчдэлийн ялгаварыг өсгөдөг өсгөгч юм.Ү үнийг
дифференциал өсгөгч гэж нэрлэдэг. Хоёр транзисторыг тус
тусад нь авч үзвэл T1 транзистор нь эмиттерийн давтагч, T2
транзистор нь ердийн транзисторт өсгөгч шиг харагдах
ажээ.Энэ хоёр хэлхээ нь дундаа нэг R1 эсэргүүцэгчтэй тул
хоёуланд нь2R1 эсэргүүцэгч байгаа мэтөсөөлжт болох юм.T1
транзистор дээрх эмиттерийн давтагчийн хувьд өсгөлтийн
коэффициент нь K=1гэдгийг бид мэднэ.Тэгвэл VIN1хүчдэл тэр
чигээрээRE эсэргүүцэгчээр дамжинT2 транзисторын эмиттерт
холбогдоно.VIN1 хүчдэл ихэсвэлT2 транзисторын бааз-
эмиттерийн үчдэл
х VIN2хүчдэлийг
тийм хэмжээгээр багасгах буюу
VIN1хүчдлээр багасгасан мэт нөлөөллийг
T2транзистор дээрх
өсгөгчид үзүүлнэ.Ихэсэхээр багасаж байгаа мэт нөлөө үзүүлж байгаа
коэффициентттэй болж байна гэсэн үг
нь сөрөг өсгөлтийн
юм.