Manufactura de Semiconductores

Semiconductores: Qué son y cómo se
fabrican?
Posted on by mario
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De todos los materiales electrónicos, quizás el que mayor revolución ha causado en el mundo
de la electrónica son los semiconductores. Gracias a tecnología de semiconductores la
electrónica ha podido pasar de aplicaciones militares y científicas de alto nivel hasta
aplicaciones caseras comunes y de bajo costo.
En la actualidad la mayor parte de nuestra vida gira alrededor de materiales

semiconductores. Los equipos de radio que utilizamos para comunicarnos, los sistemas de
ignición e inyección de los automóviles modernos, las computadoras que usamos a diario
todos son dependientes de estos singulares materiales.
Un semiconductor es un material que bajo ciertas condiciones resulta ser aislante, pero bajo
otras condiciones resulta ser conductor, de ahí su nombre. Por lo general, los
semiconductores son aislantes, pero conforme aumenta su temperatura se vuelven
conductores.
Cómo se fabrica un semiconductor?
Un semiconductor se fabrica mediante un proceso que se conoce como dopado. El dopado

consiste en introducir impurezas dentro de cristales de un material base durante su
formación. Los materiales más comunes utilizados como bases son el Germanio (Ge) y el
Silicio (Si).
En las plantas productoras de semiconductores, se inicia un crecimiento de cristales de

Germanio, y mientras éstos crecen son expuestos a dosis controladas de Arsénico (As). El
Arsénico se introduce en los cristales y les provoca un efecto de carga eléctrica: como el
átomo de Arsénico posee cinco electrones y el de germanio solo cuatro, existe una carga
resultante negativa en el cristal. El material resultante se conoce como Germanio N
(N=negativo).
En el caso del Silicio, se puede utilizar Fósforo (P), para producir un efecto similar que da
como resultado el Silicio N.
Si en vez de crear una carga negativa se quiere crear una carga positiva, el material se
expone a Galio (Ga) en el caso del Germanio, o a Boro (B) en el caso del Silicio. Esto produce
Germanio P y Silicio P.
La diferencia fundamental en estos materiales dopados es que poseen una carga eléctrica
positiva o negativa. Como vimos en el capítulo de electricidad, la materia en su estado
normal es eléctricamente neutra (posee carga cero). Esta carga que se les da nos permite
lograr efectos eléctricos bastante interesante y útiles.
manufactura de semiconductores
https://www.electronicosonline.com/kla-tencor-lanza-sistema-metrologico-para-ics-de-10-nm/
KLA Tencor lanza sistema metrológico para ICs

de 10 nm
admin marzo 21, 2017 Medición y Pruebas
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El área de calidad de las compañías manufactureras de circuitos ahora cuentan con una nueva
herramienta para realizar las mediciones en arquitecturas menores a 10 nanómetros.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
La manufactura de circuitos electrónicos con arquitecturas inferiores a 10 nanómetros, además de
requerir de técnicas de fabricación especiales, también necesitan un control exclusivo por parte del
personal de calidad y medición.
Cualquier tolerancia que se encuentre fuera del rango permitido puede causar severos problemas en
el ciclo de producción, y en caso de llegar a la fase final del proceso, el producto puede salir con
fallas técnicas.
A medida que las arquitecturas se miniaturizan más y más, los ingenieros de calidad y metrología
están sometidos a mayor estrés para llevar a cabo su trabajo con el menor índice de errores, pero no
solo se basan en sus conocimientos académicos y habilidades personales, también requieren de
instrumental adecuado para evitar que se filtren piezas con errores.
Para la mayoría de las empresas manufactureras la oferta de herramientas no es lo suficientemente

vasta para cubrir sus necesidades en áreas de calidad, no obstante, compañías como KLA Tencor han
comenzado a desarrollar soluciones para el área de medición y pruebas.
Los nuevos instrumentos de metrología de KLA Tencor están orientados a la manufactura de

circuitos integrados con arquitecturas menores de 10 nanómetros.
El más reciente producto de KLA es un sistema de metrología denominado KLA Archer 600, que
presuntamente auxilia a las compañías a fabricar grandes volúmenes de componentes con
dimensiones menores a 10 nanómetros y sin imperfecciones.
Pero no solo el Archer 600 forma parte del portafolio de soluciones de KLA para el sector de
manufactura electrónica, también otros instrumentos metrológicos como el WaferSight PWG2,
también está orientado a realizar mediciones en función con patrones geométricos de las obleas;
el SpectraShape 10K para sistemas ópticos, y finalmente el SensArray HighTemp, para
mediciones micrométricas ‘in-situ’.
De acuerdo a la compañía, estos equipos de metrología tienen la capacidad de trabajar con las más
recientes técnicas de manufactura electrónica incluyendo SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) y
litografía extrema por ultravioleta (EUV).
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“Los fabricantes de dispositivos de última generación enfrentan retos con geometrías

extremadamente pequeñas”, manifestó Oreste Donzella, Director de Marketing de KLA Tencor. “Para
comprender los errores de geometrías, los fabricantes de chips requieren cuantificar las variaciones
de los procesos, aislar sus fuentes y fijar los problemas detectados. Los nuevos sistemas de
metrología anunciados hoy generan información crítica para que los ingenieros pueden utilizarla en
la especificación de correcciones detalladas en escaneo de módulos de litografía y aplicativo al
mejoramiento de procesos de grabado, películas especiales y otros componentes. Nuestras nuevas
geometrías de obleas, con sistemas modelados de dimensiones ópticas críticas y sistemas de
medición térmica ‘in-situ’, juegan un papel importante para alcanzar un buen desempeño de multi-
patrón y mejora los resultados de litografía EUV”, puntualizó.
Por ejemplo, el Archer 600 amplía la tecnología de metrología de superposición basada en imágenes
con nuevas ópticas y nuevos objetivos de medición, los cuales permiten a los fabricantes detectar
errores menores a 3 nanómetros para dispositivos lógicos avanzados como las nuevas memorias
Flash.
En el caso de la herramienta ProAIM ofrece una mejor resiliencia a las variaciones de los procesos y
entrega una correlación entre los errores de superposición entre los objetivos y los dispositivos,
generando una mayor precisión durante las mediciones.
La compañía cuenta con un portafolio de diferentes equipos especializados para la industria de

manufactura electrónica.
Entre las características técnicas asociadas a las nuevas plataformas de la compañía, destacan
funciones adicionales como una configuración de brillo y enfoque. Además de la adición de módulos
de polarización para garantizar una mejor retroalimentación en la detección de errores y el control de
análisis sobre diferentes tipos de materiales y capas.
La firma subrayó que sus nuevos equipos también fueron desarrollados para fabricantes de
dispositivos FinFET y memorias NAND, que son trabajadas con materiales de Silicio-Germanio (SiGe)
o CD.
Para mayor información sobre detalles y aplicaciones técnicas de estas nuevas soluciones Tencor,
puede acceder al sitio Web de la compañía haciendo clic en el siguiente enlace.
https://www.electronicosonline.com/china-respondera-a-eeuu-con-industria-de-semiconductores-mas-
fuerte/
China responderá a EEUU con industria de

semiconductores más fuerte
admin enero 31, 2017 Industria y Negocios
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Gobierno, líderes industriales e inversionistas chinos, anunciaron que invertirán 160 mil millones de
dólares para fortalecer su industria, a dos semanas después de que la Casa Blanca anunciara planes
para combatir lo que llamaron “prácticas injustas” de algunos países en la industria.
La llegada del magnate Donald Trump a la Casa Blanca, ha dejado a socios tradicionalmente
comerciales de Estados Unidos en un estado de incomodidad y decepción, al grado que las
relaciones diplomáticas se han visto afectadas principalmente con países que por décadas han sido
sus aliados comerciales en áreas de proveeduría de insumos y manufactura, como China, país que ha
decidido responder al nuevo presidente norteamericano con una nueva campaña para reforzar su
gran industria de semiconductores.
La conmoción del gobierno chino se debe a que Trump ha señalado a este país asiático, además de
otros países latinoamericanos, como los causantes del desempleo en Estados Unidos, aseverando
que las compañías estadounidenses han desviado las oportunidades de los ciudadanos
norteamericanos al invertir y expandirse en otras regiones fuera del país, incluyendo industrias clave
como automotriz y electrónica. En el caso específico de la industria de semiconductores, la situación
se ha vuelto más hostil debido a un reporte difundido por funcionarios del Consejo de Asesores en
Ciencia y Tecnología (PCAST) de la Casa Blanca a principios de enero, en el que convocaron a una
acción internacional en contra de lo que ellos mismos definieron como “prácticas injustas” de
algunos países que dominan el mercado de dispositivos semiconductores, componentes medulares
de la electrónica moderna.
Las compañías planean comenzar a manufacturar circuitos de 14 nanómetros con esta fuerte
inversión.
El informe enérgico de la Casa Blanca fue promovido directamente por los representantes de la
industria norteamericana de semiconductores, quienes consideraron que la ambición agresiva de
China por convertirse en un actor global en el mercado de chips, traerá serios problemas a las
compañías americanas, por lo que solicitaron la intervención de los altos mandos del gobierno
norteamericano para crear una estructura que permita proteger a las firmas domésticas y serenar las
intenciones comerciales de China en este importante mercado. “PDCAST encontró que la industria de
semiconductores de Estados Unidos enfrenta mayores retos con una amplia gama de implicaciones
para la economía y la seguridad nacional. La innovación ya se está desacelerando, ya que la
industria de semiconductores se enfrenta a limitantes tecnológicos fundamentales en mercados de
rápida evolución. Ahora, una impulsiva iniciativa de China para remodelar el mercado a favor de sus
intereses, amenaza la competitividad de la industria norteamericana y los beneficios nacionales e
internacionales que ofrece la industria estadounidense”, comenta el reporte elaborado por los
funcionarios del PDCAST. Esta posición no fue bien recibida por el gobierno de China quien de
inmediato respondió con un anuncio que involucra la inversión de 160 mil millones de dólares
para fortalecer y detonar su industria nacional de semiconductores para consolidar su
posicionamiento como el país más importante en el suministro, manufactura y diseño de materias
primas para la industria electrónica global.
Comparativa de exportaciones e importaciones de ICs por parte de China.
De acuerdo al diario Bloomberg, el gobierno de Xi Jinping, considerado el gran líder del Partido
Comunista, se ha propuesto impulsar su brazo doméstico de tecnología para independizarse de las
industrias proveedoras extranjeras. La compaña del gobierno chino ha comenzado con una agresiva
difusión y convocatoria a nivel nacional para invitar a las compañías chinas y los medios de prensa
para dar a conocer que los 160 mil mdd se invertirán en los siguientes 10 años para conferir las
capacidades e infraestructura necesarias a la industria china para desarrollar sus propios chips, lo
que será tanto como las inyecciones de capital que el fabricante norteamericano Intel Corporation,
ha gastado en la última década para construir fábricas y mantener su ritmo de Investigación y
Desarrollo (I+D), colocándola como el fabricante de chips más importante del mundo.
Xi Jinping, considerado el gran líder del Partido Comunista.
Cabe mencionar que al autodefinirse China como un país dependiente de la industria extranjera, se
refiere a que su industria consume más de la mitad de los semiconductores que se comercializan
globalmente cada año, y sus necesidades van en aumento. Con todo y su potencial comercial,
ninguna de las compañías chinas que manufacturan localmente circuitos integrados ha logrado
posicionarse en el top-10 de los fabricantes de chips más importantes del mundo, ranking que
encabezan las firmas norteamericanas y coreanas. Otra de las razones por la que China ha decidido
tirar la casa por la ventana a favor de su industria electrónica, es porque ha gastado más dinero en
importar chips de otros países que lo que ha invertido en comprar petróleo, de acuerdo a la firma de
investigación Sanford C. Bernstein, citada por Bloomberg.
Compañías chinas de semiconductores que ya han comenzado a sumarse a la iniciativa del
gobierno.
A esta iniciativa se han sumado directivos de fabricantes de chips como Shangai Huali
Microelectronics, Advanced Micro-Fabrication Equipment (AMEC) consideradas como dos pilares en la
industria china de semiconductores. China también se ha convertido en un mercado altamente
lucrativo para las compañías norteamericanas, ya que el país asiático es por más el principal
consumidor de insumos para la manufactura de dispositivos electrónicos, sobresaliendo chips,
sensores, antenas y cámaras, por mencionar algunos para maquilar los millones de aparatos
electrónicos que exporta al extranjero. Esta necesidad de componentes tiene a China con un déficit
de semiconductores alto y representa para el mercado global el cliente más grande con el 45% del
total de las ventas, y del total de la producción mundial de semiconductores, las compañías chinas
solo participan con un 13%. Overseas gear vendors lead local ones in China; percentages indicate
China market share. (Images: AMEC) Click here for larger image
https://www.electronicosonline.com/ibm-revela-primer-nodo-construido-en-7-nm/
IBM revela primer nodo construido en 7 nm

admin noviembre 17, 2015 Diseño Analógico
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La compañía arrancará las pruebas técnicas para manufacturar los primeros chips desarrollados en
arquitectura de 7 nanómetros.
IBM se ha adjudicado un importante avance hacia la miniaturización de los dispositivos
semiconductores, después de presentado el primer nodo construido con tecnología de 7 nanómetros
(nm), una dimensión equivalente a 100 mil veces más delgado que el grosor de un cabello humano.
En el reporte de prensa generado por la compañía, se indica que el grupo de ingeniería de IBM
colaboró estrechamente con investigadores del Colegio de Ciencia de Nanoescala e Ingeniería del
Instituto Politécnico de SUNY, en Nueva York, Estados Unidos, y en conjunto realizan las fases de
prueba y validación de la estructura conformada por diminutos transistores.
El documento señala que este nodo es el primero a nivel industrial en contar con este tamaño y
comprobar funcionalidad operativa, ya que la tecnología de 7nm ha sido uno de los grandes retos de
la industria electrónica mundial, siguiéndola como objetivo compañías clave como AMD o Intel
Corporation, ARM, fabricantes de microprocesadores.
Entre las grandes barreras que han impedido que la industria logre materializar dispositivos sobre 7
nanómetros, se encuentran los efectos colaterales que involucra la reducción de las arquitecturas
manufacturadas con procesos convencionales, lo que genera la degradación del sistema y promueve
un mayor consumo de energía, ya que al ser mucho mayor la densidad de los transistores en un
trozo de Silicio más pequeño, demanda mayor control en su ciclo de desarrollo, o lo que es lo mismo
la creación de nuevos procesos de manufactura.
Los investigadores que participaron en el proyecto muestran la oblea donde quedó

plasmado el primer nodo construido con tecnología a 7 nanómetros
En el actual 2015, los más modernos microprocesadores están construidos sobre arquitecturas de
22nm y 14nm, aunque compañías como Intel y ARM, han anunciado que ya preparan la liberación de
tecnología de 10 nanómetros, todas estas trabajadas con procesos de manufactura convencional que
no han requerido ser radicalmente modificados.
Pero en este proyecto se tuvo que estructurar una técnica nueva para crear procesos de
manufactura especial que permitieron la materialización del prototipo.
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Este trabajo se llevó a cabo en las instalaciones de IBM Research y presumiblemente se requirió un
número considerable de innovaciones, incluyendo la integración multinivel de Silicio-Germanio (SiGe)
para construir los canales de transistores y litografía de rayos ultravioleta extremos (EUV, por sus
siglas en inglés), por mencionar algunos.
IBM Research colaboró con Samsung Electronics y Global Foundries para dar este
importante salto en la miniaturización de chips
Al integrar estos recursos en un solo proceso industrial, los científicos estuvieron cerca de alcanzar
casi el 50% de las mejoras de escalamiento tecnológico que registra la más moderna arquitectura de
microprocesadores, que es de 10 nanómetros y la cual está siendo trabajada en los laboratorios de
diversas compañías.
De acuerdo a IBM, entre los beneficios de la nueva generación de semiconductores construidos con
tecnología de 7 nanómetros, se encuentran un 50% más eficiencia energética y mayor desempeño
para el procesamiento de datos, y debido a sus nuevas características, estiman que soportarán
desahogadamente los requerimientos de sistemas en ‘Big Data’ y de conectividad en la Nube de
Computación.
En este proyecto fue de capital importancia la participación de las compañías Global Foundries y
Samsung Electronics, quienes cedieron parcialmente equipo especializado a IBM para levar a cabo el
proyecto, además del Instituto Politécnico de SUNY de Nueva York, que en conjunto representan una
inversión colectiva de aproximadamente 3 mil millones de dólares a un plazo de 5 años para trabajos
de investigación y desarrollo dirigidos a tecnología de semiconductores en escala de 7 nm.
La industria continúa trabajando en la miniaturización de los circuitos electrónicos
“La cuestión no es si introduciremos la tecnología de 7 nanómetros a la manufactura, sino cómo,

cuándo y a qué costo”, comentó John Kelly, vicepresidente de IBM Research. “Los ingenieros y
científicos de IBM, así como nuestros socios, están comprometidos en este reto y están trabajando ya
en la ciencia de los materiales e ingeniería de dispositivos requeridos para alcanzar las demandas de
los sistemas emergentes para la Nube, ‘Big Data’, y sistemas cognitivos. Esta nueva inversión
asegurará que produzcamos las innovaciones necesarias para responder a esos retos”, puntualizó.
Este importante paso por parte de IBM hacia la nueva era de circuitos integrados más potentes, no
ha sido la única gran aportación que ha hecho la compañía a lo largo de su historia, ya que según
refiere la información de su portal, otras invenciones han sido producidas en sus laboratorios, tales
como la implementación de la primera célula DRAM, las Leyes de Escalamiento Dennard o
escalamiento MOSFET, foto-resistencias químicamente amplificadas, interconexión de cobre, Silicio
sobre Aislante, microprocesamiento multi núcleo, litografía de inmersión, SiGe de alta velocidad,
puertas dieléctricas de Alto-k, DRAM embebidas, estructura para chips 3D y aisladores de brecha
aérea, por mencionar algunos.
El siguiente paso por parte de IBM será someter a pruebas rigurosas la viabilidad de la tecnología
para encontrar si es posible abrir terreno para su despliegue comercial.
https://www.electronicosonline.com/casas-de-diseno-chinas-se-vuelcan-por-tsmc/
Casas de diseño chinas se vuelcan por TSMC

admin septiembre 1, 2014 Diseño Analógico, Industria y Negocios
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Las nuevas arquitecturas en 28 nm para chips diversos han obligado a las casas de diseño de China
a solicitar al fundidor taiwanés les manufacture sus obleas, abandonando a sus proveedores chinos
por presunta obsolescencia en sus procesos.
La tecnología de 28 nanómetros o menos para los más recientes circuitos integrados ha sobrepasado
las capacidades de las casas de diseño chinas, quienes poco a poco comienzan a abandonar a sus
proveedores de manufactura local y solicitado la ayuda a TSMC, el fundidor taiwanés más grande de
semiconductores de la industria.
La razón de este éxodo comercial hacia TSMC por parte de las pequeñas empresas dedicadas al
diseño electrónico o de servicios con sede en China, es que las principales fundidoras de obleas del
dragón comercial se han quedado estancadas en relación con los nuevos requerimientos
microelectrónicos a escala de 28 nm o menos, formato casi obligatorio para la fabricación de chips
móviles y otros equipos de comunicación, informó en un comunicado la agencia de noticias
Digitimes.
De acuerdo al reporte, además de la obsolescencia tecnológica de muchas fundidoras chinas o
también llamadas “foundries” de semiconductores, también se une a esta situación la creciente
competencia entre manufactureros de electrónica local que han inyectado mayor presión a la cadena
de suministro.
Las casas de diseño electrónico de China mayormente se enfocan en el diseño de procesadores

para dispositivos móviles.
Entre las casas de diseño que optaron por Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, se
encuentran firmas importantes como HiSilicon Technologies, Spreadtrum Communications, Rockchip
Electronics, Allwinner Technology, RDA Microelectronics y Datang, todas ellas con un grado alto de
participación en el sector de tecnologías móviles del mercado chino, específicamente para el
desarrollo de procesadores para smartphones, tabletas y otros equipos de comunicación.
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Por su parte, las fundidoras que han sido señaladas como principales proveedores de servicios a
nivel oblea y con las cuales muchas de las empresas como las anteriormente citadas establecían
relación industrial son Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) y Hejian
Technology, debido a sus bajos costos de manufactura para el mercado doméstico son aún son
reconocidas como entidades competentes en la región, según apunta el documento de Digitimes.
Pero han observado que las exigencias de los nuevos protocolos de comunicación, incluyendo el
hardware inherente a estas plataformas, han orillado a los fabricantes minoritarios de dispositivos
electrónicos a optar por procesos de manufactura más avanzados como la tecnología FinFET de
TSMC, en la que han visto al parecer más capacidades para que sus chips sean fabricados acorde a
los requerimientos de la industria para sectores como smartphones 4G, aparatos IoT, equipo de
telecomunicaciones y otras clases de gadgets con conectividad.
De acuerdo a IBS, los costos de manufactura de obleas por nodo resulta más costoso con
tecnología FinFET, principal técnica utilizada por TSMC, aun así, sus servicios son más
demandados.
Como resultado de este movimiento industrial, se estima que sin tomar en cuenta las órdenes de
obleas generadas por MediaTek a TSMC, el total de órdenes de obleas que han estado enviando las
casas de diseño chinas a la firma taiwanesa, han superado ya las registradas por las casas de diseño
de Taiwán hacia TSMC.
Diversas casas de diseño de circuitos en China han comenzado a abandonar sus proveedores de
fundición para solicitar a TSMC sus servicios.
Cabe mencionar que recientemente el fabricante de chips para celulares Qualcomm Inc., firmó un
convenio de colaboración con SMIC, el foundry que ha visto la deserción de clientes locales, con lo
cual balanceará sus pérdidas con un gigante como esta compañía que controla gran parte del
suministro de chips para dispositivos móviles con su gama de microprocesadores Snapdragon.
No obstante, los avances en materia de procesos de manufactura FinFET que ha promovido TSMC ha
ganado terreno incluso a otros fundidores como Intel Corporation y sus técnicas de manufactura
CMOS, haciendo que la firma taiwanesa se posicione como un foundry de gran poder en la industria
electrónica moderna.
https://www.electronicosonline.com/tsmc-arrebata-clientes-a-intel-y-samsung/
TSMC arrebata clientes a Intel y Samsung

admin mayo 13, 2014 Industria y Negocios
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El fabricante de circuitos electrónicos más importante TSMC continúa apoderándose del mercado,
consiguiendo la confianza de clientes de Intel y Samsung.
La compañía taiwanesa de manufactura de circuitos integrados TSMC, manufacturará chips a Altera
y Apple, quienes fueran clientes de Intel y Samsung, respectivamente, logrando de esta forma un
posicionamiento sólido en la industria electrónica global.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Corp., es la firma fundidora o “foundry” de circuitos y compite
directamente con otras compañías ‘foundries’ como Intel Corporation y Samsung Electronics, las
cuales también ofrecen su infraestructura fabril a otras empresas para fabricarles sus productos.
Debido a que no todas las empresas tienen capacidad industrial de fabricación en masa o como se
conoce esta modalidad en inglés “fabless”, solamente se limitan a diseñar sus chips y
posteriormente con prototipo en mano, buscan a un ‘foundry’ que les maquile en masa sus chips.
Recientemente Altera, fabricante “fabless” de FPGAs revocó su contrato con Intel Corporation para
que le manufacturara su nueva gama de sistemas de chips programables (SoPC), circuitos con
memorias integradas, procesadores embebidos y transceptores de alta velocidad dirigidos a
plataformas industriales, sin embargo, por cuestiones de incompatibilidad con la tecnología Tri-Gate
de 14 nanómetros propuesta por Intel, Altera decidió optar por TSMC.
La decisión de Altera ocurrió solo unas semanas después de que Intel anunciara la alianza comercial
entre ambas firmas, divulgada en un reporte de prensa el pasado 26 de abril.
Ranking de principales ‘foundries’.(Fuente: IC Insight).
Posteriormente el pasado 21 de abril Altera publicó en su sitio Web un comunicado en el que

revelaba a TSMC como su contratista para la manufactura de su gama de FPGAs “Arria 10” y otros
chips SoC.
Es decir, en menos de un mes Altera echó para atrás un proyecto que para Intel habría significado
una importante línea de ingresos, ya que en el segmento en el que participa, Altera ha demostrado
mantener una diagonal positiva en su diagrama de ventas, tal como lo indica el informe financiero de
su primer cuatrimestre de este 2014, liberado en su sitio de Internet.
De esta forma, Altera desistió de fabricar sus procesadores FPGAs Tri-Gate de 14 nanómetros de
Intel, al proceso FinFET de 16 nanómetros a TSMC.
La manufactura de semiconductores comienza a inclinarse por la tecnología FinFet de TSMC.
La primera diferencia entre ambos procesos de manufactura es la miniaturización más marcada en el

caso de la tecnología Tri-Gate de Intel, que maneja su arquitectura a 14 nm, y la cual es considerada
como el avance más importante en cuanto a esquemas de producción de dispositivos
semiconductores (sensores, procesadores, FPGAs, SoC, MEMS, etc.) a partir de cómo se fabrican los
transistores, que son las bases microelectrónicas de todo circuito. Esta tecnología reúne
benefactores quienes creen que el Tri-Gate es el siguiente gran paso en la electrónica del mañana, y
ahora aparece materializada después de varios años de trabajo de investigación científica.
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En el caso de la tecnología Fin-FET de TSMC, muchas compañías que trabajan con esta firma
taiwanesa, coinciden en que es más estable a nivel microelectrónica para sus productos,
principalmente en términos de encapsulado o empaquetado y la fabricación física de su estructura
interna, lo cual es importante para todo fabricante que demanda a las fundidoras proteger y respetar
sus respectivos diseños.
Tecnología Tri-Gate de Intel.
De acuerdo a los informes, Altera optaría finalmente por FinFET de TSMC por dos razones
importantes, en primer lugar, a la demora en la entrega de sus embarques que Intel le ofreció, ya
que en estas fechas se manufacturan masivamente sus nuevos procesadores Broadwell, que son
prioridad por tratarse de un producto de la casa, a lo que Altera no le combino alegando que
cualquier atraso por muy insignificante que fuese, impactaría severamente en la programación de
mercadeo.
En segundo lugar, durante las casi cuatro semanas que prevaleció el convenio comercial, Altera
estuvo muy al pendiente observando los resultados de Intel al manufacturar sus chips con la
tecnología Tri-Gate de 14 nm, peor al parecer hubo problemas técnicos en la producción de los
Broadwell, que han mantenido ocupados a los ingenieros de soporte e investigación de la compañía,
por lo que Altera determinó declinar al convenio y evitar que sus chips sufrieran esas presuntas
incidencias registradas.
Cabe mencionar que Tri-Gate es una tecnología recientemente lanzada a la industria, y a pesar de
que ha sido sometida a diversas pruebas de rendimiento, supuestamente no fue robusta la fase de
validación, y como resultado, al momento de implementarla en sus propios productos, Intel destapó
involuntariamente la necesidad de afinar o perfeccionar su tecnología.
En otro certero golpe a favor suyo, TSMC logró persuadir a Apple para manufacturarle su siguiente
gama de chips A8, un procesador ‘quad-core’ de 64 bits con un formato CPU+GPU, que en un
principio la firma de la manzana tenía contemplado producirlo en las fábricas de Samsung.
La fuente principal de esta información filtrada a la industria es el diario financiero Comercial Times,
de Taiwán, que afirmó haber logrado recolectar datos de una fuente allegada a TSMC que apuntaba a
un probable convenio de manufactura industrial con Apple.
La decisión de Apple arrastra desde tiempo divergencias con Samsung por presuntos conflictos de
propiedad intelectual, situación que ha motivado a la compañía a buscar otros fabricantes para sus
circuitos, en este caso TSMC.
Estos dos nuevos clientes posicionarían naturalmente a TSMC la capacidad para posicionarse como
el principal manufacturero de dispositivos semiconductores de la industria electrónica, y revalidaría
su potencial con los esquemas multimillonarios que ha registrado en los últimos años por concepto
de ventas y ganancias.
Por ejemplo, en un estudio realizado por la agencia de consultoría IC Insight, TSMC reportó ventas
por 19 mil millones de dólares en 2013, lo que superaría sin problema alguno con la adquisición de
Altera y Apple a su portafolio de clientes.
En la siguiente tabla de IC Insight se enlistan los principales fabricantes fundidores o ‘foundries’,

donde se observa a Taiwan Semiconductor Manufacturing Corp., en la posición número uno.
https://www.electronicosonline.com/multi-patrones-secreto-de-la-manufactura-moderna/
Multi-Patrones: secreto de la manufactura

moderna
admin abril 2, 2014 Diseño Digital
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El fabricante de herramientas EDA, Mentor Graphics reconoce que la fabricación de circuitos
electrónicos inferiores a 20 nanómetros, requiere de técnicas sofisticadas como el “Multi-Patterning”.
En la industria electrónica los procesos de manufactura son variables y reacondicionados cada cierto
tiempo, a fin de fabricar nuevos circuitos con capacidades suficientes para convertirlos en el corazón
de nuevos productos más potentes y eficientes.
Pero una de las técnicas que es utilizada por los manufactureros de estos circuitos modernos con
arquitecturas miniaturizadas -por debajo de los 20 nanómetros (nm)- es el “Multi-Patterning”, una
técnica que de acuerdo al fabricante de herramientas para el diseño electrónico, Mentor Graphics, es
una de las columnas primordiales que sostienen la actual manufactura electrónica de
semiconductores.
Para ello, la compañía destinó un artículo técnico para explicar la importancia de Multi-Patrones en el
segmento de fabricación de circuitos integrados más vanguardistas.
El documento que se titula “Mastering de Magic of Multi-Patterning”, sostiene que esta técnica ha
sido introducida para afrontar las limitaciones litográficas de la presente manufactura electrónica.
El autor de este material define como “mágico” el resultado que se consigue con la implementación
de doble y triple patrón en el diseño de circuitos dimensionalmente más pequeñas, pero también
reconoce que es de capital importancia para los ingenieros diseñadores el conocer todos los pros y
contras al momento de aplicar esta técnica.
Debido a que los fabricantes deben garantizar que cubrirán las demandas de sus clientes, tales como
mayor eficiencia energética, reducción de tamaño, mayor funcionalidad y otros aspectos que tienen
que ver con el rendimiento de los circuitos electrónicos, los propios manufactureros se han dado a la
tarea de encontrar mecanismos que garanticen los nuevos requerimientos de la industria.
Cabe mencionar que esta misma situación ha orillado a los fabricantes a desarrollar nuevas
herramientas que optimicen sus procesos, siendo algunas de las modas establecidas la integración
de litografía convencional sin software, reglas basadas en software OPC, modelos OPC, inserción
SRAF, verificación de software OPC, simulación embebida de hardware y software, software SMO
(Server Management Objects), software de doble patrón y software de triple patrón o SADP (Self-
Aligned Double Patterning), por mencionar algunos.
En la anterior gráfica, Mentor representa una de las presuntas tendencias en la manufactura de circuitos
con arquitecturas menores a los 20 nm, siendo la sombreada de color verde y en donde se aprecia
también el software relacionado.
Pero estas tendencias que están dirigidas a conjuntar varios recursos en una sola herramienta, ha ido
sumándose conforme se reducen las dimensiones nanométricas de los circuitos electrónicos, de esta
forma, entre más pequeños sean los dispositivos, más recursos deben de poseer, lo que es
significativamente más complejo para quienes diseñan tales componentes.
En el mundo de los circuitos electrónicos, el desarrollo de dispositivos utilizando el proceso de doble

patrón (DP) tiende a identificarse como el método “Litho-Etch-Litho-Etch” (LELE), con el cual se
puede trabajar las capas metálicas del componente, las vías y estructuras activas, en formatos
apilados utilizando el esquema LELE DP a 20 nanómetros.
Pero en esta fase tan compleja, los fabricantes deben estructurar debidamente todos los elementos
para integrarlos en diferentes capas, siendo muy cuidados en su manipulación con las unidades
lógicas como los transistores a fin de no estropearlos.
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El proceso de multi patrones puede otorgar hasta cuatro posibles flujos de diseño.
Por ejemplo, entre los transistores más utilizados para esta clase de manufactura se encuentran los
transistores FinFET o de Efecto-Campo. Estas unidades requieren de una capa especial y otras líneas
adicionales para que funcionen a cabalidad, y para crear sus líneas complementarias se recurren a
técnicas como SADP (Auto-Alineación de Doble Patrón).
Pero también existen casos donde el dispositivo que se manufactura es a 10 nanómetros, entonces
para estos existen técnicas como SID (Separador Dieléctrico) una variante del esquema DADP donde
se utilizan algunas capas metálicas de interconexión para generar las líneas que requiere la
estructura conformada por los FinFETs.
Como se puede observar en la siguiente imagen, las capas forman una plasta o apilamiento donde se
aprecian las interconexiones entre cada una:
Esquema de separación de capas dieléctricas.
De acuerdo al documento de Mentor, la técnica LELE DP provee hasta cuatro posibles flujos de
diseño: Descomposición Manual, Descomposición Automática, Descomposición Mixta y Sin-Color. En
lo que respecta a las tres primeras opciones, se aprecian flujos de dos colores, donde los diseñadores
colocan dos capas de colores por separado para DP o doblemente patroneadas.
Pero en la cuarta opción, el flujo de Sin-Color el ingeniero coloca una sola capa y procede con su
descomposición. La diferencia entre las tres primeras opciones y la cuarta es el nivel de
automatización que utiliza para crear las dos capas (DP). Por ejemplo, en la Descomposición Manual,
el diseñador decide cómo implementar el diseño en dos máscaras, estructurar ambas a mano y
revisar su viabilidad para el formato de doble capa haciendo uso herramientas tradicionales en
reglas de diseño (DRC, por sus siglas en inglés). Pero en el caso de la Descomposición Manual, como
su nombre lo dice, requiere de una inversión considerable de tiempo y su nivel es altamente
complejo, además de los grandes bloques que involucra el dibujar el flujo, lo que es impráctico, con
lo cual no cualquier ingeniero se atreve a inmiscuirse.
En la descomposición sin-color, los ingenieros suelen utilizar herramienta especial para identificar
los errores mediante la asignación de colores establecidos.
En la Descomposición Automática, el diseñador dibuja una sola capa y pasa a utilizar herramientas
especiales para auto-calibrar la descomposición multi-patrón del diseño y revisar automáticamente
su viabilidad en el formato MP. Sin embargo, estas herramientas pueden crear datos de
incompatibilidad y errores prematuros de diseño debido a que ejecutan modelos de simulación y
validación según sus preferencias automáticas, por lo que suele ser una navaja de doble filo, ya que,
o se ahorra tiempo en el diseño o bien se invierte más al identificar los problemas que causó alguna
de las herramientas con recursos automáticos.
En la Descomposición Mixta, los ingenieros tienden a incorporar células o módulos previamente

descompuestos en una nueva capa ya asignada, siendo como una especie de cimiento para que los
usuarios eviten la construcción de la base del circuito.
Algunas herramientas más sofisticadas permiten ejecutar en el mismo ciclo de diseño pruebas de
validación o simulación que ahorran tiempo y ayudan a descubrir errores en los proyectos de multi-
capas.
Finalmente en el caso del flujo Sin-Color, el ingeniero dibuja una sola capa y trabaja con formatos
especializados de Multi-Patrones para identificar espacios que no pueden ser correctamente
descompuestos. De esta manera la capa debe ser modificada hasta que las revisiones salgan limpias
de errores, entonces se procede con su descomposición en dos capas después de la implementación
Sin-Color.
De esta manera existen algunas herramientas que presentan los errores y las incompatibilidades de
manera automática asignando colores, donde el usuario puede recurrir rápidamente a la aplicación
de soluciones para cada caso.
Mentor Graphics reconoce que la técnica de Multi-Patrones es a la fecha uno de los secretos con los
que cuenta la industria de semiconductores, y es por tal motivo que expone los beneficios de
utilizarla de forma adecuada, incluso conociendo las diferentes herramientas que existen en el
mercado, las cuales tienen la capacidad de facilitar las labores de diseño de circuitos integrados a los
ingenieros.
https://www.electronicosonline.com/apple-disparara-industria-‘pure-play’-de-semiconductores/
Apple disparará industria ‘pure-play’ de
semiconductores
admin septiembre 2, 2013 Industria y Negocios
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La firma de la manzana retirará parcialmente la producción de semiconductores que tiene con
Samsung y la reasignará a fabricantes “pure-play” como TSMC, lo que elevará hasta 21% en 2013 los
buenos pronósticos para el segmento de “solo-fundidoras” electrónicas.
Ante la determinación de Apple para retirar el contrato con Samsung en la fabricación de buena
parte de sus chips, la firma de la manzana ha visto en el segmento de compañías ‘pure-play’ o solo-
fundidoras, el apalancamiento pretendido para su estrategia comercial.
En esta acción, el fabricante de los “i-gadgets” inclinará la balanza en un segmento que camina
discreto dentro de la esfera de la industria electrónica, compuesto por fabricantes base y fundidores
de materias primas para la manufactura de circuitos electrónicos basados en sustratos como Silicio.
De acuerdo al portal Apple Insider, cuya principal fuente informativa refiere al rotativo
estadounidense The Wall Street Journal, expone que tras una relación de varios años con el
fabricante surcoreano Samsung, Apple decidió mudar el proyecto de manufactura de
semiconductores de esta firma hacia la compañía fundidora Taiwan Semiconductor Manufacturing Co
(TSMC).
Cabe señalar que la disolución de lo que para muchos fue nombrado un matrimonio corporativo
entre Apple y Samsung, dio lugar cuando la empresa surcoreana aprovechó su posición para
reproducir supuestamente un módulo digital exclusivo de Apple para favorecer a su gama de
teléfonos inteligentes “Galaxy” con tecnología ‘touchscreen’, lo que generó un episodio judicial por
violación de propiedad intelectual.
El artículo del WSJ, señala que el contrato laboral de Apple para TSMC determina la concesión de
proyectos de manufactura de los chips A-Series SoC de 20 nanómetros para la siguiente generación
de iPhone y iPad de Apple.
La decisión de Apple de retirar parcialmente el proyecto a Samsung se debió presuntamente por

los conflictos de propiedad intelectual a raíz de que la firma surcoreana aprovechara su posición
para integrar un módulo como el de Apple para su gama Galaxy.
La producción de los circuitos por parte de TSMC comenzará a partir del 2014 y en este movimiento
se verá reflejado un incremento sustancial en la participación del bloque de compañías ‘pure-play’ o
también conocidas como solo-fundidoras.
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Pero no todo es sombrío para Samsung, ya que Apple, con todo y el conflicto de violación de patente
causada supuestamente por la firma surcoreana, mantendrá el proyecto de manufactura de chips A-
Series, sin que el periódico haya develado si Apple también planea alguna de derogación de este
proyecto a corto o mediano plazo.
Los acercamientos de Apple con TSMC comenzaron a principios del 2011, cuando el emporio del
acaecido Steve Jobs, ofreció al fabricante taiwanés el proyecto de manufactura de los chips A-Series,
el cual fue declinado por directivos de TSMC argumentando que en su momento no contaban con la
infraestructura adecuada para manufacturar los semiconductores en los tiempos demandados por
Apple, tampoco reunía los estándares requeridos por la firma de la manzana.
A este tiempo, el corporativo taiwanés –considerado uno de los principales fabricantes de

semiconductores- informó que ya cuenta con capacidad para cubrir los requisitos de Apple y procedió
a realizar la logística para comenzar con la producción de los chips de los futuros productos de la
compañía estadounidense.
Inclina la balanza a favor del ‘pure play’

De acuerdo a la firma de consultoría IHS iSuppli, los pronósticos de crecimiento para el segmento de
fabricantes de semiconductores son alentadores. Tan solo para el presente año 2013, se espera que
las ganancias para las empresas que participan en este grupo alcancen los 33 mil millones de
dólares (mmdd) y mantenga una constante de crecimiento de aproximadamente 8.6% anual.
El sitio de consultoría y análisis industrial adjudicó este comportamiento a la postura de muchas
compañías que como TSMC, han flexibilizado su infraestructura y optimizado sus procesos para
adaptarse a los nuevos requerimientos de muchas compañías de electrónica como Apple, que
buscan empresas manufactureras que ofrezcan la garantía de calidad mediante certificaciones y
otros documentos que incrementen la confianza de las compañías de equipo original (OEMs) que
entran en el bloque de las ‘fabless’ o sin equipo de manufactura base, como Apple.
Se estima que para el año 2015 la manufactura de chips a través de compañías ‘pure play’ habrá
de mantener un buen ritmo de crecimiento.
En los últimos años la industria electrónica ha ido inclinando su producción global hacia las
compañías ‘pure-play’ o de solo-fundición, como es el caso de TSMC, y dejando como opción
secundaria aquellas que pertenecen al grupo IDM (Fabricantes de Dispositivos Integrados) que
ofrecen como su nombre lo indica, un sistema de fabricación integral para las compañías ‘fabless’.
No obstante, la opción ‘pure-play’ pretende elevar el nivel de flexibilidad o escalamiento de

integración tecnológica para incluir mayores componentes a los productos dentro de su flujo de
manufactura, como la adición de memorias NAND flash y otros módulos, lo que les otorga a las
compañías OEMs un recurso valioso para configurar a conciencia y de una forma más vigilada sus
propios productos.
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Materiales-semiconductores.php
Materiales semiconductores
Con la invención de un amplificador de Estado Sólido en 1947, por Shockley, Bardeen, and Brattain,
la posibilidad del aumento en la integración en el mismo cristal es una realidad. En las últimas
décadas, y hoy en día se aumenta el numero de componentes que se introducen en el mismo cristal.
Esta industria es altamente rentable, pero las inversiones en desarrollo son también muy altas, lo
que hace que las inversiones sean a la largo plazo. Lo que hace que la industria microelectrónica sea
rentable es que su procesos de fabricación (Batch Processing), funcione correctamente. Esto hace
que en cada chip sea de 8mm de lado, que hace que en cada oblea tengamos de 120-130 circuitos.
Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo
proceso en el mismo instante. Aunque hay procesos como el encapsulado y el testéo, que se deben
hacer individualmente.
-¿Qué semiconductores son aptos para hacer dispositivos electrónicos ?
Los elementos del tipo IV (Columna del Silicio), son los más indicados para utilizarlos como
semiconductores. Aunque para que funcionen como tal deben de tener un gap comprendido, entre
0.5 y 1 eV aproximadamente. Aunque como bien se sabe ya el Gap de un semiconductor se puede
variar añadiendo impurezas a este.
Pero no solo los elementos de la columna IV, son candidatos a buenos semiconductores, sino la
combinación de los elementos de las columnas de al lado la III y la V, también lo son. P.e. GaAs
Ga| Ge | As
También otros dos elementos que se combinan como buenos semiconductores, es el GaP. Los
elementos del grupo IV-VI, también se combinan formando semiconductores de Gap muy pequeños,
pero de enorme importancia en el ámbito militar, y en la detección de infrarrojos.
P.e. PbSe (Galena)
De todas maneras, son pocos los elementos, los cuales los podemos hacer crecer como cristales.
Ahora vamos a hacer una breve historia de los dispositivos electrónicos :
1904- Primer detector de Ondas de Radio (Unión metal-PbSe)
1940-1945 Se desarrollan en Alemania. Detectores de radiación (Térmica)
Aplicación en la detección de aviones.
1547 Transistor Bipolar (Germanio)
1959 Circuitos Integrados
1961 Tecnología planar desarrollada por Fairchild Semiconductor
1963 MOSFET- Aunque la idea era anterior, por problemas tecnológicos no se pudo desarrollar
( Creación de el óxido semiconductor)
-Conceptos Industriales de Producción de CI
Custom : El fabricante lo hace todo hasta la última máscara, y los transistores con su colocación y
conexión.
ASIC : Circuitos muy específicos que el fabricante no hace, por no tener asegurado un mercado (Es
una relación entre cliente y fabricante, mucho más directa y las inversiones empresariales son
mucho menores).
Tamaño mínimo 0.4 m, esto viene dado porque la longitud de onda de la luz utilizada para las
máscaras oscila entre 0.3 y 0.7 m m. y se producen fenómenos de difracción óptica, proceso que
impide la buena realización fotolitográfica.
-Los procesos de introducción de dopantes ha pasado por 4 tipos de fabricación básicamente:
Aleación:
El dopante que queremos introducir se pone en contacto con el semiconductor, a los cuales se le
pone a una temperatura alta para poderse producir la aleación.
El dispositivo ocupa un 1% del espesor total de la oblea, por tanto hay un 99% que no se aprovecha,
esta zona "muerta" además da problemas de funcionamiento del dispositivo.
.-Problemas:
*No se controla la introducción de dopantes
*Se tiene que reducir la zona muerta.
Difusión:
La física del proceso es la misma, que en el caso anterior, pero tenemos un control mucho mayor
sobre él. En este caso el dopante está en forma gaseosa, para introducirlo en las zonas que queremos
dopar.
.-Problemas:
*Interconexiones entre los dispositivos.
*Sigue existiendo zonas muertas.
*El control debería ser mayor sobre las zonas a dopar.
Difusión Planar-Epitaxial:
Partimos de un cristal fuertemente dopado, al cual se le hace crecer una capa epitaxial, de
semiconductor con un dopado menor. Posteriormente se oxida el Si, de forma que obtenemos SiO2.
Se abren huecos en el óxido para que las impurezas entren donde nosotros queremos:
El dopante se introduce en todas las direcciones de forma que no es igual el área de la superficie a la
proyectada. Con este proceso hemos resuelto el problema de la zona muerta.
.-Problemas:
*Difusión lateral
*Si las dimensiones se reducen la difusión lateral puede hacer que tengamos una unión en los
dispositivos.
Implantación Iónica:
El proceso es totalmente análogo al anterior pero cambiamos la tecnología utilizada en la
introducción de los dopantes. Las impurezas se aceleran utilizando potenciales de 100000 V.
Pudiendo controlar perfectamente variando la energía de los iones los lugares donde queremos
introducirlos.
Crecimiento de Cristales
El primer problema que tenemos es conseguir Si con un alto grado de pureza, para poder fabricar Si
cristalino. La densidad efectiva de átomos debe ser 10 23, para el purificado se hace reaccionar con
clorhídrico en fase vapor, y después de varias reacciones (Destilación fraccionaria), obtenemos lo
que se llama Si electrónico. Una vez conseguido esto ya podemos darle una estructura cristalina.
Método Czochralski :
En una atmósfera controlada e inerte, tenemos una cubeta de grafito o cuarzo (que funden a
temperaturas 3000 ºC En la cubeta se introduce Si electrónico . El cilindro está rodeado de una
bobina de alta frecuencia y alta
corriente, con esto se funde el Si (1240 ºC). Se introduce en el Si fundido una pértiga con una
semilla de Si cristalino, el cual por capilaridad se une a la semilla, formándose Si cristalino alrededor
de la semilla, de forma que tirando y girando la pértiga hacemos crecer el cristal. (5 a 6 pulgadas de
diámetro).
Este método así realizado tiene un problema y es que las paredes de cuarzo o de grafito, introducen
impurezas en el Si cristalino que se forma, porque al estar toda la cubeta a una temperatura alta se
producen deterioros en esta. Para evitar esto se va utilizar el método de la zona flotante, en el cual la
bobina no está en todo el cristal sino únicamente en una zona muy concreta alrededor de la semilla,
esta bobina es móvil y según movemos la semilla la bobina la acompaña. El problema que tenemos
ahora es que hay un alto número de dislocaciones debido al gradiente térmico.
El lingote de Si cristalino se corta en obleas, perdiéndose en el proceso la mitad del Si. Luego viene
un proceso de redondeado y de pulido.
Procesos de Dopado
Difusión :
La introducción de dopantes en Si como se produce a partir de una fase gaseosa, lo cual hace que la
ley que rige el proceso sea la siguiente :
Donde C es la concentración de impurezas, y D el coeficiente de Difusión, que depende del material

del dopante. Las temperaturas a las cuales nos movemos para estos procesos rondan los 1000ºC.
Hay un problema en los procesos de difusión y es que la temperatura hay que controlarla muy bien,
dado que sino la concentración de impurezas puede variar bastante en tan solo 50 ºC. Tenemos un
límite de solubilidad que es la máxima concentración del dopante que admite el Si.
-Etapas del proceso de dopado por difusión :
1ª. Etapa :
Predepósito
Se genera una presión de vapor de la impureza que queremos introducir.
Condiciones de contorno de la ec. de difusión.
C(0,t)=C s ; Ct)=0 ; C(x,0)=0
Donde la solución para la ecuación de difusión es :
donde la función erf c (x) cumple las siguientes propiedades :

erf c(x)=1-erf(x)
donde erf(0)=0 y erf ( ¥ )

Por tanto el número de impurezas introducidas, por cm 2 en tiempo son :
2ª Etapa :
Redistribución
Una vez situadas las impurezas en el proceso de predepósito, retiramos la fuente gaseosa que
contiene el dopante. Posteriormente estas impurezas se redistribuyen durante un tiempo y a una
temperatura determinada.
Por tanto las condiciones de contorno para nuestra ecuación de difusión son las siguientes :
Donde D 2=Coef. de difusión a la temperatura de redistribución, y t 2 el tiempo de redistribución.

Se puede determinar la posición de una unión cuyo dopado ha sido realizado por difusión.
Fig:
La posición nos la da la siguiente ecuación :
N A(x j,t)=N D
donde N A(x j,t) es :
N A(x j,t)= si ha habido predepósito
N A(x j,t)= si ha habido redistribución.

Ej . : Sobre una oblea de n-Si (N D=10 15 cm -3) se predeposita Boro con los siguientes datos : C
s=10 18 cm -3 ; T 1=1000 ºC, t 1= 5 min. Después de este proceso se redistribuyen a T 2=1200 ºC
durante t 2=2 horas. Encontrar :
•El perfil de Impurezas
•Posición de la unión.
Implantación Iónica :
Es un proceso de alto vacío en el cual introducimos dopantes en un sólido a partir de haces de iones,
fuertemente acelerado, de la impurezas que queramos usar.
-Hay procesos de colisión , con lo cual hay desviaciones en los iones. También se produce el efecto
contrario que es la rotura de los átomos de la red en la zona de impacto, generando vacantes en la
estructura cristalina.
-El perfil de dopado de las impurezas dentro del cristal cumple una ley gaussiana de probabilidad,
de tener una concentración en un lugar geométrico x,y,z.
-Una vez obtenido el perfil hay que reordenar la red mediante un recocido para que los iones de la
red se coloquen en sus posiciones originales, y de vez en cuando un ion implantado se coloque en la
posición de un ion de la red. (Si la concentración de dopantes fuera análoga a la del semiconductor
tendríamos una aleación.
-Ventajas de la Implantación Iónica :
Separación de masas : No tenemos dopantes que no deseamos, dado que separamos muy bien los
iones, como luego se verá en el montaje del sistema.
Como tenemos un entorno de vacío, tenemos ausencia de contaminantes.
Como el proceso lo realizamos a baja temperatura evitamos la redistribución de las impurezas, cosa
que nos haría perder nuestros perfiles de dopado, y mantenerlos todo lo abruptos que queramos.
-Inconvenientes de la Implantación Iónica :
Dañado : El ion implantado destruye la red cristalina, y por tanto necesitamos recocidos de
recristalización (RTA). Esto tiene un problema y es que pueden producir redistribuciones en las
impurezas, esto no ocurre si el tiempo del recocido y el coeficiente de Difusión de las impurezas
dentro del semiconductor no es demasiado alto. Por eso se utilizan hornos que alcanzan alta
temperatura en un intervalo de tiempo muy corto.
Costo del equipamiento.
Oxidación Térmica, Litografía y Grabado
Oxidación Térmica:
Consiste en el crecimiento de una capa de SiO 2 sobre una superficie de Si a expensas de este.
Hay dos tipos de hacer este óxido, en atmósfera seca O 2 o húmeda (H 20) a una temperatura
elevada ( ~1000 ºC)
La oxidación seca es bastante lenta pero produce un óxido de excelente calidad, que es muy usado en
las tecnologías MOS para el óxido de puerta.
La oxidación húmeda es bastante más rápida pero produce un óxido de mucha peor calidad, con
porosidades, el cual solo sirve para procesos de enmascaramiento.
Aplicaciones del SiO 2 :
Máscara de protección para procesos de dopado=>Dopados Selectivos.(0.3 m m de espesor
aproximado)
Óxido de puerta en estructuras MOS
Óxido de Aislamiento en tecnologías LOCOS (Local Oxidation Silicon )
Pasivación eléctrica de superficies
Modelo Elemental del Proceso de Oxidación :
La atmósfera oxidante se satura de manera que la concentración de oxidante en la superficie de SiO
2 es la de máxima solubilidad N 0.
El oxidante se difunde a través del SiO 2 formado y llega a la interfase SiO 2 -Si en concentración N
1< N 0 donde reacciona con el Si y se forma SiO 2.
Flujo de oxidante a través del óxido :
donde D es el coeficiente de Difusión en SiO 2 del O 2 y del H 2O.

El flujo de oxidante que llega a la interfase SiO 2-Si es el siguiente :
F 2=kN 1, donde k es la velocidad de reacción superficial.
La situación estacionaria la tenemos cuando el SiO 2 no es fuente ni sumidero de oxidante por tanto
estamos en un proceso de equilibrio :
F 1=F 2=F
En esta situación tenemos que el flujo nos queda lo siguiente :
Tenemos por tanto que la velocidad de crecimiento del óxido con la condición inicial x 0(t=0)=x i
(~40 Å)
Tenemos que la solución es :
donde :
A=2D/k
B=2DN 0/N 1
t =(x i 2+Ax i)/B
Podemos observar dos resultados principales de la expresión obtenida que son :
-A tiempos cortos de oxidación, el proceso viene limitado por la velocidad de oxidación superficial
del Si.
-A tiempos largos de Oxidación, el proceso viene limitado por la difusión de oxidante a través del
SiO 2 .
Ej. : Demostrar utilizando la expresión obtenida las dos afirmaciones anteriores.
Litografía y Grabado
Se refieren a los procesos de transferencia de los motivos, que dan lugar al circuito integrado, sobre
la oblea del semiconductor.
La litografía es la exposición de motivos a través de máscaras convenientemente diseñadas y el
Grabado es la eliminación selectiva de óxidos, metales, etc
Estos procesos son los que nos marcan la tecnología en la construcción de C.I., y por tanto una
avance en estos procesos permite una evolución en la tecnología de integración.
El proceso litográfico consta de los siguientes pasos :
-Una vez generado el óxido del Si, sobre el semiconductor, colocamos una capa de Fotorresina sobre
el óxido.
-Una vez hecho, hacemos pasar luz (UVA), a través de una Máscara, el cual se proyecta sobre la
fotorresina.
- La fotorresina ha quedado impresionada por la proyección hecha en el proceso anterior. Y la
introducimos en un compuesto el cual elimina la zona impresionada (Positivo), o la que no lo está
(Negativo).
El Inversor CMOS
Hoy en día la gran mayoría de los circuitos integrados de Aplicación específica, utilizan tecnología
CMOS. La cual se nutre a su vez de los transistores MOS (Metal Óxido Semiconductor), los cuales
vamos a empezar estudiando para entender las bases de funcionamiento tanto en el aspecto estático
como en el dinámico.
2.1. El transistor MOS

Representamos a continuación circuitalmente un transistor MOS de canal n, cuyas conexiones son:
-Puerta G
-Fuente S
-Drenador D
Y sean VG, VS y VD, las diferencias de potencial entre dichas conexiones y el substrato de Si, tipo p
sobre cuya superficie se ha integrado el transistor.
El funcionamiento del dispositivo es sencillo:
-Mientras la tensión VG es menor que un valor mínimo,
corriente que circula entre el drenador y la fuente es despreciable.
-En cambio si sobrepasamos el valor mínimo de VG, se crea un canal de inversión tipo n, entre la
fuente y el drenador. Si la tensión VD es mayor que VS, circulará una corriente entre ambos que
llamamos IDS.
Tenemos que hacer un estudio detallado de la tensión umbral en un punto del canal, que es el valor
mínimo de la tensión VG para que la zona de inversión se mantenga dicho punto del canal. Este
valor depende de la diferencia de potencial V, entre el punto del canal considerado y el substrato.
(Ver figura de la variación de la tensión umbral con (VT, V).
Un resultado importante que podemos obtener es el de la densidad de cargas libres en un punto del
canal del MOS. Como ya sabemos la Capacidad de un condensador viene dada por la expresión
C=Q/V, viendo que en el transistor MOS entre el contacto metálico y el semiconductor tenemos un
condensador, con lo cual aplicando lo antes dicho, podemos deducir que:
s =C ox[VG-VT(V)] (1)
donde C ox es la capacidad por unidad de superficie del condensador formado por la puerta, el óxido
y el canal [Faradios/m 2]. Y V es como antes dijimos la diferencia de potencial entre el punto
considerado y el substrato.
Vamos a entrar ahora en el Cálculo de la Corriente que pasa por el canal del transistor. Si tomamos
como la superficie en la cual vamos a hacer nuestro estudio, como una zona del canal de longitud
infinitesimal dx y de anchura W . Aplicando estos datos en la ecuación anterior (1), obtenemos que
el valor dQ de cargas libres en el canal son las siguientes:
dQ=dxWC ox[VG-VT(V)]
Sabiendo que el campo Eléctrico en esta zona es igual a :
E=dV/dx
y que la velocidad de desplazamiento de los electrones viene dada por el producto de la movilidad de
estos, por el campo Eléctrico aplicado.
v= m n dV/dx
Por tanto como conocemos la velocidad y la distancia que tienen que recorrer podemos calcular el
tiempo de tránsito de los electrones.
t=dx/v=(dx) 2/ m n dV (2)
Y por tanto la corriente que atraviesa el canal es la siguiente, y utilizando las ecuaciones 1 y 2
I= dQ/t
I dx = m n W C ox[VG-VT(V)] dV
Si despreciamos las corrientes de fuga, lo cual nos hace considerar que la corriente a lo largo del
canal es la misma. Integramos la anterior relación, obteniendo la siguiente expresión:
donde a la parte de la integral la llamamos S, y en la siguiente figura podemos ver el significado

físico de la expresión.
-C ox depende del proceso de fabricación ( e /z), S también y del valor de las tensiones empleadas.
Corriente de Saturación
Todo este proceso es válido siempre que no supere VD el valor VDP. Si tenemos el caso en el cual
coinciden estos dos valores, tenemos que la tensión de puerta es igual a la tensión umbral, con lo
cual, dicha tensión de puerta no puede mantener los portadores libres en el canal cerca del
drenador. Este fenómeno se le conoce con el nombre de Pinch-Off o estrangulamiento del canal. Se
produce por tanto una zona de empobrecimiento en la cual no existen portadores libres, y todo
aumento en la tensión del drenador cae en esta zona.
El potencial en la zona de canal que aun tiene portadores sigue siendo VDP. Por tanto el potencial en
el canal viene dado por la diferencia de potencial entre la fuente y la zona de estrangulamiento
(VDP). Si suponemos que la longitud del canal entre la fuente y la zona de estrangulamiento
prácticamente no se modifica, podemos considerar que la corriente entre el drenador y la fuente
IDS, permanece invariable. Por lo tanto como hay una diferencia de potencial existe un campo
eléctrico, de valor :
(VD-VDP)/l
que nos hace conducir los electrones al drenador.
Por lo tanto cuando VD>VDP la corriente IDS toma un valor constante :
IDSsat= m n . C ox (W/L) Ssat
Donde Ssat es la superficie representada en la siguiente figura :
Podemos obtener la curva IDS en función de VDS, y ver que se comporta como una resistencia,
función de la tensión VD.
1/R=dIDS/dVD= m n . C ox (W/L) dS/dVD
El valor de dS/dVD se deduce directamente en la siguiente figura :
dS=hdVD
Con lo cual dS/dVD=h, con lo cual la resistencia es proporcional a 1/h, según aumenta VD
disminuye h, y por tanto aumenta la resistencia, hasta que alcanza un valor infinito cuando el
transistor esta saturado. Con lo cual la curva IDS, VDS (VD-VS), para un valor fijo de las tensiones
VG y VS.
El Transistor MOS de Canal P

El estudio del transistor MOS tipo P es análogo al hecho en el caso de los tipo N. Al igual que antes
los potenciales se definen en función del substrato que utilizamos en este caso tipo N. En este caso
como ya se podía esperar las tensiones VG, VS y VD son negativas. Por tanto el proceso de
funcionamiento es el siguiente cuando tenemos una tensión VG menor que la tensión VT (Que
también es negativa), un canal tipo P aparece entre el drenador y la fuente, si además hay una
diferencia de potencial entre el drenador y la fuente, aparece una corriente ISD entre estos dos
puntos. Tanto en el transistor de canal N como en el de canal P, los portadores van siempre del
drenador a la fuente, aunque en el caso de las corriente van en sentidos contrarios. (n=IDS y
p=ISD). El símbolo del transistor p lo tenemos a continuación, junto con su estructura física :
Las expresiones son análogas que en el caso anterior, pero donde antes teníamos la movilidad m n
ahora tenemos la de los huecos m p .
Por tanto la corriente ISD es la siguiente :
ISD= m p . C ox (W/L) S
Siendo S la superficie representada en la siguiente figura :
Si VD(< ó =)VDP, entonces el transistor está saturado, con lo cual la corriente es :
ISD sat= m p . C ox (W/L) S sat
Donde la superficie S sat viene dada en la siguiente figura :
El Inversor :
Vamos a estudiar ahora el elemento más importante dentro de la microelectrónica actual como es el
inversor CMOS, cuyo esquema se representa en la siguiente figura. Como se ve se tiene que contar
con dos substratos :
•Uno tipo p, conectado a VSS voltios, cobre la cual se pone el transistor de canal n
•Otro tipo n, conectado a VSS+VDD, sobre cuya superficie se integra el transistor de canal p.
Funcionamiento Estático :
Ahora vamos a suponer que todas las tensiones se miden con respecto a la tensión VSS, que la
hacemos 0 voltios. Dentro de las tensiones umbrales de los dos transistores , supondremos a su vez
que:
VT0n< VDD+VT0p
Supondremos también que en el funcionamiento estático la corriente de salida será nula:
IOUT=0 A
Que corresponde al caso en que a la salida tengamos un condensador, y que esté en estado estable.
(Ver siguiente figura)
Vamos a ver los posibles casos que se pueden dar en esta configuración:
•VIN< VT0n se puede ver en la siguiente figura, el transistor de canal n esta en corte porque
no ha sobrepasado la tensión umbral. Como la corriente de salida debe ser cero, tenemos que
tener que la tensión de salida debe ser VDD, para que la corriente en el transistor de canal p
sea igual a 0 (IOUT=0).
•Si VIN>VDD+VT0p, entonces podemos ver ahora el canal p, es el que está en corte. Por
tanto ahora la tensión de salida debe ser 0 para que no pase corriente por el transistor de
canal n, y por tanto IOUT=0.
•Tenemos otro caso en el cual, se pude demostrar que hay un valor de Vinv ,tal que la salida
pueda ser cualquiera comprendida entre VDPn, y VDPp, este valor es el que define dos
superficies de integración Sp y Sn, tales que:
m n . C ox (W n/L n) Sn= m p . C ox (W p/L p) Sp
Con lo cual los dos transistores dan la misma corriente, y por tanto a la salida tenemos que de nuevo
IOUT=0
•Si VT0n< V inv entonces como podemos ver en la siguiente figura el transistor de canal n
está en saturación, y el de canal p se encuentra en conducción. El valor de VOUT lo podemos
deducir de las expresiones estudiadas en los puntos anteriores.
•Si V inv<< <VDD+VT0p, este caso es el opuesto al anterior, y el de canal p está en
saturación y el otro en conducción
-Por tanto la curva de transferencia del inversor CMOS, viene dada en la siguiente figura:
-Como se puede ver en las expresiones anteriores la tensión V inv depende del valor relativo de las
dimensiones de los dos transistores:
(W n/L n)/ (W p/L p)
También, podemos ver la corriente Interna en función de la tensión de entrada Vin. Como podemos
ver solo hay paso de corriente en el intervalo del cambio de on-off, que es cuando tenemos una IDS.
El valor máximo viene dado por los valores de las corrientes IDSn e IDSp, calculadas con
anterioridad.
Funcionamiento Dinámico
Normalmente en un circuito integrado las salidas y las entradas de los inversores se conectan a otros
inversores, o a otras puertas lógicas. Entonces para hacer el estudio dinámico, debemos hacer
algunas modelizaciones. La admitancia de entrada se aproxima con un condensador de valor
constante. Por tanto despreciamos:
La corriente de entrada continua de los transistores.
La variación de la capacidad de entrada con la tensión
de entrada.
Por tanto el cálculo de los tiempos de salida lo hacemos a partir del siguiente esquema:
a)Tiempo de Subida:
Suponemos que VIN=VSS y que la tensión de salida es V voltios. En las siguientes figuras vemos el
significado de los valores Sp(V) y Sn(V).
En este estado, sabemos que el transistor de canal n está en corte, y por tanto el único que conduce
es el p. Con lo cual la corriente que pasa por el CMOS, es la siguiente :
I= m p . C ox (W p/L p) Sp(V)
Y recordando la relación vista :
dt=dQ/I=CLdV/[ m p . C ox (W p/L p) Sp]
Por tanto el tiempo necesario para pasar de una tensión V L a una V H es el siguiente :
t=[ CL/[ m p . C ox (W p/L p)]

Análogamente podemos calcular el tiempo de bajada del CMOS, en este caso es el transistor de canal
p el que está en corte, y el n conduce, con lo cual el tiempo que nos sale es :
t= CL/[ m n . C ox (W n/L n)]

Consumo :
Como pudimos observar cuando vimos la corriente interna que pasaba por el CMOS, era en el
momento de la conmutación, cuando el paso de corriente era mayor. Por tanto como sabemos la
potencia consumida es función de la intensidad, con lo cual tendremos un mayor gasto de potencia,
cuando tenemos conmutaciones (Pasos de altas a bajas, y viceversa)
http://www.tecnicaindustrial.es/TIFrontal/a-4198-nuevos-materiales-fabricacion-dispositivos-
electronicos.aspx
Nuevos materiales para la fabricación de

dispositivos electrónicos
Francisco Javier Balbás García
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New materials for the manufacture of electronic devices
RESUMEN
En este artículo se presentan las características,

prestaciones y posibles aplicaciones de algunos
materiales, bien de última generación (caso del carburo
de silicio) o bien en vías de investigación (caso del
grafeno) para la fabricación de dispositivos electrónicos.
Se trata de unos materiales que abren nuevas
posibilidades y vías de desarrollo a los diseñadores
industriales.
Recibido: 23 de abril de 2011
Aceptado: 30 de junio de 2012
Palabras clave
Electrónica, materiales, silicio, grafeno, semiconductores,
transistores, telecomunicaciones, dispositivos
electrónicos
ABSTRACT
This paper presents the characteristics, benefits and

possible applications of some materials, good art (the
case of silicon carbide) or in the process of investigation
(the case of graphene) for the manufacture of electronic
devices. Materials open up new possibilities and
developing ways for industrial designers.
Received: April 23, 2011
Accepted: June 30, 2012
Keywords
Electronics, materials, silicon, graphene, semiconductor,
transistors, telecommunications, electronic devices
La mayoría de los progresos tecnológicos coinciden en el
tiempo con el descubrimiento o desarrollo de un nuevo
material o dispositivo que aporta nuevas posibilidades
implanteables hasta ese momento, facilitando el alcance
de nuevas metas y funcionalidades. En la actualidad, el
material empleado en la mayor parte de los dispositivos
electrónicos es el silicio. El silicio es el componente
principal de la mayoría de los dispositivos
semiconductores, dado que presenta unas características
muy apropiadas, entre las cuales se encuentran:
– La abundancia significativa del material.
– Admite un rango de temperaturas muy aceptable
respecto la temperatura ambiente, particularidad
determinante frente a la máxima temperatura que admite
el germanio.
– Tiene una tecnología de fabricación muy desarrollada
que consigue rendimientos superiores al 95% para obleas
de hasta 12 pulgadas de diámetro (Semiconductor
Solutions, n.d.). Es un factor muy importante en la
actualidad, dado que algunos fabricantes de dispositivos
semiconductores fabrican simultáneamente varios tipos
de dispositivos en cada proceso de fabricación. Además,
se produce una mayor cantidad de dispositivos. Debido a
esto, las obleas de mayor tamaño ofrecen, mayor
versatilidad, un mayor rendimiento del proceso de
fabricación y permiten a los fabricantes de
semiconductores reducir los costes de producción en un
volumen mayor de productos terminados.
Con estas características, el silicio ocupa casi toda la
totalidad del mercado. Aun así, esto no quiere decir que
con el silicio se consigan unas prestaciones óptimas, pues
una vez descritos los beneficios aportados, también
aparecen las limitaciones. Este estudio plantea, con
algunos ejemplos, la posibilidad de otros materiales que
existen en el mercado (es el caso del carburo de silicio) o
que están en investigación (como el grafeno) y que
amplían enormemente las posibilidades de aplicación y
desarrollo de los sistemas eléctricos y electrónicos de
potencia. La mayor problemática de estos materiales
reside en su proceso de fabricación.
En el caso del carburo de silicio, se ha desarrollado una
breve exposición de algunos de los dispositivos existentes
en el mercado y sus aportaciones a los circuitos
electrónicos. Así mismo, se ha llevado a cabo un estudio
práctico para el caso del convertidor Buck-Boost.
Por último y englobando todo lo expuesto anteriormente,
en el apartado de conclusiones, se presentan varias
premisas y posibilidades para futuros diseños de sistemas
y nuevas aplicaciones que pudieran aparecer, utilizando
los materiales a los que se ha hecho referencia.
Materiales
Carburo de silicio
El carburo de silicio (SiC) es un material complicado de

encontrar en el entorno de forma natural.
Los primeros antecedentes de su existencia datan de
finales del siglo XIX, cuando el investigador Henri
Moissan se encontraba examinando rocas de un
meteorito. Casi al mismo tiempo, en 1893, Edward
Goodrich Achenson, mientras trataba carbono con
corindón, descubrió la presencia de un material cristalino
muy duro de color negro azulado. Se pensó que este
material obtenido fuera un compuesto de carbono y
corindón, por lo que se denominó carborundum’.
Actualmente, todo el carburo de silicio utilizado es
obtenido mediante síntesis. Y uno de los métodos más
simples para su obtención es con una combinación de
arena de sílice y carbono en un horno de grafito,
denominado de Achenson, a temperaturas entre el
intervalo de 1.600-2.500 ºC.
En la actualidad y debido, entre otras muchas razones, a
la gran dureza que le caracteriza, la principal utilización
del carburo de silicio es como material abrasivo, pero su
aplicación en dispositivos electrónicos se encuentra en
avanzado estudio y desarrollo.
Existen alrededor de 250 presentaciones cristalinas
similares de carburo de silicio
denominadas polytypes. Los principales polytypes de SiC
para su utilización como semiconductor son las
estructuras 4H y 6H.
Estos semiconductores están caracterizados por unas
propiedades que los hacen muy atractivos para su
aplicación en electrónica de potencia. Entre estas
propiedades (SiC Power Transistors, n.d.) se encuentran:
– Una elevada conductividad térmica 3,3 (W/cmK) para
el SiC-4H y 4,9 (W/cmK) para el SiC-6H.
– Alta densidad de intensidad máxima.
– Significativa resistencia de ruptura ante elevados
campos eléctricos.
Propiedades que hacen obvias las ventajas que presenta el
carburo de silicio frente al silicio. Con todo, la inmadura
y complicada tecnología de fabricación de dispositivos
electrónicos en SiC implican que su utilización repercuta
en un coste excesivo.
Algunos problemas de los procesos de fabricación del
carburo de silicio se encuentran en:
– Los significativos problemas que conlleva la aparición
de dislocaciones y micropipes que afectarán
indeseablemente a la fabricación y que serán tanto más
abundantes cuanto mayor sea el tamaño de la oblea
(Performance-Limiting Micro-pipe, 1994). El cristal sufre
tensiones internas y externas que causan el crecimiento
de los defectos o dislocaciones. Micropipes se denominan
las dislocaciones lineales extendidas en forma de tornillo,
transversalmente a lo largo del cristal.
– Dificultades con la interfaz entre SiC y SiO2, las cuales
han complicado el desarrollo del MOSFET y el
aislamiento de la puerta en los transistores bipolares.
– Problemas en los contactos óxidometal a altas
temperaturas.
– Por otro lado, al ser el tamaño de las obleas menor que
las utilizadas con el silicio, no se pueden aprovechar
totalmente los equipos de fabricación ya existentes.
Además, por lo comentado anteriormente, el rendimiento
o aprovechamiento de la oblea en su fabricación es muy
reducido, del orden del 15% frente al más del 90%
obtenido mediante el silicio.
En los últimos años se desarrollan múltiples estudios de
investigación y se tiene gran interés sobre la tecnología
del SiC. Se han generado múltiples patentes sobre su
tecnología de fabricación y se han celebrado congresos y
conferencias internacionales.
Aplicaciones del carburo de silicio
En la actualidad, en el mercado se encuentran

dispositivos de SiC mediante los cuales se pueden
optimizar determinados circuitos o funciones. A
continuación, se van a comentar algunos de ellos y sus
prestaciones. Posteriormente, se presentará un estudio
práctico de aplicación para el convertidor Buck-Boost.
Para la presentación de dispositivos de carburo de silicio
se han tomado como referencia las siguientes empresas;
en primer lugar, SiCed a Siemens (SiC Power Transistors,
n.d.), la cual presenta diodos de barrera Schottky y el
dispositivo de conmutación VJFET, y en segundo lugar,
la empresa TranSiC (Power Transistors, n.d.), con el
transistor BicSiC. Dichos dispositivos se detallan a
continuación:
– Diodos Schottky de SiC. Dispositivos que tienen
excelentes características de conmutación. Con los diodos
de SiC se han obtenido tensiones de bloqueo de hasta
3.300 voltios. Además, se puede trabajar a frecuencias
altas, dadas sus particulares características de
recuperación. Y, por otro lado, se reducen tanto las
pérdidas en el diodo como en la conmutación.
– Una combinación en cascada de un MOSFET de silicio
y un VJFET de carburo de silicio proporciona un
dispositivo con buenas cualidades de conmutación. Posee
las características de entrada del MOSFET de baja
tensión y la capacidad de bloqueo la aporta el VJFET
utilizado.
– Transistores de carburo de silicio. Según la empresa
TranSiC (Power Transistors, n.d.), utilizando transistores
de carburo de silicio BitSiC se obtienen las siguientes
cualidades:
• Altas temperaturas de trabajo.
• Obtención de alta eficiencia con un tamaño reducido y a
alta temperatura.
• Diseño compacto.
• Tolerancia ante la exposición a radiaciones.
Aplicaciones directas de los dispositivos comentados se
obtienen con la simple sustitución de los componentes
críticos de un circuito determinado por unos dispositivos
adecuados de carburo de silicio con las características
apropiadas para la función a desempeñar por el circuito.
Como ejemplo, se tiene, el convertidor Buck-Boost,
reductor-elevador (sin transformador de acoplamiento,
aislamiento). Si se desarrollan los valores de las tensiones
a las que se encuentran sometidos los semiconductores, se
pueden estimar las posibles contribuciones de los
dispositivos de carburo de silicio en las tensiones de
trabajo. El convertidor Buck-Boost presentado se
analizará en el modo de conducción continuo MCC (en el
modo de conducción continuo la intensidad a través de la
bobina no se anula durante el funcionamiento).
La señal de salida del convertidor Buck-Boost depende
del ciclo de trabajo “D” utilizado. En la figura 2, se
presenta la relación existente entre la tensión de entrada
del convertidor “Vin” y la tensión “Vs” posterior al
transistor que actúa como interruptor.
Para desarrollar el análisis del convertidor Buck-Boost,
según el ciclo de trabajo utilizado, primero se obtendrán
los valores de la tensión de salida “Vout” y las tensiones
máximas soportadas por el diodo y el transistor, “VD
max y VT max”, respectivamente.
El cumplimiento, en el convertidor Buck-Boost, del
principio de equilibrio de la bobina (voltios-segundo)
(Erikson et al, 2001) conduce a la siguiente expresión:
Figura 1. Esquema del circuito del convertidor Buck-

Boost.
Figura 2. Relación entre tensiones según el ciclo de

trabajo (Erikson, Maksimovic, 2001).
Con los datos resultantes se realizará una gráfica según la
figura 3, en la que se representan la tensión de salida “V”
y out las tensiones soportadas por los semiconductores en
función de los distintos valores del ciclo de trabajo, lo
cual ayudará a obtener una serie de conclusiones.
Para la obtención de la gráfica, se utilizará el método “en
por unidad” referenciando los valores a un valor base de
magnitud igual a la tensión de entrada “Vin”. De esa
forma, el eje de ordenadas quedará cuantificado en
unidades que expresarán cuantas veces se tiene que
multiplicar a “Vin” para obtener el valor de los puntos de
la gráfica.
Figura 3. Valores de la tensión de salida y de las

tensiones soportadas por los semiconductores según
distintos valores del ciclo de trabajo.
Una vez representada la gráfica con valores del ciclo de

trabajo desde 0,1 a 0,9, se pueden extraer las siguientes
conclusiones:
– El valor del ciclo de trabajo D = 0,5 será el valor
frontera entre el comportamiento como reductor o como
elevador.
– Siempre habrá un incremento de tensión en el transistor
y en el diodo de valor 1, (Valor, en por unidad, igual a la
tensión de entrada) respecto la tensión de salida “V”.out
– Para valores elevados del ciclo de trabajo (D≥8 el valor
de la tensión de salida puede servir casi directamente para
evaluar la tensión soportada por los semiconductores
dada la poca variación existente entre ellas, del orden del
10%.
– El valor del ciclo de trabajo y la tensión deseada a la
salida, servirán como referencia para cuantificar y
valorar, si interesa o no, la utilización de semiconductores
de carburo de silicio y, así, poder soportar las tensiones
apropiadas.
Este es un sencillo análisis que, sin entrar en la
posibilidad de otras ventajas como el aumento de la
frecuencia de trabajo en el convertidor, la posible
reducción del tamaño de los elementos reactivos y la
mejora de rendimientos, ya puede dar una primera
valoración de la conveniencia y alcance de los
dispositivos de carburo de silicio para la aplicación
deseada.
Grafeno
Como material con grandes posibilidades y en

investigación y desarrollo se encuentra el grafeno.
El grafeno es una lámina plana de car-bono de un átomo
de espesor. Su estructura está compuesta por átomos
densamente empaquetados en una red cristalina plana de
celdas hexagonales, dispuestas en forma de nido de abeja,
tal como se muestra en la figura 4.
En algunos materiales los electrones se mueven a lo largo
de un plano; de ellos se dice que son bidimensionales.
Los materiales más conocidos son las heterouniones de
arseniuro de galio (ArGa) utilizadas en teléfonos móviles
y en las telecomunicaciones ópticas.
El grafito está compuesto por muchas láminas de grafeno
ordenadas transversalmente, de la forma que se dispone
en la figura 4. El tratamiento de este material es la base
de la obtención del grafeno y el óxido de grafeno (v.
figura 5).
El término grafeno apareció en investigaciones realizadas
alrededor de 1987 sobre varios materiales entre los que se
trataban los nanotubos de carbono (estructuras tubulares
cuyo diámetro es del orden de los nanómetros. Pueden
presentarse como semiconductores o superconductores
según sean sus características, generalmente geométricas
del tipo, diámetro, espesor, número de capas, etcétera).
Un avance muy significativo se produjo en la
Universidad de Manchester en 2004, cuando el
investigador Andre Geim logra extraer cristales de
grafeno de grafito a granel (Discovery of graphene, 2004)
y trasladarlos a una oblea de silicio en un proceso
denominado ruptura micromecánica o técnica de la cinta
de Scotch. Esta técnica permitió la primera observación
sobre el anómalo efecto Hall del grafeno y sus notables
propiedades electrónicas (Geim y Novoselov, 2007).
Al mismo tiempo, en el Georgia Institute of Technology
se proponía la aplicación del grafeno como material
utilizado en microelectrónica, utilizando las mismas
técnicas de fabricación conocidas, basadas en crecimiento
epitaxial sobre substrato monocristalino (se define como
monocristal la estructura cristalina con orientación única
y definida, orientación determinante en el proceso de
fabricación) (Epitaxial Graphene Lab, n.d.).
A partir de entonces, se han desarrollado grandes
avances, en 2008 el Laboratorio Lincoln del MIT, han
fabricado cientos de transistores en un solo chip (Berger,
Song, Li T., Li X., Ogbazghi, et al., 2004) y en 2009 se
han obtenido transistores de muy alta frecuencia y
pequeñísimas dimensiones del orden del nanómetro (Lin,
Jenkins, Valdes-García, Small, Farmer, et al., 2009).
En 2010 el premio Nobel de Física fue otorgado a los
rusos Andre Geim y Konstantin Novoselov por sus
trabajos de investigación en el desarrollo del grafeno.
Los estudios citados anteriormente han logrado presentar
unas propiedades electrónicas excepcionales del grafeno.
Como peculiaridades características del grafeno (Geim, et
al., 2007) se encuentran:
– Alta conductividad térmica y eléctrica.
– Los electrones transportados por grafeno se comportan
casi como partículas sin masa, con un comportamiento
similar a los fotones de la luz.
– Permite una medida precisa y fiable.
Debido a las propiedades anteriores, los electrones del
grafeno pueden moverse a través de toda la lámina
estructural y no quedarse aislados en ninguna zona
(característica de los sistemas bidimensionales con
impurezas), consiguiendo una alta conductividad o
movilidad de portadores (Bartoli, 2008).
Nuevamente, al igual que con el carburo de silicio, el
gran inconveniente que se encuentra en el grafeno reside
en su tecnología de fabricación.
Figura 4. Estructura del grafeno y su disposición en el

grafito.
Figura 5. Imágenes de microscopio de fuerza atómica
de óxido de grafeno obtenido a partir de la oxidación de
grafito. Cortesía del Area de Materiales Avanzados de la
Fundación del Centro Tecnológico de Componentes,
Parque Tecnológico de Cantabria.
Aplicaciones del grafeno

Mediante el grafeno se están obteniendo resultados muy
satisfactorios en las prestaciones y características de los
dispositivos electrónicos.
IBM (Lin et al., 2009) ha logrado dispositivos con
características excepcionales:
Reducción significativa del tamaño, longitudes de puerta
de 150 nm, dimensiones propias de la nanotecnología.
Elevadas frecuencias de conmutación, en las que la alta
movilidad de los electrones hacen al grafeno un firme
candidato para los osciladores de ultra alta frecuencia y
los conmutadores.
IBM ha desarrollado estos dispositivos utilizando como
sustrato monocristalino una oblea de silicio. Pero
pretende mejorar sus resultados llegando a frecuencias
del orden de 100 GHz cuando la tecnología de
fabricación sobre obleas de carburo de silicio esté más
desarrollada.
Conclusiones
A lo largo de esta exposición se han presentado dos

materiales que están recién implantados o en fase de
investigación, para aplicaciones en la electrónica de
potencia, dejando constancia tanto de sus buenas
propiedades, características y posibilidades, como de sus
limitaciones en la actualidad.
En primer lugar, los dispositivos existentes, presentes en
el mercado de carburo de silicio, ya deben ocupar un
lugar en las mentes de los diseñadores de sistemas
eléctricos y electrónicos de potencia, realizando un
estudio de necesidades y un resultado de coste-beneficios
en la utilización total o parcial de dispositivos de SiC y de
sus ventajas. Se pueden plantear, como posibles estudios
de diseño, los siguientes proyectos:
– Transmisión de energía eléctrica en tensión continua,
tanto en líneas soterradas como submarinas y llegado el
caso en líneas aéreas, con longitudes más reducidas en
todas ellas. Ejemplos interesantes:
• La generación de energía eólica offshore (mar adentro),
como es el caso de la Offshore-grid en los mares del
Norte y Báltico para 2030.
• Conexiones eléctricas insulares, como la conexión
realizada entre la península Ibérica y las islas Baleares.
• Líneas soterradas para reducir el impacto
medioambiental paisajístico y visual, como ocurre en la
conexión hispano-francesa, a través de los Pirineos.
– Reducir o llegar a anular la necesidad de otros
componentes, como podrían ser los elementos de
refrigeración en el caso de la utilización de elementos de
SiC, mediante los cuales la temperatura ya no es tan
problemática.
– Reducir dimensiones de la electrónica de potencia para,
por ejemplo, su aplicación en vehículos eléctricos.
En segundo lugar, desde la perspectiva del investigador,
no se deben olvidar y es importante tener presentes, todas
las prestaciones de los nuevos dispositivos (como las del
grafeno) para la apertura de nuevas líneas de
investigación. Ejemplos se encuentran en:
– Las elevadas frecuencias de conmutación que
facilitarán una significativa mejora de la calidad del
muestreo de las señales.
– Un reducido tamaño que facilitará la entrada en una
nueva percepción del dimensionamiento y todas las
posibilidades que ello acompaña (miniaturización de los
sensores y actuadores, nanotecnología).
Carburo de silicio. Foto: Jasminka Keres /

Shutterstock
En la actualidad, es posible que con la aparición de

nuevos hábitos en el entorno medioambiental, social y
económico, como pueden ser el transporte eléctrico y la
generación de energía eléctrica mediante fuentes
renovables o el con-sumo eficiente de la energía por parte
de los consumidores, se faculte el impulso necesario para
conseguir la amplitud y diversidad en la utilización de los
dispositivos fabricados con estos nuevos materiales y así,
poder disfrutar de las ventajas por ellos ofrecidas.
Bibliografía
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2010).
http://smart-lighting.es/bosch-semiconductores-alemania/
Bosch está construyendo una nueva fábrica

de semiconductores en Alemania
ESCRITO POR ELENA GÓMEZ EL EN NANOTECNOLOGÍA, OTRAS TECNOLOGÍAS |
Bosch está construyendo una nueva fábrica de semiconductores en Dresden, Alemania con
una inversión de mil millones de euros en tecnología de 12”.
Continuando su estrategia de fuertes inversiones en Alemania, Bosch construirá una fábrica de

obleas en Dresden (Alemania). Para satisfacer la demanda generada por el creciente número de
dispositivos con tecnología “Internet of Things” (IoT) y aplicaciones de movilidad, la nueva planta
estará dedicada a la fabricación de chips sobre la base de obleas de 12 pulgadas. La construcción de
la nueva fábrica de alta tecnología debe estar terminada a finales de 2019. Tras una fase inicial
introductoria, las operaciones de fabricación comenzarán probablemente a finales de 2021. La
inversión total en la planta alcanzará cerca de mil millones de euros. “La nueva fábrica de obleas es la
mayor inversión individual en la historia de más de 130 años de Bosch”, dijo Volkmar Denner,
presidente del Consejo de Administración de Robert Bosch GmbH. En Dresden se crearán unos 700
nuevos puestos de trabajo. “Los semiconductores son los componentes básicos de todos los sistemas
electrónicos. Con el crecimiento de la conectividad y la automatización, cada vez se utilizan en un
mayor número de áreas de aplicación. Al ampliar nuestra capacidad de fabricación de
semiconductores, estamos sentando una base sólida para el futuro que fortalecerá nuestra
competitividad”, dijo Denner. Según un estudio de PricewaterhouseCoopers, el mercado global de
semiconductores crecerá anualmente más del 5 por ciento hasta 2019, con un crecimiento
especialmente fuerte en los segmentos de mercado de movilidad e IoT.
Inversión en Alemania como localización de alta tecnología
La ministra federal alemana de Economía y Energía, Brigitte Zypries, dio la bienvenida a la inversión
de Bosch en Alemania como localización de alta tecnología: “Aplaudimos la decisión de Bosch de
invertir en Sajonia. Fortalecer la experiencia en semiconductores en Alemania y, por lo tanto, también
en Europa, supone una inversión en una tecnología clave para el futuro y, por consiguiente, un paso
muy importante para preservar y mejorar la competitividad, al tiempo que se fortalece la imagen de
Alemania como lugar industrial. Sujeto a la aprobación por parte de la Comisión Europea, el
Ministerio de Economía y Energía (BMWi) alemán respalda la construcción y puesta en marcha de la
nueva fábrica de obleas en Dresden. “Como emplazamiento industrial, el estado de Sajonia ofrece
excelentes condiciones para mejorar nuestra experiencia en el campo de los semiconductores”, dijo
Dirk Hoheisel, miembro del Consejo de Administración de Robert Bosch GmbH. El ‘cluster’ de
microelectrónica de Dresden, también conocido como “Silicon Saxony”, es inigualable en Europa.
Incluye proveedores de automoción y proveedores de servicios, así como universidades que ofrecen
su experiencia tecnológica. Además, la iniciativa ‘Digital Hub’ lanzada por BMWi pretende hacer de
Dresden un ecosistema del IoT. Bosch tiene la intención de colaborar estrechamente con las
empresas locales y, de esta manera, reforzar no sólo Alemania, sino también la posición de Europa
como potencia industrial. “Esta es otra buena decisión para el liderazgo europeo del cluster
microelectrónico, aquí en Sajonia. Me gustaría dar las gracias a Bosch por depositar su confianza en
este lugar, en su fuerza de trabajo, y en la innovación sajona. Entre los temas más importantes del
sector de la microelectrónica y de la industria europea en su conjunto se encuentran los nuevos
productos destinados al ‘Internet of Things’ y la fabricación conectada”, dijo Stanislaw Tillich, Ministro
Presidente de Sajonia.
Anuncio:
Tecnología de 12 pulgadas como base para las economías de escala
Los semiconductores son una tecnología clave de nuestra era moderna, especialmente cuando la
fabricación, la movilidad y los hogares se conectan, electrifican y automatizan cada vez más. El
proceso de fabricación de chips semiconductores comienza siempre con un disco de silicio, conocido
como oblea. Cuanto mayor sea su diámetro, más chips se pueden fabricar por ciclo de máquina.
Comparado con las fabricas de obleas convencionales de 6 y 8 pulgadas, la tecnología de obleas de 12
pulgadas ofrece economías de escala. Estos es algo muy importante, ya que permite a Bosch
satisfacer la creciente demanda de semiconductores provocada por la movilidad conectada y las
aplicaciones relacionadas con las “smart homes” y las “smart cities”.
Fabricante líder de semiconductores y pionero en la fabricación de MEMS
Durante más de 45 años, Bosch ha estado fabricando chips semiconductores en múltiples variantes,
sobre todo, en forma de “application-specific integrated circuits” (ASIC) – circuitos integrados
específicos para una aplicación–, semiconductores de potencia y sensores micro-electromecánicos
(MEMS). Los ASIC de Bosch se utilizan en los automóviles desde 1970. Están personalizados para
aplicaciones individuales y esenciales para funciones como el despliegue del airbag. En 2016, cada
automóvil que salía de las líneas de producción en todo el mundo tenía una media de más de nueve
chips Bosch a bordo.
Cuando se trata de sensores MEMS, Bosch es a la vez pionero y fabricante líder mundial. Hace más de
20 años, el proveedor de tecnología y servicios desarrolló la técnica de micro-fabricación conocida
mundialmente en la industria como el “proceso Bosch”, que también se utiliza para fabricar
semiconductores. En su fábrica de obleas de Reutlingen, Alemania, Bosch fabrica actualmente
alrededor de 1,5 millones de ASICs y 4 millones de sensores MEMS al día, en base a la tecnología de 6
y 8 pulgadas. En total, la empresa ha fabricado más de 8.000 millones de sensores MEMS desde 1995.
Hoy, el 75 por ciento de los sensores MEMS de Bosch se utilizan en aplicaciones de electrónica de
consumo y comunicaciones. Los sensores MEMS de Bosch pueden encontrarse en tres de cada cuatro
smartphones. Su actual catálogo de semiconductores incluye, sobre todo, sensores de aceleración, de
giro, de flujo de masa, de presión y de medio ambiente, así como micrófonos, semiconductores de
potencia y ASICs para las centralitas electrónicas.
https://movilidadelectrica.com/bosch-construye-una-nueva-fabrica-semiconductores-alemania/
Bosch construye una nueva fábrica de semiconductores en Alemania

‘Silicon Saxony’ incluye proveedores de automoción y proveedores de servicios, así como
universidades que ofrecen su experiencia tecnológica
julio 6, 2017563 0
Bosch construye una nueva fábrica de semiconductores en Alemania
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La inversión de Bosch en la nueva fábrica de semiconductores en Dresden supone una importante
apuesta por las tecnologías claves del futuro relacionadas con tecnología de ‘internet of things’ (IoT) y
las aplicaciones de movilidad.
Los semiconductores se muestras como una de las tecnologías clave en el futuro especialmente
relacionada con conectividad y la electrificación de la movilidad, los hogares y la fabricación. Así, la
inversión en la nueva fábrica de chips semiconductores sobre la base de obleas de 12 pulgadas viene a
satisfacer la creciente demanda de dispositivos con tecnología ‘internet of things’. Según un estudio de
PricewaterhouseCoopers, el mercado global de semiconductores crecerá anualmente más del 5 por
ciento hasta 2019, con un crecimiento especialmente fuerte en los segmentos de mercado de movilidad
e IoT
El proceso de fabricación de chips semiconductores comienza con un disco de silicio, conocido como
oblea. A mayor diámetro más chips se pueden fabricar por ciclo de máquina. Comparado con las
fábricas de obleas convencionales de 6 y 8 pulgadas, la tecnología de obleas de 12 pulgadas ofrece la
puesta en marcha de economías de escala. Esta es una de las características fundamentales de la nueva
fábrica Bosch en Dresden, que permitirá al fabricante alemán la creciente demanda de
semiconductores provocada por la movilidad conectada y las aplicaciones relacionadas con las
ciudades y los hogares inteligentes.
Chips semiconductores sobre la base de obleas de 12 pulgadas

Chips semiconductores sobre la base de obleas de 12 pulgadas
700 nuevos puestos de trabajo y mil millones de euros
El objetivo de Bosch es finalizar los trabajos de construcción a finales de 2019 y, tras una fase de
ajustes los trabajos de producción comenzarán a finales de 2021. La inversión total en la planta
alcanzará cerca de mil millones de euros, “la mayor inversión individual en la historia de más de 130
años de Bosch” según Volkmar Denner, presidente del Consejo de Administración de Robert Bosch
GmbH y se crearán uno 700 nuevos puestos de trabajo.
El ‘clúster’ de microelectrónica de Dresden, también conocido como ‘Silicon Saxony’ incluye

proveedores de automoción y proveedores de servicios, así como universidades que ofrecen su
experiencia tecnológica. Además, la iniciativa ‘Digital Hub’ lanzada por BMWi pretende hacer de
Dresden un ecosistema del IoT. Bosch tiene la intención de colaborar estrechamente con las empresas
locales y, de esta manera, reforzar no sólo Alemania, sino también la posición de Europa como
potencia industrial. “Esta es otra buena decisión para el liderazgo europeo del clúster microelectrónico,
aquí en Sajonia. Me gustaría dar las gracias a Bosch por depositar su confianza en este lugar, en su
fuerza de trabajo, y en la innovación sajona”, dijo Stanislaw Tillich, Ministro Presidente de Sajonia.
Fabricante líder de semiconductores y pionero en la fabricación de MEMS
Durante más de 45 años, Bosch ha estado fabricando chips semiconductores en múltiples variantes,
sobre todo, en forma de “application-specific integrated circuits” (ASIC) – circuitos integrados
específicos para una aplicación–, semiconductores de potencia y sensores micro-electromecánicos
(MEMS). Los ASIC de Bosch se utilizan en los automóviles desde 1970. Están personalizados para
aplicaciones individuales y esenciales para funciones como el despliegue del airbag. En 2016, cada
automóvil que salía de las líneas de producción en todo el mundo tenía una media de más de nueve
chips Bosch a bordo.
Cuando se trata de sensores MEMS, Bosch es a la vez pionero y fabricante líder mundial. Hace más de
20 años, el proveedor de tecnología y servicios desarrolló la técnica de micro-fabricación conocida
mundialmente en la industria como el “proceso Bosch”, que también se utiliza para fabricar
semiconductores. En su fábrica de obleas de Reutlingen, Alemania, Bosch fabrica actualmente
alrededor de 1,5 millones de ASICs y 4 millones de sensores MEMS al día, en base a la tecnología de
6 y 8 pulgadas. En total, la empresa ha fabricado más de 8.000 millones de sensores MEMS desde
1995. Hoy, el 75 por ciento de los sensores MEMS de Bosch se utilizan en aplicaciones de electrónica
de consumo y comunicaciones. Los sensores MEMS de Bosch pueden encontrarse en tres de cada
cuatro smartphones. Su actual catálogo de semiconductores incluye, sobre todo, sensores de
aceleración, de giro, de flujo de masa, de presión y de medio ambiente, así como micrófonos,
semiconductores de potencia y ASICs para las centralitas electrónicas.
ANTIGUAS FÁBRICAS DE SEMICONDUCTORES CONVERTIDAS

EN GRANJAS DE ALTA TECNOLOGÍA | IMAGENES
IMPRESIONANTES.
Observación: Esta traducción se proporciona con fines educativos y puede contener errores o ser imprecisa.
¿Cuál es el último producto de Toshiba? ¿Un ordenador portátil? ¿UNA TV? ¿Por
qué la lechuga? El fabricante japonés de electrónica, que tiene un linaje que se
remonta a la década de 1930, ha creado recientemente una granja vegetal dentro
de una fábrica en desuso en Yokosuka, Prefectura de Kanagawa, que una vez fue
produciendo disquetes en la sintonía de millones. Cuando disquetes se volvió
obsoletos, la fábrica estaba parada en la década de 1990 y permanecieron
desierta durante décadas hasta que Toshiba decidió establecer una granja vegetal
cultivo de lechuga, espinaca y otros vegetales de hojas verdes. Pero se trata no
lechuga ordinaria, que se cultiva no en suelo sino en una formulación
especializada de nutrientes y fertilizantes en salas limpias donde Toshiba una vez
manufacturado electrónica delicada. Los productos son tan limpios que incluso no
necesita lavarse antes de comerlos.
Crédito de la foto
Todo dentro de las salas limpias es controlado estrechamente, incluyendo
iluminación, temperatura y presión de aire. Los trabajadores entran en la sala de
trajes especiales y después de lavarse bien las manos. La habitación carece de
bacterias y polvo, permitiendo que los cultivos estériles se han extendido la vida
útil en comparación con el campo de cultivos. Hay no hay bugs, así que ninguÌ n
pesticida es necesario tampoco.
La primera cosecha comenzada en pequeños envases de plástico en los
comedores corporativos de Toshiba, así como cafés de ensalada en algunos
grandes almacenes japoneses del envío en noviembre de 2014. Toshiba planea
eventualmente vender bolsas de ensaladas y cortar las verduras en tiendas de
conveniencia y supermercados. Se espera que la planta producir 3 millones de
unidades de vegetales, como lechuga y hierbas, anualmente desde el año fiscal
2015.
Crédito de la foto
Toshiba no es la industria del semiconductor único que entró en la agricultura. En
mayo del año pasado, electrónica que gigante Fujitsu Ltd. comenzó a enviar
verduras producidos en la habitación de una fábrica de semiconductores de
apagado en la Prefectura de Fukushima. La lechuga cultivada por Fujitsu tiene
niveles muy bajos de potasio, contiene aproximadamente una quinta parte de lo
que lechuga tradicional, que es perfecto para aquellos con insuficiencia renal que
están en diálisis, ya que no toleran el potasio muy bien.
Hitachi también opera un sistema de agricultura-gestión de ti que puede ayudar a
la previsión de crecimiento y determinar el mejor momento de cosecha para
cultivos de cereales como el trigo, que tiene una ventana de cosecha óptima en
Japón de sólo una o dos semanas.
Otro fabricante de productos electrónicos Sharp está creciendo fresas japonés en
una planta de 108 metros cuadrados en Dubai con una iluminación de LED
controlada, una tecnología patentada de purificadores de aire y humedad y
temperatura sistemas de control para optimizar el crecimiento de fresa. Del
mismo modo, Panasonic está creciendo su propia marca de espinaca en un
establecimiento en Singapur mientras que planta de semiconductores
abandonados de Sony en la Prefectura de Miyagi de Japón es ahora el parque
interior más grande del mundo iluminado por LED.
Crédito de la foto
Crédito de la foto
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Crédito de la foto
Campo interior de Fujitsu. Crédito de la foto
La granja de Panasonic en Singapur. Crédito de la foto
Fuentes: QZ.com / Asahi.com / PCWorld
Título del artículo:

Antiguas fábricas de semiconductores convertidas en granjas de alta tecnología | Imagenes
impresionantes.
URL del post:
https://edukavital.blogspot.com/2015/09/antiguas-fabricas-de-semiconductores.html
Nombre del Sitio Web:
Enciclopedia Culturalia
Personal editorial:
Equipo de Colaboradores
Fecha de publicación:
https://www.festo.com/cms/es-ve_ve/19139.htm
Industria de semiconductores y electrónica
Soluciones económicas relativas a la cadena de procesos total en la industria de

semiconductores y electrónica:
• Extracción de cristal con sierras conectadas y pulido del Wafer
• Procesos de revestimiento como CVD, PVD o CMP
• Producción de chips (ICs) incluidas pruebas y embalajes
• Equipamientos de las placas de circuitos impresos con componentes acabados mediante
tecnología SMT o THT
• Montaje y prueba Piezas pequeñas y módulos electrónicos
Para todos estos pasos de trabajo en la fabricación de semiconductores, Festo ofrece

una amplia gama de productos. Desde el componente individual hasta la solución lista para
instalar para la industria de semiconductores. En caso de un producto estándar, solución
específica del cliente o del sector - Festo ofrece a los fabricantes de semiconductores y a la
industria electrónica todas las soluciones de un mismo proveedor.

Manufactura de Semiconductores

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donde erf(0)=0 y erf ( ¥ )

Donde D 2=Coef. de difusión a la temperatura de redistribución, y t 2 el tiempo de redistribución.

N A(x j,t)= si ha habido predepósito

N A(x j,t)= si ha habido redistribución.

Oxidación Térmica, Litografía y Grabado

donde D es el coeficiente de Difusión en SiO 2 del O 2 y del H 2O.

Tenemos que la solución es :

2.1. El transistor MOS

donde a la parte de la integral la llamamos S, y en la siguiente figura podemos ver el significado

El Transistor MOS de Canal P

t=[ CL/[ m p . C ox (W p/L p)]

t= CL/[ m n . C ox (W n/L n)]

Nuevos materiales para la fabricación de

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En este artículo se presentan las características,

This paper presents the characteristics, benefits and

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