GARIS-GARIS BESAR PROGRAM PENGAJARAN SATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) NANO MATERIAL PAF 395/2 SKS OLEH: TIM PENYUSUN 0053 [bareuurnre, WS2ee JURUSAN FISIKA FMIPA UNIVERSITAS DIPONEGORO. 2007~ G8eP Nanomatenial ~ PAF 395° R PROG! HAN (GBP! Matalin NANOMATERIAL Kode Mataatiah SKS/Smt_ PAF385*,2/Vi estips singkat Nanoratral adh mia ule yong meer ater berstutur no yang met fet matranonestt, ‘Stes rte nano sur can arstrsos Motel rarestleur sorta apace HNanasona san depot memsen dan enjeasian pengein rasa, narotlndloi, anomster!dan nanostut, Clad rrerahami pentngnye nansans dan nartekedogl,majelskan fea Nas kia dan mekanik nsvomstrd Imetgladon pendectanimetodefeaik dan melanie penbertuan naesrucurraromatei, dapat menyebutan {vet ariereasnanomaterl seta dopa meen cnt oihos nanorat Prasyarat AF 21, PAF 214, PRE 225, PAF 381, PAE 302, PAF 301, PAF 302, dan PAF 303 “Wore | Papaalamman Kompetens! Dasar Pokok Bahasan subPokok Bahasan | ak, | “Gelajar/ | Refeenst imetoda i 2 3 a = 6 z 1. | aie coat Towra TT Penge ronass, asa |Geanahy | TRY Teerahoris an manfelaian pengerton| Nang an anes, ‘fe as ‘anosaing, nanos, raromatea ean | Nnctenolg. ranrrteral dan ‘anosruliur, rarest + memahan "dan _menjebthan sfatsat 1.2 Stoestt ranonate anomateralyerg betpartung pads en 1 poe nanomaterst + menyebutian Beberapa apis nant [ahaa pat 7s Fla A Eee peraaan don] 25S | Ceaman, | aT Tpemanom don mejelatan pangatan| Permulaan Pacatin |" poten Kin ise ines ‘Sry permakios can pam km tr, 2.2 Rapa muatanpeulaan + menpissanmergeralropat™ maton 23 Patnsal aa Ven der | peru’ pecan lyn medum cae, ‘ass otansal trek Van car Waals. partie 28 Ine ara dua eruran pm dom plat eo eres etal to OVO (dm parte! dom sspene/DIVO (Oesgu, Lando, Verwey and verbo, __ L [aha Gapat- metals dat menjlean | 3. Sotto mate | 3.1 Sat Kin eos aw ean)(GP Nanoatral ~ PA 395° wanaa | Pongal No. Kompetens! Dasar Pokok Bahasan subPotok Oahasan | WaltA, |"belafar/ | Referens! rmetoda a 2 3 4 S16 z ‘eng iran (ae ec) adap babeaps | nana ‘i, reais aa Stor nonatel, capat meneaston pergerh ‘ducrokml, Wansport Sale mana. tematop reoas fama, as ‘Seroj tin ransoor mass met, pat 32 Stat mekande ytd frenfasdan huourgen yo sbess t=p zeroth Chan ul (ea Perch equi, | carat 33 Sat leraanapor Imenjeasian set sizes, sft Ek ‘eon pte dan keh sora Kent i 34 Stat otk 35 clea dan tontanta | -[atasine patent | = Saas mater [ 4 Sess ranesrakur axa | Ceara, pewsltantesaik yea dginatan urtuc| — nnosrlcur ‘meno (eanoparthe) ‘Se, gas Frenperln mate! aaostulr, dapat 42 Sees roresttur ‘renjuason setess rarepatte,nenood, fdmensl sat: manowres ‘anoraie dan tn tp, (bn nanorecs 463 Sass nanos ‘rer cf ts “=| rates an Ga many ears | 5. Waren EY Setar Taio Coraran, | {Girt tariterins motel ranger, dapat | mate 52 Statin assy togas frenyestton dan. meniledan tlk | ancsrktu Forakereas fa slau dan sat mi, dapat || menertlan “stat sruturden mia’ set Irengorakes fat sum can emis Mask (arenes I Referens Fee EE narasoucres 8 Noromstei: Srtheas Aegoris& Aad, ino Calle Pes, onde, 204 [By eaeeln AS ane Cammarata, B.C, fonomsteas Stes, ‘endo, 2002. ‘partes 4 Apatcatons situt of Pysis PIE,SATUAN ACARA PENGAJARAN MATA KULIAH : NANOMATERIAL KODE: SKS :2 PERTEMUAN KE WAKTU PERTEMUAN : 2x50 menit A. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1. Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai nanomaterial, mahasiswa akan dapat menjelaskan pengertian nanosains, nanoteknologi, nanomaterial dan nanostruktur, memahami pentingnya nanosains dan nanoteknologi, menjelaskan sifat-sifat fisis, kimia dan mekanik nanomaterial, menjelaskan pendekatan/metode dan mekanisme pembentukan nanostruktur/nanomaterial, dapat menyebutkan {eknik-teknik karakterisasi nanomaterial serta dapat memberikan contoh aplikasi nanomaterial Khusus: Setclah mengikuti kuliah mengenai pengenalan nanosains dan nanoteknologi, mahasiswa dapat menjelaskan pengertian nanosains, nanoteknologi, nanomaterial dan nanostruktur, menyebutkan dan menjelaskan contoh material nanostruktur, menyebutkan sifat-sifat_nanomaterial yang bergantung pada ukuran serta dapat menyebutkan beberapa aplikasi nanomaterial B. POKOK BAHASAN: Pengenalan Nanosains dan NanoteknologiSUB POKOK BAHASAN: 1, Pengertian nanosains, nanoteknologi, nanomaterial dan nanostruktur 2. Sifat-sifat nanomaterial 3. Aplikasi nanomaterial ). KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ‘Tahap ‘Kegiatan Dosen ‘Kegiatan Mahasiswa | Alat Pendahuluan | + Menjeaskan cakupan dan gambaran umum materi | Memperhatikan Papan lis, kuliah nanomaterial oHP ‘+ Menjelaskan pentingnya mempelajari nanosains dan snanoteknologi. ‘© Menjelaskan system penilaian akhir dari mata seul, Penyajian | Menjelaskan pengertian nanosains, nanoteknologi, |Memperhatiken, | Papan tals, Materi rnenomaterial dan nanostruktur bertanya OHP, LCD ] Menjelaskan material nanosirakiur, — seperli| Mendengarkan, tanye|Papan tui, anopartikel, nanorod, nanoribbon, nanotube dan |jawab OHP,LCD nanoporous: 7 Menjelaskan Sifatsifat —nanomaterial yang |Minperbatikan, tanya [Papan tulis, ‘ergantuny pada vkuran, jawab, latihan soal__| OHP, LCD + Menjelaskan beberapa aplikasi nanomaterial dalam |Mendengarken, tanye|Papan lis, divais clektonik, kedokteran, farmasi dan |jawab ‘HP, LCD Tingkungan.Pentup + Memberian raglan, Memperintian, Memberikan gas Mengeratan soa-a! | { Memberkan gambaran uum eating materi |(PR), eve mandi,| perklaan yang akan dst tanya jab | EF. EVALUASI —— ; Menilai tugas yeng dibuat mahasiswa. F. REFERENSI Cao, G., Nanostructures é& Nanomaterials: Synthesis, Properties & Applications, Imperial College Press, London, PERTEMUAN KE, : WAKTU PERTEMUAN : 2x50 menit A. TUJUAN INTRUKSIONAL: L Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai nanomaterial, mahasiswa akan dapat menjelaskan pengertian nanosains, nanoteknologi, nanomaterial dan nanostruktur, memahami pentingnya nanosains dan nanoteknologi, menjelaskan sifat-sifat fisis, kimia dan mekanik nanomaterial, menjelaskan pendekatan/metode dan mekanisme pembentukan nanostruktus/nanomaterial, dapat menyebutkan teknik-teknik karakterisasi nanomaterial serta dapat memberikan conto aplikasi nanomaterial. Khusus: Setelah mengikuti kulidh mengenai kimia fisika permukaan padatan, mahasiswa dapat menjelaskan pengertian energi permukaan dan potensial kimia atom, menghitung danD. mengestimasi energi|permukaan berbagai bideng Kristal, dapat menjelaskan mengenai rapat muatan permukean padatan dalam medium cair, potensial attraktif Van der Waals partikel berukuran < im dalam pelarut, teori interaksi dua partikel dalam suspensi/DLVO (Derjaguin, Landau, Verwey and Overbeek). POKOK BAHASAN: Kimia Fisika Permukaan Padatan SUB POKOK BAHASAN: 1, Energi permukaan dan potensial kimia 2. Rapat muatan permukaan 3. Potensial atraktif Van der Waals 4, Interaksi antara dua partikel/ teori DLVO KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ap Kegiatan Dosen Kegiatan Natasiwa | Alt Pendahuluan | * Menjelaskan cakupan dan gambaran umum materi | Memperatikan Papan—tlis, ouP kuliah kimi fisika permukaan padatan, + Menjelaskan pentingnya mempelajari Kimia fisika | |___permukaan padatan dalam nanomateril LlPeayajian ‘* Menjelaskan pengertian energi permukaan stom |Memperhatikan, | Papan tis, Materi pada permukatn padatan, menghitung dan | OHP, LCD ‘+ -Memberikan persemaan energi permukaan atom. | mengestimasienergi permukaan atom pada strukturkristal foe 7" Wenjelaskan | material nanosivuktur, seperti |Mendengarkan, tanya Papan tis, rnanopartkel, nanorod, nanoribbon, nanotube dan | jawab ‘OHP, LCD, > Menjelaskan sifat-sifat nanomaterial yong [Mmperhatikan, tanya |Papan —_tulis, bergantung pada ukuran, jawab, lahan soal___| OHP, LCD +” Menjelaskan beberapa aplikasi nanomaterial dalam |Mendengarkan, tanya |Papan tis, divais elektronik, kedokteran, —farmasi dan |jawab OHP, LCD, Fingkungan, Peautup ‘+ Memberikan rangkuman, ‘Memperhatikan, + Memberikan tugas. Mengerjakan soal-soal © Memberiken gambaran umum tentang materi |(PR), kerja man peskuliahan yang akan datang. tanya jawab FE. EVALUASI — : Menilai agas yang dibuat mahasiswa, F. REFERENSI Ca0,G., Nanostructures & Nanomaterials: Synthesis, Properties & Applications, Imperial College Press, London, 2004. Edelstein, A.S., and Cammarata, R.C., Nanomaterials: Synthesis, Properties & Applications, Institut of Physics Publishing, London, 2002.POKOK BAHASAN: Vektor dan Transformasi system koordinat. SUB POKOK BAHASAN: Transformasi koordinat KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: Tabap Kegiaian Dosen Kegiatan Mahasiswa [_Alat T z Z a endatuan | Menjelaskan secara singkat mated terakhi, tanya [Meodengar dan diskasi| Papan tls, java ‘Tanya jawab onP Penyajian Mater’ |» Menjeladkan posisl suatu tik jika dtinjau | Mendengarkan, Tanya dari dun system koordinat yang berbeda, | jaweb Merumuskin hubungan antara system |Mendengarkan, Tanya [Papan wis; koordinat X dengan X° serta cosinus sudut|jawab, athan soal | OHP, LCD dlianace X dan © Merumuskan sebush matiik transformasi| Mendengarkan, Tanya |Papan lis, ‘tau matrik rota dan nila determinannya, | javab, lainan soal | OHP, LCD + Merumuskan Kondisi orthogonalitas yang berhobungan dengen deli kronecker. = Merumuskan Koordnat transformasi umum | Mendengarkan, Tanya] Papan lis, dalam bentuk persamaan linier yang harus |jewab, latinan soal | OHP, LCD sesuai dengan hukum-hukum matrik secara Penutup Merangkum — subpokok bahasan ‘Transformasi Koordinat. © Kuis ‘© Memberikan pekerjaan Rumah tentang ‘vector dan transformasi koordinat. EVALUASE Kui, tugas-tugasREFERENSI: Arya, Atam P., Introduction fo Classical Mechanics, A Simon & Schuster Company Englewood Clits, ‘New Jersey 07632, 1990 Simon,K.R,,Mechanies, Addison Wessley, 1971SATUAN ACARA PENGAJARAN MATA KULIAH : TEKNOLOGI LAPISAN TIPIS KODE: PAF393* SKS :2 PERTEMUAN KE el WAKTU PERTEMUAN : 2x50 menit A. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1. Umum: Setelah_mengikuti Kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuban lapisan tipis, dapat ‘menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi Japisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis 2. Khusus: Setelah mengikuti kuliah mengenai pengenalan teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat ‘menjelaskan tahapan-tahapan proses penumbuhan lapisan tipis secara umum, dapat menyebutkan ‘teknik penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan perbedsan teknik physical vapor deposition (PVD) dan chemical vapor deposition (CVD) serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipi. B, POKOK BAHASAN: Pengenalan Teknologi Lapisan TipisC. SUB POKOK BAHASAN: 1. Proses penumbuhan lapisan tipis 2, Teknik penumbuhan lapisan tipis 3. Aplikasi teknologi lapisan tipis D. KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ‘Kegiatan Dosen Kegiatan Mahasiowa Alat * Menjeiaskan cakupan dan gambaran umum mater | Memperhatikan Papaa tulis, OP ‘aul teknofogi lapisan iis. ‘+ ‘Menjelaskan pentingnya mempelajari teknologi lapisan tis ‘+ Menjeleskan system penilaian akhir dari mata kuliah, Penyajian | * Menjelaskan tahapan-tahapan peroses penumbuban | Memperhaiikan, Papan__tulis, Materi Jpisantpis. bertanya OHP, LCD, + Menjelaskan teknik piysical vapor deposition (PVD) |Mendengarkan, tanya Papan tis, ddan chemical vapor deposition (CVD). jawab OH, LCD + Menjelaskan dan memberikan contoh aplikasi teknologi | Memperhailkan, tanya|Pepan tlis, lapisan pis. jawab, atihan soal__| OHP, LCD. Penuitup . ‘Memperbatikan, . Mengerjakan soal-soal . tentang maieri|(PR), kerja mandi tanya jawab E. EVALUASI — : Menilai tugas yang dibuat mahasiswe,F. REFERENSI ‘Ohring, M., Materials Science of Thin Films: Deposition & Structure, Academic Press, San Diego, 2002. Smith, D. L., Thin Film Deposition, McGraw-Hill, Inc, New York, 1995, PERTEMUAN KE 12 WAKTU PERTEMUAN : 2x50 menit A. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1. Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhan lapisan tipis, dapat ‘menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi Japisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tpis 2. Khusus: Setelah mengiketi kuliah mengenai pengenalan teknologi vakum, mahasiswa akan dapat ‘menjelaskan kinetika gas dalam sistem vakum, dapat menjelaskan transport gas dalam sistem vakum, menjelaskan dan menyebutkan jenis-jenis pompa vakum dalam proses penumbulan lapisan tipis. POKOK BAHASAN: Teknologi vakum SUB POKOK BAHASAN: 1. Kinetika gas OF 2. Transport gas 3. Tenis-jenis pompa vakumD. KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: pperkulishan yang akan datang. (PR), Kerja mandir, tanya jawab Taha Kegiatan Dosen ‘Kegiatan Mabasiowa | Alat 7 z z ¢ Pendabulian [> Meajeleskaa bakipan dan ganbaran muni mater | Memperbaikan Papan tls, OF ‘eli teknologt vakum. + Menjelasken petingnya mempelajar teknologi vakum. Panyajian | + Menjelasken diagram fase uap, cir, gas dan padat. | Memperiatken, | Fapan tills, Materi + Memberikan pengetian jalan bebasrate-rata bertanya OHP, LCD + Menjelaskan | persamaan Knudsen dan bilangan Knudsen + Menjelaskan dan merumuskan fuks gas yang mengenai suatu permukaan padat + Menjelaskan sf transport gas. Wieadeogarkan, taaya | Papan tls, * Mengklasifikaskan dan menjelaskan jenis aican gas: | java OHP, LoD ‘molecular flow, intermediate flow dan viscous flow. Menyebutkan dan menjelaskanjenisjens ponpa vakum, Papas tls, diantaranye: rotary pumpiffusion pump dan javab, laihansoal | OHP, LCD turbomolecular pursp Penutup + Memberikan rangkuman: empetbatian, 4+ Memberikantugas Mengerjakan_soal-soal + Memberikan | gambaran umum tentang mater my EVALUASI —: Menilai tugas yang dibuat mahasiswa. F. REFERENSI ‘Obring, M., Materials Seience of Thin Films: Deposition & Structure, Academie Press, San Diego, 2002. Smith, D. L., Thin Film Deposition, McGraw-Hill, Inc., New York, 1995.PERTEMUAN KE 23 WAKTU PERTEMUAN : 2 x 50 menit A c TUJUAN INTRUKSIONAL: 1. Umum: Setelah_ mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan Japisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhan lapisan tipis, dapat ‘menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-toknik karakterisasi lapisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis. 2. Khusu Setelah mengikuti kuliah mengenai proses evaporasi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan termodinamika evaporasi, dapat menjelaskan taju evaporasi, dapat menjelaskan persamaan Clausius-Clapyeron, dapat menggambarkan dan menjelaskan geometti evaporasi lapisan tipis dari sumber berbentuk ttik dan berbentuk permukaan, dapat menjelaskan uniformitas dan kemurnian lapisan tipis yang terbentuk dengan teknik evaporasi serta memberikan contoh aplikasi evapotasi lapisan tipi, POKOK BAHASAN: Proses Evaporasi Lapisan Tipis SUB POKOK RAHASAN: 1, Termodinamika evaporasi 2. Geometti sistem evaporasi 3. Aplikasi evaporasi lapisan tipis compound dan alloyD, KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ‘Tahap Kegiatan Dosen Kegiatan Mahasiswa ‘Alat L z 3 Z Pendahuiuan | © Meajelaskan cakupan dan gambaran umum materi | Memperhatikan Papaa lis, OP kuliah proses evaporast apisen tips. ‘+ Menjelaskan pentingnya mempelajari proses evaporasi lapisan tipi. Peayajian > Menjelaskan teknik evaporasi lapisan Upis Memperhatikan, Papan lis, Materi ‘+ Menjelaskan dan merumuskan laju evaporasi bertanya OHP, LCD. © Menjelaskan hubungan antara temperatur dan tekanan ‘uap (persamaan Clausius-Clapyeron). * Menjelaskan dan merumuskan jurlah massa yang|Mendengarkan, tanya |Papan uli, teedeposisi.persatuan luas dari sumber evaporan| jawab OHP, LCD berbentuk ttik dan berbentuk permukaan, ‘¢ Menjelaskan uniformitas ketebalanlapisan tips. + Menjelaskan faktor geometri Garak substrat ke sumbe evaporan) yang menentukan uniformitas ketebalen lapisan ‘+ Menjelaskan faktor-fektor yang menentukan kemurnian lapisan tpis. | Memberikan gontoh aplikasi evaporasi Tapisan tpis | Memperhatikan, tanya|Papan uli, ‘compound dan alloy. Jjvvab, atihan soal | OHP, LCD Penuiup + Memberikan sangkunven, Memperbatiken, ‘+ Memberikan tugas. ‘Mengerjakan_soal-soal * Memberikan gambaran mum tentang materi |(PR), kerje _mandiei, perkuliahan yang akan datany tanya jawab 7E, EVALUASI — : Menilaitugas yang dibuat mahasisw F. REFERENSI Obring, M., Materials Science of Thin Films: Deposition & Structure, Academie Press, San Diego, 2002, Smith, D. Thin Film Deposition, McGraw-Hill Inc., New York, 1995. PERTEMUAN KE, 14 WAKTU PERTEMUAN : 2 x50 menit A. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1 Umum: Setelah mengikuti kulich mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan Iapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhen lapisan tipis, dapat menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi lapisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis. Khusus: Setelah mengikuti Kuliah mengenai glow-discharge dan plasma, mahasiswa akan dapat menjelaskan pengertian/definisi“kriteria plasma, dapat menjelaskan mekanisme pembentukan plasma, dapat menjelaskan persamaan Townsend dan kaidah Paschen's, dapat menjelaskan dan ‘merumuskan gerak partikel-partikel plasma, dapat menjelaskan hubungan panjang Debye dan electrode sheat, dapat menjelaskan proses tumbukan partkel-partikel plasma, dapat menjelaskan fungsi transfer energi dalam tumbukan partikel-partikel plasma serta menjelaskan reaksi kimia dalam plasma,B. POKOK BAHASAN: Glow-Discharge Plasma C, SUB POKOK BAHASAN: 1. Dasar-dasar fisika plasma 2. Tumbukan partikel-partikel plasma 3. Reaksi kimia dalam plasma D. KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ‘+ Menjelaskan persamaan Townsend mengenai anus discharge. + Menjeluskan kaidsh Paschen’s mengenai tegangan breakdown kts ‘© Menjelaskan dan merumuskan gerak dari_partikel- partikel plasma (elektron, ion). + Menjelaskan panjang Debye dan electrode sheat serta hnubungan antara keduanya. Tahap_ ‘Kegiatan Dosen Kegiaian Mahasiswa ‘Akt Pendahiuhuan | > Menjelaskan sakupan dan gambaran unum materi | Memperhatikan Papan tulis, OP kuliah glow-discharge plasma. ‘+ Menjelaskan_pentingnya mempelajri_glow-discharge plasma dalam proses deposisi lapisan tipis ‘menggunakan teknik piysical vapor deposition (PVD). Penyajian + Menjelaskan definisi dan kriteria plasma, ‘Memperhatiken, Papan tals, Materi ‘+ Menjelaskan mekanisme pembentukan plasma. bertanya OHP, LCD‘Meajeleskan proses tumbukan partkel-partkel plasma (clastik dan inelastl) Merumuskan dan menjelaskan fungsi transfer energi pada proses tumbukan partikel-partike plasma. ‘Merumuskan cross-section tumbukan partikel-partikel plasma. Menjelaskan reaksi kimia dalam plasma, Mendengarkan, tanya jawab Papan tus, OHP, LCD Penutup “Memberikan rangkuman. ‘Memberikan tugas. Memberikan gambaran umum tentang materi perkuliahan yang akan datang ‘Memperhatikan, /Mengerjakan_soal-soal (PR), kerja mandir, tanya jawab E, EVALUASI + Menilaitugas yang dibuat mahasiswa, FR. REFERENSI Ohring, M., Materials Science of Thin Films: Deposition & Structure, Academic Press, San Diego, 2002. ‘Smith, D. L., Thin Film Deposition, McGraw-Hill, Inc., New York, 1995. PERTEMUAN KE, 25 WAKTU PERTEMUAN : 2x50 meni¢ ‘A. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1, Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhan lapisan tipis, dapat‘menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi lapisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis. 2. Khusus: Setelah mengikuti kulih mengenai teknik sputtering, mahesiswa ekan dapat menyebutkan dan menjelaskan jenis-jenis teknik sputtering, dapat menjelaskan definisi sputtering yields, dapat menyebutkan dan menjelaskan faktor-faktor yang mempengaruhi sputtering yields,dapat ‘menjelaskan tiga daerah energi dalam proses sputtering, dapat menjelaskan faktor-faktor yang ‘mempengaruhi laju deposisi DC sputtering, dapat menjelaskan pengaruh ukuran elektroda dalam proses deposi ACIRF dan magnetron sputtering. B. POKOK BAHASAN: Sputtering C. SUB POKOK BAHASAN: DC sputtering 2. REV/AC sputtering 3. Magnetron sputtering D. KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: 'ACIRF sputtering serta dapat menggambarkan dan menjelaskan skema DC, ‘Ala ‘Tahap ‘Kegiatan Dosen Kegiatan Mahasiswa Pendahuiuan |» Menjelaskan cakupan dan gambaran wmum materi kuliah sputtering. + Menjeleskan pentingnya mempelajariteknik sputter Memperhatikan Papan tlis, OPPenyajian : Materi . ‘Menjelaskan teknik sputtering apisan tpis. Meayebutkan | dan menjelaskan jenis-jenis teknik sputtering, diantaranya: DC, AC, RF dan magnetron sputtering. ‘Menjelaskan definsi sputtering yields. Menjelaskan faktor-faktor yang menentukan sputtering yields. Menjelaskan dacrah energi dalam proses sputtering, yaitu: single knock-on (low energy), linier cascade dan ‘spike (high energy. ‘Memperhatikan, bertanya Papan “lis, OP, LoD ‘Menjelaskan Taktorfaklor yang mempengaruhi laje Adeposisi DC sputtering. Merumuskan laju deposisi DC sputtering. Menjelaskan pengaruh ukuran elektroda pada proses penumbuhan lapisan pis menggunakan AC/RF sputering. Mendengarkan, tanya jawab Papan lis, OP, LCD, ‘Menggambarkan dan menjelaskan skeme DC, ACIRF ddan magnetron sputter ‘Memperhatikan, tanya javwab, lathen soal Papan tls, OHP, LCD. Penutup . Memberikan rangkumen, ‘Memberikan tuges. ‘Memberikan gambaran unum tentang — materi perkuliahan yang akan datang, ‘Memperbatikan, Mengerjekan_soal-soal (PR), kerja mandiri, ‘anya jawab E, EVALUASI + Menilai tuges yang dibuat mahasiswa. F. REFERENSI Ohcing, M., Materials Seience of Thin Films: Deposition & Siructure, Academic Press, San Diego, 2002, ‘Smith, D. L., Thin Film Deposition, MoGraw-Hill, Inc., New York, 1996.PERTEMUAN KE 26 WAKTU PERTEMUAN : 2x50 menit A TUJUAN INTRUKSIONAL: 4. Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhan lapisan tpis, dapat menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-tekaik karakterisasi lapisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis. 2. Khusus: Setelah mengikuti kuliah mengenai chemical vapor deposition (CVD), mahasiswa akan dapat menjelaskan teknik CVD, dapat menyebutkan jenis-jenis teknik CVD, dapat menjelaskan tahapan proses dasar dalam teknik CVD, dapat menyebutkan dan menjelaskan jenis reaksi yang digunakan dalam CVD, dapat menjelaskan transport gas dalam CVD, menjelaskan faktor-faktor yang menentukan kinetika penumbuhan dalam CVD, dapat menjelaskan laju penumbuhan dalam CVD serta dapat menjelaskan kebergantungan laju penumbuhan terhadap temperatur. POKOK BAHASAN: Chemical vapor deposition (CVD) SUB POKOK BAHASAN: 1. Jens 2. Transport gas dalam CVD is reaksi dalam teknik chemical vapor deposition (CVD) 3. Kinetika penumbuban lapisan tipis menggunakan teknik CVDD. KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: Fahap ‘Kegiaian Dosen ‘Kegiatan Mahasiowa iat Pendahulaan > Menjeliskan| cakupan dan gambaran_umum materi | Memperhatikan Papan tlis, OHP lalish chemical vapor deposition (CVD). ‘+ Menjeleskan pentingnya mempelaeri chemical vapor deposition (CVD). Penyajian | * Menjelaskan tabapan-tahapan dasar proses CVD. Memperhatixen, Papan tis, Mater + Menjelaskan jenis-jnis reaksi yang digunakan dalam | bertany OnP, LOD vb. + Menjelaskan sifat transport gas. Mendengerkan, tanya |Papan tus, ‘+ Mengktasfikasiken dan menjelaskan jenis aliran gas: |jawab OH, LCD viseous flow ffsi dan konvek ‘Menjelaskan factor-faktor yang menentukan Kinetika ‘penumbuhaa lapisan pis menggunakan teknik CVD, ‘Menjelaskan dan merumuskan laju penumbuhan axial ‘Menjeleskan dan merumuskan laju penumbuban radial Menjelaskan dan merumuskan kebergantungan Iaju ‘penumbuhan terhadap temperatur. ‘Memperhatiken, tanya Jawa, latiban soal Papan—_tulis, ‘OHP, LCD, Penutup * ‘Memberikan rangkuman. ‘Memberikan tugas Memberikan gambaran umum tentang materi perkuliahan yang akan datang. ‘Memperhatan, “Mengerjakan_soal-soal (PR), Kerja mandiri, tanya jaweb E, EVALUASI + Menilal tugas yang dibuat mahasiswa, F. REFERENSI Ohring, M., Materials Science of Thin Films: Deposition & Structure, Academie Press, San Diego, 2002 Smith, D. L., Thin Film Deposition, McGraw-Hill, Inc., New York, 1995,PERTEMUAN KE 7 WAKTU PERTEMUAN : 2x50 menit A, TUJUAN INTRUKSIONAL: 1, Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuban lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi lapisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis 2. Khusus: Setelah mengikuti kuliah mengenai chemical vapor deposition (CVD), mahasiswa akan dapat menjelaskan teknik deposisi Atmospheric-Pressure CVD (APCVD), Low-Pressure CVD (LPCVD) serta dapat menggambarkan skema reaktornya B. POKOK BAHASAN: Chemical vapor deposition (CVD) €. SUB POKOK BAHASAN: 1, Atmospherie-Pressure CVD (APCVD) 2. Low-Pressure CVD (LPCVD)D. KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: Tahap Kegiatan Dosen Kegiatan Mahasiswa ‘Alat 1 Z z z Pendabuluan | * Menjetaskancakupen dan gambaran_umem moter | Memperhatikan Papas tulis, OP kuliah chemieal vapor deposition (CVD). ‘+ Menjelaskan pentingnya mempelajri chemical vapor deposition (CVD). Penyajian | + Menjelaskan teknik deposisi Atmospheric-Pressure | Memperbatkan, Papan__tlis, Materi vb. bertanya OHP,LCD “+ Menjelskan dan menggamberkan skema reaktor Atmospherie-Pressure CVD. + Menjlaskan teknik deposisi Low-Pressure CVD. |Mendengukea, tanya] Papan ‘+ Menjelskan dan menggambarkan skeme reaktor Low- | ava OHP, LCD Pressure CVD. Peautup + Memberikan rangkuman, ‘Memperhatiken, ‘+ Memberikan tugas. ‘Mengeriakan.soal-soal * Memberikan|gambaran mum tentang materi |(PR), kerja mandi, perkuliahan yang akan datang. tanya jawab E, EVALUASI — : Menilaitugas yang dibuat mahasiswa, F. REFERENSI ‘Ohing, M., Materials Science of Thin Films: Deposition & Sructure, Academie Press, San Diego, 2002. ‘Smith, D. L., Thin Film Deposition, McGraw-Hill, Inc, New York, 1995.PERTEMUAN KE 28 WAKTU PERTEMUAN : 2x50 menit A. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1. Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan Tapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan struktut lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi Japisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis. 2. Khusus: Setelah mengikuti kuliah mengenai chemical vapor deposition (CVD), mahasiswa akan dapat rmenjelaskan teknik deposisi Metalorganic CVD (MOCVD) dan Plasma-enhanced CVD (PECVD) serta dapat menggambarkan skema reaktomya, POKOK BAHASAN: Chemical vapor deposition (CVD) SUB POKOK BAHASAN: 1. Metalorganie CVD (MOCVD) 2. Plasma-enhanced CVD (PECVD)D, KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ‘+ Memberikan tugas. + Memberikan gembaran umum tentang materi _perkuliahan yang akan datang, Mengerjekan soal-soal (PR), kerja mandisi, anya jawab Tahap ‘Kegiatan Dosen Kegiatan Mabasiswa ‘Ala Pendahuluan | * Menjelaskaa takupan dan gambaran_umum materi] Memperbatikan Papa tulis, OHP iuliah chemical vapor deposition (CVD). + Menjelaskan pentingnya mempelsjari chemical wapor deposition (CVD). Penyajian | * Menjelaskan teknik deposisi Atmospheric-Pressure | Mempertatikan, Papan lis, Materi cvD. bertanya uP, LCD * Menjelaskan dan menggambarkan skema reaktor Atmospherie-Pressure CVD. + Menjelaskan teknik deposisi Low-Pressure CVD. |Mendengarkan, tanya |Papan—tulis, Menjelaskan dan menggambarkan skema reaktor Low- | twab ‘OHP, LCD Pressure CVD. + Menjelaskan tcknik deposisi Metalorganic CVD. |Memperbatikan, tanya |Papan tas, + Menjelaskan dan mienggambarkan skema reaktor|jawab, laihan soal | OHP, LCD Metalorganic CVD. * Menjelaskan | teknik deposisi_Plasma-enhanced | Memperbatikea, tanya | Papan tulis, cvD. jawab,laihen soa | OHP, LCD + Menjelaskan dan menggambarkan skema _reaktor Plasma-enhanced CVD. Penutup Memberikan:angkuman. ‘Memportatiken, “|E. EVALUASI — : Menilai tugas yang dibuat mahesiswa. F, REFERENSI Obring, M., Materials Science of Thin Films: Deposition & Structure, Academic Press, San Diego, 2002. ‘Smith, D.L., Thin Film Deposition, McGraw-Hill, Inc., New York, 1995. PERTEMUAN KE 29 WAKTU PERTEMUAN +2 x50 menit A B. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1. Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuban lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuban lapisan tipis, dapat ‘menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi lapisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tpis. 2. Khusus: Setelah mengikuti kuliah mengenai nukleasi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan model-model dasar penumbuhan lapisan tipis, adsorpsi pada permukaan zat padat, dapat ‘menjelaskan hubungan potensial interaksi terhadap jarak adsorbat, dapat menjelaskan laju surface ‘coverage dan persamaan Langmuir isoterm, dapat menjelaskan pengertian energi permukaan dalam proses pentumbuhan lapisan tipis, dapat mengklasifikasikan model-model penumbuhan berdasarkan energi permukaan serta dapat menjelaskan nukleasi pada temperatur substrat dan laju deposisi POKOK BAHASAN: Nukleasi lapisanC. SUB POKOK BAHASAN: 1, Adsorpsi pada permukaan zat padat 2. Aspek termodinamika nukleasi D. _ KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ‘Van der Merwe), Strnski ‘+ ‘Menjelaskan reaksi adsompsi pada penmuksan zat padat (physisorption dan chemisorption). ‘+ Monggambarken dan menjelaskan hubungan potens‘al interaksi terhadap jarak adsorbat dan permukaan zat padat. ‘Menjelaskan dan merumuskan Ieju surface coverage. Menjelaskan persamean Langmuir isotherm. Tabap ‘Kegiatan Dosen Kegiatan Mahasiswa ‘Alat 2 Z Z Pendahuluan | * Menjelaskan cakupan dan gambaran umum mater | Memperhatikan Papan tlis, OP -kuliah nukleasilapisan tips. ‘+ Menjelaskan pentingnya mempelajari nukleasi lapisen ae Penyajian * Menjelaskan model-model dasar penumbuhan lepisen | Memperhatikan, Papan __tulis, Materi tipis, melipui: island (Volmer-Weber), layer (Frank- | bertanye ‘OHP, LOD ‘Menjelaskan teori kapilaritas nukleasi heterogen. Meaklasifikasiken model penumbuhan lapisan 1 ‘berdasarkan enérgi permuksannys. ‘+ Menjelaskan kebergantangan nukleasi pada temperatur substrat dan Iaju deposisi "> Menjelaskan definisi energi permukaan, Mendengarkan, tanya jawab Papan__tulis, ‘OHP, LCDPenuitp + Memberikan rangcaman, ‘Memperhatikan, ‘+ Memberikan tgas. Mengerjakan soal-soal © Memberikan | gamberan umum tentang materi) (PR), Kerja mangiri, perkuliahan yang akan datang. ‘anya jawab E, EVALUASI — : Menitai tugas yang dibuat mahasiswa, F. REFERENSI Ohring, M., Materials Science of Thin Films: Deposition & Structure, Academic Press, San Diego, 2002 ‘Smith, D.L., Thin Film Deposition, McGraw-Hill, Inc., New York, 1995, PERTEMUAN KE 210 WAKTU PERTEMUAN : 2 x 50 menit A. TUJUAN INTRUKSIONAL: 1 Umum: Setelah mengikuti kuliah mengenai teknologi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan proses penumbuhan lapisan tipis, dapat menjelaskan sistem vakum dalam proses penumbuhan Japisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan teknik-teknik penumbuhan lapisan tipis, dapat ‘menjelaskan struktur lapisan tipis, dapat menyebutkan dan menjelaskan tekni-teknik karakterisasi lapisan tipis serta dapat memberikan contoh aplikasi teknologi lapisan tipis. Khusus: Setelah mengikuti kuliah mengenai nukleasi lapisan tipis, mahasiswa akan dapat menjelaskan mengenai adsorpsi, dapat menjelaskan pengertian lama waktu residen adatom pada permukaan, dapat menjelaskan laju nukleasi, dapat menjelaskan model atomistik nukleasi dan menjelaskan laju rukleasinya, dapat menjelaskan model kinetika nukleasi dan laju nukleasinya, dapat menjelaskan 0kriteria koalesen dan penumbuhan inti, dapat menjelaskan transport massa dalam fenomena koalesen serta dapat menjelaskan dan mengklasifikasikan fenomena koalesen, B, POKOK BAHASAN: Nukleasi lapisan tipis C. SUB POKOK BAHASAN: 1. Laju nukleasi 2. Model atomistik laju nukleasi 3. Model Kinetik nukleasi 4, Deplesi dan koalesen kluster D. KEGIATAN BELAJAR MENGAJAR: ‘Tahap Kegiatan Dosen ‘Kegiatan Mahasiswa Alt L z z < Pendauluan | * Mesjelasken cakupan dan gambaran unum materi | Memperhatikan Popan tulis, OHP leuliah proses kinetika dalam nukleasi dan penumbuhen. lapisan tpis, ‘+ Menjelaskan pentingnya mempelajri_ proses kinetika dalam aukleasi dan penumbuban lapisantipis. Penyajian + Menjelaskan lama waka adatom —bereda pada | Memperhatikan, Papan tls, Materi permukagn substret. bertanya ‘OHP, LCD, ‘+ Menjelaskan rapat keadaan nukieasitotel “© Menjelaskan jarak difusi dan koefisien difusi adatom pada permukaan substat, ‘+ Menjelaskan dan merumuskan lu nukleasi a