Διδάσκων M.

Bucher Τechnical University of Crete Σχεδίαση Αναλογικών

Βοηθοί Ν. Μαυρεδάκης , Γ. Γυρούκης 6 Μαρτίου 2015 CMOS Κυκλωμάτων

Ασκήσεις I
MOS Transistor σε ασθενή, μέτρια και ισχυρή αναστροφή
Βασικές παράμετροι MOS

Θέμα 1. Ιδανικό συμμετρικό μοντέλο του MOS τρανζίστορ

Διατίθενται NMOS τρανζίστορ (π.χ. τεχνολογία CMOS 0.25μm):

VTO=0.5V n=1.5 Ispec=I0.W/L I0 = 500nA.
Υπoδείξεις: UT ~= 25mV, W/L = 1, 2q  ln  q   0  q  0.425

Στις παρακάτω περιπτώσεις να προσδιορίστε τον τρόπο λειτουργίας του τρανζίστορ (WI-MI-SI,
saturation/linear/blocked), και να υπολογίστε τον ρεύμα καναλιού ΙD και τις διαγωγιμότητες gms, gmd, gm.

VG VS VD VP qs qd if ir WI- sat./ ID [μA] gms gmd gm

[V] [V] [V] [V] MI-SI lin./ [μΑ/V [μΑ/V [μΑ/V]
bl. ] ]
2 0.5 2.5 1 10 8.76e- 110 0 SI sat 55 200 0 133.3
27
0.2 0 2.5 -0.2 3.35e-4 1.25e- 3.35e-4 0 WI sat 0.00016 0.006 0 0.0045
47 7
0.5 0 2.5 0 0.425 3.72e- 0.605 0 MI sat 0.303 8.5 0 5.7
44
2 0 0.0 1 20 19 420 380 SI lin 20 400 380 13.33
5
2 0.5 0.8 1 10 4 110 20 SI lin 45 200 80 80
1 1 1 0.3 2.62e- 2.62e- 2.62e- 2.62e WI block 0 5.25e 5.25e 0
12 12 12 -12 -17 -17

Λύση
Η μεθοδολογία, την οποία ακολουθούμε για την επίλυση της άσκησης είναι η εξής:
Αρχικά βρίσκουμε το επίπεδο αναστροφής, τόσο στην πηγή (S), όσο και στην υποδοχή (D). Για να συμβεί αυτό,
υπολογίζουμε αρχικά την pinch-off τάση (VP) και την συγκρίνουμε με την τάση στην πηγή και την τάση στην
υποδοχή.
 Αν V p  Vch , όπου Vch η τάση στην πηγή ή στην υποδοχή, τότε η περιοχή κάτω από τον αντίστοιχο
ακροδέκτη, βρίσκεται σε ισχυρή αναστροφή.
 Αν V p  Vch , τότε η περιοχή βρίσκεται σε ασθενή αναστροφή.
 Αν τέλος V p  Vch , τότε βρισκόμαστε σε μέτρια αναστροφή.
Αφού βρούμε το επίπεδο αναστροφής, υπολογίζουμε τα φορτία αναστροφής, ξεχωριστά για την πηγή και για
την υποδοχή και συγκρίνοντας τις τιμές τους, βρίσκουμε την περιοχή λειτουργίας του τρανζιστορ
(blocked/linear/saturation).
Η σχέση η οποία συνδέει τα φορτία με τα δυναμικά, είναι η εξής: 2qch  ln qch  u p  uch , όπου up και uch
κανονικοποιημένες τάσεις. Η σχέση αυτή, μετασχηματίζεται ανάλογα με το επίπεδο αναστροφής ως εξής:
Vp  Vch
 Για ασθενή αναστροφή: ln qch  u p  uch  qch  exp(u p  uch )  exp( ).
UT
u p  uch Vp  Vch
 Για ισχυρή αναστροφή: 2qch  u p  uch  qch   .
2 2U T
 Για μέτρια αναστροφή: 2qch  ln qch  0  q  0.425 .
Αφού βρούμε τα φορτία αναστροφής στην πηγή κα στην υποδοχή, τα συγκρίνουμε μεταξύ τους.
 Αν qs  qd , το τρανζιστορ βρίσκεται σε κορεσμό.
  Αν η μεταξύ τους διαφορά δεν είναι μεγάλη, τότε το τρανζιστορ βρίσκεται στην γραμμική περιοχή
λειτουργίας.
 Αν qs  qd , το τρανζιστορ είναι blocked.
Για να υπολογίσουμε τα ρεύματα forward και reverse, χρησιμοποιώντας τους γενικούς τύπους, καταλήγουμε
στους ειδικούς, ανάλογα με την περιοχή λειτουργίας του τρανζιστορ και το επίπεδο αναστροφής. Οι γενικοί
2
τύποι για τα δύο ρεύματα είναι οι εξής: i f  qs  qs , ir  qd2  qd . Το συνολικό κανονικοποιημένο ρεύμα στο
κανάλι είναι: id  i f  ir .
Για να υπολογίσουμε το συνολικό ρεύμα στο κανάλι, I D, πολλαπλασιάζουμε το κανονικοποιημένο ρεύμα, id , με
W
τον συντελεστή κανονικοποίησης του ρεύματος, Ispec . Έτσι, I D  I specid , όπου I spec  I 0 .
L
Τέλος, για τις διαγωγιμότητες, gms, gmd και gm, χρησιμοποιούμε τους τύπους:
g ms  g md I spec
g ms  Gspec qs g md  Gspec qd , g m  , όπου Gspec  .
n UT

Λαμβάνοντας υπόψη τα παραπάνω, θα δούμε πώς λύνεται η πρώτη εκ των περιπτώσεων, στην οποία έχουμε:
VG  2V , VS  0.5V , VD  2.5V .
VG  VT0
Αρχικά υπολογίζουμε την pinch-off τάση: VP   1V
n
VP  VS 
  SI ( S ),WI ( D ) .
VP  VD 
Άρα τα φορτία αναστροφής, υπολογίζονται ως εξής:
u p  us Vp  Vs
qs    10 .
2 2U T
Vp  Vd
qd  exp(u p  ud )  exp( )  8.76e  27 .
UT
Συγκρίνοντας το φορτία αναστροφής, συμπεραίνουμε ότι το τρανζιστορ βρίσκεται σε κορεσμό. Επομένως:
i f  qs2  110 , ir  0 , id  i f , I D  I specid  55uA .
Για τις διαγωγιμότητες:
g ms  g md
g ms  Gspec qs  200uA / V , g md  0 , g m   133.3uA / V .
n

Ακολουθώντας την περιγραφείσα μεθοδολογία, λύνουμε και τις υπόλοιπες περιπτώσεις και προκύπτει ο
αρχικός πίνακας.

Θέμα 2. Βασικές παράμετροι τεχνολογίας MOS.

Οι παρακάτω φυσικές παράμετροι είναι ενδεικτικές για τις τεχνολογίες CMOS γενιών 0.5um, 0,25um, 0.18um.
Να υπολογίσετε τις αντίστοιχες ηλεκτρικές παραμέτρους.

Parameter 0.5 μm 0.25 μm 0.18 μm

VDD [V] 5 2.5 1.8
Tox [nm] 10 5 3.3
-3
N sub [cm ] 9 1016 2.5  1017 4.3 1017
2
n [cm /Vs] 450
2
 p [cm /Vs] 150
VFB [V] -1
Parameter Expression * Convenient Formula ** 0.5 μm 0.25 μm 0.18 μm
 ox 10nm
3.45 fF /  m 2 
2 Tox Tox 3.45e-3 6.9e-3 10e-3
Cox [F / m ]
2  10 nm
34.5 A / V  
2
KP [  / V ] 2  T   Cox
 100cm / Vs  Tox
155 310 470
2q si  N sub N sub Tox
0.168 V  
 [ V] 
Cox 1016 cm 3 10 nm 0.5 0.42 0.37
N 
2 U T  ln  sub   3U T
 [V ] n
 i (T )  ni  300K  1.2  1010 cm3 0.86 0.91 0.95
VTO [V ] VFB      - 0.33 0.31 0.30
* χρησιμοποιούνται μετρικές μονάδες ** χρησιμοποιούνται οι μονάδες  N sub   cm3 ,     cm2 / Vs 

Χρησιμοποιώντας τους τύπους οι οποίοι δίνονται παραπάνω, οι ζητούμενες παράμετροι παίρνουν τις
κατάλληλες τιμές, για τις 3 διαφορετικές τεχνολογίες. Όπως παρατηρούμε, η εξέλιξη της τεχνολογίας και η
πορεία προς deep submicron τεχνολογίες, με μειωμένο μήκος καναλιού, επιφέρει σημαντικές αλλαγές στις
παραμέτρους του mos transistor.
Πιο συγκεκριμένα, η χωρητικότητα του οξειδίου αυξάνεται, καθώς επίσης και η δύναμη με την οποία οι
φορείς πλειονότητας κινούνται στο κανάλι. Το ίδιο συμβαίνει και με το δυναμικό Φ. Αντίθετα, ο δείκτης
σώματος και η τάση κατωφλίου μειώνονται, πράγμα λογικό, αν σκεφτούμε ότι προχωρώντας σε μικρότερες
τεχνολογίες, η τάση τροφοδοσίας ελαττώνεται.
Διδάσκων M. Bucher Τechnical University of Crete Σχεδίαση Αναλογικών
Βοηθοί Ν. Μαυρεδάκης , Γ. Γυρούκης 28 Φεβρουαρίου 2014 CMOS Κυκλωμάτων

Ασκήσεις ΙΙ – Μοντέλο Φορτίου του τρανζίστορ MOS II

Θέμα 1. Σχέσεις μεταξύ φορτίου αναστροφής, τάσεων, και ρεύματος καναλιού (σε οποιοδήποτε
σημείο του καναλιού).

Το μοντέλο του τρανζίστορ MOS που μελετάται στα πλαίσια του μαθήματος βασίζεται στα φορτία
αναστροφής qi(x) (inversion charge).

A) Να προσδιορίσετε τις (ιδανικές, κανονικοποιημένες) σχέσεις μεταξύ των παρακάτω παραμέτρων

{που ισχύουν τοπικά, σε οποιοδήποτε σημείο (x) ανάμεσα σε πηγή (x=0) και απαγωγό (x=L)}:
1. Δυναμικών v = vp – vch(x) και qi(x) (voltage – charge relation).
2. Ρεύματος καναλιού i(x) και qi(x) (current – charge relation).
Βάσει των δυο παραπάνω σχέσεων (1) και (2), να προσδιορίσετε την σχέση μεταξύ,
3. Διαγωγιμότητας g = di/dv και qi.
Β) Να αναλύσετε τις παραπάνω σχέσεις (1)-(3), στις ασυμπτωτικές περιοχές,
a. Ασθενούς αναστροφής (i < 0.1)
b. Ισχυρής αναστροφής (i > 10).

Κανονικοποιήσεις
W
I D  I spec id , όπου I spec  I 0
L
QI  Qspec qi , όπου Qspec  2 nCoxUT
Gms Gmd Gms  Gmd G q  qd
Gms  Gspec qs  g ms   qs , Gmd  Gspec qd  g md   qd , Gm  Gspec  gm  m  s ,
Gspec Gspec n Gspec n
I spec
όπου Gspec 
UT
Λύση
Α)
(1) Η σχέση μεταξύ δυναμικού (v) και φορτίου αναστροφής (qi), σε οποιοδήποτε σημείο, x, μεταξύ
πηγής και απαγωγού είναι η εξής: v  v p  vch ( x )  2qch ( x )  ln qch ( x ) . (1)

(2) Η αντίστοιχη σχέση μεταξύ ρεύματος καναλιού (i) και φορτίου αναστροφής (qi), σε οποιοδήποτε
σημείο, x, μεταξύ πηγής και απαγωγού είναι: ich ( x )  qch2 ( x )  qch ( x ) . (2)
di
(3) Η σχέση μεταξύ διαγωγιμότητας ( g  ) και φορτίου αναστροφής (qi), έχει ως εξής:
dv
i '

g
di q
 
 qch2  qch  2q  1 (2qch  1) qch
 ch   qch . (3)
'
dv v (2qch  ln qch ) 2  1 2qch  1
q qch
Β)
a. Στην ασθενή αναστροφή, γνωρίζουμε ότι τα φορτία αναστροφής, τόσο στην πηγή όσο και στον
απαγωγό είναι πολύ μικρά ( qs  1 και qd  1 ). Έτσι οι εξισώσεις (1), (2) και (3), μετασχηματίζονται
ως εξής:
(1)  v p  vch  ln qch
(2)  ich  qch
'
di qch 1
(3)  g   '
  qch
dv (ln qch ) 1
qch
b. Στην ισχυρή αναστροφή τα φορτία αναστροφής είναι μεγάλα, οπότε έχουμε:
(1)  v p  vch  2qch
(2)  ich  qch2
di (q 2 ) ' 2q
(3)  g   ch '  ch  qch
dv (2 qch ) 2

Θέμα 2. Γενικό μοντέλο φορτίων για όλο το κανάλι του MOSFET: Σχέσεις μεταξύ ρεύματος
καναλιού id, φορτίων αναστροφής source και drain qs και qd, και διαγωγιμοτήτων gm,
g ms, gds.

Α) Να προσδιορίσετε τις (ιδανικές, κανονικοποιημένες) σχέσεις μεταξύ των παρακάτω παραμέτρων

{που ισχύουν για όλο το κανάλι με αναστροφή}:
1. Συνολικό ρεύμα καναλιού id και φορτία αναστροφής qs και qd.
2. Διαγωγιμότητες gm, gms, gds και φορτία αναστροφής qs και qd.
Β) Να αναλύσετε τις παραπάνω σχέσεις (1)-(2), στις ασυμπτωτικές περιοχές,
a. Ασθενούς αναστροφής (i < 0.1), μη κορεσμός
b. Ασθενούς αναστροφής (i < 0.1), κορεσμός
c. Ισχυρής αναστροφής (i > 10), μη κορεσμός
d. Ισχυρής αναστροφής (i > 10), κορεσμός
Γ) Για ένα τρανζίστορ σε λειτουργία κορεσμού, προσδιορίστε την σχέση μεταξύ,
3. Πηλίκου διαγωγιμότητας προς ρεύμα g/id και id.
Να αναλύσετε τη σχέση (3), σε συνθήκες ασθενούς – ισχυρής αναστροφής.

Λύση
Α)
(1) Το κανονικοποιημένο ρεύμα καναλιού, id ισούται με: id  i f  ir  qs2  qs  (qd2  qd ) . (4)
(2) Για τις κανονικοποιημένες διαγωγιμότητες ισχύει:
g ms  qs (5)
g md  qd (6)
g ms  g md ( qs  qd )
gm   (7)
n n
Β)
Αναλύουμε τις σχέσεις (4), (5), (6) και (7) για τέσσερις δυνατούς συνδυασμούς αναστροφής και
πόλωσης του MOS τρανζιστορ.
a. Ασθενής αναστροφή & μη κορεσμός
(4)  id  i f  ir  qs  qd
(5)  g ms  qs
(6)  gmd  qd
qs  qd
(7)  g m 
n
b. Ασθενής αναστροφή & κορεσμός
Λόγω κορεσμού, ισχύει ότι qs  qd . Έτσι, προκύπτουν οι ακόλουθες σχέσεις:
(4)  id  i f  qs
(5)  g ms  qs
(6)  gmd  0
qs
(7)  g m 
n
c. Ισχυρή αναστροφή & μη κορεσμός
(4)  id  i f  ir  qs2  qd2
(5)  g ms  qs
(6)  gmd  qd
qs  qd
(7)  g m 
n
d. Ισχυρή αναστροφή & κορεσμός
(4)  id  i f  qs2
(5)  g ms  qs
(6)  gmd  0
qs
(7)  g m 
n
Γ) Από το Θέμα 1, η διαγωγιμότητα g, ισούται με: g  qch . Λόγω κορεσμού, το φορτίο το οποίο
επικρατεί είναι το q s. Επομένως: g  qs . Γνωρίζουμε επίσης ότι στον κορεσμό, το ρεύμα του καναλιού
καθορίζεται από το forward ρεύμα, το οποίο εξαρτάται από το φορτίο qs. Συγκεκριμένα, ισχύει ότι:
id  i f  qs2  qs .
g q 1
Άρα:  2 s 
id q s  q s q s  1
g qs
Σε περίπτωση ασθενούς αναστροφής, η άνωθεν σχέση αναλύεται ως εξής:   1.
id qs
g qs 1
Σε περίπτωση ισχυρής αναστροφής έχουμε:  2 .
id qs qs
Διδάσκων M. Bucher Τechnical University of Crete Σχεδίαση Αναλογικών
Βοηθοί Ν. Μαυρεδάκης , Γ. Γυρούκης 20 Μαρτίου 2015 CMOS Κυκλωμάτων

Ασκήσεις IV
VA, VDsat, AV , fT vs. IC

Θέμα 1:

1 1000
0.9
10x10
0.8 10x2
10x1 100
V A = ID / g d s [ 1 / V ]
0.7 10x0.5
g m s * U T / I D [ -]

10x0.3 10x10
0.6 10x0.25 10x2
10x0.2 10x1
0.5 10x0.16 10
10x0.5
10x0.14 10x0.3
0.4
10x0.135 10x0.25
10x0.125 10x0.2
0.3
1 10x0.16
0.2 10x0.14
10x0.135
0.1 10x0.125

0
0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

IC = ID / Ispec [-] IC = ID / Ispec [-]

G ms  U T / I D vs IC V A  I D / G ds vs IC fT vs IC ( L  0 .125 um )

Σας δίνονται οι χαρακτηριστικές G ms / I D , V A , και fT μιας 0.13 μm CΜΟS τεχνολογίας (NMOS, Tox=2 nm, μ=360
cm2/(Vs) και n ~= 1.3, L~=0.125 … 10 μm, UT ~= 25mV). Εκτιμήστε/υπολογίστε (κατά προσέγγιση…) τα μεγέθη του
πίνακα, για τρανζίστορ με πόλωση με σταθερό ρεύμα ID = 10μA (κορεσμός).

Transconductance Gm / I D Early Voltage VA I D / G ds DC gain AV G m / G ds

Saturation voltage gm  UT
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1
Transit frequency fT  
2  CG 2  L2
 1  4 IC  1 
IC ≈6 IC ≈12 IC ≈25
V DSat 0.2V 0.25V 0.326V
L=125nm W 208nm 104nm 50nm
Gm / I D 10.76 7.7 4.62
I D / G ds 1 1.3 2
G m / G ds 10.8 10 9.23
fT 36.69GHz 55.03GHz 83GHz

fT  Gm / I D 395.1G 423.32G 383.1G

L=250nm W 417nm 208nm 100nm
Gm / I D 11.7 8.6 5.54
I D / G ds 6 8 9
G m / G ds 70.2 68.9 49.8
fT 9.17GHz 13.75GHz 20.75GHz

fT  Gm / I D 107.2G 118.53G 114.9G

L=1um W 1.67um 833nm 400nm

 Gm / I D 12.3 9.23 6.77
I D / G ds 10 10.2 10.5
G m / G ds 123 94.2 71.1
fT 573.2MHz 859.8MHz 1.29GHz

fT  Gm / I D 7.05G 7.93G 8.78G

Λύση

Αρχικά το ρεύμα τεχνολογίας Iο μπορεί να υπολογιστεί:

I 0  2nU T2  Cox  1uA
Επίσης ισχύει:
I I LI
IC  D  D  W  D
I SPEC W ICI 0 (1)
Io
L

1) L=125nm
a) IC=6
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.2V

Από (1) : W=208nm

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.35    0.269   10.76  Gm  1.1e  4s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  1  GDS  10e  6 s
GDS

Gm
Άρα:  10.8
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  36.69GHz

Gm
Άρα: fT  395.1G
ID

β) IC=12
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.25V

Από (1) : W=104nm

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.25    0.192   7.7  Gm  77e  6 s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  1.3  GDS  7.7e  6s
GDS
 Gm
Άρα:  10
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  55.03GHz

Gm
Άρα: fT  423.3G
ID

γ) IC=25
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.326V

Από (1) : W=50nm

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.15    0.115   4.62  Gm  46.2e  6 s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  2  GDS  5e  6 s
GDS

Gm
Άρα:  9.23
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  83GHz

Gm
Άρα: fT  383G
ID

1) L=250nm
a) IC=6
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.2V

Από (1) : W=417nm

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.38    0.29   11.7  Gm  1.17e  4 s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  6  GDS  1.67e  6 s
GDS

Gm
Άρα:  70.2
GDS
 gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  9.17GHz

Gm
Άρα: fT  107 G
ID

β) IC=12
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.25V

Από (1) : W=208nm

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.28    0.215   8.6  Gm  86e  6s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  8  GDS  1.25e  6 s
GDS

Gm
Άρα:  68.9
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  13.76GHz

Gm
Άρα: fT  118.5G
ID

γ) IC=25
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.326V

Από (1) : W=100nm

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.18    0.14   5.54  Gm  55.4e  6 s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  9  GDS  1.11e  6s
GDS

Gm
Άρα:  49.8
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  20.75GHz

Gm
Άρα: fT  114.9G
ID
1) L=1um
a) IC=6
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.2V

Από (1) : W=1.67um

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.4    0.31   12.3  Gm  1.23e  4s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  10  GDS  1e  6s
GDS

Gm
Άρα:  123
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  573.2 MHz

Gm
Άρα: fT  7.04G
ID

β) IC=12
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.25V

Από (1) : W=833nm

GmsU T GmU T GmsU T Gm

Από fig.1:  0.3    0.231   9.23  Gm  92.3e  6 s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  10.2  GDS  0.98e  6s
GDS

Gm
Άρα:  94.2
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  859.8MHz

Gm
Άρα: fT  7.94G
ID

γ) IC=25
V DSAT  2U T  ( 1 / 4  IC  1 / 2)  1  0.326V

Από (1) : W=400nm

 GmsU T GmU T GmsU T Gm
Από fig.1:  0.22    0.326   6.77  Gm  67.7 e  6 s
ID ID nI D ID

ID
Από fig.2:  10.5  GDS  0.952e  6s
GDS

Gm
Άρα:  71.1
GDS

gm  UT
fT  
2  CG 2  L2
 
1  4 IC  1  1.29GHz

Gm
Άρα: fT  8.78G
ID

Από την παραπάνω ανάλυση προκύπτουν αρκετά χρήσιμα συμπεράσματα για τη συμπεριφορά σημαντικών
μεγεθών του MOS τρανζίστορ ως προς το δείκτη αντιστροφής (IC) και το μήκος του καναλιού (L) όταν το ρεύμα στη
διάταξη είναι σταθερό.
Το VDSAT επηρεάζεται μόνο από το IC και αυξάνεται όταν αυτό αυξάνεται.
Το πλάτος του καναλιού (W) παρατηρούμε ότι μειώνεται με την αύξηση του IC για σταθερό L και αυτό είναι
λογικό γιατί αφού το ρεύμα είναι σταθερό πρέπει το Ispec να αυξηθεί και κατά συνέπεια ο λόγος W/L να αυξηθεί.
Όταν το IC είναι σταθερό και το L αυξάνεται πρέπει και το W να αυξηθεί για να μείνει και το Ispec σταθερό.
Ο λόγος Gm/ID έχει ίδια συμπεριφορά με το Gms UT/ID (fig.1) άρα μειώνεται με την αύξηση του IC και αυξάνεται για
μεγαλύτερα L. Ομοίως απο το fig.2 βλέπουμε ότι το ID/GDS αυξάνεται για μεγαλύτερο IC αλλά και για μεγαλύτερο L.
Το dc κέρδος του τρανζίστορ Gm/GDS βλέπουμε ότι είναι μέγιστο όσο το IC μειώνεται και το L αυξάνεται.
Από την εξίσωση του Ft παρατηρούμε ότι είναι μέγιστο για μεγάλα IC και ελάχιστο L. Το Figure of Merit FtGm/ID
μειώνεται με την αύξηση του L ενώ με την αύξηση του IC παρουσιάζει ένα μέγιστο σε κάποια τιμή του δείκτη
αντιστροφής το οποίο είναι πολύ σημαντικό για τη σχεδίαση ενός κυκλώματος.
Συμπερασματικά, η μελέτη της συμπεριφοράς όλων των παραπάνω μπορούν να δώσουν πολύ σημαντική βοήθεια
για την επιλογή της γεωμετρίας και της πόλωσης ενός τρανζίστορ σε ένα κύκλωμα αναλόγως με τις προδιαγραφές
της σχεδίασης.
Διδάσκων M. Bucher Technical University of Crete Σχεδίαση Αναλογικών Κυκλωμάτων CMOS
Βοηθοί : Α. Νικολάου, Α. Παπαδοπούλου, 10 Μαρτίου 2015
Α. Παπαδημητρίου

ΑΣΚΗΣΕΙΣ 2 - ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΟΥ MISMATCH

Άσκηση 1 :
α) Δίνεται ο καθρέφτης ρεύματος μοναδιαίου κέρδους του σχήματος 1 σε τεχνολογία CMOS 90 nm. Το
πλάτος του τρανζίστορ έχει επιλεχθεί 100 μm. Να υπολογιστεί το mismatch ρεύματος όταν τα
τρασζίστορ λειτουργούν σε επίπεδο αναστροφής i) IC=3.75, ii) IC=8.75, iii) IC=35.75.

β) Εφαρμόστε την ίδια διαδικασία για τον υπολογισμό του mismatch της τάσης Vg για το διαφορικό
ζεύγος του σχήματος 2 με τρανζίστορ ίδιων διαστάσεων όπως ο καθρέπτης του ερωτήματος (α).
Στη συνέχεια να υπολογιστεί η συχνότητα ft, για κάθε επίπεδο αναστροφής.

Δίνονται : n=1.4, UT=25.8 mV, L=90 nm, W=100 μm, AΔVT= 4 mV μm, Aβ = 0.7% μm, μn = 488 cm2/Vs,
I0 = 500 nA.

Σχήμα 2: Καθρέφτης ρεύματος μοναδιαίου Σχήμα 1: Διαφορικό ζεύγος : (W/L)1 = (W/L)2

κέρδους : (W/L)1 = (W/L)2 και Vgs1=Vgs2

Λύση

α) Αρχικά πρέπει να υπολογιστούν οι διασπορές σΔVT και σΔβ/β:

Aβ 0.007⋅10−6
σ Δβ / β= = =0.0023=0.23% (1)
√ WL √100⋅10−6⋅90⋅10−9
A −3
4⋅10 ⋅10
−6
σ ΔVT = VT = =0.0013=1.3 mV (2)
√WL √ 100⋅10−6⋅90⋅10−9
Οι παράμετροι mismatch AΔVT (threshold voltage mismatch) και AΔVT (current factor mismatch) είναι
σταθερές για κάθε τεχνολογία, άρα οι διασπορές σ ΔVT και σΔβ/β εξαρτώνται μόνο από τη γεωμετρία.
Εφόσον τα W και L δεν αλλάζουν, οι τιμές των σ ΔVT και σΔβ/β παραμένουν σταθερές για κάθε επίπεδο
αναστροφής.
Η τυπική απόκλιση του ρεύματος εξαρτάται από το mismatch της τάσης κατωφλίου και από το
mismatch της παραμέτρου β (current factor). Υπολογίζεται από τον τύπο:

√
2
gm
2
σ ( ΔΙ D / I D )= σ Δβ/ β+ σ(
I D ΔVT
(3))
Ο λόγος gm/ID ονομάζεται transconductance efficiency, και είναι μία χρήσιμη μετρική που δίνει
πληροφορία για το κέρδος του τρανζίστορ (gm) ως προς τη κατανάλωση (ID). Εξαρτάται μόνο από το
επίπεδο αναστροφής και υπολογίζεται από :
gm 1 1
= ⋅ (4)
I D n U T 0.5+ √ 0.25+IC

• Επίπεδο αναστροφής : IC=3.75 :

Χρησιμοποιώντας την εξίσωση (4) πρώτα υπολογίζουμε το gm/ID και ύστερα χρησιμοποιώντας τις τιμές
που έχουμε υπολογίσει για τις διασπορές σ ΔVT και σΔβ/β βρίσκουμε το mismatch του ρεύματος μέσω της
(3):
gm 1 1 1 1
= ⋅ = ⋅ =11.07
I D n U T 0.5+ √ 0.25+IC 1.4⋅25.8⋅10 0.5+√ 0.25+3.75
−3

√
2
gm
σ ( ΔΙ D / I D )= σ 2
Δβ/ β +(ID )
σ ΔVT = √0.0023 2+(11.07⋅0.0013)2=0.0145=1.45%

• Επίπεδο αναστροφής : IC=8.75 :

Ακολουθούμε την ίδια διαδικασία για τις υπόλοιπες τιμές αναστροφής :

gm 1 1 1 1
= ⋅ = ⋅ =7.91
I D n U T 0.5+ √0.25+IC 1.4⋅25.8⋅10 0.5+√ 0.25+8.75
−3

√
2
gm
σ ( ΔΙ D / I D )= σ 2
Δβ/ β +(ID )
σ ΔVT = √0.0023 2+( 7.91⋅0.0013)2=0.01=1%

• Επίπεδο αναστροφής : IC=35.75 :

gm 1 1 1 1
= ⋅ = ⋅ =4.26
I D n U T 0.5+ √ 0.25+IC 1.4⋅25.8⋅10 0.5+√ 0.25+35.75
−3

√
2
gm
σ ( ΔΙ D / I D )= σ 2
Δβ/ β +(ID )
σ ΔVT = √0.0023 2+( 4.26⋅0.0013)2 =0.006=0.6 %

β) Παρατηρώντας τις (1) και (2) βλέπουμε ότι οι παράμετροι σ ΔVT και σΔβ/β δεν επηρεάζονται από την
αλλαγή του κυκλώματος και καθώς η γεωμετρία παραμένει ίδια οι τιμές τους είναι αυτές που έχουν
υπολογιστεί προηγουμένως.
Η τυπική απόκλιση της τάσης του gate εξαρτάται και αυτή από το mismatch της τάσης κατωφλίου και
από το mismatch της παραμέτρου β (current factor), όπως και η τυπική απόκλιση του ρεύματος της
εξίσωσης (3). Το mismatch της τάσης Vg υπολογίζεται από τον τύπο:

√
2
ID
2
σ ( ΔV G )= σ ΔVT + ⋅σ(
g m Δβ / β )
(5)

Όπως αναφέρθηκε και προηγουμένως, το gm/ID εξαρτάται μόνο από το δείκτη αναστροφής, άρα η τιμή
του παραμένει ίδια για του διαφορετικούς δείκτες αναστροφής. Γνωρίζοντας αυτά μπορούμε να
υπολογίσουμε το mismatch τάσης του διαφορικού ζεύγους :

• Επίπεδο αναστροφής : IC=3.75 :

√
2
ID
√
2
σ ( ΔV G )= σ 2
ΔVT +(gm )
⋅σ Δβ / β = 0.00132+ ( 1
11.07 )
⋅0.0023 =0.00131=1.31 mV

• Επίπεδο αναστροφής : IC=8.75 :

√
2
ID
√
2
σ ( ΔV G )= σ 2
ΔVT +(gm )
⋅σ Δβ / β = 0.00132+ ( 1
7.91 )
⋅0.0023 =0.00133=1.33 mV

• Επίπεδο αναστροφής : IC=35.75 :

√
2
ID
√
2
σ ( ΔV G )= σ 2
ΔVT +(gm )
⋅σ Δβ / β = 0.00132+ ( 1
4.26 )
⋅0.0023 =0.0014=1.40 mV

Η συχνότητα ft ονομάζεται unity gain frequency, και συμβολιζει τη συχνότητα στην οποία το κέρδος
ρεύματος βραχυκυκλώματος είναι ίσο με ένα. Η τιμή του μπορεί να υπολογιστεί από τον εμπειρικό
τύπο:
μn U t
f t= ( √ 1+4 IC −1) (6)
2 π L2

Παρατηρείται και σε αυτή τη ποσότητα η εξάρτηση από το δείκτη αναστροφής. Επίσης βλέπουμε ότι
το ft είναι αντιστρόφως ανάλογο με το τετράγωνο του μήκους καναλιού, πράγμα που σημαίνει ότι
καθώς μεταβαίνουμε σε τεχνολογίες μικρότερου μήκους καναλιού, η συχνότητα ft γίνεται μεγαλύτερη.
Στον επόμενο πίνακα παρουσιάζονται τα αποτελέσματα της ανάλυσης που έγινε κατά τα ερωτήματα
(α) και (β):

ΠΙΝΑΚΑΣ 1 : ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΑΣΚΗΣΗΣ 1

IC gm/ID1 ft σ(ΔVG) σ(ΔID/ID)
3.75 11.07 (1/V) 74 GHz 1.31 mV 1.45 %
8.75 7.91 (1/V) 123 GHz 1.33 mV 1.00 %
35.75 4.26 (1/V) 272 GHz 1.4 mV 0.60 %

1 Το gm/ID έχει μονάδες (1/V) καθώς το gm μετράται σε (Α/V) και το ΙD σε (Α). Συνήθως το transconductance efficiency το
βλέπουμε ως gmUt/ID, έτσι ώστε να κανονικοποιηθεί με το thermal voltage και να μην έχει μονάδες.
 Σχόλια :
Βάση του παραπάνω πίνακα μπορούμε να εξάγουμε τα εξής πορίσματα :

(a) Με την αύξηση του IC το mismatch ρεύματος μειώνεται. Συνεπώς οι καθρέπτες ρεύματος είναι
επιθυμητό να σχεδιάζονται σε strong inversion.
(b) Αντίθετα το mismatch τάσης γίνεται καλυτερο για μικρές τιμές του IC, και έτσι τα διαφορικά
ζεύγη αποδίδουν καλύτερο matching σε weak inversion.
(c) Όσο αυξάνεται το IC μειώνεται το gm/ID που σημαίνει ότι καλύτερο transconductance efficiency
επιτυγχάνεται σε weak inversion.
(d) Η συχνότητα μοναδιαίου κέρδους αυξάνεται όσο αυξάνεται και το IC. Άρα καλύτερη απόδοση
ως προς το ft έχουμε σε strong inversion.
(e) Όταν το gm/ID γίνει 0 (θεωρητικό για άπειρο IC), η διασπορά του ρεύματος θα φτάσει την
ελάχιστη τιμή που είναι ίση με √ σ Δβ / β +(0⋅σ ΔVT ) =σ Δβ/ β . Άρα υπάρχει ένα κάτω όριο στη τιμή
2 2

του mismatch που πρακτικά σημαίνει ότι ποτέ δεν θα υπάρχει απόλυτο matching μεταξύ δύο
τρανζίστορ.
(f) Στην ίδια λογική με το (e) το mismatch της τάσης έχει ελάχιστη τιμή το σ ΔVT , όταν το gm/ID
πάρει τη μέγιστη τιμή του (θεωρητικό για IC που τείνει στο 0).

Σύμφωνα με τον τύπο (4) ο λόγος gm/ID είναι ανάλογος με το 1/ √ ( IC ), έτσι εξηγείται και το σχόλιο (c).
Παράλληλα, από τις εξισώσεις (3) και (5), και τη συμπεριφορά του gm/ID μπορούμε να καταλάβουμε
για ποιο λόγο το mismatch ρεύματος μειώνεται όσο αυξάνεται το IC (επειδή είναι ανάλογο του gm/ID),
και το mismatch τάσης αυξάνεται (επειδή είναι αντιστρόφως ανάλογο του gm/ID).
Η συχνότητα μοναδιαίου κέρδους ft, σε τρανζίστορ δεδομένου μήκους καναλιού, εξαρτάται μόνο από
το IC, και σύμφωνα με τη σχέση (6), δικαιολογείται και το σχόλιο (d). Οι παρακάτω γραφικές
παραστάσεις παρουσιάζουν τη συσχέτιση των παραμέτρων του πίνακα 1 με τον δείκτη αναστροφής
σύμφωνα με τις σχέσεις (3)-(5).

100 350

300

250
f t (GHz)
g ms U T / I D

200
10
150

100

50

1 0
0.05 0.5 IC 5 50 0.01 0.1 IC 1 10 100

4 1.6
3.5 1.55
σ ( ΔI D / I D ) (%)

σ ( ΔVG) (mV )

3 1.5
2.5 1.45
2 1.4
1.5 1.35
1 1.3
0.5 σ Δβ / β 1.25 σ ΔVT
0
1.2
0.01 0.1 IC 1 10 100
0.01 0.1 IC 1 10 100
Άσκηση 2 :
Θέλουμε να σχεδιάσουμε έναν καθρέπτη ρεύματος με δεδομένο ρεύμα εξόδου ID=10 mA, όπου για το
matching ρεύματος ισχύει σ(ΔID/ID) < 1 %. Σε ποια περιοχή λειτουργίας πρέπει να λειτουργούν τα
τρανζίστορ του καθρέπτη; Τι W και L πρέπει να έχουν για να ισχύουν αυτοί οι περιορισμοί;
Χρησιμοποιούμε την ίδια τεχνολογία 90 nm με την προηγούμενη άσκηση.

Λύση

Σύμφωνα με την ανάλυση της προηγούμενης άσκησης η περιοχή λειτουργίας επιλέγεται το strong
inversion, σε αυτή τη περίπτωση επίπεδο αναστροφής IC=35.
Για τις διασπορές του β και του VT σύμφωνα με τις (1) και (2) ισχύει :
Aβ 0.007⋅10−6
σ Δβ / β= = (3)
√ WL √WL
A 4⋅10−3⋅10−6
σ ΔVT = VT = (4)
√WL √WL
Στο επίπεδο αναστροφής που επιλέγουμε το transconductance efficiency gm/ID έχει υπολογιστεί 4.3
σύμφωνα με την (4). Ξεκινάμε την λύση από το δεδομένο matchning ρεύματος :

√
2 2
gm gm
σ ( ΔΙ D / I D )<1 % ⇒
2
σ Δβ / β+ σ (
I D ΔVT )
<0.01 ⇒2
(
σ Δβ / β + σ )
I D ΔVT
<0.0001 (5)

Στη συνέχεια αντικαθιστούμε στην (5) τις (3) και (4) καθώς και το gm/ID :
2
g −18 −18

( )
σ 2Δβ / β+ m σ ΔVT <0.0001
ID
16⋅10
⇒
WL
+4.32
49⋅10
WL
⇒ ⇒
<0.0001 ... WL>9.22⋅10−12 (6)

Ψάχνουμε ζεύγος W και L έτσι ώστε να ισχύει η (6) (άρα σ(ΔID/ID) < 1 %) και πρέπει ταυτόχρονα
IC=35. Δεδομένου ρεύματος ID = 10 mA έχουμε :
ID
IC =35 ⇒ I spec
=35 ⇒
I spec =0.28 mA (7)

Για το Ιspec ισχύει :

W
I spec =0.28 mA
L
⇒I
=0.28 mA
0 ⇒
W W
500⋅10−9 =0.28⋅10−3
L L
=571.4⇒ ⇒
W =571.4⋅L (8)

Από τη σχέση (8) μεταξύ W και L σε συνδυασμό με την (6) έχουμε :

571.4⋅L2>9.22⋅10−12 ⇒
L>127 nm

και κατ' επέκταση από την (8) υπολογίζουμε και το W. Επιλέγουμε για L το μικρότερο δυνατό μήκος
όπου σύμφωνα με την (6) θα μας δώσει και το μέγιστο ft, άρα για L=127 nm το πλάτος που πρέπει να
επιλέξουμε είναι W=72.5 μm.
Γιδάζκων M. Bucher
Βνεζνί : Α. Νηθνιάνπ, Α. Παπαδνπνύινπ, Technical University of Crete Μάξηηνο 2018 Σσεδίαζη Αναλογικών Κςκλωμάηων CMOS
Λ.Χέβαο

Άζκηζη 1. Σσεδίαζη ΟΤΑ

(Α) Να αλαιύζεηε ηε ιεηηνπξγία ηνπ εληζρπηή πνπ απεηθνλίδεηαη.

1) Γηα ηη είδνπο εληζρπηή πξόθεηηαη;
2) Πνηεο είλαη νη βαζηθέο δνκέο πνπ ηνλ απνηεινύλ;
(Β) Να πξνηείλεηε δηαζηαζηνιόγεζε ηνπ θπθιώκαηνο κε 0.18κm CMOS ηερλνινγία
2 2 2
C’ox = 10mF/m , VDD = 1.8V, KPn=300uA/V , KPp=75uA/V , VTn=0.3V, VTp=-
0.3V, nn = np = 1.25, VALn=VALp=10V/um, IΒIAS = 100uA.

Να επηδηώθεηε θαιό ζπκβηβαζκό κεηαμύ ηαρύηεηα, αθξίβεηα, ηαίξηαζκα (matching), ζόξπβν θηι. Δπηιέμεηε
θαηάιιεια κήθε θαλαιηνύ L, θαη δείθηεο αλαζηξνθήο IC. Να πξνζδηνξίζεηε ηα πιάηε θαλαιηνύ W πνπ
αλαινγνύλ.
(Γ) Να νξίζεηε ηηο εληνιέο SPICE (net list) ηνπ θπθιώκαηνο, πινπνηεκέλν κε 0.18κm CMOS ηερλνινγία.
Να νξίζεηε θαη ηα EKV 2.6 MOS κνληέια κε βαζηθέο παξακέηξνπο.

Λύζη

(Α)
1) Ο παξαπάλω εληζρπηήο είλαη έλαο differential input - single ended ΟΤΑ (Operational
Transconductance Amplifier).
2) Πεξηγξαθή ΟΤΑ ( Βαζηθέο δνκέο πνπ ζπλζέηνπλ ηνλ εηθνληδόκελν ΟΤΑ, ιεηηνπξγία, θαηαλάιωζε
θηι. ). Όινη νη θιάδνη ηνπ θπθιώκαηνο δηαξένληαη από ζηαζεξό DC ξεύκα 100μΑ (εθηόο ηνπ ηξαλδίζηνξ
Μ9) θαη νη ηάζεηο ηξνθνδνζίαο είλαη ζηαζεξέο κε VDD = 1.8V θαη VSS = -1.8V. Η θαηαλάιωζε ξεύκαηνο
είλαη ίζε κε 400μΑ ελώ ε θαηαλάιωζε ηζρύνο είλαη ίζε κε 1440 κW.
Τα ηξαλδίζηνξ Μ1-Μ2 πινπνηνύλ έλα NMOS διαθοπικό ζεύγορ ειζόδος ηνπ νπνίνπ ηα ξεύκαηα
εμόδνπ θαζξεθηίδνληαη από ηνπο PMOS καθπέπηερ πεύμαηορ M5-M6 θαη M7-M8. Η έμνδνο ηνπ M5-M6
θαζξέπηε ξεύκαηνο (αθξνδέθηεο Drain ηνπ ηξαλδίζηνξ Μ6) ζπλδέεηαη απεπζείαο ζηελ έμνδν ηνπ ΟΤΑ ελώ
o αθξνδέθηεο Drain ηνπ ηξαλδίζηνξ Μ8 ζπλδέεηαη ζε έλα ελδηάκεζν NMOS καθπέπηη πεύμαηορ, πνπ
απνηειείηαη από ηα ηξαλδίζηνξ M3-M4, ηνπ νπνίνπ ε έμνδνο (Drain ηνπ ηξαλδίζηνξ Μ4) ζπλδέεηαη ζηελ
έμνδν ηνπ ΟΤΑ. Τέινο, ην NMOS ηξαλδίζηνξ Μ9 πνιώλεη ην δηαθνξηθό δεύγνο εηζόδνπ κε ζηαζεξό ξεύκα
2∙ΙBIAS = 200κΑ.
(Β) Γηαζηαζηνιόγεζε ηνπ θπθιώκαηνο κε 0.18κm CMOS ηερλνινγία.
Γηα ην δηαθνξηθό δεύγνο γλωξίδνπκε όηη ην Gate-Source Voltage mismatch ( ζ VG ) είλαη ειάρηζην όηαλ ην
gm κεγηζηνπνηείηαη [1], δειαδή πεγαίλνληαο πξνο αζζελή αλαζηξνθή (Weak Inversion-WI) θαη γηα
ηξαλδίζηνξ κε κεγαιύηεξε επηθάλεηα.
2 2
ζ VG = SQRT ( ζ VT + ( ζ Vβ/β ∙ ID / gm ) ) [1]

Με βάζε ηα παξαπάλω ζα επηιέμω ην δηαθνξηθό δεύγνο λα ιεηηνπξγεί ζην θέληξν ηεο κέηξηαο αλαζηξνθήο
δει. IC = 1. Δπίζεο γλωξίδνπκε όηη

IC = IBIAS / ISP [2]

θαη

2 W
ISP = 2 n UT μ COX’ L [3]

KPn = μ COX’ [4]

H [1] γίλεηαη

ΙC = 1 = IBIAS / ISP

IBIAS = ISP
-6 2 -6
100 ∙ 10 = 2 ∙ 1.25 (0.025) ∙ 300 ∙ 10 ∙ W/L

W/L = 213 [5]

Άξα

Γηα L= 0.18 um W= 38.5 um

L= 1 um W= 213 um
L= 2 um W= 426 um
Τελικά θα επιλέξω L= 0.18 um , W= 38.5 um

Γηα ηνπο PMOS καθπέπηερ πεύμαηορ M5-M6 θαη M7-M8 γλωξίδνπκε όηη ην Drain current mismatch (ζ ID/ID)
ειάρηζηνπνηείηαη πεγαίλνληαο πξνο ηζρπξή αλαζηξνθή (SI) θαη γηα ηξαλδίζηνξ κε κεγαιύηεξε επηθάλεηα.
Με βάζε ηα παξαπάλω ζα επηιέμω IC = 10.

H [1] γίλεηαη

ΙC = 10 = IBIAS / ISP
-6 2 -6
10 ∙ 10 = 2 ∙ 1.25 (0.025) ∙ 75 ∙ 10 ∙ W/L

W/L ≈ 85 [6]

Άξα

Γηα L= 0.18 um W= 15.3 um

L= 1 um W= 85 um
L= 2 um W= 170 um
Τελικά θα επιλέξω L= 1 um, W= 85 um

Οκνίωο γηα ηνλ ΝMOS καθπέπηη πεύμαηορ M3-M4 ζα επηιέμω IC = 10 ην νπνίν ζα κνπ δώζεη :

W/L ≈ 21 [7]

Άξα

Γηα L= 0.18 um W= 3.8 um

L= 1 um W= 21 um
L= 2 um W= 42 um

Τελικά θα επιλέξω L= 1 um, W= 21 um

Για ηο ηπανζιζηοπ πόλωζηρ M9 επιλέγω IC=10 και W/L ≈ 42 Με L= 1 um, W= 42 um

Η επηινγή ηωλ W θαη L ηωλ δνκηθώλ κνλάδωλ ηνπ ΟΤΑ ζα κεηαβάιεη ηα πνηνηηθά ραξαθηεξηζηηθά απηνύ.
Γηα παξάδεηγκα επηιέγνληαο κεγαιύηεξα κήθε θαλαιηνύ L ζα έρεη ωο απνηέιεζκα λα απμεζεί ε αληίζηαζε
εμόδνπ ηνπ ΟΤΑ θαη ην θέξδνο ηάζεο απηνύ ελώ παξάιιεια ηα απμεκέλα W ζα πξνθαιέζνπλ κεγαιύηεξεο
ρωξεηηθόηεηεο εηζόδνπ-εμόδνπ αιιά θαη θαιύηεξν matching ιόγω αύμεζεο ηεο επηθάλεηαο ηωλ ηξαλδίζηνξ.

Ανηίζηαζη εξόδος ΟΤΑ:

Rout = rds4 // rds6 = (VAL4 ∙ L) // (VAL6 ∙ L) / IBIAS [8]

Γιαγωγιμόηηηα ΟΤΑ:

Ιζνύηαη κε ηε δηαγωγεκόηεηα ηνπ δηαθνξηθνύ δεύγνπο εηζόδνπ δει.

Gm = (gmM1 ή gmM2) = IBIAS / ( n ∙ UT ∙ SQRT (( IC+0.25)+0.5) [9]

Κέπδορ Τάζηρ ΟΤΑ:

AV = Gm Rout [10]

Slew Rate OTA:

SR = 2 ∙ IBIAS / Cout [11]

(Γ) Δληνιέο SPICE (netlist) ηνπ θπθιώκαηνο.

.MODEL NEKV NMOS
+LEVEL=EKV
+COX= 10m VTO= 0.3V GAMMA=0.42 PHI =0.85
+KP=300u
.END

.MODEL NEKV NMOS

+LEVEL=EKV
+COX= 10m VTO= 0.3V GAMMA=0.45 PHI =0.9
+KP=75u
.END

Μ1 n1 Vin+ n2 Vss NEK 0.18u 38.5u

M2 n3 Vin- n2 Vss NEK 0.18u 38.5u
M3 n4 n4 Vss Vss NEK 1u 21u
M4 Vout n4 Vss Vss NEK 1u 21u
M5 n1 n1 VDD VDD PEK 1u 85u
M6 Vout n1 VDD VDD PEK 1u 85u
M7 n3 n3 VDD VDD PEK 1u 85u
M8 n4 n3 VDD VDD PEK 1u 85u
M9 n2 VBIAS Vss Vss NEK 1u 42u