5 Chế tạo và đặc tính

5.1 Vi chế tạo

Bộ vi truyền động đã và đang được chế tạo nhờ vào công nghệ vi cơ điện tử và sử
dụng tấm phiến silic kép (Silicon- On- Insulator wafer –lớp silic linh kiện trên lớp điện
môi) có bề dày như sau: lớp thiết bị silic dày 30 micro mét, lớp SiO2 chôn phía dưới
dày 4 micro mét, chất nền silic dày 450 micro mét.
Đầu tiên, mặt nạ được thiết kế cho quá trình quang khắc. Sau quá trình quang khắc và
phát triển, các phần tử của vi hệ thống được chuyển tới tấm phiến silic kép. Sau đó
thực hiện quá trình ăn mòn khô ion hoạt hóa sâu (DRIE) đến độ sâu 30 micro mét tới
lớp oxid chôn phía dưới. Tiếp theo, dung dịch tráng rửa hòa tan lớp cảm quang trên bề
mặt thiết bị. Quá trình ăn mòn bằng khí HF bay hơi sẽ được thực hiện để bóc đi lớp
SiO2 bên dưới lớp thiết bị với mục tiêu tạo ra các phần chuyển động của cơ cấu kích
hoạt. Tốc độ ăn mòn của dung dịch HF đậm đặc nồng độ 46% đạt được khoảng 0.2
micro mét/phút tại nhiệt độ 40oC. Sau quá trình ăn mòn do axit HF, cơ cấu bánh cóc và
cơ cấu truyền động được sấy khô ở 120oC trong 10 phút để giảm bớt vấn đề bám dính.
Hình ảnh thông qua kính hiển vi quét và các thành phần của hệ thống được mô tả qua
hình 5. Mỗi mô-đun của hệ thống vi truyền động có kích thước là 5x5 m2. Hình 6 trình
bày 1 micro container điển hình dài 450micro mét, rộng 220 micro mét.

Hình 6 Micro container

Hình 5. Hình ảnh qua kính hiển vi của một hệ thống vi truyền động
và các bộ phận

Hình 7 Kiểm tra chuyển động của container