ELEII Modulo1

ESCOLA TÉCNICA DE SAÚDE
Eletrônica II
MÓDULO 1 – RESPOSTA EM FREQUÊNCIA
Fevereiro/2016
ESTEC Eletrônica II Prof. Ademir Paulino
1 - MODELAGEM DO TBJ
Ementa:
1. Modelagem do TBJ;
2. Análise para baixas frequências;
3. Análise para altas frequências;
4. Esboço gráfico – análise completa.
Bibliografia:
Electronic devices and circuit theory / Robert L. Boylestad, Louis
Nashelsky.—11th ed. – 2013;
Eletrônica: volume 2 / Albert Paul Malvino, 4ª ed. -1997.

ELETRÔNICA II
MÓDULO 1 – RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TBJ
1– MODELAGEM DO TBJ

Modelagem do TBJ
 O modelo é um circuito equivalente que representa as

características AC do transistor;
 Esse modelo usa elementos de circuitos elétricos que

se aproximam do TBJ;
 Existem dois modelos comumente usados na análise

AC de pequenos sinais do transistor:
• o modelo re
• o modelo híbrido equivalente
O modelo re para o TBJ
 TBJs são basicamente dispositivos de corrente

controlada ; Por conseguinte, o modelo re utiliza um
diodo e uma fonte de corrente para simular o
comportamento do transistor;
 Uma desvantagem desse modelo é sua sensibilidade

para o nível CC.

Análise CC
R2
Rth  R1 || R2 , Eth  Vcc .
R1  R2
Eth  VBE
IB  , IC  I B  
 
Rth    1  RE
I E  I B    1
VE  I E  RE , VB  VBE  VE
VCE  VCC  I B   RC    1  RE 
VC  VCE  VE

Análise CA
Em resumo , o equivalente de uma rede CA é obtido por:

1. curto-circuitar todas as fontes de corrente contínua;
2. Substituir todos os capacitores por um curto-circuito equivalente;
3. Redesenhar a rede de uma forma mais conveniente e lógica.
Análise CA

O modelo re para o TBJ - configuração emissor-comum EC
O circuito equivalente apresentado será usado para as

análises na configuração emissor comum.

O modelo re para o TBJ - configuração emissor-comum EC
𝑉𝑖
Para todos os casos 𝑍𝑖 = 𝐼𝑖 e 𝑍𝑜 = 𝑉𝑜 𝐼𝑜 com resultados
positivos considerando as direcções e polaridades
definidas na figura acima.

O modelo re requer o prévio conhecimento de ,

re e ro.
Conforme já visto, a resistência do diodo pode ser determinada por

𝑅𝐷 = 25𝑚𝑉 𝐼𝐷 . Por similaridade, 𝑟𝑒 = 25𝑚𝑉 𝐼𝑒 . Geralmente a folha
de dados do TBJ informa o valor de 𝑟𝑜 , entretanto, caso essa
informação não seja disponibilizada, a impedância de saída poderá
ser determinada a partir do híbrido parâmetro ℎ𝑜𝑒 .
Impedância de entrada:
𝑅′ = 𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑍𝑖 = 𝑅′ ∥ 𝛽𝑟𝑒
Impedância de saída: Ganho de corrente:

𝑍𝑜 = 𝑅𝑐 ∥ 𝑟𝑜 𝐼𝑜 𝛽𝑅′𝑟𝑜
𝑍𝑜 ≅ 𝑅𝑐 |𝑟𝑜 ≥10𝑅𝑐 𝐴𝑖 = =
𝐼𝑖 𝑟𝑜 + 𝑅𝑐 𝑅′ + 𝛽𝑟𝑒
Ganho de tensão: 𝐼𝑜 𝛽𝑅′

𝑉𝑜 −𝑅𝑐 ∥ 𝑟𝑜 𝐴𝑖 = ≅ ′ |
𝐴𝑣 = = 𝐼𝑖 𝑅 + 𝛽𝑟𝑒 𝑟𝑜 ≥10𝑅𝑐
𝑉𝑖 𝑟𝑒
𝑉𝑜 −𝑅𝑐 𝐼𝑜
𝐴𝑣 = ≅ | 𝐴𝑖 = ≅ 𝛽|𝑟𝑜 ≥10𝑅𝑐 ,𝑅′≥𝛽𝑟𝑒
𝑉𝑖 𝑟𝑒 𝑟𝑜 ≥10𝑅𝑐 𝐼𝑖
Exercício 1: Para o circuito abaixo, determine:
a) re;
b) Zi ;
c) Zo (ro = ∞ Ω);
d) Av (ro = ∞ Ω);
e) Os itens(b) até (d) se ro = 50 k Ω. Compare
os resultados.

O efeito de RL e RS
Investigaremos agora o efeito da aplicação de uma carga no

terminal de saída e de uma fonte com uma resistência interna no
terminal de entrada.
𝑉𝑠 = 𝐼𝑖 ∙ 𝑅𝑠 + 𝑍𝑖 𝑉𝑜 = 𝐼𝑜 ∙ 𝑅𝐿 ∥ 𝑍𝑜
𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝑉𝑜
𝐴𝑣𝑁𝐿 = 𝑉𝑖 | 𝑠𝑒𝑚 𝑅𝐿 ; 𝐴𝑣𝐿 = 𝑉𝑖 | 𝑐𝑜𝑚 𝑅𝐿 ; 𝐴𝑣𝑆 = 𝑉𝑠 | 𝑐𝑜𝑚 𝑅𝐿 𝑒 𝑅𝑆
O ganho de corrente
O ganho de corrente pode ser determinado diretamente a partir do

ganho de tensão, desde que a carga RL e a impedância de entrada
Zi estejam definidas.
𝐼𝑜
𝐴𝑖 =
𝐼𝑖 𝑉
𝑉 −𝑅𝑜 𝑉𝑜 𝑍𝑖 𝑍𝑖
𝐼𝑖 = 𝑖 ∴ 𝐴𝑖𝐿 = 𝑉𝑖
𝐿
=− ∙ ⇒ 𝐴 𝑖 𝐿 = − 𝐴 𝑣𝐿 ∙
𝑍𝑖 𝑉𝑖 𝑅𝐿 𝑅𝐿
𝑉 𝑍𝑖
𝐼𝑜 = − 𝑜
𝑅𝐿

Amplificador TBJ sem o efeito de Rs e RL

Amplificador TBJ com o efeito de Rs e RL

Exercício 2: Para o circuito ao lado,
determine:
a) AvNL, Zi e Zo (ro = ∞ Ω);
b) Esboçar o modelo de duas portas
com os parâmetros determinados
na parte (a);
c) Calcular o ganho AvL;
d) Calcular o ganho AiL;
e) Determine AvL, AiL, e Zo usando o
modelo re . Compare os resultados.

ELETRÔNICA II
2– ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

2 - ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

“A resposta de um amplificador de frequência refere-se à faixa de
freqüência em que ele irá operar com efeitos desprezíveis dos
capacitores ( elementos discretos e capacitância interna do TBJ).
Esta gama de frequências pode ser chamado de mid-range.”
• Para frequências acima e abaixo do mid-range, as capacitâncias e

indutâncias afetarão o ganho do amplificador.
• Para baixas frequências, os capacitores de acoplamento e de
bypass (desvio) diminuirão o ganho.
• Para altas frequências as capacitâncias internas diminuirão o
ganho o ganho.
• Além disso, a utilização de amplificadores em cascata limitará o
ganho em frequências altas e baixas.

Faixa de baixa frequência:

Os capacitores de acoplamento de desvio apresentam um impacto
importante na resposta do sistema na faixa de baixa frequência, mas podem
ser ignorados para a região de alta frequência.
Faixa de Alta Frequência:

As capacitâncias internas do TBJ e a capacitância parasita do sistema
apresentam um impacto importante na resposta de um sistema na faixa de
alta frequência, mas podes ser ignorado para a região de baixa frequência.
Mid-Intervalo de frequência:
O efeito dos elementos capacitivos em um amplificador são ignorados para a
faixa de frequências localizada entre a baixa e alta frequências, conhecida
como mid-range.

Diagrama de Bode é a
ferramenta usada para
análise da resposta de
frequência de um
amplificador.
A escala horizontal indica a

frequência (em Hz) e a
escala vertical indica o
ganho ( em dB).


Análise para baixas frequências
 A frequência de corte é determinada pela combinação RC dos

capacitores CS, CC e CE ;
 Um circuito RC será estalecido para cada elemento capacitivo

sendo determinada a respectiva frequência de corte;
 A frequência de corte do sistema será determinada em função

das frequência de corte dos elementos capacitivos.

Análise para baixas frequências
 Para frequências muito altas: 𝑋𝑐 = 1 2𝜋𝑓𝐶 |𝑓→∞ ⇒ 𝑋𝑐 → 0Ω
 Para frequências muito baixas: 𝑋𝑐 = 1 2𝜋𝑓𝐶 |𝑓→0 ⇒ 𝑋𝑐 → ∞Ω
À medida em que a frequência aumenta a reatância capacitiva

diminui e maior é a porção Vi que surge em Vo.

As tensões de entrada e de saída estão relacionadas pela regra
do divisor de tensão:
𝑅
𝑉𝑜 = ∙ 𝑉𝑖
𝑅 + 𝑋𝑐
A amplitude de Vo, pode ser determinada por:
𝑅
𝑉𝑜 = ∙ 𝑉𝑖
𝑅2 + 𝑋2 𝑐
Para a situação especial onde R = XC

𝑅 1 𝑉𝑜 1
𝑉𝑜 = ∙ 𝑉𝑖 = ∙ 𝑉𝑖 ∴ 𝐴𝑣 = = = 0,707|𝑅=𝑋𝑐
𝑅2 + 𝑅2 2 𝑉𝑖 2
Na frequência em que Xc = R, a tensão de saída será 70,7% da

tensão de entrada.
1 1
𝑋𝑐 = =𝑅 ∴ 𝑓𝐿 =
2𝜋𝑓𝐶 2𝜋𝑅𝐶


Exercício 3: Determine a frequência de corte para o circuito abaixo:


A frequência de corte para CS poderá ser calculada da seguinte
forma:
1
FLCs 
2RC S
R  RS  Z in


A frequência de corte para CC poderá ser calculada da seguinte
forma:
1
FLCc 
2RCC
R  RL  Z o


A frequência de corte para CE poderá ser calculada da seguinte
forma:
1
FLCE 
2RC E

R  RE || re 
 RS || R1 || R2  
 
 

Exercício 4: Determine as frequências de corte para o circuito dado,
considerando os seguintes parâmetros: CS = 10 𝜇F, CE = 20 𝜇 F, CC = 1 𝜇 F ,
R1 = 40 kΩ, R2 = 10 kΩ, RE = 2 kΩ, RC = 4 kΩ, RL = 2.2 kΩ, RS = 1 kΩ,  = 100, ro = ∞.
e VCC = 20 V.

ELETRÔNICA II
3– ANÁLISE EM ALTAS FREQUÊNCIAS

3 - ANÁLISE EM ALTAS FREQUÊNCIAS
“Na região de altas frequências, os elementos capacitivos

relevantes são as capacitâncias dos intereletrodos (entre os
teminais), as capacitâncias internas ao TBJ e a capacitância da
fiação do circuito.”

Efeito da capacitância de Miller
Em amplificadores inversores, as capacitâncias de entrada e de

saída são incrementadas pela capacitância de realimentação Cf. O
sinal de entrada é realimentado pelo sinal de saída por meio dessa
capacitância.


LKC  I i  I1  I 2
Lei de Ohm resulta em :
Vi V
Ii  , I1  i
Zi Ri
Vi  Vo V  AvVi (1  Av )Vi
I2   i 
XCf XCf XCf

Vi V (1  Av )Vi
 i 
Zi Ri XCf
1 1 1
 
Zi Ri XCf
(1  Av )
mas,
XCf 1
  X CM 
(1  Av )  (1  Av )C f

CM
1 1 1
 
Zi Ri X CM

O resultado é uma impedância de entrada equivalente entre Ri e o
capacitor de realimentação incrementeado pelo ganho do
amplificador.
Para qualquer amplificador inversor, a capacitância de entrada será

incrementada pelo efeito da capacitância de Miller, que é sensível
ao ganho do amplificador e à capacitância intereletrodos (parasita)
entre os terminais de entrada e saída do dispositivo ativo.
CM i  (1  Av )C f


LKC  I o  I1  I 2
Lei de Ohm resulta em :
Vo Vo  Vi
I1  ; I2 
Ro XCf
Vo  Vi
Como Ro é muito grande, I o 
XCf
Vo 
Vo Vo 1  1 
 Io 
Av
  Av 
XCf XCf
1 1 XCf
Io Av Vo
  
Vo XCf Io 1 1
Av
Vo 1 1
 
Io C f 1  1 A  C M o
 v 
 C M o  C f 1  1   C M o  C f | Av | 1
 Av 

Análise para altas frequências
 O circuito RC será estalecido para cada elemento capacitivo

sendo determinada a respectiva frequência de corte;
 À medida em que a frequência aumento, a reatância XC diminui

curto-circuitando a saída e reduzindo o ganho.


As várias capacitâncias parasitas (Cbe, Cbc, Cce) do transistor foram

incluídas junto com as capacitâncias da fiação (Cwi, Cwo)
introduzidas durante a montagem.


Observe a ausência dos capacitores CS, CC e CE que são

considerados curtos-circuitos nessa faixa de frequência. A
capacitância Ci inclui a capacitância de fiação de entrada Cwi, a
capacitância de transição Cbe e a capacitância de entrada de Miller
CMi. A capacitância Co inclui a capacitância de fiação de saída Cwo, a
capacitância de transição Cce e a capacitância de entrada de Miller
CMo.

Determinado o circuito equivalente de Thevenin para a entrada (a)
e saída (b), têm-se como resultado:
Em frequências muito altas, o efeito de Ci é reduzir a impedância

total da combinação de Rthi. O Resultado é um valor reduzido de
tensão através de Ci e uma redução de Ib e consequente redução
do ganho para o sistema. A reatância capacitiva de Co também
diminui e consequentemente reduz a impedância dos ramos de
saída, tendo como resultado a redução de Vo.

Determinado o circuito equivalente de Thevenin para a entrada (a)
e saída (b), têm-se como resultado:
1 1
FH i  FHo 
2RThi Ci 2RTho Co
RThi  RS || R1 || R2 || re RTho  RC || RC || ro
Ci  Cwi  Cbe  CM i Co  Cwo  CCe  CM o

Exercício 5: Considerando o mesmo circuito e parâmetros do
exercício 4 e incluindo nele os seguintes: Cbe = 36 𝜌F, Cbc = 4 𝜌F, Cce = 1 𝜌F,
Cwi = 6 𝜌F, Cwo = 8 𝜌F. Calcule as frequências de corte fHi e fHo.

ELETRÔNICA II
RESPOSTA EM FREQUÊNCIA – TBJ
4- ESBOÇO GRÁFICO – ANÁLISE COMPLETA


Geralmente, o gráfico para análise completa da resposta em
frequência de uma amplificador possui as características indicadas
abaixo:
Onde: f1 será o maior valor entre fLCs, fLCc e fLCE;

f2 será o menor valor entre fHi e fHo.


Exercício 6: Esboce o gráfico da resposta em frequência
considerando os resultados obtidos nos exercícios 4 e 5.

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MÓDULO 1 – RESPOSTA EM FREQUÊNCIA

Eletrônica: volume 2 / Albert Paul Malvino, 4ª ed. -1997.

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 Esse modelo usa elementos de circuitos elétricos que

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 TBJs são basicamente dispositivos de corrente

 Uma desvantagem desse modelo é sua sensibilidade

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Em resumo , o equivalente de uma rede CA é obtido por:

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O circuito equivalente apresentado será usado para as

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O modelo re requer o prévio conhecimento de ,

Conforme já visto, a resistência do diodo pode ser determinada por

Impedância de saída: Ganho de corrente:

Ganho de tensão: 𝐼𝑜 𝛽𝑅′

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Investigaremos agora o efeito da aplicação de uma carga no

O ganho de corrente pode ser determinado diretamente a partir do

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2– ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

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2 - ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

• Para frequências acima e abaixo do mid-range, as capacitâncias e

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2 - ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

Faixa de baixa frequência:

Faixa de Alta Frequência:

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2 - ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

A escala horizontal indica a

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 A frequência de corte é determinada pela combinação RC dos

 Um circuito RC será estalecido para cada elemento capacitivo

 A frequência de corte do sistema será determinada em função

2 - ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

 Para frequências muito altas: 𝑋𝑐 = 1 2𝜋𝑓𝐶 |𝑓→∞ ⇒ 𝑋𝑐 → 0Ω

 Para frequências muito baixas: 𝑋𝑐 = 1 2𝜋𝑓𝐶 |𝑓→0 ⇒ 𝑋𝑐 → ∞Ω

À medida em que a frequência aumenta a reatância capacitiva

2 - ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

A amplitude de Vo, pode ser determinada por:

Para a situação especial onde R = XC

2 - ANÁLISE EM BAIXAS FREQUÊNCIAS

Na frequência em que Xc = R, a tensão de saída será 70,7% da

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