PROBLEMA PROPOSAT (2).

ELECTRÒNICA FISICA
Universitat de les
UIB Illes Balears
GRAU EN FISICA. CURS 2016-17
2017-18

Caractarístiques del diode Shottky

Se construeix un diode tipus Shottky entre un metall de Au i Silici tipus N a on la funció

treball del metall φm=(Eo-EF)/q és major que la del semiconductor (φm>φs), φs=(Eo-EF)/q.

En equilibri tèrmic i a temperatura ambient se presenta el següent diagrama de bandes:

Considerant que no hi ha polarització externa (vD=0), determina:

- La caiguda de tensió a la zona de buidament del diode.

- Dibuixa una gràfica mostrant la densitat de càrrega al llarg de la unió ρ(x). Indica
també la naturalesa de les càrregues netes que mostres (càrrega fixa deguda als ions ó
mòbil deguda als portadors).
- El valor del camp elèctric màxim intern Emax,0.
- El valor de la extensió de la zona de buidament (z.c.e).
- El valor de la capacitat del diode per unitat d'àrea.

Nota: Igual que hem analitzat el diode ideal de la unió PN, podeu fer servir
l'aproximació de distingir de forma abrupta la zona de buidament (completament buida
de portadors) i les zones neutres (amb densitat de càrrega zero).

Teniu en compte les següents dades:

La barrera d'entrada entre l'or i el Silici és φB=φm-χS=0.8V

Permitivitat relativa del Silici: εr(Si)=11.68
Tensió tèrmica vth=26mV
Concentració de donadors al n-Silici: ND=1016cm-3
Band-gap del Silici: Eg(Si)=1.12eV
Concentració intrínseca dels portadors: ni=1.5•1010 cm-3