1.

Investigar las características técnicas de los: transistores bipolares, transistores

JFET, transistores MOSFET de empobrecimiento, transistores MOSFET de
enriquecimiento.

A) Transistores bipolares:
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo
electrónico. En este tema se introducen las principales características básicas
del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos básicos de estos
dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar
un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-
lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a
circular por el dispositivo.

Corrientes en un transistor de unión

Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en

contraposición. Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones
semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la región de base muy
delgada (< 1µm).
El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta
zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor
se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un
PNP. En ambos casos se verifica que:

Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las
tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo
de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, para un
transistor NPN, son: αF = 0.99, αR= 0.66, IES = 10-15A, ICS = 10-15ª

donde IES y ICS representan las corrientes de saturación para las uniones
emisor y colector, respectivamente, aF el factor de defecto y aR la fracción de
inyección de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, las
ecuaciones de Ebers-Moll son:

Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parámetros están relacionados

mediante el teorema de Reciprocidad

Valores típicos de estos parámetros son:

Figura 1.2. Zonas de operación de un transistor en la región directa. Unión de

emisor Unión de colector Modo de operación Directa Inversa Activa directa
Inversa Directa Activa inversa Inversa Inversa Corte Directa Directa Saturación

B) Transistores JFET:
El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de una
cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea principal;
existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p, se comentará para el caso de
JFET de canal n, lo que se comente para el de canal n, es similar para el de canal p, la
diferencia será el sentido de las corrientes y las tensiones sobre el JFET; constan de 3
pines, los cuales reciben los nombres de drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que
hace el JFET es controlar la cantidad de corriente que circula entre el drenaje y la
fuente, esa corriente se controla mediante la tensión que exista entre la compuerta y
la fuente.

En la imagen anterior se muestra un JFET de canal n, en este caso el 2N3819, se

muestran los 3 pines que tiene con sus nombres, el orden va depender del JFET, se
tiene que ver su hoja de datos para conocerlos.
Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual que los
diodos; la figura que sigue es una representación para comprender como están
distribuidos los materiales semiconductores para el de canal n y el de canal p, y las
conexiones de los pines a estos semiconductores, la figura servirá para tener una idea
del comportamiento del JFET.

A partir de aquí se va a comentar para el caso del JFET de canal n, pero la idea es
similar para el caso del de canal p; en la figura anterior se puede ver que para el JFET
de canal n, al material semiconductor tipo n se le han conectado en extremos opuestos
el drenador(D) y la fuente(S), mientras el material tipo p se conecta a la compuerta(G),
se observa que hay un paso o un canal entre el drenador y la fuente, formado por el
semiconductor tipo n de allí el nombre de canal n, el cual está rodeado por el material
semiconductor tipo p, entre la compuerta y la fuente se forma un diodo, en el
transistor JFET lo que se hace es polarizar en inversa este diodo, para el caso del
JFET de canal n la tensión de polarización de dicho diodo tiene que ser negativa y a lo
mucho igual a cero, se la representa como VGS (tensión compuerta fuente), lo que se
logra al hacer esto es que la región de agotamiento del diodo se puede controlar
variando la tensión VGS, cuando la VGS=0 la región de agotamiento del diodo será
mínima y el canal n será lo más ancho que pueda; si poco a poco la tensión VGS se
hace negativa, esta hará que la región de agotamiento del diodo crezca, ya que el
diodo se polariza en inversa, esto a su vez hace que el canal semiconductor se
angoste, llegará un momento que la VGS sea lo suficientemente negativa
que hará que la región de agotamiento sea tan grande como para que el canal
semiconductor desaparezca o se cierre; a esa tensión se le conoce como tensión
compuerta fuente de apagado o de corte del JFET y se representa como VGSoff.

C) Transistores MOSFET de empobrecimiento:

MOSFET de empobrecimiento o deplexión de CANAL N

La estructura MOS es similar a la de enriquecimiento. No obstante, durante el proceso de

fabricación se ha añadido una implantación n + en la región del canal (definida por W y L). Esta
modificación permite incrementar el número de cargas negativas en el canal (e- ). De este
modo puede existir corriente entre el drenador y la fuente para valores de vGS nulos e
inclusive negativos (equivalentes a la existencia de tensiones umbrales negativas).
Las características iDS, vDS son muy parecidas a las de los transistores de enriquecimiento,
distinguiéndose tres regiones:

en cuyo caso se pueden distinguir dos regiones de operación Para vDS < vGS-VTn el transistor
opera en la REGION OHMICA, en la que la intensidad responde a la ecuación,

En ella, la funcionalidad de iDS=iDS(vGS, vDS, VTn) es la misma que para el transistor MOS de
empobrecimiento. Se puede tomar β/2 = IDSS/VTn . Asimismo, si vDS <<1 se puede aproximar
por,

Para vDS > vGS -VTn el transistor se encuentra en la REGION DE SATURACIÓN. La ecuación para
la intensidad drenador-fuente es

en la que la intensidad es constante.

MOSFET de empobrecimiento de CANAL P

Es similar al MOS de canal N de empobrecimiento, pero complementario respecto de la

funcionalidad de las regiones N y P, así como del signo de las tensiones y sentido de las
intensidades.
en cuyo caso se pueden distinguir dos regiones de operación
Para vSD < vSG - |VTp| el transistor se encuentra en la región OHMICA, en la que la intensidad
responde a la ecuación,

En ella, la funcionalidad de iSD=iSD(vSG, vSG, VTp) es la misma que para el transistor MOS de
empobrecimiento.
Asimismo, si vSD <<1 se puede aproximar po,

Para vDS > vGS - |VTp| el transistor se encuentra en la región de SATURACIÓN. La ecuación
para la intensidad drenador-fuente es.

en la que la intensidad es constante.

D) Transistores MOSFET de enriquecimiento:

El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolución hacia el MOSFET de enriquecimiento
que es también llamado de acumulación. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existirían los
ordenadores.
Idea Básica

En la figura 14-3a se presenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p se extiende a lo

ancho hasta el dióxido de silicio; ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador. La figura
14-3b muestra las tensiones de polarización normales. Cuando la tensión de puerta es nula, la
corriente de fuente y el drenador es nula.

Por esta razón, el MOSFET de enriquecimiento está normalmente en corte cuando la tensión
de puesta es cero.

La única forma de obtener corriente es mediante una tensión de puerta positiva. Cuando la
puerta es positiva, atrae electrones libres dentro de la región p, y éstos se recombinan con los
huecos cercanos al dióxido de silicio. Cuando la tensión de puerta es lo suficientemente
positiva, todos los huecos próximos al dióxido de silicio desaparecen y los electrones libres
empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. Esta capa conductora se denomina capa
de inversión tipo n. Cuando existe, los electrones libres pueden circular fácilmente desde la
fuente hacia el drenador.

La VGS mínima que crea la capa de inversión de tipo n se llama tensión umbral (en inglés:
threshold voltage), simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de
drenador el nula. Pero cuando VGS es mayor que VGS(th), una capa de inversión tipo n conecta
la fuente al drenador y la corriente de drenador es grande. Los valores típicos de VGS(th) para
dispositivos de pequeña señal puede variar entre 1 y 3 V.

El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su conductividad mejora cuando la tensión

de puerta es mayor que la tensión umbral. Los dispositivos de enriquecimiento están
normalmente en corte cuando la tensión de puerta es cero.

Características de salida

Un MOSFET de enriquecimiento para pequeña señal tiene una limitación de potencia de 1 W o

menos. La figura 14-4a muestra un conjunto de curvas de salida de un MOSFET de
enriquecimiento típico. La curva inferior es la curva de VGS(th). Cuando VGS es mayor que
VGS(th), el dispositivo conduce y la corriente de drenador se controla por medio de la tensión
de puerta.
La parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte casi horizontal corresponde a la
zona activa. El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras
palabras, puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal
es en la zona óhmica.

La figura 14-4b muestra la curva característica de transferencia típica. No hay corriente de

drenador hasta que VGS es mayor que VGS(th). A partir de entonces, la corriente de drenador
se incrementa rápidamente hasta que alcanza la corriente de saturación ID(sat). Más allá de
este punto el dispositivo está polarizado en la región óhmica. Por tanto, ID no puede crecer,
aunque VGS crezca. Para asegurar la saturación fuerte se usa una tensión de puerta VGS(on)
bastante por encima de VGS(th), como se muestra en la figura 14-4b.

MÁXIMA TENSIÓN PUERTA-FUENTE

La delgada capa de dióxido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual impide la
corriente de puerta para tensiones de puerta tanto negativas como positivas.

Muchos MOSFET están protegidos con diodos tener internos en paralelo con la puerta y la
fuente. La tensión del tener es menos que la tensión puerta-fuente que soporta el MOSFET
VGS(Max).

ZONA ÓHMICA

El MOSFET es un dispositivo de conmutación por lo que se evita, en lo posible, polarizarlo en la

zona activa. La tensión de entrada típica toma un valor bajo o alto. Tensión bajo es 0 V, y
tensión alta es VGS(on) (especificado en hojas de características).

DRENADOR-FUENTE EN RESISTENCIA

Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza en la zona activa, es equivalente a una

resistencia de RDS(on), especificada en hojas de características.

En la curva característica existe un punto Qtest en la zona óhmica.

En este punto, ID(on) y VDS(on) son determinados, con lo cuales se calcula RDS(on).

RDS(on)= VDS(on)/ ID(on)

Muestra de MOSFET de enriquecimiento de pequeña señal.

2. Investigar los tipos de fuente de alimentación que se utilizan para poner en operación los
sistemas eléctricos.

Fuentes de alimentación lineales:

Las fuentes lineales tienen un diseño relativamente simple y tienen principalmente cuatro
componentes: transformador, rectificador, filtro, regulación y salida.
Transformador: El transformador se encarga de reducir el voltaje de entrada a un voltaje de
salida diferente, puede ser mayor o menor depende según sea el caso y la necesidad. Los
transformadores solo pueden trabajar con voltaje alterno debido a esto la entrada y la salida es
en voltaje alterno.

Rectificador: El rectificador es el que se encarga de convertir la tensión alterna que sale del
transformador en tensión continua. para esto se necesita un puente rectificador o también
conocido como puente de diodos.

Filtro: El filtro se encarga de disminuir la variación de voltaje de corriente directa, a través de

capacitores. generando así un efecto conocido como efecto rizo.
Regulación: El regulador se encarga de recibir la señal proveniente del filtro para que en la
salida se obtenga un voltaje continuo sin importar las variaciones de voltaje dependiendo el
regulador es el voltaje de salida.

Fuentes de alimentación conmutadas:

También llamadas fuentes switching, cuyo principio de funcionamiento se basa en la
conmutación de un transistor más que en un circuito lineal.
Las fuentes conmutadas fueron desarrolladas como consecuencia de los problemas de
disipación térmica, peso y volumen de los reguladores lineales.
Las fuentes conmutadas tienen circuitos complejos y variados por lo cual es demasiado difícil
explicar su funcionamiento en esta coacción tomaremos en cuenta algunos de los bloques
esenciales de una fuente conmutada: Rectificación y filtrado, conmutación, rectificación y
filtrado secundario, controlador.

Rectificación y filtrado: En el primer bloque rectificamos y filtramos la tensión alterna de

entrada convirtiéndola en una continua pulsante.

Conmutación: El segundo bloque se encarga de convertir la señal continua pulsante en una

onda cuadrada de alta frecuencia (10 a 200 kHz.), La cual es aplicada a una bobina o al
primario de un transformador.
Este bloque es el bloque principal de este tipo de fuentes, existen algunas configuraciones
básicas para este bloque.Buck, Boost, Buck-Boost.
Rectificación y filtrado: El tercer bloque rectifica y filtra la salida de alta frecuencia del
bloque anterior, entregando así una continua pura.

Controlador: El cuarto bloque se encarga de controlar la oscilación del segundo bloque. Este
bloque consiste de un oscilador de frecuencia fija, una tensión de referencia, un comparador de
tensión y un modulador de ancho de pulso (PWM). El modulador recibe el pulso del oscilador y
modifica su ciclo de trabajo según la señal del comparador, el cual compara la tensión contínua
de salida del tercer bloque con la tensión de referencia.

3. Analizar circuitos con aplicación básica de transistores bipolares.

Detector de luz transistorizado

Este circuito detector de luz transistorizado permite activar un dispositivo de
iluminación u otro, por medio de un relé cuando la intensidad de la luz del día ya no
es suficiente.
Se puede utilizar para iluminar la entrada principal de la casa, una vitrina de
exhibición que debe mantenerse iluminada aún en la noche, una zona no segura en
la noche, etc.

Funcionamiento del detector de Luz transistorizado

El elemento sensor de la intensidad de luz es un LDR (fotorresistor) cuya
resistencia depende de la intensidad de luz que lo incide. A mayor cantidad de luz,
menor resistencia en el LDR y viceversa. Para ajustar el nivel de luz, con el cual el
relé se debe activar para conectar la iluminación artificial, se utiliza el
potenciómetro P.
 Cuando el LDR está iluminado, su resistencia de éste es baja, el transistor T1,
entra en corte, T2 se satura, quitando corriente de la base del transistor T3. T3
queda en corte y T4 también, por ser un transistor PNP. Esto causa que el relé
no se active.

 Cuando el LDR está en la obscuridad, su resistencia es alta, el transistor T1,

entra en saturación, T2 entra en corte, permitiendo que el transistor T3 se
sature.

Si el transistor T3 se satura, el transistor T4 también, activando el relé. El relé

utiliza un diodo en paralelo para evitar quemar el transistor T4, cuando éste se
desactive. El circuito esta graficado con una alimentación de 9 VDC, pero se
puede alimentar con 12 VDC, cambiando el relé de por uno de 12 voltios.