“RaDuccios Rodolfo Navarro Salas Ingo ee leer a An de Meo cB \aaiia evision reewica Bir ~ Francisco Rodriguez Ramirez L Frat de mgeire ‘Unive Naso Anéom de Meco Prentice Hall ‘pein Canora» Puna “a= Pr Rico" UrpinESQUEMA DEL CaP/TULO OBIETIVOS DEL CAPITULO LA tetcin 1 Cameer lasers gon 12 Mace semicondictns:c,Siy GaAs” ten mater semicon npr I Galaecowkatey watcasinieom ss Ges Gabe 14. Nhelecdeenrt Ende Tacos ped ois LS Mattes extaccm: materia tipo owes y eo nytpop 1» Seren de desl isos en Died senicictor rates iy Leia fo pric ‘© Decraiar vats campos de Nile ete psa sia yeti dw Gv aves dls {en bn pn prin pola 1410 Capen dete y wasn acne day plc [LHL Tienpode reapers men 1 Par caer nei hoc 1LA2 Hj de espectoslanes de peda dun do pt 1L13 Nouri pra ds neice acters, TLL Prucdadeun dads 1 Enede f apuso de wn et gu LAS Dios Zee lente yasc ilo pct, 1.16 Died enon do Familias com i opercin y caae- LAT Resumen ‘eric de un indo Zener yuo edo {LAB Ants por compat vor defer 14 ntRopuccion — ‘Un eas cos notables eet capo, can en cs tees de tela, es po «oque cambios principio fanaene como ep. Ls sens sm reflec ‘ss puss, as velocdades de operacnaetles son en edad estan Cade de aren vos anetctos qb en gars pepe ha inde oy st vad ee oo No bse snc dteemos un memow pra cena qu myer deo > “spots en wo tern invents hace dens y quar ones de deh apart en ls qu dan dn saa de 1950 se shen iano, ns dts cuts ata mera tee lo qe vers sen ponipo una mej anion de ln sis de conte, ‘eis penrles yi tecnica de apes, en ver de esate de slementon mv ‘ime diets nos Eleuld es qe nace dapivosaniiado cho {tevin esa onus duran agin emp y eos aes abet tes eros ae eda sgoen soo buenas fees cue vmtenio ao hci macho Los cms ‘ns ingrtantes se ha presenta en a compensn de cme facie exo apo y2 p10o0s SEuICONDUCrORES ck Ce iby metre ft neg yoioentr la ‘sen eri Sean (Coes does ls Naso enon iy Maso 01928 hn en cia pon nse ge Wise, Dr lege oa: Cr de ‘ene Yn semen Monit IESE Pesce mie 15 pier rina, an bard eparmn , Ire rink Say or 188. (Cores dees nsrmcit) es amps a de cps yen os mods soa pr et es ues ‘socials eo ls Kee de ket por el at po pura Yr ac ana, eel maria inno ene et, experi yan a een el que ealveaente id snr qua inomacidn eaplique dt ncn por ee ‘La minitsizain gus ead en or ee es poognteon tee gat. Sera complet ara pase en obi de veces he eee se eno nico de ees ria. Jak Kily darlin ca era CD cn aja e Tens stunt en 958 (ig 1 Hoy et die prota cae Int Cove Esme ques moses gaa 2 ete con 40 millones x sstresen es chip de be mick Oblate heme lage pu onde popsicle soled de serv como en mao de mane el dspoiv ina» propria ‘mecaisnde coven eso deed. La minattzcin cna pes x ita por es actors: calidad del atrial second, ann dd es as lies «kl equip de fais y precesamien. El poier esos da que sev sala aque mie simple de as ls espe esinnicos, ange ss apcusoes parce internat. Leddy dos ents pra reser ls tres ques lizan mnt en pois de esd slay react, ums lj fudsretls deo ein leon, 12__ MATERIALES SEMICONDUCTORES: Ge, SLY GaAS 0) {Laconstmesin de cules disposveeteico dread) de estado does ruta rst ro) oie ngs, se sca om un rate sescondvtr des saad {Los semiconactores son wna cae especial de ements cya onda ee encuentra lene la de on en conductor ye de stant, En groer or mens seaizoedees ne dete de nae dos lis de un sl cris compe Las ensioratrs de np. eil contocl ertsnio eye sll (S) ene Sn ext cistato epeaes at go compuesto conn el seo ce aio (GaAs) c salar ea (CS) nro de alo (GaN) ye fost de poy sco (CaASP) se ‘spoon de da emis reales semncondctres de feet ects amie {Lostrs semiconductors ms frecuenemente tlzedos onl contraccndediposivns tlectrnicosson Os, Sy Gas os primeras dads despots del desubiiento del dado on 1939 y el ransstor en 1949.2 tzu gemini eas existent porgue ese chet modo fe de enone} ‘Coaiauo Ge Ge en aplicacions de recuenla aco de ala veloc ‘aota Portas nriacos eradrs ces Seondioe (percents ee) ans 1x 1 5 15 x 108 Ge 25% 10" ‘Uno de savas tecaliglos da imas dads ba ito capsid de prods ves semlcondotres de muy tl pren, Recucrde que Ete uno de os problemas gue "Sefenaron en Joo de a lleacsa dsl, pus eas al pedo Eee elas nels de putea requenies Acunment, lo ees de impreza de | pre en 10 Iles on coanesco mayor ees kana paracctos megrd a gr esa. Sepodtacusons se ncasian nveles de prea extenadamene alos. De echo loss Scosis qu ld dua pre denpureca el ipo apropad) por illnenua bes ‘eater sci poede cambiar det condctrrelatranent deta aba comb {ores cecricdad. Dre ogo, eros qu abrda ua ale de comparcin per compleo noe ‘endo sbordancs etme wemcondotor La capasiad de cambiar crc 8 sl edit este proces ve lama inpurfeactno dopa, algo quel gemanio, el slic Yelena de ai cepa ofa ads. I proceso e op aan eo de Ile ea ls sceiones 15918. ‘Uns import ntsssoe diferencia entre escent y conductores eo eosdo| ssn pics de clor Enel caso dolor conductors resistencias inreent con "Sumted calor Estos dhe» qu mer de potadres pares nen condor no Incemenian de marae signfeain co tenga, anne su pur de acs con fs posto a aga lave ofl cad vez ej conto de poraderes2 - ‘Sie dl mei, Se ce qu os rer gue enetanun de xa manera nen us cohen {ede empeatra pov, Len marl selene, sin ember, presen one Increment de condi co a splcain eestor. Confore selva eiperatr ‘mayor mero deeleroes de alesis been siete nea trac at ope lice covslonte ys consbiral ndmaro de poste bes Po ons gulnte Los materiales semiconductors tenon an cnefiente de temperatura nga 14_NIVELES DEENERGIA 7 ert a exacts snc de ala eo eid haynes species de ner assis cust cap slo on ita, cam se mesa nf gra 6 Las ees de erg sci ‘or son cadcgn on diets tp element deg ee. Sn ep, oer: Coanto as lejed ed wx elec del elo, mayor es estado de energy culgner ‘etn que hae abondoncdo oo stom pare tne wx ested de energie mayor qu odo ‘ctr qe pormatecca ole exrctre atic ‘Obrien haber iveles de ene expec pao ee- tree que permanecen en In enter mie uso sila esl es ua Sele NIVELES 0 ENERGIA Factor demovlied eae enenleaer pe) = TaB1A12 100 0ee imate] neanacwae | | | Spe! tte i frien Bowe ees er Conductor Ep FOGG BpeTEN GS) ByELABeV AAD) Semiconductor ° rc. 16 Neer de een) icles deeo en xtreme saan bands de comb nea de lan wn secondo yo condo de trechs ene nities deena pertdos dane nos permienportadres. Sin enbotg {ferme os ome de uy tra nro ene na a tr ena ‘lina terns ene eis, lo ua Rae qu es eleccons de una csp particu dun do ‘eng niveles Ge nega igemment rete dens tones preteen amis bts (dn Koma ayacene reso es rt expans de fs ieee ener is drt de Jos elctones valencia de a ig saa bands, coo se oes ena igure. Eo eas tals lo econ de ales deu mater de iii poten tener ies ives de nrg, eo ato se encarren dsr de and eau La gus 1b evela cot ‘lua que hay un nel de eng fimo aon cos elcones qe se ence et Ie "ua de ned yan nivel de neg mime de elctones nfs aa ep de ver ‘de! tomo. Ene os do ay ues ec de energa cu elect et baad alate ee avr pra covers ea porado ibe. Es bres de energie feet pra Ge iy ‘GsAS: el Ge tne a bres ima y el GaAs ase. Ea sums et sgn que: ‘Unltd onl ban de valencia della debe abcorber ms energ gue uno en fa banda de valencia de germanio pera converse en porter live. Asinisme, wn letra ‘la bane deselect de arsenare de lo dhe absorber mds eer gue toe la de ‘Melo ogermano par ona ala and de conduc. Esa diferencia nos requried sre de nega evea sensi decd pode seniootucte aos cambios de eperaaa, Po ejemplo al eleva aera de Sta mors de Ge, el ninero de elesones que puedes nbotber eet emi ent a Send anduesn ene on rape prma leech de perc sims Sn ear. {hel ater declactoss que nana bana de condbcien 3:0 GaAses mac wenot sa seria ox cambios de nie de eet ade tne efecto pv y oepatvos. lbeto de foedeetoresonabler nary lee stm ess sennibes lcs parecen Sern excl tes de lin de os spots de Ge No cst, en el aso de rede (eran e as qn sable ee ta pica esta sensible emperaia © ‘atu pads ter acter peu. Lae de eng ambi rvea qplerenos Sn ies en construc de spot "ro emir ez como dodo sre eo (LED, por sigs en ingle) sales [rowntrin ea eee. Cao desc ss brcks de ener jor es a poss de fn cnr a ihren ors de nds nos ver ovis ina). Ee ease e codctreseleslapede stuns deconduccdny vlna provoss esenelaimente te ‘iain ema aol sobs pr oe eetues edie orm decal: Anim. ene ‘sn de Gey coma abe de eas tan oquets, layed fos lection ques esi ners pr nbndomr a bands Je lectern na Bnd de coca ‘ecw se don form de aor Sin rrp, en el as d Cas ere es siento ‘monte grande prs por alacinhaminosn sical. By lcs dos LED cca 19) nivel de dopa y los eles slesonedo deri el colo suns les de dj et tna, empatanesbrayarlaportanca defenders widest ‘nnd para un ada. Ela gra 16s aes de media son lc ot €V) La ‘kid de modi es propidapraueW ene) = OV = (svn da ect edt nln de volte: V~ W/O). Sse suse la cergn de un len yuna difrencn de pots ‘alee | oe produc un veld eer coaoid como elec vo. 1S MATERIALES EXTRINSECOS: MATERIALES TIPO TIPO Come el Sielmati ms land ome mater tae sao) ena costes de ipo ‘Svs decid sll en ny on sine seasons se ocopa sl Ge semicon Shetre Si Col Geel Sy Goh compan an ence vas sis pond ample tenet anise ps nll wo oto miner en proces de sci, ‘Como ysis nd coterie deo terial encodes pane aise eines conn ale eons de pena expen a atrial emsonde {cr eavemene pus Ear npr, ungue Stow agian eI pare en TO miler, pds "hea lett des ands lo scone para marl od as propidades eects et rte ‘Un meeril semiconductor qu ha sido sometid al precese de dopado se cnoce como me teil etrinseo, Hay dos mais exists de innensuble importa en a area de dips sox emiconducores ase io ny upop Cae no Se deserbe con agin detalles ‘igen roses ‘Material tipo a “anos ters ipo coo sips Fema argued un nero predtrminado ‘Bomoseen bed sca Unmaera pon seceaodncendo eee dei rea que cuenen no cleones elena (petals) como eatin el rshco $l for, Eleesto de les elementor de pares len en agua 1.7 on ato oO. ho _ aBo oie o@o | o /o areas extrINsecas: THATERIALES ‘eon IPO ppopes SEMICONDUCrORES 0 V) “conic de polars ndrecero “asad” se ences pine ptai ‘ive al mel poy pti epost ipo cama ie nesecnsc en ra @ ® ic.ta4 in pared enteric caren cnn de pre vai) plac det pda daar ace Lapin en al de rane dns Vpn ce eel itl gon ster ce nail tn ppg eotonon einen een alii y wate ato dete de erpoeecina como nantes Ej de pra ins dckevoms ean dla onerl nce ie {detec el tial po nal op pn cabin de mgs pe ee aes ool pinplneme peel aumento nia ae Sede el nto ain 6 empomeinicmo predic as cso venus de a kn del as ag a" ee a ‘ots inci tae empty at en de pa ‘mov le a ttl pp can ene ni oe pia ‘he ac de hg deadening on ij de ‘estos ya area a Ul eae eect expert late fom est ean pitied dase de igur 1 Ose que ava vet de ig 13 eaten nape agi slgo ty tncondvtors ene unseated meinen spe) y nec ental ni ssn pit! aoe ‘Sefances town en ‘lem y exe me (ded ha Asem Sema sas mr tno ‘eset der els ses te rents fo sooo press ‘GaAs: Dade pond nad 90 ines ene Gas si poss an “ej ana ep pops sana prec cesar de gts “ii snes cn cietormiepors gm eal Ss cores a8 iin! een as at deme, cons cots aon se ‘Shree nen era eae sla net le ‘ones up Md ew ales ed pelea cone lve deinen deli cn anes yous omieeioy sao dl aia 165 05 seireteSheneneolseaeecabedankicsenes mea serezrintesprmoas ue uni hj SS oucepieensn enciscenz nel zo deccstn ear svn Bl (Sates altel seen ao actaolpias SenICONDUCTORES 17_1OWERL vs. to pnécrico_ [a cn neo vnos que I unin pv penton fj abundant de crgy asad da tm polrizacnen die, yun nivel my pee de cnn cool peasizaion inves, Ambascondiciooes se esuanen en fg 1.21 cel vee decom ges en gue 2 encoespnderia ama deci fleck del inl de dodo ye eri nifetiamer mapa ona desl gps des ger 21h gb represents la corete do ‘Una ansogi linda cn reeves par deer components do un doo ve ensure mertyplr meno, Baa gua 21a lod es setndo como tn ni ‘muir eevado que pein Tj sundae de carga en ecelé adead a aa [lb einvel de coment es tn equeto en a mayor de ls can ie pede se arog como 0A y representa por un meopo aber. +e. ~ es ye o ig. 121 inde semiconductor ie () poland det) polrado on ire a » a ors plabs: -Eldodo semiconductor comport como un icrraptr ecco en el sented gue ‘puede contolar el fj de arin ene us ds termine, Sin embargo abies importante tener en usta qu: [iad semiconductor ex diferent de interrptr mecico en eto de qu condo (ese cra slo permite gu a corante lyn en una dire Wesineme, para qu dado senicondictor se compare como vn crore agin tela neta, su restenca deer se do O 1 Ea lepine plaza ei ‘es eset debra ef pararepresentar el egalente va ito tat Tales vee eresiseacien las eplanes de plaza en diets en ava produce c= tera dea Spurs 22 ‘Las eucerstias eBanSbrepeno para compares od Si el con un dado de Si ‘el. Las primers mpesones podria nlc qo a ida cme es un defen inpe- son dl inesopo ideal Sn embargo, cuando se consider ques ference ‘see dito comercial we eleva Ue nel 0.7 Ven as eV an vara sine ‘ee as depres. ‘Crano un intempo se ciara se apo pe I resins ete a else 0 nel pmo dela pica eleciouad, lcs eel oer de SMA yo ose a aves deer de OV. Sosttuyedo ea ale de Ohms bene Yo _ Ov, ROT Sak (esate sus conic) De hector ‘Acalguer nivel decorrente sobre line eral vole ravds del doi ede OV ylerensenclas de ‘Pum skids hoo sepium de uo lay de Oh, vernon que Ye Yo 2Y 6 com eT Oma eguiaene ou deat aber) Denner cmt: Come tore es de Omen coger porte de ine rc reece de oncom pt ete Pola fms ear iad como 6 de plazcin en ecto en ssn do ee DS nba. sien ‘Shes naan ppt corr on or ote eres ele ences secon) Sloe amauta waren sponses enn cone erick Ent rein plate cn vers pone: core de son Seneca tn poets uc: yoni. 0%A, eens ems egal ge Sea here yin parler ser Hrenta germane stn sine oer 42love ote ren psi Sorta ebow Enlace {es erons ders nel eens epee pa sae else tenn dnd cn ves ee 1.8 _NIVELES DE RESISTENCIA, e “A maida quel punto de operas dev od = mace de wea ei6n as sstenci ‘inten cambia debi a la forma n0 Tine de a ura de carota. los pos [ioe se demosrar quel po de vole o seta pica defini el ive eesti Tees En ex secs presen tres rive retes, ls cules volves apasect ‘undo examierncs ovo lporitvr Bs de sa imporaca po consign qe ee tian eens con os la dad Resistencia de CD o estitica ‘Lslicacién oun vole de d'un eto qu cone un dad semiconductor produce un ‘pn de opercinen acura de carseat que no cambia con el emp. La ein de ‘odo nel pnt de oernsin sila terseandn os rive coespotienes = Vat fo tne se stn en gre 1.25 alicando In siguiente stain: ae as) i INIVELES DE RESISTENCA at2 piop0s SeMICONDUCTORES: Ie Tow ne. 125 Deserminacde de a reocd dde ‘Hod an pede perc parr Los ives de sestensa de dena sola dbo dela son mayors que lo veo de restneinobtaios pra a seein de vaste eral eles eraseiicas. Los nie Jes de esseosa en a ein de pesiaicn en vera on por ara ast os C>- soos cine ea gnc eles una fue decor relstivament conta, nei fencin dermis serum mie de coment peesabiecico (por Io neal de algunos slaps) En general por cnsignint cuanto mayor real corre a rns dew die, menor = deliv de revise deck EIEMPLO 13. Deter snes de esis ee de odo dea gaa 124 cow 2. Ip = 2mA Csonivet) 1 fo = 20mA Conve © Vq= = 10 (golarianc en ines) Solcn: 4% Con fp = 2A, Vp "05 VGenlacarmy Yo _ OSV fon te 8K as00 1 Con fp = 20 A, Vo™ 08 Ven ncorahy Yo _ O8V p= gy = 00 Con Vp = =1DVip “Hy = 1 A enlcurady Yo _ Ov a Te toe Jo gue confi clr de es comeatsios anti con septa sve domes de edde un odo. EE Resistencia de CA o dinimica ‘Bs obvi de aver can a sexe (1.3) jem 3 que a essen ede un do ‘inspects a ora des assets en rep sleddor punto irs S “Scaplaun rtd sagen gar de un cd laste aia pox comple. La eh- ede vrtleovet puna peor estasdne aca ant yan bajo de nae tela cuter, y ora at defn tno especie de scone y ola com> Se tmssinen fa fg 125, Sin ng sofa varias aplenty, el pat de operaci einel no que epee on agus .25, determina por losalteles de apeaos La design ‘nde nie der palabra quescone, que igen oval cmceriade tte | IOS fe ic. 1.25 Defi d le reece nda resister ee Una ne recta ada tangata crn pore pt como sues ena igh 126 ef un coo prior el yj coment gospel par eterna re ‘Stencade ca dnd neta ropa de en carcerisicas dl do. Se ceer hater une Ihren por onl cade ej corn To mis peu poe y goin 3 ane Ino lpn a fond ei, aN iG Ate 14 nae as) onde ini un cambio nit de a cats, ‘Cunto i ntinad st a pease. mens sec el valor de AV,con el mismo cambio de ly 7 menor esa een La erin dca are de rattan etal de aca Tero por consigueste, basa punt, en toque a ese eas mc ms tltgon nee coietebjs. [genera por consguente enon mz jo es el punto de aperacin (menor orients ‘menor ol) ns alae a reisencia de NIVELES DE RESISTENCIA 25 pod |ban serine resents de en po2% 10005 SEMICONDUCTORES, [BEMPLO 14 Palas ratersiss igs 127 1 Deteine eens de eco fp = 2A 1. termine a este dt con fp = 25 1. Congas fos ead dels pares (0) y() com as resistencias deed ened nivel Brae ae ae Os 38-07 8 OT Teo fic. 127 Bangle 4 Sota: {Con Ip = 2, ea agent en fp = 2A set com se muestra en igura 1.27 1 sig una varacin de mA po enna y dba de acorns de dod epeiice- {Con = 4A, Vp = O6V J com Ip = OA, Vp = 068 Loseanbios sues ‘ela comente y vole sn, espectvanens, Ale= 4mA ~ OmA = 4rd, y AV, = 076V ~ 065V =011V _laesitenca de cat Avy _ out, en Gen ES aso 1, Cond = 25 mA, tine tangent en Jp = 25 mA se ua cora sensei en ag 1.27 42 ii ua variacion de 5 aA pr encima y dejo de In corset de da exes {Coa lp = 30 mA, Vg = 08 Vy 200 p= 20 A, Vp = 0.78. Lo cubic vues (etn coanteyvolaje 0, epee, ‘Aly = 30mA ~ 20mA = 10mA > Av, = 08 ~ 078 = 02v ylawesseale dene pony _ toma “2 neva ceed por mucho large 275 0. Con y= 250A Yo = O79V7 Yo _ 979, Ty” Bak Incl exe por mucho lye 22. Ry saa Deternamos a esistenca dng gies, pero Ray una denen bie ene leu frei ve mores gue Tesdersada de una fancier punt gua al pendent dea ines tangent rezada ‘dicho punt, Por omigieot ln ccucin (4), dis ore gus 1.2, s enon ln ese Inet a Sra da uel en tpn Qe operas i deterinaros a dre {hung gener (11) pr el hod ramieondustar con respecto aa polrzacién on dete plc y go invertor lesan obandenos una ecvcin fa elteain de 9 lca on sharp, Es der, rsaros la derivadn dea eta (1.1 con respects Japa pia tendo wl alee 0} : ly we Tuego spines alguns missed elo erencil. En geor >> nase ‘én do penne Yereal de las acetic y dip «to Wo ave viendo ol eu para efi a ec deste 1 aye 1 y Vs 26 dl ejemplo 1.1 2 abene Taw an ‘Lemna de a suc 15) debe entender con chr. npn qu a resi dnd nicer deter com oo ata ef valor quescente def crrent de dod la cei. oc ncesco sipne ela artes 9 preosprse de azar Ieas tng como fo (ine a ecm (2). snp ener es cc, nemo, que Tn econ (1.5) - ‘Senso conve yen eel de enteral acura Cb vores ao {esce pn 2 (iyo de robe debe lipase por un fc 2. Con reas eps de np bj dele ela de cra, cca (1) selena "Todos oe nes de exsensn determinants hoa fron defies por fun po .yeoineoye Taste dl tral semicon rplamene dich ismaca essenc Ja euro) y avai iadeie poraconexiaene lel secur con: ‘decor etic externa (mada reste de coca). Estos iveles de sien aficoos les peer ieul ens ecscon (15) agepanco una ressencin dent ohms a6) La resistencia icy, pr congue, a estnce nti dena por teens (ay mresserelry ues sea erode El lacte oee vara dese 0.1 par di- pests delta pots hte 2 pra guns dado so geal eta potas Ene ‘empl ineiatenia dec 25 mA es ede 20 lit nec (5) enemes 26m _ 26a ee “ama 7 NO La traca de proimadamente 10 puede ser considera como a contbuién 2. NIVELES DE RESISTENCIA 252% pioD0s SEMICONDUCTORES Enel emp 1 la esstoneia de en 2 A re ere 271. Uliano ln eesiin 1.5) pee mpc por ar de 3 enc vgn lala de crea = 2) v=) =a) ‘nitrenca de 1.0 puede ser omsiderad coment de Enver de rom allo pa Ce cin at um ova de cae ‘efi wlan tea (1.4) eo proces dil en eles ere es esas tienen qesertaads con eserves. Con bajo eles decent en el ig a for ny tr lime so taste peqveo compu con rcomo prs gros npc en Ia se tenia een de ceo, Co sos nels de cnet, el ie dry pede apni ld ‘ao pao qu con ese babe OF mena esiivos de cha nayor mg co ‘re cone de, en ese vo suponemes qe In resinteaca dec et dterna ice ‘mere por ye impacto de mye ost menos qu go corte Mees ee xd te sles ncn ural der cotnat eduive en mage cot ‘Serpe aserus torque Gertamene puede se gna ey compa ct Elan aeror se em icamere eo sepia de poliacgn en eta egkin de plrizacinen nvr sopondreros qe cambio de corns ago de ines es nulodee OV basta el Zee, yt esisenca de ccalela co nce (L 4) es einem aa come pr perl aprox 6 sao aber. (13.9) = 260 Resistencia de ca promedio ‘instal deena es sicieaterome grande pra pedir ans ampli aie al como se inde ena gua 123, a essence cone ipso en et eins ama rete inde ea romeo La ressenca de cx promi esp defini, a essere dete ‘or usa lina recta raza ete a dos nesosane eniblcies por ox ales mii ‘mimo del oe de cnn Ex fom Ge con obeervela ge 1.28), ay Nero an alesse ines porta igur 128, Aly = ITmA—2mA = 154, Fig. 1.28 senna de rien de promo ers ies nino, 5 AY, = O75Y — 065 = 0675 V Avy _ 0075 cs Yio, 15a 5 ‘id ses de) deen con = 2 mA 8 yar sta ms de’ yh se Jteminars cn 7 tA tara menor Entre ext vores, a eit deca cab ‘aor allo cor 2 mal valor bajo con 17 A, La cova 0.7 ene alr considera om! promedo defn volre decade 2A bas 17 mA. El hes dequeue de {esses se puede ilzaron un tral tn ample de earatersias cmp s iad hla dlc de vite eqvatenas dean ded eo ua seen poster. {Com con los niveles cd resstencia deed y cuanto ms bo exe nv de ts comets tae pra deerminr la revsenci promedio, mud alo serdewvel de essen. ‘Tabla de resumen Laub 1s destnolé pr forza ae coeisiones imertstes de hs cima pigs y| tcl serena ene lor diver eles de ester. Como y adc ates, eontni eeu sci xe enena de varios cleus de essa qe seals a eciones y eps posterior OLA vee dere Cancers ‘acrilon pe Reus ‘oper oy et como pate cavsininics en AYE 28OY epperemtties geet pe calli carom tan AM etre /; eopeccion A) 19__ CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO e Un cre euialnt es use combinain de elementos eropiadamenteselecionades ora gue represanten mejor ls caracterces termnales eles de un dpasiveosistena ‘rina ep de opera preuar En ofa plat ut ver use defn lien agian, sible det dae pveds ser eliina de un euro yl cet eglnt ead on igre lace [rvenct ot somportaeri el deletes Con cage resend et Uae ise Bisnetees em U.S.F.Q. 06 MANO 2011 carcumos a7 equivateutes ‘EL DIODO ppit938 pio09s SEMICONDUCTORES. Circuito lineal equivatente por segmentos ‘Un enca para cenes u culo equate eu dd ssn sons omens pre sions eraceriies del ipso mediate septs de Inert, cot so me a fg 129. Bl cio resulta equialente sen crea eqvolerte Ie por seen Deventer obvi porla gua 129 que le sepmenas einen ets no depican con exin as ‘sce res, sobre odo ca eon odd. Sia ema, oe segments restates $n atficenemente peda cuva el como ara esablece creo equate oe rode oa exeetepimer sproximassn de comgerttento fl el aps. Ee te ‘sein iin dea equtalenci a essen de x pomed rset nseen {Bes nivel de ressenia qu cutce eel een eqialente de liga 128 onto al ipositve fed: En esein deel ave essence dp cand se ences en eta Oe “eaendio. dodo ele incluye pa eabecer que wl ay en esa de onion ses del dpeniv, yum stoctn ce plazas en invera pod lesa de crea ‘bier del dspostno, Coro un dodo semiconductor eso aleaza el stato de on saci asa gue Vi les 0.7 V con una polrzacin en creta oma Se mbes en af i129), dee prec ura bute Vy ops dein de congucidn ene to given como se murs en figure 10, Latta epeclica gore! oleae de Sapte debe ser mayor quel vole uml de abate aes Ge condi aves el deposkivo antes de qu e pues esablecer a deen das porel io teal, Caan) ‘se exablezz la comely, a eaten del dodo sre! valor epeicad Bo. ‘tna Tavera 8 ic. 1.29 Define euhalent nel por segments por medi de sepmetor Aetine ce pre reps fa Sona asad oer, Lai: — age FIG. 1.30 a Compara dec epee eal pr sgmenes “enguen cucu sin enbup, us Veen cesta eget no es hase de vole indepen Sse noc ws llnede ss dwn das sido aun aoe We toto ose oben nc de 07 La arse lel owt teres ue debe er sae par cece ool. Perle comin evel osc dag se ued temic np eoperacién seinen aj de xgeteiones inal os pale sc 0) Fo cel, pact do semicndicr dito = 10 mA an cee ends ss Aaa cRcuTos a9 eQuiVALENTES ‘BEL 0100 el dodo con Vp ~ 08, snes ie psi a regu unre de vole de 0.7 fe de gue eleven as earners, y beer OV -O07Y , GIV agg “ie “Toma = 0nd “Toma omc gu 1.28, Girexitoequivatente simplificado ta mayo dea piace ete een ea pr ego waa nSpanclncon in cndsceenas died Ladino dere eae ease cannon que poner ul cancerien del dado on ns rosin xo [aur SL Been corti cep on esse cc aide ces Te scone Samoeseeleptlo? Bron ques ees ones {cmon ne usa qr do lil plzar Greve unaseoa Ceor- ‘oenouttns redex wcbnd207V atest enclemda conden iglerael se caennel dt onto de var nomial, er ps). ™ Pola FG. 131 Cet piaent sinplifeads del aad emicondctr desi. ‘Circuito equivalente ideal ‘Abra ge ini ay del cist eulet vemos el ais un as adelante yet eeuaon et vel 07 V oon essen uote se goerdo en compara cone nivel (vole eplcado, En ete a el cota equaene we edbital wn dod ideal come se mers ena gia 1 con ts arveioae Enel plo 2 verrcs qu est aprox ‘one bace con steninsn un pra grave de een. —1, iad day ue coacteriss, Bo insta sain poplar de fase “it quent ld es mae ek aod, e Gai an oslo por defnciSn— eran reesetcin dean posto, chie- toe sen estate ee, De thoes torologa sass se iar en exesivamene ‘hes capt sguens, Tabla de resumen or ld os motes el od empleo pr ls rss pret pions Cres parecer ea abla 8 on so erasers neds por sects. Ce oa ‘ei con mis dtl e capa Slempre ay excepeiones laren gene eo