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INGENIERIA ELECTROMECANICA
ELECTRONICA DE POTENCIA
NOMBRES:
CICLO Y PARALELO:
OCTAVO “A”
FECHA:
LATACUNGA – ECUADOR
1. TIRISTOR GTO:
Puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal de puerta o
gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un
pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de
encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta
(G).
1.1. CARACTERISTICAS:
1.2. FUNCIONAMIENTO
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una
señal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal
negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con
especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa
aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso
negativo corto.
Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un
GTO es necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin
embargo, en el encendido de un GTO la corriente máxima por la puerta IGM y la
velocidad de variación de dicha corriente al principio de la conducción deben ser lo
suficientemente grandes como para asegurar que la corriente circula por todas las islas
cátodo (figura 6.4. Si esto no fuese así y sólo algunas islas cátodo condujeran, la
densidad de corriente en estas islas sería tan elevada que el excesivo calentamiento en
zonas localizadas podría provocar la destrucción del dispositivo.
1.5. APAGADO
De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de ánodo a cátodo
ha quedado reducida a pequeños filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la
tensión vAK, hasta entonces muy pequeña al estar el GTO en funcionamiento, comienza
a aumentar. Como la gran densidad de corriente que circula por estos pequeños
filamentos podría ocasionar su destrucción, se utiliza un condensador snubber en
paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un camino alternativo por donde circular.
Así, cuando vAK comienza a aumentar el condensador comienza a cargarse, por lo que
parte de la corriente que circulaba por el GTO lo hace ahora por el condensador.
2. Tiristor BJT
2.1. Funcionamiento
Región de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual se
puede aproximar como la no circulación de corriente por el colector y la base, luego la
zona corresponde a corriente. Región de saturación. En esta región se verifica que la
tensión colector-emisor es muy pequeña. Región activa. El resto del primer cuadrante
corresponde a la región activa.
3. MOSFET
3.1. FUNCIONAMIENTO
Controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero y
una salida o terminal llamado drenador mediante la aplicación de una tensión en el
terminal llamado puerta. Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión
conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del
Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de
modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje
(ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
3.5. REGIÓN DE SATURACIÓN.
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de conducción,
bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador y desaparece.
La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al campo eléctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte casi
horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede
funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una resistencia
o como una fuente de corriente. El uso principal está en la zona óhmica.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
de Conducción
Fig12. Área de Operación Segura SOA de un Transistor IGBT. directamente Polarizada Inversamente Polarizada
La corriente que activa el scr puede ser de bajo valor, pues con solo un pulso
de corriente este quedará activo.
El voltaje que hay en el ánodo cae drásticamente al momento del encendido
del scr y queda siendo un voltaje aproximado de 0.8 v.
Luego de encendido el scr, no es necesario que la compuerta siga recibiendo
corriente porque este seguirá conduciendo hasta que el voltaje disminuya a tal
punto que se desactive.
Los scr nos permiten controlar el paso de corriente a determinadas ramas de
un circuito previniendo daños y alargando la vida útil de estos.
Según la referencia del scr estos pueden controlar diferentes tipos de voltajes.
Mientras no se aplique ninguna tensión en el GATE del scr no se inicia la
conducción, dado que esta es la clave para que el tiristor quede activo de
forma “permanente” hasta que algo externo al él rompa la conducción.
Los scr se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del
control; debido a que el tiristor puede ser utilizado como interruptor de tipo
electrónico.