c



c


c


c

c

c

c
c
c
c

c
c
c
cc
c
 !c"!#!$!c c%&'()*'+)'',cccc
-c!"c".$.c c %&'()*'+)''/c
!#c0#!"c c ccccc%&'()*'+)''(c
c cc
ccccccccccccccccccccccc
c
c

cc*c
c1
c


c
c1
c
1

c
c
c

c
cc
 c



c
%'*'c
c
c


c
c
c Dua jenis semikonduktor tipe p dan tipe n jika disatukan akan membentuk
sambungan p-n atau diode p-n. Hal ini disebabkan terjadinya perpindahan elektron-
elektron dari semikonduktor n menuju semikonduktor p, dan perpindahan hole dari
semikonduktor p menuju semikonduktor n. perpindahan electron Maupin hole ini
hanya sampai pada jarak tertentu dari batas sambungan awal. Gabungan dari
semikonduktor ini dapat difungsikaan sebagai sensor termal. Dari karateristik yang
timbul dapat dilihat bahwa respon sensitivitas temperature dapat divariasikan dengan
mengatur tegangan forward bias V.
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c

cc




c

*)*)cc!#!"c !2!3c
P-N junction merupakan gabungan dari semikonduktor tipe n dan tipe p.
Semikonduktor tipe p dan tipe n ini termasuk dalam semikonduktor impurity, dimana
jenis ini membutuhkan tambahan material impurity dalam semikonduktor intrinsik
untuk menambah daya hantar. Semikonduktor tipe p merupakan semikonduktor yang
membutuhkan penambahan impurity untuk menambah jumlah hole yang ada
sedangkan tipe n merupakan semikonduktor yang membutuhkan penambahan
impurity untuk menambah jumlah electron. Namun pada pertemuan atau junction dari
kedua semikonduktor konduktif ini memiliki sifat non -konduktif. Lapisan non-konduktif
ini disebut zona deplesi. Dengan memanipulasi zona deplesi, P -N junction biasa
digunakan sebagai diode atau device semikonduktor lainnya.

*)%)c "$!!!!c
Permasalahan yang dibahas pada makalah ini adalah bagaimana p-n junction
dapat menjadi sensor termal.

*)4)c  !c
Tujuan dari pembuatan makalah ini adalah untuk mengetahui p-n junction dapat
menjadi sensor termal.

*)&)c #$!#2!c !2!! c

Sistematika makalah yang digunakan dalam penyusunan makalah ini adalah sebagai
berikut:
Bab I PENDAHULUAN
Berisi tentang latar belakang, permasalahan, tujuan dan sistematika makalah.
Bab II TEORI PENUNJANG
Berisi tentang teori-teori kristal, struktur kristal, kerapatan kristal dan contoh soal.
Bab IV PENUTUP
Berisi tentang kesimpulan dan saran beserta daftar pustaka.

cc
c



c
c
a

(persambungan) adalah daerah tempat tipe -P dan tipe-N disambung.
Dioda ë

adalah nama lain untuk kristal P-N. Pada gambar 1 di bawah ini
ditunjukkan simbol dioda dan dioda ë

tanpa bias tegangan. Sisi P mempunyai
banyak  dan sisi N banyak elektron pita konduksi.

Gambar 1 . Simbol Dioda dan a

Dioda

%)*c!5!c53..3! c
Gambar 1 menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil yang
disebut lapisan kosong (4 

 ). Di daerah tersebut terdapat keseimbangan
antara  dan elektron.Pada sisi P banyak terbentuk  yang siap menerima
elektron, sedangkan di sisi N ba nyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk
bebas.
Elektron pada sisi N cenderung berdifusi ke segala arah, beberapa elektron
berdifusi melewati ë

. Setiap kali elektron berdifusi melalui ë 
akan
menciptakan sepasang ion.Tanda positif berwarna merah menandakan ion positif
dan tanda negatif berwarna merah menandakan ion negatif.

Gambar 2. Dipole pada P-N a


Tiap pasang ion positif dan ion negatif pada gambar 2 disebut 4 .
Penciptaan 4  berarti satu elektron pita konduksi dan satu  telah dikeluarkan
dari sirkulasi. Jika terbentuk sejumlah 4 , daerah dekat ë


dikosongkan dari
muatan-muatan , daerah kosong ini disebut dengan daerah /lapisan pengosongan
yang lebarnya 0,5 µm.

%)%c3!3!c6!"""c7c"#!3!c8
Pembangkitan tegangan '  bergantung pada suhu ë

, suhu yang
lebih tinggi menciptakan banyak pasangan elektron dan , sehingga aliran
pembawa minoritas melewati ë 
bertambah. Pada suhu 25°C Potensial  
pada dioda germanium (Ge)= 0,3 V dan dioda silikon (Si ) = 0,7 V.Potensial ' 
tersebut berkurang 2,5 mV untuk setiap kenaikan 1 derajat Celcius.

%)4c !c!-!c!5!c

X 1."0!"-c6!c5!-!c!5!c

Gambar ilustrasi di bawah menunjukkan sambungan PN.Terminal negatif

sumber/batery dihubungkan dengan bahan tipe -N dan terminal positif dihubungkan
dengan bahan tipe -P, atau tegangan potensial sisi P lebih besar dari sisi N sehingga
elektron dari sisi N akan bergerak untuk mengisi h ole di sisi P. Kalau elektron
mengisi hole disisi P, akan terbentuk hole pada sisi N karena ditinggal elektron. Ini
disebut aliran hole dari P menuju N. Kalau mengunakan terminologi arus listrik,
dikatakan terjadi arus listrik dari sisi P ke sisi N. Bias ini disebut bias maju (foward )

Gambar 3. Farward Bias

X 9"c6!c5!-!c!5!c

Pada sambungan reverse bias terminal negatif sumber/battery dihubungkan

dengan bahan tipe -P dan terminal positif dihubungkan dengan bahan tipe -N. Pada
kondisi ini hole dan elektron bergerak menuju ke ujung -ujung kristal (menjauhi
junction), dimana elektron akan meninggalkan ion positif dan hole akan
meninggalkan ion negatif oleh sebab itu lapisan pengosongan akan bertambah
lebar.Makin besar bias makin lebar pula lapisan pengosongan , oleh karena itu arus
listrik sulit/tidak bisa mengalir dari sisi P ke N.Bi as ini disebut bias balik (reverse )
 4. Bi

X o
c  c
K i i q ili i t t i t P j ti t t
t l, i t i l t t i j ti . P t i l
i t i t t i l ilt i Vi.

.P ti q ili i t l i

S t l t ti ti , l t t
i t f . S i l t if i,
l t l t t t i l i t itif i il .
l t j i l t i t f , l
if i i l i ti t . A i t ,
t il t lit j i t t t l i
l i.
li t i t j i i R




 l if i
t l t l . t f t j i it if i
il l if i. 






t j i l i t t t t
t l iti l l i if i it .
 6. P j ti i l t t ,
li t i t

°) c
  c c : c c 
c
$c

P j ti f i i t l, I i i
j ti i t f i ti i i :

«« .
i :
q t li t i
A l /
 it i
 i
 t i
 t i t
 fi i if i l t
 fi i if i l
P j if i l t
 j iff l
K t t B lt
V t i l iff
t qV >> ti V > . t it li i i t:
 ..pers.2
Untuk memberikan tegangan bias V ke diode p -n junction, arus diode I pada
persamaan 2 memiliki hubungan yang kuat dengan temperature T karena nilai
lainnya akan tetap konstan. Persamaan 1 dapat ditulis kembali menjadi :

.pers.3

pers.

..pers.5
Dari persamaan 2, kita dapat melihat bahwa log I s ebanding dengan 1/T, dan
S menjadi sebanding dengan log I tetapi berkebalikan dengan 1/T. Dari karateristik
ini dapat dilihat bahwa respon sensitivitas temperature dapat divariasikan dengan
mengatur tegangan forward bias V. Potensial difusi memiliki keterkaitan yang kecil
dengan temperature T melalui keterkaitan dengan level Fermi. Walaup un, keterkaitan
ini diabaikan oleh sambungan diode yang terdiri dari doping p+ dan n+ selama
rentang suhu yang lama.
Untuk tegangan forward bias V yang diberi tegangan konstan, maka
pesamaan yag didapat yaitu :

pers.

..pers.7

...pers.8

Persamaan memiliki bentuk yang sama dengan thermistor NTC dan B pada
pada persamaan 8 memiliki persamaan dengan konstanta B thermistor. Dari
persmaan ini dapat disimpulkan bahwa P -N junction dapat digunakan sebagai
thermistor NTC. Dimana thermistor merupakan salah satu sensor thermal. Dan pada
kenyataannya, sensor thermal dengan p -n junction masih membutuhkan penguat
untuk menghasilkan tegangan bias yang stabil.

cc

c

4)*c$5!c
Dari uraian materi yang telah dibahas sebelumnya maka diperoleh kesimpulan
sebagai berikut :
1. Depletion layer memiliki keseimbangan antara  dan elektron sebab sisi P
banyak terbentuk  yang siap menerima elektron, sedangkan di sisi N
banyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk bebas.
2. Forward bias terjadi karena tegangan potensial sisi P lebih besar dari sisi N
sehingga elektron dari sisi N akan bergerak untuk mengisi hole di sisi P.
3. Reverse Bias disebabkan hole dan elektron bergerak menuju ke ujung -ujung
kristal (menjauhi junction), dimana elektron akan meninggalkan ion positif dan
hole akan meninggalkan ion negatif
. Sensor thermal dengan p-n junction masih membutuhkan penguat untuk
menghasilkan tegangan bias yang stabil.

4)%c!"!c
Dalam pembuatan makalah rekayasa bahan mengenai sambungan p-n junction
sebagai sensor termal, masih banyak terdapat kekurangan yang perlu
disempurnakan agar wawasan yang diterima lebih banyak dan dimengerti secara
keseluruhan dan tidak terjadi salah pemahaman.
 
1
c

c
c
1. Zambuto Mauro, ³Semiconductor Devices´, McGraw-Hill International.
2. P-N Junction, www.sciendirect.com/p-n junction.html
3. P-N Junction, www.wikipedia.org.com
. P-N Junction, www.semangat-belajar.com
c