UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Laboratorio de Circuitos de RF
Práctica N°10
Oscilador de Video

Objetivos:
 Diseñar, simular y montar un oscilador Colpitts de base común, que entregue una
potencia de 1mW en la frecuencia de portadora del canal asignado sobre una carga
de 50Ω.

Marco Teórico:
Para realizar el acople de la resistencia de pérdidas de la bobina grande Rp con RL/2, es necesario
utilizar un acople tipo π pasabanda Colpitts, el cual al utilizar el capacitor variable (Cf) para ajustar la
frecuencia de resonancia es necesario hacer la corrección de la bobina.
Preinforme
1. Diseñar un oscilador Colpitts con las siguientes especificacione
 Transistor Q2N2222.
 Fportadora=Fcanalinferior+1.25MHZ
 Ancho de Banda de 2.5 Mhz
Nota: Resistencia de pérdidas de la bobina grande: Rp=10kΩ y IR2 ≈ IR1=1mA.
2. Diseñar un circuito que acople la resistencia RP con RL/2, donde RL=50Ω.
3. Simular el circuito usando SPICE.

Informe
Procedimiento del montaje
Realice el montaje respectivo del circuito del preinforme y efectúe a partir de ellos las
siguientes medidas:
La frecuencia de resonancia se da en el lugar donde se encuentra la máxima
amplitud:

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f ________ MHZ 0 =
El voltaje rms de entrada es: Vin = ________mv
El voltaje rms de salida es: Vout = ________mv
En una tabla presente los valores reales y los medidos de los dispositivos del Oscilador
de video.

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1.25

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1.25
· Ancho de banda: 2.5 MHz.

Diseñar un oscilador tipo Colpitts que entregue una potencia de salida de 1mW sobre una carga de
50Ω en la frecuencia de portadora del canal 2 de TV.:
1. Consideraciones de diseño del oscilador
El circuito diseñado debe tener las siguientes característica:
 Transistor 2N2222
 fportadora = finiciaal + 1.25 MHz.
 BW = 2.5 MHz.
 Resistencia de carga: 50Ω.
 Potencia de salida: 1mW.
 Resistencia de pérdidas de la bobina grande: Rp ≥ 10kΩ.
 IR2 ≈ IR1 = 1mA.

2. Diagrama circuital de diseño del oscilador

CC 1.2n F Vcc 12 Lp 2' 28 9nH

R1 6.3k

Q1 2

Cs 13 .3 3pF

CB 1.2n F R2 5.7k Re 29 .4 5
Co
1

1.2n F
Lp 2' 52 uH Cp1 50
22 7.16p F RL

2
RE 3.92 3k

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3. Cálculos de los elementos para la operación en el punto de polarización

PL 1mW
I CQ  4 4  1.265mA
RP 10k
R p I CQ 10k *1.265mA
VCBQ    6.33V
2 2
26mV 26mV
re    20.55
I CQ 1.265mA
R e  R IN  re  50  20.55  29.45

Asumiendo un voltaje de emisor de: VE = 5.0V, se tiene:

VE 5V
R   3.953k
I CQ 1.265mA
R E  R  R e  3.953k  29.45  3.923k
Vcc  VCBQ  B BEQ  VE  6.33V  0.7V  5.0V  12.02V
Vcc  VB 12V  5.7V
R1    6.3k
1mA 1mA

VB 5.7V
R2    5.7k
1mA 1mA
4. Diseño de la red de acople para adaptar la resistencia de pérdidas de la bobina grande ( Rp )
con la resistencia de carga del oscilador (RL/2).
La red apropiada para este acople es la π Colpitts. Las resistencias a acoplar son de 10kΩ, y
25Ω. La frecuencia de operación es de 55.25 MHz, y el ancho de banda de 2.5 MHz. Recuerde
que al utilizar el capacitor variable (Cf) para ajustar la frecuencia de resonancia es necesario
hacer la corrección de la bobina.

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R 1  25
R 2  10k
FR 55.25E6
Q CXTO    22.10
Bw 2.5E6
Q 2  2Q CXTO  2 * 22.10  44.20
R1 25
Q1  (1  Q 2 )  1  (1  44.20 2 )  1  1.9714
2

R2 10k
R1 25
X P1    12.681
Q1 1.9714
R2 10k
X P2    226.244
Q 2 44.20
X P2 X P1 226.244 12.681
X S      236.215
1 1 1 1
1 2 1 2 1 1 
Q2 Q1 44.20 2 1.9714 2
X P2 X P1 226.244 12.681
X S      216.042
1 1 1 1
1 2 1 2 1 1
Q2 Q1 44.20 2 1.9714 2
1 1
CS    13.33pF
2FR X S 2 * 55.25e6 * 216.042
1 1
C P1    227.16pF
2FR X P1 2 * 55.25e6 *12.681
X P2 226.244
L P2    651.73nH
2FR 2 * 55.25e6
5. Corrección de la bobina del acople
Debido a que se tiene un capacitor que varía entre 2pF y 30pF, se tiene la siguiente corrección:
C f  C o  16pF
1 1
X cf co    180.04
 r C f  C o  2 55.25MHz 16 pF 

Bcf co  5.55 x10 3

B L  4.42x10 3
B LNEW  9.97 x10 3
L'  L p 2  2.89nH
'

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Con los valores hallados se tiene el circuito final del oscilador

1

CC 1.2n F Vcc 12 Lp 2' 28 9nH

R1 6.3k

Q1 2

Cs 13 .3 3pF

CB 1.2n F R2 5.7k Re 29 .4 5
Co
1

1.2n F
Lp 2' 52 uH Cp1 50
22 7.16p F RL

2
RE 3.92 3k

Laboratorio de Circuitos de RF

Práctica Nº9

Amplificador de Señal Débil para Sistema de Radio Frecuencia

Objetivos:

1. Diseñar y montar un amplificador de pequeña señal en la frecuencia central del canal 2 de

TV, empleando los parámetros de dispersión del transistor.

2. Aplicar los conocimientos adquiridos sobre acoples para obtener el nivel de potencia
necesario que garantice la excitación requerida en el amplificador de potencia.

3. Evaluar los conocimientos teóricos adquiridos.

Preinforme

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1. Diseñar un amplificador de señal débil con las siguientes especificaciones:

 Amplificador clase A (transistor MPSH10)
 Ganancia de potencia: 10 db
 Ancho de banda: 6 MHz
 Voltaje de polarización: 6MHz

2. Diseñar las redes de acople de impedancia de entrada y salida necesarias para obtener el
nivel de potencia necesario que garantice la excitación requerida en el amplificador de
potencia.
3. Simular el circuito usando SPICE

Informe
Procedimiento del montaje

Realice el montaje respectivo del circuito del preinforme y efectúe, a partir de ello las siguientes
medidas:

La frecuencia de resonancia se da en el lugar donde se encuentra la máxima amplitud:

f0 = ________ MHz

El voltaje RMS de entrada es: Vin = 990 mV

El voltaje RMS de salida es: Vout = ________ mV

El ancho de banda (donde la potencia cae a la mitad y el voltaje al 70.71%), es:

VBW = 0.7071Vout

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VBW = _______mV

Este voltaje se encuentra en las siguientes frecuencias:

f1 = ________ MHz

f2 = ________ MHz

Siendo la diferencia el ancho de banda:

f2 - f1 = _________ MHz ⇒ BW = _________ MHz

La ganancia de potencia es:

Gpotencia (dB) = __________________

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