Professional Documents
Culture Documents
- dužina veze (bend length), to je udaljenost atoma u molekuli u stanju ravnoteže ( =0).
Veze izmežđu dvije ili više komponenti u prirodi se ostvaruju postojanjem nečega što je zajedničko
tim komponentama. Hemijske veze se ostaruju subatomskim česticama koje su zajedničke povezanim
elementima i zovu se izmjenske čestice. Te izmjenske čestice mogu biti realne (npr. elektroni u
kovalentnim vezama) ili virtuelne (fotoni ili elektromagnetna polja, gravitacija nuklearnog).
Hemijske veze se dijele na primarne i sekundarne. Primarne se uspostavljaju između pozitivnih i
negativnih jona od kojih su materijali načinjeni, a sekundarne između molekula od kojih su materijali
napravljeni.
Primarne su: jonska, kovalentna i metalna.
Primjer molekula.
Kad se podljuske 1s svakog od atoma preklope onda
oba atoma imaju popunjenu 1s podljusku. Zbog toga je
koncentracija negativnih naboja između jezgri veća što
rezultira povezivanjem jezgri.
Sl. (Fig. 1.3 Kasap)
Zahvaljujući jakom kulonovskom privlačenju između zajedničkih elektrona i pozitivnih jezgara,
kovalentna veza je jedna od najjačih veza. Objašnjenje ove veze (usmjerenost, zasićenost i kratki
doseg) je kvantna mehanika. Ova veza se zove homeopolarnom vezom ili veza elektronskih parova.
Materijali sa ovakvim vezama su mehanički čvrsti, trdi, ali i krti. Također su skoro nerastorljivi u
većini rastvarača, slabi su provodnici, imaju visoku tačku topljenja.
b) Jonska veza
Ova veza nastaje usljed privlačenja suprotno naelektrisanih jona i bazira se na tendenciji atoma da
popune svoje spoljašnje ljuske. Atomi koji imaju vanjsku ljusku skoro popunjenu nastoje da prime
određeni broj elektrona da bi popunili ljusku, a oni sa skoro praznom ljuskom nastoje da otpuste te
elektrone. Kada te tendencije ostvare nastaju pozitivni joni ili katjoni i negativni joni ili anjoni koji se
kulonovski privlače i energija privlačenja je ≈ . Primjer NaCl (Sl. Fig 1.7) , (Fig. 1.9).
Ovom vezom obično nastaju spojevi nemetalnog atoma (Cl) i metala (alkalni metal Na) i obično se
zovu jonski kristali i mnogi keramički materijali (LiF, MgO, CsCl, ZnS). To su čvrsti, ali i krti
materijali pri udarima i dobri izolatori u čvrstom stanju, ali jako rastvorljivi u vodi i tada postaju dobri
provodnici. Imaju visoke temperature topljenja, ali su slabi toplotni provodnici.
c) Metalna veza
Kod ove veze valentni elektroni su delokalizovani od individualnih atoma i postaju zajednički
formirajući elektronski oblak ili gas u prostoru između jona.
Usljed promjene raspodjele negativnog naelektrisanja javlja se Van der Waalsova sila i ona je
tako da ona vrlo brzo opada sa rastojanjem. Zbog toga je energija veze induciranog dipol-dipol slabija
od stalnih veza.
Molekule koje imaju permanentni dipolni momenat ( ) privlače se jačom silom nego inducirani
dipoli
Ove sile nisu usmjerene u prostoru, pa se molekuli ponašaju kao kugle u prostoru koje nastoje da
ostvare što više ovih veza. Npr. polivinil klorid sadrži duge lance molekula između kojih se
uspostavljaju Van der Waalsove veze, koje su slabe i pod uticajem vanjske sile lako se kidaju. Tada se
lanci molekula pomjeraju jedni preko drugih i pVc se trajno deformiše.
Miješane veze
U mnogim tijelima, veze između atoma nisu jednog tipa, već su miješane.
Znamo da Si ima čisto kovalentnu vezu, jer su zajednički elektroni jednako privučeni od + jona
susjeda. Kad se ostvaruje kovalentna veza između različitih atoma, elektroni mogu biti podijeljeni
nejednako, jer su joni nejednaki i različito privlače elektrone. Veza onda nije čisto kovalentna, već
ima i jonski karakter, jer zajednički elektroni provode više vremena bliže jednom od jona i takva veza
se zove polarna veza. Kod mnogih III-V i II-VI materijala imamo takvu vezu. (Npr. GaAs- elektroni
provode više vremena bliže jona nego ).
Keramički materijali su spojevi metalnih i nemetalnih atoma. Oni su poznati po svojoj tvrdoći,
krhkosti, visokim temperaturama topljenja, električnim izzolatorskim osobinama. Veza u keramičkim
materijalia može biti kovalentna, jonska ili miješana. Silikon-nitrid ( ) – kovalentna veza,
magnezijum-oksid (MgO) – jonska, aloksid/boksit/aluminijum-oksid ( - mješana.
Iz načina nastajanja i tipa veza među atomima materijala, proističu fizičke i hemijske osobine
materijala. Veza između atoma koji se nalaze dovoljno blizu jedan drugog, nastaje uspostavljanjem
ravnoteže odbojnih i privlačnih sila izmeđi njih. Rastojanje među geometrijskim centrima tih atoma
nazivamo međuatomsko rastojanje. Rezultantna sila kojom jedan atom djeluje na drugi dana je
izrazom
r- međuatomsko rastojanje
A, B – konstante koje zavise od strukture atoma
Kada se 2 atoma A i B nađu dovoljno blizu jedan drugog uspostavit će se ona vrsta veze koja
oslobađa najveću količinu energije pri uspostavljanju. Mnoga fizičko-mehanička svojstva tehničkih
materijala mogu se obasniti prirodom hemijske veze u materijalu.
1.3. AGREGATNA STANJA MATERIJE
Sva materija se javlja u 4 oblika: čvrsto, tečno, gasovito i plazma. Svako od ovih stanja je
okarakterisano određenim stepenom unutrašnje uređenosti, ali uvijek je zadovoljen uslov da je
stabilno stanje nekog sistema ono kod kojeg je potencijalna energija minimalna. Pošto nas interesuju
materijali kao skupine atoma, mi ćemo samo napomenuti da postoje tri nivoa atomskog uređenja: 1)
uređenje na dugim rastojanjima (rastojanje dugog dosega – long range order) ; 2) uređenje kratkog
dosega – short range order; 3) stanje nereda.
1) Uređenje dugog dosega- kristali (metali, poluprovodnici i polimeri)
2) Uređenje kratkog dosega- (atomsko uređenje seže do susjednih atoma koji su u vezi - )
3) Stanje nereda- atomi slučajno popunjavaju prostor (plemeniti gasovi). Što je veće stanje atomske
uređenosti, veća je gustina materijala, a razlika u gustini materije dovodi do pojave 3 agregatna
stanja:
a) Čvrsto agregatno stanje: međuatomske i međumolekulske sile su tako jake da materija pruža otpor
promjeni oblika i zapremnine. Struktura čvrstih tijela je tačno određena tako da atomi samo
osciluju oko ravnotežnih polođaja. Pri tome im je prosječna energija jako mala (reda eV).
b) Tečno agregatno stanje: velika pokretljivost molekula odgovorna za promjenu oblika tečnosti, jer
je srednja energija čestica eV. Međumolekulske sile dovode do formiranja labavo vezanih
skupina molekula.
c) Gasovito agregatno stanje: međuatomske i međumoekulske sile su tako slabe da gasovi
popunjavaju čitav prostor u kojemmu se nalaze, molekule se kreću haotično, jer su srednje
energije čestice eV.
Pri provođenju energije gasovima (npr. zagrijavanje) srednja energija čestica raste i kad dosegne
eV dolazi do pojave novog stanja materije tzv. plazme. 90% materije u ovom stanju nalazi se
u vasioni/univerzumu/svemiru.
1.3.1. Čvrsto agregatno stanje
Čvrsta tijela se pojavljuju u kristalnom i amorfnom stanju. Kristalno čvrsto tijelo predstavlja mnoštvo
od atoma po cm³ raspoređenih u tri dimenzije na pravilan način, tako da kažemo da su kristali
trodimenzionalni periodični nizovi atoma.
(Eksperimentalna potvrda: 1912. godine Lane, Kniping i Fridrih objavljuju prvi rad o difrakciji x-
zraka na kristalima što potvrđuje da su kristali periodični nizovi atoma). Glavna odlika kristala je
periodičnost što vodi do uređenja dugog dosega- long range order.
Jedan idealan kristal nastaje beskonačnim ponavljanjem u prostoru identičnih strukturnih elemenata u
obliku paralelopipeda. U nejjednostavnijim kristalima (Cu, Au, Ag) strukturni motiv je jedan atom, a
u neorganskim kristalia ( ) i do atoma. Ako se pravilan poredak proteže kroz cijeli volumen
tijela, onda je to monokristal.
Ako se regularna struktura dešava samo u dijelovima tijela koji su spojeni u jedno čvrsto tijelo, onda
te dijelove gdje imamo pravilan poredak nazivamo kristalići ili zrna. Takvo tijelo kod kojih se
pravilan poredak prekida u granicama zrna zovemo polikristali.
Ako je pravilan poredak (regularnost) reducira na veličinu elementarne ćelije, periodičnost je nestala i
materijal zovemo amorfnim.
Od posebnog interesa su materijali kod kojih pravilan poredak imamo samo u dvije ili jednoj
dimenziji i to su tečni kristali.
Strukturu idealnog kristala možemo opisati pomoću jedne prostorno periodične rešetke i grupe atoma
koje se pridružuje svakom čvoru rešetke. Ova grupa atoma ili atom naziva se strukturni motiv.
Kristalna struktura= rešetka + strukturni motiv
Prostorna rešetka (space lattice) je matematička apstrakcija i definisana je kao sistem pravilno-
periodično raspoređenih tačaka (čvorova) u prostoru tako da je raspored atoma posmatran iz bilo koje
tačke isti kao i iz tačke .
Strukturu idealnog kristala možemo opisati pomoću jedne prostorno periodične rešetke i grupe atoma koje
se pridružuju svakom čvoru rešetke. Ova grupa atoma ili atom naziva se strukturni motiv.
Kristalna struktura = rešetka + strukturni motiv
Prosktorna rešetka (space lattice) je matematička apstrakcija ????? je kao sistem pravilno-periodično
raspoređenih tačaka (čvorova) u prostoru tako da je raspored atoma posmatran iz bilo koje tačke isti
kao iz tačke !
n1, n2, n3 proizvoljni cijeli brojevi, a osnovni vektori translacije.
Kristalna struktura se dobije kada se svakom čvorištu rešetke pridruži strukturni motiv koji se
sastoji od jednog ili više atoma.
Budući da kristal nastaje periodičnim ponavljanjem malog volumena atoma (ćelije) u tri dimenzije,
korisno je definisati jedinicu koja se ponavlja, tako da se osobine kristala mogu opisati preko te jedinice.
Jedinična ćelija (unit cell) ili elementarna ćelija je najpogodnije izabrana ćelija u kristalnoj
strukturi koja nosi osobine kristala.
Elementarna ćelija može poprimiti cio prostor kristala kad se na nju primjene pogodne operacije
translacije. Mi je predstavljamo kao paralelopiped na stranicama a, b, c i uglovima α,β,γ (kao na Fig
1.37.) zovemo ih parametri rešetke. Dužina ruba elementarne ćelije zove se konstanta rešetke (lattice
constant), a zapremina se računa kao
Rešetke kristala se mogu dovesti do položaja u kome se preklapaju same sa sobom pomoću translacije,
rotacije, operacije ogledanja i njihovom kombinacijom. Sve ove operacije se zovu operacije simetrije. U
zavisnosti od invarijantnosti rešetke na tip operacije simetrije postoje različiti tipovi rešetki koje se
zovu Braveove rešetke. Postoji pet tipova Braveovih rešetaka u dvije dimenzije (kosougla i četiri
specijalna tipa) i četrnaest tipova
trodimenzionalnih rešetki svrstanih u sedam sistema u saglasnosti sa sedam tipova konvencionalnih
ćelija (elementarnih) .
Osnovne osobine elementarne ćelije su parametri rešetke (a,b,c;α,β,γ), broj atoma po jedinićnoj ćeliji,
broj atoma po jediničnoj ćeliji, koordinacioni broj, faktor pakovanja , gustina materijala, veza
između atomskog radijusa i parametara rešetke.
Broj atoma po elementarnoj ćeliji je broj atoma koji pripadaju toj ćeliji uzmajući u obzir da li je neki
atom u ćeliji zajednički i susjedima.
Koordinacioni broj je broj susjednih atoma koji dodiruju centralni atom.
Za određivanje veze između atomskog radijusa i parametara rešetke posmatra se pravac u
elementarne ćelije gdje se atomi dodiruju i onda se odredi broj atoma na dužini posmatanog pravca i
izrazi preko parametara rešetke.
Faktor pakovanja je dio zapremine elementarne ćelije koji zauzimaju atomi predstavljeni u obliku
čvrstih sfera. On se računa tako što se broj atoma u jediničnoj ćeliji pomnoži zapreminom atoma i
dobijeni rezultat podjeli zapreminom jedinične ćelije.
Gustina materijala u kristalnom stanju može se izračunati tako da se pomnoži broj atoma u
elementarnoj ćeliji sa atomskom masom i dobijeni rezultat podjeli proizvodom zapremine elementarne
ćelije i Avogadrovog broja.
1.3.1.3 Položaj i orjentacija ravni u kristalima
Miller Indices
Primjećeno je da u kristalima mnoge veličine kao što su : modul elastičnosti, električni otpor, magnetska
susceptibilnost i sl. Zavise od pravca u kristalu i ta osobina nazova se anizotropija.
Zbog toga je važno znati položaj atoma u kristalnoj rešetki, pravac i položaj u kristalu, ravni u kojima
leže atomi (kristalne ravni).
Za to je uvedena jedinstvena kristalografska metoda za određivanje položaja atoma, pravca i atomskih
ravni elementarne ćelije.
Položaj čvorova u elementarnoj ćeliji određuje se koordinatama atoma u,v,w gdje svaka od koordinata
predstavlja dio dužine a,b,c odgovarajuće koordinatne ose, koordinatni početak se bira u nekom od
vrhova elementarne ćelije, ali najčešće da dobijemo desni koordinatni sistem. (Fig 1.39 i Fig 1.40)
[u,v,w] .
Položaj i orjentacije kristalografske ravni mogu se odrediti sa bilo koja tri čvora u ravni pod uslovom da
ovi čvorovi ne leže na jednoj pravoj. (Fig 1.40)
Za strukturnu analizu koristi se notacija koja se zove Millerovi indeksi, a postupak je slijedeći:
1.Izraziti dužinu odsječaka koje ravan odsjeca na osama : .
2. Uzeti recipročne vrijednosti ovih brojeva, redukovati ih na cijele brojeve (obično tri najmanja vijela
broja) koji ostaju u istoj složnoj proporciji. Ovi cijeli brojevi se stavljaju u malu zagradu (h k l) bez
zareza i označavaju orjentaciju kristalne ravni.
Ako ravan odsjeca osu na negativnom dijelu iznad indeksa se stavlja crta ( l ). Skup II ravni obilježava
se sa {h k l}.
Indeksi nekog pravca u kristalu predstavljaju se uglastim zagradama [h k l ] i u kubičnom kristalu
pravac [h k l ] je uvijek u pravcu na ravninu (h k l) sa istim indeksima. Uopšteno ovo nije tačno za ostale
kristalne sisteme.
Pravac (smijer) je određen indeksima prvog čvora kroz koji on prolazi npr.: x-osa [1 0 0]; y-osa [0 1 0];
z-osa [ 1]. Pošto je izbor x,y,z proizvoljan onda su indeksi pravca ekvivalentni [1 ] i [ 1 ] .
Obično se svih šest smijerova u kubičnom kristalu (Fig. 1.39) koji su ekvivalentni obilježava kao familija
pravaca <100> to su [1 0 0], [0 1 0], [0 0 1], [ 0 0], [0 0], [0 0 ].
Za istraživanje strukture kristala koristi se difrakcija X-zraci jer se radi o talasima čije su talasne dužine
uporedive sa međuatomskim rastojanjima (1 -8 cm) u kristalima. Talasi veće talasne dužine ne može
razlučiti detalje strukture, a manjih λ difraktuje (prelama se) pod nepovoljno malim uglovima.
Idealan kristal na temperaturi apsulutne nule je tjelo sa pravilnim rasporedom atoma po čitavoj zapremini
uzrokovani velikim silama interakcije između atoma. Svako odstupanje od pravilnog rasporeda atoma
nazivamo defektom kristalne strukture. U realnim kristalima defekti su uvijek prisutni i veoma utiču
na mnoge osobine čvrstih tjela kao što su : mehaničke osobine, električna vodljivost, fotovodljivost, boja
kristala, luminisencija itd. Zbog toga proučavanje defekta u čvrstim tjelima ima za cilj upoznavanje
uticaja defekta na fizičko hemijske osobine materijala. Svi defekti koji se javljaju u realnim kristalima
mogu se klasificirati na nekoliko načina, a najpoznatiji su: Van Buerenov, Seitzov i Pickov.
Po Van Buerenovoj klasifikaciji defekti se djele prema dimenzijama u četiri grupe:
a) Nultodimenzionalni ili tučkasti defekti (vakaucije, interrakcije, dilvakcije, kompleksi vakaucija,
kolor elementi i klasteri)
b) Jednodimenzionalni ili linijski defekti (ivična i zavojna dislokacija)
c) Dvodimenzionalni ili površinski defekti (površina kristala, granica zrna, granica između dvije
faze, mozaični zid, granica između dva sraslaca i defekat pakovanja)
d) Trodimenzionalni ili zapreminski defekti (nagomilane primjese i uključuje druge faze)
Pojava zapreminskih defekata narušava monokristaličnost uzorka, zbog izdvanjanja druge faze, pa se
ustvari radi o prelazu u drugo stanje. Lininijski i površinski defekti nastaju pri formiranju kristala
mehaničkim deformacijama ili termičkim tretmanom i imaju znatan utjecaj na mehaničke i električne
osobine materijala. Ovi defekti su metastabilne tvorevine. Za razliku od tačkastih defekata koji mogu biti
prisutni u kristalu i u stanju termodinamičke ravnoteže.
a) Tačkasti defekti
Tačkasti defekti predstavljaju odstupanje od pravilnog rasporeda atoma u kristalu, koje obuhvata najviše
nekoliko međuatomskih rastojanja. Tačkaste defekte obično dijelimo na primjesne i strukturne defekte.
Primjesni tačkasti defekti se djele na supstitucione i intersticione primjese. Supstitucione primjese
zauzimaju mjesto matičnog atoma u rešetki, a intersticione primjese zauzimaju mjesto u međučvorištima.
(Sl. Fig 1.44)
Generalno, atom primjesa ima različite dimenzije i valuciju od matičnog atoma (npr. As u Si ima veći
radius od atoma Si) što dovodi pomjeranje okolnih atoma i sada kažemo da je došlo do distorzije kristalne
rešetke uslijed tačkastog defekta. Obrnuto za C u Fe kristalu (BCC). Primjesni defekti igraju veliku ulogu
na osobine materijala, pogotovo kod poluprovodnika i o tome ćemo govoriti kasnije.
Strukturni tačkasti defekti u kristalima su vakaucije i intersticije. Vakaucija je objekat prouzrokovan
premještanjem atoma iz normalnih položaja u čvorištu rešetke i neki drugi položaj u kristalu ili na
njegovoj površini. Ako je atom premješten iz čvorišta u neki položaj na površini kristala onda se takav
defekat (vakaucija) naziva Schottky-ev defekat. Premještanje atoma na površinu kristala uzrokuje
povećanje zapremine kristala, pa se proces obrazovanja?? Shottkly-evog defekta može posmatrati kao
proces „rastvaranja“ vakuma u kristalu. Iz molekuralno kinetičke treorije znamo da svi atomi osciliraju
oko svog ravnotežnog položaja i da se na njih može primjeniti Boltzmanova statistika. Na svim
temperaturama iznad apsulutne nule, neki od atoma mogu imati dovoljno energije da raskinu veze sa
susjednim atomima i otići na površinu. Ako sa Ev obilježimo srednju energiju potrebnu za kreiranje
ovakve vakaucije, onda će od ukupnog broja atoma / cm3 u kristalu samo dio (e-Ev/kT) imati dovoljno
energije da kreira vakauciju. Tako da je broj vakaucija na jedinicu zapremine (koncentracija)
nv=Ne-Ev/kT .
Volumen vakaucije je manji od volumena nedostajućeg atoma, jer dolazi do distorzije kristalne rešetke za
nekoliko atomskih dimenzija. (Fig 1.45)
Ako atom koji napusti čvorište zauzme neki međučvorišni položaj, onda takav par (intersticija-vakaucija)
zovemo Frenkelov defekat. Koncentracija Frenkelovih defekata može se izračunati za (n I<<N, N') po
formuli:
nv= .
gdje je N' broj intersticijskih položaja/ cm3 a EI energija potrebna da da se jedan atom premjesti u neki
položaj između atoma (intersticijski položaj ).
Strukturni tačkasti defekti imaju velikog uticaja na procese difuzije i samo difuzije u materijalima.
b) Linijski defekti
Linijski defekti se zovu dislokacije i dva osnovna tipa su ivična i zavojna (spiralna) dislokacija. (Fig.1.46.
i Fig 1.47) Kod ivične dislokacije atomi iznad dislokacije su gurnuti jedan prema drugom, dok su ispod
gurnuti jedan od drugog, tako se javlja slabljenje iznad i istezanje ispod dislokacione linije. Zbog toga se
javlja polje naprezanja. Energija potrebna za formiranje dislokacije je reda veličine 1 eV po mm, dok je
za tačkasti defekat nekoliko eV. Formiranje dislokacije se događa zbog mehaničkog i termičkog stresa.
Dislokacije su vrlo nestabilne pa kod mnogih metala plastična deformacija zavisi jako od prisustva i
kretanja dislokacija. Prisustvo dislokacije povećava električni otpor materijala, uzrokuje struju curenja u
pn spoju izaziva (noise) smetnje u različitim poluprovodničkim materijama.
c) Površinski defekti
Površinski defekti su naj češće granice zrna, površina kristala granica između dvije faze, granica između
dva sraslaca itd.
Mikrostruktura mnogih materijala sastoji se od zrna. Zrna mogu imati istu kristalnu strukturu ali različitu
orijentacijsku granicu zrna je površina koja razdvaja pojedinačna zrna u polikristalnom agregatnom
stanju. Granici zrna pripadaju i atomi iz uske zone zrna koji nisu pravilno raspodeđeni i zbog toga nastaje
lokalno polje naprezanja pa atomi na granici zrna imaju povećanu energiju. (Fig. 1.51) Zbog povećane
energije ovi atomi mogu lakše da difunduju duž granice zrna od onih u unutrašnjosti. U mnogim
materijalima primjese imaju tendenciju skupljanja na granici zrna i zbog toga ovo je područje
neregularno. Pošto je energija atoma u ovom području veća ovi defekti su neravnotežni defekti i sa
povećanjem temperature vrlo brzo se smanjuju i izčezavaju. Obično se različitim termičkim tretmanima
mehaničke osobine materijala mogu kontrolisati zavisno od prisustva ovih defekata. Za direktno inženjere
je važno da kod polikristalnih materijala kao što su Si ili drugi poluprovodnički materijali otpod zavisi od
veličine zrna u materijalu tj.od različite granice zrna. Kada se kristalna rešetka naglo prekine na površini
tjela atomi na površini ne mogu popuniti sve svoje veze (sl.Fig.1.52) tako da se viseće veze mogu biti
lahko popunjene vezivanjem sa atomima okoline, tada kažemo da su okolni atomi apsorbovani na
površinu, što utiče na ponašanje površine kao drukčijeg područja u kristalu i sada se mjenja vodljivost
ovog djela kristala. Uticaj površine može biti vrlo veliki kod tankih kristala (1 ηm) i to se upravo
koristi kod poluprovodničkih mikro uređaja kao što su FET i MOSFET. Kod večine uređaja uticaj
površine se nastoji umanjiti a to se radi tzv. pasivizacijom, tako što se površina prvo ----- a onda prekriva
slojem oksida (npr. za Si to je SiO2). Kao posebne vrste defekata kristalne strukture su tzv.
nestehiometrijski kristali. Kod stehiometrijskih kristala broj atoma pojedinih elemenata odgovara
hemijskoj formuli (npr. CaF2 – dva atoma F se vežu sa jednim atomom Ca ili ZnO jedan Zn++ i jedan O- -)
i kristal je neutralan kod nestehiometrijskih to nije slučaj. Npr. Moguć je nestehiometrijski ZnO kod
kojeg imamo višak cinka koji se smješta u intersticijske položaje jer su joni Zn++ manji od jona O- -. Ovi
joni i mobilni elektroni unutar kristala mogu doprinjeti vodljivosti kristala. (Fig. 1.54) Za dobivanje
kristalnih tjela pogotovo monokristala postoji više dobro razvijenih metoda, a najpoznatija je i najviše se
koristi za dobivanje velikih kristala (prečnika 15-1 cm i dužine do 2m), metoda Birdman-Czochralski
ovom metodom se dobivaju veliki monokristali što je moguće manje koncentracije primjesa i defekta
koristeći rast kristala iz otopine uz pomoć kondenzacije na početnom pristalu koji se zove sjeme (seed
crystal). O tehnikama rasta i dobijanju epitaksijalnih slojeva govorit ćemo u djelu koji se odnosi na
poluprovodnike.
1.3.1.7. POLIMERI
Zahvaljujući svojim osobinama kao što su sposobnost da pretrpe veliku deformaciju, mala električna i
termička vodljivost, dobra otpornost na hemikalije, veliki koeficijent termičkog širenja, laka proizvodnja i
relativno mala cijena, polimeri sve više zamjenjuju metalne komponente u različitim uređajima.
Prvi polimeri su napravljeni iz prirodnih organskih materijala (npr. celuloze). Tako je napravljen
celulozni acetat od kojeg se izrađuju fotografski filmovi, tekstilna vlakna ili celulozni nitrat od kojeg se
pravi plastika, eksplozivi i sintetička vlakna. Prvi sintetički polimer je bio fenel-formaldehid, napravljen
1906 god. i nazvan je Bakelit (po L.H.Bacheland-u 1863-1944). Razvoj moderne tehnologije za
proizvodnju plastike počeo je 192 god. sa materijalima dobivenim iz uglja ili nafte. Etilen je prvi
strukturni blok za izradu poletilena kojeg zovemo sintetički organski polimeri. Mnogi materijali iz ove
grupe su razvijani tokom godina a među najpoznatijim su ojačane plastike tj. kompozitni materijali.
Po strukturi plastike su napravljene od molekula polimera koji predstavljaju duge lance identičnih
atomskih grupa povezanih hemijskim vezama. Ovakve molekule se često nazivaju makro-molekulama ili
gigantske molekule. Te atomske grupe koje se ponavljaju su bazični strukturni blokovi (mer- grč. Meros
znači najmanja ponavljajuća jedinica kao unis cell u kristalima i zovu se monomeri. Većina monomera su
organski molekuli u kojima je ugljik kovalentnim vezama spojen sa atomima H, O, N, F, Cl, Si i S.
Proces nastajanja polimera nazivamo polimerizacija i to je veoma složen proces, pa ćemo ga ovdje opisati
ukratko. U ovoj reakciji dolazi do raskidanja dvostruke veze među atomima C i pregrupisavanja molekule
linearno. Premda postoji mnogo varijacija, dva osnovna procesa u toku polimerizacije su kondenzacija i
dodatna polinerizacija. U kondenzaciji veze između molekula se formiraju uz primjenu toplote i pritiska i
dodavanjem katalizatora i inicijatora. Ovaj proces je poznat kao (step-growth) jer polimerne molekule
rastu korak po korak. U dodatnoj polimerizaciji tahoete poznatoj kao (charm-growth) rast-draž dolazi do
spontanog vezivanja molekula u dugačke lance bez učešća sporednih produkata (kao što su voda itd.) i to
se događa za nekoliko sekundi.
Jedan od najznačajnijih parametara polimera je njihova molekularna masa M koja je jednaka:
M=p
Gdje je p-stepen polimerizacije, a -molekularna masa ponavljanja jedinice (monomera).
Ako je p malo onda se supstanca zove oligomer, za p=2 to je dimer, za p=3 trimer itd. Vrijednost stepena
polimerzacije je do 104 a mol. masa višeg polimera je reda veličine 1 6.
Polimeri su najčešće u amorfnom stanju ali mogu biti i kristali i u mješovitoj formi.
Polimeri se prema strukturi mogu podijeliti na linearne, razgranate i umrežene.
Linearni polimeri imaju duge lance sastavljene od velikog broja ponavljajućih jedinica npr.
Razgranati polimeri imaju pored glavnog lanca i bočne lance privezane za glavni lanac:
- - - A - A - A - A - A - A- - -
| |
B B
| | Npr. polimetil metakrilat
B B
| |
Umreženi polimeri imaju trodimenzionalnu prostornu mrežu stvorenu hemijskim vezama i prema načinu
uređenja dijele se na regularne i stohastičke.
Veze unutar lanaca su kovalentne veze i to su primarne veze, a veze između različitih lanaca su
sekundarne veze tj. najčešće Van der Waalsova veza ili vodikova veza i to su slabije veze.
Mehaničke i fizičke osobine polimera veoma zavise od stepena kristaličnosti. Kako on raste polimeri
postaju tvrđi, manje istezljivi, gušći i otporniji na toplotu i rastvarače. Optičke osobine takođe zavise od
kristaličnosti jer indeks prelamanja zavisi od gustine (veća gustina manje propuštanje svjetlosti). Amorfni
polimeri mogu biti potpuno transparentni npr. akril. Upoređujući ih sa metalnim polimerima
imaju manju termičku i električnu vodljivost, malu specifičnu težinu, veliki koeficijent termičkog širenja.
Većina polimera su izolatori pa se koriste za pakovanje elektronskih komponenti.
(vrijedi za stacionarno strujanje to je kada vektor brzine u svakoj tački prostora ostaje konstantan onda i
svaka čestica prolazeći kroz tu tačku ima istu brzinu )
Bernoulijeva jednačina:
ƍ
ƍ .
- hidrodinamički pritisak
Ako jednačine podijelimo sa ƍ, svaki član će imati dimenziju energije jedinice mase, pa Bernoulijeva
jednačina kaže da je ukupna energija idealne tečnosti po jedinici mase, pri stacionarnom kretanju na svim
mjestima u tečnosti konstantna.
Još jedna važna osobina tečnosti je pojava površinskog napona koja je uslovljena nesimetričnim dejstvom
Van der Waalovih sila u blizini slobodne površine tečnosti. Uslijed toga tečnost (kapljice) nastoji da
zauzme položaj u kojem je slobodna površina minimalna i zbog toga površina tečnosti izgleda kao
zategnuta membrana.
Površinski napon definišemo kao silu po jedinici dužine površine potrebnu za odvajanje nekog tijela, koje
pliva, od površine tečnosti.
Male promjene spoljašnjih utjecaja izazivaju značajnu promjenu osobina ovih kristala (npr. apsorpcije
boje, refleksije, optičke polarizacije indeksa prelamanja). Posebno su
interesantni nematski kristali koji služe kao numerički displeji u kalkulatorima. Holesterički tečni kristali
mijenjaju boju sa temperaturom pa služe za mjerenje temperature.
A empirijska jednačina:
= .
U praksi se pokazalo da se pri niskim pritiscima i uobičajenim temperaturama stanje mnogih gasova (H,
O, N) može dobro opisati jednačina stanja idealnog gasa:
Međutim pri povećanju pritiska dolazi do značajnih odstupanja od ovakvih ponašanja jer kod velike
kompresije molekuli se približavaju pa ukupna zapremina molekula nije zanemariva u odnosu na prostor
u kojem se nalaze (tj. zapremina gasa). Zbog toga dolazi do češćeg sudara molekula i povečanja pritiska,
a takođe dolaze do izraza i uzajamne privlačne sile koje utiču na smanjenje zapremine. Na osnovu ovih
činjenica Van der Waals je izvršio korekcije jednačina idealnog gasa:
a,b – konstante
1.3.4. PLAZMA
Plazma (termin upotrebljen prvi put 1929 god.) često se smatra četvrtim agregatnim stanjem. Ovo stanje
se razlikuje od običnog gasa po tome što se jedan dio čestica nalazi u jonizovanom stanju. (Jonizacija –
proces udaljavanja elektrona iz atoma). Dovođenjem energije gasa povećava se kinetička energija čestica
i prilikom njihovih sudara dolazi do razmjene energije između čestica i do jonizacije. Kako je energija
jonizacije za većinu atoma oko 1 eV, što odgovara srednjoj termičkoj energiji kretanja gasa na
temperaturi oko 116 K. Uporedno s procesom termičke jonizacije odvija se i proces rekombinacije
(zahvata elektrone od jona i formiranje jednog neutralnog atoma) i ta dva procesa su u stanju dinamičke
ravnoteže (broj jonizacija=broj rekombinacija).
Plazmu možemo zamisliti kao gas na visokoj temperaturi sa jonizovanim atomima i elektronima, koji se
haotično kreću i sudaraju, pri čemu su brzine kretanja i energije sudara znatno veće od onih kod
neutralnog gasa. Pošto čestice plazme nisu neutralne javlja se i mikroskopsko elektromahnetno polje koje
se mijenja od tačke do tačke i u vremenu, i određeno je položajima i brzinama svih čestica. Zbog
postojanja ovog polja smatra se da svaka čestica reaguje sa svim ostalim česticama u sistemu i to se zove
kolektivna interakcija. Ono što je karakteristično za gasnu plazmu je činjenica da je kod nje kolektivna
interakcija prouzrokovana Kulonovim silama ( , FALI OVDJE ZA VAN DER WAALSA i
nuklearne sile čiji je domet<10-14m) koje su sile dugog dometa, pa se ona osjeća i pri maloj potencijalnoj
jonizaciji. Plazma je u Svemiru dominantno agregatno stanje i smatra se da se 90% cjelokupne materije u
Vasioni nalazi u obliku plazme.
U zemaljskim uslovima plazma se javlja u jonosferi, sjeverna polarna svjetlost, munje. U gornjem sloju
atmosfere (jonosfera) postoje oblasti ispunjene plazmom, koja nastaje fotojonizacijom razrijeđenih
gasova gornje atmosfere UV zračenjem sa Sunca. Zvjezdana plazma
je velike gustine i uzrokovana je jakim gravitacionim poljem i visokom temperaturom koja može dostići i
nekoliko stotina miliona stepeni. Međuzvjezdana plazma je male gustine i na niskim temperaturama ali u
vrlo jakim magnetnim poljima.
Formiranje plazme posredstvom samo termalne jonizacije u laboratorijiskim uslovima je praktično
neizvodljivo. Za jonizaciju se koriste drugi mehanizmi (eksitacija, fotojonizacija, zahvat elektrona i
izmjena naelektrisanja) koji impliciraju neelastične sudare atoma gasa sa elektronima ili fotonima visokih
energija.
2. Neelektrične osobine materijala
U ovom poglavlju ćemo govoriti o neelktričnim osobinama materijala o kojima moramo voditi računa pri
konstrukciji i izradi električnih uređaja. Ta svojstva se dijele na: mehanička, termička i hemijska.
Pri proizvodnji uređaja jedna od najvažnijih grupa procesa je plastična deformacija, tj. oblikovanje
materijala pomoću primjene sile na različite načine. Zbog toga je važno poznavati osnovne aspekte
mehaničkog ponašanja materijala pri deformisanju i zato ćemo prvi dio ovog poglavlja posvetiti upravo
tim problemima.
gdje je Fn normalna komponenta sile koja djeluje na površinu tijela So (poprečni presjek površine So), a
je relativna deformacija (nominal strain) pri izduženju (sabijanju).
Naponi su tenzorske veličine (matrice sa devet komponenti).
Ako sila djeluje tangencijalno na površinu onda govorimo o deformaciji smicanja ili naprezanje na
smicanje (shear strain) pod uticajem napona na smicanje . .
Kada god je tijelo podvrgnuto naponu (istezanju, kompresiji ili smicanju) govorimo o naprezanju (strain –
to je stepen deformacije tijela).
Ako je tijelo pod uticajem sile pretrpjelo trajnu promjenu oblika onda je to plastična deformacija, a ako se
po prestanku djelovanja sile vrati u prvobitni oblik onda je to elastična deformacija. Kada je deformacija
proporcionalna opterećenju onda govorimo o lineranoj deformaciji i tada vrijedi Hukov zakon koji kaže
da je do granice proporcionalnosti: napon = E ∙ relativna deformacija, gdje je E modul elastičnosti
materijala. Granica proporcionalnosti se nalazi ispod granice elastičnosti. To znači ako povećavamo
napon tijelo će se i dalje deformisati elastično (ali sada ne više linearno) do granice elastičnosti (kada
nastaje trajna deformacija).
Za elastičnu deformaciju dužine (istezanje ili sabijanje) što je najčešće kod žica, šipki, štapova, Hukov
zakon bi glasio:
ili
Ey je modul elastičnosti pri istezanju ili Jangov modul elastičnosti. Recipročna vrijednost se naziva
koeficijent elastičnosti . Izduženje primjerka prouzrokuje kontrakciju poprečne dimenzije.
Apsolutna vrijednost količnika poprečnog naprezanja (lateral strain) i longitudinalnog naprezanja se zove
Poasonov količnik.
Zapreminska deformacija tijela se javlja onda kada je tijelo izloženo dejstvu normalne sile podjednako sa
svih strana (npr. uronjeno u tečnost). Ako je tijelo oblika kocke onda je :
, je koeficijent kompresibilnosti
, y je koeficijent viskoznosti
Za razliku od klasičnih fluida neorganska stakla ili termoplastični polimeri mogu podnijeti velike
viskozne deformacije iznad određene temperature. Ovi materijali imaju otpornost na smicanje:
Ovi materijali mogu podnijeti veći spoljašnji pritisak zbog postojanja jakih međumolekularnih veza, koje
dovode do smanjenog kretanja molekula. Iznad prelazne temperature dolazi do kontinualnog kretanja
grupa atoma. Kod amorfnih materijala je zbog toga odziv na spoljašnji pritisak sporiji od fluida i imaju
veću viskoznost koja zavisi od brzine deformacije. Npr. asfalt će se ponašati elastično za brze deformacije
i viskozno ako su one spore.
Prije upotrebe materijala u inženjerskoj praksi nije dovoljno znati samo zakonitosti ponašanja materijala
pod djelovanjem sile, već je potrebno izvršiti i mehanička ispitivanja da bi se odredili parameti i na
osnovu toga donijela odluka o izboru materijala za konkretnu primjenu. Ti mehanički parametri se
određuju eksperimentalno standardizovanim metodama.
b) Ispitivanje pritiskom
c) Ispitivanje savijanjem
Krti materijali se obično ispituju savijanjem jerje lahko napraviti uzorak za ispitivanje koji je u obliku
dugačke pločice.
Čvrstoća na savijanje se računa po formuli:
e) Ispitivanje tvrdoće:
Tvrdoća je otpor kojim se materijal suprostavlja prodoru drugog tvrđeg tijela. Za isptivanje tvrdoće koristi
se više metoda, koje se razlikuju po obliku i materijalu utiskivača i po vrijednosti sile utiskivanja.
Najpoznazije metode su Berinelova, Vikersova i Rokvelova.
f) Ispitivanje udarom
Ova metoda se koristi za procijenjivanje krutosti materijala izloženog udarnom opterećenju. Ovim
ispitivanje određuje se sposobnost materijala da apsorbuje izvjesnu količinu energije prije nego što dođe
do loma. Najpoznatija metoda ispitivanja udarom je Šarpijeva metoda.
g) Ispitivanje zamaranjem
Zamor materijala je postepeno razaranje materijala usljed djelovanja periodičnog opterećenja. Zamor
materijala počinje lokalno na najopterećenijem mjestu, na kojem dolazi do plastične deformacije i pri
ponavljanju opterećenja na tom mjestu se javljaju naprsline i na kraju do preloma. Pri isptivanju
zamaranjem, uzorak se izlaže kombinovanim naprezanjima (savijanje, zatezanje, uvijanje) dok ne dođe do
loma i određujese dinamička izdržljivost δN iz dijagrama na koji se nanosi zbir srednjeg napona i
amplitude napona pri kojim je uzorak N ciklusa opterećenja do loma, a na x-osu broj ciklusa.
h) Ispitivanje na puzanje
Puzanje je zavistnost deformacije materijala od vremena trajanja statičkog opterećenja. Isptivanje se vrši
opterećivanjem uzoraka konstantnom zateznom silom na određenoj temperaturi i mjeri se promjena
dužine u funkciji vremena. Čvrstoća na puzanje je napon koji za 1 do 1 sati izazove
deformaciju od 0.1% do 1%.
gdje je c-specifična toplina, a m·ᴄ=C– toplotni kapacitet tijela (c u nazivniku je veliko 'C', treba ga
razlikovati od ovog 'C' sa lijeve strane jednakosti!!!) pa se zove i specifični toplotni kapacitet.
t[°F]= [°C] + 32
Iz iskustva znamo da se toplota prenosti sa jednog tijela na drugo i to uvijek sa toplijeg tijela na hladnije.
Toplota se može prenositi provođenjem(kondukcijom), strujanjem(konvekcijom) i
zračenjem(radijacijom). Ona tijela koja brzo prenose toplotu zovemo dobri provodnici, a ona koja sporo
prenose toplotu lošim provodnicima ili izolatorima.
Kondukcija – prenošenje toplote sa toplijeg kraja tijela na hladniji bez njihovog kretanja. Npr. metalni
štap koji zagrijavamo na jednom kraju, aplitude vribracija atoma u rešetki postaju veće kao i srednja(?)
kinetička energija u tom području. Energija se prenosi prilikom sudara elektrona sa atomima rešetke.
Brzina prenošenja toplote kroz materijal data je Fourierovim zakonom:
Konvekcija je način prenošenja toplote putem strujanja ili kretanja nekog fluida. Strujanjem se prenose
molekuli sa toplijeg mjesta na hladnije a sa njima i toplota.
Zračenje- toplota se prenosti putem EMT(el. magn. Talasa). Toplota prvo prelazi u energiju zračenja koja
se brzinom svjetlosti prenosi do tijela u kojem se apsorbuje i ponovo prelazi u toplotnu energiju. Plankov
zakon zračenja i ostali rađeni u fizici
Većina tijela pri povećanju temperature mijenja svoje dimenzije i to tako da je promjena dimenzija
direktno proporcionalna promjeni temperature.
U tijelima se javljaju termička naprezanja u svim pravcima i mogu nastati i pri hlađenju. Ovi naponi
mogu biti tako veliki da prouzrokuju trajnu deformaciju i pucanje materijala i zbog toga se moraju uzeti u
obzir pri projektovanju za uslove najveće moguće promjene temperature pri eksploataciji.
b) Promjene agregatnog stanja i fazni prelazi
Prilikom dovođenja ili odvođenja toplote može se dogoditi da tijelo promijeni agregatno stanje u kojem
se nalazilo.
Ako čvrstom tijelu dovodimo toplotu molekule tog tijela se sve više razmiču jer im se zbog povećanja
energije povećavaju amplitude oscilovanja oko ravnotežnog položaja i na određenoj temperaturi toliko se
udaljuju da ih među molekularne sile više ne vraćaju u prvobitne položaje. Tada kažemo da je došlo do
topljenja tijela. Temperatura na kojoj dolazi do promjene čvrstog u tečno agregatno stanje temperatura
topljenja(ili tačka topljenja). Kada tijelo dostigne temperaturni topljenja potrebno je dovoditi toplotu da
bi čestice raskinule svoje veze i prešle u labilnije položaje u tečnom agregatnom stanju.
Tu toplotu (J/kg) koju možemo dovesti 1kg tijela na temperaturu topljenja, da bi prešlo iz čvrstog u tečno
agregatno stanje nazivamo toplota topljenja. Oduzimanjem toplote(hlađenjem) tečnosti dolazi do prelaska
u čvrsto stanje na temperaturu očvrščivanja.
Toplota očvrščivanja=teoplota topljenja
Zagrijavanjem tečnosti dolazi do njenog prelaska u gasovito stanje i taj proces se zove isparavanje.
Isparavanje sa površine tečnosti je prisutno na svim temperaturama. Kada tečnost počne da isparava po
cijeloj zapremini(ključanje) tu temperaturu zovemo tačku ključanja (ona zavisi od vrste tečnosti i veličine
spoljašnjeg i vlastitog pritiska). Da bi izvjesna količina tečnosti prešla u paru potrebno je dovoditi toplotu.
Toplota isparavanja(J/kg) je količina toplote koju treba dovesti 1kg tečnosti na temp. Ključanja pa da ta
tečnost pod normalnim pritiskom pređe u gasovito stanje.
Pri isparavanju molekule tečnosti prelaze u paru i iznad tečnosti. Ako u određenom momentu isti broj
molekula napušta i vraća s eu tečnost onda kažemo da imamo zasićenu paru iznad tečnosti.Zasićena para
lako prelazi u tečnost ako je sabijemo ili ako je hladimo. Taj proces se zove kondenzacija i tada se
oslobađa toplota kondenzacije(=toplota isparavanja). Tačka rose je temperatura na kojj određena količina
nezasićene pare prelazi u zasićenu. Direktan rpelazak iz čvrstog u gasovito stanje i obrnuto je moguć kod
nekih materijala i zove se sublimacija.
Pošto tačka topljenja i tačka ključanja zavise od pritiska. Znači da agregatno stanje(faza sistema- je
homogeni dio hemijskog sistema koji svugdje ima isti sastav, strukturu i osobine) u kojem se nalazi
materijal zavisi od temperature i spoljašnjeg pritiska. Jedna ista materija na određenoj temperaturi i
pritisku može biti u raznim fazama. Obično se crtaju za određenu materiju fazni dijagrami. To su krive
topljenja. Ključanja i sublimacije u p-Z dijagramu.
Kriva između čvrste i tečne faze je kriva topljenja.
Kriva između tečne i gasovite faze je kriva ključanja
Kriva između gasovite i čvrste faze je kriva
sublimacije.
Prilikom izrade legura obično se crta fazni dijagram temperatura u zavisnosti od sastava pa se tako
određuje količina pojedinih komponenti.
c) Zapaljivost i ekplozivnost
Dovođenje toplote nekim materijalima može izazvati paljenje ili eksploziju i to su efekti o kojima treba
voditi računa pri odabiru materijala za uređaje. Sagorijevanje je fizičko-hemijsksi proces u kojem imamo
uzajamno dejstvo materijala i oksidatora a praćene oslobađanjem značajne količine toplote i svjetlosti.
Kod eksplozije se javlja i gas pod pritiskom, koji je veći od pritiska okoline. Intenzitet sagorjevanja zavisi
od agregatnog stanja i sastava gorućeg materijala, oksidatora i niza drugih faktora. Svi materijali se dijele
na: zapaljive, teško zapaljive i nezapaljive.
Zapaljivi materijali – su oni materijali koji pod normlanim uslovima mogu da se zapale i gore do
potpunog izgaranja.
Teško zapaljivi su oni koji se u prisustvu plamena zapale i tinjaju, a po uklanjanju plamena prestaju da
gore.
Nezapaljivi su oni materijali koji pri normalnim uslovima ne mogu da se zapale.
Teško zapaljive materije su sve vrste životinjskih vlakana, mnoge polimerske sintetičke materije, itd.
aM+ O2 ⟶ MaOb
Oksidni sloj služi kao elektrolitički spoljašnji provodnik. Struktura formiranog oksidnog sloja određuje da
li će on imati svojstva zaštite od dalje oksidacije. Da li će oksidni sloj biti zaštita određuje se pomoću
Piling-Bedvorovog odnosa: