UNMSM

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica

APELLIDOS Y NOMBRES: CÓDIGO:

Lizama Lucero, Leonardo Jean Pierre 16190297

CURSO: TEMA:

Respuesta en Baja Frecuencia de un Amplificador

Circuitos Electronicos II
de una sola etapa

INFORME: FECHAS: NOTA

Previo REALIZACIÓN: ENTREGA:

NÚMERO:

13-05-2018 15-05-2018

GRUPO: PROFESOR:

“L8” / Lunes 18:00 – 20:00 Cordova Ruiz Russell

“RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA
DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA”
I. OBJETIVOS
- Investigar la influencia de los condensadores
de acoplo y desacoplo sobre el punto de corte
inferior de un amplificador de audio.

II. MARCO TEÓRICO

La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango
en el cual trabajará el sistema sin distorsionar la señal. Este se
conoce como ancho de banda (BW, Band Width) y determina las
frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificación.
La determinación de este parámetro depende de los dispositivos y
de la configuración amplificadora.

La respuesta en frecuencia de un amplificador consta de tres áreas

bien definidas:

• La región de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un

filtro pasa-alto.

• Una región independiente de la frecuencia (área central de la

curva).

• La región de alta frecuencia, descrita por la respuesta deun filtro

pasa-bajos.
La región de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de
corte inferior fL (ó ωL), la región de alta frecuencia se describe a
través de la frecuencia de corte superior, fH (ó ωH ). Se define
ancho de banda como:

En la práctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH

. Para determinar la respuesta en frecuencia de un amplificador
monoetapa, se consideran tanto los efectos producidos por los
condesadores de acoplo, como los efectos capacitivos del
dispositivo activo. Para el BJT se debe usar un modelo que
describa los efectos de alta frecuencia, éste se conoce como
modelo híbrido π.

 Modelo híbrido π
El circuito de la figura siguiente, es el modelo de alta
frecuencia del BJT, donde Cπ , es la suma de la capacitancia
de difusión en el emisor y la capacitancia de la unión en el
emisor, debido a que el primero es mayor se considera casi
igual a la capacitancia de difusión. Cμ, es la capacidad de
union del colector, rx (ó rb) representa un efecto resistivo
parásito de contacto (llamada resistencia de difusión de la
base), rπ , equivale a la resistencia de la base.

Los parámetros Cπ y Cμ , son llamados Cbe y Cbc

respectivamente y en las hojas de especificación de
transistores aparecen como Cib (capacitancia de entrada en
base comun) y Cob (Capacitancia de salida en la configuración
base común) respectivamente. El modelo puede ser
completado usando un resistor ro en paralelo con la fuente de
corriente.
El parámetro gm, se conoce como transconductancia y se
define en términos de los parámetros de polarización como
gm = IC/VT
y en términos de hf e se tiene que gm = hfe/rπ
III. CUESTIONARIO PREVIO
1.- En el circuito calcular teoricamente Vb, Vceq, Icq.

Hacemos el equivalente Thevenin:

 Vth=12*12K/ (12K+56K) =2.12v

 Rth=12K//56K=12K*56K/ (12K+56K) =9.88kΩ
 En la primera malla:

LVK: 2.12=9.88K*IB+VBE+690*IE

Pero: IE=IC+IB

Y IC=βIB

1.47=9.88K+690+690*β*IB

Sabemos que β=120 y reemplazando obtenemos el valor de IB

IB=15.74 μA → ICQ=1.89 mA

 En la segunda malla:

LVK: 12=1.5K*IC+VCE+690*IE

Reemplazando los valores de IC=1.89 mA y de IE= (1+ β) IB=121*15.74

μA=1.9mA

Y despejando VCEQ se tiene: VCEQ=7.85 V

2.-Despreciando el efecto de los condensadores (frecuencias

medias) calcular la ganancia de voltaje,

Al despreciar el efecto de los condensadores y realizar el circuito equivalente

en corriente alterna nos quedaría de esta forma:

Av=VoVg=Vo/ib*ib/Vi*Vi/Vg
hie=120*26 mV/1.89 mA

hie=1.65KΩ

RB=R1//R2=12K//56K=9.88KΩ

Tenemos:

Vo=βib(Rc//RL)

Voib=β(Rc//RL)

Vi=ib(hie+β+1Re1)

ibVi=1(hie+β+1Re1)

Vg(Rg+RB//(hie+Re1(β+1)))RB//(hie+Re1(β+1))=Vi

ViVg=RB//(hie+Re1(β+1))(Rg+RB//(hie+Re1(β+1)))

Finalmente:

Av=VoVg=Voib*ibVi*ViVg

Av=β (Rc//RL)*1(hie+(β+1)Re1)*RB//(hie+Re1(β+1))(Rg+RB//(hie+Re1(β+1)))

Reemplazando:

Av=120(1.3K)*1(1.65K+121*220)*9.88K//(1.65K+220(121))(470+9.88K//(1.65K
+220(121)))

Av= (91K)*1(16.69K)*6.21K(6.68K)

Av=5.18V

3.-Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co y Ce, mostrando

los circuitos equivalentes.

 Analizando con el efecto del condensador Ci:

Primero se halla la resistencia total en los bornes del capacitor Ci

Rin=R1//R2// (hie+ (Re1) (1+hfe))

Rin=9.88K//(1.65K+0.22K*121)=8.8K

Entonces:

fLi=1/2π (Rg+Rin) Ci

fLi=1/2π (1K+7.32K) *22μ

fLi=0.869Hz

 Analizando con el efecto del condensador Co:

Hallo la resistencia Thevenin para Co

Ro=Rc+RL

Ro=1.5K+10K=11.5K

Entonces la frecuencia de corte es:

fLi=1/2π(Rc+RL)Cc

fLi=1/2π(1.5k+10K)*22μ

fLi=0.62 Hz

 Analizo con el efecto del condensador de desacoplo Ce:

Calculando la resistencia Thevenin para el capacitor Ce

Re’=[[(Rg//RB+hie)/(β+1)]+Re1]//Re2

Re’=[[(1K//9.88K+1.65K)/(120+1)]+220]//470

Re’=241.1//470

Re’=159Ω

Entonces la frecuencia de corte debido a Ci es:

fLi=1/2πRe’Ce

fLi=1/2π*159*47 μ

fLi=21.56 Hz

4.- ¿Cuál de las frecuencias de corte es la que influye en las

respuestas de bajas frecuencias del amplificador?¿Por que?

. Como las frecuencias de corte de los condensadores de acoplamiento son

muchos menores con respecto a la frecuencia de corte del condensador de
desacoplo:

21.56 Hz>>0.62 Hz y 21.56 Hz>>0.869Hz

Entonces la frecuencia de corte máxima determinara en esencia la frecuencia

de corte inferior para todo el sistema. Eso quiere decir que la frecuencia de
corte que influye en las respuestas de baja frecuencia es la del condensador de
desacoplo.

IV. PROCEDIMIENTO
Se procede a armar y simular el circuito en un programa simulador llamado
Proteus:

V. RESULTADOS
Mediante simulación se obtuvo los siguientes valores:

VCEQ ICQ
Valor simulado 7.899v 1.0mA

VI. DISCUSIÓN DE RESULTADOS

- A frecuencias altas, la onda de salida se ve desfasada a la perfección.
Ademas de que la configuracion del amplificador del amplificador es
Emisor Comun, su ganancia de voltaje tenderá a 1.

VII. CONCLUSIONES
 La determinación de la respuesta en frecuencia de un amplificador se
describe a través del BW, ωL y ωH. La determinación exacta de dicha
respuesta se realiza reemplazando el modelo de los dispositivos activos
que consideran el efecto de la variación de la frecuencia, luego,
mediante la función de transferencia se obtiene el diagrama de bode.
Este método puede resultar inmanejable cuando se tienen más de dos
capacitores.
  Para determinar la frecuencia inferior, se calculan los inversos de cada
contante de tiempo con los capacitores en corto circuito, las que se
suman para obtener la freceuncia de corte inferior.

VIII. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 Principios de Electrónica – Roberto Malvino

 Savat, C., Roden, M., 1992. Diseño Electrónico.

 Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos – Robert L.

Boylestad.

 Floyd - 8va Edicion - Dispositivos Electronicos

 http://ieee.udistrital.edu.co/concurso/electronica2/diferencial.html