UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ

DEPARTAMENTO ACADÊMICO DE ELETROTÉCNICA

CURSO DE ENGENHARIA INDUSTRIAL ELÉTRICA

Disciplina de Eletrônica de Potência – ET66B

Aula 20 – Chaves Eletrônicas

Prof. Amauri Assef

amauriassef@utfpr.edu.br

UTFPR – Campus Curitiba

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 Eletrônica de Potência – DIAC

DIAC

O DIAC é um tiristor bidirecional (capaz de bloquear ou conduzir uma
corrente nos dois sentidos) bastante utilizado na proteção de circuitos e
no disparo de TRIACs

Conduz quando recebe uma tensão maior que sua tensão de trabalho VBO,
sendo ela positiva ou negativa
Curva característica
Exemplo: DB3 (DO-35)
VBO = 28V a 36V

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

MOSFET de Potência

Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

O MOSFET é uma chave ativa com camadas semicondutoras N e P, cujo

controle de condução é feito por um terminal isolado chamado de gate
(porta)

É um semicondutor totalmente controlado, através de uma tensão
aplicada entre o gate e o source

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Quando uma tensão VGS adequada é aplicada, o MOSFET entra em

condução e conduz correntes positivas (i > 0)

Com a remoção da tensão VGS, o MOSFET bloqueia tensões positivas
(VDS) > 0

Símbolo (Canal N) Curva v x i (ideal) Curva v x i (real)

D (dreno)

G(gate)

S (source)

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Possui um diodo intrínseco em anti-paralelo, também conduzindo

correntes negativas

O diodo intrínseco possui tempo de comutação maiores do que o MOSFET

A resistência de condução RDSon possui coeficiente de temperatura
positivo, facilitando a operação em paralelo

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Diodo intrínseco em anti-paralelo

A junção p-n- resulta em um diodo em anti-paralelo (body diode) com
sentido de condução dreno-source

Assim, uma tensão negativa dreno-source polariza diretamente este
diodo, com capacidade de conduzir a corrente nominal do MOSFET

Mas, os tempos de
recuperação deste diodo são
normalmente significativos

As elevadas correntes que
fluem durante a recuperação
reversa do diodo podem
causar danos ao
componente

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Circuito de prevenir a condução do diodo intrínseco

Uso de diodos externos

Característica do MOSFET de potência para prevenir a condução
MOSFET de potência e body diode do diodo intrínseco

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Circuito equivalente do MOSFET

Cgs: elevada e praticamente constante

Cgd: pequena e altamente não linear

Cds: média e altamente não linear

Os tempo de comutação são
determinados pelo tempo necessário
para carregar e descarregar estas
capacitâncias

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Características de MOSFETs de Potência comerciais

RDSon aumenta rapidamente com o valor de Vds suportável

Os MOSFETS normalmente são utilizados para aplicações com Vds < 400V

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Exemplo:

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 Eletrônica de Potência – MOSFET de Potência

Conclusões:

A principal vantagem dos MOSFETs é que são acionados por nível de
tensão, ou seja, não há necessidade de grandes potências no circuito de
disparo, resultando em circuitos para disparo mais simples

Estes semicondutores estão disponíveis em faixas de até mais de 1000V,
porém com baixas potências, da ordem de 100W, e baixas tensões

Os tempos de comutação são de 50n a 200 ns. Em tensões superiores a 400
e 500V, os dispositivos formados por portadores minoritários (IGBT por
exemplo) possuem uma queda direta menor. A única exceção é em
aplicações onde a velocidade de comutação é mais importante do que o
custo do semicondutor para obter queda em condução aceitável.

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 Eletrônica de Potência – GTO

Tiristores Gate-turn-off (GTO)

Os GTOs, basicamente, são SCRs com controle de desligamento, ou seja,

possuem mais um terminal de porta, que serve para parar sua condução.

A figura a seguir ilustra seu símbolo, bem como um circuito simplificado
típico de supressão (snubber), obrigatório neste caso, que reduz os picos
de tensão quando conectado a cargas indutivas.

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 Eletrônica de Potência – GTO

Necessitam circuito de disparo mais complexo, devido aos parâmetros de

tempo de disparo e de desligamento, e elevada corrente de desligamento
(baixo ganho)

Utilizado em circuitos de alta potência, uma vez que pode trabalhar com
tensões acima de 4,5kV, altas correntes (kA) e a uma frequência de
chaveamento de algumas centenas de Hertz a 10kHz

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 Eletrônica de Potência – IGBT

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor

Os IGBTs (Transistores Bipolares com Gate Isolado) são semicondutores

que combinam as características dos BJT com as dos MOSFETs

Símbolo Circuito equivalente

C (coletor)

G (gate)

E (emissor)

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 Eletrônica de Potência – IGBT

Quando uma tensão Vge adequada é aplicada, o IGBT entra em condução,

conduzindo correntes positivas (i > 0)

Quando uma tensão Vge é removida, o
IGBT bloqueia, podendo suportar
tensões negativas

Tempos de comutação maiores do
que os MOSFETs

Aplicável onde se desejam elevadas
tensões entre o coletor e emissor

Dispositivo com características de
coeficiente de temperatura positivo,
facilitando o paralelismo (também
existem com coeficiente negativo)

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 Eletrônica de Potência – IGBT

Os IGBTs, como os BJTs, têm baixas tensões de acionamento/desligamento,

trabalhando com altas tensões (1000V, por exemplo)

Tempos de chaveamento estão na ordem de 1μs, em blocos com tensão e
corrente de 1700V e 1200A (> MOSFETs)

Outra característica aproveitada do MOSFET é que o circuito de acionamento
precisa de baixas correntes de acionamento

Atualmente as freqüências típicas de conversores com IGBT são de 1 a 30 kHz

O preço pago por reduzir a tensão direta do IGBT é o aumento dos tempos de
comutação, especialmente os tempos de desligamentos

O IGBT no desligamento apresenta uma corrente de calda “current tailing”.

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 Eletrônica de Potência – IGBT

Características dinâmicas (corrente de calda)

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 Eletrônica de Potência – IGBT

Características de IGBT comerciais

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 Eletrônica de Potência – IGBT

Exemplo:

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 Eletrônica de Potência – IGBT

Conclusões:

Está se tornando o dispositivo de escolha para aplicações entre 500 e

1700V, com níveis de potência de 1 a 1000kW

Coeficiente de temperatura positivo para alta corrente – facilidade no
paralelismo e construção de módulos

Facilidade no drive – similar ao MOSFET

Queda de tensão direta: diodo em série com a on-resistance: 2-4V típico

Mais lento que o MOSFET, porém mais rápido que o GTO, Darlington e
SCR

Frequência de chaveamento típica entre 1 a 30 kHz

A tecnologia do IGBT está avançando rapidamente com dispositivos para
maiores frequências e tensões (> 2500V)

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