Método de zona flotante

¿Cómo se hace?

Dentro de una cámara con atmósfera inerte, se coloca una barra de semiconductor
policristalino en posición vertical y se rota. Una pequeña zona de la barra se mantiene
“fundida” mediante un calentamiento por señales de RF. La zona fundida se mueve a lo
largo de la longitud de la muestra las impurezas segregadas de la zona fundida van
desplazadas hacia los extremos del lingote. las impurezas tienden a ir a la zona fundida.
Para ayudar a una cristalización inicial se coloca un cristal semilla que sirve de modelo de
crecimiento.

Características

 Se basan en el cambio de la concentración de las impurezas debido a los

mecanismos de segregación de la transición sólida a líquida.
 No hay crisol (fuente de impurezas).
 La zona fundida se mantiene unida por tensión superficial a las partes superior e
inferior que están sólidas.
 Es un método que permite tanto la formación del monocristal como el refinado de
un material crecido mediante la técnica CZ (para purificarlo).

Crecimiento epitaxial

 Es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene

una relación definida con respecto al substrato cristalino inferior.
 Para optimizar dispositivos y circuitos y el grosor de la capa epitaxial puede
variar desde 0.1 μm hasta 100 μm según la aplicación. De menor espesor para
aplicaciones de alta velocidad. De mayor espesor para aplicaciones de
potencia.
 Se caracteriza por realizarse a temperatura inferior a la de fusión del
material.

Homoepitaxia: la capa que se crece es químicamente similar al substrato. Involucra

la extensión de la red del substrato en una red de material idéntico.
Heteroepitaxia: la capa que se crece difiere en términos químicos, estructura
cristalina, simetría o parámetros de red con respecto al substrato. Materiales: ternarios o
cuaternarios sobre GaAs (AlGaAs sobre GaAs, GaN sobre SiC).

Clasificación de las técnicas

 Basadas en el transporte físico del material semiconductor hacia la oblea

calentada (en fase líquida, en fase de vapor, etc.).
 La calidad de la capa epitaxial, depende de la difusividad de la superficie y de
una serie de factores experimentales (limpieza de la superficie, velocidad de
deposición, Tª, etc).
 Se utiliza principalmente para crecer materiales compuestos (ternarios y
cuaternarios) muy uniformes, delgados y de elevada calidad.
VPE (Epitaxia en forma de vapor)

Una capa sólida delgada se sintetiza partiendo de una fase gaseosa mediante una
reacción química. El propósito de la epitaxia es crecer una capa de Silicio de grosor
uniforme y en la cual se puedan controlar las propiedades eléctricas.

A bajas temperaturas es la cinética de la reacción la que limita la velocidad de

crecimiento, dando lugar a velocidades de crecimiento que dependen
fuertemente de la temperatura. A temperaturas elevadas, el transporte de gases
es el que marca la velocidad. Para temperaturas intermedias, depende
fuertemente del tipo de gas utilizado y del tipo de la configuración geométrica del
reactor.

 Si, Ga, As (también pueden transportar dopantes) se transportan en forma de

vapor (fase gaseosa) a través de compuestos químicos gaseosos (normalmente
por H2) a la Tª de reacción, hacia la oblea.
 En la oblea se depositan en la superficie del material para formar la capa epitaxial
mediante la correspondiente reacción química.
 Estos compuestos se depositan ordenadamente siguiendo la cristalografía del
substrato o de la oblea.
 Así mismo el proceso puede llevarse a cabo a presión atmosférica, evitando
la necesidad de realizar un sistema de vacío y reduciendo la complejidad.

1. Dentro de la cámara hay un crisol en forma de barquilla que sirve de

apoyo de los substratos (grafito recubierto de carburo de silicio).
2. Se calienta hasta 900 - 1250 ºC (no se alcance el punto de fusión). Tiene
entradas y salidas de gases de modo que puedan fluir en su interior. Estos
gases contienen compuestos volátiles y algunos compuestos dopantes. Todos
los productos son gaseosos y las reacciones tienen lugar aproximadamente a
1200ºC. Esta alta temperatura es necesaria para que los átomos de dopantes
adquieran la energía suficiente para moverse y formar los enlaces covalentes.

MBE (Epitaxia por haces moleculares)

Su principal aplicación es donde se requiere un control preciso sobre impurezas

múltiples y de deposición de capas muy delicadas.

1. Las celdas de efusión contienen los materiales a ser depositados o

crecidos epitaxialmente.
2. La oblea se mantiene a una Tª controlada (400 ºC - 900 ºC, temperatura baja).
Luego se bombardea por los haces de los materiales que están en las “celdas
de efusión” de manera que las moléculas que la alcanzan puedan crecer sobre la
superficie con la orientación cristalográfica del substrato.
3. La oblea se mantiene girando constantemente para conseguir capas uniformes.
4. La cámara presenta condiciones de vacío extremo y está llena de nitrógeno
para impedir la contaminación e interacciones entre compuestos.
5. La velocidad característica de crecimiento es aproximadamente 1nm/sec (es
muy baja) lo que permite la variación gradual de la composición del material.
 Desventajas
 Elevado coste del equipo y su complejidad.
 Bajas velocidades de crecimiento.
 Sólo es posible realizar el crecimiento de una única oblea cada vez

LPE (Epitaxia en fase liquida)

 Se basa en la solubilidad de un soluto en un disolvente a una Tª dada.

 El substrato (la oblea donde se quiere crecer la capa) se pone en contacto
con una solución con un solvente previamente escogido, saturada del
material semiconductor.
 A una Temperatura apropiada en condiciones próximas al equilibro entre la
disolución y el substrato, se puede crecer el semiconductor sobre el
substrato de manera lenta y uniforme.
 Las velocidades de crecimiento típicas son de 0.1-1μm/minuto.
 El crecimiento se controla mediante un enfriamiento de la mezcla.
 Puede producirse un dopaje mediante la adición de dopantes.

1. Un contenedor dentro de un tubo de cuarzo se introduce en un horno.

2. El horno permite calentar la solución hasta la temperatura deseada: T0.
3. Se hace circular H2 (hidrógeno purificado), para eliminar las películas de
óxido del material solvente.
4. Dos regiones para depositar el substrato y la mezcla.
5. Al alcanzar T0 el horno se inclina y la fase líquida cubre al substrato.
6. Después se reduce la Tª y como consecuencia, crece la capa epitaxial sobre la
superficie del substrato.
7. El proceso termina cuando el horno regresa a la posición inicial, y la fase
líquida se retira de la superficie del sustrato.

Ventajas LPE

 Es un proceso simple que requiere un equipo modesto. Se puede realizar en

condiciones normales de laboratorio.
 Menos costosa y mayor velocidad de crecimiento que la MBE.
 Baja concentración de defectos.
 Excelente control de la estequiometria.

Desventajas LPE
 Las condiciones de solubilidad restringen en gran manera al número de
materiales a los cuales es aplicable esta técnica.
 El control de la morfología (orientación cristalina) es muy difícil.
 La calidad superficial es pobre.